TW201241194A - COPPER OR COPPER ALLOY REDUCED IN a-RAY EMISSION, AND BONDING WIRE OBTAINED FROM COPPER OR COPPER ALLOY AS RAW MATERIAL - Google Patents

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Description

201241194 六、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種使用於半導體之製诰玺 a |之使〇：射線 量降低之銅或銅合金及以銅或銅合金為原料之接人線 【先前技術】 一般而言，銅係使用於半導體之製造之材料，尤其是 銅或銅合金配線、銅或銅合金接合線、焊錫材料之主要原 料。於製造半導體裝置時，銅或銅合金配線、銅或銅合金 接合線、焊錫（Cu — Ag _ Sn)係使用於：將⑴或LSI等 Si晶片接合或密封於引線框架或陶瓷封裝時、tab ( Tape Automated Bonding )或倒裝晶片製造時之凸塊形成、半導 體用配線材等》 最近之半導體裝置因高密度化及運轉電壓或電池之容 量下降’故由於來自半導體晶片附近之材料之α射線之影 響而產生軟性誤差之危險增多。因此，要求銅或銅合金之 高純度化，又’要求低α射線之材料。 雖與本申請案發明為不同之材料，但存在使α射線減 少之揭示’即存在數個關於以使來自錫之α射線減少為目 的之技術之揭示。以下對其進行介紹。 下述專利文獻1中記載有一種低α射線錫之製造方 法’其係於將錫與α射線量為1 〇 cph/ cm2以下之鉛加以合 金化後，進行除去錫中所包含之鉛之精煉。該技術之目的 係藉由高純度Pb之添加而稀釋錫中之2i〇Pb而降低α射線 量。 201241194 然而，於此情形時，於添加至錫後，必須有進一步除 去Pb之繁雜之步驟，又，雖於精煉錫之3年後，〇射線量 顯示出大幅度下降之數值，但亦可理解為若未經過3年則 無法使用該α射線量下降之錫，故不能說為於產業上效率 良好之方法。 下述專利文獻2中記載有若於Sn—pb合金焊錫中添加 10〜5000 ppm 選自 Na、Sr、K、Cr、則、Mn、v、^ ' ^、
Zr·、Ba之材料，則放射線α粒子之計數下降至〇 5 cph/cm2 以下。 然而，即便藉由如此之材料之添加，可減少放射線α 粒子之計數為0.015 cph/cm2等級，未達到作為目前之半 導體裝置用材料可期待之等級。 進而成為問題的是，會使用鹼金屬元素、過度金屬元 素、重金屬元素等混入至半導體則不佳之元素作為添加之 材料。因此，作為半導體裝置組裝用材料僅能說是等級較 低之材料。 下述專利文獻3中記載有將自焊錫極細線釋放出之放 射線α粒子之計數控制於〇 5 cph/ cm2以下，並作為半導 體裝置等之連接配線用而使用之情形。然而，該程度之放 射線α粒子之計數等級未達到作為目前之半導體裝置用材 料可期待之等級。 下述專利文獻4中記載有藉由使用特級硫酸、特級鹽 酸等純化度較高之硫酸與鹽酸作為電解液，且將高純度錫 用於陽極來進行電解，而獲得鉛之濃度較低、鉛之^射線 4 201241194 計數為0.005 cph/cm2以下之高純度錫。若不考慮成本， 只要使用高純度之原材料（試劑），當然可獲得高純度之材 料’儘管如此，專利文獻4之實施例中所示之析出錫之最 低α射線計數為〇·〇〇2 cph/ cm2，雖然成本高，但仍未達到 可期待之等級。 下述專利文獻5中記載有以下之方法：將硝酸添加至 加入有粗金屬錫之加熱水溶液中，而使偏錫酸沈澱，過濾 並將其洗淨’以鹽酸或氫氟酸溶解洗淨後之偏錫酸，並將 該溶解液作為電解液’藉由電解採收而獲得5 N以上之金 屬錫。雖然該技術中籠統地敍述可作為半導體裝置用而應 用’但關於放射性元素及放射線α粒子之計數之限制並未 特別提及，可以說對於該等之關心程度甚低。 下述專利文獻6中揭示有以下之技術：使構成焊錫合 金之Sn中所含之Pb的量減少，且使用⑴或、Ag、Ζη 作為合金材之技術，然而，於此情形時即便儘可能降低pb， 但並未特別揭示對必然混入之pb所引起之放射線α粒子之 s十數之問題進行根本解決之方法。 下述專利文獻7中揭示有使用特級硫酸試劑進行電解 而製造之等級為99.99%以上、放射線。粒子之計數為〇〇3 cph/W以下之錫。於此情形時，若不考慮成本並使用高 純度之原材料（試劑）’當然亦可獲得高純度之材料，儘管 如此’專利文g 7之實施例中所示之析出錫之最低之〇射 線計數為0.003 cph/cm2,雖然成本高，但仍未達到可期待 201241194 下述專利文獻8中記載有具有4 N以上之等級、放射 性『位元素未達50 ppm、放射線α粒子之計數為〇 5 cph/ cm2以下之半導體裝置用焊料用鉛。又，下述專利文獻9中 記載有具有99.95%以上之等級、放射性同位元素未達3〇 PPm放射線α粒子之計數為〇 2印匕/ cm2以下之半導體裝 置用焊料用錫。 該等均存在放射線α粒子之計數之容許量寬鬆 VA. · 到作為目前之半導體裝置用材料可期待之等級之問題 _ n於以上情況’本案中請人如下述專利文獻⑺所示， 曾進行如下提案：高純度錫，即純度為5 N以上（其中， ' _ € N、H、S、P之氣體成分）’其申，使作為放射 素之U Th之各者之含量為5 ppb以下，使釋放放射 丰子之Pb Βι之各者之含量為】ppm以下，儘量排除 α射線對半導體晶片之影響。於此情形時，因高純度錫最 、.·、系由熔冑_造及視需要進行壓延、切斷而製造者，故 係關於實現該高純度錫之《射線計…·001 cph/cm2以 下之技術者。 '之純化之時’ P〇之昇華性非常高，若於製造步驟， =炫解、鑄造步驟中被加熱，則P。會昇P可認為：若 初期階段除去針之同位素，。，則理所當然不會 引起自釙之同位音210Prt A , U 素P〇向鉛之同位素206Pb之衰變，亦不 產生α射線。 °Ρ〇 一般認為：於製造步驟中之 向鉛之同位素206Pb衰變時 a射線之產生，係於自該 。然而’實際上，發現儘 6 201241194 管於製造時P 〇幾乎消失殆盡，但仍然持續產生α射線。因 此，僅於製造初期之階段降低高純度錫之α射線計數，不 能說是解決問題的根本之道。 上述主要係與關於錫之α射線相關者，而銅或銅合金 係作為半導體用而使用於LSI之配線材料或連接晶片與引 線框架之接合線中’但因接合線與引起軟性誤差之記憶體 部分相隔一定距離，故不太考慮自線產生之α射線量，〇5 cph/cm2以下之程度即被認為充分（參照下述專利文獻u 之段落0004 )。 除此之外，雖存在關於銅或銅合金接合線之專利文 獻，但未發現關於α射線量之揭示。以下列舉關於銅或銅 合金接合線之專利文獻，簡單地進行說明。 專利文獻12中存在半導體裝置之接合線用高純度銅之 製造方法之記載，記載了以下之内容：使不可避免雜質之 所有含量為5 ppm以下，並使不可避免雜質中之s、以、及
Te成分之含量分別為s : 〇 5 ppm以下、^ : 2 口口爪以下、
Te 0.2 ppm以下’且使維氏硬度、延伸、斷裂強度提高。 專利文獻13中，作為接合線用銅素材之製造方法，記 載有藉由電解精煉—真空熔解—帶域熔法進行純化之情 形。 專利文獻14中記載有含有Fe、p、In，並含有^、抑、 Sb中至少丨種以上之接合線。 專利文獻15中記載有調整了凝固速度之接合線素材之 製造方法’以作為半導體元件用接合線素材之製造方法。 201241194 專利文獻16巾記載有㈣用或電纜㈣^ 導電性銅合金’且記载了其含有Fe、P，並含有又门 外、补中之至少2種與心之情形。^有選自In、Sn、 1載：m?中記載有耐熱高強度高導電性銅合金，且 載了其3有Fe、P’並含有選自In、Sn、Pb 種與Zr之情形。 除此之外’作為銅之純化方法，專利文獻心記載有 以下之技術…膜使陽極與陰極分離，萃取自陽極溶出 之含Cu離子電解液，且於進人陰極盒之前通過^爪左 右之網眼之活性碳㈣器；專利文獻19中記載有以下之技 術：以藉由電解收取或電解純化來進行高純度化為前提， 藉由酸與活性碳處理自含銅溶液之陽極電解液除去雜質， 並將除去之高純度銅液作為陰極電解液而使用；專利文獻 2〇中記載有以下之技術：使用以隔膜分離陽極（an〇de)室 及陰極（cathode)室而成之電解槽，作為電解液使用氣浴 中之黃銅礦滲出液而向陰極室供液，藉由電解還原於陰極 表面收取電解銅。 然而，於該等銅之純化方法中未揭示使α射線減少之 技術》 專利文獻1 :曰本專利第3 5 2 8 5 3 2號公報 專利文獻2 :曰本專利第322785 1號公報 專利文獻3 :曰本專利第29丨39〇8號公報 專利文獻4:日本專利第2754030號公報 專利文獻5 :日本特開平丨丨—34359〇號公報 8 201241194 專利文獻6 : 專利文獻7 : 專利文獻8 : 專利文獻9 : 專利文獻10 專利文獻11 專利文獻12 專利文獻13 專利文獻14 專利文獻15 專利文獻16 專利文獻1 7 專利文獻1 8 專利文獻19 專利文獻2 0 【發明内容】 曰本特開平9 — 260427號公報 曰本特開平1 — 2 8 3 3 9 8號公報 曰本專利特公昭62 - 47955號公報 曰本專利特公昭62 —丨478號公報 W02007- 004394 號公報 曰本特開2005 — 175 089號公報 曰本專利特公平7— 3 643 1號公報 曰本專利特公平8 — 23050號公報 曰本專利特公昭62一 56218號公報 曰本特開昭63 — 34934號公報 曰本特開昭62 — 214145號公報 曰本特開61 — 76636號公報 曰本專利4620185號公報 曰本專利45 19775號公報 曰本特開2005 — 105 3 5 1號公報 最近之半導·體裝置因高密度化及運轉電壓或單元之容 :降低會由於來自半導體晶片附近之材料之α射線之 〜響而產生軟性誤差之危險增多。尤其是由於對接近於半 導體敦置而使用之銅或銅合金配線、銅或銅合金接合線、 焊錫材料等銅或銅合金之高純度化之要求較強，又，要求 •射線之材料，因此本發明之課題在於：閣明銅或銅合 金之α射線產生之現象，並且獲得使可適應於所要求之材 料之α射線量降低之銅或鋼合金、及以銅或銅合金為原料 201241194 之接合線。 為解決上述之問題’而提供以下之發明。 丄）一種銅或銅合金’其特徵在於：熔解、鑄造後之試 樣之〇:射線量為o.ooi cph /cm2以下。 2) —種銅或銅合金’其特徵在於：自熔解、鑄造起1 週後、3週後、1個月後、2個月後、6個月後及3 0個月後 之各者之α射線量為0.001 cph/cm2以下。 3) 如上述1)或2)所記載之銅或鋼合金，其特徵在 於：純度為4 N ( 99.99% )以上。 於為該銅合金之情形時，為包含作為基材（base)之 C11與添加元素之純度。 4) 如上述1)〜3)中任一項所記載之銅或銅合金，其 特徵在於：Pb含量為0.1 ppm以下。 八 5) -種接合線，其係以上述卜4中任一項所記載之 銅或銅合金為原料。 最近之半導體裝置係高密度化及運轉電壓或單元之容 量下降’ @會由於來自半導體晶片附近之材料之。射線之 影響而產生軟性誤差之危險趨於增多，但本發明具有可提 供可適應於低《射線之材料之銅或銅合金及以銅或鋼合金 為原料之接合線之優異效果。藉此，^顯著地減少因 體裝置之α射線之影響所致之軟性誤差之產生。 【實施方式】 雖大量存在產生 衰期非常長或非常短 α射線之放射性元素 而實際上不成為間題 但由於多數半 實際上成為問 10 201241194 題的是於u衰變鏈（參照圖υ中之自釙同 …位素，b衰變之時產生之α射線β Ρ。向 接近於半導體裝置而使用之銅或銅合金配線、銅或銅 合金接合線、焊錫材料開發有以銅或銅合金為原料之材 料且要求低α射線之銅或銅合金材料。 例如，作為銅或銅合金接合線之原料，通常使用4 ν〜 5Ν之無氧銅’並含有（U wtppm以上之錯n線之產生 量亦超過0,001cph/cm2。又，先前以來可以說是因認為不 存在低α射線的必要，故無降低之動機。 如上所述，Ρ〇之昇華性非常高，若於製造步驟，例如 炫解、鑄造步驟中加熱則ρ。昇華…般認為：若於製造步 驟中除去針之同位素，。，則不產生自#之同位素2>〇 :鉛之同位素之衰變’亦不產“射線（參照圖1之 U衰變鏈」）。 '而。'於幾乎無朴之同位素，〇之狀態下，會產生 P〇_> 6Pb之衰變。而且，可知該衰變鏈達 到平衡狀態需要約27個月（2年餘）（參照圖2)。 則隨二右銅材料中含有錯之同位素2,°Pb(半衰期22年）， =:時間經過而進行(半衰期5天卜，。 因此Γ期138天）之衰變（圖υ，衰變鏈重建而產生210p〇, 弓;產生自补之同位素21❶…之同位素，b之衰變所 5丨起之α射線。 問題因此’即便於製品剛製造後α射線量較低亦無法解決 且產生隨著時間經過α射線量升高，而引起軟性誤 201241194 差之危險性升高之問題 時間。 上述約27個月 (2年餘）絕非短 即使於製品剛製造後α射線量較 平又低，但隨者時間之經 過α射線逐漸升高之問題係由於材料
有圖1所示之U 衰變鏈之鉛之同位素210Pb，若不極力、法丨1 蚀刀减少鉛之同位素2丨〇Pb 之含量’則可以說無法解決上述之問題。 α射線量之關係。可知該 214外、2丨°Pb、2G9pb、2G8pb、 位移，且鉛之同位素2i〇pb 圖3表示Cu中之Pb含量與 圖3所示之直線根據紹之同位素 207Pb、206Pb、204Pb之比例而上下 之比例越大越向上方位移。 重要的是降低該銅中之雜之同位f 2丨〇外之 根據以上 因 會 比例，又，藉由將Pb降低至(M ppm以下為止，結果， 船之同位素，b亦可降低，故隨著時間經心料量不 升向。 又，可認為L之同位素，b之存在比較少係指圖i 所示之U衰變鏈之比率相對較小，屬於該系列之鉛之同位 素21GPb亦較少。 藉此，可達成經熔解、鑄造之銅之^射線量為〇 〇〇丨eph / cm2以下。設為該等級之α射線量係本申請案發明之基 本，可以說先前技術中並無揭示或暗示具有如此之認識並 達成上述内容之記載。 具體而言，本發明提供一種銅或銅合金，其於自熔解、 鑄造起1週後' 3週後、丨個月後、2個月後、6個月後及 不存在使由向鉛之同位素2〇6Pb之衰變所引起之α射線產生 12 201241194 的釙之同位素21〇P〇之妝能 過外〜2、-2，。-
Pb之农變鏈達到平衡狀態之 各者m㈣為〇·⑽ 月之相3G個月後之 cph/ cm2 以下。 解純^㈣因於錫等之低射線量之降低化）之電 :中使用之鹽酸洛中未析出Pb，故無法藉由本宰之隔 膜電解法除去。b。又，雖…電解純化中亦 洽，但因於此情形時扑未析出， 解法除去Pb。於本宰中，俜以# ^藉由本案之隔膜電 析出而藉由隔膜電解法 除去Pb，而謀求低^化（α射線量之降低化）。 進而，於測定α射線量之情形時存在需要注 即，由α射線測定裝置（機' 處。 J心衣直C機窃）發出α射線（以 要使用「背景（BG) α射線」之 彳據需 }本肀4案發明中 上述之α射線量係指6除去由α射線測定裝置發出之^ 線之實質α射線量。本中請案說明書所記載之 係以該含義使用。 、对綠直」 ，〜W冰置，於含有 或銅合金之合金中亦同樣強烈受到α射線量之影響。有7 雖藉由低α射線量或幾乎不產生α射線量之銅^外的時 而緩和α射線量之影響，但於合金成分中 、成分 L _ 主^含有40%以 上之銅之銅合金之情形時，可以說較佳為 A丄* 1文用低》射線| 之本發明之銅。 1 銅之純化係藉由以下所示之隔膜電解法而進〜
使電解液為硫酸銅溶液，於陽極邀降抗A 丹U極之間設置 臈’於除去自陽極側析出之電解液中之杯ψ札 、 竹出物，尤其是碌 13 201241194 酸錯後’向陰極側供給電解液。 本發明之隔膜電解法之特徵在力：使用硫酸銅溶液（例 如Cu濃度30〜200 g/L)，以隔膜不通過pb2+離子之方式 使用陰離子交換膜。即便進行隔膜電解，但於使用陽離子 交換膜之情形時，Pb2+離子亦通過，而於陰極側之電沈積 銅中會混入船，因此如上所述，需要使用陰離子交換膜。 又，自電解液中除去析出物之硫酸船係藉由使用過濾器之 過滤而進行。 如上所述，本申請案發明將硫酸銅溶液作為電解液而 使用吏用陰料交換膜之隔膜電解法而可將紹除去 至〇·1 ppm等級為止。如此所得之本巾請案發明之銅或銅合 金具有可顯著地減少因半導體裝置之α射線之影響所致之 軟性误差之產生之優異之效果。 再者，如上所述，將硫酸銅溶液作為電解液而使用， 且使用陰離子交換膜之隔膜電解法為有效之方法，但應可 容易地理解只要為可使α射線量》〇.〇〇1 cph/cm2以；之 製法，則並不限定於該方法。 [實施例] 其-人，對本發明之實施例進行說明。再者，本實施例 僅為-例’並不限定於此例。即，本發明之技術思想之範 圍内包含所有實施例以外之態樣或變形。 (實施例1 ) 。將以鋼精煉步驟中之轉爐進行純化後之粗銅（純度約 99%)作為原料陽極，以錢鋼溶液進行電解純化。因使粗 14 201241194 銅中所含之錯作為硫射。t而析出，故為了防止將析出物捲 龙積+而進行使用陰離子交換膜之隔膜電解。 以陽極將粗銅電熔解，並以泵抽出為特定銅濃度之液 體過濾後，將不存在析出物之液體供給至陰極，獲得電 沈積。藉此，獲得錯濃度較低之純纟4 N之銅電沈積物。
Th 之 3 量分別 < 〇·〇 1 wtppm、〈 5 wtppb、< 5 wtppb。 洗淨、乾燥回收之電沈積銅，於12〇〇〇c之溫度下熔解、 鑄k，自剛熔解、鑄造後起調查α射線量之經時變化。α 射線測定用試樣係壓延經炼解'鎮造之板而使其為約15 咖之厚度，並切出為310 mmx31() _之板。該表面積為 961 cm2。將其作為^:射線測定試樣。 α射線測定裝置係使用〇rdeia公司製造之 P i〇nal Counter 型號 8600A - LB。使用氣體為 9〇。/0 氬 氣-腿曱烷’至於測定時間’係背景㈤㈣—及試 樣均為104小時，最初之4小時作為測定室淨化所需之時 間自5小時後至！ 〇4小時後為止。，用於〇射線量算 出的是分別於自料、铸造起i週後、3週後、⑽月後、 2個月後、6個月後之自5小時後至104小時後為止之資料。 關於上迷试樣，於自熔解、鑄造起丨週後、3週後、工 個月後、2個月後、6個月後及不存在使由錯之同位素2〇6外 之衰變所引起之〇：射線產生之釙之同位素2丨。p〇之狀態下， 經過，bJ〇Bi_210p〇—邮外之衰變鍵達到平衡狀態之 27個 0.001 為 月後之30個月後測定α射線量，結果α射線量最大 Cph/cm2 ’滿足本申請案發明之條件。 15 201241194 又’於為銅合金鍵之情形時’作為添加之合金元素， 通常可進行添加數10〜數100 Wtppm之選自A卜Ag、B、
Ba、Be ' Bi、Ca、Ce、c〇、Cr、Dy、Eu、Gd、Ge、ΐη、Ir、
La、Mg、Mo、Nd、Ni、P、Pd、Pt、Rh、RU、sb、Si、Sn、
Sr、Y、Ti、Yb、Zn、Zr 中之 1 種以上。 於該銅合金之製造之情形時重要的是：於熔解、铸造 時，包含作為基材（base)之Cu，銅合金中所含之pb、u、 Th 之含量分別 < 0.01 wtppm、< 5 wtppb、< 5 wtppb，於本 實施例中’於該等銅合金之製造時，亦同樣地測定α射線 里’結果可達成α射線量最大為0.001 Cph/ cm2。 (比較例1 ) 將市售無氧銅熔解鑄造，以與實施例1相同之方法製 作α射線試樣。Pb、U、Th含量分別為i wtppm、< 5 wtppb、 < 5 wtppb 。 自剛熔解鑄造後起調查α射線量之經時變化，結果α 射線量雖於剛熔解鑄造後為0.001 cph/cm2以下但逐漸地 a加。可S忍為是：雖因以該等炼解、鑄造步驟蒸發了 p〇故 α射線量暫時變低，但因含有lwtppm ^pb，故衰變鍵重 建而使α射線量增加。其結果’無法達成本申請案發明之 目的。 (比較例2) 以於銅精煉步驟中以轉爐純化後之粗鋼（純度約Μ% ) 作為原料陽極，以硫酸銅溶液不使用隔膜地進行電解純 匕其結果P b、U、T h之含景众"为丨么η 〇 4- & 3 S 刀别為 0·2 wtPPm、< 5 wtppb、 201241194 < 5 wtppb 〇 自剛溶解铸造後起調查a射線量之經時變化，结果以 射線量於剛熔解鑄造後為0.001 cph/cm2以下但逐漸地增 加。可認為是··雖因以熔解、鑄造步驟蒸發了 ρ〇故α射線 暫時變低，但因含有0.2 wtppm之Pb故衰變鏈重建而使α 射線量增加。其結果，無法達成本申請案發明之目的。 (實施例2) 藉由拉線加工使以實施例1之方法製作之銅錠為直徑 25 μ m之線。將其鋪至α射線測定裝置之試樣板上，以與實 施例1相同之方法測定α射線，結果α射線量未增加，穩 定地為0.001 cph/cm2以下。根據以上，可將該加工之銅 線作為銅接合線而有效地利用。 又’使用於上述實施例1中製造之添加了數1〇〜數1〇〇 wtppm 之選自 AhAg、B、Ba、Be、Bi、Ca、Ce、Co、Cr、
Dy、Eu、Gd、Ge、In、Ir、La、Mg、Mo、Nd、Ni、P、pd、
Pt、Rh、RU、Sb、Si、Sn、Sr、Y、Ti、Yb、Zn、Zr 中之 i 種以上之銅合金錠而進行拉線加工，並測定α射線，結果 a射線量未增加，可穩定地獲得0.001 cph/cm\其重點是 於銅合金之製造階段中之謹慎的成分調整，而藉由包含作 為基材（base )之Cu，使銅合金中所含之pb、u、Th之含 量分別 < 0.01 wtppm、< 5 wtppb、< 5 wtppb 而可達成者。 (比較例3) 藉由拉線加工使以比較例1及比較例2之方法而製作 之銅錠為直徑25 μ m之線。將其鋪至射線測定裝置之試 17 201241194 樣板上，2並進行·，結果α射線於剛拉線加工後為〇〇〇ι cph/cm2左右，但逐漸增加。根據以上不能說該加工之 銅線作為銅接合線為有效之材料。 [產業上之可用性] 如上所述，由於本發明具有可提供可適應於低“射線 之材料的銅或銅合金及以銅或銅合金為原料之接合線之優 異效果，&而可極力排除對半導體晶片之“射線之影響。 ::二可顯著減少由半導體裝置之α射線之影響所致之軟 二、之產生’作為使用銅或銅合金配線、銅或銅合金接 合線/錫材料等鋼或銅合金之部位之材料甚為有用。 【圖式簡單說明】 圖1係表示鈾（U)衰變至206 ^ .衰變系列）之圖。 pb為止之衣變鏈(轴、 ，二表ΐ自幾乎不存在斜之同位素21°⑽ rΒι— P〇〜2〇6pk ^ 圖。 之衰變鏈所放射之α射線量之 圖3係表示CU中之ph a旦& 4 之Pb έ量與《射線量之關係之圖。 圓4係表示利用隔 Γ 、電解法之敍除去步驟.之概略之圖。 【主要元件符號說明】 盔 #*»> 18

Claims (1)

  1. 201241194 七、申請專利範圍·· 之α射線量 1. 一種銅或銅合金，其熔解、鑄造後之試樣 為 0.001 cph/ cm2 以下。 2. —種銅或銅合金，其自熔解、鑄造起1週後、3週後、 1個月後、2個月後、6個月後及3〇個月後之試樣之各者之 «射線量為0.001 cph/cm2以下。 3. 如申請專利範圍第1或2項之銅或銅合金，其純度為 4 N ( 99.99%)以上。 項之銅或# 4頊中任 4. 如申請專利範圍第1至3項中任—.-^如合金 其中’ Pb含量為〇] ppm以下。 5 ·種接合線，其係以申請專利範園第1至 項之銅或鋼合金為原料。 19
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI611859B (zh) * 2013-09-19 2018-01-21 千住金屬工業股份有限公司 鎳球、鎳核球、焊接接頭、泡沫焊料、焊膏
TWI616265B (zh) * 2014-11-05 2018-03-01 千住金屬工業股份有限公司 焊接材料、焊膏、泡沫焊料、焊料接頭及焊接材料的管理方法
TWI647030B (zh) * 2014-01-30 2019-01-11 千住金屬工業股份有限公司 Ｏｓｐ處理銅球、焊接接頭、泡沫焊及焊膏

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2010038642A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 日鉱金属株式会社 高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットの製造方法及び高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜
WO2010038641A1 (ja) 2008-09-30 2010-04-08 日鉱金属株式会社 高純度銅及び電解による高純度銅の製造方法
US9668358B2 (en) * 2012-12-06 2017-05-30 Senju Metal Industry Co., Ltd. Cu ball
WO2014109052A1 (ja) * 2013-01-11 2014-07-17 千住金属工業株式会社 Ｃｕボール
EP3012047B1 (en) * 2013-06-19 2018-11-21 Senju Metal Industry Co., Ltd. Cu-cored solder ball
EP3067151B1 (en) 2013-11-05 2018-08-08 Senju Metal Industry Co., Ltd Copper core ball, solder paste, formed solder, and solder joint
WO2015083406A1 (ja) 2013-12-02 2015-06-11 Jx日鉱日石金属株式会社 高純度塩化コバルト及びその製造方法
JP5590259B1 (ja) * 2014-01-28 2014-09-17 千住金属工業株式会社 Ｃｕ核ボール、はんだペーストおよびはんだ継手
JP5680773B1 (ja) * 2014-01-29 2015-03-04 千住金属工業株式会社 Ｃｕ核ボール、はんだ継手、フォームはんだおよびはんだペースト
WO2015114771A1 (ja) * 2014-01-30 2015-08-06 千住金属工業株式会社 Ｃｕ核ボール、はんだ継手、フォームはんだ、およびはんだペースト
JP5773106B1 (ja) * 2014-01-31 2015-09-02 千住金属工業株式会社 フラックスコートボール、はんだペースト、フォームはんだ及びはんだ継手
JP5652561B1 (ja) * 2014-02-04 2015-01-14 千住金属工業株式会社 フラックスコートボール、はんだペースト、フォームはんだ及びはんだ継手
WO2015118613A1 (ja) * 2014-02-04 2015-08-13 千住金属工業株式会社 Ｎｉボール、Ｎｉ核ボール、はんだ継手、はんだペースト、およびフォームはんだ
EP3103567A4 (en) 2014-02-04 2017-11-01 Senju Metal Industry Co., Ltd Method for producing metal ball, joining material, and metal ball
JP5534122B1 (ja) * 2014-02-04 2014-06-25 千住金属工業株式会社 核ボール、はんだペースト、フォームはんだ、フラックスコート核ボールおよびはんだ継手
WO2015118611A1 (ja) * 2014-02-04 2015-08-13 千住金属工業株式会社 Ｃｕボール、Ｃｕ核ボール、はんだ継手、はんだペースト、およびフォームはんだ
EP2987892A1 (en) 2014-02-20 2016-02-24 JX Nippon Mining & Metals Corporation Method for producing low -emitting bismuth and low -emitting bismuth
KR20170042372A (ko) 2014-09-09 2017-04-18 센주긴조쿠고교 가부시키가이샤 Cu 칼럼, Cu 핵 칼럼, 납땜 조인트 및 실리콘 관통 전극
JP6448417B2 (ja) * 2014-10-02 2019-01-09 Ｊｘ金属株式会社 高純度錫の製造方法、高純度錫の電解採取装置及び高純度錫
JP6106154B2 (ja) * 2014-12-26 2017-03-29 千住金属工業株式会社 はんだ材料の製造方法
WO2016186070A1 (ja) 2015-05-21 2016-11-24 Ｊｘ金属株式会社 銅合金スパッタリングターゲット及びその製造方法
CN105420537A (zh) * 2015-12-24 2016-03-23 常熟市易安达电器有限公司 矿用喷雾杆
CN105420536A (zh) * 2015-12-24 2016-03-23 常熟市易安达电器有限公司 巷道用隔爆型电源箱
CN105385891A (zh) * 2015-12-24 2016-03-09 常熟市易安达电器有限公司 巷道用扇形喷雾杆
JP6512354B2 (ja) * 2017-08-17 2019-05-15 三菱マテリアル株式会社 低α線放出量の金属又は錫合金及びその製造方法
WO2019035446A1 (ja) * 2017-08-17 2019-02-21 三菱マテリアル株式会社 低α線放出量の金属及び錫合金並びにその製造方法
JP7036838B2 (ja) * 2017-12-28 2022-03-15 日鉄マイクロメタル株式会社 半導体装置用ボンディングワイヤ
CN108615985B (zh) * 2018-03-28 2019-09-13 上海永固电力器材有限公司 一种铝合金高压电缆铝铜复合接线端子
JP7175659B2 (ja) * 2018-07-25 2022-11-21 株式会社日立製作所 複合金属材料、その製造方法、および複合金属材料を用いた電子装置
JP7314658B2 (ja) * 2018-07-30 2023-07-26 三菱マテリアル株式会社 低α線放出量の酸化第一錫の製造方法
JP6579253B1 (ja) * 2018-11-09 2019-09-25 千住金属工業株式会社 ハンダボール、ハンダ継手および接合方法
KR20220152208A (ko) 2020-03-12 2022-11-15 린텍 가부시키가이샤 보호막 형성용 시트

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3389064A (en) * 1964-07-22 1968-06-18 Canadian Copper Refiners Ltd Electrolytic refining of copper and tank house electrolyte useful therein
JPS5964791A (ja) 1982-09-30 1984-04-12 Mitsubishi Metal Corp 放射性α粒子カウント数の低い鉛およびその電解精製方法
JPS5964790A (ja) 1982-10-01 1984-04-12 Mitsubishi Metal Corp 放射性α粒子カウント数の低い錫およびその製造方法
JPH0823050B2 (ja) 1984-05-18 1996-03-06 日立電線株式会社 ボンディングワイヤ用銅素材の製造方法
JPS6176636A (ja) 1984-09-20 1986-04-19 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd 電線導体用銅合金
GB2178761B (en) * 1985-03-29 1989-09-20 Mitsubishi Metal Corp Wire for bonding a semiconductor device
JPH0736431B2 (ja) 1985-06-28 1995-04-19 三菱マテリアル株式会社 半導体装置のボンディングワイヤ用高純度銅の製造法
JPS621478A (ja) 1985-06-24 1987-01-07 Nippon Gakki Seizo Kk 塗装法
JPS6247955A (ja) 1985-08-26 1987-03-02 Yuasa Battery Co Ltd カドミウム極板
JPS6256218A (ja) 1985-09-04 1987-03-11 Kawasaki Steel Corp 掘削集荷装置
JPS62214145A (ja) 1986-03-17 1987-09-19 Nippon Mining Co Ltd 導線用またはケーブル用耐屈曲高力高導電性銅合金
JPS6334934A (ja) 1986-07-29 1988-02-15 Tatsuta Electric Wire & Cable Co Ltd 半導体素子用ボンディング線素材の製造方法
JPS6373588A (ja) 1986-09-17 1988-04-04 Nippon Mining Co Ltd 銅蒸気レ−ザ−用銅材
JPH084100B2 (ja) * 1987-02-27 1996-01-17 タツタ電線株式会社 ボンディング線
JPH01283398A (ja) 1988-05-09 1989-11-14 Mitsui Mining & Smelting Co Ltd 錫およびその製造方法
JP2754030B2 (ja) 1989-03-02 1998-05-20 三井金属鉱業株式会社 高純度錫の製造方法
JP2913908B2 (ja) 1991-06-28 1999-06-28 三菱マテリアル株式会社 半田極細線およびその製造方法
JPH0736431A (ja) 1993-07-19 1995-02-07 Canon Inc フォントデータの可視化装置
JP3227851B2 (ja) 1992-12-15 2001-11-12 三菱マテリアル株式会社 低α線Ｐｂ合金はんだ材およびはんだ膜
JPH07300668A (ja) * 1994-05-02 1995-11-14 Vacuum Metallurgical Co Ltd 鉛の含有量を低減したスパッタリングターゲット
JP2956480B2 (ja) 1994-07-08 1999-10-04 日立電線株式会社 Ｂｇａ型半導体装置
JP3568676B2 (ja) 1996-03-19 2004-09-22 富士通株式会社 半導体装置、回路基板及び電子回路装置
JP3403918B2 (ja) 1997-06-02 2003-05-06 株式会社ジャパンエナジー 高純度銅スパッタリングタ−ゲットおよび薄膜
JP3528532B2 (ja) 1997-09-02 2004-05-17 三菱マテリアル株式会社 低α線量錫の製造方法
JP3972464B2 (ja) 1998-05-29 2007-09-05 三菱マテリアル株式会社 高純度錫の製造方法
KR20010079822A (ko) * 1998-09-14 2001-08-22 엘리스, 티모씨, 더블유. 와이어 본딩 합금 복합재료
JP3856581B2 (ja) 1999-01-18 2006-12-13 日鉱金属株式会社 フレキシブルプリント回路基板用圧延銅箔およびその製造方法
TWI229152B (en) * 1999-06-08 2005-03-11 Mitsui Mining & Smelting Co Manufacturing method of electrodeposited copper foil
JP4533498B2 (ja) * 2000-03-24 2010-09-01 アルバックマテリアル株式会社 スパッタリングターゲットないし蒸着材料とその分析方法
EP1288339B1 (en) * 2000-05-22 2010-08-18 Nippon Mining & Metals Co., Ltd. Method of producing a higher-purity metal
US7435325B2 (en) * 2001-08-01 2008-10-14 Nippon Mining & Metals Co., Ltd Method for producing high purity nickle, high purity nickle, sputtering target comprising the high purity nickel, and thin film formed by using said spattering target
JP2004043946A (ja) * 2002-05-21 2004-02-12 Nikko Materials Co Ltd 高純度金属の製造方法及び装置
KR20070086900A (ko) * 2002-09-05 2007-08-27 닛코킨조쿠 가부시키가이샤 고순도 황산동 및 그 제조방법
JP3913725B2 (ja) 2003-09-30 2007-05-09 日鉱金属株式会社 高純度電気銅及びその製造方法
JP2005175089A (ja) 2003-12-09 2005-06-30 Sumitomo Metal Mining Co Ltd 低放射性ボンディングワイヤ
JP4519775B2 (ja) 2004-01-29 2010-08-04 日鉱金属株式会社 超高純度銅及びその製造方法
JP4750112B2 (ja) * 2005-06-15 2011-08-17 Ｊｘ日鉱日石金属株式会社 超高純度銅及びその製造方法並びに超高純度銅からなるボンディングワイヤ
SG138124A1 (en) * 2005-07-01 2008-09-30 Jx Nippon Mining & Metals Corp High-purity tin or tin alloy and process for producing high-purity tin
JP4924084B2 (ja) 2007-02-21 2012-04-25 住友電気工業株式会社 銅荒引線及びその製造方法、電線用導体
WO2010038642A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 日鉱金属株式会社 高純度銅又は高純度銅合金スパッタリングターゲット、同スパッタリングターゲットの製造方法及び高純度銅又は高純度銅合金スパッタ膜
WO2010038641A1 (ja) * 2008-09-30 2010-04-08 日鉱金属株式会社 高純度銅及び電解による高純度銅の製造方法
JP4482605B1 (ja) * 2009-01-23 2010-06-16 田中電子工業株式会社 高純度Ｃｕボンディングワイヤ
WO2011114824A1 (ja) 2010-03-16 2011-09-22 Jx日鉱日石金属株式会社 α線量が少ない錫又は錫合金及びその製造方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI611859B (zh) * 2013-09-19 2018-01-21 千住金屬工業股份有限公司 鎳球、鎳核球、焊接接頭、泡沫焊料、焊膏
TWI647030B (zh) * 2014-01-30 2019-01-11 千住金屬工業股份有限公司 Ｏｓｐ處理銅球、焊接接頭、泡沫焊及焊膏
TWI616265B (zh) * 2014-11-05 2018-03-01 千住金屬工業股份有限公司 焊接材料、焊膏、泡沫焊料、焊料接頭及焊接材料的管理方法
US10717157B2 (en) 2014-11-05 2020-07-21 Senju Metal Industry Co., Ltd. Solder material, solder paste, solder preform, solder joint and method of managing the solder material

Also Published As

Publication number Publication date
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