WO2015115180A1 - 電子部品及びその製造方法 - Google Patents
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Abstract
素体と外部電極との密着性を向上させることができる電子部品及びその製造方法を提供することである。 金属磁性体の粒子を含有する材料により作製された素体と、前記素体の表面に設けられている外部電極と、を備えており、前記素体の表面において前記外部電極が接触している接触部分には、前記金属磁性体の粒子が露出していること、を特徴とする電子部品。
Description
本発明は、電子部品及びその製造方法に関し、より特定的には、金属磁性体の粒子を含有する素体を備えた電子部品及びその製造方法に関する。
従来の電子部品としては、例えば、特許文献１に記載のモールドコイルが知られている。特許文献１に記載のモールドコイルでは、樹脂と磁性体粉末とを混練させた磁性体モールド樹脂でコイルが封止されている。また、磁性体モールド樹脂からなる素体の表面には、外部電極が形成される。
ところで、特許文献１に記載のモールドコイルでは、素体と外部電極との密着性が十分ではないという問題がある。
そこで、本発明の目的は、素体と外部電極との密着性を向上させることができる電子部品及びその製造方法を提供することである。
本発明の一形態に係る電子部品は、金属磁性体の粒子を含有する材料により作製された素体と、前記素体の表面に設けられている外部電極と、を備えており、前記素体の表面において前記外部電極が接触している接触部分には、前記金属磁性体の粒子が露出していること、を特徴とする。
本発明の一形態に係る電子部品の製造方法は、金属磁性体の粒子を含有する材料により作製された複数の素体がマトリクス状に配列されたマザー素体を作製する素体作製工程と、前記マザー素体の一方の主面に他方の主面まで到達しない溝を形成する溝形成工程と、前記溝の内周面に外部電極を形成する電極形成工程と、前記マザー素体を前記複数の素体に分割する分割工程と、を備えていること、を特徴とする。
本発明によれば、素体と外部電極との密着性を向上させることができる。
以下に、一実施形態に係る電子部品及びその製造方法について説明する。
（電子部品の構成）
以下に、一実施形態に係る電子部品の構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、電子部品１０の積層体２０の分解斜視図である。図３は、電子部品１０のＡ－Ａにおける断面構造図である。図４は、図３における積層体２０と外部電極４０ａとの境界Ｂにおける拡大図である。
以下に、一実施形態に係る電子部品の構成について、図面を参照しながら説明する。図１は、一実施形態に係る電子部品１０の外観斜視図である。図２は、電子部品１０の積層体２０の分解斜視図である。図３は、電子部品１０のＡ－Ａにおける断面構造図である。図４は、図３における積層体２０と外部電極４０ａとの境界Ｂにおける拡大図である。
以下では、電子部品１０の積層方向をｚ軸方向と定義し、ｚ軸方向から平面視したときに、電子部品の長辺に沿った方向をｘ軸方向と定義し、短辺に沿った方向をｙ軸方向と定義する。また、ｚ軸方向の正方向側の面を上面と称し、ｚ軸方向の負方向側の面を下面と称す。また、ｘ軸方向において対向する２つの面を端面と呼び、ｙ軸方向において対向する２つの面を側面と呼ぶ。なお、ｘ軸、ｙ軸及びｚ軸は互いに直交している。
電子部品１０は、積層体２０、コイル３０及び外部電極４０ａ，４０ｂを備えている。また、電子部品１０は、図１に示すように、直方体状をなしている。
積層体２０は、絶縁体層２２ａ～２２ｆがｚ軸方向の正方向側からこの順に並ぶように積層されることにより構成されており、直方体状をなしている。ただし、図３に示すように、ｙ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向の負方向側の端面は、ｚ軸方向の正方向側に進むにしたがってｘ軸方向の負方向側に進むように、わずかに傾斜している。また、ｙ軸方向から平面視したときに、ｘ軸方向の正方向側の端面は、ｚ軸方向の正方向側に進むにしたがってｘ軸方向の正方向側に進むように、わずかに傾斜している。なお、図１では、端面の傾斜については表現されていない。
また、各絶縁体層２２ａ～２２ｆは、ｚ軸方向から平面視したときに、長方形状をなしている。絶縁体層２２ａ～２２ｆは、金属磁性体の粒子を含有する樹脂により作製されている。金属磁性体は、例えば、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金、Ｆｅ（カルボニル）等である。また、金属磁性体の粒子の表面は、絶縁膜（例えば、ガラス、リン酸塩）により覆われている。また、樹脂は、例えば、エポキシ樹脂である。
絶縁体層２２ａは、図２に示すように、積層体２０において、ｚ軸方向の最も正方向側に位置している。また、絶縁体層２２ａは、磁性体により構成されている。
絶縁体層２２ｂは、絶縁体層２２ａのｚ軸方向の負方向側に隣接している。また、絶縁体層２２ｂは、磁性体からなる磁性体層２４ｂ、及び非磁性体からなる非磁性体層２６ｂにより構成されている。非磁性体層２６ｂは、絶縁体層２２ｂの外縁と平行に設けられた帯状の非磁性体層であり、ｚ軸方向から平面視したときに、一部が切り欠かれた長方形状の枠型をなしている。また、磁性体層２４ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、非磁性体層２６ｂの周囲、及び、非磁性体層２６ｂの内部に設けられている。
絶縁体層２２ｃは、絶縁体層２２ｂのｚ軸方向の負方向側に隣接している。また、絶縁体層２２ｃは、磁性体からなる磁性体層２４ｃ、及び非磁性体からなる非磁性体層２６ｃにより構成されている。非磁性体層２６ｃは、絶縁体層２２ｃの外縁と平行に設けられた帯状の非磁性体層であり、ｚ軸方向から平面視したときに、一部が切り欠かれた長方形状の枠型をなしている。磁性体層２４ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、非磁性体層２６ｃの周囲、及び非磁性体層２６ｃの内部に設けられている。
絶縁体層２２ｄは、絶縁体層２２ｃのｚ軸方向の負方向側に隣接している。また、絶縁体層２２ｄは、磁性体からなる磁性体層２４ｄ、及び非磁性体からなる非磁性体層２６ｄにより構成されている。非磁性体層２６ｄは、絶縁体層２２ｄの外縁と平行に設けられた帯状の非磁性体層であり、ｚ軸方向から平面視したときに、一部が切り欠かれた長方形状の枠型をなしている。磁性体層２４ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、非磁性体層２６ｄの周囲、及び非磁性体層２６ｄの内部に設けられている。
絶縁体層２２ｅは、絶縁体層２２ｄのｚ軸方向の負方向側に隣接している。また、絶縁体層２２ｅは、磁性体からなる磁性体層２４ｅ、及び非磁性体からなる非磁性体層２６ｅにより構成されている。非磁性体層２６ｅは、絶縁体層２２ｅの外縁と平行に設けられた帯状の非磁性体層であり、ｚ軸方向から平面視したときに、一部が切り欠かれた長方形状の枠型をなしている。磁性体層２４ｅは、ｚ軸方向から平面視したときに、非磁性体層２６ｅの周囲、及び非磁性体層２６ｅの内部に設けられている。
絶縁体層２２ｆは、積層体２０においてｚ軸方向の最も負方向側に位置している。また、絶縁体層２２ｆは、磁性体により構成されている。
以上のように、非磁性体層２６ｂ～２６ｅは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合って、長方形状の軌道を形成している。
コイル３０は、図２に示すように、積層体２０の内部に位置し、コイル導体３２ｂ～３２ｆ及びビア導体３４ｂ～３４ｅにより構成されている。また、コイル３０は螺旋状をなしており、該螺旋の中心軸はｚ軸と平行である。つまり、コイル３０は、ｚ軸方向の正方向側から平面視したときに、時計回り方向に周回しながらｚ軸方向の正方向側から負方向側へと進行する螺旋状をなしている。なお、コイル３０の材料は、Ａｕ，Ａｇ，Ｐｄ，Ｃｕ，Ｎｉ等の導電性材料である。
コイル導体３２ｂは、非磁性体層２６ｂに沿うように設けられた線状の導体である。従って、コイル導体３２ｂは、ｚ軸方向から平面視したときに、非磁性体層２６ｂと同じく一部が切り欠かれた長方形状の枠型をなしており、非磁性体層２６ｂと一致した状態で重なっている。そして、コイル導体３２ｂの一端は、絶縁体層２２ｂのｘ軸方向の正方向側の外縁から積層体２０のｘ軸方向の正方向側の端面に露出している。更に、コイル導体３２ｂの他端は、絶縁体層２２ｂのｘ軸方向の正方向側の外縁とｙ軸方向の正方向側の外縁とがなす角近傍で、絶縁体層２２ｂをｚ軸方向に貫通するビア導体３４ｂと接続されている。
コイル導体３２ｃは、非磁性体層２６ｃに沿うように設けられた線状の導体である。従って、コイル導体３２ｃは、ｚ軸方向から平面視したときに、非磁性体層２６ｃと同じく一部が切り欠かれた長方形状の枠状をなしており、非磁性体層２６ｃと一致した状態で重なっている。そして、コイル導体３２ｃの一端は、絶縁体層２２ｃのｘ軸方向の正方向側の外縁とｙ軸方向の正方向側の外縁とがなす角Ｃ１の近傍でビア導体３４ｂと接続されている。更に、コイル導体３２ｃの他端は、角Ｃ１の近傍であって、コイル導体３２ｃの一端よりも絶縁体層２２ｃの中心寄りに位置し、絶縁体層２２ｃをｚ軸方向に貫通するビア導体３４ｃと接続されている。
コイル導体３２ｄは，非磁性体層２６ｄに沿うように設けられた線状の導体である。従って、コイル導体３２ｄは、ｚ軸方向から平面視したときに、非磁性体層２６ｄと同じく一部が切り欠かれた長方形状の枠型をなしており、非磁性体層２６ｄと一致した状態で重なっている。そして、コイル導体３２ｄの一端は、絶縁体層２２ｄのｘ軸方向の正方向側の外縁とｙ軸方向の正方向側の外縁とがなす角Ｃ２の近傍でビア導体３４ｃと接続されている。更に、コイル導体３２ｄの他端は、角Ｃ２の近傍であって、コイル導体３２ｄの一端よりも絶縁体層２２ｄの外縁寄りに位置し、絶縁体層２２ｄをｚ軸方向に貫通するビア導体３４ｄと接続されている。
コイル導体３２ｅは、非磁性体層２６ｅに沿うように設けられた線状の導体である。従って、コイル導体３２ｅは、ｚ軸方向から平面視したときに、非磁性体層２６ｅと同じく一部が切り欠かれた長方形状の枠型をなしており、非磁性体層２６ｅと一致した状態で重なっている。そして、コイル導体３２ｅの一端は、絶縁体層２２ｅのｘ軸方向の正方向側の外縁とｙ軸方向の正方向側の外縁とがなす角Ｃ３の近傍でビア導体３４ｄと接続されている。更に、コイル導体３２ｅの他端は、角Ｃ３の近傍であって、コイル導体３２ｅの一端よりも絶縁体層２２ｅの中心寄りに位置し、絶縁体層２２ｅをｚ軸方向に貫通するビア導体３４ｅと接続されている。
コイル導体３２ｆは、ｚ軸方向から平面視したときに、角ばったＵ字型をなしており、絶縁体層２２ｆのｘ軸方向の正負両側の外縁及びｙ軸方向の負方向側の外縁に沿って設けられた線状の導体である。そして、コイル導体３２ｆの一端は、絶縁体層２２ｆのｘ軸方向の正方向側の外縁とｙ軸方向の正方向側の外縁とがなす角の近傍でビア導体３４ｅと接続されている。更に、コイル導体３２ｆの他端は、絶縁体層２２ｆのｘ軸方向の負方向側の外縁から積層体２０のｘ軸方向の負方向側の端面に露出している。
以上のように、コイル導体３２ｂ～３２ｆは、ｚ軸方向から平面視したときに、互いに重なり合って、非磁性体層２６ｂ～２６ｅが形成している長方形状の軌道上を周回している。また、コイル導体３２ｂ～３２ｆと非磁性体層２６ｂ～３２ｆとは、ｚ軸方向に交互に並んでいる。
外部電極４０ａ，４０ｂは、図１に示すように、積層体２０の表面に設けられている金属からなる外部端子である。より詳細には、外部電極４０ａは、積層体２０の下面と、該下面に隣接するｘ軸方向の正方向側の端面とに跨っている。ただし、外部電極４０ａは、積層体２０の下面のｘ軸方向の正方向側の短辺近傍のみを覆っている。更に、外部電極４０ａは、ｘ軸方向の正方向側の端面のｚ軸方向の正方向側の辺近傍を覆っていない。これにより、外部電極４０ａは、コイル導体３２ｂの一端と接続されている。外部電極４０ｂは、積層体２０の下面と、該下面に隣接するｘ軸方向の負方向側の端面とに跨っている。ただし、外部電極４０ｂは、積層体２０の下面のｘ軸方向の負方向側の短辺近傍のみを覆っている。更に、外部電極４０ｂは、ｘ軸方向の負方向側の端面のｚ軸方向の正方向側の辺近傍を覆っていない。これにより、外部電極４０ｂは、コイル導体３２ｆの他端と接続されている。よって、コイル３０は、外部電極４０ａ，４０ｂと電気的に接続されている。なお、外部電極４０ａ，４０ｂは、Ｃｕ，Ａｇ又はＣｕとＡｇとの合金により作製されている。
ところで、積層体２０の表面において、外部電極４０ａが接触している接触部分Ｓ１，Ｓ２（図３参照）には、図４に示すように、金属磁性体の粒子６０が露出している。接触部分Ｓ１は、積層体２０においてｘ軸方向の正方向側の端面に外部電極４０ａが接触している部分である。接触部分Ｓ２は、積層体２０において下面に外部電極４０ａが接触している部分である。
接触部分Ｓ１は、図３に示すように、ｚ軸方向の正方向側に進むにしたがってｘ軸方向の正方向側に進むように傾斜している。これは、後述するように、積層体２０のｘ軸方向の正方向側の端面（より正確には、接触部分Ｓ１）が、マザー積層体がダイサーによりカットされる際に形成される面であるからである。これにより、積層体２０のｘ軸方向の正方向側の端面に位置する金属磁性体の粒子６０は、図４に示すように、球状の一部が削り取られた形状をなしている。そのため、金属磁性体の粒子６０の表面を覆っている絶縁膜６２も除去されている。その結果、金属磁性体の粒子６０は、接触部分Ｓ１において露出し、かつ、外部電極４０ａに接触している。
また、接触部分Ｓ２は、図３に示すように、積層体２０の下面の一部が切削されることにより形成されている。より詳細には、接触部分Ｓ２は、積層体２０の下面におけるｘ軸方向の正方向側の短辺に沿う帯状の領域である。後述するように、この領域がダイサーにより切削されることにより、接触部分Ｓ２は、積層体２０の下面の接触部分Ｓ２以外の部分よりもわずかにｚ軸方向の正方向側に位置している。これにより、接触部分Ｓ２に位置する金属磁性体の粒子６０は、球状の一部が削り取られた形状をなしている。そのため、金属磁性体の粒子６０の表面を覆っている絶縁膜６２も除去されている。その結果、金属磁性体の粒子６０は、接触部分Ｓ２において露出し、かつ、外部電極４０ａに接触している。
また、積層体２０の表面において、外部電極４０ｂが接触している接触部分Ｓ３，Ｓ４（図３参照）には、図４に示すように、金属磁性体の粒子６０が露出している。接触部分Ｓ３は、積層体２０においてｘ軸方向の負方向側の端面に外部電極４０ｂが接触している部分である。接触部分Ｓ４は、積層体２０において下面に外部電極４０ｂが接触している部分である。なお、接触部分Ｓ３，Ｓ４は、接触部分Ｓ１，Ｓ２と同様であるので説明を省略する。
以上のように構成された電子部品１０は、積層体２０の下面が回路基板と対向するように実装される。すなわち、積層体２０の下面は、実装面である。
（電子部品の製造方法）
次に、電子部品１０の製造方法について説明する。図５ないし図２７は、電子部品１０の製造時の工程断面図である。
次に、電子部品１０の製造方法について説明する。図５ないし図２７は、電子部品１０の製造時の工程断面図である。
まず、フィラー入り熱硬化性樹脂シート（以下、樹脂シートとする）２６０ｆを準備する。樹脂シート２６０ｆに含まれるフィラーは、シリカ、シリコンカーバイド、アルミナ等の絶縁系の微小粒子が挙げられる。また、樹脂の主剤は、エポキシ系の樹脂等が挙げられる。
次に、図５に示すように、樹脂シート２６０ｆ上にＣｕ箔３２０ｆを載せ、Ｃｕ箔３２０ｆと樹脂シート２６０ｆとを圧着する。このとき、樹脂シート２６０ｆとＣｕ箔３２０ｆとの界面におけるガスの除去を同時に行うために、真空熱加圧装置を用いることが好ましい。また、圧着の条件は、例えば、９０～２００℃の温度下で、真空引きを１～３０分行い、更に、０．５～１０ＭＰａにて１～１２０分加圧を行う。なお、ローラー又は高温プレス等の手段により圧着することも可能である。
圧着後、樹脂シート２６０ｆを硬化させるために熱処理を施す。該熱処理は、オーブン等の高温槽を用いて、例えば１３０～２００℃の温度下で１０～１２０分行う。
熱処理後、圧着したＣｕ箔３２０ｆの厚みを調節するために、電解Ｃｕめっきを施す。具体的には、めっきの前処理として、酸性クリーナでＣｕ箔３２０ｆが圧着された樹脂シート２６０ｆを浸漬処理し、Ｃｕ箔３２０ｆ上の酸化被膜を除去する。次に、主成分が硫酸銅水溶液であるめっき浴を用いて、定電流モードでＣｕ箔上に電解Ｃｕめっきを施す。電解Ｃｕめっき後に、水洗及び乾燥を行う。更に、めっき形成後の基板そりの抑制を目的として、オーブン等の高温槽を用いて、例えば１５０～２５０℃の温度下で６０～１８０分の熱処理を行う。なお、本工程では、電解Ｃｕめっきに代えて、蒸着、スパッタ等の手段を用いてもよい。
厚みの調節を終えたＣｕ箔３２０ｆ上にレジストパターンＲＰ１を形成する。レジストパターンＲＰ１の形成工程では、まず、レジストパターンＲＰ１とＣｕ箔３２０ｆとの密着性を向上させるために、バフ研磨機を用いてＣｕ箔３２０ｆの表面を粗面化し、水洗及び乾燥を行う。なお、粗面化の際に、ミリング、エッチング等の手段を用いてもよい。次に、図６に示すように、Ｃｕ箔３２０ｆ上にフィルムレジストＦＲ１をラミネートする。そして、フィルムマスクを通して、フィルムレジストＦＲ１に露光することにより、露光されたフィルムレジストが硬化する。フィルムレジストＦＲ１の硬化後に、炭酸ナトリウムを現像液として現像することで、硬化していないフィルムレジストＦＲ１を除去する。これにより、Ｃｕ箔３２０ｆ上に、図７に示すようなレジストパターンＲＰ１が形成される。その後、現像液を取り除くために、水洗及び乾燥を行う。
レジストパターンＲＰ１が形成されたＣｕ箔３２０ｆに対して、ウェットエッチングによりエッチングを行い、図８に示すように、レジストパターンＲＰ１に覆われていないＣｕ箔３２０ｆを除去する。このとき、ウェットエッチングに代えて、ミリング等を用いてもよい。次に、ウェットエッチングに用いた溶液の残渣を除去するために、水洗を行う。更に、Ｃｕ箔３２０ｆ上のレジストパターンＲＰ１を剥離液により剥離する。その後、剥離液の残渣を水洗により除去し、乾燥させる。この工程により、図９に示すように、電子部品１０のコイル導体３２ｆに対応する導体パターンが樹脂シート２６０ｆ上に形成される。
導体パターンが形成された樹脂シート２６０ｆ上に、図１０に示すように、更にＣｕ箔３２０ｅが圧着された樹脂シート２６０ｅを載せ圧着する。圧着の条件は、上記と同様に、真空熱加圧装置を用いて、９０～２００℃の温度下において、真空引きを１～３０分行い、更に、０．５～１０ＭＰａにて１～１２０分加圧を行う。このとき、積層・圧着された樹脂シート全体の厚みを調整するために、圧着量を規制するスペーサ－を用いてもよい。なお、本工程において圧着された樹脂シート２６０ｅは、後に、電子部品１０の非磁性体層２６ｅとなり、Ｃｕ箔３２０ｅはコイル導体３２ｅとなる。なお、本工程において、導体パターンが形成された樹脂シート２６０ｆ上に樹脂シート２６０ｅを圧着し、該樹脂シート２６０ｅ上にＣｕ箔３２０ｅを圧着してもよい。
前工程において圧着されたＣｕ箔３２０ｅ及び樹脂シート２６０ｅに対し、ビアを形成する。ビア形成工程では、まず、図１１に示すように、Ｃｕ箔３２０ｅ上にレジストパターンＲＰ２を形成する。レジストパターンＲＰ２の形成は、Ｃｕ箔３２０ｅ表面の粗面化、フィルムレジストのラミネート、フィルムマスクを介しての露光、及び現像の順で行う。次に、レジストパターンＲＰ２が形成されたＣｕ箔３２０ｅに対して、ウェットエッチングによりエッチングを行い、エッチング後にレジストパターンＲＰ２を除去する。これにより、図１２に示すように、Ｃｕ箔３２０ｅにビアの一部が形成される。そして、エッチングによりＣｕ箔３２０ｅが除去され、樹脂シート２６０ｅが露出した部分に対して、レーザを照射することによって、図１３に示すようなＣｕ箔３２０ｅ及び樹脂シート２６０ｅを貫通するビアを形成する。このとき、ドリル、溶解及びブラスト等を用いてビアを形成することも可能である。しかし、Ｃｕ箔はレーザを反射するため、レーザにより樹脂シート２６０ｅにビアを形成することで、Ｃｕ箔に余計なビアが形成されることを抑制できる。更に、ビア形成によって発生したスミアを除去するために、デスミア処理を行う。なお、レジストパターン形成及びエッチングにおける具体的な条件は、Ｃｕ箔３２０ｆに対して行った場合と同様である。
次に、ビアにめっきを施し、Ｃｕ箔３２０ｅとコイル導体３２ｆに対応する導体パターンとを接続するビア導体を形成する。ビアにめっきを施す工程では、まず、図１４に示すように、ビアの内周面にシード層５０を形成する。このシード層５０を基にして、Ｃｕ電解めっきを施すことで、図１５に示すような、Ｃｕ箔３２０ｅとコイル導体３２ｆに対応する導体パターンとを接続するビア導体を形成する。なお、本工程において形成されたビア導体は、ビア導体３４ｅに対応する。
ビア導体形成後に、最上面のＣｕ箔をエッチングして導体パターンを形成し、これにＣｕ箔が圧着された樹脂シートを更に圧着し、ビア及びビア導体の形成を行うという上記の工程を繰り返し、最後に樹脂シートを圧着することによって、図１６に示すコイル３０を含む非磁性体からなるコイル体１１８が完成する。なお、コイル体１１８完成後に、該コイル体１１８の表面の平滑化を目的として、バフ研磨、エッチングやグラインダ、ＣＭＰ（化学的機械研磨／Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）等により、コイル体１１８表面の樹脂を除去する。これにより、コイル体１１８におけるコイル３０の上面側及び下面側の非磁性体層は、図１７に示すように、除去される。
次に、図１８に示すように、コイル体１１８の内部に位置するコイル３０の内周に対してサンドブラストを行い、貫通孔Ｈ１を形成する。更に、ダイサー、レーザ及びブラスト等を用いて、図１９に示すように、コイル３０の外周側にある樹脂を除去する。これにより、コイル３０の周囲を覆う非磁性体層２６ｂ～２６ｅが完成する。なお、貫通孔の形成は、レーザ、パンチング等を用いても可能である。
次に、図２０に示すように、コイル３０と非磁性体層２６ｂ～２６ｅのみとなったコイル体１１８（以下、単にコイル体１１８とする）を金型１００上にセットする。更に、金属磁性体の粒子を含有する樹脂シート２２０ａをコイル体１１８の上側にセットし、樹脂シート２２０ａを下側に向けて加圧する。これにより、コイル体１１８の上半分が樹脂シート２２０ａに埋没する。樹脂シート２２０ａに含まれる金属磁性体の粒子の材料は、例えば、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金、Ｆｅ（カルボニル）等の金属磁性材料が挙げられる。また、樹脂の主剤は、エポキシ系の樹脂等が挙げられる。樹脂シート２２０ａは磁性体であり、後に、電子部品１０の絶縁体層２２ａ及び磁性体層２４ｂ，２４ｃとなる。
次に、図２１に示すように、上半分が樹脂シート２２０ａに埋没したコイル体１１８の上下を反転する。更に、金属磁性体の粒子を含有する樹脂シート２２０ｂを上半分が樹脂シート２２０ａに埋没したコイル体１１８の上側にセットし、樹脂シート２２０ｂを下側に向けて加圧する。これにより、コイル体１１８の下半分が樹脂シート２２０ｂに埋没する。樹脂シート２２０ｂに含まれる金属磁性体の粒子の材料は、例えば、Ｆｅ－Ｓｉ－Ｃｒ合金、Ｆｅ（カルボニル）等の金属磁性材料が挙げられる。また、樹脂の主剤は、エポキシ系の樹脂等が挙げられる。樹脂シート２２０ｂは磁性体であり、後に、電子部品１０の絶縁体層２２ｆ及び磁性体層２４ｄ～２４ｅとなる。その後、オーブン等の高温槽を用いて、例えば１３０～２００℃の温度下で１０～１２０分間熱処理することで、マザー積層体１２０が完成する。マザー積層体１２０は、ｚ軸方向から平面視したときに、複数の積層体２０がマトリクス状に配列された構造を有している。
次に、図２２に示すように、マザー積層体１２０の下面（一方の主面）に上面（他方の主面）まで到達しない溝Ｇ１をダイサーＤ１により形成する。より詳細には、ダイサーＤ１を用いて、マザー積層体１２０においてｘ軸方向に隣り合う積層体２０の境界を切削して、溝Ｇ１を形成する。溝Ｇ１は、マザー積層体１２０の下面から上面側に向かって窪んでおり、ｚ軸方向から平面視したときに、積層体２０の境界においてｙ軸方向に延在している。溝Ｇ１の底部は、コイル導体３２ｂよりも上面側まで到達している。これにより、積層体２０のｘ軸方向の両側の端面の一部（接触部分Ｓ１，Ｓ３）が形成される。更に、積層体２０の接触部分Ｓ１，Ｓ３に位置する金属磁性体の粒子の一部が削り取られることにより、金属磁性体の粒子が積層体２０の接触部分Ｓ１，Ｓ３から外部に露出する。また、接触部分Ｓ１からコイル導体３２ｂの一端が露出すると共に、接触部分Ｓ３からコイル導体３２ｆの他端が露出する。
次に、図２３に示すように、マザー積層体１２０の下面において、溝Ｇ１に隣接する部分をダイサーＤ２により切削する。より詳細には、接触部分Ｓ２，Ｓ４に対応する部分をダイサーＤ２によりわずかに切削する。これにより、積層体２０に接触部分Ｓ２，Ｓ４が形成される。更に、積層体２０の接触部分Ｓ２，Ｓ４に位置する金属磁性体の粒子の一部が削り取られることにより、金属磁性体の粒子が積層体２０の接触部分Ｓ２，Ｓ４から外部に露出する。
次に、図２４に示すように、マザー積層体１２０の下面及び溝Ｇ１の内周面（すなわち、接触部分Ｓ１，Ｓ３）を覆うように、電解ＣｕめっきによりＣｕ膜１２２を形成する。電解Ｃｕめっきは、定電流モードで行う。また、めっき浴の主成分は、硫酸銅水溶液である。なお、めっきの直前に、Ｃｕ膜１２２の酸化被膜を除去し、密着性を確保するために、酸性クリーナで浸漬処理を施してもよい。電解Ｃｕめっき終了後には、めっき液を除去するために、水洗い及び乾燥を行う。更に、電解Ｃｕめっき終了後には、マザー積層体１２０の反りを抑制するために、熱処理を施すことが好ましい。具体的には、オーブン等の高温槽により、１５０℃～２５０℃、及び、６０分から１８０分の条件で加熱処理を行う。
次に、図２５に示すように、溝Ｇ１及び接触部分Ｓ２，Ｓ４上を覆うように、レジスト１２４を形成する。より詳細には、レジスト１２４の形成前に、レジスト１２４のＣｕ膜１２２への密着性を向上させるために、Ｃｕ膜１２２の表面を粗面化処理を施すことが好ましい。粗面化処理としては、例えば、ミリング、エッチング又はバフ研磨が挙げられる。なお、バフ研磨は、大面積を均一に短時間で処理できる点において優れている。そして、マザー積層体１２０を水洗い及び乾燥した後に、レジスト１２４を形成する。レジスト１２４の形成は、レジストラミネート、パターン露光、現像の順で行う。レジストラミネートでは、フィルムレジストを用いた。また、パターン露光では、フィルムマスクを用いた。また、現像では、現像液として炭酸ナトリウムを用いた。なお、現像後には、マザー積層体１２０を水洗い及び乾燥する。
次に、図２６に示すように、エッチングにより、Ｃｕ膜１２２においてレジスト１２４に覆われていない部分を除去する。ウェットエッチングやミリング等によりエッチングを行う。ウェットエッチングは、エッチングレートが大きい点、及び、隙間等に浸入しやすい点において優れている。ウェットエッチング後には、液残渣を除去するために、マザー積層体１２０を水洗いする。
次に、図２７に示すように、マザー積層体１２０を剥離液に浸漬して、レジスト１２４を除去する。その後、液残渣を除去するために、マザー積層体１２０を水洗いする。以上の工程により、接触部分Ｓ１，Ｓ２を覆う外部電極４０ａ、及び、接触部分Ｓ３，Ｓ４を覆う４０ｂが形成される。
最後に、マザー積層体１２０を複数の積層体２０にダイサーにより分割する。また、分割後には、バレル研磨を行う。この後、外部電極４０ａ，４０ｂの下地電極の表面にＮｉ／Ｓｎめっきをバレルめっきにより施してもよい。以上の工程により、電子部品１０が完成する。
（効果）
以上のように構成された電子部品１０及びその製造方法によれば、積層体２０と外部電極４０ａ，４０ｂとの密着性を向上させることができる。より詳細には、積層体２０は、金属磁性体の粒子を含有する材料により作製されている。更に、外部電極４０ａは、金属磁性体の粒子が露出している接触部分Ｓ１，Ｓ２に形成されており、外部電極４０ｂは、金属磁性体の粒子が露出している接触部分Ｓ３，Ｓ４に形成されている。外部電極４０ａ，４０ｂは、金属により作製されているので、金属磁性体の粒子と強固に金属結合する。これにより、外部電極４０ａ，４０ｂが、アンカー効果によって積層体２０に対して強く密着するようになる。
以上のように構成された電子部品１０及びその製造方法によれば、積層体２０と外部電極４０ａ，４０ｂとの密着性を向上させることができる。より詳細には、積層体２０は、金属磁性体の粒子を含有する材料により作製されている。更に、外部電極４０ａは、金属磁性体の粒子が露出している接触部分Ｓ１，Ｓ２に形成されており、外部電極４０ｂは、金属磁性体の粒子が露出している接触部分Ｓ３，Ｓ４に形成されている。外部電極４０ａ，４０ｂは、金属により作製されているので、金属磁性体の粒子と強固に金属結合する。これにより、外部電極４０ａ，４０ｂが、アンカー効果によって積層体２０に対して強く密着するようになる。
更に、外部電極４０ａ，４０ｂが強く密着するようになると、外部電極４０ａ，４０ｂと積層体２０との密着性を高くするために、外部電極４０ａ，４０ｂを大きくする必要がない。その結果、外部電極４０ａ，４０ｂを小型化でき、電子部品１０を小型化できる。
また、積層体２０の表面において、金属磁性体の粒子が露出している部分は、接触部分Ｓ１～Ｓ４である。よって、図２４では表現されてないが、めっきによりＣｕ膜１２２を形成することにより、接触部分Ｓ１～Ｓ４におけるＣｕ膜１２２の膜厚を接触部分Ｓ１～Ｓ４以外の部分におけるＣｕ膜１２２の膜厚よりも大きくすることができる。これにより、外部電極４０ａ，４０ｂが形成されるべき位置に短時間で十分な膜厚を有するＣｕ膜１２２を形成することができる。更に、外部電極４０ａ，４０ｂが形成されない位置には薄いＣｕ膜１２２しか形成されないので、余分なＣｕ膜１２２を短時間でエッチングにより除去することができる。以上より、Ｃｕ膜１２２の成膜時間を短縮することができると共に、Ｃｕ膜１２２のエッチング時間を短縮することができる。
また、金属磁性体の粒子を接触部分Ｓ１～Ｓ４において露出させることにより、外部電極４０ａ，４０ｂをめっきにより作製することができる。これにより、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の抵抗率の低い材料のみにより外部電極４０ａ，４０ｂを作製することができる。すなわち、外部電極４０ａ，４０ｂの積層体２０への密着性を向上させるための密着層をＣｕ膜１２２の下層に設けたり、外部電極４０ａ，４０ｂにガラスを混ぜたりすることが不要となる。密着層は、抵抗値の高いＴｉ，Ｃｒ，ＮｉＣｒ等の材料により作製される。また、ガラスが外部電極４０ａ，４０ｂに混ぜられると、外部電極４０ａ，４０ｂの抵抗値が高くなる。以上より、電子部品１０によれば、外部電極４０ａ，４０ｂの低抵抗化が図られる。ただし、このことは、密着層を設けること、及び、外部電極４０ａ，４０ｂにガラスを混ぜることを妨げるものではない。
また、外部電極４０ａ，４０ｂが金属磁性体の粒子と接触しているので、外部電極４０ａ，４０ｂの抵抗値が小さくなる。
また、外部電極４０ａ，４０ｂはそれぞれ、積層体２０の底面及び端面に跨っている。これにより、電子部品１０によれば、外部電極４０ａ，４０ｂが底面又は端面のいずれか一方にのみに設けられた場合に比べて、外部電極４０ａ，４０ｂの積層体２０への密着性を向上させることができる。
（その他の実施形態）
本発明に係る電子部品及びその製造方法は、前記電子部品１０及びその製造方法に限らずその要旨の範囲内において変更可能である。
本発明に係る電子部品及びその製造方法は、前記電子部品１０及びその製造方法に限らずその要旨の範囲内において変更可能である。
なお、外部電極４０ａ，４０ｂは、めっきにより作製されるものとしたが、樹脂ペースト及びガラスを含有するＡｇペーストが印刷又はディップされることにより形成されてもよい。また、外部電極４０ａ，４０ｂは、蒸着やスパッタ等の薄膜法により形成されてもよい。
また、マザー積層体１２０を複数の積層体２０に分割する際には、ダイシングにより行った。しかしながら、分割は、ブラストやレーザ加工により行われてもよい。
また、積層体２０は、金属磁性体の粒子を含有する無機酸化物（ガラス）により作製されてもよい。すなわち、積層体２０は、金属磁性体の粒子を含有する絶縁材料により作製されていればよい。
また、金属磁性体の粒子は、積層体２０の表面全てにおいて外部に露出していてもよい。ただし、絶縁性の観点からは、金属磁性体の粒子は、接触部分Ｓ１～Ｓ４においてのみ外部に露出していることが好ましい。
また、電子部品１０は、平角線が螺旋状に巻かれたコイルを、金属磁性体の粒子を含有する樹脂によりモールド成形されることによって作製されてもよい。
なお、電子部品１０は、コイル３０を備えているが、コイル以外の回路素子（例えば、コンデンサや抵抗等）を備えていてもよい。
なお、電子部品１０において、接触部分Ｓ１～Ｓ４を研磨することによって、金属磁性体の粒子を露出させてもよい。
なお、外部電極４０ａ，４０ｂは、Ｃｕ、Ａｇ、Ａｕ等の抵抗率の低い材料のみにより作製された導体層の下層に設けられた密着層を含んでいてもよい。密着層は、外部電極４０ａ，４０ｂの積層体２０への密着性を向上させるための導体層である。密着層は、抵抗値の高いＴｉ，Ｃｒ，ＮｉＣｒ、ＮｉＣｕ又はその合金等の材料により作製される。
以上のように、本発明は、電子部品及びその製造方法に対して有用であり、素体と外部電極との密着性を向上させることができる点において優れている。
１０：電子部品
２０：積層体
３０：コイル
６０：粒子
１２０：マザー積層体
Ｄ１，Ｄ２：ダイサー
Ｇ１：溝
Ｓ１～Ｓ４：接触部分
２０：積層体
３０：コイル
６０：粒子
１２０：マザー積層体
Ｄ１，Ｄ２：ダイサー
Ｇ１：溝
Ｓ１～Ｓ４：接触部分
Claims (10)
- 金属磁性体の粒子を含有する材料により作製された素体と、
前記素体の表面に設けられている外部電極と、
を備えており、
前記素体の表面において前記外部電極が接触している接触部分には、前記金属磁性体の粒子が露出していること、
を特徴とする電子部品。 - 前記金属磁性体の粒子の表面は、絶縁膜により覆われており、
前記接触部分において、前記絶縁膜が除去されることにより、前記金属磁性体の粒子が露出していること、
を特徴とする請求項１に記載の電子部品。 - 前記金属磁性体の粒子は、前記接触部分が切削されることにより、該接触部分において露出していること、
を特徴とする請求項１又は請求項２のいずれかに記載の電子部品。 - 前記素体は、直方体状をなしており、かつ、実装時に回路基板と対向する実装面、及び、該実装面に隣接し、互いに対向する第１の端面及び第２の端面を有しており、
前記外部電極は、前記実装面及び／又は前記第１の端面に跨っていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項３のいずれかに記載の電子部品。 - 前記外部電極は、Ｔｉ、Ｃｒ又はＮｉにより作製された密着層を含んでいること、
を特徴とする請求項１ないし請求項４のいずれかに記載の電子部品。 - 前記外部電極は、Ｃｕ、Ａｇ又はＣｕとＡｇとの合金により作製されていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項５のいずれかに記載の電子部品。 - 前記素体に設けられ、かつ、前記外部電極に電気的に接続されている回路素子を、
更に備えていること、
を特徴とする請求項１ないし請求項６のいずれかに記載の電子部品。 - 金属磁性体の粒子を含有する材料により作製された複数の素体がマトリクス状に配列されたマザー素体を作製する素体作製工程と、
前記マザー素体の一方の主面に他方の主面まで到達しない溝を形成する溝形成工程と、
前記溝の内周面に外部電極を形成する電極形成工程と、
前記マザー素体を前記複数の素体に分割する分割工程と、
を備えていること、
を特徴とする電子部品の製造方法。 - 前記マザー素体の一方の主面において、前記溝に隣接する部分を切削する切削工程を、
更に備えており、
前記電極形成工程において、前記溝の内周面及び前記溝に隣接する部分に前記外部電極を形成すること、
を特徴とする請求項８に記載の電子部品の製造方法。 - 前記電極形成工程では、めっきにより前記外部電極を形成すること、
を特徴とする請求項８又は請求項９のいずれかに記載の電子部品の製造方法。
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