CN106045492A - 铁氧体组合物和电子部件 - Google Patents
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Abstract
本发明涉及一种铁氧体组合物和电子部件,主成分由以下的化合物构成:以Fe2O3换算为23.0~47.0摩尔%的Fe的化合物、以CuO换算为3.0~16.0摩尔%的Cu的化合物、以ZnO换算为4.0~39.0摩尔%的Zn的化合物、以SiO2换算为1.5~13.0摩尔%的Si的化合物、以及剩余部分的Ni的化合物。相对于100重量份的上述主成分,含有以Co3O4换算为0.1~8.0重量份的Co的化合物、以及以Bi2O3换算为0.25~5.00重量份的Bi的化合物来作为副成分。
Description
技术领域
本发明涉及一种适于层叠型电感器等的制造的铁氧体组合物和具有该组合物的电子部件。
背景技术
智能手机等的便携式设备的高性能化的进展显著。最近,NFC(近场通信(Near field communication))或非接触式供电等的采用正在发展,与现有相比更高的交流电流所流动的电路增加。
另外,根据电子部件对高密度化的对应,部件的小型化的要求依然强烈。通常来说,电感元件如果交流电流增加或进行小型化,则Q值降低。由于这样的状况,因而,寻求即使交流电流值增加或进行了小型化也可以得到高的Q值的磁芯材料和使用了其的电感元件。
特别是层叠型电感器中,寻求线圈导体和铁氧体层一体地烧成。因此,层叠型电感器用的铁氧体组合物寻求使烧结温度为线圈导体的熔点以下。
在专利文献1中公开了通过在NiCuZn系铁氧体中添加SiO2、CoO从而具有抗应力特性的磁性材料。然而,专利文献1的磁性材料是在1050℃以上进行烧结的材料。进一步,没有显示相对于高振幅的电流的Q值。
在专利文献2中公开了通过使用由尖晶石铁氧体和硅酸锌构成的NiCuZn系铁氧体从而具有优异的直流重叠特性的铁氧体材料。然而,专利文献2中公开的铁氧体材料没有显示相对于高振幅的电流的Q值。
在专利文献3中公开了通过在NiCuZn系铁氧体中添加钴氧化物从而即使在高振幅电流下磁损耗也小的铁氧体材料。然而,专利文献3中公开的铁氧体材料其电感的温度变化率过大,无法满足近年来的温度特性的要求的情况较多。
在上述专利文献1~3的技术中,虽然对于各个技术所作为目标的特性可以得到一定的效果,但是牺牲其它特性的情况较多。另外,仅在一个特性方面优秀时,则限定了其用途。因此,寻求更高性能的铁氧体组合物。
专利文献1:日本特开平02-137301号公报
专利文献2:日本专利5582279号公报
专利文献3:日本特开2013-060332号公报
发明内容
本发明鉴于这样的实际情况,其目的在于提供一种能够低温烧结,在高的外部磁场(数十~数百A/m)下相对于外部磁场的变化Q值的变化小,相对于高振幅电流Q值的劣化少,直流重叠特性良好,并且温度特性也优异的铁氧体组合物、和能够小型化的电子部件。
为了达成上述目的,本发明所涉及的铁氧体组合物其特征在于,主成分由以下的化合物构成:以Fe2O3换算为23.0~47.0摩尔%的Fe的化合物、以CuO换算为3.0~16.0摩尔%的Cu的化合物、以ZnO换算为4.0~39.0摩尔%的Zn的化合物、以SiO2换算为1.5~13.0摩尔%的Si的化合物、以及剩余部分的Ni的化合物,
相对于100重量份的所述主成分,含有以Co3O4换算为0.1~8.0重量份的Co的化合物、以及以Bi2O3换算为0.25~5.00重量份的Bi的化合物来作为副成分。
本发明所涉及的铁氧体组合物通过将构成主成分的氧化物的含量设定为上述的范围,进一步以上述的范围含有氧化铋和氧化钴作为副成分,从而能够低温烧结。可以在例如能够用作内部电极的Ag的熔点以下的900℃左右(950℃以下)进行烧结。另外,本发明所涉及的铁氧体组合物在烧结后即使在与现有的外部磁场(1~2A/m)相比更高的外部磁场(数十~数百A/m)下升高外部磁场Q的降低率也小,相对于高振幅电流的Q值的劣化少。再有,本发明所涉及的铁氧体组合物其温度特性和直流重叠特性优异,电阻率也大。
由本发明所涉及的铁氧体组合物构成的铁氧体烧结体,如上所述,由于在大振幅的信号下特性不发生恶化,因此,可以实现电子部件的小型化。
由本发明所涉及的铁氧体组合物构成的铁氧体烧结体,如上所述,由于直流重叠特性优异,因此,导磁率相对于施加磁场的变化小,可以得到稳定的电感。由此,即使将电子部件小型化,也可以得到与使用了现有的铁氧体的大型的电子部件相比较没有太大差异的特性。
本发明所涉及的铁氧体组合物如上所述其温度特性良好。因此,使用了本发明所涉及的铁氧体组合物的磁芯或层叠型电感器等的电子部件可以适合用于宽泛的温度环境。
再有,作为使用了本发明所涉及的铁氧体组合物的电子部件的内部电极,可以使用Ag。Ag与其它金属相比廉价且直流电阻小。
本发明所涉及的铁氧体组合物优选具有Zn2SiO4相。
本发明所涉及的电子部件是具有由上述的铁氧体组合物构成的铁氧体烧结体的电子部件。
例如,一种电子部件,所述电子部件通过层叠线圈导体和陶瓷层而构成,所述线圈导体包含Ag,所述陶瓷层由上述的铁氧体组合物构成。
本发明所涉及的电子部件与具有由现有的铁氧体组合物构成的铁氧体烧结体的电子部件相比,在大振幅的信号下特性不发生恶化,因此,可以实现电子部件的小型化。
可以得到这样的效果的理由认为是通过将主成分设定在规定范围,再有,将各成分的含量设定在特定的范围而得到的复合的效果。
另外,由本发明所涉及的铁氧体组合物构成的铁氧体烧结体适于层叠型电感器、层叠型L-C过滤器、层叠型共模过滤器、通过其它的层叠方法得到的复合电子部件等。也优选用于例如LC复合电子部件、NFC线圈、层叠型电感元件、层叠型变压器。
附图说明
图1是本发明的一个实施方式所涉及的层叠型电感器的截面图。
图2是本发明的一个实施方式所涉及的LC复合电子部件的截面图。
符号的说明
1…层叠型电感器、2…元件、3…端子电极、4…铁氧体层、5…线圈导体、5a,5b…引出电极、10…LC复合电子部件、12…电感器部、14…电容器部。
具体实施方式
以下,基于附图所示的实施方式来说明本发明。
如图1所示,本发明的一个实施方式所涉及的层叠型电感器1具有元件2和端子电极3。元件2通过对经由铁氧体层4而三维并且螺旋状地形成了线圈导体5的生坯的层叠体进行烧成而得到。铁氧体层4由本发明的一个实施方式所涉及的铁氧体组合物构成。在元件2的两端形成端子电极3,经由引出电极5a、5b而与端子电极3连接,由此可以得到层叠型电感器1。对于元件2的形状没有特别的限制,通常为长方体状。另外,对于其尺寸也没有特别的限制,只要根据用途为适当的尺寸即可。
作为线圈导体5和引出电极5a、5b的材质,没有特别的限定,可以使用Ag、Cu、Au、Al、Pd、Pd/Ag合金等。另外,也可以添加Ti化合物、Zr化合物、Si化合物等。
本实施方式所涉及的铁氧体组合物含有氧化铁、氧化铜、氧化锌、氧化镍以及氧化硅作为主成分。
100摩尔%的主成分中,氧化铁的含量以Fe2O3换算为23.0~47.0摩尔%,优选为28.0~44.0摩尔%,更加优选为33.0~37.0摩尔%。氧化铁的含量过多或过少则烧结性都发生劣化。特别是倾向于低温烧结时的烧结密度降低。另外,由于烧结性的劣化,从而电阻率显著降低。
100摩尔%的主成分中,氧化铜的含量以CuO换算为3.0~16.0摩尔%,优选为5.0~14.0摩尔%,更加优选为5.5~14.0摩尔%,更加优选为7.0~8.0摩尔%。如果氧化铜的含量过少,则倾向于烧结性劣化,特别是低温烧结时的烧结密度降低。另外,由于烧结性的劣化,电阻率显著降低。如果氧化铜的含量过多,则倾向于直流重叠特性和相对于外部磁场的增加的Q的降低率发生恶化。
100摩尔%的主成分中,氧化锌的含量以ZnO换算为4.0~39.0摩尔%,优选为5.0~39.0摩尔%,更加优选为21.0~32.0摩尔%。如果氧化锌的含量过少,则倾向于起始导磁率μi过度变低。如果氧化锌的含量过多,则倾向于直流重叠特性和相对于外部磁场的增加的Q的降低率发生恶化。进一步,倾向于居里温度也降低。
100摩尔%的主成分中,氧化硅的含量以SiO2换算为1.5~13.0摩尔%,优选为3.0~11.0摩尔%,更加优选为7.0~9.5摩尔%。如果氧化硅的含量过少,则倾向于直流重叠特性和相对于外部磁场的增加的Q的降低率发生恶化。如果过多,则倾向于直流重叠特性和相对于外部磁场的增加的Q的降低率发生恶化。
主成分的剩余部分由氧化镍构成。
本实施方式所涉及的铁氧体组合物,除了上述的主成分,作为副成分含有氧化铋和氧化钴。
氧化铋的含量相对于100重量份的主成分以Bi2O3换算为0.25~5.00重量份,优选为0.50~3.00重量份,更加优选为0.50~1.00重量份。如果氧化铋的含量过少,则倾向于烧结性劣化,特别是低温烧结时的烧结密度降低。另外,由于烧结性的劣化,从而电阻率显著降低。如果过多,则倾向于电阻率降低。进一步,倾向于直流重叠特性和相对于外部磁场的增加的Q的降低率发生恶化。
氧化钴的含量相对于100重量份的主成分以Co3O4换算为0.1~8.0重量份,优选为0.1~3.0重量份,更加优选为0.4~0.8重量份。如果氧化钴的含量过少,则倾向于电阻率降低。如果氧化钴的含量过多,则倾向于电阻率降低。进一步,倾向于起始导磁率的温度特性发生恶化。
另外,各主成分和各副成分的含量在介电体陶瓷组合物的制造时在从原料粉末的阶段至烧成后的各工序中几乎不发生变化。
在本发明所涉及的铁氧体组合物中,除了将主成分的组成范围控制到上述的范围以外,作为副成分在上述的范围内含有氧化铋和氧化钴。其结果,兼顾了高特性化和低温烧结。具体来说,本发明所涉及的铁氧体组合物由于相对于外部磁场的增加的Q的降低率低,因此,相对于振幅电流的上升的Q值的降低也小。再有,本发明所涉及的铁氧体组合物其直流重叠特性和起始导磁率的温度特性也良好。此外,本发明所涉及的铁氧体组合物能够在用作内部电极的Ag的熔点以下的900℃左右下进行烧结。因此,能够适用于各种的用途。再有,本发明所涉及的铁氧体组合物由于在大振幅的信号下特性不发生恶化,因此,可以实现电子部件的小型化。
另外,本实施方式所涉及的铁氧体组合物,与上述副成分分开,也可以进一步在不损害本发明的效果的范围内含有Mn3O4等的锰氧化物、氧化锆、氧化锡、氧化镁、玻璃化合物等的附加成分。这些附加成分的含量没有特别的限定,例如为0.05~1.0重量份左右。
特别是氧化镁的含量优选为0.5重量份以下。通过将氧化镁的含量控制在0.5重量份以下,从而抑制了MgO与SiO2的反应,容易生成下述的Zn2SiO4相。
再有,可以在本实施方式所涉及的铁氧体组合物中含有不可避免的杂质元素的氧化物。
具体来说,作为不可避免的杂质元素,可以列举C、S、Cl、As、Se、Br、Te、I或Li、Na、Mg、Al、Ca、Ga、Ge、Sr、Cd、In、Sb、Ba、Pb等的典型金属元素或Sc、Ti、V、Cr、Y、Nb、Mo、Pd、Ag、Hf、Ta等的过渡金属元素。另外,不可避免的杂质元素的氧化物只要在铁氧体组合物中为0.05重量份以下左右就也可以含有。
特别是通过以Al2O3换算使Al的含量为0.05重量份以下,从而容易提高烧结性和电阻率。
本实施方式所涉及的铁氧体组合物中的结晶颗粒的平均结晶粒径优选为0.2~1.5μm。
接着,说明本实施方式所涉及的铁氧体组合物的制造方法的一个例子。首先,以成为规定的组成的方式称量起始原料(主成分的原料和副成分的原料)并进行混合,得到原料混合物。作为混合的方法,例如可以列举使用球磨机进行的湿式混合、或使用干式搅拌器进行的干式混合。还有,优选使用平均粒径为0.05~1.0μm的起始原料。
作为主成分的原料,可以使用氧化铁(α-Fe2O3)、氧化铜(CuO)、氧化镍(NiO)、氧化锌(ZnO)、氧化硅(SiO2)或者复合氧化物等。作为所述复合氧化物,例如可以列举硅酸锌(Zn2SiO4)。再有,此外,可以使用通过烧成而成为上述的氧化物或复合氧化物的各种化合物等。作为通过烧成而成为上述的氧化物的物质,例如可以列举金属单体、碳酸盐、草酸盐、硝酸盐、氢氧化物、卤化物、有机金属化合物等。
作为副成分的原料,可以使用氧化铋和氧化钴。对于成为副成分的原料的氧化物没有特别的限定,可以使用复合氧化物等。再有,此外,可以使用通过烧成而成为上述的氧化物或复合氧化物的各种化合物等。作为通过烧成而成为上述的氧化物的物质,例如可以列举金属单体、碳酸盐、草酸盐、硝酸盐、氢氧化物、卤化物、有机金属化合物等。
另外,作为氧化钴的一个方式的Co3O4由于容易保管或处理,并且在空气中价数也稳定,因此,优选作为氧化钴的原料。
接着,进行原料混合物的预烧,得到预烧材料。预烧是为了发生原料的热分解、成分的均质化、铁氧体的生成、由烧结导致的超微粉的消失和向适度的颗粒尺寸的晶粒生长,并且将原料混合物转变为适于后续工序的形态而进行的。对于预烧时间和预烧温度没有特别的限制。预烧通常在大气(空气)中进行,也可以在氧分压比大气中低的气氛中进行。
接着,进行预烧材料的粉碎,得到粉碎材料。粉碎是为了将预烧材料的凝集拆散并且制成具有适度的烧结性的粉体而进行的。预烧材料形成大块时,进行粗粉碎后,再使用球磨机或磨碎机等进行湿式粉碎。湿式粉碎进行至粉碎材料的平均粒径优选为0.1~1.0μm左右。
另外,在上述的粉碎材料的制造方法中,将主成分的粉末和副成分的粉末全部混合之后进行预烧。然而,粉碎材料的制造方法不限定于上述的方法。
对于预烧前混合的原料粉末中的一部分原料粉末,也可以在预烧后在预烧材料的粉碎时使之混合来替代预烧前使之与其它原料粉末混合。
优选在预烧材料的粉碎时混合氧化硅、氧化铋和氧化钴。在预烧材料的粉碎时混合氧化硅的情况下,优选将氧化锌的一部分或全部与氧化硅一起混合。这是由于烧结过程中容易形成下述的Zn2SiO4相。
另外,在预烧材料的粉碎时使氧化锌与氧化硅一起混合的情况下,预烧材料的粉碎时混合的氧化锌的量以物质量基准计优选为预烧材料的粉碎时混合的氧化硅的量的1.0~3.0倍。这是由于烧结过程中容易形成下述的Zn2SiO4相。
使用得到的粉碎材料来制造本实施方式所涉及的层叠型电感器。对于制造该层叠型电感器的方法没有限制,以下,使用薄片法。
首先,将得到的粉碎材料与溶剂或粘结剂等的添加剂一起浆料化,制作膏体。然后,使用该膏体形成生片。接着,将所形成的生片加工成规定的形状,经过脱粘结剂工序、烧成工序,可以得到本实施方式所涉及的层叠型电感器。烧成在线圈导体5和引出电极5a、5b的熔点以下的温度下进行。例如,在线圈导体5和引出电极5a、5b为Ag(熔点962℃)的情况下,优选在850~920℃的温度下进行。烧成时间进行通常1~5小时左右。另外,烧成可以在大气(空气)中进行,也可以在氧分压比大气中低的气氛下进行。由此得到的层叠型电感器由本实施方式所涉及的铁氧体组合物构成。
以上,对本发明的实施方式进行了说明,但是本发明丝毫没有被限定于这样的实施方式,当然可以在不脱离本发明的要点的范围内以各种实施方式进行实施。例如,作为图2所示的LC复合电子部件10中的铁氧体层4,也可以使用本发明的铁氧体组合物。另外,在图2中,符号12所示的部分为电感器部,符号14所示的部分为电容器部。
如果对本发明所涉及的铁氧体组合物进行X射线衍射或利用EPMA、STEM的元素分析解析等,则可以确认存在铁氧体相。在本发明所涉及的铁氧体组合物的优选的实施方式中,存在与所述铁氧体相不同的Zn2SiO4相。所述Zn2SiO4相的存在可以通过X射线衍射或利用EPMA、STEM的元素分析解析等确认。在用任一方法进行确认的情况下都优选以观察视野的倍率为5000~50000倍进行观察。
另外,Zn2SiO4相的含量可以通过X射线衍射装置进行确认。以下,对本申请中的Zn2SiO4相的含量的定义和测定方法进行说明。
利用X射线衍射装置测定铁氧体组合物的X射线衍射强度,测定铁氧体组合物中的尖晶石型铁氧体相的(311)面的峰强度IA和Zn2SiO4相的(311)面的峰强度IB。本申请中的Zn2SiO4相的含量为所述IB除以所述IA后的值(IB/IA)。另外,根据由X射线衍射装置显示的强度,将减去背景后的值作为所述X射线衍射强度。
对于Zn2SiO4相的含量,Zn2SiO4的(311)面的峰强度IB相对于尖晶石型铁氧体相的(311)面的峰强度IA的峰强度比IB/IA优选为0.006以上。另外,对于Zn2SiO4相的含量的上限没有特别的限定,所述IB/IA优选为0.190以下。
认为Zn2SiO4相其弹性模量和热膨胀系数与铁氧体相相比较小。而且,认为通过Zn2SiO4相对铁氧体相赋予基于热膨胀系数的差的应力,从而带来优选的电感特性。基于以上的理由,本发明人们推测形成有Zn2SiO4相的铁氧体组合物与没有形成Zn2SiO4相的铁氧体组合物相比特性更优异。
另外,Zn2SiO4相只要存在于烧结后的铁氧体组合物中即可,也可以不一定存在于烧结前的铁氧体组合物中。另外,在预烧材料的粉碎时使一部分氧化锌与氧化硅一起混合的情况下,或者在预烧材料的粉碎时添加了硅酸锌(Zn2SiO4)的情况下,容易形成Zn2SiO4相。在预烧材料的粉碎时使一部分氧化锌与氧化硅一起混合的情况下,在烧结过程中,氧化锌(ZnO)与氧化硅(SiO2)化合,形成Zn2SiO4相。但是,Zn2SiO4相的形成方法不限定于上述的方法。
另外,氧化铋(Bi2O3)具有使烧结温度降低的作用。进一步,在烧结过程中还具有促进Zn2SiO4相的生成的作用。而且,在预烧材料的粉碎时添加氧化铋的情况下,特别是促进Zn2SiO4相的生成的作用变大,可以稳定地进行Zn2SiO4相的生成。
另外,氧化钴(Co3O4)使电阻率提高,并且抑制相对于高振幅电流的Q值的降低,但是同时具有使起始导磁率的温度特性恶化的倾向。然而,由于Zn2SiO4相存在,从而具有抑制起始导磁率的温度特性的恶化的效果。同时具有将抑制相对于高振幅电流的Q值的降低的效果发挥到最大限度的效果。
实施例
以下,基于更详细的实施例来说明本发明,但是本发明不限定于这些实施例。
首先,作为主成分的原料,准备Fe2O3、NiO、CuO、ZnO、SiO2。作为副成分的原料,准备Bi2O3、Co3O4。另外,起始原料的平均粒径优选为0.05~1.00μm。
接着,以作为烧结体成为表1所记载的组成的方式称量准备的主成分原料的粉末和副成分原料的粉末。
称量后,将准备的主成分原料中的Fe2O3、NiO、CuO以及根据需要的ZnO的一部分利用球磨机湿式混合16小时,得到原料混合物。
接着,将得到的原料混合物干燥之后,在空气中预烧,得到预烧物。预烧温度根据原料混合物的组成在500~900℃的范围进行适当选择。其后,一边在预烧物中添加所述副成分的原料、SiO2、以及所述湿式混合工序中没有混合的ZnO的剩余部分,一边利用球磨机进行粉碎,得到粉碎粉。
对于预烧物中添加的所述ZnO的剩余部分的量,以摩尔换算成为所述SiO2的添加量的1.0~3.0倍。
接着,将该粉碎粉干燥之后,在100重量份的粉碎粉中添加作为粘结剂的6wt%浓度的聚乙烯醇水溶液10.0重量份,进行造粒,从而制成颗粒。对该颗粒进行加压成形,得到环形形状A(尺寸=外径13mm×内径6mm×高度3mm)的成形体、环形形状B(尺寸=外径8mm×内径4mm×高度2.5mm)的成形体、以及圆盘形状(尺寸=外径12mm×高度2mm)的成形体。
接着,将这些各成形体在空气中在Ag的熔点(962℃)以下、即在860~900℃下烧成2小时,得到作为烧结体的环形芯样品A、环形芯样品B以及圆盘样品。进一步对得到的各样品进行以下的特性评价。另外,通过荧光X射线分析装置确认了称量后的原料粉末与烧成后的成形体其组成几乎没有变化。
电阻率ρ
在圆盘样品的两面涂布In-Ga电极,测定直流电阻值,求得电阻率ρ(单位:Ω·m)。测定使用IR测定仪(HEWLETT PACKARD公司制造的4329A)进行。在本实施例中,将电阻率ρ为106Ω·m以上作为良好。对于电阻率ρ小于105Ω·m的样品,有判断为不值得进行其它特性评价而省略以下的特性评价的情况。
起始导磁率μ
i
在环形芯样品A上卷绕10匝铜线绕线,使用LCR测试仪(AgilentTechnologies,Inc.制造的4991A)测定起始导磁率μi。作为测定条件,测定频率为1MHz,测定温度为25℃。
直流重叠特性
在环形芯样品A上卷绕10匝铜线绕线,测定施加直流电流时的导磁率μ。一边使施加的直流电流变化至0~8A一边测定导磁率μ,横轴取直流电流,纵轴取导磁率,进行制图。直流电流0A时的导磁率为起始导磁率μi。然后,求得导磁率从μi降低30%时的电流值Idc30%下降(down)。
在施加的直流电流为8A以下的阶段中导磁率降低了30%的情况下,导磁率降低了30%时的直流电流为Idc30%下降(down)。在施加的直流电流为8A的时间点导磁率没有降低30%的情况下,根据直流电流8A时的图的倾斜度算出Idc30%下降(down)。在施加的直流电流在0~8A之间导磁率μ没有发生变化的情况下,Idc30%下降(down)为不饱和。
在本实施例中,在Idc30%下降(down)不饱和或10.0A以上的情况下,记为直流重叠特性良好。
Q的降低率
在环形芯样品B上将铜线绕线在初级侧卷绕6匝,在次级侧卷绕3匝,使用B-H分析仪(岩通计测制造的SY-8218)和放大器(NF电路设计模块制造的4101-IW),测定施加了100A/m外部磁场的情况下的Q值、以及施加了500A/m的情况下的Q值。作为外部磁场以外的测定条件,测定频率为3MHz,测定温度为25℃。根据测得的Q值,算出使外部磁场从100A/m上升至500A/m的情况下的Q的降低率。
在本实施例中,将使外部磁场从100A/m上升至500A/m的情况下的Q的降低率为45.0%以下的情况记为良好。另外,在Q的降低率小的情况下,相对于高振幅电流的Q值的劣化也变少。
起始导磁率μ
i
的温度特性
将室温25℃作为基准,求得25℃~125℃下的起始导磁率μi的变化率。在本实施例中,将μi的变化率为±30%以内的情况记为良好。
Zn
2
SiO
4
相的有无和含量
对于所述烧结后的铁氧体组合物,通过STEM来调查有无Zn2SiO4相。观察视野的倍率为20000倍。另外,通过X射线衍射装置(Panalytical公司制造的X‘Pert PRO MPD CuKα射线)来调查Zn2SiO4的含量。
将以上的试验结果汇总于表1中。
[表1]
※为比较例
根据表1可以确认,在主成分和副成分的含量在本发明的范围内的情况下,全部特性为良好。
在主成分的组成在本发明的范围内并且不含有Co3O4的情况下(样品号4、11、47),电阻率ρ小于106。在Co3O4的添加量超过8.0重量份的情况下(样品号5a、5d),起始导磁率的温度特性或电阻率ρ发生了恶化。
在主成分的组成在本发明的范围内并且不含有Bi2O3的情况下(样品号21、25、47),电阻率ρ显著地降低且小于105。在Bi2O3的添加量超过5.00重量份的情况下(样品号13),电阻率小于106,且直流重叠特性和Q的降低率发生了恶化。
在Fe2O3的含量小于23.0摩尔%的情况下(样品号27),电阻率显著地降低且小于105。
在ZnO的含量超过43.0摩尔%的情况下(样品号48),直流重叠特性和Q的降低率发生了恶化。进一步,由于居里温度降低至100℃以下,因此,不能测定起始导磁率的温度特性。
在CuO的含量小于3.0摩尔%的情况下(样品号49),电阻率显著地降低且小于105。
在SiO2的含量小于1.5摩尔%的情况下(样品号12、40、44),直流重叠特性发生了恶化。在样品12、44中,Q的降低率也发生了恶化。在SiO2的含量超过13.0摩尔%的情况下(样品号48),直流重叠特性和Q的降低率发生了恶化。
在全部实施例的烧结后的铁氧体组合物中,确认了Zn2SiO4相存在。而且,确认了所述Zn2SiO4相的含量(IB/IA)为0.006以上。
接着,除了以作为烧结体成为表2~表8所记载的组成的方式称量准备好的主成分原料的粉末和副成分原料的粉末以外,与表1所记载的实施例同样地实施。另外,在表8的样品号121中添加规定量的氧化镁,在样品号122中添加规定量的氧化铝。
[表2]
[表3]
[表4]
[表5]
[表6]
[表7]
[表8]
根据表2~表7可以确认,即使在规定的范围内使各成分的含量发生变化,在主成分和副成分的含量在本发明的范围内的情况下全部特性也为良好。根据表8可以确认,即使添加氧化镁和氧化铝,在主成分和副成分的含量在本发明的范围内的情况下全部特性也为良好。
Claims (3)
1.一种铁氧体组合物,其特征在于,
主成分由以下的化合物构成:以Fe2O3换算为23.0~47.0摩尔%的Fe的化合物、以CuO换算为3.0~16.0摩尔%的Cu的化合物、以ZnO换算为4.0~39.0摩尔%的Zn的化合物、以SiO2换算为1.5~13.0摩尔%的Si的化合物、以及剩余部分的Ni的化合物,
相对于100重量份的所述主成分,含有以Co3O4换算为0.1~8.0重量份的Co的化合物、以及以Bi2O3换算为0.25~5.00重量份的Bi的化合物来作为副成分。
2.如权利要求1所述的铁氧体组合物,其特征在于,
具有Zn2SiO4相。
3.一种电子部件,其特征在于,
具有由权利要求1或2所述的铁氧体组合物构成的铁氧体烧结体。
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