JP7375469B2 - 絶縁体被覆磁性合金粉末粒子、圧粉磁心、およびコイル部品 - Google Patents

絶縁体被覆磁性合金粉末粒子、圧粉磁心、およびコイル部品 Download PDF

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Description

本発明は、絶縁体被覆磁性合金粉末粒子、圧粉磁心、およびコイル部品に関する。
従来、インダクターの磁心などに用いられる磁性合金粉末粒子が知られていた。このような粒子の表面には、粒子間に流れる渦電流を抑えるために絶縁処理が施されている。例えば、特許文献1には、軟磁性合金の粒子表面を、該軟磁性合金の酸化被膜で被覆した磁性材料が開示されている。
特開2012-238828号公報
しかしながら、特許文献1に記載の磁性材料では、高周波使用時に変位電流の影響が大きくなり、変位電流を抑えるために容量性リアクタンスの値を大きくする必要がある。容量性リアクタンスXcは下記式(1)で表され、下記式(1)中のキャパシタンスCは下記式(2)で表される。
Xc=1/2πfC ・・・(1)
C=Sk/d ・・・(2)
上記式(1),(2)から、容量性リアクタンスXcを大きくするためには、キャパシタンスCを小さくする。キャパシタンスCを小さくするには、面積Sもしくは、誘電率kを小さくするか、絶縁処理膜の膜厚dを大きくする。
磁性材料を磁心に用いたインダクターの性能を向上させるためには、絶縁処理被膜の膜厚dを薄くして透磁率を高める方策がある。ところが膜厚dを薄くすると、上記式(1)、(2)から、容量性リアクタンスXcが小さくなり、インダクターに電流を流した際に粒子間の渦電流損が大きくなる。渦電流損が大きくなるとインダクターとしての性能が低下する。また、膜厚dを厚くすると容量性リアクタンスXcは大きくなる一方で、透磁率が低下してインダクターとしての性能も低下しやすかった。つまり、透磁率と粒子間の渦電流損とは相反しやすい関係にあった。
また、膜厚dではなく、誘電率kを小さくする方策では、誘電率kが小さい材料であっても誘電率は2程度あるため、誘電率kをさらに下げるためには、絶縁処理膜中に空壁を設ける構成が考えられる。しかし、磁性材料の金属が露出した状態で空壁のある絶縁処理膜を成膜すると、高電圧印加時に、絶縁処理膜表面に電荷が誘電されて、絶縁体表面で放電が発生し、絶縁破壊を起こしてしまう。すなわち、本発明の課題は透磁率と直流絶縁耐圧とを下げることなく、高周波領域における粒子間の渦電流損を低減する絶縁体被覆磁性合金粉末粒子を提供することにある。
磁性合金粉末粒子と、前記磁性合金粉末粒子の表面を被覆し、複数の突起を表面に有す
る絶縁体と、を含み、前記絶縁体は、前記突起に内包される粒子状の第1絶縁体と、前記
第1絶縁体の表面の少なくとも一部を被覆する膜状の第2絶縁体と、を含み、前記第1絶
縁体の平均粒子径は、4nm以上40nm以下であり、前記第1絶縁体は、前記磁性合金
粉末粒子の表面積43nm 2 乃至10000nm 2 あたりに1個存在することを特徴とする


上記の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子において、第2絶縁体の膜厚は、2nm以上20nm以下であることが好ましい。
上記の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子において、第2絶縁体の体積抵抗率は、1×1014Ω・cm以上1×1017Ω・cm以下であることが好ましい。
上記の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子において、第1絶縁体の比誘電率は、2以上4以下であることが好ましい。
圧粉磁心は、上記の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子が圧粉されて成り、前記第1絶縁体また
は前記第2絶縁体で囲まれた空隙を含むことを特徴とする。

コイル部品は、上記の圧粉磁心を備えることを特徴とする。
第1実施形態に係る絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の一粒子を示す模式断面図。 圧粉磁心の構造を示す模式図。 絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の製造方法を示す工程フロー図。 絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の製造方法の一例を示す模式図。 第2実施形態に係る絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の一粒子を示す模式断面図。 第3実施形態に係るコイル部品としてのトロイダルコイルの外観図。 第4実施形態に係るコイル部品としてのインダクターの透過斜視図。
1.第1実施形態
第1実施形態に係る絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の構成について説明する。図1は、絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の一粒子を示す模式断面図である。
1.1.絶縁体被覆磁性合金粉末粒子
図1に示すように、本実施形態の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子1は、磁性合金粉末粒子2と絶縁体7とを含む。絶縁体7は、磁性合金粉末粒子2の表面を被覆し、複数の突起5を表面に有している。なお、以降の説明において、絶縁体被覆磁性合金粉末粒子1を単に絶縁体被覆粒子1ということもある。
1.2.磁性合金粉末粒子
磁性合金粉末粒子2は、軟磁性材料を含む粒子である。磁性合金粉末粒子2に含まれる軟磁性材料としては、例えば、純鉄、ケイ素鋼のようなFe-Si系合金、パーマロイのようなFe-Ni系合金、パーメンジュールのようなFe-Co系合金、センダストのようなFe-Si-Al系合金、Fe-Cr-Si系合金、およびFe-Cr-Al系合金などの各種Fe系合金、各種Ni系合金、各種Co系合金などが挙げられる。これらのうち、透磁率、磁束密度などの磁気特性、およびコストなどの生産性の観点から、各種Fe系合金を用いることが好ましい。
軟磁性材料の結晶性は、特に限定されず、結晶質、非晶質(アモルファス)、および微結晶質(ナノ結晶質)のいずれであってもよい。これらの結晶性のうち、軟磁性材料は、非晶質または微結晶質を含むことが好ましく、非晶質を含むことがより好ましい。これによって、軟磁性材料の保磁力が小さくなりヒステリシス損失が減少して、透磁率および磁束密度を向上させると共に、圧粉した際に鉄損が低減される。
非晶質または微結晶質を形成可能な軟磁性材料としては、例えば、Fe-Si-B系、Fe-Si-B-C系、Fe-Si-B-Cr-C系、Fe-Si-Cr系、Fe-B系、Fe-P-C系、Fe-Co-Si-B系、Fe-Si-B-Nb系、Fe-Zr-B系のようなFe系合金、Ni-Si-B系、Ni-P-B系のようなNi系合金、Co-Si-B系のようなCo系合金などが挙げられる。なお、磁性合金粉末粒子2には、異なる結晶性を有する軟磁性材料を複数種類用いてもよい。
軟磁性材料は、磁性合金粉末粒子2の全質量に対して、50質量%以上含まれることが好ましく、より好ましくは80質量%以上であり、さらにより好ましくは90質量%以上である。これにより、磁性合金粉末粒子2の軟磁性が向上する。
磁性合金粉末粒子2には、軟磁性材料の他に不純物や添加物が含まれていてもよい。該添加物としては、例えば、各種金属材料、各種非金属材料、各種金属酸化物材料などが挙げられる。
磁性合金粉末粒子2の平均粒子径は、特に限定されないが、例えば0.25μm以上250.00μm以下である。ここで、本明細書における平均粒子径とは、体積基準粒度分布(50%)を指していう。平均粒子径は、JIS Z8825に記載の動的光散乱法やレーザー回折光法で測定される。具体的には、例えば動的光散乱法を測定原理とする粒度分布計が採用可能である。
磁性合金粉末粒子2の製造方法としては、特に限定されないが、例えば水アトマイズ法、ガスアトマイズ法、高速回転水流アトマイズ法などの各種アトマイズ法、還元法、カルボニル法、粉砕法などが挙げられる。これらのうち、微小な粒子を粒子径のばらつきを抑えて効率よく製造するという観点から、アトマイズ法を採用することが好ましい。
1.3.絶縁体
絶縁体7は、粒子状の第1絶縁体3と、膜状の第2絶縁体4とを含む。第1絶縁体3は、複数の突起5のそれぞれに内包される。第2絶縁体4は、第1絶縁体3の表面の少なくとも一部と、磁性合金粉末粒子2の表面の一部とを被覆している。詳しくは、第2絶縁体4は、第1絶縁体3および磁性合金粉末粒子2の表面のうち、第1絶縁体3と磁性合金粉末粒子2とが接している領域以外のそれぞれの表面を被覆している。
1.3.1.第1絶縁体
磁性合金粉末粒子2の表面には、複数の第1絶縁体3が接している。第1絶縁体3は、粒子状であって磁性合金粉末粒子2よりも小さい。第1絶縁体3は、磁性合金粉末粒子2の表面積43nm2乃至10000nm2あたりに1個存在することが好ましく、上記表面積97nm2乃至625nm2あたりに1個存在することがより好ましい。
第1絶縁体3の平均粒子径は、4nm以上40nm以下であり、より好ましくは6nm以上10nm以下である。これにより、絶縁体7における突起5が形成されやすくなると共に、絶縁体被覆粒子1を圧粉した際に、突起5によって後述する空隙が生じやすくなる。第1絶縁体3の平均粒子径は、磁性合金粉末粒子2と同様な方法で測定することが可能である。なお、第1絶縁体3の平均粒子径などによって、突起5の形状を変更することが可能である。
第1絶縁体3の比誘電率は、2以上4以下である。第1絶縁体3の比誘電率は、成分を分析して該成分に基づいて算出することが可能である。
第1絶縁体3の体積抵抗率は、1×1014Ω・cm以上1×1017Ω・cm以下であることが好ましい。これにより、絶縁体被覆粒子1における、直流絶縁耐圧と透磁率とを向上させることができる。第1絶縁体3の体積抵抗率は、公知の数値または公知の測定方法が採用可能である。
第1絶縁体3の形成材料としては、例えば、酸化アルミニウム、フッ化アルミニウム、結晶性シリカおよび非結晶シリカのような酸化ケイ素、ポリテトラフルオロエチレンのようなフッ素系樹脂、シリコーン系樹脂、パラフィン、およびウレタンゴムのようなエラストマーなどが挙げられる。第1絶縁体3には、これらの形成材料を1種類単独、あるいは複数種類用いる。
1.3.2.第2絶縁体
第2絶縁体4は、膜状であって、磁性合金粉末粒子2および第1絶縁体3を被覆している。つまり、第1絶縁体3および第2絶縁体4を含む絶縁体7は、磁性合金粉末粒子2が絶縁体被覆粒子1の表面に露出しないように、磁性合金粉末粒子2の表面を被覆している。そのため、第1絶縁体3の一部は、第2絶縁体4で被覆されずに絶縁体被覆粒子1の表面に露出していてもよい。
第2絶縁体4は第1絶縁体3を被覆する領域において凸状に盛り上がり、絶縁体7の突起5が形成されている。つまり、突起5は、第1絶縁体3に対応する位置に存在する。したがって、絶縁体被覆粒子1の一粒子における突起5の数は、磁性合金粉末粒子2の一粒子の表面に存在する第1絶縁体3の数に対応している。
第2絶縁体4の膜厚は、2nm以上20nm以下であり、より好ましくは3nm以上5nm以下である。これにより、絶縁体7における突起5が形成されやすくなると共に、絶縁体被覆粒子1を圧粉した際に、突起5によって後述する空隙が生じやすくなる。突起5の形状は、第1絶縁体3の平均粒子径に加えて、第2絶縁体4の膜厚によっても変更することが可能である。第2絶縁体4の膜厚は、絶縁体被覆粒子1の断面を透過型電子顕微鏡などで観察して、5箇所以上で測定した膜厚の平均値から知ることが可能である。
第2絶縁体4の体積抵抗率は、1×1014Ω・cm以上1×1017Ω・cm以下である。これにより、絶縁体被覆粒子1における、直流絶縁耐圧と透磁率とを向上させることができる。第2絶縁体4の体積抵抗率は、第1絶縁体3と同様に公知の数値または公知の測定方法が採用可能である。
第2絶縁体4の形成材料としては、例えば、酸化アルミニウム、結晶性シリカおよび非結晶性シリカなどの酸化ケイ素、ポリテトラフルオロエチレンのようなフッ素系樹脂、フッ化炭素、ポリシラザン化合物およびシリコーン化合物のようなシリコーン系樹脂などが挙げられる。なお、第1絶縁体3の形成材料と第2絶縁体4の形成材料は、同じ形成材料であってもよく、異なるものを組み合わせて用いてもよい。
1.4.圧粉磁心
絶縁体被覆粒子1は、インダクターやトロイダルコイルなどのコイル部品に備わる圧粉磁心に好適に用いられる。また、絶縁体被覆粒子1は、アンテナ、電磁波吸収体などのコイル部品以外の磁性素子にも用いられる。そのため、圧粉磁心はこれらの用途に合わせて所望の形状に成形される。
本実施形態に係る圧粉磁心100は、絶縁体被覆粒子1および結合材などを混合して混合物とし、該混合物を加熱しながら加圧成形して製造される。すなわち、圧粉磁心100は、絶縁体被覆粒子1が圧粉されて成る。
以下、圧粉磁心100の内部における絶縁体被覆粒子1の状態について説明する。図2は、圧粉磁心の構造を示す模式図である。なお、図2は、圧粉磁心100における3つの絶縁体被覆粒子1の状態を模式的に例示したものである。また、図2では、絶縁体被覆粒子1に含まれる第1絶縁体3および結合材の図示を省略している。
図2に示すように、圧粉磁心100は、磁性合金粉末粒子2と磁性合金粉末粒子2の表面を被覆する絶縁体7と、を含む絶縁体被覆粒子1が圧粉されて成る。絶縁体7は、図示しない、粒子状の第1絶縁体3と膜状の第2絶縁体4と、を含む。第2絶縁体4は、第1絶縁体3の少なくとも一部を被覆している。
ここで、磁性合金粉末粒子2の表面は絶縁体7によって全て被覆されていることが好ましいが、部分的に絶縁体7によって被覆されない領域が存在してもよい。被覆されない領域が部分的に存在しても、磁性合金粉末粒子2が圧粉される際に、上記領域同士が合致するチャンスが低減されるため、沿面放電の抑制などの所望の効果が得られる。なお、磁性合金粉末粒子2の表面の全てを被覆するとは、絶縁体被覆粒子1の断面を透過型電子顕微鏡などで5箇所以上観察し、観察した視野内において、第2絶縁体4と磁性合金粉末粒子2との間に剥離などの欠損が検出されないことをいう。
圧粉磁心100では、圧粉としての加圧成形によって、複数の絶縁体被覆粒子1が寄せ集められて凝集している。このとき、各々の絶縁体被覆粒子1が備える複数の突起5が干渉し合って、絶縁体被覆粒子1の間に空隙9が生じる。すなわち、圧粉磁心100は、第2絶縁体4で囲まれた空隙9を含んでいる。なお、上述したように、絶縁体被覆粒子1の表面に第1絶縁体3が露出している場合には、第1絶縁体3で囲まれた空隙9が含まれていてもよい。空気の誘電率は約1.00であるため、圧粉磁心100では、空隙9によってトータルでの誘電率が下げられている。
従来、空気を利用した誘電率の低減方法として、磁性体を絶縁性の多孔質膜で被覆して孔内の空気、すなわち空壁を利用する方法や、磁性体に絶縁体粒子を付着させて磁性体同士の間の空気を利用する方法が検討されてきた。
多孔質膜を用いる方法では、磁性体を圧粉した際に、多孔質膜によって磁性体同士の接触が抑制される。ところが、多孔質膜の孔の底部では磁性体の表面が露出しているため、高電圧が印加されると、隣り合う磁性体同士の孔が対向した領域で放電が起きる場合があった。また、絶縁体粒子が付着された磁性体には、絶縁体粒子が付着していないところに磁性体の表面が露出した領域が存在する。そのため、圧粉によって磁性体同士が寄せ集められると、磁性体の表面同士が近い領域で、上記と同様にして放電が起きる場合があった。このように、従来は、空気を利用して絶縁耐性を向上させることが難しかった。
これに対して、絶縁体被覆粒子1の圧粉磁心100では、絶縁体7が磁性合金粉末粒子2の表面を被覆することに加えて、突起5の干渉によって空隙9が形成される。そのため、圧粉磁心100では、磁性合金粉末粒子2間の誘電率を下げながら、絶縁耐性が向上する。
絶縁体被覆粒子1を圧粉する際には、絶縁体被覆粒子1に応力が作用する。特に、絶縁体被覆粒子1の表面の突起5には曲げ応力などがかかる。そのため、第2絶縁体4に上述した形成材料を用いる場合に、各形成材料の曲げ強さ以下のプレス圧で圧粉することが好ましい。これによれば、突起5における破損の発生を抑えて、空隙9の形成を容易にすることができる。
以下に、第2絶縁体4の形成材料と曲げ強さの数値とを例示する。各形成材料の括弧内の数値が曲げ強さである。酸化アルミニウム(約350MPa)、石英(約150MPa)、非晶性シリカ(約150MPa)、ポリテトラフルオロエチレン(約600MPa)。
1.5.絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の製造方法
絶縁体被覆粒子1の製造方法について説明する。図3は、絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の製造方法を示す工程フロー図である。図4は、絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の製造方法の一例を示す模式図である。
図3に示すように、本実施形態の絶縁体被覆粒子1の製造方法は、工程S1から工程S3を有している。なお、図3に示した工程フローは一例であって、これに限定されるものではない。
工程S1では、磁性合金粉末粒子2に前処理を施す。詳しくは、磁性合金粉末粒子2の表面において、有機物などの付着物を除去すると共に、該表面の濡れ性を向上させる。前処理としては、オゾン処理およびプラズマ処理などが挙げられる。具体的には、オゾン処理では、磁性合金粉末粒子2をオゾン濃度が5000ppmの雰囲気に10分以上暴露する。
プラズマ処理では、大気圧プラズマまたは真空プラズマにて、He(ヘリウム)、Ar(アルゴン)、N2(窒素)、H2O(水)、O2(酸素)、Ne(ネオン)などのガスを用いる。このとき、F2(フッ素)およびCl2(塩素)のような、磁性合金粉末粒子2の表面に対して、残留する、またはエッチングするガスは用いないことが好ましい。
磁性合金粉末粒子2における表面の濡れ性の指標には、水の接触角を用いる。磁性合金粉末粒子2の表面における、工程S1の前処理後の水の接触角は15°以下とする。これにより、磁性合金粉末粒子2に対する第1絶縁体3および第2絶縁体4の密着性が向上する。そして工程S2へ進む。
工程S2では、粒子状の第1絶縁体3を磁性合金粉末粒子2の表面に形成する。具体的には、例えば図4に示すように、円筒容器30に磁性合金粉末粒子2を入れて、傾斜させた円筒容器30を回転させながら第1絶縁体3の形成材料の粒子を投入する。この操作により、静電相互作用などによって磁性合金粉末粒子2の表面に第1絶縁体3が付着する。
円筒容器30に投入する第1絶縁体3の形成材料の平均粒子径は、上述した第1絶縁体3の平均粒子径とする。磁性合金粉末粒子2の表面に付着させる第1絶縁体3の個数は、上述した磁性合金粉末粒子2の表面積に対する数値範囲内とする。そして工程S3へ進む。
工程S3では、第1絶縁体3が付着した磁性合金粉末粒子2に、第2絶縁体4および突起5を形成する。第2絶縁体4および突起5の形成方法としては、例えば、ALD(Atomic Layer Deposition)法、ゾルゲル法、ディップ法、熱酸化法、CVD(Chemical Vapor Deposition)法、直接塗布法などが挙げられる。
ALD法を採用する場合に、例えば酸化ケイ素を第2絶縁体4として形成するには、トリジメチルアミノシランなどのシリコン含有化合物を用いる。該シリコン含有化合物は、熱によって水酸基と反応しやすい、アルキル基もしくはアルキル基を有するアミノ基を備えているものを用いる。まず、第1絶縁体3が付着した磁性合金粉末粒子2に上記シリコン含有化合物を熱で反応させる。次いで、表面をオゾン、水、または酸素プラズマで酸化させる。そして、再び上記シリコン含有化合物の反応から繰り返す、上述した第2絶縁体4の膜厚が得られるまで実施する。
ゾルゲル法を採用する場合に、例えば酸化ケイ素を第2絶縁体4として形成するには、オルトケイ酸テトラエチルなどの、分子中に2個から4個のアルコキシ基を有するシリコン化合物を用いる。
まず、上記シリコン化合物、反応用の水、および触媒であるアンモニアをエタノールに入れた混合液を作成する。次いで、該混合液に第1絶縁体3が付着した磁性合金粉末粒子2を投入し、上記シリコン化合物におけるアルコキシ基の加水分解、重縮合反応によって第2絶縁体4を形成して、磁性合金粉末粒子2および第1絶縁体3を被覆する。このとき、突起5も形成される。
CVD法のうちプラズマCVD法を採用する場合に、例えば酸化ケイ素を第2絶縁体4として形成するには、シリコン原子に水素、アルキル基またはアルコキシ基が付加したシリコン化合物を用いる。第1絶縁体3が付着した磁性合金粉末粒子2に対して、該シリコン化合物を装置内に導入して、酸素プラズマにて酸化させて第2絶縁体4および突起5を形成する。あるいは、第1絶縁体3が付着した磁性合金粉末粒子2に対して、オルガノシランを装置内に導入して、アルゴンプラズマにて重合反応を起こさせて第2絶縁体4および突起5を形成してもよい。
また、例えばフッ化炭素を第2絶縁体4として形成するには、第1絶縁体3が付着した磁性合金粉末粒子2に対してパーフルオロカーボンを装置内に導入して、アルゴンプラズマにて第2絶縁体4および突起5を形成する。
その他の絶縁体被覆粒子1の製造方法としては、磁性合金粉末粒子2に第1絶縁体3および第2絶縁体4の形成材料である粉末粒子を振りかける方法が挙げられる。具体的には、図4に示した工程S2の円筒容器30を用い、第1絶縁体3が付着した磁性合金粉末粒子2に対して、円筒容器30を回転させながら第2絶縁体4の形成材料の粉末を振りかける。上記粉末の投入は、断続的に実施する。このとき、円筒容器30内を加熱してもよい。これにより、突起5および第2絶縁体4が形成されて絶縁体被覆粒子1が製造される。
また、上記操作を第1絶縁体3が付着していない磁性合金粉末粒子2に行って、第1絶縁体3、第2絶縁体4および突起5を連続的に形成してもよい。この場合には、第1絶縁体3および第2絶縁体4は同一の形成材料から成る。
本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
透磁率と直流絶縁耐圧とを下げることなく、高周波領域における粒子間の渦電流損を低減することができる。詳しくは、磁性合金粉末粒子2の表面が絶縁体7で被覆されている。これに加えて、圧粉した際に、絶縁体被覆粒子1の間で各々が有する複数の突起5が干渉し合って、絶縁体被覆粒子1同士が密に接しにくくなる。そのため、絶縁体7で囲まれた空隙9が生じて、空隙9が別の絶縁体として機能するので、粒子間の渦電流損を低減することができる。また、磁性合金粉末粒子2の表面が絶縁体7で被覆されていることによって、圧粉して高電圧を印加しても、絶縁体被覆粒子1の間で空隙9と絶縁体7との界面に沿った沿面放電が発生しにくくなり、絶縁体7のうち、特に第2絶縁体4の膜厚を厚くせずに直流絶縁耐圧を確保することができる。
絶縁体7が粒子状の第1絶縁体3を内包することから、第1絶縁体3を核として絶縁体7の複数の突起5を容易に形成することができる。
第2絶縁体4の膜厚が2nm以上であることから、沿面放電の発生がさらに抑えられ、直流絶縁耐圧を向上させることができる。第2絶縁体4の膜厚が20nm以下であることから、透磁率を向上させることができる。
第2絶縁体4の体積抵抗率が1×1014Ω・cm以上であることから、沿面放電の発生がさらに抑えられ、直流絶縁耐圧を向上させることができる。第2絶縁体4の体積抵抗率が1×1017Ω・cm以下であることから、透磁率を向上させることができる。
第1絶縁体3の平均粒子径が4nm以上であることから、絶縁体7の突起5が嵩高くなる。そのため、圧粉した際に、絶縁体被覆粒子1の間で絶縁体7の突起5同士がより干渉しやすくなり、絶縁体7に囲まれた空隙9が生じる。この空隙9が別の絶縁体として機能して、絶縁体被覆粒子1の間の渦電流損をさらに低減することができる。
第1絶縁体3の平均粒子径が40nm以下であることから、絶縁体7の突起5が極端に嵩高くならない。そのため、圧粉した際に、絶縁体被覆粒子1同士が離れ過ぎない。したがって、磁性合金粉末粒子2に対する絶縁体7と空隙9との割合が増えにくく、透磁率の低下を抑えることができる。
第1絶縁体3の比誘電率が2以上4以下であることから、突起5によって形成される空隙9と共に、磁性合金粉末粒子2間のトータルでの誘電率が下げられる。そのため、渦電流損を低減することができる。
第1絶縁体3が磁性合金粉末粒子2の表面積43nm2乃至10000nm2あたりに1個存在することから、圧粉した際に、突起5によって絶縁体7に囲まれた空隙9を生じやすくすることができる。詳しくは、1個の第1絶縁体3が存在する磁性合金粉末粒子2の表面積が、43nm2以上であることから、複数の突起5が密になり過ぎずに空隙9が生じやすくなる。また、上記表面積が10000nm2以下であることから、複数の突起5が疎になり過ぎない。そのため、空隙9が生じやすくなると共に、圧粉した際に突起5が潰れにくくなる。
圧粉磁心100は、上記の絶縁体被覆粒子1が圧粉されて成ることから、透磁率と直流絶縁耐圧とを下げることなく、高周波領域における絶縁体被覆粒子1間の渦電流損を低減することができる。
2.第2実施形態
2.1.絶縁体被覆磁性合金粉末粒子
第2実施形態に係る絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の構成について説明する。図5は、第2実施形態に係る絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の一粒子を示す模式断面図である。なお、本実施形態の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子は、第1実施形態の絶縁体被覆粒子1に対して、絶縁体の構成を異ならせたものである。そのため、第1実施形態と同一の構成部位については、同一の符号を使用し、重複する説明は省略する。
図5に示すように、本実施形態の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子101は、磁性合金粉末粒子2と絶縁体107とを含む。絶縁体107は、磁性合金粉末粒子2の表面を被覆し、複数の突起5を表面に有している。なお、以降の説明において、絶縁体被覆磁性合金粉末粒子101を単に絶縁体被覆粒子101ということもある。
2.2.絶縁体
絶縁体107は、膜状の第3絶縁体6と、粒子状の第1絶縁体3と、膜状の第2絶縁体4とを含む。すなわち、絶縁体被覆粒子101は、第1実施形態の絶縁体に対して、第3絶縁体6を含む点が異なっている。
第3絶縁体6は、磁性合金粉末粒子2を被覆して、磁性合金粉末粒子2と第1絶縁体3および第2絶縁体4との間に配置されている。第1絶縁体3は、複数の突起5のそれぞれに内包される。第2絶縁体4は、第1絶縁体3の表面の少なくとも一部と、第3絶縁体6の表面の一部とを被覆している。詳しくは、第2絶縁体4は、第1絶縁体3および第3絶縁体6の表面のうち、第1絶縁体3と第3絶縁体6とが接している領域以外のそれぞれの表面を被覆している。
2.2.1.第3絶縁体
第3絶縁体6は、膜状であって、磁性合金粉末粒子2を被覆している。つまり、第3絶縁体6、第1絶縁体3および第2絶縁体4を含む絶縁体107は、磁性合金粉末粒子2が絶縁体被覆粒子101の表面に露出しないように、磁性合金粉末粒子2の表面を被覆している。そのため、第1絶縁体3の一部は、第2絶縁体4で被覆されずに絶縁体被覆粒子101の表面に露出していてもよい。
第3絶縁体6の膜厚は、2nm以上20nm以下であり、より好ましくは3nm以上5nm以下である。第3絶縁体6の膜厚は、絶縁体被覆粒子1の第2絶縁体4の膜厚と同様にして知ることが可能である。また、第3絶縁体6の体積抵抗率は、1×1014Ω・cm以上1×1017Ω・cm以下である。これらにより、絶縁体被覆粒子101における、直流絶縁耐圧と透磁率とを向上させることができる。第3絶縁体6の体積抵抗率は、第1絶縁体3と同様に公知の数値または公知の測定方法が採用可能である。なお、第3絶縁体6には、第2絶縁体4と同様な形成材料および形成方法が採用可能である。
本実施形態によれば、第1実施形態の効果に加えて以下の効果を得ることができる。
第2絶縁体4に加えて第3絶縁体6によっても磁性合金粉末粒子2が被覆されるため、絶縁体被覆粒子101の表面に磁性合金粉末粒子2がさらに露出しにくくなる。したがって、圧粉して高電圧を印加しても、絶縁体被覆粒子101の間で沿面放電がさらに発生しにくくなり、渦電流損をさらに低減することができる。
3.第3実施形態
第3実施形態に係るコイル部品としてトロイダルコイルを例示する。図6は、第3実施形態に係るコイル部品としてのトロイダルコイルの外観図である。
図6に示すように、本実施形態のトロイダルコイル10は、リング状の圧粉磁心11、および圧粉磁心11に巻回された導線12を有している。圧粉磁心11は、第1実施形態の圧粉磁心100をリング状に成形したものである。
圧粉磁心11は、第1実施形態の絶縁体被覆粒子1と結合材とを混合して混合物とし、該混合物を加圧成形して製造される。結合材としては、例えば、シリコーン系樹脂、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂、ポリアミド系樹脂、ポリイミド系樹脂、ポリフェニレンサルファイド系樹脂などの有機材料、リン酸マグネシウム、リン酸カルシウム、リン酸亜鉛、リン酸マンガン、リン酸カドミウムのようなリン酸塩、ケイ酸ナトリウムのようなケイ酸塩などの無機材料が挙げられる。なお、結合材は必須の構成ではなく、結合材を用いずに圧粉磁心11を製造してもよい。
導線12の形成材料としては、導電性が高い材料であれば特に限定されないが、例えばCu(銅)、Al(アルミニウム)、Ag(銀)、Au(金)、およびNi(ニッケル)などを含む金属材料が挙げられる。
導線12の表面には、図示を省略するが、絶縁性を有する表面層が設けられている。表面層によって、圧粉磁心11と導線12との間で短絡の発生が防止される。表面層の形成材料には、絶縁性を有する公知の樹脂が採用可能である。
圧粉磁心11の形状は、リング状であることに限定されず、例えばリングの一部が欠けた形状、棒状などであってもよい。
圧粉磁心11は、必要に応じて、上記実施形態の絶縁体被覆粒子1以外の磁性合金粉末粒子、または非磁性合金粉末粒子を含んでいてもよい。これらを含む場合には、これらの粉末粒子と絶縁体被覆粒子1との混合比率は特に限定されず、任意に設定される。また、絶縁体被覆粒子1以外の上記粉末粒子を複数種類用いてもよい。
本実施形態では、コイル部品としてトロイダルコイル10を例示したがこれに限定されない。絶縁体被覆粒子1が適用されるコイル部品としては、トロイダルコイルの他に、例えばインダクター、リアクトル、トランス、モーター、ジェネレーターなどが挙げられる。これらのコイル部品は、圧粉磁心100に代えて、第2実施形態の絶縁体被覆粒子101を圧粉した圧粉磁心を備えていてもよい。
圧粉磁心100は、アンテナ、電磁波吸収体のようなコイル部品以外の磁性素子に用いられてもよい。
本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
透磁率と直流絶縁耐圧とを下げることなく、高周波領域における粒子間の渦電流損を低減し、性能が向上したトロイダルコイル10とすることができる。
4.第4実施形態
第4実施形態に係るコイル部品としてインダクターを例示する。図7は、第4実施形態に係るコイル部品としてのインダクターの透過斜視図である。
図7に示すように、本実施形態のインダクター20は、第1実施形態の圧粉磁心100を略直方体状とした圧粉磁心21を備えている。インダクター20では、コイル状に成形された導線22が圧粉磁心21の内部に埋設されている。すなわち、インダクター20は、導線22が圧粉磁心21によってモールドされて成る。
導線22が圧粉磁心21の内部に埋設されていることから、導線22と圧粉磁心21との間に隙間が生じにくい。そのため、圧粉磁心21の磁歪による振動を抑制し、振動に伴う騒音の発生を抑えることができる。また、導線22が圧粉磁心21に埋設されて成形されているため、インダクター20を容易に小型化することができる。
圧粉磁心21は、形状が異なる以外、上記実施形態の圧粉磁心11と同様な構成である。圧粉磁心21には、第1実施形態の絶縁体被覆粒子1に代えて、第2実施形態の絶縁体被覆粒子101を用いてもよい。導線22は、成形された形状が異なる以外、上記実施形態の導線12と同様な構成である。
本実施形態によれば、以下の効果を得ることができる。
透磁率と直流絶縁耐圧とを下げることなく、高周波領域における粒子間の渦電流損を低減し、性能が向上したインダクター20とすることができる。
5.変形例
上記実施形態の圧粉磁心100を用いたコイル部品は、各種電子機器に適用が可能である。各種電子機器としては、例えば、ノート型やラップトップ型のパーソナルコンピューター、携帯電話機、デジタルスチールカメラ、スマートフォン、タブレット端末、スマートウォッチを含む時計、スマートグラス、HMD(ヘッドマウントディスプレイ)などのウェアラブル端末、テレビ、ビデオカメラ、ビデオテープレコーダー、カーナビゲーションシステム、ページャー、通信機能を備えた電子手帳、電子辞書、電卓、電子ゲーム機器、ワードプロセッサー、ワークステーション、テレビ電話、防犯用テレビモニター、電子双眼鏡、POS(Point Of Sale)システム端末、電子体温計、血圧計、血糖計、心電図計測装置、超音波診断装置、電子内視鏡などの医療機器、魚群探知機、各種測定機器、車両、航空機、船舶などに搭載される計器類、携帯端末用の基地局、フライトシミュレーターなどが挙げられる。これらの電子機器に上記実施形態のコイル部品を用いることによって、性能が向上すると共に、小型化および高周波対応が容易となる。
上記実施形態の圧粉磁心100を用いたコイル部品は、各種移動体が備える各種機器にも適用が可能である。このような各種機器としては、例えば、キーレスエントリー、イモビライザー、カーナビゲーションシステム、カーエアコン制御システム、ABS(アンチロックブレーキ)システム、エアバック、TPMS(タイヤ・プレッシャー・モニタリング・システム)、エンジンコントロールシステム、ブレーキシステム、ハイブリッド自動車や電気自動車の電池モニター、車体姿勢制御システム、自動運転システムなどの電子制御ユニットなどが挙げられる。これらの移動体が備える各種機器は、上記実施形態のコイル部品を備えることによって、性能が向上すると共に、小型化および高周波対応が容易となる。
以下に、実施形態から導き出される内容を記載する。
絶縁体被覆磁性合金粉末粒子は、磁性合金粉末粒子と、磁性合金粉末粒子の表面を被覆し、複数の突起を表面に有する絶縁体と、を含み、絶縁体は、突起に内包される粒子状の第1絶縁体と、第1絶縁体の表面の少なくとも一部を被覆する膜状の第2絶縁体と、を含むことを特徴とする。
この構成によれば、透磁率と直流絶縁耐圧とを下げることなく、高周波領域における粒子間の渦電流損を低減することができる。詳しくは、磁性合金粉末粒子の表面が絶縁体で被覆されている。これに加えて、絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の間で各々が有する複数の突起が干渉し合って、圧粉した際に絶縁体被覆磁性合金粉末粒子同士が密に接しにくくなる。そのため、絶縁体で囲まれた空隙が生じて、空隙が別の絶縁体として機能するので、粒子間の渦電流損を低減することができる。また、磁性合金粉末粒子の表面が絶縁体で被覆されていることによって、圧粉して高電圧を印加しても、絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の間で空隙と絶縁体との界面に沿った沿面放電が発生しにくくなり、絶縁体のうち、特に第2絶縁体の膜厚を厚くせずに直流絶縁耐圧を確保することができる。
絶縁体が粒子状の第1絶縁体を内包することから、第1絶縁体を核として絶縁体の複数の突起を容易に形成することができる。
上記の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子において、第2絶縁体の膜厚は、2nm以上20nm以下であることが好ましい。
この構成によれば、第2絶縁体の膜厚が2nm以上であることから、沿面放電の発生がさらに抑えられ、直流絶縁耐圧を向上させることができる。第2絶縁体の膜厚が20nm以下であることから、透磁率を向上させることができる。
上記の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子において、第2絶縁体の体積抵抗率は、1×1014Ω・cm以上1×1017Ω・cm以下であることが好ましい。
この構成によれば、第2絶縁体の体積抵抗率が1×1014Ω・cm以上であることから、沿面放電の発生がさらに抑えられ、直流絶縁耐圧を向上させることができる。第2絶縁体の体積抵抗率が1×1017Ω・cm以下であることから、透磁率を向上させることができる。
上記の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子において、第1絶縁体の平均粒子径は、4nm以上40nm以下であることが好ましい。
この構成によれば、第1絶縁体の平均粒子径が4nm以上であることから、絶縁体の突起が嵩高くなる。そのため、圧粉した際に、絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の間で絶縁体の突起同士がより干渉しやすくなり、絶縁体に囲まれた空隙が生じる。この空隙が別の絶縁体として機能して、絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の間の渦電流損をさらに低減することができる。
第1絶縁体の平均粒子径が40nm以下であることから、絶縁体の突起が極端に嵩高くならない。そのため、圧粉した際に、絶縁体被覆磁性合金粉末粒子同士が離れ過ぎない。したがって、磁性合金粉末粒子に対する絶縁体と空隙との割合が増えにくく、透磁率の低下を抑えることができる。
上記の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子において、第1絶縁体の比誘電率は、2以上4以下であることが好ましい。
この構成によれば、突起によって形成される空隙と共に、磁性合金粉末粒子間のトータルでの誘電率が下げられる。そのため、渦電流損を低減することができる。
上記の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子において、第1絶縁体は、磁性合金粉末粒子の表面積43nm2乃至10000nm2あたりに1個存在することが好ましい。
この構成によれば、圧粉した際に、突起によって絶縁体に囲まれた空隙を生じやすくすることができる。詳しくは、1個の第1絶縁体が存在する磁性合金粉末粒子の表面積が、43nm2以上であることから、複数の突起が密になり過ぎずに空隙が生じやすくなる。また、上記表面積が10000nm2以下であることから、複数の突起が疎になり過ぎない。そのため、空隙が生じやすくなると共に、圧粉した際に突起が潰れにくくなる。
圧粉磁心は、上記の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子が圧粉されて成ることを特徴とする。
この構成によれば、透磁率と直流絶縁耐圧とを下げることなく、高周波領域における粒子間の渦電流損を低減する圧粉磁心とすることができる。
コイル部品は、上記の圧粉磁心を備えることを特徴とする。
この構成によれば、透磁率と直流絶縁耐圧とを下げることなく、高周波領域における粒子間の渦電流損を低減し、性能が向上したコイル部品とすることができる。
圧粉磁心は、磁性合金粉末粒子と、磁性合金粉末粒子の表面を被覆する絶縁体と、が圧粉されて成る圧粉磁心であって、絶縁体は、粒子状の第1絶縁体と、第1絶縁体の表面の少なくとも一部を被覆する膜状の第2絶縁体と、を含み、第1絶縁体または第2絶縁体で囲まれた空隙を含むことを特徴とする。
この構成によれば、透磁率と直流絶縁耐圧とを下げることなく、高周波領域における粒子間の渦電流損を低減することができる。詳しくは、第1絶縁体または第2絶縁体で囲まれた空隙が別の絶縁体として機能するため、圧粉して高電圧を印加しても、絶縁体被覆磁性合金粉末粒子の間で沿面放電が発生しにくく、渦電流損を低減することができる。すなわち、絶縁体のうち、特に第2絶縁体の膜厚を厚くせずに直流絶縁耐圧を確保することができる。
直流絶縁耐圧に対する第2絶縁体の膜厚への依存度が高くないため、第2絶縁体の膜厚を薄く設定して透磁率を確保することができる。以上により、透磁率と直流絶縁耐圧とを下げることなく、高周波領域における粒子間の渦電流損を低減する圧粉磁心を提供することができる。
コイル部品は、上記の圧粉磁心を備えることを特徴とする。
この構成によれば、透磁率と直流絶縁耐圧とを下げることなく、高周波領域における粒子間の渦電流損を低減し、性能が向上したコイル部品とすることができる。
1,101…絶縁体被覆磁性合金粉末粒子(絶縁体被覆粒子)、2…磁性合金粉末粒子、3…第1絶縁体、4…第2絶縁体、5…突起、7,107…絶縁体、9…空隙、10…コイル部品としてのトロイダルコイル、11,21,100…圧粉磁心、20…コイル部品としてのインダクター。

Claims (6)

  1. 磁性合金粉末粒子と、
    前記磁性合金粉末粒子の表面を被覆し、複数の突起を表面に有する絶縁体と、
    を含み、
    前記絶縁体は、
    前記突起に内包される粒子状の第1絶縁体と、
    前記第1絶縁体の表面の少なくとも一部を被覆する膜状の第2絶縁体と、
    を含み
    前記第1絶縁体の平均粒子径は、4nm以上40nm以下であり、前記第1絶縁体は、
    前記磁性合金粉末粒子の表面積43nm 2 乃至10000nm 2 あたりに1個存在すること
    を特徴とする絶縁体被覆磁性合金粉末粒子。
  2. 前記第2絶縁体の膜厚は、2nm以上20nm以下であることを特徴とする、請求項1
    に記載の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子。
  3. 前記第2絶縁体の体積抵抗率は、1×1014Ω・cm以上1×1017Ω・cm以下であ
    ることを特徴とする、請求項1または請求項2に記載の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子。
  4. 前記第1絶縁体の比誘電率は、2以上4以下であることを特徴とする、請求項1から請
    求項のいずれか1項に記載の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子。
  5. 請求項1から請求項のいずれか1項に記載の絶縁体被覆磁性合金粉末粒子が圧粉され
    て成る圧粉磁心であって、
    前記第1絶縁体または前記第2絶縁体で囲まれた空隙を含むことを特徴とする圧粉磁心
  6. 請求項に記載の圧粉磁心を備えることを特徴とするコイル部品。
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