JPH0826116B2 - 熱硬化性樹脂組成物およびこれを用いたプリント回路板 - Google Patents
熱硬化性樹脂組成物およびこれを用いたプリント回路板Info
- Publication number
- JPH0826116B2 JPH0826116B2 JP1252748A JP25274889A JPH0826116B2 JP H0826116 B2 JPH0826116 B2 JP H0826116B2 JP 1252748 A JP1252748 A JP 1252748A JP 25274889 A JP25274889 A JP 25274889A JP H0826116 B2 JPH0826116 B2 JP H0826116B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- resin composition
- thermosetting resin
- group
- printed circuit
- general formula
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Lifetime
Links
Landscapes
- Polyurethanes Or Polyureas (AREA)
- Macromolecular Compounds Obtained By Forming Nitrogen-Containing Linkages In General (AREA)
- Compositions Of Macromolecular Compounds (AREA)
- Polymers With Sulfur, Phosphorus Or Metals In The Main Chain (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】 ［産業上の利用分野］ 本発明は、熱硬化性樹脂組成物およびその用途に係わ
り、特に難燃性に優れたプリント回路基板用の熱硬化性
樹脂組成物および該組成物を用いたプリント回路板に関
する。
り、特に難燃性に優れたプリント回路基板用の熱硬化性
樹脂組成物および該組成物を用いたプリント回路板に関
する。
［従来の技術］ 従来、電子計算機等に使用される多層プリント回路板
用の樹脂材料としては、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂等が用いられてきた。しかし、最近
の大型電子計算機は、高速演算性が要求され、用いられ
る多層プリント回路板にも厳しい特性が要求されるた
め、新しい多層回路板材料の開発が進められている。
用の樹脂材料としては、フェノール樹脂、エポキシ樹
脂、ポリイミド樹脂等が用いられてきた。しかし、最近
の大型電子計算機は、高速演算性が要求され、用いられ
る多層プリント回路板にも厳しい特性が要求されるた
め、新しい多層回路板材料の開発が進められている。
一般に、電子計算機の演算速度は、これに用いられて
いる多層プリント回路板の回路の信号伝送速度に大きく
影響を受ける。
いる多層プリント回路板の回路の信号伝送速度に大きく
影響を受ける。
こうした、回路の信号伝送速度は、絶縁層の誘電率に
左右され、低誘電率のものほど信号伝送速度が速い。従
って、低誘電率材料でプリント回路基板を形成すること
によって、計算機の演算速度を改善することができる。
左右され、低誘電率のものほど信号伝送速度が速い。従
って、低誘電率材料でプリント回路基板を形成すること
によって、計算機の演算速度を改善することができる。
低誘電率材料としては、ポリテトラフルオロエチレン
（PTFE），ポリブタジエン等が知られている。
（PTFE），ポリブタジエン等が知られている。
また、上記のほかに低誘電率材料としては、主鎖に芳
香族や環式脂肪族、またはこれらを組み合わせた分極の
小さい構造を持つシアネート化合物（米国特許第4,559,
399号）や、イソシアネート化合物（米国特許第4,353,7
69号）がある。
香族や環式脂肪族、またはこれらを組み合わせた分極の
小さい構造を持つシアネート化合物（米国特許第4,559,
399号）や、イソシアネート化合物（米国特許第4,353,7
69号）がある。
［発明が解決しようとする課題］ しかし、PTFEは熱可塑性樹脂であるために、多層プリ
ント回路板に用いた場合、寸法安定性、スルホール信頼
性が劣ると云う問題があった。また、適当な溶剤がない
ので、積層接着には加熱溶融圧着法に頼らざるを得なか
った。しかも、溶融温度が高い（250〜350℃）ために、
作業性が悪く、従来のエポキシ樹脂等に比べて扱いにく
いなど問題が多かった。
ント回路板に用いた場合、寸法安定性、スルホール信頼
性が劣ると云う問題があった。また、適当な溶剤がない
ので、積層接着には加熱溶融圧着法に頼らざるを得なか
った。しかも、溶融温度が高い（250〜350℃）ために、
作業性が悪く、従来のエポキシ樹脂等に比べて扱いにく
いなど問題が多かった。
また、ポリブタジエンは、側鎖に二重結合を有する1,
2−ポリブタジエンと二官能性モノマの架橋型難燃剤と
を組み合わせた樹脂材料が開発されている（特開昭55−
1264751号）。
2−ポリブタジエンと二官能性モノマの架橋型難燃剤と
を組み合わせた樹脂材料が開発されている（特開昭55−
1264751号）。
しかし、繊維質基材への含浸性を考慮し低分子量ポリ
マを用いると、得られたプリプレグの粘着性が高いため
にプリプレグの裁断加工や保管がしにくゝ、積層接着時
の作業性にも影響を与える。
マを用いると、得られたプリプレグの粘着性が高いため
にプリプレグの裁断加工や保管がしにくゝ、積層接着時
の作業性にも影響を与える。
一方、プリプレグとした場合の粘着性が低い（タック
フリー性）高分子量ポリマを用いたものは、ワニスの粘
度が高いために繊維質基材への含浸性が悪く、プリプレ
グの作成が容易でない。そのため、品質のよいプリント
回路基板を得ることができない。更に、硬化反応がラジ
カル重合による架橋反応であるために、反応速度が速く
制御が容易でない。
フリー性）高分子量ポリマを用いたものは、ワニスの粘
度が高いために繊維質基材への含浸性が悪く、プリプレ
グの作成が容易でない。そのため、品質のよいプリント
回路基板を得ることができない。更に、硬化反応がラジ
カル重合による架橋反応であるために、反応速度が速く
制御が容易でない。
また、ポリブタジエンは、硬化による収縮が大きいた
めに成形時にクラックが発生し易く、機械強度、耐熱性
が低く、回路を形成している銅箔との接着力も低い等の
問題がある。
めに成形時にクラックが発生し易く、機械強度、耐熱性
が低く、回路を形成している銅箔との接着力も低い等の
問題がある。
前記、シアネート化合物やイソシアネート化合物は、
触媒の存在下で３量化して、架橋密度の高い硬化物を得
ることができる。また、該硬化物は誘電率が低く、寸法
安定性、耐熱性にも優れているが、プリント回路基板と
しての重要な特性である難燃性が得られない（易燃性）
と云う欠点がある。
触媒の存在下で３量化して、架橋密度の高い硬化物を得
ることができる。また、該硬化物は誘電率が低く、寸法
安定性、耐熱性にも優れているが、プリント回路基板と
しての重要な特性である難燃性が得られない（易燃性）
と云う欠点がある。
本発明の目的は、低誘電率で難燃性の硬化物を与える
熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたプリント回路板
を提供することにある。
熱硬化性樹脂組成物およびそれを用いたプリント回路板
を提供することにある。
［課題を解決するための手段］ 前記課題を解決する本発明の要旨は下記のとおりであ
る。
る。
（１）一般式（Ｉ） Ａ−R1−Ａ （Ｉ） （式中、R1は芳香族、環式脂肪族およびその混成体から
なる群から選ばれたものであり、Ａはシアネート基ある
いはイソシアネート基を示す。）で示されるシアネート
化合物あるいはイソシアネート化合物と、 一般式（II） （式中、Ｘはフッ素，臭素，塩素を示し、R2は炭素数２
〜４のアルケニル基または不飽和カルボキシル基であ
り、また、Ｂは重合開始剤残基，重合停止剤残基,H, のいずれかであり、互いに同じでも異なってもよい。ｍ
は１〜4,nは５以上）で示されるポリ（ｐ−ヒドロキシ
スチレン）誘導体とを含む熱硬化性樹脂組成物。
なる群から選ばれたものであり、Ａはシアネート基ある
いはイソシアネート基を示す。）で示されるシアネート
化合物あるいはイソシアネート化合物と、 一般式（II） （式中、Ｘはフッ素，臭素，塩素を示し、R2は炭素数２
〜４のアルケニル基または不飽和カルボキシル基であ
り、また、Ｂは重合開始剤残基，重合停止剤残基,H, のいずれかであり、互いに同じでも異なってもよい。ｍ
は１〜4,nは５以上）で示されるポリ（ｐ−ヒドロキシ
スチレン）誘導体とを含む熱硬化性樹脂組成物。
（２）前記一般式（Ｉ）と一般式（II）で示される化合
物の配合比が重量比で20:80〜80:20であることを特徴と
する前項（１）記載の熱硬化性樹脂組成物。
物の配合比が重量比で20:80〜80:20であることを特徴と
する前項（１）記載の熱硬化性樹脂組成物。
（４）金属箔から成る導体と、繊維質基材に熱硬化性樹
脂組成物を含浸硬化して成る絶縁層を有するプリント回
路板において、 前記熱硬化性樹脂組成物が一般式（Ｉ） Ａ−R1−Ａ （Ｉ） （式中、R1は芳香族、環式脂肪族およびその混成体から
なる群から選ばれたものであり、Ａはシアネート基ある
いはイソシアネート基を示す。）で示されるシアネート
化合物あるいはイソシアネート化合物と、 一般式（II） （式中、Ｘはフッ素，臭素，塩素を示し、R2は炭素数２
〜４のアルケニル基または不飽和カルボキシル基であ
り、また、Ｂは重合開始剤残基，重合停止剤残基,H, のいずれかであり、互いに同じでも異なってもよい。ｍ
は１〜4,nは５以上）で示されるポリ（ｐ−ヒドロキシ
スチレン）誘導体と、１個以上のＮ置換不飽和イミド基
を有する化合物を含む熱硬化性樹脂組成物であることを
特徴とするプリント回路板。
脂組成物を含浸硬化して成る絶縁層を有するプリント回
路板において、 前記熱硬化性樹脂組成物が一般式（Ｉ） Ａ−R1−Ａ （Ｉ） （式中、R1は芳香族、環式脂肪族およびその混成体から
なる群から選ばれたものであり、Ａはシアネート基ある
いはイソシアネート基を示す。）で示されるシアネート
化合物あるいはイソシアネート化合物と、 一般式（II） （式中、Ｘはフッ素，臭素，塩素を示し、R2は炭素数２
〜４のアルケニル基または不飽和カルボキシル基であ
り、また、Ｂは重合開始剤残基，重合停止剤残基,H, のいずれかであり、互いに同じでも異なってもよい。ｍ
は１〜4,nは５以上）で示されるポリ（ｐ−ヒドロキシ
スチレン）誘導体と、１個以上のＮ置換不飽和イミド基
を有する化合物を含む熱硬化性樹脂組成物であることを
特徴とするプリント回路板。
（５）上記のプリント回路板が複数層積層されたプリン
ト回路板にある。その際の積層接着層としては、前記
（１）に記載の熱硬化性樹脂組成物を、有機繊維，無機
繊維の織布または不織布等の繊維質基材に含浸させたプ
リプレグを用いるのが好ましい。
ト回路板にある。その際の積層接着層としては、前記
（１）に記載の熱硬化性樹脂組成物を、有機繊維，無機
繊維の織布または不織布等の繊維質基材に含浸させたプ
リプレグを用いるのが好ましい。
本発明は、前記一般式（Ｉ）で示されるシアネート、
イソシアネートの少なくとも１種を含む化合物に、一般
式（II）で示される架橋型難燃剤を配合することによっ
て、誘電率を損なうことなく難燃性の優れた樹脂組成物
を得ることができることを見出し本発明に至ったのであ
る。
イソシアネートの少なくとも１種を含む化合物に、一般
式（II）で示される架橋型難燃剤を配合することによっ
て、誘電率を損なうことなく難燃性の優れた樹脂組成物
を得ることができることを見出し本発明に至ったのであ
る。
本発明において、一般式（Ｉ）で示される化合物とし
ては、ビスフェノール−Ａ−ジシアネート（4,4′−ジ
シアネートジフェニルプロパン）、ビスフェノール−Ａ
−ジイソシアネート（4,4′−ジイソシアネートジフェ
ニルプロパン）、テトラメチルキシレンジシアネート、
テトラメチルキシレンジイソシアネート、ジフェニルメ
タンジシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネー
ト、R1が4,4′−ジヒドロキシジフェニルオキシド、レ
ゾルシノール、4,4′−チオジフェノール3,3′,5,5′−
テトラブロモビスフェノール−Ａ−2,2′,6,6′−テト
ラブロモビスフェノール−Ａ、３−フェニルビスフェノ
ール−Ａ、4,4′−ジヒドロキシビフェニル、2,2′−ジ
ヒドロキシビフェニル、2,2′,4,4′−テトラヒドロキ
シビフェニルメタン、2,2′,6,6′−テトラメチル−3,
3′,5,5′−テトラブロモビスフェノール−Ａ、5,5′−
ジメトキシビスフェノール−Ａ、ジシクロペンタジェン
のビスフェノール−Ａ、トリシクロペンタジェンのビス
フェノールのシアネート及びイソシアネート、フェノー
ルホルムアルデヒド縮合物のポリイソシアネート、フェ
ノールジシクロペンタジェンの縮合物のポリシアネート
及びポリイソシアネート、2,2′,4,4′−テトラヒドロ
キシジフェニルメタンのポリシアネート及びポリイソシ
アネート等で示されるものがあり、これらは一種以上使
用できる。
ては、ビスフェノール−Ａ−ジシアネート（4,4′−ジ
シアネートジフェニルプロパン）、ビスフェノール−Ａ
−ジイソシアネート（4,4′−ジイソシアネートジフェ
ニルプロパン）、テトラメチルキシレンジシアネート、
テトラメチルキシレンジイソシアネート、ジフェニルメ
タンジシアネート、ジフェニルメタンジイソシアネー
ト、R1が4,4′−ジヒドロキシジフェニルオキシド、レ
ゾルシノール、4,4′−チオジフェノール3,3′,5,5′−
テトラブロモビスフェノール−Ａ−2,2′,6,6′−テト
ラブロモビスフェノール−Ａ、３−フェニルビスフェノ
ール−Ａ、4,4′−ジヒドロキシビフェニル、2,2′−ジ
ヒドロキシビフェニル、2,2′,4,4′−テトラヒドロキ
シビフェニルメタン、2,2′,6,6′−テトラメチル−3,
3′,5,5′−テトラブロモビスフェノール−Ａ、5,5′−
ジメトキシビスフェノール−Ａ、ジシクロペンタジェン
のビスフェノール−Ａ、トリシクロペンタジェンのビス
フェノールのシアネート及びイソシアネート、フェノー
ルホルムアルデヒド縮合物のポリイソシアネート、フェ
ノールジシクロペンタジェンの縮合物のポリシアネート
及びポリイソシアネート、2,2′,4,4′−テトラヒドロ
キシジフェニルメタンのポリシアネート及びポリイソシ
アネート等で示されるものがあり、これらは一種以上使
用できる。
また、一般式（II）で表せる化合物としては、ポリ
（ｐ−ビニルブロモフェニルアリルエーテル）、ポリ
（ｐ−ビニルブロモフェニルイソプロペニルエーテ
ル）、ポリ（ｐ−ビニルブロモフェニル−1,1′−ジメ
チルブテニルエーテル）、ポリ（ｐ−ビニルブロモフェ
ニルアリルエステル）等がある。
（ｐ−ビニルブロモフェニルアリルエーテル）、ポリ
（ｐ−ビニルブロモフェニルイソプロペニルエーテ
ル）、ポリ（ｐ−ビニルブロモフェニル−1,1′−ジメ
チルブテニルエーテル）、ポリ（ｐ−ビニルブロモフェ
ニルアリルエステル）等がある。
ここで、化合物（II）のｎは５以上でこの値は併用し
た化合物（Ｉ）の種類、分子量および（Ｉ）と（II）の
組成比によってきまるが、５〜100の間が好ましい。
た化合物（Ｉ）の種類、分子量および（Ｉ）と（II）の
組成比によってきまるが、５〜100の間が好ましい。
ｎが大き過ぎる場合は樹脂の粘度が高く基材への含浸
性が悪くなり、積層接着時のボイド発生の原因となる。
反対に、５未満の場合は化合物としての保存安定性が悪
いことゝ、樹脂の流動性がよすぎて、積層，接着時に樹
脂が流失する。
性が悪くなり、積層接着時のボイド発生の原因となる。
反対に、５未満の場合は化合物としての保存安定性が悪
いことゝ、樹脂の流動性がよすぎて、積層，接着時に樹
脂が流失する。
上記の化合物（Ｉ），（II）の配合比は、重量比で2
0:80ないし80:20の範囲であればよい。前者の配合比が
大きいと難燃性が不十分となり、後者の配合比が大きい
と低誘電率材料としての特徴が十分に現れない。
0:80ないし80:20の範囲であればよい。前者の配合比が
大きいと難燃性が不十分となり、後者の配合比が大きい
と低誘電率材料としての特徴が十分に現れない。
次に、本発明における積層板の製法について説明す
る。
る。
まず、前記一般式（Ｉ）および（II）の化合物の所定
の配合比で混合したものを有機溶剤に溶解してワニスを
調製する。このとき溶解促進のため加熱してもよい。
の配合比で混合したものを有機溶剤に溶解してワニスを
調製する。このとき溶解促進のため加熱してもよい。
上記の化合物（Ｉ）と（II）よりなる樹脂組成物に、
架橋助剤として、１個以上のＮ置換不飽和イミド基を有
する化合物を配合することができる。
架橋助剤として、１個以上のＮ置換不飽和イミド基を有
する化合物を配合することができる。
上記Ｎ置換不飽和イミド基を有する化合物とは、例え
ばＯ−、ｍ−、Ｐ−のフェニルマレイミド、フェニルシ
トラコンイミド、フェニルイタコンイミド、フェニルナ
ジックイミド、フェニルメチルエンドメチレンテトラヒ
ドロフタルイミド、N,N′−Ｐ−フェニレンビスマレイ
ミド、N,N′−Ｐ−フェニレンビスメチルエンドメチレ
ンテトラヒドロフタルイミド、N,N′−Ｐ−フェニレン
ビスシトラコンイミド、N,N′−Ｐ−フェニレンビスイ
タコンイミド、N,N′−ｍ−キシレンビスマレイミド、
N,N′−ｍ−フェニレンビスマレイミド、N,N′−（メチ
レンジ−Ｐ−フェニレン）ビスマレイミド、N,N′−
４、４′−ジフェニルチオエーテルビスマレイミド、N,
N′−4,4′−ジジフェニルエーテルビスマレイミド、N,
N′−メチレンビス（３−クロロ−フェニレン）マレイ
ミド、N,N′−（スルホニルジ−Ｐ−フェニレン）ビス
マレイミド、N,N′−4,4′−ジフェニルシクロヘキサン
ビスマレイミド、2,2−ビス〔４−（４−マレイミドフ
ェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔４−（４
−マレイミドフェノキシ）フェニル〕−1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロプロパン,2,2−ビス〔４−（４−マレイ
ミド−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル〕
−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン等のビスマレ
イミドが、また、アニリンとアルデヒドの縮合物と無水
マレイン酸とを反応させて得られる次式（III）で示さ
れる多価マレイミドなどがある。
ばＯ−、ｍ−、Ｐ−のフェニルマレイミド、フェニルシ
トラコンイミド、フェニルイタコンイミド、フェニルナ
ジックイミド、フェニルメチルエンドメチレンテトラヒ
ドロフタルイミド、N,N′−Ｐ−フェニレンビスマレイ
ミド、N,N′−Ｐ−フェニレンビスメチルエンドメチレ
ンテトラヒドロフタルイミド、N,N′−Ｐ−フェニレン
ビスシトラコンイミド、N,N′−Ｐ−フェニレンビスイ
タコンイミド、N,N′−ｍ−キシレンビスマレイミド、
N,N′−ｍ−フェニレンビスマレイミド、N,N′−（メチ
レンジ−Ｐ−フェニレン）ビスマレイミド、N,N′−
４、４′−ジフェニルチオエーテルビスマレイミド、N,
N′−4,4′−ジジフェニルエーテルビスマレイミド、N,
N′−メチレンビス（３−クロロ−フェニレン）マレイ
ミド、N,N′−（スルホニルジ−Ｐ−フェニレン）ビス
マレイミド、N,N′−4,4′−ジフェニルシクロヘキサン
ビスマレイミド、2,2−ビス〔４−（４−マレイミドフ
ェノキシ）フェニル〕プロパン、2,2−ビス〔４−（４
−マレイミドフェノキシ）フェニル〕−1,1,1,3,3,3−
ヘキサフルオロプロパン,2,2−ビス〔４−（４−マレイ
ミド−２−トリフルオロメチルフェノキシ）フェニル〕
−1,1,1,3,3,3−ヘキサフルオロプロパン等のビスマレ
イミドが、また、アニリンとアルデヒドの縮合物と無水
マレイン酸とを反応させて得られる次式（III）で示さ
れる多価マレイミドなどがある。
有機溶剤としては、例えばトルエン、キシレン、メチ
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノー
ル、エタノール、３−メトキシプロパノール、N,N−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチル
スルホキシド、トリクロロエチレン等があるが、前記化
合物を均一に混合溶解するものであればよい。
ルエチルケトン、メチルイソブチルケトン、メタノー
ル、エタノール、３−メトキシプロパノール、N,N−ジ
メチルホルムアミド、Ｎ−メチルピロリドン、ジメチル
スルホキシド、トリクロロエチレン等があるが、前記化
合物を均一に混合溶解するものであればよい。
調製したワニスにシアネート基およびイソシアネート
基の３量化反応触媒およびラジカル重合開始剤を適量添
加し、含浸用ワニスとする。
基の３量化反応触媒およびラジカル重合開始剤を適量添
加し、含浸用ワニスとする。
上記３量化触媒としては、ナフテン酸コバルト、オク
テン酸コバルト、オクテン酸亜鉛、酢酸カリウム、酢酸
ナトリウム、シアン化ナトリウム、シアン酸ナトリウ
ム、イソシアン酸、ほう素化ナトリウム等の金属塩、ナ
トリウムメトキシド、水酸化ナトリウム、ピリジン等の
塩、トリエチルアミン等の第三級アミン類、塩化アルミ
ニウム、三フッ化臭素、塩化第二鉄、塩化チタニウム、
塩化亜鉛等のルイス酸などがある。
テン酸コバルト、オクテン酸亜鉛、酢酸カリウム、酢酸
ナトリウム、シアン化ナトリウム、シアン酸ナトリウ
ム、イソシアン酸、ほう素化ナトリウム等の金属塩、ナ
トリウムメトキシド、水酸化ナトリウム、ピリジン等の
塩、トリエチルアミン等の第三級アミン類、塩化アルミ
ニウム、三フッ化臭素、塩化第二鉄、塩化チタニウム、
塩化亜鉛等のルイス酸などがある。
また、ラジカル重合開始剤としては、ベンゾイルパー
オキシド、ジクミルパーオキシド、メチルエチルケトン
パーオキシド、ｔ−ブチルパーオキシドジラウレート、
ジ−ｔ−ブチルパーオキシフタレート、ジベンジルパー
オキシド、2,5−ジメチル−2,5−ジ（ｔ−ブチルパーオ
キシ）ヘキシン−３等があり、これらは樹脂組成物100
重量部に対し0.1〜10重量部用いる。
オキシド、ジクミルパーオキシド、メチルエチルケトン
パーオキシド、ｔ−ブチルパーオキシドジラウレート、
ジ−ｔ−ブチルパーオキシフタレート、ジベンジルパー
オキシド、2,5−ジメチル−2,5−ジ（ｔ−ブチルパーオ
キシ）ヘキシン−３等があり、これらは樹脂組成物100
重量部に対し0.1〜10重量部用いる。
次に、上記で得られた含浸用ワニスを繊維質基材に含
浸または塗布し、室温〜170℃で乾燥し、粘着性のない
プリプレグを得る。この時の乾燥温度は、使用した溶剤
およびラジカル重合開始剤によって決まる。また、上記
の含浸用ワニスの繊維質基材への含浸量は、樹脂分で40
〜70重量％含浸されるのがよい。
浸または塗布し、室温〜170℃で乾燥し、粘着性のない
プリプレグを得る。この時の乾燥温度は、使用した溶剤
およびラジカル重合開始剤によって決まる。また、上記
の含浸用ワニスの繊維質基材への含浸量は、樹脂分で40
〜70重量％含浸されるのがよい。
次いで、得られたプリプレグを所定枚数重ねて、100
〜250℃、好ましくは、120〜250℃で１〜100kgf/cm2の
加圧下で加熱硬化させ積層板を得る。
〜250℃、好ましくは、120〜250℃で１〜100kgf/cm2の
加圧下で加熱硬化させ積層板を得る。
上記繊維質基材としては、一般に積層材料として使用
されているものが使用できる。
されているものが使用できる。
無機質の繊維質基材としては、SiO2、Al2O3等を主成
分とするＥガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄ
ガラス、YM−31−Ａガラス、および石英を使用したＱガ
ラス等のガラス繊維の繊布あるいは不繊布がある。ま
た、有機質繊維としては、芳香族ポリアミドイミド骨格
を有する高分子化合物を主成分とするアラミド織布の繊
布あるいは不織布がある。
分とするＥガラス、Ｃガラス、Ａガラス、Ｓガラス、Ｄ
ガラス、YM−31−Ａガラス、および石英を使用したＱガ
ラス等のガラス繊維の繊布あるいは不繊布がある。ま
た、有機質繊維としては、芳香族ポリアミドイミド骨格
を有する高分子化合物を主成分とするアラミド織布の繊
布あるいは不織布がある。
また、本発明の組成物には、目的と用途に応じて、シ
リカなどに代表される無機質フィラ、あるいはパーフル
オロエチレン粉末，ポリアミド粉末などの有機質フィラ
を添加することができる。特に、上記フィラは、比誘電
率が3.3以下のものを選ぶことが、本発明の目的を達成
する上で重要である。
リカなどに代表される無機質フィラ、あるいはパーフル
オロエチレン粉末，ポリアミド粉末などの有機質フィラ
を添加することができる。特に、上記フィラは、比誘電
率が3.3以下のものを選ぶことが、本発明の目的を達成
する上で重要である。
［作用］ 本発明の熱硬化性樹脂組成物が低誘電率、かつ、難燃
性であるのは、前記一般式（Ｉ）で示すシアネート、イ
ソシアネート化合物が低誘電率であることはもちろんで
あるが、前記一般式（II）で示される高分子架橋型難燃
剤が予想外に低誘電率の材料であり、また、それが、前
記シアネート、イソシアネート化合物と共重合しても難
燃性並びに電気特性が損なわれないことにある。
性であるのは、前記一般式（Ｉ）で示すシアネート、イ
ソシアネート化合物が低誘電率であることはもちろんで
あるが、前記一般式（II）で示される高分子架橋型難燃
剤が予想外に低誘電率の材料であり、また、それが、前
記シアネート、イソシアネート化合物と共重合しても難
燃性並びに電気特性が損なわれないことにある。
［実施例］ 次に、本発明を実施例により説明する。
〔実施例１〕 一般式（Ｉ）で示されるシアネート化合物として、XU
−71787（ダウケミカル社製）と、難燃剤として、一般
式（II）で示されるポリ（ｐ−ビニルブロモフェニルメ
タクリレート）〔平均分子量:6600,式（II）においてｍ
が約1.5,nが約20〕を、重量比で1:1に混合し、溶剤とし
てN,N−ジメチルホルムアミドを用いて、60℃,30分加熱
溶解し、固形分50重量％のワニスを調製した。
−71787（ダウケミカル社製）と、難燃剤として、一般
式（II）で示されるポリ（ｐ−ビニルブロモフェニルメ
タクリレート）〔平均分子量:6600,式（II）においてｍ
が約1.5,nが約20〕を、重量比で1:1に混合し、溶剤とし
てN,N−ジメチルホルムアミドを用いて、60℃,30分加熱
溶解し、固形分50重量％のワニスを調製した。
該ワニスを冷却後ラジカル重合開始剤として、2,5−
ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（日本油脂
製）をワニス固形分100重量部に対して0.5重量部、更
に、シアネートの３量化触媒としてナフテン酸コバルト
を前記XU−71787の100重量部に対し１重量部添加した。
ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（日本油脂
製）をワニス固形分100重量部に対して0.5重量部、更
に、シアネートの３量化触媒としてナフテン酸コバルト
を前記XU−71787の100重量部に対し１重量部添加した。
このワニスをガラスクロス（日東紡製Ｅガラス，厚さ
50μｍ）に含浸塗布し、大気中で150℃、10分間乾燥さ
せプリプレグを得た。該プリプレグを20枚積層し、30kg
f/cm2,130℃で40分,170℃で１時間,200℃で１時間加
熱，硬化して積層板を得た。
50μｍ）に含浸塗布し、大気中で150℃、10分間乾燥さ
せプリプレグを得た。該プリプレグを20枚積層し、30kg
f/cm2,130℃で40分,170℃で１時間,200℃で１時間加
熱，硬化して積層板を得た。
また、前記ワニスをポリエチレンテレフタレートフィ
ルム上に薄く塗布し150℃,10分乾燥する。こうして得ら
れた粉末状の樹脂組成物を150mm×100mm×2mmtにプレス
成形し、前記プリプレグと同様な条件で硬化して樹脂板
を得た。
ルム上に薄く塗布し150℃,10分乾燥する。こうして得ら
れた粉末状の樹脂組成物を150mm×100mm×2mmtにプレス
成形し、前記プリプレグと同様な条件で硬化して樹脂板
を得た。
〔実施例２〕 シアネート化合物として2,2−ビス（4,4′−ジシアナ
トフェニル）プロパンを用いた他は、実施例１と同様に
して、積層板および樹脂板を作成した。
トフェニル）プロパンを用いた他は、実施例１と同様に
して、積層板および樹脂板を作成した。
〔実施例３〕 シアネート化合物としてジトリフルオロビス（4,4′
−ジシアナトフェニル）メタンを用いた他は、実施例１
と同様にして積層板および樹脂板を作成した。
−ジシアナトフェニル）メタンを用いた他は、実施例１
と同様にして積層板および樹脂板を作成した。
〔実施例４〕 シアネート化合物として2,2−ビス（4,4′−ジシアナ
トフェニル）プロパン、難燃剤としてポリ（ｐ−ビニル
ブロモフェニルアクリレート）を用いた他は、実施例１
と同様にして積層板および樹脂板を作成した。
トフェニル）プロパン、難燃剤としてポリ（ｐ−ビニル
ブロモフェニルアクリレート）を用いた他は、実施例１
と同様にして積層板および樹脂板を作成した。
〔実施例５〕 シアネート化合物として2,2−ビス（4,4′−ジシアナ
トフェニル）プロパン、難燃剤としてポリ（ｐ−ビニル
ブロモフェニルアクリレート）（平均分子量:6600,mが
約2,nが約20）、および芳香族ビスマレイミドである2,2
−〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロ
パンを重量比でそれぞれ4:4:2に配合したものを、N,N−
ジメチルホルムアミドに溶解し、その他は、実施例１と
同様にして積層板および樹脂板を作成した。
トフェニル）プロパン、難燃剤としてポリ（ｐ−ビニル
ブロモフェニルアクリレート）（平均分子量:6600,mが
約2,nが約20）、および芳香族ビスマレイミドである2,2
−〔４−（４−マレイミドフェノキシ）フェニル〕プロ
パンを重量比でそれぞれ4:4:2に配合したものを、N,N−
ジメチルホルムアミドに溶解し、その他は、実施例１と
同様にして積層板および樹脂板を作成した。
〔実施例６〕 イソシアネート化合物として2,2−ビス（4,4′−ジイ
ソシアナトフェニル）プロパンを用いた他は、実施例１
と同様にして、積層板および樹脂板を作成した。
ソシアナトフェニル）プロパンを用いた他は、実施例１
と同様にして、積層板および樹脂板を作成した。
〔実施例７〕 難燃剤としてポリ（ｐ−ビニルブロモフェニルアクリ
レート）（平均分子量:3300,mが約2,nが約10）を用いた
他は、実施例１と同様にして、積層板および樹脂板を作
成した。
レート）（平均分子量:3300,mが約2,nが約10）を用いた
他は、実施例１と同様にして、積層板および樹脂板を作
成した。
〔実施例８〕 難燃剤としてポリ（ｐ−ビニルブロモフェニルアリル
エーテル）（平均分子量:8800,mが約1.8,nが約30）を用
いた他は、実施例１と同様にして、積層板および樹脂板
を作成した。
エーテル）（平均分子量:8800,mが約1.8,nが約30）を用
いた他は、実施例１と同様にして、積層板および樹脂板
を作成した。
〔実施例９〕 イソシアネート化合物として2,2−ビス（4,4′−ジイ
ソシアナトフェニル）プロパン、難燃剤としてポリ（ｐ
−ビニルブロモフェニルアクリレート）（平均分子量:6
600,mが約2,nが約20）を用いた他は、実施例１と同様に
して、積層板および樹脂板を作成した。
ソシアナトフェニル）プロパン、難燃剤としてポリ（ｐ
−ビニルブロモフェニルアクリレート）（平均分子量:6
600,mが約2,nが約20）を用いた他は、実施例１と同様に
して、積層板および樹脂板を作成した。
〔実施例10〕 シアネート化合物として、ジシクロペンタンジシアネ
ートを用いた他は、実施例１と同様にして、積層板およ
び樹脂板を作成した。
ートを用いた他は、実施例１と同様にして、積層板およ
び樹脂板を作成した。
〔実施例11〕 シアネート化合物として、トリシクロペンタンジシア
ネートを用いた他は、実施例１と同様にして、積層板お
よび樹脂板を作成した。
ネートを用いた他は、実施例１と同様にして、積層板お
よび樹脂板を作成した。
〔実施例12〕 シアネート化合物として、XU−71787を、難燃剤とし
てポリ（ｐ−ビニルブロモフェニルメタクリレート）
（平均分子量:27000,mが約4,nが約90）を重量比で7:3に
混合したものを用いた他は、実施例１と同様にして、積
層板および樹脂板を作成した。
てポリ（ｐ−ビニルブロモフェニルメタクリレート）
（平均分子量:27000,mが約4,nが約90）を重量比で7:3に
混合したものを用いた他は、実施例１と同様にして、積
層板および樹脂板を作成した。
〔比較例１〕 シアネート化合物XU−71787の100重量部に対し、ナフ
テン酸コバルト１重量部を加えN,N−メチルホルムアミ
ドに溶解しワニスとする。該ワニスを用い実施例１と同
様にして、積層板および樹脂板を作成した。
テン酸コバルト１重量部を加えN,N−メチルホルムアミ
ドに溶解しワニスとする。該ワニスを用い実施例１と同
様にして、積層板および樹脂板を作成した。
〔比較例２〕 ポリイミド材MCL−I67（日立化成工業製）を用い実施
例１と同様にして、積層板を得た。
例１と同様にして、積層板を得た。
〔比較例３〕 エポキシ変性ポリブタジェンEP−50（日本曹達製）と
難燃性架橋剤ポリ（ｐ−ビニルブロモフェニルメタクリ
レート）〔平均分子量:6600,式（II）においてｍが約1.
5,nが約20〕を、重量比で20:80に混合し、溶剤としてN,
N−ジメチルホルムアミドを用いて60℃,30分間加熱溶解
して、固形分50重量％のワニスを調製した。
難燃性架橋剤ポリ（ｐ−ビニルブロモフェニルメタクリ
レート）〔平均分子量:6600,式（II）においてｍが約1.
5,nが約20〕を、重量比で20:80に混合し、溶剤としてN,
N−ジメチルホルムアミドを用いて60℃,30分間加熱溶解
して、固形分50重量％のワニスを調製した。
該ワニスに、2,5−ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキ
シン−３（日本油脂製）をワニス固形分100重量部に対
し２重量部，エポキシ硬化剤としてジシアンジアミド
（和光純薬製）を２重量部加えた。こうして得たワニス
を用いて、実施例１と同じ方法で樹脂板および積層板を
得た。
シン−３（日本油脂製）をワニス固形分100重量部に対
し２重量部，エポキシ硬化剤としてジシアンジアミド
（和光純薬製）を２重量部加えた。こうして得たワニス
を用いて、実施例１と同じ方法で樹脂板および積層板を
得た。
〔比較例４〕 シアネート化合物としてXU−71787、難燃性架橋剤と
してブロム化エポキシ樹脂アラルダイト8011（チバ・ガ
イギ製）を重量比1:1で混合し、50重量％のメチルイソ
ブチルケトン溶液を作成した。該溶液にナフテン酸コバ
ルトおよびジシアンジアミドをワニス固形分に対し、そ
れぞれ１重量部加えた後、実施例１と同じ方法で樹脂板
および積層板を得た。
してブロム化エポキシ樹脂アラルダイト8011（チバ・ガ
イギ製）を重量比1:1で混合し、50重量％のメチルイソ
ブチルケトン溶液を作成した。該溶液にナフテン酸コバ
ルトおよびジシアンジアミドをワニス固形分に対し、そ
れぞれ１重量部加えた後、実施例１と同じ方法で樹脂板
および積層板を得た。
〔樹脂板および積層板の特性の測定方法〕 比誘電率 JIS−Ｃ−6481に従いLPインピーダンスアナライザ419
2A（ヒューレットパッカード製）を用いて1MHzにおける
比誘電率を測定した。
2A（ヒューレットパッカード製）を用いて1MHzにおける
比誘電率を測定した。
曲げ強度 オートグラフDDS−5000（島津製作所製）を用い、幅5
0mm×長さ45mm×厚さ2mmの試料を、室温および180℃で
支点間距離30mm,たわみ速度2mm/分で測定した。
0mm×長さ45mm×厚さ2mmの試料を、室温および180℃で
支点間距離30mm,たわみ速度2mm/分で測定した。
熱分解開始温度 粉末状の試料10mgを高速示差熱天秤TGD−7000HR（日
本真空理工製）を用いて、大気中で10℃／分で昇温して
熱減量を測定し、その減量開始温度より求めた。
本真空理工製）を用いて、大気中で10℃／分で昇温して
熱減量を測定し、その減量開始温度より求めた。
吸湿率 JIS−Ｃ−6481に従い、65℃,95％RHで吸湿させ、その
飽和吸湿量から吸湿率（％）を求めた。
飽和吸湿量から吸湿率（％）を求めた。
熱膨張率 6mm×6mmの試料を用いて、熱物理試験装置TMA−1500
（日本真空理工製）により、２℃／分で昇温し、50〜22
0℃の範囲の熱膨張曲線より求めた。
（日本真空理工製）により、２℃／分で昇温し、50〜22
0℃の範囲の熱膨張曲線より求めた。
難燃性 UL−94規格に従い垂直法により評価した。
ピール強度 銅張積層板より所定サイズの試料を切り出し、JIS−
Ｃ−6481に従い測定した。
Ｃ−6481に従い測定した。
前記実施例１〜12および比較例１〜４により作成した
積層板の特性を第１表に示す。また、同じく樹脂板の特
性を第２表に示す。
積層板の特性を第１表に示す。また、同じく樹脂板の特
性を第２表に示す。
〔実施例13〕 一般式（Ｉ）で示されるシアネート化合物として、XU
−71787（ダウケミカル製）と、難燃剤として、一般式
（II）で示されるポリ（ｐ−ビニルブロモフェニルメタ
クリレート）〔平均分子量:6600,式（II）においてｍが
約1.5,nが約20〕を、重量比で1:1に混合し、溶剤として
N,N−ジメチルホルムアミドを用いて、60℃,30分加熱溶
解し、固形分50重量％のワニスを調製した。
−71787（ダウケミカル製）と、難燃剤として、一般式
（II）で示されるポリ（ｐ−ビニルブロモフェニルメタ
クリレート）〔平均分子量:6600,式（II）においてｍが
約1.5,nが約20〕を、重量比で1:1に混合し、溶剤として
N,N−ジメチルホルムアミドを用いて、60℃,30分加熱溶
解し、固形分50重量％のワニスを調製した。
該ワニスを冷却後ラジカル重合開始剤として、2,5−
ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（日本油脂
製）をワニス固形分100重量部に対して0.5重量部、更
に、シアネートの３量化触媒としてナフテン酸コバルト
を前記XU−71787の100重量部に対し１重量部添加した。
該ワニスをガラスクロス（日東紡製Ｅガラス：厚さ50μ
ｍ）に含浸し、大気中150℃,10分間乾燥させて、プリプ
レグシートを作成した。
ジ（ｔ−ブチルパーオキシ）ヘキシン−３（日本油脂
製）をワニス固形分100重量部に対して0.5重量部、更
に、シアネートの３量化触媒としてナフテン酸コバルト
を前記XU−71787の100重量部に対し１重量部添加した。
該ワニスをガラスクロス（日東紡製Ｅガラス：厚さ50μ
ｍ）に含浸し、大気中150℃,10分間乾燥させて、プリプ
レグシートを作成した。
次いで、該プリプレグシートの両面に50μｍ厚の銅箔
（TSTO銅箔，古河サーキット製）を重ね、プレス中で前
記実施例と同じ条件で加熱，加圧して両面銅張積層板を
得た。
（TSTO銅箔，古河サーキット製）を重ね、プレス中で前
記実施例と同じ条件で加熱，加圧して両面銅張積層板を
得た。
第１図にその製造工程を示す。
この銅張積層板の上下にエッチングレジスト焼付、エ
ッチング、孔あけ等を行ない内層回路を形成した。
ッチング、孔あけ等を行ない内層回路を形成した。
第２図に、この内層回路基板の内装回路形成前後の断
面の模式図を示す。
面の模式図を示す。
次に、これら回路を形成した基板11枚と、その間に前
記プリプレグシートを介在させて、プレス中で加圧，加
熱を行ない多層回路基板を得た。
記プリプレグシートを介在させて、プレス中で加圧，加
熱を行ない多層回路基板を得た。
得られた多層回路基板上の最外層に回路形成、並びに
スルホールの形成等を行ない、多層プリント回路板を得
た。
スルホールの形成等を行ない、多層プリント回路板を得
た。
第３図に、この多層回路プリント板の製造工程図と、
得られた多層回路プリント板の断面斜視図を示す。
得られた多層回路プリント板の断面斜視図を示す。
［発明の効果］ 本発明の熱硬化性樹脂組成物は比誘電率3.5以下と小
さく、かつ、難燃性であると云う優れた効果があるの
で、電子機器用絶縁材料として優れている。
さく、かつ、難燃性であると云う優れた効果があるの
で、電子機器用絶縁材料として優れている。
また、本発明の熱硬化性樹脂組成物を用いて形成した
プリント回路板は、比誘電率3.5以下で、従来の難燃性
樹脂材料であるポリイミドを用いて形成したプリント回
路板の4.7に比べて、格段に小さい。従って、信号伝送
速度を大幅に向上し得る効果があり、電子計算機等のプ
リント回路板用としても優れている。
プリント回路板は、比誘電率3.5以下で、従来の難燃性
樹脂材料であるポリイミドを用いて形成したプリント回
路板の4.7に比べて、格段に小さい。従って、信号伝送
速度を大幅に向上し得る効果があり、電子計算機等のプ
リント回路板用としても優れている。
第１図は両面銅張積層板の製造工程図、第２図は多層回
路プリント板の各内層基板の内装回路形成前後の断面模
式図、第３図は多層回路プリント板の製造工程図と得ら
れた多層回路プリント板の断面斜視図である。 １……未硬化樹脂、２……ガラスクロス、３……プリプ
レグ、４……銅箔、５……熱板、６……銅張積層板、７
……硬化樹脂、８……内層回路基板、９……多層プリン
ト回路板、10……プリント回路、11……内層回路、12…
…スルーホール。
路プリント板の各内層基板の内装回路形成前後の断面模
式図、第３図は多層回路プリント板の製造工程図と得ら
れた多層回路プリント板の断面斜視図である。 １……未硬化樹脂、２……ガラスクロス、３……プリプ
レグ、４……銅箔、５……熱板、６……銅張積層板、７
……硬化樹脂、８……内層回路基板、９……多層プリン
ト回路板、10……プリント回路、11……内層回路、12…
…スルーホール。
フロントページの続き (72)発明者 永井 晃 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 小野 正博 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内 (72)発明者 高橋 昭雄 茨城県日立市久慈町4026番地 株式会社日 立製作所日立研究所内
Claims (7)
- 【請求項１】一般式（Ｉ） Ａ−R1−Ａ （Ｉ） 式中、R1は芳香族、環式脂肪族およびその混成体からな
る群から選ばれたものであり、Ａはシアネート基あるい
はイソシアネート基を示す。）で示されるシアネート化
合物あるいはイソシアネート化合物と、 一般式（II） （式中、Ｘはフッ素，臭素，塩素を示し、R2は炭素数２
〜４のアルケニル基または不飽和カルボキシル基であ
り、また、Ｂは重合開始剤残基，重合停止剤残基,H, のいずれかであり、互いに同じでも異なってもよい。ｍ
は１〜4,nは５以上）で示されるポリ（ｐ−ヒドロキシ
スチレン）誘導体とを含む熱硬化性樹脂組成物。 - 【請求項２】前記一般式（Ｉ）と一般式（II）で示され
る化合物の配合比が重量比で20:80〜80:20である請求項
１に記載の熱硬化性樹脂組成物。 - 【請求項３】前記熱硬化性樹脂組成物が、１個以上のＮ
置換不飽和イミド基を有する化合物を含む請求項１また
は２に記載の熱硬化性樹脂組成物。 - 【請求項４】金属箔から成る導体と、繊維質基材に熱硬
化性樹脂組成物を含浸硬化して成る絶縁層を有するプリ
ント回路板において、 前記熱硬化性樹脂組成物が一般式（Ｉ） Ａ−R1−Ａ （Ｉ） （式中、R1は芳香族、環式脂肪族およびその混成体から
なる群から選ばれたものであり、Ａはシアネート基ある
いはイソシアネート基を示す。）で示されるシアネート
化合物あるいはイソシアネート化合物と、 一般式（II） （式中、Ｘはフッ素，臭素，塩素を示し、R2は炭素数２
〜４のアルケニル基または不飽和カルボキシル基であ
り、また、Ｂは重合開始剤残基，重合停止剤残基,H, のいずれかであり、互いに同じでも異なってもよい。ｍ
は１〜4,nは５以上）で示されるポリ（ｐ−ヒドロキシ
スチレン）誘導体を含む熱硬化性樹脂組成物であること
を特徴とするプリント回路板。 - 【請求項５】金属箔から成る導体と、繊維質基材に熱硬
化性樹脂組成物を含浸硬化して成る絶縁層を有するプリ
ント回路基板が複数層積層されてなるプリント回路板に
おいて、 前記熱硬化性樹脂組成物が一般式（Ｉ） Ａ−R1−Ａ （Ｉ） （式中、R1は芳香族、環式脂肪族およびその混成体から
なる群から選ばれたものであり、Ａはシアネート基ある
いはイソシアネート基を示す。）で示されるシアネート
化合物あるいはイソシアネート化合物と、 一般式（II） （式中、Ｘはフッ素，臭素，塩素を示し、R2は炭素数２
〜４のアルケニル基または不飽和カルボキシル基であ
り、また、Ｂは重合開始剤残基，重合停止剤残基,H, のいずれかであり、互いに同じでも異なってもよい。ｍ
は１〜4,nは５以上）で示されるポリ（ｐ−ヒドロキシ
スチレン）誘導体を含む熱硬化性樹脂組成物であること
を特徴とするプリント回路板。 - 【請求項６】前記熱硬化性樹脂組成物が１個以上のＮ置
換不飽和イミド基を有する化合物を含む熱硬化性樹脂組
成物である請求項４または５に記載のプリント回路板。 - 【請求項７】前記繊維質基材が有機繊維，無機繊維の織
布または不織布からなり、前記熱硬化性樹脂組成物が40
〜70重量％含浸硬化されている請求項4,5または６に記
載のプリント回路板。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP1252748A JPH0826116B2 (ja) | 1988-09-30 | 1989-09-28 | 熱硬化性樹脂組成物およびこれを用いたプリント回路板 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP63-246978 | 1988-09-30 | ||
| JP24697888 | 1988-09-30 | ||
| JP1252748A JPH0826116B2 (ja) | 1988-09-30 | 1989-09-28 | 熱硬化性樹脂組成物およびこれを用いたプリント回路板 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH02167329A JPH02167329A (ja) | 1990-06-27 |
| JPH0826116B2 true JPH0826116B2 (ja) | 1996-03-13 |
Family
ID=26538004
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP1252748A Expired - Lifetime JPH0826116B2 (ja) | 1988-09-30 | 1989-09-28 | 熱硬化性樹脂組成物およびこれを用いたプリント回路板 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0826116B2 (ja) |
Families Citing this family (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2006001305A1 (ja) * | 2004-06-23 | 2006-01-05 | Hitachi Chemical Co., Ltd. | 印刷配線板用プリプレグ、金属箔張積層板、及び印刷配線板、並びに、多層印刷配線板の製造方法 |
| GB0703172D0 (en) | 2007-02-19 | 2007-03-28 | Pa Knowledge Ltd | Printed circuit boards |
| US8995146B2 (en) | 2010-02-23 | 2015-03-31 | Semblant Limited | Electrical assembly and method |
| GB201621177D0 (en) | 2016-12-13 | 2017-01-25 | Semblant Ltd | Protective coating |
-
1989
- 1989-09-28 JP JP1252748A patent/JPH0826116B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH02167329A (ja) | 1990-06-27 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3184485B2 (ja) | 銅張積層板用樹脂組成物、樹脂付き銅箔、多層銅張り積層板および多層プリント配線板 | |
| JP6443657B2 (ja) | 熱硬化性絶縁樹脂組成物、並びにこれを用いた支持体付絶縁フィルム、プリプレグ、積層板及び多層プリント配線板 | |
| KR0155542B1 (ko) | 열경화성 수지 조성물, 수지 조성물을 사용한 인쇄회로판 및 인쇄회로판의 제조방법 | |
| JP2007070418A (ja) | 接着シート、金属箔張積層板及びビルドアップ型多層プリント配線板 | |
| KR960007765B1 (ko) | 열경화성 수지 조성물 및 이것을 사용한 프리프레그 및 적층판 | |
| KR20180007306A (ko) | 열경화성 수지 조성물, 이를 이용한 프리프레그, 적층 시트 및 인쇄회로기판 | |
| US5352762A (en) | Multilayer printed circuit board and production thereof | |
| JPH08193139A (ja) | プリント配線板用プリプレグ及びそれを用いた金属張積層板 | |
| JP2003073543A (ja) | 樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いたプリント配線板 | |
| JP6575151B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物、並びにそれを用いたプリプレグ、積層板及びプリント配線板 | |
| JPH0826116B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物およびこれを用いたプリント回路板 | |
| JPH08231847A (ja) | ポリフェニレンオキサイド樹脂組成物並びにそれを用いた プリプレグ及び積層板 | |
| JPH0579686B2 (ja) | ||
| JP2007273616A (ja) | 多層プリント配線板の製造方法 | |
| JP3261061B2 (ja) | 積層板用樹脂組成物、該組成物を用いたプリプレグ及び積層板 | |
| JP2866661B2 (ja) | 熱硬化性樹脂組成物並びにそれを用いたプリプレグおよび積層板 | |
| JP3531082B2 (ja) | フレキシブル銅張積層板 | |
| JP5407678B2 (ja) | 熱硬化性絶縁樹脂組成物、並びにこれを用いた支持体付絶縁フィルム、プリプレグ、積層板及び多層プリント配線板 | |
| US5212244A (en) | Thermosetting resin composition, and prepreg and laminated sheet which use the same | |
| JPH02185517A (ja) | 熱硬化性樹脂組成物並びにそれを用いたプリプレグおよび積層板 | |
| JP2003096296A (ja) | 樹脂組成物、プリプレグ及びそれを用いたプリント配線板 | |
| JPH0634453B2 (ja) | 多層プリント回路板およびその製法 | |
| JP3111389B2 (ja) | 低誘電率樹脂シート並びにそれを用いた銅張積層板 | |
| JPS63117053A (ja) | 積層板 | |
| JPH0790172A (ja) | ポリフェニレンオキサイド樹脂組成物、プリプレグ及び積 層板。 |