JP6079951B2 - フェライト系磁性体、その製造方法および該フェライト系磁性体を用いた電子部品 - Google Patents

Description

本発明は、磁性体、その製造方法および該磁性体を用いた電子部品に関し、詳しくは、インダクタのコアなどの用途に用いられるフェライト系磁性体、その製造方法および該フェライト系磁性体を用いた電子部品に関する。

近年、電子機器の高周波化にともない、その構成部品についても高周波化への対応が求められている。

このような構成部品の中で、インダクタなどのコイル部品においても高周波化への対応の必要性が強まっている。そして、高周波化への対応性に優れたインダクタのコア用材料として、高周波数領域で透磁率μ’（実部）が低下しない磁性体材料が望まれている。

そのような磁性体材料として、主成分としてＦｅ₂Ｏ₃，ＮｉＯ，ＣｕＯおよびＺｎＯを含み、かつ副成分としてＢｉ₂Ｏ₃を含む、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトを含み、かつ、ＳｉＯ₂−ＥＯ−Ａ₂Ｏ系ガラス（Ｅは、Ｂａ，Ｓｒ，ＣａおよびＭｇから選ばれる少なくとも１種。Ａは、Ｌｉ，ＮａおよびＫから選ばれる少なくとも１種）を、フェライト１００重量部に対して、１．５〜３．０重量部含むとともに、コバルト酸化物を、フェライト１００重量部に対して、Ｃｏ₃Ｏ₄に換算して０．１〜０．７重量部含む磁性体が提案されている（特許文献１）。

そして、この特許文献１によれば、巻線型コイルを構成するフェライトコアに用いるのに適した高周波特性の優れた磁性体が得られるとされている。

しかしながら、特許文献１の磁性体の場合、巻線型コイルのコアとして用いると、得られる巻線型コイルのＱのピーク周波数が１００〜１５０ＭＨｚとなることから、より高い周波帯域、例えば１７０〜２５０ＭＨｚのＶＨＦ−Ｈ帯で使用しようとすると、コイルのＱが低下して損失が増大するという問題点がある。

また、特許文献１の組成では、ガラスの添加量を、主成分であるＮｉＣｕＺｎ系フェライト１００重量部に対して４重量部にまで増加すると、比抵抗が低下して、Ｑが低下するという問題点がある。

特開２００７−２７３７２５号公報

本発明は、上記課題を解決するものであり、比抵抗が高く、かつ、１００ＭＨｚを超えるような高周波帯域におけるＱが高く、例えば、ＶＨＦ−Ｈ帯などで用いられるインダクタのコアの構成材料などとして好適に使用することが可能なフェライト系磁性体およびその製造方法、該フェライト系磁性体を用いた、巻線型コイル、インダクタ、アンテナなどの電子部品を提供することを目的とする。

上記課題を解決するため、本発明のフェライト系磁性体は、
Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎを含むＮｉＣｕＺｎ系フェライトを主成分とし、
アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含み、
平均結晶粒径が０．０１〜１．０μｍの範囲にあり、
前記アルカリ金属および前記アルカリ土類金属の少なくとも一方と前記Ｓｉとを含む結晶相であって、Ｌｉ ₂ ＳｉＯ ₃ 、Ｌｉ ₂ Ｓｉ ₂ Ｏ ₅ 、Ｌｉ ₂ ＺｎＳｉＯ ₄ 、ＢａＳｉ ₂ Ｏ ₅ 、Ｂａ ₄ Ｓｉ ₆ Ｏ ₁₆ 、ＢａＡｌ ₂ Ｓｉ ₂ Ｏ ₈ 、ＢａＣｕＳｉ ₂ Ｏ ₆ 、ＢａＣｕＳｉ ₄ Ｏ ₁₀ 、ＢａＣｕ ₂ Ｓｉ ₂ Ｏ ₇ 、ＢａＣｕＳｉ ₂ Ｏ ₆ 、Ｂａ ₂ ＦｅＳｉ ₂ Ｏ ₇ からなる群より選ばれる少なくとも１種である結晶相が析出しており、
主成分である前記ＮｉＣｕＺｎ系フェライトは、４４．０〜４７．０ｍｏｌ％のＦｅ ₂ Ｏ ₃ 、４０．０〜４４．０ｍｏｌ％のＮｉＯ、１．０〜１０．０ｍｏｌ％のＺｎＯ、および残りの成分であるＣｕＯを含むこと
を特徴としている。

また、本発明のフェライト系磁性体においては、前記平均結晶粒径が０．０５〜０．４５μｍの範囲にあることが好ましい。
平均結晶粒径の範囲を０．０５〜０．４５μｍの範囲とすることにより、２５０ＭＨｚでの透磁率μ’（実部）を４以上、Ｑを７０以上とすることができる。
なお、Ｑは、透磁率μ’（実部）と、μ”（虚部）の比（Ｑ＝μ’／μ”）である。

また、本発明のフェライト系磁性体の製造方法は、上記本発明のフェライト系磁性体を製造するための方法であって、
（ａ）Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎを含むＮｉＣｕＺｎ系フェライト系材料と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む材料と、を含有する配合原料を所定の形状に成形して成形体を得る成形工程と、
（ｂ）前記成形体を焼成する焼成工程と
を備えていることを特徴としている。

また、本発明の電子部品は、上述の本発明のフェライト系磁性体が用いられていることを特徴としている。

本発明の電子部品は、巻線型コイル、インダクタ、およびアンテナからなる群より選ばれるいずれか１種であることが好ましい。
例えば、巻線型コイルの巻線コア、インダクタの磁性体、ＵＨＦアンテナのアンテナ本体などを本発明のフェライト系磁性体を用いて形成することにより、高周波帯域で好適に使用することが可能な巻線型コイル、インダクタ、アンテナなどを提供することが可能になる。

本発明のフェライト系磁性体は、ＮｉＣｕＺｎ系フェライトを主成分とし、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含み、平均結晶粒径が０．０１〜１．０μｍの範囲にあり、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む結晶相であって、Ｌｉ ₂ ＳｉＯ ₃ 、Ｌｉ ₂ Ｓｉ ₂ Ｏ ₅ 、Ｌｉ ₂ ＺｎＳｉＯ ₄ 、ＢａＳｉ ₂ Ｏ ₅ 、Ｂａ ₄ Ｓｉ ₆ Ｏ ₁₆ 、ＢａＡｌ ₂ Ｓｉ ₂ Ｏ ₈ 、ＢａＣｕＳｉ ₂ Ｏ ₆ 、ＢａＣｕＳｉ ₄ Ｏ ₁₀ 、ＢａＣｕ ₂ Ｓｉ ₂ Ｏ ₇ 、ＢａＣｕＳｉ ₂ Ｏ ₆ 、Ｂａ ₂ ＦｅＳｉ ₂ Ｏ ₇ からなる群より選ばれる少なくとも１種である結晶相が析出しており、主成分であるＮｉＣｕＺｎ系フェライトは、４４．０〜４７．０ｍｏｌ％のＦｅ ₂ Ｏ ₃ 、４０．０〜４４．０ｍｏｌ％のＮｉＯ、１．０〜１０．０ｍｏｌ％のＺｎＯ、および残りの成分であるＣｕＯを含むフェライト系磁性体であり、高周波帯域におけるＱが高く、例えば、ＶＨＦ−Ｈ帯などで用いられるインダクタのコアの構成材料などとして好適に使用することができる。

すなわち、本発明では、フェライト系磁性体中に、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む結晶相（ガラス結晶相）を析出させるようにしているので、フェライト結晶粒を高抵抗化するとともに、結晶を微細化して、高周波帯域でＱを高くすることが可能になる。

具体的には、上記結晶相がフェライト系磁性体中に含まれる（析出する）ことにより、フェライト系磁性体が高抵抗化し、例えば比抵抗をρ≧１０⁸（Ω・ｃｍ）とすることが可能になる。また、渦電流損失を抑制することが可能になり、高周波の透磁率μ”（虚部）を低下させることができる。その結果、高周波帯域でＱ（＝μ’／μ”）を高くすることが可能になる。これは、Ｓｉを含む余剰な陽イオンが、Ｓｉを含む結晶相に入ることで、陽イオンがフェライト結晶粒内に入って半導体化することが抑制、防止されること、および、上記ガラス結晶相（絶縁相）により電気伝導が抑制されて高抵抗化することによるものと考えられる。

また、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む結晶相（ガラス結晶相）によってフェライト結晶粒に応力が加わることにより、高温側で透磁率μ’の増加が抑制され、低温側で透磁率μ’の低下が妨げられるため、透磁率μ’の温度変化率を低く抑えることができる。

なお、本発明のフェライト系磁性体では、透磁率の温度変化率α_μが、｜α_μ｜≦１０００［ｐｐｍ／℃］を満たすことから、温度補償コンデンサ（ＵＪ規格）などによる温度補償が可能になる。

また、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む結晶相として、Ｌｉ ₂ ＳｉＯ ₃ 、Ｌｉ ₂ Ｓｉ ₂ Ｏ ₅ 、Ｌｉ ₂ ＺｎＳｉＯ ₄ 、ＢａＳｉ ₂ Ｏ ₅ 、Ｂａ ₄ Ｓｉ ₆ Ｏ ₁₆ 、ＢａＡｌ ₂ Ｓｉ ₂ Ｏ ₈ 、ＢａＣｕＳｉ ₂ Ｏ ₆ 、ＢａＣｕＳｉ ₄ Ｏ ₁₀ 、ＢａＣｕ ₂ Ｓｉ ₂ Ｏ ₇ 、ＢａＣｕＳｉ ₂ Ｏ ₆ 、Ｂａ ₂ ＦｅＳｉ ₂ Ｏ ₇ 、からなる群より選ばれる少なくとも１種が析出した構成としているので、高周波でＱが高く、透磁率μ’の温度変化率の低いフェライト系磁性体を確実に得ることができる。

また、本発明のフェライト系磁性体においては、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む結晶相がフェライト系磁性体中に含まれる（析出する）ことにより、結晶が微細化され、高周波でのＱを高めることが可能になる。具体的には、平均結晶粒径を０．０１〜１．０μｍとすることで、２５０ＭＨｚでの透磁率μ’を２以上、Ｑを２０以上とすることが可能になり、また、上述のように、平均結晶粒径を０．０５〜０．４５μｍの範囲とすることにより、２５０ＭＨｚでの透磁率μ’を４以上、Ｑを７０以上にすることができる。

ただし、結晶が微細化しすぎると超常磁性（透磁率＝１）となって磁性体として機能しなくなる。また、結晶が粗粒化しすぎると、磁壁共振効果が大きくなり、１００ＭＨｚ以上のＱの低下が著しくなるため、好ましくない。

また、本発明のフェライト系磁性体の製造方法は、上記本発明のフェライト系磁性体を製造するための方法であって、上述のＮｉＣｕＺｎ系フェライト材料と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む材料とを含有する配合原料を成形する成形工程と、成形工程で得られた成形体を焼成する焼成工程とを備えており、焼成工程において、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む材料を、ガラス結晶相として、フェライト系磁性体中に析出させることができる。
その結果、上述のような特徴を有する本発明のフェライト系磁性体を確実に製造することが可能になる。

また、本発明の電子部品においては、磁性体として、Ｑが高く、透磁率μ’の温度変化率の低い本発明のフェライト系磁性体が用いられているため、特性の良好な電子部品を提供することができる。例えば、巻線型コイルの巻線コアを、本発明のフェライト系磁性体を用いて形成した場合、コイルのＱピーク周波数が高く、より高周波で使用することが可能な巻線型コイルを提供することが可能になる。

本発明の実施例にかかる巻線型コイルの構成を示す図であり、(ａ)は正面図、(ｂ)は側面図である。 フェライト系磁性体のμ’（実部）とμ”（虚部）の周波数特性を示すグラフである。 本発明の実施例において作製した、本発明の要件を満たさない比較用のフェライト系磁性体（試料番号１の試料）についてのＸ線回折結果を示す図である。 本発明の実施例において作製した、本発明の要件を満たすフェライト系磁性体（試料番号３の試料）についてのＸ線回折結果を示す図である。 本発明の実施例において作製した、本発明の要件を満たすフェライト系磁性体（試料番号６の試料）についてのＸ線回折結果を示す図である。 本発明の実施例において作製した、本発明の要件を満たすフェライト系磁性体（試料番号９の試料）についてのＸ線回折結果を示す図である。 本発明の実施例において作製した、本発明の要件を満たすフェライト系磁性体（試料番号１２の試料）についてのＸ線回折結果を示す図である。 本発明の実施例において作製した、本発明の要件を満たすフェライト系磁性体（試料番号１６の試料）についてのＸ線回折結果を示す図である。 本発明の実施例において作製した、本発明の要件を満たすフェライト系磁性体（試料番号１９の試料）についてのＸ線回折結果を示す図である。 巻線型コイルのＱの周波数特性を示すグラフである。

以下に本発明の実施の形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。

［試料の作製］
まず、フェライト原料として、Ｆｅ₂Ｏ₃，ＮｉＯ，ＣｕＯ，およびＺｎＯの酸化物原料粉末を準備した。
そして、これらの酸化物原料粉末を、
Ｆｅ₂Ｏ₃＝４６ｍｏｌ％、
ＮｉＯ ＝４４ｍｏｌ％、
ＣｕＯ ＝８ｍｏｌ％、
ＺｎＯ ＝２ｍｏｌ％
となるように秤量し、ビーズミルにて、湿式で混合・粉砕を行った後、スプレー乾燥機で乾燥・造粒した。それから、造粒体を大気中にて、６００〜９００℃で仮焼することにより仮焼粉を得た。

また、ＳｉＯ₂を主成分とし、Ｂａ，Ｓｒ，Ｃａなどのアルカリ土類金属、Ｌｉ，Ｎａ，Ｋなどのアルカリ金属、Ａｌ，Ｂｉ，Ｂなどの金属元素を含む、表１に示す組成のガラス（粉末）Ａ〜Ｆを準備した。

なお、表１のガラスＡ〜Ｆについては、それぞれＸ線回折評価を行い、いずれもが非晶質であることを確認している。

それから、上記仮焼粉１００重量部に対して、Ｃｏ₃Ｏ₄を０．３５重量部を添加するとともに、表２Ａ、表２Ｂに示した割合でガラス粉末Ａ〜Ｆを添加し、さらにバインダーとしてＰＶＡ（ポリビニルアルコール）を仮焼粉とガラス粉末の合計量１００重量部に対して１．０〜２．５重量部の割合で添加した。
そして、アトライターで湿式混合粉砕を行った後、スプレー乾燥機で乾燥・造粒し、造粒粉末を作製した。

次に、得られた造粒粉末に潤滑剤として所定量のステアリン酸マグネシウムを添加した後、プレス成型機で所定の形状に成型し、８００〜１０００℃の温度で、大気中２〜５時間焼成して磁器（フェライト系磁性体）を得た。

なお、この実施形態では、磁器（試料）として、
（ａ）焼成後のサイズが、外径：８ｍｍ、内径：４ｍｍ、厚み：２ｍｍのリング形状の磁器
（ｂ）焼成後のサイズが、外径：１０ｍｍ、厚み：１ｍｍの円板形状の磁器
（ｃ）図１に示すような長さＬ：１．０ｍｍ、幅Ｗ：０．５ｍｍ、高さＴ：０．５ｍｍの巻線型コイル用のフェライトコア
の３種類の磁器（試料）を作製した。

[リング状の磁器（試料）を用いた特性測定］
上記（ａ）のリング状の磁器を、アジレント・テクノロジー社製の磁性体測定冶具（型番１６４５４Ａ−ｓ）にセットし、アジレント・テクノロジー社製のインピーダンスアナライザ（型番Ｅ４９９１Ａ）を用いて透磁率μ’（実部）、μ”（虚部）の測定を行った。
また、各試料の透磁率μ’（実部）、μ”（虚部）の値からＱ値（＝μ’／μ”）を求めた。

なお、本発明の要件を満たさない試料番号１の試料と、本発明の要件を満たす試料番号１６の試料の透磁率の周波数特性を図２に示す。図２からわかるように、試料番号１６の試料の場合、試料番号１の試料の場合に比べて、高周波まで透磁率μ’が一定であることが確認された。

また、試料を恒温槽に設置し、恒温槽内の温度を変化させて、−４０℃〜８５℃での透磁率μ’を測定し、ＪＩＳ規格Ｃ２５６０−２に従い、２０℃を基準として透磁率μ’の温度変化率α_μを求めた。

[円板形状の試料を用いた比抵抗ｌｏｇρｖ（Ω・ｃｍ）の測定］
また、上記（ｂ）の円板形状の試料について、表裏の両主面に対向電極を形成し、これら電極間に直流電圧５０Ｖを印加して絶縁抵抗（ＩＲ）を測定し、この測定値と試料寸法から比抵抗ｌｏｇρｖ（Ω・ｃｍ）を求めた。

[フェライトコアを用いた特性測定］
また、上記（ｃ）の巻線型コイル用のフェライトコアの焼結体については、乳鉢で粉砕し、Ｘ線回折（ＣｕＫα線）を行って結晶構造解析を行った。
図３に試料番号１の試料のＸ線回折結果を示す。
図４に試料番号３の試料のＸ線回折結果を示す。
図５に試料番号６の試料のＸ線回折結果を示す。
図６に試料番号９の試料のＸ線回折結果を示す。
図７に試料番号１２の試料のＸ線回折結果を示す。
図８に試料番号１６の試料のＸ線回折結果を示す。
図９に試料番号１９の試料のＸ線回折結果を示す。
なお、図３〜図９において、●印を付けたピークはスピネル結晶相による回折ピークを示している。

さらに、フェライトコアの焼結体の表面を、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）で撮影し、ＪＩＳ規格Ｒ１６７０に従い円相当径を算出した。

また、上記のフェライトコア１（図１）の鍔部２ａ、２ｂの低部にＡｇペーストを塗付し、焼付け処理を行って下地層を形成した後、電解めっき処理を行い、下地層の上にＮｉ，Ｓｎめっき膜を順次成膜することにより、外部電極６ａ，６ｂを形成した。

次に、フェライトコア１の巻芯部１ａに、φ２０μｍの巻線４を１５ターン巻回した。それから、巻線４の両端を外部電極６ａ、６ｂにそれぞれ熱圧着によって接続し、巻線型コイル（試料）を作製した。
得られた巻線型コイルについて、前述のインピーダンスアナライザ（型番Ｅ４９９１Ａ）を用いて、インピーダンスＺを測定し、コイルのＱを下記の式より算出した。
Ｑ＝インピーダンスの虚数成分／インピーダンスの実数成分

このＱの測定を、１０ＭＨｚ〜１ＧＨｚの周波数領域で実施し、Ｑが最も高くなったときの周波数をＱピーク周波数とした。試料番号１の試料と、試料番号１６の試料の、Ｑの周波数特性を図１０に示す。

図１０に示すように、本発明の要件を満たす試料番号１６の試料（本発明の実施例）の場合、本発明の要件を満たさない試料番号１の試料（比較例）に比べて、Ｑピーク周波数が高周波側にシフトすることが確認された。

表２Ａ、表２Ｂに、２５０ＭＨｚでのμ’、Ｑ値（＝μ’／μ”）、およびμ’の温度変化率α_μ、比抵抗ｌｏｇρｖ、結晶粒径、コイルのＱピーク周波数、Ｓｉとアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む結晶相の構造式を示す。

表２Ａ、表２Ｂに示すように、６種類のガラスＡ〜Ｆ（図１参照）のいずれを用いた場合にも、ガラス添加量が６〜２０重量％の範囲で、Ｓｉとアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む結晶相が析出して比抵抗が増加し、結晶粒径が小さくなることが確認された。

そして、その結果、材料の透磁率μ’が低下する一方、Ｑは増加し、透磁率μ’の温度変化率α_μは小さくなることが確認された。

また、このフェライトコアを巻芯とした図１に示すような構造を有する巻線型コイルにおいて、Ｑピーク周波数を、高周波側にシフトさせることが可能になることが確認された。

一方、ガラスを添加していない試料番号１の試料の場合、Ｓｉとアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む結晶相の析出はなく、平均結晶粒径は２０μｍと大きく、望ましい磁気特性を得られないことが確認された。

また、ガラスＡを４重量％の割合で添加した試料番号２の試料の場合も、Ｓｉとアルカリ金属またはアルカリ土類金属を含む結晶相の析出はなく、平均結晶粒径は３．０μｍと大きく、望ましい磁気特性を得られないことが確認された。これは、試料番号２の条件では、ガラスＡの添加量が少なかったことによるものと考えられる。
また、ガラスＤを２５重量％の割合で添加した試料番号１５の試料の場合、結晶粒径が０．００４μｍと非常に小さくなり、超常磁性体（μ’＝１）となってしまい、本発明のフェライト系磁性体の範囲外となることが確認された。

したがって、表２Ａ、表２Ｂの条件では、ガラスの添加量が４重量％を超え、２５重量％未満であることが望ましいということになるが、上記結晶相の析出の状態や、それによるフェライト結晶の粒成長の抑制効果などは、ガラスの種類（すなわち、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む材料の組成）、主成分であるフェライトの組成、成形体を焼成する際の条件なども関係するので、ガラス（アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む材料）の添加量の好ましい範囲は、必ずしも上記の範囲に限定されるものではない。

上記の結果より、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む結晶相を、フェライト系磁性体中に析出させ、平均結晶粒径を０．０１〜１．０μｍの範囲とすることにより、
（ａ）比抵抗ｌｏｇρｖを８以上とし、
（ｂ）周波数２５０ＭＨｚでの透磁率μ’を２以上、Ｑを２０以上とし、
（ｃ）透磁率μ’の温度特性を１０００ｐｐｍ／℃以下とし、
（ｄ）コイルのＱピーク周波数を８０ＭＨｚ以上とする
ことが可能になることが確認できた。

また、平均結晶粒径を０．０５〜０．４５μｍとすることにより、２５０ＭＨｚでの透磁率μ’を４以上、Ｑを７０以上、コイルのＱピーク周波数を１５０ＭＨｚ以上とすることができた。

なお、この実施例のフェライト系磁性体において、主成分の範囲はＦｅ₂Ｏ₃＝４４．０〜４７．０ｍｏｌ％、ＮｉＯ＝４０．０〜４４．０ｍｏｌ、ＺｎＯ＝１．０〜１０．０ｍｏｌ％、残部ＣｕＯとするのが好ましい。

Ｆｅ₂Ｏ₃が４４．０ｍｏｌ％未満になると透磁率μ’が低くなり、４７．０ｍｏｌ％を超えると焼結性が低下するため、好ましくない。

また、ＮｉＯが４０．０ｍｏｌ％未満になると高周波でのＱが低下し、４４．０ｍｏｌ％を超えるとμ’が低下するため、好ましくない。

また、ＺｎＯが１．０ｍｏｌ％未満になるとμ’が低下し、１０．０ｍｏｌ％を超えると高周波でのＱが低下するため、好ましくない。

すなわち、主成分であるＮｉＣｕＺｎフェライトの組成を、上記の範囲とすることにより、実用的な透磁率μ’を有し、ＶＨＦ−Ｈ帯で高いＱを有するフェライト材料を得ることができる。

また、主成分に対してＣｏをＣｏ₃Ｏ₄として０．３〜０．７重量部の範囲で含有させることが好ましい。Ｃｏを含有させることで、スネークの限界線が高周波側にシフトし、高周波でのＱを高めることができる。

なお、表２Ａ、表２Ｂに示したフェライト系磁性体では、Ｓｉを含む結晶相が、ＢａＣｕ₂Ｓｉ₂Ｏ₇，ＢａＣｕＳｉ₂Ｏ₆，ＢａＣｕＳｉ₄Ｏ₁₀，ＢａＡｌ₂Ｓｉ₂Ｏ₈，Ｌｉ₂ＳｉＯ₃，およびＬｉ₂ＺｎＳｉＯ₄のいずれかである場合を示しているが、本発明において、このＳｉを含む結晶相は、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む結晶相であればよい。

また、本発明のフェライト系磁性体は、巻線型コイルの巻線コア、インダクタの磁性体、ＵＨＦアンテナのアンテナ本体などの形成に用いることが可能であり、本発明のフェライト系磁性体を用いることにより、高周波帯域で好適に使用することが可能な巻線型コイル、インダクタ、アンテナなどを得ることができる。

なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、フェライト系磁性体の製造に用いられる原料粉末の種類、製造時の成形工程や、その後の焼成工程における具体的な条件、本発明のフェライト系磁性体を巻線型コイルのコアとして用いる場合における巻線型コイルの具体的な構造などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。

１ フェライトコア
１ａ フェライトコアの巻芯部
２ａ、２ｂ 鍔部
４ コイル用巻線（軟銅線）
６ａ，６ｂ 外部電極

Claims (5)

1. Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎを含むＮｉＣｕＺｎ系フェライトを主成分とし、
   アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含み、
   平均結晶粒径が０．０１〜１．０μｍの範囲にあり、
   前記アルカリ金属および前記アルカリ土類金属の少なくとも一方と前記Ｓｉとを含む結晶相であって、Ｌｉ ₂ ＳｉＯ ₃ 、Ｌｉ ₂ Ｓｉ ₂ Ｏ ₅ 、Ｌｉ ₂ ＺｎＳｉＯ ₄ 、ＢａＳｉ ₂ Ｏ ₅ 、Ｂａ ₄ Ｓｉ ₆ Ｏ ₁₆ 、ＢａＡｌ ₂ Ｓｉ ₂ Ｏ ₈ 、ＢａＣｕＳｉ ₂ Ｏ ₆ 、ＢａＣｕＳｉ ₄ Ｏ ₁₀ 、ＢａＣｕ ₂ Ｓｉ ₂ Ｏ ₇ 、ＢａＣｕＳｉ ₂ Ｏ ₆ 、Ｂａ ₂ ＦｅＳｉ ₂ Ｏ ₇ からなる群より選ばれる少なくとも１種である結晶相が析出しており、
   主成分である前記ＮｉＣｕＺｎ系フェライトは、４４．０〜４７．０ｍｏｌ％のＦｅ ₂ Ｏ ₃ 、４０．０〜４４．０ｍｏｌ％のＮｉＯ、１．０〜１０．０ｍｏｌ％のＺｎＯ、および残りの成分であるＣｕＯを含むこと
   を特徴とするフェライト系磁性体。
2. 前記平均結晶粒径が０．０５〜０．４５μｍの範囲にあることを特徴とする請求項１記載のフェライト系磁性体。
3. 請求項１または２に記載のフェライト系磁性体の製造方法であって、
   （ａ）Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎを含むＮｉＣｕＺｎ系フェライト系材料と、アルカリ金属およびアルカリ土類金属の少なくとも一方とＳｉとを含む材料と、を含有する配合原料を所定の形状に成形して成形体を得る成形工程と、
   （ｂ）前記成形体を焼成する焼成工程と
   を備えていることを特徴とするフェライト系磁性体の製造方法。
4. 請求項１または２記載のフェライト系磁性体が用いられていることを特徴とする電子部品。
5. 巻線コイル、インダクタ、およびアンテナからなる群より選ばれるいずれか１種であることを特徴とする請求項４記載の電子部品。

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