JPH09260062A - 有機エレクトロルミネセンス素子 - Google Patents
有機エレクトロルミネセンス素子Info
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- JPH09260062A JPH09260062A JP8068139A JP6813996A JPH09260062A JP H09260062 A JPH09260062 A JP H09260062A JP 8068139 A JP8068139 A JP 8068139A JP 6813996 A JP6813996 A JP 6813996A JP H09260062 A JPH09260062 A JP H09260062A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ｍ−ＭＴＤＡＴＡやテトラアリールジアミン誘
導体等の高価な有機化合物を使用することのない、長寿
命の有機エレクトロルミネセンス素子を提供すること。 【解決手段】電極と発光層の間に、透明電極材料と無機
半導体の混合物からなる無機材料層を形成し、該無機材
料層の抵抗率が２０Ω・ｃｍ以下であるように有機エレ
クトロルミネセンス素子を構成する。
導体等の高価な有機化合物を使用することのない、長寿
命の有機エレクトロルミネセンス素子を提供すること。 【解決手段】電極と発光層の間に、透明電極材料と無機
半導体の混合物からなる無機材料層を形成し、該無機材
料層の抵抗率が２０Ω・ｃｍ以下であるように有機エレ
クトロルミネセンス素子を構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は有機エレクトロルミ
ネセンス素子に係り、特に長寿命で低コストの有機エレ
クトロルミネセンス素子に関する。
ネセンス素子に係り、特に長寿命で低コストの有機エレ
クトロルミネセンス素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】有機エレクトロルミネセンス（ＥＬ）素
子は、薄形の新しい発光源として注目されている。従来
の有機ＥＬ素子は、図２に示す如く、ガラス基板に約１
０００〜２０００ÅのＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）
からなる透明電極を形成したＩＴＯ基板１上に、ホール
注入層２−１、ホール輸送層２−２、発光層３、電子注
入輸送層４、陰極５等を形成することにより構成され
る。
子は、薄形の新しい発光源として注目されている。従来
の有機ＥＬ素子は、図２に示す如く、ガラス基板に約１
０００〜２０００ÅのＩＴＯ（酸化インジウム・スズ）
からなる透明電極を形成したＩＴＯ基板１上に、ホール
注入層２−１、ホール輸送層２−２、発光層３、電子注
入輸送層４、陰極５等を形成することにより構成され
る。
【０００３】ホール注入層２−１としては、例えばｍ−
ＭＴＤＡＴＡ（４、４′、４″−Ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔ
ｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐ
ｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ポリ（チオフェン−２．５−
ジイル）、フタロシアニアン等を使用する。
ＭＴＤＡＴＡ（４、４′、４″−Ｔｒｉｓ（３−ｍｅｔ
ｈｙｌｐｈｅｎｙｌｐｈｅｎｙｌａｍｉｎｏ）ｔｒｉｐ
ｈｅｎｙｌａｍｉｎｅ）、ポリ（チオフェン−２．５−
ジイル）、フタロシアニアン等を使用する。
【０００４】ホール輸送層２−２としては、例えば下記
化１で示されるテトラアリールジアミン誘導体を使用す
る。
化１で示されるテトラアリールジアミン誘導体を使用す
る。
【０００５】
【化１】 （化１において、Ｒ1 、Ｒ2 、Ｒ3 及びＲ4 はそれぞれ
アリール基、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アミノ基又はハロゲン原子を表す。ｒ１、ｒ２、
ｒ３及びｒ４は、それぞれ０又は１〜５の整数である。
Ｒ5 及びＲ6 は、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基
又はハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるもの
であってもよい。ｒ５及びｒ６は、それぞれ０又は１〜
４の整数である。）
アリール基、アルキル基、アルコキシ基、アリールオキ
シ基、アミノ基又はハロゲン原子を表す。ｒ１、ｒ２、
ｒ３及びｒ４は、それぞれ０又は１〜５の整数である。
Ｒ5 及びＲ6 は、アルキル基、アルコキシ基、アミノ基
又はハロゲン原子を表し、これらは同一でも異なるもの
であってもよい。ｒ５及びｒ６は、それぞれ０又は１〜
４の整数である。）
【０００６】発光層３としては、トリス（８−キノリノ
ラト）アルミニウム等の金属錯体色素や前記化１で示す
テトラアリールジアミン誘導体と前記トリス（８−キノ
リノラト）アルミニウムの混合物等が使用される。この
外テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレ
ン、コロネル、１２−フタロペリノン誘導体、キナクリ
ドン、ルブレン、クマリン、スチリン系色素等の有機蛍
光体等が使用される。
ラト）アルミニウム等の金属錯体色素や前記化１で示す
テトラアリールジアミン誘導体と前記トリス（８−キノ
リノラト）アルミニウムの混合物等が使用される。この
外テトラフェニルブタジエン、アントラセン、ペリレ
ン、コロネル、１２−フタロペリノン誘導体、キナクリ
ドン、ルブレン、クマリン、スチリン系色素等の有機蛍
光体等が使用される。
【０００７】電子注入輸送層４としては、例えば前記ト
リス（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体色
素、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジ
ン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フ
ルオロレン誘導体等が使用される。
リス（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体色
素、オキサジアゾール誘導体、ペリレン誘導体、ピリジ
ン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フ
ルオロレン誘導体等が使用される。
【０００８】陰極５としては仕事関数の小さい材料、例
えばＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎあるいはこれ
らの２種以上を含む合金、例えばＭｇＡｇ（例えば重量
比１０：１）を使用する。
えばＬｉ、Ｎａ、Ｍｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎあるいはこれ
らの２種以上を含む合金、例えばＭｇＡｇ（例えば重量
比１０：１）を使用する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】ところで前記の如く構
成された有機ＥＬ素子は、ホール注入層２−１としてｍ
−ＭＴＤＡＴＡ等を使用し、またホール輸送層２−２と
してテトラアリールジアミン誘導体等を使用している
が、これらの有機化合物はいずれも非常に高価なもので
あり、そのためこれを使用した有機ＥＬ素子はこれまた
高価なものにならざるを得なかった。
成された有機ＥＬ素子は、ホール注入層２−１としてｍ
−ＭＴＤＡＴＡ等を使用し、またホール輸送層２−２と
してテトラアリールジアミン誘導体等を使用している
が、これらの有機化合物はいずれも非常に高価なもので
あり、そのためこれを使用した有機ＥＬ素子はこれまた
高価なものにならざるを得なかった。
【００１０】従って本発明の目的は、このような高価な
ｍ−ＭＴＤＡＴＡやテトラアリールジアミン誘導体等の
有機化合物をホール注入層やホール輸送層として使用し
ない、しかも寿命の長い有機ＥＬ素子を提供することで
ある。
ｍ−ＭＴＤＡＴＡやテトラアリールジアミン誘導体等の
有機化合物をホール注入層やホール輸送層として使用し
ない、しかも寿命の長い有機ＥＬ素子を提供することで
ある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明の有機ＥＬ素子では、電極と発光層の間に、
透明電極材料と無機半導体の混合物からなる無機材料層
を形成し、該無機材料層の抵抗率を２０Ω・ｃｍ以下に
する。
め、本発明の有機ＥＬ素子では、電極と発光層の間に、
透明電極材料と無機半導体の混合物からなる無機材料層
を形成し、該無機材料層の抵抗率を２０Ω・ｃｍ以下に
する。
【００１２】これにより非常に高価なｍ−ＭＴＤＡＴＡ
やさらにテトラアリールジアミン誘導体等を使用するこ
となく、しかも無機材料層を形成することにより寿命の
長い有機ＥＬ素子を安価に構成することができる。
やさらにテトラアリールジアミン誘導体等を使用するこ
となく、しかも無機材料層を形成することにより寿命の
長い有機ＥＬ素子を安価に構成することができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】本発明の一実施の形態を図１にも
とづき説明する。図１において他図と同記号は同一部分
を示し、１はＩＴＯ基板、２−０はホール注入輸送層、
５は陰極、６は電子注入輸送層兼発光層である。
とづき説明する。図１において他図と同記号は同一部分
を示し、１はＩＴＯ基板、２−０はホール注入輸送層、
５は陰極、６は電子注入輸送層兼発光層である。
【００１４】ＩＴＯ基板１は、例えば透明なガラス基板
上にＩＴＯの透明電極を２０００Å形成したものであ
る。ホール注入輸送層２−０は、ＩＴＯ基板１上にマグ
ネトロンスパッタリング法によりＩＴＯとＳｉを同時蒸
着したものであり無機材料層である。この場合、Ｓｉの
割合は６０ｖｏｌ％以下、好ましくは２０ｖｏｌ％以下
であって、５０Å〜１０００Å程度の膜厚にスパッタリ
ングする。その後低抵抗化するためにＮ2 雰囲気中で１
００〜５００℃で数分〜１０時間熱処理した。
上にＩＴＯの透明電極を２０００Å形成したものであ
る。ホール注入輸送層２−０は、ＩＴＯ基板１上にマグ
ネトロンスパッタリング法によりＩＴＯとＳｉを同時蒸
着したものであり無機材料層である。この場合、Ｓｉの
割合は６０ｖｏｌ％以下、好ましくは２０ｖｏｌ％以下
であって、５０Å〜１０００Å程度の膜厚にスパッタリ
ングする。その後低抵抗化するためにＮ2 雰囲気中で１
００〜５００℃で数分〜１０時間熱処理した。
【００１５】この熱処理後のホール注入輸送層２−０の
上に、電子注入輸送層兼発光層６となるトリス（８−キ
ノリノラト）アルミニウムを抵抗加熱により、１×１０
-4Ｐａの減圧下で、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅ
ｃで約１１００Å蒸着した。
上に、電子注入輸送層兼発光層６となるトリス（８−キ
ノリノラト）アルミニウムを抵抗加熱により、１×１０
-4Ｐａの減圧下で、蒸着速度０．１〜０．２ｎｍ／ｓｅ
ｃで約１１００Å蒸着した。
【００１６】そしてこの電子注入輸送層兼発光層６の上
に、陰極５となるＭｇＡｇ電極を形成するため、１×１
０-4Ｐａの減圧下でＭｇＡｇ（重量比１０：１）を蒸着
速度０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで約２０００Å共蒸着
した。このようにして図１に示す有機ＥＬ素子を得た。
に、陰極５となるＭｇＡｇ電極を形成するため、１×１
０-4Ｐａの減圧下でＭｇＡｇ（重量比１０：１）を蒸着
速度０．２〜０．３ｎｍ／ｓｅｃで約２０００Å共蒸着
した。このようにして図１に示す有機ＥＬ素子を得た。
【００１７】ＩＴＯのＳｉ含有量と抵抗率は、図３に示
す如き特性を有する。Ｓｉ含有量が約６０ｖｏｌ％のと
き抵抗率は２０Ω・ｃｍであり、２０ｖｏｌ％以下のと
き約１０Ω・ｃｍ以下となり、抵抗率は大きく低下す
る。
す如き特性を有する。Ｓｉ含有量が約６０ｖｏｌ％のと
き抵抗率は２０Ω・ｃｍであり、２０ｖｏｌ％以下のと
き約１０Ω・ｃｍ以下となり、抵抗率は大きく低下す
る。
【００１８】本発明の他の実施の形態を次に説明する。
前記実施の形態では、電極と発光層の間に無機材料層を
形成するときＩＴＯ及びＳｉを同時に蒸着したが、この
Ｓｉの代わりにＳｉ−Ｂを使用することができる。この
場合、Ｓｉ及びＢのそれぞれの粉末を、Ｂの量が０．０
１〜２０ｗｔ％に混合した混合ターゲットを作製してＩ
ＴＯとＢを含むＳｉとのホール注入輸送層を形成するこ
とができる。
前記実施の形態では、電極と発光層の間に無機材料層を
形成するときＩＴＯ及びＳｉを同時に蒸着したが、この
Ｓｉの代わりにＳｉ−Ｂを使用することができる。この
場合、Ｓｉ及びＢのそれぞれの粉末を、Ｂの量が０．０
１〜２０ｗｔ％に混合した混合ターゲットを作製してＩ
ＴＯとＢを含むＳｉとのホール注入輸送層を形成するこ
とができる。
【００１９】また、この無機材料層の形成に際して、Ａ
ｒガス中にＮ2 ガスを混合して（混合比０．１〜１００
ｖｏｌ％）蒸着を行うことにより、ＩＴＯとＮを含むＳ
ｉとのホール注入輸送層を形成することができる。また
Ｏ2 を０．１〜２０ｖｏｌ％Ａｒガス中に混合すること
により、ＩＴＯとＯを含むＳｉとのホール注入輸送層を
形成することができる。
ｒガス中にＮ2 ガスを混合して（混合比０．１〜１００
ｖｏｌ％）蒸着を行うことにより、ＩＴＯとＮを含むＳ
ｉとのホール注入輸送層を形成することができる。また
Ｏ2 を０．１〜２０ｖｏｌ％Ａｒガス中に混合すること
により、ＩＴＯとＯを含むＳｉとのホール注入輸送層を
形成することができる。
【００２０】ＩＴＯの代わりにＩｎ2 Ｏ3 、ＺｎＯまた
はＳｎＯ2 の少なくとも１種を使用することもできる
し、Ｓｉの代わりにＧｅまたはＧａを使用することもで
きる。またこのＳｉまたはＧｅ、ＧａにＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ
またはＰの少なくとも１種を含有させることができる。
はＳｎＯ2 の少なくとも１種を使用することもできる
し、Ｓｉの代わりにＧｅまたはＧａを使用することもで
きる。またこのＳｉまたはＧｅ、ＧａにＢ、Ｃ、Ｎ、Ｏ
またはＰの少なくとも１種を含有させることができる。
【００２１】なお、電子注入輸送層兼発光層の代りに、
トリス（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体
色素とテトラアリールジアミン誘導体の混合物からなる
発光層と、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムか
らなる電子注入輸送層を使用することができる。
トリス（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体
色素とテトラアリールジアミン誘導体の混合物からなる
発光層と、トリス（８−キノリノラト）アルミニウムか
らなる電子注入輸送層を使用することができる。
【００２２】発光層にはこの外に、テトラフェニルブタ
ジエン、アントラセン、ペリレン、コロネル、１２−フ
タロペリノン誘導体、キナクリドン、ルブレン、クマリ
ン、スチリル系色素等の有機蛍光体等が使用できる。ま
たそれらを発光層にドープすることもできる。
ジエン、アントラセン、ペリレン、コロネル、１２−フ
タロペリノン誘導体、キナクリドン、ルブレン、クマリ
ン、スチリル系色素等の有機蛍光体等が使用できる。ま
たそれらを発光層にドープすることもできる。
【００２３】電子注入輸送層としては、例えば前記トリ
ス（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体色
素、オキサジアゾール誘導体、ぺリレン誘導体、ピリジ
ン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フ
ルオロレン誘導体等が使用できる。
ス（８−キノリノラト）アルミニウム等の金属錯体色
素、オキサジアゾール誘導体、ぺリレン誘導体、ピリジ
ン誘導体、ピリミジン誘導体、キノリン誘導体、キノキ
サリン誘導体、ジフェニルキノン誘導体、ニトロ置換フ
ルオロレン誘導体等が使用できる。
【００２４】また陰極５としては例えばＬｉ、Ｎａ、Ｍ
ｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎあるいはこれらを２種類以上を含
む合金が使用できる。このようにして得られた有機ＥＬ
素子では、その無機材料層の抵抗率を測定したところ２
０Ω・ｃｍ〜１Ω・ｃｍであった。抵抗率は低い程良
く、特に２０Ω・ｃｍ以上の場合は駆動電圧が高くなる
ため、大きな電源電圧が必要となって消費電力が大きく
なったり、絶縁破壊に至ることもある。また電流値も減
少するため発光輝度が低下するものとなる。しかし本発
明ではこのような問題はない。
ｇ、Ａｌ、Ａｇ、Ｉｎあるいはこれらを２種類以上を含
む合金が使用できる。このようにして得られた有機ＥＬ
素子では、その無機材料層の抵抗率を測定したところ２
０Ω・ｃｍ〜１Ω・ｃｍであった。抵抗率は低い程良
く、特に２０Ω・ｃｍ以上の場合は駆動電圧が高くなる
ため、大きな電源電圧が必要となって消費電力が大きく
なったり、絶縁破壊に至ることもある。また電流値も減
少するため発光輝度が低下するものとなる。しかし本発
明ではこのような問題はない。
【００２５】また１０ｍＡ／ｃｍ2 の定電流駆動におい
て、初期輝度２７０ｃｄ／ｍ2 、電圧７Ｖ、輝度半減期
が５０００時間の有機ＥＬ素子を得た。この場合、従来
の有機ＥＬ素子の半減期が２５００時間であるのに比較
して、長寿命のものを得ることができ、また従来の無機
材料層を使用した有機ＥＬ素子の初期値が１００ｃｄ／
ｍ2 であるのに比べ、これまた輝度の明るい有機ＥＬ素
子を提供することができた。
て、初期輝度２７０ｃｄ／ｍ2 、電圧７Ｖ、輝度半減期
が５０００時間の有機ＥＬ素子を得た。この場合、従来
の有機ＥＬ素子の半減期が２５００時間であるのに比較
して、長寿命のものを得ることができ、また従来の無機
材料層を使用した有機ＥＬ素子の初期値が１００ｃｄ／
ｍ2 であるのに比べ、これまた輝度の明るい有機ＥＬ素
子を提供することができた。
【００２６】しかも無機材料層を使用したので、有機材
料層に比較してそのコストを大幅に抑えることが可能と
なった。さらにＩＴＯ膜上に直接発光層を形成すると両
者は密着性が良くなく、発光層の膜質も劣化しやすく、
ダークスポットやリークが発生し易い。しかし両者の間
にＩＴＯ＋Ｓｉ、Ｇｅ等の、つまりＩＴＯ、Ｉｎ
2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等の透明電極材料と無機半導
体の混合物からなる無機材料層を形成することにより、
ＩＴＯ膜等の電極層と発光層との間にダークスポットや
リークが発生することなく、ＩＴＯ等の電極層と発光層
の接続状態は良好なものとなる。しかも良好な透明状態
も保持することができる。また入手し易い材料で構成で
きる。
料層に比較してそのコストを大幅に抑えることが可能と
なった。さらにＩＴＯ膜上に直接発光層を形成すると両
者は密着性が良くなく、発光層の膜質も劣化しやすく、
ダークスポットやリークが発生し易い。しかし両者の間
にＩＴＯ＋Ｓｉ、Ｇｅ等の、つまりＩＴＯ、Ｉｎ
2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 、ＺｎＯ等の透明電極材料と無機半導
体の混合物からなる無機材料層を形成することにより、
ＩＴＯ膜等の電極層と発光層との間にダークスポットや
リークが発生することなく、ＩＴＯ等の電極層と発光層
の接続状態は良好なものとなる。しかも良好な透明状態
も保持することができる。また入手し易い材料で構成で
きる。
【００２７】ＳｉやＧｅにＢのような第３族元素やＰの
ような第５族元素を使用することによりさらに抵抗値を
低下することができる。また、Ｃ、Ｎ、Ｏを使用するこ
とにより膜質を安定することができる。従って、Ｂ、Ｐ
の少なくとも１つと、Ｃ、Ｎ、Ｏの少なくとも１つをそ
れぞれ添加すれば、抵抗値の低下した安定な膜質のもの
を提供することができる。
ような第５族元素を使用することによりさらに抵抗値を
低下することができる。また、Ｃ、Ｎ、Ｏを使用するこ
とにより膜質を安定することができる。従って、Ｂ、Ｐ
の少なくとも１つと、Ｃ、Ｎ、Ｏの少なくとも１つをそ
れぞれ添加すれば、抵抗値の低下した安定な膜質のもの
を提供することができる。
【００２８】
【発明の効果】本発明によれば無機材料層の抵抗値を２
０Ω・ｃｍ以下にしたので駆動電圧を高くすることな
く、発光輝度の良好な有機ＥＬ素子を得ることができ
た。
０Ω・ｃｍ以下にしたので駆動電圧を高くすることな
く、発光輝度の良好な有機ＥＬ素子を得ることができ
た。
【００２９】しかも、発光寿命の長い有機ＥＬ素子を得
ることができた。さらに無機材料層として、入手し易い
ものを使用して有機ＥＬ素子を構成することができるの
で、安価な有機ＥＬ素子を得ることができた。
ることができた。さらに無機材料層として、入手し易い
ものを使用して有機ＥＬ素子を構成することができるの
で、安価な有機ＥＬ素子を得ることができた。
【図１】本発明の実施の形態図である。
【図２】従来例説明図である。
【図３】ＩＴＯのＳｉ含有量と抵抗率特性図である。
１ ＩＴＯ基板 ２−０ ホール注入輸送層 ２−１ ホール注入層 ２−２ ホール輸送層 ３ 発光層 ４ 電子注入輸送層 ５ 陰極 ６ 電子注入輸送層兼発光層
Claims (3)
- 【請求項１】電極と発光層の間に、透明電極材料と無機
半導体の混合物からなる無機材料層を形成し、該無機材
料層の抵抗率が２０Ω・ｃｍ以下であることを特徴とす
る有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項２】前記透明電極材料は、ＩＴＯ、Ｉｎ
2 Ｏ3 、ＳｎＯ2 、ＺｎＯの少なくとも１つ又はこれら
の複数の混合物からなることを特徴とする請求項１記載
の有機エレクトロルミネセンス素子。 - 【請求項３】前記無機半導体は、Ｓｉ又はＧｅあるいは
Ｓｉ又はＧｅにＢ、Ｐ、Ｃ、Ｎ、Ｏのうち少なくとも１
つを添加したものであることを特徴とする請求項１記載
の有機エレクトロルミネセンス素子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06813996A JP3645642B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
| US08/823,420 US5981092A (en) | 1996-03-25 | 1997-03-25 | Organic El device |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP06813996A JP3645642B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260062A true JPH09260062A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3645642B2 JP3645642B2 (ja) | 2005-05-11 |
Family
ID=13365122
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP06813996A Expired - Fee Related JP3645642B2 (ja) | 1996-03-25 | 1996-03-25 | 有機エレクトロルミネセンス素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3645642B2 (ja) |
Cited By (72)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11297478A (ja) * | 1998-04-09 | 1999-10-29 | Idemitsu Kosan Co Ltd | 有機エレクトロルミネッセンス素子 |
| EP0967668A2 (en) * | 1998-06-26 | 1999-12-29 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
| EP0967669A2 (en) * | 1998-06-26 | 1999-12-29 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
| EP0975029A2 (en) * | 1998-07-24 | 2000-01-26 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
| EP1009045A2 (en) * | 1998-12-07 | 2000-06-14 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
| EP1009197A1 (en) * | 1998-05-08 | 2000-06-14 | Idemitsu Kosan Company Limited | Organic electroluminescence device |
| EP1017117A2 (en) * | 1998-12-29 | 2000-07-05 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
| EP1020939A2 (en) * | 1999-01-13 | 2000-07-19 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
| EP1022788A2 (en) * | 1999-01-21 | 2000-07-26 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
| EP1022789A2 (en) * | 1999-01-21 | 2000-07-26 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
| EP1024542A1 (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-02 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
| EP1030384A1 (en) * | 1999-01-27 | 2000-08-23 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
| EP1041654A1 (en) * | 1999-04-02 | 2000-10-04 | TDK Corporation | Organic electroluminescent device |
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