JP2837150B2 - インダクター用軟磁性材料およびそれを用いたインダクターの製造方法 - Google Patents
インダクター用軟磁性材料およびそれを用いたインダクターの製造方法Info
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- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、チップインダクタ
ー、チップビーズのようなチップ部品、又は、巻線型イ
ンダクターのような電磁波の遮蔽部品等に用いられる軟
磁性材料およびそれを用いたインダクターの製造方法に
関する。より詳しくは、低温焼成が可能であり、外部応
力に対する電磁気的特性の変化が少ない、優れた電磁気
的性を有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系軟磁性材料およびそれ
を用いた巻線型又はチップ型インダクターの製造方法に
関する。
ー、チップビーズのようなチップ部品、又は、巻線型イ
ンダクターのような電磁波の遮蔽部品等に用いられる軟
磁性材料およびそれを用いたインダクターの製造方法に
関する。より詳しくは、低温焼成が可能であり、外部応
力に対する電磁気的特性の変化が少ない、優れた電磁気
的性を有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系軟磁性材料およびそれ
を用いた巻線型又はチップ型インダクターの製造方法に
関する。
【０００２】
【従来の技術】今日、電子、通信機器の著しい発展は、
電子部品の小型化、薄膜化および実装性の改良等が基礎
になって新しい産業構造を構築しているが、このような
産業構造の発展は、以前は無視することのできた新しい
問題、即ち環境および通信障害等を誘発して社会的問題
を生じさせるという両面性を持つようになった。特に、
無線通信機器およびマルチ環境が一般に常用されること
により、悪化した電磁気環境に関する各国の電磁気障害
規制(ＦＣＣ、ＣＩＳＰＲ、ＶＤＥ、ＭＩＬ)が強化され
ることにより、電磁波障害除去(ＥＭＩ/ＥＭＣ)素子に
対する開発が要求され、その部品の需要急増と共に機能
の複雑化、高集積化および高効率化に発展している。
電子部品の小型化、薄膜化および実装性の改良等が基礎
になって新しい産業構造を構築しているが、このような
産業構造の発展は、以前は無視することのできた新しい
問題、即ち環境および通信障害等を誘発して社会的問題
を生じさせるという両面性を持つようになった。特に、
無線通信機器およびマルチ環境が一般に常用されること
により、悪化した電磁気環境に関する各国の電磁気障害
規制(ＦＣＣ、ＣＩＳＰＲ、ＶＤＥ、ＭＩＬ)が強化され
ることにより、電磁波障害除去(ＥＭＩ/ＥＭＣ)素子に
対する開発が要求され、その部品の需要急増と共に機能
の複雑化、高集積化および高効率化に発展している。
【０００３】その際に、電磁波障害除去素子用または電
力用トランスのような電子部品などの素材として応用さ
れる軟磁性材料の適用範囲も特性別、周波数帯域別に細
分化され、その製造方法も従来の粉末冶金学的な製造方
法から積層式部品製造に研究が活発に進められ実用化さ
れており、今日、セラミック電子部品の製造分野に小型
チップ部品の製造技術として定着するようになった。
力用トランスのような電子部品などの素材として応用さ
れる軟磁性材料の適用範囲も特性別、周波数帯域別に細
分化され、その製造方法も従来の粉末冶金学的な製造方
法から積層式部品製造に研究が活発に進められ実用化さ
れており、今日、セラミック電子部品の製造分野に小型
チップ部品の製造技術として定着するようになった。
【０００４】一般的にチップインダクター、チップビー
ズ、チップアレイ、チップＬＣフィルターおよびチップ
トランス等のような小型チップ部品に用いられる軟磁性
材料は、高いインダクタンスを必要としており、そのよ
うな軟磁性材料ではＭｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉフェラ
イト、Ｎｉ−ＺｎフェライトまたはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライト等を挙げることができる。Ｍｎ−Ｚｎフェライ
トの場合、透磁率が高く電力損失が非常に少ないため電
源用トランスコア、電力ライン用フィルター等の磁芯材
料に用いられるが、高周波特性が低いために１ＭＨｚ以
上の周波数帯域では適用するのが難しいという短所があ
る。現在、このような高周波帯域において用いられる磁
芯材料としては、Ｎｉフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライ
トまたはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト等がある。
ズ、チップアレイ、チップＬＣフィルターおよびチップ
トランス等のような小型チップ部品に用いられる軟磁性
材料は、高いインダクタンスを必要としており、そのよ
うな軟磁性材料ではＭｎ−Ｚｎフェライト、Ｎｉフェラ
イト、Ｎｉ−ＺｎフェライトまたはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフ
ェライト等を挙げることができる。Ｍｎ−Ｚｎフェライ
トの場合、透磁率が高く電力損失が非常に少ないため電
源用トランスコア、電力ライン用フィルター等の磁芯材
料に用いられるが、高周波特性が低いために１ＭＨｚ以
上の周波数帯域では適用するのが難しいという短所があ
る。現在、このような高周波帯域において用いられる磁
芯材料としては、Ｎｉフェライト、Ｎｉ−Ｚｎフェライ
トまたはＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライト等がある。
【０００５】一方、上記軟磁性材料を製造する従来の方
法では、焼成工程は、約１０００〜１４００℃で１〜５
時間程度行われる。しかし、チップインダクターやチッ
プビーズフィルター等の電子部品の内部電極は普通Ａｇ
電極を用い、上記のような焼成温度は内部電極のＡｇの
溶融点(９６０℃）を越えており、非常に高い温度条件
で製造した部品などは一般的な周波数帶域の５００ＫＨ
ｚ〜２０ＭＨｚにおいて損失が非常に大きいという短所
を持っているために要求するインダクタンスを実現する
のに非常に難しいという問題点がある。したがって、軟
磁性体の焼成温度を下げるために、一般的に磁芯材料の
粒度を０.０１〜１μｍまで微粉砕することで、粒子の
エネルギー準位を基底状態（準安定状態）にして、焼成
時の粒子間の物質移動面を増加させることにより、焼結
を促進させ低温焼成を図る方法が行われている。しか
し、上記微粉砕工程を通じた製造方法は、設備費の高価
格化と製造工程の複雑化によって、製品コストの増加の
みならず実用化にも問題がある。
法では、焼成工程は、約１０００〜１４００℃で１〜５
時間程度行われる。しかし、チップインダクターやチッ
プビーズフィルター等の電子部品の内部電極は普通Ａｇ
電極を用い、上記のような焼成温度は内部電極のＡｇの
溶融点(９６０℃）を越えており、非常に高い温度条件
で製造した部品などは一般的な周波数帶域の５００ＫＨ
ｚ〜２０ＭＨｚにおいて損失が非常に大きいという短所
を持っているために要求するインダクタンスを実現する
のに非常に難しいという問題点がある。したがって、軟
磁性体の焼成温度を下げるために、一般的に磁芯材料の
粒度を０.０１〜１μｍまで微粉砕することで、粒子の
エネルギー準位を基底状態（準安定状態）にして、焼成
時の粒子間の物質移動面を増加させることにより、焼結
を促進させ低温焼成を図る方法が行われている。しか
し、上記微粉砕工程を通じた製造方法は、設備費の高価
格化と製造工程の複雑化によって、製品コストの増加の
みならず実用化にも問題がある。
【０００６】更に、他の例として(ＺｎＯ＋Ｂｉ2Ｏ3）
を主成分とする低温化合物を利用して焼成を図る方法
（特開昭５９−６７１１９号）、そしてＢ2Ｏ3のような
成分を利用する方法(特開昭６４−４５７７１号）およ
びＺｎＯ、Ｖ2Ｏ5のようなフラックスを添加剤として用
い、粒子の界面拡散を誘導することによって焼成する方
法(特開昭６０−２１０５７２号）が知られており常用
されている。しかし、低融点化合物を添加する方法等
は、周波数特性を向上させるＣｏ成分の挙動を妨げるこ
とで、所定の効果を低減させる。更に、焼成の過程にお
いて母材の軟磁性材料の焼結進行温度より低い温度帯域
において、添加物などが液状で存在し、それらが軟磁性
体の粒界に拡散して焼結を促進させるメカニズムで駆動
させるため、かえって部分的な添加剤の偏析によりイン
ダクダンスの低減および損失をもたらすと同時に内部電
極のＡｇと反応したり、Ａｇ電極に拡散してチップイン
ダクターの電磁気的特性(インダクタンス、Ｑファクタ
ー)を劣化させることにより、製品の信頼性に大きな影
響を及ぼすという問題点があった。
を主成分とする低温化合物を利用して焼成を図る方法
（特開昭５９−６７１１９号）、そしてＢ2Ｏ3のような
成分を利用する方法(特開昭６４−４５７７１号）およ
びＺｎＯ、Ｖ2Ｏ5のようなフラックスを添加剤として用
い、粒子の界面拡散を誘導することによって焼成する方
法(特開昭６０−２１０５７２号）が知られており常用
されている。しかし、低融点化合物を添加する方法等
は、周波数特性を向上させるＣｏ成分の挙動を妨げるこ
とで、所定の効果を低減させる。更に、焼成の過程にお
いて母材の軟磁性材料の焼結進行温度より低い温度帯域
において、添加物などが液状で存在し、それらが軟磁性
体の粒界に拡散して焼結を促進させるメカニズムで駆動
させるため、かえって部分的な添加剤の偏析によりイン
ダクダンスの低減および損失をもたらすと同時に内部電
極のＡｇと反応したり、Ａｇ電極に拡散してチップイン
ダクターの電磁気的特性(インダクタンス、Ｑファクタ
ー)を劣化させることにより、製品の信頼性に大きな影
響を及ぼすという問題点があった。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明は
上記従来の問題点を解決するために、母材の主成分と反
応しても、電磁気的特性の劣化が最小であり、内部電極
のＡｇと反応しないようにする複合ガラスの粉末を添加
することによって、非常に低い焼成温度で、内部電極の
安定性を図ることは言うまでもなく、５００ＫＨｚ〜２
０ＭＨｚの周波数帯域における特性の優れたＮｉ−Ｃｕ
−Ｚｎ系軟磁性材料を提供することである。
上記従来の問題点を解決するために、母材の主成分と反
応しても、電磁気的特性の劣化が最小であり、内部電極
のＡｇと反応しないようにする複合ガラスの粉末を添加
することによって、非常に低い焼成温度で、内部電極の
安定性を図ることは言うまでもなく、５００ＫＨｚ〜２
０ＭＨｚの周波数帯域における特性の優れたＮｉ−Ｃｕ
−Ｚｎ系軟磁性材料を提供することである。
【０００８】更に、本発明の他の目的は、上記Ｎｉ−Ｃ
ｕ−Ｚｎ系軟磁性材料を利用する低温焼成において、巻
線型またはチップ型インダクターを製造する方法を提供
することである。
ｕ−Ｚｎ系軟磁性材料を利用する低温焼成において、巻
線型またはチップ型インダクターを製造する方法を提供
することである。
【０００９】
【課題を解決するための手段および作用・効果】上記目
的達成のために、本発明は、インダクター用Ｎｉ−Ｃｕ
−Ｚｎ系軟磁性材料において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４
９.０〜５０.０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.
５〜２５％、およびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる
磁性粉末に、Ｂ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを０.
０５〜１５.０ｗｔ％含有させた組成のインダクター用
軟磁性材料に関する。
的達成のために、本発明は、インダクター用Ｎｉ−Ｃｕ
−Ｚｎ系軟磁性材料において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４
９.０〜５０.０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.
５〜２５％、およびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる
磁性粉末に、Ｂ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを０.
０５〜１５.０ｗｔ％含有させた組成のインダクター用
軟磁性材料に関する。
【００１０】更に、本発明はインダクター用Ｎｉ−Ｃｕ
−Ｚｎ系軟磁性材料において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４
９.０〜５０.０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.
５〜２５％、およびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる
磁性粉末にＣｏＯが２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ2Ｏ3が２.０
ｗｔ％以下、およびＣｏ3Ｏ4が２.０ｗｔ％以下の中か
ら一種または二種以上と、Ｂ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系
ガラスが０.０５〜１５.０ｗｔ％を含有させたインダク
ター用軟磁性材料に関する。
−Ｚｎ系軟磁性材料において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４
９.０〜５０.０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.
５〜２５％、およびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる
磁性粉末にＣｏＯが２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ2Ｏ3が２.０
ｗｔ％以下、およびＣｏ3Ｏ4が２.０ｗｔ％以下の中か
ら一種または二種以上と、Ｂ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系
ガラスが０.０５〜１５.０ｗｔ％を含有させたインダク
ター用軟磁性材料に関する。
【００１１】更に、本発明は、巻線型インダクターの製
造方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.
０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.５〜２５％、
およびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる磁性粉末にＢ2
Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを０.０５〜１５.０ｗ
ｔ％添加し、それを粉砕後乾燥した後に仮焼する工程、
仮焼した粉末に５〜１０重量％の主剤と５〜１６重量％
の反応抑制剤を加えたバインダーを５〜１５重量％添加
して造粒する工程、および造粒粉末を成型し、８６０〜
９１０℃の温度で焼結する工程、から構成される巻線型
インダクターの製造方法に関する。
造方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.
０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.５〜２５％、
およびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる磁性粉末にＢ2
Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを０.０５〜１５.０ｗ
ｔ％添加し、それを粉砕後乾燥した後に仮焼する工程、
仮焼した粉末に５〜１０重量％の主剤と５〜１６重量％
の反応抑制剤を加えたバインダーを５〜１５重量％添加
して造粒する工程、および造粒粉末を成型し、８６０〜
９１０℃の温度で焼結する工程、から構成される巻線型
インダクターの製造方法に関する。
【００１２】更に、本発明は、巻線型インダクターの製
造方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.
０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.５〜２５％お
よびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる磁性粉末にＢ2Ｏ
3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを０.０５〜１５.０ｗｔ
％添加し、それを粉砕後に乾燥する工程、乾燥した磁性
粉末にＣｏＯが２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ
％以下およびＣｏ3Ｏ4が２.０ｗｔ％以下の中から一種
または二種以上を添加し、それを仮焼する工程、仮焼粉
末に５〜１０重量％の主剤と５〜１６重量％の反応抑制
剤を加えたバインダーを５〜１５重量％の範囲に添加し
て造粒する工程、および造粒粉末を成型し、８６０〜９
１０℃の温度で焼結する工程、から構成される巻線型イ
ンダクターの製造方法に関する。
造方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.
０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.５〜２５％お
よびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる磁性粉末にＢ2Ｏ
3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを０.０５〜１５.０ｗｔ
％添加し、それを粉砕後に乾燥する工程、乾燥した磁性
粉末にＣｏＯが２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ
％以下およびＣｏ3Ｏ4が２.０ｗｔ％以下の中から一種
または二種以上を添加し、それを仮焼する工程、仮焼粉
末に５〜１０重量％の主剤と５〜１６重量％の反応抑制
剤を加えたバインダーを５〜１５重量％の範囲に添加し
て造粒する工程、および造粒粉末を成型し、８６０〜９
１０℃の温度で焼結する工程、から構成される巻線型イ
ンダクターの製造方法に関する。
【００１３】更に、本発明はチップ型インダクターの製
造方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.
０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.５〜２５％お
よびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる磁性粉末にＢ2Ｏ
3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ型ガラスを０.０５〜１５.０ｗｔ
％添加し、それを粉砕した後に乾燥する工程、乾燥した
粉末にバインダーを約１:１〜１:４添加した後、ドクタ
ーブレード法によりグリーンシートをつくる工程、つく
った複数のグリーンシートを積層し、積層したシート上
にＡｇ内部電極を印刷した後、更にグリーンシートを複
数個積層し、それを焼成する工程、および焼成した焼結
体に外部電極を形成する工程、から構成されたチップ型
インダクターの製造方法に関する。
造方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.
０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.５〜２５％お
よびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる磁性粉末にＢ2Ｏ
3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ型ガラスを０.０５〜１５.０ｗｔ
％添加し、それを粉砕した後に乾燥する工程、乾燥した
粉末にバインダーを約１:１〜１:４添加した後、ドクタ
ーブレード法によりグリーンシートをつくる工程、つく
った複数のグリーンシートを積層し、積層したシート上
にＡｇ内部電極を印刷した後、更にグリーンシートを複
数個積層し、それを焼成する工程、および焼成した焼結
体に外部電極を形成する工程、から構成されたチップ型
インダクターの製造方法に関する。
【００１４】更に、本発明はチップ型インダクターの製
造方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.
０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.５〜２５％、
およびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる磁性粉末にＣ
ｏＯが２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％以下、
およびＣｏ3Ｏ4が２.０ｗｔ％以下の中から一種または
二種以上とＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを０.０
５〜１５.０ｗｔ％添加し、それを粉砕した後に乾燥す
る工程、乾燥した粉末にバインダーを約１:１〜１:４に
添加した後、ドクダーブレード法によりグリーンシート
をつくる工程、つくった複数のグリーンシートを積層
し、積層のシート上にＡｇ内部電極を印刷した後、更
に、グリーンシートを複数個積層し、それを８６０〜９
１０℃で焼成する工程、および焼成した焼結体に外部電
極を形成する工程、から構成されたチップ型インダクタ
ーの製造方法に関するものである。
造方法において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.
０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.５〜２５％、
およびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる磁性粉末にＣ
ｏＯが２.０ｗｔ％以下、Ｃｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％以下、
およびＣｏ3Ｏ4が２.０ｗｔ％以下の中から一種または
二種以上とＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを０.０
５〜１５.０ｗｔ％添加し、それを粉砕した後に乾燥す
る工程、乾燥した粉末にバインダーを約１:１〜１:４に
添加した後、ドクダーブレード法によりグリーンシート
をつくる工程、つくった複数のグリーンシートを積層
し、積層のシート上にＡｇ内部電極を印刷した後、更
に、グリーンシートを複数個積層し、それを８６０〜９
１０℃で焼成する工程、および焼成した焼結体に外部電
極を形成する工程、から構成されたチップ型インダクタ
ーの製造方法に関するものである。
【００１５】以下、本発明を詳細に説明する。
【００１６】一般的に、磁性材料は、その組織および組
成により周波数帯域による特性が異なっている。本発明
においては５００ＫＨｚ〜２０ＭＨｚ程度の常用周波数
帶域において、適合するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトを
利用するものの、このようなＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系のフェ
ライトは、そのＮｉＯ成分が低く、相対的にＺｎＯ成分
量が高い。本発明に合致する望ましい基本組成として
は、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.０％、ＣｕＯ
が５.０〜１３.０％、ＮｉＯが７.５〜２５.０％、およ
びＺｎＯが１２〜３８.５％からなる軟磁性粉末を挙げ
ることができる。更に望ましくは、上記磁性粉末に添加
剤としてＣｏＯ、Ｃｏ2Ｏ3およびＣｏ3Ｏ4から構成され
るＣｏ系粉末の中から少なくとも一種または二種以上を
約２.０ｗｔ％以下添加したものを基本組成とする。
成により周波数帯域による特性が異なっている。本発明
においては５００ＫＨｚ〜２０ＭＨｚ程度の常用周波数
帶域において、適合するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトを
利用するものの、このようなＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系のフェ
ライトは、そのＮｉＯ成分が低く、相対的にＺｎＯ成分
量が高い。本発明に合致する望ましい基本組成として
は、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.０％、ＣｕＯ
が５.０〜１３.０％、ＮｉＯが７.５〜２５.０％、およ
びＺｎＯが１２〜３８.５％からなる軟磁性粉末を挙げ
ることができる。更に望ましくは、上記磁性粉末に添加
剤としてＣｏＯ、Ｃｏ2Ｏ3およびＣｏ3Ｏ4から構成され
るＣｏ系粉末の中から少なくとも一種または二種以上を
約２.０ｗｔ％以下添加したものを基本組成とする。
【００１７】本発明においては、上記のような軟磁性粉
末にＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスが０.０５〜１
５.０ｗｔ％添加されることを特徴とする。上記のガラ
スは、軟磁性母材の主成分と反応しても電磁気的特性の
劣化を最小にすることができ、さらに、チップ系インダ
クターの場合、内部電極のＡｇと反応を行わないから焼
成温度を低下させるという長所がある。上記ガラスを
０.０５〜１５.０ｗｔ％含有すれば、母材の焼成温度を
既存の低融点化合物(Ｂｉ2Ｏ3またはＶ2Ｏ5)を使用した
ときの温度、即ち、１０００〜１３５０℃程度で約８６
０〜９１０℃まで低下させることが可能であり、更に、
焼成に起因する母材と内部電極間の収縮時の応力を減少
させ、内部電極の安定化を図ることができる。この際、
上記ガラスはｗｔ％でＢ2Ｏ3が１０〜４０％、Ｂｉ2Ｏ3
が２０〜４０％、およひＺｎＯが２０〜７０％の組成で
添加することが望ましい。
末にＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスが０.０５〜１
５.０ｗｔ％添加されることを特徴とする。上記のガラ
スは、軟磁性母材の主成分と反応しても電磁気的特性の
劣化を最小にすることができ、さらに、チップ系インダ
クターの場合、内部電極のＡｇと反応を行わないから焼
成温度を低下させるという長所がある。上記ガラスを
０.０５〜１５.０ｗｔ％含有すれば、母材の焼成温度を
既存の低融点化合物(Ｂｉ2Ｏ3またはＶ2Ｏ5)を使用した
ときの温度、即ち、１０００〜１３５０℃程度で約８６
０〜９１０℃まで低下させることが可能であり、更に、
焼成に起因する母材と内部電極間の収縮時の応力を減少
させ、内部電極の安定化を図ることができる。この際、
上記ガラスはｗｔ％でＢ2Ｏ3が１０〜４０％、Ｂｉ2Ｏ3
が２０〜４０％、およひＺｎＯが２０〜７０％の組成で
添加することが望ましい。
【００１８】一方、本発明による軟磁性材料を使用して
製造する巻線型インダクターの場合、特に、ガラスの母
材内の挙動は母材の緻密化を誘導して、一般の軟磁性体
の焼結密度より高い焼結密度を保つことにより機械的強
度を向上させることが可能であり、焼結体表面の緻密化
による外部電極のメッキの際に、異物質の吸着を抑制し
て製造収率を向上させることができる。本発明による巻
線型またはチップ型インダクターの製造時添加するガラ
スの粒度の大きさは０.１〜１０μｍである粉末を用い
るのが望ましい。より望ましくは、母材の偏重した分布
を誘発させ、母材の粗大化粒子の成長防止のためには、
上記粒度の大きさは０.２〜５μｍとする。
製造する巻線型インダクターの場合、特に、ガラスの母
材内の挙動は母材の緻密化を誘導して、一般の軟磁性体
の焼結密度より高い焼結密度を保つことにより機械的強
度を向上させることが可能であり、焼結体表面の緻密化
による外部電極のメッキの際に、異物質の吸着を抑制し
て製造収率を向上させることができる。本発明による巻
線型またはチップ型インダクターの製造時添加するガラ
スの粒度の大きさは０.１〜１０μｍである粉末を用い
るのが望ましい。より望ましくは、母材の偏重した分布
を誘発させ、母材の粗大化粒子の成長防止のためには、
上記粒度の大きさは０.２〜５μｍとする。
【００１９】以下、上記のように、ガラスが添加された
乾燥した粉末を利用して巻線型インダクターを製造する
方法を説明する。
乾燥した粉末を利用して巻線型インダクターを製造する
方法を説明する。
【００２０】巻線型インダクターの場合、乾燥の粉末を
仮焼後、ここに５〜１０重量％の主剤と５〜１６重量％
の反応抑制剤を加えたバインダーを５〜１５重量％添加
して造粒する。本発明に適合する主剤としては、通常の
焼結コア製造の際に用いられる主剤であれば可能である
が、例を挙げればポリビニルアルコールまたはメチルセ
ルローズ等を挙げることができる。更に、反応抑制剤は
軟磁性フェライト粒子が互いに凝集することを防ぎ、マ
ニトルまたはプロピレングリコール等を挙げることがで
きる。
仮焼後、ここに５〜１０重量％の主剤と５〜１６重量％
の反応抑制剤を加えたバインダーを５〜１５重量％添加
して造粒する。本発明に適合する主剤としては、通常の
焼結コア製造の際に用いられる主剤であれば可能である
が、例を挙げればポリビニルアルコールまたはメチルセ
ルローズ等を挙げることができる。更に、反応抑制剤は
軟磁性フェライト粒子が互いに凝集することを防ぎ、マ
ニトルまたはプロピレングリコール等を挙げることがで
きる。
【００２１】更に仮焼温度は、６５０〜８８０℃である
ことが望ましく、７００〜８５０℃がより望ましい。
ことが望ましく、７００〜８５０℃がより望ましい。
【００２２】その後、仮焼粉末を造粒してその造粒粉末
を成型して所望の成型体を製造する。製造した成型体
は、通常低融点化合物が含有したものより低温の約８６
０〜９１０℃で焼結する。焼結過程において約７５０〜
９００℃の区間は粒子の整列化および緻密化が進められ
る区間であるため、急激な昇温時には空孔が生じ、透磁
率の低下および品質係数値の低下が起こるため、できる
限り急激な昇温を避けるのが良い。例を挙げれば上記区
間では約１０℃／分程度の昇温するのが望ましい。更
に、焼結温度に至った後、約２〜３時間保持した後、７
００℃までの冷却区間に於いては急冷を避けるようにす
る。万が一その区間において急冷をすれば、母剤中のＣ
ｕＯ成分が析出して電磁気的特性が劣化するから注意を
要する。上記区間における望ましい冷却速度は約５℃／
分以内である。
を成型して所望の成型体を製造する。製造した成型体
は、通常低融点化合物が含有したものより低温の約８６
０〜９１０℃で焼結する。焼結過程において約７５０〜
９００℃の区間は粒子の整列化および緻密化が進められ
る区間であるため、急激な昇温時には空孔が生じ、透磁
率の低下および品質係数値の低下が起こるため、できる
限り急激な昇温を避けるのが良い。例を挙げれば上記区
間では約１０℃／分程度の昇温するのが望ましい。更
に、焼結温度に至った後、約２〜３時間保持した後、７
００℃までの冷却区間に於いては急冷を避けるようにす
る。万が一その区間において急冷をすれば、母剤中のＣ
ｕＯ成分が析出して電磁気的特性が劣化するから注意を
要する。上記区間における望ましい冷却速度は約５℃／
分以内である。
【００２３】このような方法によれば、その組織相が非
常に安定であり、品質係数が少なくとも１５０以上、そ
のピーク域が約１００ＫＨｚ〜２０ＭＨｚ程度であり、
インダクタンスが少なくとも１０μＨとなる電磁気的特
性が良好な軟磁性材料を、既存のものより低温において
製造し得る利点がある。
常に安定であり、品質係数が少なくとも１５０以上、そ
のピーク域が約１００ＫＨｚ〜２０ＭＨｚ程度であり、
インダクタンスが少なくとも１０μＨとなる電磁気的特
性が良好な軟磁性材料を、既存のものより低温において
製造し得る利点がある。
【００２４】反面、上記ガラスが添加された乾燥の粉末
を利用したチップ系インダクターの製造方法は次の通り
である。
を利用したチップ系インダクターの製造方法は次の通り
である。
【００２５】即ち、上記乾燥粉末にバインダーとしてＰ
ＶＢ、メチルセルローズ、オレイン酸、プロピレングリ
コール、トルエンまたはマニトル等の有機高分子からな
るバインダーを約１:１〜１:４添加した後、ドクターブ
レード法でグリーンシートをつくった後、つくった複数
のグリーンシートを積層し、積層したシート上にＡｇ内
部電極を印刷した後、更にグリーンシートを複数個積層
してそれを８８０〜９１０℃で焼成する。この際、焼成
温度は従来より低い約８６０〜９１０℃でも可能であ
る。焼成した焼結体に外部電極を形成すれば本発明にお
いて得ようとするチッブ型インダクターが得られる。
ＶＢ、メチルセルローズ、オレイン酸、プロピレングリ
コール、トルエンまたはマニトル等の有機高分子からな
るバインダーを約１:１〜１:４添加した後、ドクターブ
レード法でグリーンシートをつくった後、つくった複数
のグリーンシートを積層し、積層したシート上にＡｇ内
部電極を印刷した後、更にグリーンシートを複数個積層
してそれを８８０〜９１０℃で焼成する。この際、焼成
温度は従来より低い約８６０〜９１０℃でも可能であ
る。焼成した焼結体に外部電極を形成すれば本発明にお
いて得ようとするチッブ型インダクターが得られる。
【００２６】以下、本発明を実施例を通じて具体的に説
明する。
明する。
【００２７】
【発明の実施の形態】実施例１ 表１のような組成で原料を秤量し、その原料をポリウレ
タンのジャーに投入しＹＴＺボールを使用し、原料重量
の１〜３倍の蒸留水を添加しながら平均粒度が１〜１.
５μｍになるように約８〜２４時間粉砕し、混合した。
混合した粉末を乾燥した後、約７００〜８５０℃で２〜
３時間仮焼し、更に、上記ジャーにおいて再粉砕した。
この際、上記仮焼した粉末に１０Ｂ2Ｏ3−６５Ｂｉ2Ｏ3
−２５ＺｎＯガラス粉末を投入し約２４〜４８時間再粉
砕した。粉末の粒度が０.１〜１.５μｍとなるとき、乾
燥機を通して乾燥したところ、乾燥は水分が原料の重量
当たり０.２〜０.７％まで減量した。
タンのジャーに投入しＹＴＺボールを使用し、原料重量
の１〜３倍の蒸留水を添加しながら平均粒度が１〜１.
５μｍになるように約８〜２４時間粉砕し、混合した。
混合した粉末を乾燥した後、約７００〜８５０℃で２〜
３時間仮焼し、更に、上記ジャーにおいて再粉砕した。
この際、上記仮焼した粉末に１０Ｂ2Ｏ3−６５Ｂｉ2Ｏ3
−２５ＺｎＯガラス粉末を投入し約２４〜４８時間再粉
砕した。粉末の粒度が０.１〜１.５μｍとなるとき、乾
燥機を通して乾燥したところ、乾燥は水分が原料の重量
当たり０.２〜０.７％まで減量した。
【００２８】乾燥した粉末は、６０〜８０メッシュのふ
るいを通して均一な粒子として取出した後、ここに５〜
１０重量％のポリビニルアルコールおよび５〜１６重量
％のマニトルが一緒に溶解したバインダーを約５〜１５
重量％添加し、上記粉末を５０メッシュのふるいで均一
な粒子として取出し、外径２５ｍｍ、内径１８ｍｍ、高
さ４.５ｍｍトロイダルコアとして成型し、上記成型体
を焼結した。この際、焼結は約４２０℃までは約２℃/
分程度に昇温し、その温度で約４時間保って脱バインダ
ーし、次いで７５０℃までは約３℃/分の速度で昇温
し、更に、約９００℃まで約１℃/分程度の速度で昇温
した。９００℃で２〜３時間程度保った後、７００℃ま
では約３℃/分の速度で、そして常温までは１０℃/分の
速度で冷却した。このように焼結した材料に直径０.５
５ｍｍのエナメル銅線を２０回巻線した後１０ＫＨｚ〜
４０ＭＨｚの周波数帯域でＨＰ４１１９４Ａインピタン
スアナライザを利用しインダクタンスと品質係数(Ｑフ
ァクター)を測定し、その結果を表１に示した。一方、
表１において、従来例は焼結温度が約９５０℃において
進行した。
るいを通して均一な粒子として取出した後、ここに５〜
１０重量％のポリビニルアルコールおよび５〜１６重量
％のマニトルが一緒に溶解したバインダーを約５〜１５
重量％添加し、上記粉末を５０メッシュのふるいで均一
な粒子として取出し、外径２５ｍｍ、内径１８ｍｍ、高
さ４.５ｍｍトロイダルコアとして成型し、上記成型体
を焼結した。この際、焼結は約４２０℃までは約２℃/
分程度に昇温し、その温度で約４時間保って脱バインダ
ーし、次いで７５０℃までは約３℃/分の速度で昇温
し、更に、約９００℃まで約１℃/分程度の速度で昇温
した。９００℃で２〜３時間程度保った後、７００℃ま
では約３℃/分の速度で、そして常温までは１０℃/分の
速度で冷却した。このように焼結した材料に直径０.５
５ｍｍのエナメル銅線を２０回巻線した後１０ＫＨｚ〜
４０ＭＨｚの周波数帯域でＨＰ４１１９４Ａインピタン
スアナライザを利用しインダクタンスと品質係数(Ｑフ
ァクター)を測定し、その結果を表１に示した。一方、
表１において、従来例は焼結温度が約９５０℃において
進行した。
【表１】
【００２９】表１に示したように、本発明の条件を満た
す発明例(１〜９)の場合、低温焼成が可能であるのみな
らず、軟磁性焼結体のインダクタンス値も１０μＨ以
上、高周波から品質係数(Ｑ)も約１５０以上を示し、優
れた電磁気的特性を持っていることが確認された。即
ち、本発明のこのような特性はガラスおよびＣｏ系添加
剤を全く添加しない従来の場合に比べて、焼成温度が約
５０〜１００℃低いだけでなく、焼成後の損失が非常に
減少する特性を示していることがわかる。
す発明例(１〜９)の場合、低温焼成が可能であるのみな
らず、軟磁性焼結体のインダクタンス値も１０μＨ以
上、高周波から品質係数(Ｑ)も約１５０以上を示し、優
れた電磁気的特性を持っていることが確認された。即
ち、本発明のこのような特性はガラスおよびＣｏ系添加
剤を全く添加しない従来の場合に比べて、焼成温度が約
５０〜１００℃低いだけでなく、焼成後の損失が非常に
減少する特性を示していることがわかる。
【００３０】その反面、比較例(２〜６)の場合、ガラス
が添加されずにＢｉ系またはＶ系の添加剤が添加されて
おり、低温焼成帯域で焼結が充分でないため、相対的に
低いインダクタンス或いは品質係数値を示したが、それ
はＢｉ成分またはＶ成分単独では焼結体から界面拡散が
生じにくいからである。更に、比較例(１)は、基本的に
本発明の磁性粉末原料の組成範囲をはずれた場合であ
り、低温焼成により品質係数が低いため電磁気的特性が
低下した。
が添加されずにＢｉ系またはＶ系の添加剤が添加されて
おり、低温焼成帯域で焼結が充分でないため、相対的に
低いインダクタンス或いは品質係数値を示したが、それ
はＢｉ成分またはＶ成分単独では焼結体から界面拡散が
生じにくいからである。更に、比較例(１)は、基本的に
本発明の磁性粉末原料の組成範囲をはずれた場合であ
り、低温焼成により品質係数が低いため電磁気的特性が
低下した。
【００３１】実施例２ ガラスの種類による電磁気的特性を調べるため、表２の
ような互いに異なる物理的特性を有するガラスを、実施
例１と同一な方法で同一の組成を有する磁性粉末に一定
量を添加し、焼結体を製造して各軟磁性焼結体に製作し
たトロイダルコアに対して電磁気的特性を測定し、その
結果を表３に示した。このとき、測定条件は直径０.６
ｍｍのエナメル銅線を２０回巻線した後、インピダンス
アナライザＨＰ４１９４Ａで行った。
ような互いに異なる物理的特性を有するガラスを、実施
例１と同一な方法で同一の組成を有する磁性粉末に一定
量を添加し、焼結体を製造して各軟磁性焼結体に製作し
たトロイダルコアに対して電磁気的特性を測定し、その
結果を表３に示した。このとき、測定条件は直径０.６
ｍｍのエナメル銅線を２０回巻線した後、インピダンス
アナライザＨＰ４１９４Ａで行った。
【表２】
【表３】
【００３２】表２および３に示したように、同一なガラ
スであっても、各ガラスの作業点と熱膨張係数を異にす
る組成が異なることにより、製造した軟磁性焼結体の電
磁気的特性変化が非常に大きいことがわかる。即ち、軟
磁性粉末に添加されるガラスが重量％で、Ｂが１０〜４
０％、Ｂｉが２０〜７０％、Ｚｎが２０〜４０％の本発
明の条件を満足するガラス［発明材(ａ〜ｄ)］を使用し
た発明例(８)、(１０〜１５)の場合、常用周波数帯にお
けるインダクタンス値が少なくとも１５μＨ以上であ
り、品質係数が１５０以上だけでなく、品質係数のピー
ク域が全て１００ＫＨｚ〜２０ＭＨｚ程度であることが
わかる。
スであっても、各ガラスの作業点と熱膨張係数を異にす
る組成が異なることにより、製造した軟磁性焼結体の電
磁気的特性変化が非常に大きいことがわかる。即ち、軟
磁性粉末に添加されるガラスが重量％で、Ｂが１０〜４
０％、Ｂｉが２０〜７０％、Ｚｎが２０〜４０％の本発
明の条件を満足するガラス［発明材(ａ〜ｄ)］を使用し
た発明例(８)、(１０〜１５)の場合、常用周波数帯にお
けるインダクタンス値が少なくとも１５μＨ以上であ
り、品質係数が１５０以上だけでなく、品質係数のピー
ク域が全て１００ＫＨｚ〜２０ＭＨｚ程度であることが
わかる。
【００３３】その反面、本発明のガラスとは異なり、Ｂ
−Ｓｉ系ガラス［(Ａ〜Ｃ)］を用いた比較例(７〜９)の
場合、インダクタンス値が非常に小さかったり、品質係
数が小さく、電磁気的特性が低下することがわかる。
−Ｓｉ系ガラス［(Ａ〜Ｃ)］を用いた比較例(７〜９)の
場合、インダクタンス値が非常に小さかったり、品質係
数が小さく、電磁気的特性が低下することがわかる。
【００３４】実施例３ 表１の組成を有する原料を実施例１と同一な方法により
乾燥した粉末をつくり、上記粉末にＰＶＢ、マニトルバ
インダーを約１:１〜１:４添加し、それを２００〜３２
５メッシュのふるいで均一な粒子にして取出した後、ド
クダーブレード法により厚み１０〜２００μｍのグリー
ンシートをつくった。
乾燥した粉末をつくり、上記粉末にＰＶＢ、マニトルバ
インダーを約１:１〜１:４添加し、それを２００〜３２
５メッシュのふるいで均一な粒子にして取出した後、ド
クダーブレード法により厚み１０〜２００μｍのグリー
ンシートをつくった。
【００３５】つくった複数のグリーンシートを積層し、
積層したシート上にＡｇ内部電極を印刷し、更に、グリ
ーンシートを複数個積層して焼成した。その際、焼成は
８８０〜９１０℃で１〜３時間行った。この焼結体に外
部電極を形成してチップインダクターを製造した。この
ように製造したインダクターに対してＨＰ４１９２Ａネ
ットワークアナライザにより電磁気的特性を測定し、そ
の結果を表４に示した。
積層したシート上にＡｇ内部電極を印刷し、更に、グリ
ーンシートを複数個積層して焼成した。その際、焼成は
８８０〜９１０℃で１〜３時間行った。この焼結体に外
部電極を形成してチップインダクターを製造した。この
ように製造したインダクターに対してＨＰ４１９２Ａネ
ットワークアナライザにより電磁気的特性を測定し、そ
の結果を表４に示した。
【表４】
【００３６】表４に示した通り、本発明の条件を満たす
発明例(１６〜２２)の場合、低温において焼成が可能で
あるのみならず、軟磁性焼結体のインダクタンス値も１
４０ｎＨ以上、高周波において、品質係数(Ｑ)も約３４
以上を示す優れた電磁気的特性を有することが確認され
た。即ち、本発明のこのような特性はガラスおよびＣｏ
系添加剤を全く添加しない従来のチップインダクターの
場合に比べて、焼成温度が約５０〜１００℃低いだけで
なく、焼成後の損失が非常に減少する特性を示している
ことがわかる。
発明例(１６〜２２)の場合、低温において焼成が可能で
あるのみならず、軟磁性焼結体のインダクタンス値も１
４０ｎＨ以上、高周波において、品質係数(Ｑ)も約３４
以上を示す優れた電磁気的特性を有することが確認され
た。即ち、本発明のこのような特性はガラスおよびＣｏ
系添加剤を全く添加しない従来のチップインダクターの
場合に比べて、焼成温度が約５０〜１００℃低いだけで
なく、焼成後の損失が非常に減少する特性を示している
ことがわかる。
【００３７】上述のように、本発明によれば、低温にお
いても充分に焼成が進行し、電磁気的特性の優れた軟磁
性材料を得ることが可能である。このような製造方法
は、既存の軟磁性材料の製造設備をそのまま用いること
ができ、高価な製造設備の投資や複雑な管理を行う必要
がないので、廉価なチップ部品用軟磁性材料を製造する
のに非常に有用である。
いても充分に焼成が進行し、電磁気的特性の優れた軟磁
性材料を得ることが可能である。このような製造方法
は、既存の軟磁性材料の製造設備をそのまま用いること
ができ、高価な製造設備の投資や複雑な管理を行う必要
がないので、廉価なチップ部品用軟磁性材料を製造する
のに非常に有用である。
Claims (23)
- 【請求項１】 インダクター用Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系軟磁
性材料において、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.
０％、ＣｕＯが５〜１３％、ＮｉＯが７.５〜２５％、
およびＺｎＯが１２〜３８.５％からなる磁性粉末にＢ2
Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスが０.０５〜１５.０ｗ
ｔ％含有することを特徴するインダクター用軟磁性材
料。 - 【請求項２】 上記磁性粉末にＣｏＯが２.０ｗｔ％以
下、Ｃｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％以下およびＣｏ3Ｏ4が２.０
ｗｔ％以下の中から１種または２種以上が追加して含有
することを特徴とする請求項１記載のインダクター用軟
磁性材料。 - 【請求項３】 上記ガラスはｗｔ％で、Ｂ2Ｏ3が１０〜
４０％、Ｂｉ2Ｏ3が２０〜４０％、およびＺｎＯが２０
〜７０％の組成を有することを特徴とする請求項１記載
の軟磁性材料。 - 【請求項４】 巻線型インダクターの製造方法におい
て、モル％でＦｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.０％、ＣｕＯが
５〜１３％、ＮｉＯが７.５〜２５％、およびＺｎＯが
１２〜３８.５％からなる磁性粉末にＢ2Ｏ3−Ｂｉ2Ｏ3
−ＺｎＯ系ガラスを０.０５〜１５.０ｗｔ％添加し、そ
れを粉砕した後、乾燥して仮焼する工程、仮焼した粉末
に５〜１０重量％の主剤と５〜１６重量％の反応抑制剤
を加えたバインダーを５〜１５重量％添加して造粒する
工程、および造粒粉末を成型し、８６０〜９１０℃で焼
結する工程、から構成されることを特徴とする巻線型イ
ンダクターの製造方法。 - 【請求項５】 上記磁性粉末にＣｏＯが２.０ｗｔ％以
下、Ｃｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％以下およびＣｏ3Ｏ4が２.０
ｗｔ％以下の中から１種または２種以上が追加して含有
することを特徴とする請求項４記載の製造方法。 - 【請求項６】 上記ガラスはｗｔ％で、Ｂ2Ｏ3が１０〜
４０％、Ｂｉ2Ｏ3が２０〜４０％、およびＺｎＯが２０
〜７０％の組成を有することを特徴とする請求項４記載
の製造方法。 - 【請求項７】 上記ガラスはその粒度の大きさが０.１
〜１０μｍである粉末を用いることを特徴とする請求項
６記載の製造方法。 - 【請求項８】 上記ガラスはその粒度の大きさが０.２
〜５μｍである粉末を用いることを特徴とする請求項７
記載の製造方法。 - 【請求項９】 上記仮焼は６５０〜８８０℃で実施する
ことを特徴とする請求項４記載の製造方法。 - 【請求項１０】 上記焼結温度で５時間以内保持するこ
とを特徴とする請求項４記載の製造方法。 - 【請求項１１】 上記焼結の際に、７５０〜９００℃ま
での昇温過程は約１０℃/分以内であり、９００℃から
７００℃までの冷却過程は約５℃/分以内であることを
特徴とする請求項４記載の製造方法。 - 【請求項１２】 上記主剤としてはポリビニルアルコー
ルまたはメチルセルローズを用いることを特徴とする請
求項４記載の製造方法。 - 【請求項１３】 上記反応抑制剤としてはマニトルまた
はプロピレングリコールを用いることを特徴とする請求
項４記載の製造方法。 - 【請求項１４】 チップ型インダクターの製造方法にお
いて、モル％で、Ｆｅ2Ｏ3が４９.０〜５０.０％、Ｃｕ
Ｏが５〜１３％、ＮｉＯが７.５〜２５％、およびＺｎ
Ｏが１２〜３８.５％からなる磁性粉末にＢ2Ｏ3−Ｂｉ2
Ｏ3−ＺｎＯ系ガラスを０.０５〜１５.０ｗｔ％添加
し、それを粉砕した後に乾燥する工程、乾燥した粉末に
バインダーを約１:１〜１:４添加した後、ドクターブレ
ード法によりグリーンシートをつくる工程、つくった複
数のグリーンシートを積層し、積層のシート上にＡｇ内
部電極を印刷した後、更にグリーンシートを複数個積層
し、それを焼成する工程、および焼成した焼結体に外部
電極を形成する工程、から構成されることを特徴とする
チップ型インダクターの製造方法。 - 【請求項１５】 上記磁性粉末にＣｏＯが２.０ｗｔ％
以下、Ｃｏ2Ｏ3が２.０ｗｔ％以下及びＣｏ3Ｏ4が２.０
ｗｔ％以下の中から１種または２種以上を追加して添加
することを特徴とする請求項１４記載の製造方法。 - 【請求項１６】 上記ガラスはｗｔ％で、Ｂ2Ｏ3が１０
〜４０％、Ｂｉ2Ｏ3が２０〜４０％、およびＺｎＯが２
０〜７０％の組成であることを特徴とする請求項１４記
載の製造方法。 - 【請求項１７】 上記ガラスはその粒度の大きさが０.
１〜１０μｍである粉末を用いることを特徴とする請求
項１６記載の製造方法。 - 【請求項１８】 上記ガラスはその粒度の大きさが０.
２〜５μｍである粉末を用いることを特徴とする請求項
１７記載の製造方法。 - 【請求項１９】 上記仮焼は６５０〜８８０℃で行うこ
とを特徴とする請求項１４記載の製造方法。 - 【請求項２０】 上記焼成温度において５時間以内保持
することを特徴とする請求項１４記載の製造方法。 - 【請求項２１】 上記焼成温度において１〜３時間行う
ことを特徴とする請求項２０記載の製造方法。 - 【請求項２２】 上記焼成の際に、７５０〜９００℃ま
での昇温過程は約１０℃/分以内であり、９００℃から
７００℃までの冷却過程は約５℃/分以内であることを
特徴とする請求項２１記載の製造方法。 - 【請求項２３】 上記バインダーはＰＶＢとマニトルが
混合しているものを用いることを特徴とする請求項１４
記載の製造方法。
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR1996-60293 | 1996-11-30 | ||
| KR1019960060293A KR100222757B1 (ko) | 1996-11-30 | 1996-11-30 | 인덕터용 연자성재료 및 이를 이용한 인덕터의 제조방법 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10163018A JPH10163018A (ja) | 1998-06-19 |
| JP2837150B2 true JP2837150B2 (ja) | 1998-12-14 |
Family
ID=19484961
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9222494A Expired - Fee Related JP2837150B2 (ja) | 1996-11-30 | 1997-08-19 | インダクター用軟磁性材料およびそれを用いたインダクターの製造方法 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5855810A (ja) |
| JP (1) | JP2837150B2 (ja) |
| KR (1) | KR100222757B1 (ja) |
| DE (1) | DE19725849C2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101315111B1 (ko) * | 2011-09-06 | 2013-10-08 | 고등기술연구원연구조합 | 폐 ｌｃｄ패널의 유리를 이용한 고주파용 자성재료의 제조 방법 |
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|---|---|---|---|---|
| US6127296A (en) * | 1998-04-24 | 2000-10-03 | Tdk Corporation | Ceramic-glass composite material and method for the preparation thereof |
| JP3454164B2 (ja) * | 1998-08-21 | 2003-10-06 | 株式会社村田製作所 | フェライト焼結体 |
| US6191934B1 (en) * | 1998-10-02 | 2001-02-20 | Sarnoff Corporation & Co., Ltd. | High dielectric constant embedded capacitors |
| JP3582454B2 (ja) * | 1999-07-05 | 2004-10-27 | 株式会社村田製作所 | 積層型コイル部品及びその製造方法 |
| JP3508642B2 (ja) * | 1999-09-03 | 2004-03-22 | 株式会社村田製作所 | 積層型インダクタ |
| DE60002428T2 (de) * | 1999-09-28 | 2004-01-15 | Nec Tokin Corp | Magnetische kompositfolie und herstellungsverfahren |
| JP4069284B2 (ja) * | 2001-02-23 | 2008-04-02 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁性フェライト材料および積層型フェライト部品 |
| JP2002198213A (ja) * | 2000-12-25 | 2002-07-12 | Tdk Corp | 低温焼成高性能フェライト材料及びフェライト部品 |
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| AU2002354911B2 (en) * | 2001-07-16 | 2007-08-30 | Depuy Products, Inc. | Meniscus regeneration device and method |
| DE10146805B4 (de) * | 2001-09-22 | 2015-03-12 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung einer Folie zum Auskleiden von Gehäusen |
| KR100478710B1 (ko) * | 2002-04-12 | 2005-03-24 | 휴먼일렉스(주) | 연자성 분말의 제조 및 이를 이용한 인덕터의 제조방법 |
| EP1732862B1 (de) * | 2004-03-30 | 2015-10-14 | Siemens Aktiengesellschaft | Glas-keramik-zusammensetzung, elektrisches bauelement mit der glas-keramik-zusammensetzung und keramischer mehrschichtkörper mit dem elektrischen bauelement |
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| JP2010150104A (ja) * | 2008-12-26 | 2010-07-08 | Fdk Corp | 磁気組成物及びインダクタ並びに電子回路用基板 |
| CN101555132B (zh) * | 2009-04-30 | 2012-02-29 | 上海华源磁业有限公司 | 防止坯件粘连用砂胶水及其制备与应用 |
| CN101671175B (zh) * | 2009-09-14 | 2012-09-26 | 宜兴市昊源陶瓷厂 | 陶瓷酒瓶制备方法及陶瓷酒瓶 |
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| JP5318146B2 (ja) * | 2011-04-07 | 2013-10-16 | 阪和ホーロー株式会社 | 発熱琺瑯釉薬 |
| KR101548775B1 (ko) * | 2011-09-14 | 2015-09-01 | 삼성전기주식회사 | 니켈-아연-구리계 페라이트 조성물, 및 이를 이용한 적층형 칩 소자 |
| CN113636838A (zh) * | 2021-09-15 | 2021-11-12 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种镍锌铁氧体材料及制备方法和应用 |
| CN115010479B (zh) * | 2022-06-23 | 2023-06-30 | 横店集团东磁股份有限公司 | 一种无收缩镍铜锌铁氧体材料及其制备方法 |
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|---|---|---|---|---|
| BE503124A (ja) * | 1950-05-10 | |||
| DE1064867B (de) * | 1958-05-06 | 1959-09-03 | Siemens Ag | Elektrisch hochisolierender, glasartiger ferromagnetischer Werkstoff |
| JPS60210572A (ja) * | 1984-04-04 | 1985-10-23 | 日本電気株式会社 | 低温焼結酸化物磁性材料 |
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1996
- 1996-11-30 KR KR1019960060293A patent/KR100222757B1/ko not_active IP Right Cessation
-
1997
- 1997-06-18 DE DE19725849A patent/DE19725849C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-06-19 US US08/879,047 patent/US5855810A/en not_active Expired - Fee Related
- 1997-08-19 JP JP9222494A patent/JP2837150B2/ja not_active Expired - Fee Related
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