JPH08325056A - フェライト材料 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト材料において、荷重が
加わった時のインダクタンスの変動を極めて小さくし、
しかも高周波でのＱ値を高くする。 【解決手段】主成分の組成比が、酸化物換算で５０．１
〜５６モル％のＦｅ₂ Ｏ₃ と、３０．１〜３５モル％の
ＺｎＯと、６モル％以下のＣｕＯと、４モル％以下のＭ
ｎＯと、残部がＮｉＯからなり、これら主成分１００重
量部に対して０．６１〜２重量部のＣｏＯと０．５〜２
重量部のＢｉ₂ Ｏ₃ を添加したフェライト材料でフェラ
イトコア１を構成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系のフ
ェライト材料に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】フェライト材料はインダクター素子等と
して広く使用されている。例えば、Ｆｅ₂ Ｏ₃ −ＺｎＯ
−ＮｉＯを主成分とするＮｉ−Ｚｎ系フェライト材料を
用いてフェライトコアを製造し、この巻線部にコイル線
を巻回してコイル線接続用のリードピンをフェライトコ
アに取り付けて半田付けし、エポキシ樹脂でモールドし
た構造のインダクター素子が使用されている。

【０００３】そして、このＮｉ−Ｚｎ系フェライトにお
いて、耐熱衝撃性や、磁気特性を向上させるためにさま
ざまな提案がなされている。例えば特開平１−２２８１
０８号、１−１０３９５３号公報には、フェライトの結
晶粒界にＭｎＯ、Ｂｉ₂ Ｏ₃、ＳｉＯ₂ からなる粒界相
を形成し、この粒界相によって応力を緩和し耐熱衝撃性
を高めたフェライト材料が示されている。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところが、従来のＮｉ
−Ｚｎ系フェライト材料からなるフェライトコアにおい
て、樹脂モールドした場合に、樹脂の硬化時や硬化温度
から室温への冷却時等に樹脂の収縮による圧縮応力が加
わり、この圧縮応力のためにフェライトコアのインダク
タンスが低下してしまうという問題点があった。そのた
め、このインダクター素子を用いた回路は信頼性が低い
という不都合があった。

【０００５】なお、インダクタンスの低下率が常に一定
であれば予め調整ができるが、樹脂モールド時の圧力が
ばらつくために、インダクタンスの低下率もばらついて
しまう。そのため、圧縮応力に対してインダクタンス低
下率の小さい材料が望まれていた。特にＱ値が高く、透
磁率が６０以下であるような材料において、この要望が
顕著であった。

【０００６】そこで、この問題点を解決するために、特
開平３−２１８９６２号公報には、Ｎｉ−Ｚｎ−Ｃｕ系
フェライト材料に対し、０．０５〜０．６０重量％のＣ
ｏ₃Ｏ₄ と、３〜５重量％のＢｉ₂ Ｏ₃ と、０．１０〜
２．０重量％のＳｉＯ₂ を添加することが提案されてい
る。

【０００７】しかし、上記特開平３−２１８９６２号公
報に記載されたフェライト材料は、Ｃｏ₃ Ｏ₄ 量が少な
く、またＢｉ₂ Ｏ₃ 量が多いために１ＭＨｚ以上の高周
波でのＱ値が低下してしまうだけでなく、ＳｉＯ₂ を含
むために透磁率が低く、焼成温度が高くなってしまうと
いう問題点があった。

【０００８】そこで、本発明は、樹脂モールド時に圧縮
応力を受けてもインダクタンスの変動が小さく、かつ１
ＭＨｚ以上の高周波でのＱ値の低下がなく、しかも低温
で焼成可能なフェライト材料を得ることを目的とする。

【０００９】具体的には、一軸荷重０．２〜８ｋｇｆ／
ｍｍ² を加えても、インダクタンス変化率（ΔＬ／Ｌ×
１００）が±２％以下であり、かつＱ値の高い特性を持
つフェライト材料を得ることを目的とする。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明の第１発明は、Ｎ
ｉ−Ｚｎ系フェライトの主成分の組成比が、酸化物換算
で５０．１〜５６モル％のＦｅ₂ Ｏ₃ と、３０．１〜３
５モル％のＺｎＯと、６モル％以下のＣｕＯと、４モル
％以下のＭｎＯと、残部がＮｉＯからなり、これら主成
分１００重量部に対して０．６１〜２重量部のＣｏＯと
０．５〜２重量部のＢｉ₂ Ｏ₃ を添加したことを特徴と
する。

【００１１】即ち、第１発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライ
トに対して、所定量のＣｏＯとＢｉ₂ Ｏ₃ を添加するこ
とによって、樹脂モールド時に圧縮応力が加わってもイ
ンダクタンス変動を小さくできるようにしたものであ
る。

【００１２】また、上記添加成分は、ＣｏＯが０．６１
〜２重量部、Ｂｉ₂ Ｏ₃ が０．５〜２重量部の範囲で添
加することが重要である。これは、ＣｏＯが０．６１重
量部未満又はＢｉ₂ Ｏ₃ が０．５重量部未満では、１Ｍ
Ｈｚ以上の高周波でのＱ値が低下してしまい、一方Ｃｏ
Ｏが２重量部を超えると圧縮応力が加わった際のインダ
クタンス変動が大きくなってしまい、またＢｉ₂ Ｏ₃ が
２重量部を超えると焼成時の粒成長により高周波でのＱ
値が低下してしまうためである。

【００１３】さらに、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの主成分
の組成比を上記範囲とした理由は、Ｆｅ₂ Ｏ₃ が５０．
１モル％未満又はＺｎＯが３０．１モル％未満では透磁
率が低下し、Ｆｅ₂ Ｏ₃ が５６モル％を超えるとＱ値が
低下し、ＺｎＯが３５モル％を超えるとキュリー点が低
くなるためである。

【００１４】また、ＣｕＯとＭｎＯの含有量を上記範囲
としたのは、ＣｕＯが６モル％を超えるか又はＭｎＯが
４モル％を超えると焼結体中に液相が生成して粒成長が
起こりやすくなりＱ値が低下してしまうためである。な
お、ＣｕＯとＭｎＯは必須成分ではないが、応力緩和効
果を高め、耐熱衝撃性を高くするためには、それぞれ
０．０１モル％以上含有することが好ましい。

【００１５】さらに、上記第１発明においては、これら
の成分以外の不純物を１重量％以下の範囲で含んでいて
も良いが、ＳｉＯ₂ については０．０３重量％以下とす
ることが好ましい。これはＳｉＯ₂ が０．０３重量％を
超えると透磁率が低くなり焼成温度が高くなるためであ
る。

【００１６】次に、第２発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライ
トの主成分の組成比が、酸化物換算で４０〜４６モル％
のＦｅ₂ Ｏ₃ と、２５〜３０モル％のＺｎＯと、１０モ
ル％以下のＣｕＯと、４モル％以下のＭｎＯと、残部が
ＮｉＯからなり、これら主成分１００重量部に対して１
〜３重量部のＣｏＯと、０．１〜１重量部のＢｉ₂ Ｏ₃
と、０．５〜３重量部のＳｉＯ₂ を添加したことを特徴
とする。

【００１７】即ち、第２発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライ
トに対して、所定量のＣｏＯとＢｉ₂ Ｏ₃ とＳｉＯ₂ を
添加することによって、樹脂モールド時に圧縮応力が加
わってもインダクタンス変動を小さくできるようにした
ものである。

【００１８】また、上記添加成分は、ＣｏＯが１〜３重
量部、Ｂｉ₂ Ｏ₃ が０．１〜１重量部の範囲で添加する
ことが重要である。これは、ＣｏＯが１重量部未満又は
Ｂｉ₂ Ｏ₃ が０．１重量部未満では、１ＭＨｚ以上の高
周波でのＱ値が低下してしまい、一方ＣｏＯが３重量部
を超えると圧縮応力が加わった際のインダクタンス変動
が大きくなってしまい、またＢｉ₂ Ｏ₃ が１重量部を超
えるとインダクタンス値が急激に低下するためである。

【００１９】なお、ＳｉＯ₂ を０．５〜３重量部とした
のは、０．５重量部未満であると圧縮応力が加わったと
きのインダクタンス変動が大きく、また３重量部を超え
るとインダクタンス値が大きく低下するためである。

【００２０】さらに、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライトの主成分
の組成比を上記範囲とした理由は、Ｆｅ₂ Ｏ₃ が４０モ
ル％未満又はＺｎＯが２５モル％未満では透磁率が低下
し、Ｆｅ₂ Ｏ₃ が４６モル％を超えるとＱ値が低下し、
ＺｎＯが３０モル％を超えると圧縮応力が加わった際の
インダクタンス変動が大きくなるためである。

【００２１】キュリー点が低くなるためである。

【００２２】このように、第２発明の主成分の組成は、
前記した第１発明の組成に比べてＦｅ₂ Ｏ₃ とＺｎＯの
量を少なくし、ＮｉＯ量を多くしており、そのために高
周波でのＱ値を高くすることができる。この場合磁歪が
悪くなる傾向があるが、上記のようにＳｉＯ₂ を添加す
ることによって磁歪の改善を行っている。なお、第２発
明の組成ではＳｉＯ₂ を添加しても透磁率の低下などの
不都合はない。

【００２３】また、ＣｕＯとＭｎＯの含有量を上記範囲
としたのは、ＣｕＯが１０モル％を超えるか又はＭｎＯ
が４モル％を超えると焼結体中に液相が生成して粒成長
が起こりやすくなりＱ値が低下してしまうためである。
なお、ＣｕＯとＭｎＯは必須成分ではないが、応力緩和
効果を高め、耐熱衝撃性を高くするためには、それぞれ
０．０１モル％以上含有することが好ましい。

【００２４】さらに、第２発明においては、これらの成
分以外の不純物として、Ａｌ₂ Ｏ₃、ＭｇＯ、ＣａＯ、
Ｋ₂ Ｏ、Ｓ等の成分を合計０．５重量％以下の範囲で含
んでいても良い。

【００２５】次に、第３発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライ
トの主成分の組成比が、酸化物換算で４０〜５５モル％
のＦｅ₂ Ｏ₃ と、１０〜５０モル％のＮｉＯと、０〜２
５モル％のＺｎＯと、１０モル％以下のＣｕＯからな
り、これら主成分１００重量部に対して０〜０．２５重
量部のＣｏＯと、１〜１２重量部のＢｉ₂ Ｏ₃ と、２．
１〜１０重量部のＳｉＯ₂ を添加したことを特徴とす
る。

【００２６】即ち、第３発明は、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライ
トに対して、所定量のＳｉＯ₂ を添加することによっ
て、樹脂モールド時に圧縮応力が加わってもインダクタ
ンス変動を小さくできるようにしたものである。ＳｉＯ
₂ の添加量は、ＮｉＯの量が増すにつれて増やす必要が
ある。しかし、１０重量部を超えると焼結性が悪くな
り、磁歪が正（＋）方向に大きくなり過ぎることから
２．１〜１０重量部の範囲が好ましい。

【００２７】また、Ｂｉ₂ Ｏ₃ は、ＳｉＯ₂ の添加量が
多くなると焼結性が悪くなるため、焼結性の改善のため
に添加する。したがって、Ｂｉ₂ Ｏ₃ の最適添加量はＳ
ｉＯ₂ の必要添加量に関連し、１〜１２重量部の範囲で
定める。

【００２８】さらにＣｏＯは、上記添加剤の影響による
Ｑ値の低下を改善するために添加される。しかし、添加
量が多すぎると温度特性が悪くなり、磁歪が負（−）方
向となるため、０〜０．２５重量％の範囲が好ましい。

【００２９】また、第３発明の組成は、前記した第２発
明の組成に比べてＺｎＯの量を少なくして透磁率を低く
したものである。即ち、前記の第２発明は透磁率が５５
以上のフェライト材料であるのに対し、第３発明は透磁
率が５５以下のフェライト材料に関するものである。

【００３０】さらに、第３発明においては、これらの成
分以外の不純物として、ＭｇＯ、ＭｎＯ、ＣａＯ、Ｃｒ
₂ Ｏ₃ 等の成分を合計２．６重量％以下の範囲で含んで
いても良い。

【００３１】以上の本発明によって、荷重が加わった時
のインダクタンス変動を小さくできる理由は以下の通り
である。即ち、一般にＮｉ−Ｚｎ系フェライトに荷重を
加えると、インダクタンスは小さくなる傾向があり、こ
れを磁歪が負（−）であるという。しかし、上記のよう
な添加剤を加えることによって、磁歪を正（＋）にする
ことができるが、この場合でも荷重を大きくするとつい
には負（−）になる。したがって、例えば±２％の許容
範囲で磁歪が正（＋）となるように調整しておけば、さ
らに荷重が加わって磁歪が負（−）となっても充分に許
容範囲内とすることができ、その結果幅広い荷重に耐え
るフェライト材料とできるのである。

【００３２】以上のような第１〜第３発明のフェライト
材料の製造方法は、上記組成範囲となるように各原料を
調合し、ボールミル等で粉砕混合した後、スプレードラ
イヤー等で造粒し、得られた粉体をプレス成形によって
所定形状に成形し、必要に応じて切削加工を施した後、
９００〜１３００℃の範囲で焼成することによって得る
ことができる。

【００３３】そして、上記本発明のフェライト材料によ
り例えばドラム型のフェライトコアを製造すれば、樹脂
モールド時に圧縮応力を受けてもインダクタンスの変動
を±２％以下に小さくすることができる。

【００３４】なお、本発明のフェライト材料は、フェラ
イトコアに限らずさまざまな用途に用いることができ
る。例えば、各種電子部品を搭載したり、分割して電子
部品とするためのフェライト基板や、電磁波を吸収して
磁気ヘッド等をシールドしたり、発熱したりするための
電磁波吸収部材等として用いることができる。

【００３５】

【実施例】以下第１発明の実施例を説明する。

【００３６】実施例１ ５１モル％のＦｅ₂ Ｏ₃ と、１４モル％のＮｉＯと、３
０．１モル％のＺｎＯと、４．５モル％のＣｕＯと、
０．４モル％のＭｎＯからなるフェライト粉末１００重
量部に対し、ＣｏＯとＢｉ₂ Ｏ₃ の添加量を表１に示す
ように種々に変化させて各原料を調合した。

【００３７】得られた原料を振動ミルで混合した後、８
００〜９００℃で仮焼し、この仮焼粉体をボールミルに
て粉砕し、所定のバインダを加えて造粒した後、圧縮成
形して円柱体に成形した。この成形体を乾燥した後、切
削加工し、１０５０℃で焼成することによって図１に示
すような中央の巻線部１ａと両端のフランジ部１ｂを有
するドラム型のフェライトコア１を得た。なお、寸法は
全長１．８ｍｍ、フランジ部１ｂの外径１．５ｍｍと
し、このフェライトコア１に線径０．０４ｍｍの被膜銅
線を４０回巻いてインダクター素子を構成した。

【００３８】各インダクター素子について、２０ＭＨｚ
におけるインダクタンスＬとＱ値を測定した後、それぞ
れ軸方向に０〜３ｋｇの荷重を加えた時のインダクタン
スＬの変化率ΔＬ／Ｌの最大値を求めた。

【００３９】結果は表１に示す通りであり、また荷重と
インダクタンス変化率との関係は図２に示す。この結果
より明らかに、ＣｏＯとＢｉ₂ Ｏ₃ の添加量が第１発明
の範囲外であるＮｏ．４〜７では、荷重を加えた時のイ
ンダクタンスＬの変化率ΔＬ／Ｌが３％以上と大きく、
またＱ値も３０未満と低いものであった。

【００４０】これに対し、第１発明実施例であるＮｏ．
１〜３では、荷重を加えた時のインダクタンスＬの変化
率ΔＬ／Ｌが０．５〜０．６％と小さく、またＱ値が５
０以上と高いことが確認された。

【００４１】

【表１】

【００４２】実施例２ 次に、５１モル％のＦｅ₂ Ｏ₃ と、１２モル％のＮｉＯ
と、３１モル％のＺｎＯと、５．５モル％のＣｕＯと、
０．５モル％のＭｎＯからなるフェライト粉末１００重
量部に対し、ＣｏＯとＢｉ₂ Ｏ₃ の添加量を表２に示す
ように種々に変化させて各原料を調合した。それぞれ、
上記実施例１と同様にしてフェライトコアを作製し、イ
ンダクター素子を構成した後、インダクタンスＬとＱ値
を測定し、０〜３ｋｇの荷重を加えた時のインダクタン
スＬの変化率ΔＬ／Ｌの最大値を求めた。

【００４３】結果は表２に示す通りである。この結果よ
り明らかに、ＣｏＯとＢｉ₂ Ｏ₃ の添加量が第１発明の
範囲外であるＮｏ．１１、１２では、荷重を加えた時の
インダクタンスＬの変化率ΔＬ／Ｌが３％以上と大き
く、またＱ値も３０未満と低いものであった。

【００４４】これに対し、第１発明実施例であるＮｏ．
８〜１０では、荷重を加えた時のインダクタンスＬの変
化率ΔＬ／Ｌが０．５〜０．８％と小さく、またＱ値が
５０以上と高いことが確認された。

【００４５】

【表２】

【００４６】次に第２発明の実施例を説明する。

【００４７】実施例３ ４３．４モル％のＦｅ₂ Ｏ₃ と、２０モル％のＮｉＯ
と、２７．２モル％のＺｎＯと、９モル％のＣｕＯと、
０．４モル％のＭｎＯからなる主成分を振動ミルにて混
合し、８００〜９００℃にて仮焼し、この仮焼粉体１０
０重量部に対し、ＣｏＯ、Ｂｉ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ を表３
に示す添加量で加え、ボールミルにて粉砕し、バインダ
ーを加えて造粒し、トロイダルコア及び角柱状コアを成
形し、９５０〜１０５０℃で焼成した。なお、角柱状コ
アは研削加工して３×３×１５ｍｍの寸法とした。

【００４８】得られたトロイダルコアに、直径０．２ｍ
ｍの被膜銅線を７回巻いて周波数３０ＭＨｚにおける透
磁率μとＱ値を測定した。また、角柱状コアに被膜銅線
を２０回巻いて、軸方向に８ｋｇの荷重を加えた時のイ
ンダクタンスＬの変化率（ΔＬ／Ｌ×１００）の最大値
を求めた。

【００４９】結果は表３に示す通りである。この結果よ
り明らかに、ＣｏＯ、Ｂｉ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ の添加量が
第２発明の範囲外であるＮｏ．４〜１０では、Ｑ値が４
０以下又は透磁率が３０以下と低いものであった。

【００５０】これに対し、第２発明実施例であるＮｏ．
１〜３では、荷重を加えた時のインダクタンスＬの変化
率（ΔＬ／Ｌ×１００）が−０．５〜０．３％と小さ
く、またＱ値が５０以上、透磁率μが６０以上と高いこ
とが確認された。

【００５１】

【表３】

【００５２】実施例４ 次に、主成分の組成比を４５モル％のＦｅ₂ Ｏ₃ 、３０
モル％のＺｎＯ、１８モル％のＮｉＯ、６．５モル％の
ＣｕＯ、０．５モル％のＭｎＯとし、上記実施例３と同
様の実験を行った。

【００５３】結果は表４に示す通りである。この結果よ
り明らかに、ＣｏＯ、Ｂｉ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ の添加量が
第２発明の範囲外であるＮｏ．１４〜２０では、Ｑ値が
４０以下又は透磁率が３０以下と低いものであった。

【００５４】これに対し、第２発明実施例であるＮｏ．
１１〜１３では、荷重を加えた時のインダクタンスＬの
変化率（ΔＬ／Ｌ×１００）が−０．４〜０．４％と小
さく、またＱ値が４９以上、透磁率μが６０以上と高い
ことが確認された。

【００５５】

【表４】

【００５６】実施例５ 次に、添加物の量をＣｏＯ２重量部、Ｂｉ₂ Ｏ₃ ０．５
重量部、ＳｉＯ₂ １．５重量部とし、主成分の組成比を
変化させて、上記と同様の実験を行った。

【００５７】結果は表５に示す通りである。この結果よ
り明らかに、主成分の組成比が第２発明の範囲外である
Ｎｏ．２３、２４では、Ｑ値が４０以下又は透磁率μが
３０以下と低いものであった。

【００５８】これに対し、第２発明実施例であるＮｏ．
２１、２２では、荷重を加えた時のインダクタンスＬの
変化率（ΔＬ／Ｌ×１００）が−０．２〜−０．１％と
小さく、またＱ値が５０以上、透磁率μが６０以上と高
いことが確認された。

【００５９】

【表５】

【００６０】次に第３発明の実施例を説明する。

【００６１】実施例６ Ｆｅ₂ Ｏ₃ 、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯの主成分を表６に
示す組成比となるように調合し、残部がＭｇＯ、Ｍｎ
Ｏ、ＣａＯ、Ｃｒ₂ Ｏ₃ からなる原料を振動ミルにて混
合し、８００〜９００℃で仮焼した。この仮焼粉体１０
０重量部に対し、ＣｏＯ、Ｂｉ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ を表６
に示す割合で添加し、ボールミルにて粉砕し、バインダ
ーを加えて造粒した後、トロイダルコア及び角柱状コア
を成形し、９５０〜１１５０℃で焼成した。なお、角柱
状コアは研削加工して３×３×１５ｍｍの寸法とした。

【００６２】得られたトロイダルコアに、直径０．２ｍ
ｍの被膜銅線を巻いて、透磁率μ、１０〜３０ＭＨｚに
おけるｔａｎδ／μ、透磁率の温度係数（Δμ／μ・Δ
Ｔ）、５ｋｇｆ／ｍｍ² の荷重を加えた時のインダクタ
ンスの変化率（磁歪：ΔＬ／Ｌ×１００）を測定した。
なお、ｔａｎδはＱ値の逆数であり、ｔａｎδ／μが小
さいほどＱ値が大きく損失が少ないことを意味する。ま
た透磁率の温度係数は、−２０〜２０℃及び２０〜８０
℃の間で測定した。

【００６３】結果は表７に示す通りである。この結果よ
り明らかに、第３発明の範囲外のものは、インダクタン
ス変化率（磁歪）が±２％から外れるか、あるいはｔａ
ｎδ／μが大きすぎて高周波用途には使用できないもの
であった。

【００６４】これに対し、第３発明の範囲内のものは、
透磁率μがほぼ５５以下と求める範囲内のものが得ら
れ、インダクタンス変化率（磁歪）が±２％以内と小さ
く、ｔａｎδ／μや透磁率の温度係数も実用的な範囲内
であった。

【００６５】

【表６】

【００６６】

【表７】

【００６７】実施例７ 主成分を成すＦｅ₂ Ｏ₃ 、ＮｉＯ、ＺｎＯ、ＣｕＯ、及
び添加するＣｏＯ、Ｂｉ₂ Ｏ₃ 、ＳｉＯ₂ を表８に示す
割合で調合し、他は全て実施例６と同様の実験を行っ
た。

【００６８】結果は表９に示す通りである。この結果よ
り明らかに、第３発明の範囲外のものは、インダクタン
ス変化率（磁歪）が±２％から外れるか、あるいはｔａ
ｎδ／μが大きすぎて高周波用途には使用できないもの
であった。

【００６９】これに対し、第３発明の範囲内のものは、
透磁率μが５５以下と求める範囲内のものが得られ、イ
ンダクタンス変化率（磁歪）が±２％以内と小さく、ｔ
ａｎδ／μや透磁率の温度係数も実用的な範囲内であっ
た。

【００７０】

【表８】

【００７１】

【表９】

【００７２】

【発明の効果】以上のように、第１発明によれば、主成
分の組成比が、酸化物換算で５０．１〜５６モル％のＦ
ｅ₂ Ｏ₃ と、３０．１〜３５モル％のＺｎＯと、６モル
％以下のＣｕＯと、４モル％以下のＭｎＯと、残部がＮ
ｉＯからなり、これら主成分１００重量部に対して０．
６１〜２重量部のＣｏＯと０．５〜２重量部のＢｉ₂ Ｏ
₃ を添加してフェライト材料を構成したことによって、
荷重が加わった時のインダクタンスの変動を極めて小さ
くし、しかも高周波でのＱ値を高くすることができる。

【００７３】また、第２発明によれば、主成分の組成比
が、酸化物換算で４０〜４６モル％のＦｅ₂ Ｏ₃ と、２
５〜３０モル％のＺｎＯと、１０モル％以下のＣｕＯ
と、４モル％以下のＭｎＯと、残部がＮｉＯからなり、
これら主成分１００重量部に対して１〜３重量部のＣｏ
Ｏと０．１〜１重量部のＢｉ₂ Ｏ₃ と、０．５〜３重量
部のＳｉＯ₂ を添加してフェライト材料を構成したこと
によって、荷重が加わった時のインダクタンスの変動を
極めて小さくし、しかも高周波でのＱ値を高くすること
ができる。

【００７４】さらに第３発明によれば、主成分の組成比
が、酸化物換算で４０〜５５モル％のＦｅ₂ Ｏ₃ と、１
０〜５０モル％のＮｉＯと、０〜２５モル％のＺｎＯ
と、１０モル％以下のＣｕＯからなり、これら主成分１
００重量部に対して０〜０．２５重量部のＣｏＯと、１
〜１２重量部のＢｉ₂ Ｏ₃ と、２．１〜１０重量部のＳ
ｉＯ₂ を添加してフェライト材料を構成したことによっ
て、荷重が加わった時のインダクタンスの変動を極めて
小さくし、しかも高周波でのＱ値を高くすることができ
る。

【００７５】そのため、本発明のフェライト材料でフェ
ライトコアを形成すれば、樹脂モールド時に圧縮応力が
加わってもインダクタンスの変動が小さく、また高周波
でのＱ値が高いことから誘電損失の小さい高信頼性のフ
ェライトコアを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明実施例のフェライトコアを示す斜視図で
ある。

【図２】本発明のフェライトコアにおける荷重とインダ
クタンス変化率との関係を示すグラフである。

【符号の説明】 １ ：フェライトコア １ａ：巻線部 １ｂ：フランジ部

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 石田 千里 鹿児島県国分市山下町１番１号 京セラ株 式会社鹿児島国分工場内

Claims (3)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】主成分の組成比が、酸化物換算で５０．１
   〜５６モル％のＦｅ₂ Ｏ₃ と、３０．１〜３５モル％の
   ＺｎＯと、６モル％以下のＣｕＯと、４モル％以下のＭ
   ｎＯと、残部がＮｉＯからなり、これら主成分１００重
   量部に対して０．６１〜２重量部のＣｏＯと、０．５〜
   ２重量部のＢｉ₂ Ｏ₃ を添加してなるフェライト材料。
2. 【請求項２】主成分の組成比が、酸化物換算で４０〜４
   ６モル％のＦｅ₂ Ｏ₃ と、２５〜３０モル％のＺｎＯ
   と、１０モル％以下のＣｕＯと、４モル％以下のＭｎＯ
   と、残部がＮｉＯからなり、これら主成分１００重量部
   に対して１〜３重量部のＣｏＯと、０．１〜１重量部の
   Ｂｉ₂ Ｏ₃ と、０．５〜３重量部のＳｉＯ₂ を添加して
   なるフェライト材料。
3. 【請求項３】主成分の組成比が、酸化物換算で４０〜５
   ５モル％のＦｅ₂ Ｏ₃ と、１０〜５０モル％のＮｉＯ
   と、０〜２５モル％のＺｎＯと、１０モル％以下のＣｕ
   Ｏからなり、これら主成分１００重量部に対して０〜
   ０．２５重量部のＣｏＯと、１〜１２重量部のＢｉ₂ Ｏ
   ₃ と、２．１〜１０重量部のＳｉＯ₂ を添加してなるフ
   ェライト材料。