JP3550247B2 - フェライト材料 - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、高周波領域での損失が小さく、樹脂封止時の封止圧によるインダクタンスやQ値の低下の小さいフェライト材料に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
フェライト材料はインダクター素子等として広く使用されている。特にマルチメディアの発展に伴い、高周波領域で使えるQ値の高いフェライトを用いたチップインダクターの必要性は増すばかりである。
【0003】
ところで、チップインダクターはフェライトコアに巻き線を施した後、樹脂封止されるが、この時の封止圧によってインダクタンスLが変化する。しかし、樹脂の封止圧はばらつくために、封止後のインダクタンスLもばらつくことになる。そこで、封止圧の大きさにかかわらず、インダクタンスLが変化しない(低磁歪)特性もチップインダクターには要求されるようになった。
【0004】
そこで、これらの要求特性を満たすために、さまざまな組成のフェライト材料が提案されている(特開平6−120021号、特開平6−69019号公報等参照)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】
しかしながら、上記低磁歪特性と、高Q値の特性は相反する関係にあって、両者を同時に満足することはできなかった。
【0006】
なぜなら、一般にフェライトに圧力を加えるとインダクタンスLは低下する傾向があり、この変化率を0±2%程度の範囲に維持するためには、焼結体中にFe3 O4 即ちFeO・Fe2 O3 を存在させれば良いことが知られている。しかし、Fe3 O4 の3価のFeイオンと、出発原料であるFe2 O3 の2価のFeイオンの両方が一つの結晶中に存在すると高電子伝導度と低抵抗率の原因となり、高周波になるほど渦電流が増して高Q値の特性とならないのである。
【0007】
そこで、本発明は、高Q値と低磁歪性の二つの特性を同時に満足するフェライト材料を得ることを目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】
本発明は、主成分の組成比が、酸化物換算で38〜44モル%のFe2 O3 と、47〜53モル%のNiOと、0.1〜2モル%のCuOと、5〜9モル%のMgOからなり、これら主成分100重量部に対して5〜9重量部のBi2 O3 と、5〜9重量部のSiO2 と、0.5〜1.5重量部のZrO2 を添加したことを特徴とする。
【0009】
即ち本発明のフェライト材料は、従来のNi−Zn系フェライトから、ZnOを実質的に含まないNi系フェライトに主成分を変更するとともに、ZrO2 を添加したことを特徴とする。
【0010】
そして、上記組成の本発明のフェライト材料は、焼結体中にFe3 O4 が存在して、圧力が加わった際のインダクタンスLの変化を0±2%程度の範囲内に維持することができる。しかも、添加したZrO2 が結晶粒界に存在することによって、抵抗率の低下を防止し、高周波領域において渦電流が増加することを防止することができる。その結果、低磁歪特性と高Q値特性の両方を満足できるフェライト材を得られるのである。
【0011】
ここで、主成分の組成比を上記範囲とした理由は以下の通りである。まず、Fe2 O3 が38モル%未満では温度特性が悪くなるとともに磁歪も大きくなり、一方Fe2 O3 が44モル%を超えるとQ値が低下する。また、NiOが47モル%未満ではQ値が低下し、53モル%を超えると磁歪が悪くなる。さらに、CuOは焼結性を向上させるためのものであるが、2モル%を超えると温度特性が悪くなり、MgOが5モル%未満または9モル%を超えるとQ値が低下してしまう。
【0012】
また、添加成分を上記範囲とした理由は以下の通りである。まず、Bi2 O3 が5重量部未満では焼結性が悪くなり、9重量部以上では磁歪が悪くなる。SiO2 が5重量部未満では磁歪が悪くなり、9重量部を超えるとQ値が低くなる。ZrO2 が0.5重量部ではQ値を向上させる効果に乏しく、1.5重量部を超えると磁歪が大きくなる。
【0013】
さらに、上記主成分及び添加成分以外の成分としては、ZnO,CaO,Cr2 O3 ,MnO,CoO等を合計で主成分100重量部に対して0.7重量部以下含んでいても良い。このように、本発明ではZnOは実質的に含んでおらず、含んでいても不純物程度である。
【0014】
また、本発明のフェライト材料において、平均結晶粒径は5μm以下、好適には1μm以下とする。これは、平均結晶粒径を小さくすることによって結晶粒界を多くし、上述した抵抗率の低下を防止する効果を高めるためである。
【0015】
以上のような本発明のフェライト材料の製造方法は、上記組成範囲となるように各原料を調合し、ボールミル等で粉砕混合した後、スプレードライヤー等で造粒し、得られた粉体をプレス成形によって所定形状に成形し、必要に応じて切削加工を施した後、1050〜1150℃の範囲で焼成することによって得ることができる。
【0016】
そして、上記本発明のフェライト材料は高周波用チップインダクターとして好適に使用することができる。
【0017】
【実施例】
以下本発明の実施例を説明する。
【0018】
Fe2 O3 、NiO、CuO、MgOの主成分を表1に示す割合となるように秤量し、振動ミルにて混合した後800〜900℃で仮焼した。この仮焼粉末100重量部に対し、Bi2 O3 、SiO2 、ZrO2 を表1に示す割合で添加し、ボールミルにて粉砕し、バインダーを加えて造粒した後、トロイダルコア及び角柱状コアの形状に成形し、950〜1150℃で焼成した。なお、角柱状コアは研削加工して3×3×15mmの寸法とした。
【0019】
得られたトロイダルコアに、直径0.2mmの被膜銅線を巻いて、透磁率μ、tanδ/μ、温度係数を測定し、角柱状コアから磁歪特性を測定した。なお、tanδ/μは80MHzで測定し、温度係数はΔμ/(μ・ΔT)×106 により求めた。また磁歪特性は5kg/mm2 の応力を加えた時のΔL/L×100により求めた。これらの結果は表2に示す通りである。
【0020】
この結果より、組成が本発明の範囲外のものは、tanδ/μが2500を超えて損失が大きい(Q値が低い)ために高周波材としては使えなかったり(No.5、10、13、21、22)、温度係数が0±200ppm/℃の範囲を超えて使用不能であったり(No.2、9)、磁歪が0±2%の範囲を超えて低磁歪材(抗力材)としては使用できない(No.6、14、17、18)ものであった。
【0021】
これらに対し、本発明の範囲内のものは、tanδ/μが2500以下(Q値が高い)、温度係数が0±200ppm/℃の範囲内、磁歪が0±2%の範囲内と、いずれも実用的な範囲とすることができた。
【0022】
【表1】
【0023】
【表2】
【0024】
【発明の効果】
以上のように、本発明によれば、主成分の組成比が、酸化物換算で38〜44モル%のFe2 O3 と、47〜53モル%のNiOと、0.1〜2モル%のCuOと、5〜9モル%のMgOからなり、これら主成分100重量部に対して5〜9重量部のBi2 O3 と、5〜9重量部のSiO2 と、0.5〜1.5重量部のZrO2 を添加したことによって、高周波においてQ値が高く、温度特性に優れ、低磁歪のフェライト材を得ることができる。そのため、本発明のフェライト材でフェライトコアを形成すれば、樹脂モールド時に封止圧が加わってもインダクタンスLの変動が小さく、温度特性も優れ、高Q値の特性を持ったチップインダクターを得ることができる。
Claims (1)
- 主成分の組成比が、酸化物換算で38〜44モル%のFe2 O3 と、47〜53モル%のNiOと、0.1〜2モル%のCuOと、5〜9モル%のMgOからなり、これら主成分100重量部に対して5〜9重量部のBi2 O3 と、5〜9重量部のSiO2 と、0.5〜1.5重量部のZrO2 を添加してなるフェライト材料。
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JP07290396A JP3550247B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | フェライト材料 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
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JP07290396A JP3550247B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | フェライト材料 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
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JPH09263443A JPH09263443A (ja) | 1997-10-07 |
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ID=13502783
Family Applications (1)
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JP07290396A Expired - Lifetime JP3550247B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | フェライト材料 |
Country Status (1)
Country | Link |
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Families Citing this family (1)
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JP2008207988A (ja) * | 2007-02-26 | 2008-09-11 | Kyocera Corp | フェライト粉末とフェライト質焼結体およびこれらの製造方法、並びにフェライトコア |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP07290396A patent/JP3550247B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
Publication number | Publication date |
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JPH09263443A (ja) | 1997-10-07 |
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