KR20160101103A - 슬롯 및 구멍의 레이저 가공 - Google Patents

슬롯 및 구멍의 레이저 가공 Download PDF

Info

Publication number
KR20160101103A
KR20160101103A KR1020167019421A KR20167019421A KR20160101103A KR 20160101103 A KR20160101103 A KR 20160101103A KR 1020167019421 A KR1020167019421 A KR 1020167019421A KR 20167019421 A KR20167019421 A KR 20167019421A KR 20160101103 A KR20160101103 A KR 20160101103A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
laser
laser beam
glass
contour
article
Prior art date
Application number
KR1020167019421A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102270486B1 (ko
Inventor
토마스 해커트
사샤 마랴노비치
가렛 엔드류 피에흐
세르지오 츠다
로버트 스티븐 와그너
Original Assignee
코닝 인코포레이티드
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 코닝 인코포레이티드 filed Critical 코닝 인코포레이티드
Priority to KR1020217019445A priority Critical patent/KR102366530B1/ko
Publication of KR20160101103A publication Critical patent/KR20160101103A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102270486B1 publication Critical patent/KR102270486B1/ko

Links

Images

Classifications

    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/362Laser etching
    • B23K26/364Laser etching for making a groove or trench, e.g. for scribing a break initiation groove
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/0604Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams
    • B23K26/0608Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by a combination of beams in the same heat affected zone [HAZ]
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/062Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam
    • B23K26/0622Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses
    • B23K26/0624Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by direct control of the laser beam by shaping pulses using ultrashort pulses, i.e. pulses of 1ns or less
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/02Positioning or observing the workpiece, e.g. with respect to the point of impact; Aligning, aiming or focusing the laser beam
    • B23K26/06Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing
    • B23K26/064Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms
    • B23K26/0648Shaping the laser beam, e.g. by masks or multi-focusing by means of optical elements, e.g. lenses, mirrors or prisms comprising lenses
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/14Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor
    • B23K26/142Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring using a fluid stream, e.g. a jet of gas, in conjunction with the laser beam; Nozzles therefor for the removal of by-products
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/352Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment
    • B23K26/359Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring for surface treatment by providing a line or line pattern, e.g. a dotted break initiation line
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382Removing material by boring or cutting by boring
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/38Removing material by boring or cutting
    • B23K26/382Removing material by boring or cutting by boring
    • B23K26/389Removing material by boring or cutting by boring of fluid openings, e.g. nozzles, jets
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/36Removing material
    • B23K26/40Removing material taking account of the properties of the material involved
    • B23K26/402Removing material taking account of the properties of the material involved involving non-metallic material, e.g. isolators
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/53Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for modifying or reforming the material inside the workpiece, e.g. for producing break initiation cracks
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/50Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece
    • B23K26/55Working by transmitting the laser beam through or within the workpiece for creating voids inside the workpiece, e.g. for forming flow passages or flow patterns
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K26/00Working by laser beam, e.g. welding, cutting or boring
    • B23K26/70Auxiliary operations or equipment
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/0222Scoring using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/02Cutting or splitting sheet glass or ribbons; Apparatus or machines therefor
    • C03B33/04Cutting or splitting in curves, especially for making spectacle lenses
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/08Severing cooled glass by fusing, i.e. by melting through the glass
    • C03B33/082Severing cooled glass by fusing, i.e. by melting through the glass using a focussed radiation beam, e.g. laser
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C03GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
    • C03BMANUFACTURE, SHAPING, OR SUPPLEMENTARY PROCESSES
    • C03B33/00Severing cooled glass
    • C03B33/09Severing cooled glass by thermal shock
    • C03B33/091Severing cooled glass by thermal shock using at least one focussed radiation beam, e.g. laser beam
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B23MACHINE TOOLS; METAL-WORKING NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • B23KSOLDERING OR UNSOLDERING; WELDING; CLADDING OR PLATING BY SOLDERING OR WELDING; CUTTING BY APPLYING HEAT LOCALLY, e.g. FLAME CUTTING; WORKING BY LASER BEAM
    • B23K2103/00Materials to be soldered, welded or cut
    • B23K2103/50Inorganic material, e.g. metals, not provided for in B23K2103/02 – B23K2103/26
    • B23K2103/54Glass
    • B23K2203/54
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02PCLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P40/00Technologies relating to the processing of minerals
    • Y02P40/50Glass production, e.g. reusing waste heat during processing or shaping
    • Y02P40/57Improving the yield, e-g- reduction of reject rates
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/15Sheet, web, or layer weakened to permit separation through thickness
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10TTECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/24Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.]
    • Y10T428/24273Structurally defined web or sheet [e.g., overall dimension, etc.] including aperture

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Optics & Photonics (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Plasma & Fusion (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Oil, Petroleum & Natural Gas (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Laser Beam Processing (AREA)
  • Re-Forming, After-Treatment, Cutting And Transporting Of Glass Products (AREA)

Abstract

본 발명은 투명 재료, 특히, 유리의 얇은 기판 내의 내부 윤곽을 절단 및 분리하기 위한 프로세스에 관한 것이다. 이 방법은 기판에 구멍이나 천공부를 형성하기 위해 초단파 펄스 레이저를 사용하는 것을 수반하며, 여기에는 천공선 주변에서의 완전한 분리를 촉진하기 위해 CO2 레이저 비임의 사용이 후속될 수 있다.

Description

슬롯 및 구멍의 레이저 가공{LASER PROCESSING OF SLOTS AND HOLES}
본 출원은 2013년 12월 17일자로 출원된 미국 가출원 제61/917148호 및 2014년 7월 10일자로 출원된 미국 가출원 제62/022855호의 이득을 주장하는 2014년 11월 7일자로 출원된 미국 출원 제14/536009호에 대한 35 U.S.C.§120 하의 우선권의 이득을 주장한다. 이들 출원의 전체 교지는 본 명세서에 참조로 통합되어 있다.
투명 재료, 예컨대, 유리로 이루어진 얇은 기판에 구멍 및 슬롯을 절단하는 것은 구멍 또는 슬롯의 윤곽을 따라 재료를 절제하기 위해 사용되는 집속된 레이저 비임에 의해 달성될 수 있고, 이 경우, 내부 플러그가 외부 기판 부재에 더 이상 부착되어 있지 않게 될 때까지 재료의 층을 층층이 제거하기 위하여 다수회 통과가 사용되게 된다. 이런 프로세스의 문제점은 이들이 재료를 층층이 제거하기 위해 레이저 비임의 다수회 통과(수십회 또는 심지어 그 이상)를 필요로 한다는 것, 이들이 부분의 표면을 오염시키게 되는 상당한 절제 파편을 발생시킨다는 것 및 이들이 윤곽의 에지를 따라 다량의 표면 손상(>100 μm)을 발생시킨다는 점이다.
따라서, 구멍 및 슬롯을 절단하기 위한 개선된 프로세스가 필요하다.
본 명세서에 개시된 실시예는 투명 재료, 특히, 유리의 얇은 기판 내의 내부 윤곽을 절단 및 분리하기 위한 프로세스에 관한 것이다.
일 실시예에서, 재료를 레이저 천공하는 방법은 비임 전파 방향을 따라 본, 레이저 비임 초점선으로 펄스형 레이저 비임을 집속하는 단계; 제1 위치에서 재료 내로 레이저 비임 초점선을 안내하는 단계로서, 레이저 비임 초점선은 재료 내에 유도 흡수를 발생시키고, 유도 흡수는 재료 내에서 레이저 비임 초점선을 따라 구멍을 생성하는, 단계; 제1 위치로부터 시작하여 제1 폐쇄형 윤곽을 따라 재료와 펄스형 레이저 비임을 서로에 대해 병진시킴으로써, 재료 내의 제1 폐쇄형 윤곽을 따라 복수의 구멍을 레이저 천공하는 단계; 제1 위치로부터 시작하여 제1 폐쇄형 윤곽을 따라 재료와 펄스형 레이저 비임을 서로에 대해 병진시킴으로써 재료 내에서 제1 폐쇄형 경로를 따라 복수의 구멍을 레이저 천공하는 단계; 및 제1 폐쇄형 윤곽을 따라 재료의 내부 플러그의 제거를 이행하도록 제1 폐쇄형 윤곽 내에 포함된 제2 폐쇄형 윤곽 둘레의 재료에 이산화탄소(CO2) 레이저를 안내하는 단계를 포함한다.
본 특허 또는 출원 파일은 컬러로 그려진 적어도 하나의 도면을 포함한다. 필요한 요금을 지불하고 요청하면 특허청으로부터 컬러 도면(들)을 갖는 본 특허 또는 특허 출원 공보의 사본을 제공받을 수 있다.
상술한 바는 첨부 도면에 예시된 바와 같은 본 발명의 예시적 실시예에 대한 후속하는 더 구체적인 설명으로부터 명백히 알 수 있을 것이며, 첨부 도면에서, 유사 참조 부호는 다양한 도면 전반에 걸쳐 동일한 부분을 지칭한다. 도면은 반드시 축척대로 그려진 것이 아니며, 대신, 본 발명의 실시예를 예시함에 있어 강조가 부여되어 있다.
도 1은 시작 시트의 절단될 부분의 예시도이다. 이 부분은 외부 및 내부 윤곽 양자 모두를 갖는다. 외부 윤곽은 추가적 절단부 또는 "방출선"을 추가함으로써 모재 시트로부터 쉽게 방출될 수 있다.
도 2a 및 도 2b는 레이저 비임 초점선의 위치설정, 즉, 초점선을 따른 유도 흡수에 기인한, 레이저 파장에 대해 투명한 재료의 가공의 예시도이다.
도 3a는 레이저 천공을 위한 광학 조립체의 예시도이다.
도 3b-1 내지 도 3b-4는 기판에 대해 레이저 비임 초점선을 서로 다르게 위치설정함으로써 기판을 가공하는 다양한 가능성의 예시도이다.
도 4는 레이저 천공을 위한 제2 광학 조립체의 예시도이다.
도 5a 및 도 5b는 레이저 천공을 위한 제3 광학 조립체의 예시도이다.
도 6은 레이저 천공을 위한 제4 광학 조립체의 개략적 예시도이다.
도 7a 내지 도 7c는 재료의 레이저 가공을 위한 다른 체계의 예시도이다. 도 7a는 비집속 레이저 비임을 예시하고, 도 7b는 구면 렌즈에 의해 응집된 레이저 비임을 예시하고, 도 7c는 액시콘(axicon) 또는 회절 프레넬 렌즈에 의해 응집된 레이저 비임을 예시한다.
도 8a는 시간에 대비한 예시적 펄스 버스트 내의 레이저 펄스의 상대적 강도를 개략적으로 예시하며, 각 예시적 펄스 버스트는 3개 펄스를 갖는다.
도 8b는 예시적 펄스 버스트 내에서 시간에 대비한 레이저 펄스의 상대적 강도를 개략적으로 예시하며, 각 예시적 펄스 버스트는 5개 펄스를 포함한다.
도 8c는 내부 윤곽을 형성하고 이 윤곽 내측의 재료를 제거하기 위해 추종되는, 다양한 레이저 단계 및 경로에 대한 설명이다.
도 9는 윤곽 내측의 재료를 제거하기 위해 추종되는, CO2 레이저 단계 및 경로에 대한 설명이다.
도 10은 0.7 mm 두께 샘플로부터 절단 및 그후 분리된 구멍 및 슬롯의 예이다. 이 구멍 및 슬롯은 본 발명에 따른 프로세스를 사용하여 절단 및 제거되었다.
도 11은 내부 재료를 제거하기 위해 CO2 절제 프로세스가 사용된 이후, 본 명세서에 설명된 프로세스로 형성된 슬롯의 내부 에지의 사시 이미지(angled image)이다.
도 12는 0.7 mm 두께 코닝 2320 NIOX(비이온교환) 두께 기판 및 외부 윤곽의 직선 절단 스트립의 에지 이미지이다. 이 에지는 도 11에 도시된 매우 유사한 에지에 비교될 수 있다.
도 13은 본 명세서에 설명된 프로세스에 의해 형성된 슬롯의 절단 에지의 상면도이다. 윤곽의 에지에 어떠한 칩형성이나 균열(checking)도 관찰되지 않는다. 이 윤곽은 약 2 mm의 반경을 갖는다.
도 14a 내지 도 14c는 변형된 유리의 균등 이격된 결함선 또는 손상 트랙을 갖는, 결손선(또는 천공선)의 예시도이다.
예시적 실시예에 대한 설명이 후속된다.
본 명세서에는 투명 재료, 특히, 유리의 얇은 기판 내의 내부 윤곽을 절단 및 분리하기 위한 프로세스가 개시되어 있다. 이 방법은 기판에 구멍이나 천공부를 형성하기 위해 초단파 펄스 레이저를 사용하는 것을 수반하며, 여기에는 천공선 주변에서의 완전한 분리를 촉진하기 위해 CO2 레이저 비임의 사용이 후속될 수 있다. 후술된 레이저 프로세스는 낮은 표면하 손상(<75 μm) 및 양호한 표면 조면도(Ra < 0.5 μm)로 단일 통과로 다양한 유리의 완전 절단체(full body cut)를 생성한다. 표면하 손상(SSD)은 유리 부재의 절단 에지에 수직인 크랙 또는 "균열"의 정도로서 규정된다. 이들 크랙이 유리 부재 내로 연장하는 거리의 크기는 유리 에지 강도를 개선시키기 위해 사용되는 연삭 및 연마 작업으로부터 요구될 수 있는 추후 재료 제거의 양을 결정할 수 있다. SSD는 등각 현미경을 사용하여 크랙으로부터 산란되는 광을 관찰하고 주어진 절단 에지에 걸쳐 유리 본체 내로 크랙이 연장하는 최대 거리를 결정함으로써 측정될 수 있다.
일 실시예는 분리 공정에 의해 재료, 예컨대, 유리 내의 내부 윤곽을 절단 및 분리하기 위한 방법에 관련하며, 이 분리 공정은 분리 공정에 의한 손상 없이, 상술한 천공 프로세스에 의해 생성되는 고품질 에지를 노출시킨다. 부분이 기판의 시작 시트로부터 절단 배출될 때, 이는 도 1에 도시된 바와 같이, 외부 또는 내부 윤곽을 포함할 수 있다. 시트로부터의 해당 부분의 외부 윤곽 방출은 도 1에 도시된 바와 같이 "방출선"이라 알려진 추가적 절단선을 추가함으로써 수행될 수 있다. 그러나, 내부 윤곽에 대하여, 이들이 관련 부분을 훼손할 수 있으므로 어떠한 방출선도 형성될 수 없다. 일부 경우에, 고도 응력부여 재료 및 충분히 큰 내부 윤곽에 대하여, 내부 부분은 자체 분리되고 떨어져 나올 수 있다. 그러나, 작은 구멍 및 슬롯(예를 들어, 10 mm 구멍, 수 mm 미만, 예컨대, ≤3 mm 또는 ≤2 mm 또는 심지어 ≤1 mm의 폭의 슬롯)에 대하여, 응력부여된 재료에 대해서 조차도 내부 부분이 떨어져 나오지 않을 것이다. 구멍은 일반적으로 단면이 원형 또는 실질적 원형인 특징부로서 규정된다. 대조적으로, 슬롯은 일반적으로 고도의 타원적 특징부, 예컨대, 4:1을 초과한, 통상적으로 5:1 이상인, 예로서, 1.5 mm x 15 mm 또는 3 mm x 15 mm 또는 1 mm x 10 mm 또는 1.5 mm x 7 mm 등인 폭에 대한 길이의 형상비(예를 들어, 예로서 단면에서 또는 상단 또는 저부로부터 볼 때)를 갖는다. 슬롯은 둥근 코너를 가질 수 있거나, 코너들이 날카로운(90 도) 특징부일 수 있다.
스마트 폰의 "홈(home)" 또는 전원 버튼을 위해 요구되는 유리 부재 내의 구멍 같은 내부 윤곽을 분리하는 것의 과제는 윤곽이 잘 천공되고 그 둘레로 크랙이 전파되었다 하더라도, 플러그 주변의 재료에 의해 재료의 내부 플러그가 압축력을 받아 제 위치에 고정되어 있을 수 있다는 것이다. 이는 플러그를 낙하배출시킬 수 있는 자동화된 방출 프로세스가 과제가 되는 부분이라는 것을 의미한다. 이 문제점은 Gorilla® 유리 같은 화학적으로 강화된 유리 기판의 경우에서와 같이 절단되는 재료가 높은 응력 상태에 있고 크랙 형성이 용이한 경우인지 또는 Eagle XG® 유리의 경우에서와 같이 재료가 낮은 응력에 있는 경우인지 여부에 무관하게 발생된다. 고도 응력 유리는 약 24 MPa보다 큰 중앙(유리 두께의 중심에서) 장력을 갖는 유리이고, 저 응력 유리는 통상적으로 약 24 MPa보다 작은 중앙 장력을 갖는다.
본 출원은 일반적으로 강도를 보전하는 부분 에지에 대한 최소의 손상 및 무시가능한 파편으로 제어가능한 형태로 유리 기판으로부터 임의적 형상을 정밀하게 절단 및 분리하기 위한 레이저 방법 및 장치에 관한 것이다. 개발된 레이저 방법은 선형 체계에서의 레이저 파장에 대한 재료 투명도 또는 낮은 레이저 강도에 의존하며, 이는 레이저 초점 주변의 고 강도의 영역에 의해 생성된 감소된 표면하 손상 및 깨끗한, 그리고, 본연의 표면 품질의 유지를 가능하게 한다. 이러한 프로세스의 핵심적 가능화 요인 중 하나는 초단파 펄스형 레이저에 의해 생성되는 결함의 높은 형상비이다. 이는 절단될 재료의 상단 표면으로부터 저부 표면까지 연장하는 결손선의 생성을 가능하게 한다. 원론적으로, 이러한 결함은 단일 레이저 펄스에 의해 생성될 수 있고, 필요시, 추가적인 펄스가 사용되어 영향받은 영역의 연장부를 증가시킬 수 있다(깊이 및 폭).
짧은 펄스 피코초 레이저 및 초점선을 생성하는 광학장치의 사용으로, 폐쇄형 윤곽이 유리 시트에 천공된다. 천공부는 직경이 수 미크론 미만이고, 천공부의 통상적 간격은 1 내지 15 μm이고, 천공부는 유리 시트 전체를 통해 진행된다.
재료 제거를 이행하기 위한 취약 지점을 생성하기 위해, 추가적 윤곽이 그후 선택적으로 동일 프로세스에 의해 제1 윤곽의 내부로 수백 미크론에서 천공될 수 있다.
유리 재료를 절제하기에 충분히 높은 파워 밀도의 집속된 CO2 레이저 비임이 그후 제2 윤곽 둘레를 추종함으로써, 유리 재료의 분열 및 제거를 유발한다. 레이저의 한번 이상의 통과가 사용될 수 있다. 고압 보조 가스도 CO2 비임과 공선적인 노즐을 통해 강제 배출되어 유리 재료를 더 큰 유리 부재의 외부로 구동하기 위한 추가적 힘을 제공한다.
투명 재료를 절단 및 분리하기 위한 방법은 본질적으로 초단파 펄스형 레이저로 처리되는 재료 상에 결손선을 생성하는 것에 기초한다. 재료 물성(흡수, CTE, 응력, 조성 등)과 결정된 해당 재료를 가공하기 위해 선택된 레이저 파라미터에 따라서, 결손선만의 생성으로 자체 분리를 유도하기에 충분할 수 있다. 이는 상당한(즉, 약 24 MPa보다 큰) 내부 또는 중앙 장력(CT)을 갖는 가장 강화된 유리(절단 이전에 이미 이온교환이 수행된 것들)에 대한 경우이다. 이 경우, 장력/굴곡력 또는 CO2 레이저 같은 어떠한 부차적 분리 프로세스도 필요하지 않다.
일부 경우에, 생성된 결손선은 유리를 자동으로 분리시키기에 충분하지 않다. 이는 Eagle XG®, Lotus 또는 임의의 이온교환 단계 이전에 절단되는 이온교환가능한 유리 같은 디스플레이 유리에 대한 경우인 경우가 많다. 따라서, 부차적 프로세스 단계가 필요할 수 있다. 바람직하다면, 제2 레이저가 사용되어 예로서 이를 분리하기 위한 열적 응력을 생성할 수 있다. Corning 코드 2320 NIOX(비이온교환 Gorilla® 유리 3)의 경우에, 결함선의 생성 이후, 기계적 힘을 인가함으로써 또는 적외 CO2 레이저 비임으로 기존 결손선을 추적함으로써 열적 응력을 생성하고 부분이 자체 분리되게 하여 분리가 달성될 수 있다는 것을 발견하였다. 다른 선택권은 분리 시작시에만 CO2 레이저를 사용하여 분리를 개시하고 수동으로 분리를 마무리하는 것이다. 선택적 CO2 레이저 분리는 10.6 μm를 출사하는 탈초점(즉, 직경 2-12 mm의 유리에서의 스팟 사이즈) 연속 파 레이저 및 그 듀티 사이클을 제어함으로써 조절되는 파워에 의해 달성된다. 초점 변화(즉, 탈초점 정도)는 스팟 사이즈를 변화시킴으로써 유도 열적 응력을 변화시키기 위해 사용된다. 천공선의 생성 이후, CO2 유도 분리는 일반적으로 유리에서의 ~40W의 파워, 약 2 mm의 스팟 사이즈 및 ~14-20 m/min의 비임 횡단율을 사용하여 달성될 수 있다.
그러나, 유리가 결함선의 형성 이후 자체 분리를 시작하기에 충분한 내부 응력을 갖는 경우에도, 절단 윤곽의 기하형상은 내부 유리 부분의 방출을 방지할 수 있다. 이는 단순 구멍 또는 슬롯 같은 대부분 폐쇄형인 또는 내부 윤곽의 경우이다. 개구의 내부 부분은 유리 시트에 존재하는 압축력에 기인하여 제 위치에 유지되며-크랙은 천공된 결함부 사이에서 전파할 수 있지만, 모재 시트로부터 부재가 떨어져 나올 수 있게 하는 공간이 존재하지 않는다.
결함 또는 천공선의 형성
제1 프로세스 단계를 위해, 해당 결함선을 생성하기 위해 다수의 방법이 존재한다. 선 초점을 형성하는 광학적 방법은 도넛 형상 레이저 비임과 구면 렌즈, 액시콘 렌즈, 회절 요소 또는 고 강도의 선형 영역을 형성하기 위한 다른 방법을 사용하여 다양한 형태를 취할 수 있다. 기판 재료의 파괴를 생성하기에 충분한 광학적 강도가 도달된다면, 레이저의 유형(피코초, 펨토초 등) 및 파장(IR, 그린, UV 등)도 변화될 수 있다. 이 파장은 예로서, 1064, 532, 355 또는 266 나노미터일 수 있다.
소정 범위의 유리 조성물의 본체를 완전히 천공하기 위하여 초점선을 생성하는 광학장치와 조합하여 초단파 펄스 레이저가 사용될 수 있다. 일부 실시예에서, 개별 펄스의 펄스 기간은 약 1 피코초 초과와 약 100 피코초 미만 사이, 예컨대, 약 5 피코초 초과와 약 20 피코초 미만 사이의 범위일 수 있고, 개별 펄스의 반복율은 약 1 kHz와 4 MHz 사이의 범위, 예컨대, 약 10 kHz와 650 kHz 사이의 범위일 수 있다.
상술한 개별 펄스 반복율에서의 단일 펄스 동작에 추가로, 펄스는 약 1 nsec와 약 50 nsec 사이의 범위, 예로서, 10 내지 50 nsec 또는 10 내지 30 nsec, 예컨대 약 20 nsec의 펄스 버스트 내의 개별 펄스 사이의 기간으로 분리되어 있는 2개 펄스 또는 그 이상(예컨대, 예를 들어, 3 펄스, 4 펄스, 5 펄스, 10 펄스, 15 펄스, 20 펄스 또는 그 이상)의 버스트로 생성될 수 있고, 버스트 반복 주파수는 약 1 kHz와 약 200 kHz 사이의 범위일 수 있다. (버스트화 또는 펄스 버스트의 생성은 펄스의 출사가 균일하고 정적인 스트림이 아니라 대신 밀접한 펄스의 클러스터들인 레이저 동작의 일 유형이다.) 펄스 버스트 레이저 비임은 재료가 이 파장에서 실질적으로 투명하도록 선택된 파장을 가질 수 있다. 재료에서 측정된 버스트 당 평균 레이저 파워는 재료의 mm 두께 당 40 μJ, 예로서, 40 μJ/mm와 2500 μJ/mm 사이 또는 200과 800 μJ/mm 사이일 수 있다. 예로서, 0.5mm 내지 0.7 mm 두께 Corning 2320 비이온교환 유리에 대하여, 유리를 절단 및 분리하기 위해 200 μJ 펄스 버스트를 사용할 수 있으며, 이는 285-400 μJ/mm의 예시적 범위를 제공한다. 유리는 임의의 원하는 부분의 형상을 추종하는 천공선을 생성하도록 레이저 비임에 대해 이동된다(또는 레이저 비임이 유리에 대해 병진된다).
레이저는 유리의 전체 깊이를 관통하는 구멍형 결함 구역(또는 손상 트랙 또는 결함선)을 생성하고, 이 결함 구역은 예로서, 직경이 대략 1 미크론인 내부 개구를 갖는다. 이들 천공부, 결함 영역, 손상 트랙 또는 결함선은 일반적으로 1 내지 15 미크론(예로서, 2 내지 12 미크론 또는 3 내지 10 미크론) 이격된다. 결함선은 예로서 유리 시트 두께를 통해 연장하며, 유리 시트의 주(평탄한) 표면에 직교한다.
일 실시예에서, 초단파(~10 psec) 버스트 펄스형 레이저가 사용되어 일정하고, 제어가능하면서 반복적인 방식으로 이러한 높은 형상비의 수직 결함선을 생성한다. 이러한 수직 결함선의 생성을 가능하게 하는 광학적 설정의 세부사항은 2013년 1월 15일자로 출원된 미국 출원 제61/752,489호에 설명되어 있고, 후술된다. 이러한 개념의 핵심은 초단파(피코초 또는 팸토초 기간) 베셀(Bessel) 비임을 사용한 높은 형상비의 비-테이퍼 마이크로채널의 영역을 생성하기 위해 광학 렌즈 조립체에 액시콘 렌즈 요소를 사용하는 것이다. 달리 말하면, 액시콘은 레이저 비임을 원통형 형상이면서 높은 형상비인(긴 길이 및 작은 직경) 영역으로 응집한다. 응집된 레이저 비임에 의해 생성되는 높은 강도에 기인하여, 레이저 전자기장과 재료의 비선형적 상호작용이 발생하고, 레이저 에너지가 기판에 전달된다. 그러나, 레이저 에너지 강도가 높지 않은 영역에서(즉, 유리 표면, 중앙 수렴선 주변의 유리 체적), 유리에 대해 아무런 일도 발생하지 않으며, 그 이유는 레이저 강도가 비선형 임계치 미만이기 때문이다.
도 2a 및 도 2b로 돌아가서, 재료를 레이저 천공하는 방법은 비임 전파 방향을 따라 볼 때, 펄스형 레이저 비임(2)을 레이저 비임 초점선(2b)으로 집속하는 것을 포함한다. 도 3에 도시된 바와 같이, 레이저(3)(미도시)는 광학 조립체(6)에 입사되는, 2a라 지칭되는 광학 조립체(6)의 비임 입사측에서 레이저 비임(2)을 출사한다. 광학 조립체(6)는 입사 레이저 비임을 비임 방향을 따라 규정된 확장 범위(초점선의 길이(l))에 걸쳐 출력측 상의 광범위한 레이저 비임 초점선(2b)으로 전향시킨다. 가공되는 평면형 기판(1)은 광학 조립체가 레이저 비임(2)의 레이저 비임 초점선(2b)에 부분적으로 중첩한 이후 비임 경로 내에 위치된다. 참조번호 1a는 광학 조립체(6) 또는 레이저에 대면하는 평면형 기판의 표면을 나타내고, 참조번호 1b는 일반적으로 평행하게 이격된 기판(1)의 이면 표면을 나타낸다. 기판 두께(평면(1a 및 1b)에 대해, 즉, 기판 평면에 대해 직각으로 측정됨)는 d로 표시된다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 기판(1)은 종방향 비임 축에 직각으로, 그리고, 따라서, 광학 조립체(6)에 의해 생성된 동일한 초점선(2b) 뒤쪽에 정렬되고(기판은 도면 평면에 직각임), 비임 방향을 따라 보면, 이는 비임 방향으로 본 초점선(2b)이 기판의 표면(1a) 이전에 시작하고 기판의 표면(1b) 이전에, 즉, 여전히 기판 내에 있는 상태에서 정지하는 방식으로 초점선(2b)에 대해 위치된다. 기판(1)과의 레이저 비임 초점선(2b)의 중첩 영역에서, 즉, 초점선(2b)으로 덮여진 기판 재료에서, 따라서 넓은 레이저 비임 초점선(2b)은 종방향 비임 방향을 따라 볼 때 넓은 섹션(2c)을 생성하고(길이(l)의 섹션 상에서의 레이저 비임(2)의 집속, 즉, 길이(l)의 선 초점에 기인하여 보증되는 레이저 비임 초점선(2b)을 따른 적절한 레이저 강도의 경우), 이를 따라, 유도 흡수가 기판 재료 내에 생성되며, 이는 섹션(2c)을 따른 기판 재료 내에 결함선 또는 크랙 형성을 유도한다. 크랙 형성은 국소 뿐만 아니라, 유도 흡수의 넓은 섹션(2c)의 전체 길이에 걸쳐 존재한다. 섹션(2c)의 길이(즉, 결국, 기판(1)과 레이저 비임 초점선(2b)의 중첩의 길이)은 참조번호 L로 표시된다. 유도 흡수의 섹션의 평균 직경 또는 평균 연장부(또는 크랙 형성이 이루어지는 기판(1)의 재료의 섹션)는 참조번호 D로 표시된다. 평균 연장부(D)는 기본적으로 레이저 비임 초점선(2b)의 평균 직경(δ), 즉, 약 0.1 μm와 약 5 μm 사이의 범위의 평균 스팟 직경에 대응한다.
도 2a에 도시된 바와 같이, 레이저 비임(2)의 파장(λ)에 대해 투명한 기판 재료는 초점선(2b)을 따른 유도 흡수에 기인하여 가열된다. 도 2b는 대응적으로 유도된 장력이 마이크로-크랙 형성을 초래하도록 가온된 재료가 결국 팽창하게 되는 것을 개요설명하며, 장력은 표면(1a)에서 최고이다.
초점선(2b)을 생성하기 위해 적용될 수 있는 구체적 광학 조립체(6) 및 이들 광학 조립체가 적용될 수 있는 구체적 광학적 설정이 후술된다. 모든 조립체 또는 설정은 상술한 설명에 기초하며, 그래서, 동일한 구성요소나 특징 또는 그 기능이 동일한 것들에는 동일한 참조번호가 사용된다. 따라서, 차이점만을 후술한다.
결국 분리를 초래하는 분할 면이 고품질이거나 고품질로 이루어져야만 하기 때문에(파괴 강도, 기하형상 정밀도, 조면도 및 재기계가공 요구의 회피에 관하여), 분할선(5)을 따라 기판 표면 상에 위치되는 개별 초점선은 후술된 광학 조립체를 사용하여 생성되어야 한다(이하에서, 광학 조립체는 대안적으로 레이저 광학장치라고도 지칭된다). 조면도는 특히 초점선의 스팟 사이즈 또는 스팟 직경으로부터 초래된다. 레이저(3)의 주어진 파장(λ)의 경우에 예로서, 0.5 μm 내지 2 μm의 작은 스팟 사이즈를 달성하기 위해(기판(1)의 재료와의 상호작용), 레이저 광학장치(6)의 개구수에 소정 요건이 일반적으로 부여되어야 한다. 이들 요건은 후술된 레이저 광학장치(6)에 의해 충족된다.
요구되는 개구수를 달성하기 위해, 광학장치는 한편으로는 공지된 아베(Abbe) 공식(N.A. = n sin(세터), n: 가공되는 유리의 굴절 지수, 세터: 개구 각도의 절반; 및 세터 = arctan (D/2f); D: 개구, f: 초점 길이)에 따라 주어진 초점 길이를 위해 요구되는 개방부를 결정하여야 한다. 다른 한편, 레이저 비임은 요구되는 개구까지 과학장치를 조명하여야만 하며, 이는 통상적으로 레이저와 집속 광학장치 사이의 확폭 텔레스코프(widening telescope)를 사용한 비임 확폭에 의해 달성된다.
스팟 사이즈는 초점선을 따른 균일한 상호작용의 목적을 위해 너무 강하게 변하지 않아야 한다. 이는 예로서, 비임 개구, 그리고, 따라서, 개구수의 백분율이 단지 미소하게만 변하도록 작은 원형 영역에서만 집속 광학장치를 조명함으로써 보증될 수 있다(후술된 실시예 참조).
도 3a(레이저 방사선(2)의 레이저 비임 다발의 중앙 비임의 레벨에서 기판 평면에 직각인 섹션; 여기서, 역시, 레이저 비임(2)의 중심은 바람직하게는 기판 평면에 직각으로 입사하고, 즉, 각도가 0도이고, 그래서, 초점선(2b) 또는 유도 흡수(2c)의 넓은 섹션은 기판 법선에 평행함)에 따라서, 레이저(3)에 의해 출사되는 레이저 방사선(2a)은 먼저 원형 개구(8) 상으로 안내되고, 이 원형 개구는 사용되는 레이저 방사선에 대해 완전히 불투명하다. 개구(8)는 종방향 비임 축에 수직으로 배향되고, 도시된 비임 다발(2a)의 중앙 비임에 중심설정된다. 개구(8)의 직경은 비임 다발(2a)의 중심 또는 중앙 비임(여기서 2aZ로 표시됨) 부근의 비임 다발이 개구에 부딪히고, 그에 의해 완전히 흡수되는 방식으로 선택된다. 비임 다발(2a)의 외부 주연부 범위의 비임(주변 광선, 여기서, 2aR로 표시됨)만이 비임 직경에 비해 감소된 개구 크기에 기인하여 흡수되지 않고 측방으로 개구(8)를 통과하며 광학 조립체(6)의 집속 광학 요소의 주변 영역에 부딪히고, 이는 여기서 구면 절단된 양방향볼록 렌즈(7)로서 설계되어 있다.
중앙 비임 상에 중심설정된 렌즈(7)는 의도적으로 일반적, 구면 절단 렌즈 형태의 비보정, 양방향 볼록 집속 렌즈로서 설계되어 있다. 달리 말하면, 이런 렌즈의 구면 수차가 의도적으로 사용된다. 대안으로서, 이상적 초점을 형성하지 않고 규정된 길이의 구별되는 세장형 초점선을 형성하는, 이상적으로 보정된 시스템으로부터 벗어나는 비구면 또는 다중렌즈 시스템도 사용될 수 있다(즉, 단일 초점을 갖지 않는 렌즈 또는 시스템). 따라서, 렌즈의 구역들은 초점선(2b)을 따라 집속되고, 렌즈 중심으로부터 거리를 갖게 된다. 비임 방향을 가로지른 개구(8)의 직경은 비임 다발의 직경(1/e2로의 감소까지의 연장에 의해 형성되는 비임 다발 직경)(강도)의 약 90%이고, 광학 조립체(6)의 렌즈의 직경의 약 75%이다. 따라서, 중심에서 비임 다발을 차단함으로써 생성된 비-수차 보정 구면 렌즈(7)의 초점선(2b)이 사용된다. 도 3a는 중앙 비임을 통한 하나의 평면의 섹션을 도시하며, 도시된 비임이 초점선(2b) 둘레로 회전되면 완전한 3차원 다발을 볼 수 있다.
이러한 초점선의 한 가지 단점은 초점선을 따른, 그리고, 따라서, 재료의 원하는 깊이를 따른 조건(스팟 사이즈, 레이저 강도)가 변하고, 따라서, 원하는 유형의 상호작용(비용융, 유도 흡수, 크랙 형성까지의 열-가소성 변형)이 초점선의 일부에서만 선택될 수 있다는 것이다. 이는 따라서 입사 레이저 광의 단지 일부만이 원하는 방식으로 흡수될 수 있다는 것을 의미한다. 이러한 방식에서, 한편으로는 프로세스의 효율(원하는 분리 속도를 위한 요구 평균 레이저 파워)이 훼손되고, 다른 한편으로는 레이저 광이 원하지 않은 더 깊은 장소(기판 또는 기판 보유 고정구에 부착된 부분 또는 층) 내로 전달될 수 있고, 원하지 않는 방식으로(가열, 확산, 흡수, 원하지 않는 변경) 그곳에서 상호작용할 수 있다.
도 3b-1 내지 도 3b-4는 (도 3a의 광학 조립체 뿐만 아니라, 기본적으로 임의의 다른 적용가능한 광학 조립체(6)에 대해) 레이저 비임 초점선(2b)이 기판(1)에 대해 광학 조립체(6)를 적절히 위치설정 및/또는 정렬함으로써, 그리고, 광학 조립체(6)의 파라미터를 적절히 선택함으로써 다르게 위치설정될 수 있다는 것을 보여준다. 도 3b-1이 개요설명하는 바와 같이, 초점선(2b)의 길이(l)는 기판 두께(d)를 초과하는 방식으로(여기서는 인자 2만큼) 조절될 수 있다. 기판(1)이 초점선(2b)에 대해 중앙에 배치되는 경우(종방향 비임 방향에서 볼 때), 유도 흡수(2c)의 넓은 섹션이 전체 기판 두께에 걸쳐 생성된다.
도3b-2에 도시된 경우에, 기판 두께(d)와 실질적으로 동일한 길이(l)를 갖는 초점선(2b)이 생성된다. 선(2)에 대해 기판(1)이 선(2b)이 기판 이전, 즉, 외측의 지점에서 시작하기 때문에, (본 경우에, 기판 표면으로부터 규정된 기판 깊이까지 연장하고 이면 표면(1b)까지는 연장하지 않는) 유도 흡수(2c)의 넓은 섹션의 길이(L)는 초점선(2b)의 길이(l)보다 작다. 도 3b-3은 기판(1)(비임 방향을 따라 볼 때)이 초점선(2b)의 시작 지점 이전에 부분적으로 위치되고, 그래서, 여기에서도 역시 선(2b)의 길이(l)에 l> L(L=기판(1)의 유도 흡수(2c)의 섹션의 연장)이 적용되는 경우를 도시한다. 따라서, 초점선은 기판 내에서 시작하고, 이면 표면(1b)을 거쳐 기판을 초과하도록 연장한다. 도 3b-4는 마지막으로 -입사 방향에서 본 초점선에 대한 기판의 중앙 위치설정의 경우- 초점선이 기판 내의 표면(1a) 부근에서 시작하고 기판 내의 표면(1b) 부근(l = 0.75 · d)에서 종결되도록 기판 두께(d)보다 작은 초점선 길이(l)를 생성하는 경우를 도시한다.
적어도 하나의 표면(1a, 1b)이 초점선에 의해 덮여지는 방식, 즉, 유도 흡수(2c)의 섹션이 적어도 하나의 표면 상에서 시작하는 방식으로 초점선 위치설정을 실현하는 것이 특히 유리하다. 이러한 방식으로, 표면에서의 절제, 피더링(feathering) 및 미립자형성을 피하면서 실질적으로 이상적인 절단을 달성하는 것이 가능하다.
도 4는 다른 적용가능한 광학 조립체(6)를 도시한다. 기본적 구성은 도 3a에 도시된 것을 따르며, 그래서, 차이점만을 후술한다. 도시된 광학 조립체는 규정된 길이(l)의 초점선이 형성되는 방식으로 성형된, 초점선(2b)을 생성하기 위해 비구면 자유 표면을 갖는 광학장치를 사용하는데 기초한다. 이를 위해, 광학 조립체(6)의 광학 요소로서 비구면이 사용될 수 있다. 도 4에서, 예로서, 액시콘이라고도 지칭되는 소위 원추형 프리즘이 사용된다. 액시콘은 구면, 원추형 절단 렌즈이고, 이는 광학 축을 따른 선 상에 스팟 소스를 형성한다(또는 레이저 비임을 링으로 변환한다). 이런 액시콘의 레이아웃은 원론적으로 본 기술 분야의 숙련자에게 알려져 있으며, 본 예의 원추 각도는 10도이다. 여기서 참조번호 9로 표시된 액시콘의 정점은 입사 방향을 향해 지향되고, 비임 중심에 중심설정된다. 액시콘(9)의 초점선(2b)이 이미 그 내부에서 시작하기 때문에, 기판(1)(여기서는, 주 비임 축에 직각으로 정렬됨)은 액시콘(9) 바로 뒤의 비임 경로에 위치될 수 있다. 도 4가 도시하고 있는 바와 같이, 또한, 초점선(2b)의 범위를 남기지 않고 액시콘의 광학 특성에 기인하여 비임 방향을 따라 기판(1)을 변위시키는 것도 가능하다. 따라서, 기판(1)의 재료의 유도 흡수(2c)의 넓은 섹션은 전체 기판 두께(d)에 걸쳐 연장한다.
그러나, 도시된 레이아웃은 이하의 구속을 받게 된다: 액시콘(9)의 초점선이 이미 렌즈 내에서 시작하기 때문에, 레이저 에너지의 상당한 부분이 렌즈와 재료 사이의 거리가 유한한 경우에, 재료 내에 위치되는 초점선(2b)의 부분(2c) 내에 집속되지 않는다. 또한, 초점선(2b)의 길이(l)는 액시콘(9)의 가용 굴절 지수 및 원추 각도에 대하여 비임 직경에 관련되어 레이저 에너지가 다시 재료 내에 특정하게 집속되지 않는 영향을 가지며, 이는 비교적 얇은 재료(수 밀리미터)의 경우, 전체 초점선이 너무 길어지는 이유이다.
이것이 개선된 광학 조립체(6)가 액시콘과 집속 렌즈 양자 모두를 포함하는 이유이다. 도 5a는 넓은 레이저 비임 초점선(2b)을 형성하기 위해 설계된 비구면 자유 표면을 갖는 제1 광학 요소(비임 방향을 따라 본 경우)가 레이저(3)의 비임 경로 내에 위치되는 광학 조립체(6)를 도시한다. 도 5a에 도시된 경우에서, 이 제1 광학 요소는 레이저 비임(3) 상에 중심설정되고 비임 방향에 직각으로 위치되어 있는 5도의 원추 각도를 갖는 액시콘(10)이다. 액시콘의 정점은 비임 방향을 향해 배향된다. 제2 집속 광학 요소, 여기서는, 평면-볼록 렌즈(11)(곡률부가 액시콘을 향해 배향됨)가 액시콘(10)으로부터의 거리(z1)에서 비임 방향으로 위치된다. 본 경우에는 대략 300 mm인 거리(z1)는 액시콘(10)에 의해 형성된 레이저 방사선이 렌즈(11)의 주변 영역에 원형으로 입사하도록 선택된다. 렌즈(11)는 본 경우에는 1.5 mm인 규정된 길이의 초점선(2b) 상에서, 본 경우에는 렌즈(11)로부터 약 20 mm인 거리(z2)에서 출력 측부 상에 원형 방사선을 집속한다. 렌즈(11)의 유효 초점 길이는 여기서 25 mm이다. 액시콘(10)에 의한 레이저 비임의 원형 변환은 참조번호 SR로 표시되어 있다.
도 5b는 도 5a에 따른 기판(1)의 재료 내에서의 유도 흡수(2c) 또는 초점선(2b)의 형성을 상세히 도시한다. 양 요소(10, 11)의 광학 특성 및 이들의 위치설정은 비임 방향으로 초점선(2b)의 연장(l)이 기판(1)의 두께(d)와 정확히 동일한 방식으로 선택된다. 결과적으로, 비임 방향을 따른 기판(1)의 정확한 위치설정은 도 5b에 도시된 바와 같이, 기판(1)의 두 표면(1a, 1b) 사이에서 정확하게 초점선(2b)을 위치설정하기 위해 요구된다.
따라서, 초점선이 레이저 광학장치로부터 소정 거리에 형성되고 레이저 방사선의 더 큰 부분이 초점선의 원하는 단부까지 집속되는 것이 유리하다. 설명된 바와 같이, 이는 요구되는 구역 상에서만 원형으로 주 집속 요소(11)(렌즈)를 조명함으로써 달성될 수 있으며, 이는 한편으로는 요구되는 개구수, 그리고, 따라서, 필요한 스팟 사이즈를 실현하도록 기능하지만, 그러나, 다른 한편으로는 기본적으로 원형 스팟이 형성되기 때문에 확산의 원은 스팟의 중심에서 매우 짧은 거리에 걸친 요구되는 초점선(2b) 이후 강도가 감소한다. 이러한 방식으로, 요구되는 기판 깊이의 짧은 거리 내에서 크랙 형성이 정지된다. 액시콘(10)과 집속 렌즈(11)의 조합은 이러한 요건을 충족시킨다. 액시콘은 두 가지 다른 방식으로 작용한다: 액시콘(10)에 기인하여, 일반적으로 둥근 레이저 스팟이 링의 형태로 집속 렌즈(11)에 전송되고, 액시콘(10)의 비구면성은 초점선이 초점 평면의 초점 대신 렌즈의 초점 평면을 지나서 형성되게 하는 영향을 갖는다. 초점선(2b)의 길이(l)는 액시콘 상의 비임 직경을 통해 조절될 수 있다. 다른 한편, 초점선을 따른 개구수는 액시콘-렌즈 거리(z1) 및 액시콘의 원추 각도를 통해 조절될 수 있다. 이러한 방식에서, 전체 레이저 에너지는 초점선에 집중될 수 있다.
크랙 형성(즉, 결함선)이 기판의 탈출측까지 이어지게되는 경우, 원형 조명은 여전히 한편으로는 레이저 광의 대부분이 요구되는 초점선의 길이에서 집중되어 유지되기 때문에 최상의 가능한 방식으로 레이저 파워가 사용되고, 다른 한편으로는 다른 광학적 기능에 의해 설정된 원하는 수차와 연계된 원형 조명 구역에 기인하여 초점선을 따른 균일한 스팟 사이즈-따라서, 초점선을 따른 균일한 분리 프로세스-를 달성할 수 있게 한다는 장점을 갖는다.
도 5a에 도시된 평면-볼록 렌즈 대신, 집속 메니스커스 렌즈 또는 다른 더 고도로 보정된 집속 렌즈(비구면, 다중렌즈 시스템)를 사용하는 것도 가능하다.
도 5a에 도시된 렌즈와 액시콘의 조합을 사용하여 매우 짧은 초점선(2b)을 생성하기 위해, 액시콘에 입사하는 레이저 비임의 매우 작은 비임 직경을 선택할 필요가 있을 수 있다. 이는 액시콘의 정점 상으로 비임을 중심설정하는 것이 매우 정밀하여야만 하고, 따라서, 결과가 레이저의 방향 변동(비임 드리프트 안정성)에 매우 민감하다는 실용적 단점을 갖는다. 또한, 엄격히 시준된 레이저 비임은 매우 발산성이며, 즉, 광 편향에 기인하여, 비임 다발이 짧은 거리에 걸쳐 흐려지게 된다.
도 6에 도시된 바와 같이, 이 양자의 영향은 다른 렌즈인 시준 렌즈(12)를 삽입함으로써 회피될 수 있고, 이 추가적인 양의 굴절력의(positive) 렌즈(12)는 매우 엄격하게 집속 렌즈(11)의 원형 조명을 조절하도록 기능한다. 시준 렌즈(12)의 초점 길이(f')는 원하는 원 직경(dr)이 f'와 같은, 액시콘으로부터 시준 렌즈(12)까지의 거리(z1a)로부터 초래되는 방식으로 선택된다. 링의 원하는 폭(br)은 거리(z1b)(시준 렌즈(12)로부터 집속 렌즈(11)까지)를 통해 조절될 수 있다. 순수 기하형상의 문제로서, 원형 조명의 작은 폭은 짧은 초점선을 초래한다. 최소치는 거리(f')에서 달성될 수 있다.
도 6에 도시된 광학 조립체(6)는 따라서, 도 5a에 도시된 것에 기초하며, 그래서, 단지 차이점만을 후술한다. 여기서 또한 평면-볼록 렌즈(비임 방향을 향한 그 곡률부를 가짐)로서 설계되는 시준 렌즈(12)가 일 측의 액시콘(10)(그 정점이 비임 방향을 향함)과 다른 측부 상의 평면-볼록 렌즈(11) 사이에서 비임 경로 내에 중앙에서 추가로 배치된다. 액시콘(10)으로부터의 시준 렌즈(12)의 거리는 z1a라 지칭되고, 시준 렌즈(12)로부터 집속 렌즈(11)의 거리는 z1b라 지칭되고, 집속 렌즈(11)로부터 생성된 초점선(2b)의 거리는 z2라 지칭된다(항상 비임 방향으로 봄). 도 6에 도시된 바와 같이, 시준 렌즈(12) 상의 원형 직경(dr) 하에서 발산적으로 입사되는 액시콘(10)에 의해 형성된 원형 방사선(SR)은 집속 렌즈(11)에서 적어도 대략 일정한 원 직경(dr)을 위해 거리(z1b)를 따라 요구되는 원 폭(br)으로 조절된다. 도시된 경우에, 매우 짧은 초점선(2b)은 렌즈(12)에서 대략 4 mm의 원 폭(br)이 렌즈(12)의 집속 물성에 기인하여 렌즈(11)에서 약 0.5 mm으로 감소되도록 생성된다(원 직경(dr)은 본 예에서 22 mm이다).
도시된 예에서, 초점 길이(f'=150 mm)의 시준 렌즈, 초점 길이(f = 25 mm)의 집속 렌즈(11), 및 2 mm의 통상적 레이저 비임 직경을 사용하여 0.5 mm보다 작은 초점선(l)의 길이를 달성할 수 있다. 또한, Z1a = Z1b = 140 mm 및 Z2 = 15 mm가 적용된다.
도 7a 내지 도 7c는 상이한 레이저 강도 체계에서 레이저-물질 상호작용을 예시한다. 도 7a에 도시된 제1 경우에, 비집속 레이저 비임(710)은 그에 어떠한 변경도 도입하지 않고 투명 기판(720)을 통해 진행한다. 이러한 특정 경우에, 레이저 에너지 밀도(또는 비임에 의해 조명되는 단위 영역 당 레이저 에너지)가 비선형적 영향을 유도하기 위해 필요한 임계치 미만이기 때문에, 비선형적 영향은 존재하지 않는다. 에너지 밀도가 더 높으면, 전자기장의 강도가 더 높다. 따라서, 도 7b에 도시된 바와 같이, 레이저 비임이 더 작은 스팟 사이즈로 구면 렌즈(730)에 의해 집속될 때, 도 7b에 도시된 바와 같이, 조명 영역은 감소되고, 에너지 밀도는 증가하여 해당 조건이 충족되는 체적에서만 결손선의 형성을 허용하도록 재료를 변형시키는 비선형적 영향을 촉발한다. 이러한 방식으로, 집속된 레이저의 비임 허리(beam waist)가 기판의 표면에 위치되는 경우, 표면의 변형이 발생한다. 대조적으로, 집속된 레이저 비임의 비임 허리가 기판의 표면 아래에 위치되는 경우, 에너지 밀도가 비선형 광학 영향의 임계치 미만인 경우 표면에 어떠한 일도 발생하지 않는다. 그러나, 기판(720)의 벌크 내에 위치되어 있는 초점(740)에서, 레이저 강도는 다중-광자 비선형 영향을 촉발하기에 충분히 높고 따라서, 재료에 대한 손상을 유도한다. 마지막으로, 도 7c에 도시된 바와 같이, 액시콘의 경우에, 도 7c에 도시된 바와 같이, 액시콘 렌즈(750) 또는 대안적으로 프레넬 액시콘의 회절 패턴은 베젤 형상 강도 분포(높은 강도의 실린더(760))를 생성하는 간섭을 생성하고, 해당 체적에서만 재료(720)에 대한 비선형적 흡수 및 변형을 생성하기에 충분하게 강도가 높다. 베젤 형상 강도 분포가 재료에 대한 비선형적 흡수 및 변형을 생성하기에 충분하게 높은 실린더(760)의 직경은 또한 여기서 지칭되는 바와 같이 레이저 비임 초점선의 스팟 직경이다. 베젤 비임의 스팟 직경(D)은 D= (2.4048 λ)/(2πB)로 표현될 수 있고, 여기서, λ는 레이저 비임 파장이고, B는 액시콘 각도의 함수이다.
본 명세서에 설명된 이런 피코초 레이저의 통상적 동작은 펄스 500A의 "버스트"(500)를 생성한다는 것을 유의하여야 한다. (예로서, 도 8a 및 도 8b 참조). 각 "버스트"("펄스 버스트" 500이라고도 본 명세서에서 지칭됨)는 매우 짧은 기간의 다수의 개별 펄스(500A)(예컨대, 적어도 2 펄스, 적어도 3 펄스, 적어도 4 펄스, 적어도 5 펄스, 적어도 10 펄스, 적어도 15 펄스, 적어도 20 펄스 또는 그 이상)를 포함한다. 즉, 펄스 버스트는 펄스의 "포켓"이고, 버스트는 각 버스트 내의 개별 인접 펄스의 분리보다 긴 기간만큼 서로 분리되어 있다. 펄스(500A)는 100 psec까지의 펄스 기간(Td)을 갖는다(예컨대, 0.1 psec, 5 psec, 10 psec, 15 psec, 18 psec, 20 psec, 22 psec, 25 psec, 30 psec, 50 psec, 75 psec, 또는 그 사이). 버스트 내의 각 개별 펄스(500A)의 에너지 또는 강도는 버스트 내의 다른 펄스의 것과 같지 않을 수 있고, 버스트(500) 내의 다수의 펄스의 강도 분포는 종종 레이저 디자인에 의해 관장되는 시간적인 지수적 감쇠를 추종한다. 바람직하게, 본 명세서에 설명된 예시적 실시예의 버스트(500) 내의 각 펄스(500A)는 후속 펄스로부터 시간적으로 1 nsec 내지 50 nsec의 기간(Tp) 만큼 분리된다(예를 들어, 10-50 nsec 또는 10-30 nsec, 시간은 빈번히 레이저 공동 디자인에 의해 관장됨). 주어진 레이저에 대하여, 버스트(500) 내의 인접한 펄스 사이의 시간 분리(Tp)(펄스간 분리)는 비교적 균일하다(±10% ). 예로서, 일부 실시예에서, 버스트 내의 각 펄스는 후속 펄스로부터 시간적으로 대략 20 nsec(50 MHz)만큼 분리된다. 예로서, 약 20 nsec의 펄스 분리(Tp)를 생성하는 레이저에 대하여, 버스트 내의 펄스간 분리(Tp)는 약 ±10% 또는 약 ±2 nsec 이내에서 유지된다. 펄스의 각 "버스트" 사이의 시간(즉, 버스트 사이의 분리(Tb)는 매우 더 길다(예를 들어, 0.25 ≤ Tb ≤ 1000 마이크로초, 예로서, 1-10 마이크로초 또는 3-8 마이크로초). 본 명세서에 설명된 레이저의 일부 예시적 실시예에서, 시간 분리(Tb)는 약 200 kHz의 펄스 버스트 반복율 또는 주파수를 갖는 레이저에 대하여 5 마이크로초 정도이다. 레이저 버스트 반복율은 버스트 내의 제1 펄스와 후속 버스트 내의 제1 펄스까지의 사이의 시간(Tb)에 관련한다(레이저 버스트 반복율 = 1/Tb). 일부 실시예에서, 레이저 버스트 반복 주파수는 약 1 kHz와 약 4 MHz 사이의 범위에 있을 수 있다. 더 바람직하게, 레이저 버스트 반복율은 예로서 약 10 kHz와 650 kHz 사이의 범위일 수 있다. 각 버스트 내의 제1 펄스와 후속 버스트 내의 제1 펄스까지의 사이의 시간(Tb)은 0.25 마이크로초(4 MHz 버스트 반복율) 내지 1000 마이크로초(1 kHz 버스트 반복율), 예로서 0.5 마이크로초(2 MHz 버스트 반복율) 내지 40 마이크로초 (25 kHz 버스트 반복율) 또는 2 마이크로초(500 kHz 버스트 반복율) 내지 20 마이크로초(50k Hz 버스트 반복율)일 수 있다. 정확한 타이밍, 펄스 기간 및 버스트 반복율은 레이저 디자인에 따라 변할 수 있지만, 높은 강도의 짧은 펄스(Td <20 psec 그리고, 바람직하게는 Td≤15 psec)는 특히 양호한 가공을 나타내었다.
재료를 변형하기 위해 요구되는 에너지는 버스트 에너지-버스트 내에 포함된 에너지(각 버스트(500)는 일련의 펄스(500A)를 포함-에 관련하여 또는 단일 레이저 펄스 내에 포함된 에너지(단일 레이저 펄스 중 다수는 버스트를 포함할 수 있음)에 관련하여 설명될 수 있다. 이들 용례에 대하여, 버스트 당 에너지는 25-750 μJ, 더 바람직하게는 50-500 μJ, 또는 50-250 μJ일 수 있다. 일부 실시예에서, 버스트 당 에너지는 100-250 μJ이다. 펄스 버스트 내의 개별 펄스의 에너지는 적을 수 있고, 정확한 개별 레이저 펄스 에너지는 도 8a 및 도 8b에 도시된 바와 같은 시간에 따른 레이저 펄스의 감쇠율(예를 들어, 지수적 감쇠율) 및 펄스 버스트(500) 내의 펄스(500A)의 수에 의존한다. 예로서, 일정한 에너지/버스트에 대하여, 펄스 버스트가 10개 개별 레이저 펄스(500A)를 포함하는 경우, 이때, 각 개별 레이저 펄스(500A)는 동일한 펄스 버스트(500)가 단지 2개의 개별 레이저 펄스를 갖는 경우보다 적은 에너지를 포함한다.
이런 펄스 버스트를 생성할 수 있는 레이저의 사용은 투명 재료, 예컨대, 유리를 절단 또는 변형하기 위해 유리하다. 단일 펄스형 레이저의 반복율에 의해 시간적으로 이격된 단일 펄스의 사용과는 대조적으로, 버스트(500) 내의 급속한 펄스의 순서열에 걸쳐 레이저 에너지를 분산시키는 펄스 버스트 순서열의 사용은 단일 펄스 레이저에 의해 가능한 것 보다 재료와의 높은 강도의 상호작용의 더 큰 시간스케일을 억세스할 수 있게 한다. 단일 펄스가 시간적으로 확장될 수 있지만, 이렇게 되는 경우, 펄스 내의 강도는 대략 1/펄스 폭으로 강하하여야만 한다. 이 때문에, 10 psec 단일 펄스가 10 nsec 펄스로 확장되는 경우, 강도는 대략 1000배만큼 강하한다. 이런 감소는 비선형 흡수가 더 이상 유의미하지 않은 지점까지 광학 강도를 감소시킬 수 있고, 광 재료 상호작용은 더 이상 절단을 가능하게 하기에 충분하게 강하지 않다. 대조적으로, 펄스 버스트 레이저에서, 버스트(500) 내의 각 펄스(500A) 동안의 강도는 매우 높게 유지될 수 있고, - 예로서, 대략 10 nsec만큼 시간적으로 이격된 3개 10 psec 펄스(500A)는 여전히 각 펄스 내의 강도가 단일 10 psec 펄스의 것보다 대략 3배 높게 할 수 있고, 동시에, 레이저는 이제 1000배 더 큰 시간 스케일에 걸쳐 재료와 상호작용하는 것이 허용된다. 따라서 버스트 내의 다수의 펄스(500A)의 이러한 조절은 기존 플라즈마 플룸(pre-existing plasma plume)과의 더 크거나 더 작은 광 상호작용, 초기 또는 이전 레이저 펄스에 의해 예비 여기된 분자 및 원자와의 더 크거나 더 작은 광-재료 상호작용 및 마이크로크랙의 제어된 성장을 촉진할 수 있는 재료 내의 더 크거나 더 작은 가열 효과를 이행할 수 있는 방식으로 레이저-재료 상호작용의 시간스케일의 조작을 가능하게 한다. 재료를 변형하기 위해 요구되는 버스트 에너지의 양은 기판과 상호작용하기 위해 사용되는 선 초점의 길이 및 기판 재료 조성에 의존한다. 상호작용 영역이 더 길수록, 에너지가 더 많이 분산되고, 더 높은 버스트 에너지가 요구된다. 정확한 타이밍, 펄스 기간 및 버스트 반복율은 레이저 디자인에 따라 변할 수 있지만, 높은 강도의 짧은 펄스(<15 psec 또는 ≤10 psec)가 본 기술 분야에서 특히 양호한 가공을 나타낸다. 결함선 또는 구멍은 펄스의 단일 버스트가 유리 상의 본질적으로 동일한 위치를 타격할 때 재료에 형성된다. 즉, 단일 버스트 내의 다수의 레이저 펄스는 유리의 단일 결함선 또는 구멍 위치에 대응한다. 물론, 유리가 병진되기 때문에(예로서, 일정하게 이동하는 스테이지에 의해)(또는 비임이 유리에 대해 이동하기 때문에), 버스트 내의 개별 펄스는 유리 상의 정확하게 동일한 공간적 위치에 있지 않을 수 있다. 그러나, 이들은 서로 1 μm 내에서 양호하며-즉, 이들은 본질적으로 동일한 위치에서 유리를 타격한다. 예로서, 이들은 서로간의 간격(sp)에서 유리를 타격할 수 있고, 여기서, 0<sp≤ 500 nm이다. 예로서, 유리 위치가 20 펄스의 버스트로 타격될 때, 버스트 내의 개별 펄스는 서로 250 nm 이내의 유리를 타격한다. 따라서, 일부 실시예에서, 1 nm<sp<250 nm이다. 일부 실시예에서, 1 nm<sp<100 nm이다.
다중 광자 효과 또는 다중 광자 흡수(MPA)는 하나의 상태(일반적으로 기저 상태)로부터 더 높은 에너지 전자 상태(이온화)로 분자를 여기시키기 위한 동일하거나 상이한 주파수의 둘 이상의 광자의 동시적 흡수이다. 수반되는 부자의 하위 상태와 상위 상태 사이의 에너지 차이는 두 개의 광자의 에너지의 합과 같을 수 있다. 유도 흡수라고도 지칭되는 MPA는 예로서 선형 흡수보다 10의 수 승배 더 약한 2차, 3차 또는 더 고차의 프로세스일 수 있다. MPA는 유도 흡수의 강도가 예로서 광 강도 자차에 비례하는 대신 광 강도의 자승 또는 삼승(또는 더 고차의 멱법칙)에 비례할 수 있다는 점에서 선형 흡수와 다르다. 따라서, MPA는 비선형적 광학 프로세스이다.
결함선(손상 트랙) 사이의 측방 간격(피치)은 기판이 집속된 레이저 비임 아래에서 병진될 때 레이저의 펄스 율에 의해 결정된다. 전체 구멍을 형성하기 위해 일반적으로 단지 단일 피코초 레이저 펄스 버스트만이 필요하지만, 필요하다면 다수의 버스트가 사용될 수 있다. 서로 다른 피치로 손상 트랙(결함선)을 형성하기 위해, 레이저는 더 길거나 더 짧은 간격으로 발사되도록 촉발될 수 있다. 절단 작업 동안, 레이저 촉발은 일반적으로 비임 아래의 작업편의 스테이지 구동 운동과 동기화되며, 그래서, 레이저 펄스 버스트는 예로서, 매 1 미크론 또는 매 5 미크론 같은 고정된 간격으로 촉발된다. 결손선의 방향을 따른 인접한 천공 또는 결함선 사이의 거리 또는 주기성은 예로서, 일부 실시예에서 0.1 미크론보다 클 수 있고, 약 20 미크론이하일 수 있다. 예로서, 인접한 천공 또는 결함선 사이의 간격 또는 주기성은 0.5와 15 미크론 사이, 또는 3과 10 미크론 사이 또는 0.5 미크론과 3.0 미크론 사이이다. 예로서, 일부 실시예에서, 주기성은 2 미크론과 8 미크론 사이일 수 있다.
선 초점의 대략 원통형 체적 내에서 특정 체적 펄스 에너지 밀도(μJ/μm3)를 갖는 펄스 버스트 레이저를 사용하는 것이 유리 내에 천공 윤곽을 생성하기에 바람직하다는 것을 발견하였다. 이는 예로서, 바람직하게는 버스트 당 적어도 2 펄스를 갖는 펄스 버스트 레이저를 사용하고, 알칼라인 토류 보로-알루미노실리케이트 유리(알칼리를 작게 갖거나 갖지 않음) 내에 손상 트랙이 형성하는 것을 보증하기 위한 약 0.005 μJ/μm3 이상 그러나 유리가 너무 많이 손상되지 않도록 0.100 μJ/μm3 미만의 체적 에너지 밀도, 예로서, 0.005 μJ/μm3-0.100 μJ/μm3의 체적 에너지 밀도를 제공함으로써 달성될 수 있다.
내부 윤곽 프로세스
도 1은 해결 대상 문제점을 예시한다. 부분(22)은 유리 시트(20)에서 절단된다. 부분의 외부 윤곽을 방출하기 위해, 추가적 방출선이 더 큰 유리 시트 내에 절단될 수 있고, 이는 임의의 크랙을 시트의 에지까지 연장하여 유리가 제거될 수 있는 섹션으로 파괴될 수 있게 한다. 그러나, 전화기의 홈 버튼을 위해 요구되는 것들 같은 내부 윤곽에 대하여, 추가적 방출선의 생성은 관련 부분을 통해 절단한다. 따라서, 내부 구멍 또는 슬롯은 "제 위치에 로킹"되고, 그래서 제거가 어렵다. 유리가 높은 응력 상태에 있고, 크랙이 구멍 또는 슬롯의 외부 직경에서 천공부간에 전파하는 경우에도, 재료가 너무 강성적이고 압축력에 의해 보유되어 있기 때문에 내부 유리는 방출되지 않는다.
더 큰 구멍을 방출하는 한 가지 방법은 구멍의 윤곽을 먼저 천공하고, 그후, 예컨대, CO2 레이저에 의해 레이저 가열 프로세스를 후속하는 것이며, 이는 연화되어 그후 떨어져 나오기에 충분히 유연해질 때까지 내부 유리 부재를 가열하게 된다. 이는 구멍 직경이 더 클수록 그리고 재료가 더 얇을수록 양호하게 작용한다. 그러나, 유리 플러그의 형상비(두께/직경)가 매우 크면, 이런 방법은 더 어려워진다. 예로서, 이런 방법에서, 10 mm 직경 구멍이 0.7 mm 두께 유리로부터 방출될 수 있지만, 동일한 유리 두께에서 4 mm 미만의 구멍은 항상 방출이 가능하지는 않다.
도 8c는 이 문제점을 해결하고 0.7 mm 두께 코드 2320 유리(이온교환 또는 비이온교환)로부터 1.5 mm까지 작은 구멍을 분리하기 위해, 그리고, 1.5 mm만큼 작은 반경 및 폭을 갖는 슬롯을 또한 생성하기 위해 성공적으로 사용되는 프로세스를 예시한다. 단계 1- 절단될 윤곽(예를 들어, 구멍, 슬롯)의 원하는 형상을 형성하는 피코초 펄스 버스트 프로세스를 사용하여 유리 시트(20)에 제1 윤곽(24)의 천공이 형성된다. 예로서, Corning의 코드 2320 0.7 mm 두께 비이온교환 유리에 대하여, 210 μJ 버스트가 사용되어 재료를 천공하기 위한 피칭을 위해 그리고 4μm 피치로 손상 트랙 또는 결함선을 생성하기 위해 사용된다. 정확한 재료에 따라서, 다른 손상 트랙 간격, 예컨대 1-15 미크론 또는 3-10 미크론 또는 3-7 미크론이 또한 사용될 수 있다. 상술한 것들 같은 이온교환가능한 유리에 대하여, 3-7 미크론 피치 작업이 양호하지만, 디스플레이 유리 Eagle XG 같은 다른 유리에 대하여, 더 작은 피치, 예컨대, 1-3 미크론이 바람직할 수 있다. 본 명세서에 설명된 실시예에서, 통상적 펄스 버스트 레이저 파워는 10 W-150 W이고, 25-60 W의 레이저 파워가 다수의 유리에 대해 충분(그리고, 최적)하다.
단계 2 - 동일한 레이저 프로세스를 사용하여, 그러나, 제1 윤곽의 대략 수백 미크론 내측에서, 제1 윤곽 내측에 제2 윤곽을 형성하도록 제2 천공선(26)이 형성된다. 이 단계는 선택적이지만 바람직한 경우가 많고, 그 이유는 여분의 천공부가 열적 배리어로서 작용하고 다음 프로세스 단계가 사용될 때 구멍 내측의 재료의 제거 및 단편화를 촉진하도록 설계되기 때문이다.
단계 3 - 고도로 집속된 CO2 레이저(28)가 사용되어 상술한 제2 천공 윤곽에 의해 형성된 근사 경로 또는 제2 윤곽의 미소한 내측(100μm)을 추종하는 것에 의해 구멍 내측의 재료를 절제한다. 이는 구멍 또는 슬롯 내측의 유리 재료를 물리적으로 용융, 절제 및 배출한다. Corning Incorporated로부터 입수할 수 있는 코드 2320 0.7mm 두께 비이온교환 유리에 대하여, 약 100 μm 직경의 집속 스팟 사이즈에서 약 14W의 CO2 레이저 파워가 사용되고, 이 CO2 레이저는 약 0.35 m/min의 속도로 경로 둘레로 병진됨으로써 재료의 완전한 제거를 위해 1-2회 통과를 실행하고, 통과의 수는 구멍 또는 슬롯의 정확한 기하형상에 의존한다. 일반적으로, 이 프로세스 단계를 위해, CO2 비임은 유리 재료가 높은 강도에 의해 용융 및/또는 절제되기에 충분히 높은 강도를 달성하는 경우 "집속"된 것으로서 규정된다. 예로서, 집속 스팟의 파워 밀도는 상술한 조건에서 달성되는 약 1750 W/mm2이거나, 표면을 가로지른 레이저 비임의 원하는 횡단 속도에 따라서 500 W/mm2 내지 5000 W/mm2일 수 있다.
또한, 도 9에 도시된 바와 같이, 가압 공기 또는 질소 같은 고속 보조 가스가 CO2 레이저 헤드(32) 둘레에서 노즐을 통해 송풍된다. 이는 유리 상의 집속된 CO2 레이저 스팟에서 지향된 가스 스트립을 송풍하고, 더 큰 기판으로부터 느슨해진 유리 재료를 강제 배출하는 것을 돕는다. 동일한 내부 반경 또는 미소하게 다른 내부 반경에서의 CO2 레이저의 다수회 통과는 강제 제거에 대한 재료의 저항에 따라 사용될 수 있다. 상술한 고압의 경우, 압축 공기는 80 psi의 압력을 사용하여 약 1 mm노즐을 통해 강제이송된다. 노즐은 절제 동안 유리 기판 위쪽 약 1mm에 위치되고, CO2 비임은 노즐의 개구를 통한 비네팅(vignetting) 없이 통과되도록 집속된다.
도 9는 CO2 절제 및 공기 노즐이 느슨해진 재료를 생성하고 이를 구멍 또는 슬롯의 내부로부터 밀어내는 방식을 예시하기 위한, 상술한 이 프로세스의 측면도를 도시한다.
샘플 결과:
도 10은 통상적 휴대 전화를 위한 커버 유리에 대한 프로세스의 결과를 도시한다. 긴 구멍(홈 버튼)의 기하형상은 약 5.2mm x 16 mm이고, 약 1.5mm 반경의 코너를 가지며, 슬롯에 대하여, 이는 15 mm 길이, 1.6 mm 폭이며, 단부들에서 약 0.75mm 반경을 갖는다. 양호한 에지 품질(약 0.5 미크론의 Ra, 100X 배율 현미경에서 어떠한 칩형성도 관찰되지 않음) 및 일정한 재료 제거와 분리가 이 프로세스를 사용하여 100개를 초과한 부분에 대하여 관찰되었다.
도 11은 내부 에지의 사시도를 도시한다. 에지는 도 12에서 비교를 위해 도시되어 있는 동일한 손상 트랙 또는 필라멘트화(filamentation) 프로세스에 의해 제조된 외부 윤곽에서 달성되는 것과 동일한 텍스쳐 손상 트랙 또는 필라멘트 구조를 보여준다. 상술된 CO2 절제 프로세스는 고품질, 저 조면도 및 상술한 피코초 천공 프로세스에서 일반적으로 생성되는 낮은 표면하 에지에 대한 손상 없이 느슨해진 내부 재료를 제거하였다.
도 13은 설명된 프로세스에 의해 형성된 슬롯의 절단 에지의 상면도를 보여준다. 윤곽의 에지에 대한 어떠한 칩형성이나 균열도 관찰되지 않는다. 이 윤곽은 약 2 mm의 반경을 갖는다.
도 14a 내지 도 14c에 예시된 바와 같이, 투명 재료, 더 구체적으로, TFT 유리 조성물을 절단 및 분리하기 위한 방법은 본질적으로 초단파 펄스형 레이저(140)로 처리 대상 재료 또는 작업편(130)에 복수의 수직 결함선(120)으로 형성된 결손선(110)을 생성하는 것에 기초한다. 결함선(120)은 예로서 유리 시트 두께를 통해 연장하며, 유리 시트의 주(평탄한) 표면에 직교한다. "결손선"은 또한 본 명세서에서 "윤곽"이라고도 지칭된다. 결함선 또는 윤곽이 도 14a에 예시된 결손선(110)과 유사하게 선형적이지만, 결손선 또는 윤곽은 곡률을 가지고 비선형적일 수도 있다. 굴곡된 결손선 또는 윤곽은 예로서, 1차원 대신 2차원적으로 작업편(130) 또는 레이저 비임(140) 중 어느 하나를 나머지에 관하여 병진시킴으로써 생성될 수 있다. 재료 물성(흡수, CTE, 응력, 조성 등)과 재료(130)를 가공하기 위해 선택된 레이저 파라미터에 따라서, 결손선(110)만의 생성으로 자체 분리를 유도하기에 충분할 수 있다. 이 경우, 장력/굴곡력 또는 예로서 CO2 레이저에 의해 생성되는 열적 응력 같은 어떠한 부차적 분리 프로세스도 필요하지 않다. 도 14a에 예시된 바와 같이, 복수의 결함선이 윤곽을 형성할 수 있다. 결함선을 갖는 분리된 에지 또는 표면이 윤곽에 의해 형성된다. 결함선을 생성하는 유도 흡수는 3 미크론 미만의 평균 직경을 갖는 분리된 에지 또는 표면 상의 입자를 생성할 수 있어서, 매우 깔끔한 절단 프로세스를 초래한다.
일부 경우에, 생성된 결손선은 재료를 자발적으로 분리시키기에 불충분하고, 부차적 단계가 필요할 수 있다. 결함선을 따른 부분의 분리를 위해 열적 응력을 생성하도록 천공된 유리 부분이 챔버, 예컨대, 오븐 내에 배치되어 유리 부분의 벌크 가열 또는 냉각을 생성할 수 있지만, 이런 프로세스는 느릴 수 있고, 다수의 작품 또는 큰 부재나 천공된 유리를 수용하기 위한 대형 오븐 또는 챔버를 필요로 할 수 있다. 바람직하다면, 제2 레이저가 사용되어 예로서 이를 분리하기 위한 열적 응력을 생성할 수 있다. TFT 유리 조성물의 경우에, 열적 응력 및 재료의 강제 분리를 생성하기 위해, 열원(예를 들어, 적외선 레이저, 예로서, CO2 레이저)을 사용함으로써 또는 기계적 응력의 인가에 의해 결손선의 생성 이후 분리가 달성될 수 있다. 다른 선택권은 분리 시작시에만 CO2 레이저를 사용하여 분리를 개시하고 그후 수동으로 분리를 마무리하는 것이다. 선택적 CO2 레이저 분리는 예로서 10.6 미크론으로 출사하는 탈초점 연속 파(cw) 레이저 및 그 듀티 사이클을 제어함으로써 조절되는 파워에 의해 달성된다. 초점 변화(즉, 집속된 스팟을 포함하여 그까지의 탈초점 정도)는 스팟 사이즈를 변화시킴으로써 유도 열적 응력을 변화시키기 위해 사용된다. 탈초점 레이저 비임은 레이저 파장의 크기 정도에서 최소, 회절 제한된 스팟 사이즈보다 큰 스팟 사이즈를 생성하는 레이저 비임을 포함한다. 예로서, 1 내지 20 mm, 예컨대, 1 내지 12 mm, 3 내지 8 mm 또는 약 7 mm, 2 mm 및 20 mm의 CO2 레이저 스팟 사이즈가 CO2 레이저, 예로서, CO2 10.6 μm 파장 레이저를 위해 사용될 수 있다. 예로서, 9 내지 11 미크론에서 출사하는 파장을 갖는 레이저 같은 그 출사 파장이 또한 유리에 의해 흡수되는 다른 레이저도 사용될 수 있다. 이런 경우에, 100과 400 W 사이의 파워 레벨을 갖는 CO2 레이저가 사용되고, 비임은 결함선을 따라 또는 결함선에 인접하게 50-500 mm/sec의 속도로 스캐닝될 수 있고, 이는 분리를 유도하기에 충분한 열적 응력을 생성한다. 특정 범위 내에서 선택된 정확한 파워 레벨, 스팟 사이즈 및 스캐닝 속도는 재료 사용, 그 두께, 열 팽창 계수(CTE), 탄성 모듈러스에 의존할 수 있으며, 그 이유는 이들 인자 모두가 주어진 공간적 위치에서 특정 에너지 투입율에 의해 부여되는 열적 응력의 양에 영향을 주기 때문이다. 스팟 사이즈가 너무 작은 경우(즉, <1 mm) 또는 CO2 레이저 파워가 너무 높은 경우(>400W) 또는 스캐닝 속도가 너무 낮은 경우(10 mm/sec 미만), 유리는 과열되고, 유리에서 절제, 용융 또는 열적으로 생성되는 크랙을 유발할 수 있으며, 이는 이들이 분리된 부분의 에지 강도를 감소시키기 때문에 바람직하지 못하다. 바람직하게, CO2 레이저 비임 스캐닝 속도는 효율적이고 신뢰성있는 부분 분리를 유도하기 위해 50 mm/sec 보다 크다. 그러나, CO2 레이저에 의해 생성되는 스팟 사이즈가 너무 큰 경우(>20 mm) 또는 레이저 파워가 너무 낮은 경우(< 10W 또는 일부 경우에는 <30W) 또는 스캐닝 속도가 너무 높은 경우(>500 mm/sec), 비효율적 가열이 발생하고, 이는 신뢰성있는 부분 분리를 유도하기에는 너무 낮은 열적 응력을 초래한다.
예로서, 일부 실시예에서, 유리 표면에서의 스팟 직경은 약 6 mm이고, 스캐닝 속도는 250 mm/sec인 상태에서 200 W의 CO2 레이저 파워가 사용되어 상술한 psec 레이저에 의해 천공된 0.7 mm 두께 Corning Eagle XG® 유리를 위한 부분 분리를 유도한다. 예로서, 더 두꺼운 Corning Eagle XG® 유리 기판은 더 얇은 Eagle XG® 기판보다 분리를 위해 단위 시간 당 더 많은 CO2 레이저 열적 에너지를 필요로 할 수 있거나, 더 낮은 CTE를 갖는 유리는 더 낮은 CTE를 갖는 유리보다 분리를 위해 더 많은 CO2 열적 에너지를 필요로 할 수 있다. 천공선을 따른 분리는 CO2 스팟이 주어진 위치를 통과한 이후 매우 신속하게(1초 미만), 예로서, 100 밀리초이내, 50 밀리초 이내 또는 25 밀리초이내에 발생할 수 있다.
결손선(110)의 방향을 따른 인접한 결함선(120) 사이의 거리 또는 주기성은 예로서, 일부 실시예에서 0.1 미크론보다 클 수 있고, 약 20 미크론이하일 수 있다. 예로서, 일부 실시예에서, 인접한 결함선(120) 사이의 주기성은 0.5와 15 미크론 사이 또는 3과 10 미크론 사이, 또는 0.5 미크론과 3.0 미크론 사이일 수 있다. 예로서, 일부 실시예에서, 인접한 결함선(120) 사이의 주기성은 0.5 미크론과 1.0 미크론 사이일 수 있다.
결함선을 생성하기 위한 다수의 방법이 존재한다. 선 초점을 형성하는 광학적 방법은 도넛 형상 레이저 비임과 구면 렌즈, 액시콘 렌즈, 회절 요소 또는 고 강도의 선형 영역을 형성하기 위한 다른 방법을 사용하여 다양한 형태를 취할 수 있다. 비선형 광학 효과를 통해 기판 재료 또는 유리 작업편의 파괴를 생성하기 위해 초점의 영역에서 기판 재료의 파괴를 생성하는데 충분한 광학적 강도가 달성된다면, 레이저의 유형(피코초, 팸토초 등) 및 파장(IR, 그린, UV 등)도 변화될 수 있다. 바람직하게는, 레이저는 펄스 버스트 레이저이며, 이는 주어진 버스트 내에서 펄스의 수를 조절함으로써 시간에 의한 에너지 투입의 제어를 가능하게 한다.
일 실시예에서, 초단파 펄스형 레이저가 사용되어 일정하고, 제어가능하면서 반복적인 방식으로 높은 형상비의 수직 결함선을 생성한다. 이러한 수직 결함선의 생성을 가능하게 하는 광학적 설정의 세부사항은 2013년 1월 15일자로 출원된 미국 출원 제61/752,489호에 설명되어 있고, 해당 출원의 전문은 본 명세서에 전체가 기재된 것 처럼 참조로 통합되어 있다. 이 개념의 핵심은 투명 부분 내에 고강도 레이저 비임의 선 초점을 생성하기 위해 광학장치를 사용하는 것이다. 이러한 개념의 일 형태는 초단파(피코초 또는 팸토초 기간) 베셀 비임을 사용한 높은 형상비의 비-테이퍼 마이크로채널의 영역을 생성하기 위해 광학 렌즈 조립체에 액시콘 렌즈 요소를 사용하는 것이다. 달리 말하면, 액시콘은 레이저 비임을 원통형 형상이면서 높은 형상비인(긴 길이 및 작은 직경) 영역으로 응집한다. 응집된 레이저 비임에 의해 생성된 높은 강도에 기인하여, 레이저의 전자기장 필드와 기판 재료의 비선형 상호작용이 발생하고, 레이저 에너지가 기판으로 전달되어 결손선의 구성요소가 되는 결함의 형성을 이행한다. 그러나, 레이저 에너지 강도가 높지 않은 영역에서(예를 들어, 중앙 수렴선 주변의 기판의 유리 체적), 재료가 레이저에 대해 투명하고, 레이저로부터 재료로 에너지를 전달하기 위한 어떠한 메커니즘도 존재하지 않는 것을 실현하는 것이 중요하다. 결과적으로, 레이저 강도가 비선형 임계치 미만일 때 유리 또는 작업편에는 어떠한 일도 발생하지 않는다.
상술한 방법은 이하의 장점을 제공하며, 이들 장점은 개선된 레이저 가공 기능 및 비용 절약과 이에 따른 더 낮은 비용의 제조를 초래한다. 절단 프로세스는 다음을 제공한다:
1)절단되는 내부 윤곽의 완전한 분리: 상술한 방법은 유리 부분이 화학적 강화를 받기 이전에 융합 견인 프로세스 또는 다른 유리 형성 프로세스에 의해 생성된 바와 같은 이온교환가능한 유리(예컨대, Gorilla® 유리, Corning 유리 코드 2318, 2319, 2320 등)에 깔끔하고 제어된 형태로 구멍 및 슬롯을 완전히 분리/절단할 수 있다.
2)매우 작은 치수를 갖는 구멍/슬롯의 분리: 유리 플러그가 유리 시트로부터 떨어져 나올게 할 수 있는 가열 및 유리 연화의 유도를 위하여 다른 프로세스가 사용될 수 있다. 그러나, 유리 플러그의 형상비(두께/직경)가 매우 커지면, 이런 방법은 실패하게 된다. 예로서, 내부 유리 플러그의 가열(절제 아님)은 0.7 mm 두께 유리로부터 10 mm 직경 구멍을 떨어져 나오게 할 수 있지만, 구멍 직경이 4 mm로 감소되면, 이런 프로세스는 작동하지 않는다. 그러나, 본 명세서에 개시된 프로세스는 0.7 mm 두께 유리에서 1.5 mm(원 직경 또는 슬롯의 폭)만큼 작은 치수를 갖는 유리 플러그를 제거하기 위해 사용되었다.
3)감소된 표면하 결함 및 양호한 에지 품질: 레이저와 재료 사이의 초단파 펄스 상호작용에 기인하여, 열적 상호작용이 거의 존재하지 않고, 따라서, 바람직하지 못한 응력과 미소 크랙형성을 유발하는 열 영향 구역이 최소한으로 존재하게 된다. 또한, 레이저 비임을 유리로 응집하는 광학장치는 부분의 표면 상에서 통상적으로 2 내지 5 미크론 직경인 결함선을 생성한다. 분리 이후, 기판하 손상은 75 μm 미만이고, 25μm 미만이 되도록 조절될 수 있다. 분리된 표면(또는 절단된 에지)의 조면도는 특히 초점선의 스팟 직경 또는 스팟 사이즈로부터 초래된다. 예로서, 0.1 내지 1 미크론 또는 예로서, 0.25 내지 1 미크론일 수 있는 분리된(절단된) 표면의 조면도는 예로서, Ra 표면 조면도 통계치에 의해 특징지어진다(초점선의 스팟 직경으로부터 초래되는 범프의 높이를 포함하는 샘플링된 표면의 높이의 절대값의 조면도 대수 평균). 이 프로세스에 의해 생성되는 표면 조면도는 0.5μm(Ra) 미만이고, 0.1μm(Ra)만큼 낮을 수 있다. 이는 부분의 에지 강도에 대한 큰 영향을 가지며, 그 이유는 강도가 결함의 수, 크기와 깊이에 관한 그 통계학적 분포에 의해 관장되기 때문이다. 이들 수가 더 높을수록 부분의 에지는 더 약해지게 된다. 또한, 연삭 및 연마 같은 임의의 기계적 마감 프로세스가 추후 에지 형상을 변형하기 위해 사용되는 경우, 더 적은 표면하 손상을 갖는 부분에 대하여서는 요구되는 재료 제거의 양이 더 낮아진다. 이는 마감 단계를 감소 또는 제거하고, 부분 비용을 저하시킨다. 본 명세서에 설명된 구멍 및 슬롯 방출 프로세스는 이 선 초점 피코초 레이저 천공 프로세스에 의해 생성되는 고품질 에지의 완전한 장점을 취하며- 이는 그 천공선을 따라 유리를 깔끔하게 방출하고, 원하는 부분 에지에 절제 손상, 미소 크랙형성 또는 다른 결함을 유도하지 않는 방식으로 내부 유리 재료의 제거가 이루어지는 것을 보증한다.
속도: 내부 윤곽 둘레의 재료를 순수히 절제하기 위해 집속된 레이저를 사용하는 프로세스와는 달리, 본 레이저 프로세스는 천공선에 대해 단일 패스 프로세스이다. 천공된 구멍 윤곽은 수반되는 단계의 가속 기능에만 의존하여 80-1000mm/sec의 속도에서 본 명세서에 설명된 피코초 레이저 프로세스에 의해 생성될 수 있다. 이는 재료가 "층층이" 제거되고 레이저 비임의 위치당 긴 체류 시간이나 많은 수의 통과를 필요로 하는 절제성 구멍 및 슬롯 천공 방법과는 대조적이다.
프로세스 청결성: 상술한 방법은 깔끔하고 제어된 형태로 유리 또는 다른 투명한 취성 재료를 분리/절단할 수 있다. 종래의 절제성 또는 열적 레이저 프로세스를 사용하는 것이 큰 문제가 되며, 그 이유는 이들이 열 영향 구역을 촉발하고, 이 열 영향 구역이 유리의 미소 크랙 및 다수의 더 작은 부재로의 단편화를 유도하기 때문이다. 레이저 펄스의 특성 및 개시된 방법의 재료와의 유도된 상호작용은 이들 문제 모두를 회피하며, 그 이유는 이들이 매우 짧은 시간 스케일을 갖고, 레이저 방사선에 대한 재료의 투명성이 유도된 열 영향을 최소화하기 때문이다. 결함선이 대상물 내에 생성되기 때문에, 절단 단계 동안 파편 및 부착된 입자의 존재가 사실상 제거된다. 생성되는 결함선으로부터 초래되는 임의의 미립자가 존재하는 경우, 이들은 부분이 분리될 때까지 잘 수용되어 있게 된다.
서로 다른 크기의 복합 프로파일 및 형상의 절단
상술한 방법은 다른 경쟁적 기술에서는 제한이 되는 다수의 형태 및 형상을 추종하는 유리 또는 다른 기판의 절단/분리를 가능하게 한다. 급격한 반경(<2mm)이 절단될 수 있어서 (휴대 전화 용례에서 스피커/마이크로폰을 위해 요구되는 것 같은) 작은 구멍 및 슬롯의 생성을 가능하게 한다. 또한, 결함선이 임의의 크랙 전파의 위치를 엄격히 제어하기 때문에, 이들 방법은 절단의 공간적 위치에 대한 양호한 제어를 제공하며, 수백 미크론만큼 작은 구조체 및 특징부의 절단 및 분리를 가능하게 한다.
프로세스 단계의 제거
유입 유리 패널로부터 최종 사이즈 및 형상으로 유리 판을 제조하기 위한 프로세스는 패널의 절단, 사이즈로의 절단, 마감가공 및 에지 성형, 그 목표 두께로의 부분의 박화, 연마 및 심지어 일부 경우에는 화학적 강화를 포함하는 다수의 단계를 포함한다. 이들 단계 중 임의의 것의 제거는 프로세스 시간 및 자본 지출에 관하여 제조 비용을 개선시킨다. 상술한 방법은 예로서 다음에 의해 다수의 단계를 감소시킬 수 있다:
감소된 파편 및 에지 결함 생성 - 세척 및 건조 스테이션의 잠재적 제거.
그 최종 사이즈, 형상 및 두께로의 직접적인 샘플 절단 - 마감가공 라인에 대한 필요성 제거.
따라서, 일부 실시예에 따르면, 유리 물품은 적어도 250 μm에서 유리 시트의 주 면에 직각으로 연장하는 복수의 결함선을 갖는 적어도 하나의 내부 윤곽 에지를 구비하고, 결함선 각각은 약 5μm 이하의 직경을 갖는다. 예로서, 유리 물품은 적어도 250 μm에서 유리 시트의 주(즉, 측부에 비해 큰) 평탄한 면에 직각으로 연장하는 복수의 결함선을 갖는 적어도 하나의 내부 윤곽 에지를 구비하고, 결함선 각각은 약 5μm 이하의 직경을 갖는다. 일부 실시예에서, 내부 윤곽 에지에 의해 규정되는 내부 윤곽의 최소 치수 또는 폭은 5 mm 미만이고, 예로서, 이는 폭(또는 직경)이 0.1 mm 내지 3 mm, 예를 들어, 0.5 mm 내지 2 mm일 수 있다. 일부 실시예에 따라서, 유리 물품은 이온교환후 유리(post-ion exchange glass)를 포함한다. 일부 실시예에 따라서, 결함선은 적어도 하나의 내부 윤곽 에지의 전체 두께로 연장한다. 적어도 일부 실시예에 따라서, 적어도 하나의 내부 윤곽 에지는 약 0.5 μm 미만인 Ra 표면 조면도를 갖는다. 적어도 일부 실시예에 따라서, 적어도 하나의 내부 윤곽 에지는 약 75 μm 이하의 깊이까지 표면하 손상을 갖는다. 유리 물품의 적어도 일부 실시예에서, 결함선은 에지의 전체 두께로 연장한다. 결함선 사이의 거리는 예로서, 약 7 μm 이하이다.
본 명세서에 인용된 모든 특허, 공개 출원 및 참조 문헌의 관련 교지는 그 전체가 참조로 통합되어 있다.
예시적 실시예를 본 명세서에 설명하였지만, 본 기술 분야의 숙련자는 첨부된 청구범위에 포함되는 본 발명의 범주로부터 벗어나지 않고 그 안에서 형상 및 세부 사항에 대한 다양한 변경이 이루어질 수 있다는 것을 알 수 있을 것이다.

Claims (25)

  1. 재료를 레이저 천공하는 방법이며,
    비임 전파 방향을 따라 볼 때, 펄스형 레이저 비임을 레이지 비임 초점선으로 집속하는 단계,
    제1 위치에서 재료 내로 레이저 비임 초점선을 지향시키는 단계로서, 레이저 비임 초점선은 재료 내에 유도 흡수를 발생시키고, 유도 흡수는 재료 내에 레이저 비임 초점선을 따라 손상 트랙을 생성하는, 단계,
    제1 위치로부터 시작하여 제1 폐쇄형 윤곽을 따라서 서로에 대해 재료와 펄스형 레이저 비임을 병진시킴으로서 재료 내에 제1 폐쇄형 윤곽을 따라 복수의 구멍을 레이저 천공하는 단계, 및
    제1 폐쇄형 윤곽 내에 수용된 제2 폐쇄형 윤곽 둘레의 재료로 집속된 이산화탄소(CO2) 레이저를 지향시켜 제1 폐쇄형 윤곽을 따른 재료의 내부 플러그의 제거를 이행하는 단계를 포함하는 방법.
  2. 제1항의 방법에 의해 준비된 유리 물품.
  3. 적어도 250 μm에서 유리 시트의 주 면에 직각으로 연장하는 복수의 결함선을 갖는 적어도 하나의 내부 윤곽 에지를 구비하고, 결함선 각각은 약 5μm 이하의 직경을 갖는 유리 물품.
  4. 제1항의 방법 또는 제2항의 물품에 있어서,
    제2 위치에서 재료 내로 레이저 비임 초점선을 지향시키는 단계로서, 레이저 비임 초점선은 재료 내에 유도 흡수를 발생시키고, 유도 흡수는 재료 내에 레이저 비임 초점선을 따라 손상 트랙을 생성하는, 단계,
    제2 위치로부터 시작하여 제3 폐쇄형 윤곽을 따라서 서로에 대해 재료와 펄스형 레이저 비임을 병진시킴으로서 재료 내에 제3 폐쇄형 윤곽을 따라 복수의 손상 트랙을 레이저 천공하는 단계로서, 제3 폐쇄형 윤곽은 제1 폐쇄형 윤곽 내에 수용되는 단계를 더 포함하는 방법 또는 물품.
  5. 제4항에 있어서, 제2 폐쇄형 윤곽 및 제3 폐쇄형 윤곽은 일치하는 방법 또는 물품.
  6. 제4항에 있어서, 제2 폐쇄형 윤곽은 제1 폐쇄형 윤곽과 제3 폐쇄형 윤곽 사이에 수용되는 방법 또는 물품.
  7. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제6항 중 어느 한 항에 있어서, CO2 레이저 비임과 공선적으로 재료를 향해 보조 가스를 지향시키는 단계를 더 포함하는 방법 또는 물품.
  8. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제7항 중 어느 한 항에 있어서, 내부 플러그의 제거는 재료에 개방부를 형성하고, 이 개방부는 0.5 mm과 100 mm 사이의 폭을 갖는 방법 또는 물품.
  9. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제8항 중 어느 한 항에 있어서, 내부 플러그의 제거는 재료에 슬롯을 형성하고, 이 슬롯은 0.5 mm과 100 mm 사이의 폭을 갖는 방법 또는 물품.
  10. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제9항 중 어느 한 항에 있어서, 유도 흡수는 재료 내의 약 75 μm 이하의 깊이까지 제1 윤곽에서 표면하 손상을 생성하는 방법 또는 물품.
  11. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제10항 중 어느 한 항에 있어서, 유도 흡수는 약 0.5 μm 이하의, 제1 윤곽에서의 Ra 표면 조면도를 생성하는 방법 또는 물품.
  12. 제1항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서, 재료는 약 100 μm와 약 8 mm 사이의 범위의 두께를 갖는 방법 또는 물품.
  13. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제12항 중 어느 한 항에 있어서, 재료와 펄스형 레이저 비임은 약 1 mm/sec와 약 3400 mm/sec 사이의 범위의 속도로 서로에 대해 병진되는 방법 또는 물품.
  14. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제13항 중 어느 한 항에 있어서, 펄스형 레이저 비임의 펄스 기간은 약 1 피코초 초과와 약 100 피코초미만 사이의 범위인 방법 또는 물품.
  15. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제14항 중 어느 한 항에 있어서, 펄스형 레이저 비임의 반복율은 약 1 kHz와 2 MHz 사이의 범위인 방법 또는 물품.
  16. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제15항 중 어느 한 항에 있어서, 펄스형 레이저 비임은 재료 두께 mm 당 40 μJ보다 큰 재료에서 측정된 버스트 당 에너지를 갖는 방법 또는 물품.
  17. 제1항, 제2항 및 제4항 내지 제16항 중 어느 한 항에 있어서, 펄스는 약 1 nsec와 약 50 nsec 사이의 범위의 기간만큼 분리된 적어도 두 개의 펄스의 펄스 버스트로 생성되고, 버스트 반복 주파수는 약 1 kHz와 약 650 kHz 사이의 범위인 방법 또는 물품.
  18. 제1항 내지 제17항 중 어느 한 항에 있어서, 레이저 비임 초점선은 약 0.1 mm와 약 100 mm 사이의 범위의 길이를 가지는 방법 또는 물품.
  19. 제1항 내지 제18항 중 어느 한 항에 있어서, 내부 윤곽 에지에 의해 형성되는 내부 윤곽의 최소 치수 또는 폭은 5 mm 미만인 방법 또는 유리 물품.
  20. 제19항에 있어서, 결함선 사이의 거리는 약 7 μm 이하인 유리 물품.
  21. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제20항 중 어느 한 항에 있어서, 펄스형 레이저는 펄스 버스트 당 적어도 2 펄스를 갖는 펄스 버스트를 생성하는 방법 또는 물품.
  22. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제21항 중 어느 한 항에 있어서, 펄스형 레이저는 10W 내지 150W의 레이저 파워를 가지고, 펄스 버스트 당 적어도 2 펄스를 갖는 펄스 버스트를 생성하는 방법 또는 물품.
  23. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제22항 중 어느 한 항에 있어서, 펄스형 레이저는 10W 내지 100W의 레이저 파워를 가지고, 펄스 버스트 당 적어도 2 내지 25 펄스를 갖는 펄스 버스트를 생성하는 방법 또는 물품.
  24. 제1항, 제2항 또는 제4항 내지 제23항 중 어느 한 항에 있어서, 펄스형 레이저는 10W 내지 100W의 레이저 파워를 가지고, 작업편 또는 레이저 비임은 적어도 0.25 m/sec의 속도로 서로에 대해 병진되는 방법 또는 물품.
  25. 제2항 또는 제3항에 있어서,
    (i) 유리 시트의 상기 주 표면은 평탄하고, 및/또는
    (ii) 내부 윤곽 에지에 의해 형성되는 내부 윤곽의 최소 치수 또는 폭은 5 mm 미만이고, 및/또는
    (iii) 유리 물품은 이온교환후 유리를 포함하고, 및/또는
    (iv) 결함선은 적어도 하나의 내부 윤곽 에지의 전체 두께로 연장하고, 및/또는
    (v) 적어도 하나의 내부 윤곽 에지는 약 0.5 μm 미만인 Ra 표면 조면도를 갖는 유리 물품.
KR1020167019421A 2013-12-17 2014-12-16 슬롯 및 구멍의 레이저 가공 KR102270486B1 (ko)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
KR1020217019445A KR102366530B1 (ko) 2013-12-17 2014-12-16 슬롯 및 구멍의 레이저 가공

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201361917148P 2013-12-17 2013-12-17
US61/917,148 2013-12-17
US201462022855P 2014-07-10 2014-07-10
US62/022,855 2014-07-10
US14/536,009 2014-11-07
US14/536,009 US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2014-11-07 Laser processing of slots and holes
PCT/US2014/070531 WO2015095151A2 (en) 2013-12-17 2014-12-16 Laser processing of slots and holes

Related Child Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217019445A Division KR102366530B1 (ko) 2013-12-17 2014-12-16 슬롯 및 구멍의 레이저 가공

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20160101103A true KR20160101103A (ko) 2016-08-24
KR102270486B1 KR102270486B1 (ko) 2021-06-29

Family

ID=53367281

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020167019421A KR102270486B1 (ko) 2013-12-17 2014-12-16 슬롯 및 구멍의 레이저 가공
KR1020217019445A KR102366530B1 (ko) 2013-12-17 2014-12-16 슬롯 및 구멍의 레이저 가공

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020217019445A KR102366530B1 (ko) 2013-12-17 2014-12-16 슬롯 및 구멍의 레이저 가공

Country Status (8)

Country Link
US (2) US20150165560A1 (ko)
EP (2) EP3511302B1 (ko)
KR (2) KR102270486B1 (ko)
CN (2) CN109909622B (ko)
MY (1) MY185774A (ko)
SG (2) SG11201605864RA (ko)
TW (2) TWI679077B (ko)
WO (1) WO2015095151A2 (ko)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11851363B2 (en) 2020-10-26 2023-12-26 Flexi Glass Co., Ltd. Method for manufacturing ultra-thin glass substrate and method for manufacturing display panel

Families Citing this family (83)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
EP2781296B1 (de) * 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
US11053156B2 (en) * 2013-11-19 2021-07-06 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US10293436B2 (en) 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
US11556039B2 (en) 2013-12-17 2023-01-17 Corning Incorporated Electrochromic coated glass articles and methods for laser processing the same
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US20150166393A1 (en) * 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates
CN103831539B (zh) * 2014-01-10 2016-01-20 合肥鑫晟光电科技有限公司 激光打孔方法及激光打孔系统
JP6262039B2 (ja) 2014-03-17 2018-01-17 株式会社ディスコ 板状物の加工方法
JP6301203B2 (ja) * 2014-06-02 2018-03-28 株式会社ディスコ チップの製造方法
TWI730945B (zh) 2014-07-08 2021-06-21 美商康寧公司 用於雷射處理材料的方法與設備
EP3536440A1 (en) 2014-07-14 2019-09-11 Corning Incorporated Glass article with a defect pattern
CN107073641B (zh) 2014-07-14 2020-11-10 康宁股份有限公司 接口块;用于使用这种接口块切割在波长范围内透明的衬底的系统和方法
EP3169477B1 (en) * 2014-07-14 2020-01-29 Corning Incorporated System for and method of processing transparent materials using laser beam focal lines adjustable in length and diameter
EP3169635B1 (en) 2014-07-14 2022-11-23 Corning Incorporated Method and system for forming perforations
US10047001B2 (en) 2014-12-04 2018-08-14 Corning Incorporated Glass cutting systems and methods using non-diffracting laser beams
JP2018507154A (ja) 2015-01-12 2018-03-15 コーニング インコーポレイテッド マルチフォトン吸収方法を用いた熱強化基板のレーザー切断
WO2016138054A1 (en) 2015-02-27 2016-09-01 Corning Incorporated Optical assembly having microlouvers
EP3848334A1 (en) 2015-03-24 2021-07-14 Corning Incorporated Alkaline earth boro-aluminosilicate glass article with laser cut edge
JP2018516215A (ja) 2015-03-27 2018-06-21 コーニング インコーポレイテッド 気体透過性窓、および、その製造方法
WO2016183148A1 (en) 2015-05-13 2016-11-17 Corning Incorporated Light guides with reduced hot spots and methods for making the same
CN107835794A (zh) 2015-07-10 2018-03-23 康宁股份有限公司 在挠性基材板中连续制造孔的方法和与此相关的产品
DE102015111490A1 (de) * 2015-07-15 2017-01-19 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zum lasergestützten Abtrennen eines Teilstücks von einem flächigen Glaselement
DE102015111491A1 (de) 2015-07-15 2017-01-19 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zum Abtrennen von Glas- oder Glaskeramikteilen
RU2694089C1 (ru) * 2015-08-10 2019-07-09 Сэн-Гобэн Гласс Франс Способ резки тонкого стеклянного слоя
DE102015116846A1 (de) * 2015-10-05 2017-04-06 Schott Ag Verfahren zum Filamentieren eines Werkstückes mit einer von der Sollkontur abweichenden Form sowie durch Filamentation erzeugtes Werkstück
US10672603B2 (en) * 2015-10-23 2020-06-02 Infineon Technologies Ag System and method for removing dielectric material
CN108883545B (zh) 2016-03-24 2021-10-22 康宁股份有限公司 其中形成有孔的层压玻璃制品及其形成方法
EP3452418B1 (en) 2016-05-06 2022-03-02 Corning Incorporated Laser cutting and removal of contoured shapes from transparent substrates
US11667434B2 (en) * 2016-05-31 2023-06-06 Corning Incorporated Anti-counterfeiting measures for glass articles
US10410883B2 (en) 2016-06-01 2019-09-10 Corning Incorporated Articles and methods of forming vias in substrates
US10794679B2 (en) 2016-06-29 2020-10-06 Corning Incorporated Method and system for measuring geometric parameters of through holes
CN109803934A (zh) 2016-07-29 2019-05-24 康宁股份有限公司 用于激光处理的装置和方法
EP3507057A1 (en) 2016-08-30 2019-07-10 Corning Incorporated Laser processing of transparent materials
CN113399816B (zh) 2016-09-30 2023-05-16 康宁股份有限公司 使用非轴对称束斑对透明工件进行激光加工的设备和方法
US11542190B2 (en) * 2016-10-24 2023-01-03 Corning Incorporated Substrate processing station for laser-based machining of sheet-like glass substrates
US10752534B2 (en) 2016-11-01 2020-08-25 Corning Incorporated Apparatuses and methods for laser processing laminate workpiece stacks
US20180178322A1 (en) * 2016-12-28 2018-06-28 Metal Industries Research & Development Centre Laser processing device and laser processing method
DE102017100015A1 (de) * 2017-01-02 2018-07-05 Schott Ag Verfahren zum Trennen von Substraten
US10688599B2 (en) 2017-02-09 2020-06-23 Corning Incorporated Apparatus and methods for laser processing transparent workpieces using phase shifted focal lines
CN110678422A (zh) * 2017-04-25 2020-01-10 康宁公司 3d激光穿孔热下垂工艺
CN106891097A (zh) * 2017-04-26 2017-06-27 信利光电股份有限公司 一种具有通孔的3d盖板制作方法及3d盖板
US10264672B2 (en) * 2017-04-28 2019-04-16 AGC Inc. Glass substrate and glass substrate for high frequency device
DE102017208290A1 (de) 2017-05-17 2018-11-22 Schott Ag Vorrichtung und Verfahren zum Bearbeiten eines Werkstücks entlang einer vorbestimmten Bearbeitungslinie
US10580725B2 (en) 2017-05-25 2020-03-03 Corning Incorporated Articles having vias with geometry attributes and methods for fabricating the same
US11078112B2 (en) 2017-05-25 2021-08-03 Corning Incorporated Silica-containing substrates with vias having an axially variable sidewall taper and methods for forming the same
US10626040B2 (en) 2017-06-15 2020-04-21 Corning Incorporated Articles capable of individual singulation
JP2020531392A (ja) * 2017-08-25 2020-11-05 コーニング インコーポレイテッド アフォーカルビーム調整アセンブリを用いて透明被加工物をレーザ加工するための装置及び方法
US11065960B2 (en) 2017-09-13 2021-07-20 Corning Incorporated Curved vehicle displays
US10586654B2 (en) 2017-12-21 2020-03-10 General Atomics Glass dielectric capacitors and manufacturing processes for glass dielectric capacitors
CN108161250A (zh) * 2018-01-30 2018-06-15 苏州德龙激光股份有限公司 多焦点动态分布激光加工脆性透明材料的方法及装置
SG11202006455TA (en) * 2018-01-31 2020-08-28 Hoya Corp Method for producing glass substrate for magnetic disk
US11554984B2 (en) 2018-02-22 2023-01-17 Corning Incorporated Alkali-free borosilicate glasses with low post-HF etch roughness
WO2019165269A1 (en) * 2018-02-23 2019-08-29 Corning Incorporated Method of separating a liquid lens from an array of liquid lenses
US20190263709A1 (en) * 2018-02-26 2019-08-29 Corning Incorporated Methods for laser forming transparent articles from a transparent mother sheet and processing the transparent articles in-situ
US11059131B2 (en) 2018-06-22 2021-07-13 Corning Incorporated Methods for laser processing a substrate stack having one or more transparent workpieces and a black matrix layer
TW202400349A (zh) * 2018-10-08 2024-01-01 美商伊雷克托科學工業股份有限公司 用於在基板中形成穿孔的方法
DE102018219465A1 (de) * 2018-11-14 2020-05-14 Flabeg Deutschland Gmbh Verfahren zum Schneiden eines Glaselements und Schneidsystem
CN109604838A (zh) * 2018-12-24 2019-04-12 大族激光科技产业集团股份有限公司 半导体激光加工装置
EP3927672A1 (en) * 2019-02-20 2021-12-29 AGC Glass Europe Method for manufacturing a partially textured glass article
KR20200104981A (ko) * 2019-02-27 2020-09-07 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 그 리페어 방법
KR20200120794A (ko) * 2019-04-11 2020-10-22 삼성디스플레이 주식회사 표시 모듈, 표시 모듈 제조 방법, 및 레이저 가공 방법
TWI705871B (zh) * 2019-05-07 2020-10-01 鴻超環保能源股份有限公司 多雷射切割方法及其系統
DE102019113635A1 (de) * 2019-05-22 2020-11-26 Schott Ag Verfahren und Vorrichtung zur Verarbeitung von Glaselementen
CN110342806B (zh) * 2019-06-27 2021-11-09 大族激光科技产业集团股份有限公司 带通孔玻璃盖板的加工方法
RU2720791C1 (ru) 2019-09-06 2020-05-13 Общество с ограниченной ответственностью "НАУЧНО-ТЕХНИЧЕСКОЕ ОБЪЕДИНЕНИЕ "ИРЭ-Полюс" (ООО НТО "ИРЭ-Полюс") Способ лазерной обработки прозрачного хрупкого материала и устройство его реализующее
CN112620965A (zh) * 2019-10-08 2021-04-09 台湾丽驰科技股份有限公司 一种双雷射加工机及其加工方法
US11964343B2 (en) * 2020-03-09 2024-04-23 Applied Materials, Inc. Laser dicing system for filamenting and singulating optical devices
US11640031B2 (en) * 2020-05-27 2023-05-02 Corning Research & Development Corporation Laser-cleaving of an optical fiber array with controlled cleaving angle
US11774676B2 (en) 2020-05-27 2023-10-03 Corning Research & Development Corporation Laser-cleaving of an optical fiber array with controlled cleaving angle
TWI733604B (zh) * 2020-06-10 2021-07-11 財團法人工業技術研究院 玻璃工件雷射處理系統及方法
CN111558785B (zh) * 2020-07-14 2020-10-23 武汉华工激光工程有限责任公司 一种用于透明材料三维轮廓加工的方法
CN114178710A (zh) * 2020-08-24 2022-03-15 奥特斯(中国)有限公司 部件承载件及其制造方法
CN114131212A (zh) * 2021-11-10 2022-03-04 江苏大学 一种透明材料封闭实心结构的激光改质切割与自动分离的方法
CN115159828B (zh) * 2022-06-13 2023-12-15 武汉华工激光工程有限责任公司 一种毛玻璃的激光切割方法及系统
WO2024010689A1 (en) * 2022-07-07 2024-01-11 Corning Incorporated Methods for drilling features in a substrate using laser perforation and laser ablation
CN116237654B (zh) * 2023-02-22 2023-07-21 武汉荣科激光自动化设备有限公司 一种激光加工设备的智能控制方法

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003154517A (ja) * 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
KR100673073B1 (ko) * 2000-10-21 2007-01-22 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단 방법 및 장치
KR20110024553A (ko) * 2009-09-02 2011-03-09 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
JP2011121119A (ja) * 2009-12-07 2011-06-23 Panasonic Corp テーパを有しない、または逆テーパを有する穴を開ける装置および方法

Family Cites Families (411)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US1790397A (en) 1931-01-27 Glass workins machine
US2682134A (en) 1951-08-17 1954-06-29 Corning Glass Works Glass sheet containing translucent linear strips
US2749794A (en) 1953-04-24 1956-06-12 Corning Glass Works Illuminating glassware and method of making it
GB1242172A (en) 1968-02-23 1971-08-11 Ford Motor Co A process for chemically cutting glass
US3647410A (en) 1969-09-09 1972-03-07 Owens Illinois Inc Glass ribbon machine blow head mechanism
US3729302A (en) 1970-01-02 1973-04-24 Owens Illinois Inc Removal of glass article from ribbon forming machine by vibrating force
US3775084A (en) 1970-01-02 1973-11-27 Owens Illinois Inc Pressurizer apparatus for glass ribbon machine
US3695498A (en) 1970-08-26 1972-10-03 Ppg Industries Inc Non-contact thermal cutting
US3695497A (en) 1970-08-26 1972-10-03 Ppg Industries Inc Method of severing glass
DE2231330A1 (de) 1972-06-27 1974-01-10 Agfa Gevaert Ag Verfahren und vorrichtung zur erzeugung eines scharfen fokus
DE2757890C2 (de) 1977-12-24 1981-10-15 Fa. Karl Lutz, 6980 Wertheim Verfahren und Vorrichtung zum Herstellen von Behältnissen aus Röhrenglas, insbesondere Ampullen
US4441008A (en) 1981-09-14 1984-04-03 Ford Motor Company Method of drilling ultrafine channels through glass
US4546231A (en) 1983-11-14 1985-10-08 Group Ii Manufacturing Ltd. Creation of a parting zone in a crystal structure
JPS6246930A (ja) 1985-08-21 1987-02-28 Bandou Kiko Kk ガラス板の割断装置
US4646308A (en) 1985-09-30 1987-02-24 Spectra-Physics, Inc. Synchronously pumped dye laser using ultrashort pump pulses
US4749400A (en) 1986-12-12 1988-06-07 Ppg Industries, Inc. Discrete glass sheet cutting
DE3789858T2 (de) 1986-12-18 1994-09-01 Sumitomo Chemical Co Platten für Lichtkontrolle.
US4918751A (en) 1987-10-05 1990-04-17 The University Of Rochester Method for optical pulse transmission through optical fibers which increases the pulse power handling capacity of the fibers
IL84255A (en) 1987-10-23 1993-02-21 Galram Technology Ind Ltd Process for removal of post- baked photoresist layer
JPH01179770A (ja) 1988-01-12 1989-07-17 Hiroshima Denki Gakuen 金属とセラミックスとの接合方法
US4764930A (en) 1988-01-27 1988-08-16 Intelligent Surgical Lasers Multiwavelength laser source
US4907586A (en) 1988-03-31 1990-03-13 Intelligent Surgical Lasers Method for reshaping the eye
US4929065A (en) 1988-11-03 1990-05-29 Isotec Partners, Ltd. Glass plate fusion for macro-gradient refractive index materials
US4891054A (en) 1988-12-30 1990-01-02 Ppg Industries, Inc. Method for cutting hot glass
US5112722A (en) 1989-04-12 1992-05-12 Nippon Sheet Glass Co., Ltd. Method of producing light control plate which induces scattering of light at different angles
US5104210A (en) 1989-04-24 1992-04-14 Monsanto Company Light control films and method of making
US5035918A (en) 1989-04-26 1991-07-30 Amp Incorporated Non-flammable and strippable plating resist and method of using same
US5040182A (en) 1990-04-24 1991-08-13 Coherent, Inc. Mode-locked laser
ATE218904T1 (de) 1991-11-06 2002-06-15 Shui T Lai Vorrichtung für hornhautchirurgie
US5314522A (en) 1991-11-19 1994-05-24 Seikosha Co., Ltd. Method of processing photosensitive glass with a pulsed laser to form grooves
US5265107A (en) 1992-02-05 1993-11-23 Bell Communications Research, Inc. Broadband absorber having multiple quantum wells of different thicknesses
JPH05323110A (ja) 1992-05-22 1993-12-07 Hitachi Koki Co Ltd 多ビーム発生素子
US6016223A (en) 1992-08-31 2000-01-18 Canon Kabushiki Kaisha Double bessel beam producing method and apparatus
CA2112843A1 (en) 1993-02-04 1994-08-05 Richard C. Ujazdowski Variable repetition rate picosecond laser
JPH06318756A (ja) 1993-05-06 1994-11-15 Toshiba Corp レ−ザ装置
WO1994029069A1 (fr) 1993-06-04 1994-12-22 Seiko Epson Corporation Appareil et procede d'usinage au laser, et panneau a cristaux liquides
US6489589B1 (en) 1994-02-07 2002-12-03 Board Of Regents, University Of Nebraska-Lincoln Femtosecond laser utilization methods and apparatus and method for producing nanoparticles
JP3531199B2 (ja) 1994-02-22 2004-05-24 三菱電機株式会社 光伝送装置
US5436925A (en) 1994-03-01 1995-07-25 Hewlett-Packard Company Colliding pulse mode-locked fiber ring laser using a semiconductor saturable absorber
US5400350A (en) 1994-03-31 1995-03-21 Imra America, Inc. Method and apparatus for generating high energy ultrashort pulses
US5778016A (en) 1994-04-01 1998-07-07 Imra America, Inc. Scanning temporal ultrafast delay methods and apparatuses therefor
US5656186A (en) 1994-04-08 1997-08-12 The Regents Of The University Of Michigan Method for controlling configuration of laser induced breakdown and ablation
JP2526806B2 (ja) 1994-04-26 1996-08-21 日本電気株式会社 半導体レ―ザおよびその動作方法
WO1995031023A1 (en) 1994-05-09 1995-11-16 Massachusetts Institute Of Technology Dispersion-compensated laser using prismatic end elements
US5434875A (en) 1994-08-24 1995-07-18 Tamar Technology Co. Low cost, high average power, high brightness solid state laser
US6016324A (en) 1994-08-24 2000-01-18 Jmar Research, Inc. Short pulse laser system
US5776220A (en) 1994-09-19 1998-07-07 Corning Incorporated Method and apparatus for breaking brittle materials
US5696782A (en) 1995-05-19 1997-12-09 Imra America, Inc. High power fiber chirped pulse amplification systems based on cladding pumped rare-earth doped fibers
JPH09106243A (ja) 1995-10-12 1997-04-22 Dainippon Printing Co Ltd ホログラムの複製方法
US5736709A (en) 1996-08-12 1998-04-07 Armco Inc. Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power
US7353829B1 (en) 1996-10-30 2008-04-08 Provectus Devicetech, Inc. Methods and apparatus for multi-photon photo-activation of therapeutic agents
DE69715916T2 (de) 1996-11-13 2003-08-07 Corning Inc Verfahren zur erzeugung eines mit internen kanälen versehenen glaskörpers
US6156030A (en) 1997-06-04 2000-12-05 Y-Beam Technologies, Inc. Method and apparatus for high precision variable rate material removal and modification
BE1011208A4 (fr) 1997-06-11 1999-06-01 Cuvelier Georges Procede de decalottage de pieces en verre.
DE19728766C1 (de) 1997-07-07 1998-12-17 Schott Rohrglas Gmbh Verwendung eines Verfahrens zur Herstellung einer Sollbruchstelle bei einem Glaskörper
US6078599A (en) 1997-07-22 2000-06-20 Cymer, Inc. Wavelength shift correction technique for a laser
JP3264224B2 (ja) 1997-08-04 2002-03-11 キヤノン株式会社 照明装置及びそれを用いた投影露光装置
DE19750320C1 (de) 1997-11-13 1999-04-01 Max Planck Gesellschaft Verfahren und Vorrichtung zur Lichtpulsverstärkung
GB2335603B (en) 1997-12-05 2002-12-04 Thermolase Corp Skin enhancement using laser light
US6501578B1 (en) 1997-12-19 2002-12-31 Electric Power Research Institute, Inc. Apparatus and method for line of sight laser communications
JPH11197498A (ja) 1998-01-13 1999-07-27 Japan Science & Technology Corp 無機材料内部の選択的改質方法及び内部が選択的に改質された無機材料
US6272156B1 (en) 1998-01-28 2001-08-07 Coherent, Inc. Apparatus for ultrashort pulse transportation and delivery
JPH11240730A (ja) 1998-02-27 1999-09-07 Nec Kansai Ltd 脆性材料の割断方法
JPH11269683A (ja) 1998-03-18 1999-10-05 Armco Inc 金属表面から酸化物を除去する方法及び装置
US6160835A (en) 1998-03-20 2000-12-12 Rocky Mountain Instrument Co. Hand-held marker with dual output laser
EP0949541B1 (en) 1998-04-08 2006-06-07 ASML Netherlands B.V. Lithography apparatus
US6256328B1 (en) 1998-05-15 2001-07-03 University Of Central Florida Multiwavelength modelocked semiconductor diode laser
JPH11347758A (ja) 1998-06-10 1999-12-21 Mitsubishi Heavy Ind Ltd 超精密加工装置
US6407360B1 (en) 1998-08-26 2002-06-18 Samsung Electronics, Co., Ltd. Laser cutting apparatus and method
DE19851353C1 (de) 1998-11-06 1999-10-07 Schott Glas Verfahren und Vorrichtung zum Schneiden eines Laminats aus einem sprödbrüchigen Werkstoff und einem Kunststoff
JP3178524B2 (ja) 1998-11-26 2001-06-18 住友重機械工業株式会社 レーザマーキング方法と装置及びマーキングされた部材
US7649153B2 (en) 1998-12-11 2010-01-19 International Business Machines Corporation Method for minimizing sample damage during the ablation of material using a focused ultrashort pulsed laser beam
US6445491B2 (en) 1999-01-29 2002-09-03 Irma America, Inc. Method and apparatus for optical sectioning and imaging using time-gated parametric image amplification
US6381391B1 (en) 1999-02-19 2002-04-30 The Regents Of The University Of Michigan Method and system for generating a broadband spectral continuum and continuous wave-generating system utilizing same
DE19908630A1 (de) 1999-02-27 2000-08-31 Bosch Gmbh Robert Abschirmung gegen Laserstrahlen
WO2000053365A1 (fr) 1999-03-05 2000-09-14 Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha Appareil d'usinage au laser
US6484052B1 (en) 1999-03-30 2002-11-19 The Regents Of The University Of California Optically generated ultrasound for enhanced drug delivery
DE60030195T2 (de) 1999-04-02 2006-12-14 Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo Laserverfahren zur Bearbeitung von Löchern in einer keramischen Grünfolie
US6373565B1 (en) 1999-05-27 2002-04-16 Spectra Physics Lasers, Inc. Method and apparatus to detect a flaw in a surface of an article
CN2388062Y (zh) 1999-06-21 2000-07-19 郭广宗 一层有孔一层无孔双层玻璃车船窗
US6449301B1 (en) 1999-06-22 2002-09-10 The Regents Of The University Of California Method and apparatus for mode locking of external cavity semiconductor lasers with saturable Bragg reflectors
US6259151B1 (en) 1999-07-21 2001-07-10 Intersil Corporation Use of barrier refractive or anti-reflective layer to improve laser trim characteristics of thin film resistors
US6573026B1 (en) 1999-07-29 2003-06-03 Corning Incorporated Femtosecond laser writing of glass, including borosilicate, sulfide, and lead glasses
DE19952331C1 (de) 1999-10-29 2001-08-30 Schott Spezialglas Gmbh Verfahren und Vorrichtung zum schnellen Schneiden eines Werkstücks aus sprödbrüchigem Werkstoff mittels Laserstrahlen
JP2001130921A (ja) 1999-10-29 2001-05-15 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd 脆性基板の加工方法及び装置
JP2001138083A (ja) 1999-11-18 2001-05-22 Seiko Epson Corp レーザー加工装置及びレーザー照射方法
JP4592855B2 (ja) 1999-12-24 2010-12-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置の作製方法
US6339208B1 (en) 2000-01-19 2002-01-15 General Electric Company Method of forming cooling holes
US6552301B2 (en) 2000-01-25 2003-04-22 Peter R. Herman Burst-ultrafast laser machining method
JP3530114B2 (ja) 2000-07-11 2004-05-24 忠弘 大見 単結晶の切断方法
JP2002040330A (ja) 2000-07-25 2002-02-06 Olympus Optical Co Ltd 光学素子切換え制御装置
JP4659300B2 (ja) 2000-09-13 2011-03-30 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法及び半導体チップの製造方法
US20020110639A1 (en) 2000-11-27 2002-08-15 Donald Bruns Epoxy coating for optical surfaces
US20020082466A1 (en) 2000-12-22 2002-06-27 Jeongho Han Laser surgical system with light source and video scope
JP4880820B2 (ja) 2001-01-19 2012-02-22 株式会社レーザーシステム レーザ支援加工方法
JP2002228818A (ja) 2001-02-05 2002-08-14 Taiyo Yuden Co Ltd レーザー加工用回折光学素子、レーザー加工装置及びレーザー加工方法
SG108262A1 (en) 2001-07-06 2005-01-28 Inst Data Storage Method and apparatus for cutting a multi-layer substrate by dual laser irradiation
JP3775250B2 (ja) 2001-07-12 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法及びレーザー加工装置
TWI252788B (en) 2001-08-10 2006-04-11 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Brittle material substrate chamfering method and chamfering device
JP3795778B2 (ja) 2001-08-24 2006-07-12 株式会社ノリタケカンパニーリミテド 水添ビスフェノールa型エポキシ樹脂を用いたレジノイド研削砥石
JP2003114400A (ja) 2001-10-04 2003-04-18 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ光学システムおよびレーザ加工方法
US6720519B2 (en) 2001-11-30 2004-04-13 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. System and method of laser drilling
US6973384B2 (en) 2001-12-06 2005-12-06 Bellsouth Intellectual Property Corporation Automated location-intelligent traffic notification service systems and methods
JP2003238178A (ja) 2002-02-21 2003-08-27 Toshiba Ceramics Co Ltd ガス導入用シャワープレート及びその製造方法
EP2216128B1 (en) 2002-03-12 2016-01-27 Hamamatsu Photonics K.K. Method of cutting object to be processed
US6787732B1 (en) 2002-04-02 2004-09-07 Seagate Technology Llc Method for laser-scribing brittle substrates and apparatus therefor
US6744009B1 (en) 2002-04-02 2004-06-01 Seagate Technology Llc Combined laser-scribing and laser-breaking for shaping of brittle substrates
CA2396831A1 (en) 2002-08-02 2004-02-02 Femtonics Corporation Microstructuring optical wave guide devices with femtosecond optical pulses
JP2004209675A (ja) 2002-12-26 2004-07-29 Kashifuji:Kk 押圧切断装置及び押圧切断方法
KR100497820B1 (ko) 2003-01-06 2005-07-01 로체 시스템즈(주) 유리판절단장치
JP3775410B2 (ja) 2003-02-03 2006-05-17 セイコーエプソン株式会社 レーザー加工方法、レーザー溶接方法並びにレーザー加工装置
EP1609559B1 (en) 2003-03-12 2007-08-08 Hamamatsu Photonics K. K. Laser beam machining method
RU2365547C2 (ru) 2003-04-22 2009-08-27 Дзе Кока-Кола Компани Способ и устройство для упрочнения стекла
US7511886B2 (en) 2003-05-13 2009-03-31 Carl Zeiss Smt Ag Optical beam transformation system and illumination system comprising an optical beam transformation system
FR2855084A1 (fr) 2003-05-22 2004-11-26 Air Liquide Optique de focalisation pour le coupage laser
JP2005000952A (ja) 2003-06-12 2005-01-06 Nippon Sheet Glass Co Ltd レーザー加工方法及びレーザー加工装置
US7492948B2 (en) 2003-06-26 2009-02-17 Denmarks Tekniske Universitet Generation of a desired wavefront with a plurality of phase contrast filters
KR101193723B1 (ko) 2003-07-18 2012-10-22 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 반도체 기판, 반도체 기판의 절단방법 및 가공대상물의 절단방법
JP2005104819A (ja) 2003-09-10 2005-04-21 Nippon Sheet Glass Co Ltd 合せガラスの切断方法及び合せガラス切断装置
JP2005138143A (ja) 2003-11-06 2005-06-02 Disco Abrasive Syst Ltd レーザ光線を利用する加工装置
JP2005144487A (ja) 2003-11-13 2005-06-09 Seiko Epson Corp レーザ加工装置及びレーザ加工方法
JP4739024B2 (ja) 2003-12-04 2011-08-03 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板加工方法、基板加工装置および基板搬送機構、基板分離装置
US7633033B2 (en) 2004-01-09 2009-12-15 General Lasertronics Corporation Color sensing for laser decoating
US20080099444A1 (en) 2004-01-16 2008-05-01 Hiroaki Misawa Micro-Fabrication Method
JP4074589B2 (ja) 2004-01-22 2008-04-09 Tdk株式会社 レーザ加工装置及びレーザ加工方法
KR100813350B1 (ko) 2004-03-05 2008-03-12 올림푸스 가부시키가이샤 레이저 가공 장치
DE102004014277A1 (de) * 2004-03-22 2005-10-20 Fraunhofer Ges Forschung Verfahren zum laserthermischen Trennen von Flachgläsern
US7486705B2 (en) 2004-03-31 2009-02-03 Imra America, Inc. Femtosecond laser processing system with process parameters, controls and feedback
JP4418282B2 (ja) 2004-03-31 2010-02-17 株式会社レーザーシステム レーザ加工方法
JP4890746B2 (ja) 2004-06-14 2012-03-07 株式会社ディスコ ウエーハの加工方法
US7804043B2 (en) 2004-06-15 2010-09-28 Laserfacturing Inc. Method and apparatus for dicing of thin and ultra thin semiconductor wafer using ultrafast pulse laser
US7820941B2 (en) * 2004-07-30 2010-10-26 Corning Incorporated Process and apparatus for scoring a brittle material
JP3887394B2 (ja) 2004-10-08 2007-02-28 芝浦メカトロニクス株式会社 脆性材料の割断加工システム及びその方法
MX2007005018A (es) 2004-10-25 2008-02-19 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd Metodo y aparato para formar ranuras.
JP4692717B2 (ja) 2004-11-02 2011-06-01 澁谷工業株式会社 脆性材料の割断装置
JP4222296B2 (ja) 2004-11-22 2009-02-12 住友電気工業株式会社 レーザ加工方法とレーザ加工装置
US7201965B2 (en) 2004-12-13 2007-04-10 Corning Incorporated Glass laminate substrate having enhanced impact and static loading resistance
JP5037138B2 (ja) 2005-01-05 2012-09-26 Thk株式会社 ワークのブレイク方法及び装置、スクライブ及びブレイク方法、並びにブレイク機能付きスクライブ装置
US20060207976A1 (en) * 2005-01-21 2006-09-21 Bovatsek James M Laser material micromachining with green femtosecond pulses
EP1811547A4 (en) 2005-02-03 2010-06-02 Nikon Corp OPTICAL INTEGRATOR, OPTICAL LIGHTING DEVICE, EXPOSURE DEVICE AND EXPOSURE METHOD
JP2006248885A (ja) 2005-02-08 2006-09-21 Takeji Arai 超短パルスレーザによる石英の切断方法
US20060261118A1 (en) 2005-05-17 2006-11-23 Cox Judy K Method and apparatus for separating a pane of brittle material from a moving ribbon of the material
US7402773B2 (en) 2005-05-24 2008-07-22 Disco Corporation Laser beam processing machine
JP4490883B2 (ja) 2005-07-19 2010-06-30 株式会社レーザーシステム レーザ加工装置およびレーザ加工方法
DE102005039833A1 (de) 2005-08-22 2007-03-01 Rowiak Gmbh Vorrichtung und Verfahren zur Materialtrennung mit Laserpulsen
JP2007055000A (ja) * 2005-08-23 2007-03-08 Japan Steel Works Ltd:The 非金属材料製の被加工物の切断方法及びその装置
KR20070023958A (ko) 2005-08-25 2007-03-02 삼성전자주식회사 액정 표시 장치용 기판 절단 시스템 및 상기 시스템을이용한 액정 표시 장치용 기판 절단 방법
US9138913B2 (en) 2005-09-08 2015-09-22 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
US7626138B2 (en) 2005-09-08 2009-12-01 Imra America, Inc. Transparent material processing with an ultrashort pulse laser
EP1950019B1 (en) 2005-09-12 2011-12-21 Nippon Sheet Glass Company Limited Interlayer film separation method
KR100792593B1 (ko) 2005-10-12 2008-01-09 한국정보통신대학교 산학협력단 극초단 펄스 레이저를 이용한 단일 펄스 패턴 형성방법 및시스템
US20070111480A1 (en) 2005-11-16 2007-05-17 Denso Corporation Wafer product and processing method therefor
JP2007142000A (ja) 2005-11-16 2007-06-07 Denso Corp レーザ加工装置およびレーザ加工方法
US7838331B2 (en) 2005-11-16 2010-11-23 Denso Corporation Method for dicing semiconductor substrate
US7977601B2 (en) 2005-11-28 2011-07-12 Electro Scientific Industries, Inc. X and Y orthogonal cut direction processing with set beam separation using 45 degree beam split orientation apparatus and method
WO2007069516A1 (en) 2005-12-16 2007-06-21 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Laser irradiation apparatus, laser irradiation method, and manufacturing method of semiconductor device
JP4483793B2 (ja) 2006-01-27 2010-06-16 セイコーエプソン株式会社 微細構造体の製造方法及び製造装置
US7418181B2 (en) 2006-02-13 2008-08-26 Adc Telecommunications, Inc. Fiber optic splitter module
JP5245819B2 (ja) 2006-02-15 2013-07-24 旭硝子株式会社 ガラス基板の面取り方法および装置
US7535634B1 (en) 2006-02-16 2009-05-19 The United States Of America As Represented By The National Aeronautics And Space Administration Optical device, system, and method of generating high angular momentum beams
US20090013724A1 (en) 2006-02-22 2009-01-15 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass Processing Method Using Laser and Processing Device
JP4672689B2 (ja) 2006-02-22 2011-04-20 日本板硝子株式会社 レーザを用いたガラスの加工方法および加工装置
US20090176034A1 (en) 2006-02-23 2009-07-09 Picodeon Ltd. Oy Surface Treatment Technique and Surface Treatment Apparatus Associated With Ablation Technology
JP2007253203A (ja) 2006-03-24 2007-10-04 Sumitomo Electric Ind Ltd レーザ加工用光学装置
US20070298529A1 (en) 2006-05-31 2007-12-27 Toyoda Gosei, Co., Ltd. Semiconductor light-emitting device and method for separating semiconductor light-emitting devices
ES2428826T3 (es) 2006-07-03 2013-11-11 Hamamatsu Photonics K.K. Procedimiento de procesamiento por láser y chip
DE102006035555A1 (de) 2006-07-27 2008-01-31 Eliog-Kelvitherm Industrieofenbau Gmbh Anordnung und Verfahren zur Verformung von Glasscheiben
US8168514B2 (en) 2006-08-24 2012-05-01 Corning Incorporated Laser separation of thin laminated glass substrates for flexible display applications
CN101130216A (zh) * 2006-08-25 2008-02-27 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 激光切割方法
JP2008062547A (ja) * 2006-09-08 2008-03-21 Hiroshima Univ レーザ照射による脆性材板割断の方法および装置。
WO2008035679A1 (fr) 2006-09-19 2008-03-27 Hamamatsu Photonics K. K. Procédé de traitement au laser et appareil de traitement au laser
DE102006051105B3 (de) 2006-10-25 2008-06-12 Lpkf Laser & Electronics Ag Vorrichtung zur Bearbeitung eines Werkstücks mittels Laserstrahlung
AT504726A1 (de) 2007-01-05 2008-07-15 Lisec Maschb Gmbh Verfahren und vorrichtung zum herstellen eines trennspalts in einer glasscheibe
US20100029460A1 (en) 2007-02-22 2010-02-04 Nippon Sheet Glass Company, Limited Glass for anodic bonding
CN101622722B (zh) 2007-02-27 2012-11-21 卡尔蔡司激光器材有限责任公司 连续涂覆设备、生产晶态薄膜和太阳电池的方法
WO2008126742A1 (ja) 2007-04-05 2008-10-23 Cyber Laser Inc. レーザ加工方法及び切断方法並びに多層基板を有する構造体の分割方法
CN101279403B (zh) * 2007-04-06 2012-03-14 富士迈半导体精密工业(上海)有限公司 激光加工方法
DE102007018674A1 (de) 2007-04-18 2008-10-23 Lzh Laserzentrum Hannover E.V. Verfahren zum Bilden von Durchgangslöchern in Bauteilen aus Glas
US8236116B2 (en) 2007-06-06 2012-08-07 Centre Luxembourgeois De Recherches Pour Le Verre Et Al Ceramique S.A. (C.R.V.C.) Method of making coated glass article, and intermediate product used in same
US8169587B2 (en) 2007-08-16 2012-05-01 Apple Inc. Methods and systems for strengthening LCD modules
WO2009042212A2 (en) 2007-09-26 2009-04-02 Aradigm Corporation Impinging jet nozzles in stretched or deformed substrates
KR20090057161A (ko) 2007-12-01 2009-06-04 주식회사 이엔팩 초발수성 좌변기 시트
CN101462822B (zh) 2007-12-21 2012-08-29 鸿富锦精密工业(深圳)有限公司 具有通孔的脆性非金属工件及其加工方法
US20090183764A1 (en) 2008-01-18 2009-07-23 Tenksolar, Inc Detachable Louver System
JP5098665B2 (ja) 2008-01-23 2012-12-12 株式会社東京精密 レーザー加工装置およびレーザー加工方法
KR101303542B1 (ko) 2008-02-11 2013-09-03 엘지디스플레이 주식회사 평판표시패널 절단장치
EP2252426A4 (en) 2008-03-21 2014-08-06 Imra America Inc METHODS AND SYSTEMS FOR LASER MATERIAL PROCESSING
JP5333816B2 (ja) 2008-03-26 2013-11-06 旭硝子株式会社 ガラス板の切線加工装置及び切線加工方法
US8237080B2 (en) 2008-03-27 2012-08-07 Electro Scientific Industries, Inc Method and apparatus for laser drilling holes with Gaussian pulses
JP5345334B2 (ja) 2008-04-08 2013-11-20 株式会社レミ 脆性材料の熱応力割断方法
JP5274085B2 (ja) 2008-04-09 2013-08-28 株式会社アルバック レーザー加工装置、レーザービームのピッチ可変方法、及びレーザー加工方法
US8358888B2 (en) 2008-04-10 2013-01-22 Ofs Fitel, Llc Systems and techniques for generating Bessel beams
EP2119512B1 (en) 2008-05-14 2017-08-09 Gerresheimer Glas GmbH Method and device for removing contaminating particles from containers on automatic production system
US8053704B2 (en) 2008-05-27 2011-11-08 Corning Incorporated Scoring of non-flat materials
JP2009297734A (ja) 2008-06-11 2009-12-24 Nitto Denko Corp レーザー加工用粘着シート及びレーザー加工方法
US8514476B2 (en) 2008-06-25 2013-08-20 View, Inc. Multi-pane dynamic window and method for making same
US7810355B2 (en) 2008-06-30 2010-10-12 Apple Inc. Full perimeter chemical strengthening of substrates
JP5155774B2 (ja) 2008-08-21 2013-03-06 株式会社ノリタケカンパニーリミテド プラトー面加工用レジノイド超砥粒砥石ホイール
JP2010075991A (ja) 2008-09-29 2010-04-08 Fujifilm Corp レーザ加工装置
JP5297139B2 (ja) 2008-10-09 2013-09-25 新光電気工業株式会社 配線基板及びその製造方法
US8895892B2 (en) 2008-10-23 2014-11-25 Corning Incorporated Non-contact glass shearing device and method for scribing or cutting a moving glass sheet
US8092739B2 (en) 2008-11-25 2012-01-10 Wisconsin Alumni Research Foundation Retro-percussive technique for creating nanoscale holes
US9346130B2 (en) 2008-12-17 2016-05-24 Electro Scientific Industries, Inc. Method for laser processing glass with a chamfered edge
EP2202545A1 (en) 2008-12-23 2010-06-30 Karlsruher Institut für Technologie Beam transformation module with an axicon in a double-pass mode
KR101020621B1 (ko) 2009-01-15 2011-03-09 연세대학교 산학협력단 광섬유를 이용하는 광소자 제조 방법, 광섬유를 이용하는 광소자 및 이를 이용한 광 트위저
US8341976B2 (en) 2009-02-19 2013-01-01 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8327666B2 (en) 2009-02-19 2012-12-11 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8347651B2 (en) 2009-02-19 2013-01-08 Corning Incorporated Method of separating strengthened glass
US8245540B2 (en) 2009-02-24 2012-08-21 Corning Incorporated Method for scoring a sheet of brittle material
BRPI1008737B1 (pt) 2009-02-25 2019-10-29 Nichia Corp método para fabricar elemento semicondutor
CN101502914A (zh) 2009-03-06 2009-08-12 苏州德龙激光有限公司 用于喷油嘴微孔加工的皮秒激光加工装置
CN201357287Y (zh) 2009-03-06 2009-12-09 苏州德龙激光有限公司 新型皮秒激光加工装置
JP5300544B2 (ja) 2009-03-17 2013-09-25 株式会社ディスコ 光学系及びレーザ加工装置
KR101041140B1 (ko) 2009-03-25 2011-06-13 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 방법
US20100252959A1 (en) 2009-03-27 2010-10-07 Electro Scientific Industries, Inc. Method for improved brittle materials processing
US20100279067A1 (en) 2009-04-30 2010-11-04 Robert Sabia Glass sheet having enhanced edge strength
WO2010129459A2 (en) 2009-05-06 2010-11-11 Corning Incorporated Carrier for glass substrates
EP2251310B1 (en) 2009-05-13 2012-03-28 Corning Incorporated Methods and systems for forming continuous glass sheets
US8132427B2 (en) 2009-05-15 2012-03-13 Corning Incorporated Preventing gas from occupying a spray nozzle used in a process of scoring a hot glass sheet
US8269138B2 (en) 2009-05-21 2012-09-18 Corning Incorporated Method for separating a sheet of brittle material
DE102009023602B4 (de) 2009-06-02 2012-08-16 Grenzebach Maschinenbau Gmbh Vorrichtung zum industriellen Herstellen elastisch verformbarer großflächiger Glasplatten in hoher Stückzahl
WO2010139841A1 (en) 2009-06-04 2010-12-09 Corelase Oy Method and apparatus for processing substrates
TWI395630B (zh) 2009-06-30 2013-05-11 Mitsuboshi Diamond Ind Co Ltd 使用雷射光之玻璃基板加工裝置
US8592716B2 (en) 2009-07-22 2013-11-26 Corning Incorporated Methods and apparatus for initiating scoring
CN101637849B (zh) 2009-08-07 2011-12-07 苏州德龙激光有限公司 皮秒激光加工设备的高精度z轴载物平台
CN201471092U (zh) 2009-08-07 2010-05-19 苏州德龙激光有限公司 皮秒激光加工设备的高精度z轴载物平台
JP5500914B2 (ja) 2009-08-27 2014-05-21 株式会社半導体エネルギー研究所 レーザ照射装置
US8932510B2 (en) 2009-08-28 2015-01-13 Corning Incorporated Methods for laser cutting glass substrates
KR20120073249A (ko) 2009-08-28 2012-07-04 코닝 인코포레이티드 화학적으로 강화된 유리 기판으로부터 제품을 레이저 절단하기 위한 방법
US20110088324A1 (en) 2009-10-20 2011-04-21 Wessel Robert B Apparatus and method for solar heat gain reduction in a window assembly
WO2011056781A1 (en) 2009-11-03 2011-05-12 Corning Incorporated Laser scoring of a moving glass ribbon having a non-constant speed
EP2507182B1 (en) * 2009-11-30 2014-03-05 Corning Incorporated Methods for laser scribing and separating glass substrates
US20120234807A1 (en) 2009-12-07 2012-09-20 J.P. Sercel Associates Inc. Laser scribing with extended depth affectation into a workplace
TWI438162B (zh) 2010-01-27 2014-05-21 Wintek Corp 強化玻璃切割方法及強化玻璃切割預置結構
US8743165B2 (en) 2010-03-05 2014-06-03 Micronic Laser Systems Ab Methods and device for laser processing
JP5249979B2 (ja) 2010-03-18 2013-07-31 三星ダイヤモンド工業株式会社 脆性材料基板の加工方法およびこれに用いるレーザ加工装置
US8654538B2 (en) 2010-03-30 2014-02-18 Ibiden Co., Ltd. Wiring board and method for manufacturing the same
US8951889B2 (en) * 2010-04-16 2015-02-10 Qmc Co., Ltd. Laser processing method and laser processing apparatus
CN102844857A (zh) 2010-04-20 2012-12-26 旭硝子株式会社 半导体器件贯通电极用的玻璃基板
US8821211B2 (en) 2010-04-21 2014-09-02 Lg Chem, Ltd. Device for cutting of glass sheet
DE202010006047U1 (de) 2010-04-22 2010-07-22 Trumpf Werkzeugmaschinen Gmbh + Co. Kg Strahlformungseinheit zur Fokussierung eines Laserstrahls
US8245539B2 (en) 2010-05-13 2012-08-21 Corning Incorporated Methods of producing glass sheets
KR20130079395A (ko) 2010-05-19 2013-07-10 미쓰비시 가가꾸 가부시키가이샤 카드용 시트 및 카드
CN103025350A (zh) 2010-05-21 2013-04-03 诺华有限公司 流感病毒的重配方法
GB2481190B (en) 2010-06-04 2015-01-14 Plastic Logic Ltd Laser ablation
KR101634422B1 (ko) 2010-06-29 2016-06-28 코닝 인코포레이티드 오버플로 하향인발 융합 공정을 사용해 공동인발하여 만들어진 다층 유리 시트
DE102010025965A1 (de) 2010-07-02 2012-01-05 Schott Ag Verfahren zur spannungsarmen Herstellung von gelochten Werkstücken
DE102010025967B4 (de) 2010-07-02 2015-12-10 Schott Ag Verfahren zur Erzeugung einer Vielzahl von Löchern, Vorrichtung hierzu und Glas-Interposer
DE202010013161U1 (de) 2010-07-08 2011-03-31 Oerlikon Solar Ag, Trübbach Laserbearbeitung mit mehreren Strahlen und dafür geeigneter Laseroptikkopf
JP5772827B2 (ja) 2010-07-12 2015-09-02 旭硝子株式会社 インプリントモールド用TiO2含有石英ガラス基材およびその製造方法
RU2013102422A (ru) * 2010-07-12 2014-08-20 ФАЙЛЭЙСЕР ЮЭс-Эй ЭлЭлСи Способ обработки материалов с использованием филаментации
KR20120015366A (ko) 2010-07-19 2012-02-21 엘지디스플레이 주식회사 강화유리 절단방법 및 절단장치
JP5580129B2 (ja) 2010-07-20 2014-08-27 株式会社アマダ 固体レーザ加工装置
JP5669001B2 (ja) 2010-07-22 2015-02-12 日本電気硝子株式会社 ガラスフィルムの割断方法、ガラスロールの製造方法、及びガラスフィルムの割断装置
KR101940333B1 (ko) 2010-07-26 2019-01-18 하마마츠 포토닉스 가부시키가이샤 기판 가공 방법
WO2012014722A1 (ja) 2010-07-26 2012-02-02 浜松ホトニクス株式会社 基板加工方法
JP2012031018A (ja) 2010-07-30 2012-02-16 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス基板及び強化ガラス基板の溝加工方法と強化ガラス基板の切断方法
US8604380B2 (en) 2010-08-19 2013-12-10 Electro Scientific Industries, Inc. Method and apparatus for optimally laser marking articles
US8584354B2 (en) 2010-08-26 2013-11-19 Corning Incorporated Method for making glass interposer panels
TWI513670B (zh) 2010-08-31 2015-12-21 Corning Inc 分離強化玻璃基板之方法
TWI402228B (zh) 2010-09-15 2013-07-21 Wintek Corp 強化玻璃切割方法、強化玻璃薄膜製程、強化玻璃切割預置結構及強化玻璃切割件
TWI576320B (zh) 2010-10-29 2017-04-01 康寧公司 用於裁切玻璃帶之方法與設備
JP5617556B2 (ja) 2010-11-22 2014-11-05 日本電気硝子株式会社 帯状ガラスフィルム割断装置及び帯状ガラスフィルム割断方法
US8607590B2 (en) 2010-11-30 2013-12-17 Corning Incorporated Methods for separating glass articles from strengthened glass substrate sheets
US8616024B2 (en) 2010-11-30 2013-12-31 Corning Incorporated Methods for forming grooves and separating strengthened glass substrate sheets
TWI599429B (zh) 2010-11-30 2017-09-21 康寧公司 在玻璃中形成高密度孔洞陣列的方法
TW201226345A (en) 2010-12-27 2012-07-01 Liefco Optical Inc Method of cutting tempered glass
KR101298019B1 (ko) 2010-12-28 2013-08-26 (주)큐엠씨 레이저 가공 장치
CN103282155B (zh) 2011-01-05 2015-08-05 株式会社之技术综合 光加工装置
WO2012096053A1 (ja) * 2011-01-11 2012-07-19 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法
JP5480169B2 (ja) * 2011-01-13 2014-04-23 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
CN102248302A (zh) * 2011-01-13 2011-11-23 苏州德龙激光有限公司 超短脉冲激光异形切割钢化玻璃的装置及其方法
US8539794B2 (en) 2011-02-01 2013-09-24 Corning Incorporated Strengthened glass substrate sheets and methods for fabricating glass panels from glass substrate sheets
JP2012159749A (ja) 2011-02-01 2012-08-23 Nichia Chem Ind Ltd ベッセルビーム発生装置
US8933367B2 (en) 2011-02-09 2015-01-13 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Laser processing method
CN103380482B (zh) 2011-02-10 2016-05-25 信越聚合物株式会社 单结晶基板制造方法及内部改质层形成单结晶部件
WO2012108054A1 (ja) 2011-02-10 2012-08-16 信越ポリマー株式会社 単結晶基板の製造方法および内部改質層形成単結晶部材の製造方法
DE102011000768B4 (de) 2011-02-16 2016-08-18 Ewag Ag Laserbearbeitungsverfahren und Laserbearbeitungsvorrichtung mit umschaltbarer Laseranordnung
US8584490B2 (en) 2011-02-18 2013-11-19 Corning Incorporated Laser cutting method
JP5193326B2 (ja) * 2011-02-25 2013-05-08 三星ダイヤモンド工業株式会社 基板加工装置および基板加工方法
US8776547B2 (en) 2011-02-28 2014-07-15 Corning Incorporated Local strengthening of glass by ion exchange
JP2012187618A (ja) 2011-03-11 2012-10-04 V Technology Co Ltd ガラス基板のレーザ加工装置
KR101253016B1 (ko) 2011-03-31 2013-04-15 아반스트레이트 가부시키가이샤 유리판의 제조 방법
CN103548038B (zh) 2011-04-07 2017-02-15 能通 无线识别标签、具有该标签的电子产品pcb、以及电子产品管理系统
US8986072B2 (en) 2011-05-26 2015-03-24 Corning Incorporated Methods of finishing an edge of a glass sheet
WO2012164649A1 (ja) 2011-05-27 2012-12-06 浜松ホトニクス株式会社 レーザ加工方法
TWI547454B (zh) 2011-05-31 2016-09-01 康寧公司 於玻璃中高速製造微孔洞的方法
KR20140024919A (ko) 2011-06-15 2014-03-03 아사히 가라스 가부시키가이샤 유리판의 절단 방법
JP2013007842A (ja) 2011-06-23 2013-01-10 Toyo Seikan Kaisha Ltd 構造体形成装置、構造体形成方法及び構造体
WO2013002165A1 (ja) 2011-06-28 2013-01-03 株式会社Ihi 脆性的な部材を切断する装置、方法、および切断された脆性的な部材
TWI572480B (zh) 2011-07-25 2017-03-01 康寧公司 經層壓及離子交換之強化玻璃疊層
WO2013016823A1 (en) 2011-07-29 2013-02-07 Ats Automation Tooling Systems Inc. Systems and methods for producing silicon slim rods
KR101120471B1 (ko) 2011-08-05 2012-03-05 (주)지엘코어 다중 초점 방식의 펄스 레이저를 이용한 취성 재료 절단 장치
US8635887B2 (en) 2011-08-10 2014-01-28 Corning Incorporated Methods for separating glass substrate sheets by laser-formed grooves
JP2013043808A (ja) 2011-08-25 2013-03-04 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス板切断用保持具及び強化ガラス板の切断方法
JPWO2013031655A1 (ja) 2011-08-29 2015-03-23 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、および強化ガラス板切断装置
CN103764579A (zh) 2011-08-31 2014-04-30 旭硝子株式会社 强化玻璃板的切断方法及强化玻璃板切断装置
MY169296A (en) 2011-09-09 2019-03-21 Hoya Corp Method of manufacturing an ion-exchanged glass article
CN105366929A (zh) 2011-09-15 2016-03-02 日本电气硝子株式会社 玻璃板切断方法及玻璃板切断装置
WO2013039230A1 (ja) 2011-09-15 2013-03-21 日本電気硝子株式会社 ガラス板切断方法
DE112011105635T5 (de) 2011-09-21 2014-08-28 Raydiance, Inc. Systeme und Verfahren zum Vereinzeln von Materialien
US10239160B2 (en) 2011-09-21 2019-03-26 Coherent, Inc. Systems and processes that singulate materials
JP5864988B2 (ja) 2011-09-30 2016-02-17 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板切断方法
FR2980859B1 (fr) 2011-09-30 2013-10-11 Commissariat Energie Atomique Procede et dispositif de lithographie
DE102011084128A1 (de) 2011-10-07 2013-04-11 Schott Ag Verfahren zum Schneiden eines Dünnglases mit spezieller Ausbildung der Kante
JP2013091578A (ja) 2011-10-25 2013-05-16 Mitsuboshi Diamond Industrial Co Ltd ガラス基板のスクライブ方法
US8867568B2 (en) * 2011-10-28 2014-10-21 Emulex Corporation Method for parsing network packets having future defined tags
KR101269474B1 (ko) 2011-11-09 2013-05-30 주식회사 모린스 강화글라스 절단 방법
US20130129947A1 (en) 2011-11-18 2013-05-23 Daniel Ralph Harvey Glass article having high damage resistance
US8677783B2 (en) 2011-11-28 2014-03-25 Corning Incorporated Method for low energy separation of a glass ribbon
KR20130065051A (ko) 2011-12-09 2013-06-19 삼성코닝정밀소재 주식회사 강화 글라스의 절단 방법 및 이를 이용한 터치스크린패널의 제조방법
KR101258403B1 (ko) * 2011-12-09 2013-04-30 로체 시스템즈(주) 강화유리 기판 절단방법
US9010154B2 (en) 2011-12-12 2015-04-21 Nippon Electric Glass Co., Ltd. Method of cleaving and separating a glass sheet
TW201332917A (zh) 2011-12-12 2013-08-16 Nippon Electric Glass Co 板玻璃的割斷分離方法以及板玻璃的割斷分離裝置
JP2013152986A (ja) 2012-01-24 2013-08-08 Disco Abrasive Syst Ltd ウエーハの加工方法
CN104125934A (zh) 2012-02-28 2014-10-29 伊雷克托科学工业股份有限公司 用于分离强化玻璃的方法及装置及由该强化玻璃生产的物品
US9895771B2 (en) 2012-02-28 2018-02-20 General Lasertronics Corporation Laser ablation for the environmentally beneficial removal of surface coatings
JP2015511571A (ja) 2012-02-28 2015-04-20 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 強化ガラスの分離のための方法及び装置並びにこれにより生成された製品
JP2015516352A (ja) 2012-02-29 2015-06-11 エレクトロ サイエンティフィック インダストリーズ インコーポレーテッド 強化ガラスを加工するための方法及び装置並びにこれにより生成された製品
US9082764B2 (en) 2012-03-05 2015-07-14 Corning Incorporated Three-dimensional integrated circuit which incorporates a glass interposer and method for fabricating the same
JP2013187247A (ja) 2012-03-06 2013-09-19 Nippon Hoso Kyokai <Nhk> インターポーザおよびその製造方法
TW201343296A (zh) 2012-03-16 2013-11-01 Ipg Microsystems Llc 使一工件中具有延伸深度虛飾之雷射切割系統及方法
JP2013203631A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断装置
TW201339111A (zh) 2012-03-29 2013-10-01 Global Display Co Ltd 強化玻璃的切割方法
JP2013203630A (ja) 2012-03-29 2013-10-07 Asahi Glass Co Ltd 強化ガラス板の切断方法
WO2013151660A1 (en) 2012-04-05 2013-10-10 Sage Electrochromics, Inc. Method of and apparatus for thermal laser scribe cutting for electrochromic device production; corresponding cut glass panel
JP2013216513A (ja) 2012-04-05 2013-10-24 Nippon Electric Glass Co Ltd ガラスフィルムの切断方法及びガラスフィルム積層体
JP2015120604A (ja) 2012-04-06 2015-07-02 旭硝子株式会社 強化ガラス板の切断方法、及び強化ガラス板切断システム
FR2989294B1 (fr) 2012-04-13 2022-10-14 Centre Nat Rech Scient Dispositif et methode de nano-usinage par laser
US20130288010A1 (en) 2012-04-27 2013-10-31 Ravindra Kumar Akarapu Strengthened glass article having shaped edge and method of making
KR20130124646A (ko) 2012-05-07 2013-11-15 주식회사 엠엠테크 강화 유리 절단 방법
US9365446B2 (en) 2012-05-14 2016-06-14 Richard Green Systems and methods for altering stress profiles of glass
CN102672355B (zh) 2012-05-18 2015-05-13 杭州士兰明芯科技有限公司 Led衬底的划片方法
DE102012010635B4 (de) 2012-05-18 2022-04-07 Leibniz-Institut für Oberflächenmodifizierung e.V. Verfahren zur 3D-Strukturierung und Formgebung von Oberflächen aus harten, spröden und optischen Materialien
JP6009225B2 (ja) 2012-05-29 2016-10-19 浜松ホトニクス株式会社 強化ガラス板の切断方法
US9938180B2 (en) 2012-06-05 2018-04-10 Corning Incorporated Methods of cutting glass using a laser
JP6022223B2 (ja) 2012-06-14 2016-11-09 株式会社ディスコ レーザー加工装置
JP6065910B2 (ja) 2012-07-09 2017-01-25 旭硝子株式会社 化学強化ガラス板の切断方法
AT13206U1 (de) 2012-07-17 2013-08-15 Lisec Maschb Gmbh Verfahren und Anordnung zum Teilen von Flachglas
TW201417928A (zh) * 2012-07-30 2014-05-16 Raydiance Inc 具訂製邊形及粗糙度之脆性材料切割
US8842358B2 (en) 2012-08-01 2014-09-23 Gentex Corporation Apparatus, method, and process with laser induced channel edge
KR101395054B1 (ko) 2012-08-08 2014-05-14 삼성코닝정밀소재 주식회사 강화유리 커팅 방법 및 강화유리 커팅용 스테이지
KR20140022981A (ko) 2012-08-14 2014-02-26 (주)하드램 기판 에지 보호유닛을 포함한 강화유리 레이저 절단 장치 및 방법
KR20140022980A (ko) 2012-08-14 2014-02-26 (주)하드램 강화유리 레이저 절단 장치 및 방법
WO2014028022A1 (en) 2012-08-16 2014-02-20 Hewlett-Packard Development Company, L.P. Diagonal openings in photodefinable glass
US20140047957A1 (en) 2012-08-17 2014-02-20 Jih Chun Wu Robust Torque-Indicating Wrench
JP5727433B2 (ja) 2012-09-04 2015-06-03 イムラ アメリカ インコーポレイテッド 超短パルスレーザでの透明材料処理
CN102923939B (zh) 2012-09-17 2015-03-25 江西沃格光电股份有限公司 强化玻璃的切割方法
CN102898014A (zh) 2012-09-29 2013-01-30 江苏太平洋石英股份有限公司 无接触激光切割石英玻璃制品的方法及其装置
CN102916081B (zh) * 2012-10-19 2015-07-08 张立国 一种薄膜太阳能电池的清边方法
LT6046B (lt) 2012-10-22 2014-06-25 Uab "Lidaris" Justiruojamų optinių laikiklių pakeitimo įrenginys ir sistema, turinti tokių įrenginių
US20140110040A1 (en) 2012-10-23 2014-04-24 Ronald Steven Cok Imprinted micro-louver structure method
DE102012110971A1 (de) 2012-11-14 2014-05-15 Schott Ag Trennen von transparenten Werkstücken
WO2014079478A1 (en) 2012-11-20 2014-05-30 Light In Light Srl High speed laser processing of transparent materials
KR20140064220A (ko) 2012-11-20 2014-05-28 에스케이씨 주식회사 보안필름의 제조방법
US9758876B2 (en) 2012-11-29 2017-09-12 Corning Incorporated Sacrificial cover layers for laser drilling substrates and methods thereof
US9346706B2 (en) 2012-11-29 2016-05-24 Corning Incorporated Methods of fabricating glass articles by laser damage and etching
CN203021443U (zh) 2012-12-24 2013-06-26 深圳大宇精雕科技有限公司 玻璃板水射流切割机
CN103013374B (zh) 2012-12-28 2014-03-26 吉林大学 仿生防粘疏水疏油贴膜
WO2014104368A1 (ja) 2012-12-29 2014-07-03 Hoya株式会社 磁気ディスク用ガラス基板および磁気ディスク
EP2754524B1 (de) 2013-01-15 2015-11-25 Corning Laser Technologies GmbH Verfahren und Vorrichtung zum laserbasierten Bearbeiten von flächigen Substraten, d.h. Wafer oder Glaselement, unter Verwendung einer Laserstrahlbrennlinie
WO2014121261A1 (en) * 2013-02-04 2014-08-07 Newport Corporation Method and apparatus for laser cutting transparent and semitransparent substrates
US10670510B2 (en) 2013-02-05 2020-06-02 Massachusetts Institute Of Technology 3-D holographic imaging continuous flow cytometry
US9498920B2 (en) 2013-02-12 2016-11-22 Carbon3D, Inc. Method and apparatus for three-dimensional fabrication
JP6071024B2 (ja) 2013-02-25 2017-02-01 コーニング インコーポレイテッド 薄いガラス板を製造する方法
CN103143841B (zh) 2013-03-08 2014-11-26 西北工业大学 一种利用皮秒激光加工孔的方法
KR102209964B1 (ko) 2013-03-13 2021-02-02 삼성디스플레이 주식회사 피코초 레이저 가공 장치
EP3473372B1 (en) 2013-03-15 2021-01-27 Kinestral Technologies, Inc. Method for cutting strengthened glass
EP2781296B1 (de) 2013-03-21 2020-10-21 Corning Laser Technologies GmbH Vorrichtung und verfahren zum ausschneiden von konturen aus flächigen substraten mittels laser
JP6186016B2 (ja) 2013-04-04 2017-08-23 エル・ピー・ケー・エフ・レーザー・ウント・エレクトロニクス・アクチエンゲゼルシヤフト 基板に貫通穴を開ける方法及び装置
KR101857336B1 (ko) 2013-04-04 2018-05-11 엘피케이에프 레이저 앤드 일렉트로닉스 악티엔게젤샤프트 기판을 분리시키기 위한 방법 및 장치
CN103273195B (zh) 2013-05-28 2015-03-04 江苏大学 激光间接冲击下金属薄板的微冲裁自动化装置及其方法
CN103316990B (zh) 2013-05-28 2015-06-10 江苏大学 脉冲激光驱动飞片加载薄板的微冲裁自动化装置及其方法
US9776891B2 (en) 2013-06-26 2017-10-03 Corning Incorporated Filter and methods for heavy metal remediation of water
KR101344368B1 (ko) 2013-07-08 2013-12-24 정우라이팅 주식회사 수직형 유리관 레이저 절단장치
CN103359948A (zh) 2013-07-12 2013-10-23 深圳南玻伟光导电膜有限公司 钢化玻璃的切割方法
KR20150009153A (ko) 2013-07-16 2015-01-26 동우 화인켐 주식회사 강화처리된 유리의 홀 형성 방법
US9102007B2 (en) 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for performing laser filamentation within transparent materials
US9102011B2 (en) 2013-08-02 2015-08-11 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method and apparatus for non-ablative, photoacoustic compression machining in transparent materials using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US9296646B2 (en) 2013-08-29 2016-03-29 Corning Incorporated Methods for forming vias in glass substrates
CN203509350U (zh) 2013-09-27 2014-04-02 东莞市盛雄激光设备有限公司 皮秒激光加工装置
CN103531414B (zh) 2013-10-14 2016-03-02 南京三乐电子信息产业集团有限公司 一种栅控行波管栅网的皮秒脉冲激光切割制备方法
US10017410B2 (en) 2013-10-25 2018-07-10 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of fabricating a glass magnetic hard drive disk platter using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US9517929B2 (en) 2013-11-19 2016-12-13 Rofin-Sinar Technologies Inc. Method of fabricating electromechanical microchips with a burst ultrafast laser pulses
US10005152B2 (en) 2013-11-19 2018-06-26 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for spiral cutting a glass tube using filamentation by burst ultrafast laser pulses
US11053156B2 (en) 2013-11-19 2021-07-06 Rofin-Sinar Technologies Llc Method of closed form release for brittle materials using burst ultrafast laser pulses
DE102013223637B4 (de) 2013-11-20 2018-02-01 Trumpf Laser- Und Systemtechnik Gmbh Verfahren zum Behandeln eines lasertransparenten Substrats zum anschließenden Trennen des Substrats
JP2017501951A (ja) 2013-11-25 2017-01-19 コーニング インコーポレイテッド 実質的に柱面を成す鏡面反射面の形状を決定するための方法
US10144088B2 (en) 2013-12-03 2018-12-04 Rofin-Sinar Technologies Llc Method and apparatus for laser processing of silicon by filamentation of burst ultrafast laser pulses
CN103746027B (zh) 2013-12-11 2015-12-09 西安交通大学 一种在ito导电薄膜表面刻蚀极细电隔离槽的方法
US10442719B2 (en) 2013-12-17 2019-10-15 Corning Incorporated Edge chamfering methods
US20150165560A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser processing of slots and holes
US9687936B2 (en) 2013-12-17 2017-06-27 Corning Incorporated Transparent material cutting with ultrafast laser and beam optics
US9701563B2 (en) 2013-12-17 2017-07-11 Corning Incorporated Laser cut composite glass article and method of cutting
US20150165563A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Stacked transparent material cutting with ultrafast laser beam optics, disruptive layers and other layers
US9815730B2 (en) 2013-12-17 2017-11-14 Corning Incorporated Processing 3D shaped transparent brittle substrate
US20150166393A1 (en) 2013-12-17 2015-06-18 Corning Incorporated Laser cutting of ion-exchangeable glass substrates
US9676167B2 (en) 2013-12-17 2017-06-13 Corning Incorporated Laser processing of sapphire substrate and related applications
US9850160B2 (en) 2013-12-17 2017-12-26 Corning Incorporated Laser cutting of display glass compositions
US10293436B2 (en) 2013-12-17 2019-05-21 Corning Incorporated Method for rapid laser drilling of holes in glass and products made therefrom
CN103831539B (zh) 2014-01-10 2016-01-20 合肥鑫晟光电科技有限公司 激光打孔方法及激光打孔系统
WO2015127583A1 (en) 2014-02-25 2015-09-03 Schott Ag Chemically toughened glass article with low coefficient of thermal expansion
JP6318756B2 (ja) 2014-03-24 2018-05-09 東レ株式会社 ポリエステルフィルム
TWI730945B (zh) 2014-07-08 2021-06-21 美商康寧公司 用於雷射處理材料的方法與設備
EP2965853B2 (en) 2014-07-09 2020-03-25 High Q Laser GmbH Processing of material using elongated laser beams
EP3169477B1 (en) 2014-07-14 2020-01-29 Corning Incorporated System for and method of processing transparent materials using laser beam focal lines adjustable in length and diameter
CN105481236A (zh) 2014-07-14 2016-04-13 康宁股份有限公司 用于切割叠层结构的系统和方法
KR102246728B1 (ko) * 2014-07-25 2021-04-30 삼성에스디아이 주식회사 절연층을 갖는 이차 전지
CN104344202A (zh) 2014-09-26 2015-02-11 张玉芬 一种有孔玻璃
EP3848334A1 (en) 2015-03-24 2021-07-14 Corning Incorporated Alkaline earth boro-aluminosilicate glass article with laser cut edge
WO2017091529A1 (en) 2015-11-25 2017-06-01 Corning Incorporated Methods of separating a glass web

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100673073B1 (ko) * 2000-10-21 2007-01-22 삼성전자주식회사 레이저 빔을 이용한 비금속 기판의 절단 방법 및 장치
JP2003154517A (ja) * 2001-11-21 2003-05-27 Seiko Epson Corp 脆性材料の割断加工方法およびその装置、並びに電子部品の製造方法
KR20110024553A (ko) * 2009-09-02 2011-03-09 삼성모바일디스플레이주식회사 기판 절단 장치 및 이를 이용한 기판 절단 방법
JP2011121119A (ja) * 2009-12-07 2011-06-23 Panasonic Corp テーパを有しない、または逆テーパを有する穴を開ける装置および方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11851363B2 (en) 2020-10-26 2023-12-26 Flexi Glass Co., Ltd. Method for manufacturing ultra-thin glass substrate and method for manufacturing display panel

Also Published As

Publication number Publication date
US20160368809A1 (en) 2016-12-22
EP3511302A1 (en) 2019-07-17
US20150165560A1 (en) 2015-06-18
WO2015095151A3 (en) 2015-09-11
TW201536463A (zh) 2015-10-01
SG10201902702XA (en) 2019-04-29
WO2015095151A2 (en) 2015-06-25
CN109909622A (zh) 2019-06-21
KR20210080612A (ko) 2021-06-30
TWI632975B (zh) 2018-08-21
SG11201605864RA (en) 2016-08-30
EP3083511A2 (en) 2016-10-26
US10233112B2 (en) 2019-03-19
MY185774A (en) 2021-06-07
TW201836752A (zh) 2018-10-16
KR102270486B1 (ko) 2021-06-29
KR102366530B1 (ko) 2022-02-23
CN109909622B (zh) 2020-12-01
EP3083511B1 (en) 2019-04-10
CN106029293B (zh) 2019-05-14
CN106029293A (zh) 2016-10-12
EP3511302B1 (en) 2022-01-26
TWI679077B (zh) 2019-12-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102270486B1 (ko) 슬롯 및 구멍의 레이저 가공
US10179748B2 (en) Laser processing of sapphire substrate and related applications
KR102423775B1 (ko) 투명 재료의 레이저 가공
US10392290B2 (en) Processing 3D shaped transparent brittle substrate
JP6588911B2 (ja) ガラスの3d形成
EP3245166B1 (en) Laser cutting of thermally tempered substrates using the multi photon absorption method
US10442719B2 (en) Edge chamfering methods
KR20190070340A (ko) 유리 기판에서 홀 및 슬롯의 생성
TW201601900A (zh) 雷射切割複合玻璃製品及切割方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
A107 Divisional application of patent
GRNT Written decision to grant