TWI712575B - 鐵氧體組合物和層疊電子部件 - Google Patents
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Abstract
本發明得到電感特性被改善、比電阻和導磁率μ’高、直流疊加特性和交流電阻也良好的鐵氧體組合物等。一種具有主成分和副成分的鐵氧體組合物，其中，作為主成分，含有以Fe2
O3
換算為10.0～38.0摩爾％的Fe的化合物、以CuO換算為3.0～11.0摩爾％的Cu的化合物、以ZnO換算超過39.0摩爾％且80.0摩爾％以下的Zn的化合物、和作為剩餘部分的Ni的化合物。相對於主成分100重量份，作為副成分，含有以SiO2
換算為10.0～23.0重量份的Si的化合物、以Co3
O4
換算為0～3.0重量份的Co的化合物、以Bi2
O3
換算為0.1～3.0重量份Bi的化合物。
Description
本發明涉及鐵氧體組合物和層疊電子部件。
近年來，隨著在ICT設備中採用NFC技術和非接觸供電等，ICT設備的電路中流通的交流電流逐漸大電流化。而且，要求與大電流對應的雜訊除去產品。
作為雜訊除去產品，可以列舉繞組類型的鐵氧體電感器、層疊類型的鐵氧體電感器等，在上述的大電流的使用環境中，考慮雜訊除去特性的程度，使用了繞組類型的鐵氧體電感器。但是，要求即使是層疊類型的鐵氧體電感器也具有與繞組類型的鐵氧體電感器同等以上的雜訊除去特性。
在專利文獻1和專利文獻2中，記載了藉由控制組成而具有優異特性的鐵氧體組合物和層疊電子部件。
現有技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特許第5582279號公報
專利文獻2：日本特開2013－060332號公報
發明所要解決的課題
但是，目前要求具有更優異的特性的鐵氧體組合物和層疊電子部件。
本發明是鑒於這樣的實際情況而作出的，其目的在於得到改善了電感特性等的鐵氧體組合物等。
用於解決課題的方法
為了實現上述目的，本發明的鐵氧體組合物為具有主成分和副成分的鐵氧體組合物，其特徵在於，
作為上述主成分，含有以Fe2
O3
換算為10.0～38.0摩爾％的Fe的化合物、以CuO換算為3.0～11.0摩爾％的Cu的化合物、以ZnO換算為39.0～80.0摩爾％的Zn的化合物（不包含39.0摩爾％）、和作為剩餘部分的Ni的化合物，
相對於主成分100重量份，作為上述副成分，含有以SiO2
換算為10.0～23.0重量份的Si的化合物、以Co3
O4
換算為0～3.0重量份（包含0重量份）的Co的化合物、以Bi2
O3
換算為0.1～3.0重量份的Bi的化合物。
本發明的鐵氧體組合物藉由具有上述特徵，電感特性得到改善，比電阻和導磁率μ’高，直流疊加特性和交流電阻也良好。此外，導磁率μ’是複數導磁率的實部。
本發明的鐵氧體組合物也可以含有以Co3
O4
換算為0.1～1.0重量份的Co的化合物。
本發明的鐵氧體組合物也可以包含由尖晶石鐵氧體構成的主相、由Zn2
SiO4
相構成的第一副相、和由SiO2
相構成的晶界相。
還可以具有由SiO2
相構成的第二副相。
本發明的層疊電子部件為層疊線圈導體和陶瓷層而構成層疊電子部件，其特徵在於，
上述陶瓷層由上述鐵氧體組合物構成。
藉由由上述鐵氧體組合物構成陶瓷層，因此，即使是層疊型，與繞組型的線圈捲繞軸相比，也能夠發揮同等以上的雜訊除去特性。
以下，基於附圖所示的實施方式對本發明進行說明。如圖1所示，作為本發明的一個實施方式的電子部件的層疊晶片線圈1具有晶片主體4，晶片主體4中，陶瓷層2與內部電極層3在Y軸方向交替層疊。
各內部電極層3具有四邊狀環或者C字形狀或U字形狀，藉由貫通鄰接的陶瓷層2的內部電極連接用通孔電極（省略圖示）或階梯狀電極呈螺旋狀連接，構成線圈導體30。
在晶片主體4的Y軸方向的兩端部分別形成有端子電極5、5。貫通層疊的陶瓷層2的端子連接用通孔電極6的端部與各端子電極5連接，各端子電極5、5與構成閉磁路線圈（繞組圖案）的線圈導體30的兩端連接。
在本實施方式中，陶瓷層2和內部電極層3的層疊方向與Y軸一致，端子電極5、5的端面與X軸和Z軸平行。X軸、Y軸和Z軸相互垂直。在圖1所示的層疊晶片線圈1中，線圈導體30的捲繞軸與Y軸大致一致。
對晶片主體4的外形和尺寸沒有特別限制，能夠根據用途適當設定，通常，外形為大致長方體形狀，例如，X軸尺寸為0.15～0.8mm，Y軸尺寸為0.3～1.6mm，Z軸尺寸為0.1～1.0mm。
另外，對陶瓷層2的電極間厚度和基底厚度沒有特別限制，電極間厚度（內部電極層3、3的間隔）能夠設定為3～50μm，基底厚度（端子連接用通孔電極6的Y軸方向長度）能夠設定為5～300μm左右。
在本實施方式中，作為端子電極5，沒有特別限定，藉由使以Ag、Pd等為主成分的導電性膏料附著於晶片主體4的外表面後進行烘烤，進一步實施電鍍來形成。在電鍍中能夠使用Cu、Ni、Sn等。
線圈導體30含有Ag（包含Ag的合金），例如，由Ag單體、Ag－Pd合金等構成。作為線圈導體的副成分，含有Zr、Fe、Mn、Ti、以及它們的氧化物。
陶瓷層2由本發明的一個實施方式的鐵氧體組合物構成。以下，對鐵氧體組合物詳細地進行說明。
本實施方式的鐵氧體組合物含有Fe的化合物、Cu的化合物、Zn的化合物和Ni的化合物作為主成分。作為Fe的化合物，例如可以含有Fe2
O3
。作為Cu的化合物，例如可以含有CuO。作為Zn的化合物，例如可以含有ZnO。作為Ni的化合物，例如可以含有NiO。
主成分100摩爾％中，Fe的化合物的含量以Fe2
O3
換算為10.0～38.0摩爾％，較佳為20.7～34.3摩爾％。在Fe的化合物的含量多的情況下，直流疊加特性和比電阻容易降低。在Fe的化合物的含量少的情況下，導磁率μ’容易降低。
主成分100摩爾％中，Cu的化合物的含量以CuO換算為3.0～11.0摩爾％，較佳為3.6～5.9摩爾％。在Cu的化合物的含量多的情況下，直流疊加特性容易降低。進而，交流電阻容易變高，比電阻容易降低。在Cu的化合物的含量少的情況下，燒結性變差，特別是低溫燒結時的燒結密度容易降低。另外，由於燒結性變差，比電阻容易降低。進而，導磁率μ’也容易降低。
主成分100摩爾％中，Zn的化合物的含量以ZnO換算超過39.0摩爾％且80.0摩爾％以下，較佳為46.2～61.8摩爾％。在Zn的化合物的含量多的情況下，導磁率μ’容易降低。在Zn的化合物的含量少的情況下，直流疊加特性容易降低。另外，交流電阻容易變高。
主成分的剩餘部分由Ni的化合物構成。主成分100摩爾％中，Ni的化合物的含量以NiO換算較佳為47.0摩爾％以下，更佳為低於40.0摩爾％。另外，Ni的化合物的含量的下限沒有特別限制，例如為0.1摩爾％以上。在Ni的化合物的含量多的情況下，直流疊加特性容易降低。另外，交流電阻容易變高。
本實施方式的鐵氧體組合物中，除上述主成分外，作為副成分還含有Si的化合物和Bi的化合物。另外，也可以含有Co的化合物。
相對於主成分100重量份，Si的化合物的含量以SiO2
換算為10.0～23.0重量份，較佳為14.8～22.0重量份。在Si的化合物的含量多的情況下，燒結性變差，導磁率μ’容易降低。在Si的化合物的含量少的情況下，直流疊加特性容易降低。另外，交流電阻容易變高。
相對於主成分100重量份，Co的化合物的含量以Co3
O4
換算為0～3.0重量份（包含0重量份）。即，也可以不含有Co的化合物。Co的化合物的含量較佳為0～1.0重量份，也可以為0.1～1.0重量份。在Co的化合物的含量多的情況下，導磁率μ’容易降低。另外，Co的含量越小，特別是在高頻率下使用鐵氧體組合物時的損失越小。
相對於主成分100重量份，Bi的化合物的含量以Bi2
O3
換算為0.1～3.0重量份，較佳為1.2～3.0重量份。在Bi的化合物的含量多的情況下，比電阻容易變低。另外，直流疊加特性容易降低，交流電阻容易變高。進而，導磁率μ’也容易降低。在Bi的化合物的含量少的情況下，比電阻容易變低。另外，難以得到充分的燒結性，特別是低溫燒結時密度容易降低。進而，導磁率μ’也容易降低。
另外，Bi的化合物還具有在燒結過程中促進Zn2
SiO4
的生成的作用。而且，在預燒材料的粉碎時添加氧化鉍的情況下，特別是促進Zn2
SiO4
的生成的作用變大。
（Co的化合物以Co3
O4
換算的含量）／（Si的化合物以SiO2
換算的含量）（以下，單獨記載為“Co／Si”）以重量比計，較佳為0～0.300。更佳為0.005～0.100。即使Co的化合物的含量和Si的化合物的含量為上述範圍內，在Co／Si高的情況下，導磁率μ’也容易降低。在Co／Si低的情況下，密度容易降低。
此外，各主成分和各副成分的含量在鐵氧體組合物的製造時，在從原料粉末的階段到燒製後的各製程中沒有實質地變化。
本實施方式的鐵氧體組合物中，除了將主成分的組成範圍控制在上述範圍以外，還在上述範圍內含有Si的化合物、Co的化合物和Bi的化合物作為副成分。其結果，能夠得到燒結性良好且比電阻和導磁率μ’高、直流疊加特性和交流電阻也良好的鐵氧體組合物。而且，本發明的鐵氧體組合物能夠以作為內部電極使用的Ag的熔點以下的900℃左右進行燒結。因此，能夠應用於各種用途。
另外，本實施方式的鐵氧體組合物中，除上述副成分外，還可以在不損害本發明的效果的範圍內含有Mn3
O4
等錳氧化物、氧化鋯、氧化錫、氧化鎂、玻璃化合物等附加的成分。這些附加的成分的含量沒有特別限定，例如，相對於主成分100重量份為0.05～1.0重量份左右。
特別是，氧化鎂的含量較佳為0.5重量份以下（包含0）。藉由將氧化鎂的含量設為0.5重量份以下，抑制MgO和SiO2
的反應，並容易生成由後述的Zn2
SiO4
相構成的第一副相。
另外，本實施方式的鐵氧體組合物中可以含有不可避免的雜質元素的氧化物。
作為不可避免的雜質元素，可以列舉除上述元素以外的元素。更具體而言，可以列舉C、S、Cl、As、Se、Br、Te、I、Li、Na、Mg、Al、Ca、Ga、Ge、Sr、Cd、In、Sb、Ba、Pb、Sc、Ti、V、Cr、Y、Nb、Mo、Pd、Ag、Hf、Ta。另外，在鐵氧體組合物中也可以含有不可避免的雜質元素的氧化物，只要其為0.05重量份以下左右即可。
特別是，相對於主成分100重量份，藉由使Al的含量以Al2
O3
換算為0.05重量份以下，容易提高燒結性和比電阻。
本實施方式的鐵氧體組合物優選具有上述組成，並且具有圖3A和圖3B所示的複合結構。
圖3A是藉由STEM－EDS以倍率20000倍對本實施方式的鐵氧體組合物11（後述的No.2）進行觀察的結果。圖3B是將圖3A示意圖化的圖。較佳的鐵氧體組合物11中，除了由尖晶石鐵氧體構成的主相12之外，還包含由Zn2
SiO4
相構成的第一副相14a和由SiO2
相構成的第二副相14b。另外，在上述各相（主相12、第一副相14a、第二副相14b）之間包含由SiO2
相構成的晶界相16。也可以不包含由SiO2
相構成的第二副相14b，但優選包含由SiO2
相構成的第二副相14b。在第一副相14a中，可以含有Ni、Cu、Co等其它元素，也可以固溶於Zn2
SiO4
。在第二副相14b，例如可以含有Fe、Ni等其它元素。另外，在晶界相16中除SiO2
外，還含有比主相12多的Bi2
O3
。此外，在圖3A和圖3B中，暫定進行了第二副相14b和晶界相16的區別。具體而言，將以摩爾比計的SiO2
的含有比例比Bi2
O3
的含有比例大的部分設為第二副相14b，將SiO2
的含有比例為Bi2
O3
的含有比例以下的部分設為晶界相16。準確的區別能夠藉由後述的更高倍率的STEM－EDS的觀察進行。
由Zn2
SiO4
相構成的第一副相14a、含有SiO2
的第二副相14b和含有SiO2
的晶界相16的熱膨脹係數比由尖晶石鐵氧體構成的主相12的熱膨脹係數小。因此，熱膨脹係數小的各相對熱膨脹係數大的主相12施加拉伸應力。藉由施加拉伸應力，使用鐵氧體組合物11的線圈捲繞軸的電感特性提高。
另外，本實施方式的鐵氧體組合物11中，在主相12、與主相12的組成不同的副相14、晶界相16的總計中副相14所占的比例大於現有的鐵氧體組合物。具體而言，在倍率為20000倍以上並能夠觀察主相12的STEM－EDS圖像中，將主相12、副相14、晶界相16的總計面積設為100％，副相14的總計面積較佳為50％以上且70％以下。另外，優選在副相14中特別是由Zn2
SiO4
相構成的第一副相14a的比例大於第二副相14b的比例。第一副相14a的比例可以大於主相12的比例。
藉由使副相14的總計面積為50％以上，充分施加上述拉伸應力。另外，藉由使副相14的總計面積為50％以上，非磁性且磁通不易通過的副相14的面積比例變大。鐵氧體組合物11成為主相12和副相14纏繞的三維結構。其結果，鐵氧體組合物11成為作為磁性相的主相12和作為非磁性相的副相14相分散的複雜的結構。這裡，與作為非磁性相的副相14相比，磁通更容易通過作為磁性相的主相12。其結果，主要通過作為磁性相的主相12的磁通的磁路長變長。另外，通過作為非磁性相的副相14的磁通的磁路長相對較短。其結果，鐵氧體組合物11成為三維的磁路結構，抑制因微小的多個間隙引起的磁飽和的效果（分散間隙效果）變大。由於使分散間隙效果變大，因此，由鐵氧體組合物11構成的線圈捲繞軸特別是在以大電流使用的情況下的電感特性被改善，導磁率μ’高，直流疊加特性和交流電阻也良好。
另外，第一副相14a的面積較佳為30％以上且70％以下，第二副相14b的面積較佳為0.5％以上且10％以下。此外，主相12的面積較佳為30％以上且50％以下，晶界相16的面積較佳為0.1％以上且4.0％以下。
另外，在本實施方式中，Zn2
SiO4
相是指含有Zn2
SiO4
的相。SiO2
相是指SiO2
的含有比例比主相高的相。Bi2
O3
相是指Bi2
O3
的含有比例比主相高的相。此外，也可以如後所述由SiO2
相構成且由Bi2
O3
相構成的相。
另外，對於本實施方式的鐵氧體組合物11（No.2），使用STEM－EDS以倍率100000倍得到的Si元素映射圖像是圖4A，Zn元素映射圖像是圖4B，Ni元素映射圖像是圖4C。另外，圖5是將圖4A～圖4C示意表示的圖。
能夠藉由任意的方法確認圖4A～圖4C和圖5的副相14是第一副相14a還是第二副相14b。
根據與圖3A和圖3B相比提高了觀察倍率的圖4A～圖4C和圖5可知，在上述各相（主相12、第一副相14a、第二副相14b）之間存在由SiO2
相構成的晶界相16，成為由含有SiO2
的殼覆蓋主相或副相即芯的周圍的芯殼結構。
對於主相12中所含的Zn的濃度分佈沒有特別限制。例如，Zn的濃度分佈可以是均勻的。但是，在主相12中靠近晶界相16的外側的部分，Zn的濃度優選成為比較高的濃度分佈。另外，在主相12中靠近晶界相16的外側的部分，Ni的濃度優選成為比較低的濃度分佈，Si的濃度優選成為比較高的濃度分佈。特別是在觀察Zn映射圖像和Ni映射圖像的情況下，藉由在主相12的內部產生層次，能夠確認主相12具有上述濃度分佈。可以認為藉由使主相12具有這樣的濃度分佈，上述拉伸應力高效地傳遞。
此外，如上所述，在晶界相16中也含有Bi2
O3
。例如，能夠藉由使用STEM－EDS對通過主相12和晶界相16的部分進行線分析來確認晶界相16為Bi2
O3
相且為SiO2
相。
藉由使本實施方式的鐵氧體組合物11包含作為SiO2
相的晶界相16，晶界相16的比例大於現有的鐵氧體組合物中的晶界相的比例。這意味著晶界相16的厚度比現有的鐵氧體組合物厚。而且，主相包含由熱膨脹率不同的SiO2
相構成的晶界相16，藉由覆蓋各相，從晶界相16對各相施加拉伸應力。藉由充分地施加拉伸應力，鐵氧體組合物11的電感特性被改善，比電阻和導磁率μ’高，直流疊加特性和交流電阻也良好。在本實施方式中，在20000倍以上的可見主相12的大小的STEM－EDS圖像中，將主相12、與主相的熱膨脹率不同的副相14、晶界相16的總計面積設為100％，晶界相16的面積較佳為0.1％以上且4.0％以下。
此外，在本實施方式的鐵氧體組合物11中，將主相12和副相14分別作為結晶顆粒時的平均結晶粒徑較佳為0.2～1.5μm。平均結晶粒徑的測定方法是任意的。例如，有使用XRD進行測定的方法。
另外，除藉由上述EPMA、STEM－EDS的元素分析解析外，還能夠藉由X射線繞射確認Zn2
SiO4
相的存在。
以下，對Zn2
SiO4
的含量的定義和測定方法進行說明。
藉由X射線繞射裝置測定鐵氧體組合物的X射線繞射強度，測定鐵氧體組合物11中的尖晶石型鐵氧體的（311）面的峰值強度IA
和Zn2
SiO4
的（113）面的峰值的強度IB
。Zn2
SiO4
相的含量為IB
除以IA
的值（IB
／IA
）。此外，將從藉由X射線繞射裝置顯示的強度減去背景的值設為上述X射線繞射強度。
Zn2
SiO4
的含量（IB
／IA
）較佳為0.05以上。另外，Zn2
SiO4
的含量的上限沒有特別限定，IB
／IA
較佳為0.6以下。
接著，對本實施方式的鐵氧體組合物的製造方法的一例進行說明。首先，稱取起始原料（主成分的原料和副成分的原料），使其為規定的組成比。此外，優選使用平均粒徑為0.05～1.0μm的起始原料。
作為主成分的原料，能夠使用氧化鐵（α-Fe2
O3
）、氧化銅（CuO）、氧化鎳（NiO）、氧化鋅（ZnO）或複合氧化物等。作為上述複合氧化物，例如可以列舉矽酸鋅（Zn2
SiO4
）。另外，還能夠使用藉由燒製成為上述氧化物或複合氧化物的各種化合物等。作為藉由燒製成為上述氧化物的化合物，例如可以列舉金屬單體、碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、鹵化物、有機金屬化合物等。
作為副成分的原料，能夠使用氧化矽、氧化鉍和氧化鈷。成為副成分的原料的氧化物沒有特別限定，能夠使用複合氧化物等。作為上述複合氧化物，例如可以列舉矽酸鋅（Zn2
SiO4
）。另外，還能夠使用藉由燒製成為上述氧化物或複合氧化物的各種化合物等。作為藉由燒製成為上述氧化物的化合物，例如可以列舉金屬單體、碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、鹵化物、有機金屬化合物等。
此外，作為氧化鈷的一個方式的Co3
O4
容易保存和處理，即使在空氣中價數也穩定，因此，優選作為鈷化合物的原料。
接著，混合作為主成分的原料的氧化鐵、氧化銅、氧化鎳、氧化鋅，得到原料混合物。另外，上述主成分的原料中的氧化鋅也可以不在該階段添加，而在原料混合物預燒後與矽酸鋅一起添加。相反地，也可以在該階段將副成分的原料的一部分與主成分的原料混合。藉由適當控制原料混合物中所含的原料的種類和比例、以及原料混合物預燒後添加的原料的種類和比例，能夠控制主相、第一副相、第二副相和晶界相的存在比例。
具體而言，存在預燒後添加的Zn2
SiO4
的添加量越多，第一副相的面積比例越大的趨勢。另外，存在預燒後添加的SiO2
的添加量越多，第二副相的面積比例越大的趨勢。另外，存在原料混合物中的ZnO的含量越少，第二副相或晶界相的面積比例越大的趨勢。
混合的方法是任意的。例如，可以列舉使用球磨機進行的濕式混合和使用乾式混合機進行的乾式混合。
接著，進行原料混合物的預燒，得到預燒材料。預燒是為了產生原料的熱分解、成分的均質化、鐵氧體的生成、由燒結帶來的超微粉的消失和向適當的顆粒尺寸的粒成長，且將原料混合物變換為適於後續製程的形態而進行的。預燒時間和預燒溫度是任意的。預燒通常在大氣（空氣）中進行，也可以在氧分壓比大氣中低的氣氛中進行。
接著，將成為副成分的原料的氧化矽、氧化鉍、氧化鈷和矽酸鋅等與預燒材料混合，製作混合預燒材料。特別是在該階段中添加的矽酸鋅越多，作為Zn2
SiO4
相的第一副相的存在比例越容易變高。另外，在該階段中添加的矽酸鋅越多，越容易在主相12的內部產生上述濃度分佈。另外，預燒材料中的Zn越少，即是SiO2
相又是Bi2
O3
相的晶界相的存在比例越容易變高。這是因為在預燒材料中的Zn少的情況下，在燒製時Zn2
SiO4
的Zn容易固溶到主相，在晶界相中產生SiO2
。另外，在該階段中添加的氧化矽越多，作為SiO2
相的第二副相的存在比例越高。
接著，進行混合預燒材料的粉碎，得到粉碎預燒材料。粉碎是為了解開混合預燒材料的凝集而形成具有適當的燒結性的粉體而進行的。在將混合預燒材料形成大的塊體時，進行粗粉碎後使用球磨機或碾磨機等進行濕式粉碎。濕式粉碎進行至粉碎預燒材料的平均粒徑較佳為0.1～1.0μm左右。
以下，對使用上述濕式粉碎後的粉碎材料的圖1所示的層疊晶片線圈1的製造方法進行說明。
圖1所示的層疊晶片線圈1能夠藉由通常的製造方法進行製造。即，藉由使用將粉碎預燒材料與黏合劑和溶劑一起混煉而得到的鐵氧體膏料，與含有Ag等的內部電極膏料交替印刷層疊後進行燒製，由此能夠形成晶片主體4（印刷法）。或者，也可以藉由使用鐵氧體膏料製作生片，在生片的表面印刷內部電極膏料，將它們層疊進行燒製，由此形成晶片主體4（片材法）。使用任意種方法，在形成晶片主體後，燒附端子電極5或藉由鍍敷等形成即可。
鐵氧體膏料中的黏合劑和溶劑的含量是任意的。例如，將鐵氧體膏料整體設為100重量％，黏合劑的含量能夠設定為1～10重量％左右的範圍，溶劑的含量能夠設定為10～50重量％左右的範圍。另外，在鐵氧體膏料中能夠根據需要在10重量％以下的範圍含有分散劑、增塑劑、電介質、絕緣體等。含有Ag等的內部電極膏料也能夠同樣製作。另外，燒製條件等沒有特別限定，在內部電極層中含有Ag等的情況下，燒製溫度較佳為930℃以下，更佳為900℃以下。
此外，本發明不限定於上述實施方式，能夠在本發明的範圍內進行各種改變。
例如，也可以使用上述實施方式的鐵氧體組合物構成圖2所示的層疊晶片線圈1a的陶瓷層2。圖2所示的層疊晶片線圈1a具有晶片主體4a，晶片主體4a中，陶瓷層2與內部電極層3a在Z軸方向交替層疊。
各內部電極層3a具四邊狀環或者C字形狀或U字形狀，藉由貫通鄰接的陶瓷層2的內部電極連接用通孔電極（省略圖示）或階梯狀電極呈螺旋狀連接，構成線圈導體30a。
在晶片主體4a的Y軸方向的兩端部分別形成有端子電極5、5。位於Z軸向的上下的引出電極6a的端部與各端子電極5連接，各端子電極5、5與構成閉磁路線圈的線圈導體30a的兩端連接。
在本實施方式中，陶瓷層2和內部電極層3的層疊方向與Z軸一致，端子電極5、5的端面與X軸和Z軸成為平行。X軸、Y軸和Z軸相互垂直。在圖2所示的層疊晶片線圈1a中，線圈導體30a的捲繞軸與Z軸大致一致。
在圖1所示的層疊晶片線圈1中，線圈導體30的捲繞軸存在於作為晶片主體4的長度方向的Y軸方向，因此，與圖2所示的層疊晶片線圈1a相比，能夠增加匝數，具有容易實現直至高頻段的高阻抗化的優點。在圖2所示的層疊晶片線圈1a中，其它結構和作用效果與圖1所示的層疊晶片線圈1同樣。
另外，本實施方式的鐵氧體組合物能夠用於圖1或圖2所示的層疊晶片線圈以外的電子部件。例如，能夠使用本實施方式的鐵氧體組合物作為與線圈導體一起層疊的陶瓷層。另外，在組合了LC複合部件等線圈和另外的電容器等要素的複合電子部件中也能夠使用本實施方式的鐵氧體組合物。
使用本實施方式的鐵氧體組合物的層疊晶片線圈的用途是任意的。例如，也適用於採用NFC技術或非接觸供電等的ICT設備（例如，智慧手機等）的電路等，特別是由於流通高的交流電流而一直使用繞組類型的鐵氧體電感器的電路。
實施例
以下，基於詳細的實施例對本發明進行進一步說明，但是本發明不限定於以下所示的實施例。
（實驗例1）
作為主成分的原料，準備Fe2
O3
、NiO、CuO、ZnO。作為副成分的原料，準備SiO2
、Bi2
O3
、Co3
O4
。此外，起始原料的平均粒徑為0.05～1.00μm。
接著，稱取所準備的主成分原料的粉末和副成分原料的粉末，使其作為燒結體成為表1～表6中記載的組成。
稱取之後，將所準備的主成分原料中的Fe2
O3
、NiO、CuO和根據需要的ZnO的一部分藉由球磨機濕式混合16小時，得到原料混合物。
接著，將所得到的原料混合物乾燥後，在空氣中進行預燒，得到預燒材料。預燒溫度根據原料混合物的組成在500～900℃的範圍內適當地選擇。然後，將在上述濕式混合製程沒有混合的ZnO的剩餘部分、和將SiO2
以Zn2
SiO4
的化合物的形態添加到預燒材料中，進一步添加其它副成分等，並且藉由球磨機進行粉碎，得到粉碎預燒材料。
預燒材料中添加的ZnO的剩餘部分的量為預燒材料中添加的SiO2
的量的1.0～3.0倍（摩爾換算）。
接著，將該粉碎預燒材料乾燥後，對粉碎預燒材料100重量份添加10.0重量份重量濃度6％的聚乙烯醇水溶液作為黏合劑，進行造粒，形成顆粒。對該顆粒進行加壓成型，得到螺旋管形狀（尺寸＝外徑13mm×內徑6mm×高度3mm）的成型體和圓盤形狀（尺寸＝外徑12mm×高度2mm）的成型體。
接著，將這些各成型體在空氣中以Ag的融點（962℃）以下的860～900℃燒製2小時，得到作為燒結體的螺旋管芯樣品和圓盤樣品。進一步對所得到的各樣品進行以下的特性評價。此外，藉由X線螢光分析裝置確認了稱取的原料粉末與燒製後的成型體在組成上幾乎沒有變化。
比電阻ρ
在圓盤樣品的兩面塗布In－Ga電極，測定直流電阻值，求出比電阻ρ（單位：Ω‧m）。使用IR儀錶（HEWLETT PACKARD公司製4329A）進行測定。本實施例中，將比電阻ρ為1.0×106
Ω‧m以上（1.0.E＋06Ω‧m以上）記為良好。
導磁率μ’
使用RF阻抗‧材料分析儀（安捷倫科技公司製E4991A）對螺旋管芯樣品測定導磁率μ’。作為測定條件，設為測定頻率10MHz、測定溫度25℃。將導磁率μ’為3.0以上的情況記為良好。
直流疊加特性
在螺旋管芯樣品捲繞30匝銅線，使用LCR儀錶（HEWLETT PACKARD公司製4284A）測定施加直流電流時的導磁率μ’。作為測定條件，設為測定頻率1MHz、測定溫度25℃。邊使施加的直流電流從0變化至8A，邊測定導磁率，以橫軸為直流電流、縱軸為導磁率，製成圖表。並且，求出導磁率從直流電流0A時起降低10％時的電流值作為Idc。
在施加的直流電流為8A以下的階段導磁率降低10％的情況下，導磁率降低10％時的直流電流為Idc。在施加的直流電流為8A的時刻導磁率沒有降低10％的情況下，根據直流電流8A的圖表的斜率計算Idc。本實施例中，在Idc為10.0A以上的情況下記為直流疊加特性良好。
密度
關於上述燒結後的鐵氧體組合物的密度，對螺旋管芯樣品，根據燒製後的燒結體的尺寸和重量來計算。在密度為4.40g／cm3
以上的情況下，記為燒結性良好。
鐵氧體組合物的觀察
藉由EPMA和STEM－EDS對上述燒結後的鐵氧體組合物（螺旋管芯樣品）進行觀察。觀察倍率為20000倍以上，適當設定更適於各實施例和比較例的觀察倍率。然後，確認各鐵氧體組合物是否包含由尖晶石鐵氧體相構成的主相、由Zn2
SiO4
相構成的第一副相、由SiO2
相構成的第二副相、和由SiO2
相構成的晶界相。另外，根據STEM－EDS的觀察結果計算主相、第一副相、第二副相和晶界相的面積比例。在表1～表6的各實施例中，第一副相的面積為25％以上且75％以下，第二副相的面積為0.1％以上且15％以下，主相的面積為25％以上且55％以下，晶界相的面積為0.01％以上且5％以下。
Zn2
SiO4
的含量
藉由X射線繞射裝置（Panalytical公司製X’Pert PRO MPD CuKα線）對上述燒結後的鐵氧體組合物測定IB
／IA
，研究Zn2
SiO4
的含量。
交流電阻
關於交流電阻（Rac），在螺旋管芯樣品，在初級側捲繞6匝銅線，在次級側捲繞3匝銅線，使用B－H分析儀（岩通測量製SY－8218）和放大器（NF電路設計集團製4101－IW），將測定時的頻率設為3MHz，將交流電流值設為1.6Arms。交流電阻Rac為15.0mΩ以下記為良好。
［表1］
表1
| No | 實施例 或 比較例 | 主成分(mol%) | 副成分(重量份) | Co3O4 /SiO2 (重量比) | Idc （A） | ρ （Ωm） | 密度 （g/cm3） | μ’ | Rac （mΩ） | IB/ IA | |||||
| Fe2O3 | NiO | CuO | ZnO | Co3O4 | SiO2 | Bi2O3 | |||||||||
| 1a | 比較例 | 9.8 | 28.4 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 1.7 | 0.0077 | 19.2 | 5.3.E+08 | 4.62 | 2.8 | 7.4 | 0.370 |
| 1 | 實施例 | 10.0 | 28.2 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 1.7 | 0.0077 | 19.0 | 2.5.E+08 | 4.60 | 3.0 | 7.6 | 0.366 |
| 2a | 實施例 | 20.7 | 17.5 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 1.7 | 0.0077 | 15.7 | 5.0.E+08 | 4.57 | 3.4 | 8.0 | 0.330 |
| 2 | 實施例 | 23.3 | 14.9 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 1.7 | 0.0077 | 15.2 | 2.4.E+08 | 4.49 | 3.6 | 8.2 | 0.317 |
| 2b | 實施例 | 34.3 | 3.9 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 1.7 | 0.0077 | 11.9 | 7.3.E+07 | 4.55 | 4.3 | 8.5 | 0.244 |
| 3 | 實施例 | 38.0 | 0.2 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 1.7 | 0.0077 | 10.7 | 2.5.E+06 | 4.57 | 4.6 | 7.2 | 0.203 |
| 3a | 比較例 | 38.1 | 0.1 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 1.7 | 0.0077 | 9.9 | 8.0.E+05 | 4.55 | 4.7 | 9.3 | 0.199 |
［表2］
表2
| No | 實施例 或 比較例 | 主成分(mol%) | 副成分(重量份) | Co3O4 /SiO2 (重量比) | Idc （A） | ρ （Ωm） | 密度 （g/cm3） | μ’ | Rac （mΩ） | IB/ IA | |||||
| Fe2O3 | NiO | CuO | ZnO | Co3O4 | SiO2 | Bi2O3 | |||||||||
| 4a | 比較例 | 10.3 | 47.2 | 3.6 | 38.9 | 0.1 | 22.0 | 1.2 | 0.0052 | 9.8 | 6.3.E+08 | 4.68 | 6.3 | 15.9 | 0.366 |
| 4 | 實施例 | 10.3 | 47.0 | 3.6 | 39.1 | 0.1 | 22.0 | 1.2 | 0.0052 | 10.2 | 8.7.E+08 | 4.67 | 6.0 | 13.0 | 0.374 |
| 5a | 實施例 | 10.3 | 39.9 | 3.6 | 46.2 | 0.1 | 22.0 | 1.2 | 0.0052 | 16.5 | 9.6.E+08 | 4.65 | 5.8 | 12.1 | 0.380 |
| 5b | 實施例 | 10.3 | 29.3 | 3.6 | 56.8 | 0.1 | 22.0 | 1.2 | 0.0052 | 24.7 | 5.3.E+08 | 4.58 | 4.8 | 10.5 | 0.410 |
| 5 | 實施例 | 10.3 | 26.1 | 3.6 | 60.0 | 0.1 | 22.0 | 1.2 | 0.0052 | 26.7 | 1.5.E+08 | 4.56 | 4.4 | 8.5 | 0.426 |
| 5c | 實施例 | 10.3 | 24.3 | 3.6 | 61.8 | 0.1 | 22.0 | 1.2 | 0.0052 | 27.3 | 1.2.E+08 | 4.54 | 4.2 | 8.3 | 0.431 |
| 6 | 實施例 | 10.3 | 6.1 | 3.6 | 80.0 | 0.1 | 22.0 | 1.2 | 0.0052 | 31.0 | 6.8.E+08 | 4.46 | 3.1 | 4.2 | 0.483 |
| 6a | 比較例 | 10.3 | 5.6 | 3.6 | 80.5 | 0.1 | 22.0 | 1.2 | 0.0052 | 31.3 | 7.1.E+08 | 4.45 | 2.8 | 4.1 | 0.498 |
［表3］
表3
| No | 實施例 或 比較例 | 主成分(mol%) | 副成分(重量份) | Co3O4 /SiO2 (重量比) | Idc （A） | ρ （Ωm） | 密度 （g/cm3） | μ’ | Rac （mΩ） | IB/ IA | |||||
| Fe2O3 | NiO | CuO | ZnO | Co3O4 | SiO2 | Bi2O3 | |||||||||
| 7a | 比較例 | 20.7 | 15.5 | 2.0 | 61.8 | 0.1 | 17.1 | 1.5 | 0.0058 | 18.7 | 4.0.E+05 | 4.39 | 2.8 | 10.1 | 0.105 |
| 7 | 實施例 | 20.7 | 14.5 | 3.0 | 61.8 | 0.1 | 17.1 | 1.5 | 0.0058 | 23.9 | 5.2.E+06 | 4.54 | 3.3 | 7.1 | 0.107 |
| 8a | 實施例 | 20.7 | 13.9 | 3.6 | 61.8 | 0.1 | 17.1 | 1.5 | 0.0058 | 24.5 | 7.2.E+06 | 4.55 | 3.3 | 7.1 | 0.103 |
| 8 | 實施例 | 20.7 | 12.9 | 4.6 | 61.8 | 0.1 | 17.1 | 1.5 | 0.0058 | 25.0 | 3.0.E+09 | 4.56 | 3.3 | 7.4 | 0.109 |
| 8b | 實施例 | 20.7 | 11.6 | 5.9 | 61.8 | 0.1 | 17.1 | 1.5 | 0.0058 | 24.1 | 5.7.E+08 | 4.58 | 3.3 | 7.2 | 0.109 |
| 9 | 實施例 | 20.7 | 6.5 | 11.0 | 61.8 | 0.1 | 17.1 | 1.5 | 0.0058 | 19.8 | 1.3.E+06 | 4.59 | 3.5 | 5.9 | 0.102 |
| 9a | 比較例 | 20.7 | 6.5 | 12.0 | 61.8 | 0.1 | 17.1 | 1.5 | 0.0058 | 19.0 | 3.3.E+05 | 4.59 | 3.5 | 10.5 | 0.110 |
［表4］
表4
| No | 實施例 或 比較例 | 主成分(mol%) | 副成分(重量份) | Co3O4 /SiO2 (重量比) | Idc （A） | ρ （Ωm） | 密度 （g/cm3） | μ’ | Rac （mΩ） | IB/ IA | |||||
| Fe2O3 | NiO | CuO | ZnO | Co3O4 | SiO2 | Bi2O3 | |||||||||
| 10a | 比較例 | 34.3 | 20.8 | 5.9 | 39.1 | 1.0 | 9.0 | 1.5 | 0.1067 | 9.2 | 7.9.E+09 | 4.78 | 6.5 | 15.2 | 0.145 |
| 10 | 實施例 | 34.3 | 20.8 | 5.9 | 39.1 | 1.0 | 10.0 | 1.5 | 0.0960 | 10.1 | 1.2.E+09 | 4.71 | 5.7 | 14.8 | 0.146 |
| 11a | 實施例 | 34.3 | 20.8 | 5.9 | 39.1 | 1.0 | 14.8 | 1.5 | 0.0649 | 14.8 | 6.6.E+09 | 4.71 | 4.7 | 13.1 | 0.149 |
| 11 | 實施例 | 34.3 | 20.8 | 5.9 | 39.1 | 1.0 | 17.0 | 1.5 | 0.0565 | 19.3 | 3.1.E+09 | 4.68 | 4.4 | 11.6 | 0.150 |
| 11b | 實施例 | 34.3 | 20.8 | 5.9 | 39.1 | 1.0 | 22.0 | 1.5 | 0.0436 | 27.8 | 5.5.E+09 | 4.67 | 3.4 | 11.8 | 0.152 |
| 12 | 實施例 | 34.3 | 20.8 | 5.9 | 39.1 | 1.0 | 23.0 | 1.5 | 0.0417 | 31.1 | 5.5.E+09 | 4.67 | 3.1 | 11.6 | 0.152 |
| 12a | 比較例 | 34.3 | 20.8 | 5.9 | 39.1 | 1.0 | 24.0 | 1.5 | 0.0400 | 32.2 | 5.8.E+08 | 4.60 | 2.6 | 11.0 | 0.153 |
［表5］
表5
| No | 實施例 或 比較例 | 主成分(mol%) | 副成分(重量份) | Co3O4 /SiO2 (重量比) | Idc （A） | ρ （Ωm） | 密度 （g/cm3） | μ’ | Rac （mΩ） | IB/ IA | |||||
| Fe2O3 | NiO | CuO | ZnO | Co3O4 | SiO2 | Bi2O3 | |||||||||
| 13 | 實施例 | 23.3 | 14.9 | 5.0 | 56.8 | 0.0 | 14.8 | 1.7 | 0.0000 | 14.3 | 3.2.E+08 | 4.58 | 3.8 | 7.4 | 0.326 |
| 2 | 實施例 | 23.3 | 14.9 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 1.7 | 0.0077 | 15.2 | 2.4.E+08 | 4.49 | 3.6 | 8.2 | 0.317 |
| 14a | 實施例 | 23.3 | 14.9 | 5.0 | 56.8 | 1.0 | 14.8 | 1.7 | 0.0674 | 18.9 | 7.5.E+08 | 4.52 | 3.3 | 7.7 | 0.327 |
| 14 | 實施例 | 23.3 | 14.9 | 5.0 | 56.8 | 3.0 | 14.8 | 1.7 | 0.2022 | 23.0 | 5.7.E+08 | 4.62 | 3.0 | 7.4 | 0.322 |
| 14b | 比較例 | 23.3 | 14.9 | 5.0 | 56.8 | 5.0 | 14.8 | 1.7 | 0.3369 | 23.1 | 7.3.E+08 | 4.52 | 2.7 | 7.7 | 0.318 |
［表6］
表6
| No | 實施例 或 比較例 | 主成分(mol%) | 副成分(重量份) | Co3O4 /SiO2 (重量比) | Idc （A） | ρ （Ωm） | 密度 （g/cm3） | μ’ | Rac （mΩ） | IB/ IA | |||||
| Fe2O3 | NiO | CuO | ZnO | Co3O4 | SiO2 | Bi2O3 | |||||||||
| 15a | 比較例 | 23.3 | 14.9 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 0.0 | 0.0077 | 21.1 | 9.2.E+05 | 4.38 | 2.9 | 11.1 | 0.343 |
| 15 | 實施例 | 23.3 | 14.9 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 0.1 | 0.0077 | 23.0 | 2.3.E+06 | 4.41 | 3.1 | 11.6 | 0.324 |
| 15b | 實施例 | 23.3 | 14.9 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 1.2 | 0.0077 | 18.4 | 4.5.E+07 | 4.47 | 3.4 | 9.8 | 0.400 |
| 2 | 實施例 | 23.3 | 14.9 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 1.7 | 0.0077 | 15.2 | 2.4.E+08 | 4.49 | 3.6 | 8.2 | 0.317 |
| 16 | 實施例 | 23.3 | 14.9 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 3.0 | 0.0077 | 14.9 | 4.9.E+06 | 4.58 | 3.0 | 10.2 | 0.381 |
| 16a | 比較例 | 23.3 | 14.9 | 5.0 | 56.8 | 0.1 | 14.8 | 5.0 | 0.0077 | 9.9 | 5.4.E+05 | 4.55 | 2.8 | 15.4 | 0.402 |
表1中主要使Fe2
O3
的含量和NiO的含量變化。全部的主成分和副成分在規定的範圍內的試樣，全部的特性良好。與此相對，Fe2
O3
的含量過小的No.1a中，成為導磁率μ’過低的結果。另外，Fe2
O3
的含量過大的No.3a中，成為直流疊加特性變差、比電阻ρ過低的結果。
表2中，主要使ZnO的含量和NiO的含量變化。全部的主成分和副成分在規定的範圍的試樣，全部的特性良好。與此相對，ZnO的含量過小的No.4a中，成為直流疊加特性變差、交流電阻Rac過高的結果。ZnO的含量過大的No.6a中，成為導磁率μ’過低的結果。
表3中，主要使CuO的含量和NiO的含量變化。全部的主成分和副成分在規定的範圍內的試樣，全部的特性良好。與此相對，CuO的含量過小的No.7a中，成為燒結性變差、比電阻ρ過低、導磁率μ’過低的結果。CuO的含量過大的No.9a中，成為直流疊加特性變差、比電阻ρ過低的結果。
表4中，主要使SiO2
的含量變化。全部的主成分和副成分在規定的範圍內的試樣，全部特性良好。與此相對，SiO2
的含量過小的No.10a中，成為直流疊加特性變差、交流電阻Rac過高的結果。SiO2
的含量過大的No.12a中，成為燒結性變差、導磁率μ’過低的結果。
表5中，主要使Co3
O4
的含量變化。全部的主成分和副成分在規定的範圍內的試樣，全部的特性良好。與此相對，Co3
O4
的含量過大的No.14b中，成為導磁率μ’過低的結果。
表6中，主要使Bi2
O3
的含量變化。全部的主成分和副成分在規定的範圍內的試樣，全部的特性良好。與此相對，不含Bi2
O3
的No.15a中，成為燒結性變差、比電阻ρ過低、導磁率μ’過低的結果。Bi2
O3
的含量過大的No.16a中，成為比電阻ρ過低、導磁率μ’過低、直流疊加特性變差、交流電阻Rac過高的結果。
（實驗例2）
實驗例2中，對於實驗例1的No.2，不使組成變化而使原料混合物的組成和預燒後添加的添加物的種類和／或添加量變化，由此使EPMA觀察時的主相、第一副相、第二副相和晶界相的面積比例變化。將結果示於表7。
具體而言，在No.21中，與No.2相比，使原料混合物中的ZnO的含量增加，在預燒材料中添加SiO2
和ZnO。沒有添加Zn2
SiO4
的化合物。其中，原料混合物中的ZnO的含量超過10摩爾％。
在No.22中，與No.2相比，使原料混合物中的ZnO的含量增加，在預燒材料中添加Zn2
SiO4
的化合物、SiO2
和根據需要的ZnO。其中，原料混合物中的ZnO的含量為10摩爾％以下。
在No.23中，添加SiO2
和ZnO代替在No.2中在預燒材料中添加的Zn2
SiO4
的化合物。其中，原料混合物中的ZnO的含量為10摩爾％以下。
在No.24中，與No.2相比，使原料混合物中的ZnO的含量增加，在預燒材料中添加Zn2
SiO4
的化合物和SiO2
。其中，原料混合物中的ZnO的含量超過10摩爾％。
［表7］
表7
| No | 實施例 或 比較例 | 面積比例(%) | Idc （A） | ρ （Ωm） | 密度 （g/cm3) | μ’ | Rac （mΩ） | IB/ IA | ||||
| 主相 | 第一副相 | 第二副相 | 晶界相 | 副相合計 | ||||||||
| 2 | 實施例 | 43.7 | 50.9 | 3.6 | 1.8 | 54.5 | 15.2 | 2.4.E+08 | 4.49 | 3.6 | 8.2 | 0.317 |
| 21 | 實施例 | 47.2 | 6.1 | 45.0 | 1.7 | 51.1 | 10.2 | 3.1.E+08 | 4.41 | 3.7 | 14.9 | 0.051 |
| 22 | 實施例 | 46.0 | 26.0 | 25.5 | 2.5 | 51.5 | 13.5 | 3.3.E+08 | 4.46 | 3.9 | 10.2 | 0.189 |
| 23 | 實施例 | 47.0 | 9.1 | 41.8 | 2.1 | 53.0 | 10.9 | 2.4.E+08 | 4.42 | 3.6 | 14.0 | 0.089 |
| 24 | 實施例 | 48.4 | 25.1 | 25.0 | 1.5 | 51.6 | 12.1 | 3.3.E+08 | 4.45 | 3.8 | 10.8 | 0.164 |
根據表7，即使主相、第一副相、第二副相和晶界相的面積比例變化，也能夠得到合適的結果。特別是存由Zn2
SiO4
構成的第一副相的面積比例越高，則電感特性被改善、直流疊加特性和交流電阻Rac也良好的趨勢。另外，存在由Bi2
O3
和SiO2
構成的晶界相的面積比例越高，則電感特性被改善、直流疊加特性和交流電阻Rac也良好的趨勢。
1、1a:層疊晶片線圈
2:陶瓷層
3、3a:內部電極層
4、4a:晶片主體
5:端子電極
6:端子連接用通孔電極
6a:引出電極
11:鐵氧體組合物
12:主相（尖晶石鐵氧體相）
14:副相（低α相）
14a:第一副相（Zn2SiO4相）
14b:第二副相（SiO2相）
16:晶界相（Bi2O3相、SiO2相）
30、30a:線圈導體
圖1是作為本發明的一個實施方式的電子部件的層疊晶片線圈的內部透視立體圖。
圖2是作為本發明的其它實施方式的電子部件的層疊晶片線圈的內部透視立體圖。
圖3A是本發明的鐵氧體組合物的EPMA圖像。
圖3B是本發明的鐵氧體組合物的示意圖。
圖4A是本發明的鐵氧體組合物的Si元素映射圖像。
圖4B是本發明的鐵氧體組合物的Zn元素映射圖像。
圖4C是本發明的鐵氧體組合物的Ni元素映射圖像。
圖5是本發明的鐵氧體組合物的示意圖。
11:鐵氧體組合物
12:主相(尖晶石鐵氧體相)
14:副相(低α相)
14a:第一副相(Zn2SiO4相)
14b:第二副相(SiO2相)
16:晶界相(Bi2O3相、SiO2相)
Claims (5)
- 一種具有主成分和副成分的鐵氧體組合物，其中：作為所述主成分，主成分100摩爾%中，含有以Fe2O3換算為10.0~38.0摩爾%的Fe的化合物、以CuO換算為3.0~11.0摩爾%的Cu的化合物、以ZnO換算超過39.0摩爾%且80.0摩爾%以下的Zn的化合物、和作為剩餘部分的Ni的化合物，相對於所述主成分100重量份，作為所述副成分，含有以SiO2換算為10.0~23.0重量份的Si的化合物、以Co3O4換算為0~3.0重量份的Co的化合物、以Bi2O3換算為0.1~3.0重量份Bi的化合物。
- 如申請專利範圍第1項所述的鐵氧體組合物，其含有：以Co3O4換算為0.1~1.0重量份的Co的化合物。
- 如申請專利範圍第1或2項所述的鐵氧體組合物，其包含：由尖晶石鐵氧體構成的主相、由Zn2SiO4相構成的第一副相、和由SiO2相構成的晶界相。
- 如申請專利範圍第3項所述的鐵氧體組合物，其還具有：由SiO2相構成的第二副相。
- 一種將線圈導體和陶瓷層層疊而成的層疊電子部件，其中：所述陶瓷層由如申請專利範圍第1至4項中任一項所述的鐵氧體組合物構成。
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