JP2001006938A - インダクター用コア - Google Patents
インダクター用コアInfo
- Publication number
- JP2001006938A JP2001006938A JP11171599A JP17159999A JP2001006938A JP 2001006938 A JP2001006938 A JP 2001006938A JP 11171599 A JP11171599 A JP 11171599A JP 17159999 A JP17159999 A JP 17159999A JP 2001006938 A JP2001006938 A JP 2001006938A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- core
- inductor
- value
- bending strength
- weight
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Insulating Bodies (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
- Inorganic Insulating Materials (AREA)
Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】ＲＦ領域でのフィルター用途に使用されるイン
ダクター用コアにおいて高いＱ値と高い曲げ強度を得
る。 【解決手段】Ａｌ2 Ｏ3 ９０〜９８重量％、ＳｉＯ
2 ０．５〜８重量％、ＭｇＯ０．５〜５重量％、ＣａＯ
０．５〜５重量％で、かつ平均粒子径を１〜５μｍとし
たセラミックスでインダクター用コアを形成する。この
コアの特性としては、測定周波数１ＭＨｚにおける誘電
率が６〜１０、誘電正接が１×１０−４〜３０×１０
−４、曲げ強度（ＪＩＳＲ１６０１）が２５０ＭＰａ以
上であり、かつ体積固有抵抗が１００ＭΩ・ｃｍ以上で
ある。
ダクター用コアにおいて高いＱ値と高い曲げ強度を得
る。 【解決手段】Ａｌ2 Ｏ3 ９０〜９８重量％、ＳｉＯ
2 ０．５〜８重量％、ＭｇＯ０．５〜５重量％、ＣａＯ
０．５〜５重量％で、かつ平均粒子径を１〜５μｍとし
たセラミックスでインダクター用コアを形成する。この
コアの特性としては、測定周波数１ＭＨｚにおける誘電
率が６〜１０、誘電正接が１×１０−４〜３０×１０
−４、曲げ強度（ＪＩＳＲ１６０１）が２５０ＭＰａ以
上であり、かつ体積固有抵抗が１００ＭΩ・ｃｍ以上で
ある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は移動体通信（携帯電
話、簡易型携帯電話、ポケットベル（登録商標））に使
用されるフィルター用インダクターなどに使用されるコ
アに関する技術である。
話、簡易型携帯電話、ポケットベル（登録商標））に使
用されるフィルター用インダクターなどに使用されるコ
アに関する技術である。
【０００２】
【従来の技術】図１に示すように巻き線型インダクター
に使用されるコアの形状は丸形または角形のツバ部１と
芯部２を有するボビン（糸巻き）形状である。その芯部
分に銅線等を巻くことによってインダクタンスを得る事
ができ、そこで得られるインダクタンス値は形状と材料
によって決定される。
に使用されるコアの形状は丸形または角形のツバ部１と
芯部２を有するボビン（糸巻き）形状である。その芯部
分に銅線等を巻くことによってインダクタンスを得る事
ができ、そこで得られるインダクタンス値は形状と材料
によって決定される。
【０００３】近年移動体通信のＲＦ領域（１ＧＨｚ〜２
ＧＨｚ）でのフィルター用途としてインダクターの使用
が増加してきている。巻き線型インダクター、薄膜イン
ダクター、積層インダクターの他に、近年表面にメッキ
処理を施した新しいタイプのインダクターも提案されて
いる。いずれも高周波での信号のＳ／Ｎ比をあげるため
に高いＱ値が代表要求特性となっている。
ＧＨｚ）でのフィルター用途としてインダクターの使用
が増加してきている。巻き線型インダクター、薄膜イン
ダクター、積層インダクターの他に、近年表面にメッキ
処理を施した新しいタイプのインダクターも提案されて
いる。いずれも高周波での信号のＳ／Ｎ比をあげるため
に高いＱ値が代表要求特性となっている。
【０００４】各種インダクターの中でも、巻き線型イン
ダクターは他種のインダクターに比べて高いＱ値をなし
得ると言われている。従来この周波数帯域でのインダク
ターのコアには初透磁率が約１．３のフェライト材が使
用されていた。
ダクターは他種のインダクターに比べて高いＱ値をなし
得ると言われている。従来この周波数帯域でのインダク
ターのコアには初透磁率が約１．３のフェライト材が使
用されていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところでＲＦ領域（１
ＧＨｚ〜２ＧＨｚ）でのフィルター用途として必要とさ
れるＱ値は６０（測定周波数１．９ＧＨｚ）以上である
が、従来のフェライト材では４０前後でありこの要求特
性を達成できなかった。
ＧＨｚ〜２ＧＨｚ）でのフィルター用途として必要とさ
れるＱ値は６０（測定周波数１．９ＧＨｚ）以上である
が、従来のフェライト材では４０前後でありこの要求特
性を達成できなかった。
【０００６】即ち、従来のフェライト材料は２００ＭＨ
ｚ域までは誘電損失、磁気損失も少なく有効であるが、
本発明が対象とする１ＧＨｚ〜２ＧＨｚにおいては大き
な誘電損失と磁気損失を発生させてしまう。これはフェ
ライト材料の体積固有抵抗が１００ＭΩ・ｃｍ以下であ
り、また誘電率が１０以上であることにより与えた磁化
が熱に変換される事が原因とされている。
ｚ域までは誘電損失、磁気損失も少なく有効であるが、
本発明が対象とする１ＧＨｚ〜２ＧＨｚにおいては大き
な誘電損失と磁気損失を発生させてしまう。これはフェ
ライト材料の体積固有抵抗が１００ＭΩ・ｃｍ以下であ
り、また誘電率が１０以上であることにより与えた磁化
が熱に変換される事が原因とされている。
【０００７】また、フェライトは組成変動による初透磁
率の変動が大きく安定した初透磁率の材料を供給する事
が困難であり、また、その曲げ強度が１００ＭＰａと著
しく低く、巻き線行程や搬送行程中等での破損が多いと
いう問題もあった。
率の変動が大きく安定した初透磁率の材料を供給する事
が困難であり、また、その曲げ強度が１００ＭＰａと著
しく低く、巻き線行程や搬送行程中等での破損が多いと
いう問題もあった。
【０００８】そこで、アルミナセラミックスをインダク
ター用コアに用いる事も提案されている（特昭５９−１
０３３１６）が、この場合は絶縁体としてのアルミナセ
ラミックスに注目しており、Ｑ値等に関する適切な組成
検討がなされていなかった。
ター用コアに用いる事も提案されている（特昭５９−１
０３３１６）が、この場合は絶縁体としてのアルミナセ
ラミックスに注目しており、Ｑ値等に関する適切な組成
検討がなされていなかった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、Ａｌ2 Ｏ3 ９
０〜９８重量％、ＳｉＯ2 ０．５〜８重量％、ＭｇＯ
０．５〜５重量％、ＣａＯ０．５〜５重量％で、かつ平
均粒子径が１〜５μｍのセラミックスからなり、初透磁
率（μｉ）を１．２以下としてインダクター用コアを構
成したことを特徴とする。
０〜９８重量％、ＳｉＯ2 ０．５〜８重量％、ＭｇＯ
０．５〜５重量％、ＣａＯ０．５〜５重量％で、かつ平
均粒子径が１〜５μｍのセラミックスからなり、初透磁
率（μｉ）を１．２以下としてインダクター用コアを構
成したことを特徴とする。
【００１０】また高いＱ値を得るために誘電率を６〜１
０、誘電正接を１×１０-4〜３０×１０-4、かつ体積固
有抵抗を１００ＭΩｃｍ以上とし、破損防止のために曲
げ強度を２５０ＭＰａ以上としたことを特徴とする。
０、誘電正接を１×１０-4〜３０×１０-4、かつ体積固
有抵抗を１００ＭΩｃｍ以上とし、破損防止のために曲
げ強度を２５０ＭＰａ以上としたことを特徴とする。
【００１１】即ち上述したようなアルミナセラミックス
を用いる事によって１〜２ＧＨｚの周波数帯域において
も優れたＱ値特性を得られるようにした。
を用いる事によって１〜２ＧＨｚの周波数帯域において
も優れたＱ値特性を得られるようにした。
【００１２】
【発明の実施の形態】図１に示すように、本発明のイン
ダクター用コアは丸形または角形のツバ部１と芯部２を
有するボビン（糸巻き）形状のコアである。その芯部分
に銅線等を巻くことによってインダクタンスを得る事が
でき、そこで得られるインダクタンス値は形状や材料に
よって通常決定される。
ダクター用コアは丸形または角形のツバ部１と芯部２を
有するボビン（糸巻き）形状のコアである。その芯部分
に銅線等を巻くことによってインダクタンスを得る事が
でき、そこで得られるインダクタンス値は形状や材料に
よって通常決定される。
【００１３】ＲＦ領域（１ＧＨｚ〜２ＧＨｚ）でのフィ
ルター用途とするコア材料には下記の特性が要求されて
いる。
ルター用途とするコア材料には下記の特性が要求されて
いる。
【００１４】 （１）測定周波数１ＭＨｚにおける透磁率が１〜１．２ （２）測定周波数１ＭＨｚにおける誘電率が６〜１０ （３）測定周波数１ＭＨｚにおける誘電正接が１×１０
-4〜３０×１０-4 （４）曲げ強度試験（ＪＩＳＲ１６０１）にて２５０Ｍ
Ｐａ以上 （５）体積固有抵抗測定にて１００ＭΩ・ｃｍ以上 要求されるＲＦ領域で安定し良好なＱ値を得るためには
透磁率は１〜１．２の間で管理される必要がある。これ
は透磁率の上昇に伴ってインダクターがもっとも高いＱ
値を示す周波数（ピーク周波数）が低下していく事によ
る。そのため透磁率１．２を超えるフェライトでは適用
可能周波数帯の低下が著しい。
-4〜３０×１０-4 （４）曲げ強度試験（ＪＩＳＲ１６０１）にて２５０Ｍ
Ｐａ以上 （５）体積固有抵抗測定にて１００ＭΩ・ｃｍ以上 要求されるＲＦ領域で安定し良好なＱ値を得るためには
透磁率は１〜１．２の間で管理される必要がある。これ
は透磁率の上昇に伴ってインダクターがもっとも高いＱ
値を示す周波数（ピーク周波数）が低下していく事によ
る。そのため透磁率１．２を超えるフェライトでは適用
可能周波数帯の低下が著しい。
【００１５】誘電率、誘電正接についての要求特性値は
ＲＦ領域（１ＧＨｚ〜２ＧＨｚ）でのインダクターにお
ける高いＱ値を達成し、また、製造工程での特性劣化を
誘発する破損を防止するために必須なコア材料に求めら
れる特性値である。体積固有抵抗についてはウズ電流損
を防止するために必須なコア材料に求められる特性値で
ある。また、機械的な曲げ強度についてはコア芯部分の
破損防止のために必須なコア材料特性値である。
ＲＦ領域（１ＧＨｚ〜２ＧＨｚ）でのインダクターにお
ける高いＱ値を達成し、また、製造工程での特性劣化を
誘発する破損を防止するために必須なコア材料に求めら
れる特性値である。体積固有抵抗についてはウズ電流損
を防止するために必須なコア材料に求められる特性値で
ある。また、機械的な曲げ強度についてはコア芯部分の
破損防止のために必須なコア材料特性値である。
【００１６】そこで本発明はＡｌ2 Ｏ3 ９０〜９８重量
％、ＳｉＯ2 ０．５〜８重量％、ＭｇＯ０．５〜５重量
％、ＣａＯ０．５〜５重量％で、かつ１〜５μｍの範囲
の平均粒子径で構成されたアルミナセラミックスでコア
を形成した。
％、ＳｉＯ2 ０．５〜８重量％、ＭｇＯ０．５〜５重量
％、ＣａＯ０．５〜５重量％で、かつ１〜５μｍの範囲
の平均粒子径で構成されたアルミナセラミックスでコア
を形成した。
【００１７】組成を上記の様に限定した理由はＡｌ2 Ｏ
3 ９０重量％未満では誘電正接の上昇を招き、９８重量
％を超えると誘電率の上昇を招いてしまい、要求される
ＲＦ領域での高いＱ値をともに達成する事ができない。
また、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、ＣａＯが各々８％、５％、５
％を超えた場合も誘電正接の上昇と曲げ強度の低下を招
き、要求される曲げ強度とＲＦ領域での高いＱ値を達成
する事ができない。また、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、ＣａＯが
各々０．５％、０．５％、０．５％未満の場合はセラミ
ックスが焼結にいたらず、適切な誘電率と誘電正接が得
られない。
3 ９０重量％未満では誘電正接の上昇を招き、９８重量
％を超えると誘電率の上昇を招いてしまい、要求される
ＲＦ領域での高いＱ値をともに達成する事ができない。
また、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、ＣａＯが各々８％、５％、５
％を超えた場合も誘電正接の上昇と曲げ強度の低下を招
き、要求される曲げ強度とＲＦ領域での高いＱ値を達成
する事ができない。また、ＳｉＯ2 、ＭｇＯ、ＣａＯが
各々０．５％、０．５％、０．５％未満の場合はセラミ
ックスが焼結にいたらず、適切な誘電率と誘電正接が得
られない。
【００１８】更に上記以外の成分としてＭｎＯ、Ｃｒ2
Ｏ3 等の金属酸化物を含んでいても良いが合計で１％以
下とする事が好ましい。
Ｏ3 等の金属酸化物を含んでいても良いが合計で１％以
下とする事が好ましい。
【００１９】また平均粒子径を１〜５μｍとしたのは、
平均粒子径が１μｍ以下の場合や、また５μｍ以上の場
合は著しい強度低下を招き、コアの芯部分の破損が発生
してしまうためである。
平均粒子径が１μｍ以下の場合や、また５μｍ以上の場
合は著しい強度低下を招き、コアの芯部分の破損が発生
してしまうためである。
【００２０】そして上記のような範囲とすることで、前
述した要求特性（１）〜（５）を満たすことが出来る。
述した要求特性（１）〜（５）を満たすことが出来る。
【００２１】このようなアルミナセラミックス製コアの
製造方法は原料を正確に調合し、粉砕工程にてその粒度
を管理する事が必要である。またプレス機器による成形
工程ではその密度管理を十分に実施し、切削工程では寸
法を焼成工程では温度を厳密にコントロールすることに
よって製作される。
製造方法は原料を正確に調合し、粉砕工程にてその粒度
を管理する事が必要である。またプレス機器による成形
工程ではその密度管理を十分に実施し、切削工程では寸
法を焼成工程では温度を厳密にコントロールすることに
よって製作される。
【００２２】
【実施例】以下、本発明実施例を説明する。外径φ１．
８ｍｍ×高さ２．０ｍｍのコアを表１に示す材料にて作
成し、その比較を行った。巻き線の条件は直径φ０．０
６ｍｍの銅線を１０回巻きとした。
８ｍｍ×高さ２．０ｍｍのコアを表１に示す材料にて作
成し、その比較を行った。巻き線の条件は直径φ０．０
６ｍｍの銅線を１０回巻きとした。
【００２３】本形状としたＲＦ領域インダクターの場
合、その素子に要求される特性は、１．９ＧＨｚにおけ
るＱ値は６０以上必要であり、コアの芯折れ強度は１．
５ｋｇｆ以上必要である。
合、その素子に要求される特性は、１．９ＧＨｚにおけ
るＱ値は６０以上必要であり、コアの芯折れ強度は１．
５ｋｇｆ以上必要である。
【００２４】結果を表２に示すように、比較例であるス
テアタイトやフェライトの場合（Ｎｏ．９，１０）は誘
電率、誘電正接で、またフェライトの場合は曲げ強度で
要求を満たす事ができず、そのため表３に示すようにイ
ンダクター素子のＱ値が４７〜４４、芯折れ強度は０．
８〜１．３と上記要求特性を満足できなかった。
テアタイトやフェライトの場合（Ｎｏ．９，１０）は誘
電率、誘電正接で、またフェライトの場合は曲げ強度で
要求を満たす事ができず、そのため表３に示すようにイ
ンダクター素子のＱ値が４７〜４４、芯折れ強度は０．
８〜１．３と上記要求特性を満足できなかった。
【００２５】一方Ａｌ2 Ｏ3 含有率を９９．７％とした
場合（Ｎｏ．１）は、焼結体の密度が上がらず、未焼結
となり、測定が不可能であった。従って本組成は誘電
率、誘電正接、体積固有抵抗、平均粒子径、曲げ強度を
満たす事ができず、またインダクター素子としてのＱ値
また芯折れ強度全てを満たす事ができない。
場合（Ｎｏ．１）は、焼結体の密度が上がらず、未焼結
となり、測定が不可能であった。従って本組成は誘電
率、誘電正接、体積固有抵抗、平均粒子径、曲げ強度を
満たす事ができず、またインダクター素子としてのＱ値
また芯折れ強度全てを満たす事ができない。
【００２６】更にＡｌ2 Ｏ3 含有率を８９％とした場合
（Ｎｏ．８）、材料としては誘電正接及び曲げ強度で要
求を満たす事が不可能であった。インダクター素子とし
ては誘電正接の関係から低い４６というＱ値にとどま
り、６０という要求を満たす事が不可能であった。ま
た、平均粒子径も請求範囲外の５．５μｍとなり曲げ強
度の低下を招いている。
（Ｎｏ．８）、材料としては誘電正接及び曲げ強度で要
求を満たす事が不可能であった。インダクター素子とし
ては誘電正接の関係から低い４６というＱ値にとどま
り、６０という要求を満たす事が不可能であった。ま
た、平均粒子径も請求範囲外の５．５μｍとなり曲げ強
度の低下を招いている。
【００２７】また、Ａｌ2 Ｏ3 含有率９１％について、
その添加物（ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＯ）を変化させ、
その特性を評価した。その値が本発明の範囲外である場
合（Ｎｏ．５，６，７）は材料としては誘電正接及び曲
げ強度で要求を満たす事が不可能であり、そのためイン
ダクター素子としてはＱ値が４３〜５４と要求を満たせ
ない低い値となった。
その添加物（ＳｉＯ2 ，ＭｇＯ，ＣａＯ）を変化させ、
その特性を評価した。その値が本発明の範囲外である場
合（Ｎｏ．５，６，７）は材料としては誘電正接及び曲
げ強度で要求を満たす事が不可能であり、そのためイン
ダクター素子としてはＱ値が４３〜５４と要求を満たせ
ない低い値となった。
【００２８】これらに対し、Ａｌ2 Ｏ3 含有率９１％で
その他の添加物を本発明の範囲内とした場合はインダク
ター素子としてのＱ値は６４と良好な値を示し、芯折れ
強度も１．５ｋｇｆ以上であった。
その他の添加物を本発明の範囲内とした場合はインダク
ター素子としてのＱ値は６４と良好な値を示し、芯折れ
強度も１．５ｋｇｆ以上であった。
【００２９】従って本発明範囲内の組成としたアルミナ
セラミックスは、１ＭＨｚで６０というＱ値また芯折れ
強度１．５ｋｇｆという十分な特性を持つことがわかっ
た。
セラミックスは、１ＭＨｚで６０というＱ値また芯折れ
強度１．５ｋｇｆという十分な特性を持つことがわかっ
た。
【００３０】
【表１】
【００３１】
【表２】
【００３２】
【表３】
【００３３】
【発明の効果】本発明によれば、Ａｌ2 Ｏ3 ９０〜９８
重量％、ＳｉＯ2 ０．５〜８重量％、ＭｇＯ０．５〜５
重量％、ＣａＯ０．５〜５重量％で、かつ平均粒子径が
１〜５μｍのセラミックスからなり、初透磁率（μｉ）
を１．２以下とした材料をインダクターコアに使用する
事で、Ｑ特性また強度に優れる高周波用インダクターが
得られる。
重量％、ＳｉＯ2 ０．５〜８重量％、ＭｇＯ０．５〜５
重量％、ＣａＯ０．５〜５重量％で、かつ平均粒子径が
１〜５μｍのセラミックスからなり、初透磁率（μｉ）
を１．２以下とした材料をインダクターコアに使用する
事で、Ｑ特性また強度に優れる高周波用インダクターが
得られる。
【図１】一般的なボビン（巻き線）型のインダクター用
コアを示す斜視図である。
コアを示す斜視図である。
１：ツバ部 ２：芯部
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.7 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０１Ｆ 17/04 Ｃ０４Ｂ 35/10 Ｄ 27/255 Ｈ０１Ｆ 27/24 Ｄ
Claims (2)
- 【請求項１】Ａｌ2 Ｏ3 ９０〜９８重量％、ＳｉＯ
2 ０．５〜８重量％、ＭｇＯ０．５〜５重量％、ＣａＯ
０．５〜５重量％で、かつ平均粒子径が１〜５μｍのセ
ラミックスからなり、初透磁率（μｉ）が１．２以下で
あることを特徴とするインダクター用コア。 - 【請求項２】測定周波数１ＭＨｚにおける誘電率が６〜
１０、誘電正接が１×１０-4〜３０×１０-4、曲げ強度
（ＪＩＳＲ１６０１）が２５０ＭＰａ以上であり、かつ
体積固有抵抗が１００ＭΩ・ｃｍ以上であることを特徴
とする請求項１記載のインダクター用コア。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11171599A JP2001006938A (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | インダクター用コア |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP11171599A JP2001006938A (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | インダクター用コア |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2001006938A true JP2001006938A (ja) | 2001-01-12 |
Family
ID=15926163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP11171599A Pending JP2001006938A (ja) | 1999-06-17 | 1999-06-17 | インダクター用コア |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2001006938A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020161617A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社村田製作所 | インダクタ部品 |
| JP2021072336A (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | セイコーエプソン株式会社 | 絶縁体被覆磁性合金粉末粒子、圧粉磁心、およびコイル部品 |
-
1999
- 1999-06-17 JP JP11171599A patent/JP2001006938A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2020161617A (ja) * | 2019-03-26 | 2020-10-01 | 株式会社村田製作所 | インダクタ部品 |
| JP7159939B2 (ja) | 2019-03-26 | 2022-10-25 | 株式会社村田製作所 | インダクタ部品 |
| JP2021072336A (ja) * | 2019-10-30 | 2021-05-06 | セイコーエプソン株式会社 | 絶縁体被覆磁性合金粉末粒子、圧粉磁心、およびコイル部品 |
| JP7375469B2 (ja) | 2019-10-30 | 2023-11-08 | セイコーエプソン株式会社 | 絶縁体被覆磁性合金粉末粒子、圧粉磁心、およびコイル部品 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP5790702B2 (ja) | 複合フェライト組成物および電子部品 | |
| CN110204325B (zh) | 铁氧体材料及其制备方法 | |
| JP4523430B2 (ja) | 高飽和磁束密度Ｍｎ−Ｚｎ−Ｎｉ系フェライト | |
| JP4668404B2 (ja) | 磁性材料とその磁性材料を用いたコイル部品 | |
| JP2000252112A (ja) | 磁性体磁器組成物およびそれを用いたインダクタ部品 | |
| JPH05335132A (ja) | 酸化物磁性体材料 | |
| JP4736311B2 (ja) | 磁性フェライトおよびそれを用いた磁性素子 | |
| JP3288113B2 (ja) | Ｍｎ−Ｚｎフェライト磁性材料 | |
| JPH08325056A (ja) | フェライト材料 | |
| JP2001006938A (ja) | インダクター用コア | |
| JP4384346B2 (ja) | Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト磁性材料 | |
| JP2022145508A (ja) | ＮｉＺｎ系フェライト | |
| JP2000044249A (ja) | ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料 | |
| JP3570825B2 (ja) | フェライトコア | |
| JP2001253769A (ja) | 酸化物磁性材料、この酸化物磁性材料を使用したチップ部品及び酸化物磁性材料の製造方法とチップ部品の製造方法 | |
| JP2005108977A (ja) | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト、トランス用磁心およびトランス | |
| JP4449091B2 (ja) | 磁性フェライト材料、積層型チップフェライト部品、複合積層型部品および磁心 | |
| US5966065A (en) | Core for inductance elements and its production method | |
| EP1231614A1 (en) | Oxide magnetic material and core using the same | |
| JP2002075722A (ja) | フェライト材料 | |
| JP4436493B2 (ja) | 高周波低損失フェライト材料及びこれを用いたフェライトコア | |
| JP3769137B2 (ja) | インダクタンス素子及びその製造方法 | |
| JP3487243B2 (ja) | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト材料 | |
| JP3364267B2 (ja) | チップアンテナ | |
| JP4433914B2 (ja) | 焼結体及びそれを用いたコイル部品 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20050831 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20050906 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20051107 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20051206 |