JPH0737711A - 酸化物磁性材料及びそれを用いたインダクタ - Google Patents
酸化物磁性材料及びそれを用いたインダクタInfo
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- JPH0737711A JPH0737711A JP5178742A JP17874293A JPH0737711A JP H0737711 A JPH0737711 A JP H0737711A JP 5178742 A JP5178742 A JP 5178742A JP 17874293 A JP17874293 A JP 17874293A JP H0737711 A JPH0737711 A JP H0737711A
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- oxide
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 インダクタの磁芯用フェライト材料を改善す
ることにより，インダクタのＱを改善し，高性能なイン
ダクタ及びその磁芯に用いられる酸化物磁性材料を提供
すること。 【構成】 磁芯用酸化物磁性材料は，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚ
ｎ，Ｃｏ，Ｆｅの酸化物を主成分として含有するスピネ
ル型フェライト焼結体において，一般式 ａ（Ｎｉ
(1-x) ・Ｃｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ｄＣｏＯ・ｃＦｅ2 Ｏ
3 ，（但し，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００， ０．１≦ｘ
≦０．８，０≦ｂ≦３５，３２．０≦ｃ≦４８．５，０
≦ｄ≦３．５）で示される組成比を有する。この酸化物
磁性材料からなる磁芯に，絶縁被覆導線を巻回して樹脂
でモールドしてインダクタを形成する。
ることにより，インダクタのＱを改善し，高性能なイン
ダクタ及びその磁芯に用いられる酸化物磁性材料を提供
すること。 【構成】 磁芯用酸化物磁性材料は，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚ
ｎ，Ｃｏ，Ｆｅの酸化物を主成分として含有するスピネ
ル型フェライト焼結体において，一般式 ａ（Ｎｉ
(1-x) ・Ｃｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ｄＣｏＯ・ｃＦｅ2 Ｏ
3 ，（但し，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００， ０．１≦ｘ
≦０．８，０≦ｂ≦３５，３２．０≦ｃ≦４８．５，０
≦ｄ≦３．５）で示される組成比を有する。この酸化物
磁性材料からなる磁芯に，絶縁被覆導線を巻回して樹脂
でモールドしてインダクタを形成する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は，インダクタに使用され
るスピネル型フェライト磁芯材料に関するものである。
るスピネル型フェライト磁芯材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来，この種の軟磁性材料には，金属に
比べ電気抵抗が高くなり，周波数特性が高周波化できる
ことから，スピネル型フェライトが使用されてきた。ス
ピネル型フェライトの中でも，Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト
は，高い磁束密度と高い透磁率が得られることから，最
も使用されてきた。しかしながら，この材料は，直流比
抵抗ρODで約１×１０3 Ω・ｃｍと電気抵抗があまり大
きくなく，また適用周波数帯も５００ｋＨｚ程度が上限
である。
比べ電気抵抗が高くなり，周波数特性が高周波化できる
ことから，スピネル型フェライトが使用されてきた。ス
ピネル型フェライトの中でも，Ｍｎ−Ｚｎ系フェライト
は，高い磁束密度と高い透磁率が得られることから，最
も使用されてきた。しかしながら，この材料は，直流比
抵抗ρODで約１×１０3 Ω・ｃｍと電気抵抗があまり大
きくなく，また適用周波数帯も５００ｋＨｚ程度が上限
である。
【０００３】現在，これらインダクタの使用される領域
では，高周波化，小型化，軽量化が急速に進行してい
る。そのため，インダクタンス素子は表面実装化が進展
している。したがって，この種の材料は，できるだけ省
力化も図られ，例えば，絶縁処理を施すよりも，絶縁性
の高い材料が，巻線時等の絶縁被膜の破損によるインダ
クタンスのバラツキが皆無となるので有用となる。そこ
で，Ｎｉ系フェライトの組成を特定範囲に制御すること
により，高周波化への適用及び，材料の高抵抗化が可能
となり，この種のフェライト材料が，いわゆるチップイ
ンダクタとして工業化されてきている。このチップイン
ダクタのひとつに，フェライト磁芯材料に電気導体を巻
線した後，樹脂等をモールドして構成されるモールド型
インダクタがある。
では，高周波化，小型化，軽量化が急速に進行してい
る。そのため，インダクタンス素子は表面実装化が進展
している。したがって，この種の材料は，できるだけ省
力化も図られ，例えば，絶縁処理を施すよりも，絶縁性
の高い材料が，巻線時等の絶縁被膜の破損によるインダ
クタンスのバラツキが皆無となるので有用となる。そこ
で，Ｎｉ系フェライトの組成を特定範囲に制御すること
により，高周波化への適用及び，材料の高抵抗化が可能
となり，この種のフェライト材料が，いわゆるチップイ
ンダクタとして工業化されてきている。このチップイン
ダクタのひとつに，フェライト磁芯材料に電気導体を巻
線した後，樹脂等をモールドして構成されるモールド型
インダクタがある。
【０００４】本発明者は，以前にこのモールド型インダ
クタ用磁芯材料として，主成分の組成比がａ（Ｎｉ
(1-x) ・Ｃｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2 Ｏ3 ，０．１
ｘ≦０．８，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００，０≦ｂ≦３５，３２
≦ｃ≦４８．５で，Ｔｃが１００℃以上を有するＮｉ−
Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料が有用であることを特願平
４−２４３６５３に提案している。ここで，ｘ＝０．１
〜０．８としたのは，フェライト材料のμの温度変化が
０．１〜０．８の範囲で負を示し，ｂ＝０〜３５とした
のは，μはｂの増加とともに明らかに向上し，３５で極
大を示し，それ以上ではμの減少に加えＴｃの減少をと
もない，ＺｎＯ置換による正の効果が期待できなくな
り，ｃ＝３２〜４８．５としたのは，４８．５以下でμ
の温度係数が負を示し，３２以下では損失係数ｔａｎδ
が明らかに大きくなるためである。また，フェライト材
料のＴｃを１００℃以上としたのは，μの著しい減少は
Ｔｃより約２０℃低い温度からＴｃの間で生ずるので，
インダクタの使用上限温度が８０℃以上を可能とした場
合，材料のＴｃとしては１００℃以上が必要となるため
である。このことにより，樹脂モールド型インダクタの
インダクタンスの温度変化を著しく低減できることを発
見している。
クタ用磁芯材料として，主成分の組成比がａ（Ｎｉ
(1-x) ・Ｃｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2 Ｏ3 ，０．１
ｘ≦０．８，ａ＋ｂ＋ｃ＝１００，０≦ｂ≦３５，３２
≦ｃ≦４８．５で，Ｔｃが１００℃以上を有するＮｉ−
Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト材料が有用であることを特願平
４−２４３６５３に提案している。ここで，ｘ＝０．１
〜０．８としたのは，フェライト材料のμの温度変化が
０．１〜０．８の範囲で負を示し，ｂ＝０〜３５とした
のは，μはｂの増加とともに明らかに向上し，３５で極
大を示し，それ以上ではμの減少に加えＴｃの減少をと
もない，ＺｎＯ置換による正の効果が期待できなくな
り，ｃ＝３２〜４８．５としたのは，４８．５以下でμ
の温度係数が負を示し，３２以下では損失係数ｔａｎδ
が明らかに大きくなるためである。また，フェライト材
料のＴｃを１００℃以上としたのは，μの著しい減少は
Ｔｃより約２０℃低い温度からＴｃの間で生ずるので，
インダクタの使用上限温度が８０℃以上を可能とした場
合，材料のＴｃとしては１００℃以上が必要となるため
である。このことにより，樹脂モールド型インダクタの
インダクタンスの温度変化を著しく低減できることを発
見している。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら，前述し
たＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト磁芯の材料特性とし
て，損失係数ｔａｎδの逆数であるＱ（Ｑの値が大きい
程損失が小さく，高性能となる）が１００前後を有して
いるにもかかわらず，インダクタを構成した場合，巻
線，電極付け，モールド等によりインダクタのＱは１／
３程度に低下してしまう。したがって，これらインダク
タの構成によっても，インダクタのＱが高い値を示す材
料であることが，工業上非常に有益となる。
たＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト磁芯の材料特性とし
て，損失係数ｔａｎδの逆数であるＱ（Ｑの値が大きい
程損失が小さく，高性能となる）が１００前後を有して
いるにもかかわらず，インダクタを構成した場合，巻
線，電極付け，モールド等によりインダクタのＱは１／
３程度に低下してしまう。したがって，これらインダク
タの構成によっても，インダクタのＱが高い値を示す材
料であることが，工業上非常に有益となる。
【０００６】そこで，本発明の技術的課題は，インダク
タの磁芯用フェライト材料を改善することにより，イン
ダクタのＱを改善し，高性能なインダクタ及びその磁芯
に用いられる酸化物磁性材料を提供することにある。
タの磁芯用フェライト材料を改善することにより，イン
ダクタのＱを改善し，高性能なインダクタ及びその磁芯
に用いられる酸化物磁性材料を提供することにある。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明者は，種々検討を
重ねた結果，前述した組成を使用したインダクタのＱを
改善する方法として，フェライト材料の組成比を，次の
一般式で示されるようにすることが，極めて有効である
ことがわかった。
重ねた結果，前述した組成を使用したインダクタのＱを
改善する方法として，フェライト材料の組成比を，次の
一般式で示されるようにすることが，極めて有効である
ことがわかった。
【０００８】本発明によれば，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｃ
ｏ，Ｆｅの酸化物を主成分として含有するスピネル型フ
ェライト焼結体において，一般式 ａ（Ｎｉ(1-x) ・Ｃ
ｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ｄＣｏＯ・ｃＦｅ2 Ｏ3 ，但し，
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００，０．１≦ｘ≦０．８，０≦ｂ
≦３５，３２．０≦ｃ≦４８．５，０≦ｄ≦３．５，で
示される組成比を有することを特徴とする磁芯用酸化物
磁性材料が得られる。
ｏ，Ｆｅの酸化物を主成分として含有するスピネル型フ
ェライト焼結体において，一般式 ａ（Ｎｉ(1-x) ・Ｃ
ｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ｄＣｏＯ・ｃＦｅ2 Ｏ3 ，但し，
ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００，０．１≦ｘ≦０．８，０≦ｂ
≦３５，３２．０≦ｃ≦４８．５，０≦ｄ≦３．５，で
示される組成比を有することを特徴とする磁芯用酸化物
磁性材料が得られる。
【０００９】本発明によれば，前記磁性材料からなる磁
芯に，絶縁被覆導線を巻回して樹脂でモールドしたこと
を特徴とするインダクタが得られる。
芯に，絶縁被覆導線を巻回して樹脂でモールドしたこと
を特徴とするインダクタが得られる。
【００１０】ここで，本発明において，インダクタのＱ
が向上する原因は，ＣｏＯの添加により，フェライト磁
芯材料のＱが著しく改善されるためであり，最大で約３
倍に向上している。また，本発明において，ＣｏＯ添加
による効果は，フェライト磁芯材料に発生する壁の固着
化に起因し，緩和現象の分布を狭くするためであると考
える。本発明において，組成比におけるａ，ｂ，ｃは前
述した理由によるものである。また，本発明において，
ｄを０．０２〜３．００の範囲としたのは，インダクタ
のＱの著しい向上が０〜３．５の範囲で認められるから
であり，ｄが０以上でＱの向上は明らかに見られ，３．
５以上では高価なＣｏＯを使用しても，Ｑ向上が見られ
なくなり，工業上の有益性がなくなるからである。
が向上する原因は，ＣｏＯの添加により，フェライト磁
芯材料のＱが著しく改善されるためであり，最大で約３
倍に向上している。また，本発明において，ＣｏＯ添加
による効果は，フェライト磁芯材料に発生する壁の固着
化に起因し，緩和現象の分布を狭くするためであると考
える。本発明において，組成比におけるａ，ｂ，ｃは前
述した理由によるものである。また，本発明において，
ｄを０．０２〜３．００の範囲としたのは，インダクタ
のＱの著しい向上が０〜３．５の範囲で認められるから
であり，ｄが０以上でＱの向上は明らかに見られ，３．
５以上では高価なＣｏＯを使用しても，Ｑ向上が見られ
なくなり，工業上の有益性がなくなるからである。
【００１１】尚，本発明においては，中でもＱが著しく
向上する領域は０．０２≦ｄ≦３．００の範囲である。
向上する領域は０．０２≦ｄ≦３．００の範囲である。
【００１２】
【実施例】以下，本発明の実施例について述べる。
【００１３】化学組成比が（２２．５−ｄ）（Ｎｉ0.7
・Ｃｕ0.3 ）Ｏ・ｄＣｏＯ・３０ＺｎＯ・４７．５Ｆｅ
2 Ｏ3 とし，ここでｄ＝０，０．１，０．２，０．３，
０．４，０．５，１．０，２．０，３．０，４．０とな
るように，酸化鉄（α−Ｆｅ2 Ｏ3 ）と酸化ニッケル
（ＮｉＯ），酸化第２鉛（ＣｕＯ）及び酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ），三二酸化コバルト（Ｃｏ2 Ｏ3 ）を原料とし，ボ
ールミルにて２０時間湿式混合した。次に，これら原料
混合粉末を大気中８００℃で２時間仮焼した後，ボール
ミルにて３時間湿式粉砕し，成形用粉末とした。
・Ｃｕ0.3 ）Ｏ・ｄＣｏＯ・３０ＺｎＯ・４７．５Ｆｅ
2 Ｏ3 とし，ここでｄ＝０，０．１，０．２，０．３，
０．４，０．５，１．０，２．０，３．０，４．０とな
るように，酸化鉄（α−Ｆｅ2 Ｏ3 ）と酸化ニッケル
（ＮｉＯ），酸化第２鉛（ＣｕＯ）及び酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ），三二酸化コバルト（Ｃｏ2 Ｏ3 ）を原料とし，ボ
ールミルにて２０時間湿式混合した。次に，これら原料
混合粉末を大気中８００℃で２時間仮焼した後，ボール
ミルにて３時間湿式粉砕し，成形用粉末とした。
【００１４】次に，これら成形用粉末にＰＶＡを１ｗｔ
％湿式混合した後，成形圧２トン／ｃｍ2 で直径２０ｍ
ｍ，高さ１０ｍｍになるように金型を使用し，圧縮成形
した。次にこれら成形体を，大気中，徐熱，炉冷にて，
１０００℃で４時間焼結した。
％湿式混合した後，成形圧２トン／ｃｍ2 で直径２０ｍ
ｍ，高さ１０ｍｍになるように金型を使用し，圧縮成形
した。次にこれら成形体を，大気中，徐熱，炉冷にて，
１０００℃で４時間焼結した。
【００１５】次に，この焼結体を加工し，直径１ｍｍ，
長さ３ｍｍの棒状フェライト磁芯を作製した。
長さ３ｍｍの棒状フェライト磁芯を作製した。
【００１６】次に，これらフェライト棒に直径３０μｍ
の絶縁被覆銅線を３０〜１５０回巻線した後，約１６０
℃でエポキシ樹脂を射出成形し，外径が１．５×１．５
×３．５ｍｍの直方体状のモールド型インダクタを作製
した。次に，これらインダクタの特性を，インピーダン
スアナライザーを使用して測定したところ，インダクタ
ンスは３０〜１００μＨの間にあった。これら素子にお
いて，Ｑが最大を示した値をＱmax とし，Ｑが極大を示
す周波数をｆＱp として，フェライトの組成との関係で
示すと，図１の様になる。図１で示す通りＱの著しい向
上はｄが０以上で認められ，ｄが３．５以上ではＱ向上
の効果は認められなくなる。したがって，０＜ｄ≦３．
５の範囲が有用となる。中でも０．０２≦ｄ≦３．００
の範囲でＱが著しく向上している。ちなみに，本発明の
実施例で示したインダクタは，約１〜９ＭＨｚの範囲の
周波数帯で有用となることが，ｆＱp の値で判断でき
る。
の絶縁被覆銅線を３０〜１５０回巻線した後，約１６０
℃でエポキシ樹脂を射出成形し，外径が１．５×１．５
×３．５ｍｍの直方体状のモールド型インダクタを作製
した。次に，これらインダクタの特性を，インピーダン
スアナライザーを使用して測定したところ，インダクタ
ンスは３０〜１００μＨの間にあった。これら素子にお
いて，Ｑが最大を示した値をＱmax とし，Ｑが極大を示
す周波数をｆＱp として，フェライトの組成との関係で
示すと，図１の様になる。図１で示す通りＱの著しい向
上はｄが０以上で認められ，ｄが３．５以上ではＱ向上
の効果は認められなくなる。したがって，０＜ｄ≦３．
５の範囲が有用となる。中でも０．０２≦ｄ≦３．００
の範囲でＱが著しく向上している。ちなみに，本発明の
実施例で示したインダクタは，約１〜９ＭＨｚの範囲の
周波数帯で有用となることが，ｆＱp の値で判断でき
る。
【００１７】尚，これらフェライト焼結体の直流電気抵
抗をブリッジを用いて測定したところ，２×１０8 Ω・
ｃｍ〜５×１０10Ω・ｃｍの範囲にあった。
抗をブリッジを用いて測定したところ，２×１０8 Ω・
ｃｍ〜５×１０10Ω・ｃｍの範囲にあった。
【００１８】また，これら焼結体の１００ｋＨｚにおけ
る透磁率の−２０℃〜８０℃における温度変化を測定し
たところ−０．４〜−０．１％／℃の範囲にあった。
る透磁率の−２０℃〜８０℃における温度変化を測定し
たところ−０．４〜−０．１％／℃の範囲にあった。
【００１９】また，これら焼結体をＸ線回折法により結
晶構造を解析したところ，スピネル型フェライトである
ことが確認できた。
晶構造を解析したところ，スピネル型フェライトである
ことが確認できた。
【００２０】尚，上記した本発明の実施例では，Ｎｉ
Ｏ，ＣｕＯ，α−Ｆｅ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，Ｃｏ2 Ｏ3 を原
料として使用したフェライト焼結体についてのみ述べて
いるが，必ずしもこれら酸化物に限定されるものでな
く，焼結体がスピネル型フェライトを構成するものであ
れば，本発明の範囲にあることは，当業者であれば容易
に理解できる。また，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏを
主成分として含有しているスピネル型フェライトであれ
ば，他の元素を含有していたとしても，本発明の範囲に
含まれる。また，粉末の予備焼成及び成形体の焼結を大
気中で行なっているが，焼結における生成物がスピネル
型フェライトであれば，成形用粉末の製法が，予備焼成
なし，共沈法，水熱合成法，噴霧焙焼法等を適用して
も，焼結雰囲気が大気中に比べ，酸化性であっても，還
元性であっても，本発明の範囲にある。更に，成形体の
成形法についても特に上記実施例に限定されるものでな
い。
Ｏ，ＣｕＯ，α−Ｆｅ2 Ｏ3 ，ＺｎＯ，Ｃｏ2 Ｏ3 を原
料として使用したフェライト焼結体についてのみ述べて
いるが，必ずしもこれら酸化物に限定されるものでな
く，焼結体がスピネル型フェライトを構成するものであ
れば，本発明の範囲にあることは，当業者であれば容易
に理解できる。また，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅ，Ｃｏを
主成分として含有しているスピネル型フェライトであれ
ば，他の元素を含有していたとしても，本発明の範囲に
含まれる。また，粉末の予備焼成及び成形体の焼結を大
気中で行なっているが，焼結における生成物がスピネル
型フェライトであれば，成形用粉末の製法が，予備焼成
なし，共沈法，水熱合成法，噴霧焙焼法等を適用して
も，焼結雰囲気が大気中に比べ，酸化性であっても，還
元性であっても，本発明の範囲にある。更に，成形体の
成形法についても特に上記実施例に限定されるものでな
い。
【００２１】
【発明の効果】以上，説明したように本発明において
は，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｆｅの酸化物を主成分と
して含有するスピネル型フェライト焼結体において，組
成比をａ（Ｎｉ(1-x) ・Ｃｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ｄＣｏ
Ｏ・ｃＦｅ2 Ｏ3 ，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００，０．１≦
ｘ≦０．８，０≦ｂ≦３５，３２．０≦ｃ≦４８．５，
０≦ｄ≦３．５とすることにより，インダクタのＱ向上
を実現できるフェライト磁芯材料を，工業的に有用に製
造できる。
は，Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｆｅの酸化物を主成分と
して含有するスピネル型フェライト焼結体において，組
成比をａ（Ｎｉ(1-x) ・Ｃｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ｄＣｏ
Ｏ・ｃＦｅ2 Ｏ3 ，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００，０．１≦
ｘ≦０．８，０≦ｂ≦３５，３２．０≦ｃ≦４８．５，
０≦ｄ≦３．５とすることにより，インダクタのＱ向上
を実現できるフェライト磁芯材料を，工業的に有用に製
造できる。
【図１】本発明の実施例におけるモールド型インダクタ
のＱの最大値Ｑmax と，Ｑが極大を示した周波数ｆＱp
と組成の関係を示す図である。
のＱの最大値Ｑmax と，Ｑが極大を示した周波数ｆＱp
と組成の関係を示す図である。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０１Ｆ 17/04 Ｆ 7319−5Ｅ
Claims (2)
- 【請求項１】 Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｃｏ，Ｆｅの酸化物
を主成分として含有するスピネル型フェライト焼結体に
おいて，一般式 ａ（Ｎｉ(1-x) ・Ｃｕx ）Ｏ・ｂＺｎＯ・ｄＣｏＯ・ｃＦｅ2 Ｏ3 ， 但し，ａ＋ｂ＋ｃ＋ｄ＝１００， ０．１≦ｘ≦０．
８，０≦ｂ≦３５，３２．０≦ｃ≦４８．５，０≦ｄ≦
３．５， で示される組成比を有することを特徴とする磁芯用酸化
物磁性材料。 - 【請求項２】 請求項１記載の酸化物磁性材料からなる
磁芯に，絶縁被覆導線を巻回して樹脂でモールドしたこ
とを特徴とするインダクタ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5178742A JPH0737711A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 酸化物磁性材料及びそれを用いたインダクタ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5178742A JPH0737711A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 酸化物磁性材料及びそれを用いたインダクタ |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0737711A true JPH0737711A (ja) | 1995-02-07 |
Family
ID=16053794
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5178742A Pending JPH0737711A (ja) | 1993-07-20 | 1993-07-20 | 酸化物磁性材料及びそれを用いたインダクタ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0737711A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071430A (en) * | 1996-04-05 | 2000-06-06 | Thomson-Csf | Low-loss ferrite working between 1 MHZ and 100 MHZ and method of manufacture |
| US6166422A (en) * | 1998-05-13 | 2000-12-26 | Lsi Logic Corporation | Inductor with cobalt/nickel core for integrated circuit structure with high inductance and high Q-factor |
| US6803130B1 (en) | 1999-10-27 | 2004-10-12 | Murata Manufacturing Co. Ltd. | Composite magnetic material and inductor element |
| WO2005104298A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-03 | Sony Corporation | アンテナモジュール用磁芯部材、アンテナモジュールおよびこれを備えた携帯情報端末 |
| US7399523B2 (en) | 2003-05-07 | 2008-07-15 | Meiji University Legal Person | Spinel ferrimagnetic particles and magnetic recording medium |
-
1993
- 1993-07-20 JP JP5178742A patent/JPH0737711A/ja active Pending
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6071430A (en) * | 1996-04-05 | 2000-06-06 | Thomson-Csf | Low-loss ferrite working between 1 MHZ and 100 MHZ and method of manufacture |
| US6166422A (en) * | 1998-05-13 | 2000-12-26 | Lsi Logic Corporation | Inductor with cobalt/nickel core for integrated circuit structure with high inductance and high Q-factor |
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| WO2005104298A1 (ja) * | 2004-04-27 | 2005-11-03 | Sony Corporation | アンテナモジュール用磁芯部材、アンテナモジュールおよびこれを備えた携帯情報端末 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20030122 |