JPH06333719A - Ｎｉ−Ｚｎ系ソフトフェライト - Google Patents
Ｎｉ−Ｚｎ系ソフトフェライトInfo
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- JPH06333719A JPH06333719A JP5122576A JP12257693A JPH06333719A JP H06333719 A JPH06333719 A JP H06333719A JP 5122576 A JP5122576 A JP 5122576A JP 12257693 A JP12257693 A JP 12257693A JP H06333719 A JPH06333719 A JP H06333719A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 Ni−Zn系フェライトの初透磁率、さらには飽
和磁束密度の向上を実現する。 【構成】 Fe2O3：45〜50 mol％およびZnＯ：35 mol％
以下を含み、残部実質的にNiＯ、または Fe2O3：45〜50
mol％，ZnＯ：35 mol％以下およびCuＯ：10 mol％以下
を含み、残部実質的にNiＯの組成になる基本成分中に、
Te酸化物をTeO2換算で3000 ppm以下、またはBe酸化物を
BeO 換算で2500 ppm以下含有させる。
和磁束密度の向上を実現する。 【構成】 Fe2O3：45〜50 mol％およびZnＯ：35 mol％
以下を含み、残部実質的にNiＯ、または Fe2O3：45〜50
mol％，ZnＯ：35 mol％以下およびCuＯ：10 mol％以下
を含み、残部実質的にNiＯの組成になる基本成分中に、
Te酸化物をTeO2換算で3000 ppm以下、またはBe酸化物を
BeO 換算で2500 ppm以下含有させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、高周波磁心としての
用途に供して好適なNi−Zn系フェライトに関するもので
ある。
用途に供して好適なNi−Zn系フェライトに関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】Ni−Zn系フェライトの初透磁率μi は基
本組成に強く依存する。高いμi を得る方法として、Ni
ＯよりもZnＯを多めに配合する方法があり、たとえば F
e2O3：NiＯ：ZnＯ比を50：15：35（ mol％) とすること
により、最高のμi を得ることができる。しかしなが
ら、Ni−Zn系フェライトの場合、用途が多品種にわた
り、また小型コアが多いことから、基本組成でμi を調
整することは生産効率上好ましくなく、一定の基本組成
に対して焼成条件や添加物を変化させることによって、
μi やその他の特性を制御する方が有利である。
本組成に強く依存する。高いμi を得る方法として、Ni
ＯよりもZnＯを多めに配合する方法があり、たとえば F
e2O3：NiＯ：ZnＯ比を50：15：35（ mol％) とすること
により、最高のμi を得ることができる。しかしなが
ら、Ni−Zn系フェライトの場合、用途が多品種にわた
り、また小型コアが多いことから、基本組成でμi を調
整することは生産効率上好ましくなく、一定の基本組成
に対して焼成条件や添加物を変化させることによって、
μi やその他の特性を制御する方が有利である。
【０００３】ソフトフェライトのμi は焼結密度の上昇
に伴って増大する傾向にあり、同一の主成分組成でより
高μi を得るには、焼成温度を上げて高密度にする必要
がある。しかしながら、この方法では、焼成コストが増
大するだけでなく、焼成時の割れ、変形、あるいはZn成
分の蒸発に伴う組成ずれ等の問題が生じ易く、好ましく
ない。
に伴って増大する傾向にあり、同一の主成分組成でより
高μi を得るには、焼成温度を上げて高密度にする必要
がある。しかしながら、この方法では、焼成コストが増
大するだけでなく、焼成時の割れ、変形、あるいはZn成
分の蒸発に伴う組成ずれ等の問題が生じ易く、好ましく
ない。
【０００４】上記した焼成温度の調整の他に、副成分の
添加によって高μi を得ることも可能である。例えば、
特開平５-21222号公報によると、Ni−Zn系フェライトに
MoO3を 0.1wt％以下添加することにより、μi が改善で
きるとされている。しかしながら、発明者らの実験によ
れば、MoO3はμi の改善に寄与（図１参照のこと）する
反面、焼結密度の低下を招き（同図２）、その結果、飽
和磁束密度Ｂm や抗折強度は低下する（同図３）。ま
た、焼結密度の低下に伴って焼成収縮率も低下するた
め、従来の金型を使用することができないという問題も
ある。
添加によって高μi を得ることも可能である。例えば、
特開平５-21222号公報によると、Ni−Zn系フェライトに
MoO3を 0.1wt％以下添加することにより、μi が改善で
きるとされている。しかしながら、発明者らの実験によ
れば、MoO3はμi の改善に寄与（図１参照のこと）する
反面、焼結密度の低下を招き（同図２）、その結果、飽
和磁束密度Ｂm や抗折強度は低下する（同図３）。ま
た、焼結密度の低下に伴って焼成収縮率も低下するた
め、従来の金型を使用することができないという問題も
ある。
【０００５】さらに、このNi−Zn系フェライトは、スイ
ッチング電源用チョークコイル等の磁心材料としても使
用されるが、かような用途に用いる場合、その磁気特性
として、大電流印加による高磁場においても飽和しない
こと、すなわち高い飽和磁束密度（Ｂm ）をそなえるこ
とが要求される。しかも、スイッチング周波数は近年、
ますます高周波化しつつあることから、トランスその他
の部品の発熱によりコイルの使用温度は60〜100 ℃と高
くなる傾向にある。従って、最近では、このような温度
域においても高いＢm を示すことが必要とされる。
ッチング電源用チョークコイル等の磁心材料としても使
用されるが、かような用途に用いる場合、その磁気特性
として、大電流印加による高磁場においても飽和しない
こと、すなわち高い飽和磁束密度（Ｂm ）をそなえるこ
とが要求される。しかも、スイッチング周波数は近年、
ますます高周波化しつつあることから、トランスその他
の部品の発熱によりコイルの使用温度は60〜100 ℃と高
くなる傾向にある。従って、最近では、このような温度
域においても高いＢm を示すことが必要とされる。
【０００６】ところが、従来、Ｂm の高い酸化物磁心材
料として広く用いられてきたMn−Zn系フェライトは、キ
ュリー温度が低いために、使用温度が80℃以上ではＢm
が大幅に低下するという問題があった。また、Mn−Zn系
フェライトは他のフェライトに比べて電気抵抗が低い
（10〜103 Ωcm）ために、コアに直接巻線できないとい
う問題もあった。
料として広く用いられてきたMn−Zn系フェライトは、キ
ュリー温度が低いために、使用温度が80℃以上ではＢm
が大幅に低下するという問題があった。また、Mn−Zn系
フェライトは他のフェライトに比べて電気抵抗が低い
（10〜103 Ωcm）ために、コアに直接巻線できないとい
う問題もあった。
【０００７】この点、Ni−Zn系フェライトは、電気抵抗
が 106〜1010Ωcmと高いので、直接巻線が可能であり、
またキュリー温度が高いことからＢm の温度特性も良好
である。しかしながら、Ｂm の絶対値がMn−Zn系フェラ
イトには及ばないというところに問題を残していた。
が 106〜1010Ωcmと高いので、直接巻線が可能であり、
またキュリー温度が高いことからＢm の温度特性も良好
である。しかしながら、Ｂm の絶対値がMn−Zn系フェラ
イトには及ばないというところに問題を残していた。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】この発明は、上記の問
題を解決するために開発されたもので、初透磁率、さら
には飽和磁束密度を効果的に向上させたNi−Zn系フェラ
イトを提供することを目的とする。
題を解決するために開発されたもので、初透磁率、さら
には飽和磁束密度を効果的に向上させたNi−Zn系フェラ
イトを提供することを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】すなわちこの発明の要旨
構成は次のとおりである。 １． Fe2O3：45〜50 mol％およびZnＯ：35 mol％以下を
含み、残部実質的にNiＯの組成になる基本成分中に、Te
酸化物をTeO2換算で3000 ppm以下含有させたことを特徴
とするNi−Zn系ソフトフェライト（第１発明）。
構成は次のとおりである。 １． Fe2O3：45〜50 mol％およびZnＯ：35 mol％以下を
含み、残部実質的にNiＯの組成になる基本成分中に、Te
酸化物をTeO2換算で3000 ppm以下含有させたことを特徴
とするNi−Zn系ソフトフェライト（第１発明）。
【００１０】２． Fe2O3：45〜50 mol％、ZnＯ：35 mol
％以下およびCuＯ：10 mol％以下を含み、残部実質的に
NiＯの組成になる基本成分中に、Te酸化物をTeO2換算で
3000 ppm以下含有させたことを特徴とするNi−Zn系ソフ
トフェライト（第２発明）。
％以下およびCuＯ：10 mol％以下を含み、残部実質的に
NiＯの組成になる基本成分中に、Te酸化物をTeO2換算で
3000 ppm以下含有させたことを特徴とするNi−Zn系ソフ
トフェライト（第２発明）。
【００１１】３． Fe2O3：45〜50 mol％およびZnＯ：35
mol％以下を含み、残部実質的にNiＯの組成になる基本
成分中に、Be酸化物をBeＯ換算で2500 ppm以下含有させ
たことを特徴とするNi−Zn系ソフトフェライト（第３発
明）。
mol％以下を含み、残部実質的にNiＯの組成になる基本
成分中に、Be酸化物をBeＯ換算で2500 ppm以下含有させ
たことを特徴とするNi−Zn系ソフトフェライト（第３発
明）。
【００１２】４． Fe2O3：45〜50 mol％、ZnＯ：35 mol
％以下およびCuＯ：10 mol％以下を含み、残部実質的に
NiＯの組成になる基本成分中に、Be酸化物をBeＯ換算で
2500 ppm以下含有させたことを特徴とするNi−Zn系ソフ
トフェライト（第４発明）。
％以下およびCuＯ：10 mol％以下を含み、残部実質的に
NiＯの組成になる基本成分中に、Be酸化物をBeＯ換算で
2500 ppm以下含有させたことを特徴とするNi−Zn系ソフ
トフェライト（第４発明）。
【００１３】この発明中、第１及び第２発明は、Te酸化
物の添加により、焼結密度をはじめとする他の特性に変
化を来すことなしに、高いμi を実現するものであり、
一方第３及び第４発明は、Be酸化物の添加により、焼結
密度を向上させることによって、高Ｂm を実現したもの
である。
物の添加により、焼結密度をはじめとする他の特性に変
化を来すことなしに、高いμi を実現するものであり、
一方第３及び第４発明は、Be酸化物の添加により、焼結
密度を向上させることによって、高Ｂm を実現したもの
である。
【００１４】
【作用】以下、この発明において、成分組成を前記の範
囲に限定した理由について説明する。 Fe2O3 ：45〜50 mol％ Fe2O3の含有量が45 mol％に満たないと、第２相が生成
し易いことから、この発明で所期したほど高いμi が望
み得ず、一方50 mol％を超えると電気抵抗が急激に低下
し、直接巻線できなくなるので、45〜50 mol％の範囲に
限定した。
囲に限定した理由について説明する。 Fe2O3 ：45〜50 mol％ Fe2O3の含有量が45 mol％に満たないと、第２相が生成
し易いことから、この発明で所期したほど高いμi が望
み得ず、一方50 mol％を超えると電気抵抗が急激に低下
し、直接巻線できなくなるので、45〜50 mol％の範囲に
限定した。
【００１５】ZnＯ：35 mol％以下 ZnＯの含有量が35 mol％を超えるとキュリー点が 100℃
以下に低下し、実用材料として適さなくなるので、35 m
ol％以下（好ましくは15 mol％以上）の範囲に限定し
た。
以下に低下し、実用材料として適さなくなるので、35 m
ol％以下（好ましくは15 mol％以上）の範囲に限定し
た。
【００１６】CuＯ：10 mol％以下 CuＯは、焼成温度と原料コストの低減に有効に寄与する
が、含有量が10 mol％を超えると損失係数が高くなるの
で、10 mol％以下（好ましくは0.5 mol％以上）の範囲
で含有させるものとした。
が、含有量が10 mol％を超えると損失係数が高くなるの
で、10 mol％以下（好ましくは0.5 mol％以上）の範囲
で含有させるものとした。
【００１７】残部：NiＯ NiＯは、高飽和磁束密度と高周波帯域でのμi および損
失係数の改善に有用であるので、この発明では残部はNi
Ｏとした。
失係数の改善に有用であるので、この発明では残部はNi
Ｏとした。
【００１８】Te酸化物：3000 ppm以下（TeO2換算） Te酸化物（主にTeO2）は、焼結密度を変えることなく高
透磁率を得るのに有効に寄与するが、TeO2換算で3000pp
m を超えると異常粒成長し易くなり、磁気特性が極めて
不安定となるので、3000 ppm以下（好ましくは 100〜15
00 ppm）の範囲で含有させるものとした。
透磁率を得るのに有効に寄与するが、TeO2換算で3000pp
m を超えると異常粒成長し易くなり、磁気特性が極めて
不安定となるので、3000 ppm以下（好ましくは 100〜15
00 ppm）の範囲で含有させるものとした。
【００１９】Be酸化物：2500 ppm以下（BeＯ換算） Be酸化物（主にBeＯ）は、焼結密度の向上による高Ｂm
化に有効に寄与するが、BeＯ換算で2500 ppmを超えると
μi の劣化が著しくなり、またＢm の改善効果が得られ
なくなるので、2500 ppm以下（好ましくは 300〜2000 p
pm）の範囲で含有させるものとした。
化に有効に寄与するが、BeＯ換算で2500 ppmを超えると
μi の劣化が著しくなり、またＢm の改善効果が得られ
なくなるので、2500 ppm以下（好ましくは 300〜2000 p
pm）の範囲で含有させるものとした。
【００２０】この発明に従い、 Fe2O3、ZnＯおよびNiＯ
または Fe2O3、ZnＯ、CuＯおよびNiＯを基本成分とする
Ni−Zn系ソフトフェライトに、TeO2を少量添加すること
によって透磁率が改善される理由は、次のとおりと考え
られる。すなわち、低融点酸化物であるTeO2（単体の融
点：733 ℃）の添加によって、焼成の昇温過程で液相が
生じ、焼結性が改善されるため、結晶粒内の空孔が低減
し、その結果、無添加材に比べて透磁率が高くなる。ま
た、添加したTeO2の一部は焼成中に昇華するため、焼成
後のコアの粒界残留応力は無添加材に比べると低くな
り、そのことも、透磁率の改善に好影響を及ぼす。
または Fe2O3、ZnＯ、CuＯおよびNiＯを基本成分とする
Ni−Zn系ソフトフェライトに、TeO2を少量添加すること
によって透磁率が改善される理由は、次のとおりと考え
られる。すなわち、低融点酸化物であるTeO2（単体の融
点：733 ℃）の添加によって、焼成の昇温過程で液相が
生じ、焼結性が改善されるため、結晶粒内の空孔が低減
し、その結果、無添加材に比べて透磁率が高くなる。ま
た、添加したTeO2の一部は焼成中に昇華するため、焼成
後のコアの粒界残留応力は無添加材に比べると低くな
り、そのことも、透磁率の改善に好影響を及ぼす。
【００２１】
（実施例１）Fe2O3：ZnＯ：NiＯ＝49.5：21：29.5 mol
％となるように秤量した後、湿式混合し、 900℃で３時
間仮焼して得たNi−Znフェライト仮焼粉に、TeO2を 637
ppmだけ添加して湿式粉砕した。乾燥後、バインダーと
してPVA を添加したのち、造粒し、ついで成形圧力：１
t/cm2 で外径：36mm、内径：24mm、高さ：８mmのトロイ
ダル形状に成形したのち、大気中にて1100〜1300℃で３
時間焼成してNi−Zn系フェライトコアを得た。かくして
得られたNi−Zn系フェライトコアの初透磁率（室温、ｆ
＝500 kHz)、焼結密度および飽和磁束密度（室温、Ｈ＝
25 Oe)の焼成温度依存性について調べた結果を、図４、
５および６にそれぞれ示す。なお、比較のため、TeO2の
無添加材についても同様の調査を行った。ここに、焼結
密度は理論密度に対する相対表示とした。
％となるように秤量した後、湿式混合し、 900℃で３時
間仮焼して得たNi−Znフェライト仮焼粉に、TeO2を 637
ppmだけ添加して湿式粉砕した。乾燥後、バインダーと
してPVA を添加したのち、造粒し、ついで成形圧力：１
t/cm2 で外径：36mm、内径：24mm、高さ：８mmのトロイ
ダル形状に成形したのち、大気中にて1100〜1300℃で３
時間焼成してNi−Zn系フェライトコアを得た。かくして
得られたNi−Zn系フェライトコアの初透磁率（室温、ｆ
＝500 kHz)、焼結密度および飽和磁束密度（室温、Ｈ＝
25 Oe)の焼成温度依存性について調べた結果を、図４、
５および６にそれぞれ示す。なお、比較のため、TeO2の
無添加材についても同様の調査を行った。ここに、焼結
密度は理論密度に対する相対表示とした。
【００２２】図４、５および６から明らかなように、こ
の発明に従いTeO2を添加したものは、無添加材に比べる
と、高い初透磁率を得ることができた。一方、焼結密
度、飽和磁束密度には全く影響がなかった。このよう
に、この発明では、焼結密度をはじめとする他の特性値
を変えることなしに、高μi を有するNi−Zn系フェライ
トを製造することができる。
の発明に従いTeO2を添加したものは、無添加材に比べる
と、高い初透磁率を得ることができた。一方、焼結密
度、飽和磁束密度には全く影響がなかった。このよう
に、この発明では、焼結密度をはじめとする他の特性値
を変えることなしに、高μi を有するNi−Zn系フェライ
トを製造することができる。
【００２３】（実施例２）Fe2O3：ZnＯ：NiＯ：CuＯ＝4
9.0：21.0：29.0：1.0mol％となるように秤量したの
ち、湿式混合し、 875℃で３時間仮焼して得たNi−Znフ
ェライト仮焼粉に、TeO2を０〜3500 ppmの範囲にわたっ
て添加したのち、湿式粉砕した。乾燥後、バインダーと
してPVA を添加したのち、造粒し、ついで成形圧力：１
t/cm2 で外径：36mm、内径：24mm、高さ：８mmのトロイ
ダル形状に成形したのち、大気中にて1150℃で３時間焼
成してNi−Zn系フェライトコアを得た。かくして得られ
たNi−Zn系フェライトコアのTeO2添加量依存性について
調べた結果を、図７に示す。同図より明らかなように、
TeO2量の増加に伴ってμi は増大するが、3500ppmを超
えると異常粒が生じ、μi はかえって低下する傾向にあ
った。
9.0：21.0：29.0：1.0mol％となるように秤量したの
ち、湿式混合し、 875℃で３時間仮焼して得たNi−Znフ
ェライト仮焼粉に、TeO2を０〜3500 ppmの範囲にわたっ
て添加したのち、湿式粉砕した。乾燥後、バインダーと
してPVA を添加したのち、造粒し、ついで成形圧力：１
t/cm2 で外径：36mm、内径：24mm、高さ：８mmのトロイ
ダル形状に成形したのち、大気中にて1150℃で３時間焼
成してNi−Zn系フェライトコアを得た。かくして得られ
たNi−Zn系フェライトコアのTeO2添加量依存性について
調べた結果を、図７に示す。同図より明らかなように、
TeO2量の増加に伴ってμi は増大するが、3500ppmを超
えると異常粒が生じ、μi はかえって低下する傾向にあ
った。
【００２４】（実施例３）表１に示す組成になるよう F
e2O3、ZnＯ、NiＯ、CuＯを秤量したのち、湿式混合し、
850℃で３時間仮焼して得たNi−Znフェライト仮焼粉
に、TeO2を 637 ppmだけ添加したのち、湿式粉砕した。
乾燥後、バインダーとしてPVA を添加したのち、造粒
し、ついで成形圧力：１t/cm2 で外径：36mm、内径：24
mm、高さ：８mmのトロイダル形状に成形したのち、大気
中にて1050〜1250℃で３時間焼成してNi−Zn系フェライ
トコアを得た。表１に、焼結密度が96％となる焼成温度
とその時のμi 、Ｂm について調べた結果を併記する。
また比較のため、同じ基本組成でTeO2を添加しないもの
についての調査結果も、表１に併記した。
e2O3、ZnＯ、NiＯ、CuＯを秤量したのち、湿式混合し、
850℃で３時間仮焼して得たNi−Znフェライト仮焼粉
に、TeO2を 637 ppmだけ添加したのち、湿式粉砕した。
乾燥後、バインダーとしてPVA を添加したのち、造粒
し、ついで成形圧力：１t/cm2 で外径：36mm、内径：24
mm、高さ：８mmのトロイダル形状に成形したのち、大気
中にて1050〜1250℃で３時間焼成してNi−Zn系フェライ
トコアを得た。表１に、焼結密度が96％となる焼成温度
とその時のμi 、Ｂm について調べた結果を併記する。
また比較のため、同じ基本組成でTeO2を添加しないもの
についての調査結果も、表１に併記した。
【００２５】
【表１】
【００２６】同表より明らかなように、この発明に従い
TeO2を少量添加したものは、 Fe2O3、ZnＯ、NiＯ、CuＯ
の配合比にかかわらず、焼結密度、飽和磁束密度を変え
ることなしに、高μi を実現することができた。これら
のコアに対し、比抵抗、抗折強度、結晶粒径、残留磁束
密度Ｂr 、保磁力Ｈc の測定を行った結果、この発明に
従うコアは、無添加材に比べ、比抵抗、結晶粒径はほぼ
同等 (ただし、粒内空孔は少ない) で、抗折強度は若干
高くなり、またＢr とＨc はやや低くなる傾向が見られ
た。
TeO2を少量添加したものは、 Fe2O3、ZnＯ、NiＯ、CuＯ
の配合比にかかわらず、焼結密度、飽和磁束密度を変え
ることなしに、高μi を実現することができた。これら
のコアに対し、比抵抗、抗折強度、結晶粒径、残留磁束
密度Ｂr 、保磁力Ｈc の測定を行った結果、この発明に
従うコアは、無添加材に比べ、比抵抗、結晶粒径はほぼ
同等 (ただし、粒内空孔は少ない) で、抗折強度は若干
高くなり、またＢr とＨc はやや低くなる傾向が見られ
た。
【００２７】（実施例４）Fe2O3：ZnＯ：NiＯ＝49.5：2
1：29.5 mol％となるように秤量した後、湿式混合し、
900℃で３時間仮焼して得たNi−Znフェライト仮焼粉
に、BeＯを 339 ppmだけ添加し、回転ボールミルを用い
て湿式粉砕した。乾燥後、バインダーとしてPVA を添加
したのち、造粒し、ついで成形圧力：１t/cm2 で外径：
36mm、内径：24mm、高さ：８mmのトロイダル形状に成形
したのち、大気中にて1100〜1300℃で３時間焼成してNi
−Zn系フェライトコアを得た。かくして得られたNi−Zn
系フェライトコアの焼結密度および飽和磁束密度（室
温、Ｈ＝25 Oe)の焼成温度依存性について調べた結果
を、図８および９にそれぞれ示す。なお、比較のため、
BeＯの無添加材についても同様の調査を行った。ここ
に、焼結密度は理論密度に対する相対表示とした。
1：29.5 mol％となるように秤量した後、湿式混合し、
900℃で３時間仮焼して得たNi−Znフェライト仮焼粉
に、BeＯを 339 ppmだけ添加し、回転ボールミルを用い
て湿式粉砕した。乾燥後、バインダーとしてPVA を添加
したのち、造粒し、ついで成形圧力：１t/cm2 で外径：
36mm、内径：24mm、高さ：８mmのトロイダル形状に成形
したのち、大気中にて1100〜1300℃で３時間焼成してNi
−Zn系フェライトコアを得た。かくして得られたNi−Zn
系フェライトコアの焼結密度および飽和磁束密度（室
温、Ｈ＝25 Oe)の焼成温度依存性について調べた結果
を、図８および９にそれぞれ示す。なお、比較のため、
BeＯの無添加材についても同様の調査を行った。ここ
に、焼結密度は理論密度に対する相対表示とした。
【００２８】図８および９から明らかなように、この発
明に従いBeＯを添加したものは、無添加材に比べると、
焼結密度ひいては飽和磁束密度が向上している。
明に従いBeＯを添加したものは、無添加材に比べると、
焼結密度ひいては飽和磁束密度が向上している。
【００２９】（実施例５）Fe2O3：ZnＯ：NiＯ：CuＯ＝4
9.0：21.0：29.0：1.0mol％となるように秤量したの
ち、湿式混合し、 875℃で３時間仮焼して得たNi−Znフ
ェライト仮焼粉に、Be０を０〜3000 ppmの範囲にわたっ
て添加したのち、湿式粉砕した。乾燥後、バインダーと
してPVA を添加したのち、造粒し、ついで成形圧力：１
t/cm2 で外径：36mm、内径：24mm、高さ：８mmのトロイ
ダル形状に成形したのち、大気中にて1150℃で３時間焼
成してNi−Zn系フェライトコアを得た。かくして得られ
たNi−Zn系フェライトコアのＢm および焼結密度のTeO2
添加量依存性について調べた結果を、図10に示す。同図
より明らかなように、BeＯ量の増加に伴ってＢm および
焼結密度とも増大するが、2000 ppmを超えるとＢm は低
下傾向にある。従って、高Ｂm の観点からはBeＯの添加
量は 300〜2000 ppmとするのが望ましい。
9.0：21.0：29.0：1.0mol％となるように秤量したの
ち、湿式混合し、 875℃で３時間仮焼して得たNi−Znフ
ェライト仮焼粉に、Be０を０〜3000 ppmの範囲にわたっ
て添加したのち、湿式粉砕した。乾燥後、バインダーと
してPVA を添加したのち、造粒し、ついで成形圧力：１
t/cm2 で外径：36mm、内径：24mm、高さ：８mmのトロイ
ダル形状に成形したのち、大気中にて1150℃で３時間焼
成してNi−Zn系フェライトコアを得た。かくして得られ
たNi−Zn系フェライトコアのＢm および焼結密度のTeO2
添加量依存性について調べた結果を、図10に示す。同図
より明らかなように、BeＯ量の増加に伴ってＢm および
焼結密度とも増大するが、2000 ppmを超えるとＢm は低
下傾向にある。従って、高Ｂm の観点からはBeＯの添加
量は 300〜2000 ppmとするのが望ましい。
【００３０】（実施例６）表２に示す組成になるよう F
e2O3、ZnＯ、NiＯ、CuＯを秤量したのち、湿式混合し、
850℃で３時間仮焼して得たNi−Znフェライト仮焼粉
に、BeＯを 339 ppmだけ添加したのち、湿式粉砕した。
乾燥後、バインダーとしてPVA を添加したのち、造粒
し、ついで成形圧力：１t/cm2 で外径：36mm、内径：24
mm、高さ：８mmのトロイダル形状に成形したのち、表２
に示した温度で３時間焼成してNi−Zn系フェライトコア
を得た。表２に、焼結密度、初透磁率μi および飽和磁
束密度Ｂm について調べた結果を併記する。また比較の
ため、同じ基本組成でBeＯを添加しないものについての
調査結果も、表２に併記した。
e2O3、ZnＯ、NiＯ、CuＯを秤量したのち、湿式混合し、
850℃で３時間仮焼して得たNi−Znフェライト仮焼粉
に、BeＯを 339 ppmだけ添加したのち、湿式粉砕した。
乾燥後、バインダーとしてPVA を添加したのち、造粒
し、ついで成形圧力：１t/cm2 で外径：36mm、内径：24
mm、高さ：８mmのトロイダル形状に成形したのち、表２
に示した温度で３時間焼成してNi−Zn系フェライトコア
を得た。表２に、焼結密度、初透磁率μi および飽和磁
束密度Ｂm について調べた結果を併記する。また比較の
ため、同じ基本組成でBeＯを添加しないものについての
調査結果も、表２に併記した。
【００３１】
【表２】
【００３２】同表より明らかなように、この発明に従い
BeＯを添加したものは、 Fe2O3、ZnＯ、NiＯ、CuＯの配
合比にかかわらず、高い焼結密度及び飽和磁束密度が得
られている。
BeＯを添加したものは、 Fe2O3、ZnＯ、NiＯ、CuＯの配
合比にかかわらず、高い焼結密度及び飽和磁束密度が得
られている。
【００３３】
【発明の効果】かくして第１．２発明に従い、Ni−Zn系
フェライトにTeO2を少量添加することによって、焼結密
度をはじめとする他の特性値を変えることなしに高いμ
i を得ることができる。従って、量産において同一組成
の仮焼粉からμi の異なるコアを容易に製造でき、また
焼結密度に影響がないため、同一の金型、焼成条件を用
いることができる。このため高周波磁心として広く利用
されているNi−Zn系フェライトの生産性向上に関し、優
れた効果を発揮するものである。また第３，４発明に従
い、Ni−Zn系フェライトにBeＯを添加したものは、焼結
密度ひいては飽和磁束密度が向上するので、例えばスイ
ッチング電源用チョークコイル等、高密度、高Ｂm が必
要とされる種々の用途に供して偉効を奏する。
フェライトにTeO2を少量添加することによって、焼結密
度をはじめとする他の特性値を変えることなしに高いμ
i を得ることができる。従って、量産において同一組成
の仮焼粉からμi の異なるコアを容易に製造でき、また
焼結密度に影響がないため、同一の金型、焼成条件を用
いることができる。このため高周波磁心として広く利用
されているNi−Zn系フェライトの生産性向上に関し、優
れた効果を発揮するものである。また第３，４発明に従
い、Ni−Zn系フェライトにBeＯを添加したものは、焼結
密度ひいては飽和磁束密度が向上するので、例えばスイ
ッチング電源用チョークコイル等、高密度、高Ｂm が必
要とされる種々の用途に供して偉効を奏する。
【図１】初透磁率の焼成温度依存性を、MoO3添加材と無
添加材とで比較して示したグラフである。
添加材とで比較して示したグラフである。
【図２】焼結密度の焼成温度依存性を、MoO3添加材と無
添加材とで比較して示したグラフである。
添加材とで比較して示したグラフである。
【図３】飽和磁束密度の焼成温度依存性を、MoO3添加材
と無添加材とで比較して示したグラフである。
と無添加材とで比較して示したグラフである。
【図４】TeO2添加材 (発明例) と無添加材 (比較例) と
について、初透磁率の焼成温度依存性を比較して示した
グラフである。
について、初透磁率の焼成温度依存性を比較して示した
グラフである。
【図５】TeO2添加材 (発明例) と無添加材 (比較例) と
について、焼結密度の焼成温度依存性を比較して示した
グラフである。
について、焼結密度の焼成温度依存性を比較して示した
グラフである。
【図６】TeO2添加材 (発明例) と無添加材 (比較例) と
について、 飽和磁束密度の焼成温度依存性を比較して
示したグラフである。
について、 飽和磁束密度の焼成温度依存性を比較して
示したグラフである。
【図７】初透磁率のTeＯ量依存性を示したグラフであ
る。
る。
【図８】BeＯ添加材 (発明例) と無添加材 (比較例) と
について、焼結密度の焼成温度依存性を比較して示した
グラフである。
について、焼結密度の焼成温度依存性を比較して示した
グラフである。
【図９】BeＯ添加材 (発明例) と無添加材 (比較例) と
について、飽和磁束密度の焼成温度依存性を比較して示
したグラフである。
について、飽和磁束密度の焼成温度依存性を比較して示
したグラフである。
【図１０】BeＯ添加材 (発明例) の、Be０量と飽和磁束
密度および焼結密度との関係を示したグラフである。
密度および焼結密度との関係を示したグラフである。
Claims (4)
- 【請求項１】 Fe2O3：45〜50 mol％およびZnＯ：35 m
ol％以下を含み、残部実質的にNiＯの組成になる基本成
分中に、Te酸化物をTeO2換算で3000 ppm以下含有させた
ことを特徴とするNi−Zn系ソフトフェライト。 - 【請求項２】 Fe2O3：45〜50 mol％、ZnＯ：35 mol％
以下およびCuＯ：10 mol％以下を含み、残部実質的にNi
Ｏの組成になる基本成分中に、Te酸化物をTeO2換算で30
00 ppm以下含有させたことを特徴とするNi−Zn系ソフト
フェライト。 - 【請求項３】 Fe2O3：45〜50 mol％およびZnＯ：35 m
ol％以下を含み、残部実質的にNiＯの組成になる基本成
分中に、Be酸化物をBeＯ換算で2500 ppm以下含有させた
ことを特徴とするNi−Zn系ソフトフェライト。 - 【請求項４】 Fe2O3：45〜50 mol％、ZnＯ：35 mol％
以下およびCuＯ：10 mol％以下を含み、残部実質的にNi
Ｏの組成になる基本成分中に、Be酸化物をBeＯ換算で25
00 ppm以下含有させたことを特徴とするNi−Zn系ソフト
フェライト。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5122576A JPH06333719A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | Ｎｉ−Ｚｎ系ソフトフェライト |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5122576A JPH06333719A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | Ｎｉ−Ｚｎ系ソフトフェライト |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH06333719A true JPH06333719A (ja) | 1994-12-02 |
Family
ID=14839332
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5122576A Pending JPH06333719A (ja) | 1993-05-25 | 1993-05-25 | Ｎｉ−Ｚｎ系ソフトフェライト |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH06333719A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960022381A (ko) * | 1994-12-16 | 1996-07-18 | 김익명 | 연질 페라이트 자성 재료 |
| JP2005047773A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Tdk Corp | フェライト組成物及び電子部品 |
| JP2009012999A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Jfe Ferrite Corp | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライト |
| JP2010058983A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Jfe Chemical Corp | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト材料 |
| JP2010143821A (ja) * | 2010-01-14 | 2010-07-01 | Tdk Corp | フェライト組成物及び電子部品 |
-
1993
- 1993-05-25 JP JP5122576A patent/JPH06333719A/ja active Pending
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR960022381A (ko) * | 1994-12-16 | 1996-07-18 | 김익명 | 연질 페라이트 자성 재료 |
| JP2005047773A (ja) * | 2003-07-31 | 2005-02-24 | Tdk Corp | フェライト組成物及び電子部品 |
| JP4701591B2 (ja) * | 2003-07-31 | 2011-06-15 | Ｔｄｋ株式会社 | フェライト組成物及び電子部品 |
| JP2009012999A (ja) * | 2007-07-03 | 2009-01-22 | Jfe Ferrite Corp | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライト |
| JP2010058983A (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-18 | Jfe Chemical Corp | Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト材料 |
| JP2010143821A (ja) * | 2010-01-14 | 2010-07-01 | Tdk Corp | フェライト組成物及び電子部品 |
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