JP2002353024A - 低温度係数フェライト磁心及び電子部品 - Google Patents
低温度係数フェライト磁心及び電子部品Info
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- JP2002353024A JP2002353024A JP2002088141A JP2002088141A JP2002353024A JP 2002353024 A JP2002353024 A JP 2002353024A JP 2002088141 A JP2002088141 A JP 2002088141A JP 2002088141 A JP2002088141 A JP 2002088141A JP 2002353024 A JP2002353024 A JP 2002353024A
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
- H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 μｉが２，５００以上と大きく、しかも広い
温度範囲でμｉの変化率が小さい低温度係数フェライト
磁心を得ることを目的とする。 【解決手段】 Ｆｅ２Ｏ３：５３〜５４モル％、Ｚｎ
Ｏ：１６〜２２モル％、残部ＭｎＯを主成分とし、副成
分として、ＳｉＯ２、ＣａＯ、Ｎｂ２Ｏ５からなり、２
０℃における初透磁率が２５００以上であり、２０℃の
初透磁率を基準とした−２０〜１００℃における初透磁
率の変化率が−１０％〜＋１０％であることを特徴とし
た。
温度範囲でμｉの変化率が小さい低温度係数フェライト
磁心を得ることを目的とする。 【解決手段】 Ｆｅ２Ｏ３：５３〜５４モル％、Ｚｎ
Ｏ：１６〜２２モル％、残部ＭｎＯを主成分とし、副成
分として、ＳｉＯ２、ＣａＯ、Ｎｂ２Ｏ５からなり、２
０℃における初透磁率が２５００以上であり、２０℃の
初透磁率を基準とした−２０〜１００℃における初透磁
率の変化率が−１０％〜＋１０％であることを特徴とし
た。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、広い温度範囲で初
透磁率（以下、μｉと称す）の変化率が極めて小さく、
照明用トランス、通信機用トランス、またはノイズフィ
ルター等に使用するのに適した低温度係数フェライト磁
心に関するものであり、また照明機器、通信機器、受信
機器に組み込まれる電子部品に関するものである。
透磁率（以下、μｉと称す）の変化率が極めて小さく、
照明用トランス、通信機用トランス、またはノイズフィ
ルター等に使用するのに適した低温度係数フェライト磁
心に関するものであり、また照明機器、通信機器、受信
機器に組み込まれる電子部品に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】照明機器、通信機器、受信機器等の電子
部品の磁心として用いられるＭｎ−Ｚｎ系フェライトに
は、高透磁率、高飽和磁束密度、低損失等の磁気特性で
あることが要求される。最近では、これに加えて環境温
度の変化に対して安定した磁気特性を得るため、温度特
性が優れたものが必要とされている。
部品の磁心として用いられるＭｎ−Ｚｎ系フェライトに
は、高透磁率、高飽和磁束密度、低損失等の磁気特性で
あることが要求される。最近では、これに加えて環境温
度の変化に対して安定した磁気特性を得るため、温度特
性が優れたものが必要とされている。
【０００３】これまで、主成分組成の限定や酸化コバル
トの添加により、初透磁率温度係数を改良した報告（特
公昭５２−３１５５５、特公昭６１−１１８９２など）
がある。しかしながら、高飽和磁束密度、低損失といっ
た他の磁気特性を考慮したり、酸化コバルトの添加量が
増すことによりμｉが低下し、μｉが１，０００以下で
あるものが多く、高いものでもμｉは２，０００程度で
あった。また、主成分組成に関しても、例えばＺｎＯの
場合１６モル％以下に設定されることが多い。このた
め、キュリー温度が高く、μｉの温度特性のカーブが大
きなうねりをもち、結果的にμｉの変化率が大きくなっ
た。
トの添加により、初透磁率温度係数を改良した報告（特
公昭５２−３１５５５、特公昭６１−１１８９２など）
がある。しかしながら、高飽和磁束密度、低損失といっ
た他の磁気特性を考慮したり、酸化コバルトの添加量が
増すことによりμｉが低下し、μｉが１，０００以下で
あるものが多く、高いものでもμｉは２，０００程度で
あった。また、主成分組成に関しても、例えばＺｎＯの
場合１６モル％以下に設定されることが多い。このた
め、キュリー温度が高く、μｉの温度特性のカーブが大
きなうねりをもち、結果的にμｉの変化率が大きくなっ
た。
【０００４】一方、広い温度範囲でμｉの変化率が小さ
いことの要求に対しては、高透磁率よりもμｉの変化率
が小さいことが重要視されることから、磁心の磁路に空
隙を設けた形状とすることが多かった。
いことの要求に対しては、高透磁率よりもμｉの変化率
が小さいことが重要視されることから、磁心の磁路に空
隙を設けた形状とすることが多かった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】Ｍｎ−Ｚｎ系フェライ
ト磁心には、電子部品の小型化に伴う高透磁率化、温度
安定性向上に伴うμｉ変化率の低下が望まれている。例
えば、照明用トランスに用いる場合、μｉ変化率の大き
な磁心では、環境温度の変化が厳しい条件下でインダク
タンスの低下に伴い、照明機器の点灯不良などの不具合
が生じていた。このため、μｉの変化率を抑制する目的
として磁心に空隙を設けられており、これによる透磁率
の低下が問題であった。さらに、磁心に空隙を設けるた
めに磁心を加工すること、また空隙を形成するために磁
心の突き合わせ面にポリエステルフィルムを挿入するこ
とが必要であり、加工工数および組立に必要な部品等に
よる工数、コストの増加も否めなかった。一方、ノイズ
フィルター用磁心においても、環境温度の変化によって
ノイズ減衰量が異なるため、温度特性の改善が必要とさ
れていた。本発明は、上記の事を鑑みて、μｉが大き
く、μｉの温度特性に優れた低温度係数フェライト磁心
とこれを用いた電子部品を提供するものである。
ト磁心には、電子部品の小型化に伴う高透磁率化、温度
安定性向上に伴うμｉ変化率の低下が望まれている。例
えば、照明用トランスに用いる場合、μｉ変化率の大き
な磁心では、環境温度の変化が厳しい条件下でインダク
タンスの低下に伴い、照明機器の点灯不良などの不具合
が生じていた。このため、μｉの変化率を抑制する目的
として磁心に空隙を設けられており、これによる透磁率
の低下が問題であった。さらに、磁心に空隙を設けるた
めに磁心を加工すること、また空隙を形成するために磁
心の突き合わせ面にポリエステルフィルムを挿入するこ
とが必要であり、加工工数および組立に必要な部品等に
よる工数、コストの増加も否めなかった。一方、ノイズ
フィルター用磁心においても、環境温度の変化によって
ノイズ減衰量が異なるため、温度特性の改善が必要とさ
れていた。本発明は、上記の事を鑑みて、μｉが大き
く、μｉの温度特性に優れた低温度係数フェライト磁心
とこれを用いた電子部品を提供するものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、Ｆｅ２Ｏ
３：５３〜５４モル％、ＺｎＯ：１６〜２２モル％、残
部ＭｎＯを主成分とし、副成分として、ＳｉＯ２、Ｃａ
Ｏ、Ｎｂ２Ｏ５からなり、２０℃における初透磁率が２
５００以上であり、２０℃の初透磁率を基準とした−２
０〜１００℃における初透磁率の変化率が−１０％〜＋
１０％の低温度係数フェライト磁心である。第２の発明
は、Ｆｅ２Ｏ３：５３〜５４モル％、ＺｎＯ：１６〜２
２モル％、残部ＭｎＯを主成分とし、副成分として、Ｓ
ｉＯ２、ＣａＯ、Ｂｉ２Ｏ３からなり、２０℃における
初透磁率が６０００以上であり、２０℃の初透磁率を基
準とした−２０〜１００℃における初透磁率の変化率が
−２０％〜＋２０％であり、−２０〜２０℃における初
透磁率の変化率が−５％〜＋５％の低温度係数フェライ
ト磁心である。第３の発明は、Ｆｅ２Ｏ３：５３〜５４
モル％、ＺｎＯ：１６〜２２モル％、残部ＭｎＯを主成
分とし、副成分として、ＳｉＯ２、ＣａＯ、Ｎｂ
２Ｏ５、Ｂｉ ２Ｏ３からなり、２０℃における初透磁率
が２５００以上であり、２０℃の初透磁率を基準とした
−２０〜１００℃における初透磁率の変化率が−２０％
〜＋２０％の低温度係数フェライト磁心である。第１乃
至第３の発明のいずれかの低温度係数フェライト磁心を
組み込んで電子部品とし、前記電子部品として照明用ト
ランス又は通信機用トランス又はノイズフィルタとする
のが好ましい。
３：５３〜５４モル％、ＺｎＯ：１６〜２２モル％、残
部ＭｎＯを主成分とし、副成分として、ＳｉＯ２、Ｃａ
Ｏ、Ｎｂ２Ｏ５からなり、２０℃における初透磁率が２
５００以上であり、２０℃の初透磁率を基準とした−２
０〜１００℃における初透磁率の変化率が−１０％〜＋
１０％の低温度係数フェライト磁心である。第２の発明
は、Ｆｅ２Ｏ３：５３〜５４モル％、ＺｎＯ：１６〜２
２モル％、残部ＭｎＯを主成分とし、副成分として、Ｓ
ｉＯ２、ＣａＯ、Ｂｉ２Ｏ３からなり、２０℃における
初透磁率が６０００以上であり、２０℃の初透磁率を基
準とした−２０〜１００℃における初透磁率の変化率が
−２０％〜＋２０％であり、−２０〜２０℃における初
透磁率の変化率が−５％〜＋５％の低温度係数フェライ
ト磁心である。第３の発明は、Ｆｅ２Ｏ３：５３〜５４
モル％、ＺｎＯ：１６〜２２モル％、残部ＭｎＯを主成
分とし、副成分として、ＳｉＯ２、ＣａＯ、Ｎｂ
２Ｏ５、Ｂｉ ２Ｏ３からなり、２０℃における初透磁率
が２５００以上であり、２０℃の初透磁率を基準とした
−２０〜１００℃における初透磁率の変化率が−２０％
〜＋２０％の低温度係数フェライト磁心である。第１乃
至第３の発明のいずれかの低温度係数フェライト磁心を
組み込んで電子部品とし、前記電子部品として照明用ト
ランス又は通信機用トランス又はノイズフィルタとする
のが好ましい。
【０００７】
【発明の実施の形態】本発明において、主成分組成を限
定した理由は、Ｆｅ2Ｏ3が５３モル％未満、または５４
モル％を越える組成領域、およびＺｎＯが１６モル％未
満、または２２モル％を越える組成領域では、μｉの温
度特性でのセカンダリーピークを−２０〜１０℃、もし
くは−１０〜０℃に設定し、かつμｉが２，５００以上
のフェライト磁心を得ることが困難なためである。
定した理由は、Ｆｅ2Ｏ3が５３モル％未満、または５４
モル％を越える組成領域、およびＺｎＯが１６モル％未
満、または２２モル％を越える組成領域では、μｉの温
度特性でのセカンダリーピークを−２０〜１０℃、もし
くは−１０〜０℃に設定し、かつμｉが２，５００以上
のフェライト磁心を得ることが困難なためである。
【０００８】本発明において、μｉの温度特性でのセカ
ンダリーピークを−２０〜１０℃、もしくは−１０〜０
℃に設定する必要がある理由は、セカンダリーピークが
上記の範囲より低温側に外れると、μｉの温度特性のカ
ーブが大きなうねりをもち、２０℃におけるμｉが低
く、かつμｉの変化率が大きくなるためである。一方、
セカンダリーピークが上記の範囲より高温側に外れる
と、特に２０℃以下の低温度範囲でのμｉの変化率が大
きくなり、望ましくないからである。
ンダリーピークを−２０〜１０℃、もしくは−１０〜０
℃に設定する必要がある理由は、セカンダリーピークが
上記の範囲より低温側に外れると、μｉの温度特性のカ
ーブが大きなうねりをもち、２０℃におけるμｉが低
く、かつμｉの変化率が大きくなるためである。一方、
セカンダリーピークが上記の範囲より高温側に外れる
と、特に２０℃以下の低温度範囲でのμｉの変化率が大
きくなり、望ましくないからである。
【０００９】従来の低温度係数フェライト磁心ではμｉ
が１，０００以下であるものが多く、高いものでもμｉ
は２，０００程度であった。しかし本発明により、μｉ
が２，５００〜５，０００を有し、２０℃のμｉを基準
とした−２０〜１００μにおけるμｉの変化率が±１０
％以下とする、またμｉが２，５００〜８，０００を有
し、２０℃のμｉを基準とした−２０〜１００℃におけ
るμｉの変化率が±２０％以下とする、さらにはμｉが
２，５００〜５，０００を有し、２０℃のμｉを基準と
した−２０〜６０℃におけるμｉの変化率が±５％以下
とすることにより、温度特性に優れた低温度係数フェラ
イト磁心の小型化が可能になった。
が１，０００以下であるものが多く、高いものでもμｉ
は２，０００程度であった。しかし本発明により、μｉ
が２，５００〜５，０００を有し、２０℃のμｉを基準
とした−２０〜１００μにおけるμｉの変化率が±１０
％以下とする、またμｉが２，５００〜８，０００を有
し、２０℃のμｉを基準とした−２０〜１００℃におけ
るμｉの変化率が±２０％以下とする、さらにはμｉが
２，５００〜５，０００を有し、２０℃のμｉを基準と
した−２０〜６０℃におけるμｉの変化率が±５％以下
とすることにより、温度特性に優れた低温度係数フェラ
イト磁心の小型化が可能になった。
【００１０】また、従来の低温度係数フェライト磁心で
は主成分組成に関しても、例えばＺｎＯの場合、１６モ
ル％以下に設定されることが多かった。これに対して、
１６〜２２モル％に限定することで、μｉの低下を抑え
て、かつμｉの温度特性でカーブのうねりが少ない温度
特性に優れた低温度係数フェライト磁心が得られるもの
である。
は主成分組成に関しても、例えばＺｎＯの場合、１６モ
ル％以下に設定されることが多かった。これに対して、
１６〜２２モル％に限定することで、μｉの低下を抑え
て、かつμｉの温度特性でカーブのうねりが少ない温度
特性に優れた低温度係数フェライト磁心が得られるもの
である。
【００１１】本発明はμｉの温度特性で，セカンダリー
ピークを−２０〜１０℃に設定、あるいは−１０〜０℃
に設定することで、広い温度範囲でμｉの変化率が小さ
い低温度係数フェライト磁心が得られるものである。
ピークを−２０〜１０℃に設定、あるいは−１０〜０℃
に設定することで、広い温度範囲でμｉの変化率が小さ
い低温度係数フェライト磁心が得られるものである。
【００１２】本発明は上記のように広い温度範囲でμｉ
の変化率が小さい低温度係数フェライト磁心を使用する
ことにより、環境温度が変化しても本来の性能を発揮す
る照明用トランス、通信機用トランス、ノイズフィルタ
ー等の電子部品が得られるものである。
の変化率が小さい低温度係数フェライト磁心を使用する
ことにより、環境温度が変化しても本来の性能を発揮す
る照明用トランス、通信機用トランス、ノイズフィルタ
ー等の電子部品が得られるものである。
【００１３】本発明はμｉが２，５００〜５，０００を
有し、２０℃のμｉを基準とした−２０〜１００℃にお
けるμｉの変化率が±１０％以下とする、またμｉが
２，５００〜８，０００を有し、２０℃のμｉを基準と
した−２０〜１００℃におけるμｉの変化率が±２０％
以下とする、さらにはμｉが２，５００〜５，０００を
有し、２０℃のμｉを基準とした−２０〜６０℃におけ
るμｉの変化率が±５％以下とすることにより、空隙を
設けないフェライト磁心を組み込んだ照明用トランス、
通信機用トランス、ノイズフィルター等の電子部品を構
成することができるものである。
有し、２０℃のμｉを基準とした−２０〜１００℃にお
けるμｉの変化率が±１０％以下とする、またμｉが
２，５００〜８，０００を有し、２０℃のμｉを基準と
した−２０〜１００℃におけるμｉの変化率が±２０％
以下とする、さらにはμｉが２，５００〜５，０００を
有し、２０℃のμｉを基準とした−２０〜６０℃におけ
るμｉの変化率が±５％以下とすることにより、空隙を
設けないフェライト磁心を組み込んだ照明用トランス、
通信機用トランス、ノイズフィルター等の電子部品を構
成することができるものである。
【００１４】以下に、本発明に係わるフェライト材料の
実施例を詳細に説明する。 実施例１ Ｆｅ2Ｏ3，ＭｎＯ(Ｍｎ3Ｏ4を使用)、ＺｎＯを表１に示
すような主成分組成をもつ原料を混合し、これを空気中
において８５０℃で２時間仮焼した。これに、ＳｉＯ2
０．０２ｗｔ％、ＣａＯ（ＣａＣＯ3を使用）０．０
８ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3 ０．０２ｗｔ％、ＣｏＯ ０．０
５ｗｔ％を含有するように添加し、さらに所定量のイオ
ン交換水および分散剤を添加した後、アトライタにて１
時間混合粉砕した。これに原料に対して１ｗｔ％のバイ
ンダ（ポリビニルアルコール）を加え、スプレードライ
ヤにて造粒し、整粒した顆粒を乾式圧縮成型機と金型を
用いて、トロイダル状に成形圧２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形
した。この成形体を焼成温度１３００℃、酸素分圧５％
で焼成し、得られた磁心のμｉの変化率、２０℃におけ
るμｉ、１００ｋＨｚにおけるｔａｎδ／μｉ、セカン
ダリーピーク(Ｔｓ)を測定した。この結果を表１に示
す。なお、表１の備考欄に本発明の範囲のものは、実施
例とし、本発明の範囲外のものは比較例とした。また、
試料Ｎｏ.３(実施例)、試料Ｎｏ.１４(実施例)、および
試料Ｎｏ.１３(比較例)のμｉの温度特性を図１に示
す。この表１及び図１から、本発明の実施例は、μｉが
２，５００以上と大きく、しかもμｉの温度変化率が極
めて小さいことがわかる。また、このとき、Ｆｅ2Ｏ3が
５３〜５４モル％、ＺｎＯが１６〜２２モル％、残部酸
化マンガンであることが望ましいことがわかる。
実施例を詳細に説明する。 実施例１ Ｆｅ2Ｏ3，ＭｎＯ(Ｍｎ3Ｏ4を使用)、ＺｎＯを表１に示
すような主成分組成をもつ原料を混合し、これを空気中
において８５０℃で２時間仮焼した。これに、ＳｉＯ2
０．０２ｗｔ％、ＣａＯ（ＣａＣＯ3を使用）０．０
８ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3 ０．０２ｗｔ％、ＣｏＯ ０．０
５ｗｔ％を含有するように添加し、さらに所定量のイオ
ン交換水および分散剤を添加した後、アトライタにて１
時間混合粉砕した。これに原料に対して１ｗｔ％のバイ
ンダ（ポリビニルアルコール）を加え、スプレードライ
ヤにて造粒し、整粒した顆粒を乾式圧縮成型機と金型を
用いて、トロイダル状に成形圧２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形
した。この成形体を焼成温度１３００℃、酸素分圧５％
で焼成し、得られた磁心のμｉの変化率、２０℃におけ
るμｉ、１００ｋＨｚにおけるｔａｎδ／μｉ、セカン
ダリーピーク(Ｔｓ)を測定した。この結果を表１に示
す。なお、表１の備考欄に本発明の範囲のものは、実施
例とし、本発明の範囲外のものは比較例とした。また、
試料Ｎｏ.３(実施例)、試料Ｎｏ.１４(実施例)、および
試料Ｎｏ.１３(比較例)のμｉの温度特性を図１に示
す。この表１及び図１から、本発明の実施例は、μｉが
２，５００以上と大きく、しかもμｉの温度変化率が極
めて小さいことがわかる。また、このとき、Ｆｅ2Ｏ3が
５３〜５４モル％、ＺｎＯが１６〜２２モル％、残部酸
化マンガンであることが望ましいことがわかる。
【００１５】
【表１】
【００１６】実施例２ Ｆｅ2Ｏ3 ５３．５ｍｏｌ％、ＭｎＯ(Ｍｎ3Ｏ4を使用)
２８．０ｍｏｌ％、およびＺｎＯ １８．５ｍｏｌ％
を主成分とする原料を混合し、これを空気中において８
５０℃で２時間仮焼した。これに、ＳｉＯ2 ０．０２
ｗｔ％、ＣａＯ（ＣａＣＯ3を使用）０．０８ｗｔ％
と、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｏＯを表２に示す分量含有するように
添加し、さらに所定量のイオン交換水および分散剤を添
加した後、アトライタにて１時間混合粉砕した。これに
原料に対して１ｗｔ％のバインダ（ポリビニルアルコー
ル）を加え、スプレードライヤにて造粒し、整粒した顆
粒を乾式圧縮成型機と金型を用いて、トロイダル状に成
形圧２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形した。この成形体を焼成温
度１３００℃、酸素分圧５％で焼成し、表１と同様、得
られた磁心のμｉの変化率、２０℃におけるμｉ、１０
０ｋＨｚにおけるｔａｎδ／μｉ、セカンダリーピーク
(Ｔｓ)を測定した。この結果を表２に示す。この表２か
ら、本発明の実施例は、μｉが２，５００以上と大き
く、しかもμｉの温度変化率が極めて小さいことがわか
る。また、Ｂｉ2Ｏ3を０．０８ｗｔ％未満、あるいはＣ
ｏＯを０．１５ｗｔ％未満含んでいても良いことがわか
る。
２８．０ｍｏｌ％、およびＺｎＯ １８．５ｍｏｌ％
を主成分とする原料を混合し、これを空気中において８
５０℃で２時間仮焼した。これに、ＳｉＯ2 ０．０２
ｗｔ％、ＣａＯ（ＣａＣＯ3を使用）０．０８ｗｔ％
と、Ｂｉ2Ｏ3、ＣｏＯを表２に示す分量含有するように
添加し、さらに所定量のイオン交換水および分散剤を添
加した後、アトライタにて１時間混合粉砕した。これに
原料に対して１ｗｔ％のバインダ（ポリビニルアルコー
ル）を加え、スプレードライヤにて造粒し、整粒した顆
粒を乾式圧縮成型機と金型を用いて、トロイダル状に成
形圧２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形した。この成形体を焼成温
度１３００℃、酸素分圧５％で焼成し、表１と同様、得
られた磁心のμｉの変化率、２０℃におけるμｉ、１０
０ｋＨｚにおけるｔａｎδ／μｉ、セカンダリーピーク
(Ｔｓ)を測定した。この結果を表２に示す。この表２か
ら、本発明の実施例は、μｉが２，５００以上と大き
く、しかもμｉの温度変化率が極めて小さいことがわか
る。また、Ｂｉ2Ｏ3を０．０８ｗｔ％未満、あるいはＣ
ｏＯを０．１５ｗｔ％未満含んでいても良いことがわか
る。
【００１７】
【表２】
【００１８】実施例３ Ｆｅ2Ｏ3 ５３．５ｍｏｌ％、ＭｎＯ(Ｍｎ3Ｏ4を使用)
２８．０ｍｏｌ％、およびＺｎＯ １８．５ｍｏｌ％を
主成分とする原料を混合し、これを空気中において８５
０℃で２時間仮焼した。これに、ＳｉＯ2 ０．０２ｗ
ｔ％、ＣａＯ（ＣａＣＯ3を使用）０．０８ｗｔ％と、
Ｂｉ2Ｏ3、ＣｏＯ、Ｎｂ2Ｏ5を表３に示す分量含有する
ように添加し、さらに所定量のイオン交換水および分散
剤を添加した後、アトライタにて１時間混合粉砕した。
これに原料に対して１ｗｔ％のバインダ（ポリビニルア
ルコール）を加え、スプレードライヤにて造粒し、整粒
した顆粒を乾式圧縮成型機と金型を用いて、トロイダル
状に成形圧２ｔｏｎ／ｃｍ 2で成形した。この成形体を
焼成温度１２５０℃、酸素分圧１％で焼成し、表１と同
様、得られた磁心のμｉの変化率、２０℃におけるμ
ｉ、１００ｋＨｚにおけるｔａｎδ／μｉ、セカンダリ
ーピーク(Ｔｓ)を測定した。この結果を表３に示す。こ
の表３から、本発明の実施例は、μｉが２，５００以上
と大きく、しかもμｉの温度変化率が極めて小さいこと
がわかる。また、Ｎｂ2Ｏ5を０．０４ｗｔ％程度以下含
有しても良いことがわかる。
２８．０ｍｏｌ％、およびＺｎＯ １８．５ｍｏｌ％を
主成分とする原料を混合し、これを空気中において８５
０℃で２時間仮焼した。これに、ＳｉＯ2 ０．０２ｗ
ｔ％、ＣａＯ（ＣａＣＯ3を使用）０．０８ｗｔ％と、
Ｂｉ2Ｏ3、ＣｏＯ、Ｎｂ2Ｏ5を表３に示す分量含有する
ように添加し、さらに所定量のイオン交換水および分散
剤を添加した後、アトライタにて１時間混合粉砕した。
これに原料に対して１ｗｔ％のバインダ（ポリビニルア
ルコール）を加え、スプレードライヤにて造粒し、整粒
した顆粒を乾式圧縮成型機と金型を用いて、トロイダル
状に成形圧２ｔｏｎ／ｃｍ 2で成形した。この成形体を
焼成温度１２５０℃、酸素分圧１％で焼成し、表１と同
様、得られた磁心のμｉの変化率、２０℃におけるμ
ｉ、１００ｋＨｚにおけるｔａｎδ／μｉ、セカンダリ
ーピーク(Ｔｓ)を測定した。この結果を表３に示す。こ
の表３から、本発明の実施例は、μｉが２，５００以上
と大きく、しかもμｉの温度変化率が極めて小さいこと
がわかる。また、Ｎｂ2Ｏ5を０．０４ｗｔ％程度以下含
有しても良いことがわかる。
【００１９】
【表３】
【００２０】実施例４ Ｆｅ2Ｏ3，ＭｎＯ(Ｍｎ3Ｏ4を使用)、ＺｎＯを表１に示
すような主成分組成をもつ原料を混合し、これを空気中
において８５０℃で２時間仮焼した。これに、ＳｉＯ2
０．０２ｗｔ％、ＣａＯ（ＣａＣＯ3を使用）０．０
２ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3 ０．０４ｗｔ％を含有するように
添加し、さらに所定量のイオン交換水および分散剤を添
加した後、アトライタにて１時間混合粉砕した。これに
原料に対して１ｗｔ％のバインダ（ポリビニルアルコー
ル）を加え、スプレードライヤにて造粒し、整粒した顆
粒を乾式圧縮成型機と金型を用いて、トロイダル状に成
形圧２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形した。この成形体を焼成温
度１３５０℃、酸素分圧５％で焼成し、得られた磁心の
μｉの変化率、２０℃におけるμｉ、１００ｋＨｚにお
けるｔａｎδ／μｉ、セカンダリーピーク(Ｔｓ)を測定
した。この結果を表４に示す。この表４により、本発明
の実施例は、μｉが２，５００以上と大きく、しかもμ
ｉの温度変化率が極めて小さいことがわかる。また、Ｆ
ｅ2Ｏ3が５２．８ｍｏｌ％、ＺｎＯが２２．５ｍｏｌ％
のとき、μｉの変化率が大きくなることがわかる。
すような主成分組成をもつ原料を混合し、これを空気中
において８５０℃で２時間仮焼した。これに、ＳｉＯ2
０．０２ｗｔ％、ＣａＯ（ＣａＣＯ3を使用）０．０
２ｗｔ％、Ｂｉ2Ｏ3 ０．０４ｗｔ％を含有するように
添加し、さらに所定量のイオン交換水および分散剤を添
加した後、アトライタにて１時間混合粉砕した。これに
原料に対して１ｗｔ％のバインダ（ポリビニルアルコー
ル）を加え、スプレードライヤにて造粒し、整粒した顆
粒を乾式圧縮成型機と金型を用いて、トロイダル状に成
形圧２ｔｏｎ／ｃｍ2で成形した。この成形体を焼成温
度１３５０℃、酸素分圧５％で焼成し、得られた磁心の
μｉの変化率、２０℃におけるμｉ、１００ｋＨｚにお
けるｔａｎδ／μｉ、セカンダリーピーク(Ｔｓ)を測定
した。この結果を表４に示す。この表４により、本発明
の実施例は、μｉが２，５００以上と大きく、しかもμ
ｉの温度変化率が極めて小さいことがわかる。また、Ｆ
ｅ2Ｏ3が５２．８ｍｏｌ％、ＺｎＯが２２．５ｍｏｌ％
のとき、μｉの変化率が大きくなることがわかる。
【００２１】
【表４】
【００２２】以上の実施例では、μｉが２，５００〜
５，０００を有し、２０℃のμｉを基準とした−２０〜
１００℃におけるμｉの変化率が±１０％以下の実施
例、μｉが２，５００〜８，０００を有し、２０℃のμ
ｉを基準とした−２０〜１００℃におけるμｉの変化率
が±２０％以下の実施例、μｉが２，５００〜５，００
０を有し、２０℃のμｉを基準とした−２０〜６０℃に
おけるμｉの変化率が±５％以下の実施例、μｉが２，
５００以上で、μｉのセカンダリーピークを−２０〜１
０℃とした実施例、μｉが２，５００以上で、μｉのセ
カンダリーピークを−１０〜０℃とした実施例がわか
る。また、これらの実施例は、μｉが２，５００以上と
大きく、しかもμｉの温度変化率が極めて小さいため、
照明用トランス、通信機用トランス、およびノイズフィ
ルター等に使用するのに適した磁心であることがわか
る。また、これらの磁心は、例えばＥＥ型磁心と呼ばれ
るように、２つの磁心を突き合わせて構成されることが
あるが、この場合、μｉの温度変化率が極めて小さいた
め、その磁心の突き合わせ面に空隙を形成して、温度変
化を緩和させる手段を用いる必要がない。すなわち、磁
心に空隙を形成することなく使用出来る。このため、高
い透磁率をそのまま活用出来、しかも空隙を設けるため
の工数及び部品も必要ない。また、高透磁率を利用し、
部品の小型化も達成される。もちろん、磁心の形状は、
ＥＥ型に限定されるものではない。例えば、リング型、
ＵＵ型、壺型など種々の形状が考えられる。
５，０００を有し、２０℃のμｉを基準とした−２０〜
１００℃におけるμｉの変化率が±１０％以下の実施
例、μｉが２，５００〜８，０００を有し、２０℃のμ
ｉを基準とした−２０〜１００℃におけるμｉの変化率
が±２０％以下の実施例、μｉが２，５００〜５，００
０を有し、２０℃のμｉを基準とした−２０〜６０℃に
おけるμｉの変化率が±５％以下の実施例、μｉが２，
５００以上で、μｉのセカンダリーピークを−２０〜１
０℃とした実施例、μｉが２，５００以上で、μｉのセ
カンダリーピークを−１０〜０℃とした実施例がわか
る。また、これらの実施例は、μｉが２，５００以上と
大きく、しかもμｉの温度変化率が極めて小さいため、
照明用トランス、通信機用トランス、およびノイズフィ
ルター等に使用するのに適した磁心であることがわか
る。また、これらの磁心は、例えばＥＥ型磁心と呼ばれ
るように、２つの磁心を突き合わせて構成されることが
あるが、この場合、μｉの温度変化率が極めて小さいた
め、その磁心の突き合わせ面に空隙を形成して、温度変
化を緩和させる手段を用いる必要がない。すなわち、磁
心に空隙を形成することなく使用出来る。このため、高
い透磁率をそのまま活用出来、しかも空隙を設けるため
の工数及び部品も必要ない。また、高透磁率を利用し、
部品の小型化も達成される。もちろん、磁心の形状は、
ＥＥ型に限定されるものではない。例えば、リング型、
ＵＵ型、壺型など種々の形状が考えられる。
【００２３】
【発明の効果】本発明によれば、μｉが２，５００以上
と大きく、しかも広い温度範囲でμｉの変化率が小さい
低温度係数フェライト磁心を得ることができる。本発明
に係わる低温度係数フェライト磁心を組み込んで構成す
ることにより、環境温度が変化しても本来の性能を発揮
する照明用トランス、通信機用トランス、ノイズフィル
ター等の電子部品が得ることができる。このため、照明
機器の点灯不良などの不具合や不安定なノイズ減衰量を
生じる恐れがない。本発明に係わる低温度係数フェライ
ト磁心を組み込んで電子部品を構成する場合、磁心にμ
ｉの変化率を抑制するための空隙を設ける必要がなく、
空隙を設けるための加工、空隙を形成するためのポリエ
ステルフィルム、および組立に必要な部品等による工
数、コストを削減できる。
と大きく、しかも広い温度範囲でμｉの変化率が小さい
低温度係数フェライト磁心を得ることができる。本発明
に係わる低温度係数フェライト磁心を組み込んで構成す
ることにより、環境温度が変化しても本来の性能を発揮
する照明用トランス、通信機用トランス、ノイズフィル
ター等の電子部品が得ることができる。このため、照明
機器の点灯不良などの不具合や不安定なノイズ減衰量を
生じる恐れがない。本発明に係わる低温度係数フェライ
ト磁心を組み込んで電子部品を構成する場合、磁心にμ
ｉの変化率を抑制するための空隙を設ける必要がなく、
空隙を設けるための加工、空隙を形成するためのポリエ
ステルフィルム、および組立に必要な部品等による工
数、コストを削減できる。
【図１】本発明に係わる実施例と比較例のμｉの温度特
性である
性である
Claims (5)
- 【請求項１】 Ｆｅ２Ｏ３：５３〜５４モル％、Ｚｎ
Ｏ：１６〜２２モル％、残部ＭｎＯを主成分とし、副成
分として、ＳｉＯ２、ＣａＯ、Ｎｂ２Ｏ５からなり、２
０℃における初透磁率が２５００以上であり、２０℃の
初透磁率を基準とした−２０〜１００℃における初透磁
率の変化率が−１０％〜＋１０％であることを特徴とす
る低温度係数フェライト磁心。 - 【請求項２】 Ｆｅ２Ｏ３：５３〜５４モル％、Ｚｎ
Ｏ：１６〜２２モル％、残部ＭｎＯを主成分とし、副成
分として、ＳｉＯ２、ＣａＯ、Ｂｉ２Ｏ３からなり、２
０℃における初透磁率が６０００以上であり、２０℃の
初透磁率を基準とした−２０〜１００℃における初透磁
率の変化率が−２０％〜＋２０％であり、−２０〜２０
℃における初透磁率の変化率が−５％〜＋５％であるこ
とを特徴とする低温度係数フェライト磁心。 - 【請求項３】 Ｆｅ２Ｏ３：５３〜５４モル％、Ｚｎ
Ｏ：１６〜２２モル％、残部ＭｎＯを主成分とし、副成
分として、ＳｉＯ２、ＣａＯ、Ｎｂ２Ｏ５、Ｂｉ２Ｏ３
からなり、２０℃における初透磁率が２５００以上であ
り、２０℃の初透磁率を基準とした−２０〜１００℃に
おける初透磁率の変化率が−２０％〜＋２０％であるこ
とを特徴とする低温度係数フェライト磁心。 - 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれかの低温度係数
フェライト磁心を組み込んで構成することを特徴とする
電子部品。 - 【請求項５】 前記電子部品が照明用トランス又は通信
機用トランス又はノイズフィルタであることを特徴とす
る請求項４に記載の電子部品。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002088141A JP2002353024A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 低温度係数フェライト磁心及び電子部品 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2002088141A JP2002353024A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 低温度係数フェライト磁心及び電子部品 |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP30895595A Division JP3678479B2 (ja) | 1995-11-28 | 1995-11-28 | 低温度係数フェライト磁心及び電子部品 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002353024A true JP2002353024A (ja) | 2002-12-06 |
Family
ID=19193470
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2002088141A Pending JP2002353024A (ja) | 2002-03-27 | 2002-03-27 | 低温度係数フェライト磁心及び電子部品 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002353024A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335633A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Jfe Ferrite Corp | ＭｎＣｏＺｎフェライトおよびトランス用磁心 |
| JP2015229626A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライトおよびその製造方法 |
| JP2015229625A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライトおよびその製造方法 |
| JP2020132501A (ja) * | 2019-02-25 | 2020-08-31 | 株式会社トーキン | 耐熱性高透磁率ＭｎＺｎフェライト |
-
2002
- 2002-03-27 JP JP2002088141A patent/JP2002353024A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2007335633A (ja) * | 2006-06-15 | 2007-12-27 | Jfe Ferrite Corp | ＭｎＣｏＺｎフェライトおよびトランス用磁心 |
| JP2015229626A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライトおよびその製造方法 |
| JP2015229625A (ja) * | 2014-06-06 | 2015-12-21 | Ｊｆｅケミカル株式会社 | Ｍｎ−Ｚｎ−Ｃｏ系フェライトおよびその製造方法 |
| JP2020132501A (ja) * | 2019-02-25 | 2020-08-31 | 株式会社トーキン | 耐熱性高透磁率ＭｎＺｎフェライト |
| JP7160720B2 (ja) | 2019-02-25 | 2022-10-25 | 株式会社トーキン | 耐熱性高透磁率ＭｎＺｎフェライト |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040506 |
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| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040514 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20040709 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040818 |