KR20130126737A - 자성 재료 및 코일 부품 - Google Patents

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KR20130126737A
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히토시 마츠우라
마사히로 하치야
켄지 오타케
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다이요 유덴 가부시키가이샤
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Abstract

본 발명은 투자율의 향상과 저항 절연 저항의 향상을 도모하면서 고온 부하, 내습성, 흡수성 등의 신뢰성 특성을 향상시키는 자성 재료 및 코일 부품을 제공한다.
Fe-Si-M계 연자성 합금(단, M은 Fe보다 산화하기 쉬운 금속 원소다)으로 이루어지는 복수의 금속 입자와, 상기 금속 입자의 표면에 형성된 상기 연자성 합금의 산화물로 이루어지는 산화 피막을 구비하고, 인접하는 금속 입자 표면에 형성된 산화 피막을 개재한 결합부 및 산화 피막이 존재하지 않는 부분에서의 금속 입자끼리의 결합부를 포함하고, 상기 금속 입자의 집적에 의해 발생한 공극의 적어도 일부에는 수지 재료가 충전되는 자성 재료에 관한 것이다.

Description

자성 재료 및 코일 부품{MAGNETIC MATERIAL AND COIL COMPONENT}
본 발명은 코일·인덕터 등에서 주로 자심(磁心)으로서 이용할 수 있는 자성(磁性) 재료 및 코일 부품에 관한 것이다.
인덕터, 초크 코일, 트랜스와 같은 코일 부품(이른바 인덕턴스 부품)은 자성 재료와, 상기 자성 재료의 내부 또는 표면에 형성된 코일을 포함하고 있다. 자성 재료의 재질로서 Ni-Cu-Zn계 페라이트 등의 페라이트가 일반적으로 이용되어 왔다.
최근 이 종류의 코일 부품에는 대전류화(大電流化)[정격 전류의 고치화(高値化)를 의미한다]가 요구되고 있고, 그 요구를 만족시키기 위해서 자성체의 재질을 종전의 페라이트로부터 Fe계의 합금으로 절체(切替)하는 것이 검토되고 있다.
특허문헌 1에는 적층 타입의 코일 부품에서의 자성체부(磁性體部)의 제작 방법으로서 Fe-Cr-Si 합금 입자군(粒子群) 외에 유리 성분을 포함하는 자성체 페이스트에 의해 형성된 자성체층과 도체 패턴을 적층하여 질소 분위기(환원성 분위기)에서 소성(燒成)한 후, 그 소성물에 열 경화성(硬化性) 수지를 함침시키는 방법이 개시되어 있다.
1. 일본 특개 2007-027354호 공보
하지만 특허문헌 1의 발명에서는 절연성을 확보하기 위해서 금속분(粉)과 수지의 컴포지트 구조를 취하고 있기 때문에 충분한 투자율을 얻을 수 없다. 또한 수지를 유지하는 목적으로 저온의 열처리를 해야 하기 때문에 Ag전극이 치밀화하지 않아 충분한 L, Rdc특성을 얻을 수 없다.
또한 금속 자성체 그 자체의 저절연성을 고려하여 절연 처리를 수행할 필요가 있다. 또한 신뢰성 특성의 향상도 요구된다.
이와 같은 사항들을 고려하고, 본 발명은 투자율의 향상과 저항 절연 저항의 향상을 도모하면서 고온 부하, 내습성, 흡수성 등의 신뢰성 특성을 향상시키는 자성 재료 및 코일 부품의 제공을 과제로 한다.
본 발명자들이 예의 검토한 결과, 다음과 같은 본 발명이 완성되었다. 본 발명의 자성 재료는 Fe-Si-M계 연자성(軟磁性) 합금(단, M은 Fe보다 산화하기 쉬운 금속 원소다)으로 이루어지는 복수의 금속 입자와, 금속 입자의 표면에 형성된 산화 피막을 구비한다. 이 산화 피막은 연자성 합금 자체의 산화물로 이루어진다. 자성 재료는 인접하는 금속 입자 표면에 형성된 산화 피막을 개재한 결합부 및 산화 피막이 존재하지 않는 부분에서의 금속 입자끼리의 결합부를 포함한다. 그리고 상기 금속 입자의 집적에 의해 발생한 공극(空隙)의 적어도 일부에는 수지 재료가 충전된다.
바람직하게는 이 자성 재료의 단면도에서 관찰되는 상기 금속 입자 및 산화 피막의 비존재 영역의 15% 이상의 면적의 영역에 수지 재료가 충전된다. 또한 바람직하게는 상기 수지 재료가 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 페놀계 수지, 실리케이트계 수지, 우레탄계 수지, 이미드계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지 및 폴리에틸렌계 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어진다.
본 발명에 의하면, 전술한 자성 재료와, 상기 자성 재료의 내부 또는 표면에 형성된 코일을 구비하는 코일 부품도 제공된다.
본 발명에 의하면, 높은 투자율, 높은 절연 저항을 양립하고, 흡수성이 낮고 신뢰성이 높은 자성 재료가 제공된다.
도 1은 본 발명의 자성 재료의 미세 구조를 모식적으로 도시하는 단면도.
도 2는 본 발명의 자성 재료의 모식 단면도.
도 3은 본 발명의 자성 재료의 일 예의 외관을 도시하는 측면도.
도 4는 본 발명의 코일 부품의 일 예의 일부를 도시하는 투시한 측면도.
도 5는 도 4의 코일 부품의 내부 구조를 도시하는 종(縱)단면도.
도 6은 적층 인덕터의 외관 사시도.
도 7은 도 6의 S11-S11선을 따르는 확대 단면도.
도 8은 도 6에 도시한 부품 본체의 분해도.
도 9는 비교예에서의 자성 재료의 미세 구조를 모식적으로 도시하는 단면도.
도면을 적절히 참조하면서 본 발명을 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 도시된 형태에 한정되지 않고, 또한 도면에서는 발명의 특징적인 부분을 강조하여 표현하기 때문에 도면 각(各) 부(部)에서 축척의 정확성이 반드시 담보되는 것은 아니다. 본 발명이 의하면, 자성 재료는 소정의 입자가 소정의 결합 양식으로 집적되어 이루어지는 입자 성형체로 이루어진다. 본 발명에서 자성 재료는 코일·인덕터 등의 자성 부품에서의 자로(磁路)의 역할을 담당하는 물품이며, 전형적으로는 코일에서의 자심 등의 형태를 취한다.
도 1은 본 발명의 자성 재료의 미세 구조를 모식적으로 도시하는 단면도다. 본 발명에서 자성 재료(1)는 미시(微視)적으로는 원래 독립했었던 다수의 금속 입자(11)끼리가 결합하여 이루어지는 집합체로서 파악되고, 각각의 금속 입자(11)는 그 주위의 적어도 일부, 바람직하게는 대략 전체에 걸쳐서 산화 피막(12)이 형성되고, 이 산화 피막(12)에 의해 자성 재료(1)의 절연성이 확보된다. 인접하는 금속 입자(11)끼리는 주로 각각의 금속 입자(11)의 주위에 있는 산화 피막(12)끼리가 결합하는 것에 의해 일정한 형상을 포함하는 자성 재료(1)를 구성한다. 산화 피막(12)끼리의 결합(22)과 함께, 부분적으로는 인접하는 금속 입자(11)의 금속 부분끼리의 결합(21)이 존재한다. 종래의 자성 재료에서는 경화한 유기(有機) 수지의 매트릭스 중에 단독의 자성 입자 또는 수 개 정도의 자성 입자의 결합체가 분산한 것이나, 경화한 유리 성분의 매트릭스 중에 단독의 자성 입자 또는 수 개 정도의 자성 입자의 결합체가 분산한 것이 이용되었다.
후술하는 바와 같이 자성 재료(1)에는 수지 재료가 포함되지만, 어디까지나 금속 입자간(間)의 공극을 매립하도록 존재하는 것에 지나지 않고, 자성 재료(1)를 구성하는 결합 요소는 전술한 2종류의 결합(21, 22)이다. 자성 재료(1)에서 수지 재료가 존재하는 부분을 제외해도 전술한 2종류의 결합(21, 22)에 의한 연속 구조를 발견할 수 있다. 본 발명에서는 유리 성분으로 이루어지는 매트릭스는 실질적으로 존재하지 않는 것이 바람직하다.
각각의 금속 입자(11)는 특정한 연자성 합금으로 주로 구성된다. 본 발명에서는 금속 입자(11)는 Fe-Si-M계 연자성 합금으로 이루어진다. 여기서 M은 Fe보다 산화하기 쉬운 금속 원소이며, 전형적으로는 Cr(크롬), Al(알루미늄), Ti(티타늄) 등을 들 수 있고, 바람직하게는 Cr 또는 Al이다.
연자성 합금이 Fe-Cr-Si계 합금인 경우에서의 Si의 함유율은 바람직하게는 0.5∼7.0wt%이며, 보다 바람직하게는 2.0∼5.0wt%이다. Si의 함유량이 많으면 고(高)저항·고투자율이라는 점에서 바람직하고, Si의 함유량이 적으면 성형성이 양호하고, 이들을 감안하여 상기 바람직한 범위가 제안된다.
연자성 합금이 Fe-Cr-Si계 합금인 경우에서의 크롬의 함유율은 바람직하게는 2.0∼15wt%이며, 보다 바람직하게는 3.0∼6.0wt%이다. 크롬의 존재는 열처리 시에 부동태(不動態)를 형성하여 과잉 산화를 억제하는 것과 함께 강도 및 절연 저항을 발현한다는 점에서 바람직하고, 한편 자기(磁氣) 특성의 향상이라는 관점에서는 크롬이 적은 것이 바람직하며, 이들을 감안하여 상기 바람직한 범위가 제안된다.
연자성 합금이 Fe-Si-Al계 합금인 경우에서의 Si의 함유율은 바람직하게는 1.5∼12wt%이다. Si의 함유량이 많으면 고저항·고투자율이라는 점에서 바람직하고, Si의 함유량이 적으면 성형성이 양호하며, 이들을 감안하여 상기 바람직한 범위가 제안된다.
연자성 합금이 Fe-Si-Al계 합금인 경우에서의 알루미늄의 함유율은 바람직하게는 2.0∼8wt%이다. Cr과 Al의 차이는 이하와 같다.
또한 연자성 합금에서의 각 금속 성분의 상기 바람직한 함유율에 대해서는 합금 성분의 전량(全量)을 100wt%라고 기술했다. 바꿔 말하면, 상기 바람직한 함유량의 계산에서는 산화 피막의 조성은 제외했다.
연자성 합금이 Fe-Si-M계 합금인 경우에서 Si 및 M 이외의 잔부(殘部)는 불가피 불순물을 제외하고 철인 것이 바람직하다. Fe, Si 및 M 이외에 포함되어도 좋은 금속으로서는 마그네슘, 칼슘, 티타늄, 망간, 코발트, 니켈, 구리 등을 들 수 있고, 비금속으로서는 인, 유황, 카본 등을 들 수 있다.
자성 재료(1)에서의 각각의 금속 입자(11)를 구성하는 합금에 대해서는 예컨대 자성 재료(1)의 단면(斷面)을 주사형(走査型) 전자 현미경(SEM)을 이용하여 촬영하고, 그 화학 조성을 에너지 분산형 X선 분석(EDS)에서의 ZAF법으로 산출할 수 있다.
본 발명의 자성 재료는 전술한 소정의 연자성 합금으로 이루어지는 금속 입자를 성형하여 열처리를 수행하는 것에 의해 제조할 수 있다. 그 때, 바람직하게는 원료가 되는 금속 입자(이하, 「원료 입자」라고도 표기한다) 자체가 포함했던 산화 피막뿐만 아니라, 원료의 금속 입자에서는 금속의 형태이었던 부분의 일부가 산화하여 산화 피막(12)을 형성하도록 열처리가 수행된다. 이와 같이 본 발명에서는 산화 피막(12)은 금속 입자(11)를 구성하는 합금 입자의 산화물로 이루어지고, 주로 금속 입자(11)의 표면 부분이 산화하여 이루어진다. 바람직한 형태로는 금속 입자(11)가 산화하여 이루어지는 산화물 이외의 산화물, 예컨대 실리카나 인산 화합물 등은 본 발명의 자성 재료에는 포함되지 않는다.
자성 재료(1)를 구성하는 각각의 금속 입자(11)에는 그 주위의 적어도 일부에 산화 피막(12)이 형성된다. 산화 피막(12)은 자성 재료(1)를 형성하기 전의 원료 입자의 단계에서 형성되어도 좋고, 원료 입자의 단계에서는 산화 피막이 존재하지 않거나 지극히 적고 성형 과정에서 산화 피막을 생성해도 좋다. 산화 피막(12)의 존재는 주사형 전자 현미경(SEM)에 의한 3000배 정도의 촬영상(撮影像)에서 콘트라스트(밝기)의 차이로서 인식할 수 있다. 산화 피막(12)의 존재에 의해 자성 재료 전체로서의 절연성이 담보된다.
바람직하게는 산화 피막(12)에는 철 원소보다 금속M 원소가 몰 환산에서 더 많이 포함된다. 이와 같은 구성의 산화 피막(12)을 얻기 위해서는 자성 재료를 얻기 위한 원료 입자에 철의 산화물이 되도록 적게 포함되거나 철의 산화물이 되도록 포함되지 않도록 하여, 자성 재료(1)를 얻는 과정에서 가열 처리 등에 의해 합금의 표면 부분을 산화시키는 것 등을 들 수 있다. 이와 같은 처리에 의해 철보다 산화하기 쉬운 금속M이 선택적으로 산화되어 결과적으로 산화 피막(12)에 포함되는 금속M의 몰 비율이 상대적으로 철보다 커진다. 산화 피막(12)에서 철 원소보다 금속M 원소가 더 많이 포함되는 것에 의해 합금 입자의 과잉 산화를 억제한다는 이점이 있다.
자성 재료(1)에서의 산화 피막(12)의 화학 조성을 측정하는 방법은 다음과 같다. 우선 자성 재료(1)를 파탄하는 등 하여 그 단면을 노출시킨다. 그 다음에 이온 밀링 등에 의해 평활면(平滑面)을 드러내 주사형 전자 현미경(SEM)으로 촬영하고, 산화 피막(12)을 에너지 분산형 X선 분석(EDS)에서의 ZAF법으로 화학 조성을 산출한다.
산화 피막(12)에서의 금속M의 함유량은 철 1몰에 대하여, 바람직하게는 1.0∼5.0몰이며, 보다 바람직하게는 1.0∼2.5몰이며, 더욱 바람직하게는 1.0∼1.7몰이다. 상기 함유량이 많으면 과잉 산화의 억제라는 점에서 바람직하고, 한편, 상기 함유량이 적으면 금속 입자간의 소결(燒結)이라는 점에서 바람직하다. 상기 함유량을 많게 하기 위해서는 예컨대 약산화 분위기에서의 열처리를 하는 등의 방법을 들 수 있고, 반대로 상기 함유량을 많게 하기 위해서는 예컨대 강산화 분위기에서의 열처리 등의 방법을 들 수 있다.
자성 재료(1)에서는 입자끼리의 결합은 주로 산화 피막(12)끼리의 결합(22)이다. 산화 피막(12)끼리의 결합(22)의 존재는 예컨대 약 3000배로 확대한 SEM 관찰상 등에서 인접하는 금속 입자(11)가 포함하는 산화 피막(12)이 동일상(相)인 것을 시인(視認)하는 것 등에 의해 명확히 판단할 수 있다. 산화 피막(12)끼리의 결합(22)의 존재에 의해 기계적 강도와 절연성의 향상이 도모된다. 자성 재료(1) 전체에 걸쳐서 인접하는 금속 입자(11)가 포함하는 산화 피막(12)끼리가 결합하는 것이 바람직하지만, 일부라도 결합하면 상응하는 기계적 강도와 절연성의 향상이 도모되고, 그와 같은 형태도 본 발명의 일 형태라고 할 수 있다. 바람직하게는 자성 재료(1)에 포함되는 금속 입자(11)의 수와 같은 수 또는 그 이상의 산화 피막(12)끼리의 결합(22)이 존재한다. 또한 후술하는 바와 같이 부분적으로는 산화 피막(12)끼리의 결합을 개재하지 않고 금속 입자(11)끼리의 결합(21)도 존재해도 좋다. 또한 인접하는 금속 입자(11)가 산화 피막(12)끼리의 결합도 금속 입자(11)끼리의 결합도 모두 존재하지 않고 단순히 물리적으로 접촉하거나 접근하는데 지나치지 않는 형태(도시되지 않음)가 부분적으로 있어도 좋다.
산화 피막(12)끼리의 결합(22)을 발생시키기 위해서는 예컨대 자성 재료(1)의 제조 시에 산소가 존재하는 분위기 하(예컨대 공기 중)에서 후술하는 소정의 온도로 열처리를 가하는 것 등을 들 수 있다.
본 발명에 의하면, 자성 재료(1)에서 산화 피막(12)끼리의 결합(22)뿐만 아니라, 금속 입자(11)끼리의 결합(21)이 존재한다. 전술한 산화 피막(12)끼리의 결합(22)의 경우와 마찬가지로 예컨대 약 3000배로 확대한 SEM 관찰상 등에서 인접하는 금속 입자(11)끼리가 동일한 상을 유지하면서 결합점을 가지는 것을 시인하는 것 등에 의해 금속 입자(11)끼리의 결합(21)의 존재를 명확히 판단할 수 있다. 금속 입자(11)끼리의 결합(21)의 존재에 의해 투자율의 추가적인 향상이 도모된다.
금속 입자(11)끼리의 결합(21)을 생성시키기 위해서는 예컨대 원료 입자로서 산화 피막이 적은 입자를 이용하거나, 자성 재료(1)를 제조하기 위한 열처리에서 온도나 산소 분압을 후술하는 바와 같이 조절하거나, 원료 입자로부터 자성 재료(1)를 얻을 때의 성형 밀도를 조절하는 것 등을 들 수 있다. 열처리에서의 온도에 대해서는 금속 입자(11)끼리가 결합하고 또한 산화물이 생성하기 어려운 정도를 제안할 수 있다. 구체적인 바람직한 온도 범위에 대해서는 후술한다. 산소 분압에 대해서는 예컨대 공기 중에서의 산소 분압이어도 좋고, 산소 분압이 낮을수록 산화물이 생성하기 어렵고 결과적으로 금속 입자(11)끼리의 결합이 발생하기 쉽다.
본 발명의 자성 재료는 소정의 합금으로 이루어지는 금속 입자를 성형하는 것에 의해 제조할 수 있다. 그 때, 인접하는 금속 입자끼리가 주로 산화 피막을 개재하여 결합하고 그리고 부분적으로 산화 피막을 개재하지 않고 결합하는 것에 의해 전체적으로 원하는 형상의 입자 성형체를 얻을 수 있다.
본 발명의 자성 재료의 제조에서 원료로서 이용하는 금속 입자(원료 입자)는 바람직하게는 Fe-M-Si계 합금, 보다 바람직하게는 Fe-Cr-Si계 합금으로 이루어지는 입자를 이용한다. 원료 입자의 합금 조성은 최종적으로 얻어지는 자성 재료에서의 합금 조성에 반영된다. 따라서 최종적으로 얻고자 하는 자성 재료의 합금 조성에 따라 원료 입자의 합금 조성을 적절히 선택할 수 있고, 그 바람직한 조성 범위는 전술한 자성 재료의 바람직한 조성 범위와 마찬가지이다. 각각의 원료 입자는 산화 피막으로 피복되어도 좋다. 바꿔 말하면, 각각의 원료 입자는 중심 부분에 있는 소정의 연자성 합금과, 그 주위의 적어도 일부에 있는 상기 연자성 합금이 산화하여 이루어지는 산화 피막으로 구성되어도 좋다.
각각의 원료 입자의 사이즈는 최종적으로 얻어지는 자성 재료에서의 자성 재료(1)를 구성하는 입자의 사이즈와 실질적으로 마찬가지다. 원료 입자의 사이즈로서는 투자율과 입자 내 와전류손(渦電流損)을 고려하면, d50이 바람직하게는 2∼30μm이며, 보다 바람직하게는 2∼20μm이며, d50의 더욱 바람직한 하한값(下限價)은 5μm이다. 원료 입자의 d50은 레이저 회절·산란에 의한 측정 장치에 의해 측정할 수 있다.
원료 입자는 예컨대 아토마이즈법으로 제조되는 입자다. 전술한 바와 같이 자성 재료(1)에는 산화 피막(12)을 개재한 결합부(22)뿐만 아니라 금속 입자(11)끼리의 결합부(21)도 존재한다. 그렇기 때문에 원료 입자에는 산화 피막이 존재해도 좋지만 과잉하게는 존재하지 않는 것이 좋다. 아토마이즈법에 의해 제조되는 입자는 산화 피막이 비교적 적다는 점에서 바람직하다. 원료 입자에서의 합금으로 이루어지는 코어와 산화 피막의 비율은 다음과 같이 정량화(定量化)할 수 있다. 원료 입자를 XPS로 분석하고, Fe의 피크 강도에 착안하여 Fe가 금속 상태로서 존재하는 피크(706.9eV)의 적분값 FeMetal과, Fe가 산화물의 상태로서 존재하는 피크의 적분값FeOxide를 구하고, FeMetal/(FeMetal+FeOxide)을 산출하는 것에 의해 정량화한다. 여기서 FeOxide의 산출에서는 Fe2O3(710.9eV), FeO(709.6eV) 및 Fe3O4(710.7eV)의 3종의 산화물의 결합 에너지를 중심으로 한 정규 분포의 중첩으로서 실측 데이터와 일치하도록 피팅을 수행한다. 그 결과, 피크 분리된 적분 면적의 합으로서 FeOxide를 산출한다. 열처리 시에 합금끼리의 결합부(21)를 발생시키기 쉽게 하는 것에 의해 결과적으로 투자율을 높인다는 관점에서는 상기 값은 바람직하게는 0.2 이상이다. 상기 값의 상한값(上限價)은 특히 한정되지 않고, 제조가 용이하다는 관점에서 예컨대 0.6 등을 들 수 있고, 바람직하게는 상한값은 0.3이다. 상기 값을 상승시키는 수단으로서 환원 분위기에서의 열처리에 제공하거나, 산(酸)에 의한 표면 산화층의 제거 등의 화학 처리 등에 제공하는 것 등을 들 수 있다. 환원 처리로서는 예컨대 질소 중에 또는 아르곤 중에 25∼35%의 수소를 포함하는 분위기 하에서 750∼850℃, 0.5∼1.5시간 보지(保持)하는 것 등을 들 수 있다. 산화 처리로서는 예컨대 공기 중에서 400∼600℃, 0.5∼1.5시간 보지하는 것 등을 들 수 있다.
전술한 바와 같은 원료 입자는 합금 입자 제조의 공지의 방법을 채택해도 좋고, 예컨대 Epson Atmix(주) 사제(社製) PF20-F, Nippon Atomized Metal Powders(주) 사제 SFR-FeSiAl 등으로서 시판되는 것도 이용할 수 있다. 시판품에 대해서는 전술한 FeMetal/(FeMetal+FeOxide)의 값에 대하여 고려되지 않는 가능성이 지극히 높기 때문에 원료 입자를 선별하거나, 전술한 열처리나 화학 처리 등의 전 처리를 수행하는 것도 바람직하다.
원료 입자로부터 성형체를 얻는 방법에 대해서는 특별히 한정되지 않고, 자성 재료 제조에서의 공지의 수단을 적절히 도입할 수 있다. 이하, 전형적인 제조 방법으로서 원료 입자를 비가열 조건 하에서 성형한 후에 가열 처리에 제공하는 방법을 설명한다. 본 발명에서는 이 제조법에 한정되지 않는다.
원료 입자를 비가열 조건 하에서 형성할 때에는 바인더로서 유기 수지를 첨가하는 것이 바람직하다. 유기 수지로서는 열분해 온도가 500℃ 이하인 PVA수지, 부틸알 수지, 비닐 수지 등으로 이루어지는 것을 이용하는 것이 열처리 후에 바인더가 잔류하기 어렵다는 점에서 바람직하다. 성형 시에는 공지의 윤활제를 첨가해도 좋다. 윤활제로서는 유기산염 등을 들 수 있고, 구체적으로는 스테아린산 아연, 스테아린산 칼슘 등을 들 수 있다. 윤활제의 양은 원료 입자 100중량부에 대하여 바람직하게는 0∼1.5중량부이며, 보다 바람직하게는 0.1∼1.0중량부이며, 더욱 바람직하게는 0.15∼0.45중량부이며, 특히 바람직하게는 0.15∼0.25중량부이다. 윤활제의 양이 제로라는 것은 윤활제를 사용하지 않는 것을 의미한다. 원료 입자에 대하여 임의적으로 바인더 및/또는 윤활제를 첨가하여 교반(攪拌)한 후에 원하는 형상으로 성형한다. 성형 시에는 예컨대 2∼20ton/cm2의 압력을 가하는 것 등, 성형 온도를 예컨대 20∼120℃로 하는 것 등을 들 수 있다.
열처리의 바람직한 형태에 대하여 설명한다. 열처리는 산화 분위기 하에서 수행하는 것이 바람직하다. 보다 구체적으로는 가열 중의 산소 농도는 바람직하게는 1% 이상이며, 이에 의해 산화 피막끼리의 결합(22) 및 금속끼리의 결합(21)이 양방(兩方) 모두 생성하기 쉬워진다. 산소 농도의 상한은 특히 정해진 것은 없지만, 제조 비용 등을 고려하여 공기 중의 산소 농도(약 21%)를 예로 들 수 있다. 가열 온도에 대해서는 산화 피막(12)을 생성하여 산화 피막(12)끼리의 결합을 생성시키기 쉽게 한다는 관점에서는 바람직하게는 600℃ 이상이며, 산화를 적당하게 억제하여 금속끼리의 결합(21)의 존재를 유지하여 투자율을 높인다는 관점에서는 바람직하게는 900℃ 이하다. 가열 온도는 보다 바람직하게는 700∼800℃다. 산화 피막(12)끼리의 결합(22) 및 금속끼리의 결합(21)을 양방 모두 생성시키기 쉽게 한다는 관점에서는 가열 시간은 바람직하게는 0.5∼3시간이다. 산화 피막(12)을 개재한 결합 및 금속 입자끼리의 결합(21)이 발생하는 메커니즘은 예컨대 600℃ 정도보다 고온 영역에서의 이른바 세라믹스의 소결과 비슷한 메커니즘인 것으로 고찰된다. 즉 본 발명자들의 새로운 지견에 의하면, 이 열처리에서는 (A) 산화 피막이 충분히 산화 분위기에 접하는 것과 함께 금속 원소가 금속 입자로부터 수시 공급되는 것에 의해 산화 피막 자체가 성장하는 것과, (B) 인접하는 산화 피막끼리가 직접 접하여 산화 피막을 구성하는 물질이 상호 확산하는 것이 중요하다. 따라서 600℃ 이상의 고온 영역에서 잔존할 수 있는 열경화성 수지나 실리콘 등은 열처리 시에 실질적으로 존재하지 않는 것이 바람직하다.
얻어진 자성 재료(1)에는 그 내부에 공극(30)이 존재한다. 이 공극(30)의 적어도 일부에 수지 재료가 충전된다. 수지 재료의 충전 시에는 예컨대 액체 상태의 수지 재료나 수지 재료의 용액 등과 같은 수지 재료의 액상물에 자성 재료(1)를 침지(浸漬)하여 제조계의 압력을 내리거나, 전술한 수지 재료의 액상물을 자성 재료(1)에 도포하여 표면 근방의 공극(30)에 배어들게 하는 등의 수단을 들 수 있다. 자성 재료(1)의 공극(30)에 수지 재료(31)를 충전시키는 것에 의해 강도의 증가나 흡습성의 억제와 같은 이점이 있고, 구체적으로는 고습 하에서 수분이 자성 재료 내에 유입되기 어려워지기 때문에 절연 저항이 내려가기 어려워진다. 수지 재료(31)로서는 유기 수지나, 실리콘 수지 등을 특별히 한정하지 않고 예를 들 수 있고, 바람직하게는 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 페놀계 수지, 실리케이트계 수지, 우레탄계 수지, 이미드계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지 및 폴리에틸렌계 수지로 이루어지는 군으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어진다.
바람직하게는 자성 재료 내에 발생하는 공극의 소정 비율 이상을 차지하도록 수지 재료가 충전된다. 수지 재료의 충전의 정도는 측정 대상의 적층 인덕터의 경면(鏡面) 연마, 이온 밀링(CP)의 실시, 주사형 전자 현미경(SEM) 관찰에 의해 정량화한다. 구체적으로는 다음과 같이 하여 수행한다. 우선 적층체의 중심을 지나서 두께 방향의 단면이 노출하도록 측정 대상물을 연마한다. 얻어진 단면의 제품 중앙 부근을 주사형 전자 현미경(SEM)을 이용하여 3000배로 촬영하여 2차 전자상과 조성상을 얻는다. 도 2는 얻어진 상(像)의 모식도다. 관찰상에서는 구성 원소의 차이에 의해 조성상에 콘트라스트(밝기)의 차이가 발생한다. 밝기가 높은 순서대로 금속 입자(11), 산화 피막(도시되지 않음), 수지 재료의 충전부(31), 공극(30)으로서 동정(同定)된다. 관찰상에서 금속 입자(11) 및 산화 피막 수지의 비존재 영역에 상당하는 면적에 대해서 공극(30)의 면적과의 비율을 산출하고, 이 비율을 공극률로 정의한다. 그리고 수지 충전율(%)을 (100-공극률)로 하여 산출한다. 본 발명의 효과를 보다 실효 있게 한다는 관점에서 수지 충전율은 바람직하게는 15% 이상이다.
본 발명에 의하면, 이와 같은 자성 재료(1)로 이루어지는 자성 재료를 갖가지 전자 부품의 구성 요소로서 이용할 수 있다. 예컨대 본 발명의 자성 재료를 코어로서 이용하여 그 주위에 절연 피복 도선을 권회하는 것에 의해 코일을 형성해도 좋다. 또는 전술한 원료 입자를 포함하는 그린시트를 공지의 방법으로 형성하고, 거기에 소정 패턴의 도체 페이스트를 인쇄 등에 의해 형성한 후에 인쇄가 완료된 그린시트를 적층하여 가압하는 것에 의해 성형하고, 이어서 전술한 조건으로 열처리를 수행하는 것에 의해 입자 성형체로 이루어지는 본 발명의 자성 재료의 내부에 코일을 형성하여 이루어지는 인덕터(코일 부품)도 얻을 수 있다. 그 외에 본 발명의 자성 재료를 이용하여 그 내부 또는 표면에 코일을 형성하는 것에 의해 갖가지 코일 부품을 얻을 수 있다. 코일 부품은 표면 실장(實裝) 타입이나 스루홀 실장 타입 등 각종의 실장 형태가 있어도 좋고, 그와 같은 실장 형태의 코일 부품을 구성하는 수단을 포함해서 자성 재료로부터 코일 부품을 얻는 수단에 대해서는 전자 부품의 분야에서의 공지의 제조 수법을 적절히 도입할 수 있다. 예컨대 코일 부품이 적층 인덕터인 형태의 예에 대해서는 후술하는 실시예에서 소개된다.
코일 부품의 일 예를 도시한다. 도 3은 본 발명에 의한 자성 재료의 일 예의 외관을 도시하는 측면도다. 도 4는 코일 부품의 일 예의 일부를 도시하는 투시한 측면도다. 도 5는 도 4의 코일 부품의 내부 구조를 도시하는 종단면도다. 도 3에 도시하는 자성 재료(110)는 권선형(卷線型) 칩 인덕터의 코일을 권회하기 위한 자심으로서 이용된다. 드럼형의 자심(111)은 회로 기판 등의 실장면에 병행하여 배설(配設)되어 코일을 권회하기 위한 판 형상의 권심부(111a)와, 권심부(111a)의 서로 대향하는 단부(端部)에 각각 배설된 한 쌍의 플랜지부[鍔部](111b)를 구비하고, 외관은 드럼형을 이룬다. 코일의 단부는 플랜지부(111b)의 표면에 형성된 외부 도체막(114)에 전기적으로 접속된다.
이 코일 부품으로서의 권선형 칩 인덕터(120)는 전술한 자심(111)과 도시를 생략한 한 쌍의 판 형상 자심(112)을 포함한다. 이 자심(111) 및 판 형상 자심(112)은 본 발명의 자성 재료(110)로 이루어진다. 판 형상 자심(112)은 자심(111)의 양(兩) 플랜지부(111b, 111b)간을 각각 연결한다. 자심(111)의 플랜지부(111b)의 실장면에는 한 쌍의 외부 도체막(114)이 각각 형성된다. 또한 자심(111)의 권심부(111a)에는 절연 피복 도선으로 이루어지는 코일(115)이 권회되어 권회부(115a)가 형성되는 것과 함께, 양 단부(115b)가 플랜지부(111b)의 실장면의 외부 도체막(114)에 각각 열 압착 접합된다. 외부 도체막(114)은 자성 재료(110)의 표면에 형성된 소부(燒付) 도체층(114a)과, 이 소부 도체층(114a) 상에 적층 형성된 Ni도금층(114b) 및 Sn도금층(114c)을 구비한다. 전술한 판 형상 자심(112)은 수지계 접착제에 의해 상기 자심(111)의 플랜지부(111b, 111b)에 접착된다. 외부 도체막(114)은 자성 재료(110)의 표면에 형성되고, 외부 도체막(114)에 자심의 단부가 접속된다. 외부 도체막(114)은 은에 유리를 첨가한 페이스트를 소정의 온도로 자성 재료(110)에 소부되어 이루어진다.
이 코일 부품 제조 시에 바람직하게는 코일(115)의 권회보다 먼저 자심(111)에서의 자성 재료의 공극에 수지 재료가 충전된다.
[실시예]
이하, 실시예에 의해 본 발명을 보다 구체적으로 설명한다. 단, 본 발명은 이와 같은 실시예에 기재된 형태에 한정되지 않는다.
[실시예1∼실시예6]
(원료 입자)
아토마이즈법으로 제조된 Cr 4.5wt%, Si 3.5wt%, 잔부 Fe의 조성을 가지고, 평균 입경d50이 6μm인 시판의 합금 분말을 원료 입자로서 이용하였다. 이 합금 분말의 집합체 표면을 XPS로 분석하고, 전술한 FeMetal/(FeMetal+FeOxide)을 산출한 결과, 0.25이었다.
이 실시예에서는 코일 부품으로서의 적층 인덕터를 제조하였다. 도 6은 적층 인덕터의 외관 사시도다. 도 7은 도 6의 S11-S11선을 따르는 확대 단면도다. 도 8은 도 6에 도시한 부품 본체의 분해도다. 이 실시예에서 제조한 적층 인덕터(210)는 도 6에서 길이L이 약 3.2mm, 폭W가 약 1.6mm, 높이H가 약 0.8mm로 전체가 직방체(直方體) 형상을 이룬다. 이 적층 인덕터(210)는 직방체 형상의 부품 본체(211)와, 상기 부품 본체(211)의 길이 방향의 양 단부에 설치된 1쌍의 외부 단자(214, 215)를 포함한다. 부품 본체(211)는 도 7에 도시한 바와 같이 직방체 형상의 자성체부(212)와, 상기 자성체부(212)에 의해 피복된 나선 형상의 코일부(213)를 포함하고, 상기 코일부(213)의 일단(一端)은 외부 단자(214)에 접속하고, 타단(他端)은 외부 단자(215)에 접속한다. 자성체부(212)는 도 8에 도시한 바와 같이 총 20층의 자성체층(ML1∼ML6)이 일체화한 구조를 가지고, 길이가 약 3.2mm, 폭이 약 1.6mm, 높이가 약 0.8mm이다. 각 자성체층(ML1∼ML6)의 길이는 약 3.2mm, 폭은 약 1.6mm, 두께는 약 40μm이다. 코일부(213)는 총 5개의 코일 세그먼트(CS1∼CS5)와, 상기 코일 세그먼트(CS1∼CS5)를 접속하는 총 4개의 중계 세그먼트(IS1∼IS4)가 나선 형상으로 일체화한 구조를 가지고, 그 권회 횟수는 약 3.5이다. 이 코일부(213)는 d50이 5μm의 Ag입자를 원료로 한다.
4개의 코일 세그먼트(CS1∼CS4)는 'ㄷ'자 형상을 이루고, 1개의 코일 세그먼트(CS5)는 띠 형상을 이루고, 각 코일 세그먼트(CS1∼CS5)의 두께는 약 20μm, 폭은 약 0.2mm이다. 최상위의 코일 세그먼트(CS1)는 외부 단자(214)의의 접속에 이용당하는 L자 형상의 인출 부분(LS1)을 연속해서 포함하고, 최하위의 코일 세그먼트(CS5)는 외부 단자(215)와의 접속에 이용되는 L자 형상의 인출 부분(LS2)을 연속해서 포함한다. 각 중계 세그먼트(IS1∼IS4)는 자성체층(ML1∼ML4)을 관통한 기둥 형상을 이루고, 각각의 구경(口徑)은 약 15μm이다. 각 외부 단자(214, 215)는 부품 본체(211)의 길이 방향의 각 단면과 상기 단면 근방의 4측면에 달하고, 그 두께는 약 20μm이다. 일방(一方)의 외부 단자(214)는 최상위의 코일 세그먼트(CS1)의 인출 부분(LS1)의 단연(端緣)과 접속하고, 타방(他方)의 외부 단자(215)는 최하위의 코일 세그먼트(CS5)의 인출 부분(LS2)의 단연과 접속한다. 이 각 외부 단자(214, 215)는 d50이 5μm의 Ag입자를 원료로 한다.
적층 인덕터(210)의 제조 시에는 닥터 블레이드를 도공기로서 이용하여 미리 준비한 자성체 페이스트를 플라스틱제의 베이스 필름(도시생략)의 표면에 도공하고, 이를 열풍 건조기를 이용하여 약 80℃, 약 5min의 조건으로 건조하여 자성체층(ML1∼ML6)(도 8을 참조)에 대응하고 또한 다수 개 뽑아내는데 적합한 사이즈인 제1∼제6 시트를 각각 제작하였다. 자성체 페이스트로서는 상기 원료 입자가 85wt%, 부틸카르비톨(용제)이 13wt%, 폴리비닐부틸알(바인더)이 2wt%이다. 계속해서 펀칭 가공기를 이용하여 자성체층(ML1)에 대응하는 제1 시트에 펀칭을 수행하고, 중계 세그먼트(IS1)에 대응하는 관통공을 소정 배열로 형성하였다. 마찬가지로 자성체층(ML2∼ML4)에 대응하는 제2∼제4 시트 각각에 중계 세그먼트(IS2∼IS4)에 대응하는 관통공을 소정 배열로 형성하였다.
계속해서 스크린 인쇄기를 이용하여 미리 준비한 도체 페이스트를 자성체층(ML1)에 대응하는 제1 시트의 표면에 인쇄하고, 이를 열풍 건조기 등을 이용하여 약 80℃, 약 5min의 조건으로 건조하고, 코일 세그먼트(CS1)에 대응하는 제1 인쇄층을 소정 배열로 제작하였다. 마찬가지로 자성체층(ML2∼ML5)에 대응하는 제2∼제5 시트 각각의 표면에, 코일 세그먼트(CS2∼CS5)에 대응하는 제2∼제5 인쇄층을 소정 배열로 제작하였다. 도체 페이스트의 조성은 Ag원료가 85wt%, 부틸카르비톨(용제)이 13wt%, 폴리비닐부틸알(바인더)이 2wt%이다. 자성체층(ML1∼ML4)에 대응하는 제1∼제4 시트 각각에 형성한 소정 배열의 관통공은 소정 배열의 제1∼제4 인쇄층 각각의 단부에 중첩되는 위치에 존재하기 때문에 제1∼제4 인쇄층을 인쇄할 때에 도체 페이스트의 일부를 각 관통공에 충전하여 중계 세그먼트(IS1∼IS4)에 대응하는 제1∼제4 충전부를 형성하였다.
계속해서 흡착 반송기와 프레스기(모두 도시를 생략)를 이용하여 인쇄층 및 충전부가 설치된 제1∼제4 시트[자성체층(ML1∼ML4)에 대응]와, 인쇄층만이 설치된 제5 시트[자성체층(ML5)에 대응]와, 인쇄층 및 충전부가 설치되지 않은 제6 시트[자성체층(ML6)에 대응]를 도 8에 도시한 순서대로 중첩하여 열압착하여 적층체를 제작하였다. 계속해서 다이싱기를 이용하여 적층체를 부품 본체 사이즈로 절단하여 가열 처리 전 칩(가열 처리 전의 자성체부 및 코일부를 포함한다)을 제작하였다. 계속해서 소성로 등을 이용하여 대기(大氣)의 분위기 하에서 가열 처리 전 칩을 다수 개 일괄로 가열 처리하였다. 이 가열 처리는 탈(脫)바인더 프로세스와 산화물 막 형성 프로세스를 포함하고, 탈바인더 프로세스는 약 300℃, 약 1hr의 조건으로 실행되고, 산화물 막 형성 프로세스는 약 750℃, 약 2hr의 조건으로 실행하였다. 계속해서 딥 도포기를 이용하여 전술한 도체 페이스트를 부품 본체(211)의 길이 방향 양단부에 도포하고, 이를 소성로를 이용하여 약 600℃, 약 1hr의 조건으로 소부 처리를 수행하고, 상기 소부 처리에 의해 용제 및 바인더의 소실과 Ag입자군의 소결을 수행하여 외부 단자(214, 215)를 제작하였다.
이어서 각 수지 재료를 포함하는 용액에 얻어진 적층 인덕터를 침지하는 것에 의해 수지 재료를 공극에 충전하고, 그 후, 150℃로 60분간 열처리하는 것에 의해 수지 재료를 경화시켰다. 수지 재료의 종류와 충전의 정도는 표 1과 같다. 충전의 정도의 컨트롤은 수지의 희석 농도 및 점도 조정에 의해 수행하였다. 표 1에서의 「실리콘계」는 하기 화학식 1의 (1)의 기본 구조를 가지는 수지이고, 「에폭시계」는 하기 화학식 1의 (2)의 기본 구조를 가지는 수지다.
Figure pct00001
얻어진 적층 인덕터의 단면의 SEM관찰(3000배)에 의해 연자성 합금으로 이루어지는 금속 입자의 표면에 형성된 산화 피막을 개재한 결합부와, 산화 피막이 존재하지 않는 부분에서의 금속 입자끼리의 결합부가 존재하는 것을 확인하였다.
[비교예1]
수지 재료의 충전을 수행하지 않은 것 외에는 실시예와 마찬가지로 하여 적층 인덕터를 제조하였다. 도 6은 비교예의 자성 재료층의 모식 단면도다. 이 자성 재료(2)에서는 금속 입자(11) 및 산화 피막(12)의 비존재 영역에는 수지 재료가 충전되지 않고, 공극(30)으로 이루어진다.
[평가]
각 실시예, 비교예의 적층 인덕터에 대하여 L=1.0uH, Q(1MHz)=30, Rdc=0.1Ω에서 이하의 신뢰성 시험에 제공하였다. (n=100)
(1) 고온 부하 시험: 85℃, 0.8A 인가, 1000시간
(2) 가속 부하 시험: 85℃, 1.2A 인가, 300시간
(3) 내습 부하 시험: 60℃, 습도 95%, 0.8A 인가, 300시간
각 시험 종료 후, L 또는 Q가 초기값의 70% 이하로 저하한 것을 불량으로 하였다.
또한 각 실시예, 비교예의 적층 인덕터에 대하여 자성 재료 부분의 흡수율을 다음과 같이 측정하였다. 흡수율은 끓는 물에 본 시료(試料)를 3시간 침지시켰을 때의 흡수 질량과 전건(全乾) 질량과의 차이를 전건 질량으로 나누어서 구했다. 표 1에 제조 조건, 불량 발생률 및 흡수율의 측정 결과를 정리한다.
Figure pct00002
상기한 바와 같이 수지를 충전한 실시예에 대해서는 흡수율이 낮고, 신뢰성향상이 확인되고, 특히 충전율이 15% 이상의 것에 대하여 그 효과가 현저했다.
1, 2: 자성 재료 11: 금속 입자
12: 산화 피막 21: 금속 입자끼리의 결합부
22: 산화 피막을 개재한 결합부 30: 공극
31: 고분자 수지 110: 자성 재료
111, 112: 자심 114: 외부 도체막
115: 코일 210: 적층 인덕터
211: 부품 본체 212: 자성체부
213: 코일부 214, 215: 외부 단자

Claims (4)

  1. Fe-Si-M계 연자성(軟磁性) 합금(단, M은 Fe보다 산화하기 쉬운 금속 원소다)으로 이루어지는 복수의 금속 입자(粒子)와, 상기 금속 입자의 표면에 형성된 상기 연자성 합금의 산화물로 이루어지는 산화 피막을 구비하고, 인접하는 금속 입자 표면에 형성된 산화 피막을 개재한 결합부 및 산화 피막이 존재하지 않는 부분에서의 금속 입자끼리의 결합부를 포함하고, 상기 금속 입자의 집적에 의해 발생한 공극(空隙)의 적어도 일부에는 수지 재료가 충전되는 자성 재료.
  2. 제1항에 있어서, 해당 자성 재료의 단면도에서 관찰되는 상기 금속 입자 및 산화 피막의 비존재 영역의 15% 이상의 면적의 영역에 수지 재료가 충전되는 자성 재료.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서, 상기 수지 재료가 실리콘계 수지, 에폭시계 수지, 페놀계 수지, 실리케이트계 수지, 우레탄계 수지, 이미드계 수지, 아크릴계 수지, 폴리에스테르계 수지 및 폴리에틸렌계 수지로 이루어지는 군(群)으로부터 선택되는 적어도 1종으로 이루어지는 자성 재료.
  4. 제1항 내지 제3항 중 어느 한 항에 따른 자성 재료와, 상기 자성 재료의 내부 또는 표면에 형성된 코일을 구비하는 코일 부품.
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