JPH10163017A - 低温焼成用高周波軟磁性材料およびそれを用いたインダクターの製造方法 - Google Patents
低温焼成用高周波軟磁性材料およびそれを用いたインダクターの製造方法Info
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- C03—GLASS; MINERAL OR SLAG WOOL
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- H01F41/02—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing or assembling magnets, inductances or transformers; Apparatus or processes specially adapted for manufacturing materials characterised by their magnetic properties for manufacturing cores, coils, or magnets
- H01F41/0206—Manufacturing of magnetic cores by mechanical means
- H01F41/0246—Manufacturing of magnetic circuits by moulding or by pressing powder
Abstract
(57)【要約】
【課題】 巻線型またはチップインダクターのような電
磁波の遮蔽部品等に用いられる、低温焼成が可能であり
外部応力に対する電磁気的特性変化が少ない、優れた高
周波特性を有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系軟磁性材料および
それを用いたインダクターの製造方法を提供する。 【解決手段】 通常のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系軟磁性粉末に
Ｂ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを１〜２５ｗｔ％含
有する高周波用軟磁性材料、およびそれを８６０〜９１
０℃の温度で焼成し、構成する。
磁波の遮蔽部品等に用いられる、低温焼成が可能であり
外部応力に対する電磁気的特性変化が少ない、優れた高
周波特性を有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系軟磁性材料および
それを用いたインダクターの製造方法を提供する。 【解決手段】 通常のＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系軟磁性粉末に
Ｂ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを１〜２５ｗｔ％含
有する高周波用軟磁性材料、およびそれを８６０〜９１
０℃の温度で焼成し、構成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はチップインダクタ
ー、チップビーズのようなチップ部品または、巻線型イ
ンダクターのような電磁波の遮蔽部品等に用いられる高
周波軟磁性材料およびそれを用いた高周波インダクター
の製造方法に関する。より詳しくは、低温において焼成
が可能であり、外部応力に対する電磁気的特性変化が少
なく優れた高周波特性を有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系軟磁
性材料およびそれを用いた巻線型またはチップ型インダ
クターの製造方法に関する。
ー、チップビーズのようなチップ部品または、巻線型イ
ンダクターのような電磁波の遮蔽部品等に用いられる高
周波軟磁性材料およびそれを用いた高周波インダクター
の製造方法に関する。より詳しくは、低温において焼成
が可能であり、外部応力に対する電磁気的特性変化が少
なく優れた高周波特性を有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系軟磁
性材料およびそれを用いた巻線型またはチップ型インダ
クターの製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、電子、通信機器の著しい発展は電
子部品の小型化、薄膜化および実装性の改良等が基礎と
なって新しい産業構造を構築しているが、このような産
業構造の発展は、以前には無視することのできた新しい
問題、即ち環境および通信障害等を誘発することによっ
て、社会的問題を生じさせる両面性を持つようになっ
た。特に、無線通信機器およびマルチ環境が、一般に常
用されることにより悪化した電磁気環境に関する各国の
電磁気障害規制（ＦＣＣ、ＣＩＳＰＲ、ＶＤＥ、ＭＩ
Ｌ）が強化されることにより、電磁波障害除去（ＥＭＩ
／ＥＭＣ）素子に対する開発が要求され、その部品の需
要が急増すると共に機能の複雑化、高集積化および高効
率化へと発展している。
子部品の小型化、薄膜化および実装性の改良等が基礎と
なって新しい産業構造を構築しているが、このような産
業構造の発展は、以前には無視することのできた新しい
問題、即ち環境および通信障害等を誘発することによっ
て、社会的問題を生じさせる両面性を持つようになっ
た。特に、無線通信機器およびマルチ環境が、一般に常
用されることにより悪化した電磁気環境に関する各国の
電磁気障害規制（ＦＣＣ、ＣＩＳＰＲ、ＶＤＥ、ＭＩ
Ｌ）が強化されることにより、電磁波障害除去（ＥＭＩ
／ＥＭＣ）素子に対する開発が要求され、その部品の需
要が急増すると共に機能の複雑化、高集積化および高効
率化へと発展している。
【０００３】その際に、電磁波障害除去素子用または電
力用トランスのような電子部品などの素材として応用さ
れる軟磁性材料の適用範囲も特性別、周波数帯域別に細
分化され、その製造方法も、従来の粉末冶金学的な製造
方法から積層式部品製造の方へ研究が活発に進められ実
用化されており、今日、セラミック電子部品製造分野に
小型チップ部品の製造技術として定着するようになっ
た。
力用トランスのような電子部品などの素材として応用さ
れる軟磁性材料の適用範囲も特性別、周波数帯域別に細
分化され、その製造方法も、従来の粉末冶金学的な製造
方法から積層式部品製造の方へ研究が活発に進められ実
用化されており、今日、セラミック電子部品製造分野に
小型チップ部品の製造技術として定着するようになっ
た。
【０００４】一般的にチップインダクター、チップビー
ズ、チップアレイ、チップＬＣフィルターおよびチップ
トランス等のような小型チップ部品に用いられる軟磁性
材料は、高いインダクタンスを必要としており、そのよ
うな軟磁性材料では、Ｍｎ-Ｚｎフェライト、Ｎｉフェ
ライト、Ｎｉ−ＺｎフェライトまたはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト等を挙げることができる。Ｍｎ−Ｚｎフェラ
イトの場合、透磁率が高く電力損失が非常に少ないため
電源用トランスコア、電力ライン用フィルター等の磁芯
材料に用いられるが、高周波特性が低いために１ＭＨｚ
以上の周波数帯域では適用するのが難しい短所がある。
現在、このような高周波帯域において用いられる磁芯材
料としては、Ｎｉフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライトま
たはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト等が適用されている。
ズ、チップアレイ、チップＬＣフィルターおよびチップ
トランス等のような小型チップ部品に用いられる軟磁性
材料は、高いインダクタンスを必要としており、そのよ
うな軟磁性材料では、Ｍｎ-Ｚｎフェライト、Ｎｉフェ
ライト、Ｎｉ−ＺｎフェライトまたはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライト等を挙げることができる。Ｍｎ−Ｚｎフェラ
イトの場合、透磁率が高く電力損失が非常に少ないため
電源用トランスコア、電力ライン用フィルター等の磁芯
材料に用いられるが、高周波特性が低いために１ＭＨｚ
以上の周波数帯域では適用するのが難しい短所がある。
現在、このような高周波帯域において用いられる磁芯材
料としては、Ｎｉフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライトま
たはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト等が適用されている。
【０００５】一方、上記軟磁性材料を製造する従来の方
法は、焼成の工程が約１０００〜１４００℃で１〜５時
間程度で行われる。しかし、チップインダクターやチッ
プビーズフィルター等の電子部品の内部電極は普通Ａｇ
電極を用いるが、上記のような焼成温度は内部電極のＡ
ｇの溶融点（９６０℃）を越えており非常に高い温度条
件で製造した部品は、高周波において、損失が非常に大
きいという短所を持っているために、要求されるインダ
クタンスを実現するのが非常に難しいという問題点があ
る。したがって、軟磁性体の焼成温度を下げるために、
一般的に磁芯材料の粒度を０.０１〜１μｍまで微粉砕
することで、粒子のエネルギー準位を基底状態（準安定
状態）にして、焼成時の粒子間の物質移動面を増加させ
ることにより、焼結を促進させ低温焼成を図る方法が行
われている。しかし、上記微粉砕工程を通じた製造方法
は、設備費の高価格化と製造工程の複雑化によって製品
コストの増加のみならず実用化にも問題がある。
法は、焼成の工程が約１０００〜１４００℃で１〜５時
間程度で行われる。しかし、チップインダクターやチッ
プビーズフィルター等の電子部品の内部電極は普通Ａｇ
電極を用いるが、上記のような焼成温度は内部電極のＡ
ｇの溶融点（９６０℃）を越えており非常に高い温度条
件で製造した部品は、高周波において、損失が非常に大
きいという短所を持っているために、要求されるインダ
クタンスを実現するのが非常に難しいという問題点があ
る。したがって、軟磁性体の焼成温度を下げるために、
一般的に磁芯材料の粒度を０.０１〜１μｍまで微粉砕
することで、粒子のエネルギー準位を基底状態（準安定
状態）にして、焼成時の粒子間の物質移動面を増加させ
ることにより、焼結を促進させ低温焼成を図る方法が行
われている。しかし、上記微粉砕工程を通じた製造方法
は、設備費の高価格化と製造工程の複雑化によって製品
コストの増加のみならず実用化にも問題がある。
【０００６】更に、他の例として（ＺｎＯ＋Ｂｉ2Ｏ3）
を主成分とする低温化合物を利用して焼成を図る方法
（特開昭５−６７１１９号）、そしてＢ2Ｏ3のような成
分を利用する方法（特開昭６４−４５７７１号）および
ＺｎＯ、Ｖ2Ｏ5のようなフラックスを添加剤として用い
て粒子の界面拡散を誘導することによって焼成する方法
（特開昭６０−２１０５７２号）が知られており常用さ
れている。しかし、低融点化合物を添加する方法等は、
周波数特性を向上させるＣｏ成分の挙動を妨げること
で、所定の効果を低減させる。更に、焼成の過程におい
て母材の軟磁性材料の焼成進行温度より低い温度帯域に
おいて、添加物などが液状で存在し、それらが軟磁性体
の粒界に拡散して焼成を促進させるメカニズムにより駆
動されるため、かえって部分的な添加剤の偏析により、
インダクダンスの低減および損失をもたらすと同時に、
内部電極のＡｇと反応したり、Ａｇ電極に拡散して、イ
ンダクターの電磁気的特性（インダクタンス、Ｑファク
ター ）を劣化させることにより、製品の信頼性に大き
な影響を及ぼす問題点があった。
を主成分とする低温化合物を利用して焼成を図る方法
（特開昭５−６７１１９号）、そしてＢ2Ｏ3のような成
分を利用する方法（特開昭６４−４５７７１号）および
ＺｎＯ、Ｖ2Ｏ5のようなフラックスを添加剤として用い
て粒子の界面拡散を誘導することによって焼成する方法
（特開昭６０−２１０５７２号）が知られており常用さ
れている。しかし、低融点化合物を添加する方法等は、
周波数特性を向上させるＣｏ成分の挙動を妨げること
で、所定の効果を低減させる。更に、焼成の過程におい
て母材の軟磁性材料の焼成進行温度より低い温度帯域に
おいて、添加物などが液状で存在し、それらが軟磁性体
の粒界に拡散して焼成を促進させるメカニズムにより駆
動されるため、かえって部分的な添加剤の偏析により、
インダクダンスの低減および損失をもたらすと同時に、
内部電極のＡｇと反応したり、Ａｇ電極に拡散して、イ
ンダクターの電磁気的特性（インダクタンス、Ｑファク
ター ）を劣化させることにより、製品の信頼性に大き
な影響を及ぼす問題点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、上記従来の問題点を解決するために、母材の主成分
と反応しても、電磁気的特性の劣化が最小であり、内部
電極のＡｇと反応をしないようにする複合ガラスの粉末
を添加することによって、非常に低い焼成温度で、内部
電極の安定性を図ることはもちろん、１０ＭＨｚ〜５０
０ＭＨｚの高周波帯域における特性が優れたＮｉ−Ｃｕ
−Ｚｎ系軟磁性材料を提供することである。
は、上記従来の問題点を解決するために、母材の主成分
と反応しても、電磁気的特性の劣化が最小であり、内部
電極のＡｇと反応をしないようにする複合ガラスの粉末
を添加することによって、非常に低い焼成温度で、内部
電極の安定性を図ることはもちろん、１０ＭＨｚ〜５０
０ＭＨｚの高周波帯域における特性が優れたＮｉ−Ｃｕ
−Ｚｎ系軟磁性材料を提供することである。
【０００８】更に、本発明の他の目的は、上記Ｎｉ−Ｃ
ｕ−Ｚｎ系軟磁性材料を利用する低温焼成において、巻
線型またはチップ型インダクターを製造する方法を提供
することである。
ｕ−Ｚｎ系軟磁性材料を利用する低温焼成において、巻
線型またはチップ型インダクターを製造する方法を提供
することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用・効果】上記目
的達成のために、本発明は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系高周波
軟磁性材料において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜
５１.０％、ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.
０〜４８.０％、およびＺｎＯが１.０〜１０.０％から
なる磁性粉末に、Ｂ2Ｏ3-Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ系ガラスを１
〜２５ｗｔ％含有させた低温焼成用高周波軟磁性材料に
関する。
的達成のために、本発明は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系高周波
軟磁性材料において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜
５１.０％、ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.
０〜４８.０％、およびＺｎＯが１.０〜１０.０％から
なる磁性粉末に、Ｂ2Ｏ3-Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ系ガラスを１
〜２５ｗｔ％含有させた低温焼成用高周波軟磁性材料に
関する。
【００１０】更に、本発明は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系高周
波軟磁性材料において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０
〜５１.０％、ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３
８.０〜４８.０％、およびＺｎＯが１.０〜１０.０％か
らなる磁性粉末にＣｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ3Ｏ
4が３.０ｗｔ％以下、およびＳｉＯ2が２.０ｗｔ％以下
中から少なくとも一種以上、そしてＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3-
ＺｎＯ系ガラスを１〜２５ｗｔ％含有させた低温焼成用
高周波軟磁性材料に関する。
波軟磁性材料において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０
〜５１.０％、ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３
８.０〜４８.０％、およびＺｎＯが１.０〜１０.０％か
らなる磁性粉末にＣｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ3Ｏ
4が３.０ｗｔ％以下、およびＳｉＯ2が２.０ｗｔ％以下
中から少なくとも一種以上、そしてＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3-
ＺｎＯ系ガラスを１〜２５ｗｔ％含有させた低温焼成用
高周波軟磁性材料に関する。
【００１１】更に、本発明は巻線型インダクターの製造
方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５１.０
％、ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.０〜４
８.０％、およびＺｎＯが１.０〜１０.０％からなる磁
性粉末にＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを１〜２５
ｗｔ％添加し、それを粉砕した後、乾燥する工程、乾燥
した粉末に５〜１０重量％の主材と５〜１６重量％の反
応抑制剤を加えたバインダーを５〜１５重量％添加し、
造粒する工程、および造粒粉末を成型し、８６０〜９１
０℃で焼成する工程、から構成される低温焼成用巻線型
高周波インダクターの製造方法に関するものである。
方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５１.０
％、ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.０〜４
８.０％、およびＺｎＯが１.０〜１０.０％からなる磁
性粉末にＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを１〜２５
ｗｔ％添加し、それを粉砕した後、乾燥する工程、乾燥
した粉末に５〜１０重量％の主材と５〜１６重量％の反
応抑制剤を加えたバインダーを５〜１５重量％添加し、
造粒する工程、および造粒粉末を成型し、８６０〜９１
０℃で焼成する工程、から構成される低温焼成用巻線型
高周波インダクターの製造方法に関するものである。
【００１２】更に、本発明は巻線型インダクターの製造
方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５１.０
％、ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.０〜４
８.０％およびＺｎＯが１.０〜１０.０％からなる磁性
粉末にＣｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ3Ｏ4が３.０ｗ
ｔ％以下、およびＳｉＯ2が２.０ｗｔ％以下の中におい
て少なくとも一種以上とＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガ
ラスを１〜２５ｗｔ％添加し、それを粉砕した後、乾燥
する工程、乾燥した粉末に５〜１０重量％の主材と５〜
１６重量％の反応抑制剤を加えたバインダーを５〜１５
重量％添加し、造粒する工程、および造粒粉末を成型
し、８６０〜９１０℃で焼成する工程、から構成される
低温焼成用巻線型高周波インダクターの製造方法に関す
る。
方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５１.０
％、ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.０〜４
８.０％およびＺｎＯが１.０〜１０.０％からなる磁性
粉末にＣｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ3Ｏ4が３.０ｗ
ｔ％以下、およびＳｉＯ2が２.０ｗｔ％以下の中におい
て少なくとも一種以上とＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガ
ラスを１〜２５ｗｔ％添加し、それを粉砕した後、乾燥
する工程、乾燥した粉末に５〜１０重量％の主材と５〜
１６重量％の反応抑制剤を加えたバインダーを５〜１５
重量％添加し、造粒する工程、および造粒粉末を成型
し、８６０〜９１０℃で焼成する工程、から構成される
低温焼成用巻線型高周波インダクターの製造方法に関す
る。
【００１３】更に、本発明はチップ型インダクターの製
造方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５１.
０％、ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.０〜
４８.０％およびＺｎＯが１.０〜１０.０％からなる磁
性粉末にＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを１〜２５
ｗｔ％添加し、それを粉砕した後、乾燥する工程、乾燥
した粉末にバインダーを約１：１〜１：４添加した後、
ドクターブレード法によりグリーンシートをつくる工
程、つくった複数のグリーンシートを積層し、積層した
シート上にＡｇ内部電極を印刷した後、更にグリーンシ
ートを複数個積層し、それを８６０〜９１０℃で焼成す
る工程、および焼成した焼結体に外部電極を形成する工
程、から構成されるチップ型高周波インダクターの製造
方法に関する。
造方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５１.
０％、ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.０〜
４８.０％およびＺｎＯが１.０〜１０.０％からなる磁
性粉末にＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを１〜２５
ｗｔ％添加し、それを粉砕した後、乾燥する工程、乾燥
した粉末にバインダーを約１：１〜１：４添加した後、
ドクターブレード法によりグリーンシートをつくる工
程、つくった複数のグリーンシートを積層し、積層した
シート上にＡｇ内部電極を印刷した後、更にグリーンシ
ートを複数個積層し、それを８６０〜９１０℃で焼成す
る工程、および焼成した焼結体に外部電極を形成する工
程、から構成されるチップ型高周波インダクターの製造
方法に関する。
【００１４】更に、本発明は、チップ型インダクターの
製造方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５
１.０％、ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.０
〜４８.０％、およびＺｎＯが１.０〜１０.０％からな
る磁性粉末にＣｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ3Ｏ4が
３.０ｗｔ％以下、およびＳｉＯ2が２.０ｗｔ％以下の
中から少なくとも一種以上とＢ2Ｏ3-Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ
系ガラスを１〜２５ｗｔ％添加し、それを粉砕した後、
乾燥する工程、乾燥した粉末にバインダーを約１：１〜
１：４添加した後、ドクダーブレード法によりグリーン
シートをつくる工程、つくった複数のグリーンシートを
積層し、積層したシート上にＡｇ内部電極を印刷した
後、更に、グリーンシートを複数個積層し、それを８６
０〜９１０℃で焼成する工程、および焼成した焼結体に
外部電極を形成する工程、から構成されるチップ型高周
波インダクターの製造方法に関する。
製造方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５
１.０％、ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.０
〜４８.０％、およびＺｎＯが１.０〜１０.０％からな
る磁性粉末にＣｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ3Ｏ4が
３.０ｗｔ％以下、およびＳｉＯ2が２.０ｗｔ％以下の
中から少なくとも一種以上とＢ2Ｏ3-Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ
系ガラスを１〜２５ｗｔ％添加し、それを粉砕した後、
乾燥する工程、乾燥した粉末にバインダーを約１：１〜
１：４添加した後、ドクダーブレード法によりグリーン
シートをつくる工程、つくった複数のグリーンシートを
積層し、積層したシート上にＡｇ内部電極を印刷した
後、更に、グリーンシートを複数個積層し、それを８６
０〜９１０℃で焼成する工程、および焼成した焼結体に
外部電極を形成する工程、から構成されるチップ型高周
波インダクターの製造方法に関する。
【００１５】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１６】一般的に、磁性材料は、その組織および組
成により周波数帯域による特性が異なっている。本発明
においては、得ようとする高周波帯域（１０ＭＨｚ〜５
００ＭＨｚ）において、適合するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェ
ライトは、ＺｎＯの成分が低く、相対的にＮｉＯ成分が
高い軟磁性フェライトを利用する。
成により周波数帯域による特性が異なっている。本発明
においては、得ようとする高周波帯域（１０ＭＨｚ〜５
００ＭＨｚ）において、適合するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェ
ライトは、ＺｎＯの成分が低く、相対的にＮｉＯ成分が
高い軟磁性フェライトを利用する。
【００１７】基本的にこのような高周波特性を示す組成
としては、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５１.０％、
ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.０〜４８.０
％、およびＺｎＯが１.０〜１０.０％からなる軟磁性粉
末が望ましい。
としては、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５１.０％、
ＣｕＯが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.０〜４８.０
％、およびＺｎＯが１.０〜１０.０％からなる軟磁性粉
末が望ましい。
【００１８】更に、高周波における損失の少ないチップ
を得るためには、上記磁性粉末に添加剤として、Ｃｏ2
Ｏ3が２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ3Ｏ4が３.０ｗｔ％以下、
およびＳｉＯ2が２.０ｗｔ％以下の中から少なくとも一
種以上を含有することが望ましい。
を得るためには、上記磁性粉末に添加剤として、Ｃｏ2
Ｏ3が２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ3Ｏ4が３.０ｗｔ％以下、
およびＳｉＯ2が２.０ｗｔ％以下の中から少なくとも一
種以上を含有することが望ましい。
【００１９】本発明においては、上記のような軟磁性粉
末にＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを１〜２５ｗｔ
％添加することを特徴とする。上記のガラスは、軟磁性
母材の主成分と反応しても、電磁気的特性の劣化を最小
にすることが可能であり、さらに、チップ型インダクタ
ーの場合、内部電極のＡｇと反応を行わずに焼成温度を
低下させる長所がある。上記ガラスを１〜２５ｗｔ％含
有すれば母材の焼成温度を既存の低融点化合物（Ｂｉ2
Ｏ3またはＶ2Ｏ5）を使用したときの温度、即ち、１０
００〜１３５０℃程度から約８６０〜９１０℃まで下げ
ることが可能であり、更に、焼成に起因する母材と内部
電極間の収縮時に生ずる応力を減少させ、内部電極の安
定化を図ることができる。特に、ガラスの母材内の挙動
は母材の緻密化を誘導し、一般軟磁性体の焼成密度（約
４.５〜４.８ｇ／ｃｍ3程度）より高い焼成密度（４.８
ｇ／ｃｍ3以上）を保つことによって機械的強度の向上
が可能であり、焼結体の表面緻密化により外部電極のメ
ッキの際に、異物質の吸着を抑制して製造収率を向上さ
せることができる。その際、上記ガラスは、ｗｔ％で、
Ｂ2Ｏ3が１０〜４０％、Ｂｉ2Ｏ3が２０〜４０％、およ
びＺｎＯが２０〜７０％添加することが望ましい。
末にＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを１〜２５ｗｔ
％添加することを特徴とする。上記のガラスは、軟磁性
母材の主成分と反応しても、電磁気的特性の劣化を最小
にすることが可能であり、さらに、チップ型インダクタ
ーの場合、内部電極のＡｇと反応を行わずに焼成温度を
低下させる長所がある。上記ガラスを１〜２５ｗｔ％含
有すれば母材の焼成温度を既存の低融点化合物（Ｂｉ2
Ｏ3またはＶ2Ｏ5）を使用したときの温度、即ち、１０
００〜１３５０℃程度から約８６０〜９１０℃まで下げ
ることが可能であり、更に、焼成に起因する母材と内部
電極間の収縮時に生ずる応力を減少させ、内部電極の安
定化を図ることができる。特に、ガラスの母材内の挙動
は母材の緻密化を誘導し、一般軟磁性体の焼成密度（約
４.５〜４.８ｇ／ｃｍ3程度）より高い焼成密度（４.８
ｇ／ｃｍ3以上）を保つことによって機械的強度の向上
が可能であり、焼結体の表面緻密化により外部電極のメ
ッキの際に、異物質の吸着を抑制して製造収率を向上さ
せることができる。その際、上記ガラスは、ｗｔ％で、
Ｂ2Ｏ3が１０〜４０％、Ｂｉ2Ｏ3が２０〜４０％、およ
びＺｎＯが２０〜７０％添加することが望ましい。
【００２０】一方、本発明による軟磁性材料を使用して
製造したインダクターの場合、添加するガラスの粒度の
大きさは、０.１〜１０μｍである粉末を用いるのが望
ましい。より望ましくは、母材の偏重した分布を誘発さ
せ母材の粗大化粒子成長防止のためには、上記粒子の大
きさは０.２〜５μｍである。
製造したインダクターの場合、添加するガラスの粒度の
大きさは、０.１〜１０μｍである粉末を用いるのが望
ましい。より望ましくは、母材の偏重した分布を誘発さ
せ母材の粗大化粒子成長防止のためには、上記粒子の大
きさは０.２〜５μｍである。
【００２１】更に、上記ガラスには、０.０１〜１０重
量％のＳｉＯ2を含有することができる。磁性粉末にＳ
ｉＯ2が添加されるならば、非常に高い品質係数（Ｑ）
値を得ることのできるインダクタンスが低くなることが
できるが、このような特性を利用すればチップの用途に
よって、適切な磁気特性を有するチップを得ることがで
きる。
量％のＳｉＯ2を含有することができる。磁性粉末にＳ
ｉＯ2が添加されるならば、非常に高い品質係数（Ｑ）
値を得ることのできるインダクタンスが低くなることが
できるが、このような特性を利用すればチップの用途に
よって、適切な磁気特性を有するチップを得ることがで
きる。
【００２２】以下、上記のように、ガラスが添加された
乾燥粉末を利用して巻線型インダクターを製造する方法
を説明する。
乾燥粉末を利用して巻線型インダクターを製造する方法
を説明する。
【００２３】巻線型インダクターの場合、上記ガラスが
添加された粉末を乾燥した後、直ちにそこに５〜１０重
量％の主剤と５〜１６重量％の反応抑制剤を加えたバイ
ンダーを５〜１５重量％添加して造粒する。本発明に適
合する主剤としては、通常の焼結体コアの製造の際に用
いられる主剤であれば可能であるが、例を挙げれば、ポ
リビニルアルコールまたはメチルセルローズを挙げるこ
とができる。更に、反応抑制剤は、軟磁性フェライト粒
子が互いに凝集することを防ぎ、マニトルまたはプロピ
レングリコール等を挙げることができる。本発明におい
ては、上記乾燥の粉末を通常の方法のように仮焼しても
良いが、仮焼しなくとも同一の特性を得ることができ
る。万が一、乾燥粉末を仮焼する場合、その温度は７０
０〜９００℃で実施するのが望ましい。
添加された粉末を乾燥した後、直ちにそこに５〜１０重
量％の主剤と５〜１６重量％の反応抑制剤を加えたバイ
ンダーを５〜１５重量％添加して造粒する。本発明に適
合する主剤としては、通常の焼結体コアの製造の際に用
いられる主剤であれば可能であるが、例を挙げれば、ポ
リビニルアルコールまたはメチルセルローズを挙げるこ
とができる。更に、反応抑制剤は、軟磁性フェライト粒
子が互いに凝集することを防ぎ、マニトルまたはプロピ
レングリコール等を挙げることができる。本発明におい
ては、上記乾燥の粉末を通常の方法のように仮焼しても
良いが、仮焼しなくとも同一の特性を得ることができ
る。万が一、乾燥粉末を仮焼する場合、その温度は７０
０〜９００℃で実施するのが望ましい。
【００２４】その後、上記粉末を造粒して、その造粒粉
末を成型して所望の成型体を製造する。製造した成型体
は、通常の低融点化合物を含有したものより低温の約８
６０〜９１０℃で焼結する。焼結過程において、約７５
０〜９００℃の区間は、粒子の整列化および緻密化が進
められる区間であるため、急激な昇温時には空孔が生
じ、透磁率の低下および品質係数値の低下が起こるた
め、できる限り、急激な昇温を避けるのが良い。
末を成型して所望の成型体を製造する。製造した成型体
は、通常の低融点化合物を含有したものより低温の約８
６０〜９１０℃で焼結する。焼結過程において、約７５
０〜９００℃の区間は、粒子の整列化および緻密化が進
められる区間であるため、急激な昇温時には空孔が生
じ、透磁率の低下および品質係数値の低下が起こるた
め、できる限り、急激な昇温を避けるのが良い。
【００２５】例を挙げれば、上記区間では約１０℃／分
以内の速度で昇温するのが望ましい。更に、焼結温度に
至った後、約５時間以内、望ましくは２〜３時間保持し
た後、７００℃までの冷却区間においては、急冷を避け
るようにする。万が一、その区間において急冷をすれ
ば、母材中のＣｕＯ成分が析出して電磁気的特性が劣化
するから注意を要する。上記区間における冷却は約５℃
／分以内にすることが望ましい。
以内の速度で昇温するのが望ましい。更に、焼結温度に
至った後、約５時間以内、望ましくは２〜３時間保持し
た後、７００℃までの冷却区間においては、急冷を避け
るようにする。万が一、その区間において急冷をすれ
ば、母材中のＣｕＯ成分が析出して電磁気的特性が劣化
するから注意を要する。上記区間における冷却は約５℃
／分以内にすることが望ましい。
【００２６】このような方法によれば、その組織状態が
非常に安定であり、品質係数（Ｑファクタ）が少なくと
も２００以上、そのピーク域が約２５ＭＨｚ以上であ
り、インダクタンスが少なくとも１.５μＨとなる、高
周波特性が良好な軟磁性材料を従来よりも、低温で製造
し得る利点がある。
非常に安定であり、品質係数（Ｑファクタ）が少なくと
も２００以上、そのピーク域が約２５ＭＨｚ以上であ
り、インダクタンスが少なくとも１.５μＨとなる、高
周波特性が良好な軟磁性材料を従来よりも、低温で製造
し得る利点がある。
【００２７】一方、上記ガラスが添加された乾燥粉末を
利用してチップ系インダクターを製造する方法は次の通
りである。
利用してチップ系インダクターを製造する方法は次の通
りである。
【００２８】即ち、上記乾燥粉末にバインダーとしてＰ
ＶＢ、メチルセルローズ、オレイン酸、プロピレングリ
コール、トルエンまたはマニトル等の有機高分子からな
るバインダーを約１：１〜１：４の比で添加した後、ド
クターブレード方法でグリーンシートをつくった後、つ
くった複数のグリーンシートを積層し、積層したシート
上にＡｇ内部電極を印刷した後、更にグリーンシートを
複数個積層し、それを８６０〜９１０℃の温度で焼成す
る。この際、焼成温度は従来より低い約８６０〜９１０
℃においても可能である。焼成した焼結体に外部電極を
形成すれば本発明において得ようとするチッブ型インダ
クターが得られる。
ＶＢ、メチルセルローズ、オレイン酸、プロピレングリ
コール、トルエンまたはマニトル等の有機高分子からな
るバインダーを約１：１〜１：４の比で添加した後、ド
クターブレード方法でグリーンシートをつくった後、つ
くった複数のグリーンシートを積層し、積層したシート
上にＡｇ内部電極を印刷した後、更にグリーンシートを
複数個積層し、それを８６０〜９１０℃の温度で焼成す
る。この際、焼成温度は従来より低い約８６０〜９１０
℃においても可能である。焼成した焼結体に外部電極を
形成すれば本発明において得ようとするチッブ型インダ
クターが得られる。
【００２９】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例を通じて具
体的に説明する。
体的に説明する。
【００３０】実施例１ 表１のような組成で原料を秤量し、その原料をポリウレ
タンのジャーに投入し、ＹＴＺのボールを使用し、原料
重量の１〜３倍の蒸留水を添加し、平均粒度が１〜１.
５μｍになるように約８〜２４時間粉砕、混合した。混
合した粉末を乾燥した後、約７００〜９００℃の温度で
２〜３時間仮焼し、更に、上記ジャーにおいて再粉砕し
た。この際、上記の仮焼した粉末に１０Ｂ2Ｏ3−６５Ｂ
ｉ2Ｏ3−２５ＺｎＯガラス粉末を投入したものを約２４
〜４８時間再粉砕した。粒度が０.１〜１.５μｍとなっ
た最終粉末を乾燥機を通して乾燥したところ、乾燥によ
って水分が原料の重量当たり０.２〜０.７％まで減量し
た。
タンのジャーに投入し、ＹＴＺのボールを使用し、原料
重量の１〜３倍の蒸留水を添加し、平均粒度が１〜１.
５μｍになるように約８〜２４時間粉砕、混合した。混
合した粉末を乾燥した後、約７００〜９００℃の温度で
２〜３時間仮焼し、更に、上記ジャーにおいて再粉砕し
た。この際、上記の仮焼した粉末に１０Ｂ2Ｏ3−６５Ｂ
ｉ2Ｏ3−２５ＺｎＯガラス粉末を投入したものを約２４
〜４８時間再粉砕した。粒度が０.１〜１.５μｍとなっ
た最終粉末を乾燥機を通して乾燥したところ、乾燥によ
って水分が原料の重量当たり０.２〜０.７％まで減量し
た。
【００３１】その乾燥した粉末は、６０〜８０メッシュ
のふるいを通して均一な粒子として取出した後、これに
５〜１０重量％のポリビニルアルコールおよび５〜１６
重量％のマニトルが一緒に溶解したバインダーを約５〜
１５重量％添加し、上記粉末を５０メッシュのふるいで
均一な粒子として取出し、外径２５ｍｍ、内径１８ｍ
ｍ、高さ４.５ｍｍトロイダルコアとして成型し、上記
成型体を焼結した。この際、焼結は約４２０℃までは約
２℃／分程度に昇温し、その温度で約４時間保って脱バ
インダーし、次いで７５０℃までは約３℃／分の昇温
し、更に、約９００℃まで約１℃／分程度の速度で昇温
した。９００℃で２〜３時間程度保った後、７００℃ま
では約３℃／分の速度で、そして常温までは１０℃／分
の速度で冷却した。このように焼結した材料に直径０.
５５ｍｍのエナメル銅線を２０回巻線した後、１ＭＨｚ
〜５００ＭＨｚの周波数帯域でＨＰ４２９１Ａネットワ
ークアナライザを用いて、インダクタンスと品質係数
（Ｑファクタ）を測定し、その結果を表１に示した。表
１において、発明例（１３）の場合は、磁性原料粉末を
乾燥・仮焼を行わなかったのである。
のふるいを通して均一な粒子として取出した後、これに
５〜１０重量％のポリビニルアルコールおよび５〜１６
重量％のマニトルが一緒に溶解したバインダーを約５〜
１５重量％添加し、上記粉末を５０メッシュのふるいで
均一な粒子として取出し、外径２５ｍｍ、内径１８ｍ
ｍ、高さ４.５ｍｍトロイダルコアとして成型し、上記
成型体を焼結した。この際、焼結は約４２０℃までは約
２℃／分程度に昇温し、その温度で約４時間保って脱バ
インダーし、次いで７５０℃までは約３℃／分の昇温
し、更に、約９００℃まで約１℃／分程度の速度で昇温
した。９００℃で２〜３時間程度保った後、７００℃ま
では約３℃／分の速度で、そして常温までは１０℃／分
の速度で冷却した。このように焼結した材料に直径０.
５５ｍｍのエナメル銅線を２０回巻線した後、１ＭＨｚ
〜５００ＭＨｚの周波数帯域でＨＰ４２９１Ａネットワ
ークアナライザを用いて、インダクタンスと品質係数
（Ｑファクタ）を測定し、その結果を表１に示した。表
１において、発明例（１３）の場合は、磁性原料粉末を
乾燥・仮焼を行わなかったのである。
【表１】
【００３２】表１に示したように、本発明の条件を満た
す発明例（１〜１２）の場合、低温において焼成が可能
であるのみならず、軟磁性焼結体の密度は約４.８ｇ／
ｃｍ3以上を示し、更にインダクタンス値も１.５μＨ以
上、高周波の品質係数（Ｑファクタ）も約２５０以上を
示す優れた高周波特性を持っていることが確認された。
特に、発明例（８）（１０）（１１）のように、Ｓｉが
添加されると、粒界面にＳｉが存在して粒子成長を抑制
することによって、粒界の表面積を増加させて高周波に
おいて高い品質係数を得ることができるが、インダクタ
ンスが急激に低下する傾向がある。更に、本発明の場
合、発明例（１３）のように仮焼を行わなくとも同一な
高周波特性を有する軟磁性体を得ることが確認された。
す発明例（１〜１２）の場合、低温において焼成が可能
であるのみならず、軟磁性焼結体の密度は約４.８ｇ／
ｃｍ3以上を示し、更にインダクタンス値も１.５μＨ以
上、高周波の品質係数（Ｑファクタ）も約２５０以上を
示す優れた高周波特性を持っていることが確認された。
特に、発明例（８）（１０）（１１）のように、Ｓｉが
添加されると、粒界面にＳｉが存在して粒子成長を抑制
することによって、粒界の表面積を増加させて高周波に
おいて高い品質係数を得ることができるが、インダクタ
ンスが急激に低下する傾向がある。更に、本発明の場
合、発明例（１３）のように仮焼を行わなくとも同一な
高周波特性を有する軟磁性体を得ることが確認された。
【００３３】一方、比較例（１）の場合、ガラスを添加
しないでＢｉ系添加剤を添加すると、低温焼成帯域での
焼結が充分でないため相対的に低い品質係数値を示した
が、それはＢｉ成分単独では、焼結体の界面拡散が生じ
難いからである。更に、比較例（２）は相対的に多量の
ガラスを添加した場合であって、低温焼成後の焼結密度
は高いが、高周波特性が非常に悪いことがわかる。そし
て、基本的に本発明の磁性粉末原料の組成範囲をはずれ
た比較例（３）（４）の場合、低温焼成の際、高周波域
のインダクタンスや品質係数が低いため、高周波特性が
低下した。
しないでＢｉ系添加剤を添加すると、低温焼成帯域での
焼結が充分でないため相対的に低い品質係数値を示した
が、それはＢｉ成分単独では、焼結体の界面拡散が生じ
難いからである。更に、比較例（２）は相対的に多量の
ガラスを添加した場合であって、低温焼成後の焼結密度
は高いが、高周波特性が非常に悪いことがわかる。そし
て、基本的に本発明の磁性粉末原料の組成範囲をはずれ
た比較例（３）（４）の場合、低温焼成の際、高周波域
のインダクタンスや品質係数が低いため、高周波特性が
低下した。
【００３４】実施例２ ガラスの種類による高周波特性を調べるため、表２のよ
うな、互いに異なる物理的特性を有するガラスを、実施
例１と同一の方法で同一の組成を有する磁性粉末に一定
量を添加し、焼結体を製造して各軟磁性焼結体に製作し
たトロイダルコアに対して電磁気的特性を測定し、その
結果を表３に示した。このとき、測定条件は直径０.６
ｍｍのエナメル銅線を２０回巻線した後、インピーダン
スアナライザＨＰ４１９４Ａで行った。
うな、互いに異なる物理的特性を有するガラスを、実施
例１と同一の方法で同一の組成を有する磁性粉末に一定
量を添加し、焼結体を製造して各軟磁性焼結体に製作し
たトロイダルコアに対して電磁気的特性を測定し、その
結果を表３に示した。このとき、測定条件は直径０.６
ｍｍのエナメル銅線を２０回巻線した後、インピーダン
スアナライザＨＰ４１９４Ａで行った。
【表２】
【表３】
【００３５】表２および表３に示したように、同一のガ
ラスであっても、各ガラスの作業点と熱膨張係数を異に
する組成が異なることにより、軟焼結体の電磁気的特性
変化が非常に大きいことがわかる。即ち、軟磁性粉末に
添加されるガラスが重量％で、Ｂが１０〜４０％、Ｂｉ
が２０〜７０％、Ｚｎが２０〜４０の本発明の条件を満
たすガラス［発明材（ａ〜ｄ）］を使用した発明例
（１）（１４〜１８）の場合、高周波におけるインダク
タンス値が少なくとも２.０μＨ以上であり、品質係数
は２５０以上のみならず、品質係数ピーク域（Ｑピーク
バンド）が全て２５ＭＨｚ以上であることがわかる。そ
して、組成範囲を満たすガラスに少量のＳｉを添加して
も、発明例（１）に類似する特性を得ることができる。
ラスであっても、各ガラスの作業点と熱膨張係数を異に
する組成が異なることにより、軟焼結体の電磁気的特性
変化が非常に大きいことがわかる。即ち、軟磁性粉末に
添加されるガラスが重量％で、Ｂが１０〜４０％、Ｂｉ
が２０〜７０％、Ｚｎが２０〜４０の本発明の条件を満
たすガラス［発明材（ａ〜ｄ）］を使用した発明例
（１）（１４〜１８）の場合、高周波におけるインダク
タンス値が少なくとも２.０μＨ以上であり、品質係数
は２５０以上のみならず、品質係数ピーク域（Ｑピーク
バンド）が全て２５ＭＨｚ以上であることがわかる。そ
して、組成範囲を満たすガラスに少量のＳｉを添加して
も、発明例（１）に類似する特性を得ることができる。
【００３６】反面、本発明のガラスとは異なり、Ｂ−Ｓ
ｉ系ガラス［（Ａ〜Ｃ）］を用いた比較例（５〜７）の
場合、インダクタンス値が非常に小さかったり、品質係
数が小さく、高周波特性が低下することがわかる。
ｉ系ガラス［（Ａ〜Ｃ）］を用いた比較例（５〜７）の
場合、インダクタンス値が非常に小さかったり、品質係
数が小さく、高周波特性が低下することがわかる。
【００３７】実施例３ 表１の組成を有する原料を実施例１と同一の方法により
乾燥した粉末をつくり、上記粉末にＰＶＢ、マニトルバ
インダーを約１：１〜１：４添加した後、それを２００
〜３２５メッシュのふるいで均一な粒子にして取出した
後、ドクダーブレード法により１０〜２００μｍのグリ
ーンシートをつくった。
乾燥した粉末をつくり、上記粉末にＰＶＢ、マニトルバ
インダーを約１：１〜１：４添加した後、それを２００
〜３２５メッシュのふるいで均一な粒子にして取出した
後、ドクダーブレード法により１０〜２００μｍのグリ
ーンシートをつくった。
【００３８】つくった複数のグリーンシートを積層し、
積層したシート上にＡｇ内部電極を印刷し、更に、グリ
ーンシートを複数個積層して焼成した。その際焼結体の
内部電極は１回巻線で製作され、焼成は８８０〜９１０
℃において、１〜３時間行った。このような焼結体に外
部電極を形成してチップインダクターを製造した。この
ように製造したインダクターに対してＨＰ４１９２Ａネ
ットワークアナライザにより電磁気的特性を測定し、そ
の結果を表４に示した。
積層したシート上にＡｇ内部電極を印刷し、更に、グリ
ーンシートを複数個積層して焼成した。その際焼結体の
内部電極は１回巻線で製作され、焼成は８８０〜９１０
℃において、１〜３時間行った。このような焼結体に外
部電極を形成してチップインダクターを製造した。この
ように製造したインダクターに対してＨＰ４１９２Ａネ
ットワークアナライザにより電磁気的特性を測定し、そ
の結果を表４に示した。
【表４】
【００３９】表４に示したように、本発明の条件を満た
す発明例（２０〜２６）の場合、低温焼成が可能である
のみならず軟磁性焼結体のインダクタンス値も１５μＨ
以上、高周波において、品質係数（Ｑ）も約３５以上を
示し、優れた電磁気的特性を有することが確認された。
即ち、本発明のこのような特性は、ガラスおよびＣｏ系
添加剤を全く添加しない従来のチップインダクターの場
合に比べて、焼成温度が約８８０℃と非常に低いのみな
らず、焼成後の損失が非常に減少する特性を示している
ことがわかる。
す発明例（２０〜２６）の場合、低温焼成が可能である
のみならず軟磁性焼結体のインダクタンス値も１５μＨ
以上、高周波において、品質係数（Ｑ）も約３５以上を
示し、優れた電磁気的特性を有することが確認された。
即ち、本発明のこのような特性は、ガラスおよびＣｏ系
添加剤を全く添加しない従来のチップインダクターの場
合に比べて、焼成温度が約８８０℃と非常に低いのみな
らず、焼成後の損失が非常に減少する特性を示している
ことがわかる。
【００４０】上記のように、本発明によれば低温におい
ても、焼成が充分に進行して高周波特性が優れた軟磁性
材料を得ることができ、このような製造方法は、既存の
軟磁性製造設備をそのまま使用することができるため、
高価な製造設備の投資や複雑な管理を行う必要がないの
で、低価格のチップインダクター用軟磁性材料を製造す
るのに非常に有用である。
ても、焼成が充分に進行して高周波特性が優れた軟磁性
材料を得ることができ、このような製造方法は、既存の
軟磁性製造設備をそのまま使用することができるため、
高価な製造設備の投資や複雑な管理を行う必要がないの
で、低価格のチップインダクター用軟磁性材料を製造す
るのに非常に有用である。
Claims (28)
- 【請求項１】 Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系高周波軟磁性材料に
おいて、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５１.０％、Ｃ
ｕＯが１.０〜１００％、ＮｉＯが３８.０〜４８.０
％、およびＺｎＯが１.０〜１０.０％からなる磁性粉末
にＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスが１〜２５ｗｔ％
含有することを特徴とする低温焼成用高周波軟磁性材
料。 - 【請求項２】 上記磁性粉末にＣｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％
以下、Ｃｏ3Ｏ4が３.０ｗｔ％以下、およびＳｉＯ2が
２.０ｗｔ％以下の中から、少なくとも一種以上追加し
て含有することを特徴とする請求項１記載の低温焼成用
高周波軟磁性材料。 - 【請求項３】 上記ガラスは、ｗｔ％で、Ｂ2Ｏ3が１０
〜４０％、Ｂｉ2Ｏ3が２０〜４０％、およびＺｎＯが２
０〜７０％の組成であることを特徴とする請求項１記載
の軟磁性材料。 - 【請求項４】 上記ガラスは、０.０１〜１０ｗｔ％の
ＳｉＯ2が追加して含有することを特徴とする請求項３
記載の軟磁性材料。 - 【請求項５】 上記焼結体の密度は少なくとも４.８ｇ
／ｃｍ3以上であることを特徴とする請求項４記載の軟
磁性材料。 - 【請求項６】 巻線型インダクターの製造方法におい
て、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５１.０％、ＣｕＯ
が１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.０〜４８.０％、お
よびＺｎＯが１.０〜１０.０％からなる磁性粉末にＢ2
Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3-ＺｎＯ系ガラスを１〜２５ｗｔ％添加
し、それを粉砕した後、乾燥する工程、乾燥した粉末に
５〜１０重量％の主剤と５〜１６重量％の反応抑制剤を
加えたバインダーを５〜１５重量％添加し、造粒する工
程、および造粒粉末を成型し、８６０〜９１０℃の温度
で焼結する工程、から構成されることを特徴とする低温
焼成用巻線系高周波インダクターの製造方法。 - 【請求項７】 上記磁性粉末にＣｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％
以下、Ｃｏ3Ｏ3が３.０ｗｔ％以下、およびＳｉＯ2が
２.０ｗｔ％以下の中から、少なくとも一種以上を追加
的に含有することを特徴とする請求項６記載の製造方
法。 - 【請求項８】 上記ガラスは、ｗｔ％で、Ｂ2Ｏ3が１０
〜４０％、Ｂｉ2Ｏ3が２０〜４０％およびＺｎＯが２０
〜７０％の組成であることを特徴とする請求項６記載の
製造方法。 - 【請求項９】 上記ガラスは、０.０１〜１０ｗｔ％の
ＳｉＯ2を追加的に含有することを特徴とする請求項８
記載の製造方法。 - 【請求項１０】 上記のガラスは、その粒度の大きさが
０.１〜１０μｍである粉末を用いることを特徴とする
請求項８記載の製造方法。 - 【請求項１１】 上記ガラスは、その粒度の大きさが
０.２〜５μｍである粉末を用いることを特徴とする請
求項１０記載の製造方法。 - 【請求項１２】 上記粉末を乾燥した後、仮焼すること
を特徴とする請求項６記載の製造方法。 - 【請求項１３】 上記仮焼は、７００〜９００℃で実施
することを特徴とする請求項１２記載の製造方法。 - 【請求項１４】 上記主剤としてはポリビニルアルコー
ルまたはメチルセルローズを用いることを特徴とする請
求項６記載の製造方法。 - 【請求項１５】 上記反応抑制剤として、マニトルまた
はプロピレングリコールを用いることを特徴とする請求
項６記載の製造方法。 - 【請求項１６】 上記焼結温度で５時間以内保持するこ
とを特徴とする請求項６記載の製造方法。 - 【請求項１７】 上記焼結の際に、７５０〜９００℃ま
での昇温過程は約１０℃／分以内であり、９００℃から
７００℃までの冷却過程は約５℃／分以内であることを
特徴とする請求項６記載の製造方法。 - 【請求項１８】 チップ型インダクターの製造方法にお
いて、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４０.０〜５１.０％、Ｃｕ
Ｏが１.０〜１０.０％、ＮｉＯが３８.０〜４８.０％、
およびＺｎＯが１.０〜１０.０％からなる磁性粉末にＢ
2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを１〜２５ｗｔ％の範
囲で添加し、それを粉砕した後、乾燥する工程、乾燥し
た粉末にバインダーを約１：１〜１：４添加した後、ド
クターブレード法によりグリーンシートをつくる工程、
作製した複数のグリーンシートを積層し、積層したシー
ト上にＡｇ内部電極を印刷した後、更にグリーンシート
を複数個積層し、それを８６０〜９１０℃で焼成する工
程、および焼結体に外部電極を形成する工程、から構成
することを特徴とするチップ型高周波インダクターの製
造方法。 - 【請求項１９】 上記磁性粉末にＣｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ
％以下、Ｃｏ3Ｏ4が３.０ｗｔ％以下、およびＳｉＯ2が
２.０ｗｔ％以下の中から、少なくとも一種以上を追加
的に含有することを特徴とする請求項１８記載の製造方
法。 - 【請求項２０】 上記ガラスは、ｗｔ％で、Ｂ2Ｏ3が１
０〜４０％、Ｂｉ2Ｏ3が２０〜４０％、およびＺｎＯが
２０〜７０％の組成であることを特徴とする請求項１８
記載の製造方法。 - 【請求項２１】 上記ガラスは、０.０１〜１０ｗｔ％
のＳｉＯ2を追加的に含有することを特徴とする請求項
２０記載の製造方法。 - 【請求項２２】 上記ガラスはその粒度の大きさが０.
１〜１０μｍである粉末を使用することを特徴とする請
求項２０記載の製造方法。 - 【請求項２３】 上記ガラスはその粒度の大きさが０.
２〜５μｍである粉末を使用することを特徴とする請求
項２０記載の製造方法。 - 【請求項２４】 上記粉末を乾燥した後、仮焼すること
を特徴する請求項１８記載の製造方法。 - 【請求項２５】 上記仮焼は７００〜９００℃で実施す
ることを特徴とする請求項２４記載の製造方法。 - 【請求項２６】 上記バインダーとしてはＰＶＢとマニ
トルとが混合していることを特徴とする請求項１８記載
の製造方法。 - 【請求項２７】 上記焼結温度で５時間以内保持するこ
とを特徴とする請求項１８記載の製造方法。 - 【請求項２８】 上記焼結の際に、７５０〜９００℃ま
での昇温過程は約１０℃／分以内であり、９００℃から
７００℃までの冷却過程は約５℃／分以内であることを
特徴とする請求項１８記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1019960060292A KR100222756B1 (ko) | 1996-11-30 | 1996-11-30 | 저온소성용 고주파 연자성재료 및 이를 이용한 인덕터의 제조방법 |
| KR1996-60292 | 1996-11-30 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163017A true JPH10163017A (ja) | 1998-06-19 |
| JP2923268B2 JP2923268B2 (ja) | 1999-07-26 |
Family
ID=19484960
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9222485A Expired - Fee Related JP2923268B2 (ja) | 1996-11-30 | 1997-08-19 | 低温焼成用高周波軟磁性材料およびそれを用いたインダクターの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5853608A (ja) |
| JP (1) | JP2923268B2 (ja) |
| KR (1) | KR100222756B1 (ja) |
| DE (1) | DE19725869C2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| JP2007234755A (ja) * | 2006-02-28 | 2007-09-13 | Mitsubishi Materials Corp | Ｌｃ複合フィルタ部品の製造方法及びｌｃ複合フィルタ部品 |
| JP5999278B1 (ja) * | 2015-04-02 | 2016-09-28 | Tdk株式会社 | 複合フェライト組成物および電子部品 |
| JP2020194811A (ja) * | 2019-05-24 | 2020-12-03 | 株式会社村田製作所 | 積層型コイル部品 |
Families Citing this family (14)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6127296A (en) * | 1998-04-24 | 2000-10-03 | Tdk Corporation | Ceramic-glass composite material and method for the preparation thereof |
| JP2000252112A (ja) * | 1999-03-02 | 2000-09-14 | Murata Mfg Co Ltd | 磁性体磁器組成物およびそれを用いたインダクタ部品 |
| TW527612B (en) * | 2000-12-25 | 2003-04-11 | Tdk Corp | Low-temperature burnt ferrite material and ferrite parts using the same |
| DE10130894A1 (de) * | 2001-06-27 | 2003-01-16 | Siemens Ag | Glaskeramik und elektrisches Bauelement mit der Glaskeramik |
| KR100478710B1 (ko) * | 2002-04-12 | 2005-03-24 | 휴먼일렉스(주) | 연자성 분말의 제조 및 이를 이용한 인덕터의 제조방법 |
| EP2372730B1 (de) | 2010-04-01 | 2014-10-01 | Ortovox Sportartikel GmbH | Schaltungsanordnung mit Schaltregler |
| US20140021412A1 (en) * | 2012-03-19 | 2014-01-23 | Mitsuishi Taika Renga Kabushiki Kaisha | Brick and brick manufacturing method |
| TW201442979A (zh) * | 2013-03-19 | 2014-11-16 | Mitsuishi Taika Renga Kabushiki Kaisha | 用於結構建築物之成形體及其製造方法及陶瓷體製造方法 |
| CN110372363A (zh) * | 2019-06-13 | 2019-10-25 | 山东格仑特电动科技有限公司 | 一种低温烧结软磁铁氧体材料及其制备方法 |
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| CN114144851A (zh) | 2019-07-12 | 2022-03-04 | 阿莫绿色技术有限公司 | 铁基软磁合金、其制造方法以及包括其的磁性部件 |
| KR20230041640A (ko) | 2021-09-17 | 2023-03-24 | 주식회사 아모그린텍 | Fe계 연자성 합금 및 이의 제조방법 |
| CN115028443B (zh) * | 2022-06-09 | 2023-10-31 | 广东风华高新科技股份有限公司 | 一种叠层铁氧体电感材料及其制备方法 |
| CN116403796B (zh) * | 2023-05-09 | 2024-02-13 | 清远市佳和磁材有限公司 | 一种高频电感及其制备方法 |
Family Cites Families (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CA573068A (en) * | 1959-03-31 | Steatite Research Corporation | Magnetic ferrite of high maximum permeability and high curie point | |
| DE1064867B (de) * | 1958-05-06 | 1959-09-03 | Siemens Ag | Elektrisch hochisolierender, glasartiger ferromagnetischer Werkstoff |
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| JP2727509B2 (ja) * | 1987-08-17 | 1998-03-11 | ティーディーケイ株式会社 | チップインダクタおよびｌｃ複合部品 |
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-
1996
- 1996-11-30 KR KR1019960060292A patent/KR100222756B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-06-18 DE DE19725869A patent/DE19725869C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-19 US US08/879,201 patent/US5853608A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-19 JP JP9222485A patent/JP2923268B2/ja not_active Expired - Fee Related
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Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR100222756B1 (ko) | 1999-10-01 |
| DE19725869C2 (de) | 2002-07-11 |
| DE19725869A1 (de) | 1998-06-04 |
| US5853608A (en) | 1998-12-29 |
| KR19980041026A (ko) | 1998-08-17 |
| JP2923268B2 (ja) | 1999-07-26 |
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