KR930005027A - 내부 전원 발생 회로 - Google Patents

내부 전원 발생 회로 Download PDF

Info

Publication number
KR930005027A
KR930005027A KR1019910014272A KR910014272A KR930005027A KR 930005027 A KR930005027 A KR 930005027A KR 1019910014272 A KR1019910014272 A KR 1019910014272A KR 910014272 A KR910014272 A KR 910014272A KR 930005027 A KR930005027 A KR 930005027A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
power supply
supply voltage
driver
output
internal power
Prior art date
Application number
KR1019910014272A
Other languages
English (en)
Other versions
KR940008286B1 (ko
Inventor
박용보
임형규
Original Assignee
김광호
삼성전자 주식회사
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 김광호, 삼성전자 주식회사 filed Critical 김광호
Priority to KR1019910014272A priority Critical patent/KR940008286B1/ko
Priority to TW081105440A priority patent/TW225060B/zh
Priority to FR9209521A priority patent/FR2680585B1/fr
Priority to DE4226047A priority patent/DE4226047C2/de
Priority to GB9216841A priority patent/GB2259575B/en
Priority to ITMI921963A priority patent/IT1255813B/it
Priority to JP4211061A priority patent/JP2662345B2/ja
Priority to US07/940,205 priority patent/US5349559A/en
Publication of KR930005027A publication Critical patent/KR930005027A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR940008286B1 publication Critical patent/KR940008286B1/ko

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C5/00—Details of stores covered by group G11C11/00
    • G11C5/14—Power supply arrangements, e.g. power down, chip selection or deselection, layout of wirings or power grids, or multiple supply levels
    • G11C5/147—Voltage reference generators, voltage or current regulators; Internally lowered supply levels; Compensation for voltage drops
    • G—PHYSICS
    • G05—CONTROLLING; REGULATING
    • G05F—SYSTEMS FOR REGULATING ELECTRIC OR MAGNETIC VARIABLES
    • G05F1/00—Automatic systems in which deviations of an electric quantity from one or more predetermined values are detected at the output of the system and fed back to a device within the system to restore the detected quantity to its predetermined value or values, i.e. retroactive systems
    • G05F1/10—Regulating voltage or current
    • G05F1/46—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc
    • G05F1/462—Regulating voltage or current wherein the variable actually regulated by the final control device is dc as a function of the requirements of the load, e.g. delay, temperature, specific voltage/current characteristic
    • G05F1/465—Internal voltage generators for integrated circuits, e.g. step down generators
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F1/00—Details not covered by groups G06F3/00 - G06F13/00 and G06F21/00
    • G06F1/26—Power supply means, e.g. regulation thereof
    • G06F1/28—Supervision thereof, e.g. detecting power-supply failure by out of limits supervision
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
    • G11C11/21—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements
    • G11C11/34—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices
    • G11C11/40—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors
    • G11C11/401—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using electric elements using semiconductor devices using transistors forming cells needing refreshing or charge regeneration, i.e. dynamic cells
    • G11C11/4063—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing
    • G11C11/407—Auxiliary circuits, e.g. for addressing, decoding, driving, writing, sensing or timing for memory cells of the field-effect type
    • G11C11/4074—Power supply or voltage generation circuits, e.g. bias voltage generators, substrate voltage generators, back-up power, power control circuits
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11C—STATIC STORES
    • G11C29/00—Checking stores for correct operation ; Subsequent repair; Testing stores during standby or offline operation
    • G11C29/04—Detection or location of defective memory elements, e.g. cell constructio details, timing of test signals
    • G11C29/50—Marginal testing, e.g. race, voltage or current testing
    • G—PHYSICS
    • G06—COMPUTING; CALCULATING OR COUNTING
    • G06F—ELECTRIC DIGITAL DATA PROCESSING
    • G06F2201/00—Indexing scheme relating to error detection, to error correction, and to monitoring
    • G06F2201/81—Threshold

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • General Engineering & Computer Science (AREA)
  • Automation & Control Theory (AREA)
  • Radar, Positioning & Navigation (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Dram (AREA)
  • For Increasing The Reliability Of Semiconductor Memories (AREA)
  • Static Random-Access Memory (AREA)
  • Control Of Electrical Variables (AREA)
  • Continuous-Control Power Sources That Use Transistors (AREA)
  • Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
  • Measurement Of Current Or Voltage (AREA)

Abstract

내용 없음.

Description

내부 전원 발생 회로
본 내용은 요부공개 건이므로 전문내용을 수록하지 않았음
제3도는 본 발명에 의한 내부 전원 발생 회로,
제4도는 제3도의 실시예.

Claims (16)

  1. 소정의 제1기준전압을 출력하는 기준전압 발생 장치와, 상기 제1기준전압 및 소정의 내부 전원전압을 입력하는 차동 증폭기와, 상기 차동증폭기의제어에 의하여 상기 내부 전원전압을 출력하는 드라이버를 가지고 소정의 외부 전원전압이 인가되면 상기 내부 전원 전압을 칩내의 각 메모리 소자부에 공급하는 내부 전원 발생 회로에 있어서, 상기 외부 전원전압이 소정의 규정값 이상으로 인가될시에 상기 내부 전원전압을 상기 외부 전원전압레벨로 출력하기 위하여 상기의 규정값 이상으로 인가되는 외부 전원전압의 변동을 감지하기 위한 외부 전원전압 감지부와, 상기 외부 전원전압 감지부의 출력 신호를 제어신호로 입력하고 상기 차동 증폭기의 출력신호와 상기 드라이버의 제어단자와의 연결을 조정하기 위한 드라이버 제어부를 구비함을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
  2. 제1항에 있어서, 상기 규정값이 칩의 사양에 규정되는 전압값임을 특징으로 자는 내부 전원 발생 회로.
  3. 제1항에 있어서, 상기 외부 전원전압 감지부가 상기 외부 전원전압단에 채널의 일단이 접속된 풀업 트랜지스터와, 상기 풀업 트랜지스터의 채널의 타단에 채널이 직렬 연결된 전압 강하용 트랜지스터부와, 상기 전압 강하용 트랜지스터부의 채널에 연결된 풀다운용 저항과, 상기 전압 강하용 트랜지스터부 및 상기 풀다운용 저항 사이의 공통단자에 접속되는 제1선로와 소정의 제2기준전압이 실리는 제2선로를 각각 일입력하고 출력이 상기 풀업 트랜지스터의 제어 단자 및 상기 외부 전원전압 감지부의 출력신호로 연결되는 제2차동 증폭 회로로 이루어짐을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
  4. 제3항에 있어서, 상기 풀업 트랜지스터가 피모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
  5. 제3항에 있어서, 상기 전압 강하용 트랜지스터부가 각각 다이오드 접속된 피모오스 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
  6. 제3항에 있어서, 상기 외부 전원전압 감지부의 출력이 소정의 씨모오스 회로로 이루어진 드라이버용 인버터회로를 통해서 출력됨을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
  7. 제6항에 있어서, 상기 외부 전원전압 감지부의 출력 신호가 제1상태에 있을시 에 상기 드라이버의 출력이 상기 외부 전원전압 레벨의 신호임을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
  8. 제7항에 있어서, 상기 제1상태가 상기 드라이버용 인버터회로의 로직 드레쉬 홀드전압 이상의 “하이”상태임을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
  9. 제1항에 있어서, 상기 드라이버 제어부가 상기 드라이버의 제어단자로 입력되는 상기 제1차동 증폭 회로의 출력 라인상에 채널이 형성되고 상기 외부 전원전압 감지부의 출력이 제어신호로 연결되는 전송 트랜지스터와, 상기 외부 전원전압 감지부의 출력이 제어 신호로 되고 상기 전송 트랜지스터의 채널 및 상기 드라이버의 제어 단자의 선로에 채널의 일단이 접속된 풀다운용 트랜지스터로 이루어짐을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
  10. 제9항에 있어서, 상기 전송 트랜지스터가 상기 전압 감지부의 출력신호를 각각의 제어단자에 상보적으로 입력하는 트랜스미션 게이트로 이루어짐을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
  11. 제1전위 레벨의 외부 전원 전압을 소정의 레벨로 강하된 제2전위 레벨의 내부 전원전압으로 변환하여 칩내의 각 메모리 소자의 동작 전원전압으로 사용하는 반도체 메모리 장치에 있어서, 상기 내부 전원전압을 출력하기 위한 드라이버 회로와, 상기 드라이버의 출력과 소정의 기준전압을 각각 일입력하고 출력이 상기 드라이버의 제어신호로 연결되는 차동 증폭기와, 상기 외부 전원전압의 변동을 감지하기 위한 감지수단과, 상기 감지수단 출력을 제어신호로서 입력하고 그 입력하는 상태에 따라 상기 드라이버 회로의 제어신호를 조절하기 위한 드라이버 제어회로로 이루어짐을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
  12. 제11항에 있어서, 상기 감지 수단의 출력이 제1상태의 전위일때는 상기 드라이버 회로가 상기 기준전압 레벨의 내부 전원전압을 출력하고, 상기 감지 수단의 출력이 제2상태의 전위 일때는 상기 드라이버 회로가 상기 외부 전원전압 레벨의 내부 전원전압을 출력함을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
  13. 제12항에 있어서, 상기 제1및 제2상태의 전위는 각각 “로우”및 “하이”상태의 전위임을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로
  14. 제12항에 있어서, 상기 드라이버 제어 회로가, 상기 감지 수단의 출력이 상기 제1상태의 전위일때는 상기 차동 증폭기의 출력을 상기 드라이버 회로의 제어단자에 연결시키고, 상기 감지수단의 출력이 상기 제2상태의 전위 일때는 상기 차동 증폭기의 출력을 상기 드라이버 회로의 제어 단자로의 연결을 끊음을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
  15. 소정의 기준전압을 출력하는 기준전압 발생 장치와, 상기 기준전압 및 소정의 내부 전원전압을 입력하는 차동 증폭기와, 상기 차동 증폭기의 제어에 의하여 상기 내부 전원전압을 출력하는 드라이버를 가지고 소정의 외부 전원전압이 인가되면 상기 내부 전원전압을 칩내의 각 메모리 소자부에 공급하는 내부 전원 발생 회로에 있어서, 상기 드라이버가 소정의 제1및 제2상태에서 각각 상기 기준전압 및 상기 외부 전원전압 레벨의 내부 전원 전압을 출력하기 위하여 상기 드라이버의 게이트 신호를 제어하기 위한 소정의 수단을 구비함을 특징으로 하는 내부 전원전압 발생 회로.
  16. 제15항에 있어서, 상기 제1 및 제2상태가 각각 상기 외부 전원 전압이 칩의 사양에 규정된 값이하 및 이상으로 인가될 시의 상태임을 특징으로 하는 내부 전원 발생 회로.
    ※ 참고사항 : 최초출원 내용에 의하여 공개하는 것임.
KR1019910014272A 1991-08-19 1991-08-19 내부전원발생회로 KR940008286B1 (ko)

Priority Applications (8)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910014272A KR940008286B1 (ko) 1991-08-19 1991-08-19 내부전원발생회로
TW081105440A TW225060B (ko) 1991-08-19 1992-07-09
FR9209521A FR2680585B1 (fr) 1991-08-19 1992-07-31 Circuit generateur de tension interne correspondant a une tension externe appliquee a une puce a semi-conducteur.
DE4226047A DE4226047C2 (de) 1991-08-19 1992-08-06 Schaltkreis zur Erzeugung einer internen Spannungsversorgung mit einer Steuerschaltung zur Durchführung eines Belastungstests ("Burn-in-Test")
GB9216841A GB2259575B (en) 1991-08-19 1992-08-07 Voltage generating circuit
ITMI921963A IT1255813B (it) 1991-08-19 1992-08-07 Circuito generatore di tensione interna
JP4211061A JP2662345B2 (ja) 1991-08-19 1992-08-07 内部電源電圧発生回路
US07/940,205 US5349559A (en) 1991-08-19 1992-08-18 Internal voltage generating circuit

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1019910014272A KR940008286B1 (ko) 1991-08-19 1991-08-19 내부전원발생회로

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR930005027A true KR930005027A (ko) 1993-03-23
KR940008286B1 KR940008286B1 (ko) 1994-09-09

Family

ID=19318758

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1019910014272A KR940008286B1 (ko) 1991-08-19 1991-08-19 내부전원발생회로

Country Status (8)

Country Link
US (1) US5349559A (ko)
JP (1) JP2662345B2 (ko)
KR (1) KR940008286B1 (ko)
DE (1) DE4226047C2 (ko)
FR (1) FR2680585B1 (ko)
GB (1) GB2259575B (ko)
IT (1) IT1255813B (ko)
TW (1) TW225060B (ko)

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990010546A (ko) * 1997-07-16 1999-02-18 윤종용 저전압 반도체 장치의 전원 구동 회로
KR100295292B1 (ko) * 1997-12-31 2001-09-17 박종섭 디램의내부전압구동회로
KR100496795B1 (ko) * 1997-12-23 2005-09-02 삼성전자주식회사 스태틱 랜덤 액세스 메모리 장치
KR100506046B1 (ko) * 1998-06-30 2005-10-12 주식회사 하이닉스반도체 내부전압 발생장치

Families Citing this family (59)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR950008453B1 (ko) * 1992-03-31 1995-07-31 삼성전자주식회사 내부전원전압 발생회로
JP3362873B2 (ja) * 1992-08-21 2003-01-07 株式会社東芝 半導体装置
KR960005387Y1 (ko) * 1992-09-24 1996-06-28 문정환 반도체 메모리의 번 인 테스트(Burn-In Test) 장치
JP2851767B2 (ja) * 1992-10-15 1999-01-27 三菱電機株式会社 電圧供給回路および内部降圧回路
DE4334918C2 (de) * 1992-10-15 2000-02-03 Mitsubishi Electric Corp Absenkkonverter zum Absenken einer externen Versorgungsspannung mit Kompensation herstellungsbedingter Abweichungen, seine Verwendung sowie zugehöriges Betriebsverfahren
US5532618A (en) * 1992-11-30 1996-07-02 United Memories, Inc. Stress mode circuit for an integrated circuit with on-chip voltage down converter
JP3071600B2 (ja) * 1993-02-26 2000-07-31 日本電気株式会社 半導体記憶装置
DE4324853C1 (de) * 1993-07-23 1994-09-22 Siemens Ag Spannungserzeugungsschaltung
US5563540A (en) * 1993-09-17 1996-10-08 International Business Machines Corporation Electronic switch having programmable means to reduce noise coupling
KR970010284B1 (en) * 1993-12-18 1997-06-23 Samsung Electronics Co Ltd Internal voltage generator of semiconductor integrated circuit
EP0675504B1 (en) * 1994-03-31 2001-07-11 STMicroelectronics S.r.l. Circuit device for measuring the threshold voltage distribution of non-volatile memory cells
KR0127318B1 (ko) * 1994-04-13 1998-04-02 문정환 백바이어스전압 발생기
US5508649A (en) * 1994-07-21 1996-04-16 National Semiconductor Corporation Voltage level triggered ESD protection circuit
KR0154167B1 (ko) * 1994-09-12 1998-10-15 김영환 백 바이어스 검출회로
JP3273440B2 (ja) * 1994-10-19 2002-04-08 マイクロン・テクノロジー・インコーポレーテッド 部分的に良好なメモリ集積回路から使用可能な部分を得るための効率的な方法
US5598122A (en) * 1994-12-20 1997-01-28 Sgs-Thomson Microelectronics, Inc. Voltage reference circuit having a threshold voltage shift
JP3523718B2 (ja) * 1995-02-06 2004-04-26 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
DE19655211B4 (de) * 1995-02-06 2004-11-04 Mitsubishi Denki K.K. Halbleitereinrichtung
JP2785732B2 (ja) * 1995-02-08 1998-08-13 日本電気株式会社 電源降圧回路
US5745499A (en) * 1995-10-11 1998-04-28 Micron Technology, Inc. Supervoltage detection circuit having a multi-level reference voltage
JP2830799B2 (ja) * 1995-10-25 1998-12-02 日本電気株式会社 半導体集積回路装置
KR0179551B1 (ko) * 1995-11-01 1999-04-15 김주용 고전위 발생기
JPH09147557A (ja) * 1995-11-17 1997-06-06 Mitsubishi Electric Corp 半導体記憶装置および半導体装置
KR0179820B1 (ko) * 1996-02-01 1999-04-15 문정환 반도체 메모리의 번인 감지 회로
US5946257A (en) 1996-07-24 1999-08-31 Micron Technology, Inc. Selective power distribution circuit for an integrated circuit
JP3516556B2 (ja) * 1996-08-02 2004-04-05 沖電気工業株式会社 内部電源回路
JP3709246B2 (ja) * 1996-08-27 2005-10-26 株式会社日立製作所 半導体集積回路
JP3080015B2 (ja) * 1996-11-19 2000-08-21 日本電気株式会社 レギュレータ内蔵半導体集積回路
JP3676904B2 (ja) * 1997-04-11 2005-07-27 株式会社ルネサステクノロジ 半導体集積回路
JP3087839B2 (ja) * 1997-08-28 2000-09-11 日本電気株式会社 半導体装置、そのテスト方法
US6119252A (en) * 1998-02-10 2000-09-12 Micron Technology Integrated circuit test mode with externally forced reference voltage
JPH11231954A (ja) * 1998-02-16 1999-08-27 Mitsubishi Electric Corp 内部電源電圧発生回路
US5949726A (en) * 1998-07-22 1999-09-07 Vanguard International Semiconductor Corporation Bias scheme to reduce burn-in test time for semiconductor memory while preventing junction breakdown
WO2000023955A1 (en) * 1998-10-21 2000-04-27 The Government Of The United States Of America, Represented By The Secretary, Department Of Health And Human Services Virus-like particles for the induction of autoantibodies
KR100283906B1 (ko) * 1998-10-31 2001-03-02 김영환 반도체 메모리의 초기 안정화 신호 발생 회로
DE10063102A1 (de) * 1999-12-17 2001-08-23 Infineon Technologies Ag Anordnung und Messung interner Spannungen in einer integrierten Halbleitervorrichtung
US6185139B1 (en) * 2000-01-12 2001-02-06 Motorola, Inc. Circuit and method for enabling semiconductor device burn-in
KR100353544B1 (en) * 2000-12-27 2002-09-27 Hynix Semiconductor Inc Circuit for generating internal supply voltage of semiconductor memory device
JP3964182B2 (ja) * 2001-11-02 2007-08-22 株式会社ルネサステクノロジ 半導体装置
US6762636B1 (en) * 2001-12-11 2004-07-13 Cypress Semiconductor Corp. Circuit and method for adjusting duty cycle of a high speed, low swing output signal
KR100479822B1 (ko) * 2002-07-11 2005-03-30 주식회사 하이닉스반도체 내부 전압 안정화 회로
KR100558477B1 (ko) * 2003-04-28 2006-03-07 삼성전자주식회사 반도체 장치의 내부 전압 발생회로
JP2005229763A (ja) * 2004-02-16 2005-08-25 Nec Kansai Ltd 昇圧回路
US7057447B1 (en) * 2004-03-04 2006-06-06 National Semiconductor Corporation Voltage regulator using a single voltage source and method
KR100574489B1 (ko) * 2004-04-12 2006-04-27 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 내부전압 발생회로
KR100616194B1 (ko) * 2004-04-20 2006-08-25 주식회사 하이닉스반도체 지연 고정 루프 회로용 내부 전원 전압 발생기
US7064602B2 (en) * 2004-05-05 2006-06-20 Rambus Inc. Dynamic gain compensation and calibration
KR100670700B1 (ko) * 2004-10-30 2007-01-17 주식회사 하이닉스반도체 지연고정루프의 전원공급회로
US7927948B2 (en) 2005-07-20 2011-04-19 Micron Technology, Inc. Devices with nanocrystals and methods of formation
KR100668874B1 (ko) * 2006-01-12 2007-01-16 주식회사 하이닉스반도체 내부 전압 레벨 제어 회로
KR100761371B1 (ko) * 2006-06-29 2007-09-27 주식회사 하이닉스반도체 액티브 드라이버
KR100799109B1 (ko) * 2006-06-30 2008-01-29 주식회사 하이닉스반도체 반도체 소자
KR100803363B1 (ko) * 2006-11-13 2008-02-13 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 전압 생성 회로
KR100873613B1 (ko) 2006-11-14 2008-12-12 주식회사 하이닉스반도체 반도체 메모리 장치의 전압 생성 회로 및 방법
US9317051B2 (en) * 2014-02-06 2016-04-19 SK Hynix Inc. Internal voltage generation circuits
JP2016080623A (ja) * 2014-10-21 2016-05-16 旭化成エレクトロニクス株式会社 半導体集積回路
KR20160138618A (ko) * 2015-05-26 2016-12-06 에스케이하이닉스 주식회사 내부전압 발생 장치
JP7153458B2 (ja) * 2018-03-26 2022-10-14 ラピスセミコンダクタ株式会社 半導体装置及び電子機器
CN108919875B (zh) * 2018-09-12 2023-11-24 上海艾为电子技术股份有限公司 使能产生电路及其使能控制方法

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4095164A (en) * 1976-10-05 1978-06-13 Rca Corporation Voltage supply regulated in proportion to sum of positive- and negative-temperature-coefficient offset voltages
JPS53103770A (en) * 1977-02-22 1978-09-09 Seiko Instr & Electronics Ltd Electronic timepiece
JPS59111514A (ja) * 1982-12-17 1984-06-27 Hitachi Ltd 半導体集積回路
US4482985A (en) * 1981-04-17 1984-11-13 Hitachi, Ltd. Semiconductor integrated circuit
FR2578828B1 (fr) * 1985-03-13 1990-06-22 Centre Nat Rech Scient Aluminosilicate cristallise a structure expansee et son procede de fabrication
US4670861A (en) * 1985-06-21 1987-06-02 Advanced Micro Devices, Inc. CMOS N-well bias generator and gating system
JP2721151B2 (ja) * 1986-04-01 1998-03-04 株式会社東芝 半導体集積回路装置
JPH083766B2 (ja) * 1986-05-31 1996-01-17 株式会社東芝 半導体集積回路の電源電圧降下回路
JPS6370451A (ja) * 1986-09-11 1988-03-30 Mitsubishi Electric Corp 半導体集積回路
JPS63181196A (ja) * 1987-01-22 1988-07-26 Oki Electric Ind Co Ltd 半導体集積回路装置
JPH01129769A (ja) * 1987-11-12 1989-05-23 Hitachi Ltd 半導体集積回路
US5046052A (en) * 1988-06-01 1991-09-03 Sony Corporation Internal low voltage transformation circuit of static random access memory
JPH02299034A (ja) * 1989-05-12 1990-12-11 Fujitsu Ltd 半導体集積回路装置
JP2815612B2 (ja) * 1989-05-15 1998-10-27 株式会社ナムコ Ｃｍｏｓ入力型ｉｃおよび電源切替回路
JPH03160699A (ja) * 1989-11-17 1991-07-10 Hitachi Ltd 半導体集積回路装置
JP2809768B2 (ja) * 1989-11-30 1998-10-15 株式会社東芝 基準電位発生回路
US5063304A (en) * 1990-04-27 1991-11-05 Texas Instruments Incorporated Integrated circuit with improved on-chip power supply control
EP0469589A3 (en) * 1990-07-31 1993-06-09 Texas Instruments Incorporated Improvements in or relating to integrated circuits
JP2945508B2 (ja) * 1991-06-20 1999-09-06 三菱電機株式会社 半導体装置

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR19990010546A (ko) * 1997-07-16 1999-02-18 윤종용 저전압 반도체 장치의 전원 구동 회로
KR100496795B1 (ko) * 1997-12-23 2005-09-02 삼성전자주식회사 스태틱 랜덤 액세스 메모리 장치
KR100295292B1 (ko) * 1997-12-31 2001-09-17 박종섭 디램의내부전압구동회로
KR100506046B1 (ko) * 1998-06-30 2005-10-12 주식회사 하이닉스반도체 내부전압 발생장치

Also Published As

Publication number Publication date
TW225060B (ko) 1994-06-11
FR2680585A1 (fr) 1993-02-26
ITMI921963A1 (it) 1994-02-07
FR2680585B1 (fr) 1994-03-11
DE4226047A1 (de) 1993-02-25
KR940008286B1 (ko) 1994-09-09
US5349559A (en) 1994-09-20
GB9216841D0 (en) 1992-09-23
JPH06295585A (ja) 1994-10-21
DE4226047C2 (de) 1994-10-06
GB2259575B (en) 1995-08-09
GB2259575A (en) 1993-03-17
JP2662345B2 (ja) 1997-10-08
ITMI921963A0 (it) 1992-08-07
IT1255813B (it) 1995-11-16

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR930005027A (ko) 내부 전원 발생 회로
KR930005187A (ko) 전기적으로 프로그램 할 수 있는 내부 전원 발생 회로
KR950020698A (ko) 동작전압의 변동에 대응 가능한 반도체집적회로의 입력버퍼회로
KR940017201A (ko) 데이타 출력 버퍼
KR970013732A (ko) 멀티파워를 사용하는 데이타 출력버퍼
KR930003147A (ko) 반도체 메모리 장치의 센프앰프 제어회로
KR970029739A (ko) 반도체 전위 공급 장치 및 이를 이용한 반도체 기억 장치
KR940010088A (ko) 반도체장치의 출력단회로
US5682117A (en) Half power supply voltage generating circuit in a semiconductor memory device
KR940020690A (ko) 저전력소모 및 고속 노아게이트 집적회로
KR930005023A (ko) 반도체 메모리의 고속 센싱장치
KR950012703A (ko) 반도체 메모리 장치의 데이타 입력 버퍼
KR970003257A (ko) 반도체 메모리 장치
KR960039347A (ko) 반도체 집적 회로
KR970023402A (ko) 반도체 메모리 장치의 데이타 고속 전송회로
KR100369342B1 (ko) 외부전압에능동적인입력버퍼
KR970063938A (ko) 반도체 소자의 출력버퍼 회로
KR950022139A (ko) 반도체메모리장치의 입력버퍼
KR910008735A (ko) 전원전압 조정회로
KR970003192A (ko) 반도체 메모리 장치의 기준전압 발생회로
KR920017111A (ko) 반도체 메모리 장치의 정전압 발생회로
KR930005026A (ko) 반도체 메모리 장치의 드라이버 회로
KR980006886A (ko) 반도체 메모리 장치의 데이터 출력 버퍼
KR980004938A (ko) 반도체 메모리 장치의 스탠바이 모드 전압 발생 회로
KR970055512A (ko) 데이타 출력 버퍼

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
G160 Decision to publish patent application
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant
FPAY Annual fee payment

Payment date: 20090814

Year of fee payment: 16

LAPS Lapse due to unpaid annual fee