TW200402475A - Sputtering target, sintered body, conductive film formed by using them, organic EL device, and substrate used for the organic EL device - Google Patents

Description

200402475 (1) 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於 LCD (Liquid Crystal Display:液晶 顯不裝置）或有機EL ( electroluminescence )元件等所 用之透明導電膜’特別是其材料。本發明係關於與該材 料相同組成之燒結體或濺鍍靶。本發明係關於由此燒結 體等所構成，形成透明導電膜之濺鍍靶。 本發明係關於上述有機EL ( electroluminescence ) 元件及此有機E L元件用之基板及其製造方法。更詳細係 有關適用於民用及工業用之顯示機器（Display )或印表 機印表頭之光源等之有機EL元件及用於該有機EL元件 之基板及其製造方法。 有機EL元件有時也稱爲「有機電場發光裝置」或 「有機電場發光元件」、「有機EL發光裝置」、「有機 EL顯示裝置」等。本發明中，用於該有機EL元件之基 板，因設置電極有時也稱爲電極基板。 本發明係有關使用這種電極基板之有機EL元件。 【先前技術】 以往之顯示裝置 近年LCD或有機EL顯示裝置之技術進步，提供許 多高顯示功能及省電之製品。這些LCD或有機EL顯示 裝置可製作袖珍且薄，因此，廣泛用於特別是PDA、個 人電腦、攜帶型電腦（筆記型電腦）、電視顯示器等。 •5- (2) 200402475 構成有機EL顯示裝置之有機EL元件係利用有機化 合物之發光元件，近年有性能顯著提昇者。 此有機EL元件之結構係在由透明電極所構成之陽極 與陰極間，插入何種層而大槪分類如下。 (1 )單層型係陽極與陰極間，僅設置由有機化合物 所構成之發光層的構造，寫成陽極/發光層/陰極之構造。 (2 ) 2層型係陽極與陰極間，形成電洞傳輸層與發 光層之2層的構造，寫成陽極/電洞傳輸層/發光層/陰極 之構造。 (3 ) 3層型係陽極與陰極間，形成電洞傳輸層、發 光層及電子傳輸層之3層的構造，寫成陽極/電洞傳輸層/ 發光層/電子傳輸層/陰極之構造。 (4 ) 4層型係陽極與陰極間，形成電洞注入層、電 洞傳輸層、發光層及電子傳輸層之3層的構造，寫成陽 極/電洞注入層/電洞傳輸層/發光層/電子傳輸層/陰極之構

不論使用何種元件結構，由陽極注入之電洞與由陰 極注入之電子經由電洞傳輸層或電子注入層，到達發光 層，在此發光層中，電洞與電子再結合。 可稱爲E L元件之元件中，也包括利用高分子化合物 之高分子型之有機EL元件或利用燐光發光之燐光型發光 元件等，這些正進行硏究中。 以往之有機EL元件 -6 - (3) (3)200402475 如Jl述具有在（2個）電極間夾著有機發光層之結構 的有機EL元件因下述理由等，而被當作精心硏究，開發 的對象。 (1) 完全固體元件，容易使用或製造。 (2) 可自行發光’不需要發光構件。 (3 )辨識性優，適合顯示器。 (4 )全彩化容易。 但是有機發光層爲有機物，一般不易傳輸電子或電 洞’因此容易劣化，長時間使用時，因經過時間變化容 易產生漏電的問題。 對於這種問題以往有各種對策。 例如下述之專利文獻1揭示一種降低陽極之功函數 與電洞傳輸層之離子化能間之能量，達到長壽命之有機 EL元件。爲了達到此目的，陽極上使用功函數大於氧化 銦錫（ITO: Indium Oxide)，且導電性之金屬氧化物材 料。這種導電性金屬氧化物材料例如有RuOx、Μο03、 V205，專利文獻1中揭示使用這些金屬氧化物之有機 EL元件。 專利文獻1中爲了提高光穿透率（％)，而提案層 合由這些導電性之金屬氧化物材料所構成之薄膜與ITO 之2層構造的陽極。 下述專利文獻 2揭示配設與透明電極連接之金屬 線，降低透明電極之電阻的有機EL元件。 下述專利文獻3揭示同樣在透明電極上配設功函數

(4) 200402475 較低之金屬，降低透明電極之電阻的有機EL元件。 下述專利文獻4揭示EL元件中使用補助金屬膜的 例。補助金屬膜上特別配置絕緣膜，防止破壞絕緣。 下述專利文獻5揭示可長期使用，在電極與有機發 光層之間具備絕緣性薄膜層之有機EL元件。此專利文獻 5所揭示之有機EL元件具體而言係在陽極層與有機發光 層之間，或陰極層與有機發光層之間具備由氮化鋁或氮 化鉅等所構成之絕緣性薄膜層之構成。

下述專利文獻6揭示一種不使用m-MTDATA或四芳 基二胺衍生物等之較低成本之有機EL元件爲目的，在電 極與有機發光層之間形成NiO中添加ln203、ZnO、Sn02 或B、P、C、N、0中之至少一種的無機材料層或由川1_ χ0(0.05‘χ^0·5)所構成之無機材料層的有機EL元 件。 下述專利文獻7揭示I τ 0表面經氟化得到功函數 6.2eV之ΙΤΟ的技術。

•[專利文獻1 ]專利第2 8 2 4 4 1 1號公報（日本特開平 9 - 6 3 7 7 1號公報） [專利文獻2]日本特開平4-82197號公報 [專利文獻3]日本特開平5_307997號公報 [專利文獻4]日本特開平5-76155號公報 [專利文獻5]日本特開平8-288069號公報 [專利文獻6]曰本特開平9-260063號公報 [專利文獻7]日本特開2000-277256號公報 -8- (5)200402475 [專利文獻8 ]日本特開平9 _ 6 3 7 7丨號公報 【發明內容】

如上述，有機EL元件或高分子有機EL元件、燐光 發光型元件等必須由陽極注入電洞，此電洞再經由電洞 傳輸層注入發光層。爲了順暢進行此注入時，盡可能降 低陽極與電洞傳輸層之間的能障較佳。爲了降低此能障 時，必須降低陽極材料之功函數與電洞傳輸層所用之有 機化合物所具有之離子化勢能之間的差。 電洞傳輸層有各種的有機化合物，其中芳族胺系化 合物、特別是三苯胺衍生物或咔唑衍生物具有優異的功 能已爲人知。此三苯胺衍生物之三苯胺之離子化勢能爲 5.5〜5.6eV， 咔唑衍生物之聚乙烯基咔唑之離子化勢能 爲 5.8eV。

透明導電膜之透明性較佳且電阻較低者例如有氧化 銦-氧化錫（ITO: Indium Oxide)已爲人知。ITO之功函 數爲4.9eV。因此，由這種一般材料所構成之陽極與電洞 傳輸層之間含有〇 · 6〜0 · 9 e V之較大的能障。 因此，例如上述專利文獻8 (日本特開平9 - 6 3 7 7 1號 公報）提案在陽極與陰極之間使用功函數大於ITO之金 屬氧化物所構成之薄膜作爲設置有機化合物層之有機發 光元件之陽極。 但是由金屬氧化物薄膜所構成之陽極一般穿透率較 低。例如氧化铽之穿透率爲10% 。又氧化釩之穿透率爲 -9- (6) 200402475 2G% °因此提案在ITO之薄膜上層合前述金屬氧化物之 30Α以下之超薄膜，形成2層構成改良這種低穿透率。 但是採用2層構成時，穿透率也爲40〜60% ，作爲顯示 裝置之穿透率而言，是非常低的數値。結果以往之金屬 氧化物薄膜之透明性仍不足。 第1目的

本發明有鑑於上述問題所完成者，本發明之目的係 提供作爲有機EL元件等之陽極，透明性優異之導電膜， 且具有高於以往之功函數之導電膜。使用這種導電膜可 提高電洞之注入效率的EL元件。此乃是第1目的。如下 述，第1群組之發明主要是達成第1目的。

上述專利文獻1所揭示之有機 EL元件即使使用 RuOx、Μο03、V205等之金屬氧化物材料，其電洞之移動 性或耐久性仍不足。RuOx、Mo03、V205等之金屬氧化物 材料之光吸收係數爲27000(:11111以上之數値。此表示著色 程度高。因此，由這些金屬氧化物材料所構成之陽極層 之可見光範圍之光穿透率（％ )非常低，例如約ITO之 1/9〜1/5。因此，有機EL元件含有發光效率低或放射至 外部的光量少的問題。即使層合由這些金屬氧化物材料 所構成之薄膜與ITO之2層構造之陽極的構成，其光穿 透率（％ )約ITO之1/2，仍然爲低的數値，無法達到實 用的數値。構成此2層構造之陽極層時，必須將IT Ο或 金屬氧化物薄膜之厚度限定在所定的範圍內，製造上受 -10- (7) (7)200402475 極大限制。 上述專利文獻2所揭示之有機EL元件，其絕緣性薄 膜層使用氮化鋁或氮化鉅等，因此，此部份（絕緣性薄 膜層）有電壓損耗（電壓下降），結果驅動電壓容易升 高的問題。 第2目的 本案之發明人等精心檢討，發現有機EL元件之電極 層組合使用特定之無機化合物，可得到透明性或耐久性 優異，且即使施加低電壓（例如直流10V以下）之驅動 電壓時，也可得到優異之發光亮度。 換言之，本發明之目的係具備含有特定之無機化合 物之電極層，提供透明性或耐久性優異，且即使低驅動 電壓，也可得到發光亮度較高之有機EL元件。本發明之 目的係提供可高效率製造這種有機EL元件之有機EL元 件的製造方法。此乃是第2目的。如下述，第2群組之 發明主要是達成第2目的。 第3及第4目的 上述專利文獻7揭示之方法係將IT0表面氟化，功 函數提高至6.2eV。功函數雖提高，但是ΙΤΟ表面形成絕 緣膜化。結果不易得到功函數提高的效果。 對於上述問題，本發明人等精心檢討發現有機EL元 件之電極層組合使用特定之金屬氧化物與Ag (或Ag -11 - (8) 200402475 等）爲主成分之多層膜，彡日 了知到優異的結果。具體而 言，採用上述構成可得到透明抓十^ Α α μ ^明性或耐久性優異，且即使 施加低電壓（例如直流5V以γ^ ^ 从下），也可得到優異之發光 亮度之有機EL元件。

換言之’本發明之目的係具備由特定之金屬氧化物 層與Ag (或Ag等）爲主成分之多層膜之組合所構成之 電極層，提供表面電阻明顯低’透明性或耐久性優異， 且即使施加低驅動電壓，也可得到發光亮度較高之有機 EL兀件及局效率製造迨種有機元件之有機EL元件用 之（電極）基板及這種有機EL元件的製造方法。此乃是 第3及第4目的。如下述，第3及第4群組之發明主要 是達成第3及第4目的。 第5目的 上述專利文獻2及專利文獻3所揭示之有機EL元 件，因形成補助用之金屬線的段差造成對向電極斷線， 容易產生顯示缺陷的問題。由金屬配線金微小電荷注入 有機EL元件之有機層例如電洞注入層，因此，容易成爲 干擾原因的問題。 上述專利文獻4所揭示之無機EL元件也因補助金屬 膜及絕緣膜之膜厚產生段差，具有對向電極容易斷線的 問題。 上述專利文獻7所揭示之ITO在蝕刻後之電極端部 產生凹凸，因此陽極、陰極間產生漏電流，發光亮度降 -12- (9) (9)200402475 低’或不會發光的問題。 本案發明人精心檢討上述問題，發現有機EL元件之 電極層具備特定之金屬補助配線，全面組合使用具有功 函數爲5.6eV以上，固有電阻爲ΙΟΩοιη以上之表面層的 多層W ’可得到透明性或耐久性優異，且即使施加低電 壓（例如直流5 V以下），也可得到優異之發光亮度。 換言之’本發明之目的係藉由具備特定之金屬補助 配線與表面薄膜層之組合所構成之電極層，電極電阻明 顯降低’透明性或耐久性優異，同時驅動電壓低，提供 對向電極不會斷線，或漏電流所造成之干擾之發光亮度 高之有機EL元件及有效率製造這種有機EL元件之有機 EL元件用之基板及有機EL元件用之基板的製造方法。 此乃是第5目的。如下述，第5群組之發明主要是達成 第5目的。 本發明爲了解決上述問題，而採用以下方法。 第1群組之發明 首先說明第1群組之發明。第1群組之發明主要在 下述之第1之實施形態中詳細說明。 關於濺鍍靶之發明 爲了解決上述問題，本發明係一種濺鍍靶，其係含 有選自銦、鋅、錫之一種以上之金屬成分之機鍍靶，其 特徵爲含有選自由鈴、鉬、鉍或鑭系金屬所成群之至少 -13- (10) 200402475 一種以上之金屬的第三成分。 如上述含有給、鉅等之金屬之構成要件，因此如下 述實施例所示，可維持透明性，提高功函數之數値。 本發明之前述鈴等之第三成分金屬之組成比例爲1〜 20原子％ 。未達1原子％時，提高功函數之數値的效果 低，而超過2 0原子％時，導電性有降低的疑慮。給等之 第三成分金屬之組成比例理想爲2〜1 5原子％ 。飴等之 第三成分金屬之組成比例更理想爲3〜1 0原子％ 。 本發明之鑭系金屬爲選自由鈽、釤、銪、铽所成群 之至少一種以上之金屬所構成。 關於燒結體之發明 上述濺鍍靶之典型例係金屬氧化物等之燒結體。以 下說明此燒結體。

本發明係一種燒結體，其係含有選自氧化銦、氧化 鋅、氧化錫之一種以上之金屬成分之濺鍍靶，其特徵爲 含有選自由氧化給、氧化鉅、氧化鉍或鑭系金屬氧化物 所成群之至少一種以上之金屬氧化物的第三成分。 如上述含有第三成分之氧化給，因此如下述實施例 所示，可維持透明性，提高功函數之數値。 本發明係前述氧化給等之前述第三成分對於上述燒 結體全量之組成比例爲1〜2 0原子％ 。本發明之鑭系金 屬氧化物爲選自由氧化鈽、氧化釤、氧化銪、氧化Μ所 成群之至少一種以上之金屬所構成。 -14- (11) (11)200402475 本發明係一種濺鍍靶’其特徵爲具備將前述之燒結 體加工成平板狀，將金屬製厚板貼合於加工後之燒結體 之構成。濺鍍裝置上設置此濺鍍靶靶’可藉由濺鍍祀製 造與燒結體同樣之組成的薄膜。 含有由氧化銦及氧化鋅之合金的縣鍍祀 本發明係一種濺鍍靶’其係由含有由氧化銦及氧化 辞所構成之六方層狀化合物（〗n2〇3 (ZnO) m· m爲2〜20 之整數）之氧化銦合金所構成之濺鍍靶’其特徵爲含有 選自由氧化鈽 '氧化衫、氧化銪、氧化獄或氧化鉍所成 群之至少一種以上之金屬氧化物的第三成分’且該第三 成分金屬氧化物對於濺鍍靶全量之組成比例爲1〜20原 子％ 。 不含六方層狀化合物時，濺鍍靶本身之導電性也有 降低的情形。本發明因含有六方層狀化合物，防止導電 性降低。導電性理想爲1 〇 πι Ω · c m以下。因爲1 0 m Ω · cm以上時，濺鍍中可能產生異常放電。六方層狀化合物 之結晶粒徑理想爲 5 μιη以下。太大時可能造成產生團塊 的原因。 這種構成之濺鍍靶可維持透明性，形成低電阻、功 函數較高之透明導電膜。 本發明之濺鍍靶，其中表示該濺鍍靶中該氧化銦含 量之Ιη/(Ιη + Ζη)之式之數値爲0.5〜0.97。 該式中In係以原子％表示濺鍍靶中之銦的組成比 •15- (12) (12)200402475 例，Ζ η係以原子％表示濺鍍靶中之鋅的組成比例。 上述式之數値未達0.5時，所得之透明導電膜之導電 性可能降低，又在0 · 9 7以上時，可能蝕刻困難。上述式 之數値理想爲0.5〜0 · 9 7。特別理想爲〇 . 8〜0 · 9 5。 本發明之含有由氧化銦及氧化鋅所構成之濺鍍靶 中，更進一步含有氧化錫成分。 本發明之濺鍍靶，其係由氧化銦中含有0.03〜0.3原 子％之組成比例之氧化錫之氧化銦合金所構成之濺鍍 靶，且含有選自由氧化鈽、氧化釤、氧化銪、氧化铽或 氧化鉍所成群中之至少一種以上之金屬氧化物之第三成 分，該第三成分金屬氧化物對於濺鍍靶全量之組成比例 爲1〜2 0原子％ 。 這種構成下，氧化錫爲未達0.3原子％時，導電性可 能降低（電阻率增加）。而氧化錫超過0.3原子％時，導 電性也可能降低（電阻率增加），蝕刻困難。 氧化錫之組成比例理想爲〇 . 〇 4〜0.2原子％ 。氧化錫 之組成比例更理想爲〇 . 〇 5〜0.1 5原子％ 。 本發明之濺鍍靶，其係由含有由氧化銦及氧化鋅所 構成之六方層狀化合物（ln203 (ZnO) m: m爲2〜20之 整數）之氧化銦合金所構成之濺鍍靶，其特徵爲含有選 自由氧化鈽、氧化釤、氧化銪、氧化铽或氧化鉍所成群 中之至少一種以上之金屬氧化物的第三成分，該第三成 分金屬氧化物對於濺鍍靶全量之組成比例爲1〜20原子 % ，且各成分之原子％之比例爲In/(In +Zn + Sn) = 0 · 5〜 -16- (13) (13)200402475 0 · 95， Zn/(In + Zn + Sn) = 0 · 03 〜0 · 2，S η / (I η + Z η + S η ) =0 . 0 2 〜0 · 3 〇 式中In係以原子％表示濺鍍靶中之銦的組成比例， Zn係以原子％表示濺鍍靶中之鋅的組成比例，Sn係以原 子％表示濺鍍靶中之錫的組成比例。 依據這種構成時，如上述式氧化錫之組成比例理想 爲〇 · 3原子％〜0 · 0 2原子％ 。此乃是因爲氧化錫之組成 比例超過〇 · 3原子％時，導電性降低或蝕刻困難的緣故。 氧化錫之組成比例未達0.0 2原子％時，無法得到添加錫 的效果。 如上述之濺鍍靶當然可含有上述以外之金屬。但是 條件爲不可爲阻礙本發明目的之提高功函數之數値，造 成此數値降低的物質或添加量。另外也不可爲使透明性 降低或使導電性降低（電阻率增加）的物質。 透明性不會降低，導電性也不會降低，功函數維持 較高之數値的物質例如有氧化鎵、氧化鍺、氧化銻等。 關於透明導電膜之發明 使用上述之濺鍍靶進行濺鍍製造之導電膜具有與本 發明之上述濺鍍靶相同之組成，因此可形成透明性優 異，導電性高（低電阻率）之導電膜。 本發明之透明導電膜，其特徵係功函數爲5.6eV以 上。5.6eV以上可形成與使用三苯胺等之電洞傳輸層相同 之功函數之數値，可降低電極與電洞傳輸層間之能障。 -17- (14) (14)200402475 結果可提供可降低電洞之注入效率之有機el元件等。 第2群組之發明 其次說明第2群組之發明。第2群組之發明主要在 下述之第2之實施形態中詳細說明。 首先，本發明之有機EL元件用基板，其特徵係至少 由電極層與基材所構成之有機EL元件用基板，該電極層 含有選自下述A-1群中之至少一種化合物及選自下述 群中之至少一種化合物， 1 群：Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg 之硫 化物（Chalcogenide )、氧氮化物或氮化物， B -1群：鑭系元素之硫化物、氧氮化物或氮化物。 本發明之有機EL元件用基板之另外的構成，其特徵 係至少由電極層與基材所構成之有機EL元件用基板，該 電極層含有選自下述 A-2群中之至少一種化合物及選自 下述B-2群中之至少一種化合物， A-2 群：Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg 之硫化 物、氧氮化物或氮化物， B-2群：鑭系元素之硫化物。 本發明之有機EL元件用基板，其中電極層爲陽極層 之有機EL元件用基板。 本發明之有機EL元件用基板，其中電極層爲陰極層 之有機EL元件用基板。 依據這些構成時，藉由組合使用A-1群之化合物及 -18- (15) 200402475 B-1群之化合物，或組合使用Ad群之化合物及B-2群之 化合物，可有效提高電極層之離子化勢能。因此使用上 述本發明之有機EL元件用基板構成有機EL元件時，可 得到耐久性優異，驅動電壓低，且發光亮度高之有機E L 元件。 如此構成之電極層具有優異之蝕刻特性。電極層中 含有A-1群、A-2群、B-1群或B-2群中之至少一群中添 加S i之硫化物或其氮化物，可提高形成該電極層時與基 材間之密著力，且可更均勻形成電極層。這些無機化合 物構成陽極層時，考慮電洞之注入性’其離子化勢能理 想爲5.6 e V以上。另外構成陰極層時，考慮電子之注入 性，其離子化勢能理想爲4.0eV以下。 本發明之材料之離子化勢能可爲5.8eV以上，極適 合作爲陽極材料。

本發明之有機EL元件用基板，其中電極層之比電阻 値未達1 Ω · cm之有機EL元件用基板。 採用這種手段時，可防止因電極層之電阻高，使顯 示畫面產生發光不均的現象。 因此，如上述限制電極層之比電阻可提高電子或電 洞之注入性，且可進一步降低有機EL元件之驅動電壓。 電極層之構成材料之比電阻値超過1 Ω · cm時，與比電 阻値未達1 Ω · cm之構成材料所構成之電極層形成2層 結構較佳。 本發明之有機EL元件用基板，其中該A-1群或A-2 -19- (16) (16)200402475 群之化合物爲Sn、In及Zn之硫化物或氮化物其中之一 的有機EL元件用基板。這些化合物在A-1群或A-2群之 化合物中，消光性特別低，可構成發光亮度較高之有機 EL元件。 本發明之有機EL元件用基板，其中該B-1群或B-2 群之化合物爲Ce、Nd、Sm、Eu、Tb及Ho之氧化物其中 之一的有機EL元件用基板。組合使用這些化合物可容易 分別調整電極層之離子化勢能及帶隙能之數値。 本發明之有機EL元件用基板，其中該電極層之全量 爲100at·%時，該B-1群或B-2群之化合物之含量爲0.5 〜30 at·%所成之有機EL元件用基板。此範圍內可維持 高透明性（光穿透率）的狀態下，可容易調整電極層之 離子化勢能之數値。這種構成之電極層可藉由酸等之倉虫 刻特性優異。 本發明之有機EL元件用基板，其中該電極層之膜厚 爲1〜100nm所成之有機EL元件用基板。藉由這種構成 可製得耐久性優異，驅動電壓低，且發光亮度高之有機 EL元件。這種電極層之厚度時，有機EL元件之厚度不 會太厚。 其次說明有機EL元件之本發明的構成。 本發明之有機E L元件，其係具有至少依序層合陽極 層、有機發光層、陰極層之構造的有機EL元件，其特徵 係該陽極層及陰極層或其中一層之電極層含有選自下述 群中之至少一種化合物及選自下述B-1群中之至少一 (17) 200402475 種化合物所成， A-1 群·· Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg 之 硫化物、氧氮化物或氮化物， B -1群：鑭系兀素之硫化物、氧氮化物或氮化物。 本發明之有機EL元件，其係具有至少依序層合陽極 層、有機發光層、陰極層之構造的有機EL元件，該陽極 層及陰極層或其中一層之電極層含有選自下述A-2群中 之至少一種化合物及選自下述B-2群中之至少一種化合 物所成， A-2 群·· Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg 之硫化 物、氧氮化物或氮化物， B-2群：鑭系元素之硫化物。

組合使用 A-1群之化合物及B-1群之化合物，或組 合使用A-2群之化合物及B-2群之化合物，可有效提高 電極層之離子化勢能。因此可得到耐久性優異，驅動電 壓低，且發光亮度高之有機EL元件。如此構成之電極層 具有優異之蝕刻特性。電極層中含有A-1群、A-2群、 1群或B-2群中之至少一群中添加Si之硫化物或其氮化 物’可提高形成該電極層時與基材間之密著力，且可更 均勻形成電極層。 這些無機化合物構成陽極層時，考慮電洞之注入 性’其離子化勢能理想爲5.6eV以上。另外構成陰極層 時，考慮電子之注入性，其離子化勢能理想爲4.0eV以 下。本發明之材料之離子化勢能可爲5 · 8 eV以上，極適 -21 - (18) 200402475 合作爲陽極材料。 本發明之有機EL元件，其中陽極層及陰極層或其中 一層之電極層之比電阻値未達1Ω · cm之有機EL元件。 這種構成可防止因電極層之電阻高，使顯示畫面產生發 光不均的現象。

因此，如上述限制電極層之比電阻値可提高電子或 電洞之注入性。可進一步降低有機E L元件之驅動電壓。 相反的，電極層之構成材料之比電阻値超過lD^cm 時，與比電阻値未達1 Ω · c m之構成材料所構成之電極 層形成2層結構較佳。 本發明係該A-1群或A-2群之化合物爲Sn ' In及Zn 之硫化物或氮化物其中之一的有機EL元件。這些化合物 在A-1群或A-2群之化合物中，消光性特別低，可構成 發光亮度較高之有機EL元件。

本發明係該B-1群或B-2群之化合物爲Ce、Nd、 Sm、Eli、Tb及Ho之氧化物其中之一物質之氧化物的有 機EL元件。組合使用這些化合物可容易分別調整電極層 之離子化勢能及帶隙能之數値。 本發明之電極層之全量爲100 at·%時，該B_1群或 B-2群之化合物之含量爲0.5〜30 at·%所成之有機EL元 件。此範圍內可維持高透明性（光穿透率）的狀態下， 可容易調整電極層之離子化勢能之數値。這種構成之電 極層可藉由酸等之蝕刻特性優異。 本發明係該電極層之膜厚爲1〜lOOnm所成之有機 -22- (19) (19)200402475 EL元件。藉由這種構成可製得耐久性優異，驅動電壓 低，且發光亮度高之有機EL元件。這種電極層之厚度 時，有機EL元件之厚度不會太厚。 本發明之有機EL元件係在陽極層與有機發光層之間 及該陰極層與有機發光層之間或該其中之一間設置含有 選自A-1群中之至少一種無機化合物及選自B-1群中之 至少一種化合物之無機薄膜層或含有選自 A-2群中之至 少一種化合物及選自B - 2群中之至少一種化合物之無機 薄膜層所成之有機EL元件。 如上述進一步設置無機薄膜層可有效抑制漏電流， 可達成有機EL元件之高效率化，提高耐久性。 在陽極層與有機發光層之間設置無機薄膜層時，可 改變陽極層與無機薄膜層之組成。具體而言，使用 A-1 群化合物/B-1群化合物=70〜90 at·% /0.5〜10 at·%所構 成之化合物時，無機薄膜層使用 A-1群化合物/B-1群化 合物=50〜未達90 at.% /超過1〇〜50 at·%所構成之化合 物較佳。使用A - 2及B - 2群之化合物時也相同。 本發明係該有機發光層爲含有具有以下述一般式 (化學式2 - 1 )〜（化學式2 - 3 )中任一項之結構式表示 之苯乙烯基之芳香族化合物中之至少一種所成之有機EL 元件， -23- 3200402475 (2

Ar

A

C IIC

A

Ar 4 (化學式2-1) (一般式（化學式2-1 )中，Ar1係碳數6〜40之芳 基，Ar2、Ar3及Ar4係分別爲氫原子或碳數6〜4 0之芳 基，Ar1、Ar2、Ar3及A〆中至少一個爲芳基，縮合數η 爲1〜6之整數，

Ar 5

N

Ar 6 (化學式2-2) m

Ar 般式（化學式2-2 )中，Ar5係碳數6〜40之芳 基，Ar6及Ar7係分別爲氫原子或碳數6〜40之芳基， Ar5、Ar6及 A r7中至少一個被苯乙烯基取代，縮合數m 爲 1 之整數 r λ

Ar

N 9

Ar N—hAr 12 r

N 14

Ar

Ar 11

Ar 13 (化學式2-3) (一般式（化學式2-3 )中，Ar8及Ar14係碳數6〜40 之芳基，Ar9〜Ar13係分別爲氫原子或碳數 6〜40之芳 •24- (21) 200402475 基，Ar8〜Ar14中之至少一個被苯乙烯基取代，縮合數 p、q、r、s分別爲0或1。 本發明係上述有機EL元件之製造方法，其特徵係藉 由濺鍍法形成前述電極層，以真空蒸.鍍法形成前述有機 發光層之有機EL元件之製造方法。如上述形成時，可形 成具有緊密且均勻之膜厚之電洞注入層或有機發光層。 因此，可提供具有均勻發光亮度之有機EL元件。 第3群組之發明 爲了解決上述問題，第3群組之發明係採用下述手 段。 有機EL元件用電極基板

本發明係具備驅動有機電激發光層之電極及基材之 有機EL元件用電極基板，其特徵係該電極爲由以下2層 之層合體所構成。 (1) 功函數超過5.6eV之金屬氧化物之薄膜層 (2) 以Ag爲主成分之薄膜層。 採用多層膜之構成時，最外層或與有機發光層接觸 面必須形成金屬氧化物層。理由是低電壓化、提高發光 亮度、提高耐久性等之效果低的緣故。 採用上述手段時，最外層或與有機發光層接觸面可 形成金屬氧化物層。 功函數爲5.6eV以上係因不滿足此條件時，低電壓 -25- (22) (22)200402475 化、提高發光亮度、提高耐久性等之效果低的緣故。 2·本發明之有機EL元件用電極基板，該金屬氧化物 之薄膜層之功函數爲5.8eV以上。 如上述功函數必須爲5 · 6 e V以上，更理想爲5.8 e V 以上。 此數値係在成膜後，在空氣中所測定之數値，U V洗 淨等之前的數値（洗淨的數値）。此功函數係藉由理化 學技硏社製「AC-1」以電子釋放法測定。將3 5〜6.5eV 之光照射測定試料，計測試料所釋放之電子。功函數係 釋放電子所需之照射光能量。 3·本發明係在前述電極基板中，該金屬氧化物之薄膜 層以氧化銦爲主成分，且含有選自氧化鈮、氧化給、氧 化鉅、鑭系金屬氧化物所成群之至少一種以上之金屬氧 化物。 4·前述電極基板中，該金屬氧化物之薄膜層其主成分 除了氧化銦外，尙含有氧化鋅及/或氧化錫。 • 例如以氧化銦+氧化鋅爲主成分時，理想爲ln/(in + Ζη) = 0 · 5〜0 · 95。 In/(In + Zn)係表示金屬氧化物中銦 原子與錫原子之個數總合中之銅原子的比例。

In/(In +Zn)之比例爲〇· 7〜0· 9，更理想爲〇· 8〜 0 · 9。此比例未達〇 · 5時’金屬氧化物之薄膜層之導電性 有時會降低，有超過0 · 9 5時，有時蝕刻特性不佳。 例如以氧化姻+氧化錫爲主成分時，理想爲In/(In + Sn) = 0 · 5〜0 · 95。 I n/(I n + S η)係表示金屬氧化物中銦 (23) (23)200402475 原子與錫原子之個數總合中之銦原子的比例。

In/(In +Sn)之比例爲〇 · 8〜0 . 95，更理想爲0 . 85 〜〇· 95。此比例未達〇·7或超過0.95時，金屬氧化物之 薄膜層之導電性有時會降低。 氧化鈮、氧化給、氧化鉅、鑭系金屬氧化物之添加 量對於全金屬原子爲0 · 1〜2 0原子％以下，理想爲1〜1 〇 原子％以下，更理想爲1〜5原子％以下。添加量未達 〇. 1原子％時，無添加的效果，有時功函數無法達到 5.6eV以上。添加量爲20原子％以上時，金屬氧化物之 薄膜形成絕緣化，導電性有降低的問題。 5 .本發明係在前述電極基板中，該鑭系金屬氧化物爲 選自氧化鈽、氧化鐯、氧化鉚、氧化釤、氧化铽所成群 之至少一種以上之金屬氧化物。 本發明中，構成電極之多層膜之表面電阻爲ΙΟΩ/口 以下。理想爲6 Ω /□以下，更理想爲4 Ω /□以下。 6·本發明在前述電極基板中，以Ag爲主成分之薄膜 層爲含有功函數爲5.0 eV以上之金屬。 7.本發明之功函數爲5.OeV以上之金屬爲含有選自 Au、Ir、Ni、Pd、Pt之一種或兩種以上之金屬。 如這些6、7之發明，添加功函數爲5.OeV以上之金 屬可增加Ag層之安定性。添加量爲0.01〜5wt%以下， 理想爲0.1〜2wt% ，更理想爲1〜2wt% 。 添加量未達〇.〇lwt%時，添加效果低，又添加量超 過5wt%時，Ag薄膜層之導電性降低或成本升高。 (24) 200402475 在不影響安定性或電阻値、反射率的範圍內可添加 其他金屬（Cu、Co、Zr等）作爲第三成分。 利用本發明構成有機EL元件時，採用以下的膜厚較 佳。 (1)由陽極取出光時

此時「以 Ag爲主成成分之薄膜層」（有時僅稱爲 Ag薄膜）之厚度爲3〜15nm，理想爲5〜10nm。其理由 係Ag薄膜之厚度未達3nm時，陽極之電阻値無法降低。 另外，Ag薄膜之厚度超過15 nm時，穿透率降低，由發 光層取出光的效率降低。

金屬氧化物之薄膜層（有時僅稱爲氧化物層）之厚 度可選擇10〜200nm之範圍，以抑制Ag層之反射。此氧 化物層之厚度爲 20〜50nm，更理想爲 25〜40 nm。此氧 化物層未達l〇nm時，Ag層無法達到安定化，有機EL元 件之耐久性降低。另外，氧化物層之厚度超過 200nm 時，穿透率降低，取出光的效率降低。 (1 )由陰極取出光時 此時Ag層爲了將發光層的光反射至陰極側，可形成 厚的膜。Ag層之厚度爲 30〜3 00nm，理想爲 50〜 250nm，更理想爲100〜200nm。

Ag層之厚度爲3 00nm以上時’成爲太厚的厚膜，因 此，有時在電極端面或產生漏電流等。相反的’ Ag層 -28- (25) (25)200402475 之厚度未達30nm時，光反射至陰極側之功能降低。從發 揮 Ag層之反射功能的觀點，Ag層之厚度爲30nm以 上，理想爲50nm以上。 有機EL元件 以下說明具有與上述有機EL元件用電極基板相同特 徵之有機EL元件。這些具有與上述有機EL元件用電極 基板相同的作用。 本發明爲了解決上述問題，其係具有至少依序層合 陽極層、有機電激發光層、陰極層之構造的有機EL元 件’該陽極層及陰極層或其中一層之電極爲功函數超過 5.6eV之金屬氧化物之薄膜層及以Ag爲主成分之薄膜層 之層合體所構成之有機EL元件。 本發明之金屬氧化物之薄膜層之功函數爲5. 8eV以 上。 本發明之金屬氧化物之薄膜層爲以氧化銦爲主成 分’且含有選自氧化鈮、氧化鈴、氧化鉅、鑭系金屬氧 化物所成群之至少一種以上之金屬氧化物。 本發明之金屬氧化物之薄膜層其主成分除了氧化銦 外，尙含有氧化鋅及/或氧化錫。 本發明中，該鑭系金屬氧化物爲選自氧化鈽、氧化 鐯、氧化鉚、氧化釤、氧化铽所成群之至少一種以上之 金屬氧化物。 本發明中’以Ag爲主成分之薄膜層爲含有功函數爲 -29- (26) (26)200402475 5.〇eV以上之金屬。 本發明之功函數爲 5.0eV以上之金屬爲含有選自 Au、Ir、Ni、Pd、Pt之一種或兩種以上之金屬。 有機EL元件之製造方法 本發明係上述有機EL元件之製造方法，其係藉由濺 鍍法形成前述電極，以真空蒸鍍法形成前述有機電激發 光層之有機EL元件之製造方法。 第4群組之發明 爲了解決上述問題，第4群組之發明係採用下述手 段。 1·本發明係具備驅動有機電激發光層之電極及基材之 有機 EL元件用電極基板，其中該電極爲功函數超過 5 · 6 e V之金屬氧化物之陽極薄膜層及金屬細線所構成之層 合體。 功函數爲5 · 6 e V以上係因不滿足此條件時，低電壓 化、提高發光亮度、提高耐久性等之效果低的緣故。 無金屬細線時，陽極之電極電阻增加，功函數增 加，提高發光亮度等之效果較差。 2·本發明之金屬氧化物之陽極薄膜層之功函數爲 5.8eV以上之金屬氧化物之陽極薄膜層。 如上述功函數必須爲5.6eV以上，更理想爲5.8eV 以上。此數値係在洗淨後，在空氣中藉由理化學技硏社 -30- (27) 200402475 製AC-1所測定的數値。 3 .本發明之金屬氧化物之陽極薄膜層以氧化銦爲主成 分，尙含有氧化鋅及/或氧化錫之主成分，進一步含有鑭 系金屬氧化物。 添加鑭系元素可將氧化銦、氧化鋅、氧化錫爲主成 分之金屬氧化物之薄膜層之功函數達到5.6eV以上。

上述主成分之金屬以外，爲了使功函數達到5.6eV 以上時，必須增加鑭系元素之添加量。但是增加添加量 時，有時電阻値上升，穿透率降低，蝕刻特性降低。 4.本發明之上述鑭系金屬氧化物爲選自氧化鈽、氧化 鐯、氧化鉚、氧化釤、氧化铽所成群之1種或2種以上 之金屬氧化物。 例如以氧化銦+氧化鋅爲主成分時，理想爲In/(In + Ζη) = 0· 5〜0· 98 原子 ％ 。

Ιη/(Ιιι + Ζη)係表示金屬氧化物中銦原子與錫原子之個 數總合中之銦原子的比例。

In/(In +Zn)之比例爲0 · 7〜0 · 9，更理想爲0 · 8〜 0 · 9。此比例未達0 · 5時，金屬氧化物之薄膜層之導電性 有時會降低，有超過0.9 5時，有時蝕刻特性不佳。 例如以氧化銦+氧化錫爲主成分時，理想爲In/(In -f Sn) = 0 . 5 〜0· 95〇 上述In/(In +Sn)之比例爲〇· 7〜0· 95，更理想爲 0 · 8〜0 · 9。此比例未達0.5時，金屬氧化物之薄膜層之 導電性有時會降低，又超過0 · 9 8時，蝕刻性不佳。 -31 - (28) (28)200402475 鋼系金屬氧化物之添加量對於全金屬原子爲〇1〜2〇 原子％以下，理想爲！〜丨〇原子％以下，更理想爲1〜5 原子％以下。添加量未達0 · i原子％時，無添加的效果， 有時功函數無法達到5.6eV以上。添加量爲2〇原子％以 上時’薄膜形成高電阻化，導電性有降低的問題。 薄膜層之厚度爲10〜5 00nm’理想爲30〜30〇ηιη， 更理想爲30〜200nm。此數値爲10nm以下時，薄膜層之 機械強度會有問題，超過5 00nm時，蝕刻會產生問題， 成膜時間長。 成膜時之氧分壓設定爲0〜5 % 。理想爲〇〜2 % ，更 理想爲0〜1 % 。此數値爲5 %以上時，有時電阻升高。 陽極層之結晶性爲非晶質較佳。陽極層之結晶性爲 非晶質時，可消除蝕刻時之端面（蝕刻面）之殘渣，電 極形成圓錐狀，可解決對向電極之斷線等之問題。 5.本發明之上述有機EL元件用基板，其中該金屬細 線爲以A g、A1、C u中任一種爲主成分。 • 6.本發明之上述有機EL元件用基板，其中該金屬細 線中添加功函數5.0以上之金屬。 7.本發明之上述有機EL元件用基板，其中該功函數 5.0eV以上之金屬爲含有選自 Au、Ir、Ni、Pd、Pt之一 種或兩種以上之金屬。 添加功函數爲5.0eV以上之金屬可增加金屬細線之 安定性。添加量爲〇·〇1〜5wt%以下’理想爲〇·1〜2wt % ，更理想爲 〇·5〜2wt% 。添加量未達 〇·〇1 wt%時’添 -32- (29) 200402475 加效果低，又添加量超過5wt%時，Ag薄膜層等之導電 性降低或成本升高。 在不影響安定性或電阻値的範圍內可添加其他金屬 作爲第二成分。 上述金屬細線之厚度爲10〜5 00nm，理想爲 2〇〜 4 0 0nm。厚度未達1 〇nm時，陽極之電阻値無法降低，又 超過5 0 0nm時，電極之段差大，可能產生漏電流。

金屬細線之寬度（短邊方向）必須大於陽極薄膜層 之寬度（短邊方向）。金屬細線之寬度（短邊方向）爲 陽極薄膜層之寬度之2〜40% ，理想爲3〜30 % ，更理想 爲4〜2 5 % 。 8.本發明之上述有機EL元件用電極基板，其中該金 屬氧化物之陽極薄膜層上具有保護層。設置保護層時， 可提高金屬細線之耐久性。

上述保護層爲可藉由金屬細線之蝕刻液進行纟虫刻之 材料，且具有導電性爲佳。這種材質可使用由氧化銦-氧 化鋅所構成之非晶質之透明導電膜。此時之銦的比例司* 使用 Ιη/(Ιη +Ζϋ) = 0 · 2〜0 · 99，理想爲 〇 · 5〜〇 · 95， 更理想爲0 · 7〜0 · 9。 9·本發明之有機EL元件用電極基板之製造方法，其 係含有將金屬氧化物之陽極薄膜層層合於該基材上，接 著層合由金屬細線所構成之層合體的步驟；以憐酸、硝 酸、醋酸之混合酸蝕刻該金屬薄膜層的步驟；該纟虫刻 後，再以草酸蝕刻，將該陽極薄膜層形成圖案的步驟。 -33- (30) (30)200402475 10. 本發明之有機EL元件用電極基板之製造方法， 其中該基材爲玻璃基板。 上述陽極薄膜層可藉由含草酸之蝕刻液進行蝕刻。 草酸濃度爲1〜20wt%之水溶液，理想爲2〜10wt%之水 溶液，更理想爲2〜5wt%之水溶液。lwt%以下時，無法 得到充分之蝕刻速度，超過 20 wt%時，有時會析出草酸 之結晶。也可添加不會腐蝕金屬的酸。 蝕刻金屬的酸只要不損害陽極薄膜層的酸，則無特 別限定，可使用各種酸，但是多利用燐酸、硝酸、醋酸 之混合酸。這些酸之配合比例無特別限定。但是對於金 屬薄膜可得到充分之蝕刻速度，且不損害陽極薄膜層的 配合量爲佳。對於濃度也無特別限定。但是對於金屬薄 膜可得到充分之蝕刻速度，且不損害陽極薄膜層的濃度 爲佳。因此，必要時可以水稀釋。 11. 使用具備驅動有機電激發光層之電極及基材之有 機 EL元件用電極基板，其中該電極爲具有功函數超過 5.6eV之金屬氧化物之陽極薄膜層及金屬細線所構成之層 合體之有機EL元件用電極基板之有機EL元件，其特徵 係含有有機電激發光層及與電極對向之陰極層。 有機EL元件具有與上述有機EL元件用電極基板相 同之作用效果。 第5群組之發明 以下說明第5群組之發明。第5群組之發明主要在 -34- (31) (31)200402475 下述之第5之實施形態中詳細說明。 1·本發明係在基材上依序層合驅動上述有機電激發光 層之電極、含有氧化銦之透明導電薄膜、金屬細線、金 屬氧化物之薄膜層之有機EL元件用基板，該金屬氧化物 之薄膜層具有高於5.6eV之功函數及l〇E + 4Qcm以上之 比電阻。 功函數爲5.6eV以上時，電洞注入有機物中之效率 佳，提高發光亮度，延長壽命。功函數理想爲5.8eV以 上，更理想爲6.OeV以上。 上述金屬氧化物之薄膜層之厚度爲1〜1 OOnm，理想 爲 5〜50nm，更理想爲 5〜20nm。薄膜層之厚度爲lnm 以下時，有時薄膜層的效果無法顯現，薄膜層之厚度爲 1 OOnm以上時，有時薄膜層之陽極間電阻降低，造成干 擾的問題。 薄膜層覆蓋電極基板的部分爲顯示器部分及/或配線 部分，可覆蓋或不覆蓋外部電極之取出部。 2.本發明係在基材上依序層合驅動上述有機電激發光 層之電極、金屬細線、含有氧化銦之透明導電薄膜、金 屬氧化物之薄膜層之有機EL元件用基板，該金屬氧化物 之薄膜層具有高於5.6eV之功函數及10E + 4Qcm以上之 比電阻。 本發明係改變上述1之發明構成的順序。換言之， 改變含有氧化銦之透明導電薄膜、金屬細線之層合順 序。即使這種構成也具有與上述1同樣的作用效果。 -35- (32) (32)200402475 3.本發明係上述金屬氧化物之薄膜層之功函數爲 10E + 4Qcm 〜10E + 8Qcm 之比電阻 〇 比電阻爲10Ε + 4Ω cm以下時，陽極間電阻降低，造 成干擾的問題。比電阻爲1 〇 E + 8 Ω c m以上時，電阻太 高，電洞注入效率降低。 4·本發明係上述金屬氧化物之薄膜層之功函數爲 5 . 8 e V以上。

如前述功函數理想爲5.8eV以上，更理想爲6.0eV 以上。 5 .本發明係上述金屬氧化物爲至少含有氧化鋅或氧化 錫其中之一。 以氧化銦+氧化錫爲主成分時，理想爲 In/(In + Sn) = 0. 6〜0· 98at% 。更理想爲 〇· 75〜0· 95at% 。 以氧化銦+氧化鋅+氧化錫爲主成分時，In/(In + Zn + Sn)= 0 . 6 〜0· 98 at% 。更理想爲 〇· 75 〜0· 95 at % 。at%係表示原子％ 。 6 .本發明係上述金屬氧化物爲含有至少一種的鑭系氧 化物。 鑭系金屬氧化物之含量係對於整體之金屬原子時， 含有5〜50at% ，理想爲10〜40at% 。更理想爲10〜30at % 。鑭系金屬氧化物之含量未達 5 at %時，有時電阻降 低，功函數降低。又鑭系金屬氧化物之含量超過 50at% 時，有時形成絕緣膜化，功函數降低。at %係表示原子 % ° -36- (33) 200402475 金屬氧化物含有氧化銦、氧化鋅、氧化錫’且含有 鑭系金屬氧化物較佳。 7. 本發明之上述鑭系金屬氧化物爲選自氧化铈、氧化 鐯、氧化_、氧化釤、氧化铽所成群之氧化物° 8. 本發明之上述金屬細線爲含有選自 Ag、Al及Cu 所成群之至少一種。 金屬細線爲具有未達10//Ω cm之比電阻的金屬較 佳。 9. 本發明之上述金屬細線爲含有功函數5.0eV以上之 金屬。 爲了金屬細線之主成分之Ag、A1及Cu之安定，添 加功函數5.0eV以上之金屬較佳。 10. 本發明之上述該功函數 5.OeV以上之金屬爲選自 Au、Ir、Ni、Co、Pd、Pt所成群之一種或兩種以上之金 屬。

功函數 5.0eV以上之金屬使用 An、Ir、Ni、Co、

Pd、Pt較佳。在不影響金屬細線之性能的範圍內，也可 添加上述以外之金屬。例如有Mo、Zr等之金屬。 這些金屬之蝕刻液無特別限定，可選擇不會影響下 部透明導電薄膜之蝕刻液。例如有燐酸-硝酸-醋酸之混合 酸。此混合酸中也可添加磺酸、聚磺酸等。 由此金屬細線所構成之金屬層不必爲單層，金屬層 可被其他金屬層夾。其他金屬例如有Ti、Co ' Mo、In、 Zn等之金屬。 -37- (34) (34)200402475 金屬細線可被其他金屬層夾之具體例有Ti/Al/Ti、 Cr/Al/Cr、Mo/Al/Mo、In/Al/In、Zn/Al/Zn、Ti/Ag/Ti 等。 11.本發明係由上述1〜10之有機EL元件用電極基 板、陰極層及有機電激發光層所構成之有機EL元件。 有機EL元件具有與上述有機EL元件用電極基板相 同的作用效果。 【實施方式】 實施發明之最佳形態 以下參照圖面具體說明本發明之實施形態。參照之 圖面僅係槪略表示可理解本發明之程度之各構成成分之 大小，形狀及配置關係，與實際之元件等之各部分的比 例不同。因此本發明不限於這些圖示例。又圖面中有時 省略表示斷面之剖面線。 實施形態1之群組 以下依據圖面說明本發明之理想之實施形態。 本實施形態係以所定比例混合氧化銦、氧化鋅、氧 化錫粉末，再坪取所定量之氧化姉、氧化衫、氧化銷、 氧化铽或氧化鉍粉末，再予以混合。此混合物以濕式粉 碎機粉碎48小時後，乾燥造粒，並以壓製機成型後，使 用1 3 8 0至1 4 8 0 °C燒結得到燒結體。此燒結體相當於申請 專利範圍之濺鍍靶之一例。 -38- (35) 200402475 混合氧化銦與氧化鋅時，其中含有由氧化銦及氧化 鋅所構成之六方晶層狀化合物（ln203 (ZnO) m : m爲2〜 2 0之整數）。例如下述之實施例1〜實施例6中，因含 有這種由氧化銦及氧化鋅所構成之六方晶層狀化合物 (In2〇3 (ZnO) m: m爲2〜20之整數），可形成更低電 阻化。 此燒結體以切削加工成4吋5 m m ( t )的板，以金 屬銦貼合於無氧銅之厚板上，作成濺鍍靶。本專利中， 將燒結體等之濺鍍靶貼合於厚板者也稱爲「濺鍍靶」。 本實施形態中，製作不同組成之多種濺鍍靶。圖1 之表中，表示多種之各濺鍍靶之組成。 [實施例1-1〜實施例1-5]

如圖1之表所示，實施例1 -1〜實施例1 - 5之氧化錫 之比例爲〇的例子。實施例1 -1〜實施例1 - 5之銦的比例 約93原子％ ，鋅的比例約1 7原子％之濺鍍靶。圖1之 表中，銦、鋅或錫之組成比例由計算式得知爲銦、鋅、 錫之總和的比例，並非對於濺鍍靶之全量之比例。 實施例1 - 1係上述銦約9 3原子％ 、鋅約1 7原子％ 之組成中添加所定量之氧化鈽之粉末。結果實施例1-1 之濺鍍靶含有3原子％之鈽（Ce )。 實施例1 - 2係上述銦約9 3原子％ 、鋅約1 7原子％ 之組成中添加所定量之氧化鈽之粉末。結果實施例1 -2 之濺鍍靶含有6原子％之铈（Ce )。 -39- (36) 200402475 實施例1 - 3係上述銦約9 3原子％ 、鋅約1 7原子! 之組成中添加所定量之氧化釤之粉末。結果實施例1 -3 之濺鍍靶含有5原子％之釤（Sm )。 實施例1 - 4係上述銦約9 3原子％ 、鋅約1 7原子％ 之組成中添加所定量之氧化銪之粉末。結果實施例1 _4 之濺鍍靶含有1 〇原子％之銪（Ειι )。如上述本實施例 中，鑭系例如有鈽、釤、銪，但是也可使用其他的鑭 系。 實施例1 - 5係上述銦約9 3原子％ 、鋅約1 7原子％ 之組成中添加所定量之氧化鉍之粉末。結果實施例1 _5 之濺鍍靶含有6原子％之鉍（Bi )。 [實施例1-6〜實施例1-9] 如圖1之表所示，實施例1 - 6係混合氧化銦、氧化 鋅、氧化錫之粉末的例。

實施例1 - 6係銦約8 9原子％ ，鋅約6原子％ ，錫約 5原子％之濺鍍靶。再添加所定量之氧化飴的粉末。結果 實施例1-6之濺鍍靶含有5原子％之給（Hf)。 實施例1 - 7係氧化鋅之比例爲〇的例。且爲混合氧 化銦與氧化錫之粉末的例。實施例1 -7係銦約91原子 °/〇 、錫約9原子％之濺鍍靶。再添加所定量之氧化鉬之 粉末。結果實施例：1 - 7之濺鍍靶含有5原子°/。之鉅 (Ta)。 實施例1 - 8係銦約91原子％ 、錫約9原子°/。之濺鍍 -40- (37) (37)200402475 靶。再添加所定量之氧化铽之粉末。結果實施例1 _ 8之 濺鍍靶含有5原子。/。之铽（Tb )。 實施例1-9係銦100原子％之濺鍍靶。再添加所定 量之氧化鈽之粉末。結果實施例1 - 9之濺鍍靶含有6.原 子％之鈽（Ce )。使用上述製作之濺鍍靶，利用RF磁控 管濺鍍裝置，在玻璃基板（Corning公司製# 705 9 )及東 麗公司製之聚苯二甲酸乙二醇酯薄膜基板上製造薄膜。 測定上述製造之薄膜的物性，結果如圖2之表所 示。圖2所示之表係使用上述實施例1 -1〜1 -9及比較例 1 -1〜1 -3之濺鍍靶製造導電膜，此導電膜之透明性或功 函數之數値的表。此表中也顯示上述實施例1-1〜1-9及 比較例1 -1〜1 -3之濺鍍靶本身之物性。 如此表所示，實施例 1-1之濺鍍靶的密度爲 6.62g/cc，體積電阻値爲2.3πιΩ · cm。使用此實施例1-1 之濺鍍靶在玻璃基板上形成薄膜之薄膜的電阻率爲960 μ Ω · cm，透明性爲89% 。功函數爲5.7 2 e V，蝕刻特性 爲完全無殘渣。使用此實施例1-1之濺鍍靶在薄膜基板 上形成薄膜之薄膜的電阻率爲98 0μΩ · cm，透明性爲87 % 。功函數爲5.5 5 e V。 薄膜的電阻率係以 4探針法（三菱油化製： Roresuter)測定。透明性係波長5 5 0nm之穿透率。功函 數係使用理硏計器製之AC-1量測。蝕刻特性係表中◎表 示完全無殘渣，〇表示無殘渣，△表示微量殘渣，X表示 大量殘渣或無法蝕刻。以下之說明也相同。 -41 - (38) (38)200402475 實施例1-2之濺鍍靶的密度爲6_71g/cc，體積電阻値 爲0.87ιηΩ · cm。使用此實施例1-2之濺鍍靶在玻璃基板 上形成薄膜之薄膜的電阻率爲1850μΩ · cm，透明性爲 90% 。功函數爲5.62eV，蝕刻特性爲完全無殘渣。使用 此實施例1-2之濺鍍靶在薄膜基板上形成薄膜之薄膜的 電阻率爲1 8 8 0 μ Ω · cm，透明性爲8 9 % 。功函數爲 5.93eV 。 實施例1-3之濺鍍靶的密度爲6.76 g/cc，體積電阻値 爲1.03m Ω · cm。使用此實施例1-3之濺鍍靶在玻璃基板 上形成薄膜之薄膜的電阻率爲750μΩ · cm，透明性爲88 % 。功函數爲6.03eV，蝕刻特性爲完全無殘渣。使用此 實施例1-3之濺鍍靶在薄膜基板上形成薄膜之薄膜的電 阻率爲 810μ Ω · cm，透明性爲 87% 。功函數爲 5.93eV 。 實施例1-4之濺鍍靶的密度爲6.81 g/cc，體積電阻値 爲2.4m Ω · cm。使用此實施例1_4之濺鍍靶在玻璃基板 上形成薄膜之薄膜的電阻率爲460μΩ · cm，透明性爲89 % 。功函數爲5.7 8 eV，蝕刻特性爲完全無殘渣。使用此 實施例1-4之濺鍍靶在薄膜基板上形成薄膜之薄膜的電 阻率爲 6 1 0 μ Ω · c m，透明性爲 8 8 % 。功函數爲 5.73eV 。 實施例卜5之濺鍍靶的密度爲6.93g/cc，體積電阻値 爲0.8 2m Ω · cm。使用此實施例1-5之濺鍍靶在玻璃基板 上形成薄膜之薄膜的電阻率爲8 80μΩ · cm，透明性爲87 (39) (39)200402475 % 。功函數爲5.63 eV，蝕刻特性爲完全無殘渣。使用此 實施例1-5之濺鍍靶在薄膜基板上形成薄膜之薄膜的電 阻率爲 960μ Ω · cm，透明性爲 87 % 。功函數爲 5.61eV 。 實施例1-6之濺鍍靶的密度爲6.95 g/cc，體積電阻値 爲0.9 6m Ω · cm。使用此實施例1-6之濺鍍靶在玻璃基板 上形成薄膜之薄膜的電阻率爲670μΩ · cm，透明性爲88 % 。功函數爲5.62eV，蝕刻特性爲完全無殘渣。使用此 實施例1-6之濺鍍靶在薄膜基板上形成薄膜之薄膜的電 阻率爲 7 5 0 μ Ω · cm，透明性爲 88 % 。功函數爲 5.60eV。 實施例1-7之濺鍍靶的密度爲6.92 g/cc，體積電阻値 爲0.72m Ω · cm。使用此實施例1-7之濺鍍靶在玻璃基板 上形成薄膜之薄膜的電阻率爲540μΩ · cm，透明性爲89 °/〇 。功函數爲6.20eV，蝕刻特性爲完全無殘渣。使用此 實施例1 - 7之濺鍍靶在薄膜基板上形成薄膜之薄膜的電 阻率爲 5 40 μ Ω · cm，透明性爲 88 % 。功函數爲 6· 1 7eV。 實施例卜8之濺鍍靶的密度爲6.91 g/cc，體積電阻値 爲1.0 5m Ω · cm。使用此實施例1-8之濺鍍靶在玻璃基板 上形成薄膜之薄膜的電阻率爲840μΩ · cm，透明性爲89 °/〇 。功函數爲6.20eV，蝕刻特性爲完全無殘渣。使用此 實施例卜8之濺鍍靶在薄膜基板上形成薄膜之薄膜的電 阻率爲 860μ Ω · cm，透明性爲 88 % 。功函數爲 -43- (40) 200402475 5.6 1 e V。 實施例1 - 9之濺鍍靶的密度爲6.78g/cc，體積電阻値 爲2·8ηιΩ · cm。使用此實施例1-9之濺鍍靶在玻璃基板 上形成薄膜之薄膜的電阻率爲1 2 5 0 μ Ω · c m，透明性爲 8 9 % 。功函數爲5 · 6 8 eV，蝕刻特性爲完全無殘渣。使用 此實施例1-9之濺鍍靶在薄膜基板上形成薄膜之薄膜的 電阻率爲 1 4 5 0 μ Ω · cm，透明性爲 8 8 % 。功函數爲 5.66eV 。

以X光解析這些實施例1 · 1〜實施例1 -9之薄膜評價 其結晶性，結果未發現波峰，全部爲非晶質。 如上述，依據本實施例時，可得到維持高透明性， 且功函數高之導電膜。 其次關於3種之比較例與上述實施例同樣濺鍍製作 薄膜。此製作之薄膜的物性如圖2之表所示。

如圖2之表所示，比較例1 - 1之濺鍍靶的密度爲 6.65 g/cc，體積電阻値爲2.5m Ω · cm。使用此比較例1-1 之濺鍍靶，與上述實施例相同在玻璃基板上形成薄膜。 此薄膜的電阻率爲3 8 0 μ Ω · c m，透明性爲8 9 % 。功函數 爲5.22eV，蝕刻特性爲完全無殘渣。使用此比較例1-1 之濺鍍靶，與上述實施例相同在薄膜基板上形成薄膜。 此薄膜的電阻率爲4 2 0 μ Ω · c m，透明性爲8 8 % 。功函數 爲 5.18eV。 比較例1-2之濺鍍靶的密度爲6.85 g/cc，體積電阻値 爲0.4 6 m Ω · c m。使用此比較例1 - 2之縣鍍祀，與上述實 -44- (41) (41)200402475 施例相同在玻璃基板上形成薄膜。此薄膜的電阻率爲 1 70μ Ω · cm，透明性爲90% 。功函數爲4.9 2 e V，蝕刻特 性爲大量殘渣。使用此比較例1 -2之濺鍍靶，與上述實 施例相同在薄膜基板上形成薄膜。此薄膜的電阻率爲 6 8 0 μ Ω · cm，透明性爲89% 。功函數爲4.88eV。 比較例1-3之濺鍍靶的密度爲6.90g/cc，體積電阻値 爲ΜΩ · cm以上。使用此比較例1-3之濺鍍靶，與上述 實施例相同在玻璃基板上形利用RF磁控管濺鍍法在玻璃 基板上形成薄膜。此薄膜的電阻率爲ΜΩ· cm以上，透 明性爲89% 。功函數爲5.58eV，蝕刻特性爲無法蝕刻。 使用此比較例1 -3之濺鍍靶，與上述實施例相同在薄膜 基板上形成薄膜。此薄膜的電阻率爲Μ Ω · emu以上， 透明性爲88% 。功函數爲5.55eV。 如上述，實施例與比較例對照比較得知實施例之濺 鍍靶維持透明性8 7 %以上，且功函數皆爲5.5 0 e V以上。 因此，製造實施例之薄膜作爲透明電極使用之有機EL元 件或有機燐光型發光元件時，可得到提高電洞注入率之 元件。 實施形態1之群組的總結 如上述，依據第1群組之本發明時，因含有鑭或給 等之金屬，可提供維持透明性，且功函數高之透明導電 膜。結果依據本發明時，可得到提高電洞注入率之有機 EL元件或有機燐光型發光元件。 -45- (42) (42)200402475 實施形態2之群組 [實施形態2-1] 參照圖3說明本發明之有機EL元件之實施形態2-1。圖3係有機EL元件100之斷面圖。如此圖所示，有 機EL元件100係在基板上依序層合陽極層1〇、有機發 光層14及陰極層16之構造。 以下針對實施形態2-1之特徵部分之陽極層10、有 機發光層14來說明。其他之構成部分例如陰極層16等 之構成或製法僅簡單說明，未提及的部分可採用有機EL 元件領域中，一般所知之各種構成或製法。 實施形態2-1中，陽極層10由下述A-1群或A-2群 (以下稱爲A群）及B-1群或B-2群（以下稱爲B群） 所構成之化合物所構成。但是上述無機化合物之功函數 爲未達4.0eV之値，陰極層16可由上述無機化合物所構 成。 (1)陽極層1〇之構成材料 本實施形態2-1之陽極層1〇係採用組合含有下述a-1群之無機化合物及B -1群之化合物之構成，或採用組合 含有下述A-2群之無機化合物及B-2群之化合物之構 成。但是A-1群之無機化合物及B_1群之化合物之組合 與A-2群之無機化合物及B-2群之化合物之組合有一部 分重複的化合物。 -46- (43) (43)200402475 A -1 群·· Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg 之 硫化物、氧氮化物或氮化物， A-2 群：Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg 之硫化 物、氧氮化物或氮化物， B-1群：鑭系元素之硫化物、氧氮化物或氮化物。 B-2群：鑭系元素之硫化物。 組合A群與B群之2種化合物的理由如上述，僅其 中之一（A群或B群）之化合物（有機化合物或無機化 合物）時，很難有效提高離子化勢能。具體而言，很難 提高離子化勢能至5.8eV以上。 因此，組合A-1群之無機化合物及B-1群之化合物 或組合A-2群之無機化合物及B-2群之化合物構成陽極 層1 0，可使離子化勢能成爲最大値之5 · 8 eV以上。結果 可得到耐久性或透明性優異，驅動電壓低（比電阻 低），且發光亮度高之有機EL元件。 組合A-1群之無機化合物及B-1群之化合物或組合 A-2群之無機化合物及群之化合物具有優異之酸，例 如鹽酸或草酸之蝕刻特性。具體而言，酸處理部與非處 理部之界面之斷面平滑，無法明顯區別酸處理部與非處 理部的範圍。因此’以這種無機化合物所構成之電極層 之電極圖案之蝕刻精度優，即使微小電極或複雜形狀之 電極也可得到斷線或變形，或電阻値增加等較少的效 果。 -47- (44) (44)200402475 A群無機化合物 更具體之A-1群之無機化合物例如有SiOx(lSx$ 2) 、GeOx ( l‘x^2、Sn02、PbO、In2〇3、ZnO、GaO、

CdO、ZnS、ZnCe、CdSe、Inx Zny O ( 〇 .2 g 2 / ( x + y ) ^ 0.95 ) 、ZnOS、CdZnO、CdZnS、MglnO、CdlnO、

MgZnO、GaN、InGaN、MgZnSSe 等。 具體之A-2群之無機化合物例如有上述A-1群之無 機化合物中除去SiOx(l€xS2)寺之化合物。ZnO爲 Zn之氧化物，ZnS爲Zn之硫化物，特別是本實施形態 中，並非僅限於Zri與〇，Zn與S分別爲1 : 1之組成， 也包括其他比例之化合物。 A-1群及A-2群之無機化合物中，特別是Sn、In及 Zn之硫化物或這些之氮化物爲理想的材料。此理由如上 述，這些化合物之A-1群及A-2群之無機化合物中，吸 光係數低，特別是消光性低，透明性優異，因此，可將 大量的光釋放至外部。上述Ge、Sn、Zn及Cd之硫化物 中，特別是這些之氧化物更理想。 B群化合物 具體之 B-1群之化合物例如有 Ce203、Ce02、 Pr6〇ll ' Nd2〇3 ' Sm2〇3 ' EU2〇3 ' Gd2〇3 ' Tb4〇7 ' Dy2〇3 ' H〇2〇3 、 Er2〇3 、 Tm203 、 Yb2〇3 、 Lu203 、 CeN 、 PrN 、 NdN、SmN、EuN、GdN、TbN、DyN、HoN、ErN、TmN、

YbN、LuN等之單獨一種或2種以上之組合。 (45) 200402475 具體之B-2群之化合物例如有選自 Ce203、Ce02、 Ρ Γ 6 〇 1 1、N d 2 〇 3、S m 2 〇 3、E U 2 〇 3、G d 2 〇 3、T b 4 〇 7、D y 2 Ο 3、 Ho203、Er203、Tm203、Yb203、Lu203 所成群之單獨一種 或2種以上之組合。 B-1群及B-2群之化合物中，Ce、Nd、Sm、Eu、Tb 及 Ho之氧化物，換言之， CeOx、Nd203、Sm203、 Eu203、Tb4〇7及Ho2〇3較佳。其理由如上述，使用這些 無機化合物能有效提高陽極層1 0之離子化勢能。

B群（B-1群或B-2群僅稱爲B群）之化合物之含量

其次說明B群（B-1群或B-2群僅稱爲B群）之化 合物之含量。該電極層10之全量爲100at.%時，該B群 之化合物之含量理想爲0.5〜30 at.% 。此理由係B群之 化合物之含量未達0.5 at·%時，陽極層10之離子化勢能 之調整性差。具體而言，離子化勢能有時很難調整在 5·65〜6.40eV之範圍內。又B群之化合物之含量超過30 at· %時，有時導電性降低，著色，或透明性（光穿透 率）降低。 陽極層1 0之離子化勢能之調整性及透明性等之平衡 更佳的觀點，電極層10之全量爲10 Oat·%時，B群之化 合物之含量更理想爲0.8〜20 at.%之範圍的數値，更理 想爲1〜1 0 at · %之範圍的數値。 A群（A-1群或A-2群僅稱爲A群）之化合物之含量 -49- (46) (46)200402475 A群（A-1群或A-2群僅稱爲A群）之無機化合物 之含量係當由A群（A-1群或A-2群）及B群（B-1群或 B-2群）之化合物構成陽極層10時，由全量l〇〇at·%減 去B群之化合物之含量所得之數値。因此’ B群之化合 物之含量在陽極層 10中，含有 0.5〜30 at·%時，A 群）之無機化合物之陽極層10中之含量爲70〜99·5 at· °/〇 。 但是陽極層10內含有A群及B群以外之化合物（第 三成分）時，考慮該第三成分之含量後，在決定A群之 無機化合物的含量較佳。 陽極層之膜厚及構造 陽極層1 〇之膜厚無特別限定，具體而言，理想爲 0.5〜1000 nm之範圍內之數値。理由是陽極層10之膜厚 未達 〇.5nm時，長期使用時有時會產生針孔，漏電流， 而陽極層10之膜厚超過10 〇〇nm時，電極之透明性降 低，有時發光亮度降低。因此，耐久性及驅動電壓之平 衡時，陽極層10之膜厚更理想爲1.0〜3 OOnm之範圍內 之數値。陽極層1 0之構造無特別限定，可爲單層構造或 二層以上之多層構造。欲得到更高透明性（光穿透率） 或更高之導電性時，層和於更高透明性之導電電極層或 更高之導電性導電電極層，例如ITO或In203-Zri0上形 成二層構造。 -50- (47) (47)200402475 陽極層之比電阻 其次說明陽極層1 0之比電阻。比電阻之値無特別限 定，例如未達1 Ω · cm之數値較佳。理由是比電阻之値 超過1Ω· cm時，像素內之發光不均勻，且製造之有機 EL元件之驅動電壓有時升高。因此，欲達成更低驅動電 壓時，陽極層10之比電阻爲40πιΩ · cm以下較佳，1 m Ω · c m以下更佳。陽極層1 0比電阻値係使用4探針法 電阻測定機測定表面電阻，並以另外方法測定膜厚而計 算得到的。 陽極層之形成方法 其次說明陽極層1 〇之形成方法。形成方法無特別限 定。例如可採用濺鍍法、蒸鍍法、旋轉塗布法、使用流 延法之溶膠凝交法、噴霧裂解法、離子電鍍法等之方 法。特別是採用高頻磁控管濺鍍法較佳。具體而言，在 真空度 lxlO·7〜lxlO·3 Pa、成膜速度 0.01〜50nm/秒， 基板溫度-50〜30 (TC之條件下進行濺鍍較理想。 (2 )有機發光層 其次說明有機發光層。 有機發光層之構成材料 作爲有機發光層14之構成材料使用有機發光材料同 時具有以下之3個功能較佳。 -51 - (48) (48)200402475 (a )電荷之注入功能：外加電場時，可由陽極或電 洞注入層注入電洞，同時可由陰極或電子注入層注入電 子的功能。 (b )傳輸功能：以電場的力量使被注入之電洞齊電 子移動的功能。 (c )發光功能：提供電子與電洞再結合之場所，產 生發光的功能。 但是不必同時具有上述（a )〜（c )之各種功能， 例如電洞之注入傳輸性遠優於電子之注入傳輸性者也適 合作爲有機發光材料。因此，只要促進有機發光層14之 電子移動，在有機發光層14內部之中央附近，電子與電 洞可再結合之材料即可使用。 爲了提高有機發光層14之再結合性時，有機發光材 料之電子移動度理想爲1 X 1 (T7cm2/V · s以上較理想。理 由是未達1 X 1 (T7cm2/V · s時，有機EL元件之高速應答 困難’或有時發光亮度降低。因此，有機發光材料之電 子移動度理想爲1·1 X 1 〇·7〜2x 1 0·3 cm2/V · s，更理想爲 1·2χ10_7 〜1.〇χι〇·3 cm2/V · s。 電子移動度小於有機發光層14之有機發光材料之電 洞移動度較佳。此關係相反時，有機發光層i 4可使用之 有機發光材料有時受過度限制，有時發光亮度降低。有 機發光材料之電子移動度大於電洞移動度之iHOOO較 佳。電子移動度過低時，在有機發光層內部之中央附 近’電子與電洞之再結合困難，有時發光亮度降低。因 -52- (49) 200402475 此，有機發光層14之有機發光材料之電洞移動度（μΐι) 與電子移動度（ge)滿足 μ1ι/2 > pe > μΙι/5 00之關係較 佳，滿足ph/3>pe>eh/100之關係更佳。

— 本實施形態2- 1中，有機發光層1 4使用具有以上述 一般式（2-1)〜（2-3)表示之苯乙烯基之芳香族環化合 物較佳。使用具有這種苯乙烯基之芳香族環化合物可容 易滿足有機發光層14之有機發光材料之電洞移動度與電 子移動度的條件。一般式（2-1)〜（2·3)之碳數6〜40 之芳基中，理想之核原子數5〜40之芳基例如有苯基、 萘基、蒽基、菲基、芘基、暈苯基、聯苯基、聯三苯 基、吼咯基、呋喃基' 硫苯基、苯並硫苯基、噁二唑 基、二苯基蒽基、吲哚基、咔唑基、吡啶基、苯並D奎啉 基等。 理想之核原子數5〜4 0之伸芳基例如有伸苯基、伸 奈基、伸恩基、伸菲基、伸芘基、伸暈苯基、伸聯苯

基、伸聯三苯基、伸吡咯基、伸呋喃基、伸硫苯基、伸 本並硫苯基、伸噁二唑基、伸二苯基蒽基、伸吲哚基、 伸昨D坐基、伸吡啶基、伸苯並喹啉基等。碳數6〜40之 方基可被取代基取代，理想之取代基例如有碳數1〜6之 k基（甲基、乙基、異丙基、正丙基、第二丁基、第三 丁基、戊基、己基、環戊基、環己基等），碳數1〜6之 烷氧基（甲氧基、乙氧基、異丙氧基、正丙氧基、第二 丁氧某、笛〜 弟二丁氧基、戊氧基、己氧基、環戊氧基、環 己氧基等），核原子數5〜40之芳基、被核原子數5〜40 -53- (50) (50)200402475 之芳基取代之胺基，具有核原子數5〜40之芳基之酯 基，具有碳數1〜6之烷基之酯基，氰基、硝基 '鹵原 子。 有機發光層14可倂用苯並噻唑系、苯並咪唑系、苯 並噁唑系等之螢光增白劑或苯乙烯基苯系化合物、以8 _ 喹啉酚衍生物爲配位基之金屬錯合物。苯乙烯基伸芳基 骨架之有機發光材料例如以4，4，-雙（2，2 -二苯基乙燒 基）聯苯基爲主，該主可倂用由藍色至紅色發光之強螢 光色素，例如香豆素系或摻雜與主相同之螢光色素者。 有機發光層之形成方法 其次說明有機發光層之形成方法。形成方法無特別 限定。例如可採用真空蒸鍍法、旋轉塗布法、流延法、 L B法、濺鍍法等之方法。例如以真空蒸鍍法形成時，採 用蒸鍍溫度50〜45(TC、真空度ΐχι〇·7〜1χ10·3 pa、成 膜速度0.01〜50nm/秒，基板溫度-50〜30(TC之條件較理 想。 將粘結劑與有機發光材料溶解於所定之溶劑形成溶 液狀態後，以旋轉塗布法等形成薄膜化，也可形成有機 發光層14。有機發光層14係適當選擇形成方法或形成條 件’由氣相狀態之材料化合物沉澱形成的薄膜或由溶液 狀態或液相狀態之材料化合物固化形成的薄膜之分子堆 積膜較佳。通常在凝集構造或高次構造方面不同，或因 此產生功能上之不同，足以區別分子堆積膜與由LB法所 -54- (51) (51)200402475 形成之薄膜（分子堆積膜）。 有機發光層之膜厚 有機發光層14之膜厚無特別限定，依狀況可適當選 擇，實際上理想爲5nm〜5μηι之範圍內之數値。理由是 有機發光層之膜厚未達5nm時，有時發光亮度或耐久性 降低，有機發光層14之膜厚超過5 μπι時，外加電壓常升 高。因此，考慮發光亮度或外加電壓之平衡時，有機發 光層14之膜厚理想爲10nm〜3μιη之範圍內的數値，更 理想爲20nm〜Ιμπι之範圍內的數値。 (3 )陰極層 陰極層16可使用功函數較低（例如未達4.0eV之） 金屬、合金、電導性化合物或這些之混合物。具體而 言，可使用鎂、鋁、銦、鋰、鈉、鉋、銀等之單一種或 組合使用二種以上。陰極層1 6之之厚度無特別限定，理 想爲1〇〜l〇〇〇nm之範圍內的數値，更理想爲10〜200nm 之範圍內的數値。 (4 )其他 圖3中無圖示，可設置防止水分或氧侵入有機]£1^元 件100之封裝層，以覆蓋有機EL元件100整體。理想之 封裝層的材料例如有使四氟乙烯與至少含有一種共單體 之單體混合物經共聚所得之共聚物；共聚主鏈中含有環 -55- (52) 200402475 狀結構之含氟共聚物；聚乙烯、聚丙烯、聚甲基丙烯酸 甲酯 '聚醯亞胺、聚尿、聚四氟乙烯、聚氯三氟乙烯、 聚二氯二氟乙烯或氯三氟乙烯與二氯二氟乙烯之共聚物 等。 理想之封裝層的材料例如有吸收率1 %以上之吸水物 質；吸水率1%以下之防濕物質；In、Sn、Pb、Au、Cu、 Ag、A1、Ti、Ni 等金屬；MgO、SiO、Si〇2、GeO、NiO、 CaO、BaO、Fe20、Y2〇3、Ti02 等金屬氧化物；MgF2、 LiF、A1F3、CaF2等金屬氟化物；全氟烷；全氟胺；全氟聚 醚等之液狀氟化碳；及將吸附水分或氧之吸附劑分散於 該液狀氟化碳之組成物等。

形成封裝層可採用真空蒸鍍法、濺鍍法、鑄膜法、 MBE (分子線蒸鍍）法、組合離子束蒸鍍法、離子電鍍 法、電漿聚合法（高頻激發離子電鍍法）、反應性濺鍍 法、電漿CVD法、雷射CVD法、熱CVD法、氣相CVD

法等。 [實施形態2-2] 其次參照圖4說明本發明之實施形態2-2。圖4係實 施形態2-2之有機EL元件102之斷面圖’係表示具有在 基板上（無圖示）依序層合陽極層10、無機薄膜層12、 有機發光層14及陰極層16之構造。設置無機薄膜層U 可有效傳輸被注入之電洞。因此’設置無機薄膜層1 2可 以低電壓驅動有機E L元件1 0 2，同時提高耐久性。 -56- (53) 200402475 實施形態2-2之有機EL元件102之特徵係在陽極層 1〇與有機發光層14之間插入無機薄膜層12。除此點 外，具有與實施形態2-1之有機EL元件100相同的構 造。 因此，下述說明主要是針對實施形態2-2之特徵部 分之無機薄膜層1 2，其他構成部分例如陰極層1 6等可參 照與第1之實施形態相同構成之實施形態2 -1的說明。

構成無機薄膜層1 2之無機化合物例如有構成陽極層 10之A群（A-1群或A-2群）及B群（B-1群或B-2 群）之化合物的組合。因此，B群之化合物含量與陽極 層10相同，無機薄膜層之全量爲100 at. %時，含量爲 0.5〜50 at·%之範圍的數値，理想爲1.0〜40 at·%之範 圍的數値，更理想爲5.0〜30 at.%之範圍的數値。其膜 厚或形成方法也與陽極層10相同爲佳。

但是在陽極層1〇與有機發光層14之間設置無機薄 膜層1 2時，陽極層1 0與有機發光層14之組成必須不 同。具體而言，陽極層10使用A群（A-1群或A-2群） /B 群（B-1 群或 B-2 群）=70 〜90 at·% /0.5 〜10 at·% 所 構成之化合物，而無機薄膜層12使用A群（A-1群或A-2群）/B群（B-1群或B-2群）=50〜未達90 at·% /超過 1 0〜5 0 at. %所構成之無機化合物爲佳。理由是B群（B -1群或B-2群）之化合物量超過上述範圍時，透明性降 低，或比電阻上升，不適合作爲電極。 -57- (54) (54)200402475 [實施形態2-3] 其次參照圖5說明本發明之實施形態2_3。圖5係實 施形態2-3之有機EL元件1 04之斷面圖’係表示具有在 基板上（無圖示）依序層合陽極層1〇、無機薄膜層12、 電洞傳輸層13、有機發光層14及陰極層16之構造。 本實施形態2-3係在實施形態2-1或2-2中再設置電 洞傳輸層1 3，可有效傳輸被注入之電洞。因此，設置電 洞傳輸層13可以低電壓驅動有機EL元件104，同時提 高耐久性。 本實施形態2-3之有機EL元件104之特徵係在無機 薄膜層12與有機發光層14之間插入電洞傳輸層13。除 此點外，具有與實施形態2-2之有機EL元件102相同的 構造。因此，下述說明主要是針對實施形態2-3之特徵 部分之電洞傳輸層1 3，其他構成部分例如陰極層丨6等係 與實施形態2- 1或2-2相同構成，因此可參照之實施形態 2-1或2-2的說明。 (1 )電洞傳輸層1 3之構成材料 電洞傳輸層1 3係以有機化合物或無機化合物所構成 較佳。這種有機材料例如有酞青化合物、二胺化合物、 含二胺低聚物及含噻吩低聚物等。理想之無機材料例如 有非晶矽（a -Si ) 、α _SiC、微晶矽（μ<：：-8ί ) 、μ(：·

SiC、II-VI族化合物、ΙΙΐ-ν族化合物、非晶質碳、結晶 質碳及金剛石。其他之無機材料例如有氧化物、氟化物 -58- (55) (55)200402475 及氮化物，更具體而言例如有 Al2〇3、SiO、SiOx ( 1 S X ^2) 、GaN、InN、GalnN、GeOx ( l$xS2) 、LiF、

SrO、CaO、BaO、M g F 2 ' C a F 2 N U g F 2 ' SiNx ( 1 ^ x ^ 4/3 )之單一種或二種以上之組合。選擇電洞移動度爲1 X 1 06cm2/V · s 以上（外加電壓 1 X 1 06 〜1 X 1 06 V/cm )， 且離子化勢能爲5 . 5 eV以下之構成材料較理想。 (2 )電洞傳輸層1 3之構造及形成方法 電洞傳輸層1 3不限於單層構造，例如可爲二層構造 或三層構造。電洞傳輸層1 3之之膜厚無特別限定，例如 0.5 nm〜5 μπι之範圍內之數値。電洞傳輸層13之形成方 法無特別限定，可採用各種方法。實際上可採用與電洞 注入層之形成方法相同的方法。 [實施形態2-4] 其次參照圖6說明本發明之實施形態2-4。圖6係實 施形態2-4之有機EL元件106之斷面圖，係表示具有在 基板上（無圖示）依序層合陽極層10、無機薄膜層12、 電洞傳輸層13、有機發光層14、電子注入層15及陰極 層1 6之構造。本實施形態中設置電子注入層1 5可有效 發揮注入電子之功能。因此，設置電子注入層1 5可使電 子容易移動至有機發光層14，改善有機EL元件106之 應答性能。 實施形態2-4之有機EL元件106之特徵係在有機發 -59- (56) (56)200402475 光層14與陰極層16之間插入電子注入層15。除此點 外，具有與實施形態2-4之有機EL元件106具有與實施 形態2-3之有機EL元件104相同的構造。因此，下述說 明主要是針㈣貫施形態2 - 4之特徵部分之電子注入層 1 5，其他構成部分例如陰極層1 6等係與實施形態2 -1〜 2 - 3相同構成，或可採用有機E L元件領域中，一般公知 之構成。 (1 )電子注入層之構成材料 電子注入層1 5係由有機化合物或無機化合物所構成 較佳。特別是由有機化合物所構成可形成由陰極之電子 注入性或耐久性優異之有機E L元件。理想之有機化合物 例如有8 -羥基喹啉或噁二唑或這些之衍生物，例如含8 -羥基喹啉之金屬螯合劑化合物等。 以無機化合物構成電子注入層1 5時，無機化合物可 使用絕緣體或半導體。電子注入層1 5以絕緣體或半導體 所構成時，可有效防止漏電流，提高電子注入性。這種 絕緣體例如可使用至少一種選自由鹼金屬硫化物（氧化 物、硫化物、硒化物、締化物）、鹼土金屬硫化物、鹼 金屬之鹵化物及鹼土金屬之鹵化物所成群的金屬化合 物。電子注入層1 5以鹼金屬硫化物所構成時，可提高電 子注入性。 具體而言，理想之鹼金屬硫化物例如有Li20、LiO、 Na2S、Na2Se及NaO。理想之鹼土金屬硫化物例如有 -60- (57) (57)200402475

CaO、Ba〇、SrO、BeO、BaS及 CaSe。理想之鹼金屬之 鹵化物例如有 LiF、NaF、KF、LiCl、KC1及 NaCl等。 理想之鹼土金屬之鹵化物例如有CaF2、BaF2、SrF2、 M g F 2及B e F 2之氟化物或氟化物以外之鹵化物。 以半導體構成電子注入層1 5時，理想之半導體例如 含有 Ba、Ca、Sr、Yb、Al、Ga、In、Li、Na、Cd、 Mg、Si、Ta、Sb及Zn中之至少一種元素之氧化物、氮 化物或氧化氮化物等之一種單獨或二種以上之組合。構 成電子注入層1 5之無機化合物層爲微結晶或非晶質之絕 緣性薄膜較佳。電子注入層1 5以這些絕緣性薄膜所構成 時，可形成更均質之薄膜，可減少暗點等之像素缺陷的 緣故。這種無機化合物例如有上述之鹼金屬硫化物、鹼 土金屬硫化物、鹼金屬之鹵化物及鹼土金屬之鹵化物所 成群的金屬化合物。 (2 )電子親和力 實施形態2_4之電子注入層15之電子親和力爲1.8 〜3.6eV之範圍內較理想。電子親和力未達丨.8eV時，電 子注入性降低，有時導致驅動電壓上升或發光效率降 低，而電子親和力超過3.6eV時，有時易產生發光效率 低的錯合物’或有效抑制鏈端接合。因此電子注入層之 電子親和力爲1.9〜3.OeV之範圍內較理想，2.0〜2.5eV 之範圍內更理想。電子注入層15與有機發光層14'之電 子親和力之差爲1 .2eV以下較理想，0.5eV以下更理想。 -61 - (58) 200402475 這種電子親和力之差越小，由電子注入層1 5 光層14之電子注入較容易，且可形成改善應 機EL元件106。 (3 )能隙 實施形態2 - 4之電子注入層1 5之能隙（ 2 · 7 e V以上較理想，3 · 0 e V以上更理想。 値，例如爲2.7eV以上，可降低電洞越過有ί 移動至電子注入層15。因此，電洞與電子之 率提高，可提升有機EL元件106之發光亮度 免電子注入層15本身發光。 (4 )構造 其次說明由無機化合物所構成之電子注Λ 造。電子注入層1 5之構造無特別限定，例如 造或二層或三層構造。電子注入層15之厚 定，依狀況可採用各種厚度。實際上例如爲 OOOnm之範圍內較理想。其理由係因由無機 構成之電子注入層15之厚度未達O.lnm時， 子注入性降低或機械強度降低，而由無機化 成之電子注入層15之厚度超過1，〇〇〇nm時 阻，有機EL元件1 06之應答性能差，換言之 困難，或製膜所需時間長的緣故。因此，由 層所構成之電子注入層15之厚度爲〇.5nm〜 注入有機發 答性能之有 帶能隙）爲 能隙爲設定 幾發光層14 再結合之效 ，同時可避 層1 5的構 可爲單層構 度無特別限 0 · 1 n m 〜1， 化合物層所 有時造成電 合物層所構 ，形成高電 ，高速應答 無機化合物 1 0 0 n m，更 -62- (59) (59)200402475 理想爲lnm〜50nm。 (5 )形成方法 其次說明形成電子注入層1 5的方法。形成電子注入 層15的方法只要是可形成具有均勻膜厚之薄膜層的方 法’則無特別限定，例如可使用真空蒸鍍法、旋轉塗佈 法、LB法、濺鍍法等各種方法。 [實施形態2-5] 其次說明本發明之實施形態2 - 5。實施形態2 - 5即使 使用多種無機化合物也可得到構成材料之組成比均勻， 倉虫刻特性或透明性優異之陰極層1 6。結果提供驅動電壓 低’發光亮度或耐久性優異之有機EL元件的製造方法。 換言之’實施形態2 - 5係使用特定之靶及濺鍍法，形成 陰極層1 6爲第1特徵。實施形態2 - 5例如使用多種有機 發光材料時’也可得到構成材料之組成比均勻之有機發 光層1 4 °結果提供驅動電壓低，高發光亮度，且耐久性 優異之有機EL元件的製造方法。換言之，實施形態2_5 係使用特定之真空蒸鍍法由多種有機化合物形成有機發 光層14爲第2特徵。 爲了得到具有構成材料之組成比均勻之特性的有機 EL兀件時’至少陽極層1〇及有機發光層I*不外露於大 氣中’以相同之真空條件下形成較佳。實施形態5係 共用貫施、濺鑛法之真空槽及實施真空蒸鍍法之真空槽爲 -63- (60) (60)200402475 第3特徵。如此可得到具有構成材料之組成比均勻之特 性的有機EL元件。實施形態2-5之一個真空槽內可共有 具備實施濺鍍法所需之加熱裝置及基板保持機構，實施 真空蒸鍍法所需之加熱裝置，蒸鍍源等，實施濺鍍法之 真空槽及實施真空蒸鍍法之真空槽。實施形態2-5之另 外的形態例，例如可採用分別設置濺鍍用之真空槽與真 空蒸鍍用之真空槽，將這些連結之構成。依據此形態 時，實施真空蒸鍍法後，以所定之般送裝置將基板移至 濺鍍用之真空槽內，可得到共有真空槽時相同的結果。 本實施形態2-5所說明之有機EL元件之構成可參考實施 形態2-5 。 實施形態2-5所採用之製造方法中，係以分別對應 之製法形成下述各層。 陽極層10:高頻磁控管濺鍍法 無機薄膜層12:高頻磁控管濺鍍法 電洞傳輸層1 3 :真空蒸鍍法 有機發光層14:真空蒸鍍法 電子注入層15:真空蒸鍍法 陰極層1 6 :真空蒸鍍法 (1)陽極層及無機薄膜層之形成 以高頻磁控管濺鍍法形成陽極層1〇及無機薄膜層12 時，使用由A群（A-1群或A-2群）及B群（B-1群或 -64 - (61) (61)200402475 B-2群）之化合物所構成之靶較佳。具體而言，靶必須至 少含有所定比例之A群（A-1群或A-2群）及B群（B-1 群或B-2群）。又原材料之靶（平均粒徑爲1 # m以下） 係使用溶液法（共沉澱法）（濃度：0.01〜10mol/L、溶 媒：多元醇等、沉澱形成劑：氫氧化鉀等）、物理混合 法（攪拌機：球磨機、鋼珠混合機等，混合時間：1〜 200小時）均勻混合後，進行燒結（溫度1 200〜1500 °C、時間10〜72小時，更理想爲24〜48小時），最後 成型（壓製成型或HIP成型等）所得者較佳。此時成型 時之昇溫溫度更理想爲1〜5 0 °C /分鐘。此方法所得之靶 具有構成材料之組成比均勻之特性的特徵。也可僅以濺 鍍條件調節組成比等，因此也可個別濺鍍A群（A· 1群 或A-2群）及B群（B-1群或B-2群）之化合物。 濺鍍條件無特別限定，採用在惰性氣體中，電漿輸 出爲靶之表面積lcm2時爲0.3〜4W，真空度1χ10_7〜1 X 1 O'3 Pa，成膜速度 0.01〜50nm/秒，成膜時間 5〜120 分鐘，基板溫度· 5 0〜3 0 0 °C之條件較佳。這種濺鍍條件 較經濟，且可形成具有均勻膜厚之緊密的陽極層1〇及無 機薄膜層12。 (2)有機發光層14之形成 參照圖7及圖8說明同時蒸鍍不同之蒸鍍材料形成 有機發光層14之方法。首先使用真空蒸鍍裝置201，設 定接觸基板203使該基板203自轉之旋轉軸線213A。其 -65- (62) (62)200402475 次分別在離開基板2 0 3之旋轉軸線2 1 3 A之位置上配置蒸 鍍源212A〜212F，使基板203自轉。同時，由與該基板 203對向配置之蒸鍍源212A〜212F同時蒸鍍不同之蒸鍍 材料。得到有機發光層1 4。 圖7及圖8所示之真空蒸鍍裝置201係含有真空槽 210、設置於此真空槽210內之上部固定基板203的基板 支持架211、對向配置於此基板支持架2n下方，塡充蒸 鍍材料之多個（6個）蒸鍍源212A〜212F所構成。此真 空槽2 1 0藉由排氣機構（無圖示）可使內部維持所定之 減壓狀態。蒸鍍源之數目在圖面上有6個，但不限於 此，也可爲5個或7個以上。 基板支持架211具備支持基板2〇3之周緣部之支持 部2 1 2，在真空槽2 1 0內使基板2 0 3保持水平。基板支持 架211之上面中央部分在垂直方向設置使基板203旋轉 (自轉）之旋轉軸部2 1 3。此旋轉軸部2 1 3連接轉動機構 之馬達2 ；! 4，利用馬達2 i 4之轉動動作，使基板支持架 211內之支持基板203與該基板支持架211 —同以旋轉軸 部21 3爲轉動中心自轉。換言之，基板2 〇 3之中心係設 置於旋轉軸部2 1 3之旋轉軸線2 1 3 A垂直方向。 其次具體說明使用此構成之真空蒸鍍裝置2 〇丨，由兩 種有機發光材料（主材料與摻雜材料）在基板2 〇 3上形 成有機發光層14的方法。準備如圖7所示之基板2〇3， 將此基板203卡止在基板支持架211之支持部212，形成 水平狀態。圖7所示之基板203保持水平狀態係指基板 •66- (63) (63)200402475 203卡止在基板支持架211之支持部212形成水平狀態。 形成有機發光層14時，假想圓221上，在相鄰之兩 個蒸鍍源212B及2 12C上分別塡充主材料與摻雜材料。 塡充後，錯由排氣機構將真空槽2丨〇內減壓至所定真空 度，例如Ι.ΟχΙΟ4〜Torr。接著將蒸鍍源2ΐ2β及 加熱’同時蒸鍍各蒸鍍源212B及21 2C之主材料與摻雜 材料。同時使馬達2 1 4轉動，使基板2 〇 3沿著旋轉軸線 2 1 3 A以所定速度’例如1〜i 〇 〇 rp m轉動。基板2 〇 3自轉 的狀態下，共同蒸鍍主材料與摻雜材料形成有機發光層 14。如圖8所示，蒸鍍源21 2B及212C係設置於基板 2 〇 3之旋轉軸線2 1 3 A之水平方向之所定距離M的位置， 因此’利用基板2 0 3之旋轉，可使主材料與摻雜材料之 蒸鍍材料入射於基板2 0 3之入射角度規則變化。因此， 蒸鍍材料對於基板2 0 3可均勻附著，在電子注入層15之 膜面內確實形成蒸鍍材料之組成均勻之薄膜層。例如可 形成濃度偏差爲± 1 0% (莫耳換算）之薄膜層。如此實施 蒸鍍可不使基板203產生公轉，因此，不需要該空間或 設備’可以最經濟之最小限度的空間形成膜。基板2 0 3 產生公轉係指使在基板以外之旋轉軸之周緣轉動，且需 要比自轉的空間大。 實施同時蒸鍍時，基板203之形狀無特別限定。例 如圖7所示，基板203爲短形平板狀，基板203之各邊 長相同時，沿著以基板203之旋轉軸線213A之爲中心之 假想圓221之圓周上，配設多個蒸鍍源21 2A〜21 2F，而 -67- (64) (64)200402475 假想圓221之半徑爲Μ，基板203之一邊長度爲L時， 滿足M> (1/2) xL之短形平板狀爲佳。基板203之各邊 長不同時，最長的邊長爲L。如此構成時，由多個蒸鍍源 2 12A〜2 1 2F可形成對於基板203而言，蒸鍍材料之入射 角度彼此相同，因此，容易控制蒸鍍材料之組成比。藉 此構成時，蒸鍍材料對於基板2 0 3可以一定入射角度蒸 發，而非垂直入射，可提高膜面內之組成比之均勻性。 實施實施形態2-5之製造方法時，多個蒸鍍源212A 〜212F配設於以基板203之旋轉軸線21 3A之爲中心之 假想圓221之圓周上，多個蒸鍍源212A〜212F之配設數 (個數）爲η時，將各蒸鍍源212A〜212F以360° /η之 角度由假想圓22 1之中心配設爲佳。例如配設6個蒸鍍 源2 12時，由假想圓221之中心以60°之角度配設較 佳。如此配設時，對於基板203之各部分可依序重疊多 個蒸鍍材料形成膜，且在的厚度方向也可容易形成組成 比規則性不同之薄膜層。 • 其次詳細說明以上述蒸鍍方法形成墨汁有機發光層 1 4之組成的均勻性。例如使用Alq之主材料，Cs之摻雜 材料’使圖9之基板203以5rpm旋轉的狀態下，以下述 條件同時蒸鍍厚度約1 〇 〇 〇 A (設定値）之薄膜層。

Alq之蒸鍍速度：〇.1〜〇.3 n m / s Cs之蒸鍍速度：〇·ι〜〇·3 n m / s Alq/Cs之膜厚·· 1 〇0〇A (設定値） -68 - (65) (65)200402475 A 1 q之化學結構式如圖1 9所示。 接著使用觸針式膜厚計測定圖9之基板2 0 3之測定 點（4A〜)之薄膜層之膜厚’同時使用X射線光電子 分光法（XPS )測定Cs/Alq ( Alq中之A1 )組成比（原 子比）。圖9之基板203之測定點（4A〜4M )係將基板 2〇3之表面分成16等份，設定一邊長度P爲50mm之正 方形之區塊’迨些區塊之任意角（1J處）。結果如表 1所示。

-69- (66) 200402475 (66)

表2-1 測定點 膜厚（A) Cs /A1 4 A 1053 1.0 4B 1035 1 .0 4C 1047 1 .0 4D 1088 1 . 1 4E 109 1 1 .0 4F 1093 1 . 1 4G 1082 1 . 1 4H 1075 1.0 41 1082 1 . 1 4 J 1065 1.1 4K 10 10 1 .0 4L 1008 1 .0 4M 1025 1 .0

除了不使基板203旋轉外，在與上述同時蒸鍍方法 同樣之蒸鍍條件下，形成厚度約1 000A (設定値）之薄 膜層。測定製得之薄膜層之測定點（4 A〜4M )的膜厚及 Cs/Alq之組成比（原子比），結果如表2-2所示。 -70- (67) 200402475 (67)

表2-2 測定點 膜厚（A) Cs /A1 4A 895 0.6 4B 94 1 1 . 1 4C 884 1 . 1 4D 91 1 0.7 4E 922 1 . 1 4F 1022 0.8 4G 919 1.2 4H 1015 1.3 41 1067 0.7 4 J 908 1 .2 4K 895 0.5 4L 920 1 .0 4M 950 1 . 1

由這些結果得知，依據上述同時蒸鍍方法時，可得 到基板203之測定點（4A〜4M )的膜厚爲1 00 8〜1 093A 之範圍內之極均勻的厚度，且 Cs/Alq之組成比（原子 比）爲1.0〜1.10之範圍內之極均勻之組成比的薄膜層° 使用與上述同時蒸鍍方法不同之製造方法時’ 2()3 上之測定點（4A〜4M)的膜厚爲8 84〜1 067A之範屋1內 之數値，Cs/Alq之組成比爲0.6〜1.3之範圍內之數値。 -71 - (68) (68)200402475 實施例 [實施例2-1] (1)有機EL元件之製造準備（靶之製作） 濕式球磨機內收納Ce/ ( In + Ce )之莫耳比爲0.05之 氧化銦與氧化鈽之粉末（平均粒徑爲1 μιη以下），混合 粉碎72小時。接著由製得之粉碎物造粒後，以壓製形成 直徑4吋、厚度5mm之大小。將此成型物裝入燒成爐 內，以1，400 °C、加熱燒成36小時，製造陽極層1〇用 之靶2- 1。 (2 )陽極層1 〇之形成 接著在高頻濺鍍裝置及真空蒸鍍裝置共用之真空槽 內’配置厚1 · 1mm、長25mm、寬75mm之透明玻璃基 板及製得之靶2-1，使高頻濺鍍裝置運轉，形成厚75nm 之透明電極膜得到基板。真空度減壓至lxlO-1 P a的狀 態’封入氬氣體中混入氧氣體之氣體，該氣氛下，到達 真空度5x10- 4Pa，基板溫度爲25。(：，投入電力100W， 成膜時間爲i 4分鐘的條件下，進行濺鍍。以下此玻璃基 板與陽極層1 0當作基板。接著此基板在異丙醇中，以超 音波洗淨，再以N2 (氮氣體）氣氛中乾燥後，使用U V (紫外線）及臭氧進行1 〇分鐘洗淨。此狀態下，使用 A ^ (理硏計器公司製）測定基板之陽極層10之離子化 勢能’結果爲6.2 OeV。另外測定形成陽極層10之基板之 光穿透率（波長5 5 0nm)爲89% 。 -72- (69) 200402475 (3)真空蒸鍍裝置之處理 接著將基板按裝於真空槽之基板支架上，接著將真 空槽內之真空度減壓至lxl(T6T〇rr以下，然後在基板之 陽極層10及無機薄膜層12上依序層合電洞傳輸層13、 有機發光層14、電子注入層15及陰極層16，得到有機 EL元件。此時由形成有機發光層14至形成陰極層16之 間保持真空狀態，且相同之真空條件。

電洞傳輸材料例如有真空蒸鍍60nm之上述TBDB。 接著發光層例如在真空下，共同蒸鍍40nm之DPVDPAN 及D1。此時之DPVDPAN之蒸鍍速度：40nm/s， D1之 蒸鍍速度：1 n m / s。 TBDB之化學結構式如圖19所示。DPVDPAN之化學 結構式也如圖19所示。D1之化學結構式也如圖1 9所 不 °

電子注入層例如真空蒸鍍20nm之Alq ° 最後蒸鍍A1及Li，在電子注入層15上形成陰極層 16作爲有機EL元件。此時之A1之蒸鍍速度：lnm/s’ Li 之蒸鍍速度：〇.〇lnm/s ’ Al/Li之膜厚爲200nm ° (4 )有機EL元件之評價 製得之有機EL元件之陰極層16爲（_)負電極’陽 極層丨〇爲（+ )電極，兩電極間施加4.8 V之直流電 壓。此時之電流密度爲2.0mA/cm2 ’發光亮度爲164nit -73- (70) 200402475 (c d / m 2 )，發光顏色爲藍色。耐久性評價係以 lOmA/cm2定電流驅動時，即使經過 1 000小時以上，也 未發現漏電流。

-74- (71)200402475

寸 » (N 翠 1¾ 氧化銦（In) / 氧化錫（Sn) / 氧化鋅（Zn) / 氧化銪（Ειι) 5.80 75 88 TBDB 60 DPVDP AN 40 cr —o <ί (N A1 /Li 200 CO Ό 1 0 0 0小時以上 m 1 (N W \ \ ~ 二 c c c £ Η-Η ζ>0 N 00 ®卿奸、w <H^I <m <H5\ 减秘减鹏l〇 > 00 TBDB 60 DPVDPAN 40 cr —o < CN A1 /Li 200 〇 oo VO r—^ 1 000小時以上 實施例2-2 氧化銦（In) / 氧化錫（Sn) / 氧化鋅（Zn) / 氧化銨（Nd) 5.85 75 89 TBDB 60 DPVDPAN 40 cr —o <ί (N 〜〇 —o <J (N m 00 l〇 1 000小時以上 ^—4 1 (N z$ a ° hS U Z < fcf 麗諼 CQ Q • 1 Ί 七 1W 〇 (N Q f^\ > r\ cr 〜O 00 寸 〇 〇 .m os v〇 卜 00 ra 〇 Η ν〇 ^ o Q寸 —o < (N —o < (N 寸 VO 〇 Η rsi ε * /^v _ o ?餅 m β K ? <ίπ ς 5 %n 雖3 +H c 's^ 襄己 > 's^ It :酸俄 Μ 1¾ ^ ft rf ft a： Μ 亡_罘 鹬纏 ϋ麵 m m te) Ipu 鎞 并

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(ε5»_ ¾怎馨讎}EB dr»· (£»龚宓 _ Yarfli (ε6»變 (Λ) sli IU/ ρο)Μ椒米鎞 <&11ΜΦ 00 •76- (73) (73)200402475 [實施例2-2] 使用由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化銨所構成， 銦之莫耳比（In/(In+Sn + Zn))爲 〇·8，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn + Zn)) 爲 0.1 ， 鋅 之 莫耳比 (Zn/(In + Sn + Zn))爲〇 · 1所構成之靶2 - 3取代實施例2 · 1 之靶2-1。其他之製造調件係與實施例1相同，製作有機 EL元件。陽極層10之離子化勢能爲5.85eV。對於製得 之有機EL元件也與實施例1相同，在兩電極間施加5 .3 V之直流電壓。此時之電流密度爲2.0 mA/cm2，發光亮度 爲158nit。發光顏色爲藍色。 [實施例2-3] 使用由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化釤所構成， 銦之莫耳比（In/(In + Sn + Zn))爲 〇·8，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn + Zn)) 爲 〇·1 ， 鋅之 莫耳比 (Zn/(In + Sn + Zn))爲 0 · 1，且對於金屬整體時，釤之莫 耳比（Sm/(In + Sn + Zn + Sm))爲0.04之靶2-4取代實施例 2- 1之靶2- 1。其他之製造調件係與實施例1相同，製作 有機EL元件。陽極層10之離子化勢能爲5.95eV。對於 製得之有機EL元件也與實施例1相同，在兩電極間施加 5.0 V之直流電壓。此時之電流密度爲2.0mA/cm2，發光 亮度爲168 nit。發光顏色爲藍色。 [實施例2-4] -77- (74) 200402475 使用由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化銪所構成， 銦之莫耳比（In/(In + Sn + Zn))爲 〇·8，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn + Zn))爲 0.1 ，鋅之莫耳比 (Zn/(In + Sn + Zn))爲〇. 1，且對於金屬整體時，銪之莫 耳比（Eu/(In + Sn + Zn+ Eu))爲0.04所構成之祀2-5取代 實施例2-1之靶2-1。其他之製造調件係與實施例1相 同，製作有機EL元件。陽極層10之離子化勢能爲 5.80eV。對於製得之有機EL元件也與實施例1相同，在 兩電極間施加5 · 1 V之直流電壓。此時之電流密度爲 2.0mA/cm2，發光亮度爲165nit。發光顏色爲藍色。 [實施例2-5] 使用由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化铽所構成， 銦之莫耳比（In/(In +Sn + Zn))爲 0.8，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn + Zn)) 爲 〇·1 ，鋅之 莫耳比

(Zn/(In + Sn + Zn))爲 0.1，且對於金屬整體時，銶之莫 耳比（Eu/(In + Sn + Zn + Eu))爲0.06之靶2-6取代實施例 2-1之靶2-1。其他之製造調件係與實施例1相同，製作 有機EL元件。陽極層10之離子化勢能爲5.84eV。對於 製得之有機EL元件也與實施例1相同，在兩電極間施加 5.1 V之直流電壓。此時之電流密度爲1.65mA/cm2，發 光亮度爲95nit。發光顏色爲藍色。 [實施例2-6] -78- (75) 200402475 使用由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化鈥所構成， 銦之莫耳比（In/(In +Sn + Zn))爲 0.8，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn + Zn)) 爲 〇·1 ， 鋅之 莫耳比

(Zn/(In + Sn + Zn))爲〇. 1，且對於金屬整體時，鈥之莫 耳比（Ho/(In + Sn + Zn + Ho))爲0.12之靶2-7取代實施例 2- 1之靶2- 1。其他之製造調件係與實施例1相同，製作 有機EL元件。陽極層10之離子化勢能爲5.82eV。對於 製得之有機EL元件也與實施例1相同，在兩電極間施加 5.1 V之直流電壓。此時之電流密度爲2.0mA/cm2，發光 亮度爲166nit。發光顏色爲藍色。 [實施例2-7] 使用由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化鈽所構成， 銦之莫耳比（In/(In +Sn + Zn))爲 〇·8，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn + Zn)) 爲 0.1 ， 鋅之 莫耳比

(Zn/(In + Sn + Zn))爲 0.1，且對於金屬整體時，鈽之莫 耳比（Ce/(In + Sn + Zn + Ce))爲0.06之靶2-8a取代實施例 2-1之靶2- 1。其他之製造調件係與實施例1相同，製作 有機EL元件。陽極層10之離子化勢能爲5.98eV。對於 製得之有機EL元件也與實施例1相同，在兩電極間施加 4.9 V之直流電壓。此時之電流密度爲2.0mA/cm2，發光 亮度爲164nit。發光顏色爲藍色。 [實施例2-8] -79- (76) 200402475 使用由氧化銦、氧化錫、氧化鈽所構成，銦之莫耳 比 （In/(In +Sn + Zn)) 爲 0.9， 錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn + Zn))爲0.1之靶2-8b取代實施例2-1之靶 2-1，對於形成75nm膜厚之基板使用以氧化鋅爲主，且 對於金屬整體時，鈽之莫耳比（Ce/(Zn+ Ce))爲0.05的 靶，形成2 Onm膜厚之基板。其他之製造調件係與實施例 1相同，製作有機EL元件。陽極層10之離子化勢能爲 6.18eV，穿透率爲 79% 。對於製得之有機EL元件也與 實施例1相同，在兩電極間施加4.8 V之直流電壓。此時 之電流密度爲2.0mA/cm2，發光亮度爲162nit( c d/ m 2 )。發光顏色爲藍色。耐久性評價係以1 OmA/cm2定 電流驅動時，即使經過1 〇 〇 〇小時以上，也未發現漏電 流。 [比較例2-1]

使用由氧化銦、氧化錫、氧化鋅所構成，銦之莫耳 比 （In/(In +Sn + Zn)) 爲 0.6 ’ 錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn + Zn)) 爲 0.3 ，鋅 之 莫 耳 比 (Zn/(In + Sn + Zn))爲〇·1之記2-9取代實施例2-1之耙 2 -1。其他之製造調件係與實施例1相同，製作有機EL 元件。陽極層1〇之離子化勢能爲5.23eV。對於製得之有 機EL元件也與實施例1相同，在兩電極間施加6. 〇 v之 直流電壓。此時之電流密度爲2.0mA/cm2，發光亮度爲 166nit。發光顏色爲藍色。 •80- (77) (77)200402475 實施形態2之群組之總結 如上述詳細說明，本發明之有機EL元件含有特定之 有機化合物之電極層等，提供透明性或耐久性優異，且 即使低驅動電壓，也可得到發光亮度較高之有機EL元 件。而由特定之無機化合物所構成之陽極層等具有優異 之触刻特性。 依據本發明之有機EL元件用基板時，可容易製造具 有上述良好性能之有機EL元件。 依據本發明之有機EL元件之製造方法時，提供可高 效率製造這種透明性或耐久性優異，且即使低驅動電 壓，也可得到發光亮度較高之有機EL元件。 實施形態3之群組 以下依據圖面說明第3群組之發明之實施形態。 [實施例3-1] (1 )有機EL元件用基板之製造準備（靶之製作） 製作以濺鍍法形成有機EL元件之電極所用之濺鍍 革巴。 首先，濕式球磨機內收納氧化銦與氧化鈽之粉末 (平均粒徑爲1 μιη以下）混合粉碎72小時。此時對於整 體量時，氧化鈽之莫耳比（此莫耳比以Ce/ ( In + Ce )表 示）爲0.05。 -81 - (78) (78)200402475 接著將製得之粉碎物造粒後，以壓製形成直徑 4 吋、厚度5 mm之大小。將此成型物裝入燒成爐內，以 1，400 °C、加熱燒成36小時，製造陽極層用之靶3-1。 本實施形態3係說明有機EL元件，但是此有機EL 元件係相當於申請專利範圍之有機電場發光裝置之一 例。 (2)陽極層10之形成 接著在高頻濺鍍裝置及真空蒸鍍裝置共用之真空槽 內，配置厚 1· 1mm、長25mm、寬75mm之透明玻璃基 板310及上述製得之靶3-1及Ag靶（Ag: 98.5wt% 、 P d · 0.5 w t % 、Cu : l.Owt% ) 〇 使高頻濺鍍裝置運轉，在透明玻璃基板3 1 0上形成 厚35nm之金屬氧化物層312a、厚5nm之 Ag薄膜層 14、厚35nm之金屬氧化物層312b。得到具備由3層所 構成之陽極層316之電極基板318。如圖1〇所示。玻璃 基板3 1 0係相當於申請專利範圍之「基材」之一例。本 實施例係使用玻璃基板310，但是因用途不同可使用塑膠 基板或矽晶圓等之基板。依據濺鍍形成陽極層之步驟係 相當於申請專利範圍之「以濺鍍法形成電極」之一例。 換言之，陽極層3 1 6係相當於申請專利範圍之「電極」 之一例。 真空度減壓至5 X 1 Ο — 4 P a的狀態，封入氬氣體中混 入氧氣體之氣體，該氣氛下’真空度3\1〇-叶&，基板溫 -82- (79) (79)200402475 度爲25°C，投入電力l〇〇W，成膜時間爲14分鐘的條件 下，進行濺鍍。 以下此玻璃基板310與陽極層316之電極基板318 僅稱爲基板3 1 8。此基板3 1 8係相當於申請專利範圍之有 機電場發光裝置用基板之一例。 接著此基板3 1 8在異丙醇中，以超音波洗淨，再以 N2 (氮氣體）氣氛中乾燥後，使用U V (紫外線）及臭 氧進行1 〇分鐘洗淨。 (3 )測定結果 使用AC- 1 (理硏計器公司製）測定基板之u V洗淨 前後之陽極層 316之功函數爲 5.85 eV (洗淨前）、 6.2 0 e V (洗淨後）。測定形成陽極層3 1 6之基板之光穿 透率（波長5 5 0nm)爲84% 。4探針法測定表面電阻爲 4 · 6 Ω / □。 (4 )有機EL元件之形成 接著將上述「基板」按裝於真空蒸鍍裝置之真空槽 之基板支架上，接著將真空槽內之真空度減壓至1Χ 10_6T〇rr以下，然後在基板318之陽極層316上依序層 合電洞傳輸層320、有機發光層322、電子注入層324及 陰極層326，得到有機El元件。如圖1 1所示。 此時由形成電洞傳輸層3 2 0至形成陰極層3 2 6之間 保持真空狀態，且相同之真空條件。 -83- (80) (80)200402475 真空蒸鍍形成有機發光層322之步驟相當於申請專 利範圍之「藉由真空蒸鍍法形成有機電場發光層」之一 例。換言之，有機發光層 3 2 2相當於申請專利範圍之 「有機電場發光層」。 電洞傳輸3 2 0例如有真空蒸鍍60nm之上述TBDB。 接著有機發光層3 22例如在真空下，共同蒸鍍40nm之 DPVDPAN及 D1。此時之 DPVDPAN之蒸鍍速度： 40nm/s， D1 之蒸鍍速度：lnm/s。 電子注入層324例如真空蒸鍍20nm之Alq。最後蒸 鍍A1及Li，在電子注入層324上形成陰極層326製作有 機EL元件3 3 0。此時之A1之蒸鍍速度：lnm/s，Li之蒸 鍍速度：〇.〇lnm/S，Al/Li之膜厚爲2 00nm。 (5 )製造之有機EL元件之評價 製得之有機EL元件330之陰極層326爲（-)負電 極，陽極層316爲（+)電極，兩電極間施加4.3 V之直 流電壓。此時之電流密度爲 2.0mA/cm2，發光亮度爲 16 0nit ( c d / m 2 )，發光顏色爲藍色。耐久性評價係 以10mA/cm2定電流驅動時，即使經過1 000小時以上， 也未發現漏電流。 實施例3 - 1之結果如表3 - 1所示。 -84- (81)200402475

實施例3-4 s ~ ~ ^ cr CT ^ ^ c c ^ η c/D N Pu s _ 溫 _ 5 Λρ -VJ ° ^ ^ ^ ^ ^ 00 oo 〜 o 减® f 减减 m in m oo 寸 TBDB 60 DP VDPAN 40 cr —o < (N A1 /Li 200 v〇 寸 V 11 * \〇 V-H 1 000小時以上 實施例3-3 s ~ ~ ^ c c ? c/^ 's^ s賴歡益 ^ J\D 寸 w ^ ^ OO ON ^ 〇N 减4盼祕减 m w m oo r^ TBDB 60 DPVDPAN 40 σ" —o <1 (N 、o —o < (N ^Τ) 寸 寸 VO 1 0 0 0小時以上 實施例3-2 氧化銦（In) / 氧化錫（Sn) / 氧化鋅（Zn) / 氧化鈸（Nd) 5.8 1 5.85 35/5/35 85 4.3 TBDB 60 DPVDPAN 40 cr —o (N A1 /Li 200 οο 寸 Ό 1 000小時以上 η ·Ν 1 m /—v c ^ ^ U Z < 盤 習 Μ Μ M ^ PQ Oh Q 七 ΛΡ Jv3 m〇 ^ 〇0 (N \ Q ^f\ > n , cr 〜o cn 〇 〇 〇 减减 w v〇 rn oo 寸 ra 〇 Η ν〇 ^ 〇 Q寸 —o < (N —o <C ΓΜ 寸 VO 〇 T—Η /^N S：叛与 ^ <N S 悉悉 祕k \ XX 、家 G 染 > > 〇X) w w _ $ o K ? 迄？ 躞 mu 擊兄 _ w > * 画圈M与俄脰 Μ it ^ ft Η- I： 曆! 1¾ gu 蘧 豳 吞吞_緘罘谳 鱭_ m m 鱭鹦 趣_ Μ fpr 鎞

德铿 •85- (82) (82)200402475 [實施例3-2] 使用下述靶3-3取代實施例3-1之靶3-1。此靶3-3 係由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化鈸所構成之靶，其 具體之組成如下述。氧化銦、氧化錫、氧化鋅稱爲主成 分金屬。 首先’主成分金屬中之銦之莫耳比 (In/(In + Sn + Zn))爲0.8，主成分金屬中之錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn + Zn))爲0.1，主成分金屬中之鋅之莫耳比 (Zn/(In + Sn + Zn))爲0.1，且對於金屬整體時，鈸之莫 耳比（Nd/(In + Sn + Zn + Nd))爲 〇.〇6。 除了使用下述靶3 · 3取代實施例3 -1之靶3 -1外，與 實施例3 -1相同，製作有機EL元件3 3 〇。製得之陽極層 316之功函數爲 5.81eV (洗淨前）、5.85eV (洗淨 後）。陽極層316之表面電阻爲4.3Ω/Ε]。 製得之有機EL元件330與實施例3-1相同，在兩電 極間施加 4·8 V之直流電壓。此時之電流密度爲 2\0mA/cm2，發光亮度爲156nit。發光顏色爲藍色。耐久 性評價係以1 〇mA/cm2定電流驅動時，即使經過1 〇〇〇小 時以上，也未發現漏電流。 實施例3 - 2之結果如表3 -1所示。 [實施例3-3] 使用下述靶3-4取代實施例3-1之靶3-1。此靶3-3 係由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化釤所構成之靶，其 -86- (83) 200402475 具體之組成如下述。 首先，主成分金屬中之銦之 (In/(In + Sn + Zn))爲 0.8，主成分金屬中之錫 (Sn/(In + Sn + Zn))爲 〇」，主成分金屬中之鋅 (Zn/(In + Sn + Zn))爲〇 · 1，且對於金屬整體時 耳比（Sm/(In + Sn + Zn + Sm))爲 〇·〇4ο 除了使用下述靶3 -4取代實施例3 -1之靶3 實施例3 - 1相同，製作有機EL元件3 3 0。 製得之陽極層316之功函數爲5.41eV (洗 5.95eV(洗淨後）。陽極層316之表面電阻：! □。製得之有機EL元件330與實施例3-1相同 極間施加4·5 V之直流電壓。此時之電疗 2.0mA/cm2，發光亮度爲1 6 4 n i t。發光顏色爲藍 性評價係以lOmA/cm2定電流驅動時，即使經過 時以上，也未發現漏電流。 實施例3 - 3之結果如表3 _丨所示。 [實施例3-4] 使用下述3 - 5取代實施例3 _丨之靶3 _ i。 係由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化鐯所構成 具體之組成如下述。 首先’主成分金屬中之銦之 (In/(In + Sn + Zn))爲〇·8，主成分金屬中之錫 (Sn/(In + Sn + Zn))爲〇1，主成分金屬中之鋅 莫耳比 之莫耳比 之莫耳比 ，釤之莫 -1外，與 淨前）、 焉 3 · 9 Ω / ，在兩電 ίί密度爲 色。耐久 1 000 小 此靶3 - 5 之靶，其 莫耳比 之莫耳比 之莫耳比 -87- (84) (84)200402475 (Zn/(In + Sn + Zn))爲〇」，且對於金屬整體時，釤之莫 耳比（Pr/(In + Sn + Zn + Pr))爲 0.04。 除了使用下述靶3-5取代實施例3-1之靶3-1外，與 實施例3 -1相同，製作有機el元件3 3 0。製得之陽極層 316之功函數爲5.80eV (洗淨前）、5.85eV (洗淨 後）。陽極層316之表面電阻爲4 〇Ω/匚]。 製得之有機EL元件330與實施例3-1相同，在兩電 極間施加4.6 V之直流電壓。此時之電流密度爲 2.0mA/cm2 ’發光亮度爲161 nit。發光顏色爲藍色。耐久 性評價係以10mA/cm2定電流驅動時，即使經過1〇〇〇小 時以上，也未發現漏電流。 實施例3-4之結果如表3-1所示。 [實施例3-5] 使用下述靶3 - 6取代實施例3 _丨之靶3 _丨。此靶3 _ 6 係由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化鉬所構成之祀，其 具體之組成如下述。 首先’主成分金屬中之銦之莫耳比 (In/(In + Sn + Zn))爲〇· 8，主成分金屬中之錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn + Zn))爲〇·ΐ，主成分金屬中之鋅之莫耳比 (Zn/(In + Sn + Zn))爲〇·ΐ.，且對於金屬整體時，鉅之莫 耳比（Ta/(In + Sn + Zn + Ta))爲 〇·〇6。 除了使用下述靶3 - 6取代實施例3 -1之靶3 - 1外，與 實施例3 -1相同’製作有機el元件3 3 0。製得之陽極層 - 88- (85) (85)200402475 316 之功函數爲 5.60eV (洗淨前）、5.64eV (洗淨 後）。陽極層316之表面電阻爲4.8Ω/：]。 製得之有機EL元件330與實施例3-1相同，在兩電 極間施加 5·1 V之直流電壓。此時之電流密度爲 1.62mA/cm2，發光亮度爲 162nit。發光顏色爲藍色。耐 久性評價係以1 0mA/cm2定電流驅動時，即使經過1 〇〇〇 小時以上，也未發現漏電流。 貫施例3 - 5之結果如表3 - 2所示。

-89- (86)200402475 (N-e 谳 oo丨 e^^Kr-.e 匡習«9-e 匡習Μ^ 0 κ

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(ului· ¾宓 _ Yttl屮 B (Am a VP。)秘椒 00 - ^ 钽1I111M1并 -90- (87) (87)200402475 [實施例3-6] 使用下述耙3-7取代實施例3-1之肥3_1。此祀3-7 係由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化鉅所構成之靶，其 具體之組成如下述。 首先’主成分金屬中之銦之莫耳比 (In/(In + Sn + Zn))爲〇·8，主成分金屬中之錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn + Zn))爲〇·ΐ，主成分金屬中之鋅之莫耳比 (Zn/(In + Sn + Zn))爲〇.1，且對於金屬整體之鈮之莫耳 比（Nb/(In + Sn + Zn + Nb))爲 0.12。 除了使用下述靶3-7取代實施例3-1之靶3-1外，與 實施例3 -1相同，製作有機EL元件3 3 0。製得之陽極層 316之功函數爲 5.64eV (洗淨前）、5.71eV (洗淨 後）。陽極層316之表面電阻爲4.8Ω/ΙΙ]。 製得之有機EL元件330與實施例3-1相同，在兩電 極間施加 5·1 V之直流電壓。此時之電流密度爲 2.0mA/cm2，發光亮度爲166nit。發光顏色爲藍色。耐久 性評價係以10mA/cm2定電流驅動時，即使經過1〇〇〇小 時以上，也未發現漏電流。 實施例3-6之結果如表3-2所示。 [實施例3 - 7 ；] 使用下述靶3 - 8取代實施例3 -1之靶3 -1。此靶3 - 8 係由氧化銦、氧化錫、氧化鋅、氧化給所構成之靶，其 具體之組成如下述。 -91 - (88)200402475 首先，主成分金屬中之銦之奏 (In/(In + Sn + Zn))爲0·8，主成分金屬中之錫之 (Sn/(In + Sn + Zn))爲0.1，主成分金屬中之鋅之 (Zn/(In + Sn + Zn))爲0.1，且對於金屬整體之鈴 比（Hf/(In + Sn + Zn + Hf))爲 〇 〇6。 除了使用下述靶3-8取代實施例之靶3-1 實施例3 -1相同’製作有機E L元件3 3 0。製得之 316之功函數爲5.61eV (洗淨前）、5.65eV 後）。陽極層316之表面電阻爲5.6Ω/Π。 製得之有機EL·元件330與實施例3-1相同， 極間施加4.8 V之直流電壓。此時之電流 2.0mA/cm2，發光亮度爲163 nit。發光顏色爲藍色 性評價係以lOmA/cm2定電流驅動時，即使經過 時以上，也未發現漏電流。 貫施例3-7之結果如表3-2所示。 [實施例3-8] 使用實施例3_3之靶3-4形成陽極層316之醇 化物層· 35nm、金屬層：i〇〇nm、氧化物層：35 極之構成爲 Mg/Ag之膜厚 5nm及氧化銦與 (In/(In + Zn) =0.85 )所構成之透明導電膜： In/(In + Zn)係表示銦對於銦與鋅全量之莫耳比。 外，與實施例3-1相同，製作有機EL元件330。 製得之陽極層316之功函數爲5 72 1 eV (洗名 耳比 莫耳比 莫耳比 之莫耳 外，與 陽極層 (洗淨 在兩電 密度爲 L。耐久 1 000 小 ;厚爲氧 nm 〇陰 氧化鋅 7 5 nm ° 除此點 【前）、

-92- (89) 200402475 5.95eV(洗淨後）。陽極層316之表面電阻爲〇·2Ω/ □。 製得之有機EL元件330與實施例3-1相同，在兩電 極間施加 4 · 4 V之直流電壓。此時之電流密度爲 2.0mA/cm2，發光亮度爲166nit。發光顏色爲藍色。耐久 性評價係以l〇mA/cm2定電流驅動時，即使經過1〇〇〇小 時以上，也未發現漏電流。 實施例3-8之結果如表3-2所示。 [比較例3 -1 ] 使用由氧化銦、氧化錫、氧化鋅所構成之靶3 - 9取 代實施例3 · 1之靶3 -1。此靶3 -9之具體之組成如下述。

靶 3-9 中’主成分金屬中之銦之莫耳比 (In/(In + Sn + Zn))爲0.6，主成分金屬中之錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn + Zn))爲0.3，主成分金屬中之鋅之莫耳比 (Zn/(In + Sn + Zn))爲〇 · 1。除了使用靶3 · 9外，與實施例 3-1相同，製作有機EL元件330。 製得之陽極層3 1 6之功函數爲4.65eV (洗淨前）、 5.23eV (洗淨後）。製得之有機EL元件3 3 0與實施例3-1相同，在兩電極間施加6.0 V之直流電壓。此時之電流 密度爲2.0mA/cm2，發光亮度爲1 6 6 n i t。發光顏色爲藍 色。 比較例3 _ 1之結果如表3 - 3所示。 -93 - (90)200402475 表3-3 比較例3 -1 比較例3 - 2 陽極層材料 氧化銦（In) / 氧化錫（S η) / 氧化鋅（In) 氧化鈽（e) / 功函數（eV)(洗淨前） 4.65 5.25 功函數（eV)(洗淨後） 5.23 5.46 膜厚（nm) 75 氧化物/Ag/氧化物 35/5/35 光穿透率（％广 89 表面電阻（Ω /□) 15.8 無法測定 電洞傳輸材料 TBDB TBDB 膜厚（nm) 60 60 發光層材料 DP VDPAN DP VDPAN /D1 /D 1 膜厚（nm) 40 40 電子注入層材料 A 1 q A1 q 膜厚（nm) 20 20 陰極層材料 A1 /Li A1 /Li 膜厚（nm) 200 200 電壓（V) 6.0 發光亮度（cd /m) 166 半減壽命 * :穿透率：玻璃參考 -94 - (91) (91)200402475 [比較例3-2] 使用由氧化鈽1 〇 〇 %之耙取代實施例3 _〗之祀3 _ j。 其他與實施例3 · 1相同進行成膜。 結果陽極層316之功函數爲5.25eV(洗淨前）、 5.46eV(洗淨後）°陽極層316之表面電阻因表面爲絕 緣，而無法測定。 比較例3-2之結果如表3-3所示。 實施形態3之群組之總結 如上述詳細說明’本發明之有機E L元件含有特定之 無機化合物之電極（例如陽極層等）等，提供透明性或 耐久性優異，且即使低驅動電壓，也可得到發光亮度較 高之有機EL元件。 由本發明所示之特定之無機化合物所構成之陽極層 等之蝕刻特性不會劣化。 依據本發明之有機EL元件時，可提供這種透明性或 耐久性優異，且即使低驅動電壓，也可得到發光亮度較 高之有機EL元件。 依據本發明之電極基板時，可製造具有上述效果之 有機EL元件。 依據本發明之製造方法時，可提供具有上述效果之 有機EL元件。 實施形態4之群組 -95- (92) 200402475 以下依據圖面說明第4群組之發明之實施形態。 [實施例4-1] (1 )有機EL元件用基板之製造準備（靶之製作） 首先，濕式球磨機內收納銦之莫耳比（In/(In + Sn)) 爲0.9，錫之莫耳比（Sn/(In + Sn))爲0.1，且對於金屬整 體時，鈽之莫耳比（Ce/(In + Sn + Ce))爲0.05之氧化銦、 氧化錫、氧化鈽之粉末（平均粒徑爲1 μιη以下），混合 粉碎7 2小時。 接著將製得之粉碎物造粒後，以壓製形成直徑4 吋、厚度5mm之大小。將此成型物裝入燒成爐內，以 1 ’ 4 0 0 °C、加熱燒成3 6小時，作爲金屬氧化物之薄膜層 用之靶4 - 1。

濕式球磨機內收納Zn/(In + Zn之莫耳比爲0.15之， 氧化銦與氧化鋅之粉末（平均粒徑爲1 μ m以下），混合 粉碎7 2小時。 接著將製得之粉碎物造粒後，以壓製形成直徑4 吋、厚度5mm之大小。將此成型物裝入燒成爐內，以 1 ’ 4 0 0 °C、加熱燒成3 6小時’作爲陽極層用之IΖ Ο靶。 其次製作Ag中添加Cu : 0.7wt% 、Au : 0.8wt%之金 屬靶，稱爲Ag靶。 製作Cu中添加Ni: 1.7wt% 、Co: 1.3wt%之金屬 革巴’稱爲Cii靶。而純A1金屬靶稱爲A1靶。 -96- (93) (93)200402475 (2)有機EL元件用基板之製造 接著說明有機E L元件用基板之製造。如圖12所 示。 使用高頻濺鍍裝置在真空槽內配置厚i.lmm、長 25 mm、寬75mm之透明玻璃基板410及上述製得之靶4-1、IZO靶及A1靶，使高頻濺鍍裝置運轉， 在到達真空度減壓至5 X 1 0 _ 4 P a之狀態下，僅封入 Μ氣體。圖12(1)係表示玻璃基板410，相當於申請專 利範圍之「基材」之一例。 該氣氛下’真空度3x10-43，基板溫度爲室溫，投 入電力100W’成膜時間爲14分鐘的條件下，進行灘 鍍，使用靶4-1在氬氣體中形成厚度1 l〇nm之金屬氧化 物薄膜層412。如圖12(2)所示。 使用 A1靶在氬氣體中形成厚度120nm之A1薄膜 414。如圖12(3)所示。 使用IZO靶在混有氧氣體之氬氣體中形成厚度20nm 之IZO薄膜416。如圖12(4)，圖13所示。 上述A1薄膜414上雖不必設置保護膜之IZO薄膜 4 1 6，但是設置較佳。 接著在硝酸-燐酸-醋酸水溶液中蝕刻IZO薄膜/A1薄 膜，形成20μπι寬之IZO/A1細線418。如圖12 ( 5 )所 示。 以草酸水溶液蝕刻此基板以靶4-1形成膜之金屬氧 化物薄膜層，使形成1條之ΙΖΟ/Α1細線418配置在以靶 (94) 200402475 4-1作成之薄膜電極側之圖案。圖案化後之電極稱爲圖案 化電極。如圖12 ( 6 )所示。 以靶4-1形成膜之金屬氧化物薄膜層之寬度爲90μπι 較佳。上述蝕刻所得之Α1細線4 1 8相當於金屬細線之一 例。ΙΖΟ/Α1細線418係相當於在金屬細線上設置保護膜 之一例。 此基板在異丙醇中，以超音波洗淨，再以Ν2 (氮氣 體）氣氛中乾燥後，使用U V (紫外線）及臭氧進行10 分鐘洗淨。 (3 )測定結果 使用 2探針法測定上述圖案化電極（電極寬度： 90μπι、電極長度：1 OOnm )之電阻爲 2.5k Ω。以靶4-1 形成膜之金屬氧化物薄膜層412之比電阻爲3xlOE-3Qcm。圖案化電極之光穿透率（波長550nm)爲89% 。

使用 AC- 1 (理硏計器公司製）測定基板之U V洗淨後之 陽極層412之功函數爲6.06eV。測定結果如表4-1中所 示。 (4 )有機EL元件之形成 接著將上述「基板」按裝於真空蒸鍍裝置之真空槽 之基板支架上，接著將真空槽內之真空度減壓至1x10 一 6Torr以下，然後在基板之陽極層412上依序層合電洞傳 輸層426、有機發光層428、電子注入層430及陰極層 -98- (95) 200402475 43 2，得到有機EL元件434。如圖14所示。 此時由形成有機發光層428至形成陰極層432之間 保持真空狀態，且相同之真空條件。 有機發光層43 4相當於申請專利範圍之「有機電場 發光元件」。 電洞傳輸例如有真空蒸鍍60nm之上述TBDB。接著 有機發光層 42 8例如在真空下，共同蒸鍍 40nm之 DP VDPAN 及 D1。此時之 DPVDPAN 之蒸鍍速度： 4 0nm/s， D 1 之蒸鍍速度：1 nm/s。 _ 其次電子注入層430例如真空蒸鍍20nm之Alq。最 後蒸鍍A1及Li，在電子注入層430上形成陰極層432製 作有機EL元件43 4。此時之A1之蒸鍍速度：lnm/s，Li 之蒸鍍速度：0.01nm/s，Al/Li之膜厚爲200nm。 這些如表 4-1所示。DPVDPAN、Dl、Alq之化學式 如圖1 9所示。

(5 )製造之有機EL元件之評價 製得之有機EL元件434之陰極層432爲（-)負電 極，陽極層412爲（+)電極，兩電極間施加4·4 V之直 流電壓。此時之電流密度爲2.0mA/cm2，發光亮度爲 161nit ( c d / m 2 )，發光顏色爲藍色。耐久性評價係 以10mA/cm2定電流驅動時，即使經過1 000小時以上， 也未發現漏電流。 實施例4-1之結果如表4-1所示。 -99- 200402475

I丨寸漱 寸 1 寸 變 1¾ 氧化銦（I η) / 氧化鋅（Ζιι) / 氧化釤（Sm) Ag 5.90 89 2.4 7xlOE-4 TBDB 60 DP VDPAN 40 A 1 q 20 A1 /Li 200 寸 寸 156 1 000小時以上 1 寸 « 氧化銦（In) / 氧化錫（Sn) / 氧化姉（Ce) A1 5.85 89 2.4 8xlOE-4 TBDB 60 DPVDPAN 40 A1 q 20 A1 /Li 200 寸 寸 163 1 000小時以上 (N 1 寸 累 ㈣ U 氧化銦（In) / 氧化錫（Sn) / 氧化姉（Ce) A1 IZO 5.85 89 2.4 8xlOE-4 TBDB 60 DPVDPAN 40 A 1 q 20 A1 /Li 200 寸 1 64 1 000小時以上 ^―< 1 寸 變 ft 氧化銦（In) / 氧化錫（Sn) / 氧化姉（Ce) A1 IZO 6.05 89 2.5 3xl0E-3 TBDB 60 DPVDPAN 40 A 1 q 20 A1 /Li 200 寸 寸 VO η A 1 000小時以上 S % - α ϋ 4? ^ ^ w # S s 躞 ，碱J：膝! _笞 H ^鼷兄俄圈 豳 6領s宋瓣豳S 馨？ 域5 M ft ϋ麵 来藤 _ Kg 坊5 1¾ 瓣謹 躑.5 n 1¾ 趣懿 電壓（V) N <N B T3 〇 姻 鹬 半減壽命 -100- (97) 200402475 [實施例4 · 2 ] 使用下述靶4 - 2取代實施例4 -1之靶4 - 1。除了使用 靶4-2外，與實施例4-1相同，製作有機EL元件434。 此靶4-2係由氧化銦、氧化錫、氧化鈽所構成。銦 之莫耳比 （In/(In + Sn)) 爲 0.9 ，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn))爲〇·1，且對於金屬整體時，鈽之莫耳比 (C e / (I n + S n + C e))爲 0.03 〇 陽極層316之功函數爲5.85eV。電極電阻爲2.4 kQ。 上述製得之有機EL元件434與實施例4-1相同，在 兩電極間施加 4.3 V之直流電壓。此時之電流密度爲 2.0mA/cm2，發光亮度爲164nit。發光顏色爲藍色。耐久 性評價係以l〇mA/Cm2定電流驅動時，即使經過1 000小 時以上，也未發現漏電流。 實施例4 - 2之結果如表4 - 1所示。

[實施例4 - 3 ] 除了不使用實施例4-2之IZO靶之保護膜外，與實 施例4 - 2相同，製作有機E L元件4 3 4。 陽極層之功函數爲5.85eV。電極電阻爲2.41ίΩ。 在兩電極間施加4.4 V之直流電壓。此時之電流密度 爲2.0mA/cm2，發光亮度爲163nit。發光顏色爲藍色。耐 久性評價係以10mA/cm2定電流驅動時，即使經過1〇〇〇 小時以上，也未發現漏電流。 -101 - (98)200402475 實施例4 - 3之結果如表4 -1所示。 [實施例4-4] 使用下述靶4 - 4取代實施例4 · 1之靶4 - 1。使用A g 靶取代A1靶。不使用ΙΖ Ο保護膜416。除此之外，與實 施例4-1相同，製作有機El元件434。 此靶4 _ 4係由氧化銦、氧化錫、氧化釤所構成。銦 之莫耳比 （Ιη/(Ιη + Ζη)) 爲 0.9 ，錫之莫耳比

(Sn/(In + Sn))爲0.1，且對於金屬整體時，釤之莫耳比 (S m/(In + Zn +S m ))爲 0.03。 陽極層412之功函數爲5.90 eV。電極電阻爲2.4 k Ω。

上述製得之有機EL元件434與實施例4-1相同，在 兩電極間施加4.4 V之直流電壓。此時之電流密度爲 2.0mA/cm2，發光亮度爲156nit。發光顏色爲藍色。耐久 性評價係以lOmA/cm2定電流驅動時，即使經過100〇小 時以上，也未發現漏電流。 實施例4 - 4之結果如表4 - 1所示。 [實施例4 - 5 ] 使用下述靶4 - 5取代實施例4 -1之靶4 -1。金屬祀使 用A g靶取代A1靶。除此之外，與實施例4 - 1相同，製 作有機EL元件434。 此靶4·5係由氧化銦、氧化鋅、氧化鐯所構成。姻 -102- (99) 200402475 之莫耳比 （In/(In + Zn)) 爲 〇·9 ，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn))爲0.1，且對於金屬整體時，鐯之莫耳比 (Pr/(In + Zn + Pr))爲 0.04。 陽極層412之功函數爲5.81eV。電極電阻爲2.5 k Ω 。

上述製得之有機EL元件434與實施例4-1相同，在 兩電極間施加4·5 V之直流電壓。此時之電流密度爲 2.0mA/cm2，發光亮度爲161 nit。發光顏色爲藍色。耐久 性評價係以l〇mA/cm2定電流驅動時，即使經過1〇〇〇小 時以上，也未發現漏電流。 貫施例4 · 5之結果如表4 2所示。

-103- 200402475 一丨寸屋舊^I 卜丨寸^箱«一 9 _ 寸^·»_ S 丨寸 f^·»| ______ (NI丨寸谳 寸丨30ΙΧ寸 寸·(N 06 srsl.s ΟΖΙ οβν cs ) _安减 21) 0ΙΛ3> 場 ΖΙ30ΙΧ 寸 >8 06·5 ΟΖΙ 3 V (ql)^A3> 碱 28)骤^鱗 21)福与鱗 e-aolx卜 9(n 卜8 0°°ς ΟΖΙ πυ (5)遛与祕 /cs)·^Ilf /91)願安0

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(1)¾¾ 龚怎馨擊孱B (su)»郵 (su)»_龚宓_ Yftl屮m 9·寸 寸 •寸 (Λ) S 0 百)赃0 ^ ^ m 0 趣 991 οος ι 191 ，ε/ Ρ3)Μ妮米餾 τ τ:ι 盤令00 ο ι φ 月nr凿令00 〇 i 盤令00 ο ι 钽 ΕΜ47 φ -104- (101) (101)200402475 [實施例4-6] 使用下述靶4-6取代實施例4“之靶4-1。金屬靶使 用Cu耙取代A1$E。除此之外，與實施例4-1相同，製 作有機EL元件43 4。 此祀4-6係由氧化銦、氧化錫、氧化鈸所構成。銦 之莫耳比 （In/(In + Sn)) 爲 0.9 ，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn))爲〇· 1，且對於金屬整體時，鈸之莫耳比 (Nd/(In + Sn + Nd))爲 0·〇6。 陽極層412之功函數爲5.80eV。電極電阻爲2.6 k Ω。 上述製得之有機EL元件434與實施例4-1相同，在 兩電極間施加4·5 V之直流電壓。此時之電流密度爲 2.0mA/cm2，發光亮度爲158nit。發光顏色爲藍色。耐久 性評價係以l〇mA/cm2定電流驅動時，即使經過1 000小 時以上，也未發現漏電流。 實施例4-6之結果如表4-2所示。 [實施例4-7] 使用下述靶4 _ 7取代實施例4 · 1之靶4 -1。金屬靶使 用Ag靶取代A1靶。除此之外，與實施例4- 1相同，製 作有機EL元件43 4。 此靶4 - 7係由氧化銦、氧化錫、氧化铽所構成。銦 之莫耳比 （In/(In + Sn)) 爲 0.9，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn))爲0.1，且對於金屬整體時，铽之莫耳比 -105- (102) 200402475 (Tb/(In + Zn + Tb))爲 〇·〇6 〇 陽極層412之功函數爲5.90eV。電極電阻爲 kQ。 上述製得之有機EL元件434與實施例4-1 兩電極間施加 4.6 V之直流電壓。此時之電： 2.0mA/Cm2，發光亮度爲166nit。發光顏色爲藍 性評價係以10 mA/cm2定電流驅動時，即使經過 時以上，也未發現漏電流。 實施例4 - 7之結果如表4 - 2所示。 [比較例4 - 1 ] 使用IΤ Ο靶取代實施例4 -1之靶4 - 1，金 A g靶外，與實施例4 - 1相同，製作有機E L元件 陽極層412之功函數爲5.25eV。上述製得力 元件與實施例4 · 1相同，在兩電極間施加5.3 V 壓。此時之電流密度爲2.0m A/cm2，發光亮度爲 發光顏色爲藍色。 比較例4 -1之結果如表4 - 2所示。 實施形態4之群組之總結 如上述詳細說明，依據驅動本發明之有機 層之電極具有功函數超過5.6eV之金屬氧化物 膜層及金屬細線所構成之層合體之有機發光元 基板爲特徵之有機EL元件時，具備特定之無機 f 2.5 祖同，在 荒密度爲 色。耐久 1 000 小 屬靶使用 〇 L有機EL 之直流電 1 6 2 n i t 〇 電場發光 之陽極薄 件用電極 化合物所 -106- (103) (103)200402475 構成之陽極層等，可提供這種透明性或耐久性優異，且 即使低驅動電壓，也可得到發光亮度較高之有機EL元 件。 由特定之無機化合物所構成之陽極層等具有優異之 蝕刻特性。 依據本發明之電極基板時，可製造具有上述效果之 有機電場發光裝置。 依據本發明之製造方法時，可提供具有上述效果之 有機電場發光裝置。 實施形態5之群組 以下依據圖面說明第5群組之發明之實施形態。 [實施例5-1] (1 )有機EL元件用基板之製造準備（靶之製作） 首先，濕式球磨機內收納Sn/(In + Sn)之莫耳比爲〇.1 之氧化銦與氧化錫之粉末（平均粒徑爲1 μιη以下），混 合粉碎72小時。接著將製得之粉碎物造粒後’以壓製形 成直徑4吋、厚度5 m m之大小，作爲陽極層用之耙，此 靶稱爲ITO靶。 濕式球磨機內收納Ζη/(Ιη + Ζιι)之莫耳比爲0.15之氧 化銦與氧化鋅之粉末（平均粒徑爲1 μιη以下），混合粉 碎72小時。接著將製得之粉碎物造粒後’以壓製形成直 徑4吋、厚度5 m m之大小。將此成型物裝入燒成爐內， -107- (104) (104)200402475 以1，4 0 01、加熱燒成3 6小時，作爲陽極層用之靶，此 靶稱爲IZO靶。 濕式球磨機內收納Ce/(Iii + Ce)之莫耳比爲〇·18之氧 化銦與氧化鈽之粉末（平均粒徑爲1 μπι以下）’混合粉 碎72小時。接著將製得之粉碎物造粒後，以壓製形成直 徑4吋、厚度5 m m之大小。將此成型物裝入燒成爐內， 以1，4 0 0 °C、加熱燒成3 6小時，作爲陽極層用之靶，此 靶稱爲靶5 -1。 其次製作Ag中添力[]Cu : 0.7wt°/〇 、Au : O.8wt°/0之金 屬靶，稱爲ACA靶。 製作 Ag中添力口 Pd : 0.5wt% 、Cu : 1 .Owt%之金屬 靶，稱爲APC靶。 製作Ag中添加Pt: 0.5wt%之金屬靶，此靶稱爲A1 粑。 (2 )有機EL元件用基板之製造 接著說明有機EL元件用基板之製造。如圖1 5所 示0 使用高頻濺鍍裝置在真空槽內配置厚1.1mm、長 25mm、寬75mm之透明玻璃基板及上述製得之陽極層用 之ITO靶、陽極層用之靶5-1及金屬靶之Ai耙，使高頻 濺鍍裝置運轉，在減壓至到達真空度5xl〇- 4Pa之狀態 下，封入氬氣體中含有4%氧氣之氬氣體。圖i5(1)係 表示玻璃基板，相當於申請專利範圍之「基材」之一 -108- (105) (105)200402475 例。基材上設置電極者稱爲「電極基板」。 該氣氛下，真空度3xl(K ]Pa，基板溫度爲室溫，投 入電力100W，成膜時間爲14分鐘的條件下，使用ITO 靶進行濺鍍，在氬氣體中形成厚度ll〇nm之ITO膜。如 圖1 5 ( 2 )所示。 使用A1靶在氬氣體中形成厚度120 nm之A1薄膜。 基板溫度爲100T：。如圖15 ( 3 )所示。 接著在硝酸-燐酸-醋酸水溶液中蝕刻A1薄膜，形成 2 0μηι寬之A1細線。如圖15 ( 4 )所示。此細線相當於申 請專利範圍之「補助配線爲金屬所構成之細線」之一 例。 以草酸水溶液蝕刻此基板以ΙΤΟ靶形成膜之ΙΤΟ 膜，形成至少1條Α1細線被配置在以ΙΤΟ靶作成之ΙΤΟ 電極側的圖案。如圖1 5 ( 5 )所示。圖案化後所作成之電 極稱爲圖案化電極。 以ΙΤΟ靶形成膜之ΙΤΟ膜之寬度爲90μιη較佳。 其次，將此基板與未成膜之基板返回至真空槽內， 在基板溫度200 °C下，使用靶5-1除了電極取出部外，全 面形成金屬氧化物之薄膜20nm。如圖15 ( 6)所示。此 有機EL元件相當於申請專利範圍之有機電場發光元件用 電極基板之一例。 此基板在異丙醇中，以超音波洗淨，再以N2 (氮氣 體）氣氛中乾燥後.，使用UV (紫外線）及臭氧進行10 分鐘洗淨。 -109- (106) (106)200402475 (3 )測定結果 使用A C - 1 (理硏計器公司製）測定基板之u v洗淨 後之陽極層之功函數爲6.18 eV。形成陽極層之基板之光 穿透率（波長5 5 0 nm )爲8 8 % 。使用2探針法測定上述 圖案化電極（電極寬度：90μιη、電極長度：i〇〇nm)之 電阻爲2.5kQ。僅以靶5-1形成膜之金屬氧化物之薄膜 層之比電阻爲10E + 5 Ω cm。測定結果如表5]中所示。 (4)有機EL元件之形成 接著將上述「基板」按裝於真空蒸鍍裝置之真空槽 之基板支架上，接著將真空槽內減壓至lxl〇-6Torr以下 之真空度，然後在基板之陽極層上依序層合電洞傳輸層 520、有機發光層522、電子注入層524及陰極層526, 得到有機EL元件5 3 0。如圖1 8所示。 此時由形成有機發光層至形成陰極層之間保持真空 狀態，且相同之真空條件。 有機EL元件相當於申請專利範圍之「有機EL發光 裝置」之一例。 首先，電洞傳輸材料例如有真空蒸鍍 60nm之 TBDB。接著發光層例如在真空下，共同蒸鍍 40nm之 DPVDPAN及 D1。此時之 DPVDPAN之蒸鍍速度： 40nm/s， D1 之蒸鍍速度：lnm/s。 其次電子注入層例如真空蒸鍍20nm之Alq。最後蒸 -110- (107) (107)200402475 鍍A1及Li，在電子注入層上形成陰極層製作有機EL元 件。此時之 A1之蒸鍍速度：lnm/s，Li之蒸鍍速度： 0.01nm/s，Al/Li 之膜厚爲 200nm。 這些如表 5-1 所示。TBDB、DPVDPAN、Dl、Alq 之 化學式如圖1 9所示。 (5 )有機EL元件之評價 製得之有機EL元件之陰極層爲（-)負電極，陽極 層爲（+)電極，兩電極間施加4.3 V之直流電壓。此時 之電流密度爲2.0mA/cm2，發光亮度爲163nit( c d/ m 2 )，發光顏色爲藍色。耐久性評價係以lOmA/cm2定 電流驅動時，即使經過1 〇 0 0小時以上，也未發現漏電 流。 實施例5 -1之結果如表5 -1所示。 -111 - 200402475

一-$漱 實施例5-4 ITO + APC 氧化銦（In) / 氧化鋅（Zn) / 氧化釤（Zm) 5.90 88 2.3 1 0E + 6 TBDB 60 DP VDP AN 40 cr —o < (N A1 /Li 200 寸 寸 158 1 0 0 0小時以上 實施例5-3 IZO + A1 氧化銦（In) / 氧化鋅（Zn) / 氧化鈽（Ce) 5.95 89 2.6 10E + 7 TBDB 60 DPVDPAN 40 cr —O < (N A1 /Li 200 VO 寸 163 1 000小時以上 實施例5-2 ITO + A1 氧化銦（I η) / 氧化錫（Sn) / 氧化姉（C e ) 6.05 88 2.4 1 0E + 5 TBDB 60 DPVDPAN 40 A 1 q 20 A1 /Li 200 (N 寸 158 1 000小時以上 實施例5 - 1 ITO + A1 氧化銦（In) / 氧化姉（Ce) 6.18 88 2.5 1 0E + 5 TBDB 60 DPVDPAN 40 A 1 q 20 A1 /Li 200 寸 163 1 00 0小時以上 _ 鹚 _ 總 癒 鐵 逛 =一 G n g 龚7° 2? ^ ^ 尺褂盛与2 躞^碱 _頫©祕囱 扉^國 画俄圏_@ ϋ 5 ^ 吞来賴1領丑 電洞傳輸材料 膜厚（n m ) 莫S _ w 米暖 @ m K ? if κ： 鱭 陰極層材料 膜厚（nm) 電壓（V) <N s o 鏹 半減壽命 -112- (109) (109)200402475 本實施例5 -1係使用玻璃基板，但是「基材」可使 用玻璃基板、塑膠基板、矽晶圓或彩色濾光片色變換基 板等。 [實施例5-1-2] 實施例5 -1之變形例係可改變層合以氧化銦爲主成 分之透明導電膜及補助配線之金屬所構成之細線的順 序。這種構成下，其作用、效果與上述實施例5 - 1相 同。改變層合之順序之構成的斷面圖如圖1 7所示。 [實施例5-2] 使用下述靶5 - 2取代實施例5 -1之靶5 -1。除了使用 靶5 - 2外，與實施例5 -1相同，製作有機e L元件。 此耙5 - 2係由氧化銦、氧化錫、氧化鈽所構成。銦 之莫耳比（In/(In + Sn))爲 0.9 ，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn))爲0.1，且對於金屬整體時，鈽之莫耳比 .(Ce/(In + Sn + Ce))爲 0.16 〇 陽極層之功函數爲6.05eV。電極電阻爲2.4kD。上 述製得之有機E L元件與實施例5 - 1相同，在兩電極間施 加4.2 V之直流電壓。此時之電流密度爲2.0mA/cm2，發 光亮度爲1 5 8 n i t。發光顏色爲藍色。耐久性評價係以 1 OmA/cm2定電流驅動時，即使經過1 000小時以上，也 未發現漏電流。 貫施例5 - 2之結果如表5 -1所示。 -113- (110) (110)200402475 [實施例5 - 3 ] 使用下述靶5-3取代實施例5-1之靶5-1。除了使用 靶5 -3外，與實施例5 -1相同，製作有機EL元件。 此靶5-3係由氧化銦、氧化鋅、氧化铈所構成。銦 之莫耳比 （In/(In + Sn)) 爲 0.9 ，鋅之莫耳比 (Ζη/(In + Zn))爲0.1，且對於金屬整體時，姉之莫耳比 (Ce/(In + Sn + Ce))爲 0.15 〇 陽極層之功函數爲5.95eV。電極電阻爲2.6kQ。上 述製得之有機EL元件與實施例5-1相同，在兩電極間施 加4·6 V之直流電壓。此時之電流密度爲2.0mA/cm2，發 光亮度爲1 6 3 n i t。發光顏色爲藍色。耐久性評價係以 1 OmA/cm2定電流驅動時，即使經過1〇〇〇小時以上，也 未發現漏電流。 實施例5-3之結果如表5-；1所示。 [實施例5-4] 使用下述靶5-4取代實施例5-1之靶5-1。金屬靶使 用APC靶取代A1靶。除此之外，與實施例5-；[相同，製 作有機EL元件。 此粑5 - 4係由氧化銦、氧化錫、氧化杉所構成。銦 之莫耳比（In/(In + Sn))爲 〇·9 ，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn))爲〇」，且對於金屬整體時，釤之莫耳比 (Sm/(In + Zn + Sm))爲 0.18。 -114- (111) 200402475 陽極層之功函數爲5.90eV。電極電阻爲2.31ίΩ。上 述製得之有機EL元件與實施例5-1相同，在兩電極間施 加4.4 V之直流電壓。此時之電流密度爲2.0mA/cm2，發 光売度爲158nit。發光顏色爲監色。耐久性評價係以 1 OmA/cm2定電流驅動時’即使經過1 000小時以上，也 未發現漏電流。 實施例5-4之結果如表5-1所示。 -115- 200402475 (Ν-ς 谳 1 u^i 爆 m 4J IZO + A1 氧化銦（In) / 氧化錫（Sn) 5.25 89 2.8 1 0E-4 TBDB 60 DPVDPAN /D 1 40 CT —o <C (N A1 /Li 200 (N 们 卜 1 CTi 匡 ㈣ 獅( ITO + ACA 氧化銦（In) / 氧化錫（Sn) / 氧化铽（Tb) 5.95 87 2.6 1 0E + 7 TBDB 60 DPVDPAN /D1 40 A 1 q 20 A1 /Li 200 Ό 寸 臀__ \o 1 000小時以上 實施例5-6 Η 00之 S S ί 2 <臧碱碱π 3 rsi Ξ TBDB 60 DPVDPAN /D 1 40 A 1 q 20 A1 /Li 200 寸 v〇 1 0 0 0小時以上 丨 U-) 1 cn 箱 U IZO + ACA 氧化銦（In) / 氧化錫（Sn) / 氧化镨（Ρ〇 5.84 88 2.6 1 OE + 6 TBDB 60 DPVDPAN D 1 40 cr —o <C (N A1 /Li 200 寸 VO 1 '< 1 0 0 0小時以上 幽 _ 您 _ 5 ^ S *N ^ ^ a ^ ° ◎ 友g与 兄讲皆$盛 躞 ® 祕 u ^ ϋ 驛^鼷 画俄環3鼷五 豳S領 吞米ϋ領宕 馨？ 雖3 饜赃 躋_ ^ ? _ ^ 罘 ft m m _ 想5 Μ- ΐϋ： 譚_ _三 H μ： Μ 'M 電壓（V) rN £ T3 〇 椒 鹬 半減壽命

-116- (113) (113)200402475 [實施例5 · 5 ] 使用下述靶5-5取代實施例5-1之靶5-1。金屬靶使 用ACA祀取代A1靶。除此之外，與實施例5-1相同，製 作有機EL元件。 此祀5 - 5係由氧化銦、氧化錫、氧化鐯所構成。銦 之莫耳比（In/(In + Sn))爲 0.9 ，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn))爲〇」，且對於金屬整體時，釤之莫耳比 (Pr/(In + Sn + Pr))爲 〇·2〇。 陽極層之功函數爲5.84eV。電極電阻爲26kQ。上 述製得之有機EL元件與實施例5-；[相同，在兩電極間施 加4.5 V之直流電壓。此時之電流密度爲2.〇❿a/cm2，發 光亮度爲1 66nit。發光顏色爲藍色。耐久性評價係以 1 OmA/cm2定電流驅動時，即使經過ι〇〇〇小時以上，也 未發現漏電流。 實施例5 - 5之結果如表5 - 2所示 [實施例5-6] 使用下述靶5-6取代實施例5_1之靶5-1。金屬靶使 用AP C $E取代A1靶。除此之外，與實施例5 -1相同，製 作有機EL元件。 此祀5 · 6係由氧化銦、氧化錫、氧化銨所構成。銦 之莫耳比（In/(In + Sn))爲 〇·9 ，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn))爲〇·ι，且對於金屬整體時，銳之莫耳比 ((Nd/(In + Sn + Nd))爲 0.15。 (114) (114)200402475 陽極層之功函數爲5.82eV。電極電阻爲2.7kQ。上 述製得之有機EL元件與實施例5-1相同，在兩電極間施 加4.5 V之直流電壓。此時之電流密度爲2 〇mA/cm2，發 光亮度爲1 65 nit。發光顏色爲藍色。耐久性評價係以 lOmA/cm2定電流驅動時，g卩使經過1〇〇〇小時以上，也 未發現漏電流。 實施例5 - 6之結果如表5 - 2所示 [實施例5-7] 使用下述靶5 - 7取代實施例5 - 1之靶5 -1。金屬靶使 用ACA靶取代A1靶。除此之外，與實施例5-1相同，製 作有機EL元件。 此靶5 - 7係由氧化銦、氧化錫、氧化铽所構成。銦 之莫耳比（In/(In + Sn))爲 〇·9 ，錫之莫耳比 (Sn/(In + Sn))爲0.1，且對於金屬整體時，铽之莫耳比 (Tb/(In + Sn + Tb))爲 0.16。 陽極層之功函數爲5.95eV。電極電阻爲2.6kQ。上 述製得之有機EL元件與實施例5 - 1相同，在兩電極間施 加4.6 V之直流電壓。此時之電流密度爲2 〇mA/cm2，發 光亮度爲161nit。發光顏色爲藍色。耐久性評價係以 lOmA/cm2定電流驅動時，即使經過1〇〇〇小時以上，也 未發現漏電流。 實施例5-7之結果如表5-2所示

•118· (115) (115)200402475 [比較例-1 ] 使用IZ0鞭取代實施例5-1之靶5-1，金屬靶使用 A1靶外，與實施例5-1相同，製作有機£]L元件。 陽極層之功函數爲5.25eV。電極電阻爲2·6}ίΩ。上 述製得之有機EL元件與實施例5 _ i相同，在兩電極間施 加5·2 V之直流電壓。此時之電流密度爲[οmA/cm2，發 光亮度爲161nit。發光顏色爲藍色。但是陽電極間電流 流通，單一像素無法發光，無法進行單純之矩陣驅動。 比較例5-1之結果如表5-2所示。 實施形態5之群組之總結 如上述詳細說明’使用本發明之有機電場發光元件 用電極基板’構成有機EL發光裝置時，具備特定之無機 化合物所構成之陽極層等’可提供透明性或耐久性優 異，且即使低驅動電壓’也可得到發光亮度較高之有機 EL發光裝置。由特定之無機化合物所構成之陽極層等具 有優異之蝕刻特性。 依據本發明之有機EL元件時，可製造具有上述透明 性或耐久性優異，且即使低驅動電壓，也可得到發光亮 度較高之有機EL元件。 【圖式簡單說明】 圖1係表示實施例1 · 1〜實施例1 - 9、比較例1 -1〜 比較例1 ·3之濺鍍靶之組成表的圖。 -119- (116) (116)200402475 圖2係表示使用實施例1 -1〜實施例1 -9、比較例1 - 1〜比較例1-3之濺鍍靶，製造之導電性薄膜之特性表的 圖。 圖3係表示實施形態2-1之有機EL元件的斷面圖。 圖4係表示實施形態2-2之有機EL元件的斷面圖。 圖5係表示實施形態2-3之有機EL元件的斷面圖。 圖6係表示實施形態2-4之有機EL元件的斷面圖。 圖7係表示實施形態2-5之真空蒸鍍裝置的斜視 圖。 圖8係表示實施形態2-5之真空蒸鍍裝置的斷面 圖。 圖9係基板之測定點的說明圖。 圖1 〇係本實施形態之電極基板的斷面圖。 圖1 1係本實施形態之有機EL元件的斷面圖。 圖1 2係本實施形態之電極基板之製造過程之連續的 斷面圖。 圖1 3係本實施形態之電極基板的斷面圖。 圖1 4係本實施形態之有機E L元件的斷面圖。 圖1 5係本實施形態之電極基板之製造過程之連續的 斷面圖。 圖1 6係本實施形態之電極基板的斷面圖。 圖1 7係本實施形態之其他形式之電極基板的斷面 圖。 圖1 8係本實施形態之有機EL元件的斷面圖。 -120· (117) 200402475 圖1 9係表示各種物質之化學式的圖。 主要元件對照表

100有機EL元件 1 0陽極層 12無機薄膜層 14有機發光層 1 6陰極層 1 3電洞傳輸層 104有機EL元件 102有機EL元件 106有機EL元件 1 5電子注入層 201真空蒸鍍裝置 2 0 3基板

2 1 0 真空槽 2 1 1基板支持架 2 1 2支持部 212A〜212F蒸鍍源 2 1 3 A旋轉軸線 2 1 3旋轉軸部 2 1 4 馬達 2 2 1假想圖 3 1 0玻璃基板 -121 - (118)200402475 3 12a、3 12b金屬氧化物層 3 1 6陽極層 3 1 8電極基板 3 20電洞傳輸層 3 22有機發光層 3 2 4電子注入層 3 26 陰極層 520電洞傳輸層

5 22有機發光層 524電子注入層 5 2 6 陰極層 5 3 0有機EL元件

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Claims (1)

1. (1) (1)200402475 拾、申請專利範圍 1· 一種濺鍍靶，其係含有選自銦、鋅、錫之一種以上 之金屬成分之濺鍍靶，其特徵爲含有選自由鈴、鉅、鉍 或鑭系金屬所成群之至少一種以上之金屬的第三成分。 2.如申請專利範圍第i項之濺鍍靶，其中該第三成分 金屬對於濺鍍靶全量之組成比例爲1〜2 0原子％ 。 3 ·如申請專利範圍第1或2項之濺鍍靶，其中鑭系金 屬爲選自由鈽、釤、銪、铽所成群之至少一種以上之金 屬所構成。 4· 一種燒結體，其係含有選自氧化銦、氧化鋅、氧化 錫之一種以上之金屬成分之濺鍍靶，其特徵爲含有選自 由氧化飴、氧化鉅、氧化鉍或鑭系金屬氧化物所成群之 至少一種以上之金屬氧化物的第三成分。 5 .如申請專利範圍第4項之燒結體，其中該第三成分 金屬氧化物對於燒結體全量之組成比例爲1〜20原子 % 0 6. 如申請專利範圍第4或5項之燒結體，其中鑭系金 屬氧化物爲選自由氧化鈽、氧化釤、氧化銪、氧化铽所 成群之至少一種以上之金屬所構成。 7. —種濺鍍靶，其特徵爲具備加工成平板狀之如申請 專利範圍第4〜6項中任一項之燒結體及被貼合於該燒結 體之金屬性厚板。 8. —種濺鍍靶，其係由含有由氧化銦及氧化鋅所構成 之六方層狀化合物（ln203 (ZnO) m : m爲 2〜20之整 •123- (2) 200402475 數）之氧化銦合金所構成之濺鍍靶，其特 由氧化鈽、氧化釤、氧化銪、氧化铽或氧 至少一種以上之金屬氧化物之第三成分， 金屬氧化物對於濺鍍靶全量之組成比例爲 % 〇 9. 如申請專利範圍第8項之濺鍍靶，其 耙中該氧化銦含量之In/(In + Zn)之式之 0.97，式中In係以原子％表示濺鍍靶中 例，Zn係以原子％表示濺鍍靶中之鋅的組 10. 如申請專利範圍第8或9項之濺鍍 鍍靶中，更進一步含有氧化錫。 1 1 ·如申請專利範圍第1項之濺鍍靶， 中含有0.03〜0.3原子％之組成比例之氧化 金所構成之濺鍍靶，且含有選自由氧化鈽 化銪、氧化Μ或氧化鉍所成群中之至少一 氧化物之第三成分，該第三成分金屬氧化 全量之組成比例爲1〜20原子％ 。 1 2 . —種濺鍍靶，其係由含有由氧化銦 成之六方層狀化合物（ln203 (ZnO) m: m ； 數）之氧化銦合金所構成之濺鍍靶，其特 由氧化鈽、氧化釤、氧化銪、氧化铽或氧 之至少一種以上之金屬氧化物的第三成分 金屬氧化物對於濺鍍靶全量之組成比例焦 % ， 徵爲含有選自 化鉍所成群之 且該第三成分 $ 1〜2 0原子 中表示該濺鍍 數値爲 〇 . 5〜 之銦的組成比 .成比例。 靶，其係於濺 其係由氧化銦 錫之氧化銦合 、氧化釤、氧 種以上之金屬 物對於濺鍍靶 及氧化鋅所構 隱2〜2 0之整 徵爲含有選自 化鉍所成群中 ，該第三成分 ! 1〜20原子 -124- (3) (3)200402475 且各成分之原子％之比例爲In/(In + Sn + Zn) = 0 · 5〜 0.95， Zn/(In + Sn + Zn) = 0 . 03〜0 · 2，S n / (I n + S η + Ζ η) = 0 . 02 〜0 · 3 式中In係以原子％表示濺鍍靶中之銦的組成比例， Zn係以原子％表示濺鍍靶中之鋅的組成比例，Sn係以原 子％表示濺鍍靶中之錫的組成比例。 1 3 . —種透明導電膜，其特徵係由如申請專利範圍第 1〜1 2項中任一項之濺鍍靶或燒結體形成膜者。 1 4.如申請專利範圍第1 3項之透明導電膜，其中功函 數爲5.6eV以上。 15.—種有機EL元件用基板，其特徵係至少由電極 層與基材所構成之有機EL元件用基板，該電極層含有選 自下述A-1群中之至少一種化合物及選自下述B-1群中 之至少一種化合物， A-1 群：Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg 之 硫化物、氧氮化物或氮化物， B · 1群：鑭系元素之硫化物、氧氮化物或氮化物。 1 6 · —種有機EL元件用基板，其特徵係至少由電極 層與基材所構成之有機EL元件用基板，該電極層含有選 自下述A-2群中之至少一種化合物及選自下述b_2群中 之至少一種化合物， A-2 群：Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd' Mg 之硫化 物、氧氮化物或氮化物， -125- (4) (4)200402475 B-2群：鑭系元素之硫化物。 17.如申請專利範圍第15或16項之有機EL元件用 基板，其中電極層爲陽極層。 1 8 ·如申請專利範圍第1 5或1 6項之有機E L元件用 基板，其中電極層爲陰極層。 1 9 ·如申請專利範圍第1 5或1 6項之有機E L元件用 基板，其中電極層之比電阻未達1Ω · cm。 2 0 ·如申請專利範圍第1 5〜1 9項中任一項之有機e L 元件用基板，其中該A-1群或A-2群之化合物爲Sn、In 及Zn之硫化物或氮化物。 21·如申請專利範圍第15〜20項中任一項之有機EL 元件用基板’其中該B-1群或B-2群之化合物爲Ce、 Nd、Sm、Eu、Tb及Ho之氧化物。 2 2 .如申請專利範圍第1 5〜2 1項中任—項之有機e L 元件用基板’其中該電極層之全量爲100 at.%時，該B-l 群或B-2群之化合物之含量爲〇·5〜30 at·%所成。 2 3 ·如申請專利範圍第1 5〜2 2項中任一項之有機E L 元件用基板，其中該電極層之膜厚爲1〜1 〇〇nm所成。 24·—種有機EL元件，其特徵係具有至少依序層合 陽極層、有機發光層、陰極層之構造的有機EL元件，該 陽極層及陰極層或其中一層之電極層含有選自下述A-1 群中之至少一種化合物及選自下述B-1群中之至少一種 化合物所成， A-1 群·· Si、Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg 之 (5) (5)200402475 硫化物、氧氮化物或氮化物， B-1群：鑭系元素之硫化物、氧氮化物或氮化物。 25. —種有機EL元件，其特徵係具有至少依序層合 陽極層、有機發光層、陰極層之構造的有機EL元件，該 陽極層及陰極層或其中一層之電極層含有選自下述 A-2 群中之至少一種化合物及選自下述B-2群中之至少一種 化合物所成， A-2 群·· Ge、Sn、Pb、Ga、In、Zn、Cd、Mg 之硫化 物、氧氮化物或氮化物， B-2群：鑭系元素之硫化物。 26. 如申請專利範圍第24或25項之有機EL元件， 其中該電極層及陰極層或其中一層之電極層之比電阻未 達1 Ω · cm所成。 2 7.如申請專利範圍第24〜26項中任一項之有機EL 元件，其中該A-1群或A-2群之化合物爲Sn、In及Zn 之硫化物或氮化物。 2 8.如申請專利範圍第26或27項之有機EL元件， 其中該B-1群或B-2群之化合物爲Ce、Nd、Sm、Eu、 Tb及Ho之物質的氧化物。 29. 如申請專利範圍第24〜28項中任一項之有機EL 元，其中該電極層之全量爲100at.%時，該B-1群或B-2 群之化合物之含量爲0.5〜30 at.%所成。 30. 如申請專利.範圍第24〜29項中任一項之有機EL 元件，其中該電極層之膜厚爲1〜10〇nm所成。 •127- (6) 200402475 31·如申請專利範圍第24〜30項中任一項之有機EL 元件，其中在陽極層與有機發光層之間及該陰極層與有 機發光層之間或該其中之一間設置含有選自A-1群中之 至少一種化合物及選自B- 1群中之至少一種化合物之無 機薄膜層或含有選自 A-2群中之至少一種化合物及選自 B-2群中之至少一種化合物之無機薄膜層所成。 32.如申請專利範圍第24〜31項中任一項之有機EL 元件，其中有機發光層爲含有具有以下述一般式（化學 式2_1)〜（化學式2-3)中任一項之結構式表示之苯乙 烯基之芳香族化合物中之至少一種所成， 3 Ar AI C II 2r C丨A 4 η (化學式2-1) (一般式（化學式2-1)中，Ar1係碳數6〜40之芳香基， Ar2、Ar3及Ar4係分別爲氫原子或碳數6〜4 0之芳香 基，Ar1、Ar2、Ar3及Ar4中至少一個爲芳基，縮合數η 爲1〜6之整數， Ar 5 N Ar 6 (化學式2-2) m Ar -128 (7) 200402475 (一般式（化學式2-2)中，Ar5係碳數6〜4〇之 Ar6及 Ar7係分別爲氫原子或碳數6〜4〇 & Ar5、Ar6及Ar7中至少一個被苯乙燒基取代， 爲1〜6之整數， 芳香基， 芳香基， 縮合數m

   N Ar N •Ar r 12 J p k J q V J r L 9 / ^ 11 . 13 Ar

   (化學式2-3) (一般式（化學式2-3 )中，Ar8及Ar14係碳數 芳基，Ar9〜Ar13係分別爲氫原子或碳數6〜4〇 Ar8〜Ar 14中之至少一個被苯乙烯基取代，縮合彳 r、s分別爲0或1。 33·—種有機EL元件之製造方法，其係製 專利範圍第24〜32項中任一項之有機EL元件 其特徵係藉由濺鍍法形成該電極層，以真空蒸 該有機發光層。 3 4.—種有機EL元件用電極基板，其係具 機電激發光層之電極及基材之有機EL元件用電 其特徵係該電極爲功函數超過5.6eV之金屬氧 膜層及以Ag爲主成分之薄膜層之層合體所構成 3 5 .如申請專利範圍第3 4項之有機EL元件 板，其中該金屬氧化物之薄膜層之功函數爲 上。 6〜40之 之方基’ 敎 p、q、 造如申請 的方法， 鍍法形成 備驅動有 極基板， 化物之薄 〇 用電極基 5.8eV 以 -129- 200402475

   36.如申請專利範圍第34或35項之有機EL元件用 電極基板，其中金屬氧化物之薄膜層以氧化銦爲主成 分，且含有選自氧化鈮、氧化給、氧化鉅、鑭系金屬氧 化物所成群之至少一種以上之金屬氧化物。 3 7.如申請專利範圍第36項之有機EL元件用電極基 板，其中該金屬氧化物之薄膜層之主成分除了氧化銦 外，尙含有氧化鋅及/或氧化錫。

   3 8.如申請專利範圍第36或37項之有機EL元件用 電極基板，其中該鑭系金屬氧化物爲選自由氧化鈽、氧 化鐯、氧化鉚、氧化釤、氧化铽所成群之至少一種以上 之金屬氧化物。 3 9.如申請專利範圍第34〜38項中任一項之有機EL 元件用電極基板，其中該以Ag爲主成分之薄膜層爲含有 功函數爲5.OeV以上之金屬。

   4 0.如申請專利範圍第39項之有機EL元件用電極基 板，其中該功函數爲5.OeV以上之金屬爲含有選自Au、 Ir、Ni、Pd、Pt之一種或兩種以上之金屬。 4 1.一種有機EL元件，其特徵係具有至少層合陽極 層、有機電激發光層、陰極層之構造的有機EL元件，該 陽極層或陰極層其中之一或兩者之電極爲由功函數超過 5.6eV之金屬氧化物之薄膜層及以Ag爲主成分之薄膜層 之層合層所構成。 4 2.如申請專利範圍第41項之有機EL元件，其中該 金屬氧化物之薄膜層之功函數爲5.8eV以上。 -130- (9) (9)200402475 4 3 ·如申請專利範圍第4 1或4 2項之有機E L元件， 其中該金屬氧化物之薄膜層以氧化銦爲主成分，含有選 自氧化鈮、氧化給、氧化鉅、鑭系金屬氧化物群之至少 一種以上之金屬氧化物。 44. 如申請專利範圍第43項之有機EL元件，其中該 金屬氧化物之薄膜層，其主成分除了氧化銦外，尙含有 氧化鋅或氧化錫。 45. 如申請專利範圍第43或44項之有機EL元件， 其中該鑭系金屬氧化物爲選自氧化鈽、氧化鐯、氧化 鉚、氧化釤、氧化铽所成群之至少一種以上之金屬氧化 物。 46. 如申請專利範圍第41〜45項中任一項之有機EL 元件，其中該以Ag爲主成分之薄膜層爲含有功函數爲 5.0eV以上之金屬。 4 7.如申請專利範圍第46項之有機EL元件，其中該 功函數爲 5.0eV以上之金屬爲含有選自 Au、Ir、Ni、 P-d、Pt之一種或兩種以上之金屬。 48. —種有機EL元件之製造方法，其特徵係製造如 申請專利範圍第41〜47項中任一項之有機EL元件的方 法，其特徵係藉由濺鍍法形成該電極，以真空蒸鍍法形 成該有機電激發光層。 49. 一種有機EL元件用電極基板，其係具備驅動有 機電激發光層之電極及基材之有機EL元件用電極基板， 其特徵係該電極爲由具有功函數超過5.6eV之金屬氧化 -131 - (10) (10)200402475 物之陽極薄膜層及金屬細線所構成之層合體。 5 0.如申請專利範圍第49項之有機EL元件用電極基 板，其中該金屬氧化物之陽極薄膜層之功函數爲5· 8eV 以上。 5 1.如申請專利範圍第49或50項之有機EL元件用 電極基板，其中該金屬氧化物之陽極薄膜層，以氧化銦 爲主成分外，以氧化鋅及/或氧化錫爲主成分，在進一步 含有鑭系金屬氧化物。 5 2.如申請專利範圍第51項之有機EL元件用電極基 板，其中該鑭系金屬氧化物爲選自氧化鈽、氧化鐯、氧 化鉚、氧化釤、氧化铽之1或2種以上之金屬氧化物。 5 3·如申請專利範圍第49〜52項中任一項之有機EL 元件用電極基板，其中該金屬細線爲以Ag、Al、Cu中任 一種以上爲主成分。 5 4 .如申請專利範圍第5 3項之有機EL元件用電極基 板，其中該金屬細線中添加功函數5.0eV以上之金屬。 5 5 ·如申請專利範圍第54項之有機EL元件用電極基 板’其中該功函數 5.OeV以上之金屬爲選自 Au、Ir、 Ni、Pd、Pt之一種或兩種以上之金屬。 56·如申請專利範圍第49或50項之有機EL元件用 電極基板，其中該金屬氧化物之陽極薄膜層上具有保護 層。 57·—種有機EL元件用電極基板之製造方法，其係 製造如申請專利範圍第49〜56項中任一項之有機EL元 -132- (11) (11)200402475 件用電極基板的方法，其特徵係含有將金屬氧化物之陽 極薄膜層層合於該基材上，接著層合金屬細線所構成之 層合體的步驟；以燐酸、硝酸、醋酸之混合酸蝕刻該金 屬薄膜層的步驟；該蝕刻後，再以草酸蝕刻，將該陽極 薄膜層形成圖案的步驟。 5 8 ·如申請專利範圍第5 7項之有機El元件用電極基 板之製造方法，其中該基材爲玻璃基板。 5 9·—種有機EL元件，其係使用具備驅動有機電激 發光層之電極及基材之有機EL元件用電極基板，該電極 爲由具有功函數超過5.6eV之金屬氧化物之陽極薄膜層 及金屬細線所構成之層合體之有機EL元件用電極基板之 有機EL元件，其特徵係含有該有機電激發光層及與該電 極對向之陰極層。 60· —種有機EL元件用電極基板，其特徵係在基材 上依序層合驅動有機電激發光層之電極、含有氧化銦之 透明導電薄膜、金屬細線、金屬氧化物之薄膜層之有機 EL元件用電極基板，該金屬氧化物之薄膜層具有高於 5.6eV之功函數及10E + 4Qcm以上之比電阻。 61. —種有機EL元件用電極基板，其特徵係在基材 上依序層合驅動有機電激發光層之電極、金屬細線、含 有氧化銦之透明導電薄膜、金屬氧化物之薄膜層之有機 EL元件用基板，該金屬氧化物之薄膜層具有高於5.6eV 之功函數及10Ε + 4Ω cm以上之比電阻。 62. 如申請專利範圍第60或61項之有機EL元件用 -133- (12) 200402475 電極基板，其中該金屬氧化物之薄膜層之功函數爲 10Ε + 4Ω cm 〜10Ε + 8Ω cm。 6 3.如申請專利範圍第60〜62項中任一項之有機EL 元件用電極基板’其中該金屬氧化物層之薄膜層之功函 數爲5.8eV以上。

   64. 如申請專利範圍第60〜63項中任一項之有機EL 元件用電極基板’其中該金屬氧化物爲至少含有氧化鋅 或氧化錫其中之一。 65. 如申請專利範圍第60〜64項中任一項之有機EL 元件用電極基板’其中該金屬氧化物爲含有至少一*種的 鑭系氧化物。 66. 如申請專利範圍第60〜65項中任一項之有機EL 元件用電極基板’其中該鑭系金屬氧化物爲選自氧化 鈽、氧化鐯、氧化鉚、氧化釤、氧化铽所成群之氧化 物。

   67. 如申請專利範圍第60〜66項中任一項之有機EL 元件用電極基板’其中該金屬細線爲含有選自、A1及 Cu所成群之至少一種。 68. 如申請專利範圍第60〜67項中任一項之有機EL 元件用電極基板，其中該金屬細線爲含有功函數爲5.0eV 以上之金屬。 6 9.如申請專利範圍第68項之有機EL元件用電極基 板，其中該功函數5.0eV以上之金屬爲選自 Au、Ir、 Ni、Co、Pd、Pt所成群之一種或兩種以上之金屬。 -134- (13)200402475 7 0.—種有機EL元件，其特徵係由如申請專利範圍 第60〜69項中任一項之有機EL元件用電極基板、陰極 層及有機電激發光層所構成。

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