JP4843214B2 - モジュール基板およびディスク装置 - Google Patents

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Description

本発明は、モジュール基板およびディスク装置に関する。
プリント配線板の回路パターンにベアチップのような能動素子部品を実装したモジュール基板が知られている。このモジュール基板において、能動素子部品をプリント配線板の回路パターンに実装する際、プリント配線板の回路パターンに能動素子部品の電極をはんだなどで接続した後、プリント配線板と能動素子部品の間にアンダーフィル形成用樹脂溶液を注入し、硬化させることによりアンダーフィルを形成し、プリント配線板に対する能動素子部品の機械的な固定性等を高めることが行われている。
しかしながら、アンダーフィル形成用樹脂溶液を注入する際、その樹脂溶液がプリント配線板の能動素子部品の実装領域から周辺部品に流れて広がるため、次のような問題を生じる。例えば、エポキシ樹脂を主材料とするリジッド絶縁基材が組み込まれたプリント配線板を用いるモジュール基板では前記アンダーフィルの周辺部品への広がりにより能動素子部品の交換に支障をきたす。また、ポリイミドフィルムのようなフレキシブル絶縁基材が組み込まれたプリント配線板を用いるモジュール基板ではアンダーフィルが硬化性樹脂を主成分とする硬い性質を有するため、アンダーフィルが広がった箇所においてその柔軟性が低下する。さらに、アンダーフィルが広がる箇所で折り曲げると、アンダーフィルが剥がれてダストが発生し、ディスク装置の場合、メディアに悪影響を及ぼす。
このようなことから、従来、能動素子部品をアンダーフィルで固定した構造のモジュール基板では能動素子部品が実装されるプリント配線板の回路パターン部分の間隔を広げたり、流れ止め用のダムや溝を形成したりすることが行われている。しかしながら、部品実装の高密度化に伴って、アンダーフィルの流れを考慮した部品の配置、ダム/溝の形成は実質的に困難となる。
一方、特許文献1には例えば折畳式の携帯電話の繰り返し屈曲を受けるヒンジ部に配置され、回路パターンのような金属層を一対のフィルムで挟持した構造で、少なくとも一方のフィルムが耐摩擦性部材または耐摩耗部材(例えばフッ素樹脂)であり、携帯電話の多数回(例えば約1万回)の開閉動作でも切断を防ぐことが可能なフレキシブルプリント配線板が記載されている。
特開2001−102700
本発明は、アンダーフィルがプリント配線板の能動素子部品の実装領域から周辺部品に広がるのを防止することが可能なモジュール基板を提供することを目的とする。
また、本発明はベース部とこのベース部から延出し、ヘッドアクチュエータに接続された帯状フレキシブルプリント配線板とを有し、それらの部材間での折り曲げ性を改良したフレキシブルモジュール基板を備えたディスク装置を提供することを目的とする。
本発明によると、絶縁基材と、
この絶縁基材に設けられた回路パターンと、
前記回路パターンを含む前記絶縁基材に前記回路パターンの実装領域露出させて設けられた保護膜と、
前記回路パターンの実装領域上に実装された能動素子部品と、
少なくとも前記能動素子部品の実装領域の周辺近傍に位置する前記保護膜上に設けられたフッ素樹脂膜と、
前記能動素子部品と前記回路パターンの実装領域との間に充填されたアンダーフィルと
備え、
前記アンダーフィルの周縁端部が前記実装領域側に位置する前記フッ素樹脂膜の端部に対して離間して位置することを特徴とするモジュール基板が提供される。
また本発明によると、ディスク状の記録媒体;
前記記録媒体を支持すると共に回転させる駆動部材;
前記記録媒体に対して情報処理を行うヘッド;
前記ヘッドを支持すると共にそのヘッドを前記記録媒体に対して移動させるヘッドアクチュエータ;および
フレキシブルプリント配線板を有するベース部と、このベース部のフレキシブルプリント配線板から折り曲げて延出され、前記ヘッドアクチュエータに接続された帯状フレキシブルプリント配線板とを含むフレキシブルモジュール基板;
を具備し、
前記フレキシブルモジュール基板の前記ベース部は、
絶縁基材と、この絶縁基材に設けられた回路パターンと、前記回路パターンを含む前記絶縁基材に前記回路パターンの実装領域露出させて設けられた保護膜と、前記回路パターンの実装領域上に実装された能動素子部品と、少なくとも前記能動素子部品の実装領域の周辺近傍に位置する前記保護膜上に設けられたフッ素樹脂膜と、前記能動素子部品と前記回路パターンの実装領域との間に充填されたアンダーフィルとを備え、前記アンダーフィルの周縁端部が前記実装領域側に位置する前記フッ素樹脂膜の端部に対して離間して位置することを特徴とするディスク装置が提供される。
本発明によれば、必要以外の部分にアンダーフィルが広がらないため、従来の流れ防止用のダムや溝が不要になって部品間隔を狭くでき、能動素子部品の高密度実装が可能なモジュール基板を提供できる。
本発明によれば、ベース部とこのベース部から延出し、ヘッドアクチュエータに接続された帯状フレキシブルプリント配線板とを有し、それらの部材間での折り曲げ性を改良したフレキシブルモジュール基板を備えた信頼性の高いディスク装置を提供できる。
以下、本発明に係るモジュール基板およびディスク装置を図面を参照して詳細に説明する。
(第1実施形態)
図1は、この第1実施形態に係るリジッド絶縁基材を有するプリント配線板を備えたモジュール基板を示す断面図である。
例えばガラスエポキシ樹脂からなるリジッド絶縁基材1は、表裏面に回路パターン2,3がそれぞれ形成されている。スルーホール4(後述する)は、リジッド絶縁基材1を貫通して形成され、そのスルーホール4の両端開口部周辺の絶縁基材1の表裏にはランド5,6(後述する)が形成されている。保護膜であるソルダーレジスト膜7,8は、前記回路パターン2,3を含むリジッド絶縁基材1の表裏面に形成されている。表面側のソルダーレジスト膜7は、能動素子および受動素子の部品が実装される回路パターン2の箇所およびランド5の箇所で開口されている。裏面側のソルダーレジスト膜8は、ランド6の箇所で開口されている。このようなリジッド絶縁基材1、回路パターン2,3、ランド5,6を有するスルーホール4およびソルダーレジスト7,8によりリジッドプリント配線板(以下、RPCと称す)9を構成している。
フッ素樹脂膜10は、少なくとも能動素子部品の実装領域の周辺近傍に位置する前記ソルダーレジスト膜7部分に被覆されている。
能動素子部品(例えばベアチップ)11の電極12は、前記RPC9の表面側のソルダーレジスト膜7の開口(実装領域)から露出した回路パターン2にはんだ材13を介して接続されている。アンダーフィル13は、前記実装領域において絶縁基材1とベアチップ11の間に介在され、ベアチップ11を絶縁基材1に対して機械的に固定している。受動素子部品(例えばチップ抵抗体)14,15は前記RPC9の表面側のソルダーレジスト膜7の開口(実装領域)から露出した回路パターン2にそれぞれ接続されている。
前記能動素子部品としては、ベアチップに限らず、例えばボールグリッドアレイ(BGA)、プラスチックボールグリッドアレイ(PBGA)、プラスチック微細ピッチボールグリッドアレイ(PFBGA)、スタックプラスチック微細ピッチボールグリッドアレイ(Stacked PFBGA)、フリップチップボールグリッドアレイ(FCBGA)等を用いることができる。
前記受動素子部品としては、チップ抵抗体に限らず、例えばチップコンデンサを用いることができる。
前記フッ素樹脂としては、例えばポリテトラフルオロエチレン(PTFE)、テトラフルオロエチレン・パーフルオロアルキルビニルエーテル共重合体(PFA)、テトラフルオロエチレン・ヘキサフルオロプロピレン共重合体(FEP)、テトラフルオロエチレン・エチレン共重合体(ETFE)、ポリビニリデンフルオライド(PVDF)およびポリクロロトリフルオロエチレン(PCTFE)等を用いることができる。
前記フッ素樹脂膜は、5〜50μmの厚さを有することが好ましい。
前記アンダーフィルは、例えばフィラーが充填されたエポキシ樹脂から作られる。
次に、前述した図1に示すモジュール基板の製造方法を図2を参照して説明する。
まず、図2の(A)に示すように例えばガラスエポキシ樹脂からなるリジッド絶縁基材1の表裏面に銅箔21,22を張り付けた、いわゆる両面銅張り板を用意する。つづいて、図2の(B)に示すようにこの両面銅張り板にドリル等により穴23を穿設する。ひきつづき、電気めっき(例えば電気銅めっき)を施すことにより図2の(C)に示すように銅箔21,22上に電気銅めっき膜24,25を形成すると共に、穴23の箇所にスルーホール26を形成する。
次いで、図2の(D)に示すようにリジッド絶縁基板1表裏面の銅箔21,22、電気銅めっき膜24,25を図示しないレジストパターンをマスクとして選択的にエッチング除去することによりリジッド絶縁基板1表裏面に回路パターン2,3を形成する。つづいて、図2の(E)に示すように前記回路パターン2,3を含むリジッド絶縁基材1の表裏面にソルダーレジスト膜7,8を能動素子および受動素子の部品が実装される回路パターン2の箇所およびランド5の箇所で開口されるように形成することによりリジッドプリント配線板(RPC)9を作製する。ひきつづき、図2の(F)に示すように少なくとも能動素子部品の実装領域の周辺近傍に位置するソルダーレジスト膜7部分にフッ素樹脂膜10を形成する。このフッ素樹脂膜10は、所望のパターンのフィルム状フッ素樹脂を前記ソルダーレジスト膜7上に接着剤で貼り合わせる方法、または前記ソルダーレジスト膜7上にフッ素樹脂溶液を印刷技術で塗付し、焼き付ける方法を採用することができる。
この後、前述した図1に示すように前記RPC9の表面側のソルダーレジスト膜7の開口(実装領域)から露出した回路パターン2に能動素子部品(例えばベアチップ)11の電極12をはんだ材13を介して接続する。この実装領域において前記回路パターン2を含む絶縁基材1とベアチップ11の間にアンダーフィル形成用樹脂溶液(例えばフィラーを含むエポキシ樹脂溶液)を例えばディスペンスノズルから滴下し、乾燥、硬化することにより絶縁基材1にベアチップ11を機械的に固定するためのアンダーフィル14を形成する。また、前記RPC9の表面側のソルダーレジスト膜7の開口(実装領域)から露出した回路パターン2に受動素子部品(例えばチップ抵抗体)15,16をそれぞれ実装する。このような工程によりRPC9にベアチップ11、チップ抵抗体15,16等が実装されたモジュール基板を製造する。
以上、第1実施形態によれば少なくとも能動素子部品の実装領域の周辺近傍に位置するプリント配線板9のソルダーレジスト膜7に濡れ難い高い撥水性を有するフッ素樹脂膜10を被覆することによって、実装領域において能動素子部品(例えばベアチップ)11の電極12を回路パターン2にはんだ材13を介して接続し、アンダーフィル13で絶縁基材1にベアチップ11を機械的に固定する際、前記アンダーフィル13がプリント配線板9のベアチップ11の実装領域から周辺部品に広がるのを防止できる。その結果、従来の流れ防止用のダムや溝が不要になり、部品間隔を狭くことができるため、ベアチップ11等が高密度実装されたモジュール基板を提供できる。
また、リジッド絶縁基材1を有するプリント配線板9に能動素子部品11を実装したモジュール基板において、能動素子部品11の不良により新しい能動素子部品に交換する場合、前記アンダーフィル13がプリント配線板の能動素子部品11の実装領域から周辺部品に広がるのを防止できるため、周辺部品を損傷することなく能動素子部品を容易に交換することが可能になる。
なお、第1実施形態では両面に回路パターンが形成されたリジッドプリント配線板を用いたが、これに限定されない。例えば、片面に回路パターンが形成されたリジッドプリント配線板、内部に内層回路パターンを有するリジッド多層プリント配線板を用いてもよい。
(第2実施形態)
図3は、この第2実施形態に係るフレキシブル絶縁基材を有するフレキシブルプリント配線板を備えたモジュール基板を示す断面図である。
例えばポリイミドからなるフレキシブル絶縁基材31は、開口部32が部分的に形成されている。このフレキシブル絶縁基材31は、表面に例えばCr/CuとCuの層構造を有する回路パターン33が形成され、裏面(後述する少なくとも能動素子部品と対向する箇所)に例えばSUSからなる裏打ち板34が形成されている。前記回路パターン33は、その露出面が例えばNi薄膜35で覆われている。保護膜である例えばポリイミドからなるカバーレイ36は、前記回路パターン33を含むフレキシブル絶縁基材31上に形成されている。このカバーレイ36は、能動素子部品が実装される回路パターン33部分で開口されている。例えばNi/Au薄膜37は、前記開口から露出した回路パターン33のNi薄膜35上に形成されている。このようなフレキシブル絶縁基材31、回路パターン33、Ni薄膜35、Ni/Au薄膜37、裏打ち板34およびカバーレイ36によりフレキシブルプリント配線板(以下、FPCと称す)38を構成している。
フッ素樹脂膜39は、少なくとも能動素子部品の実装領域の周辺近傍に位置する前記カバーレイ36部分に被覆されている。
能動素子部品(例えばベアチップ)40の電極(図示せず)は、前記FPC38のカバーレイ36の開口(実装領域)から露出した回路パターン33のNi/Au薄膜37にはんだ材41を介して接続されている。アンダーフィル42は、前記実装領域において前記カバーレイ36とベアチップ40の間に介在され、ベアチップ40をカバーレイ36に対して機械的に固定している。
前記能動素子部品としては、前記第1実施形態で説明したようにベアチップに限らず、例えばボールグリッドアレイ(BGA)、プラスチックボールグリッドアレイ(PBGA)、プラスチック微細ピッチボールグリッドアレイ(PFBGA)、スタックプラスチック微細ピッチボールグリッドアレイ(Stacked PFBGA)、フリップチップボールグリッドアレイ(FCBGA)等を用いることができる。
前記フッ素樹脂としては、前記第1実施形態で説明したのと同様なものを用いることができる。このフッ素樹脂膜は、5〜50μmの厚さを有することが好ましい。
前記アンダーフィルは、例えばフィラーが充填されたエポキシ樹脂から作られる。
次に、前述した図3に示すモジュール基板の製造方法を図4、図5を参照して説明する。
まず、図4の(A)に示すように例えばSUS製薄板51に感光性ポリイミド膜52を形成する。つづいて、図4の(B)に示すように前記感光性ポリイミド膜52をホトリソグラフィーによりパターニングして開口部32が部分的に形成されたフレキシブル絶縁基材31を形成する。
次いで、図4の(C)に示すように前記開口部32を含むフレキシブル絶縁基材31の表面に例えばスパッタ法によりCr/Cuのめっき用下地層53を形成する。つづいて、図4の(D)に示すように前記下地層53表面にレジスト膜の被覆、ホトリソグラフィーにより回路パターン形成部が露出しためっきレジストパターン54を形成した後、SUS製薄板51および下地層53を共通電極とした例えば電気銅めっきを施すことによりCuパターン55を形成する。その後、図4の(E)に示すようにめっきレジストパターン54を除去した。
次いで、図4の(F)に示すようにCuパターン55をマスクとして下地層53を選択的にエッチング除去してCr/CuとCuの層構造を有する回路パターン33を形成する。つづいて、無電解Niめっきを施すことにより図4の(G)に示すように回路パターン33の露出表面にNi薄膜35を形成した後、開口部32を除くフレキシブル絶縁基材31上に例えばポリイミドからなるカバーレイ36を形成する。
次いで、図5の(H)に示すように所定の回路パターン33において、その表面を覆うカバーレイ36部分を選択的に除去して同回路パターン33上のNi薄膜35を露出させた後、無電解Niめっき、無電解Auめっきを施すことにより図5の(I)に示すように露出したNi薄膜35上にNi/Au薄膜37を形成する。つづいて、図5の(J)に示すように表面のカバーレイ36全面にレジスト膜56を覆い、かつSUS製薄板51裏面にレジスト膜の被覆、ホトリソグラフィーによりレジストパターン57を形成した後、このレジストパターン57をマスクとしてSUS製薄板51を選択的にエッチング除去して裏打ち板34を形成する。この後、レジスト膜56およびレジストパターン57を除去することにより図5の(K)に示すフレキシブルプリント配線板(FPC)38を作製する。ひきつづき、図5の(L)に示すように能動素子部品の実装領域の周辺近傍に位置する前記カバーレイ36部分にフッ素樹脂膜39を形成する。このフッ素樹脂膜39は、所望のパターンのフィルム状フッ素樹脂を前記カバーレイ36上に接着剤で貼り合わせる方法、または前記カバーレイ36上にフッ素樹脂溶液を印刷技術で塗付し、焼き付ける方法を採用することができる。
次いで、図5の(M)に示すように前記FPC38のカバーレイ36の開口(実装領域)から露出した回路パターン33上のNi/Au薄膜37に能動素子部品(例えばベアチップ)40の電極(図示せず)をはんだ材41を介して接続した後、この実装領域においてカバーレイ36とベアチップ40の間にアンダーフィル形成用樹脂溶液(例えばフィラーを含むエポキシ樹脂溶液)58を例えばディスペンスノズル59から滴下し、乾燥、硬化することにより、前述した図3に示すようにカバーレイ36にベアチップ40を機械的に固定するためのアンダーフィル42を形成し、FPC38にベアチップ40等が実装されたフレキシブルモジュール基板を製造する。
以上、第2実施形態によれば少なくとも能動素子部品の実装領域の周辺近傍に位置するプリント配線板38のカバーレイ36に濡れ難い高い撥水性を有するフッ素樹脂膜39を被覆することによって、実装領域において能動素子部品(例えばベアチップ)40の電極を回路パターン33のNi/Au薄膜37にはんだ材41を介して接続し、アンダーフィル42でカバーレイ36にベアチップ40を機械的に固定する際、前記アンダーフィル42がプリント配線板38のベアチップ40の実装領域から周辺部品に広がるのを防止できる。その結果、従来の流れ防止用のダムや溝が不要になり、部品間隔を狭くことができるため、ベアチップ40等を高密度実装することが可能なモジュール基板を提供できる。
また、フレキシブルプリント配線板38に能動素子部品(例えばベアチップ)40を実装したモジュール基板において、硬化性樹脂を主成分とする硬い性質を有するアンダーフィル42がベアチップ40の実装領域から周辺のカバーレイ38に広がるのを防止できるため、ベアチップ40の実装箇所近傍で折り曲げる際に、そのアンダーフィルの延出箇所で剥がれを生じてダストが発生し、ディスク装置の場合、メディアに悪影響を及ぼすのを回避できる。
さらに、フレキシブル絶縁基材31の裏面に裏打ち板34を少なくともベアチップ40に対向するように取り付けることによって、そのベアチップ40が実装されるフレキシブル絶縁基材31部分の柔軟性を抑えて、前記ベアチップ40をフレキシブルプリント配線板38に良好に固定することが可能になる。
なお、第2実施形態でのフレキシブルプリント配線板の作製において銅張りポリイミドフィルムを出発素材として用いてもよい。
(第3実施形態)
図6は、この第3実施形態に係るディスク装置としてのハードディスクドライブ(以下HDDと称する)を示す斜視図、図7は図6のフレキシブルモジュール基板を示す斜視図である。
図6に示すように、HDDは、上面の開口した矩形箱状のケース61と、複数のねじによりケースにねじ止めされてケースの上端開口を閉塞する図示しないトップカバーと、を有している。
ケース61内には、記録媒体としての2枚の磁気ディスク62a、62b、これらの磁気ディスクを支持および回転させる駆動部材としてのスピンドルモータ63、磁気ディスクに対して情報の記録、再生を行なう複数の磁気ヘッド、これらの磁気ヘッドを磁気ディスク62a、62bに対して移動自在に支持したヘッドアクチュエータ64、ヘッドアクチュエータ64を回動および位置決めするボイスコイルモータ(以下VCMと称する)65、磁気ヘッドが磁気ディスクの最外周に移動した際、磁気ヘッドを磁気ディスクから離間した位置に保持するランプロード機構66、およびプリアンプ、ベアチップ等の電子部品が実装されたフレキシブルモジュール基板67が収納されている。
また、ケース61の外面には、フレキシブルモジュール基板67を介してスピンドルモータ63、VCM65、および磁気ヘッドの動作を制御する図示しないプリント配線板がねじ止めされ、ケース61の底壁と対向して位置している。
2枚の磁気ディスク62a、62bは、スピンドルモータ63の図示しないハブに互いに同軸的に嵌合されているとともにクランプばね68によりクランプされ、ハブの軸方向に所定の間隔をおいて積層されている。そして、磁気ディスク62a、62bは、スピンドルモータ63により所定の速度で回転駆動される。
ヘッドアクチュエータ64は、ケース61の底壁上に固定された軸受組立体69を備えている。また、ヘッドアクチュエータ64は、軸受組立体69の図示しないハブに取り付けられた複数本、例えば4本のアーム70と、それぞれのアーム70から延出したサスペンション(図示せず)の延出端に支持された磁気ヘッド71、および3つのスペーサリング(図示せず)を備えている。
一方、ヘッドアクチュエータ64の各磁気ヘッド71は、それぞれ中継フレキシブルプリント回路基板(図示せず)を介してFMユニット67の後述するメインフレキシブルプリント配線板に電気的に接続されている。
図6および図7に示すようにフレキシブルモジュール基板67は、ほぼ矩形状に折り曲げられたフレキシブルプリント配線板を有するベース部72と、このベース部72のフレキシブルプリント配線板から折り曲げて延出され、前記ヘッドアクチュエータ64と接続された帯状フレキシブルプリント配線板73とを有し、共通のフレキシブルプリント配線板により一体的に形成されている。
前記ベース部72は、前述した第2実施形態の図3に示すフレキシブルモジュール基板とほぼ同様な構造を有する。すなわち、フレキシブルプリント配線板74は、開口部が部分的に形成された例えばポリイミドからなるフレキシブル絶縁基材と、このフレキシブル絶縁基材の表面に形成された例えばCr/CuとCuの層構造を有する回路パターンと、フレキシブル絶縁基材の裏面(後述する少なくとも能動素子部品と対向する箇所)に形成され、例えばSUSからなる裏打ち板と、前記回路パターンの露出面を覆う例えばNi薄膜と、前記開口部を除く前記フレキシブル絶縁基材上に形成された保護膜である例えばポリイミドからなるカバーレイと、能動素子部品が実装される回路パターン部分の前記カバーレイの開口箇所に形成されたNi/Au薄膜とを有する。フッ素樹脂膜は、この実装領域周辺のカバーレイ表面に形成され、能動素子部品(例えばヘッドアンプ)75はこの実装領域においてカバーレイから露出した回路パターンに接続され、アンダーフィルでカバーレイに機械的に固定されている。さらに、コネクタ76、チップ抵抗77、チップコンデンサ78は前記フレキシブルプリント配線板74に実装されている。なお、ヘッドアンプ75等が実装されたフレキシブルプリント配線板74と反対側に面にそのヘッドアンプ75およびコネクタ77と対向するように例えばSUSから作られる裏打ち板が設けられている。前記ベース部72は、ケース61の底壁上に固定されている。ベース部72から延出した帯状フレキシブルプリント配線板73の延出端部は接続端部79を構成している。この接続端部79は、ヘッドアクチュエータ64の基端部側に取り付けられている。
このように構成されたHDDによれば、フレキシブルプリント配線板74のカバーレイ(保護膜)から露出した回路パターンに能動素子部品(例えばヘッドアンプ)75が実装され、かつアンダーフィルでそのヘッドアンプ75をカバーレイに機械的に固定した構造を有するフレキシブルモジュール基板67のベース部72において、フッ素樹脂膜を実装領域周辺のカバーレイ表面に被覆し、アンダーフィルの周辺への広がりを防ぐことによって、ヘッドアンプ75等の実装密度を向上できる。
また、前記ベース部72において硬化性樹脂を主成分とする硬い性質を有するアンダーフィルが周辺(ベース部72からヘッドアクチュエータ64に接続される帯状フレキシブルプリント配線板73を折り曲げる箇所)に広がるのを防ぐことによって、その折り曲げ箇所にアンダーフィルが存在することに伴う剥がれ、これに伴うダストの発生を招くことなく前記ベース部72から帯状フレキシブルプリント配線板73を円滑に折り曲げることができる。
したがって、高密度実装が可能で高信頼性のベース部72を有するフレキシブルモジュール基板67を備えたHDDを実現できる。
本発明の第1実施形態に係るモジュール基板を示す断面図。 第1実施形態に係るモジュール基板の製造工程を示す断面図。 本発明の第2実施形態に係るモジュール基板を示す断面図。 第2実施形態に係るモジュール基板の製造工程を示す断面図。 第2実施形態に係るモジュール基板の製造工程を示す断面図。 本発明の第3実施形態に係るディスク装置としてのハードディスクドライブ(以下HDDと称する)を示す斜視図。 図6のフレキシブルモジュール基板を示す斜視図。
符号の説明
1…リジッド絶縁基材、2、3,33…回路パターン、7、8…ソルダーレジスト膜(保護膜)、9…リジッドプリント配線板、10、39…フッ素樹脂膜、11,40…ベアチップ(能動素子部品)、14、42…アンダーフィル、31…フレキシブル絶縁基材、34…裏打ち板、36…カバーレイ、38…フレキシブルプリント配線板、61…ケース、62a,62b…磁気ディスク、63…スピンドルモータ(駆動部材)、64…ヘッドアクチュエータ、67…フレキシブルモジュール基板、71…磁気ヘッド、72…ベース部、73…帯状フレキシブルプリント配線板、74…フレキシブルプリント配線板、75…ヘッドアンプ(能動素子部品)。

Claims (6)

  1. 絶縁基材と、
    この絶縁基材に設けられた回路パターンと、
    前記回路パターンを含む前記絶縁基材に前記回路パターンの実装領域露出させて設けられた保護膜と、
    前記回路パターンの実装領域上に実装された能動素子部品と、
    少なくとも前記能動素子部品の実装領域の周辺近傍に位置する前記保護膜上に設けられたフッ素樹脂膜と、
    前記能動素子部品と前記回路パターンの実装領域との間に充填されたアンダーフィルと
    備え、
    前記アンダーフィルの周縁端部が前記実装領域側に位置する前記フッ素樹脂膜の端部に対して離間して位置することを特徴とするモジュール基板。
  2. 前記絶縁基材は、熱硬化性樹脂を主成分とするリジッド絶縁基材であることを特徴とする請求項1記載のモジュール基板。
  3. 前記絶縁基材は、フレキシブル絶縁基材であることを特徴とする請求項1記載のモジュール基板。
  4. 前記絶縁基材の回路パターンと反対側の面には、前記能動素子部品と対向するように裏打ち板がさらに設けられていることを特徴とする請求項3記載のモジュール基板。
  5. ディスク状の記録媒体;
    前記記録媒体を支持すると共に回転させる駆動部材;
    前記記録媒体に対して情報処理を行うヘッド;
    前記ヘッドを支持すると共にそのヘッドを前記記録媒体に対して移動させるヘッドアクチュエータ;および
    フレキシブルプリント配線板を有するベース部と、このベース部のフレキシブルプリント配線板から折り曲げて延出され、前記ヘッドアクチュエータに接続された帯状フレキシブルプリント配線板とを含むフレキシブルモジュール基板;
    を具備し、
    前記フレキシブルモジュール基板の前記ベース部は、
    絶縁基材と、この絶縁基材に設けられた回路パターンと、前記回路パターンを含む前記絶縁基材に前記回路パターンの実装領域露出させて設けられた保護膜と、前記回路パターンの実装領域上に実装された能動素子部品と、少なくとも前記能動素子部品の実装領域の周辺近傍に位置する前記保護膜上に設けられたフッ素樹脂膜と、前記能動素子部品と前記回路パターンの実装領域との間に充填されたアンダーフィルとを備え、前記アンダーフィルの周縁端部が前記実装領域側に位置する前記フッ素樹脂膜の端部に対して離間して位置することを特徴とするディスク装置。
  6. 前記フレキシブルモジュール基板のベース部は、前記絶縁基材の回路パターンと反対側の面に裏打ち板が前記能動素子部品と対向するようにさらに設けられていることを特徴とする請求項5記載のディスク装置。
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Families Citing this family (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4931908B2 (ja) * 2006-03-14 2012-05-16 シャープ株式会社 回路基板、電子回路装置及び表示装置
DE102006022748B4 (de) * 2006-05-12 2019-01-17 Infineon Technologies Ag Halbleiterbauteil mit oberflächenmontierbaren Bauelementen und Verfahren zu seiner Herstellung
GB0703172D0 (en) 2007-02-19 2007-03-28 Pa Knowledge Ltd Printed circuit boards
JP4986738B2 (ja) * 2007-06-27 2012-07-25 新光電気工業株式会社 半導体パッケージおよびこれを用いた半導体装置
JP5098498B2 (ja) * 2007-08-06 2012-12-12 株式会社デンソー 電子装置
US8492263B2 (en) * 2007-11-16 2013-07-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Protected solder ball joints in wafer level chip-scale packaging
US7872483B2 (en) 2007-12-12 2011-01-18 Samsung Electronics Co., Ltd. Circuit board having bypass pad
US8217514B2 (en) * 2008-04-07 2012-07-10 Stats Chippac Ltd. Integrated circuit packaging system with warpage control system and method of manufacture thereof
CN105744750B (zh) 2008-08-18 2019-06-18 赛姆布兰特有限公司 卤代烃聚合物涂层
US8618420B2 (en) * 2008-08-18 2013-12-31 Semblant Global Limited Apparatus with a wire bond and method of forming the same
US8299616B2 (en) * 2010-01-29 2012-10-30 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. T-shaped post for semiconductor devices
US8318596B2 (en) * 2010-02-11 2012-11-27 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pillar structure having a non-planar surface for semiconductor devices
US8803319B2 (en) 2010-02-11 2014-08-12 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Pillar structure having a non-planar surface for semiconductor devices
US8995146B2 (en) 2010-02-23 2015-03-31 Semblant Limited Electrical assembly and method
US8241963B2 (en) 2010-07-13 2012-08-14 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Recessed pillar structure
GB2485419B (en) * 2010-11-15 2015-02-25 Semblant Ltd Method for reducing creep corrosion
CN103140020B (zh) * 2011-12-05 2016-06-08 昆山雅森电子材料科技有限公司 挠性印刷电路板的覆盖膜、挠性印刷电路板结构及其制法
CN103140018B (zh) * 2011-12-05 2016-06-08 昆山雅森电子材料科技有限公司 软性印刷电路板的保护膜、软性印刷电路板结构及其制法
CN103140019B (zh) * 2011-12-05 2016-06-08 昆山雅森电子材料科技有限公司 软性电路板的黑色覆盖膜、软性印刷电路板结构及其制法
US9230932B2 (en) 2012-02-09 2016-01-05 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Interconnect crack arrestor structure and methods
US9515036B2 (en) 2012-04-20 2016-12-06 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Methods and apparatus for solder connections
JP2014072372A (ja) * 2012-09-28 2014-04-21 Ibiden Co Ltd プリント配線板の製造方法及びプリント配線板
KR20140084801A (ko) * 2012-12-27 2014-07-07 삼성전기주식회사 인쇄회로기판 및 인쇄회로기판 제조 방법
TWI556366B (zh) * 2014-05-26 2016-11-01 南茂科技股份有限公司 薄膜覆晶封裝結構及其可撓性線路載板
JP2016219574A (ja) * 2015-05-19 2016-12-22 株式会社リコー フレキシブルプリント配線板およびフレキシブルプリント配線板の製造方法
GB201621177D0 (en) 2016-12-13 2017-01-25 Semblant Ltd Protective coating
US11259406B2 (en) * 2018-11-21 2022-02-22 Synaptics Incorporated Flexible connector for a display device
US10886648B2 (en) * 2018-11-26 2021-01-05 Canon Kabushiki Kaisha Communication module, electronic device, and image pickup apparatus
JP2020107692A (ja) * 2018-12-27 2020-07-09 トヨタ自動車株式会社 プリント配線回路基板の製造方法

Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2678958B2 (ja) * 1992-03-02 1997-11-19 カシオ計算機株式会社 フィルム配線基板およびその製造方法
JPH06326445A (ja) 1993-05-10 1994-11-25 Noriyuki Yoshida 回路基板のソルダーレジスト製造方法
JPH0722741A (ja) 1993-07-01 1995-01-24 Japan Gore Tex Inc カバーレイフィルム及びカバーレイフィルム被覆回路基板
US6639155B1 (en) 1997-06-11 2003-10-28 International Business Machines Corporation High performance packaging platform and method of making same
JP3367886B2 (ja) * 1998-01-20 2003-01-20 株式会社村田製作所 電子回路装置
US6297564B1 (en) * 1998-04-24 2001-10-02 Amerasia International Technology, Inc. Electronic devices employing adhesive interconnections including plated particles
JP2000058709A (ja) * 1998-08-17 2000-02-25 Nec Corp 突起電極構造および突起電極形成方法
JP2001102700A (ja) 1999-07-27 2001-04-13 Sanyo Electric Co Ltd フレキシブルプリント基板及びフレキシブルプリント基板を有する携帯電話端末
JP4044267B2 (ja) * 2000-06-02 2008-02-06 株式会社東芝 磁気ディスク装置
US6291264B1 (en) 2000-07-31 2001-09-18 Siliconware Precision Industries Co., Ltd. Flip-chip package structure and method of fabricating the same
JP2003100957A (ja) * 2001-09-26 2003-04-04 Nec Corp 半導体パッケージ
TW543923U (en) 2002-10-25 2003-07-21 Via Tech Inc Structure of chip package
JP2004179578A (ja) * 2002-11-29 2004-06-24 Ngk Spark Plug Co Ltd 配線基板及びその製造方法
US7070207B2 (en) * 2003-04-22 2006-07-04 Ibiden Co., Ltd. Substrate for mounting IC chip, multilayerd printed circuit board, and device for optical communication
US20050028361A1 (en) * 2003-08-07 2005-02-10 Indium Corporation Of America Integrated underfill process for bumped chip assembly
CN100380450C (zh) * 2003-08-21 2008-04-09 新科实业有限公司 用于构造硬盘驱动器的电路组件及其方法
US7061085B2 (en) * 2003-09-19 2006-06-13 Micron Technology, Inc. Semiconductor component and system having stiffener and circuit decal

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