JPH06326445A

JPH06326445A - 回路基板のソルダーレジスト製造方法

Info

Publication number: JPH06326445A
Application number: JP14417993A
Authority: JP
Inventors: Noriyuki Yoshida; 範行吉田
Original assignee: Individual
Current assignee: Individual
Priority date: 1993-05-10
Filing date: 1993-05-10
Publication date: 1994-11-25

Abstract

(57)【要約】【目的】溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤を回路基板
のソルダーレジストに付着させることにより、回路基板
への半導体パッケージの高密度実装を可能とし、半導体
パッケージの交換修理を容易にする。【構成】樹脂２６は例えばエポキシ系樹脂のソルダーレ
ジストを示している。この表面を耐熱絶縁性セラミック
コーティング剤によりスプレー法、浸漬法等により塗布
する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、回路基板へのソルダー
レジスト製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来の回路基板におけるソルダーレジス
トは、スクリーン印刷、ドライフィルム、又は液状フォ
トソルダーレジストを用いて形成される。

【０００３】例えば、ドライフィルムによるソルダーレ
ジストは、アクリル系のドライフィルムを回路基板にラ
ミネート、露光、現像、エッチングを経て形成される。

【０００４】従来のソルダーレジストが印刷された回路
基板としては、基板上に配線パターンが設けられ、配線
パターン端部のランドに半導体パッケージをリードピン
の先端部を半田付けするようになっているものがある。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】近年、パーソナルコン
ピュータ、ビデオデッキ、ビデオカメラ、ＤＡＴおよび
ＣＤ等の機器の小型化や性能の進歩には著しいものがあ
るが、これらの機器も半導体パッケージ等の電子部品の
破損により故障することがある。この場合、機器の回路
基板から壊れた電子部品を取外し、新たなものと交換す
ることにより、修理が行われる。

【０００６】また、半導体パッケージはリードピンのピ
ッチが０．４ミリまでに微細化して回路基板に実装さ
れ、ノート・パソコンや、小型化したカメラ一体型ビデ
オや携帯電話等が実現してきている。

【０００７】しかしながら、壊れた半導体パッケージを
取外し、新たなものと交換修理する場合や、０．３ミリ
ピッチ以下の半導体パッケージを回路基板に高密度実装
する場合、かなり微細な部分の作業のため、回路基板上
の配線パターンやリードピンをショートさせる恐れがあ
るという問題点があった。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、請求項１の本発明に係る回路基板は、基板上の配線
パターンの各ランドを隔てて設けられだ溶融半田に濡れ
にくいソルダーレジスト樹脂の表面に、溶融半田を弾く
性質の耐熱性絶縁剤を付着させたことを特徴とする。

【０００９】ンルダーレジスト樹脂は、例えば、ポリイ
ミド系、ポリアミド系、アクリル系、又はエポキシ系材
料等である。

【００１０】請求項２の本発明に係る半導体パッケージ
の取付け方法は、回路基板上の配線パターンの各ランド
を隔てて設けられた溶融半田に濡れにくいソルダーレジ
ストの表面に、溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤を付
着させる工程と、前記溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁
剤を付着させたンルダーレジストを設けた各ランドに、
半導体パッケージの対応するリードピンを配置する工程
と、各ランドに、配置したリードピンの先端部を半田付
けする工程とを、有することを特徴とする。

【００１１】ソルダーレジストの表面に、溶融半田を弾
く性質の耐熱性絶縁剤を付着させる工程は、例えば、上
記耐熱性絶縁剤を浸蹟、塗布すること等により行われ
る。

【００１２】半導体パッケージは、ＱＦＰ（Ｑｕａｄ
ＦｌａｔＰａｃｋａｇｅ）や、ＳＯＰ（Ｓｍａｌｌ
ＯｕｔｌｉｎｅＰａｃｋａｇｅ）、ＳＯＪ（Ｓｍａｌ
ｌＯｕｔｌｉｎｅＪ−ＢｅｎｄＰａｃｋａｇｅ）、
ＰＬＣＣ（ＰｌａｓｔｉｃＬｅａｄｅｄＣｈｉｐＣ
ａｒｒｉｅｒ）、ＬＣＣ（ＬｅａｄｌｅｓｓＣｈｉｐ
Ｃａｒｒｉｅｒ）等である。

【００１３】請求項３の本発明に係る回路基板では、請
求項１記載の回路基板において、前記耐熱性絶縁剤は金
属及びその酸化物、金属酸化物、金属有機・無機複合材
料、シリカ、炭化けい素、窒化アルミニウムのいずれか
を主成分とした材科と有機溶媒、及び有機バインダー又
は有機・無機バインダーとから成ることを特徴とする。

【００１４】金属及びその酸化物の主成分は、例えば、
０．０１〜１００ミクロンのアルミニウムの微細な粒子
とその表面が酸化されているアルミナとから構成され、
有機溶媒、有機・無機バインダーとの混合物により、溶
融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤が作られる。尚、バイ
ンダーに非晶質のフッ素樹脂（サイトップ）をも用いた
て、上記の耐熱性絶縁剤を作った場合は、耐熱性絶縁剤
の主成分である金属及びその酸化物から成る皮膜表面を
非晶質のフッ素樹脂が覆うことを特徴とする。

【００１５】金属酸化物の主成分は、例えば、０．００
０１〜１００ミクロンのアルミナの粉末から構成され、
有機溶媒、有機・無機バインダーとの混合物により、耐
熱性絶縁剤が作られる。尚、バインダーに非晶質のフッ
素樹脂（サイトップ）をも用いて、上記の耐熱性絶縁剤
を作った場合は、耐熱性絶縁剤の主成分である金属酸化
物から成る皮膜表面を非晶質のフッ素樹脂が覆うことを
特徴とする。

【００１６】有機・無機金属複合材料は、例えば、機能
性有機分子と無機非晶物とを分子レベルで複合一体化し
て、無機非晶質体に機能性有機分子の機能を持たせた材
料である。より具体的には、シリコン、アルミニウム又
はゲルマニウム等の加水分解及び脱水縮合して非晶質と
なる有機金属化合物に、この有機金属化合物を溶かすこ
とができる溶剤に可溶な機能性有機分子を、溶剤ととも
に添加した後、加水分解及び脱水縮合させることにより
製造された材料が好ましい。

【００１７】請求項４の本発明に係る回路基板では、請
求項１記載の回路基板において、前記溶融半田を弾く性
質の耐熱性絶縁剤は無機系金属化合物を主成分とした材
料と有機溶媒及び純水、有機系レジン又は有機・無機バ
インダーとから成ることを特徴とする。

【００１８】無機系金属化合物は、例えば、１０〜１０
０００オングストロームのアルミン酸カルシウムの粉末
からなる主成分から構成され、これにエチレングリコー
ル等の有機溶媒と純水、及び有機系レジン又は有機・無
機バインダーを加えて、溶融半田を弾く性質の耐熱性絶
縁剤が作られる。尚、バインダーに非晶質のフッ素樹脂
（サイトップ）をも用いて、上記の無機系金属化合物の
混合物に用いた場合は、耐熱性絶縁剤の主成分である無
機系金属化合物から成る皮膜表面を非晶質のフッ素樹脂
が覆うことを特徴とする。

【００１９】請求項５の本発明に係る回路基板では、請
求項１記載の回路基板において、前記溶融半田を弾く性
質の耐熱性絶縁剤は非晶質のフッ素樹脂（サイトップ）
とフッ素樹脂系の有機溶媒とからなることを特徴とす
る。

【００２０】請求項６の本発明に係る回路基板では、請
求項１記載の回路基板において、前記耐熱性絶縁剤は、
エポキシ系フォトンルダーレジストインクに非晶質の透
明フッ素樹脂（サイトップ）を０．５％〜１０％添加す
ることを特徴とする。

【００２１】請求項７の本発明に係る回路基板では、基
板上の配線パターンの各ランドを隔てて設けられた耐熱
性凸部の表面に溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤を付
着させたことを特徴とする。

【００２２】上記の耐熱性凸部は、半導体パッケージ取
付け作業のため、一時的に基板上の配線パターンの各ラ
ンドを隔てて設けて、半導体パッケージの取付け作業後
に取り去ってもよい。

【００２３】上記の耐熱性凸部は、半導体パッケージ取
付け作業のため、半導体パッケージが取り付けられた状
態で設けられてもよい。

【００２４】請求項８の本発明に係る回路基板では、請
求項７記栽の回路基板において、前記耐熱性凸部は、ア
ルミニウム、銅、ステンレス、ニッケル等の金属箔、又
はプラスチックフィルムからなることを特徴とする。

【００２５】上記の耐熱性凸部は、金属箔とプラスチッ
クフィルムが重ね合わされた二層構造であってもよい。

【００２６】上記の耐熱性凸部は、プラスチックフィル
ム、金属箔とプラスチックフィルムが重ね合わされた三
層構造であってもよい。

【００２７】上記の耐熱性凸部の厚みは１０〜２００ミ
クロンであるものが好ましい。

【００２８】上記耐熱性凸部は、半田付け時の半田溶融
熱（１８０〜２８０℃）に１０〜６０秒間燃えたり、炭
化しないものが望ましい。

【００２９】請求項９の本発明に係る半導体パッケージ
の取付け方法は、回路基板上の配線パターンの各ランド
を隔てて設けられた耐熱性凸部の表面に、溶融半田を弾
く性質の耐熱性絶縁剤を付着させる工程と、前記溶融半
田を弾く性質の耐熱性絶縁剤を付着させた耐熱性凸部を
設けた各ランドに、半導体パッケージの対応するリード
ピンを配置する工程と、各ランドに、配置したリードピ
ンの先端部を半田付けする工程とを有することを特徴と
する。

【００３０】請求項１０の本発明に係る耐熱性絶縁剤
は、請求項３及び４に記載された溶融半田を弾く性質の
耐熱性絶縁剤（「耐熱性セラミックコーティング剤」と
も言う。）に、有機バインダーとして非晶質の透明フッ
素樹脂（サイトップ）を０．１％〜１０％添加すること
により、半田溶融熱に対して、請求項１記載のンルダー
レジストに塗布して形成される溶融半田を弾く性質の耐
熱絶縁性皮膜のクラックおよび請求項１記載のソルダー
レジスト樹脂からの剥離を防止することを特徴とする。

【００３１】

【作用】請求項１及び２の本発明では、回路基板上の配
線パターンの各ランドに、半導体パッケージの対応する
リードピンの先端部を半田付けする際、各ランドを隔て
て溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤を付着させたソル
ダーレジストの表面に付着した溶融半田は弾かれて、各
ランドとリードピンの接触部に集まって、半田合金が形
成され接合される。これにより、半田付けの際に、隣接
する各ランドに接合されたリードピン間で、１〜１００
ミクロンの直径の髭状の半田ブリッジが起こることはな
い。

【００３２】請求項３、４及び５の本発明に係る回路基
板では、金属及びその酸化物、金属酸化物、無機系金属
化合物、金属有機・無機複合材料、シリカ、炭化けい
素、窒化アルミウニム、又は非晶質のフッ素樹脂（サイ
トップ）を主成分とした耐熱性絶縁剤により、回路基板
のンルダーレジストが、リフロー半田付け装置の炉内に
おいて、２８０℃で１０〜６０秒間保持されても、炭化
しだり、基板から剥離したりすることはない。

【００３３】請求項６の本発明に係る回路基板では、エ
ポキシ系フォトソルダーレジストインクに非晶質の透明
フッ素樹脂（サイトップ）を０．５％〜１０％添加する
ことにより、例えば、上記０．５％〜１０％の範囲の上
側値に近づけることで、回路基板上に写真法等によりソ
ルダーレジスト形成時、ソルダーレジスト樹脂の表面を
覆う非晶質の透明フッ素樹脂（サイトップ）の皮膜の厚
みが増すことを特徴とする。非晶質のフッ素樹脂（サイ
トップ）の皮膜の厚みが増すと、半田付け時の半田溶融
熱（１８０〜２８０℃）に１０〜３０秒間さらされて
も、回路基板上のンルダーレジストが炭化して劣化する
ことはなく耐熱性が向上する。尚、非晶質の透明フッ素
樹脂（サイトップ）を０．５％〜１０％添加して得られ
たエポキシ系フォトソルダーレジストインクは、写真法
等により直接回路基板上に印刷してもよい。

【００３４】請求項７、８及び９の本発明では、回路基
板上の配線パターンの各ランドに、半導体パッケージの
対応するリードピンの先端部を半田付けする際、各ラン
ドを隔てて溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤を付着さ
せた耐熱性凸部の表面に付着した溶融半田は弾かれて、
各ランドとリードピンの接触部に集まって、半田合金が
形成され接合される。これにより、半田付けの際に、隣
接する各ランドに接合されたリードピン間で、１〜１０
０ミクロンの直径の髭状の半田ブリッジが起こることは
ない。

【００３５】請求項１０の本発明に係る耐熱性絶縁剤
は、例えば、アルミナ等の金属酸化物を主成分とする耐
熱絶縁性セラミックコーティング剤に、有機バインダー
として非晶質の透明フッ素樹脂（サイトップ）が添加さ
れたものが好適であり、これをエポキシ系ンルダーレジ
スト樹脂表面に塗布して形成された耐熱絶縁性皮膜のエ
ポキシ系ソルダーレジスト樹脂に対する密着性が向上
し、１８０〜２８０℃の半田溶融熱に１０〜６０秒間さ
らされても、皮膜のクラックやンルダーレジスト樹脂か
らの剥離が発生しにくくなることを特徴とする。尚、前
記耐熱絶縁性セラミックコーティング剤は、無色透明な
ものがより好ましい。また、請求項１０に係る耐熱性絶
縁剤は、請求項３及び４に記載されたもの全てに、有機
バインダーとして非晶質の透明フッ素樹脂（サイトッ
プ）を添加したものを含んでいる。

【００３６】

【実施例】以下、図面に基づく本発明の第１〜第６実施
例について説明する。図１は、本発明の第１実施例を示
しており、請求項１、２、３、４、５、６、及び１０に
係るものである。

【００３７】図１に示すように、回路基板１０は、プリ
ント配線基板であり、ガラスエポキシ樹脂の材料が我国
の民生用として多く使用されているものである。この回
路基板に、例えば、ＱＦＰ等の半導体パッケージが表面
実装される例が近年ますます増えているので、これを中
心に説明する。各ランドは、銅箔２５の露出する表面を
半田メッキ２１で覆っている。ンルダーレジストはまだ
ドライフィルムが多く使われているが、将来はＱＦＰの
狭ピッチ化と多ピン化により液状ンルダーレジストに転
換して行くと思われる。樹脂２６は例えばエポキシ系の
ンルダーレジスト樹脂を示している。この表面を請求項
１０に示した耐熱絶縁性セラミックコーティング剤によ
りスプレー法、浸漬法等により塗布する。塗布の詳細工
程は次のとおりである。

【００３８】まず、銅箔を接着していない回路基板に描
かれるべき導体パターン上に写真法等により感光性の非
エポキシ系フォトレジストを印刷する。次に銅箔を接着
していない回路基板の非導体部パターン上に写真法等に
よりエポキシアクリレート樹脂等のエポキシ系液状ンル
ダーレジストを印刷する。上記の処理終了後、回路基板
全面に請求項１０に示した有機バインダーとして非晶質
の透明フッ素樹脂（サイトップ）を０．１％〜１０％添
加した耐熱絶縁性セラミックコーティング剤を塗布す
る。このセラミックコーティング剤により形成された皮
膜は非エポキシ系フォトレジストの樹脂にはほとんど密
着しないため、回路基板の導体パターンの非エポキシ系
フォトレジストを容易に剥離させることができる。感光
性の非エポキシ系フォトレジストのうち、ネガティブ型
は市販の剥離液で容易に剥離させることができるし、ま
た、ポジティブ型はアセトン等の溶剤で容易に剥離させ
ることができる。尚、この回路基板に既に印刷されたエ
ポキシ系のンルダーレジスト樹脂表面には、このセラミ
ックコーティング剤による皮膜が密着して形成されてい
る。たをこの後、無電解銅メッキ液等により、回路基板
の導体パターンを形成することができる。

【００３９】請求項１０に示した有機バインダーとして
非晶質の透明フッ素樹脂（サイトップ）を０．１％〜１
０％添加した耐熱絶縁性セラミックコーティング剤のう
ち、サイトップを１％以上添加した耐熱絶縁性セラミッ
クコーティング剤をエポキシ系のンルダーレジスト樹脂
表面に塗布して皮膜を形成すると、セラミックの皮膜の
表面をサイトップの皮膜が覆うことになるため、このサ
イトップの皮膜には無電解銅メッキ液は全く載らないた
め、このサイトップにより覆われたセラミック皮膜はメ
ッキレジストと同じ機能を果たすことになる。また、サ
イトップに覆われたセラミックの皮膜は、酸・アルカリ
の溶液には全く侵されず、無電解銅メッキ液を容易に洗
浄・除去することができる。

【００４０】尚、樹脂２６とセラミック２４で形成され
るソルダーレジストの厚みは、銅箔２５の厚みより大き
く、半田メッキされた銅箔の厚み以下であれば、ンルダ
ーレジストの形成は工程上容易である。この例では、銅
箔２５の厚みは約１２ミクロン、半田メッキ２１の厚み
は約１０ミクロンである。また、樹脂２６の厚みは約１
４ミクロン、セラミック２４の厚みは約８ミクロンであ
る。ＱＦＰ等の半導体を実装する場合、半田ブリッジを
完ぺきになくすのであれば、ンルダーレジストの厚みは
高い方がよいにこした事はないが、ＱＦＰの位置決めが
難しくなるため、ソルダーレジストの厚みは半田メッキ
された銅箔の厚みと同じ高さまでがよいとされている。
しかし、従来のンルダーレジストに比べると、窒素リフ
ロー機よりは低コストの赤外線リフロー機を用いた場合
でも、請求項８に示した耐熱絶縁性セラミックコーティ
ング剤を塗布したンルダーレジストを設けた回路基板に
おいては、半田ブリッジの発生はほとんど起こらなくな
る。

【００４１】図２は、本発明の第２実施例を示してお
り、請求項１、２、３、４、５、６及び１０に係るもの
である。図２に示すように、溶融半田を弾く性質の耐熱
性絶縁剤で覆われたンルダーレジスト３２のある回路基
板に、クリーム半田を印刷する場合は、従来のメタルマ
スク４０の形状でなく、一文字印刷用メタルマスク４１
の使用が可能である。図２に例示した一文字印刷用メタ
ルマスク４１は、回路基板の一部の導体パターンに半田
が印刷されるようになっているが、回路基板全体の導体
パターンに半田が印刷されるものであってもよい。この
例では、一文字印刷用メタルマスク４１の厚みは、約１
００ミクロンである。

【００４２】図３は、本発明の第３実施例を示してお
り、請求項７、８及び９に係るものである。図３に示す
ように、回路基板のンルダーレジスト１１は、既に印刷
されており、手半田による半田付け作業を容易にするた
めに、セラミックで覆われた樹脂をソルダーレジスト１
１に接着した例を示している。これにより新たに形成さ
れたソルダーレジストの厚みは、半田メッキ２１と銅箔
２５の厚みより高い方が半導体交換時の手半田による半
田付け作業がしやすい。この例では、銅箔２５は約３０
ミクロンであり、半田メッキ２１は約２０ミクロンであ
る。また、接着剤２７は約５ミクロン、樹脂２６は約５
０ミクロンであり、セラミック２４は約１０ミクロンで
ある。

【００４３】図４は、本発明の第４実施例を示してお
り、請求項７、８及び９に係るものである。図４に示す
ように、セラミック２４でおおわれた樹脂２６の裏面に
接着剤２８を塗布してポリエステルフィルム５０とポリ
エチレンフィルム５１で挟み込んでいる。

【００４４】図５は、本発明の第５実施例を示してお
り、請求項７、８及び９に係るものである。図５に示す
ように、セラミック２４でおおわれた樹脂２６の裏面か
ら、ポリエチレンフィルム５１を剥した様子を示してい
る。

【００４５】図６は、本発明の第６実施例を示してお
り、請求項７、８及び９に係るものである。図６に示す
ように、ポリエステルフィルム５０に貼られたセラミッ
ク２４で覆われた樹脂２６を回路基板のソルダーレジス
トに貼り合わせた様子を示している。ボリエステルフィ
ルムは透明なので、ソルダーレジストのパターンに合わ
せて正確に貼ることができる。

【００４６】

【発明の効果】本発明に係る回路基板への半導体パッケ
ージの取付け方法によれば、溶融半田を弾く性質の耐熱
性絶縁剤で覆われたソルダーレジストが、溶融半田の流
れを断ち切り、溶融半田がより濡れやすい半導体のリー
ドピンど回路基板のランドに集まるため、半導体の隣接
するリードピン間の半田ブリッジはほとんど発生しなく
なり、取付作業の能率向上につながるとともに、半導体
の交換修理が必要になっても、修理作業が極めて容易に
なるというメリットが生まれる。

【００４７】請求項１、２、３、４、５、６及び１０の
本発明に係る回路基板では、耐熱性絶縁剤で覆われたソ
ルダーレジストに付着しようとする溶融半田をよく弾
き、半導体のリードピン間の半田ブリッジを防止する。

【００４８】請求項７、８及び９の本発明に係る回路基
板では、既に半導体が実装された民生用、又は産業用の
機器が故障し、その故障の原因となった半導体を交換す
る場合、半田付け作業に熟練を要することなく、容易か
つ安全な半田付け作業が可能となる。

【００４９】請求項１０の本発明に係る耐熱性絶縁剤
は、エポキシ系樹脂と金属にのみ選択的によく密着し、
半田溶融熱に対する可とう性も向上するという特性が得
られる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１実施例の、半導体パッケージを搭
載した回路基板の部分平面図及び要部断面図である。

【図２】本発明の第２実施例の、半導体パッケージ搭載
前の回路基板の部分平面図及び要部断面図である。

【図３】本発明の第３実施例の、半導体パッケージ搭載
前の回路基板の部分平面図及び要部断面図である。

【図４】本発明の第４実施例の、回路基板に貼られる前
の耐熱性絶縁剤を付着させた耐熱絶縁性凸部の部分平面
図及び要部断面図である。

【図５】本発明の第５実施例の、回路基板に貼られる前
の耐熱性絶縁剤を付着させた耐熱絶縁性凸部の部分平面
図及び要部断面図である。

【図６】本発明の第６実施例の、回路基板に貼りつけた
耐熱性絶縁剤を付着させた耐熱絶縁性凸部の部分平面図
及び要部断面図である。

【符号の説明】

１０回路基板１１ソルダーレジスト２０半導体パッケージ２１半田メッキ２２リードピン２３半田合金２４セラミック２５銅箔２６樹脂２７接着剤３１ランド３２耐熱性絶縁剤で覆われたソルダーレジスト４０メタルマスク４１一文字印刷用メタルマスク５０ポリエステルフィルム５１ポリエチレンフィルム

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】回路基板上の配線パターンの各ランドを隔
てて設けられた溶融半田に濡れにくいソルダーレジスト
樹脂の表面に、溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤を付
着させたことを特徴とする回路基板。
【請求項２】回路基板上の配線パターンの各ランドを隔
てて設けられた溶融半田に濡れにくいソルダーレジスト
の表面に、溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤を付着さ
せる工程と、前記溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤を付着させたソ
ルダーレジストを設けた各ランドに、半導体パッケージ
の対応するリードピンを配置する工程と、各ランドに、配置したリードピンの先端部を半田付けす
る工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの
取付け方法。
【請求項３】前記溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤は
金属及びその酸化物、金属酸化物、有機・無機複合材
料、シリカ、炭化けい素、窒化アルミニウムのいずれか
を主成分とした材料と有機溶媒、及び有機バインダー又
は有機・無機バインダーとから成ることを特徴とする請
求項１記載の回路基板。
【請求項４】前記溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤は
無機系金属化合物を主成分とした材料と有機溶媒及び純
水、有機系レジン又は有機・無機バインダーとから成る
ことを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項５】前記溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤は
非晶質のフッ素樹脂（サイトップ）を主成分とした材料
とフッ素系有機溶媒から成ることを特徴とする請求項１
記載の回路基板。
【請求項６】前記溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤は
エポキシ系フォトソルダーレジストインクに非晶質の透
明フッ素樹脂（サイトップ）を０．５％〜１０％添加す
ることを特徴とする請求項１記載の回路基板。
【請求項７】回路基板上の配線パターンの各ランドを隔
てて設けられた耐熱性凸部の表面に溶融半田を弾く性質
の耐熱性絶縁剤を付着させたことを特徴とする回路基
板。
【請求項８】前記耐熱性凸部は、アルミニウム、銅、ス
テンレス、ニッケル等いずれかの金属箔、又はプラスチ
ックフィルムからなることを特徴とする請求項５記載の
回路基板。
【請求項９】回路基板上の配線パターンの各ランドを隔
てて設けられた耐熱性凸部の表面に、溶融半田を弾く性
質の耐熱性絶縁剤を付着させる工程と、前記溶融半田を弾く性質の耐熱性絶縁剤を付着させた耐
熱性凸部を設けた各ランドに、半導体パッケージの対応
するリードピンを配置する工程と、各ランドに、配置したリードピンの先端部を半田付けす
る工程とを有することを特徴とする半導体パッケージの
取付け方法。
【請求項１０】半田溶融熱に対して、請求項１記載のソ
ルダーレジストに塗布して形成される溶融半田を弾く性
質の耐熱絶縁性皮膜のクラックおよび請求項１記載のソ
ルダーレジスト樹脂からの剥離を防止するために、有機
バインダーとして非晶質の透明フッ素樹脂（サイトッ
プ）を０．１％〜１０％添加することを特徴とする請求
項３及び４に記載された耐熱性絶縁剤（「耐熱性セラミ
ックコーティング剤」とも言う。）。