JPH097814A - 酸化物磁性材料及びその製造方法 - Google Patents
酸化物磁性材料及びその製造方法Info
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- JPH097814A JPH097814A JP7173989A JP17398995A JPH097814A JP H097814 A JPH097814 A JP H097814A JP 7173989 A JP7173989 A JP 7173989A JP 17398995 A JP17398995 A JP 17398995A JP H097814 A JPH097814 A JP H097814A
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- H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
- H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
- H01F1/34—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials non-metallic substances, e.g. ferrites
- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 ３０ＭＨｚ以上で、磁気損失が小さく、低温
焼結が可能な酸化物磁性材料及びその製造方法を提供す
ること。 【構成】 Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅの酸化物を主成分と
するスピネル型フェライトであって、その組成比をａ
［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2Ｏ3（但し
ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、０.１≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦８、
２０≦ｃ≦４０）とし、更に、副成分として１.０ｗｔ
％以下（０を含まず）のＳｉＯ2、３.０ｗｔ％以下（０
を含まず）のＢｉ2Ｏ3を含有させる。
焼結が可能な酸化物磁性材料及びその製造方法を提供す
ること。 【構成】 Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅの酸化物を主成分と
するスピネル型フェライトであって、その組成比をａ
［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2Ｏ3（但し
ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、０.１≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦８、
２０≦ｃ≦４０）とし、更に、副成分として１.０ｗｔ
％以下（０を含まず）のＳｉＯ2、３.０ｗｔ％以下（０
を含まず）のＢｉ2Ｏ3を含有させる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、酸化物磁性材料に関
し、特に、高周波帯域で使用されるスピネル型フェライ
ト磁性材料に関するものである。
し、特に、高周波帯域で使用されるスピネル型フェライ
ト磁性材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、電子機器技術の進歩により電子機
器内で扱われる信号の周波数帯域が高周波側に広がり、
その帯域は１０ＭＨｚ〜数ＧＨｚにまで及んでいる。加
えて、近年の電子機器の小型化の要求に伴い、磁性材料
に対してＱ（損失係数ｔａｎδの逆数）の向上が要求さ
れている。
器内で扱われる信号の周波数帯域が高周波側に広がり、
その帯域は１０ＭＨｚ〜数ＧＨｚにまで及んでいる。加
えて、近年の電子機器の小型化の要求に伴い、磁性材料
に対してＱ（損失係数ｔａｎδの逆数）の向上が要求さ
れている。
【０００３】従来、この様な高周波帯域で使用されるイ
ンダクタンス素子用の軟磁性材料には、金属材料に比べ
比抵抗が高く、高周波帯域でも使用可能なＭｎ−Ｚｎ系
フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｚｎ系フ
ェライトで代表されるようなスピネル型フェライト焼結
体が使用されてきた。
ンダクタンス素子用の軟磁性材料には、金属材料に比べ
比抵抗が高く、高周波帯域でも使用可能なＭｎ−Ｚｎ系
フェライト、Ｎｉ−Ｚｎ系フェライト、Ｍｇ−Ｚｎ系フ
ェライトで代表されるようなスピネル型フェライト焼結
体が使用されてきた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】このような高周波帯域
で使用される磁性材料として、昭５５−１３６１７２に
開示されているものがある。しかしながら、ここで示さ
れている組成範囲の材料は、透磁率（μ）が高く、通
常、１０ＭＨｚ以下の周波数に適応したものであり、そ
れ以上の周波数帯域においては損失が極めて大きく、１
０ＭＨｚ以上で用いる高周波用磁性材料として使用が不
可能であるという欠点を有していた。
で使用される磁性材料として、昭５５−１３６１７２に
開示されているものがある。しかしながら、ここで示さ
れている組成範囲の材料は、透磁率（μ）が高く、通
常、１０ＭＨｚ以下の周波数に適応したものであり、そ
れ以上の周波数帯域においては損失が極めて大きく、１
０ＭＨｚ以上で用いる高周波用磁性材料として使用が不
可能であるという欠点を有していた。
【０００５】ところで、このような酸化物磁性材料は、
酸化鉄、酸化ニッケル、酸化第二銅、酸化亜鉛に所定の
添加物を加え、ボールミル等で混合し、仮焼し、この仮
焼粉末を粉砕し、造粒し、９５０℃程度で焼結して得ら
れる。
酸化鉄、酸化ニッケル、酸化第二銅、酸化亜鉛に所定の
添加物を加え、ボールミル等で混合し、仮焼し、この仮
焼粉末を粉砕し、造粒し、９５０℃程度で焼結して得ら
れる。
【０００６】しかし、焼結温度が９５０℃と高いため、
製造コストが高いという問題があった。
製造コストが高いという問題があった。
【０００７】そこで、本発明の課題は、低温焼結可能で
３０ＭＨｚ以上の高周波帯域で磁気損失が小さい高周波
用酸化物磁性材料を提供することにある。
３０ＭＨｚ以上の高周波帯域で磁気損失が小さい高周波
用酸化物磁性材料を提供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明者は、種々検討を
重ねた結果、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅの酸化物を主成分
として含有するスピネル型フェライト焼結体において、
主成分の組成がｍｏｌ比で、ａ［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ
・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2Ｏ3（但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、
０.１≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦８、２０≦ｃ≦４０）で表
され、更に、副成分として、１.０ｗｔ％以下（０含ま
ず）のＳｉＯ2、３.０ｗｔ％以下（０含まず）のＢｉ2
Ｏ3を含有させることにより、３０ＭＨｚ以上の周波数
帯域に適用可能なスピネル型フェライト材料を工業的に
有用に製造できることを見い出した。
重ねた結果、Ｎｉ，Ｃｕ，Ｚｎ，Ｆｅの酸化物を主成分
として含有するスピネル型フェライト焼結体において、
主成分の組成がｍｏｌ比で、ａ［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ
・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2Ｏ3（但し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、
０.１≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦８、２０≦ｃ≦４０）で表
され、更に、副成分として、１.０ｗｔ％以下（０含ま
ず）のＳｉＯ2、３.０ｗｔ％以下（０含まず）のＢｉ2
Ｏ3を含有させることにより、３０ＭＨｚ以上の周波数
帯域に適用可能なスピネル型フェライト材料を工業的に
有用に製造できることを見い出した。
【０００９】即ち、本発明は、主成分の組成比がａ［Ｎ
ｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2Ｏ3（但しａ＋
ｂ＋ｃ＝１００、０.１≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦８、２０
≦ｃ≦４０）で表され、更に、副成分として１.０ｗｔ
％以下（０含まず）のＳｉＯ2、３.０ｗｔ％以下（０含
まず）のＢｉ2Ｏ3を含有することを特徴とする酸化物磁
性材料である。
ｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2Ｏ3（但しａ＋
ｂ＋ｃ＝１００、０.１≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦８、２０
≦ｃ≦４０）で表され、更に、副成分として１.０ｗｔ
％以下（０含まず）のＳｉＯ2、３.０ｗｔ％以下（０含
まず）のＢｉ2Ｏ3を含有することを特徴とする酸化物磁
性材料である。
【００１０】又、本発明は、主成分の組成がａ［Ｎｉ
(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2Ｏ3（但しａ＋ｂ
＋ｃ＝１００、０.１≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦８、２０≦
ｃ≦４０）で表され、副成分として、１.０ｗｔ％以下
（０を含まず）のＳｉＯ2、３.０ｗｔ％以下（０を含ま
ず）のＢｉ2Ｏ3を含有する焼結体からなる酸化物磁性材
料の製造方法において、所定重量の酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）
、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化第二銅（ＣｕＯ）、
及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）の原料に、所定重量の二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ2）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を添加
し、これらを混合し、仮焼し、解砕、成形した後、８４
０℃以上９５０℃未満で焼結することを特徴とする酸化
物磁性材料の製造方法である。
(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2Ｏ3（但しａ＋ｂ
＋ｃ＝１００、０.１≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦８、２０≦
ｃ≦４０）で表され、副成分として、１.０ｗｔ％以下
（０を含まず）のＳｉＯ2、３.０ｗｔ％以下（０を含ま
ず）のＢｉ2Ｏ3を含有する焼結体からなる酸化物磁性材
料の製造方法において、所定重量の酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3）
、酸化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化第二銅（ＣｕＯ）、
及び酸化亜鉛（ＺｎＯ）の原料に、所定重量の二酸化ケ
イ素（ＳｉＯ2）、酸化ビスマス（Ｂｉ2Ｏ3）を添加
し、これらを混合し、仮焼し、解砕、成形した後、８４
０℃以上９５０℃未満で焼結することを特徴とする酸化
物磁性材料の製造方法である。
【００１１】本発明の酸化物磁性材料の主成分組成をａ
［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2Ｏ3（但
し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、０.１≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦
８、２０≦ｃ≦３０）とした理由は、以下に示す通りで
ある。
［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2Ｏ3（但
し、ａ＋ｂ＋ｃ＝１００、０.１≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦
８、２０≦ｃ≦３０）とした理由は、以下に示す通りで
ある。
【００１２】ｘがこの範囲外では、μの温度特性が著し
く劣化し、磁性材料としての信頼性が悪くなるからであ
る。
く劣化し、磁性材料としての信頼性が悪くなるからであ
る。
【００１３】ｂ，ｃがこの範囲外では、μが適当な値を
得られず、目的とする周波数帯域（３０ＭＨｚ以上）で
有用なものでなくなるからである。
得られず、目的とする周波数帯域（３０ＭＨｚ以上）で
有用なものでなくなるからである。
【００１４】又、主成分に対して、１.０ｗｔ％以下
（０含まず）のＳｉＯ2、３.０ｗｔ％以下（０含まず）
のＢｉ2Ｏ3を含むこととしたのは、ＳｉＯ2，及びＢｉ2
Ｏ3のどちらかが０でも、特性向上と低温焼結化に対し
て、あまり効果が得られず、又、ＳｉＯ2，Ｂｉ2Ｏ3を
標記範囲を越えて添加しても、それ以上の改善はみられ
なくなるからである。
（０含まず）のＳｉＯ2、３.０ｗｔ％以下（０含まず）
のＢｉ2Ｏ3を含むこととしたのは、ＳｉＯ2，及びＢｉ2
Ｏ3のどちらかが０でも、特性向上と低温焼結化に対し
て、あまり効果が得られず、又、ＳｉＯ2，Ｂｉ2Ｏ3を
標記範囲を越えて添加しても、それ以上の改善はみられ
なくなるからである。
【００１５】又、焼結温度を８４０℃以上９５０℃未満
としたのは、８４０℃未満であると、焼結密度が上がら
ず、所定の磁気特性が得られないからである。
としたのは、８４０℃未満であると、焼結密度が上がら
ず、所定の磁気特性が得られないからである。
【００１６】
【作用】主成分に対して、ＳｉＯ2，Ｂｉ2Ｏ3の両副成
分を含有させることにより、材料の焼結性が向上し、低
温焼結でも充分に密度飽和に到達することが可能となる
ため、結晶粒成長を抑制することができ、渦電流損失や
残留損失を低減させることができると考えられ、高い周
波数帯域においても、インダクタンス素子として使用し
た時のＱを向上させることが可能となる。
分を含有させることにより、材料の焼結性が向上し、低
温焼結でも充分に密度飽和に到達することが可能となる
ため、結晶粒成長を抑制することができ、渦電流損失や
残留損失を低減させることができると考えられ、高い周
波数帯域においても、インダクタンス素子として使用し
た時のＱを向上させることが可能となる。
【００１７】
【実施例】以下、本発明の実施例について説明する。
【００１８】（実施例１）酸化鉄（α−Ｆｅ2Ｏ3）、酸
化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化第二銅（ＣｕＯ）、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）を出発原料として、主成分の化学組成比が
６０［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・５ＺｎＯ・３５Ｆｅ2Ｏ
3（但し、ｘ＝０，０.１，０.２，０.３，０.４，０.
５，０.６，０.７，０.８，０.９）となるように調整
し、更に、副成分として、主成分に対して０.５ｗｔ％
のＳｉＯ2と、２.０ｗｔ％のＢｉ2Ｏ3を添加し、ボール
ミルにて２０時間湿式混合した。ここで、原料粉末は、
平均粒度が全て０.５μｍ以下のものを使用した。
化ニッケル（ＮｉＯ）、酸化第二銅（ＣｕＯ）、酸化亜
鉛（ＺｎＯ）を出発原料として、主成分の化学組成比が
６０［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］Ｏ・５ＺｎＯ・３５Ｆｅ2Ｏ
3（但し、ｘ＝０，０.１，０.２，０.３，０.４，０.
５，０.６，０.７，０.８，０.９）となるように調整
し、更に、副成分として、主成分に対して０.５ｗｔ％
のＳｉＯ2と、２.０ｗｔ％のＢｉ2Ｏ3を添加し、ボール
ミルにて２０時間湿式混合した。ここで、原料粉末は、
平均粒度が全て０.５μｍ以下のものを使用した。
【００１９】次に、これらの原料混合粉末を大気中８０
０℃で２時間仮焼した後、ボールミルにて３時間湿式粉
砕し、成形用粉末とした。
０℃で２時間仮焼した後、ボールミルにて３時間湿式粉
砕し、成形用粉末とした。
【００２０】次に、これらの成形用粉末を外径１０ｍ
ｍ、内径２ｍｍの金型を用いて、高さ１０ｍｍの成形体
となるように圧縮成形した。更に、これらの成形体を大
気中、徐熱、炉冷にて、８５０℃で４時間保持して焼結
した。これら焼結体は、外径約８.５ｍｍ、内径約１.７
ｍｍ、高さ約７.５ｍｍであった。
ｍ、内径２ｍｍの金型を用いて、高さ１０ｍｍの成形体
となるように圧縮成形した。更に、これらの成形体を大
気中、徐熱、炉冷にて、８５０℃で４時間保持して焼結
した。これら焼結体は、外径約８.５ｍｍ、内径約１.７
ｍｍ、高さ約７.５ｍｍであった。
【００２１】次に、これらの焼結体の３０ＭＨｚにおけ
るμと、μの温度変化率（△μT）を測定した。なお、
△μTは、２０℃におけるμ値を基準とした場合の０℃
〜８０℃におけるμの変化率を表し、△μT＝（μ80−
μ0）／（μ20×８０）×１００（％／℃）より求め
た。ここで、μ0，μ20，μ80は、それぞれ０℃，２０
℃，８０℃におけるμの値を表す。その結果を図１に示
す。
るμと、μの温度変化率（△μT）を測定した。なお、
△μTは、２０℃におけるμ値を基準とした場合の０℃
〜８０℃におけるμの変化率を表し、△μT＝（μ80−
μ0）／（μ20×８０）×１００（％／℃）より求め
た。ここで、μ0，μ20，μ80は、それぞれ０℃，２０
℃，８０℃におけるμの値を表す。その結果を図１に示
す。
【００２２】図１に示すように、ｘ＝０.１〜０.８の範
囲を越えると、△μTが著しく大きくなることがわか
る。従って、コイルとして用いた時の安定性が低下す
る。
囲を越えると、△μTが著しく大きくなることがわか
る。従って、コイルとして用いた時の安定性が低下す
る。
【００２３】（実施例２）実施例１と同様にして、主成
分の化学組成比がａ（Ｎｉ0.7・Ｃｕ0.3）Ｏ・ｂＺｎＯ・
２５Ｆｅ2Ｏ3（但し、ａ＋ｂ＝７５，ｂ＝０，１，２，
３，４，５，６，７，８，９，１０）、更に、副成分が
０.５ｗｔ％ＳｉＯ2、２ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3となるように、
成形用粉末を作製し、成形体を得た。次に、これらの成
形体を大気中、徐熱・炉冷にて、８５０℃で４時間保持
して焼結した。
分の化学組成比がａ（Ｎｉ0.7・Ｃｕ0.3）Ｏ・ｂＺｎＯ・
２５Ｆｅ2Ｏ3（但し、ａ＋ｂ＝７５，ｂ＝０，１，２，
３，４，５，６，７，８，９，１０）、更に、副成分が
０.５ｗｔ％ＳｉＯ2、２ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3となるように、
成形用粉末を作製し、成形体を得た。次に、これらの成
形体を大気中、徐熱・炉冷にて、８５０℃で４時間保持
して焼結した。
【００２４】次に、これら焼結体に巻数１０ターンの巻
線をし、焼結体の３０ＭＨｚにおけるμ、及び巻線した
コイルのＱが最大となる周波数（ｆＱmax）を測定し
た。その結果を図２に示す。
線をし、焼結体の３０ＭＨｚにおけるμ、及び巻線した
コイルのＱが最大となる周波数（ｆＱmax）を測定し
た。その結果を図２に示す。
【００２５】図２に示すように、ｂの増加に伴って、材
料のμが向上するに従い、ｆＱmaxが低周波側に変移し
ていくことがわかる。ｂ＝８を越えると、ｆＱmaxが３
０ＭＨｚを下回ることがわかる。
料のμが向上するに従い、ｆＱmaxが低周波側に変移し
ていくことがわかる。ｂ＝８を越えると、ｆＱmaxが３
０ＭＨｚを下回ることがわかる。
【００２６】（実施例３）実施例１と同様にして、主成
分の化学組成比がａ（Ｎｉ0.7・Ｃｕ0.3）Ｏ・５ＺｎＯ・
ｃＦｅ2Ｏ3（但し、ａ＋ｃ＝９５，ｃ＝１９，２０，２
１，２２，２４，２６，２８，３０，３４，３６，４
０，４１，４２）、更に、副成分が０.５ｗｔ％Ｓｉ
Ｏ2、２ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3となるように、成形用粉末を作
製し、成形体を得た。次に、これらの成形体を大気中、
徐熱・炉冷にて８５０℃で４時間保持して焼結した。
分の化学組成比がａ（Ｎｉ0.7・Ｃｕ0.3）Ｏ・５ＺｎＯ・
ｃＦｅ2Ｏ3（但し、ａ＋ｃ＝９５，ｃ＝１９，２０，２
１，２２，２４，２６，２８，３０，３４，３６，４
０，４１，４２）、更に、副成分が０.５ｗｔ％Ｓｉ
Ｏ2、２ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3となるように、成形用粉末を作
製し、成形体を得た。次に、これらの成形体を大気中、
徐熱・炉冷にて８５０℃で４時間保持して焼結した。
【００２７】次に、これら焼結体に巻数１０ターンの巻
線をし、焼結体の３０ＭＨｚにおけるμ、及び巻線した
コイルのｆＱmaxを測定した。その結果を図３に示す。
線をし、焼結体の３０ＭＨｚにおけるμ、及び巻線した
コイルのｆＱmaxを測定した。その結果を図３に示す。
【００２８】図３に示すように、ｃの増加に伴って、材
料のμが向上するに従い、ｆＱmaxが低周波側に変移し
ていくことがわかる。ｃ＝４０越えると、ｆＱmaxが３
０ＭＨｚを下回ることがわかる。
料のμが向上するに従い、ｆＱmaxが低周波側に変移し
ていくことがわかる。ｃ＝４０越えると、ｆＱmaxが３
０ＭＨｚを下回ることがわかる。
【００２９】又、ｃ＝２０を下回る範囲では、材料のμ
が５未満となり、コイル等に使用した時のインダクタン
スを充分に得ることが困難となる。
が５未満となり、コイル等に使用した時のインダクタン
スを充分に得ることが困難となる。
【００３０】（実施例４）実施例１と同様にして、主成
分の化学組成比が、７０（Ｎｉ0.7・Ｃｕ0.3）Ｏ・５Ｚｎ
Ｏ・２５Ｆｅ2Ｏ3である主成分に対し、０，０.１，０.
３，０.５，１，２ｗｔ％のＳｉＯ2、０，０.１，０.
３，０.５，１，２，３，４ｗｔ％のＢｉ2Ｏ3を、それ
ぞれ単独で含有する成形用粉末、０.５ｗｔ％ＳｉＯ2、
２ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3を同時に含有する成形用粉末、１ｗｔ
％ＳｉＯ2、３ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3を同時に含有する成形用
粉末、及び添加物を含有しない成形用粉末を作製し、成
形体を得た。
分の化学組成比が、７０（Ｎｉ0.7・Ｃｕ0.3）Ｏ・５Ｚｎ
Ｏ・２５Ｆｅ2Ｏ3である主成分に対し、０，０.１，０.
３，０.５，１，２ｗｔ％のＳｉＯ2、０，０.１，０.
３，０.５，１，２，３，４ｗｔ％のＢｉ2Ｏ3を、それ
ぞれ単独で含有する成形用粉末、０.５ｗｔ％ＳｉＯ2、
２ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3を同時に含有する成形用粉末、１ｗｔ
％ＳｉＯ2、３ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3を同時に含有する成形用
粉末、及び添加物を含有しない成形用粉末を作製し、成
形体を得た。
【００３１】次に、これらの成形体を８００℃〜９５０
℃の範囲で４時間焼結した後、焼結体の密度、焼結体の
周波数３０ＭＨｚでのμ、及びこの焼結体を用いた時の
コイルのＱmaxを測定した。
℃の範囲で４時間焼結した後、焼結体の密度、焼結体の
周波数３０ＭＨｚでのμ、及びこの焼結体を用いた時の
コイルのＱmaxを測定した。
【００３２】図４に、主成分の組成比が７０（Ｎｉ0.7・
Ｃｕ0.3）Ｏ・５ＺｎＯ・２５Ｆｅ2Ｏ3で表される主原料
に、ＳｉＯ2、及びＢｉ2Ｏ3を、それぞれ単独で添加し
た場合の添加量と焼結密度飽和到達温度の関係を示し
た。図４（曲線１，２参照）より、ＳｉＯ2，Ｂｉ2Ｏ3
を、それぞれ単独で添加した場合の密度飽和到達温度
は、１ｗｔ％ＳｉＯ2，３ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3で、それぞれ
約８８０℃付近まで低下するが、それ以上添加しても、
密度飽和到達温度に著しい変化は表れなくなる。
Ｃｕ0.3）Ｏ・５ＺｎＯ・２５Ｆｅ2Ｏ3で表される主原料
に、ＳｉＯ2、及びＢｉ2Ｏ3を、それぞれ単独で添加し
た場合の添加量と焼結密度飽和到達温度の関係を示し
た。図４（曲線１，２参照）より、ＳｉＯ2，Ｂｉ2Ｏ3
を、それぞれ単独で添加した場合の密度飽和到達温度
は、１ｗｔ％ＳｉＯ2，３ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3で、それぞれ
約８８０℃付近まで低下するが、それ以上添加しても、
密度飽和到達温度に著しい変化は表れなくなる。
【００３３】又、表１に、１ｗｔ％ＳｉＯ2，３ｗｔ％
Ｂｉ2Ｏ3，０.５ｗｔ％ＳｉＯ2＋２ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3、及
び１ｗｔ％ＳｉＯ2＋３ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3を添加した成形
体、及びＳｉＯ2，Ｂｉ2Ｏ3を添加しない成形体の密度
飽和到達温度、μ、Ｑmaxを示した。
Ｂｉ2Ｏ3，０.５ｗｔ％ＳｉＯ2＋２ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3、及
び１ｗｔ％ＳｉＯ2＋３ｗｔ％Ｂｉ2Ｏ3を添加した成形
体、及びＳｉＯ2，Ｂｉ2Ｏ3を添加しない成形体の密度
飽和到達温度、μ、Ｑmaxを示した。
【００３４】
【００３５】表１から明かに、ＳｉＯ2，Ｂｉ2Ｏ3を同
時に含有することにより、焼結体の密度飽和温度を著し
く低下させることができ、コイルのＱを向上させること
が可能となることがわかる。
時に含有することにより、焼結体の密度飽和温度を著し
く低下させることができ、コイルのＱを向上させること
が可能となることがわかる。
【００３６】なお、本実施例では、ＮｉＯ，ＣｕＯ，Ｚ
ｎＯ，α−Ｆｅ2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ｂｉ2Ｏ3を原料として
使用した酸化物磁性材料のみについて述べているが、必
ずしも、原料として用いるものは、これら酸化物に限定
されるものではなく、最終組成が本発明に一致し、焼結
体がスピネル型フェライトを形成するものであれば、他
の原料を用いたものも本発明の範囲にある。
ｎＯ，α−Ｆｅ2Ｏ3，ＳｉＯ2，Ｂｉ2Ｏ3を原料として
使用した酸化物磁性材料のみについて述べているが、必
ずしも、原料として用いるものは、これら酸化物に限定
されるものではなく、最終組成が本発明に一致し、焼結
体がスピネル型フェライトを形成するものであれば、他
の原料を用いたものも本発明の範囲にある。
【００３７】又、粉末の予備焼成、及び成形体の焼結を
大気中で行っているが、焼結における生成物がスピネル
型フェライトであれば、成形用粉末の製法が、予備焼成
なし、共沈法、水熱合成法、噴霧焙焼法を適用しても、
焼成雰囲気が、大気中に比べて酸化性であっても、還元
性であっても、本発明の範囲にある。
大気中で行っているが、焼結における生成物がスピネル
型フェライトであれば、成形用粉末の製法が、予備焼成
なし、共沈法、水熱合成法、噴霧焙焼法を適用しても、
焼成雰囲気が、大気中に比べて酸化性であっても、還元
性であっても、本発明の範囲にある。
【００３８】
【発明の効果】以上、述べたように、本発明によれば、
３０ＭＨｚ以上で、磁気損失が小さく、低温焼結が可能
な酸化物磁性材料及びその製造方法を提供できた。
３０ＭＨｚ以上で、磁気損失が小さく、低温焼結が可能
な酸化物磁性材料及びその製造方法を提供できた。
【図面の簡単な説明】
【図１】実施例１におけるＣｕの組成値ｘに対する本発
明の酸化物磁性材料を用いたコイルの３０ＭＨｚ前後に
おけるμ、および△μTの関係を示す図。図１（ａ）は
ｘとμの関係を示す図。図１（ｂ）はｘと△μTの関係
を示す図。
明の酸化物磁性材料を用いたコイルの３０ＭＨｚ前後に
おけるμ、および△μTの関係を示す図。図１（ａ）は
ｘとμの関係を示す図。図１（ｂ）はｘと△μTの関係
を示す図。
【図２】実施例２におけるＺｎＯの組成値ｂに対する本
発明の酸化物磁性材料を用いたコイルの３０ＭＨｚ前後
におけるμ、及び１０ターンの巻線を施したコイルのＱ
maxとなる周波数ｆＱmaxの関係を示す図。図２（ａ）は
ｂとμの関係を示す図。図２（ｂ）はｂとｆＱmaxの関
係を示す図。
発明の酸化物磁性材料を用いたコイルの３０ＭＨｚ前後
におけるμ、及び１０ターンの巻線を施したコイルのＱ
maxとなる周波数ｆＱmaxの関係を示す図。図２（ａ）は
ｂとμの関係を示す図。図２（ｂ）はｂとｆＱmaxの関
係を示す図。
【図３】実施例３におけるＦｅ2Ｏ3の組成値ｃに対する
本発明の酸化物磁性材料を用いたコイルの３０ＭＨｚ前
後におけるμ、及び１０ターンの巻線を施したコイルの
Ｑmaxとなる周波数ｆＱmaxの関係を示す図。図３（ａ）
はｃとμの関係を示す図。図３（ｂ）はｃとｆＱmaxの
関係を示す図。
本発明の酸化物磁性材料を用いたコイルの３０ＭＨｚ前
後におけるμ、及び１０ターンの巻線を施したコイルの
Ｑmaxとなる周波数ｆＱmaxの関係を示す図。図３（ａ）
はｃとμの関係を示す図。図３（ｂ）はｃとｆＱmaxの
関係を示す図。
【図４】実施例４におけるＳｉＯ2、及びＢｉ2Ｏ3添加
量と焼結体の密度飽和到達温度の関係を示す図。
量と焼結体の密度飽和到達温度の関係を示す図。
１ ＳｉＯ2の添加量を変えた場合 ２ Ｂｉ2Ｏ3の添加量を変えた場合
Claims (2)
- 【請求項１】 主成分の組成比がａ［Ｎｉ(1-x)・Ｃ
ｕx］Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2Ｏ3（但しａ＋ｂ＋ｃ＝１
００、０.１≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦８、２０≦ｃ≦４
０）で表され、更に、副成分として１.０ｗｔ％以下
（０含まず）のＳｉＯ2、３.０ｗｔ％以下（０含まず）
のＢｉ2Ｏ3を含有することを特徴とする酸化物磁性材
料。 - 【請求項２】 主成分の組成がａ［Ｎｉ(1-x)・Ｃｕx］
Ｏ・ｂＺｎＯ・ｃＦｅ2Ｏ3（但しａ＋ｂ＋ｃ＝１００、
０.１≦ｘ≦０.８、０≦ｂ≦８、２０≦ｃ≦４０）で表
され、副成分として、１.０ｗｔ％以下（０を含まず）
のＳｉＯ2、３.０ｗｔ％以下（０を含まず）のＢｉ2Ｏ3
を含有する焼結体からなる酸化物磁性材料の製造方法に
おいて、所定重量の酸化鉄（Ｆｅ2Ｏ3） 、酸化ニッケ
ル（ＮｉＯ）、酸化第二銅（ＣｕＯ）、及び酸化亜鉛
（ＺｎＯ）の原料に二酸化ケイ素（ＳｉＯ2）、酸化ビ
スマス（Ｂｉ2Ｏ3）を添加し、これらを混合し、仮焼
し、成形した後、大気中にて８４０℃以上９５０℃未満
で焼結することを特徴とする酸化物磁性材料の製造方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173989A JPH097814A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 酸化物磁性材料及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7173989A JPH097814A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 酸化物磁性材料及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH097814A true JPH097814A (ja) | 1997-01-10 |
Family
ID=15970717
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7173989A Pending JPH097814A (ja) | 1995-06-16 | 1995-06-16 | 酸化物磁性材料及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH097814A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100628585B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2006-09-27 | 티디케이가부시기가이샤 | 자성물질, 이 자성물질을 이용한 인덕턴스소자 및이것들의 제조방법 |
| JP2010215453A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Fdk Corp | ＮｉＣｕＺｎフェライト |
| JP2010215454A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Fdk Corp | ＮｉＣｕＺｎフェライト |
-
1995
- 1995-06-16 JP JP7173989A patent/JPH097814A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100628585B1 (ko) * | 1998-12-28 | 2006-09-27 | 티디케이가부시기가이샤 | 자성물질, 이 자성물질을 이용한 인덕턴스소자 및이것들의 제조방법 |
| JP2010215453A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Fdk Corp | ＮｉＣｕＺｎフェライト |
| JP2010215454A (ja) * | 2009-03-17 | 2010-09-30 | Fdk Corp | ＮｉＣｕＺｎフェライト |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040408 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20040420 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20040824 |