JP2014220469A - 複合フェライト組成物および電子部品 - Google Patents

Abstract

【課題】焼結性に優れ、高透磁率、高絶縁抵抗および低誘電率であり、周波数特性に優れた複合フェライト組成物と、この複合フェライト組成物を適用した電子部品を提供すること。
【解決手段】磁性体材料と非磁性体材料とを含有する複合フェライト組成物である。磁性体材料と前記非磁性体材料との混合比率が、２０重量％：８０重量％〜８０重量％：２０重量％である。磁性体材料がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトである。非磁性体材料の主成分がＺｎ、ＣｕおよびＳｉから選ばれる少なくとも１種の元素の酸化物を含有する。非磁性体材料の副成分がホウケイ酸ガラスを含有する。
【選択図】図１

Description

本発明は、高周波特性に優れた複合フェライト組成物と、この複合フェライト組成物を適用した電子部品に関する。

近年、携帯電話やＰＣなどに用いられる周波数帯が高周波化しており、既に数ＧＨｚの規格が複数存在する。これらの高周波の信号に対応するノイズ除去製品が求められている。その代表として積層チップコイルが例示される。

積層チップコイルの電気特性はインピーダンスで評価できる。インピーダンス特性は、１００ＭＨｚ帯までは素体材料の透磁率と、その周波数特性に大きく影響される。また、ＧＨｚ帯のインピーダンスは積層チップコイルの対向電極間の浮遊容量に影響されている。積層チップコイルの対向電極間の浮遊容量を低減する手法として、対向電極間の距離の延長、対向電極の面積の縮小、対向電極間の誘電率の低減の３つが挙げられる。

下記に示す特許文献１では、浮遊容量を低減するために、コイル通電により生じる磁束方向の両端に端子を形成している。この特許文献１に示す発明では、内部電極と端子電極間の距離を延長することが可能であると共に、内部電極と端子電極の対向面積の縮小が達成されており、高周波まで周波数特性が伸びることが期待できる。

しかしながら、特許文献１の発明では、内部電極間の浮遊容量は低減されておらず、この部分に更なる改善を行う余地がある。また、内部電極間の距離の延長と内部電極の面積の縮小は、構造の変更を行う改善方法であり、他の特性や大きさ・形状に対する影響が大きい。内部電極間の距離の延長は製品の大きさに影響するため、小型化が求められるチップ部品に適用することは困難である。さらに、内部電極の面積の縮小は、直流抵抗が増大すると言う課題を有する。

現在、積層チップコイルの素体材料として、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトが用いられる場合が多い。内部電極として用いるＡｇとの同時焼成を行うため、９００℃で焼成できる磁性体セラミックであることから選ばれている。Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトの誘電率は１４〜１５程度であり、低減の余地が残されているといえる。しかしながら、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトの誘電率を下げることは困難であり、何らかの改善手法が必要である。

また、下記に示す特許文献２では、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトと低誘電率非磁性体を混合して、複合材料を作製し、これを素体材料として適用している。低誘電率非磁性体としては、シリカガラス、硼珪酸ガラス、ステアタイト、アルミナ、フォルステライト、ジルコンを挙げている。

特許文献２に示す発明では、フェライトと低誘電率非磁性体を混合することで、誘電率は低減される。また、特許文献３に示す発明では、発泡フェライトの応用を示している。すなわち、特許文献３では、磁性セラミックに焼失材を混合しておき焼結後に空孔を作製し、空孔に樹脂またはガラスを含浸させる。空孔を用いることで、低誘電率化が達成されている。さらに、空孔に樹脂またはガラスが含浸されることで強度が弱くなる発泡フェライトのデメリットをカバーしている。

しかしながら、特許文献２において、ガラス系材料を主成分とする場合、透磁率μの低下が顕著となる。これは、磁性体の粒成長の阻害や磁路分断を起こすためと考えられる。また、フェライトとガラスの反応が大きく、異相を形成し絶縁抵抗が劣化する。そのため、Ａｇ系導体との同時焼成ではショートする可能性が高く、Ａｇ系導体を適用した積層コイルとして不適である。

一方、ステアタイト、アルミナ、フォルステライト、ジルコンのセラミック材料では、前記のような絶縁抵抗の劣化は小さいと考えられるものの、焼結性に問題があり内部電極Ａｇとの同時焼成が可能な焼成温度９００℃では複合材の焼結は困難であると考えられる。

また、特許文献３に示す発明では、特性および焼結性とも問題はない。しかし、フェライトに空孔を多く含むため、端子電極を直接つけることができない。そのため、端子電極を形成する部分に空孔が少ないフェライトを用いるなど構造が複雑になる欠点がある。また、焼成後のフェライト粒径は、空孔が少ないフェライトと比較して小さくなるため耐湿性等が劣化する可能性が高い。

したがって、磁性体と低誘電率非磁性体の複合の手法においては、次の５点が課題となる。すなわち、焼結性の低下、透磁率μの低下、透磁率μの周波数特性の低周波化、誘電率の低減効果が小さい、および絶縁抵抗の低下である。これらの課題を同時に解決して、ＧＨｚ帯でインピーダンスの高い積層コイルを提供することは困難であると考えられていた。

特開平１１−０２６２４１号公報 特開２００２−１７５９１６号公報 特開２００４−２９７０２０号公報

本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、焼結性に優れ、高透磁率、高絶縁抵抗および低誘電率であり、周波数特性に優れた複合フェライト組成物と、この複合フェライト組成物を適用した電子部品を提供することである。

上記目的を達成するために、本発明に係る複合フェライト組成物は、
磁性体材料と非磁性体材料とを含有する複合フェライト組成物であって、
前記磁性体材料と前記非磁性体材料との混合比率が、２０重量％：８０重量％〜８０重量％：２０重量％であり、
前記磁性体材料がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトであり、
前記非磁性体材料の主成分が少なくともＺｎ、ＣｕおよびＳｉの酸化物を含有し、
前記非磁性体材料の副成分がホウケイ酸ガラスを含有する。

本発明に係る複合フェライト組成物では、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトを用いているため、比較的に低温での焼結性に優れている。また、本発明では、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに対して、所定割合で、所定の非磁性体材料を含ませることで、焼結性に優れ、高透磁率、高絶縁抵抗および低誘電率であり、周波数特性に優れた複合フェライト組成物を実現することができることが、本発明者等により見出された。

すなわち、本発明によれば、流動性が低い非磁性体材料を、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに対して、所定割合で含ませることにより、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトの磁壁移動領域の減少と磁路分断を小さくできると考えられる。また、非磁性体材料として、流動性が低いセラミック材料の中でもＺｎの酸化物を主組成とするセラミック材料を含む非磁性体セラミック材料を選ぶことにより、元素の相互拡散の影響を小さくできる。非磁性体材料は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに含まれるＺｎを多く含んでおり、２材料間の元素相互拡散は少なくなると考えられる。また、元素の相互拡散が生じたとしても、元々含まれる元素の量が僅かに変化するだけであり特性への影響は小さい。

なお、磁性体材料におけるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトの組成、非磁性体材料の組成、磁性体材料と非磁性体材料との混合比を任意に変えることで、透磁率（２０〜１．４）と誘電率（１１〜７）を調整できると言う利点もある。

好ましくは、前記非磁性体材料の主成分が、一般式ａ（ｂＺｎＯ・ｃＭｇＯ・ｄＣｕＯ）・ＳｉＯ_２ で表され、
前記一般式中のａ、ｂ、ｃおよびｄが、ａ＝１．５〜２．４、ｂ＝０．２〜０．９８、ｄ＝０．０２〜０．１５（ただし、ｂ＋ｃ＋ｄ＝１.００）を満足する。

好ましくは、前記非磁性体材料が、副成分として、ＭＯ−ＳｉＯ_２ −Ｂ_２ Ｏ_３ ガラス（ＭＯは、アルカリ土類金属酸化物）を０．５〜１７．０重量％含有する。

非磁性体材料として、ＭＯ−ＳｉＯ_２ −Ｂ_２ Ｏ_３ 系ガラスを所定重量割合で添加することで、複合材料全体の焼結性を高めることで高い透磁率と絶縁抵抗を両立し、積層コイル部品への適用を可能としている。

本発明に係る電子部品は、
コイル導体およびセラミック層が積層されて構成される電子部品であって、
前記コイル導体がＡｇを含み、
前記セラミック層が上記に記載の複合フェライト組成物で構成されている。

図１は本発明の一実施形態に係る電子部品としての積層チップコイルの内部透視斜視図である。 図２は本発明の他の実施形態に係る電子部品としての積層チップコイルの内部透視斜視図である。 図３は本発明の実施例および比較例に係るインピーダンス特性を示すグラフである。

以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
図１に示すように、本発明の一実施形態に係る電子部品としての積層チップコイル１は、セラミック層２と内部電極層３とがＹ軸方向に交互に積層してあるチップ本体４を有する。

各内部電極層３は、四角状環またはＣ字形状またはコ字形状を有し、隣接するセラミック層２を貫通する内部電極接続用スルーホール電極（図示略）または段差状電極によりスパイラル状に接続され、コイル導体３０を構成している。

チップ本体４のＹ軸方向の両端部には、それぞれ端子電極５，５が形成してある。各端子電極５には、積層されたセラミック層２を貫通する端子接続用スルーホール電極６の端部が接続してあり、各端子電極５，５は、閉磁路コイル（巻線パターン）を構成するコイル導体３０の両端に接続される。

本実施形態では、セラミック層２および内部電極層３の積層方向がＹ軸に一致し、端子電極５，５の端面がＸ軸およびＺ軸に平行になる。Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、相互に垂直である。図１に示す積層チップコイル１では、コイル導体３０の巻回軸が、Ｙ軸に略一致する。

チップ本体４の外形や寸法には特に制限はなく、用途に応じて適宜設定することができ、通常、外形はほぼ直方体形状とし、たとえばＸ軸寸法は０．１５〜０．８ｍｍ、Ｙ軸寸法は０．３〜１．６ｍｍ、Ｚ軸寸法は０．１〜１．０ｍｍである。

また、セラミック層２の電極間厚みおよびベース厚みには特に制限はなく、電極間厚み（内部電極層３、３の間隔）は３〜５０μｍ、ベース厚み（端子接続用スルーホール電極６のＹ軸方向長さ）は５〜３００μｍ程度で設定することができる。

本実施形態では、端子電極５としては、特に限定されず、本体４の外表面にＡｇやＰｄなどを主成分とする導電性ペーストを付着させた後に焼付け、さらに電気めっきを施すことにより形成される。電気めっきには、Ｃｕ、Ｎｉ、Ｓｎなどを用いることができる。

コイル導体３０は、Ａｇ（Ａｇの合金含む）を含み、たとえばＡｇ単体、Ａｇ−Ｐｄ合金などで構成される。コイル導体の副成分として、Ｚｒ、Ｆｅ、Ｍｎ、Ｔｉ、およびそれらの酸化物を含むことができる。

セラミック層２は、本発明の一実施形態に係る複合フェライト組成物で構成してある。以下、複合フェライト組成物について詳細に説明する。

本実施形態の複合フェライト組成物は、磁性体材料と非磁性体材料とを含有し、磁性体材料と非磁性体材料との混合比率が、２０重量％：８０重量％〜８０重量％：２０重量％、好ましくは、４０重量％：６０重量％〜６０重量％：４０重量％である。磁性体材料の割合が多くなると、誘電率が高くなり、ＧＨｚ帯で高いインピーダンスが得られなくなり、高周波特性が悪くなる。また、磁性体材料の割合が少なくなると、透磁率が低くなり、１００ＭＨｚからＧＨｚ帯でのインピーダンスが低くなる。

磁性体材料としては、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトが用いられる。Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトとしては特に制限はなく、目的に応じて種々の組成のものを選択すればよいが、焼成後のフェライト焼結体中のｍｏｌ％で、Ｆｅ_２ Ｏ_３ ：４０〜５０ｍｏｌ％、特に４５〜５０ｍｏｌ％、ＮｉＯ：４〜５０ｍｏｌ％、特に１０〜４０ｍｏｌ％、ＣｕＯ：４〜２０ｍｏｌ％、特に６〜１３ｍｏｌ％、およびＺｎＯ：０〜４０ｍｏｌ％、特に１〜３０ｍｏｌ％であるフェライト組成物を用いることが好ましい。また、Ｃｏ酸化物を１０重量％以下の範囲で含まれていても良い。

磁性フェライトの磁気特性は、組成依存性が強く、Ｆｅ_２ Ｏ_３ 、ＮｉＯ、ＣｕＯおよびＺｎＯの組成が上記の範囲を外れた領域では、透磁率や品質係数Ｑが低下する傾向にある。具体的には、例えば、Ｆｅ_２ Ｏ_３ 量が少な過ぎると透磁率が小さく、化学量論組成に近づくにしたがい透磁率は上昇し、化学量論組成付近から透磁率は急激に低下する。また、ＮｉＯ量の減少、あるいは、ＺｎＯ量の増加に伴って透磁率は高くなる。しかし、ＺｎＯ量が多くなると、キュリー温度が１００℃以下となり、電子部品として要求される温度特性を満足させることが困難になる。また、ＣｕＯ量が少なくなると、低温焼成（９３０℃以下）が困難となり、逆に多過ぎるとフェライトの固有抵抗が低下して品質係数Ｑが劣化する。

フェライト粉の平均粒径は、好ましくは０．１〜１．０μｍの範囲内である。平均粒径が小さすぎると、フェライト粉は、比表面積が大きい微粉になり、印刷積層に用いるペースト塗料やシート積層に用いるシート塗料化が非常に困難になる。しかも、粉の粒径を小さくするためには、ボールミルなどの粉砕装置による長時間の粉砕が必要になるが、長時間粉砕により、ボールミルおよび粉砕容器からのコンタミネーションが増大し、フェライト粉の組成ズレが生じ、特性の劣化を引き起こすおそれがある。また、平均粒径が大きくなると、焼結性が低下し、Ａｇを含む内部導体との同時焼成が困難となる。

なお、フェライト粉の平均粒径は、磁性フェライト粉を純水中に入れ超音波器で分散させ、レーザ回折式粒度分布測定装置（日本電子株式会社製 ＨＥＬＯＳ ＳＹＳＴＥＭ）などを用いて測定することができる。

非磁性体材料の主成分は少なくともＺｎ、ＣｕおよびＳｉの酸化物を含有する。非磁性体材料の主成分は一般式ａ（ｂＺｎＯ・ｃＭｇＯ・ｄＣｕＯ）・ＳｉＯ_２ で表される複合酸化物が例示される。この一般式中のａは、好ましくは１．５〜２．４、さらに好ましくは１．８〜２．２である。この一般式中のｂは、好ましくは０．２〜０．９８、さらに好ましくは０．９５〜０．９８である。この一般式中のｄは、好ましくは、０．０２〜０．１５、さらに好ましくは０．０２〜０．０５である。ただし、ｂ＋ｃ＋ｄ＝１.００を満足する。

非磁性体材料の副成分としてのホウケイ酸ガラスとしては、たとえばＭＯ−ＳｉＯ_２ −Ｂ_２ Ｏ_３ ガラス（ＭＯは、アルカリ土類金属酸化物）が例示される。ホウケイ酸ガラスには、その他の成分として、ＺｎＯ、Ａｌ_２Ｏ_３、Ｋ_２Ｏ、Ｎａ_２Ｏなどが含まれていても良い。

本実施形態に係る非磁性体材料の副成分としてのホウケイ酸ガラスに要求される特性としては、線膨張係数、ガラス転移点Ｔｇなどが例示される。本実施形態では、ホウケイ酸ガラスに要求される線膨張係数は、好ましくは７．５×１０^−６〜８．５×１０^−６であり、ガラス転移点Ｔｇは、好ましくは６００〜７００である。

本実施形態に係る非磁性体材料の副成分としてのホウケイ酸ガラスは、非磁性体材料の全体を１００重量％とした場合において、好ましくは０．５〜１７．０重量％、さらに好ましくは２．０〜６．０重量％含まれる。ガラスの添加量が少なすぎると、焼結性が低下し、９００℃以下での焼成が困難である。そもそも、ホウケイ酸ガラスなしでは、低誘電率非磁性体材料は９００℃以下での焼成が困難である。

なお、ホウケイ酸ガラスの含有量は、磁性体材料の混合比率によって、好ましい含有量範囲が変化する。たとえば非磁性体材料に対して磁性体材料の混合比率が高い場合には、ホウケイ酸ガラスの含有量は、比較的に高い範囲にあることが好ましく、磁性体材料の混合比率が低い場合には、ホウケイ酸ガラスの含有量は、比較的に低い範囲にあることが好ましい。

ガラスを含まないＺｎの酸化物を主組成とする非磁性体材料の例としてウィレマイト[（珪酸亜鉛、ジンクシリケートとも呼ばれる）：Ｚｎ_２ ＳｉＯ_４ ]を挙げると、ウィレマイト単独での焼結温度は１３００℃以上である。そこで、ＭＯ−ＳｉＯ_２ −Ｂ_２ Ｏ_３ 系ガラスを焼結助剤とすることでウィレマイト単独でも焼成温度９００℃で焼結可能となる。磁性体と複合化しても、この効果は保持している。

ホウケイ酸ガラスの添加量が多すぎると、透磁率が低下する傾向にあり、十分なインピーダンスが得られない。この原因は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトの磁壁移動領域の減少と磁路分断にあると考えられる。流動性の高いＭＯ−ＳｉＯ_２ −Ｂ_２ Ｏ_３ 系ガラスがＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト粒界に浸入することで、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトの磁路が分断される。また、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトの粒成長が阻害されることで、磁壁移動領域が減少する。

非磁性体材料の主成分の平均粒径と、副成分としてのホウケイ酸ガラスの平均粒径は、特に限定されないが、主成分の平均粒径は、好ましくは、０．２〜０．６μｍであり、ホウケイ酸ガラスの平均粒径は、好ましくは、０．３〜０．７μｍである。平均粒径の測定方法は、フェライト粉の場合と同様である。

図１に示す積層チップコイル１は、一般的な製造方法により製造することができる。すなわち、本発明の複合フェライト組成物を、バインダーと溶剤とともに混練して得た複合フェライトペーストを、Ａｇなどを含む内部電極ペーストと交互に印刷積層した後、焼成することで、チップ本体４を形成することができる（印刷法）。あるいは複合フェライトペーストを用いてグリーンシートを作製し、グリーンシートの表面に内部電極ペーストを印刷し、それらを積層して焼成することでチップ本体４を形成しても良い（シート法）。いずれにしても、チップ本体を形成した後に、端子電極５を焼き付けあるいはメッキなどで形成すれば良い。

複合フェライトペースト中のバインダーおよび溶剤の含有量には制限はなく、例えば、バインダーの含有量は１〜１０重量％、溶剤の含有量は１０〜５０重量％程度の範囲で設定することができる。また、ペースト中には、必要に応じて分散剤、可塑剤、誘電体、絶縁体等を１０重量％以下の範囲で含有させることができる。Ａｇなどを含む内部電極ペーストも同様にして作製することができる。また、焼成条件などは、特に限定されないが、内部電極層にＡｇなどが含まれる場合には、焼成温度は、好ましくは９３０℃以下、さらに好ましくは９００℃以下である。

なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。

たとえば、図２に示す積層チップコイル１ａのセラミック層２を上述した実施形態の複合フェライト組成物を用いて構成しても良い。図２に示す積層チップコイル１ａでは、セラミック層２と内部電極層３ａとがＺ軸方向に交互に積層してあるチップ本体４ａを有する。

各内部電極層３ａは、四角状環またはＣ字形状またはコ字形状を有し、隣接するセラミック層２を貫通する内部電極接続用スルーホール電極（図示略）または段差状電極によりスパイラル状に接続され、コイル導体３０ａを構成している。

チップ本体４ａのＹ軸方向の両端部には、それぞれ端子電極５，５が形成してある。各端子電極５には、Ｚ軸方向の上下に位置する引き出し電極６ａの端部が接続してあり、各端子電極５，５は、閉磁路コイル（巻線パターン）を構成するコイル導体３０ａの両端に接続される。

本実施形態では、セラミック層２および内部電極層３の積層方向がＺ軸に一致し、端子電極５，５の端面がＸ軸およびＺ軸に平行になる。Ｘ軸、Ｙ軸およびＺ軸は、相互に垂直である。図２に示す積層チップコイル１ａでは、コイル導体３０ａの巻回軸が、Ｚ軸に略一致する。

図１に示す積層チップコイル１では、チップ本体４の長手方向であるＹ軸方向にコイル導体３０の巻軸があるため、図２に示す積層チップコイル１ａに比較して、巻数を多くすることが可能であり、高い周波数帯までの高インピーダンス化が図りやすいという利点を有する。図２に示す積層チップコイル１ａにおいて、その他の構成および作用効果は、図１に示す積層チップコイル１と同様である。

さらにまた、本発明の複合フェライト組成物は、図１または図２に示すチップインダクタ以外の電子部品のためのコイル導体と共に積層されるセラミック層として用いることができる。

以下、本発明を、さらに詳細な実施例に基づき説明するが、本発明は、これら実施例に限定されない。

（実施例１）
まず、磁性体材料として、９００℃で単独焼成するとμ＝１１０、ε＝１４．０となるＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト（平均粒径０．３μｍ）を準備した。

次に、９００℃で単独焼成するとμ＝１、ε＝６となる非磁性体材料を準備した。該非磁性体材料は、主成分として２（０．９８Ｚｎ・０．０２ＣｕＯ）・ＳｉＯ_２ （平均粒径０．５μｍ）と、副成分としてＳｒＯ−ＳｉＯ_２ −Ｂ_２ Ｏ_３ 系ガラス（平均粒径０．５μｍ）とを、非磁性体材料１００重量％に対して、ＳｒＯ−ＳｉＯ_２ −Ｂ_２ Ｏ_３ 系ガラスの含有量が３．８重量％となるように混合して調製したものである。なお、ＳｒＯ−ＳｉＯ_２ −Ｂ_２ Ｏ_３ 系ガラスとしては、市販のガラスを用いた。

そして、上記磁性体材料と非磁性体材料の混合比が表１に示す比率になるように、上記磁性体材料と非磁性体材料をそれぞれ秤量し、ボールミルで２４時間湿式混合し、得られたスラリーを乾燥機にて乾燥し、複合体材料を得た。

得られた複合体材料にアクリル樹脂系バインダーを添加して顆粒とした後、加圧成形し、それぞれトロイダル形状（寸法＝外径１８ｍｍ×内径１０ｍｍ×高さ５ｍｍ）の成形体と、ディスク形状（寸法＝直径２５ｍｍ×厚さ５ｍｍ）の成形体を得た。この成形体を、空気中、９００℃にて、２時間焼成して焼結体（複合フェライト組成物）を得た。得られた焼結体に対し、以下の評価を行った。

評価
[相対密度]
ディスク形状に成形して得られた焼結体について、焼成後の焼結体の寸法および重量から、焼結体密度を算出し、理論密度に対する焼結体密度を相対密度として算出した。本実施例では、相対密度は９０％以上を良好とした。結果を表１に示す。

[透磁率]
トロイダル形状に成形して得られた焼結体に、銅線ワイヤを１０ターン巻きつけ、ＬＣＲメーター（アジレントテクノロジー社製、商品名：４９９１Ａ）を使用して、初期透磁率μｉを測定した。測定条件としては、測定周波数１０ＭＨｚ、測定温度２０℃とした。本実施例では、１０ＭＨｚにおける透磁率が１．４以上を良好とした。結果を表１に示す。

[共振周波数]
トロイダル形状に成形して得られた焼結体に、銅線ワイヤを１０ターン巻きつけ、インピーダンスアナライザー（アジレントテクノロジー社製、商品名：４９９１Ａ）を使用して、室温における透磁率の共振周波数(ＭＨｚ)を測定した。本実施例では、透磁率の共振周波数は５０ＭＨｚ以上を良好とした。結果を表１に示す。

[誘電率]
トロイダル形状に成形して得られた焼結体に対し、ネットワークアナライザー（ＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣＫＡＲＤ社製８５１０Ｃ）を使用して、共振法（ＪＩＳ Ｒ １６２７）により、誘電率（単位なし）を算出した。本実施例では、誘電率は１１以下を良好とした。結果を表１に示す。

[比抵抗]
得られたディスク形状に成形して得られた焼結体の両面に、Ｉｎ−Ｇａ電極を塗り、直流抵抗値を測定し、比抵抗ρを求めた（単位：Ωｍ）。測定は、ＩＲメーター（ＨＥＷＬＥＴＴ ＰＡＣＫＡＲＤ社製４３２９Ａ）を用いて行った。本実施例では、比抵抗は１０^６ Ω・ｍ以上を良好とした。結果を表１に示す。

表１に示されるように、磁性体材料と非磁性体材料が本発明の範囲内にある複合フェライト組成物では、相対密度、透磁率、共振周波数、誘電率および比抵抗の何れ評価項目も、良好な結果となることが確認できた（試料３〜９）。

一方、磁性体材料と非磁性体材料が本発明の範囲内にない複合フェライト組成物では、相対密度、透磁率、共振周波数、誘電率および比抵抗の評価項目の何れか一つ以上が、悪化することが確認できた（試料１、２、１０および１１）。

なお、試料１０および１１では、共振周波数を示していないが、これは透磁率の共振ピークが観察できなかったためである。

（実施例２）
非磁性体材料の主成分組成を、表２のように変化させた以外は、実施例１の試料７と同様に、焼結体（複合フェライト組成物）を作製し、同様の評価を行った。結果を表２に示す。

表２に示されるように、非磁性体材料の主成分が、所定の組成を満足している複合フェライト組成物では、相対密度、透磁率、共振周波数、誘電率および比抵抗の何れ評価項目も、良好な結果となることが確認できた（試料１２〜１５、１８〜２０、および２３〜２６）。

一方、非磁性体材料の主成分が、所定の組成を満足していない複合フェライト組成物では、相対密度および比抵抗の何れか一方が、悪化することが確認できた（試料１６、１７、２１、２２および２７）。

（実施例３）
非磁性体材料の副成分であるガラス量を、表３のように変化させた以外は、実施例１の試料９と同様に、焼結体（複合フェライト組成物）を作製し、同様の評価を行った。結果を表２に示す。

表３に示されるように、非磁性体材料の副成分であるガラス量が本発明の範囲内にある複合フェライト組成物では、相対密度、透磁率、共振周波数、誘電率および比抵抗の何れ評価項目も、良好な結果となることが確認できた（試料３２〜３９）。

一方、非磁性体材料の副成分であるガラス量が本発明の範囲内にない複合フェライト組成物では、相対密度および透磁率の何れか一方が、悪化することが確認できた（試料３１および４０）。

（実施例４）
複合フェライト組成物（試料１、５、９、１１）を用いて、図１に示す構造を有する積層チップコイルを作製し、それらのインピーダンス特性の評価を行なった。結果を図３に示す。作製した積層チップコイルの外観寸法は、Ｘ軸寸法が０．５ｍｍ、Ｙ軸寸法が１．０ｍｍ、Ｚ軸寸法が０．５ｍｍである。

図３に示されるように、磁性体材料と非磁性体材料が本発明の範囲内にある複合フェライト組成物では、ＧＨｚ帯で高いインピーダンス特性が得られることが確認できた（試料５および９）。

一方、磁性体材料と非磁性体材料が本発明の範囲内にない複合フェライト組成物では、所望の周波数領域（ＧＨｚ）帯においてインピーダンスが低くなってしまうことが確認できた（試料１および１１）。

１，１ａ… 積層チップコイル
２… セラミック層
３，３ａ… 内部電極層
４，４ａ… チップ本体
５… 端子電極
６… 端子接続用スルーホール電極
６ａ… 引き出し電極
３０，３０ａ… コイル導体

Claims (4)

1. 磁性体材料と非磁性体材料とを含有する複合フェライト組成物であって、
   前記磁性体材料と前記非磁性体材料との混合比率が、２０重量％：８０重量％〜８０重量％：２０重量％であり、
   前記磁性体材料がＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトであり、
   前記非磁性体材料の主成分が少なくともＺｎ、ＣｕおよびＳｉの酸化物を含有し、
   前記非磁性体材料の副成分がホウケイ酸ガラスを含有する複合フェライト組成物。
2. 前記非磁性体材料の主成分が、一般式ａ（ｂＺｎＯ・ｃＭｇＯ・ｄＣｕＯ）・ＳｉＯ_２ で表され、
   前記一般式中のａ、ｂ、ｃおよびｄが、ａ＝１．５〜２．４、ｂ＝０．２〜０．９８、ｄ＝０．０２〜０．１５（ただし、ｂ＋ｃ＋ｄ＝１.００）を満足する請求項１に記載の複合フェライト組成物。
3. 前記非磁性体材料が、副成分として、ＭＯ−ＳｉＯ_２ −Ｂ_２ Ｏ_３ ガラス（ＭＯは、アルカリ土類金属酸化物）を０．５〜１７．０重量％含有する請求項１または２に記載の複合フェライト組成物。
4. コイル導体およびセラミック層が積層されて構成される電子部品であって、
   前記コイル導体がＡｇを含み、
   前記セラミック層が請求項１〜３のいずれかに記載の複合フェライト組成物で構成されている電子部品および複合電子部品。

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