TWI679077B - 雷射鑽孔材料的方法及玻璃物件 - Google Patents

Abstract

本發明係關於切割及分離薄透明材料基板內部輪廓的製程，特別係玻璃。方法涉及採用超短脈衝雷射在基板中形成穿孔或孔，然後使用CO₂ 雷射光束促使在打孔線附近完全分離。

Description

雷射鑽孔材料的方法及玻璃物件

本申請案根據專利法法規主張西元2014年11月7日申請的美國專利申請案第14/536009號的優先權權益，美國專利申請案第14/536009號主張西元2013年12月17日申請的美國臨時專利申請案第61/917148號與西元2014年7月10日申請的美國臨時專利申請案第62/022855號的權益。該等申請案的全文教示內容以引用方式併入本文中。

本發明係關於槽與孔的雷射製程。

切割薄透明材料基板（例如玻璃）的孔與槽可利用聚焦雷射光束完成，聚焦雷射光束用於沿著孔或槽的輪廓剝離材料，其中多次掃程用於移除一層又一層材料，直到內栓不再附接基板外件為止。此製程的問題為需要多次雷射光束掃程（數十次或更多）來移除一層又一層材料，因而將產生大量剝離碎屑污染零件表面，並且會沿著輪廓邊緣產生許多次表面損壞（＞100微米（mm））。

因此，需有改良製程來切割孔與槽。

本文所述實施例係關於切割及分離薄透明材料基板內部輪廓的製程，特別係玻璃。

在一實施例中，雷射鑽孔材料的方法包括沿光束傳播方向觀察，使脈衝雷射光束聚焦於雷射光束焦線、在第一位置將雷射光束焦線引導至材料中，雷射光束焦線在材料內產生誘發吸收，誘發吸收沿著雷射光束焦線在材料內形成孔、令材料與脈衝雷射光束從第一位置開始沿著第一閉合輪廓彼此相對平移，從而沿著第一閉合輪廓在材料內雷射鑽出複數個孔、令材料與脈衝雷射光束從第一位置開始沿著第一閉合輪廓彼此相對平移，從而沿著第一閉合輪廓在材料內雷射鑽出複數個孔，及將二氧化碳（CO₂ ）雷射引導至第一閉合輪廓內的第二閉合輪廓周圍材料，以助於沿著第一閉合輪廓移除材料內栓。

示例性實施例描述如下。

茲揭示切割及分離薄透明材料基板內部輪廓的製程，特別係玻璃。方法涉及採用超短脈衝雷射在基板中形成穿孔或孔，然後使用CO₂ 雷射光束促使在打孔線附近完全分離。下述雷射製程以單一掃程形成各種玻璃全體切口，且具有低次表面損壞（＜75 mm）和極佳的表面粗糙度（Ra＜0.5 mm）。次表面損壞（SSD）定義為垂直玻璃件切割邊緣的裂紋或「裂痕」廣度。該等裂紋伸入玻璃件的距離量級將決定稍後研磨及拋光操作需移除的材料量，用以改善玻璃邊緣強度。可利用共焦顯微鏡觀察從裂紋的光散射，及測定裂紋在特定切割邊緣伸入玻璃主體的最大距離，以測量SSD。

一實施例係關於在不遭分離製程破壞的情況下，利用分離製程露出上述打孔製程形成的高品質邊緣，以切割及分離如玻璃材料內部輪廓的方法。如第1圖所示，自基板起始片切割零件時，零件包含外部或內部輪廓。如第1圖所示，藉由增設附加切割線（亦稱作「釋放線」），可使零件外部輪廓脫離片。然就內部輪廓而言，並未製作釋放線，因為釋放線會損壞關切零件。在一些情況下，就高應力材料與夠大的內部輪廓而言，內部零件會自行分離及脫落。然對小孔與槽來說（例如10 mm的孔、寬度小於數毫米的槽，例如£3 mm或£2 mm、或甚至£1 mm），即便係應力材料，內部零件也不會脫落。孔通常定義為截面呈圓形或實質圓形的特徵結構。反之，槽通常具有極橢圓特徵結構，例如長度與寬度深寬比（例如截面或從頂部或底部觀看）＞4：1的特徵結構，一般為³5：1，例如1.5 mm×15 mm、或3 mm×15 mm、或1 mm×10 mm或1.5 mm×7 mm等。槽可具有圓角，或者轉角可為銳狀（90度）特徵結構。

分離內部輪廓（例如智慧型手機上「復位」或電源鈕所需的玻璃件內孔）的挑戰在於即使輪廓已妥善打孔且裂紋在周圍綿延，材料內栓仍受到壓縮壓力並被栓周圍材料卡住到位。此意即具挑戰部分係使栓掉落的自動脫離製程。無論待切割材料是否為高應力且易形成裂紋，例如如Gorilla®玻璃的化學強化玻璃基板或如Eagle XG®玻璃的低應力材料，此問題都會發生。高應力玻璃係中心（玻璃厚度中心）張力大於約24兆帕（MPa）的玻璃；低應力玻璃的中心張力通常小於約24 MPa。

本申請案大體係針對以控制方式自玻璃基板精確切割及分離任意形狀的雷射方法和設備，並具微量碎屑且對零件邊緣有最小損壞，以保留強度。先進雷射方法依賴材料對線性轄域雷射波長的穿透度或低雷射強度而可維持乾淨又原始的表面品質，及依賴雷射焦點周圍高強度區域產生的較少次表面損壞。促成此製程的關鍵之一為超短脈衝雷射形成的高深寬比缺陷。藉此可形成從待切割材料頂部延伸到底表面的故障線。原則上，此缺陷可以單一雷射脈衝形成，若有需要，可使用附加脈衝來增加影響區域的延伸度（深度與寬度）。

使用短脈衝皮秒雷射和產生焦線的光學元件，在玻璃片中打孔形成閉合輪廓。穿孔直徑小於數微米，穿孔間距通常為1-15 mm，穿孔會貫穿玻璃片。

為形成弱點以助於移除材料，接著可選擇性用相同製程，在離第一輪廓內側數百微米處打孔形成附加輪廓。

具夠高功率密度供剝離玻璃材料的聚焦CO₂ 雷射光束接著環繞第二輪廓描跡，造成玻璃材料破碎及移除。可採行一或更多雷射掃程。高壓輔助氣體亦被迫與CO₂ 光束共線通過噴嘴，以提供額外力量驅使玻璃材料離開較大玻璃件。

切割及分離透明材料的方法本質上係基於用超短波脈衝雷射在待處理材料上形成故障線。視材料性質（吸收比、CTE、應力、組成等）與選以處理預定材料的雷射參數而定，僅形成故障線已足以引發自行分離。具顯著（即大於約24 MPa）內部或中心張力（CT）的強化玻璃（在切割前已經離子交換）大多為此情況。在此情況下，無需第二分離製程，例如張力/彎曲力或CO₂ 雷射。

在一些情況下，形成故障線並不足以自動分離玻璃。顯示玻璃通常為此情況，例如Eagle XG®、Lotus或在任何離子交換步驟前切割的可離子交換玻璃。故需要第二製程步驟。若期如此，則例如可用第二雷射產生熱應力而分離之。以Corning代碼2320 NIOX（非離子交換Gorilla®玻璃3）為例，發現藉由施加機械力或用紅外線CO₂ 雷射光束描繪現存故障線軌跡以產生熱應力及迫使零件自行分離，可在形成缺陷線後達成分離。另一選項為使CO₂ 雷射只啟動分離並手動完成分離。選擇性CO₂ 雷射分離可由散焦（即在玻璃的光點尺寸直徑為2-12 mm）連續波雷射達成，散焦連續波雷射係以10.6 mm發射且功率可藉由控制工作週期調整。藉由改變光點尺寸，聚焦變化（即散焦程度）可用於改變誘發熱應力。形成打孔線後，CO₂ 誘發分離玻璃通常可藉由使用約40瓦（W）的功率、約2 mm的光點尺寸和約14-20公尺/分鐘的光束橫切速率達成。

然即使在形成缺陷線後，玻璃具有足夠的內部應力來啟動自行分離，切割輪廓的幾何形狀也會妨礙內部玻璃零件釋放。閉合或內部輪廓大多為此情況，例如簡單的孔或槽。口孔內部將因玻璃片存有壓縮力而留在原地-裂紋會在打孔缺陷間綿延，但沒有空間供部件脫離母片。 形成缺陷或打孔線

在第一製程步驟方面，有數種方法來形成缺陷線。形成焦線的光學方法可採取多種形式：利用環形雷射光束與球面透鏡、旋轉三稜鏡透鏡、繞射元件或其他方法來形成高強度線性區。雷射類型（皮秒、飛秒等）和波長（IR、綠光、UV等）亦可很多樣，只要能達到足使基板材料崩解的光學強度即可。此波長例如為1064、532、355或266奈米。

超短脈衝雷射可結合產生焦線的光學元件使用，以完全打穿一定範圍的玻璃組成主體。在一些實施例中，個別脈衝的脈寬為大於約1皮秒至小於約100皮秒，例如大於約5皮秒至小於約20皮秒，個別脈衝重複率為約1千赫至4兆赫，例如約10千赫至650千赫。

除了依上述個別脈衝重複率的單一脈衝操作，還可在二或更多脈衝（例如3個脈衝、4個脈衝、5個脈衝、10個脈衝、15個脈衝、20個脈衝或以上）的衝串內產生脈衝，脈衝衝串內的各脈衝間隔約1奈秒至約50奈秒的時間，例如10-50奈秒或10-30奈秒，例如約20奈秒，衝串重複頻率可為約1千赫至約200千赫。（叢發或產生脈衝衝串乃雷射操作類型，其中脈衝發射並非均勻穩定流，而是緊湊的脈衝叢集。）脈衝衝串的雷射光束波長可選擇使該波長實質可穿透材料。於材料測量的每衝串平均雷射功率可為大於40微焦耳每毫米材料厚度，例如40微焦耳/毫米至2500微焦耳/毫米或200至800微焦耳/毫米。例如，就0.5 mm-0.7 mm厚的Corning 2320非離子交換玻璃而言，可使用200微焦耳脈衝衝串來切割及分離玻璃，例如285-400微焦耳/毫米。玻璃相對雷射光束移動（或雷射光束相對玻璃平移），以形成描繪任何預定零件形狀的打孔線。

雷射形成穿透整個玻璃深度的似孔缺陷區（或損壞軌跡或缺陷線），內部開口的直徑例如為約1微米。該等穿孔、缺陷區、損壞軌跡或缺陷線通常相隔1至15微米（例如2-12微米或3-10微米）。缺陷線例如延伸穿過玻璃片厚度且垂直玻璃片的主要（平坦）表面。

在一實施例中，超短（約10皮秒）叢發脈衝雷射用於以一致、可控制及可重複的方式形成高深寬比垂直缺陷線。能形成垂直缺陷線的光學裝置細節將描述於後與西元2013年1月15日申請的美國專利申請案第61/752,489號。此概念本質係使用光學透鏡組件的旋轉三稜鏡透鏡元件，以利用超短（皮秒或飛秒時間）貝索（Bessel）光束形成高深寬比無錐（taper-free）微通道區。換言之，旋轉三稜鏡將雷射光束集中到高深寬比（長度長且直徑小）圓柱形區。由於集中雷射光束產生高強度，雷射電磁場會與材料產生非線性交互作用，使雷射能轉移到基板。然重要的是要明白，在雷射能量強度不夠高的區域（即玻璃表面、圍繞中心輻合線的玻璃體積），因雷射強度低於非線性閥值，故不會對玻璃造成影響。

參照第2A圖及第2B圖，雷射鑽孔材料的方法包括沿光束傳播方向觀察，使脈衝雷射光束2聚焦於雷射光束焦線2b。如第3圖所示，雷射3（未圖示）朝光學組件6的光束入射側2a發射雷射光束2，以入射到光學組件6。光學組件6在預定擴大範圍內沿光束方向（焦線長度l）使入射雷射光束轉入輸出側的外延雷射光束焦線2b。光學組件與雷射光束2的雷射光束焦線2b至少部分重疊後，將待處理平面基板1放到光束路徑上。元件符號1a代表平面基板分別面向光學組件6或雷射的表面，元件符號1b代表基板1的反面，二者通常平行隔開。基板厚度（垂直平面1a、1b測量，即基板平面）標為d。

如第2A圖所示，基板1垂直對準光束縱軸而至光學組件6產生的同一焦線2b後面（基板垂直圖面），且沿光束方向觀察，基板乃相對焦線2b設置使焦線2b（沿光束方向觀察）始於基板表面1a前且止於基板表面1b前，即仍在基板內。在雷射光束焦線2b與基板1重疊的區域，即焦線2b覆蓋的基板材料，沿光束縱向觀察，外延雷射光束焦線2b將產生（若沿雷射光束焦線2b有適當雷射強度，此可藉由雷射光束2聚焦於長度段l（即焦線長度l）而確保達成）延伸區段2c，沿著光束縱向會在基板材料內產生誘發吸收，以致沿著區段2c在基板材料內形成缺陷線或裂紋。裂紋形成不僅在局部，還會覆蓋誘發吸收延伸區段2c的全長。區段2c的長度（即究竟係雷射光束聚焦線2b與基板1重疊的長度）標為L。誘發吸收區段（基板1形成裂紋的材料區段）的平均直徑或平均延伸度標為D。平均延伸度D基本上對應雷射光束焦線2b的平均直徑d，即平均光點直徑為約0.1 mm至約5 mm。

如第2A圖所示，雷射光束2的波長l可穿透的基板材料因沿著焦線2b的誘發吸收而受熱。第2B圖圖示變熱材料最終將膨脹，對應引起的張力則導致微裂紋形成，張力在表面1a處最大。

可施用於產生焦線2b的具體光學組件6和可應用該等光學組件的具體光學裝置將描述於後。所有組件或裝置係以上述為基礎，故相同的元件符號表示相同的部件或特徵結構或具相等功能者。因此，以下僅描述差異處。

由於最終造成分離的分離面係或需具高品質（在抗斷強度、幾何精度、粗糙度和避免再加工要求方面），應利用下述光學組件（以下光學組件或亦稱作雷射光學元件）沿著分離線5產生待置於基板表面的個別焦線。粗糙度特別係因焦線的光點尺寸或光點直徑所致。若雷射3具特定波長l（與基板1的材料交互作用），則為達如0.5 mm至2 mm的小光點尺寸，雷射光學元件6的數值孔徑通常需符合某些要求。下述雷射光學元件6符合這些要求。

為達所需數值孔徑，光學元件一方面需根據已知阿比（Abbé）公式（N.A.=nsin(q)，n：待處理玻璃的折射率，q：二分之一孔徑角；q=arctan(D/2f)，D：孔徑，f：焦距），就特定焦距處置所需開口。另一方面，雷射光束需照射光學元件至所需孔徑，此通常可利用雷射與聚焦光學元件間的增幅望遠鏡加寬光束達成。

為達到沿著焦線均勻交互作用的目的，光點尺寸不應變化太劇烈。此確保達成方式（參見以下實施例）例如為只在圓形小區域照射聚焦光學元件，使光束開口和數值孔徑百分比僅些微改變。

根據第3A圖（於雷射輻射雷射光束中的中心光束位準垂直基板平面的截面；在此雷射光束2的中心較佳亦垂直入射到基板平面，即角度為0度，使得焦線2b或誘發吸收延伸區段2c平行基板法線），雷射3發射的雷射輻射2a先引導至圓形孔徑8，孔徑8對所用雷射輻射為完全不透光。孔徑8經定向垂直光束縱軸且置中在光束2a的中心光束。孔徑8的直徑乃選擇使光束2a中心附近的光束或照射孔徑的中心光束（在此標為2aZ）完全被吸收。只有光束2a外圍的光束（邊緣射線，在此標為2aR）因孔徑尺寸比光束直徑小而不被吸收，但會側向通過孔徑8及照射光學組件6的聚焦光學元件的邊緣區域，此在此設計成球面切割雙凸透鏡7。

置於中心光束中心的透鏡7故意設計成共同球面切割透鏡形式的非校正雙凸聚焦透鏡。換言之，係故意使用此類透鏡的球面像差。或者，也可使用背離理想校正系統的非球面或多透鏡系統，該系統不形成理想焦點，而是預定長度的清晰細長焦線（即不具單焦點的透鏡或系統）。故受制於與透鏡中心的距離，透鏡區可沿著焦線2b聚焦。孔徑8橫越光束方向的直徑係光束直徑（光束直徑由減至1/e² 的延伸度定義）（強度）的約90%且為光學組件6的透鏡直徑的約75%。故採用非像差校正球面透鏡7藉由阻擋中心光束而產生的焦線2b。第3A圖圖示通過中心光束的平面截面，當所示光束繞著焦線2b旋轉時，可看到完整的三維束。

此焦線的缺點在於沿著焦線和沿著材料預定深度的條件（光點尺寸、雷射強度）有所不同，故可能只能在部分焦線選擇預定交互作用類型（無熔化、誘導吸收、熱塑變形至裂紋形成）。此又意味著只有部分入射雷射光可以預期方式吸收。依此，一方面將削弱製程效率（預定分離速度所需的平均雷射功率），另一方面，雷射光可能傳遞到不當深處（黏接至基板或基板夾持固定件的零件或層），並以不當方式（加熱、擴散、吸收、不當改質）在此交互作用。

第3B-1-4圖圖示（不僅表示第3A圖的光學組件，基本上還可表示任何其他可應用光學組件6）藉由相對基板1適當定位及/或對準光學組件6及適當選擇光學組件6的參數，可不同地定位雷射光束焦線2b。如第3B-1圖所示，焦線2b的長度l經調整而超過基板厚度d（在此為因子2）。若基板1（沿光束縱向觀察）置於焦線2b中心，則誘發吸收延伸區段2c將在整個基板厚度產生。

在第3B-2圖所示情況下，產生焦線2b具有長度l，長度l實質和基板厚度d一樣。當相對線2設置基板1使線2b從較早位置開始時，即基板外，誘發吸收延伸區段2c的長度L（從基板表面延伸到預定基板深度，但未及反面1b）小於焦線2b的長度l。第3B-3圖圖示基板1（沿光束方向觀察）部分設置在焦線2b的起始點前的情況，此亦適用線2b的長度l＞L（L=基板1中的誘發吸收延伸區段2c）。故焦線始於基板內及延伸過反面1b而至基板後面。第3B-4圖最後圖示產生焦線長度l小於基板厚度d的情況，故若相對焦線置中定位基板（沿入射方向觀察），則焦線始於基板內表面1a附近且止於基板內表面1b附近（l=0.75×d）。

特別有利的係將焦線定位成至少一表面1a、1b被焦線覆蓋，即誘發吸收區段2c始於至少一表面。如此可達成幾近理想的切割，並可避免剝離、羽化及表面粒化。

第4圖圖示另一可應用光學組件6。因基本構造遵循第3A圖，故以下僅描述差異處。所示光學組件係基於使用具無非球面表面的光學元件來產生焦線2b且經塑形以形成預定長度l的焦線。為此，非球面可用作光學組件6的光學元件。在第4圖中，例如使用所謂錐形稜鏡，此通常亦稱作旋轉三稜鏡。旋轉三稜鏡係特殊的錐形切割透鏡，旋轉三稜鏡沿著光軸於線上形成點源（或將雷射光束轉換成環）。旋轉三稜鏡的佈局原則上為熟諳此技術者所知悉；在此實例中，錐角為10度。旋轉三稜鏡9的頂點指向入射方向且集中在光束中心。由於旋轉三稜鏡9的焦線2b已始於內部，故基板1（在此垂直對準光束主軸）可設在旋轉三稜鏡9正後方的光束路徑。如第4圖所示，因旋轉三稜鏡的光學特性，亦可沿著光束方向平移基板1，又不會離開焦線範圍。因此，基板1材料中的誘發吸收延伸區段2c將延伸整著基板厚度d。

然所示佈局受到下列限制。由於旋轉三稜鏡9的焦線已始於透鏡內，故若透鏡與材料間的距離有限，則大部分雷射能不會聚焦到焦線2b的區段2c，區段2c位於材料內。另外，就可用折射率與旋轉三稜鏡9的錐角而言，焦線2b的長度l與光束直徑有關，故若材料很薄（數毫米），則總體焦線將太長，導致雷射能同樣無法特別聚焦到材料。

此乃加強光學組件6的原因，光學組件6包含旋轉三稜鏡和聚焦透鏡。第5A圖圖示光學組件6，其中具無非球面表面以形成外延雷射光束焦線2b的第一光學元件（沿光束方向觀察）設在雷射3的光學路徑。在第5A圖所示情況下，第一光學元件係錐角5度的旋轉三稜鏡10，旋轉三稜鏡10設置垂直光束方向及置於雷射光束3中心。旋轉三稜鏡的頂點定向朝光束方向。第二聚焦光學元件（在此為平凸透鏡11並定向朝旋轉三稜鏡彎曲）沿光束方向設置且距旋轉三稜鏡10一距離z1。距離z1乃選擇使旋轉三稜鏡10形成的雷射輻射圓形入射透鏡11的邊緣區域，在此例為約300 mm。透鏡11將圓形輻射聚焦到距離z2處具預定長度（在此例為1.5 mm）的焦線2b的輸出側，在此例為距透鏡11約20 mm。透鏡11的有效焦距在此為25 mm。雷射光束經由旋轉三稜鏡10的圓形轉換標為SR。

第5B圖詳細圖示根據第5A圖形成焦線2b或基板1材料內的誘發吸收2c。元件10、11的光學特性和元件定位乃選擇使焦線2b沿光束方向的延伸度l恰和基板1的厚度d一樣。故需沿著光束方向精確定位基板1，以將焦線2b精確定位在基板1的二表面1a與1b之間，此如第5B圖所示。

因此，若離雷射光學元件一定距離形成焦線且若大部分的雷射輻射聚焦到預定焦線端係有利的。如同所述，此可藉由只圓形照射所需區域的主要聚焦元件11（透鏡）達成，此一方面用於實現所需數值孔徑與所需光點尺寸，然另一方面，因基本上係形成圓形光點，故圓形擴散會削弱所需焦線2b越過很短距離後的光點中心強度。如此，裂紋將在所需基板的很短深度距離內停止形成。結合旋轉三稜鏡10與聚焦透鏡11可符合此要求。旋轉三稜鏡以兩種不同方式運作。因旋轉三稜鏡10所致，通常呈圓形的雷射光點會以環形式發送到聚焦透鏡11，旋轉三稜鏡10的非球面性能使焦線形成在透鏡焦面後面、而非在焦面的焦點。焦線2b的長度l可由旋轉三稜鏡的光束直徑調整。另一方面，沿著焦線的數值孔徑可由旋轉三稜鏡-透鏡距離z1和旋轉三稜鏡的錐角調整。如此，整個雷射能可集中於焦線。

若裂紋形成（即缺陷線）應繼續綿延到基板的出射側，則圓形照射仍有好處，一方面，大部分的雷射光仍集中在所需焦線長度，故可以最佳可行方式使用雷射功率，另一方面，圓形照射區結合利用其他光學功能的預定像差裝置使用，故可沿著焦線達成均勻光點尺寸，進而沿著焦線達成均勻分離製程。

亦可用聚焦彎月形透鏡或另一高階校正聚焦透鏡（非球面多透鏡系統）代替第5A圖所示平凸透鏡。

為用第5A圖所示旋轉三稜鏡與透鏡組合物產生很短的焦線2b，需選擇光束直徑很小的雷射光束入射到旋轉三稜鏡。此實際上有所缺失：將光束置中在旋轉三稜鏡頂點必須非常精確，是以結果深受雷射方向變異（光束漂移穩定性）影響。另外，嚴格準直的雷射光束很容易發散，即光偏折致使光束在短距離內即變模糊。

如第6圖所示，藉由插入另一透鏡（準直透鏡12），可避免上述影響，正透鏡12可進一步用以十分嚴格地調整聚焦透鏡11的圓形照度。準直透鏡12的焦距f乃選擇使預定圓形直徑dr為旋轉三稜鏡至準直透鏡12的距離z1a，此等於f。預定環寬度br可由距離z1b（準直透鏡12至聚焦透鏡11）調整。純粹基於幾何學，小圓形照射寬度會造成短焦線。距離f處將達最小值。

第6圖所示光學組件6係基於第5A圖，故以下僅描述差異處。準直透鏡12（在此亦設計成平凸透鏡並朝光束方向彎曲）另置於旋轉三稜鏡10（頂點朝光束方向）一側與平凸透鏡11另一側間的光束路徑中心。準直透鏡12距旋轉三稜鏡10的距離標為z1a，聚焦透鏡11距準直透鏡12的距離標為z1b，產生焦線2b距聚焦透鏡11的距離標為z2（永遠沿光束方向觀察）。如第6圖所示，旋轉三稜鏡10形成的圓形輻射SR依準直透鏡12的圓形直徑dr發散入射，且就至少大致恆定的圓形直徑dr在聚焦透鏡11調整成沿著距離z1b所需的圓形寬度br。在所示情況下，應會產生很短的焦線2b，因透鏡12的聚焦性質所致，透鏡12處約4 mm的圓形寬度將減為透鏡11處的約0.5 mm（在此實例中，圓形直徑dr為22 mm）。

在所示實例中，可利用2 mm的典型雷射光束直徑、焦距f=25 mm的聚焦透鏡11和焦距f=150 mm的準直透鏡，使焦線長度l小於0.5 mm。另應用z1a=z1b=140 mm，及z2=15 mm。

第7A圖至第7C圖圖示不同雷射強度轄域的雷射-物質交互作用。在第一例中，如第7A圖所示，未聚焦雷射光束710在未引起任何改質的情況下穿透透明基板720。在此特例中，不存在非線性作用，因為雷射能量密度（或光束照射的每單位面積雷射能量）低於引起非線性作用所需的閥值。能量密度越高，電磁場強度越強。故如第7B圖所示，當雷射光束經球面透鏡730聚焦成小光點尺寸時，如第7B圖所示，照射面積縮小且能量密度增加，導致引發非線性作用，此將改質材料，進而只在符合條件的體積中形成故障線。依此，若聚焦雷射光束腰寬位於基板表面，則將改質表面。反之，若聚焦雷射光束腰寬位於基板表面下方，則能量密度低於非線性光學作用閥值時，表面不會發生變化。但在位於大塊基板720的焦點740處，雷射強度足以引發多光子非線性作用而損壞材料。最後，如第7C圖所示，以旋轉三稜鏡為例，如第7C圖所示，旋轉三稜鏡透鏡750或菲涅耳旋轉三稜鏡的繞射圖案會產生干涉，從而產生貝索形強度分布（高強度圓柱760），且只有該體積的強度夠強來產生非線性吸收及改質材料720。圓柱760的直徑亦為所述雷射光束焦線的光點直徑，其中貝索形強度分布足以產生非線性吸收及改質材料。貝索光束的光點直徑D可表示成D=(2.4048l)/(2pB)，其中l係雷射光束波長，B係轉向角函數。

注意所述典型皮秒雷射操作將產生脈衝500A的「衝串」500（例如參見第8A圖及第8B圖）。每一「衝串」（在此亦稱作「脈衝衝串」500）含有多個時間很短的個別脈衝500A（例如至少2個脈衝、至少3個脈衝、至少4個脈衝、至少5個脈衝、至少10個脈衝、至少15個脈衝、至少20個脈衝或以上）。即，脈衝衝串係一「袋」脈衝，衝串間隔脈寬大於各衝串內相鄰脈衝間隔脈寬。脈衝500A的脈寬T_d 為至多100皮秒，例如0.1皮秒、5皮秒、10皮秒、15皮秒、18皮秒、20皮秒、22皮秒、25皮秒、30皮秒、50皮秒、75皮秒或介於其間。衝串內各個別脈衝500A的能量或強度可不同於衝串內其他脈衝，受控於雷射設計，衝串500內多個脈衝的強度分布通常隨時間呈指數衰減。較佳地，所述示例性實施例衝串500內各脈衝500A與衝串內隨後脈衝在時間上間隔1奈秒至50奈秒的時間T_p （例如10-50奈秒或10-30奈秒，時間通常受控於雷射腔設計）。就特定雷射而言，衝串500內相鄰脈衝（脈衝至脈衝間隔）的間隔時間T_p 相當均勻（±10%）。例如，在一些實施例中，衝串內各脈衝與後續脈衝在時間上間隔約20奈秒（50兆赫）。例如，就產生約20奈秒脈衝間隔的雷射而言，衝串內脈衝至脈衝間隔T_p 維持在約±10%內或約±2奈秒。各脈衝「衝串」間的時間（即衝串間隔時間T_b ）將長很多，例如0.25≤T_b ≤1000微秒，例如1-10微秒或3-8微秒。在所述一些示例性實施例中，就脈衝叢發重複率或頻率約200千赫的雷射而言，間隔時間T_b 為約5微秒，雷射叢發重複率與一衝串內第一脈衝與後一衝串內第一脈衝間的時間T_b 有關（雷射叢發重複率=1/T_b ）。在一些實施例中，雷射叢發重複率為約1千赫至約4兆赫。更佳地，雷射叢發重複率例如為約10千赫至650千赫。各衝串內第一脈衝與後續衝串內第一脈衝間的時間T_b 可為0.25微秒（4兆赫叢發重複率）至1000微秒（1千赫叢發重複率），例如0.5微秒（2兆赫叢發重複率）至40微秒（25千赫叢發重複率）或2微秒（500千赫叢發重複率）至20微秒（50千赫叢發重複率）。確切時序、脈寬和叢發重複率因雷射設計而異，但以高強度短脈衝（T_d ＜20皮秒，較佳地，T_d £15皮秒）運作尤佳。

改質材料所需能量可就叢發能量（衝串內含能量，各衝串500含有一串脈衝500A）或單一雷射脈衝內含能量（多個雷射脈衝可包含一衝串）方面說明。就該等應用而言，每衝串能量可為25-750微焦耳（mJ），更佳為50-500 mJ或50-250 mJ。在一些實施例中，每衝串能量為100-250 mJ。脈衝衝串內的個別脈衝能量較少，確切的個別雷射脈衝能量取決於脈衝衝串內的脈衝500A數量和雷射脈衝隨時間的衰減率（例如指數衰減率），此如第8A圖及第8B圖所示。例如，就恆定能量/衝串而言，若脈衝衝串含有10個個別雷射脈衝500A，則各個別雷射脈衝500A所含能量比相同脈衝衝串500僅具2個個別雷射脈衝時少。

使用能產生脈衝衝串的雷射有利於切割或改質透明材料，例如玻璃。相對於使用在時間上由單一脈衝雷射重複率隔開的單一脈衝，使用脈衝衝串序列（雷射能散佈遍及衝串500內的快速脈衝序列）比起使用單一雷射脈衝更能存取較大時間標度與材料高強度交互作用。雖然單一脈衝可擴增時間，但若如此，脈衝內的強度需下降約1/脈寬。故若10皮秒單一脈衝擴增成10奈秒脈衝，則強度將下降約三個數量級。如此下降會使光學強度降低到非線性吸收不再顯著且輕微材料交互作用不再足以供作切割的程度。反之，利用脈衝叢發雷射時，衝串500內各脈衝500A期間的強度可維持得很高，例如間隔時間約10奈秒的三個10皮秒脈衝500A仍可使各脈衝強度比單一10皮秒脈衝高約3倍，同時雷射容許在現已大三個數量級的時間標度內與材料交互作用。調整衝串內多個脈衝可操縱雷射-材料交互作用的時間標度，以助於增加或減少光與預存電漿捲流交互作用、增加或減少光-材料與預先遭初始或先前雷射脈衝激發的原子和分子交互作用，及增加或減少材料加熱而促進控制微裂紋生長。改質材料所需的叢發能量取決於基板材料組成和與基板交互作用的焦線長度。交互作用區越長，能量散佈越多，且需要越高的叢發能。確切時序、脈寬和叢發重複率因雷射設計而異，但此技術以高強度短脈衝（＜15皮秒或£10皮秒）運作尤佳。當單一脈衝衝串本質上照在玻璃上同一位置時，缺陷線或孔將形成於材料中。即，單一衝串內多個脈衝對應玻璃上的單一缺陷線或孔位置。當然，由於玻璃平移（例如利用恆定移動平臺）或光束相對玻璃移動，衝串內個別脈衝不會位在玻璃板上完全相同的空間位置。然脈衝彼此在1 mm內仍屬適當，即照在玻璃上本質相同的位置。例如，脈衝彼此按間隔sp照射玻璃，其中0＜sp£500 nm。例如，當玻璃位置遭20個脈衝的衝串衝擊時，衝串內個別脈衝彼此按250 nm內照射玻璃。故在一些實施例中，1 nm＜sp＜250 nm。在一些實施例中，1 nm＜sp＜100 nm。

多光子作用或多光子吸收（MPA）係同時吸收具相同或不同頻率的二或更多光子，使分子從某態（通常為基態）激發到更高能電子態（離子化）。分子涉及的高低態能量差等於二光子的能量和。MPA亦稱作誘發吸收，且可為二級、三級或更高級製程，例如比線性吸收弱數個數量級。MPA與線性吸收的差別例如為誘發吸收強度與光強度的平方或立方（或更高冪次）呈比例關係、而非與光強度本身呈比例關係。故MPA係非線性製程。

當基板在聚焦雷射光束底下平移時，缺陷線（損壞軌跡）間的側向間隔（節距）由雷射脈衝率決定。通常只需單一皮秒雷射脈衝衝串來形成整個孔，但亦可依需求使用多個衝串。為形成不同節距的損壞軌跡（缺陷線），雷射可以更長或更短區間觸發點燃。在切割操作方面，雷射觸發通常與光束底下的工件平臺驅動動作同步，故可按固定間隔觸發雷射脈衝衝串，例如每隔1微米或每隔5微米。在一些實施例中，相鄰穿孔或缺陷線間沿著故障線方向的距離或週期性例如為大於0.1微米且小於或等於約20微米。例如，相鄰穿孔或缺陷線間的間隔或週期性可為0.5至15微米、或3至10微米、或0.5微米至3.0微米。例如，在一些實施例中，週期性可為2微米至8微米。

茲發現使用在焦線大致呈圓柱體積內具一定脈衝體積能量密度（mJ/mm³ ）的脈衝叢發雷射更適合在玻璃中形成打孔輪廓。此例如可藉由使用脈衝叢發雷射達成，較佳為每衝串具至少二脈衝，及在鹼土硼鋁矽酸鹽玻璃（具少量或不含鹼金屬）內提供約0.005 mJ/mm³ 或以上的體積能量密度，以確保形成損壞軌跡，但小於0.100 mJ/mm³ ，以免過度損壞玻璃，例如0.005 mJ/mm³ -0.100 mJ/mm³ 。 內部輪廓製程

第1圖圖示待解決的問題。自玻璃片20切割零件22。為釋放零件外部輪廓，可於大玻璃片切割附加釋放線，致使任何裂痕線延伸到片邊緣，造成玻璃斷成片段而可移除。然就內部輪廓而言，例如手機上的復位鈕所需輪廓，形成附加釋放線可能會切穿關切零件。故內孔或槽將「卡住到位」而難以移除。即使玻璃係高應力且裂紋從穿孔綿延到孔或槽外徑的穿孔，因材料太剛硬及受到壓縮力約束，內部玻璃仍無法脫離。

釋放大孔的方式係先打孔形成孔輪廓，接著進行雷射加熱製程，例如利用CO₂ 雷射，加熱內部玻璃件，直到軟化並足以順應掉落為止。此非常適用大孔直徑和薄材料。然隨著玻璃栓的深寬比（厚度/直徑）變大，此方法益發困難。例如，採用此方法可自0.7 mm厚玻璃釋放直徑10 mm的孔，但無法一再在相同玻璃厚度釋放小於4 mm的孔。

第8C圖圖示解決此問題的製程，且已成功用於自0.7 mm厚、代碼2320玻璃（離子交換與非離子交換）分離直徑小至1.5 mm的孔，及形成寬度與半徑小至1.5 mm的槽。步驟1-利用皮秒脈衝叢發製程定義預定切割的輪廓形狀（例如孔、槽），以在玻璃片20中打孔形成第一輪廓24。例如，就Corning代碼2320、0.7 mm厚的非離子交換玻璃而言，210 mJ的叢發衝串用於對材料定距打孔，及按4 mm節距形成損壞軌跡或缺陷線。視確切材料而定，亦可採用其他損壞軌跡間隔，例如1-15微米、或3-10微米或3-7微米。就如上述可離子交換玻璃而言，3-7微米節距可運作得很好，但對其他玻璃來說，例如顯示玻璃Eagle XG，最好係更小節距，例如1-3微米。在所述實施例中，典型的脈衝叢發雷射功率為10-150 W，就許多玻璃而言，25-60 W的雷射功率已足夠。

步驟2-利用相同雷射製程形成第二打孔線26，以於第一輪廓內（在第一輪廓內側約數百微米）形成第二輪廓。此步驟非必要，但通常最好有，因為額外穿孔可做為熱阻障，且當採用下一製程步驟時，可促使孔內材料破碎及移除。

步驟3-藉由描繪上述第二打孔輪廓定義的近似路徑軌跡或略在第二輪廓內側（100 mm），高度聚焦的CO₂ 雷射28用於剝離孔內材料。此將物理性熔化、剝離及驅除孔或槽內的玻璃材料。就Corning公司代碼2320、0.7 mm厚的非離子交換玻璃而言，可使用功率約14瓦、聚焦光點尺寸直徑約100 mm的CO₂ 雷射，CO₂ 雷射以約0.35公尺/分鐘的速度環繞路徑平移，施以1-2次掃程而完全移除材料。掃程次數取決於確切的孔或槽幾何形狀。通常，在此製程步驟中，CO₂ 光束係定義為「聚焦」，若達到夠高的強度，則玻璃材料將熔化及/或遭高強度剝離。例如，聚焦光點的功率密度可為約1750 W/mm² ，此可由上述條件達成，或可視雷射光束橫越表面的預定速度而定為500 W/mm² 至50000 W/mm² 。

此外，如第9圖所示，高速輔助氣體（例如壓縮空氣或氮）經由CO₂ 雷射頭32周圍的噴嘴吹出。此係朝玻璃上的聚焦CO₂ 雷射光點吹出導向氣流，以助於鬆脫玻璃材料強制脫離大基板。視材料抵抗強制移除力而定，可以相同的內徑或略微不同的內徑進行多次CO₂ 雷射掃程。在上例中，以80磅/平方吋壓力迫使高壓壓縮空氣通過約1 mm的噴嘴。剝離時，噴嘴設在玻璃基板上方約1 mm處，CO₂ 光束聚焦通過且不會暈映通過噴嘴孔徑。

第9圖圖示上述製程的側視圖，用以說明CO₂ 剝離和空氣噴嘴如何產生鬆脫材料及迫使材料脫離孔或槽內部。 樣品結果：

第10圖圖示用於典型手機用蓋玻璃的製程結果。長圓孔（復位鈕）的幾何形狀為約5.2 mm×16 mm，圓角半徑為約1.5 mm，槽則為長15 mm、寬1.6 mm且末端半徑約0.75 mm。觀察超過100個零件發現，利用此製程可獲得極佳的邊緣品質（Ra為約0.5微米，在100X倍率顯微鏡下看不到碎裂）和一致的材料移除及分離。

第11圖圖示內緣視角。邊緣顯示由相同損壞軌跡或斷絲化製程製作外部輪廓所造成具相同紋理的損壞軌跡或絲狀結構，此係圖示與第12圖相比。此指出上述CO₂ 剝離製程可在不損及高品質、低粗糙度與少次表面邊緣的情況下移除鬆脫的內部材料，次表面邊緣通常由上述皮秒打孔製程形成。

第13圖圖示由所述製程製作槽的切割邊緣上視圖。輪廓邊緣無碎裂或裂痕。此輪廓的半徑為約2 mm。

如第14A圖至第14C圖所示，切割及分離透明材料（更特定言之為TFT玻璃組成）的方法本質上係基於用超短脈衝雷射140形成故障線110，故障線110由待處理材料或工件130中的複數個垂直缺陷線120形成。缺陷線120例如延伸穿過玻璃片厚度且垂直玻璃片的主要（平坦）表面。「故障線」在此亦稱作「輪廓」。雖然故障線或輪廓可為直線，例如第14A圖所示故障線110，但故障線或輪廓亦可呈非線性且具曲率。例如，使工件130或雷射光束140相對彼此二維平移、而非一維，可製造彎曲故障線或輪廓。視材料性質（吸收比、CTE、應力、組成等）與選以處理材料130的雷射參數而定，僅形成故障線110已足以引發自行分離。在此情況下，無需第二分離製程，例如張力/彎曲力或如由CO₂ 雷射產生的熱應力。如第14A圖所示，複數個缺陷線可定義輪廓。分離邊緣或具缺陷線的表面由輪廓定義。形成缺陷線的誘發吸收會在分離邊緣或表面產生平均直徑小於3微米的微粒，是以可得非常乾淨的切割製程。

在一些情況下，形成故障線並不足以自發分離材料，故需要第二步驟。雖然打孔玻璃零件可置於腔室，例如用於大量加熱或冷卻玻璃零件的烘箱，以產生熱應力而沿著缺陷線分離零件，但此製程很慢且需大型烘箱或腔室來容納許多零件或大型物件或打孔玻璃。若有需要，第二雷射可用於產生熱應力而分離之。以TFT玻璃組成為例，藉由施加機械力或利用熱源（例如紅外線雷射，例如CO₂ 雷射）產生熱應力及迫使材料分離，可在形成故障線後達成分離。另一選項為使CO₂ 雷射只啟動分離，接著手動完成分離。選擇性CO₂ 雷射分離可由如散焦連續波（cw）雷射達成，散焦連續波雷射係以10.6微米發射且功率可藉由控制工作週期調整。藉由改變光點尺寸，聚焦變化（即散焦達到及包括聚焦光點尺寸的程度）可用於改變誘發熱應力。散焦雷射光束包括在雷射波長大小等級下產生光點尺寸大於最小繞射限制光點尺寸的雷射光束。例如，1-20 mm的CO₂ 雷射光點尺寸（例如1-12 mm、3-8 mm、或約7 mm、2 mm和20 mm）可用於CO₂ 雷射，例如波長10.6 mm的CO₂ 雷射。亦可使用發射波長亦被玻璃吸收的其他雷射，例如發射波長為9-11微米範圍的雷射。在此情況下，可使用功率位準為100至400瓦的CO₂ 雷射，光束以50-500毫米/秒的速度沿著或鄰接缺陷線掃描，從而產生足夠的熱應力而引發分離。在特定範圍內選擇的確切功率位準、光點尺寸和掃描速度取決於材料用途、材料厚度、熱膨脹係數（CTE）、彈性模數，因為這些因子皆會影響特定空間位置的特定能量貯存率所賦予的熱應力量。若光點尺寸太小（即＜1 mm）或CO₂ 雷射功率太高（＞400 W）或掃描速度太慢（低於10毫米/秒），則玻璃可能過熱，以致剝離、熔化或在玻璃中熱產生裂紋，此並非所期，因如此會降低分離零件的邊緣強度。較佳地，CO₂ 雷射光束掃描速度為＞50毫米/秒，以引發有效又可靠的零件分離。然若CO₂ 雷射產生的光點尺寸太大（＞20 mm）或雷射功率太低（＜10 W，或在一些情況下為＜30 W）或掃描速度太快（＞500毫米/秒），則不能充分加熱，導致熱應力太低而無法引發可靠的零件分離。

例如，在一些實施例中，可使用200 W的CO₂ 雷射功率，於玻璃表面的光點直徑為約6 mm，掃瞄速度為250毫米/秒，以就0.7 mm厚的Corning Eagle XG®玻璃引發零件分離，該玻璃已用上述皮秒雷射打孔。例如，比起薄Eagle XG®基板，分離厚Corning Eagle XG®玻璃基板每單位時間需要更多CO₂ 雷射熱能，或比起具低CTE的玻璃，分離具低CTE的玻璃需要更多CO₂ 雷射熱能。在CO₂ 光點通過特定位置後，將很快沿著打孔線分離（小於1秒），例如在100毫秒內、在50毫秒內或在25毫秒內。

在一些實施例中，相鄰缺陷線120間沿著故障線110方向的距離或週期性例如為大於0.1微米且小於或等於約20微米。例如，在一些實施例中，相鄰缺陷線120間的週期性可為0.5至15微米、或3至10微米、或0.5微米至3.0微米。例如，在一些實施例中，相鄰缺陷線120間的週期性可為0.5微米至1.0微米。

有數種方法來形成缺陷線。形成焦線的光學方法可採取多種形式：利用環形雷射光束與球面透鏡、旋轉三稜鏡透鏡、繞射元件或其他方法來形成高強度線性區。雷射類型（皮秒、飛秒等）和波長（IR、綠光、UV等）亦可很多樣，只要達到的光學強度足使焦點區的基板材料崩解，使得基板材料或玻璃工件透過非線性光學作用崩解即可。較佳地，雷射係脈衝叢發雷射，脈衝叢發雷射可藉由調整特定衝串內的脈衝數量而隨時間控制能量貯存。

在本申請案中，超短脈衝雷射用於以一致、可控制及可重複的方式形成高深寬比垂直缺陷線。能形成垂直缺陷線的光學裝置細節將描述於後與西元2013年1月15日申請的美國專利申請案第61/752,489號，該申請案全文內容以引用方式併入本文中。此概念本質係使用光學元件於透明零件內產生高強度雷射光束焦線。此概念的一變型為使用光學透鏡組件的旋轉三稜鏡透鏡元件，以利用超短（皮秒或飛秒時間）貝索光束形成高深寬比無錐微通道區。換言之，旋轉三稜鏡將雷射光束集中到高深寬比（長度長且直徑小）圓柱形高強度區。由於集中雷射光束產生高強度，雷射電磁場會與基板材料產生非線性交互作用，使雷射能轉移到基板而形成缺陷，缺陷將構成故障線。然重要的是要明白，在雷射能量強度不夠高的材料區域（例如圍繞中心輻合線的玻璃基板體積），雷射可穿透材料，故無能量從雷射轉移到材料的機制。是以當雷射強度低於非線性閥值時，不會對玻璃或工件造成影響。

上述方法提供下列好處，此可解釋成加強雷射處理能力、節省成本及降低製造成本。切割製程提供：

1)完全分離待切割內部輪廓：上述方法能在玻璃零件經化學強化前，以乾淨及可控制方式完全分離/切割依融合抽拉製程或其他玻璃形成製程製造的可離子交換玻璃（例如Gorilla®玻璃、Corning玻璃代碼2318、2319、2320等）中的孔與槽。

2)分離直徑很小的孔/槽：其他製程可用於加熱及引起玻璃栓軟化，使之從玻璃片掉落。然隨著玻璃栓的深寬比（厚度/直徑）變大，此方法即失效。例如，加熱（不剝離）玻璃內栓可自0.7 mm厚玻璃掉出直徑10 mm的孔，但若孔直徑減至4 mm，則此製程將無法運作。然本文所述製程可用於自0.7 mm厚玻璃移除尺度小至1.5 mm（圓直徑或槽寬度）的玻璃栓。

3)較少次表面缺陷與極佳邊緣品質：由於雷射與材料間產生超短脈衝交互作用，熱交互作用很少，因而造成不當應力與微裂紋的熱作用區最小。此外，將雷射光束集中到玻璃的光學元件可於零件表面形成直徑通常為2至5微米的缺陷線。分離後，次表面損壞＜75 mm，並可調整成＜25 mm。分離表面（或切割邊緣）的粗糙度特別係因光點尺寸或焦線光點直徑而起。分離（切割）表面的粗糙度例如為0.1至1微米，例如0.25至1微米，且可由如Ra表面粗糙度統計（採樣表面高度絕對值的粗糙度算術平均，包括焦線光點直徑引起的凸塊高度）特性化。此製程產生的表面粗糙度通常＜0.5 mm（Ra）且可小至0.1 mm（Ra）。此將大大影響零件邊緣強度，因為強度受控於缺陷數量、缺陷尺寸與深度統計分布。數量越多，零件邊緣越脆弱。此外，若隨後用任一機械加工製程修改邊緣形狀，例如研磨及拋光，則次表面損壞少的零件需移除的材料量較少。此可減少或免除加工步驟、降低零件成本。所述孔與槽脫離製程充分善用此線-焦點皮秒雷射打孔製程形成的高品質邊緣，以確保以沿著打孔線乾淨脫離玻璃的方式完成移除內部玻璃材料，且預定零件邊緣不包括剝離損壞、微裂紋或其他缺陷。

速度：不像使用聚焦雷射純粹剝離內部輪廓周圍材料的製程，此雷射製程係用於打孔線的單一掃程製程。僅視涉及平臺加速能力而定，穿孔輪廓可由所述皮秒雷射製程以80-1000毫米/秒的速度形成。對照剝離孔與槽鑽孔方法，其中材料遭「逐一雷射」移除，及需多次掃程或每雷射光束位置需長駐留時間。

製程潔淨度：上述方法能以乾淨及可控制方式分離/切割玻璃或其他透明易碎材料。使用習知剝離或熱雷射製程非常具挑戰性，因為習知製程容易觸發熱作用區，導致微裂紋使玻璃碎成數小片。所述方法的雷射脈衝特性和與材料誘發交互作用可避免所有問題，因為該方法係在很短的時間標度內發生，且雷射輻射可穿透材料可減少誘發熱作用。由於缺陷線形成在物件內，故在切割步驟期間可實質消除碎屑和黏附微粒。若有形成缺陷線造成的任何微粒，則微粒將牢牢包含在內，直到分離零件為止。 切割不同尺寸的複雜輪廓和形狀

上述方法能切割/分離眾多類型與形狀的玻璃和其他基板，其他競爭技術對此則有所限制。可切割緊密半徑（＜2 mm），從而形成小孔與槽（例如手機應用揚聲器/麥克風所需者）。又，因缺陷線強力控制任何裂紋綿延位置，故該等方法將極力控制切口空間位置，故可切割及分離小至數百微米的結構和特徵結構。 免除製程步驟

自進料玻璃面板製造具最終尺寸與形狀玻璃板的製程涉及數個步驟，包含切割面板、按尺寸切割、加工及邊緣塑形、把零件薄化成目標厚度、拋光，在一些情況下，甚至有化學強化。就製程時間和資本花費而論，免除任何步驟都將改善製造成本。上述方法可減少一些步驟，例如：

減少碎屑與邊緣缺陷產生-可免除洗滌及乾燥站。

直接把樣品切割成最終尺寸、形狀和厚度-可免除加工線。

故根據一些實施例，玻璃物件具有至少一內部輪廓邊緣，複數個缺陷線垂直玻璃片面延伸至少250 mm，各缺陷線的直徑小於或等於約5 mm。例如，玻璃物件具有至少一內部輪廓邊緣，複數個缺陷線垂直玻璃片主要（即比側邊大）平面延伸至少250 mm，各缺陷線的直徑小於或等於約5 mm。在一些實施例中，內部輪廓邊緣界定的最小內部輪廓尺寸或寬度為小於5 mm，例如寬度（或直徑）為0.1 mm至3 mm，例如0.5 mm至2 mm。根據一些實施例，玻璃物件包含離子交換後玻璃。根據一些實施例，缺陷線延伸至少一內部輪廓邊緣的整個厚度。根據至少一些實施例，至少一內部輪廓邊緣的Ra表面粗糙度為小於約0.5 mm。根據至少一些實施例，至少一內部輪廓邊緣的次表面損壞深度為小於或等於約75 mm。在至少一些實施例中，玻璃物件的缺陷線延伸整個邊緣厚度。缺陷線間的距離例如為小於或等於約7 mm。

在此提及的所有專利、公開申請案和參考文獻相關教示全文皆以引用方式併入本文中。

雖然本發明已以示例性實施例揭示如上，然應理解熟諳此技術者在不脫離本發明範圍內當可改變形式與細節，因此本發明的保護範圍視後附申請專利範圍所界定者為準。

1‧‧‧基板

1a、1b‧‧‧表面

2、2aZ、2aR‧‧‧雷射光束

2b‧‧‧焦線

2c‧‧‧延伸區段

3‧‧‧雷射

5‧‧‧分離線

6‧‧‧光學組件

7‧‧‧透鏡

8‧‧‧孔徑

9、10‧‧‧旋轉三稜鏡

11‧‧‧平凸透鏡

12‧‧‧準直透鏡

20‧‧‧玻璃片

22‧‧‧零件

24‧‧‧輪廓

26‧‧‧打孔線

28‧‧‧雷射

32‧‧‧雷射頭

110‧‧‧故障線

120‧‧‧缺陷線

130‧‧‧工件

140‧‧‧雷射光束

500‧‧‧衝串

500A‧‧‧脈衝

710‧‧‧雷射光束

720‧‧‧基板

740‧‧‧焦點

750‧‧‧旋轉三稜鏡透鏡

760‧‧‧圓柱

br‧‧‧寬度

d‧‧‧厚度

dr‧‧‧直徑

D‧‧‧平均直徑/延伸度

f‧‧‧焦距

l、L‧‧‧長度

SR‧‧‧圓形輻射

Td‧‧‧脈寬

Tp‧‧‧間隔時間

Z1、Z1a-b、Z2‧‧‧距離

本專利或申請案檔案含有至少一彩色圖式。若有需求，付與必要費用後，專利局可提供本專利或專利申請公開案的彩色複印。

以上敘述在參閱本發明下列附圖所示的示例性實施例說明後將變得更清楚易懂，其中相同的元件符號代表不同視圖中相仿的零件。圖式未必按比例繪製，重點係放在說明本發明的實施例。

第1圖係自起始片切割的零件示意圖。零件具有外部與內部輪廓。藉由增設附加切口或”釋放線”，外部輪廓可輕易脫離母片。

第2A圖及第2B圖係定位雷射光束焦線的示意圖，即沿著焦線處理誘發吸收致使雷射波長可穿透的材料。

第3A圖係用於雷射鑽孔的光學組件示意圖。

第3B-1圖至第3B-4圖圖示不同地相對基板定位雷射光束焦線來處理基板的各種可行性。

第4圖係用於雷射鑽孔的第二光學組件示意圖。

第5A圖及第5B圖係用於雷射鑽孔的第三光學組件示意圖。

第6圖係用於雷射鑽孔的第四光學組件示意圖。

第7A圖至第7C圖係用於雷射處理材料的不同轄域示意圖。第7A圖圖示未聚焦雷射光束，第7B圖圖示用球面透鏡聚焦的雷射光束，第7C圖圖示用旋轉三稜鏡或繞射菲涅耳（Fresnel）透鏡聚焦的雷射光束。

第8A圖圖示在示例性脈衝衝串內的雷射脈衝對時間的相對強度，每一示例性脈衝衝串具有3個脈衝。

第8B圖圖示在示例性脈衝衝串內的雷射脈衝對時間的相對強度，每一示例性脈衝衝串具有5個脈衝。

第8C圖圖示經描跡以定義內部輪廓及移除此輪廓內材料的不同雷射步驟與路徑。

第9圖圖示經描跡以移除輪廓內材料的CO₂ 雷射步驟與路徑。

第10圖係經切割並自0.7 mm厚樣品分離的孔與槽實例。孔與槽係利用本發明製程切割及移除。

第11圖係在已用CO₂ 剝離製程移除內部材料後，所述製程所形成的槽內緣傾斜影像。

第12圖係0.7 mm厚、Corning 2320 NIOX（未離子交換）厚基板的直切條外部輪廓邊緣影像。比較此邊緣與第11圖所示非常類似的邊緣。

第13圖係由所述製程製作槽的切割邊緣上視圖。輪廓邊緣無碎裂或裂痕。此輪廓的半徑為約2毫米（mm）。

第14A圖至第14C圖圖示具改質玻璃的等距缺陷線或損壞軌跡的故障線（或打孔線）。

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Claims (18)

1. 一種形成一玻璃物件之方法，包含以下步驟：I.使一脈衝第一雷射光束聚焦於一雷射光束焦線；II.沿著定義一內部玻璃件之一閉合內部輪廓在複數個位置將該雷射光束焦線引導至一玻璃基板，該雷射光束焦線在該玻璃基板內產生一誘發吸收，使得該雷射光束焦線在該等複數個位置的每一個位置產生延伸穿過該玻璃基板的一厚度之一缺陷線，從而形成複數個缺陷線；III.加熱該玻璃基板，藉此誘發該玻璃基板中之一應力，該應力使該內部玻璃件沿著該閉合內部輪廓自該玻璃基板分離；以及IV.於分離之後以一第二雷射光束加熱該內部玻璃件，使得該內部玻璃件軟化及自該玻璃基板掉落。
2. 如請求項1所述之方法，其中步驟III包含於一加熱腔室中加熱該玻璃基板。
3. 如請求項1所述之方法，其中步驟III包含於該閉合內部輪廓之上描繪一紅外線第三雷射光束。
4. 如請求項3所述之方法，其中該紅外線第三雷射光束之一波長係於自9微米至11微米的一範圍中。
5. 如請求項4所述之方法，其中該紅外線第三雷射光束為一散焦雷射光束。
6. 如請求項5所述之方法，其中該紅外線第三雷射光束為一CO₂雷射光束。
7. 如請求項1所述之方法，其中介於該等複數個缺陷線之相鄰缺陷線之間的一間隔係於自0.1微米至15微米之一範圍中。
8. 如請求項1所述之方法，其中該閉合內部輪廓為一圓形。
9. 如請求項1所述之方法，進一步包含步驟：V.切割介於該玻璃基板的一邊緣與該閉合內部輪廓外的一外部輪廓之間之釋放線。
10. 如請求項1所述之方法，其中沿著該閉合內部輪廓之該玻璃基板之一切割邊緣的一表面粗糙度R_a為小於0.5微米。
11. 如請求項10所述之方法，其中與該切割邊緣垂直之次表面損壞延伸進入該玻璃基板中小於75微米。
12. 如請求項11所述之方法，其中該次表面損壞為小於25微米。
13. 如請求項1所述之方法，其中該複數個缺陷線延伸垂直該玻璃基板的主要表面。
14. 一種玻璃物件，由如請求項1所述之方法製得。
15. 一種形成一玻璃物件之方法，包含以下步驟：I.使一脈衝第一雷射光束聚焦於一雷射光束焦線；II.沿著定義一內部玻璃件之一閉合內部輪廓在複數個位置將該雷射光束焦線引導至一玻璃基板，該雷射光束焦線在該玻璃基板內產生一誘發吸收，使得該雷射光束焦線在該等複數個位置的每一個位置產生延伸穿過該玻璃基板的一厚度之一缺陷線，從而形成複數個缺陷線；III.於該閉合內部輪廓之上描繪一散焦紅外線雷射光束，藉此誘發該玻璃基板中之一應力，該應力使該內部玻璃件自該玻璃基板分離；以及IV.於分離之後以一CO₂雷射光束加熱該內部玻璃件，使得該內部玻璃件軟化及自該玻璃基板掉落。
16. 如請求項15所述之方法，其中該散焦紅外線雷射光束之一波長係於自9微米至11微米的一範圍中。
17. 如請求項15所述之方法，其中介於該等複數個缺陷線之相鄰缺陷線之間的一間隔係於自0.1微米至15微米之一範圍中。
18. 一種玻璃物件，由如請求項15所述之方法製得。