TWI720800B - 鐵氧體組合物和層疊電子部件 - Google Patents
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Abstract
本發明得到特別是直流疊加特性和交流電阻良好的鐵氧體組合物等。該鐵氧體組合物包含：由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子、第一副相粒子、第二副相粒子、以及晶界。主相粒子的至少一部分具有從粒子表面向粒子中心部的方向Zn濃度單調地減少50 nm以上的部分。具有從粒子表面向粒子中心部的方向Zn濃度單調地減少50 nm以上的部分之主相粒子存在10%以上。第一副相粒子含有Zn2
SiO4
。第二副相粒子含有SiO2
。第一副相粒子及第二副相粒子的總面積比例為30.5%以上。。
Description
本發明涉及鐵氧體組合物和層疊電子部件。
近年來，為了提升通訊距離與敏感度，ICT設備的NFC電路中流通的電流逐漸大電流化。而且，要求與大電流對應的雜訊除去產品。
作為雜訊除去產品，可以列舉繞組類型的鐵氧體電感器、層疊類型的鐵氧體電感器等，在上述的大電流的使用環境中，考慮雜訊除去特性的程度，使用了繞組類型的鐵氧體電感器。但是，要求即使是層疊類型的鐵氧體電感器也具有與繞組類型的鐵氧體電感器同等以上的雜訊除去特性。
在專利文獻1和專利文獻2中，記載了藉由控制組成而具有優異特性的鐵氧體組合物和層疊電子部件。
先前技術文獻
專利文獻
專利文獻1：日本特許第5582279號公報
專利文獻2：日本特開2013－060332號公報
發明所要解決的課題
但是，目前要求具有更優異的特性的鐵氧體組合物和層疊電子部件。
本發明是鑒於這樣的實際情況而作出的，其目的在於得到改善了直流疊加特性和交流電阻的鐵氧體組合物等。
用於解決課題的方法
為了實現上述目的，本發明的第一方面的鐵氧體組合物包含：
由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子、第一副相粒子、第二副相粒子、以及晶界，
其中所述主相粒子的至少一部分具有從粒子表面向粒子中心部的方向Zn濃度單調地減少50 nm以上的部分，
所述具有從粒子表面向粒子中心部的方向Zn濃度單調地減少50 nm以上的部分之主相粒子存在10%以上，
所述第一副相粒子含有Zn2
SiO4
，
所述第二副相粒子含有SiO2
，
所述第一副相粒子及所述第二副相粒子的總面積比例為30.5%以上。
所述具有從粒子表面向粒子中心部的方向Zn濃度單調地減少50 nm以上的部分之主相粒子的Zn的濃度的最小值設為A1，將Zn的濃度的最大值設為A2，A2／A1的平均值可以為1.10以上。
本發明的第二方面的鐵氧體組合物包含：
由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子、第一副相粒子、第二副相粒子、以及晶界，
其中所述主相粒子的至少一部分由芯部和殼部構成，所述殼部中的Zn的濃度比所述芯部中的Zn的濃度高，
由芯部和殼部構成的主相粒子存在10%以上，
所述第一副相粒子含有Zn2
SiO4
，
所述第二副相粒子含有SiO2
，
所述第一副相粒子及所述第二副相粒子的總面積比例為30.5%以上。
藉由使本發明的鐵氧體組合物具有上述特徵，能夠提高直流疊加特性，並降低交流電阻。
以下的點是第一方面的鐵氧體組合物和第二方面的鐵氧體組合物中共通的點。
所述晶界可以含有SiO2
。
本發明的鐵氧體組合物，其可以為具有主成分和副成分的鐵氧體組合物，其中，
作為上述主成分，可以含有以Fe2
O3
換算為10.0～50.0摩爾％的Fe的化合物、以CuO換算為3.0～14.0摩爾％的Cu的化合物、以ZnO換算為10.0～80.0摩爾％的Zn的化合物、和作為剩餘部分的Ni的化合物，
相對於上述主成分100重量份，作為上述副成分，可以含有以SiO2
換算為3.0～25.0重量份Si的化合物。
本發明的層疊電子部件為層疊線圈導體和陶瓷層而構成層疊電子部件，其中，上述陶瓷層由上述鐵氧體組合物構成。
藉由由上述鐵氧體組合物構成陶瓷層，因此，即使是層疊型，與繞組型的線圈捲繞軸相比，也能夠發揮同等以上的雜訊除去特性。
（第一實施方式）
以下，基於附圖所示的實施方式對本發明進行說明。如圖1所示，作為本發明的一個實施方式的電子部件的層疊晶片線圈1具有晶片主體4，晶片主體4中，陶瓷層2與內部電極層3在Y軸方向交替層疊。
各內部電極層3具有四邊狀環或者C字形狀或U字形狀，藉由貫通鄰接的陶瓷層2的內部電極連接用通孔電極（省略圖示）或階梯狀電極呈螺旋狀連接，構成線圈導體30。
在晶片主體4的Y軸方向的兩端部分別形成有端子電極5、5。貫通層疊的陶瓷層2的端子連接用通孔電極6的端部與各端子電極5連接，各端子電極5、5與構成閉磁路線圈（繞組圖案）的線圈導體30的兩端連接。
在本實施方式中，陶瓷層2和內部電極層3的層疊方向與Y軸一致，端子電極5、5的端面與X軸和Z軸平行。X軸、Y軸和Z軸相互垂直。在圖1所示的層疊晶片線圈1中，線圈導體30的捲繞軸與Y軸大致一致。
對晶片主體4的外形和尺寸沒有特別限制，能夠根據用途適當設定，通常，外形為大致長方體形狀，例如，X軸尺寸為0.15～0.8mm，Y軸尺寸為0.3～1.6mm，Z軸尺寸為0.1～1.0mm。
另外，對陶瓷層2的電極間厚度和基底厚度沒有特別限制，電極間厚度（內部電極層3、3的間隔）能夠設定為3～50μm，基底厚度（端子連接用通孔電極6的Y軸方向長度）能夠設定為5～300μm左右。
在本實施方式中，作為端子電極5，沒有特別限定，藉由使以Ag、Pd等為主成分的導電性膏料附著於晶片主體4的外表面後進行烘烤，進一步實施電鍍來形成。在電鍍中能夠使用Cu、Ni、Sn等。
線圈導體30含有Ag（包含Ag的合金），例如，由Ag單體、Ag－Pd合金等構成。作為線圈導體的副成分，含有Zr、Fe、Mn、Ti、以及它們的氧化物。
陶瓷層2由本發明的一個實施方式的鐵氧體組合物構成。以下，對鐵氧體組合物詳細地進行說明。
本實施方式的鐵氧體組合物包含：
由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子、第一副相粒子、第二副相粒子、以及晶界，
其中所述主相粒子的至少一部分具有從粒子表面向粒子中心部的方向Zn濃度單調地減少50 nm以上的部分，
具有從粒子表面向粒子中心部的方向Zn濃度單調地減少50 nm以上的部分之主相粒子存在10%以上，
所述第一副相粒子含有Zn2
SiO4
，
所述第二副相粒子含有SiO2
，
所述第一副相粒子及所述第二副相粒子的總面積比例為30.5%以上。
本實施方式的鐵氧體組合物優選具有圖3A和圖3B所示的複合結構。
圖3A是藉由STEM－EDS以倍率20000倍對本實施方式的鐵氧體組合物11進行觀察的結果。圖3B是將圖3A示意圖化的圖。鐵氧體組合物11中，除了由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子12之外，還包含含有Zn2
SiO4
的第一副相粒子14a和含有SiO2
的第二副相粒子14b。另外，在上述各粒子（主相粒子12、第一副相粒子14a、第二副相粒子14b）之間包含含有SiO2
的晶界16。第二副相粒子14b及晶界16的SiO2
的含有比例可比主相粒子12高。第一副相粒子14a中可以含有Ni、Cu、Co等其它元素，其它元素也可以固溶於Zn2
SiO4
。第二副相粒子14b可以含有例如Fe、Ni等其它元素。另外，在晶界16中除SiO2
外，也可含有比主相粒子12多的Bi2
O3
。此外，在圖3A和圖3B中，暫定進行了第二副相粒子14b和晶界16的區別。具體而言，將以重量比計的SiO2
的含有比例比Bi2
O3
的含有比例大的部分設為第二副相粒子14b，將SiO2
的含有比例為Bi2
O3
的含有比例以下的部分設為晶界16。更準確的區別能夠藉由更高倍率的STEM－EDS的觀察進行。
關於本實施方式的鐵氧體組合物11，使用STEM－EDS以倍率100000倍得到的Si元素映射圖像是圖4A，Zn元素映射圖像是圖4B，Ni元素映射圖像是圖4C。另外，圖5是將圖4A～圖4C示意表示的圖。此外，在使用STEM－EDS所得到的元素映射圖像中，較明亮部分所映射的元素的含量較多，而較暗部分所映射的元素的含量較少。在圖4A～圖4C及圖5中，鐵氧體組合物11明確為由多個粒子所構成。並且，鐵氧體組合物11明確包含主相粒子12、第一副相粒子14a、第二副相粒子14b以及晶界16。此外，也有無法正確區別第二副相粒子14b與晶界16的情況。
圖4A～圖4C及圖5中各部分的種類能夠藉由STEM－EDS確認。例如，由於第一副相粒子14a含有Zn2
SiO4
而為比主相粒子12的Zn含量及Si含量高的部分，且為具有粒子形狀之部分。由於第二副相粒子14b含有SiO2
而為比主相粒子12的Si含量高的部分，且為具有粒子形狀之部分。另一方面，第二副相粒子14b為Zn含量與主相粒子12相同程度的部分。晶界16為在圖4A中，Si濃度比主相粒子12高的部分，且不為粒子形狀而存在於粒子與粒子之間的部分。此外，也可藉由STEM－EDS測定反射電子圖像或Bi映射圖像等，併用於各部分種類的確認。
含有Zn2
SiO4
的第一副相粒子14a、含有SiO2
的第二副相粒子14b和含有SiO2
的晶界16的熱膨脹係數比由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子12的熱膨脹係數小。因此，熱膨脹係數小的各副相粒子及晶界對熱膨脹係數大的主相粒子12施加拉伸應力。藉由施加拉伸應力，使用鐵氧體組合物11的線圈捲繞軸的電感特性提高。
另外，本實施方式的鐵氧體組合物11中，在主相粒子12、第一副相粒子14a與第二副相粒子14b、以及晶界16的總計中第一副相粒子14a與第二副相粒子14b的總計所占的比例大於先前的鐵氧體組合物。特別是，含有Zn2
SiO4
的第一副相粒子14a的比例大。具體而言，在倍率為20000倍以上並能夠觀察主相粒子12的STEM－EDS圖像中，將主相粒子12、第一副相粒子14a與第二副相粒子14b、以及晶界16的總計面積比例設為100％，第一副相粒子14a與第二副相粒子14b的總計面積比例可為30.5%以上，亦可為50％以上，亦可為70％以下。此外，不論是第二副相粒子14b或晶界16皆含有SiO2
，因此在STEM－EDS圖像中，會有無法區別第二副相粒子14b與晶界16的情況。並且，第二副相粒子14b會有看起來與主相粒子12或第一副相粒子14a接觸的情況。然而，在鐵氧體組合物11中，位於第二副相粒子14b的周圍的晶界16的比例為可無視程度地小。因此，計算出上述面積比例時，對於無法區別第二副相粒子14b與晶界16的情況的影響較小。此外，藉由將晶界16的寬度設為小於100nm，且第二副相粒子14b的粒徑設為100nm以上且2μm以下，而使第二副相粒子14b與晶界16進行區別也可以。
藉由使第一副相粒子14a與第二副相粒子14b的總計面積比例為30.5%以上或50％以上，充分施加上述拉伸應力。另外，藉由使第一副相粒子14a與第二副相粒子14b的總計面積比例為30.5%以上或50％以上，非磁性粒子且磁通難以通過的各副相粒子的面積比例變大。鐵氧體組合物11成為主相粒子12和各副相粒子纏繞的三維結構。其結果，鐵氧體組合物11成為作為磁性粒子的主相粒子12和作為非磁性粒子的各副相粒子相分散的複雜的結構。這裡，與作為非磁性粒子的各副相粒子相比，磁通更容易通過作為磁性粒子的主相粒子12。其結果，主要通過作為磁性粒子的主相粒子12的磁通的磁路長變長。另外，通過作為非磁性粒子的各副相粒子的磁通的磁路長相對較短。其結果，鐵氧體組合物11成為三維的磁路結構，抑制因微小的多個間隙引起的磁飽和的效果（分散間隙效果）變大。由於使分散間隙效果變大，因此，由鐵氧體組合物11構成的線圈捲繞軸特別是在以大電流使用的情況下的電感特性被改善，導磁率μ′高，直流疊加特性和交流電阻也良好。此外，導磁率μ′是複數導磁率的實部。
另外，鐵氧體組合物11的截面中的第一副相粒子14a的面積比例較佳為30％以上且70％以下。第二副相粒子14b的面積比例較佳為0.5％以上且5％以下，也可為0.5％以上且1％以下。主相粒子12的面積比例較佳為30％以上且50％以下。此外，晶界16的面積比例較佳為0.1％以上且4.0％以下，第二副相粒子14b與晶界的總和面積比例較佳為0.6%以上且9%以下。
在本實施方式的鐵氧體組合物11中，主相粒子12的至少一部分具有從粒子表面向粒子中心部的方向減少的Zn濃度梯度。具體而言，具有從粒子表面向粒子中心部的方向Zn濃度單調地減少50nm以上的部分。此外，從粒子表面向粒子中心部的方向Zn濃度單調地減少50nm以上的部分可包含在主相粒子12的任何位置。可以認為藉由使主相粒子12的至少一部分具有這樣的濃度梯度，上述拉伸應力高效地傳遞。此外，上述粒子中心部是指距主相粒子12的粒子表面至少遠離50nm以上的部分。另外，主相粒子12也可以具有從粒子表面向粒子中心部的方向增加的Ni的濃度梯度。具體而言，主相粒子12也可以具有從粒子表面向粒子中心部的方向Ni濃度單調地增加50nm以上的部分。
確認主相粒子12是否具有這樣的濃度梯度的方法沒有特別限制。例如，可以列舉藉由STEM－EDS進行主相粒子的線分析的方法。以下，使用附圖進行說明。
在藉由STEM－EDS進行主相粒子的線分析的情況下，首先，如圖6所示，對鐵氧體組合物的截面觀察STEM圖像。然後，如圖7所示，將主相粒子放大，選擇線分析的測定部位。此時，選擇測定部位，使得包含晶界從而能夠進行從主相粒子的粒子表面向粒子中心部的方向的線分析。圖7中將線分析的測定部位標記為line2。
然後，進行線分析。至少以10nm以下的間隔測定line2上的Zn濃度，並進行圖表化。此外，圖8中以10nm的間隔測定Zn濃度。此外，測定Ni濃度的結果也記載於圖8中，將測定Si濃度的結果示於圖9。另外，圖8、圖9的圖表中，將圖7所示的line2的左端設為0nm。
圖8、圖9中，在距line2的左端50nm的位置，Zn濃度、Ni濃度大幅降低，Si濃度大幅上升。當與圖7一併考慮時，距line2的左端50nm的位置周邊的部分為晶界。
然後，觀察距line2的左端60nm～330nm的部分的Zn濃度的變化。在大致60nm～100nm的部分，Zn濃度大致相等。而且，在大致100nm～300nm的部分，Zn濃度單調地減少。而且，在大致300nm～330nm的部分，Zn濃度大致相等。即使將線分析的測定部位進一步延長，也認為Zn濃度大致相等的部分持續至接近下一主相粒子的粒子表面。
原則上，根據如圖8的表示Zn濃度的線分析的結果的圖表藉由目視判斷主相粒子是否具有Zn的濃度梯度。具體而言，在Zn濃度單調地減少的部分的長度為50nm以上的情況下，認為該主相粒子具有Zn的濃度梯度。
另外，觀察距line2的左端60nm～330nm的部分的Ni濃度的變化。在大致60nm～80nm的部分，Ni濃度大致相等。而且，在大致80nm～280nm的部分，Ni濃度單調地增加。而且，在大致280nm～330nm的部分，Ni濃度大致相等。即使將線分析的測定部位進一步延長，也認為Ni濃度大致相等的部分持續至接近下一主相粒子的粒子表面。
原則上，根據如圖8的表示Ni濃度的線分析的結果的圖表藉由目視判斷主相粒子是否具有Ni的濃度梯度。具體而言，在Ni濃度單調地增加的部分的長度為50nm以上的情況下，認為該主相粒子具有Ni的濃度梯度。
另外，當觀察距line2的左端60nm～330nm的部分的Si濃度的變化時，大致靠近粒界的部分（靠近主相粒子的粒子表面的部分）的Si濃度比遠離粒界的部分（靠近主相粒子的粒子中央部的部分）的Si濃度高。
如上所述，本實施方式的鐵氧體組合物11具有從粒子表面向粒子中心部的方向減少的Zn的濃度梯度，且具有由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子12。此外，主相粒子12也可以不全部具有從粒子表面向粒子中心部的方向減少的Zn的濃度梯度，而以基底個數計，10%以上或20％以上的主相粒子具有從粒子表面向粒子中心部的方向減少的Zn的濃度梯度。
另外，作為Zn的濃度梯度的大小，將主相粒子12中的Zn的濃度的最小值設為A1、將Zn的濃度的最大值設為A2，A2／A1的平均值較佳為1.10以上。也可以為1.80以上，也可以為2.50以下。在實際的測定中，也可以將藉由線分析得到的圖表中的Zn的濃度的最小值和最大值看作該主相粒子的內部的Zn的濃度的最小值A1和最大值A2。並且，對具有濃度梯度的兩個以上的主相粒子進行線分析。對於藉由線分析得到的A2／A1，計算平均值。
如上所述，本實施方式的鐵氧體組合物11具有從粒子表面向粒子中心部的方向增加的Ni的濃度梯度，且也可以具有由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子12。
換言之，在主相粒子12中靠近晶界16的部分（靠近粒子表面的部分），Zn的濃度成為比較高的濃度分佈。另外，在主相粒子12中靠近晶界16的部分，Ni的濃度優選成為比較低的濃度分佈，Si的濃度優選成為比較高的濃度分佈。
根據與圖3A和圖3B相比提高了觀察倍率的圖4A～圖4C和圖5可知，在上述各粒子（主相粒子12、第一副相粒子14a、第二副相粒子14b）之間存在含有SiO2
的晶界16，成為由SiO2
構成的殼（晶界16）覆蓋主相粒子12、第一副相粒子14a或第二副相粒子14b即芯的周圍的Si芯殼結構。
此外，在晶界16中除了SiO2
之外，也可以含有Bi2
O3
。例如，能夠藉由使用STEM－EDS對通過主相粒子12和晶界16的部分進行線分析來確認晶界16含有Bi2
O3
以及SiO2
。
藉由使本實施方式的鐵氧體組合物11具有含有SiO2
的晶界16，晶界16的比例大於先前的鐵氧體組合物中的晶界的比例。這意味著晶界16的厚度比先前的鐵氧體組合物中的晶界的厚度厚。而且，主相粒子12包含由含有熱膨脹率不同的SiO2
的晶界16，藉由覆蓋各粒子，從晶界16對各粒子施加拉伸應力。藉由充分地施加拉伸應力，鐵氧體組合物11的電感特性被改善，直流疊加特性和交流電阻也良好。在本實施方式中，在20000倍以上的可見主相粒子12的大小的STEM－EDS圖像中，將主相粒子12、與主相粒子的熱膨脹率不同的第一副相粒子14a、第二副相粒子14b、以及晶界16的總計面積比例設為100％，晶界16的面積比例較佳為0.1％以上且4.0％以下。此外，會有無法區別第二副相粒子14b與晶界16的情況。然而，多數的晶界16位於主相粒子12或第一副相粒子14a的周圍，因此位於第二副相粒子14b的周圍的晶界16的比例少。因此，計算晶界16的面積比例時，對於無法區別第二副相粒子14b與晶界16的情況的影響較小。此外，藉由將晶界16的寬度設為小於100nm，且第二副相粒子14b的粒徑設為100nm以上且2μm以下，而可使第二副相粒子14b與晶界16進行區別。
此外，在本實施方式的鐵氧體組合物11中，將主相粒子12和第一副相粒子14a與第二副相粒子14b分別作為結晶顆粒時的平均結晶粒徑較佳為0.2～1.5μm。平均結晶粒徑的測定方法是任意的。例如，有使用XRD進行測定的方法。
本實施方式的鐵氧體組合物11的組成沒有特別限制。例如，具有主成分和副成分，作為上述主成分，可以含有以Fe2
O3
換算為10.0～50.0摩爾％的Fe的化合物、以CuO換算為3.0～14.0摩爾％的Cu的化合物、以ZnO換算為10.0～80.0摩爾％的Zn的化合物、和作為剩餘部分的Ni的化合物，作為上述副成分，相對上述主成分100重量份，可以含有以SiO2
換算為3.0～25.0重量份的Si的化合物。還可以含有Co的化合物和／或Bi的化合物。
優選含有以Fe2
O3
換算為10.0～38.0摩爾％的Fe的化合物、以CuO換算為3.0～11.0摩爾％的Cu的化合物、以ZnO換算為超過39.0摩爾％且80.0摩爾％以下的Zn的化合物、和作為剩餘部分的Ni的化合物，
含有以SiO2
換算為10.0～23.0重量份的Si的化合物、以Co3
O4
換算為0～3.0重量份（包含0重量份）的Co的化合物、以Bi2
O3
換算為0.1～3.0重量份的Bi的化合物。
本實施方式的鐵氧體組合物11含有Fe的化合物、Cu的化合物、Zn的化合物和Ni的化合物作為主成分。作為Fe的化合物，例如可以含有Fe2
O3
。作為Cu的化合物，例如可以含有CuO。作為Zn的化合物，例如可以含有ZnO。作為Ni的化合物，例如可以含有NiO。
在Fe的化合物的含量多的情況下，直流疊加特性容易降低。在Fe的化合物的含量少的情況下，導磁率μ′容易降低。
在Cu的化合物的含量多的情況下，直流疊加特性容易降低。另外，交流電阻容易變高。在Cu的化合物的含量少的情況下，燒結性變差，特別是低溫燒結時的燒結密度容易降低。進而，導磁率μ′也容易降低。
在Zn的化合物的含量的多的情況下，導磁率μ′容易降低。在Zn的化合物的含量少的情況下，直流疊加特性容易降低。另外，交流電阻容易變高。
主成分的剩餘部分由Ni的化合物構成。在Ni的化合物的含量多的情況下，直流疊加特性容易降低。另外，交流電阻容易變高。
本實施方式的鐵氧體組合物中，除上述主成分外，還至少含有Si的化合物作為副成分。另外，也可以含有Co的化合物和／或Bi的化合物。
在Si的化合物的含量多的情況下，燒結性變差，導磁率μ′容易降低。在Si的化合物的含量少的情況下，直流疊加特性容易降低。另外，交流電阻容易變高。
在Co的化合物的含量多的情況下，導磁率μ′容易降低。在Bi的化合物的含量多的情況下，直流疊加特性容易降低，交流電阻容易變高。進而，導磁率μ′也容易降低。
另外，Bi的化合物還具有在燒結過程中促進Zn2
SiO4
的生成的作用。而且，在預燒材料的粉碎時添加氧化鉍的情況下，特別是促進Zn2
SiO4
的生成的作用變大。
（Co的化合物以Co3
O4
換算的含量）／（Si的化合物以SiO2
換算的含量）（以下，單獨記載為“Co／Si”）以重量比計，可以為0.0052～0.20。在Co／Si高的情況下，導磁率μ′容易降低。在Co／Si低的情況下，交流電阻容易變高。另外，密度容易降低。
此外，各主成分和各副成分的含量在鐵氧體組合物的製造時，在從原料粉末的階段到燒製後的各製程中沒有實質地變化。
本實施方式的鐵氧體組合物中，除了將主成分的組成範圍控制在上述範圍以外，還可以至少以上述範圍含有Si的化合物作為副成分。在該情況下，容易得到燒結性良好、導磁率μ′高、直流疊加特性和交流電阻也良好的鐵氧體組合物。而且，本發明的鐵氧體組合物能夠以作為內部電極使用的Ag的熔點以下的900℃左右進行燒結。因此，能夠應用於各種用途。另外，也可以含有Co的化合物和／或Bi的化合物作為副成分。
另外，本實施方式的鐵氧體組合物中，除上述副成分外，還可以在不損害本發明的效果的範圍內含有Mn3
O4
等錳氧化物、氧化鋯、氧化錫、氧化鎂、玻璃化合物等附加的成分。這些附加的成分的含量沒有特別限定，例如，相對於主成分100重量份為0.05～1.0重量份左右。
特別是，氧化鎂的含量較佳為0.5重量份以下（包含0）。藉由將氧化鎂的含量設為0.5重量份以下，抑制MgO和SiO2
的反應，並容易生成含有Zn2
SiO4
的第一副相粒子。
另外，本實施方式的鐵氧體組合物中可以含有不可避免的雜質元素的氧化物。
作為不可避免的雜質元素，可以列舉除上述元素以外的元素。更具體而言，還舉出C、S、Cl、As、Se、Br、Te、I、Li、Na、Mg、Al、Ca、Ga、Ge、Sr、Cd、In、Sb、Ba、Pb、Sc、Ti、V、Cr、Y、Nb、Mo、Pd、Ag、Hf、Ta。另外，在鐵氧體組合物中也可以含有不可避免的雜質元素的氧化物，只要其為0.05重量份以下左右即可。
特別是，相對於主成分100重量份，藉由使Al的含量以Al2
O3
換算為0.05重量份以下，容易提高燒結性和比電阻。
接著，對本實施方式的鐵氧體組合物的製造方法的一例進行說明。首先，稱取起始原料（主成分的原料和副成分的原料），使其為規定的組成比。此外，優選使用平均粒徑為0.05～1.0μm的起始原料。
作為主成分的原料，能夠使用氧化鐵（α-Fe2
O3
）、氧化銅（CuO）、氧化鎳（NiO）、氧化鋅（ZnO）或複合氧化物等。作為上述複合氧化物，例如可以列舉矽酸鋅（Zn2
SiO4
）。另外，還能夠使用藉由燒製成為上述氧化物或複合氧化物的各種化合物等。作為藉由燒製成為上述氧化物的化合物，例如可以列舉金屬單體、碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、鹵化物、有機金屬化合物等。
作為副成分的原料，能夠使用氧化矽、氧化鉍和／或氧化鈷。成為副成分的原料的氧化物沒有特別限定，能夠使用複合氧化物等。作為上述複合氧化物，例如可以列舉矽酸鋅（Zn2
SiO4
）。另外，還能夠使用藉由燒製成為上述氧化物或複合氧化物的各種化合物等。作為藉由燒製成為上述氧化物的化合物，例如可以列舉金屬單體、碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、鹵化物、有機金屬化合物等。
此外，作為氧化鈷的一個方式的Co3
O4
容易保存和處理，即使在空氣中價數也穩定，因此，優選作為鈷化合物的原料。
接著，混合作為主成分的原料的氧化鐵、氧化銅、氧化鎳、氧化鋅，得到原料混合物。另外，上述主成分的原料中的氧化鋅也可以不在該階段添加，而在原料混合物預燒後與矽酸鋅一起添加。相反地，也可以在該階段將副成分的原料的一部分與主成分的原料混合。藉由適當控制原料混合物中所含的原料的種類和比例、以及原料混合物預燒後添加的原料的種類和比例，能夠控制主相粒子、第一副相粒子、第二副相粒子和晶界的存在比例。
具體而言，存在預燒後添加的Zn2
SiO4
的添加量越多，第一副相粒子的面積比例越大的趨勢。另外，存在預燒後添加的SiO2
的添加量越多，第二副相粒子的面積比例越大的趨勢。另外，存在原料混合物中的ZnO的含量越少，第二副相粒子或晶界的面積比例越大的趨勢。
混合的方法是任意的。例如，可以列舉使用球磨機進行的濕式混合和使用乾式混合機進行的乾式混合。
接著，進行原料混合物的預燒，得到預燒材料。預燒是為了產生原料的熱分解、成分的均質化、鐵氧體的生成、由燒結帶來的超微粉的消失和向適當的顆粒尺寸的粒成長，且將原料混合物變換為適於後續製程的形態而進行的。預燒時間和預燒溫度是任意的。預燒通常在大氣（空氣）中進行，也可以在氧分壓比大氣中低的氣氛中進行。
接著，將成為副成分的原料的氧化矽、氧化鉍、氧化鈷和矽酸鋅等與預燒材料混合，製作混合預燒材料。特別是在該階段中添加的矽酸鋅越多，作為含有Zn2
SiO4
的第一副相粒子的存在比例越容易變高。另外，在該階段中添加的矽酸鋅越多，越容易在主相粒子12的內部產生上述濃度分佈。另外，預燒材料中的Zn越少，即是含有SiO2
及Bi2
O3
的晶界的存在比例越容易變高。這是因為在預燒材料中的Zn少的情況下，在燒製時Zn2
SiO4
的Zn容易固溶到主相粒子，在晶界中含有SiO2
。另外，在該階段中添加的氧化矽越多，作為含有SiO2
的第二副相粒子的存在比例越高。
接著，進行混合預燒材料的粉碎，得到粉碎預燒材料。粉碎是為了解開混合預燒材料的凝集而形成具有適當的燒結性的粉體而進行的。在將混合預燒材料形成大的塊體時，進行粗粉碎後使用球磨機或碾磨機等進行濕式粉碎。濕式粉碎進行至粉碎預燒材料的平均粒徑較佳為0.1～1.0μm左右。
這裡，在預燒後添加的Zn2
SiO4
的添加量越多，越容易在主相粒子內部形成上述Zn的濃度梯度。另外，原料混合物中的ZnO的含量越少，越容易在主相粒子內部形成上述Zn的濃度梯度。以下表示濃度梯度形成的機制。
首先，藉由將混合有主成分的原料混合物進行預燒，生成尖晶石鐵氧體。該尖晶石鐵氧體中的ZnO的含量與原料混合物中的ZnO的含量成比例。
如果在預燒後添加Zn2
SiO4
，則燒製後成為主相粒子的尖晶石鐵氧體和預燒後添加的Zn2
SiO4
成為相互接觸的狀態。如果在該狀態下進行燒製，則Zn2
SiO4
一部分分解成ZnO和SiO2
。其結果，產生的ZnO在由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子內部擴散。於是，在主相粒子內部產生Zn的濃度梯度。
另外，藉由分解產生的SiO2
的一部分擴散到晶界，並以覆蓋主相粒子的方式存在。另外，藉由分解產生的SiO2
的一部分形成第二副相粒子。另外，沒有分解的Zn2
SiO4
形成第一副相粒子。
以下，對使用上述濕式粉碎後的粉碎材料的圖1所示的層疊晶片線圈1的製造方法進行說明。
圖1所示的層疊晶片線圈1能夠藉由通常的製造方法進行製造。即，藉由使用將粉碎預燒材料與黏合劑和溶劑一起混煉而得到的鐵氧體膏料，與含有Ag等的內部電極膏料交替印刷層疊後進行燒製，由此能夠形成晶片主體4（印刷法）。或者，也可以藉由使用鐵氧體膏料製作生片，在生片的表面印刷內部電極膏料，將它們層疊進行燒製，由此形成晶片主體4（片材法）。使用任意種方法，在形成晶片主體後，燒附端子電極5或藉由鍍敷等形成即可。
鐵氧體膏料中的黏合劑和溶劑的含量是任意的。例如，將鐵氧體膏料整體設為100重量％，黏合劑的含量能夠設定為1～10重量％左右的範圍，溶劑的含量能夠設定為10～50重量％左右的範圍。另外，在鐵氧體膏料中能夠根據需要在10重量％以下的範圍含有分散劑、增塑劑、電介質、絕緣體等。含有Ag等的內部電極膏料也能夠同樣製作。另外，燒製條件等沒有特別限定，在內部電極層中含有Ag等的情況下，燒製溫度較佳為930℃以下，更佳為900℃以下。
（第二實施方式）
以下，對第二實施方式進行說明。
本實施方式的鐵氧體組合物包含：
由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子、第一副相粒子、第二副相粒子、以及晶界，其中，上述主相粒子的至少一部分由芯部和殼部構成，上述殼部中Zn的濃度高於上述芯部中的Zn的濃度，
由上述芯部和殼部構成的主相粒子存在10%以上，
上述第一副相粒子含有Zn2
SiO4
，
上述第二副相粒子含有SiO2
，
上述第一副相粒子及上述第二副相粒子的總面積比例為30.5%以上。
換言之，主相粒子具有由Zn的濃度高的Zn殼部和Zn的濃度低的Zn芯部構成的Zn芯殼結構。Zn殼部的厚度沒有特別限定。例如，為10nm以上且1000nm以下。
關於主相粒子是否具有Zn芯殼結構的方法，能夠使用STEM－EDS確認。具體而言，能夠使用STEM－EDS拍攝圖4B所示的Zn元素映射圖像，藉由目視確認主相粒子是否具有Zn芯殼結構。更具體而言，具有Zn芯殼結構的主相粒子是成為Zn濃度高的殼部（圖4B的主相粒子內相對較白的部分）覆蓋Zn濃度低的芯部（圖4B的主相粒子內相對較黑的部分）的結構。與此相對，不具有Zn芯殼結構的主相粒子的Zn濃度在該主相粒子內大致上為均一。
本實施方式的鐵氧體組合物在主相粒子內部具有Zn芯殼結構，還具有藉由由SiO2
構成的殼（晶界）覆蓋作為主相粒子或副相粒子的芯周圍的Si芯殼結構。可以說主相粒子具有雙芯殼結構。
另外，本實施方式的鐵氧體組合物，主相粒子也可以具有由Ni的濃度高的Ni殼部以及Ni的濃度低的Ni芯部所構成的Ni芯殼結構。進一步Zn殼部的位置可與Ni殼部的位置相同，且Zn芯部的位置可與Ni芯部的位置相同。
關於主相粒子是否具有Ni芯殼結構，能夠使用STEM－EDS確認。具體而言，使用STEM－EDS拍攝圖4C所示的Ni元素映射圖像，藉由目視確認主相粒子是否具有Ni芯殼結構。更具體而言，具有Ni芯殼結構的主相粒子是成為Ni濃度低的殼部（圖4C的主相粒子內相對較黑的部分）覆蓋Ni濃度高的芯部（圖4C的主相粒子內相對較白的部分）的結構。與此相對，不具有Ni芯殼結構的主相粒子的Ni濃度在該主相粒子內大致上為均一。
第二實施方式除上述的點之外與第一實施方式同樣。此外，在第一實施方式中主相粒子容易具有Zn的濃度梯度的製造條件與在第二實施方式中主相粒子容易具有Zn芯殼結構的製造條件是同樣的。
此外，本發明不限定於上述實施方式，能夠在本發明的範圍內進行各種改變。
例如，也可以使用上述實施方式的鐵氧體組合物構成圖2所示的層疊晶片線圈1a的陶瓷層2。圖2所示的層疊晶片線圈1a具有晶片主體4a，晶片主體4a中，陶瓷層2與內部電極層3a在Z軸方向交替層疊。
各內部電極層3a具四邊狀環或者C字形狀或U字形狀，藉由貫通鄰接的陶瓷層2的內部電極連接用通孔電極（省略圖示）或階梯狀電極呈螺旋狀連接，構成線圈導體30a。
在晶片主體4a的Y軸方向的兩端部分別形成有端子電極5、5。位於Z軸向的上下的引出電極6a的端部與各端子電極5連接，各端子電極5、5與構成閉磁路線圈的線圈導體30a的兩端連接。
在本實施方式中，陶瓷層2和內部電極層3的層疊方向與Z軸一致，端子電極5、5的端面與X軸和Z軸成為平行。X軸、Y軸和Z軸相互垂直。在圖2所示的層疊晶片線圈1a中，線圈導體30a的捲繞軸與Z軸大致一致。
在圖1所示的層疊晶片線圈1中，線圈導體30的捲繞軸存在於作為晶片主體4的長度方向的Y軸方向，因此，與圖2所示的層疊晶片線圈1a相比，能夠增加匝數，具有容易實現直至高頻段的高阻抗化的優點。在圖2所示的層疊晶片線圈1a中，其它結構和作用效果與圖1所示的層疊晶片線圈1同樣。
另外，本實施方式的鐵氧體組合物能夠用於圖1或圖2所示的層疊晶片線圈以外的電子部件。例如，能夠使用本實施方式的鐵氧體組合物作為與線圈導體一起層疊的陶瓷層。另外，在組合了LC複合部件等線圈和另外的電容器等要素的複合電子部件中也能夠使用本實施方式的鐵氧體組合物。
使用本實施方式的鐵氧體組合物的層疊晶片線圈的用途是任意的。例如，也適用於採用NFC技術的ICT設備（例如，智慧手機等）的電路等，特別是由於流通高的交流電流而一直使用繞組類型的鐵氧體電感器的電路。
實施例
以下，基於詳細的實施例對本發明進行進一步說明，但是本發明不限定於以下所示的實施例。
作為主成分的原料，準備Fe2
O3
、NiO、CuO、ZnO。作為副成分的原料，準備SiO2
、Bi2
O3
、Co3
O4
。此外，起始原料的平均粒徑為0.05～1.00μm。
接著，稱取所準備的主成分原料的粉末和副成分原料的粉末，使其作為燒結體成為表1中記載的組成。
稱取之後，將所準備的主成分原料中的Fe2
O3
、NiO、CuO、根據需要的ZnO的一部分藉由球磨機濕式混合適當的時間，得到原料混合物。將原料混合物中的ZnO的含量作為表2中記載的含量。表2中記載的原料混合物中的ZnO的含量是將原料混合物中的主成分的含量設為100mol％的情況下的含量。
接著，將所得到的原料混合物乾燥後，在空氣中進行預燒，得到預燒材料。預燒溫度在500～900℃的範圍適當選擇。然後，對預燒材料以表2所示的量添加Zn2
SiO4
。然後，根據需要添加ZnO，進一步添加其它副成分等，並且藉由球磨機進行粉碎，得到粉碎預燒材料。將SiO2
的添加量示於表2。此外，表2所示的Zn2
SiO4
的量和SiO2
的量是將預燒材料整體設為100wt％的情況下的含量。
接著，在將該粉碎預燒材料乾燥後，對粉碎預燒材料100重量份添加10.0重量份重量濃度6％的聚乙烯醇水溶液作為黏合劑，進行造粒，形成顆粒。對該顆粒進行加壓成型，得到螺旋管形狀（尺寸＝外徑13mm×內徑6mm×高度3mm）的成型體和圓盤形狀（尺寸＝外徑12mm×高度2mm）的成型體。
接著，將這些各成型體在空氣中以900℃的燒製溫度燒製2小時，得到作為燒結體的螺旋管芯樣品和圓盤樣品。進一步對所得到的各樣品進行以下的特性評價。此外，藉由X線螢光分析裝置確認了稱取的原料粉末與燒製後的成型體在組成上幾乎沒有變化。
導磁率μ′
使用RF阻抗・材料分析儀（安捷倫科技公司製E4991A）對螺旋管芯樣品測定導磁率μ′。作為測定條件，設為測定頻率10MHz、測定溫度25℃。將導磁率μ′為3.0以上的情況記為良好。
直流疊加特性
在螺旋管芯樣品捲繞30匝銅線，使用LCR儀錶（HEWLETT PACKARD公司製4284A）測定施加直流電流時的導磁率μ′。作為測定條件，設為測定頻率1MHz、測定溫度25℃。邊使施加的直流電流從0變化至8A，邊測定導磁率，以橫軸為直流電流、縱軸為導磁率，製成圖表。並且，求出導磁率從直流電流0A時起降低10％時的電流值作為Idc。
在施加的直流電流為8A以下的階段導磁率降低10％的情況下，導磁率降低10％時的直流電流為Idc。在施加的直流電流為8A的時刻導磁率沒有降低10％的情況下，根據直流電流8A的圖表的斜率計算Idc。
密度
關於上述燒結後的鐵氧體組合物的密度，對螺旋管芯樣品，根據燒製後的燒結體的尺寸和重量來計算。
鐵氧體組合物的觀察
藉由STEM－EDS對上述燒結後的鐵氧體組合物（螺旋管芯樣品）進行觀察。觀察倍率為20000倍以上，適當設定更適於各實施例和比較例的觀察倍率。然後，確認各鐵氧體組合物是否包含由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子、含有Zn2
SiO4
的第一副相粒子、含有SiO2
的第二副相粒子、和含有SiO2
的晶界。另外，根據STEM－EDS的觀察結果計算鐵氧體組合物的截面中的主相粒子、第一副相粒子、第二副相粒子和晶界的面積比例。在表1、表2的各實施例（No.1－1、2－1）中，第一副相粒子的面積比例為35％以上且65％以下，第二副相粒子的面積比例為3％以上且5％以下，主相粒子的面積比例為30％以上且61％以下，晶界的面積比例為1％以上且3％以下。
另外，設定包含2～5個主相粒子的測定範圍，並對該測定範圍中所含的全部主相粒子藉由STEM－EDS進行線分析。然後，確認是否存在具有從粒子表面向粒子中心部的方向減少的Zn的濃度梯度的主相粒子。進一步製作Zn元素映射圖像，確認主相粒子是否具有Zn芯殼。進一步變更測定範圍的位置並設定複數個測定範圍，在總計10個以上的主相粒子中，確認是否存在具有Zn濃度梯度的主相粒子。同樣地，計算具有Zn芯殼的主相粒子的個數比例。將結果示於表2。
另外，計算將主相粒子的內部中的ZnO的濃度的最小值設為A1、將ZnO的濃度的最大值設為A2的情況下的A2／A1。具體而言，對該測定範圍中所含的全部主相粒子藉由STEM－EDS進行線分析。然後，對於具有Zn濃度梯度的各主相粒子，計算A2／A1並進行平均。將結果示於表2。
交流電阻
關於交流電阻（Rac），在螺旋管芯樣品，在初級側捲繞6匝銅線，在次級側捲繞3匝銅線，使用B－H分析儀（岩通測量製SY－8218）和放大器（NF電路設計集團製4101－IW），將測定時的頻率設為3MHz，將交流電流值設為1.6Arms。
［表1］
| 組成 | 主成分(mol%) | 副成分(重量份) | |||||
| Fe2O3 | NiO | CuO | ZnO | Co3O4 | SiO2 | Bi2O3 | |
| 組成1 | 33.68 | 18.46 | 4.92 | 42.93 | 1.00 | 11.25 | 1.00 |
| 組成2 | 28.09 | 15.40 | 4.11 | 52.41 | 1.00 | 14.64 | 1.00 |
［表2］
| No. | 組成 | 原料混合物中 ZnO的含量 （mol%） | 預燒材料中添加的 Zn2SiO4的量 （wt%） | 預燒材料中添加的 SiO2的量 （wt%） | 有無Zn 濃度梯度 | 具有Zn濃度梯度的主相粒子的個數比例 （%） | 有無Zn 芯殼 | 具有Zn 芯殼的主相粒子的個數比例 （%） | 第一副相粒子與第二副相粒子的總面積比例(%) | A2/A1 | Idc (A) | 密度 （g/cm3 ） | μ' | Rac (mΩ) |
| 1-1 | 組成1 | 5.00 | 60.00 | 0.00 | 有 | 10 | 有 | 10 | 38.0 | 2.50 | 14.1 | 4.66 | 5.49 | 12.1 |
| 1-2 | 組成1 | 11.00 | 50.66 | 1.27 | 無 | 0 | 無 | 0 | 38.0 | 1.05 | 9.9 | 4.58 | 5.51 | 15.0 |
| 2-1 | 組成2 | 5.00 | 90.00 | 0.00 | 有 | 20 | 有 | 20 | 56.4 | 1.80 | 18.3 | 4.61 | 4.49 | 10.2 |
| 2-2 | 組成2 | 11.00 | 80.50 | 0.97 | 無 | 0 | 無 | 0 | 56.4 | 1.03 | 10.3 | 4.60 | 4.50 | 14.3 |
表1、表2中記載的試樣No.1－1和試樣No.1－2是沒有使組成變化而使原料混合物中的ZnO的含量、預燒材料中添加的Zn2
SiO4
的添加量、和預燒材料中添加的SiO2
的添加量變化的實施例和比較例。
試樣No.1－1的鐵氧體組合物的主相粒子具有從粒子表面向粒子中心部的方向減少的Zn的濃度梯度。另外，主相粒子具有Zn芯殼。與此相對，試樣No.1－2的鐵氧體組合物的主相粒子不具有從粒子表面向粒子中心部的方向減少的Zn的濃度梯度。另外，主相粒子不具有Zn芯殼。其結果，試樣No.1－1的鐵氧體組合物與試樣No.1－2的鐵氧體組合物相比，Idc為1.4倍，Rac為0.8倍。即，試樣No.1－1的鐵氧體組合物與試樣No.1－2的鐵氧體組合物相比，直流疊加特性高，交流電阻低。
另外，試樣No.2－1和試樣No.2－2是從試樣No.1－1和試樣No.1－2使組成變化的實施例和比較例。
試樣No.2－1的鐵氧體組合物的主相粒子具有從粒子表面向粒子中心部的方向減少的Zn的濃度梯度。另外，主相粒子具有Zn芯殼。與此相對，試樣No.2－2的鐵氧體組合物的主相粒子不具有從粒子表面向粒子中心部的方向減少的Zn的濃度梯度。另外，主相粒子不具有Zn芯殼。其結果，試樣No.2－1的鐵氧體組合物與試樣No.2－2的鐵氧體組合物相比，Idc為1.8倍，Rac為0.7倍。即，試樣No.2－1的鐵氧體組合物與試樣No.2－2的鐵氧體組合物相比，直流疊加特性高，交流電阻低。
1、1a:層疊晶片線圈
2:陶瓷層
3、3a:內部電極層
4、4a:晶片主體
5:端子電極
6:端子連接用通孔電極
6a:引出電極
11:鐵氧體組合物
12:主相粒子
14a:第一副相粒子
14b:第二副相粒子
16:晶界
30、30a:線圈導體。
圖1是作為本發明的一個實施方式的電子部件的層疊晶片線圈的內部透視立體圖。
圖2是作為本發明的其它實施方式的電子部件的層疊晶片線圈的內部透視立體圖。
圖3A是本實施方式的鐵氧體組合物的STEM－EDS圖像。
圖3B是本實施方式的鐵氧體組合物的示意圖。
圖4A是本實施方式的鐵氧體組合物的Si元素映射圖像。
圖4B是本實施方式的鐵氧體組合物的Zn元素映射圖像。
圖4C是本實施方式的鐵氧體組合物的Ni元素映射圖像。
圖5是本實施方式的鐵氧體組合物的示意圖。
圖6是本實施方式的鐵氧體組合物的STEM－EDS圖像。
圖7是表示藉由EDS進行線分析的測定部位的圖6的放大圖像。
圖8是表示藉由EDS進行線分析的結果的圖表。
圖9是表示藉由EDS進行線分析的結果的圖表。
Claims (8)
- 一種鐵氧體組合物，其包含：由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子、第一副相粒子、第二副相粒子、以及晶界，其中所述主相粒子的至少一部分具有從粒子表面向粒子中心部的方向Zn濃度單調地減少的部分，該Zn濃度單調地減少的部分的長度為50nm以上，所述具有從粒子表面向粒子中心部的方向Zn濃度單調地減少的部分之主相粒子存在10%以上，所述第一副相粒子含有Zn2SiO4，所述第二副相粒子含有SiO2，自所述鐵氧體組合物的截面中的STEM-EDS的觀察結果所計算出的所述第一副相粒子及所述第二副相粒子的總面積比例為30.5%以上。
- 如請求項1所述的鐵氧體組合物，其中：將所述具有從粒子表面向粒子中心部的方向Zn濃度單調地減少的部分之主相粒子的內部中Zn的濃度的最小值設為A1、將Zn的濃度的最大值設為A2，A2/A1的平均值為1.10以上。
- 如請求項第1或2項所述的鐵氧體組合物，其中所述晶界含有SiO2。
- 如請求項1或2所述的鐵氧體組合物，其中：具有主成分和副成分，作為所述主成分，含有以Fe2O3換算為10.0~50.0摩爾%的Fe的化合物、以CuO換算為3.0~14.0摩爾%的Cu的化合物、以ZnO換算為10.0~80.0摩爾%的Zn的化合物、和作為剩餘部分的Ni的化合物，相對於所述主成分100重量份，作為所述副成分，含有以SiO2換算為3.0~25.0 重量份的Si的化合物。
- 一種鐵氧體組合物，其包含：由尖晶石鐵氧體構成的主相粒子、第一副相粒子、第二副相粒子、以及晶界，其中所述主相粒子的至少一部分由芯部和殼部構成，所述殼部中的Zn的濃度比所述芯部中的Zn的濃度高，由芯部和殼部構成的主相粒子存在10%以上，所述第一副相粒子含有Zn2SiO4，所述第二副相粒子含有SiO2，自所述鐵氧體組合物的截面中的STEM-EDS的觀察結果所計算出的所述第一副相粒子及所述第二副相粒子的總面積比例為30.5%以上。
- 如請求項第5項所述的鐵氧體組合物，其中所述晶界含有SiO2。
- 如請求項5或6所述的鐵氧體組合物，其中：具有主成分和副成分，作為所述主成分，含有以Fe2O3換算為10.0~50.0摩爾%的Fe的化合物、以CuO換算為3.0~14.0摩爾%的Cu的化合物、以ZnO換算為10.0~80.0摩爾%的Zn的化合物、和作為剩餘部分的Ni的化合物，相對於所述主成分100重量份，作為所述副成分，含有以SiO2換算為3.0~25.0重量份的Si的化合物。
- 一種將線圈導體和陶瓷層層疊而成的層疊電子部件，其中：所述陶瓷層由如請求項1至7中任一項所述的鐵氧體組合物構成。
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