CN108919875B - 使能产生电路及其使能控制方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开了使能产生电路及其使能控制方法，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路。所述参考电压产生电路用于产生参考电压，所述转换电路用于将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，所述使能控制电路用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。因此，通过本发明公开的一种使能产生电路，在不增加成本的情况下，能够确保转折电平保持在一个较小的变化区间内。

Description

使能产生电路及其使能控制方法

技术领域

本发明涉及电子技术领域，尤其涉及使能产生电路及其使能控制方法。

背景技术

随着半导体技术的不断发展和进步，由半导体所制成的集成电路也被广泛的应用于各个领域，成为我们生活中必不可少的一部分。半导体集成电路中的模拟芯片一般具备一个使能输入端，以控制整个芯片的工作和关闭。利用模拟芯片所组成的使能产生电路，不仅能够提供检测外部电路的使能电压，还能够判断该电压是否达到一定的电压值，进而产生能够打开模拟芯片的使能信号。其中，使能信号是使能产生电路产生的电流与EN信号结合产生的信号。为了确保模拟芯片能够稳定可靠地被控制，且具备一定的抗干扰能力，不仅要求使能产生电路在输出电压达到0.5VDD的时候EN的电压，即转折电平，在不同的电源电压VDD变化时不会出现较大的变化，还要具有一定的迟滞能力，进而有一定的抗干扰能力。

现有技术中，有两种产生转折电平的使能产生电路的技术方案。其中，一种是传统的技术方案，该方案中传统使能产生电路的转折电平随着电源电压VDD的变化而有较大的变化；另一种是改进型的使能产生电路，该电路采用的是耗尽性NMOS产生一个恒定的电流，利用该电流能在不同的电源电压VDD下几乎保持恒定，从而使转折电平保持在较小的变化区间内。但是该方案依赖于使用耗尽型NMOS，在一些工艺中不提供耗尽型NMOS，而有些工艺虽然提供耗尽型NMOS，但需要增加额外光罩。这样不仅对电路的应用带来一定的限制还会增加芯片的成本。

由此可知，采用现有技术给出的两种使能产生电路，无法做到在不增加成本的情况下，确保转折电平保持在一个较小的变化区间。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供的使能产生电路及其使能控制方法，以解决现有技术中无法做到在不增加成本的情况下，确保转折电平保持在一个较小的变化区间的问题。

为实现上述目的，本发明实施例提供如下技术方案：

一种使能产生电路，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路；

所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压；

所述转换电路输出端与所述使能控制电路的输入端相连，用于接收所述参考电压产生电路输入的所述参考电压，并将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，所述第一电流流经所述使能控制电路的第一输入端；

所述使能控制电路，用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。

优选的，所述参考电压产生电路包括：第一电阻和N个二极管；

所述N个二极管串联连接；

所述第一电阻的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻的另一端与串联的所述N个二极管中的第一二极管的正极相连；

所述第一电阻与所述第一二极管的连接端作为所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将在所述第一电阻与所述N个二极管的作用下产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压。

优选的，若N等于3，所述参考电压产生电路包括：第一电阻、第一二极管、第二二极管和第三二极管；

所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管串联连接；

所述第一电阻的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻的另一端与所述第一二极管的正极相连；

所述第一电阻与所述第一二极管的连接端作为所述参考电压电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将在所述第一电阻与所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管的作用下产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压。

优选的，所述参考电压电路，包括：第一电阻、N沟道场效应管和N个二极管，N的取值为大于等于3的正整数；

所述N个二极管串联连接；

所述第一电阻的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻的另一端与所述N沟道场效应管的漏极相连；

所述N沟道场效应管的漏极与栅极相连，所述N沟道场效应管的源极与所述N个二极管的第一二极管的正极相连；

所述第一电阻与所述N沟道场效应漏极的连接端作为所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，在所述N沟道场效管对所述转换电路的N沟道第一场效应管的阈值进行补偿的作用下产生所述参考电压，所述参考电压产生电路用于将所述参考电压作为所述转换电路的输入电压。

优先的，所述第一电阻的阻值至少为1兆欧，所述参考电压为3Vbe，所述Vbe为所述二极管的正向导通的压降。

优选的，所述转换电路包括：N沟道第一场效应管、P沟道第二场效应管和第二电阻；

所述N沟道第一场效应管的栅极与所述参考电压产生电路的输出端相连，所述N沟道第一场效应管的漏极与所述P沟道第二场效应管的漏极相连，所述N沟道第一场效应管的源极与所述第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端接地；

所述P沟道第二场效应管的栅极与P沟道第三场效应管的栅极相连，所述P沟道第二场效应管的漏极与栅极相连，所述P沟道第二场效应管的源极与电源电压VDD相连；

所述P沟道第二场效应管的栅极为所述转换电路的输出端；

所述N沟道第一场效应管基于输入的所述参考电压，自身的阈值电压和所述第二电阻的阻值产生流经所述P沟道第二场效应管漏极的所述第一电流；

其中，所述N沟道第一场效应管的宽长比在预设范围内取值。

优选的，所述使能控制电路包括：P沟道第三场效应管、N沟道第四场效应管、P沟道第五场效应管、N沟道第六场效应管、N沟道第七场效应管和非门；

所述P沟道第三场效应管的栅极与所述P沟道第二场效应管的栅极相连，所述P沟道第三场效应管的源极与电源电压VDD相连，所述P沟道第三场效应管的漏极与所述P沟道第五场效应管的源极相连；

所述P沟道第五场效应管的栅极与所述N沟道第四场效应管的栅极相连，所述P沟道第五场效应管的漏极与所述N沟道第四场效应管的漏极相连，所述N沟道第四场效应管的源极接地；

所述N沟道第六场效应管的栅极与所述P沟道第五场效应管的栅极相连，所述N沟道第六场效应管的漏极与所述N沟道第七场效应管的源极相连，所述N沟道第六场效应管的源极接地；

所述N沟道第七场效应管的漏极与所述非门的输入端相连，所述N沟道第七场效应管的栅极与所述非门的输出端相连，所述非门的输入端与所述P沟道第五场效应管的源极相连；

所述N沟道第四场效应管外接所述使能信号EN；

所述使能信号EN的电压从0上升，当所述使能信号EN的电压值高于所述N沟道第四场效应管的阈值电压时，所述N沟道第四场效应管产生的电流为第二电流；

当所述第一电流等于所述第二电流时，此时所述使能信号EN的电压Ven为转折电平。

优选的，所述P沟道第二场效应管和所述P沟道第三场效应管的大小相同。

一种使能产生电路的使能控制方法，适用于上述任一项所述的使能产生电路，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路，所述使能控制方法包括：

所述参考电压产生电路将产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压输入；

所述转换电路接收所述参考电压，并将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，使得所述第一电流流经所述使能控制电路的第一输入端；

所述使能控制电路基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。

基于上述本发明实施例提供的使能产生电路及其使能控制方法，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路。所述参考电压产生电路用于产生参考电压，所述转换电路将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，所述使能控制电路，用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。因此，通过本发明公开的使能产生电路及其使能控制方法，在不增加成本的情况下，能够确保转折电平保持在一个较小的变化区间内。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据提供的附图获得其他的附图。

图1为本发明实施例公开的一种使能产生电路的结构示意图；

图2为本发明实施例公开的另一种使能产生电路的结构示意图；

图3为本发明实施例公开的另一种使能产生电路的结构示意图；

图4为本发明实施例公开的另一种使能产生电路的结构示意图；

图5为本发明实施例公开的一种使能产生电路的使能控制方法的流程示意图。

具体实施方式

下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。

如图1所示，为本发明实施例提供的一种使能产生电路的结构示意图。

所述使能产生电路包括：参考电压产生电路101、转换电路102和使能控制电路103。

其中，所述参考电压产生电路101与所述转换电路102相连。所述参考电压产生电路101用于产生参考电压V1，所述参考电压V1经过所述转换电路102的处理后，转换成所述使能控制电路103所需的第一电流Ibias。

具体的，所述参考电压产生电路101的输出端与所述转换电路102的输入端相连，用于将所述产生的参考电压V1作为所述转换电路的输入电压。

所述转换电路102的输入端与所述参考电压产生电路101的输出端相连，所述转换电路102的输出端与所述使能控制电路103第一输入端相连。

具体的，所述转换电路102的输出端与所述使能控制电路103的第一输入端相连，用于接收所述参考电压产生电路的所述参考电压V1，并将所述参考电压V1转换为所述使能控制电路103所述的第一电流Ibias，所述第一电流Ibias流经所述使能控制电路的第一输入端。

所述使能控制电路103第一输入端与所述转换电路102的输出端相连。

具体的，所述使能控制电路103，用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经使能控制电路103的第二输入端的第二电流IM4等于所述第一电流Ibias，使得使能控制电路103中产生的转折电平处于预设范围内。

本发明实施例公开的使能产生电路，包括参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路。其中，所述参考电压产生电路用于产生参考电压，所述转换电路将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，所述使能控制电路，用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。因此，通过本发明实施例公开的一种使能产生电路，在不增加成本的情况下，能够确保转折电平保持在一个较小的变化区间内。

进一步的，如图2所示，为本发明实施例提供的另一种使能产生电路的结构示意图，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路201、转换电路202和使能控制电路203。

所述参考电压产生电路201包括：第一电阻R1和N个二极管D1-DN。

其中，所述N个二极管D1-DN串联连接，所述第一电阻R1的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻R1的另一端与串联的所述N个二极管D1-DN中的第一二极管D1的正极相连。

所述第一电阻R1与所述第一二极管D1的正极的连接端作为所述参考电压产生电路201的输出端与所述转换电路202的输入端相连，用于将所述第一电阻R1与所述N个二极管D1-DN的作用下产生的参考电压V1作为所述转换电路202的输入电压。

需要说明的是，所述第一电阻R1的阻值至少为1兆欧，所述二极管具有正向导通的特性。

进一步的，所述参考电压产生电路201利用阻值至少为1兆欧的第一电阻R1与所述N个二极管D1-DN的特性，产生3Vbe的所述参考电压V1，所述Vbe为所述二极管正向导通的压降。

需要说明的是，所述第一电阻R1产生的电流能够使所述N个二极管D1-DN的两边产生压降，所述N个二极管D1-DN的压降是一致的。

所述转换电路202包括：N沟道第一场效应管M1、P沟道第二场效应管M2和第二电阻R2。

其中，所述N沟道第一场效应管M1的栅极与所述参考电压产生电路201的输出端相连，所述N沟道第一场效应管M1的漏极与所述P沟道第二场效应管M2的漏极相连，所述N沟道第一场效应管M1的源极与所述第二电阻R2的一端相连，所述第二电阻R2的另一端接地。

所述P沟道第二场效应管M2的栅极与所述P沟道第三场效应管M3的栅极相连，所述P沟道第二场效应管M2的漏极与栅极相连，所述P沟道第二场效应管M2的源极与电源电压VDD相连。

所述P沟道第二场效应管M2的栅极为所述转换电路202的输出端，所述N沟道第一场效应管M1基于输入的所述参考电压V1、自身的阈值电压和所述第二电阻R2的阻值产生流经所述P沟道第二场效应管M2漏极的所述第一电流Ibias。基于所述N沟道第一场效应管M1的宽长比可得到流经所述P沟道第二场效应管M2的第一电流Ibias，如下公式所示：

其中，Vbe为所述二极管正向导通的压降，Vtn为所述N沟道第一场效应管M1的阈值电压。

进一步的，由于所述P沟道第三场效应管M3与P沟道第二场效应管M2的大小相同，所以所述P沟道第三场效应管M3能够提供的最大电流与流经所述P沟道第二场效应管M2的所述第一电流Ibias一致。具体产生过程如上述公式(1)所示：

需要说明的是，所述N沟道第一场效应管M1的宽长比在预设范围内。

所述使能控制电路203包括：P沟道第三场效应管M3、N沟道第四场效应管M4、P沟道第五场效应管M5、N沟道第六场效应管M6、N沟道第七场效应管M7和非门INV。

其中，所述P沟道第三场效应管M3的栅极与所述P沟道第二场效应管M2的栅极相连，所述P沟道第三场效应管M3的源极与电源电压VDD相连，所述P沟道第三场效应管M3的漏极与所述P沟道第五场效应管M5的源极相连。

所述P沟道第五场效应管M5的栅极与所述N沟道第四场效应管M4的栅极相连，所述P沟道第五场效应管M5的漏极与所述N沟道第四场效应管M4的漏极相连。

所述N沟道第四场效应管M4的源极接地，所述N沟道第四场效应管M4外接所述使能信号EN。

所述N沟道第六场效应管M6栅极与所述P沟道第五场效应管M5的栅极相连，所述N沟道第六场效应管M6的漏极与所述N沟道第七场效应管M7的源极相连，所述N沟道第六场效应管M6的源极接地。

所述N沟道第七场效应管M7的漏极与所述非门INV的输入端相连，所述N沟道第七场效应管M7的栅极与所述非门INV的输出端相连。

所述非门的输入端与所述P沟道第五场效应管M5的源极相连。

需要说明的是，所述P沟道第三场效应管M3的漏极与所述N沟道第五场效应管M5的源极的连接端为所述使能控制电路203的第一输出端，所述第一输出端输出的电压为VOB，且所述使能控制电路203的所述第一输出端为所述使能控制电路203的第二输入端。所述N沟道第七场效应管M7的栅极与所述非门INV的输出端的连接端为所述使能控制电路203的第二输出端，所述第二输出端输出的电压为VO。

进一步的，使能信号EN的电压从0上升，当使能信号EN的电压值高于所述N沟道第四场效应管M1的阈值电压时，基于所述N沟道第四场效应管M4自身的宽长与阈值电压，可得到流经所述N沟道第四场效应管M4第二电流IM4，如下公式所示：

其中，Ven为使能信号EN的电压，Vtn为所述N沟道第四场效应管M4的阈值电压，W、L为所述第四场效应管M4的宽和长，un为电子迁移率，Cox为单位面积的栅电容。

当所述第一电流Ibias等于所述第二电流IM4时，此时所述使能信号EN的电压Ven为转折电平Vslew。

基于本发明实施例，进一步由上述公式(1)和公式(2)可得出

进一步的，由公式(3)可知，转折电平的大小和电源电压VDD的大小无关，转折电平不受电源电压VDD的影响。

需要说明的是，所述P沟道第五场效应管M5用于消除当所述EN信号的电压为电源电压VDD或者大于电源电压VDD时通过P沟道第五场效应管M5的电流。

需要说明的是，所述N沟道第六场效应管M6和所述N沟道第七场效应管M7还能组成具有一定迟滞效果的电路。

本发明实施例公开的一种使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路。其中，所述参考电压产生电路用于产生参考电压，所述转换电路将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，所述使能控制电路，用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。因此，通过本发明实施例公开的一种使能产生电路，在不增加成本的情况下，确保转折电平保持在一个较小的变化区间内。

进一步的，如图3所示，为本发明实施例提供的另一种使能产生电路的结构示意图，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路301、转换电路302和使能控制电路303。

所述参考电压产生电路301包括：第一电阻和第一二极管D1、第二二极管D2和第三二极管D3。

其中，所述第一二极管D1、所述第二二极管D2和所述第三二极管D3串联连接，所述第一电阻R1的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻R1的另一端与串联的所述第一二极管D1的正极相连。

所述第一电阻R1与所述第一二极管D1的正极的连接端作为所述参考电压产生电路301的输出端与所述转换电路的输入端相连。用于将所述第一电阻R1与所述第一二极管D1、所述第二二极管D2和所述第三二极管D3的作用下产生的所述参考电压V1作为所述转化电路302的输入电压。

需要说明的是，所述第一电阻R1的阻值至少为1兆欧，所述第一二极管D1、所述第二二极管D2和所述第三二极管D3都具有正向导通性。

进一步的，所述参考电压产生电路301利用阻值至少为1兆欧的第一电阻R1与所述第一二极管D1、第二二极管D2和所述第三二极管D3特性产生3Vbe的所述参考电压V1，Vbe为所述二极管正向导通的压降。

需要说明的是，所述第一电阻R1产生的电流能够使所述第一二极管D1、所述第二二极管D2和所述第三二极管D3的两边产生压降，所述第一二极管D1、第二二极管D2和所述第三二极管D3的压降是一致的。

所述转换电路302包括：N沟道第一场效应管M1、P沟道第二场效应管M2和第二电阻R2。

其中，所述N沟道第一场效应管M1的栅极与所述参考电压产生电路301的输出端相连，所述N沟道第一场效应管M1的漏极与所述P沟道第二场效应管M2的漏极相连，所述N沟道第一场效应管M1的源极与所述第二电阻R2的一端相连，所述第二电阻R2的另一接地。

所述P沟道第二场效应管M2的栅极与所述P沟道第三场效应管M3的栅极相连，所述P沟道第二场效应管M2的漏极与栅极相连，所述P沟道第二场效应管M2的源极与电源电压VDD相连，所述P沟道第二场效应管M2的栅极为所述转换电路302的输出端。

所述N沟道第一场效应管M1基于所述的参考电压V1、自身的阈值电压和所述第二电阻R2的阻值基于上述公开的公式(1)产生流经所述P沟道第二场效应管M2漏极的所述第一电流Ibias。

所述转换电路302的具体结构与上述图2示出的所述转换电路202的具体结构和实现原理一致，可参见，这里不再赘述。

所述使能控制电路303包括：P沟道第三场效应管M3、N沟道第四场效应管M4、P沟道第五场效应管M5、N沟道第六场效应管M6、N沟道第七场效应管M7和非门INV。

其中，所述P沟道第三场效应管M3的栅极与所述P沟道第二场效应管M2的栅极相连，所述P沟道第三场效应管M3的源极与电源电压VDD相连，所述P沟道第三场效应管M3的漏极与所述P沟道第五场效应管M5的源极相连。

所述P沟道第五场效应管M5的栅极与所述N沟道第四场效应管M4的栅极相连，所述P沟道第五场效应管M5的漏极与所述N沟道第四场效应管M4的漏极相连。

所述N沟道第四场效应管M4的源极接地，所述N沟道第四场效应管M4外接所述使能信号EN。

所述N沟道第六场效应管M6的栅极与所述P沟道第五场效应管M5的栅极相连，所述N沟道第六场效应管M6的漏极与所述N沟道第七场效应管M7的源极相连，所述N沟道第六场效应管M6的源极接地。

所述N沟道第七场效应管M7的漏极与所述非门INV的输入端相连，所述N沟道第七场效应管M7的栅极与所述非门INV的输出端相连。

所述非门INV的输入端与所述P沟道第五场效应管M5的源极相连。

需要说明的是，所述P沟道第三场效应管M3的漏极与所述N沟道第五场效应管M5的源极的连接端为所述使能控制电路303的第一输出端，所述第一输出端输出的电压为VOB，且所述使能控制电路303的所述第一输出端为所述使能控制电路303的第二输入端。所述N沟道第七场效应管M7的栅极与所述非门INV的输出端的连接端为所述使能控制电路303的第二输出端，所述第二输出端输出的电压为VO。

进一步的，使能信号EN的电压从0上升，使能信号EN的电压值高于所述N沟道第四场效应管M1的阈值电压时，所述N沟道第四场效应管M4基于上述公开的公式(2)产生的电流为第二电流IM4。

所述使能控制电路303的具体结构与上述图2示出的所述使能控制电路203的具体结构和实现原理一致，可参见，这里不再赘述。

本发明实施例公开的一种使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路。其中，所述参考电压产生电路用于产生参考电压，所述转换电路将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，所述使能控制电路，用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。因此，通过本发明实施例公开的一种使能产生电路，在不增加成本的情况下，确保转折电平保持在一个较小的变化区间内。

进一步的，如图4所示，为本发明实施例提供的另一种使能产生电路的结构示意图，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路401、转换电路402和使能控制电路403。

所述参考电压产生电路401包括：第一电阻R1、N沟道场效应管M和N个二极管D1-DN，N的取值为大于3的正整数。

所述N个二极管D1-DN串联连接，所述第一电阻R1的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻R1的另一端与所述N沟道场效应管M的漏极相连，所述N沟道场效应管M的漏极与栅极相连，所述N沟道场效应管M的源极与所述N个二极管的第一二极管D1的正极相连。

所述第一电阻R1与所述N沟道场效应管M漏极的连接端作为所述参考电压产生电路401的输出端与所述转换电路402的输入端相连，在所述N沟道场效应管M对所述转换电路402的N沟道第一场效应管M1的阈值进行补偿的作用下产生所述参考电压V1，所述参考电压V1作为所述转换电路402的输入电压。

需要说明的是，所述第一电阻R1的阻值至少为1兆欧，所述二极管具有正向导通的特性。

进一步的，所述参考电压产生电路401利用阻值至少为1兆欧的第一电阻R1与所述N个二极管D1-DN的特性，产生3Vbe的所述参考电压V1，所述Vbe为所述二极管正向导通的压降。

需要说明的是，所述第一电阻产生的电流能够使所述N个二极管的两边产生压降，所述N个二极管D1-DN的压降是一致的。

所述转换电路402包括：N沟道第一场效应管M1、P沟道第二场效应管M2和第二电阻R2。

其中，所述N沟道第一场效应管M1的栅极与所述参考电压产生电路401的输出端相连，所述N沟道第一场效应管M1的漏极与所述P沟道第二场效应管M2的漏极相连，所述N沟道第一场效应管M1的源极与所述第二电阻R2的一端相连，所述第二电阻R2的另一接地。

所述P沟道第二场效应管M2的栅极与所述P沟道第三场效应管M3的栅极相连，所述P沟道第二场效应管M2的漏极与栅极相连，所述P沟道第二场效应管M2的源极与电源电压VDD相连。

所述P沟道第二场效应管M2的栅极为所述转换电路202的输出端，所述N沟道第一场效应管M1基于输入的所述参考电压V1、自身的阈值电压和所述第二电阻R2的阻值基于上述公开的公式(1)产生流经P沟道第二场效应管M2漏极的所述第一电流Ibias。

需要说明的是，所述N沟道第一场效应管M1的宽长比在预设范围内。

所述转换402的具体结构与上述图2示出的所述转换电路202的具体结构和实现原理一致，可参见，这里不再赘述。

所述使能控制电路403包括：P沟道第三场效应管M3、N沟道第四场效应管M4、P沟道第五场效应管M5、N沟道第六场效应管M6、N沟道第七场效应管M7和非门INV。

其中，所述P沟道第三场效应管M3的栅极与所述P沟道第二场效应管M2的栅极相连，所述P沟道第三场效应管M3的源极与电源电压VDD相连，所述P沟道第三场效应管M3的漏极与所述P沟道第五场效应管M5的源极相连。

所述P沟道第五场效应管M5的栅极与所述N沟道第四场效应管M4的栅极相连，所述P沟道第五场效应管M5的漏极与所述N沟道第四场效应管M4的漏极相连。

所述N沟道第四场效应管M4的源极接地，所述N沟道第四场效应管M4外接所述使能信号EN。

所述N沟道第六场效应管M6的栅极与所述P沟道第五场效应管M5的栅极相连，所述N沟道第六场效应管M6的漏极与所述N沟道第七场效应管M7的源极相连，所述N沟道第六场效应管M6的源极接地。

所述N沟道第七场效应管M7的漏极与所述非门INV的输入端相连，所述N沟道第七场效应管M7的栅极与所述非门INV的输出端相连。

所述非门INV的输入端与所述P沟道第五场效应管M5的源极相连。

需要说明的是，所述P沟道第三场效应管M3的漏极与所述N沟道第五场效应管M5的源极的连接端为所述使能控制电路403的第一输出端，所述第一输出端输出的电压为VOB，且所述使能控制电路403的第一输出端为所述使能控制电路403的第二输入端。所述N沟道第七场效应管M7的栅极与所述非门INV的输出端的连接端为所述使能控制电路403的第二输出端，所述第二输出端输出的电压为VO。

进一步的，使能信号EN的电压从0上升，当使能信号EN的电压值高于所述N沟道第四场效应管M1的阈值电压时，所述N沟道第四场效应管M4基于上述公开的公式(2)产生的电流为第二电流IM4。

所述使能控制电路电路403的具体结构与上述图2示出的所述使能控制203的具体结构和实现原理一致，可参见，这里不再赘述。

本发明实施例公开的一种使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路。其中，所述参考电压产生电路用于产生参考电压，所述转换电路将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，所述使能控制电路，用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。因此，通过本发明实施例公开的一种使能产生电路，在不增加成本的情况下，确保转折电平保持在一个较小的变化区间内。

基于上述本发明实施例公开的使能产生电路，本发明实施例还对应公开了一种使能控制方法，如图5所示，为本发明实施例提供的另一种使能产生电路的的使能控制方法的流程示意图，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路，所述使能控制方法包括：

步骤S501，所述参考电压产生电路将参考电压作为所述转换电路的输入电压输入。

步骤S502，所述转化电路接收所述参考电压，并将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，使得所述第一电流流经所述使能控制的第一输入端。

步骤S503，所述使能控制电路基于对使能信号EN的电压控制，调查所述流经所述使能控制电路的第二输入端第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。

上述本发明实施例公开的使能产生电路中的各个模块和单元具体的原理和执行过程，与上述本发明实施例公开的使能控制方法相同，可参见上述本发明实施例公开的使能产生电路中相应的部分，这里不再进行赘述。

本发明实施例公开的一种使能控制的方法，首先所述参考电压产生电路将产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压输入，所述转换电路接收所述参考电压，并将所述参考电压转换为所述使能控制电路所述的第一电流，使得所述第一电流流经所述使能控制电路的第一输入端，所述使能控制电路基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。因此，通过本发明实施例公开的一种使能控制方法，在不增加成本的情况下，确保转折电平保持在一个较小的变化区间内。

本说明书中的各个实施例均采用递进的方式描述，各个实施例之间相同相似的部分互相参见即可，每个实施例重点说明的都是与其他实施例的不同之处。尤其，对于系统或系统实施例而言，由于其基本相似于方法实施例，所以描述得比较简单，相关之处参见方法实施例的部分说明即可。以上所描述的系统及系统实施例仅仅是示意性的，其中所述作为分离部件说明的单元可以是或者也可以不是物理上分开的，作为单元显示的部件可以是或者也可以不是物理单元，即可以位于一个地方，或者也可以分布到多个网络单元上。可以根据实际的需要选择其中的部分或者全部模块来实现本实施例方案的目的。本领域普通技术人员在不付出创造性劳动的情况下，即可以理解并实施。

专业人员还可以进一步意识到，结合本文中所公开的实施例描述的各示例的单元及算法步骤，能够以电子硬件、计算机软件或者二者的结合来实现，为了清楚地说明硬件和软件的可互换性，在上述说明中已经按照功能一般性地描述了各示例的组成及步骤。这些功能究竟以硬件还是软件方式来执行，取决于技术方案的特定应用和设计约束条件。专业技术人员可以对每个特定的应用来使用不同方法来实现所描述的功能，但是这种实现不应认为超出本发明的范围。

对所公开的实施例的上述说明，使本领域专业技术人员能够实现或使用本发明。对这些实施例的多种修改对本领域的专业技术人员来说将是显而易见的，本文中所定义的一般原理可以在不脱离本发明的精神或范围的情况下，在其它实施例中实现。因此，本发明将不会被限制于本文所示的这些实施例，而是要符合与本文所公开的原理和新颖特点相一致的最宽的范围。

Claims (9)

1.一种使能产生电路，其特征在于，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路；

所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压；

所述转换电路输出端与所述使能控制电路的输入端相连，用于接收所述参考电压产生电路输入的所述参考电压，并将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，所述第一电流流经所述使能控制电路的第一输入端；

所述使能控制电路，用于基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。

2.根据权利要求1所述的使能产生电路，其特征在于，所述参考电压电路包括：第一电阻和N个二极管；

所述N个二极管串联连接；

所述第一电阻的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻的另一端与串联的所述N个二极管中的第一二极管的正极相连；

所述第一电阻与所述第一二极管的连接端作为所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将在所述第一电阻与所述N个二极管的作用下产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压。

3.根据权利要求1所述的使能产生电路，其特征在于，若N等于3，所述参考电压产生电路包括：第一电阻、第一二极管、第二二极管和第三二极管；

所述第一二极管、第二二极管和第三二极管串联连接；

所述第一电阻的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻的另一端与所述第一二极管的正极相连；

所述第一电阻与所述第一二极管的连接端作为所述参考电压电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，用于将在所述第一电阻与所述第一二极管、所述第二二极管和所述第三二极管的作用下产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压。

4.根据权利要求1所述的使能产生电路，其特征在于，所述参考电压产生电路，包括：第一电阻、N沟道场效应管和N个二极管，N的取值为大于等于3的正整数；

所述N个二极管串联连接；

所述第一电阻的一端与电源电压VDD相连，所述第一电阻的另一端与所述N沟道场效应管的漏极相连；

所述N沟道场效应管的漏极与栅极相连，所述N沟道场效应管的源极与所述N个二极管的第一二极管的正极相连；

所述第一电阻与所述N沟道场效应漏极的连接端作为所述参考电压产生电路的输出端与所述转换电路的输入端相连，在所述N沟道场效管对所述转换电路的N沟道第一场效应管的阈值进行补偿的作用下产生所述参考电压，所述参考电压产生电路用于将所述参考电压作为所述转换电路的输入电压。

5.根据权利要求4所述的使能产生电路，其特征在于，所述第一电阻的阻值至少为1兆欧，所述参考电压为3Vbe，所述Vbe为所述二极管的正向导通的压降。

6.根据权利要求1所述的使能产生电路，其特征在于，所述转换电路包括：N沟道第一场效应管、P沟道第二场效应管和第二电阻；

所述N沟道第一场效应管的栅极与所述参考电压产生电路的输出端相连，所述N沟道第一场效应管的漏极与所述P沟道第二场效应管的漏极相连，所述N沟道第一场效应管的源极与所述第二电阻的一端相连，所述第二电阻的另一端接地；

所述P沟道第二场效应管的栅极与P沟道第三场效应管的栅极相连，所述P沟道第二场效应管的漏极与栅极相连，所述P沟道第二场效应管的源极与电源电压VDD相连；

所述P沟道第二场效应管的栅极为所述转换电路的输出端；

所述N沟道第一场效应管基于输入的所述参考电压、自身的阈值电压和所述第二电阻的阻值产生流经所述P沟道第二场效应管漏极的所述第一电流；

其中，所述N沟道第一场效应管的宽长比在预设范围内取值。

7.根据权利要求1-6中任一项所述的使能产生电路，其特征在于，所述使能控制电路包括：P沟道第三场效应管、N沟道第四场效应管、P沟道第五场效应管、N沟道第六场效应管、N沟道第七场效应管和非门；

所述P沟道第三场效应管的栅极与所述P沟道第二场效应管的栅极相连，所述P沟道第三场效应管的源极与电源电压VDD相连，所述P沟道第三场效应管的漏极与所述P沟道第五场效应管的源极相连；

所述P沟道第五场效应管的栅极与所述N沟道第四场效应管的栅极相连，所述P沟道第五场效应管的漏极与所述N沟道第四场效应管的漏极相连，所述N沟道第四场效应管的源极接地；

所述N沟道第六场效应管的栅极与所述P沟道第五场效应管的栅极相连，所述N沟道第六场效应管的漏极与所述N沟道第七场效应管的源极相连，所述N沟道第六场效应管的源极接地；

所述N沟道第七场效应管的漏极与所述非门的输入端相连，所述N沟道第七场效应管的栅极与所述非门的输出端相连，所述非门的输入端与所述P沟道第五场效应管的源极相连；

所述N沟道第四场效应管外接所述使能信号EN；

所述使能信号EN的电压从0上升，当所述使能信号EN的电压值高于所述N沟道第四场效应管的阈值电压时，所述N沟道第四场效应管产生的电流为第二电流；

当所述第一电流等于所述第二电流时，此时所述使能信号EN的电压Ven为转折电平。

8.根据权利要求7所述的使能产生电路，其特征在于，所述P沟道第二场效应管和所述P沟道第三场效应管的大小相同。

9.一种使能产生电路的使能控制方法，其特征在于，适用于权利要求1-8中任一项所述的使能产生电路，所述使能产生电路包括：参考电压产生电路、转换电路和使能控制电路，所述使能控制方法包括：

所述参考电压产生电路将产生的参考电压作为所述转换电路的输入电压输入；

所述转换电路接收所述参考电压，并将所述参考电压转换为所述使能控制电路所需的第一电流，使得所述第一电流流经所述使能控制电路的第一输入端；

所述使能控制电路基于对使能信号EN的电压控制，调整所述流经所述使能控制电路的第二输入端的第二电流等于所述第一电流，使得所述使能控制电路中产生的转折电平处于预设范围内。