JP2674624B2 - チップインダクタ - Google Patents
チップインダクタInfo
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- Japan
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- chip inductor
- mol
- magnetic field
- core
- epoxy resin
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- Soft Magnetic Materials (AREA)
- Coils Or Transformers For Communication (AREA)
Description
【発明の詳細な説明】
(産業上の利用分野)
本発明は、1MHz以上の高周波で用いられるチップイン
ダクタに関し、特にTV、ビデオテープレコーダ等に用い
られるチップインダクタに関するものである。 (従来の技術) このチップインダクタは、従来Ni−Zn系フェライトで
あって、Fe2O346〜50mol%、ZnO0〜15mol%、残りがNiO
及びCuOの組成を有していた。そして、この組成のフェ
ライトをドラム型コアに形成し、巻線を施し、エポキシ
樹脂でモールドしていた。 (発明が解決しようとする問題点) 従来のチップインダクタは、エポキシ樹脂で被覆する
際、エポキシ樹脂によりコアに応力が加わり、インダク
タンスが低下するという問題点、更には、チップインダ
クタを回路基板等へ自動装着する際、チップインダクタ
を磁石で保持して装着させること等による外部磁界が印
加された後に、インダクタンスが低下するという問題点
が生じていた。磁界特性が小さいことが要求されてい
る。 しかし、従来の組成では、上記の加圧特性及び磁場特
性が大きく、問題となっていた。 本発明は、上記の事を鑑みて、加圧特性、磁場特性の
優れたチップインダクタを提供することを目的とするも
のである。 (問題点を解決するための手段) 本発明は、31〜46mol%のFe2O3、15〜29mol%のZnO、
残りがNiOとCuOであり、NiOのモル比がCuOのモル比より
も多いスピネル型組成物であって、小量成分として0.33
〜1.0wt%のCo3O4又はこれに相当する量のコバルト酸化
物又はコバルト炭酸化物等、及び0.05〜4.0wt%のSiO2
を含むフェライト組成物からなるドラム型コアに巻線を
施し、更にエポキシ樹脂でモールドするものである。 本発明において、フェライト組成物の組成範囲を限定
した理由は、以下のとおりである。 まず、主成分が、上記組成範囲以外では、加圧特性、
磁場特性が劣化する。 次に、添加物SiO2は、初透磁率の値を制御するために
使用するものであり、SiO2を4.0wt%より多く含有せし
めた場合、コアの焼結性が悪化し、密度がとれず、コア
自体の強度が低下するため、0.05〜4.0wt%の範囲とす
る。 そして、Co3O4は、Qの周波数特性を改善するために
使用するものである。但し、その添加量が多過ぎると、
相対温度係数が30ppm/℃を超えるため、0.33〜1.0wt%
の範囲とする。 (実施例) Fe2O341.5mol%、NiO20.8mol%、ZnO27.4mol%、CuO1
0.4mol%の主成分に、SiO21.13wt%、Co3O40.5wt%を添
加した原料を振動ミルにて混合し、800〜900℃で仮焼
し、この仮焼粉体を振動ミルにて粉砕し、バインダを加
え造粒し、圧縮成形して丸棒状コアを成形し、乾燥した
後ダイヤモンドグラインダーで溝加工し、ドラム型コア
とし、これを空気中で1050℃で焼成し、外径1.8mm、全
長1.3mm、芯径0.7mmのドラム型コアを得た。また、同時
に外径30mm、内径20mm、高さ7mmのトロイダルコアを得
た。 これらコアの材料特性を第1表に示す。尚、従来材
は、Fe2O349.0mol%、NiO38.0mol%、ZnO10.0mol%、Cu
O3.0mol%の組成のものである。 このドラム型コアに直径0.04mmの被膜銅線を40turn巻
き、更にエポキシ樹脂でモールドし、チップインダクタ
を得た。 この本発明の一実施例のチップインダクタと従来例の
チップインダクタとの特性比較を第2表に示す。 この第2表の加圧によるL変化率は、ドラム型コアの
エポキシ樹脂モールド前後のLにより算出した。また、
磁場印加によるL変化率は、このエポキシ樹脂モールド
した状態で、外部磁場(約1000Gauss)印加前後のLに
より算出した。また、Qは、エポキシ樹脂モールド前の
コアを用い、周波数5MHzで測定した。また、直流重畳
は、L値が5%低下する直流電流の値を測定した。 この第2表から明らかなように、本発明のチップイン
ダクタは、加圧特性、磁気特性が非常に優れている。 また、第1図に、含有するFe2O3量と、樹脂モールド
した状態での磁場印加(1000Gauss)によるLの変化率
のグラフを示す。尚、第1図における各試料の組成を第
3表に示す。同一条件で測定した従来のチップインダク
タでは、Lの変化率は10%以上であり、本発明のチップ
インダクタが、加圧特性及び磁場特性に優れていること
がわかる。 (発明の効果) 本発明のチップインダクタは、加圧特性及び磁場特性
に優れており、樹脂モールドしてもL値の劣化がなく、
又回路への自動装着の際に強力な磁石で保持する事等に
よる外部磁界が印加されてもL値の劣化の少ないチップ
インダクタであって、比較的温度特性も安定で、1MHz以
上の高周波においても損失が少ないチップインダクタで
あり、産業上極めて有益なものである、
ダクタに関し、特にTV、ビデオテープレコーダ等に用い
られるチップインダクタに関するものである。 (従来の技術) このチップインダクタは、従来Ni−Zn系フェライトで
あって、Fe2O346〜50mol%、ZnO0〜15mol%、残りがNiO
及びCuOの組成を有していた。そして、この組成のフェ
ライトをドラム型コアに形成し、巻線を施し、エポキシ
樹脂でモールドしていた。 (発明が解決しようとする問題点) 従来のチップインダクタは、エポキシ樹脂で被覆する
際、エポキシ樹脂によりコアに応力が加わり、インダク
タンスが低下するという問題点、更には、チップインダ
クタを回路基板等へ自動装着する際、チップインダクタ
を磁石で保持して装着させること等による外部磁界が印
加された後に、インダクタンスが低下するという問題点
が生じていた。磁界特性が小さいことが要求されてい
る。 しかし、従来の組成では、上記の加圧特性及び磁場特
性が大きく、問題となっていた。 本発明は、上記の事を鑑みて、加圧特性、磁場特性の
優れたチップインダクタを提供することを目的とするも
のである。 (問題点を解決するための手段) 本発明は、31〜46mol%のFe2O3、15〜29mol%のZnO、
残りがNiOとCuOであり、NiOのモル比がCuOのモル比より
も多いスピネル型組成物であって、小量成分として0.33
〜1.0wt%のCo3O4又はこれに相当する量のコバルト酸化
物又はコバルト炭酸化物等、及び0.05〜4.0wt%のSiO2
を含むフェライト組成物からなるドラム型コアに巻線を
施し、更にエポキシ樹脂でモールドするものである。 本発明において、フェライト組成物の組成範囲を限定
した理由は、以下のとおりである。 まず、主成分が、上記組成範囲以外では、加圧特性、
磁場特性が劣化する。 次に、添加物SiO2は、初透磁率の値を制御するために
使用するものであり、SiO2を4.0wt%より多く含有せし
めた場合、コアの焼結性が悪化し、密度がとれず、コア
自体の強度が低下するため、0.05〜4.0wt%の範囲とす
る。 そして、Co3O4は、Qの周波数特性を改善するために
使用するものである。但し、その添加量が多過ぎると、
相対温度係数が30ppm/℃を超えるため、0.33〜1.0wt%
の範囲とする。 (実施例) Fe2O341.5mol%、NiO20.8mol%、ZnO27.4mol%、CuO1
0.4mol%の主成分に、SiO21.13wt%、Co3O40.5wt%を添
加した原料を振動ミルにて混合し、800〜900℃で仮焼
し、この仮焼粉体を振動ミルにて粉砕し、バインダを加
え造粒し、圧縮成形して丸棒状コアを成形し、乾燥した
後ダイヤモンドグラインダーで溝加工し、ドラム型コア
とし、これを空気中で1050℃で焼成し、外径1.8mm、全
長1.3mm、芯径0.7mmのドラム型コアを得た。また、同時
に外径30mm、内径20mm、高さ7mmのトロイダルコアを得
た。 これらコアの材料特性を第1表に示す。尚、従来材
は、Fe2O349.0mol%、NiO38.0mol%、ZnO10.0mol%、Cu
O3.0mol%の組成のものである。 このドラム型コアに直径0.04mmの被膜銅線を40turn巻
き、更にエポキシ樹脂でモールドし、チップインダクタ
を得た。 この本発明の一実施例のチップインダクタと従来例の
チップインダクタとの特性比較を第2表に示す。 この第2表の加圧によるL変化率は、ドラム型コアの
エポキシ樹脂モールド前後のLにより算出した。また、
磁場印加によるL変化率は、このエポキシ樹脂モールド
した状態で、外部磁場(約1000Gauss)印加前後のLに
より算出した。また、Qは、エポキシ樹脂モールド前の
コアを用い、周波数5MHzで測定した。また、直流重畳
は、L値が5%低下する直流電流の値を測定した。 この第2表から明らかなように、本発明のチップイン
ダクタは、加圧特性、磁気特性が非常に優れている。 また、第1図に、含有するFe2O3量と、樹脂モールド
した状態での磁場印加(1000Gauss)によるLの変化率
のグラフを示す。尚、第1図における各試料の組成を第
3表に示す。同一条件で測定した従来のチップインダク
タでは、Lの変化率は10%以上であり、本発明のチップ
インダクタが、加圧特性及び磁場特性に優れていること
がわかる。 (発明の効果) 本発明のチップインダクタは、加圧特性及び磁場特性
に優れており、樹脂モールドしてもL値の劣化がなく、
又回路への自動装着の際に強力な磁石で保持する事等に
よる外部磁界が印加されてもL値の劣化の少ないチップ
インダクタであって、比較的温度特性も安定で、1MHz以
上の高周波においても損失が少ないチップインダクタで
あり、産業上極めて有益なものである、
【図面の簡単な説明】
第1図は、含有するFe2O3量と、樹脂モールドした状態
での磁場印加(1000Gauss)によるLの変化率のグラフ
である。
での磁場印加(1000Gauss)によるLの変化率のグラフ
である。
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平1−28235(JP,A)
特公 昭48−5559(JP,B1)
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 1.31〜46mol%のFe2O3、15〜29mol%のZnO、残りがNi
OとCuOであり、NiOのモル比がCuOのモル比よりも多いス
ピネル型組成物であって、小量成分として0.33〜1.0wt
%のCo3O4又はこれに相当する量のコバルト酸化物又は
コバルト炭酸化物等、及び0.05〜4.0wt%のSiO2を含む
フェライト組成物からなるドラム型コアに巻線を施し、
更にエポキシ樹脂でモールドしたことを特徴とするチッ
プインダクタ。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62259898A JP2674624B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | チップインダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP62259898A JP2674624B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | チップインダクタ |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH01101610A JPH01101610A (ja) | 1989-04-19 |
JP2674624B2 true JP2674624B2 (ja) | 1997-11-12 |
Family
ID=17340468
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP62259898A Expired - Lifetime JP2674624B2 (ja) | 1987-10-14 | 1987-10-14 | チップインダクタ |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP2674624B2 (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006151702A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Hitachi Metals Ltd | フェライト磁性材料及びこれを用いた電子部品 |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0724243B2 (ja) * | 1988-11-18 | 1995-03-15 | ティーディーケイ株式会社 | インダクタ用磁心及びインダクタデバイス |
JPH0391209A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Hitachi Ferrite Ltd | チップインダクタ |
US5906768A (en) * | 1996-04-03 | 1999-05-25 | Tdk Corporation | Ferrite magnetic material, and ferrite core |
FR2747228B1 (fr) * | 1996-04-05 | 1998-07-17 | Thomson Csf | Ferrite a faibles pertes entre 1 mhz et 100 mhz et procede de realisation |
JP6024843B1 (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-16 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および電子部品 |
JP6032379B2 (ja) * | 2015-04-02 | 2016-11-30 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および電子部品 |
Family Cites Families (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS6428235A (en) * | 1987-07-24 | 1989-01-30 | Fuji Electrochemical Co Ltd | Pressurization-stable oxide magnetic material |
-
1987
- 1987-10-14 JP JP62259898A patent/JP2674624B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006151702A (ja) * | 2004-11-25 | 2006-06-15 | Hitachi Metals Ltd | フェライト磁性材料及びこれを用いた電子部品 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JPH01101610A (ja) | 1989-04-19 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080718 Year of fee payment: 11 |
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EXPY | Cancellation because of completion of term | ||
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Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080718 Year of fee payment: 11 |