JP5790702B2 - 複合フェライト組成物および電子部品 - Google Patents
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Description
磁性体材料と非磁性体材料とを含有する複合フェライト組成物であって、
前記磁性体材料と前記非磁性体材料との混合比率が、20重量%:80重量%〜80重量%:20重量%であり、
前記磁性体材料がNi−Cu−Zn系フェライトであり、
前記非磁性体材料の主成分が少なくともZn、CuおよびSiの酸化物を含有し、
前記非磁性体材料の副成分がホウケイ酸ガラスを含有する。
前記一般式中のa、b、cおよびdが、a=1.5〜2.4、b=0.2〜0.98、d=0.02〜0.15(ただし、b+c+d=1.00)を満足する。
コイル導体およびセラミック層が積層されて構成される電子部品であって、
前記コイル導体がAgを含み、
前記セラミック層が上記に記載の複合フェライト組成物で構成されている。
図1に示すように、本発明の一実施形態に係る電子部品としての積層チップコイル1は、セラミック層2と内部電極層3とがY軸方向に交互に積層してあるチップ本体4を有する。
まず、磁性体材料として、900℃で単独焼成するとμ=110、ε=14.0となるNi−Cu−Zn系フェライト(平均粒径0.3μm)を準備した。
[相対密度]
ディスク形状に成形して得られた焼結体について、焼成後の焼結体の寸法および重量から、焼結体密度を算出し、理論密度に対する焼結体密度を相対密度として算出した。本実施例では、相対密度は90%以上を良好とした。結果を表1に示す。
トロイダル形状に成形して得られた焼結体に、銅線ワイヤを10ターン巻きつけ、LCRメーター(アジレントテクノロジー社製、商品名:4991A)を使用して、初期透磁率μiを測定した。測定条件としては、測定周波数10MHz、測定温度20℃とした。本実施例では、10MHzにおける透磁率が1.4以上を良好とした。結果を表1に示す。
トロイダル形状に成形して得られた焼結体に、銅線ワイヤを10ターン巻きつけ、インピーダンスアナライザー(アジレントテクノロジー社製、商品名:4991A)を使用して、室温における透磁率の共振周波数(MHz)を測定した。本実施例では、透磁率の共振周波数は50MHz以上を良好とした。結果を表1に示す。
トロイダル形状に成形して得られた焼結体に対し、ネットワークアナライザー(HEWLETT PACKARD社製8510C)を使用して、共振法(JIS R 1627)により、誘電率(単位なし)を算出した。本実施例では、誘電率は11以下を良好とした。結果を表1に示す。
得られたディスク形状に成形して得られた焼結体の両面に、In−Ga電極を塗り、直流抵抗値を測定し、比抵抗ρを求めた(単位:Ωm)。測定は、IRメーター(HEWLETT PACKARD社製4329A)を用いて行った。本実施例では、比抵抗は106 Ω・m以上を良好とした。結果を表1に示す。
非磁性体材料の主成分組成を、表2のように変化させた以外は、実施例1の試料7と同様に、焼結体(複合フェライト組成物)を作製し、同様の評価を行った。結果を表2に示す。
非磁性体材料の副成分であるガラス量を、表3のように変化させた以外は、実施例1の試料9と同様に、焼結体(複合フェライト組成物)を作製し、同様の評価を行った。結果を表2に示す。
複合フェライト組成物(試料1、5、9、11)を用いて、図1に示す構造を有する積層チップコイルを作製し、それらのインピーダンス特性の評価を行なった。結果を図3に示す。作製した積層チップコイルの外観寸法は、X軸寸法が0.5mm、Y軸寸法が1.0mm、Z軸寸法が0.5mmである。
2… セラミック層
3,3a… 内部電極層
4,4a… チップ本体
5… 端子電極
6… 端子接続用スルーホール電極
6a… 引き出し電極
30,30a… コイル導体
Claims (3)
- 磁性体材料と非磁性体材料とを含有する複合フェライト組成物であって、
前記磁性体材料と前記非磁性体材料との混合比率が、20重量%:80重量%〜80重量%:20重量%であり、
前記磁性体材料がNi−Cu−Zn系フェライトであり、
前記非磁性体材料の主成分が少なくともZn、CuおよびSiの酸化物を含有し、
前記非磁性体材料の副成分がホウケイ酸ガラスを含有し、
前記非磁性体材料が、副成分として、MO−SiO 2 −B 2 O 3 ガラス(MOは、アルカリ土類金属酸化物)を0.5〜17.0重量%含有する複合フェライト組成物。 - 前記非磁性体材料の主成分が、一般式a(bZnO・cMgO・dCuO)・SiO2 で表され、
前記一般式中のa、b、cおよびdが、a=1.5〜2.4、b=0.2〜0.98、d=0.02〜0.15(ただし、b+c+d=1.00)を満足する請求項1に記載の複合フェライト組成物。 - コイル導体およびセラミック層が積層されて構成される電子部品であって、
前記コイル導体がAgを含み、
前記セラミック層が請求項1または2に記載の複合フェライト組成物で構成されている電子部品および複合電子部品。
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