JP3405630B2 - フェライト材料 - Google Patents
フェライト材料Info
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- JP3405630B2 JP3405630B2 JP33750395A JP33750395A JP3405630B2 JP 3405630 B2 JP3405630 B2 JP 3405630B2 JP 33750395 A JP33750395 A JP 33750395A JP 33750395 A JP33750395 A JP 33750395A JP 3405630 B2 JP3405630 B2 JP 3405630B2
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
Description
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系のフ
ェライト材料に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】フェライト材料はインダクター素子等と
して広く使用されている。例えば、Ｆｅ2 Ｏ3 −ＺｎＯ
−ＮｉＯを主成分とするＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料を
用いてフェライトコアを製造し、この巻線部にコイル線
を巻回してコイル線接続用のリードピンをフェライトコ
アに取り付けて半田付けし、エポキシ樹脂でモールドし
た構造のインダクター素子が使用されている。 【０００３】そして、このＮｉ−Ｚｎ系フェライトにお
いて、耐熱衝撃性や、磁気特性を向上させるためにさま
ざまな提案がなされている。例えば特開平１−２２８１
０８号、１−１０３９５３号公報には、フェライトの結
晶粒界にＭｎＯ、Ｂｉ2 Ｏ3、ＳｉＯ2 からなる粒界相
を形成し、この粒界相によって応力を緩和し耐熱衝撃性
を高めたフェライト材料が示されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のＮｉ
−Ｚｎ系フェライト材料からなるフェライトコアにおい
て、樹脂モールドした場合に、樹脂の硬化時や硬化温度
から室温への冷却時等に樹脂の収縮による圧縮応力が加
わり、この圧縮応力のためにフェライトコアのインダク
タンスが低下してしまうという問題点があった。そのた
め、このインダクター素子を用いた回路は信頼性が低い
という不都合があった。 【０００５】なお、インダクタンスの低下率が常に一定
であれば予め調整ができるが、樹脂モールド時の圧力が
ばらつくために、インダクタンスの低下率もばらついて
しまう。そのため、圧縮応力に対してインダクタンス低
下率の小さい材料が望まれていた。特にＱ値が高く、透
磁率が６０以下であるような材料において、この要望が
顕著であった。 【０００６】そこで、この問題点を解決するために、特
開平３−２１８９６２号公報には、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系
フェライト材料に対し、０．０５〜０．６０重量％のＣ
ｏ3Ｏ4 と、３〜５重量％のＢｉ2 Ｏ3 と、０．１０〜
２．０重量％のＳｉＯ2 を添加することが提案されてい
る。 【０００７】しかし、上記特開平３−２１８９６２号公
報に記載されたフェライト材料は、Ｃｏ3 Ｏ4 量が少な
く、またＢｉ2 Ｏ3 量が多いために１ＭＨｚ以上の高周
波でのＱ値が低下してしまうだけでなく、ＳｉＯ2 を含
むために透磁率が低く、焼成温度が高くなってしまうと
いう問題点があった。 【０００８】そこで、本発明は、樹脂モールド時に圧縮
応力を受けてもインダクタンスの変動が小さく、かつ１
ＭＨｚ以上の高周波でのＱ値の低下がなく、しかも低温
で焼成可能なフェライト材料を得ることを目的とする。 【０００９】具体的には、一軸荷重０．２〜８ｋｇｆ／
ｍｍ2 を加えても、インダクタンス変化率（ΔＬ／Ｌ×
１００）が±２％以下であり、かつＱ値の高い特性を持
つフェライト材料を得ることを目的とする。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系
フェライトの主成分の組成比が、酸化物換算で５０．１
〜５６モル％のＦｅ2Ｏ3と、３０．１〜３５モル％のＺ
ｎＯと、６モル％以下のＣｕＯと、４モル％以下のＭｎ
Ｏと、残部がＮｉＯからなり、これら主成分１００重量
部に対して０．６１〜２重量部のＣｏＯと０．５〜２重
量部のＢｉ2Ｏ3を添加したことを特徴とする。 【００１１】即ち、本発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト
に対して、所定量のＣｏＯとＢｉ2Ｏ3を添加することに
よって、樹脂モールド時に圧縮応力が加わってもインダ
クタンス変動を小さくできるようにしたものである。 【００１２】また、上記添加成分は、ＣｏＯが０．６１
〜２重量部、Ｂｉ2 Ｏ3 が０．５〜２重量部の範囲で添
加することが重要である。これは、ＣｏＯが０．６１重
量部未満又はＢｉ2 Ｏ3 が０．５重量部未満では、１Ｍ
Ｈｚ以上の高周波でのＱ値が低下してしまい、一方Ｃｏ
Ｏが２重量部を超えると圧縮応力が加わった際のインダ
クタンス変動が大きくなってしまい、またＢｉ2 Ｏ3 が
２重量部を超えると焼成時の粒成長により高周波でのＱ
値が低下してしまうためである。 【００１３】さらに、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの主成分
の組成比を上記範囲とした理由は、Ｆｅ2 Ｏ3 が５０．
１モル％未満又はＺｎＯが３０．１モル％未満では透磁
率が低下し、Ｆｅ2 Ｏ3 が５６モル％を超えるとＱ値が
低下し、ＺｎＯが３５モル％を超えるとキュリー点が低
くなるためである。 【００１４】また、ＣｕＯとＭｎＯの含有量を上記範囲
としたのは、ＣｕＯが６モル％を超えるか又はＭｎＯが
４モル％を超えると焼結体中に液相が生成して粒成長が
起こりやすくなりＱ値が低下してしまうためである。な
お、ＣｕＯとＭｎＯは必須成分ではないが、応力緩和効
果を高め、耐熱衝撃性を高くするためには、それぞれ
０．０１モル％以上含有することが好ましい。 【００１５】さらに、本発明においては、これらの成分
以外の不純物を１重量％以下の範囲で含んでいても良い
が、ＳｉＯ2については０．０３重量％以下とすること
が好ましい。これはＳｉＯ2が０．０３重量％を超える
と透磁率が低くなり焼成温度が高くなるためである。 【００１６】 【００１７】 【００１８】 【００１９】 【００２０】 【００２１】 【００２２】 【００２３】 【００２４】 【００２５】 【００２６】 【００２７】 【００２８】 【００２９】 【００３０】 【００３１】以上の本発明によって、荷重が加わった時
のインダクタンス変動を小さくできる理由は以下の通り
である。即ち、一般にＮｉ−Ｚｎ系フェライトに荷重を
加えると、インダクタンスは小さくなる傾向があり、こ
れを磁歪が負（−）であるという。しかし、上記のよう
な添加剤を加えることによって、磁歪を正（＋）にする
ことができるが、この場合でも荷重を大きくするとつい
には負（−）になる。したがって、例えば±２％の許容
範囲で磁歪が正（＋）となるように調整しておけば、さ
らに荷重が加わって磁歪が負（−）となっても充分に許
容範囲内とすることができ、その結果幅広い荷重に耐え
るフェライト材料とできるのである。 【００３２】以上のような本発明のフェライト材料の製
造方法は、上記組成範囲となるように各原料を調合し、
ボールミル等で粉砕混合した後、スプレードライヤー等
で造粒し、得られた粉体をプレス成形によって所定形状
に成形し、必要に応じて切削加工を施した後、９００〜
１３００℃の範囲で焼成することによって得ることがで
きる。 【００３３】そして、上記本発明のフェライト材料によ
り例えばドラム型のフェライトコアを製造すれば、樹脂
モールド時に圧縮応力を受けてもインダクタンスの変動
を±２％以下に小さくすることができる。 【００３４】なお、本発明のフェライト材料は、フェラ
イトコアに限らずさまざまな用途に用いることができ
る。例えば、各種電子部品を搭載したり、分割して電子
部品とするためのフェライト基板や、電磁波を吸収して
磁気ヘッド等をシールドしたり、発熱したりするための
電磁波吸収部材等として用いることができる。 【００３５】 【実施例】以下本発明の実施例を説明する。 【００３６】実施例１ ５１モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、１４モル％のＮｉＯと、３
０．１モル％のＺｎＯと、４．５モル％のＣｕＯと、
０．４モル％のＭｎＯからなるフェライト粉末１００重
量部に対し、ＣｏＯとＢｉ2 Ｏ3 の添加量を表１に示す
ように種々に変化させて各原料を調合した。 【００３７】得られた原料を振動ミルで混合した後、８
００〜９００℃で仮焼し、この仮焼粉体をボールミルに
て粉砕し、所定のバインダを加えて造粒した後、圧縮成
形して円柱体に成形した。この成形体を乾燥した後、切
削加工し、１０５０℃で焼成することによって図１に示
すような中央の巻線部１ａと両端のフランジ部１ｂを有
するドラム型のフェライトコア１を得た。なお、寸法は
全長１．８ｍｍ、フランジ部１ｂの外径１．５ｍｍと
し、このフェライトコア１に線径０．０４ｍｍの被膜銅
線を４０回巻いてインダクター素子を構成した。 【００３８】各インダクター素子について、２０ＭＨｚ
におけるインダクタンスＬとＱ値を測定した後、それぞ
れ軸方向に０〜３ｋｇの荷重を加えた時のインダクタン
スＬの変化率ΔＬ／Ｌの最大値を求めた。 【００３９】結果は表１に示す通りであり、また荷重と
インダクタンス変化率との関係は図２に示す。この結果
より明らかに、ＣｏＯとＢｉ2 Ｏ3 の添加量が第１発明
の範囲外であるＮｏ．４〜７では、荷重を加えた時のイ
ンダクタンスＬの変化率ΔＬ／Ｌが３％以上と大きく、
またＱ値も３０未満と低いものであった。 【００４０】これに対し、本発明の実施例であるＮｏ．
１〜３では、荷重を加えた時のインダクタンスＬの変化
率ΔＬ／Ｌが０．５〜０．６％と小さく、またＱ値が５
０以上と高いことが確認された。 【００４１】 【表１】 【００４２】実施例２ 次に、５１モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、１２モル％のＮｉＯ
と、３１モル％のＺｎＯと、５．５モル％のＣｕＯと、
０．５モル％のＭｎＯからなるフェライト粉末１００重
量部に対し、ＣｏＯとＢｉ2 Ｏ3 の添加量を表２に示す
ように種々に変化させて各原料を調合した。それぞれ、
上記実施例１と同様にしてフェライトコアを作製し、イ
ンダクター素子を構成した後、インダクタンスＬとＱ値
を測定し、０〜３ｋｇの荷重を加えた時のインダクタン
スＬの変化率ΔＬ／Ｌの最大値を求めた。 【００４３】結果は表２に示す通りである。この結果よ
り明らかに、ＣｏＯとＢｉ2 Ｏ3 の添加量が第１発明の
範囲外であるＮｏ．１１、１２では、荷重を加えた時の
インダクタンスＬの変化率ΔＬ／Ｌが３％以上と大き
く、またＱ値も３０未満と低いものであった。 【００４４】これに対し、第１発明実施例であるＮｏ．
８〜１０では、荷重を加えた時のインダクタンスＬの変
化率ΔＬ／Ｌが０．５〜０．８％と小さく、またＱ値が
５０以上と高いことが確認された。 【００４５】 【表２】 【００４６】 【００４７】 【００４８】 【００４９】 【００５０】 【００５１】 【００５２】 【００５３】 【００５４】 【００５５】 【００５６】 【００５７】 【００５８】 【００５９】 【００６０】 【００６１】 【００６２】 【００６３】 【００６４】 【００６５】 【００６６】 【００６７】 【００６８】 【００６９】 【００７０】 【００７１】 【００７２】 【発明の効果】以上のように、本発明によれば、主成分
の組成比が、酸化物換算で５０．１〜５６モル％のＦｅ
2Ｏ3と、３０．１〜３５モル％のＺｎＯと、６モル％以
下のＣｕＯと、４モル％以下のＭｎＯと、残部がＮｉＯ
からなり、これら主成分１００重量部に対して０．６１
〜２重量部のＣｏＯと０．５〜２重量部のＢｉ2Ｏ3を添
加してフェライト材料を構成したことによって、荷重が
加わった時のインダクタンスの変動を極めて小さくし、
しかも高周波でのＱ値を高くすることができる。 【００７３】 【００７４】 【００７５】そのため、本発明のフェライト材料でフェ
ライトコアを形成すれば、樹脂モールド時に圧縮応力が
加わってもインダクタンスの変動が小さく、また高周波
でのＱ値が高いことから誘電損失の小さい高信頼性のフ
ェライトコアを得ることができる。
ェライト材料に関するものである。 【０００２】 【従来の技術】フェライト材料はインダクター素子等と
して広く使用されている。例えば、Ｆｅ2 Ｏ3 −ＺｎＯ
−ＮｉＯを主成分とするＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料を
用いてフェライトコアを製造し、この巻線部にコイル線
を巻回してコイル線接続用のリードピンをフェライトコ
アに取り付けて半田付けし、エポキシ樹脂でモールドし
た構造のインダクター素子が使用されている。 【０００３】そして、このＮｉ−Ｚｎ系フェライトにお
いて、耐熱衝撃性や、磁気特性を向上させるためにさま
ざまな提案がなされている。例えば特開平１−２２８１
０８号、１−１０３９５３号公報には、フェライトの結
晶粒界にＭｎＯ、Ｂｉ2 Ｏ3、ＳｉＯ2 からなる粒界相
を形成し、この粒界相によって応力を緩和し耐熱衝撃性
を高めたフェライト材料が示されている。 【０００４】 【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のＮｉ
−Ｚｎ系フェライト材料からなるフェライトコアにおい
て、樹脂モールドした場合に、樹脂の硬化時や硬化温度
から室温への冷却時等に樹脂の収縮による圧縮応力が加
わり、この圧縮応力のためにフェライトコアのインダク
タンスが低下してしまうという問題点があった。そのた
め、このインダクター素子を用いた回路は信頼性が低い
という不都合があった。 【０００５】なお、インダクタンスの低下率が常に一定
であれば予め調整ができるが、樹脂モールド時の圧力が
ばらつくために、インダクタンスの低下率もばらついて
しまう。そのため、圧縮応力に対してインダクタンス低
下率の小さい材料が望まれていた。特にＱ値が高く、透
磁率が６０以下であるような材料において、この要望が
顕著であった。 【０００６】そこで、この問題点を解決するために、特
開平３−２１８９６２号公報には、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系
フェライト材料に対し、０．０５〜０．６０重量％のＣ
ｏ3Ｏ4 と、３〜５重量％のＢｉ2 Ｏ3 と、０．１０〜
２．０重量％のＳｉＯ2 を添加することが提案されてい
る。 【０００７】しかし、上記特開平３−２１８９６２号公
報に記載されたフェライト材料は、Ｃｏ3 Ｏ4 量が少な
く、またＢｉ2 Ｏ3 量が多いために１ＭＨｚ以上の高周
波でのＱ値が低下してしまうだけでなく、ＳｉＯ2 を含
むために透磁率が低く、焼成温度が高くなってしまうと
いう問題点があった。 【０００８】そこで、本発明は、樹脂モールド時に圧縮
応力を受けてもインダクタンスの変動が小さく、かつ１
ＭＨｚ以上の高周波でのＱ値の低下がなく、しかも低温
で焼成可能なフェライト材料を得ることを目的とする。 【０００９】具体的には、一軸荷重０．２〜８ｋｇｆ／
ｍｍ2 を加えても、インダクタンス変化率（ΔＬ／Ｌ×
１００）が±２％以下であり、かつＱ値の高い特性を持
つフェライト材料を得ることを目的とする。 【００１０】 【課題を解決するための手段】本発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系
フェライトの主成分の組成比が、酸化物換算で５０．１
〜５６モル％のＦｅ2Ｏ3と、３０．１〜３５モル％のＺ
ｎＯと、６モル％以下のＣｕＯと、４モル％以下のＭｎ
Ｏと、残部がＮｉＯからなり、これら主成分１００重量
部に対して０．６１〜２重量部のＣｏＯと０．５〜２重
量部のＢｉ2Ｏ3を添加したことを特徴とする。 【００１１】即ち、本発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト
に対して、所定量のＣｏＯとＢｉ2Ｏ3を添加することに
よって、樹脂モールド時に圧縮応力が加わってもインダ
クタンス変動を小さくできるようにしたものである。 【００１２】また、上記添加成分は、ＣｏＯが０．６１
〜２重量部、Ｂｉ2 Ｏ3 が０．５〜２重量部の範囲で添
加することが重要である。これは、ＣｏＯが０．６１重
量部未満又はＢｉ2 Ｏ3 が０．５重量部未満では、１Ｍ
Ｈｚ以上の高周波でのＱ値が低下してしまい、一方Ｃｏ
Ｏが２重量部を超えると圧縮応力が加わった際のインダ
クタンス変動が大きくなってしまい、またＢｉ2 Ｏ3 が
２重量部を超えると焼成時の粒成長により高周波でのＱ
値が低下してしまうためである。 【００１３】さらに、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの主成分
の組成比を上記範囲とした理由は、Ｆｅ2 Ｏ3 が５０．
１モル％未満又はＺｎＯが３０．１モル％未満では透磁
率が低下し、Ｆｅ2 Ｏ3 が５６モル％を超えるとＱ値が
低下し、ＺｎＯが３５モル％を超えるとキュリー点が低
くなるためである。 【００１４】また、ＣｕＯとＭｎＯの含有量を上記範囲
としたのは、ＣｕＯが６モル％を超えるか又はＭｎＯが
４モル％を超えると焼結体中に液相が生成して粒成長が
起こりやすくなりＱ値が低下してしまうためである。な
お、ＣｕＯとＭｎＯは必須成分ではないが、応力緩和効
果を高め、耐熱衝撃性を高くするためには、それぞれ
０．０１モル％以上含有することが好ましい。 【００１５】さらに、本発明においては、これらの成分
以外の不純物を１重量％以下の範囲で含んでいても良い
が、ＳｉＯ2については０．０３重量％以下とすること
が好ましい。これはＳｉＯ2が０．０３重量％を超える
と透磁率が低くなり焼成温度が高くなるためである。 【００１６】 【００１７】 【００１８】 【００１９】 【００２０】 【００２１】 【００２２】 【００２３】 【００２４】 【００２５】 【００２６】 【００２７】 【００２８】 【００２９】 【００３０】 【００３１】以上の本発明によって、荷重が加わった時
のインダクタンス変動を小さくできる理由は以下の通り
である。即ち、一般にＮｉ−Ｚｎ系フェライトに荷重を
加えると、インダクタンスは小さくなる傾向があり、こ
れを磁歪が負（−）であるという。しかし、上記のよう
な添加剤を加えることによって、磁歪を正（＋）にする
ことができるが、この場合でも荷重を大きくするとつい
には負（−）になる。したがって、例えば±２％の許容
範囲で磁歪が正（＋）となるように調整しておけば、さ
らに荷重が加わって磁歪が負（−）となっても充分に許
容範囲内とすることができ、その結果幅広い荷重に耐え
るフェライト材料とできるのである。 【００３２】以上のような本発明のフェライト材料の製
造方法は、上記組成範囲となるように各原料を調合し、
ボールミル等で粉砕混合した後、スプレードライヤー等
で造粒し、得られた粉体をプレス成形によって所定形状
に成形し、必要に応じて切削加工を施した後、９００〜
１３００℃の範囲で焼成することによって得ることがで
きる。 【００３３】そして、上記本発明のフェライト材料によ
り例えばドラム型のフェライトコアを製造すれば、樹脂
モールド時に圧縮応力を受けてもインダクタンスの変動
を±２％以下に小さくすることができる。 【００３４】なお、本発明のフェライト材料は、フェラ
イトコアに限らずさまざまな用途に用いることができ
る。例えば、各種電子部品を搭載したり、分割して電子
部品とするためのフェライト基板や、電磁波を吸収して
磁気ヘッド等をシールドしたり、発熱したりするための
電磁波吸収部材等として用いることができる。 【００３５】 【実施例】以下本発明の実施例を説明する。 【００３６】実施例１ ５１モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、１４モル％のＮｉＯと、３
０．１モル％のＺｎＯと、４．５モル％のＣｕＯと、
０．４モル％のＭｎＯからなるフェライト粉末１００重
量部に対し、ＣｏＯとＢｉ2 Ｏ3 の添加量を表１に示す
ように種々に変化させて各原料を調合した。 【００３７】得られた原料を振動ミルで混合した後、８
００〜９００℃で仮焼し、この仮焼粉体をボールミルに
て粉砕し、所定のバインダを加えて造粒した後、圧縮成
形して円柱体に成形した。この成形体を乾燥した後、切
削加工し、１０５０℃で焼成することによって図１に示
すような中央の巻線部１ａと両端のフランジ部１ｂを有
するドラム型のフェライトコア１を得た。なお、寸法は
全長１．８ｍｍ、フランジ部１ｂの外径１．５ｍｍと
し、このフェライトコア１に線径０．０４ｍｍの被膜銅
線を４０回巻いてインダクター素子を構成した。 【００３８】各インダクター素子について、２０ＭＨｚ
におけるインダクタンスＬとＱ値を測定した後、それぞ
れ軸方向に０〜３ｋｇの荷重を加えた時のインダクタン
スＬの変化率ΔＬ／Ｌの最大値を求めた。 【００３９】結果は表１に示す通りであり、また荷重と
インダクタンス変化率との関係は図２に示す。この結果
より明らかに、ＣｏＯとＢｉ2 Ｏ3 の添加量が第１発明
の範囲外であるＮｏ．４〜７では、荷重を加えた時のイ
ンダクタンスＬの変化率ΔＬ／Ｌが３％以上と大きく、
またＱ値も３０未満と低いものであった。 【００４０】これに対し、本発明の実施例であるＮｏ．
１〜３では、荷重を加えた時のインダクタンスＬの変化
率ΔＬ／Ｌが０．５〜０．６％と小さく、またＱ値が５
０以上と高いことが確認された。 【００４１】 【表１】 【００４２】実施例２ 次に、５１モル％のＦｅ2 Ｏ3 と、１２モル％のＮｉＯ
と、３１モル％のＺｎＯと、５．５モル％のＣｕＯと、
０．５モル％のＭｎＯからなるフェライト粉末１００重
量部に対し、ＣｏＯとＢｉ2 Ｏ3 の添加量を表２に示す
ように種々に変化させて各原料を調合した。それぞれ、
上記実施例１と同様にしてフェライトコアを作製し、イ
ンダクター素子を構成した後、インダクタンスＬとＱ値
を測定し、０〜３ｋｇの荷重を加えた時のインダクタン
スＬの変化率ΔＬ／Ｌの最大値を求めた。 【００４３】結果は表２に示す通りである。この結果よ
り明らかに、ＣｏＯとＢｉ2 Ｏ3 の添加量が第１発明の
範囲外であるＮｏ．１１、１２では、荷重を加えた時の
インダクタンスＬの変化率ΔＬ／Ｌが３％以上と大き
く、またＱ値も３０未満と低いものであった。 【００４４】これに対し、第１発明実施例であるＮｏ．
８〜１０では、荷重を加えた時のインダクタンスＬの変
化率ΔＬ／Ｌが０．５〜０．８％と小さく、またＱ値が
５０以上と高いことが確認された。 【００４５】 【表２】 【００４６】 【００４７】 【００４８】 【００４９】 【００５０】 【００５１】 【００５２】 【００５３】 【００５４】 【００５５】 【００５６】 【００５７】 【００５８】 【００５９】 【００６０】 【００６１】 【００６２】 【００６３】 【００６４】 【００６５】 【００６６】 【００６７】 【００６８】 【００６９】 【００７０】 【００７１】 【００７２】 【発明の効果】以上のように、本発明によれば、主成分
の組成比が、酸化物換算で５０．１〜５６モル％のＦｅ
2Ｏ3と、３０．１〜３５モル％のＺｎＯと、６モル％以
下のＣｕＯと、４モル％以下のＭｎＯと、残部がＮｉＯ
からなり、これら主成分１００重量部に対して０．６１
〜２重量部のＣｏＯと０．５〜２重量部のＢｉ2Ｏ3を添
加してフェライト材料を構成したことによって、荷重が
加わった時のインダクタンスの変動を極めて小さくし、
しかも高周波でのＱ値を高くすることができる。 【００７３】 【００７４】 【００７５】そのため、本発明のフェライト材料でフェ
ライトコアを形成すれば、樹脂モールド時に圧縮応力が
加わってもインダクタンスの変動が小さく、また高周波
でのＱ値が高いことから誘電損失の小さい高信頼性のフ
ェライトコアを得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明実施例のフェライトコアを示す斜視図で
ある。 【図２】本発明のフェライトコアにおける荷重とインダ
クタンス変化率との関係を示すグラフである。 【符号の説明】 １ ：フェライトコア １ａ：巻線部 １ｂ：フランジ部
ある。 【図２】本発明のフェライトコアにおける荷重とインダ
クタンス変化率との関係を示すグラフである。 【符号の説明】 １ ：フェライトコア １ａ：巻線部 １ｂ：フランジ部
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(56)参考文献 特開 平１−101609（ＪＰ，Ａ)
特開 平３−93667（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
C04B 35/26 - 35/40
Claims (1)
- (57)【特許請求の範囲】 【請求項１】主成分の組成比が、酸化物換算で５０．１
〜５６モル％のＦｅ2Ｏ3と、３０．１〜３５モル％のＺ
ｎＯと、６モル％以下のＣｕＯと、４モル％以下のＭｎ
Ｏと、残部がＮｉＯからなり、これら主成分１００重量
部に対して０．６１〜２重量部のＣｏＯと、０．５〜２
重量部のＢｉ2Ｏ3を添加してなるフェライト材料。
Priority Applications (1)
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|---|---|---|---|
| JP33750395A JP3405630B2 (ja) | 1994-12-26 | 1995-12-25 | フェライト材料 |
Applications Claiming Priority (5)
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| JP6-323200 | 1995-03-30 | ||
| JP7-74079 | 1995-03-30 | ||
| JP7407995 | 1995-03-30 | ||
| JP33750395A JP3405630B2 (ja) | 1994-12-26 | 1995-12-25 | フェライト材料 |
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| JPH08325056A JPH08325056A (ja) | 1996-12-10 |
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Family
ID=27301406
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP33750395A Expired - Lifetime JP3405630B2 (ja) | 1994-12-26 | 1995-12-25 | フェライト材料 |
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-
1995
- 1995-12-25 JP JP33750395A patent/JP3405630B2/ja not_active Expired - Lifetime
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