TW201446699A - 複合鐵氧體組合物以及電子部件 - Google Patents
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Abstract
本發明係有關於含有磁性體材料和非磁性體材料的複合鐵氧體組合物。磁性體材料與上述非磁性體材料的混合比例為20重量%：80重量%~80重量%：20重量%。磁性體材料為Ni-Cu-Zn系鐵氧體。非磁性體材料的主成分含有選自Zn、Cu和Si中的至少1種元素的氧化物。非磁性體的副成分含有硼矽酸玻璃。
Description
本發明係有關於在高頻特性上優異的複合鐵氧體組合物、以及應用了該複合鐵氧體組合物的電子部件。
近年來，行動電話或PC等所使用的高頻帶正在高頻化，已存在多個數GHz的規格。與這些高頻信號相對應的雜訊除去製品受到追求。作為其代表可以例示層疊貼片線圈。
層疊貼片線圈的電特性可以由阻抗來評價。阻抗特性直至100MHz帶對素體材料的磁導率及其頻率特性影響大。此外，GHz帶上的阻抗對層疊貼片線圈的相對電極間的雜散電容也有影響。作為減少層疊貼片線圈的相對電極間的雜散電容的方法，可以列舉相對電極間的距離的延長、相對電極的面積的縮小、相對電極間的介電常數的減小這3種。
在下述所示的專利文獻1中，為了降低雜散電容，在由線圈通電所產生的磁通方向的兩端形成端子。在該專利文獻1所示的發明中，可以延長內部電極與端子電極間的距離，並且能夠實現內部電極與端子電極的相對面積的縮小，並期待高頻特性延伸至高頻。
但是，在專利文獻1的發明中，不能減少內部電
極間的雜散電容，在該部分仍有進一步改善的餘地。此外，內部電極間的距離的延長和內部電極的面積的縮小是進行構造的變更的改善方法，對其它的特性或大小．形狀的影響大。由於內部電極間的距離的延長影響製品的大小，因此難以適用於要求小型化的貼片部件。此外，內部電極的面積的縮小具有直流電阻增大這樣的問題。
現在，作為層疊貼片線圈的素體材料，大多使用Ni-Cu-Zn系鐵氧體。由於進行與作為內部電極使用的Ag的同時燒成，因此從能夠在900℃下燒成的磁性體陶瓷中選擇。Ni-Cu-Zn系鐵氧體的介電常數為14~15左右，可以說還有減小的餘地。但是，降低Ni-Cu-Zn系鐵氧體的介電常數是困難的，需要某些改善方法。
此外，如下麵所示的專利文獻2中，混合Ni-Cu-Zn系鐵氧體與低介電常數非磁性體，製作複合材料，將其作為素體材料應用。作為低介電常數非磁性體，可以列舉二氧化矽玻璃、硼矽酸玻璃、滑石、氧化鋁、鎂橄欖石、鋯石。
在專利文獻2所示的發明中，通過混合鐵氧體與低介電常數非磁性體，介電常數得以減小。此外，在專利文獻3所示的發明中，表示了發泡鐵氧體的應用。即，在專利文獻3中，在磁性陶瓷中混合灼減材料，燒結後製作空孔，並使樹脂或玻璃含浸于空孔。通過使用空孔，低介電常數化得以實現。此外，通過在空孔中含浸樹脂或玻璃，從而彌補了強度變弱的發泡鐵氧體的缺點。
但是，在專利文獻2中，在以玻璃類材料為主成
分的情況下，磁導率μ的降低變得顯著。這可以認為是由於引起磁性體的顆粒生長或磁路隔斷的緣故。另外，鐵氧體與玻璃的反應大，形成異相而絕緣電阻劣化。因此，在與Ag類導體的同時燒成下短路的可能性高，不適用於應用Ag類導體的層疊線圈。
另一方面，雖然在滑石、氧化鋁、鎂橄欖石、鋯石的陶瓷材料中，可以認為上述的絕緣電阻的劣化小，但是認為在燒結性上存在問題，且在與內部電極Ag的同時燒成可能的燒成溫度900℃下複合材料的燒結是困難的。
另外，在專利文獻3所示的發明中，特性和燒結性上均沒有問題。但是，由於在鐵氧體中包含很多空孔，不能直接裝上端子電極。因此，使用在形成端子電極的部分空孔少的鐵氧體等構造有變得複雜的缺點。另外，燒成後的鐵氧體粒徑與空孔少的鐵氧體相比較變小，因而耐濕性等劣化的可能性高。
因此，在磁性體與低介電常數非電磁體的複合的方法中，以下的5點成為技術問題。即，燒結性的降低、磁導率μ的降低、磁導率μ的頻率特性的低頻化、介電常數的減小效果小、以及絕緣電阻的降低。可以認為同時解決這些問題並提供GHz帶上阻抗高的層疊線圈是困難的。
專利文獻1：日本特開平11-026241號公報
專利文獻2：日本特開2002-175916號公報
專利文獻3：日本特開2004-297020號公報
本發明有鑒於上述現狀，其目的在於提供一種在燒結性上優異、高磁導率、高絕緣電阻和低介電常數且在高頻特性上優異的複合鐵氧體組合物，以及應用了該複合鐵氧體組合物的電子部件。
為了實現上述目的，本發明所有關的複合鐵氧體組合物是含有磁性體材料與非磁性體材料的複合鐵氧體組合物，上述磁性體材料與上述非磁性體材料的混合比例為20重量%：80重量%~80重量%：20重量%，上述磁性體材料為Ni-Cu-Zn系鐵氧體，上述非磁性體材料的主成分至少含有Zn、Cu和Si的氧化物，上述非磁性體材料的副成分含有硼矽酸玻璃。
在本發明所有關的複合鐵氧體組合物中，使用了Ni-Cu-Zn系鐵氧體，因而在較低溫下的燒結性上優異。另外，本發明人等發現，在本發明中，通過相對於Ni-Cu-Zn系鐵氧體按規定比例含有規定的非磁性體材料，從而能夠實現在燒結性上優異、高磁導率、高絕緣電阻和低介電常數且在頻率特性上優異的複合鐵氧體組合物。
即，根據本發明，可以認為，通過相對於Ni-Cu-Zn系鐵氧體按規定比例含有流動性低的非磁性體材料，從而能夠減小Ni-Cu-Zn系鐵氧體的磁壁移動區域的減少和磁路隔斷。另外，通過選擇流動性低的陶瓷材料當中含有以Zn的氧化物為主要組成的陶瓷材料的非磁性體陶瓷材料作為非磁性體材料，從而能夠減小元素的相互擴散的影響。非磁性體材料含有
很多Ni-Cu-Zn系鐵氧體中所包含的Zn，可以認為兩材料間的元素相互擴散變少。另外，即使發生元素的相互擴散，原來所含有的元素的量也僅是稍微變化，對特性的影響小。
此外，還有能夠通過任意改變磁性體材料中的Ni-Cu-Zn系鐵氧體的組成、非磁性體材料的組成、磁性體材料與非磁性體材料的混合比來調整磁導率(20~1.4)和介電常數(11~7)這樣的優點。
優選地，上述非磁性體材料的主成分由通式a(bZnO．cMgO．dCuO)．SiO2表示，上述通式中的a、b、c和d滿足a=1.5~2.4，b=0.2~0.98，d=0.02~0.15(b+c+d=1.00)。
優選地，上述非磁性體材料含有0.5~17.0重量%的MO-SiO2-B2O3玻璃(MO為鹼土金屬氧化物)作為副成分。
通過按規定重量比例添加MO-SiO2-B2O3類玻璃作為非磁性體材料，從而通過提高複合材料整體的燒結性來兼顧高的磁導率和絕緣電阻，並可以適用於層疊線圈部件。
本發明所有關的電子部件是通過層疊線圈導體和陶瓷層而構成的電子部件，上述線圈包含Ag，上述陶瓷層由上述所記載的複合鐵氧體組合物構成。
1、1a‧‧‧層疊貼片線圈
2‧‧‧陶瓷層
3、3a‧‧‧內部電極層
4、4a‧‧‧貼片主體
5‧‧‧端子電極
6‧‧‧端子連接用通孔電極
6a‧‧‧引出電極
30、30a‧‧‧線圈導體
圖1是作為本發明的一個實施形態所有關的電子部件的層疊貼片線圈的內部透視立體圖。
圖2是作為本發明的另一個實施形態所有關的電子部件的層疊貼片線圈的內部透視立體圖。
圖3是表示本發明的實施例和比較例的阻抗特性的圖表。
以下，基於附圖所示的實施形態說明本發明。
如圖1所示，作為本發明的一個實施形態的電子部件的層疊貼片線圈1，具有陶瓷層2與內部電極層3在Y軸方向上交替層疊而成的貼片主體4。
各內部電極層3具有四角狀環或C字形狀或字形狀，被貫通相鄰的陶瓷層2的內部電極連接用通孔電極(圖示略)或高低狀電極螺旋狀地連接，並構成線圈導體30。
在貼片主體4的Y軸方向的兩端部，分別形成有端子電極5、5。在各端子電極5，連接有貫通層疊陶瓷層2的端子連接用通孔電極6的端部，各端子電極5、5連接於構成閉磁路線圈(卷線圖案)的線圈導體30的兩端。
本實施形態中，陶瓷層2和內部電極層3的層疊方向與Y軸一致，端子電極5、5的端面與X軸和Z軸平行。X軸、Y軸和Z軸相互垂直。在圖1所示的層疊貼片線圈1中，線圈導體30的捲繞軸與Y軸大體一致。
貼片主體4的外形或尺寸沒有特別限制，能夠根據用途來適當設定，通常外形形成為大致長方體，例如，X軸尺寸為0.15~0.8mm、Y軸尺寸為0.3~1.6mm、Z軸尺寸為0.1~1.0mm。
另外，陶瓷層2的電極間厚度和基底厚度沒有特別限制，電極間厚度(內部電極層3、3的間隔)可以設定為3~50μm，基底厚度(端子連接用通孔電極6的Y軸方向長度)
可以設定為5~300μm左右。
本實施形態中，作為端子電極5，沒有特別限定，可以通過使以Ag、Pd等為主成分的導電性膏體附著於主體4的外表面後進行燒接，再實施電鍍來形成。在電鍍中可以使用Cu、Ni、Sn等。
線圈導體30包含Ag(包含Ag的合金)，例如由Ag單質、Ag-Pd合金等構成。作為線圈導體的副成分，可以包含Zr、Fe、Mn、Ti、以及它們的氧化物。
陶瓷層2由本發明的一個實施形態所有關的複合鐵氧體組合物構成。以下，就複合鐵氧體組合物進行詳細說明。
本實施形態的複合鐵氧體組合物含有磁性體材料和非磁性體材料，磁性體材料與非磁性體材料的混合比例為20重量%：80重量%~80重量%：20重量%，優選為40重量%：60重量%~60重量%：40重量%。若磁性體材料的比例過多，則介電常數變高，難以得到在GHz帶上高的阻抗，且高頻特性變差。另外，若磁性體材料的比例過少，則磁導率變低，且從100MHz到GHz帶上的阻抗變低。
作為磁性體材料，可以使用Ni-Cu-Zn系鐵氧體。作為Ni-Cu-Zn系鐵氧體，沒有特別限制，只要根據目的選擇各種組成的鐵氧體即可，優選按燒成後的鐵氧體的燒結體中的mol%計，Fe2O3：40~50mol%，特別是45~50mol%；NiO：4~50mol%，特別是10~40mol%：CuO：4~20mol%，特別是6~13mol%；以及ZnO：0~40mol%，特別是1~30mol%的鐵氧體組合物。另外，可以按10重量%以下的範圍包含Co氧化物。
磁性鐵氧體的磁特性，組成依賴性強，在Fe2O3、NiO、CuO和ZnO的組成在落在上述的範圍之外的區域中，存在磁導率、品質係數Q降低的傾向。具體而言，例如，若Fe2O3量過少則磁導率降低，接近化學計量組成的磁導率上升，從化學計量組成附近磁導率急劇降低。另外，伴隨著NiO量的減少或者ZnO量的增加，磁導率變高。但是，若ZnO量過多，則居裡溫度為100℃以下，難以滿足作為電子部件所要求的溫度特性。另外，若CuO量變少，則低溫燒成(930℃以下)變得困難，相反若過多，則鐵氧體的固有電阻降低而品質係數Q劣化。
鐵氧體粉的平均粒徑優選在0.1~1.0μm的範圍內。若平均粒徑過小，則鐵氧體粉變成比表面積大的微粉，印刷層疊中所使用的膏狀塗料或薄片層疊中所使用的薄片塗料化變得非常困難。而且，為了減小粉的粒徑，需要利用球磨機等粉碎裝置進行的長時間的粉碎，但是由於長時間的粉碎，存在來自球磨機和粉碎容器的污染增大，發生鐵氧體粉的組成偏差，並引起特性的劣化的擔憂。另外，若平均粒徑過大，則燒結性降低，與包含Ag的內部導體的同時燒成變得困難。
再有，鐵氧體粉的平均粒徑能夠將磁性鐵氧體粉在純水中加入，用超聲波儀分散，使用鐳射衍射式細微性分佈測定裝置(日本電子株式會社制HELOS SYSTEM)等進行測定。
非磁性體材料的主成分至少含有Zn、Cu和Si的氧化物。非磁性體材料的主成分可以例示由通式a
(bZnO．cMgO．dCuO)．SiO2所表示的複合氧化物。該通式中的a優選1.5~2.4，更優選1.8~2.2。該通式中的b優選0.2~0.98，更優選0.95~0.98。該通式中的d優選0.02~0.15，更優選0.02~0.05。其中，滿足b+c+d=1.00。
作為非磁性體材料的副成分的硼矽酸玻璃，例如可以例示MO-SiO2-B2O3玻璃(MO為鹼土金屬氧化物)。在硼矽酸玻璃中，作為其它成分，也可以包含ZnO、Al2O3、K2O、Na2O等。
作為本實施形態所有關的非磁性體材料的副成分的硼矽酸玻璃所要求的特性，可以例示線膨脹係數、玻璃轉變溫度Tg等。在本實施形態中，硼矽酸玻璃所要求的膨脹係數，優選為7.5×10-6~8.5×10-6，玻璃轉變溫度Tg優選為600~700℃。
作為本實施形態所有關的非磁性體材料的副成分的硼矽酸，在以非磁性體材料整體為100重量%的情況下，優選包含0.5~17.0重量%，更優選包含2.0~6.0重量%。若玻璃的添加量過少，則燒結性降低，且900℃以下的燒成困難。畢竟在無硼矽酸玻璃下，低介電常數費磁性體材料難以進行900℃以下的燒成。
再有，硼矽酸玻璃的含量隨著磁性體材料的混合比例，優選的含量範圍變化。例如，在磁性體材料的混合比率相對於非磁性體材料高的情況下，硼矽酸玻璃的含量優選在比較高的範圍，在磁性體材料的混合比率低的情況下，硼矽酸玻璃的含量優選在比較低的範圍。
若列舉矽鋅礦[(也稱為矽酸鋅、鋅矽酸鹽)：Zn2SiO4]作為以不含玻璃的Zn的氧化物為主要組成的非磁性體材料的例子，則矽鋅礦單獨的燒結溫度為1300℃以上。因此，通過以MO-SiO2-B2O3類玻璃作為燒結助劑，即使矽鋅礦單獨也能在燒成溫度900℃下燒結。即使與磁性體複合化，該效果也能保持。
若硼矽酸玻璃的添加量過多，則存在磁導率降低的傾向，無法得到足夠的阻抗。其原因被認為是由於存在Ni-Cu-Zn系鐵氧體的磁壁移動區域的減少和磁路隔斷的緣故。通過流動性高的MO-SiO2-B2O3類玻璃通過侵入Ni-Cu-Zn系鐵氧體晶界，從而Ni-Cu-Zn系鐵氧體的磁路被隔斷。另外，通過阻礙Ni-Cu-Zn系鐵氧體的顆粒生長，從而減少磁壁移動區域。
非磁性體材料的主成分的平均粒徑和作為副成分的硼矽酸玻璃的平均粒徑沒有特別限定，主成分的平均粒徑優選為0.2~0.6μm。硼矽酸玻璃的平均粒徑優選為0.3~0.7μm。平均粒徑的測定方法與鐵氧體粉的情況同樣。
圖1所示的層疊貼片線圈1可以由一般的製造方法製造。即，將本發明的鐵氧體組合物與粘合劑和溶劑一起混煉而得到的複合鐵氧體組合物膏體與包含Ag等的內部電極膏體交替地印刷層疊後，進行燒成，由此能夠形成貼片主體4(印刷法)。或者，也可以使用複合鐵氧體膏體制作生坯薄片，在生坯薄片的表面印刷內部電極膏體，將它們層疊並進行燒成，由此形成貼片主體4(薄片法)。任一種方法只要在形成貼片
主體後，燒接端子電極5或以鍍層等形成即可。
複合鐵氧體膏體中的粘合劑和溶劑的含量沒有限制，例如能夠在粘合劑的含量為1~10重量%，溶劑的含量為10~50重量%左右的範圍下設定。此外，在膏體中，可以根據需要按10重量%以下的範圍含有分散劑、可塑劑、介電質、絕緣體等。包含Ag等的內部電極膏體也能夠同樣地製作。另外，燒成條件等沒有特別限制，在內部電極層中包含Ag等的情況下，燒成溫度優選為930℃以下，更優選為900℃以下。
此外，本發明不限定於上述的實施形態，能夠在本發明的範圍內進行各種各樣的改變。
例如，也可以使用上述的實施形態的複合鐵氧體組合物來構成圖2所示的層疊貼片線圈1a的陶瓷層2。在圖2所示的層疊貼片線圈1a中，具有陶瓷層2與內部電極層3a在Z軸方向上交替層疊而成的貼片主體4a。
各內部電極層3a具有四角狀環或C字形狀或字形狀，被貫通相鄰的陶瓷層2的內部電極連接用通孔電極(圖示略)或高低狀電極螺旋狀連接，並構成線圈導體30a。
在貼片主體4a的Y軸方向的兩端部，分別形成有端子電極5、5。在各端子電極5，連接有位於Z軸方向的上下的引出電極6a的端部，各端子電極5、5連接於構成閉磁路線圈(卷線圖案)的線圈導體30a的兩端。
在本實施形態中，陶瓷層2和內部電極層3的層疊方向與Z軸一致，端子電極5、5的端面與X軸和Z軸平行。X軸、Y軸和Z軸相互垂直。在圖2所示的層疊貼片線圈1a
中，線圈導體30a的捲繞軸與Z軸大體一致。
在圖1所示的層疊貼片線圈1中，在貼片主體4的長度方向即Y軸方向上有線圈導體30的卷軸，因此，與圖2所示的層疊貼片線圈1a相比較，具有能夠增加卷數，並容易地謀求直至高頻帶的高阻抗化的優點。在圖2所示的層疊貼片線圈1a中，其它的結構和作用效果，與圖1所示的層疊貼片線圈1同樣。
此外，本發明的複合鐵氧體組合物可以作為與用於除了圖1或圖2所示的貼片感應器以外的電子部件的線圈導體一起層疊的陶瓷層來使用。
以下，基於更詳細的實施例說明本發明，但是本發明不限定於這些實施例。
(實施例1)
首先，作為磁性體材料，準備在900℃下單獨燒成時為μ=110、ε=14.0的Ni-Cu-Zn系鐵氧體(平均粒徑0.3μm)。
接著，準備在900℃下單獨燒成時μ=1、ε=6的非磁性體材料。該非磁性體材料是將作為主成分的2(0.98ZnO．0.02CuO)．SiO2(平均粒徑0.5μm)與作為副成分的SrO-SiO2-B2O3類玻璃(平均粒徑0.5μm)以相對於非磁性體材料100重量%按SrO-SiO2-B2O3類玻璃的含量為3.8重量%的方式混合並調製而成的材料。再有，作為SrO-SiO2-B2O3類玻璃，使用市售的玻璃。
然後，以上述磁性體材料與非磁性體材料的混合比成為表1所示的比例的方式分別稱量上述磁性體材料和非磁
性體材料，由球磨機進行濕式混合24小時，將所得到的漿料用乾燥機乾燥，得到複合體材料。
在所得到的複合體材料中添加丙烯樹脂類粘合劑並成為顆粒之後，進行加壓成型，分別得到圓環(toroidal)形狀(尺寸=外徑18mm×內徑10mm×高度5mm)的成型體、以及圓盤形狀(尺寸=直徑25mm×厚度5mm)的成型體。將該成型體在空氣中在900℃下燒成2小時，得到燒結體(複合鐵氧體組合物)。對所得到的燒結體，進行以下的評價。
評價
[相對密度]
就成型為圓盤形狀而得到的燒結體，從燒成後的燒結體的尺寸和重量算出燒結體密度，算出相對於理論密度的燒結體密度作為相對密度。本實施例中，令相對密度為90%以上為良好。在表1中表示結果。
[磁導率]
在成型為圓環形狀而得到的燒結體，捲繞10匝銅線繞線，使用LCR測試儀(安捷倫公司制，商品名：4991A)測定初始磁導率μi。作為測定條件，測定頻率為10MHz，測定溫度為20℃。本實施例中，令10MHz中磁導率為1.4以上為良好。在表1中表示結果。
[共振頻率]
在成型為圓環形狀而得到的燒結體，捲繞10匝銅線繞線，使用阻抗分析儀(安捷倫公司制，商品名：4991A)測定室溫下的磁導率的共振頻率(MHz)。在本實施例中，令磁導率的
共振頻率為50MHz以上為良好。在表1中表示結果。
[介電常數]
對成型為圓環形狀而得到的燒結體，使用網路分析儀(惠普公司制8510C)，利用共振法(JIS R 1627)算出介電常數(無單位)。本實施例中，令介電常數為11以下為良好。在表1中表示結果。
[電阻率]
在所得到的成型為圓盤形狀的燒結體的兩面，塗覆In-Ga電極，測定直流電阻值，求出電阻率ρ(單位：Ωm)。測定使用IR測試儀(惠普公司制4329A)進行。本實施例中，令電阻率為106Ω．m以上為良好。在表1中表示結果。
如表1所示，確認在磁性體材料和非磁性體材料在本發明的範圍內的複合鐵氧體組合物中，相對密度、磁導率、共振頻率、介電常數和電阻率的任一評價專案均為良好的結果(試樣3~9)。
另一方面，確認在磁性體材料和非磁性體材料不
在本發明的範圍內的複合鐵氧體組合物中，相對密度、磁導率、共振頻率、介電常數和電阻率的評價項目中的任一種以上變壞(試樣1、2、10和11)。
再有，在試樣10和11中，沒有表示共振頻率，這是由於不能觀察到磁導率的共振峰值的緣故。
(實施例2)
除了使非磁性體材料的主成分如表2那樣變化以外，與實施例1的試樣7同樣地製作燒結體(複合鐵氧體組合物)，進行同樣的評價。在表2中表示結果。
如表2所示，確認在非磁性體材料的主成分滿足規定的組成的複合鐵氧體組合物中，相對密度、磁導率、共振頻率、介電常數和電阻率的任一評價專案均為良好的結果(試
樣12~15、18~20和23~26)。
另一發明，確認在磁性體材料和非磁性體材料不滿足規定的組成的複合鐵氧體組合物中，相對密度、磁導率、共振頻率、介電常數和電阻率中的任一種變壞(試樣16、17、21、22和27)。
(實施例3)
除了使非磁性體材料的副成分即玻璃量如表3那樣變化以外，與實施例1的試樣9同樣地製作燒結體(複合鐵氧體組合物)，進行同樣的評價，在表3中表示結果。
如表3所示，確認在非磁性體材料的副成分即玻璃量在本發明的範圍內的複合鐵氧體組合物中，相對密度、磁導率、共振頻率、介電常數和電阻率的任一評價專案均為良好的結果(試樣32~39)。
另一方面，確認在非磁性體材料的副成分即玻璃量不在本發明的範圍內的複合鐵氧體組合物中，相對密度、磁
導率、共振頻率、介電常數和電阻率中的任一種變壞(試樣31和40)。
(實施例4)
使用複合鐵氧體組合物(試樣1、5、9、11)，製作具有圖1所示的構造的層疊貼片線圈，進行它們的阻抗特性的評價。在圖3中表示結果。所製作的層疊貼片線圈的外觀尺寸為：X軸尺寸為0.5mm，Y軸尺寸為1.0mm、Z軸尺寸為0.5mm。
如圖3所示，確認在磁性體材料和非磁性體材料在本發明的範圍內的複合鐵氧體組合物中，得到在GHz帶上高的阻抗特性(試樣5和9)。
另一方面，確認在磁性體材料和非磁性體材料不在本發明的範圍內的複合鐵氧體組合物中，在所期望的頻率區域(GHz)帶上阻抗變低(試樣1和試樣11)。
(實施例5)
除了使用CaO-SiO2-B2O3類玻璃、BaO-SiO2-B2O3類玻璃來代替SrO-SiO2-B2O3類玻璃以外，與實施例1~4同樣地製作複合鐵氧體組合物，進行同樣的評價。確認得到與實施例1~4同樣的結果。
1‧‧‧層疊貼片線圈
2‧‧‧陶瓷層
3‧‧‧內部電極層
4‧‧‧貼片主體
5‧‧‧端子電極
6‧‧‧端子連接用通孔電極
30‧‧‧線圈導體
Claims (6)
- 一種複合鐵氧體組合物，其特徵在於：是含有磁性體材料和非磁性體材料的複合鐵氧體組合物，上述磁性體材料與上述非磁性體材料的混合比例為20重量%：80重量%~80重量%：20重量%，上述磁性體材料為Ni-Cu-Zn系鐵氧體，上述非磁性體材料的主成分至少含有Zn、Cu和Si的氧化物，上述非磁性體材料的副成分含有硼矽酸玻璃。
- 如申請專利範圍第1項所述的複合鐵氧體組合物，其中上述非磁性體材料的主成分由通式a(bZnO．cMgO．dCuO)．SiO2表示，上述通式中的a、b、c和d滿足a=1.5~2.4，b=0.2~0.98，d=0.02~0.15，其中，b+c+d=1.00。
- 如申請專利範圍第1項所述的複合鐵氧體組合物，其中上述非磁性體材料含有0.5~17.0重量%的MO-SiO2-B2O3玻璃作為副成分，其中，MO為鹼土金屬氧化物。
- 如申請專利範圍第2項所述的複合鐵氧體組合物，其中上述非磁性體材料含有0.5~17.0重量%的MO-SiO2-B2O3玻璃作為副成分，其中，MO為鹼土金屬氧化物。
- 一種電子部件，其特徵在於：是層疊線圈導體與陶瓷層而構成的電子部件，上述線圈導體包含Ag，上述陶瓷層由申請專利範圍第1至4項中任一項所述的複 合鐵氧體組合物構成。
- 一種複合電子部件，其特徵在於：是層疊線圈導體與陶瓷層而構成的電子部件，上述線圈導體包含Ag，上述陶瓷層由申請專利範圍1至4項中任一項所述的複合鐵氧體組合物構成。
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