JPH09260063A - 有機エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンス素子Info
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- JPH09260063A JPH09260063A JP8068140A JP6814096A JPH09260063A JP H09260063 A JPH09260063 A JP H09260063A JP 8068140 A JP8068140 A JP 8068140A JP 6814096 A JP6814096 A JP 6814096A JP H09260063 A JPH09260063 A JP H09260063A
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- JP
- Japan
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- layer
- light emitting
- inorganic material
- organic electroluminescence
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ｍ−ＭＴＤＡＴＡやテトラアリールジアミン誘
導体等の高価な有機化合物を使用することのない有機エ
レクトロルミネセンス素子を提供すること。 【解決手段】電極と発光層の間に、ＮｉＯにＩｎ
2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 または、Ｂ、Ｐ、Ｃ、Ｎ、Ｏ
の少なくとも１つを添加した無機材料層、あるいはＮｉ
1-x Ｏ（０．０５≦ｘ≦０．５、ｘは原子比）より成る
無機材料層を形成した有機エレクトロルミネセンス素子
を構成する。
導体等の高価な有機化合物を使用することのない有機エ
レクトロルミネセンス素子を提供すること。 【解決手段】電極と発光層の間に、ＮｉＯにＩｎ
2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 または、Ｂ、Ｐ、Ｃ、Ｎ、Ｏ
の少なくとも１つを添加した無機材料層、あるいはＮｉ
1-x Ｏ（０．０５≦ｘ≦０．５、ｘは原子比）より成る
無機材料層を形成した有機エレクトロルミネセンス素子
を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機エレクトロルミ
ネセンス素子に係り、特に輝度の高い、低コストの有機
エレクトロルミネセンス素子に関する。
ネセンス素子に係り、特に輝度の高い、低コストの有機
エレクトロルミネセンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素
子は、薄形の新しい発光源として注目されている。従来
の有機ＥＬ素子は、図２に示す如く、ガラス基板に約１
０００〜２０００ÅのＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）
からなる透明電極を形成したＩＴＯ基板１上にホール注
入層２−１、ホール輸送層２−２、発光層３、電子注入
輸送層４、陰極５等を形成することにより構成される。
子は、薄形の新しい発光源として注目されている。従来
の有機ＥＬ素子は、図２に示す如く、ガラス基板に約１
０００〜２０００ÅのＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）
からなる透明電極を形成したＩＴＯ基板１上にホール注
入層２−１、ホール輸送層２−２、発光層３、電子注入
輸送層４、陰極５等を形成することにより構成される。
【０００３】ホール注入層２−１としては、例えばｍ−
ＭＴＤＡＴＡ（４、４′、４″−Ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔ
ｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐ
ｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ポリ（チオフェン−２．５−
ジイル）、フタロシアニン等を使用する。
ＭＴＤＡＴＡ（４、４′、４″−Ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔ
ｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐ
ｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ポリ（チオフェン−２．５−
ジイル）、フタロシアニン等を使用する。
【０００４】ホール輸送層２−２としては、例えば下記
化１で示されるテトラアリールジアミン誘導体を使用す
る。
化１で示されるテトラアリールジアミン誘導体を使用す
る。
【０００５】
【化１】 （化１において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ
アリール基、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アミノ基又はハロゲン原子を表す。ｒ１、ｒ２、
ｒ３及びｒ４は、それぞれ０又は１〜５の整数である。
Ｒ5 及びＲ6 は、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基
又はハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるもの
であってもよい。ｒ５及びｒ６は、それぞれ０又は１〜
４の整数である。）
アリール基、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アミノ基又はハロゲン原子を表す。ｒ１、ｒ２、
ｒ３及びｒ４は、それぞれ０又は１〜５の整数である。
Ｒ5 及びＲ6 は、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基
又はハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるもの
であってもよい。ｒ５及びｒ６は、それぞれ０又は１〜
４の整数である。）
【０００６】発光層３としては、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム等の金属錯体色素や前記化１で示す
テトラアリールジアミン誘導体と前記トリス（８−キノ
リノラト）アルミニウムの混合物等が使用される。この
外テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレ
ン、コロネル、１２−フタロペリノン誘導体、キナクリ
ドン、ルブレン、クマリン、スチリン系色素等の有機蛍
光体等が使用される。
ラト）アルミニウム等の金属錯体色素や前記化１で示す
テトラアリールジアミン誘導体と前記トリス（８−キノ
リノラト）アルミニウムの混合物等が使用される。この
外テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレ
ン、コロネル、１２−フタロペリノン誘導体、キナクリ
ドン、ルブレン、クマリン、スチリン系色素等の有機蛍
光体等が使用される。
【０００７】電子注入輸送層４としては、例えば前記ト
リス（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体色
素、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジ
ン誘導体、ピリシジン誘導体、キノリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フ
ルオロレン誘導体等が使用される。
リス（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体色
素、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジ
ン誘導体、ピリシジン誘導体、キノリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フ
ルオロレン誘導体等が使用される。
【０００８】陰極５としては仕事関数の小さい材料、例
えばＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎあるいはこれ
らの２種以上を含む合金、例えばＭｇＡｇ（例えば重量
比１０：１）を使用する。
えばＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎあるいはこれ
らの２種以上を含む合金、例えばＭｇＡｇ（例えば重量
比１０：１）を使用する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで前記の如く構
成された有機ＥＬ素子は、ホール注入層２−１としてｍ
−ＭＴＤＡＴＡ等を使用し、またホール輸送層２−２と
してテトラアリールジアミン誘導体等を使用している
が、これらの有機化合物はいずれも非常に高価なもので
あり、そのためこれを使用した有機ＥＬ素子はこれまた
高価なものにならざるを得なかった。
成された有機ＥＬ素子は、ホール注入層２−１としてｍ
−ＭＴＤＡＴＡ等を使用し、またホール輸送層２−２と
してテトラアリールジアミン誘導体等を使用している
が、これらの有機化合物はいずれも非常に高価なもので
あり、そのためこれを使用した有機ＥＬ素子はこれまた
高価なものにならざるを得なかった。
【００１０】従って本発明の目的は、このような高価な
ｍ−ＭＴＤＡＴＡやテトラアリールジアミン誘導体等を
ホール注入層やホール輸送層として使用しない、しかも
輝度の良好な有機ＥＬ素子を提供することである。
ｍ−ＭＴＤＡＴＡやテトラアリールジアミン誘導体等を
ホール注入層やホール輸送層として使用しない、しかも
輝度の良好な有機ＥＬ素子を提供することである。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の有機ＥＬ素子では、電極と発光層の間に、
ＮｉＯにＩｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 の少なくとも１
つを添加した無機材料層を形成する。または、ＮｉＯに
Ｂ、Ｐ、Ｃ、Ｎ、Ｏの少なくとも１つを添加した無機材
料層を形成する。あるいはＮｉ1-x Ｏ（０．０５≦ｘ≦
０．５：ｘは原子比）から成る無機材料層を形成する。
め、本発明の有機ＥＬ素子では、電極と発光層の間に、
ＮｉＯにＩｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 の少なくとも１
つを添加した無機材料層を形成する。または、ＮｉＯに
Ｂ、Ｐ、Ｃ、Ｎ、Ｏの少なくとも１つを添加した無機材
料層を形成する。あるいはＮｉ1-x Ｏ（０．０５≦ｘ≦
０．５：ｘは原子比）から成る無機材料層を形成する。
【００１２】これにより非常に高価なｍ−ＭＴＤＡＴＡ
やさらにテトラアリールジアミン誘導体等を使用するこ
となく、しかも輝度の良好な有機ＥＬ素子を安価に構成
することができる。
やさらにテトラアリールジアミン誘導体等を使用するこ
となく、しかも輝度の良好な有機ＥＬ素子を安価に構成
することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図１にも
とづき説明する。図１において他図と同一記号は同一部
分を示し、１はＩＴＯ基板、２−０はホール注入輸送
層、５は陰極、６は電子注入輸送層兼発光層である。
とづき説明する。図１において他図と同一記号は同一部
分を示し、１はＩＴＯ基板、２−０はホール注入輸送
層、５は陰極、６は電子注入輸送層兼発光層である。
【００１４】ＩＴＯ基板１は、例えば透明なガラス基板
上にＩＴＯの透明電極を２０００Å形成したものであ
る。ホール注入輸送層２−０は、ＩＴＯ基板１上にマグ
ネトロンスパッタリング法によりＮｉＯとＩｎ2 Ｏ3 を
同時に成膜したものであり、無機材料層である。この場
合、ＮｉＯとＩｎ2 Ｏ3 の粉末を、ＮｉＯに比してＩｎ
2 Ｏ3 が１〜９５ｖｏｌ％に、好ましくは抵抗率が２０
Ω・ｃｍ以下になるように混合してターゲットを作製し
た。そして約５０Å〜１０００Åの膜厚にスパッタリン
グした。その後、この無機材料層のホール注入輸送層２
─０が成膜されたＩＴＯ基板１をオゾン洗浄器に入れ、
Ｏ2 ガス中でＵＶランプ照射して得られたＯ3 ガス雰囲
気に室温で約数分〜２時間酸化して低抵抗化した。
上にＩＴＯの透明電極を２０００Å形成したものであ
る。ホール注入輸送層２−０は、ＩＴＯ基板１上にマグ
ネトロンスパッタリング法によりＮｉＯとＩｎ2 Ｏ3 を
同時に成膜したものであり、無機材料層である。この場
合、ＮｉＯとＩｎ2 Ｏ3 の粉末を、ＮｉＯに比してＩｎ
2 Ｏ3 が１〜９５ｖｏｌ％に、好ましくは抵抗率が２０
Ω・ｃｍ以下になるように混合してターゲットを作製し
た。そして約５０Å〜１０００Åの膜厚にスパッタリン
グした。その後、この無機材料層のホール注入輸送層２
─０が成膜されたＩＴＯ基板１をオゾン洗浄器に入れ、
Ｏ2 ガス中でＵＶランプ照射して得られたＯ3 ガス雰囲
気に室温で約数分〜２時間酸化して低抵抗化した。
【００１５】この低抵抗化後のホール注入輸送層２─０
の上に、電子注入輸送層兼発光層６となるトリス（８─
キノリノラト）アルミニウムを抵抗加熱により、１×１
０-4Ｐａの減圧下で蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅ
ｃで約１１００Å蒸着した。
の上に、電子注入輸送層兼発光層６となるトリス（８─
キノリノラト）アルミニウムを抵抗加熱により、１×１
０-4Ｐａの減圧下で蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅ
ｃで約１１００Å蒸着した。
【００１６】そしてこの電子注入輸送層兼発光層６の上
に、陰極５となるＭｇＡｇ電極を形成するため１×１０
-4Ｐａの減圧下でＭｇＡｇ（重量比１０：１）を蒸着速
度０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで約２０００Å共蒸着し
た。このようにして図１に示す有機ＥＬ素子を得た。
に、陰極５となるＭｇＡｇ電極を形成するため１×１０
-4Ｐａの減圧下でＭｇＡｇ（重量比１０：１）を蒸着速
度０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで約２０００Å共蒸着し
た。このようにして図１に示す有機ＥＬ素子を得た。
【００１７】なお、抵抗率が２０Ω・ｃｍ以上の場合に
は駆動電圧が高くなるため大きな電源電圧が必要となっ
て消費電力が大きくなったり、絶縁破壊に至ることもあ
る。また電流値も減少するため発光輝度が低下する。抵
抗率が２０Ω・ｃｍ以下の場合は、大きな電源電圧を必
要とせず、発光輝度のよいものが得られる。
は駆動電圧が高くなるため大きな電源電圧が必要となっ
て消費電力が大きくなったり、絶縁破壊に至ることもあ
る。また電流値も減少するため発光輝度が低下する。抵
抗率が２０Ω・ｃｍ以下の場合は、大きな電源電圧を必
要とせず、発光輝度のよいものが得られる。
【００１８】本発明の他の実施の形態を次に説明する。
前記実施の形態では、電極と発光層の間に無機材料層を
形成するとき、ＮｉＯとＩｎ2 Ｏ3 を同時に成膜した
が、ＮｉＯとＩｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 との少なく
とも１つとを同時に成膜することができる。
前記実施の形態では、電極と発光層の間に無機材料層を
形成するとき、ＮｉＯとＩｎ2 Ｏ3 を同時に成膜した
が、ＮｉＯとＩｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 との少なく
とも１つとを同時に成膜することができる。
【００１９】また、Ｂ、Ｐ、Ｃ、Ｎ、Ｏの少なくとも１
つを添加することもできる。あるいは相対的には酸素リ
ッチなＮｉ1-x Ｏ（０．０５≦ｘ≦０．５、ｘは原子
比）とすることもできる。
つを添加することもできる。あるいは相対的には酸素リ
ッチなＮｉ1-x Ｏ（０．０５≦ｘ≦０．５、ｘは原子
比）とすることもできる。
【００２０】上記ＮｉＯに代わるものとして、以下の化
合物も挙げられる。Ｃｕ2 Ｏ、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｍｎ
2 Ｏ3 、ＦｅＯ、ＣｏＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、ＢａＯ、Ｍｎ
Ｏ、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ａｇ2 Ｏ、ＭｏＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉＯ2 、ＴｈＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｔａ
2 Ｏ5 、ＭｏＯ3 、ＷＯ3 、ＭｎＯ2 、ＬａＣｒＯ 3 、
ＬａＭｎＯ3 、ＢａＴｉＯ3 等。
合物も挙げられる。Ｃｕ2 Ｏ、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｍｎ
2 Ｏ3 、ＦｅＯ、ＣｏＯ、Ｃｏ3 Ｏ4 、ＢａＯ、Ｍｎ
Ｏ、Ｐｒ2 Ｏ3 、Ａｇ2 Ｏ、ＭｏＯ2 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｔ
ｉＯ2 、ＴｈＯ2 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｔａ
2 Ｏ5 、ＭｏＯ3 、ＷＯ3 、ＭｎＯ2 、ＬａＣｒＯ 3 、
ＬａＭｎＯ3 、ＢａＴｉＯ3 等。
【００２１】電子注入輸送層兼発光層の代わりに、トリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体色素
とテトラアリールジアミン誘電体の混合物からなる発光
層と、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムからな
る電子注入輸送層を使用することができる。
ス（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体色素
とテトラアリールジアミン誘電体の混合物からなる発光
層と、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムからな
る電子注入輸送層を使用することができる。
【００２２】発光層にはこの外に、テトラフェニルブタ
ジエン、アントラセン、ペリレン、コロネル、１２−フ
タロペリノン誘電体、キナクリドン、ルブレン、クマリ
ン、スチリル系色素等の有機蛍光体等が使用できる。ま
たそれらを発光層にドープすることもできる。
ジエン、アントラセン、ペリレン、コロネル、１２−フ
タロペリノン誘電体、キナクリドン、ルブレン、クマリ
ン、スチリル系色素等の有機蛍光体等が使用できる。ま
たそれらを発光層にドープすることもできる。
【００２３】陰極５としては、例えばＬｉ、Ｎａ、Ｍ
ｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎあるいはこれらを２種類以上を含
む合金が使用できる。ところで、特開平５−４１２８５
号公報には、ホール輸送層としてのＰ型無機酸化物半導
体としてＮｉＯを単体で使用したものが記載されてい
る。しかし純ＮｉＯは抵抗値が高いので、大きな駆動電
圧が必要である。
ｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎあるいはこれらを２種類以上を含
む合金が使用できる。ところで、特開平５−４１２８５
号公報には、ホール輸送層としてのＰ型無機酸化物半導
体としてＮｉＯを単体で使用したものが記載されてい
る。しかし純ＮｉＯは抵抗値が高いので、大きな駆動電
圧が必要である。
【００２４】本発明では安定性の良いＮｉＯに透明電極
材料であるＩｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 や低抵抗化で
きるＢ、Ｐ、膜質の安定化するＣ、Ｎ、Ｏの少なくとも
１つを添加することにより、あるいは、Ｎｉ1-x Ｏ
（０．０５≦ｘ≦０．５：ｘは原子比）を用いることに
より、安定性が良く、抵抗値が低く、しかも透明性の高
い膜を形成できる。またＢ、Ｐの代わりに第３族や第５
族の元素を用いることもできる。その結果発光層とＩＴ
Ｏ等の電極層との密着性が良好になりダークスポットや
リークの発生しない、特性の良い有機ＥＬ素子を構成で
きる。
材料であるＩｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＳｎＯ2 や低抵抗化で
きるＢ、Ｐ、膜質の安定化するＣ、Ｎ、Ｏの少なくとも
１つを添加することにより、あるいは、Ｎｉ1-x Ｏ
（０．０５≦ｘ≦０．５：ｘは原子比）を用いることに
より、安定性が良く、抵抗値が低く、しかも透明性の高
い膜を形成できる。またＢ、Ｐの代わりに第３族や第５
族の元素を用いることもできる。その結果発光層とＩＴ
Ｏ等の電極層との密着性が良好になりダークスポットや
リークの発生しない、特性の良い有機ＥＬ素子を構成で
きる。
【００２５】なお、この場合、ｘが０．０５より小さい
領域では、Ｎｉ1-x Ｏは高抵抗状態から絶縁物となり、
低抵抗状態のものが得られない。またｘが０．５より大
きいと安定した抵抗値のものが得られない。
領域では、Ｎｉ1-x Ｏは高抵抗状態から絶縁物となり、
低抵抗状態のものが得られない。またｘが０．５より大
きいと安定した抵抗値のものが得られない。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、１０ｍＡ／ｃｍ2 での
発光輝度が３００ｃｄ／ｍ2 （約６Ｖ）であり、従来の
無機材料層を有するものより３倍以上発光輝度を向上す
ることができた。また無機材料層を使用したので、有機
材料層に比較してそのコストを大幅に抑えることが可能
となった。
発光輝度が３００ｃｄ／ｍ2 （約６Ｖ）であり、従来の
無機材料層を有するものより３倍以上発光輝度を向上す
ることができた。また無機材料層を使用したので、有機
材料層に比較してそのコストを大幅に抑えることが可能
となった。
【図１】本発明の実施の形態図である。
【図２】従来例説明図である。
１ ＩＴＯ基板 ２−０ ホール注入輸送層 ２−１ ホール注入層 ２−２ ホール輸送層 ３ 発光層 ４ 電子注入輸送層 ５ 陰極 ６ 電子注入輸送層兼発光層
Claims (3)
- 【請求項１】電極と発光層の間に、ＮｉＯにＩｎ
2 Ｏ3 、ＺｎＯ、ＳｎＯ2の少なくとも１つを添加した
無機材料層を形成したことを特徴とする有機エレクトロ
ルミネセンス素子。 - 【請求項２】電極と発光層の間に、ＮｉＯにＢ、Ｐ、
Ｃ、Ｎ、Ｏの少なくとも１つを添加した無機材料層を形
成したことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素
子。 - 【請求項３】電極と発光層の間に、Ｎｉ1-x Ｏ（０．０
５≦ｘ≦０．５、ｘは原子比）から成る無機材料層を形
成したことを特徴とする有機エレクトロルミネセンス素
子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8068140A JPH09260063A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| US08/823,420 US5981092A (en) | 1996-03-25 | 1997-03-25 | Organic El device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8068140A JPH09260063A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260063A true JPH09260063A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13365151
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8068140A Withdrawn JPH09260063A (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09260063A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2004349007A (ja) * | 2003-05-20 | 2004-12-09 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子及び表示装置 |
| JP2006114750A (ja) * | 2004-10-15 | 2006-04-27 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセント素子およびその製造方法 |
| EP1693483A2 (en) | 2002-08-02 | 2006-08-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, sintered article, conductive film fabricated by utilizing the same, organic el device, and substrate for use therein |
| JP2007059476A (ja) * | 2005-08-22 | 2007-03-08 | Toyota Central Res & Dev Lab Inc | 有機電界発光素子 |
| JP2008205254A (ja) * | 2007-02-21 | 2008-09-04 | Toyota Central R&D Labs Inc | 有機電界発光素子 |
| WO2010065505A3 (en) * | 2008-12-01 | 2010-08-26 | E. I. Du Pont De Nemours And Company | Anode for an organic electronic device |
| US8242487B2 (en) | 2008-05-16 | 2012-08-14 | E I Du Pont De Nemours And Company | Anode for an organic electronic device |
| US8461758B2 (en) | 2008-12-19 | 2013-06-11 | E I Du Pont De Nemours And Company | Buffer bilayers for electronic devices |
| WO2013157058A1 (ja) * | 2012-04-18 | 2013-10-24 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| WO2013161165A1 (ja) * | 2012-04-27 | 2013-10-31 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子、およびそれを備える有機ｅｌパネル、有機ｅｌ発光装置、有機ｅｌ表示装置 |
| US9287520B2 (en) | 2012-04-27 | 2016-03-15 | Joled Inc. | Organic EL element, organic EL panel having organic EL element, organic EL light-emitting apparatus, and organic EL display apparatus |
-
1996
- 1996-03-25 JP JP8068140A patent/JPH09260063A/ja not_active Withdrawn
Cited By (19)
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| US8093800B2 (en) | 2002-08-02 | 2012-01-10 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, sintered article, conductive film fabricated by utilizing the same, organic EL device, and substrate for use therein |
| EP1693483A2 (en) | 2002-08-02 | 2006-08-23 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, sintered article, conductive film fabricated by utilizing the same, organic el device, and substrate for use therein |
| US7393600B2 (en) | 2002-08-02 | 2008-07-01 | Idemitsu Kosan Co., Ltd. | Sputtering target, sintered article, conductive film fabricated by utilizing the same, organic EL device, and substrate for use therein |
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