RU2563978C2 - Печатные платы - Google Patents

Печатные платы Download PDF

Info

Publication number
RU2563978C2
RU2563978C2 RU2009130670/07A RU2009130670A RU2563978C2 RU 2563978 C2 RU2563978 C2 RU 2563978C2 RU 2009130670/07 A RU2009130670/07 A RU 2009130670/07A RU 2009130670 A RU2009130670 A RU 2009130670A RU 2563978 C2 RU2563978 C2 RU 2563978C2
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
coating
printed circuit
circuit board
solder
polymer
Prior art date
Application number
RU2009130670/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2009130670A (ru
Inventor
Фрэнк ФЕРДИНАНДИ
Родни Эдвард СМИТ
Марк Робсон ХАМФРИЗ
Original Assignee
Семблант Лимитед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Семблант Лимитед filed Critical Семблант Лимитед
Publication of RU2009130670A publication Critical patent/RU2009130670A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2563978C2 publication Critical patent/RU2563978C2/ru

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L24/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L24/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K1/00—Printed circuits
    • H05K1/02—Details
    • H05K1/11—Printed elements for providing electric connections to or between printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/282—Applying non-metallic protective coatings for inhibiting the corrosion of the circuit, e.g. for preserving the solderability
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/285—Permanent coating compositions
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
    • H05K3/28—Applying non-metallic protective coatings
    • H05K3/288—Removal of non-metallic coatings, e.g. for repairing
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3489—Composition of fluxes; Methods of application thereof; Other methods of activating the contact surfaces
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3494—Heating methods for reflowing of solder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45117—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 400°C and less than 950°C
    • H01L2224/45124—Aluminium (Al) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45144—Gold (Au) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/45001—Core members of the connector
    • H01L2224/45099—Material
    • H01L2224/451—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/45138—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/45147—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/45686—Material with a principal constituent of the material being a non metallic, non metalloid inorganic material
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/44—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process
    • H01L2224/45—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors prior to the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/4554—Coating
    • H01L2224/45599—Material
    • H01L2224/4569—Material with a principal constituent of the material being a polymer, e.g. polyester, phenolic based polymer, epoxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48225—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
    • H01L2224/48227—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/481—Disposition
    • H01L2224/48151—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
    • H01L2224/48221—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
    • H01L2224/48245—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic
    • H01L2224/48247—Connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being metallic connecting the wire to a bond pad of the item
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48599—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au)
    • H01L2224/486—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48638—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Gold (Au) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48647—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48699—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al)
    • H01L2224/487—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48738—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Aluminium (Al) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48747—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L2224/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L2224/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H01L2224/485—Material
    • H01L2224/48505—Material at the bonding interface
    • H01L2224/48799—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu)
    • H01L2224/488—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/48838—Principal constituent of the connecting portion of the wire connector being Copper (Cu) with a principal constituent of the bonding area being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/48847—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/81009—Pre-treatment of the bump connector or the bonding area
    • H01L2224/81024—Applying flux to the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/8138—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/81395—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body having an external coating, e.g. protective bond-through coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
    • H01L2224/818—Bonding techniques
    • H01L2224/81801—Soldering or alloying
    • H01L2224/81815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/83009—Pre-treatment of the layer connector or the bonding area
    • H01L2224/83024—Applying flux to the bonding area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/832—Applying energy for connecting
    • H01L2224/83201—Compression bonding
    • H01L2224/83205—Ultrasonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/8338—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/83395—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body having an external coating, e.g. protective bond-through coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/83—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a layer connector
    • H01L2224/838—Bonding techniques
    • H01L2224/83801—Soldering or alloying
    • H01L2224/83815—Reflow soldering
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85203—Thermocompression bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/852—Applying energy for connecting
    • H01L2224/85201—Compression bonding
    • H01L2224/85205—Ultrasonic bonding
    • H01L2224/85207—Thermosonic bonding
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85395—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body having an external coating, e.g. protective bond-through coating
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
    • H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
    • H01L2224/85—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a wire connector
    • H01L2224/8538—Bonding interfaces outside the semiconductor or solid-state body
    • H01L2224/85399—Material
    • H01L2224/854—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof
    • H01L2224/85438—Material with a principal constituent of the material being a metal or a metalloid, e.g. boron (B), silicon (Si), germanium (Ge), arsenic (As), antimony (Sb), tellurium (Te) and polonium (Po), and alloys thereof the principal constituent melting at a temperature of greater than or equal to 950°C and less than 1550°C
    • H01L2224/85447—Copper (Cu) as principal constituent
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
    • H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/42—Wire connectors; Manufacturing methods related thereto
    • H01L24/47—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process
    • H01L24/48—Structure, shape, material or disposition of the wire connectors after the connecting process of an individual wire connector
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
    • H01L2924/00014—Technical content checked by a classifier the subject-matter covered by the group, the symbol of which is combined with the symbol of this group, being disclosed without further technical details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/12—Passive devices, e.g. 2 terminal devices
    • H01L2924/1204—Optical Diode
    • H01L2924/12042—LASER
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/11—Device type
    • H01L2924/14—Integrated circuits
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
    • H01L2924/15—Details of package parts other than the semiconductor or other solid state devices to be connected
    • H01L2924/181—Encapsulation
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/015—Fluoropolymer, e.g. polytetrafluoroethylene [PTFE]
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2201/00—Indexing scheme relating to printed circuits covered by H05K1/00
    • H05K2201/01—Dielectrics
    • H05K2201/0137—Materials
    • H05K2201/0179—Thin film deposited insulating layer, e.g. inorganic layer for printed capacitor
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/09—Treatments involving charged particles
    • H05K2203/092—Particle beam, e.g. using an electron beam or an ion beam
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/10—Using electric, magnetic and electromagnetic fields; Using laser light
    • H05K2203/107—Using laser light
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1333—Deposition techniques, e.g. coating
    • H05K2203/1338—Chemical vapour deposition
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1333—Deposition techniques, e.g. coating
    • H05K2203/1366—Spraying coating
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1333—Deposition techniques, e.g. coating
    • H05K2203/1372—Coating by using a liquid wave
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
    • H05K2203/13—Moulding and encapsulation; Deposition techniques; Protective layers
    • H05K2203/1377—Protective layers
    • H05K2203/1383—Temporary protective insulating layer
    • H—ELECTRICITY
    • H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/30—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor
    • H05K3/32—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits
    • H05K3/34—Assembling printed circuits with electric components, e.g. with resistor electrically connecting electric components or wires to printed circuits by soldering
    • H05K3/3457—Solder materials or compositions; Methods of application thereof
    • H05K3/3485—Applying solder paste, slurry or powder

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Electric Connection Of Electric Components To Printed Circuits (AREA)
  • Non-Metallic Protective Coatings For Printed Circuits (AREA)
  • Adhesives Or Adhesive Processes (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)

Abstract

Изобретение относится к изделиям, включающим печатные платы с нанесенным на них галогенуглеводородным полимерным покрытием. Технический результат - предотвращение окисления токопроводящих дорожек заготовки печатной платы и (или) иного повреждения под воздействием окружающей среды, например, коррозии. Достигается тем, что на поверхности печатной платы, на которой выполняют локализованное паяное соединение, расположено сплошное или несплошное покрытие из композиции, включающей более одного фторуглеводородного полимера, с толщиной слоя от 1 нм до 10 мкм. 3 н. и 2 з.п. ф-лы, 15 ил.

Description

ПЕЧАТНЫЕ ПЛАТЫ
Настоящее изобретение относится к изделиям, таким как изделия, включающие печатные платы с нанесенным на них галогенуглеводородным полимерным покрытием.
Печатные платы (ПП) используют в электронной промышленности с целью обеспечения механической опоры и электрического соединения электрических и электронных элементов. Печатная плата включает плату или иную подложку, выполненную из изоляционного материала, на котором нанесены токопроводящие дорожки, обычно выполненные из меди. Указанные токопроводящие дорожки выполняют функцию проводов между электрическими элементами, которые на более поздней стадии присоединяют к плате, например, путем пайки. Значительную часть печатных плат изготавливают путем осаждения или иного способа адгезирования слоя меди к плате-подложке, с последующим удалением лишнего количества меди путем химического травления, в результате чего получают медные межсоединения требуемой конфигурации. На этом этапе заготовки печатных плат могут нередко находиться на хранении в течение различных периодов времени, возможно, до нескольких месяцев прежде, чем к печатным платам будут присоединены методом пайки электронные элементы.
Токопроводящие дорожки на печатной плате могут быть выполнены из любого токопроводящего материала. Предпочтительным материалом для токопроводящих дорожек является медь. Медь является предпочтительным материалом для токопроводящих дорожек в основном ввиду своей высокой электропроводности, но, к сожалению, медь легко подвергается окислению на воздухе, в результате чего образуется слой оксида меди, или оксидной пленки на поверхности металла. Указанное окисление является исключительно заметным в случае истечения длительного периода времени между производством заготовки печатной платы и монтажом электрических элементов. Элементы монтируют путем пайки, однако наличие оксидного слоя на медных токопроводящих дорожках может привести к снижению эффективности пайки. В частности, могут возникнуть сухие соединения (непролай), которые имеют тенденцию к отказу во время работы устройства, и слабые соединения с низкой механической прочностью. В ряде случаев соединение вообще не создает электрический контакт. Аналогичные проблемы возникают в том случае, когда токопроводящие дорожки включают иные токопроводящие материалы за исключением меди.
С целью устранения указанных проблем производители печатных плат наносят ряд покрытий, или защитных покрытий на участки, на которых предусматривается проведение пайки. Нередко используют такие металлы, как олово, серебро или сочетание металлов никель-золото. Все без исключения технологические процессы нанесения указанных защитных покрытий являются трудоемкими, при этом требуется использование дополнительного количества металлов, которые в последующем создают угрозу для окружающей среды. Существует возможность нанесения вреда здоровью людей в результате осуществления ряда технологических процессов и использования материалов. Кроме того, некоторые из используемых металлов, таких как золото, являются дорогостоящими. Аналогичный способ предусматривает нанесение покрытий на токопроводящие дорожки, включающих такие органические соединения как бензимидазолы и частицы смачиваемых припоем металлов или припоя (см., например, WO 97/39610), тем самым предотвращая воздействие окислительных условий на токолроводящие дорожки. В процессе пайки органический слой просто удаляют. Обычно указанные органические покрытия не выдерживают многократных циклов нагрева и имеют относительно короткий срок годности до обработки.
Очевидно, что способы, применяемые производителями до настоящего времени, являются дорогостоящими либо трудоемкими (включающими дополнительные стадии в технологическом процессе), либо и то и другое, либо ведут к истощению невозобновляемых ресурсов, включая драгоценные металлы. Существует необходимость в более дешевом и (или) более эффективном способе предотвращения окисления токопроводящих дорожек до монтажа электрических элементов путем пайки.
Отдельная проблема заключается в том, что печатные платы нередко используют в устройствах, эксплуатируемых в исключительно неблагоприятных условиях и коррозионных средах. В таких условиях токопроводящие дорожки на печатных платах могут подвергаться коррозии, существенно сокращающей срок эксплуатации печатных плат по сравнению со стандартным сроком службы. Такие условия могут возникнуть, например, при использовании устройств в исключительно влажной среде, в которой, в частности, микроскопические капли воды, содержащие такие растворенные газы, как двуокись серы, сероводород, двуокись азота, хлористый водород, хлор, и водяные пары образуют коррозионный раствор. Кроме того, капли влаги могут образовывать тонкую пленку или коррозионные отложения между токопроводящими дорожками на печатных платах, которые могут потенциально вызвать короткое замыкание. В тех случаях, когда производители печатных плат предусматривают создание устройств, используемых в неблагоприятных условиях, они обычно покрывают смонтированные печатные платы однородным покрытием полимера, образующим защитный слой, обеспечивающий защиту от воздействия окружающей среды. Тем не менее, такие покрытия являются дорогостоящими в технологическом плане их нанесения, и для их создания требуются дополнительные этапы в производственном процессе для нанесения покрытия после монтажа печатной платы и в целом дополнительный этап для его последующего удаления. Это также может создать проблемы при переработке поврежденных или вышедших из строя печатных плат, либо в процессе испытания с целью определения их характеристик и выявления неисправностей. Для производителей печатных плат представляет огромный интерес создание более дешевого и (или) более эффективного способа защиты смонтированных печатных плат с экологической точки зрения.
Дополнительная проблема, которая может возникнуть после припаивания электронных элементов к печатной плате, заключается в образовании дендритов металлических соединений на паяном соединении. Указанные дендриты могут вызвать сбой смонтированной печатной платы, обусловленный коротким замыканием между контактами. Дендриты представляют собой исключительно мелкие металлические выросты вдоль поверхности, образовавшиеся в результате электромиграции и создающие папоротниковидные структуры. В противоположность «оловянным усам» механизм роста дендритов хорошо изучен, и для их возникновения требуется наличие влаги, создающей металлические ионы, которые далее перераспределяются путем электромиграции в присутствии электромагнитного поля. Покрытие в соответствии с настоящим изобретением обеспечивает защиты против образования дендритов, не позволяя влаги достигнуть поверхности печатной платы, на которой обычно происходит рост дендритов. Покрытие обеспечивает дополнительную защиту, т.к. материалы дендритов характеризуются низкой адгезией к покрытию поверхности, в результате чего снижается образование дендритов между контактами и элементами.
Настоящее изобретение предусматривает создание печатной платы, на которой выполняют локализованное паяное соединение, при этом на поверхность печатной платы нанесено покрытие, композиция которого включает один или несколько галогенуглеводородных полимеров, состоящее из одного или нескольких слоев с толщиной от монослоя (обычно несколько ангстремов (Å)) до 10 мкм, в которых отсутствует припой, или в основном отсутствует припой между указанной композицией покрытия и токопроводящими дорожками печатной платы. Под полимером понимаются полимеры, образованные на месте из одного или нескольких мономеров, линейных, разветвленных, привитых или сшитых сополимеров, олигомеров, мультиполимеров, мультимономерных полимеров, полимерных смесей, привитых сополимеров, смесей и сплавов полимеров, а также взаимопроникающих полимерных сеток (IPNs).
Толщина покрытия обычно составляет от 1 нм до 2 мкм, более предпочтительно от 1 нм до 500 нм, еще более предпочтительно от 3 нм до 500 нм, еще более предпочтительно от 10 нм до 500 нм и наиболее предпочтительно от 10 нм до 250 нм. Толщина покрытия предпочтительно составляет от 10 нм до 100 нм при различных градиентах, при этом толщина 100 нм является предпочтительной. В другом примере осуществления изобретения толщина покрытия составляет 10 нм - 30 нм. Например, если требуется исключительно высокая стойкость к климатическому воздействию (высокая коррозионная стойкость и износостойкость), можно использовать покрытие большей толщины. Кроме того, толщина покрытия может быть оптимизирована путем создания различной толщины на различных участках на печатной плате в зависимости от того, какие характеристики оптимизируются (например, экологическая защита против электропроводности вдоль оси Z). Толщина покрытия и композиция флюса могут варьироваться с целью оптимизации характеристик защиты от неблагоприятных воздействий окружающей среды и обеспечения исключительно прочных паяных соединений.
Галогенуглеводородное покрытие может быть сплошным, в основным сплошным (в частности, на паяемых поверхностях и непаяемых поверхностях между ними или граничащими с ними и, в частности, в основном на всех открытых или уязвимых поверхностях печатной платы), либо несплошным. Для создания исключительно высокого уровня защиты воздействия от окружающей среды может потребоваться в основном сплошное покрытие. Тем не менее, несплошное покрытие может быть достаточным для других целей.
Под галогенуглеводородным полимером понимается полимер с прямой или разветвленной цепью, либо кольцевой углеродной структурой с 0, 1, 2 или 3 атомами галогена, связанным с каждым атомом углерода в структуре. Атомы галогена могут представлять собой одни и те же галогены (например, фтор) или смесь галогенов (например, фтор и хлор). Термин «галогенуглеводородный полимер» в соответствии со значением, используемым в настоящем контексте, включает полимеры, содержащие одну или несколько ненасыщенных групп, таких как двойные и тройные связи углерод-углерод, и полимер, содержащий один или несколько гетероатомов (атомы, не являющиеся С, Н или галогеном), например, N, S или О. Тем не менее, предпочтительно, чтобы полимер не содержал в основном ненасыщения (так как ненасыщение нередко приводит к снижению устойчивости) и в основном не содержал таких гетероатомов. Предпочтительно, чтобы полимер содержал менее 5% гетероатомов в процентном отношении к общему количеству атомов в полимере. Предпочтительно, чтобы полимер содержал менее 5% двойных или тройных связей углерод-углерод в процентном отношении к общему количеству связей углерод-углерод. Предпочтительно, чтобы молекулярный вес полимера составлял более 1000 атомных единиц массы.
Полимерные цепи могут быть прямыми или разветвленными, и между полимерными цепями могут образовываться поперечные связи. Галоген может представлять собой фтор, хлор, бром или йод. Предпочтительно, чтобы полимер представлял собой фторуглеводородный полимер, хлоруглеводородный полимер или фторхлоруглеводородный полимер, в котором 0, 1, 2 или 3 атома фтора или хлора связаны в цепи с каждым атомом углерода.
Примеры предпочтительных примеров осуществления изобретения включают:
- ПТФЭ, материалы типа ПТФЭ, фторированные углеводороды, хлорированные фторированные углеводороды, галогенированные углеводороды, галогенуглеводороды или сополимеры, олигомеры, мультиполимеры, мультимономерные полимеры, полимерные смеси, смеси, сплавы, привитые сополимеры с разветвленной цепью, сшитые варианты указанных материалов, а также взаимопроникающие полимерные сетки (ВПС).
ПХТФЭ (полихлортрифторэтилен) и сополимеры, олигомеры, мультиполимеры, мультимономерные полимеры, полимерные смеси, смеси, сплавы, привитые сополимеры с разветвленной цепью, сшитые варианты указанных материалов, а также взаимопроникающие полимерные сетки (ВПС).
- ЭПХТФЭ (сополимер этилена и полихлортрифторэтилена) и сополимеры, олигомеры, мультиполимеры, мультимономерные полимеры, полимерные смеси, смеси, сплавы, привитые сополимеры с разветвленной цепью, сшитые варианты указанных материалов, а также взаимопроникающие полимерные сетки (ВПС).
- Иные фторопласты, в том числе указанные ниже материалы и сополимеры, олигомеры, мультиполимеры, мультимономерные полимеры, полимерные смеси, смеси, сплавы, привитые сополимеры с разветвленной цепью, сшитые варианты указанных материалов, а также взаимопроникающие полимерные сетки (ВПС): ЭТФЭ (сополимер этилена и тетрафторэтилена), ФЭП (сополимер тетрафторэтилена и гексафторпропилена), ПФА (сополимер тетрафторэтилена и перфторвинил-эфира), ПВДФ (полимер винилденфторида), ТФЭ (сополимер тетрафторэтилена, гексафторпропилена и винилденфторида), ПВДФГФП (сополимер винилденфторида и гексафторпропилена), МФ(А)Э (сополимер тетрафторэтилена и перфторметилвинил-эфира), ЭФЭП (сополимер этилена, тетрафторэтилена и гексафторпропилена), ГТЭ (сополимер гексафторпропилена, тетрафторэтилена и этилена) и сополимер винилденфторида и хлортрифторэтилена и иные фторопласты.
Наиболее предпочтительно, чтобы полимер представлял собой материал типа политетрафторэтилена (ПТФЭ) и, в частности, политетрафторэтилен. (ПТФЭ).
За счет использования покрытия, в котором галогенуглеводород является высокоразветвленным полимером, сополимером, полимерной комбинацией или полимерной смесью, может быть достигнута более низкая степень смачиваемости.
Желательно, чтобы композиция покрытия обладала любым одним или несколькими, предпочтительно всеми нижеприведенными свойствами:
возможность осаждения в виде сплошных пленок, отсутствие трещин, отверстий или дефектов: относительно низкая газовая проницаемость, что обеспечивает достаточную защиту против проникновения газа и против газовой коррозии и окисления «через» покрытие; возможность селективного проведения пайки через покрытие без необходимости его предварительного удаления и создание качественных паяных соединений по сравнению с другими имеющимися в настоящее время защитными покрытиями; возможность выдерживания многократных циклов нагрева; химическая стойкость к коррозионным газам, жидкостям и растворам солей, в частности, к загрязняющим окружающую среду веществам; низкая поверхностная энергия и «смачиваемость»; устойчивость и инертность при нормальной температуры печатной платы; высокие механические свойства, в том числе прочная адгезия к материалам печатной платы и высокая прочность к механическому истиранию: повышенная электростатическая защита, относительно низкая проницаемость жидкостей и растворов солей во избежание жидкостной коррозии «через» покрытие; и в целом не наносить ущерба окружающей среде при ее изготовлении по сравнению с другими существующими технологическими процессами, предназначенными для этой цели.
Настоящее изобретение также предусматривает создание иных электрических и (или) электронных устройств либо иных изделий (таких как трубы или иные сантехнические устройства), на которых выполняются паяные соединения и на которые нанесено такое покрытие. Например, настоящее изобретение могло бы быть использовано для нанесения покрытия на оголенные провода (в частности, медные провода), используемые при способах проволочного монтажа. Способ проволочного монтажа представляет собой способ создания межсоединений между интегральной схемой в приборе/кристалле в бескорпусном исполнении и рамкой с выводами внутри интегральной схемы или между прибором/кристаллом в бескорпусном исполнении и печатной платой. В качестве проволоки традиционно использовали золотую или алюминиевую проволоку, но в последнее время особый интерес представляет использование медной проволоки ввиду ряда причин, в том числе ввиду существенного различия стоимости по сравнению с золотой проволокой. При способе проволочного монтажа обычно используют два способа соединений, а именно: термокомпрессионную сварку клинообразным инструментом и термокомпрессионную сварку шариком, при этом при проведении каждого вида сварки используют различное сочетание температуры, давления и ультразвуковой энергии для создания сварки на одном или обоих концах проволоки. С целью достижения прочного соединения сваркой как проволока, так и контактная площадка не должны содержать загрязняющих веществ, в том числе окисных пленок. Стандартной практикой является нанесение золотого защитного покрытия на контактную площадку с целью предотвращения окисления. Покрытие в соответствии с настоящим изобретением на медной контактной площадке также обеспечивает создание неоксидированной поверхности, в результате чего обеспечивается монтаж проволочных межсоединений с применением золотой, алюминиевой или медной проволоки, либо путем термокомпрессионной сварки клинообразным инструментом, либо и термокомпрессионной сварки шариком, однако при существенно более низких затратах по сравнению с нанесением стандартного золотого защитного покрытия на контактную площадку. При использовании медного провода также является эффективным нанесение галогенуглеводородного покрытия на проволоку с целью предотвращения окисления после изготовления проволоки и до ее хранения. Кроме того, галогенуглеводородное покрытие обеспечивает дополнительную защиту от окисления в процессе присоединения сваркой. В другом примере осуществления настоящего изобретения на электроды электронных элементов может быть нанесено покрытие. Полимерное покрытие предпочтительно обеспечивает эффективную защиту от проникновения атмосферных газов и жидкостей, и, что наиболее существенно - кислорода, который обычно реагирует с токопроводящими дорожками, обычно медными токопроводящими дорожками и образует слой оксидной пленки, обычно оксида меди на поверхности токопроводящих дорожек. В результате этого обеспечивается хранение печатной платы с нанесенным покрытием в течение длительного периода времени (до нескольких месяцев или лет), при этом не происходит повреждающего окисления токопроводящих дорожек. Для исследования характера, сплошности и толщины покрытия было использовано формирование изображений методом оптической микроскопии, сканирующей электронной микроскопии и обратного рассеяния электронов. Был использован анализ методом энергетической дисперсии путем проведения рентгеноскопии с целью картографирования уровней и распределения галогенов в покрытии. Измерения активации поверхности и смачиваемости поверхности с использованием растворов химических растворителей указывают на возможность функционирования покрытия в качестве защитного покрытия.
Если производитель готов к монтажу элементов на заготовке печатной платы, то отсутствует необходимость в очистке печатной платы или в удалении слоя покрытия до начала пайки. Это связано с тем, что используемый галогенуглеводородный полимер обеспечивает создание покрытия, имеющего необычные свойства, позволяющие производить пайку через покрытие и формировать паяное соединение между токопроводящей дорожкой на печатной плате и электрическим элементом. При использовании такого метода пайки обычно необходимо применять флюс. В крайних случаях мог бы быть использован процесс пайки с нагревом для селективного «удаления» покрытия, например, лазерная пайка. В качестве дополнительных альтернативных способов можно использовать сварку, лазерно-стимулированную сварку, ультразвуковую сварку или токопроводящие адгезивы. Дополнительным возможным способом является способ пайки волной припоя, в данном случае для указанного способа может потребоваться селективное флюсование. Используемый припой может представлять собой свинцовый или бессвинцовый припой. В целом не происходит снижения прочности паяного соединения, как могло бы ожидаться, и в некоторых случаях прочность паяного соединения может быть выше по сравнению с прочностью стандартного паяного соединения. Кроме того, в определенных случаях настоящее изобретение позволяет предотвратить образование дендритов на паяных соединениях, в частности, при использовании в бессвинцового припоя.
Таким образом, настоящее изобретение предусматривает создание альтернативного способа нанесения защитных покрытий из металлов (таких как олово, серебро, никель и золото) на токопроводящие дорожки печатных плат с целью предотвращения окисления токопроводящих дорожек до проведения пайки. Настоящее изобретение обладает преимуществом в том, что оно основано на недорогостоящем процессе, оно не предусматривает использования токсических металлов, таких как никель, оно является экологически безвредным и характеризуется более высокой безопасностью по сравнению с существующими промышленными технологиями электроосаждения металлов. Настоящее изобретение также упрощает процесс изготовления печатных плат и совместимо с существующими промышленными технологиями пайки. Кроме того, оно обладает дополнительным преимуществом, обеспечивающим «проведение пайки через покрытие», благодаря чему исключается необходимость удаления покрытия до процесса пайки.
Дополнительная особенность покрытия из галогенуглеводородного полимера заключается в том, что оно удаляется только на участках, на которые наносят припой и (или) флюс. Таким образом, на участках печатной платы, на которых элементы не присоединяют путем селективной пайки, покрытие не удаляется, тем самым обеспечивая сохранение защитного слоя по поверхности печатной платы и токопроводящих дорожек и создание защиты против коррозии, вызываемой атмосферными газами, такими как двуокись серы, сероводород, двуокись азота, хлористый водород, хлор и водяные пары, и иные коррозионные материалы, в результате чего предотвращается коррозия загрязнителями окружающей среды. Покрытие из галогенуглеводородного полимера также в основном является непроницаемым для жидкостей или коррозионных жидкостей. Следовательно, существует возможность поэтапного монтажа элементов на печатной плате, при этом этапы может разделять существенный период времени - это может создать ряд преимуществ для производителя. Указанное покрытие не разрушается в процессе пайки за исключением участков, на которых производится пайка. Таким образом, на участках, на которых не была проведена пайка, печатную плату можно переработать и (или) доделать путем пайки на более позднем этапе. Кроме того, после завершения монтажа печатной платы непаяные участки печатной платы остаются покрытыми галогенуглеводородным полимером, образующим постоянную защиту против коррозии, вызываемой окружающей средой. Исключается необходимость в проведении дополнительных дорогостоящих этапов нанесения покрытия, такого как однородное покрытие.
Токопроводящие дорожки на печатной плате могут включать любой токопроводящий материал. Материалы, из которых могут быть выполнены токопроводящие дорожки, включают металлы, такие как медь, серебро, алюминий или олово, либо токопроводящие полимеры или токопроводящие пасты. Предпочтительным материалом для изготовления токопроводящих дорожек является медь. Токопроводящие полимеры имеют свойство абсорбировать воду и набухать, и, таким образом, нанесение покрытия на токопроводящие полимеры из галогенуглеводородного полимера позволяет предотвратить поглощение воды.
Еще одна особенность печатной платы с нанесенным покрытием в соответствии с настоящим изобретением заключается в том, что полное сопротивление по вертикальной оси (ось z) является исключительно низким по сравнению с полным сопротивлением по продольной оси (ось х) и поперечной оси (ось у). Под осью z понимается ось, опускающаяся на плоскость печатной платы.
Покрытие проявляет высокое полное сопротивление вдоль оси х и оси у, тем самым демонстрируя хорошие изоляционные свойства. Тем не менее, полное сопротивление является относительно низким по оси z. Благодаря этому обеспечивается выполнение электрического контакта через покрытие, не удаляя его. Это создает большие преимущества при создании таких устройств как клавишные панели, контакты переключателей, контрольные точки и т.д. Указанные характеристики могут быть дополнительно оптимизированы путем регулирования свойств покрытия, например, путем регулирования толщины слоя, его композиции и технологических режимов в процессе нанесения покрытия и характера процесса нанесения покрытия.
В целом, настоящее изобретение предотвращает окисление токопроводящих дорожек заготовки печатной платы и (или) иное повреждение под воздействием окружающей среды, например, модулирование термической стойкости, стойкости к царапанию, коррозии и химическому воздействию и создание высокоэффективной защиты токопроводящих дорожек заготовки печатной платы, и обеспечивает защиту смонтированной печатной платы от воздействия окружающей среды с помощью одного первоначального этапа нанесения покрытия из галогенуглеводородного полимера на заготовку печатной платы.
Изобретение также предусматривает создание способа для защиты печатной платы, включающей создание заготовки печатной платы, имеющей поверхность, подверженную воздействию окружающей среды, при этом на указанной поверхности, подверженной воздействию окружающей среды, отсутствует припой или в основном отсутствует припой, и нанесение на эту поверхность монослоя композиции, содержащей галогенуглеводородный полимер, толщиной (обычно составляющей несколько ангстремов) (Å)) до 10 мкм, с помощью методов освоения тонких пленок, таких как плазменное осаждение, химическое осаждение из паровой фазы, молекулярно-пучковой эпитаксии, создания взаимопроникающих полимерных сеток, поверхностной абсорбции монослоев полимеров мономеров с целью формирования на месте полимеров, полимерных сплавов, либо с помощью напыления. Альтернативными способами осаждения являются плазмостимулированное химическое осаждение из паровой фазы, плазменное осаждение под высоким/атмосферным давлением, химическое осаждение из паровой фазы металлоорганических соединений и лазер-стимулированное химическое осаждение из паровой фазы. Способы нанесения жидкого покрытия, такие как погружение в жидкость, нанесение покрытий путем распыления, нанесение покрытия центрифугированием и (или) золь-гелевые методы нанесения пленок являются дополнительными альтернативными способами.
Предпочтительный способ может зависеть от толщины требуемого покрытия. Способы нанесения жидкого покрытия могут быть предпочтительными для формирования покрытий большей толщины, в то время как способы плазменного осаждения могут быть предпочтительными для формирования покрытий меньшей толщины. Толщина покрытия обычно составляет от 1 нм до 2 мкм, более предпочтительно от 1 нм до 500 нм, еще более предпочтительно от 3 нм до 500 нм, еще более предпочтительно от 10 нм до 500 нм и наиболее предпочтительно от 10 нм до 250 нм. Толщина покрытия предпочтительно составляет от 10 нм до 100 нм, при этом толщина 100 нм является предпочтительной. Галогенуглеводородный полимер предпочтительно представляет собой фторуглеводородный полимер, хлоруглеводородный полимер или фторхлоруглеводородный полимер, которые также могут содержать микропигменты и небольшое количество иных эксплуатационных добавок (что является широко распространенной практикой в полимерной промышленности) и могут представлять собой, например, материалы типа политетрафторэтилен (ПТФЭ). Предпочтительным способом нанесения галогенуглеводородного полимера на заготовку печатной платы является способ плазменного осаждения, хотя также могут быть применимы все иные вышеперечисленные способы.
Технологии плазменного осаждения широко используют для осаждения покрытий в различных областях промышленного применения. Указанный способ является эффективным для осаждения сплошных покрытий из тонких пленок с помощью сухой и экологически безвредной технологии. Покрытия наносят на печатные платы в вакуумной камере, в которой создается газовая плазма, содержащая ионизированные газовые ионы, электроны, атомы и нейтральные частицы. При использовании указанного способа печатную плату помещают в вакуумную камеру, в которой сначала создают вакуум при давлении, находящемся обычно в интервале от 10-3 до 10 мбар. Затем в вакуумную камеру подают газ для генерирования стабильной газовой плазмы и далее вводят в плазму одно или несколько соединений-предшественников в виде либо газа, либо жидкости для осуществления процесса осаждения.
Соединения-предшественники обычно представляют собой содержащие галогены углеводородные материалы, которые выбирают с целью достижения требуемых свойств покрытия. При введении в газовую плазму соединения-предшественники также ионизируются (разлагаются) и образуют спектр активных частиц, реагирующих на поверхности печатной платы, обычно путем полимеризации, в результате чего образуется тонкое галогенуглеводородное покрытие. Предпочтительными соединениями-предшественниками являются перфторалканы, перфторалкены, перфторалкины, фторалканы, фторалкены, фторалкины, фторхлоралканы, фторхлоралкены, фторхлоралкины или иные фторированные и (или) хлорированные органические материалы (такие как фторуглеводороды, фторуглероды, хлорфторуглеводороды и хлорфторуглероды).
В другом аспекте изобретения покрытие на токопроводящей дорожке печатной платы может включать исключительно тонкий слой (например, 5 нм или менее) металлогалоида (предпочтительно фториды металлов, например, фторид меди), непосредственно контактирующий с металлической поверхностью. В одном примере осуществления настоящего изобретения слой металлогалоида может представлять собой монослой или в основном монослой или несколько монослоев, либо включать металлогалоидную зону слоев на поверхности. Такой металлогалоидный слой может быть исключительно прочным и инертным и предотвращать образование оксидных слоев и иных окислов, препятствующих эффективному процессу пайки. Металлогалоидный слой может быть сформирован в том случае, когда активные частицы в газовой плазме реагируют с металлической поверхностью, либо может быть стимулирован с помощью более высокой концентрации частиц фтора. Далее может быть осажден галогенуглеводородный слой в сочетании с металлогалоидным слоем. Два слоя могут быть дискретными в аксиальном и пространственном плане, либо в альтернативном случае может быть создан ступенчатый переход от металлогалоида к галогенуглеводороду. В этом случае металлогалоидный слой защищает металл от окисления, в то время как галогенуглеводородный слой обеспечивает защиту от коррозионных газов и (или) жидкостей окружающей среды, а также защиту от окисления. Кроме того, при износе покрытия, в конечном счете, ввиду механического истирания, нижележащий слой их фторида металла будет препятствовать дальнейшему окислению, обеспечивая тем самым выполнение контакта. Характер и композиция покрытия, сформированного методом плазменного осаждения, зависят от ряда условий, а именно: выбранного плазменного газа; используемого соединения предшественника; давления плазмы; длительности нанесения покрытия: мощности плазмы; конструкции и расположения электродов в камере; подготовки устанавливаемой в камере печатной платы; и размера и геометрии камеры. Обычно технологию плазменного осаждения можно использовать для осаждения тонких пленок толщиной от монослоя (обычно несколько ангстремов (Å)) до 10 микрон (предпочтительно до 5 микрон) в зависимости от вышеприведенных установок и режимов. Плазменная технология как таковая воздействует только на верхнюю поверхность печатной платы и обычно полностью совместима с печатной платой, не повреждая ее и не вызывая иных нежелательных воздействий. Преимущество технологий нанесения плазменных покрытий заключается в том, что осажденное покрытие покрывает все поверхности печатной платы и, таким образом, также будут покрыты вертикальные поверхности, такие как поверхности, доступ к которым обеспечивается только через отверстия в печатной плате, и любые нависающие края. Если на определенный участок печатной платы не предусматривается наносить полимерное покрытие, например, золотые контакты на кромке печатной платы, то в этом случае указанные участки могут быть маскированы при проведении плазменного осаждения.
В одном варианте плазменной технологии существует возможность использования плазменного способа для очистки in situ поверхности печатной платы до плазменного осаждения с использованием активной газовой плазмы. В этом варианте активную газовую плазму используют обычно в той же самой камере для очистки печатной платы до введения соединения-предшественника для проведения этапа плазменного осаждения. Активная газовая плазма основана на стабильном газе, таком как водород, кислород, азот, аргон, метан, этан, иные углеводороды, тетрафторметан (CF4), гексафторэтан (C2F6), тетрахлорметан (ССЦ), иные фторированные или хлорированные углеводороды, иные редкие газы или их смеси. В одном конкретном примере осуществления в соответствии с настоящим изобретением печатную плату можно было бы очистить тем же самым материалом, который предусматривается осадить на нее в качестве покрытия. Например, фторированные или хлорированные углеводороды, такие как тетрафторметан (CF4) или гексафторэтан (C2F6) или гексафторпропилен (С3F6) или октафторпропан (C3Fs) могли бы быть использованы в плазменном методе как для очистки поверхности печатной платы, так и для осаждения слоя галогенуглеводородного полимеры и (или) слоя фторида (или хлорида) металла.
Изобретение также предусматривает создание способа для выполнения соединения с печатной платой, покрытой композицией, включающей галогенуглеводородный полимер, при этом способ включает нанесение припоя и флюса на печатную плату при такой температуре и в течение такого времени, чтобы обеспечивалось соединение припоя с металлом и локальное местное рассеяние и (или) абсорбирование и (или) испарение и (или) растворение и (или) реагирование композиции. Только флюс и повышенная температура в основном воздействуют на галогенуглеводородный полимер для местного удаления покрытия с участка печатной платы, на который нанесен флюс. Температура обычно составляет 200°С-300°С, предпочтительно 240°С-280°С и наиболее предпочтительно 260°С. В одном примере осуществления настоящего изобретения галогенуглеводородный полимер может быть растворен и (или) поглощен флюсом. Было обнаружено, что нередко существует баланс между требуемой температурой и кислотностью или иной агрессивностью флюса. Таким образом, более мягкий флюс может быть достаточным при более высоких температурах и наоборот. В другом примере осуществления настоящего изобретения можно воспользоваться преимуществом эффекта самофлюсования фторида меди на медной поверхности и преимуществом любого разложения полимерного покрытия с высвобождением фтора и (или) фтористого водорода для запуска процесса флюсования (самофлюсования). Наконец, было обнаружено, что в некоторых случаях изобретение позволяет исключить флюс при достаточно высокой температуре и, таким образом, может быть использован локализованный нагрев. Следует отметить, что композиция в основном удаляется только на конкретном участке, на который нанесен припой и (или) флюс и, таким образом, композиция остается присоединенной к поверхности печатной платы вплоть до момента выполнения паяного соединения. Благодаря этому обеспечивается защита токопроводящих дорожек печатной платы от воздействия окружающей среды вплоть до выполнения паяного соединения.
Используемый в настоящем изобретении флюс может представлять собой смолу/канифольный флюс, органический флюс, неорганический флюс, флюс, не содержащий галоидных соединений, флюс, не требующий очистки после проведения пайки, безотходный флюс или флюс с низким содержанием твердых частиц. Например, смола/канифольный флюс могли бы представлять собой синтетическую смолу или природную канифоль. Органический флюс мог бы представлять собой, например, органическую кислоту, такую как оксипропионовая кислота или акриловые кислоты; органическую соль, такую как хлорид диметиламмония (DMA HCI); или органический амин, такой как мочевина. Неорганический флюс мог бы представлять собой, например, неорганическую соль, такую как хлорид цинка, хлорид натрия, хлорид калий или фторид натрия; или неорганическую кислоту, такой как соляная кислота или азотная кислота. Примером флюса, не требующего очистки после проведения пайки, является канифольный флюс. Другие типы флюсов, более широко используемые в промышленности, например, для обычной пайки, пайки твердым припоем и сварки, либо для очистки или травления металлических поверхностей (например, тетраборат натрия) также могли бы быть использованы в настоящем изобретении. Флюс, используемый в настоящем способе, обычно представляет собой мягкий флюс, такой как флюс, не требующий проведения последующего этапа очистки печатной платы после пайки. Как вариант, флюс может быть частью паяльной пасты. Выбор флюса может зависеть от характера покрытия, в частности, от толщины и композиции покрытия. Для создания резистивного покрытия большей толщины может потребоваться более агрессивный флюс. Композиция, содержащая активный компонент или компоненты флюса, удаляющие галогенуглеводородную композицию с печатной платы, также могли бы быть использованы вместо флюса в настоящем изобретении.
Кроме того, настоящее изобретение предусматривает использование композиции, содержащей галогенуглеводородный полимер для защиты печатной платы от воздействия окружающей среды, на которой выполняют паяное соединение через композицию без ее предварительного удаления путем рассеяния и (или) абсорбции и (или) испарения композиции выборочно в присутствии флюса.
Окружающая среда может содержать газообразные вещества, такие как двуокись серы, сероводород, двуокись азота, хлористый водород, озон или водяные пары или жидкости, такие как вода, т.е. вода, в которой растворены вышеуказанные коррозионные газы, растворы солей или иные утечки. Такие газы обычно присутствуют в сильно загрязненной окружающей среде, например, в городах, сталкивающихся с проблемами загрязнения атмосферного воздуха. Одним конкретным вредным фактором окружающей среды, от которого защищает печатные платы настоящее изобретение, является атмосферная влага, в которой растворены один или несколько вышеперечисленных коррозионных газов. Было обнаружено, что настоящее изобретение также позволяет защитить печатные платы от таких неблагоприятных условий окружающей среды.
Изобретение также предусматривает использование композиции, содержащей галогенуглеводородный полимер для обеспечения долгосрочной устойчивости при хранении заготовок печатных плат, на которых предусматривается выполнение паяных соединений. Как было указано выше, токопроводящие дорожки на печатных платах имеют свойство подвергаться окислению при воздействии атмосферы. Реакции окисления обычно приводят к образованию окислов металлов при протекании реакции с атмосферным окислением, но они также включают другие реакции окисления, например, в которых медь окисляется, например, до Сu+ или Сu2+. Композиция настоящего изобретения препятствует протеканию указанных реакций окисления, в результате чего заготовки печатных плат могут храниться в течение длительного периода времени без окисления токопроводящих дорожек. Таким образом, после длительного хранения обеспечивается выполнение качественных паяных соединений на печатной плате с использованием стандартных технологий пайки, предпочтительно в присутствии флюса и без каких-либо этапов предварительной очистки печатных плат.
Изобретение также предусматривает использование композиции, содержащей галогенуглеводородный полимер с целью предотвращения окисления и (или) коррозии токопроводящих дорожек заготовки печатной платы до нанесения припоя на токопроводящие дорожки и (или) до формирования паяных соединений.
Описание чертежей
Фиг.1 - профиль пайки печи для пайки волной припоя, в которой используется промышленная паяльная паста, содержащая свинец.
Фиг.2 - профиль пайки печи для пайки волной припоя, в которой используется промышленная паяльная паста, не содержащая свинец.
Фиг.3 - снимок печатной платы с покрытием в соответствии с настоящим изобретением с каплей воды на поверхности, демонстрирующий низкую поверхностную энергию, низкую смачиваемость и непроницаемость для жидкости защитного покрытия.
Фиг.4 - вид в поперечном сечении прочного паяного соединения, выполненного через покрытие на печатной плате в соответствии с настоящим изобретением.
Фиг.5 - снимок поперечного сечения прочного паяного соединения, выполненного на печатной плате в соответствии с настоящим изобретением, демонстрирующий формирование интерметаллических соединений медь-олово высокого качества на верхней стороне нижней медной поверхности.
Фиг.6 - изображение, полученное с помощью сканирующей электронной микроскопии кромки с полимерным покрытием толщиной 1 мкм на печатной плате в соответствии с настоящим изобретением при 30000-кратном увеличении.
Фиг.7 - изображение в обратно рассеянных электронах, иллюстрирующее пример участка печатной платы с нанесенным покрытием и демонстрирующее сплошность покрытия, превышающую 99,8%.
Фиг.8 - изображение, полученное с помощью сканирующей электронной микроскопии/энергодисперсионного рентгено-спектрального микроанализа, иллюстрирующее участок с выборочно удаленным с печатной платы покрытием под действием флюса и при воздействии температуры при номинальной толщине покрытия в 1 микрон. На изображении слева показан участок, на который был выборочно нанесен флюс. На изображении справа показано, что покрытие было выборочно удалено на участке, на который нанесли флюс.
Фиг.9 - спектр, полученный методом энергодислерсионного рентгено-спектрального микроанализа, иллюстрирующий углеродную/фтористую композицию покрытия на меди печатной платы в соответствии с настоящим изобретением.
Фиг.10 - изображение выводов элементов интегральной схемы, оторванных от паяной печатной платы в соответствии с настоящим изобретением, демонстрирующее прочность паяных соединений. При проведении жестких испытаний соединения, в конечном счете, разрывались при разрушении связи на участке между медной контактной площадкой и платой-подложкой, а не на участке паяных соединений.
Фиг.11 - изображение припаянных контактных площадок, оторванных от паяной печатной платы, демонстрирующее прочность паяных соединений. При проведении жестких испытаний соединения, в конечном счете, разрывались при разрушении связи на участке между медной контактной площадкой и платой-подложкой, а не на участке паяных соединений.
Фиг.12 - изображение, полученное с помощью сканирующей электронной микроскопии/ энергодисперсионного рентгено-спектрального микроанализа, иллюстрирующее наличие полимерного покрытия непосредственно до уровня кромки паяного соединения, выполненного на печатной плате в соответствии с настоящим изобретением.
Фиг.13 - изображение оптической микроскопии, иллюстрирующее ряд паяных соединений высокого качества, выполненных на печатной плате.
Фиг.14а - спектр, полученный методом рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии набора тонких покрытий в соответствии с настоящим изобретением, иллюстрирующий различное воздействие материалов C-F и Cu-F.
Фиг.14b - спектр, полученный методом рентгеновской фотоэмиссионной спектроскопии, иллюстрирующий материал, содержащий C-F для нанесения покрытий большой толщины.
ПРИМЕРЫ
Изготовление печатных плат с покрытием
От производителя были получены печатные платы, прошедшие травление и очистку, но на которые не было нанесено защитное покрытие. Указанные платы затем подвергали обработке методом плазменного осаждения для создания, содержащего галоген покрытия. Печатную плату помещали в вакуумную камеру, в которой сначала создавали вакуум при давлении в интервале от 10-3 до 10 мбар. Затем в вакуумную камеру подавали газ для генерирования стабильной газовой плазмы и далее вводил в плазму содержащее галоген углеводородное соединение-предшественник для осуществления процесса осаждения. При введении соединения-предшественника в газовую плазму также происходит его разложение/ионизация с образованием спектра активных частиц, реагирующих на поверхности печатной платы, в результате чего образуется тонкое галогенуглеводородное покрытие. С указанными обработанными печатными платами был проведен ряд экспериментов.
Пример 1
Содержащую свинец промышленную паяльную пасту наносили вручную шприцем на несколько площадок элементов на одной стороне печатной платы.
Несколько интегральных схем устанавливали на контактные площадки, на которые была нанесена паяльная паста. Затем печатную плату устанавливали в лечи для пайки волной припоя, в которой был установлен профиль пайки, проиллюстрированный на Фиг.1. Далее проводили визуальный осмотр соединений с помощью микроскопа, и было обнаружено, что они обладают высокими смачивающими характеристиками. К ряду соединений было приложено растягивающее усилие путем подъема элемента с помощью рычага. В каждом случае вывод интегральной схемы выдергивался из припоя, при этом соединение с контактной площадкой оставалось неповрежденным.
Пример 2
Вышеописанное испытание повторяли с использованием бессвинцовой паяльной пасты при измененном профиле пайки волной припоя, как показано на Фиг.2, и получали аналогичные результаты.
Пример 3
Только один флюс наносили на участки двух печатных плат, которые нагревали до 260°С в течение десяти секунд и пяти минут. Осмотр показал, что на покрытие исчезало на участках двух печатных плат, на которые был нанесен флюс. Тем не менее, покрытие сохранялось на участках, на которых не был нанесен флюс.
Пример 4
Испытание на предел прочности при сдвига
Для испытания на предел прочности было приготовлено восемь сборок с четырьмя финишными покрытиями печатной платы. На каждое финишное покрытие печатной платы приходилось по две сборки. Каждая сборка содержала семь смонтированных бескорпусных резисторов 1206 и четыре бескорпусных конденсаторов 0805. Четырнадцать резисторов 1206 и восемь конденсаторов 0805 из каждого финишного покрытия сборки были подвергнуты испытанию на предел прочности при сдвиге с целью определения максимального сопротивления сдвигу паяных соединений для каждой сборки финишного покрытия.
Условия проведения испытаний
Печатную плату устанавливали на приборе для определения усилия сдвига. Расстояние установки инструмента над поверхностью печатной платы составляло 80 мкм и ширина инструмента - 2 мкм. При проведении каждого испытания инструмент, создающий сдвиговое усилие, перемещали в направлении вперед с заданной скоростью 100 мкм/секдо контакта с испытуемым элементом, и усилие отслеживали до тех пор, пока не происходил разрыв прикрепления паяного соединения. В качестве прибора для определения сдвига использовали Dage Series 4000 с испытательной головкой DS100.
Результаты испытаний начальной прочности при сдвиге
Органический консервант (OSP) Иммерсионное золочение и химическое никелирование (ENIG) ПТФЭ (PTFE)
72,03 69,47 73,14
71,29 72,88 63,20
68,72 68,35 75,49
68,10 70,21 77,28
67,70 67,89 77,08
79,03 68,59 69,99
73,21 74,22 67,46
74,35 72,32 72,31
79,57 68,95 70,50
66,34 66,05 65,95
78,15 82,6 61,80
70,62 79,43 61,52
72,07 76,98 71,09
68,16 70,31 71.15
72,10±4,34 72,01±4,78 69,85±5,25
Пример 5
В таблице ниже поверхностных энергий печатной платы приведено повышение гидрофобности в зависимости от длительности процесса нанесения покрытия:
                       
  Длительности процесса нанесения покрытия (мин) 0 1 5 7,5 10 15 20 30 50  
  Поверхностная энергия (мН/м) 50 46 <26 <26 <26 <26 <26 <26 <26  
                       
  Примечание: предел обнаружения метода измерения поверхностной энергии, приблизительно 26 мН/м)
                       

Claims (5)

1. Печатная плата, на которой предусматривается выполнение паяного соединения без предварительного удаления покрытия, включающая (а) токопроводящие дорожки и (b) покрытие на поверхности печатной платы и токопроводящих дорожек, в которой: отсутствует припой, или в основном отсутствует припой между указанным покрытием и токопроводящими дорожками, покрытие включает более одного фторуглеводородного полимера, сформированного методом плазменного осаждения, и покрытие имеет толщину от 1 нм до 10 мкм.
2. Печатная плата по п. 1, в которой покрытие имеет толщину от 10 нм до 100 нм.
3. Печатная плата по п. 1 или 2, в которой поверхность токопроводящих дорожек указанной печатной платы имеет покрытие из слоя фторида металла толщиной от монослоя до 5 нм, и покрытие включает более одного фторуглеводородного полимера над покрытием из фторида металла.
4. Способ изготовления печатных плат с покрытием по п. 1, включающий: (a) создание печатной платы, имеющей поверхность, подверженную воздействию факторов окружающей среды, и не содержащей припоя, или в основном не содержащей припоя на указанной поверхности, подверженной воздействию факторов окружающей среды, и (b) нанесение на указанную поверхность покрытия толщиной от 1 нм до 10 мкм, содержащего более одного фторуглеводородного полимера, методом плазменного осаждения.
5. Способ выполнения соединения на печатной плате по п. 1 без предварительного удаления покрытия, включающий нанесение припоя и флюса на участок покрытия печатной платы при температуре 200-300°C, при этом обеспечивается локальное рассеяние участка покрытия, на который наносят припой и флюс, и соединение припоя с токопроводящей дорожкой печатной платы.
RU2009130670/07A 2007-02-19 2008-02-18 Печатные платы RU2563978C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GB0703172A GB0703172D0 (en) 2007-02-19 2007-02-19 Printed circuit boards
GB0703172.7 2007-02-19
PCT/GB2008/000552 WO2008102113A2 (en) 2007-02-19 2008-02-18 Printed circuit boards

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2009130670A RU2009130670A (ru) 2011-04-10
RU2563978C2 true RU2563978C2 (ru) 2015-09-27

Family

ID=37908866

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2009130670/07A RU2563978C2 (ru) 2007-02-19 2008-02-18 Печатные платы

Country Status (15)

Country Link
US (2) US8492898B2 (ru)
EP (1) EP2130417B1 (ru)
JP (3) JP5558112B2 (ru)
KR (3) KR20100014493A (ru)
CN (1) CN101682998B (ru)
AU (1) AU2008217648B2 (ru)
CA (1) CA2678309C (ru)
DK (1) DK2130417T3 (ru)
ES (1) ES2728309T3 (ru)
GB (2) GB0703172D0 (ru)
PL (1) PL2130417T3 (ru)
RU (1) RU2563978C2 (ru)
TR (1) TR201905093T4 (ru)
TW (1) TWI462671B (ru)
WO (1) WO2008102113A2 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2717842C2 (ru) * 2015-06-10 2020-03-26 Семблант Лимитед Имеющий покрытие электрический узел

Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB0703172D0 (en) 2007-02-19 2007-03-28 Pa Knowledge Ltd Printed circuit boards
DE102007062202B4 (de) * 2007-12-21 2021-06-10 Vitesco Technologies GmbH Beschreibung Verfahren zur Kontaktierung einer starren Leiterplatte mit einem Kontaktpartner und Anordnung aus starrer Leiterplatte und Kontaktpartner
SG193213A1 (en) * 2008-08-18 2013-09-30 Semblant Ltd Halo-hydrocarbon polymer coating
US8618420B2 (en) 2008-08-18 2013-12-31 Semblant Global Limited Apparatus with a wire bond and method of forming the same
GB2462824A (en) * 2008-08-18 2010-02-24 Crombie 123 Ltd Printed circuit board encapsulation
US8701657B2 (en) * 2008-08-21 2014-04-22 Geno Llc Systems for generating nitric oxide
BE1019159A5 (nl) * 2010-01-22 2012-04-03 Europlasma Nv Werkwijze voor de afzetting van een gelijkmatige nanocoating door middel van een lage druk plasma proces.
US8995146B2 (en) 2010-02-23 2015-03-31 Semblant Limited Electrical assembly and method
GB201003067D0 (en) 2010-02-23 2010-04-07 Semblant Ltd Plasma-polymerized polymer coating
GB2485419B (en) * 2010-11-15 2015-02-25 Semblant Ltd Method for reducing creep corrosion
GB2489761B (en) 2011-09-07 2015-03-04 Europlasma Nv Surface coatings
CN103379738A (zh) * 2012-04-24 2013-10-30 镇江华扬信息科技有限公司 一种印刷电路板的表面处理方法
US9053405B1 (en) 2013-08-27 2015-06-09 Flextronics Ap, Llc Printed RFID circuit
US9565748B2 (en) * 2013-10-28 2017-02-07 Flextronics Ap, Llc Nano-copper solder for filling thermal vias
CN104741490B (zh) * 2013-12-27 2017-06-20 博世汽车部件(苏州)有限公司 一种焊接工具
US9758889B2 (en) * 2014-05-08 2017-09-12 Ymt Co., Ltd. Method for producing substrate formed with copper thin layer, method for manufacturing printed circuit board and printed circuit board manufactured thereby
CN104470202B (zh) * 2014-12-31 2017-10-24 上海创功通讯技术有限公司 用于移动终端的印刷电路板及其焊盘表面处理方法
US9516760B2 (en) * 2015-01-22 2016-12-06 Eastman Kodak Company Methods for providing electrically-conductive articles
CN105386004B (zh) * 2015-10-23 2018-11-13 衢州顺络电路板有限公司 取代金手指的线路板及其制造方法
US10351729B2 (en) 2016-03-03 2019-07-16 Motorola Mobility Llc Polysiloxane films and methods of making polysiloxane films
US10212825B2 (en) 2016-03-03 2019-02-19 Motorola Mobility Llc Polysiloxane films and methods of making polysiloxane films
WO2018013889A1 (en) * 2016-07-15 2018-01-18 Aculon, Inc Coated articles that demonstrate push-through electrical connectivity
US10645818B2 (en) 2016-11-22 2020-05-05 Senju Metal Industry Co., Ltd. Soldering method
GB201621177D0 (en) 2016-12-13 2017-01-25 Semblant Ltd Protective coating
CN108697001A (zh) * 2017-04-05 2018-10-23 中国科学院宁波材料技术与工程研究所 一种柔性电极和/或电路的制备方法
CN110720131B (zh) 2017-07-03 2022-05-31 京瓷Avx元器件公司 固体电解质电容器组件
WO2019010122A1 (en) 2017-07-03 2019-01-10 Avx Corporation SOLID ELECTROLYTIC CAPACITOR CONTAINING A NANOREVÊTEMENT
CN113275217B (zh) * 2021-05-18 2022-06-24 佛山市思博睿科技有限公司 等离子体接枝共聚膜层的制备方法
GB2609034A (en) * 2021-07-19 2023-01-25 Mordechai Ronen Aviv Systems and methods for additive manufacturing of electronics

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3931454A (en) * 1972-10-17 1976-01-06 Westinghouse Electric Corporation Printed circuit board and method of preparing it
RU2104263C1 (ru) * 1990-06-29 1998-02-10 Эллайд-Сигнал Инк. Третичные частично фторированные алканы и способ очистки твердой поверхности
RU2177934C2 (ru) * 1994-05-20 2002-01-10 Миннесота Майнинг Энд Мэнюфекчуринг Компани Омега-гидрофторалкиловые эфиры, способ их получения, исходные карбоновые кислоты и их производные и способы с использованием эфиров (варианты)

Family Cites Families (164)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3770571A (en) * 1969-04-02 1973-11-06 Richardson Co Fabrication of printed circuit boards
FR2048044B1 (ru) 1969-06-30 1973-01-12 Fmc Corp
US3649475A (en) * 1969-07-22 1972-03-14 Gen Dynamics Corp Multi-layer printed circuit boards and methods of making same
US3745536A (en) 1971-03-01 1973-07-10 Burroughs Corp High speed serial scan and read-out of keyboards
GB1399252A (en) 1971-05-19 1975-07-02 Post Office Electrical signal initiating keyboards
JPS5219875B2 (ru) 1974-02-07 1977-05-31
US4136225A (en) * 1977-07-08 1979-01-23 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Cover coatings for printed circuits
JPS5439873A (en) * 1977-09-06 1979-03-27 Nippon Denso Co Incombustible ypet flexible printed wiring board
US4268568A (en) 1979-05-14 1981-05-19 Bell Telephone Laboratories, Incorporated Lubricated electrical contacts
JPS5946310B2 (ja) * 1979-08-29 1984-11-12 株式会社村田製作所 熱処理された銅被膜の酸化防止法
US4508756A (en) * 1980-10-08 1985-04-02 Murata Manufacturing Co., Ltd. Method for inhibiting oxidation of a copper film on ceramic body
JPS5766613A (en) * 1980-10-11 1982-04-22 Murata Manufacturing Co Method of preventing oxidation of copper coating film on ceramic unit
US4369287A (en) * 1981-03-16 1983-01-18 Motorola Inc. Permanent fluxing agent and solder-through conformal coating
US4531659A (en) * 1982-02-26 1985-07-30 Wright Hershel E Foam dispensing device air return system
JPS5997029A (ja) 1982-11-26 1984-06-04 Hitachi Ltd 絶対圧形半導体圧力センサ
US4591659A (en) 1983-12-22 1986-05-27 Trw Inc. Multilayer printed circuit board structure
US4689110A (en) * 1983-12-22 1987-08-25 Trw Inc. Method of fabricating multilayer printed circuit board structure
JPS60214942A (ja) * 1984-04-10 1985-10-28 株式会社　潤工社 圧縮変形しにくい延伸多孔質四弗化エチレン樹脂体
JPS60214941A (ja) * 1984-04-10 1985-10-28 株式会社　潤工社 プリント基板
JPS60258232A (ja) 1984-06-04 1985-12-20 Matsushita Electric Works Ltd フツ素系樹脂積層板
JPS60257592A (ja) 1984-06-04 1985-12-19 松下電工株式会社 多層プリント配線板
US4710429A (en) * 1985-04-15 1987-12-01 The Dow Chemical Company Laminates from epoxidized phenol-hydrocarbon adducts
JPS61243844A (ja) * 1985-04-23 1986-10-30 Hitachi Ltd 熱硬化性樹脂組成物
JPS62252016A (ja) * 1986-04-24 1987-11-02 富士ポリマテック株式会社 接点ゴム導通部の形成法
CA1312040C (en) * 1985-12-19 1992-12-29 Joseph Victor Koleske Conformal coatings cured with actinic radiation
US4732649A (en) 1986-06-18 1988-03-22 Macdermid, Incorporated Method for manufacture of printed circuit boards
US4784901A (en) 1987-04-13 1988-11-15 Japan Gore-Tex, Inc. Flexible printed circuit board base material
US4772509A (en) * 1987-04-13 1988-09-20 Japan Gore-Tex, Inc. Printed circuit board base material
US4755911A (en) * 1987-04-28 1988-07-05 Junkosha Co., Ltd. Multilayer printed circuit board
US4797178A (en) 1987-05-13 1989-01-10 International Business Machines Corporation Plasma etch enhancement with large mass inert gas
JPH01131270A (ja) 1987-11-17 1989-05-24 Asahi Glass Co Ltd 熱硬化性樹脂組成物及びその組成物を使用した積層板
JPH0180974U (ru) 1987-11-20 1989-05-30
EP0322097B1 (en) * 1987-12-17 1994-01-05 Imperial Chemical Industries Plc Emulsification method and apparatus
US6238774B1 (en) * 1988-02-04 2001-05-29 Fujitsu Limited Protection of oxide superconductor
JPH01225539A (ja) 1988-03-04 1989-09-08 Junkosha Co Ltd 積層板
US4895759A (en) * 1988-03-18 1990-01-23 Ppg Industries, Inc. Saturating grade paper
US4975319A (en) * 1988-07-14 1990-12-04 General Electric Company Printed circuit board from fibers impregnated with epoxy resin mixture, halogenated bisphenol and polyphenylene ether
EP0355955A3 (en) 1988-07-25 1991-12-27 Hitachi, Ltd. Connection for semiconductor devices or integrated circuits by coated wires and method of manufacturing the same
JPH0286675A (ja) 1988-09-22 1990-03-27 Nitto Denko Corp プリント基板固着材
JPH0826116B2 (ja) 1988-09-30 1996-03-13 株式会社日立製作所 熱硬化性樹脂組成物およびこれを用いたプリント回路板
JPH02120351A (ja) 1988-10-29 1990-05-08 Japan Synthetic Rubber Co Ltd 難燃性樹脂組成物
JPH03129796A (ja) 1989-03-23 1991-06-03 Matsushita Electric Works Ltd プリント配線板の製造法
JPH0624211B2 (ja) 1989-04-26 1994-03-30 新日本製鐵株式会社 絶縁被覆ボンディングワイヤ
DE3912580C2 (de) 1989-04-17 1997-08-21 F&K Delvotec Bondtechnik Gmbh Bondstempel
JPH03242992A (ja) 1990-02-21 1991-10-29 Mitsubishi Plastics Ind Ltd 曲面形状を有するプリント配線板の製法
US5141702A (en) * 1990-03-13 1992-08-25 Olin Corporation Method of making coated electrical connectors
JPH03278494A (ja) 1990-03-28 1991-12-10 Toshiba Chem Corp プリント回路用基板
JPH07120858B2 (ja) 1990-03-30 1995-12-20 株式会社日立製作所 多層プリント回路板およびその製造方法
JPH0465184A (ja) * 1990-07-05 1992-03-02 Kansai Paint Co Ltd 電着前処理方法
JPH04208597A (ja) 1990-12-01 1992-07-30 Fujitsu Ltd 多層プリント配線板および多層プリント配線板の製造方法
JPH04219901A (ja) * 1990-12-19 1992-08-11 Nippon Steel Corp 保護膜を有する電気部品
DE59202994D1 (de) 1991-02-07 1995-08-31 Siemens Ag Mikromehrlagenverdrahtung.
US5274913A (en) * 1991-10-25 1994-01-04 International Business Machines Corporation Method of fabricating a reworkable module
JP3129796B2 (ja) 1991-11-21 2001-01-31 ニチモウ株式会社 切断方法
JPH05275487A (ja) 1991-11-22 1993-10-22 Sumitomo 3M Ltd 電子部品表面保護材、その表面保護材を備えた電子部品、およびその表面保護材を使用した電子部品の電気的接続方法
JP3242992B2 (ja) 1992-06-17 2001-12-25 パイオニア株式会社 有機エレクトロルミネッセンス素子
JP3348454B2 (ja) * 1993-02-05 2002-11-20 ソニー株式会社 酸化防止方法
JP3552241B2 (ja) * 1993-04-07 2004-08-11 千住金属工業株式会社 プリフラックス
JP3278494B2 (ja) 1993-06-04 2002-04-30 アクトロニクス株式会社 静止誘導機器巻線の加温方法
JP3334301B2 (ja) 1993-11-25 2002-10-15 日本メクトロン株式会社 フッ素樹脂基質と金属との接着剤
IL111497A (en) * 1993-12-08 2001-01-28 Rohco Inc Mcgean Seelan preparations are useful as adhesives
JPH07201502A (ja) 1993-12-28 1995-08-04 Japan Gore Tex Inc 基板実装型電子部品
CA2118544A1 (en) 1993-12-30 1995-07-01 Henry W. Krautter Reliability elastomeric keypads and method for making same
US5639989A (en) 1994-04-19 1997-06-17 Motorola Inc. Shielded electronic component assembly and method for making the same
JP2614190B2 (ja) 1994-06-01 1997-05-28 日本ピラー工業株式会社 多層板用プリプレグ、積層板、多層プリント回路基板およびその製造方法
JPH0827453A (ja) 1994-07-14 1996-01-30 Nitto Denko Corp 難燃性接着剤
JP2533747B2 (ja) 1994-07-25 1996-09-11 株式会社日立製作所 積層板及びその製造方法
US5734008A (en) * 1994-10-28 1998-03-31 Sumitomo Chemical Company, Limited Polyimide film
JPH08143846A (ja) 1994-11-24 1996-06-04 Nitto Denko Corp 難燃性接着剤
JPH08288331A (ja) 1995-04-17 1996-11-01 Tanaka Denshi Kogyo Kk 半導体装置用ボンディングワイヤ及びその製造方法
DE19535068C2 (de) * 1995-09-21 1997-08-21 Lpkf Cad Cam Systeme Gmbh Beschichtung zur strukturierten Erzeugung von Leiterbahnen auf der Oberfläche von elektrisch isolierenden Substraten, Verfahren zum Herstellen der Beschichtung und von strukturierten Leiterbahnen
GB9608952D0 (en) 1995-09-22 1996-07-03 Bnfl Fluorchem Ltd Coating compositions
US7112265B1 (en) 1996-02-14 2006-09-26 Lifescan Scotland Limited Disposable test strips with integrated reagent/blood separation layer
JP4252631B2 (ja) * 1996-02-29 2009-04-08 和夫 杉山 はんだ接合用表面の清浄方法及び改質方法並びにはんだ付け方法
WO1997039610A1 (en) * 1996-04-18 1997-10-23 International Business Machines Corporation Organic-metallic composite coating for copper surface protection
JPH09307219A (ja) * 1996-05-14 1997-11-28 Tamura Seisakusho Co Ltd はんだ付け用処理方法
ATE316593T1 (de) 1997-06-14 2006-02-15 Secr Defence Oberflächenbehandlung
JPH1112716A (ja) 1997-06-19 1999-01-19 Seiko Epson Corp ロウ接用材料およびその製造方法
JPH1131270A (ja) 1997-07-10 1999-02-02 Sanden Corp 自動販売機の商品収納装置
JPH1140907A (ja) * 1997-07-17 1999-02-12 Fuji Photo Film Co Ltd プリント配線板及び部品取り付け方法
US5858074A (en) * 1997-07-29 1999-01-12 National Research Council Of Canada Organic solderability preservative compositions
JP3420492B2 (ja) 1998-01-23 2003-06-23 京セラ株式会社 半導体装置
JP3551007B2 (ja) 1998-03-02 2004-08-04 セイコーエプソン株式会社 ワイヤボンディング方法および装置ならびにワイヤバンプの形成方法
JP3974256B2 (ja) 1998-04-22 2007-09-12 新日鐵化学株式会社 アルカリ現像型感光性樹脂組成物
JPH11319635A (ja) 1998-05-15 1999-11-24 Omron Corp 接点用有機物塗布装置及び接点用有機物塗布方法
GB9821267D0 (en) 1998-10-01 1998-11-25 Secr Defence Surface coatings
US6284308B2 (en) * 1998-12-25 2001-09-04 Victor Company Of Japan, Ltd. Manufacturing method of printed circuit board
JP2000211057A (ja) 1999-01-26 2000-08-02 Hitachi Chem Co Ltd 積層用中間板
JP2000277654A (ja) * 1999-03-25 2000-10-06 Kokusai Electric Co Ltd 半導体装置
US6306273B1 (en) * 1999-04-13 2001-10-23 Aclara Biosciences, Inc. Methods and compositions for conducting processes in microfluidic devices
SG93210A1 (en) * 1999-06-29 2002-12-17 Univ Singapore Method for lamination of fluoropolymer to metal and printed circuit board (pcb) substrate
JP3640337B2 (ja) 1999-10-04 2005-04-20 信越化学工業株式会社 圧力センサー装置
JP4343354B2 (ja) * 1999-11-02 2009-10-14 Ａｇｃセイミケミカル株式会社 半田用フラックス這い上がり防止剤組成物とその用途
IL132898A (en) * 1999-11-11 2009-09-01 Nds Ltd System for bitstream generation
WO2001044344A1 (fr) * 1999-12-17 2001-06-21 Daicel Chemical Industries, Ltd. Composition de resines reticulables, procede de production correspondant et objet recouvert de ladite composition
US6335224B1 (en) 2000-05-16 2002-01-01 Sandia Corporation Protection of microelectronic devices during packaging
DE10026714A1 (de) * 2000-05-30 2001-12-13 Hueck Folien Gmbh Verbundfolie, Verfahren zu ihrer Herstellung und ihre Verwendung
US7465478B2 (en) 2000-08-11 2008-12-16 Applied Materials, Inc. Plasma immersion ion implantation process
KR100823858B1 (ko) * 2000-10-04 2008-04-21 다우 코닝 아일랜드 리미티드 피복물 형성 방법 및 피복물 형성 장치
DE10051053A1 (de) * 2000-10-14 2002-05-02 Bosch Gmbh Robert Verfahren zum Schutz elektronischer oder mikromechanischer Bauteile
JP4401049B2 (ja) * 2000-12-11 2010-01-20 旭硝子株式会社 硬化性組成物、硬化被膜および被覆基材
US20020134588A1 (en) 2000-12-18 2002-09-26 Dollarhite James Michael Hardsurfacing/hardfacing pertaining primarly to the horizontal directional drilling (HDD) industry utilizing technogenia
DE10114897A1 (de) * 2001-03-26 2002-10-24 Infineon Technologies Ag Elektronisches Bauteil
US6969472B2 (en) 2001-04-19 2005-11-29 Lsi Logic Corporation Method of fabricating sub-micron hemispherical and hemicylidrical structures from non-spherically shaped templates
JP2002329741A (ja) 2001-05-07 2002-11-15 Sumiden Magnet Wire Kk 銅ボンディングワイヤー
US6589639B2 (en) * 2001-05-23 2003-07-08 International Business Machines Corporation Hole fill composition and method for filling holes in a substrate
US6803092B2 (en) * 2001-06-26 2004-10-12 3M Innovative Properties Company Selective deposition of circuit-protective polymers
EP1402321A1 (en) * 2001-07-04 2004-03-31 Showa Denko K.K. Resist curable resin composition and cured article thereof
DE10133739A1 (de) 2001-07-11 2003-01-30 Mewa Textil Service Ag & Co Man Ohg Transportbehälter
SG117395A1 (en) 2001-08-29 2005-12-29 Micron Technology Inc Wire bonded microelectronic device assemblies and methods of manufacturing same
US6500529B1 (en) * 2001-09-14 2002-12-31 Tonoga, Ltd. Low signal loss bonding ply for multilayer circuit boards
JP4409134B2 (ja) * 2001-10-09 2010-02-03 パナソニック株式会社 実装システム
TW545092B (en) * 2001-10-25 2003-08-01 Matsushita Electric Ind Co Ltd Prepreg and circuit board and method for manufacturing the same
JP4075379B2 (ja) 2002-01-08 2008-04-16 株式会社デンソー フッ素樹脂の表面処理方法およびフッ素樹脂を用いたプリント配線基板の製造方法
KR100502179B1 (ko) * 2002-02-25 2005-08-08 스마트알앤씨 주식회사 인쇄회로기판용 금속 피복 적층체의 제조 방법
US20030215588A1 (en) 2002-04-09 2003-11-20 Yeager Gary William Thermoset composition, method, and article
JP4499344B2 (ja) 2002-05-28 2010-07-07 株式会社日立製作所 樹脂組成物とそれを用いたプリプレグ，積層板および多層プリント回路板
US6776827B2 (en) 2002-09-23 2004-08-17 Syed M. Hasan Method and solution for treating fluorocarbon surfaces
JP2004134675A (ja) * 2002-10-11 2004-04-30 Sharp Corp Ｓｏｉ基板、表示装置およびｓｏｉ基板の製造方法
JP2004184340A (ja) 2002-12-05 2004-07-02 Tanaka Kikinzoku Kogyo Kk Ｄｎａプローブ固定電極の製造方法
JP4208597B2 (ja) 2003-02-17 2009-01-14 シャープ株式会社 表示装置、およびこれを用いた携帯電話端末、モバイルゲーム端末、テレビ受像機、立体表示システム
JP4020006B2 (ja) * 2003-05-09 2007-12-12 Ｊｓｒ株式会社 絶縁性樹脂組成物およびその硬化物、ならびにはんだ接合方法
EP1505146A1 (en) * 2003-08-05 2005-02-09 Air Products And Chemicals, Inc. Processing of substrates with dense fluids comprising acetylenic diols and/or alcohols
JP2005112981A (ja) 2003-10-07 2005-04-28 Hitachi Chem Co Ltd 低誘電率樹脂組成物およびそれを用いたプリプレグ、金属張積層板、印刷配線板
TWI243751B (en) * 2003-10-21 2005-11-21 Park Electrochemical Corp Laminates having a low dielectric, low dissipation factor bond core and method of making same
JP4896367B2 (ja) * 2003-10-23 2012-03-14 パナソニック株式会社 電子部品の処理方法及び装置
US6923221B2 (en) * 2003-12-04 2005-08-02 Gilbarco Inc. Vapor recovery system with ORVR compensation
JP4195365B2 (ja) 2003-12-05 2008-12-10 アルプス電気株式会社 難燃性及び耐湿性を有する回路基板
JP4551654B2 (ja) 2003-12-09 2010-09-29 株式会社神戸製鋼所 プリント配線基板の穴あけ加工に使用する樹脂被覆金属板
KR101074640B1 (ko) * 2004-06-10 2011-10-19 시코쿠가세이고교가부시키가이샤 납땜 동안 구리 표면에 사용하기 위한 페닐나프틸이미다졸
JP4694251B2 (ja) * 2004-06-10 2011-06-08 四国化成工業株式会社 無鉛半田付け用の銅または銅合金の表面処理剤及びその利用
DE102004030388A1 (de) * 2004-06-23 2006-01-26 Ormecon Gmbh Artikel mit einer Beschichtung von elektrisch leitfähigem Polymer und Verfahren zu deren Herstellung
US7673970B2 (en) * 2004-06-30 2010-03-09 Lexmark International, Inc. Flexible circuit corrosion protection
US7648922B2 (en) * 2004-07-22 2010-01-19 Kyoto University Fluorocarbon film and method for forming same
JP5010112B2 (ja) 2004-07-26 2012-08-29 新神戸電機株式会社 プリプレグの製造法、積層板およびプリント配線板の製造法
JP4843214B2 (ja) 2004-11-16 2011-12-21 株式会社東芝 モジュール基板およびディスク装置
US7985677B2 (en) * 2004-11-30 2011-07-26 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Method of manufacturing semiconductor device
JP4655663B2 (ja) * 2005-02-21 2011-03-23 コニカミノルタオプト株式会社 塗布層を有するロール状フィルムの製造方法、ロール状光学フィルム、偏光板、液晶表示装置
US7579134B2 (en) * 2005-03-15 2009-08-25 E. I. Dupont De Nemours And Company Polyimide composite coverlays and methods and compositions relating thereto
JP4262699B2 (ja) * 2005-06-22 2009-05-13 日本航空電子工業株式会社 配線基板
JP2007010794A (ja) 2005-06-28 2007-01-18 Hitachi Chem Co Ltd 感光性樹脂組成物及び感光性エレメント
JP2007084764A (ja) 2005-09-26 2007-04-05 Jsr Corp コーティング材およびその製造方法
JP4722669B2 (ja) 2005-10-26 2011-07-13 株式会社日立ハイテクインスツルメンツ プラズマ洗浄装置
JP4438735B2 (ja) 2005-10-31 2010-03-24 日本ピラー工業株式会社 フッ素樹脂プリント基板
JP2007129039A (ja) 2005-11-02 2007-05-24 Nippon Pillar Packing Co Ltd フッ素樹脂プリント基板及びその製造方法
US20070258722A1 (en) 2006-05-08 2007-11-08 Jin Yu Optical receiver
JP2007326956A (ja) 2006-06-07 2007-12-20 Kaneka Corp プリプレグ、積層板、およびこれらからなるプリント配線板
US7527915B2 (en) * 2006-07-19 2009-05-05 E. I. Du Pont De Nemours And Company Flame retardant multi-layer photoimagable coverlay compositions and methods relating thereto
US8004860B2 (en) 2006-08-29 2011-08-23 Texas Instruments Incorporated Radiofrequency and electromagnetic interference shielding
CN101145451B (zh) * 2006-08-29 2010-04-14 松下电器产业株式会社 触点开关
US20090008796A1 (en) 2006-12-29 2009-01-08 United Test And Assembly Center Ltd. Copper on organic solderability preservative (osp) interconnect
US20080176096A1 (en) 2007-01-22 2008-07-24 Yen-Hang Cheng Solderable layer and a method for manufacturing the same
GB0703172D0 (en) 2007-02-19 2007-03-28 Pa Knowledge Ltd Printed circuit boards
KR100882023B1 (ko) 2007-05-25 2009-02-05 한국생산기술연구원 표면에너지 제어를 이용한 패터닝 방법
JP2009051876A (ja) 2007-08-23 2009-03-12 Three M Innovative Properties Co コーティング組成物及びそれを使用した物品
TWI377656B (en) 2007-09-19 2012-11-21 Method for manufacturing packaging substrate
US8071160B2 (en) 2007-10-29 2011-12-06 Integrated Surface Technologies Surface coating process
US8618420B2 (en) 2008-08-18 2013-12-31 Semblant Global Limited Apparatus with a wire bond and method of forming the same
SG193213A1 (en) 2008-08-18 2013-09-30 Semblant Ltd Halo-hydrocarbon polymer coating
TW201041105A (en) 2009-05-13 2010-11-16 Advanced Semiconductor Eng Substrate having single patterned metal layer, and package applied with the same, and methods of manufacturing the substrate and package
US20110049703A1 (en) 2009-08-25 2011-03-03 Jun-Chung Hsu Flip-Chip Package Structure
US8995146B2 (en) 2010-02-23 2015-03-31 Semblant Limited Electrical assembly and method
GB201203927D0 (en) 2012-03-06 2012-04-18 Semblant Ltd Coated electrical assembly
GB2485419B (en) 2010-11-15 2015-02-25 Semblant Ltd Method for reducing creep corrosion

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3931454A (en) * 1972-10-17 1976-01-06 Westinghouse Electric Corporation Printed circuit board and method of preparing it
RU2104263C1 (ru) * 1990-06-29 1998-02-10 Эллайд-Сигнал Инк. Третичные частично фторированные алканы и способ очистки твердой поверхности
RU2177934C2 (ru) * 1994-05-20 2002-01-10 Миннесота Майнинг Энд Мэнюфекчуринг Компани Омега-гидрофторалкиловые эфиры, способ их получения, исходные карбоновые кислоты и их производные и способы с использованием эфиров (варианты)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2717842C2 (ru) * 2015-06-10 2020-03-26 Семблант Лимитед Имеющий покрытие электрический узел

Also Published As

Publication number Publication date
JP2017005280A (ja) 2017-01-05
EP2130417A2 (en) 2009-12-09
TR201905093T4 (tr) 2019-05-21
WO2008102113A3 (en) 2008-12-11
JP2013141016A (ja) 2013-07-18
WO2008102113A2 (en) 2008-08-28
PL2130417T3 (pl) 2019-10-31
US20130334292A1 (en) 2013-12-19
JP2010519728A (ja) 2010-06-03
TW200843590A (en) 2008-11-01
KR20170089979A (ko) 2017-08-04
CN101682998B (zh) 2012-09-19
CA2678309A1 (en) 2008-08-28
DK2130417T3 (da) 2019-05-27
RU2009130670A (ru) 2011-04-10
GB2453083B (en) 2009-08-05
CN101682998A (zh) 2010-03-24
KR102096147B1 (ko) 2020-04-01
US20100025091A1 (en) 2010-02-04
JP5558112B2 (ja) 2014-07-23
US8492898B2 (en) 2013-07-23
TWI462671B (zh) 2014-11-21
KR20100014493A (ko) 2010-02-10
GB0900635D0 (en) 2009-02-25
AU2008217648A1 (en) 2008-08-28
GB2453083A (en) 2009-03-25
GB0703172D0 (en) 2007-03-28
EP2130417B1 (en) 2019-03-27
CA2678309C (en) 2016-10-04
KR20150043557A (ko) 2015-04-22
ES2728309T3 (es) 2019-10-23
US9648720B2 (en) 2017-05-09
AU2008217648B2 (en) 2010-07-29

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2563978C2 (ru) Печатные платы
JP5813850B2 (ja) ハロ炭化水素ポリマーコーティング
US8618420B2 (en) Apparatus with a wire bond and method of forming the same
GB2462824A (en) Printed circuit board encapsulation
AU2014202320B2 (en) Halo-hydrocarbon polymer coating

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20130627

FZ9A Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal)

Effective date: 20140725

MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20210219