JPH1187126A - フェライトおよびインダクタ - Google Patents
フェライトおよびインダクタInfo
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- JPH1187126A JPH1187126A JP10166110A JP16611098A JPH1187126A JP H1187126 A JPH1187126 A JP H1187126A JP 10166110 A JP10166110 A JP 10166110A JP 16611098 A JP16611098 A JP 16611098A JP H1187126 A JPH1187126 A JP H1187126A
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 初透磁率が高く、抗応力特性および温度特性
に優れ、しかも、鉛を使用する必要がなく、かつ、安価
なフェライトを提供する。また、このフェライトを用い
ることにより、樹脂モールド型インダクタにおいて、環
境汚染を引き起こすことなく、狭公差および高信頼性を
実現する。 【解決手段】 少なくとも酸化鉄および酸化ニッケルを
含む主成分と、酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リ
ンおよび酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加
物と、酸化シリコンからなる第１副成分と、酸化マグネ
シウム、酸化カルシウム、酸化バリウムおよび酸化スト
ロンチウムの１種または２種以上からなる第２副成分と
を含有するフェライトと、このフェライトを用いた樹脂
モールド型インダクタ。主成分に対する比率は、添加物
が０．５〜１５wt％、第１副成分および第２副成分がそ
れぞれ０．１〜１０．０wt％である。
に優れ、しかも、鉛を使用する必要がなく、かつ、安価
なフェライトを提供する。また、このフェライトを用い
ることにより、樹脂モールド型インダクタにおいて、環
境汚染を引き起こすことなく、狭公差および高信頼性を
実現する。 【解決手段】 少なくとも酸化鉄および酸化ニッケルを
含む主成分と、酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リ
ンおよび酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加
物と、酸化シリコンからなる第１副成分と、酸化マグネ
シウム、酸化カルシウム、酸化バリウムおよび酸化スト
ロンチウムの１種または２種以上からなる第２副成分と
を含有するフェライトと、このフェライトを用いた樹脂
モールド型インダクタ。主成分に対する比率は、添加物
が０．５〜１５wt％、第１副成分および第２副成分がそ
れぞれ０．１〜１０．０wt％である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、インダクタンス素
子のコア材として使用され、特に樹脂モールドタイプの
チップインダクタのコア材として使用されるフェライト
と、このフェライトを用いたインダクタとに関する。
子のコア材として使用され、特に樹脂モールドタイプの
チップインダクタのコア材として使用されるフェライト
と、このフェライトを用いたインダクタとに関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、テレビ、ビデオレコーダ、移動体
通信機等の分野で、急速に需要が拡大しつつある樹脂モ
ールドタイプのチップインダクタ、固定コイル等の分野
において、小型、軽量、高精度等の要求に応じるべく、
これらの部品に対する狭公差化・高信頼性化への要求が
大きくなっている。これらの部品におけるコア材料に
は、一般にフェライトが用いられているが、樹脂モール
ドタイプのインダクタ部品では、樹脂モールドによって
コアに圧縮応力が生じ、一方、フェライトは圧縮応力の
値に応じてインダクタンス値が変化するため、樹脂モー
ルドタイプではインダクタンス公差の小さい高品質の部
品を得ることが困難である。このため、外力が加わった
場合のインダクタンス変化の小さい、すなわち抗応力特
性の良好なフェライトが望まれている。また、インダク
タ部品を利用する機器の信頼性を高くするためには、イ
ンダクタ部品自体の信頼性を高めること、具体的には、
インダクタ部品に用いるフェライトの温度特性を小さく
することが重要である。
通信機等の分野で、急速に需要が拡大しつつある樹脂モ
ールドタイプのチップインダクタ、固定コイル等の分野
において、小型、軽量、高精度等の要求に応じるべく、
これらの部品に対する狭公差化・高信頼性化への要求が
大きくなっている。これらの部品におけるコア材料に
は、一般にフェライトが用いられているが、樹脂モール
ドタイプのインダクタ部品では、樹脂モールドによって
コアに圧縮応力が生じ、一方、フェライトは圧縮応力の
値に応じてインダクタンス値が変化するため、樹脂モー
ルドタイプではインダクタンス公差の小さい高品質の部
品を得ることが困難である。このため、外力が加わった
場合のインダクタンス変化の小さい、すなわち抗応力特
性の良好なフェライトが望まれている。また、インダク
タ部品を利用する機器の信頼性を高くするためには、イ
ンダクタ部品自体の信頼性を高めること、具体的には、
インダクタ部品に用いるフェライトの温度特性を小さく
することが重要である。
【０００３】このような要求に応じるべく、例えば、特
開平１−１７９４０２号公報には、ニッケルを必須成分
として含有する酸化物フェライト材料に、Ｂｉ2Ｏ3、Ｖ
2Ｏ5の少なくとも１種を１．５〜５wt％含有させること
により、外部応力に変動があっても、インダクタンス変
化の小さいインダクタ用磁心が記載されている。しか
し、この組成のものでは十分な温度特性が得られず、外
部温度の変化に対してインダクタンスが変動してしま
う。
開平１−１７９４０２号公報には、ニッケルを必須成分
として含有する酸化物フェライト材料に、Ｂｉ2Ｏ3、Ｖ
2Ｏ5の少なくとも１種を１．５〜５wt％含有させること
により、外部応力に変動があっても、インダクタンス変
化の小さいインダクタ用磁心が記載されている。しか
し、この組成のものでは十分な温度特性が得られず、外
部温度の変化に対してインダクタンスが変動してしま
う。
【０００４】また、特開平４−２７８５０２号公報に
は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトにＰｂＯ：３．１〜
３０wt％およびタルク：３．１〜３０wt％を含有させる
ことにより、機械的強度を向上させた酸化物磁性材料が
記載されている。しかし、この組成のものは、毒性の強
い鉛を含有するため環境汚染が問題となる。特に、製品
として市場に流通した後では鉛の回収も困難となり、広
範囲に環境を汚染するおそれがある。
は、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトにＰｂＯ：３．１〜
３０wt％およびタルク：３．１〜３０wt％を含有させる
ことにより、機械的強度を向上させた酸化物磁性材料が
記載されている。しかし、この組成のものは、毒性の強
い鉛を含有するため環境汚染が問題となる。特に、製品
として市場に流通した後では鉛の回収も困難となり、広
範囲に環境を汚染するおそれがある。
【０００５】特開平３−９１２０９号公報には、２５〜
４５mol％のＦｅ2Ｏ3、０〜２０mol％のＺｎＯ、残りが
ＮｉＯとＣｕＯであり、ＮｉＯのモル比がＣｕＯのモル
比よりも多いスピネル型組成物であって、少量成分とし
て０．１〜５wt％のＢｉ2Ｏ3、および０．０５〜４．０
wt％のＳｉＯ2を含むフェライト組成物が記載されてい
る。ただし、実施例で示されている組成はＦｅ2Ｏ3：３
８．２mol％、ＮｉＯ：５０．３mol％、ＺｎＯ：８．４
mol％、ＣｕＯ：３．１mol％の基本組成に、Ｂｉ2Ｏ3：
３wt％、ＳｉＯ2：０．８wt％を添加した組成のものだ
けである。また、同公報の実施例では、加圧によるイン
ダクタンスの変化を測定し、その変化率を求めている
が、この変化率は所定の圧力を印加したときの変化率で
はなく、樹脂モールド前後のインダクタンスから算出し
た値である。したがって、例えば１t/cm2の加圧下でイ
ンダクタンス変化率が±５％ 以内となるかは疑問であ
る。
４５mol％のＦｅ2Ｏ3、０〜２０mol％のＺｎＯ、残りが
ＮｉＯとＣｕＯであり、ＮｉＯのモル比がＣｕＯのモル
比よりも多いスピネル型組成物であって、少量成分とし
て０．１〜５wt％のＢｉ2Ｏ3、および０．０５〜４．０
wt％のＳｉＯ2を含むフェライト組成物が記載されてい
る。ただし、実施例で示されている組成はＦｅ2Ｏ3：３
８．２mol％、ＮｉＯ：５０．３mol％、ＺｎＯ：８．４
mol％、ＣｕＯ：３．１mol％の基本組成に、Ｂｉ2Ｏ3：
３wt％、ＳｉＯ2：０．８wt％を添加した組成のものだ
けである。また、同公報の実施例では、加圧によるイン
ダクタンスの変化を測定し、その変化率を求めている
が、この変化率は所定の圧力を印加したときの変化率で
はなく、樹脂モールド前後のインダクタンスから算出し
た値である。したがって、例えば１t/cm2の加圧下でイ
ンダクタンス変化率が±５％ 以内となるかは疑問であ
る。
【０００６】特開平５−３２６２４３号公報には、Ｆｅ
2０3：４６．５〜４９．５mol％、ＣｕＯ：５．０〜１
２．０mol％、ＺｎＯ：２．０〜３０．０mol％、Ｎｉ
Ｏ：残部、を含有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに
対して、Ｃｏ3Ｏ4、Ｂｉ2Ｏ3、ならびにＳｉＯ2および
ＳｎＯ2の混合物を、その含有率が、Ｃｏ3Ｏ4：０．０
５〜０．６０wt％、Ｂｉ2Ｏ3：０．５０〜２．００wt
％、ＳｉＯ2とＳｎＯ2との合計：０．１０〜２．００wt
％となるような割合で配合したフェライト材料が記載さ
れている。また、特開平８−３２５０５６号公報には、
主成分の組成比が、酸化物換算で５０．１〜５６mol％
のＦｅ2Ｏ3と、３０．１〜３５mol％のＺｎＯと、６mol
％以下のＣｕＯと、４mol％以下のＭｎＯと、残部がＮ
ｉＯからなり、これら主成分１００重量部に対して０．
６１〜２重量部のＣｏＯと、０．５〜２重量部のＢｉ2
Ｏ3とを添加したフェライト材料が記載されている。こ
れらの公報に記載されているフェライト材料にはコバル
トが含有されているが、例えば酸化第二鉄が１kg当たり
数十円程度であるのに対し、酸化コバルトでは１kg当た
り一万円前後と非常に高価である。このため、生産コス
トを低減し、安価なインダクタを提供するためには、Ｃ
ｏを含有しないかＣｏ含有量が少なく、かつそれによる
特性低下のないフェライト材料を開発する必要がある。
2０3：４６．５〜４９．５mol％、ＣｕＯ：５．０〜１
２．０mol％、ＺｎＯ：２．０〜３０．０mol％、Ｎｉ
Ｏ：残部、を含有するＮｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに
対して、Ｃｏ3Ｏ4、Ｂｉ2Ｏ3、ならびにＳｉＯ2および
ＳｎＯ2の混合物を、その含有率が、Ｃｏ3Ｏ4：０．０
５〜０．６０wt％、Ｂｉ2Ｏ3：０．５０〜２．００wt
％、ＳｉＯ2とＳｎＯ2との合計：０．１０〜２．００wt
％となるような割合で配合したフェライト材料が記載さ
れている。また、特開平８−３２５０５６号公報には、
主成分の組成比が、酸化物換算で５０．１〜５６mol％
のＦｅ2Ｏ3と、３０．１〜３５mol％のＺｎＯと、６mol
％以下のＣｕＯと、４mol％以下のＭｎＯと、残部がＮ
ｉＯからなり、これら主成分１００重量部に対して０．
６１〜２重量部のＣｏＯと、０．５〜２重量部のＢｉ2
Ｏ3とを添加したフェライト材料が記載されている。こ
れらの公報に記載されているフェライト材料にはコバル
トが含有されているが、例えば酸化第二鉄が１kg当たり
数十円程度であるのに対し、酸化コバルトでは１kg当た
り一万円前後と非常に高価である。このため、生産コス
トを低減し、安価なインダクタを提供するためには、Ｃ
ｏを含有しないかＣｏ含有量が少なく、かつそれによる
特性低下のないフェライト材料を開発する必要がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は、初透
磁率が高く、抗応力特性に優れ、温度特性が良好で、し
かも、鉛を使用する必要がなく、かつ、安価なフェライ
トを提供することである。本発明の他の目的は、このフ
ェライトを用いることにより、樹脂モールド型インダク
タにおいて狭公差および高信頼性を実現し、しかも、環
境汚染を防ぐことである。
磁率が高く、抗応力特性に優れ、温度特性が良好で、し
かも、鉛を使用する必要がなく、かつ、安価なフェライ
トを提供することである。本発明の他の目的は、このフ
ェライトを用いることにより、樹脂モールド型インダク
タにおいて狭公差および高信頼性を実現し、しかも、環
境汚染を防ぐことである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記目的は、下記（１）
〜（９）のいずれかの構成により達成される。 （１） 少なくとも酸化鉄および酸化ニッケルを含む主
成分と、酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよ
び酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第１副成分と、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化バリウムおよび酸化ストロン
チウムの１種または２種以上からなる第２副成分とを含
有し、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3に、酸化ニッケルをＮｉＯに、
酸化ビスマスをＢｉ2Ｏ3に、酸化バナジウムをＶ2Ｏ
5に、酸化リンをＰ2Ｏ5に、酸化ホウ素をＢ2Ｏ3に、酸
化シリコンをＳｉＯ2に、酸化マグネシウムをＭｇＯ
に、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化バリウムをＢａＯ
に、酸化ストロンチウムをＳｒＯにそれぞれ換算したと
き、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５wt％で
あり、主成分に対する第１副成分の比率が０．１〜１
０．０wt％であり、主成分に対する第２副成分の比率が
０．１〜１０wt％であるフェライト。 （２） 第１副成分の酸化シリコンと第２副成分の酸化
マグネシウムとが、タルク〔Ｍｇ3Ｓｉ4Ｏ10（Ｏ
Ｈ）2〕に換算して主成分に対し０．５〜８wt％含有さ
れる上記（１）のフェライト。 （３） Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトである上記
（１）または（２）のフェライト。 （４） １t/cm2の圧力で加圧したときのインダクタン
スの変化率が±５％以内である上記（１）〜（３）のい
ずれかのフェライト。 （５） −２０〜＋６０℃の温度範囲における初透磁率
の相対温度係数が±１０ppm以内である上記（１）〜
（４）のいずれかのフェライト。 （６） Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトである上記（１）また
は（２）のフェライト。 （７） ０．５t/cm2の圧力で加圧したときのインダク
タンスの変化率が±５％以内である上記（６）のフェラ
イト。 （８） −２０〜＋６０℃の温度範囲における初透磁率
の相対温度係数が±２０ppm以内である上記（６）また
は（７）のフェライト。 （９） 上記（１）〜（８）のいずれかのフェライトか
らなるコアを有し、このコアが樹脂モールドされている
インダクタ。
〜（９）のいずれかの構成により達成される。 （１） 少なくとも酸化鉄および酸化ニッケルを含む主
成分と、酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよ
び酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加物と、
酸化シリコンからなる第１副成分と、酸化マグネシウ
ム、酸化カルシウム、酸化バリウムおよび酸化ストロン
チウムの１種または２種以上からなる第２副成分とを含
有し、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3に、酸化ニッケルをＮｉＯに、
酸化ビスマスをＢｉ2Ｏ3に、酸化バナジウムをＶ2Ｏ
5に、酸化リンをＰ2Ｏ5に、酸化ホウ素をＢ2Ｏ3に、酸
化シリコンをＳｉＯ2に、酸化マグネシウムをＭｇＯ
に、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化バリウムをＢａＯ
に、酸化ストロンチウムをＳｒＯにそれぞれ換算したと
き、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５wt％で
あり、主成分に対する第１副成分の比率が０．１〜１
０．０wt％であり、主成分に対する第２副成分の比率が
０．１〜１０wt％であるフェライト。 （２） 第１副成分の酸化シリコンと第２副成分の酸化
マグネシウムとが、タルク〔Ｍｇ3Ｓｉ4Ｏ10（Ｏ
Ｈ）2〕に換算して主成分に対し０．５〜８wt％含有さ
れる上記（１）のフェライト。 （３） Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトである上記
（１）または（２）のフェライト。 （４） １t/cm2の圧力で加圧したときのインダクタン
スの変化率が±５％以内である上記（１）〜（３）のい
ずれかのフェライト。 （５） −２０〜＋６０℃の温度範囲における初透磁率
の相対温度係数が±１０ppm以内である上記（１）〜
（４）のいずれかのフェライト。 （６） Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトである上記（１）また
は（２）のフェライト。 （７） ０．５t/cm2の圧力で加圧したときのインダク
タンスの変化率が±５％以内である上記（６）のフェラ
イト。 （８） −２０〜＋６０℃の温度範囲における初透磁率
の相対温度係数が±２０ppm以内である上記（６）また
は（７）のフェライト。 （９） 上記（１）〜（８）のいずれかのフェライトか
らなるコアを有し、このコアが樹脂モールドされている
インダクタ。
【０００９】
【発明の実施の形態】本発明のフェライトは、主成分、
添加物、第１副成分および第２副成分を含有する。主成
分は、少なくとも酸化鉄および酸化ニッケルを含む。添
加物は、酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよ
び酸化ホウ素の１種または２種以上からなる。第１副成
分は、酸化シリコンからなる。第２副成分は、酸化マグ
ネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウムおよび酸化ス
トロンチウムの１種または２種以上からなる。各成分の
構成比は、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５
wt％、好ましくは０．５〜５wt％であり、主成分に対す
る第１副成分の比率が０．１〜１０．０wt％であり、主
成分に対する第２副成分の比率が０．１〜１０wt％であ
る。なお、これらの構成比は、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3に、酸
化ニッケルをＮｉＯに、酸化ビスマスをＢｉ2Ｏ3に、酸
化バナジウムをＶ2Ｏ5に、酸化リンをＰ2Ｏ5に、酸化ホ
ウ素をＢ2Ｏ3に、酸化シリコンをＳｉＯ2に、酸化マグ
ネシウムをＭｇＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化
バリウムをＢａＯに、酸化ストロンチウムをＳｒＯにそ
れぞれ換算したときのものである。
添加物、第１副成分および第２副成分を含有する。主成
分は、少なくとも酸化鉄および酸化ニッケルを含む。添
加物は、酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リンおよ
び酸化ホウ素の１種または２種以上からなる。第１副成
分は、酸化シリコンからなる。第２副成分は、酸化マグ
ネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウムおよび酸化ス
トロンチウムの１種または２種以上からなる。各成分の
構成比は、主成分に対する添加物の比率が０．５〜１５
wt％、好ましくは０．５〜５wt％であり、主成分に対す
る第１副成分の比率が０．１〜１０．０wt％であり、主
成分に対する第２副成分の比率が０．１〜１０wt％であ
る。なお、これらの構成比は、酸化鉄をＦｅ2Ｏ3に、酸
化ニッケルをＮｉＯに、酸化ビスマスをＢｉ2Ｏ3に、酸
化バナジウムをＶ2Ｏ5に、酸化リンをＰ2Ｏ5に、酸化ホ
ウ素をＢ2Ｏ3に、酸化シリコンをＳｉＯ2に、酸化マグ
ネシウムをＭｇＯに、酸化カルシウムをＣａＯに、酸化
バリウムをＢａＯに、酸化ストロンチウムをＳｒＯにそ
れぞれ換算したときのものである。
【００１０】各成分の構成比を上記範囲内とすることに
より、環境に悪影響を与える鉛を含有することなく、初
透磁率、温度特性、抗応力特性をバランスよく改善する
ことができる。
より、環境に悪影響を与える鉛を含有することなく、初
透磁率、温度特性、抗応力特性をバランスよく改善する
ことができる。
【００１１】具体的には、上記添加物は粒界に濡れ広が
るため、特に抗応力特性が改善される。また、上記添加
物の含有量が多くなると、温度特性の改善効果も向上す
る。添加物の構成比が０．５wt％より少ないと、抗応力
特性の改善効果がほとんどなくなり、温度特性も悪化す
る。一方、添加物の構成比が１５wt％より多くなると、
特性のバラツキを生じたり、焼結時に焼結体から浸みだ
して、他のコア材と癒着したりセッターなどの焼成用具
を汚染したりする。
るため、特に抗応力特性が改善される。また、上記添加
物の含有量が多くなると、温度特性の改善効果も向上す
る。添加物の構成比が０．５wt％より少ないと、抗応力
特性の改善効果がほとんどなくなり、温度特性も悪化す
る。一方、添加物の構成比が１５wt％より多くなると、
特性のバラツキを生じたり、焼結時に焼結体から浸みだ
して、他のコア材と癒着したりセッターなどの焼成用具
を汚染したりする。
【００１２】また、第１副成分を含有させることによ
り、温度特性を改善することができる。第１副成分の構
成比が０．１wt％より少ないと、温度特性の改善効果が
ほとんど得られない。一方、第１副成分の構成比が１０
wt％を超えると、初透磁率の低下が著しくなる。
り、温度特性を改善することができる。第１副成分の構
成比が０．１wt％より少ないと、温度特性の改善効果が
ほとんど得られない。一方、第１副成分の構成比が１０
wt％を超えると、初透磁率の低下が著しくなる。
【００１３】また、第１副成分に加えて第２副成分を含
有させることにより、さらに温度特性や抗応力特性が改
善され、酸化シリコン単独で添加した場合よりも改善効
果が著しくなる。第２副成分の構成比が０．１wt％より
少ないと、温度特性の改善効果がほとんど得られない。
また、第２副成分の構成比が１０wt％を超えると、初透
磁率の低下が著しくなる。
有させることにより、さらに温度特性や抗応力特性が改
善され、酸化シリコン単独で添加した場合よりも改善効
果が著しくなる。第２副成分の構成比が０．１wt％より
少ないと、温度特性の改善効果がほとんど得られない。
また、第２副成分の構成比が１０wt％を超えると、初透
磁率の低下が著しくなる。
【００１４】第１副成分の酸化シリコンと第２副成分の
うち酸化マグネシウムとは、タルク〔一般にＭｇ3Ｓｉ4
Ｏ10（ＯＨ）2で表される〕として同時に添加してもよ
い。その場合の構成比は、主成分に対しＭｇ3Ｓｉ4Ｏ10
（ＯＨ）2換算で０．５〜８wt％、好ましくは１〜５wt
％とする。タルクとして添加することにより、少量で温
度特性と抗応力特性とが改善できるため、初透磁率が低
下しない。また、Ｑ値も低下しない。タルクの構成比が
０．５wt％より少ないと、温度特性等の改善効果がほと
んど得られない。一方、タルクの添加量が８wt％を超え
ると、初透磁率の低下が著しくなる。
うち酸化マグネシウムとは、タルク〔一般にＭｇ3Ｓｉ4
Ｏ10（ＯＨ）2で表される〕として同時に添加してもよ
い。その場合の構成比は、主成分に対しＭｇ3Ｓｉ4Ｏ10
（ＯＨ）2換算で０．５〜８wt％、好ましくは１〜５wt
％とする。タルクとして添加することにより、少量で温
度特性と抗応力特性とが改善できるため、初透磁率が低
下しない。また、Ｑ値も低下しない。タルクの構成比が
０．５wt％より少ないと、温度特性等の改善効果がほと
んど得られない。一方、タルクの添加量が８wt％を超え
ると、初透磁率の低下が著しくなる。
【００１５】本発明のフェライトは、鉛を含有すること
なく優れた抗応力特性や温度特性等を実現することがで
きる。ただし、本発明は、鉛成分を積極的に排除するも
のではなく、鉛をＰｂＯ換算で０．５〜１０wt％程度含
有していてもよい。また、本発明のフェライトでは、上
記添加物と上記各副成分とを複合添加することにより、
酸化コバルトを含有することなく優れた特性が得られ
る。そして、逆に、酸化コバルトを添加した場合には抗
応力特性や温度特性が低下してしまう。このため、酸化
コバルトは添加しないことが好ましいが、必要に応じて
（例えばＮｉ−Ｃｕ系フェライトにおいて高周波域での
Ｑを高くするためなど）添加してもよい。ただし、この
ような場合でも、酸化コバルトの含有量は、主成分に対
しＣｏＯ換算で０．０９wt％以下とすることが好まし
い。
なく優れた抗応力特性や温度特性等を実現することがで
きる。ただし、本発明は、鉛成分を積極的に排除するも
のではなく、鉛をＰｂＯ換算で０．５〜１０wt％程度含
有していてもよい。また、本発明のフェライトでは、上
記添加物と上記各副成分とを複合添加することにより、
酸化コバルトを含有することなく優れた特性が得られ
る。そして、逆に、酸化コバルトを添加した場合には抗
応力特性や温度特性が低下してしまう。このため、酸化
コバルトは添加しないことが好ましいが、必要に応じて
（例えばＮｉ−Ｃｕ系フェライトにおいて高周波域での
Ｑを高くするためなど）添加してもよい。ただし、この
ような場合でも、酸化コバルトの含有量は、主成分に対
しＣｏＯ換算で０．０９wt％以下とすることが好まし
い。
【００１６】本発明のフェライトは、主成分として少な
くとも酸化鉄と酸化ニッケルとを含むものであればよい
が、特に、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−
Ｃｕ系フェライトであることが好ましい。Ｎｉ−Ｃｕ−
Ｚｎ系フェライトである場合、主成分には、上記酸化物
のほか、酸化銅および酸化亜鉛が含有される。酸化銅お
よび酸化亜鉛をそれぞれＣｕＯおよびＺｎＯに換算した
とき、主成分の構成比は、Ｆｅ2Ｏ3：３０〜５０mol
％、ＮｉＯ：１５〜４０mol％、ＣｕＯ：０．５〜１５m
ol％、ＺｎＯ：１〜３０mol％であることが好ましい。
また、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトである場合、主成分の構
成比は、Ｆｅ2Ｏ3：３０〜５０mol％、ＣｕＯ：０．５
〜１０mol％、ＮｉＯ：残部であることが好ましい。Ｎ
ｉ−Ｃｕ系フェライトは、高周波においても高いＱが得
られる。
くとも酸化鉄と酸化ニッケルとを含むものであればよい
が、特に、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトまたはＮｉ−
Ｃｕ系フェライトであることが好ましい。Ｎｉ−Ｃｕ−
Ｚｎ系フェライトである場合、主成分には、上記酸化物
のほか、酸化銅および酸化亜鉛が含有される。酸化銅お
よび酸化亜鉛をそれぞれＣｕＯおよびＺｎＯに換算した
とき、主成分の構成比は、Ｆｅ2Ｏ3：３０〜５０mol
％、ＮｉＯ：１５〜４０mol％、ＣｕＯ：０．５〜１５m
ol％、ＺｎＯ：１〜３０mol％であることが好ましい。
また、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトである場合、主成分の構
成比は、Ｆｅ2Ｏ3：３０〜５０mol％、ＣｕＯ：０．５
〜１０mol％、ＮｉＯ：残部であることが好ましい。Ｎ
ｉ−Ｃｕ系フェライトは、高周波においても高いＱが得
られる。
【００１７】本発明のフェライトでは、初透磁率μiの
相対温度係数αμirを小さくできる。相対温度係数αμ
irは、２点の温度間での初透磁率の変化率を表す値であ
り、例えば、温度Ｔ1のときの初透磁率をμi1とし、温
度Ｔ2のときの初透磁率をμi2としたとき、温度範囲Ｔ1
〜Ｔ2におけるαμirは、
相対温度係数αμirを小さくできる。相対温度係数αμ
irは、２点の温度間での初透磁率の変化率を表す値であ
り、例えば、温度Ｔ1のときの初透磁率をμi1とし、温
度Ｔ2のときの初透磁率をμi2としたとき、温度範囲Ｔ1
〜Ｔ2におけるαμirは、
【００１８】
【数１】
【００１９】で表される。本発明のフェライト、特にＮ
ｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトでは、−２０〜＋６０℃に
おけるαμirを±１０ppm以内とすることができ、±５p
pm以内とすることもできる。αμirが小さいと、初透磁
率が温度による影響を受けにくくなり、使用する電子機
器の対使用環境性能が向上し、信頼性が向上する。一
方、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトは、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フ
ェライトに比べαμirが大きくなるが、本発明をＮｉ−
Ｃｕ系フェライトに適用することにより、−２０〜＋６
０℃におけるαμirを±２０ppm以内とすることができ
る。なお、初透磁率の測定周波数は、通常、１００kHz
とする。
ｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトでは、−２０〜＋６０℃に
おけるαμirを±１０ppm以内とすることができ、±５p
pm以内とすることもできる。αμirが小さいと、初透磁
率が温度による影響を受けにくくなり、使用する電子機
器の対使用環境性能が向上し、信頼性が向上する。一
方、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトは、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フ
ェライトに比べαμirが大きくなるが、本発明をＮｉ−
Ｃｕ系フェライトに適用することにより、−２０〜＋６
０℃におけるαμirを±２０ppm以内とすることができ
る。なお、初透磁率の測定周波数は、通常、１００kHz
とする。
【００２０】本発明のフェライト、特にＮｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎ系フェライトは、抗応力特性が良好である。すなわ
ち、外力印加による応力発生時のインダクタンス変化が
小さい。例えば、１t/cm2の圧力で一軸加圧したときの
インダクタンス変化率△Ｌ／Ｌを、±５％以内とするこ
とができ、±３％以内とすることもできる。なお、Ｌは
加圧前のインダクタンスであり、△Ｌは加圧によるイン
ダクタンス変化量、すなわち、加圧時のインダクタンス
から加圧前のインダクタンスを減じた値である。Ｎｉ−
Ｃｕ系フェライトは、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに
比べ抗応力特性が悪くなるが、本発明をＮｉ−Ｃｕ系フ
ェライトに適用することにより、０．５t/cm2の圧力で
一軸加圧したときのインダクタンス変化率△Ｌ／Ｌを、
±５％以内とすることができ、±３％以内とすることも
できる。本発明のフェライトは、このように抗応力特性
が良好なので、樹脂モールドに伴うインダクタンス変化
を低減でき、高精度の電子機器を得ることができる。
ｎ系フェライトは、抗応力特性が良好である。すなわ
ち、外力印加による応力発生時のインダクタンス変化が
小さい。例えば、１t/cm2の圧力で一軸加圧したときの
インダクタンス変化率△Ｌ／Ｌを、±５％以内とするこ
とができ、±３％以内とすることもできる。なお、Ｌは
加圧前のインダクタンスであり、△Ｌは加圧によるイン
ダクタンス変化量、すなわち、加圧時のインダクタンス
から加圧前のインダクタンスを減じた値である。Ｎｉ−
Ｃｕ系フェライトは、Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトに
比べ抗応力特性が悪くなるが、本発明をＮｉ−Ｃｕ系フ
ェライトに適用することにより、０．５t/cm2の圧力で
一軸加圧したときのインダクタンス変化率△Ｌ／Ｌを、
±５％以内とすることができ、±３％以内とすることも
できる。本発明のフェライトは、このように抗応力特性
が良好なので、樹脂モールドに伴うインダクタンス変化
を低減でき、高精度の電子機器を得ることができる。
【００２１】本発明のフェライトは、所定形状のコア材
に成形加工され、必要な巻線が巻回された後、樹脂モー
ルドされ、固定インダクタ、チップインダクタ等とし
て、テレビ、ビデオレコーダ、携帯電話や自動車電話な
どの移動体通信機等の各種電子機器に使用される。コア
の形状は特に限定されないが、例えば、外径・長さ共に
２mm以下（例えば１．８mm×１．５mm）のドラム型コア
等が挙げられる。
に成形加工され、必要な巻線が巻回された後、樹脂モー
ルドされ、固定インダクタ、チップインダクタ等とし
て、テレビ、ビデオレコーダ、携帯電話や自動車電話な
どの移動体通信機等の各種電子機器に使用される。コア
の形状は特に限定されないが、例えば、外径・長さ共に
２mm以下（例えば１．８mm×１．５mm）のドラム型コア
等が挙げられる。
【００２２】モールド材（被覆材）として用いられる樹
脂は特に限定されないが、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂等であり、具体的にはポリオレフィン、ポリエス
テル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、
フェノール樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられ
る。モールド材をモールドする手段としては、ディッ
プ、塗布、吹き付け等を用いることができ、また、射出
成形、流し込み成形等を用いてもよい。
脂は特に限定されないが、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化
性樹脂等であり、具体的にはポリオレフィン、ポリエス
テル、ポリアミド、ポリカーボネート、ポリウレタン、
フェノール樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられ
る。モールド材をモールドする手段としては、ディッ
プ、塗布、吹き付け等を用いることができ、また、射出
成形、流し込み成形等を用いてもよい。
【００２３】次に、本発明のフェライトを用いたチップ
インダクタの、代表的構成例を図を参照しつつ説明す
る。
インダクタの、代表的構成例を図を参照しつつ説明す
る。
【００２４】図１は本発明のフェライトを用いたチップ
インダクタの構成例を示した概略構成図である。図示構
成例のチップインダクタは、本発明のフェライトを用
い、両端に径の大きな鍔部を有するコア１と、このコア
１の胴部に巻回された巻線２と、巻線２の端部と外部電
気回路とを接続し、かつ、コア１を樹脂（モールド材）
内に固定するための端子電極６と、これらの外部を覆う
ように設けられたモールド材５とを有する。
インダクタの構成例を示した概略構成図である。図示構
成例のチップインダクタは、本発明のフェライトを用
い、両端に径の大きな鍔部を有するコア１と、このコア
１の胴部に巻回された巻線２と、巻線２の端部と外部電
気回路とを接続し、かつ、コア１を樹脂（モールド材）
内に固定するための端子電極６と、これらの外部を覆う
ように設けられたモールド材５とを有する。
【００２５】チップインダクタの構成は、図示例に限定
されるものではなく、種々の態様をとることができ、例
えばリード線をコアの円筒軸の中心部から軸方向に接続
するような構成としてもよいし、箱形の樹脂ケース内
に、コアに巻線、リード線等を設けたコイル素体を挿入
し、開口部をモールド材で封止するような構成としても
よい。
されるものではなく、種々の態様をとることができ、例
えばリード線をコアの円筒軸の中心部から軸方向に接続
するような構成としてもよいし、箱形の樹脂ケース内
に、コアに巻線、リード線等を設けたコイル素体を挿入
し、開口部をモールド材で封止するような構成としても
よい。
【００２６】次に、本発明のフェライトの製造方法につ
いて説明する。
いて説明する。
【００２７】まず、主成分原料と添加物原料とを混合す
る。主成分原料には、酸化鉄（α−Ｆｅ2Ｏ3）および酸
化ニッケルと、必要に応じて酸化銅、酸化亜鉛等を用い
る。添加物原料には、添加物として挙げた酸化物自体、
または焼成により上記添加物となる各種化合物を用いる
が、好ましくは酸化物、特に、構成比算出の説明におい
て挙げた上記各酸化物を用いることが好ましい。なお、
第１副成分および第２副成分の各原料は、この段階で主
成分原料および添加物原料と混合してもよい。各副成分
原料には、上記酸化物を用いればよい。各原料は、最終
組成として前記した構成比となるように混合される。
る。主成分原料には、酸化鉄（α−Ｆｅ2Ｏ3）および酸
化ニッケルと、必要に応じて酸化銅、酸化亜鉛等を用い
る。添加物原料には、添加物として挙げた酸化物自体、
または焼成により上記添加物となる各種化合物を用いる
が、好ましくは酸化物、特に、構成比算出の説明におい
て挙げた上記各酸化物を用いることが好ましい。なお、
第１副成分および第２副成分の各原料は、この段階で主
成分原料および添加物原料と混合してもよい。各副成分
原料には、上記酸化物を用いればよい。各原料は、最終
組成として前記した構成比となるように混合される。
【００２８】次いで、混合物を仮焼する。仮焼は酸化性
雰囲気中、通常は空気中で行えばよく、仮焼温度は８０
０〜１０００℃、仮焼時間は１〜３時間とすることが好
ましい。
雰囲気中、通常は空気中で行えばよく、仮焼温度は８０
０〜１０００℃、仮焼時間は１〜３時間とすることが好
ましい。
【００２９】次に、得られた仮焼物をボールミル等によ
り所定の大きさに粉砕する。なお、この粉砕の際に、第
１副成分原料および第２副成分原料を添加して混合して
もよい。また、副成分は、仮焼前に一部を添加し、仮焼
後にその残部を添加してもよい。
り所定の大きさに粉砕する。なお、この粉砕の際に、第
１副成分原料および第２副成分原料を添加して混合して
もよい。また、副成分は、仮焼前に一部を添加し、仮焼
後にその残部を添加してもよい。
【００３０】仮焼物を粉砕した後、適当なバインダー、
例えばポリビニルアルコール等を適当量加えて、所望の
形状に成形する。
例えばポリビニルアルコール等を適当量加えて、所望の
形状に成形する。
【００３１】次いで、成形体を焼成する。焼成は酸化性
雰囲気中、通常は空気中で行えばよく、焼成温度は９５
０〜１１００℃程度で、焼成時間は２〜５時間とするこ
とが好ましい。
雰囲気中、通常は空気中で行えばよく、焼成温度は９５
０〜１１００℃程度で、焼成時間は２〜５時間とするこ
とが好ましい。
【００３２】
【実施例】実施例１（Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライト） 原料として、モル比でＦｅ2Ｏ3：ＮｉＯ：ＣｕＯ：Ｚｎ
Ｏ＝４８：３０：４：１８の割合で各成分を含む混合粉
末と、Ｂｉ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、Ｐ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、
ＣａＯ、ＢａＯおよびタルク〔Ｍｇ3Ｓｉ4Ｏ10（ＯＨ）
2〕の各粉末とを用意した。これらの原料粉末を表１に
示す構成比となるよう秤量し、ボールミルにて５時間混
合した。なお、表１において、添加物、第１副成分、第
２副成分およびタルクの各構成比は、主成分に対するも
のである。
Ｏ＝４８：３０：４：１８の割合で各成分を含む混合粉
末と、Ｂｉ2Ｏ3、Ｖ2Ｏ5、Ｐ2Ｏ5、ＳｉＯ2、ＭｇＯ、
ＣａＯ、ＢａＯおよびタルク〔Ｍｇ3Ｓｉ4Ｏ10（ＯＨ）
2〕の各粉末とを用意した。これらの原料粉末を表１に
示す構成比となるよう秤量し、ボールミルにて５時間混
合した。なお、表１において、添加物、第１副成分、第
２副成分およびタルクの各構成比は、主成分に対するも
のである。
【００３３】次に、得られた混合物を空気中において９
００℃で２時間仮焼成した後、ボールミルにて２０時間
混合・粉砕した。粉砕後の混合物を乾燥し、ポリビニル
アルコールを１．０wt％加えた後、１t／cm2の圧力で加
圧成形して、寸法が３５mm×７mm×７mmの角形成形体
と、外径２０mm、内径１０mm、高さ５mmのトロイダル状
成形体とを得た。これらの成形体を、空気中において表
１に示す温度で２時間焼成して、フェライトからなる角
形コアサンプルおよびトロイダルコアサンプルを得た。
００℃で２時間仮焼成した後、ボールミルにて２０時間
混合・粉砕した。粉砕後の混合物を乾燥し、ポリビニル
アルコールを１．０wt％加えた後、１t／cm2の圧力で加
圧成形して、寸法が３５mm×７mm×７mmの角形成形体
と、外径２０mm、内径１０mm、高さ５mmのトロイダル状
成形体とを得た。これらの成形体を、空気中において表
１に示す温度で２時間焼成して、フェライトからなる角
形コアサンプルおよびトロイダルコアサンプルを得た。
【００３４】角形コアサンプルの中央部にワイヤを２０
回巻回した後、これに一定速度で一軸圧縮力を印加し、
このときのインダクタンス値をＬＣＲメータにて連続的
に測定し、得られた測定値からインダクタンス変化率を
算出した。表１に、１t／cm2の一軸圧縮力を印加したと
きのインダクタンス変化率△Ｌ1／Ｌを示す。
回巻回した後、これに一定速度で一軸圧縮力を印加し、
このときのインダクタンス値をＬＣＲメータにて連続的
に測定し、得られた測定値からインダクタンス変化率を
算出した。表１に、１t／cm2の一軸圧縮力を印加したと
きのインダクタンス変化率△Ｌ1／Ｌを示す。
【００３５】また、トロイダルコアサンプルにワイヤを
２０回巻回した後、ＬＣＲメータにてインダクタンス値
等を測定し、−２０〜＋６０℃における相対温度係数
（αμir）、１００kHzにおける初透磁率（μi）を求め
た。また、一部のサンプルについては、ワイヤを３回巻
回し、１０ＭHzにおけるＱ（Ｑ10）を求めた。結果を表
１に示す。
２０回巻回した後、ＬＣＲメータにてインダクタンス値
等を測定し、−２０〜＋６０℃における相対温度係数
（αμir）、１００kHzにおける初透磁率（μi）を求め
た。また、一部のサンプルについては、ワイヤを３回巻
回し、１０ＭHzにおけるＱ（Ｑ10）を求めた。結果を表
１に示す。
【００３６】
【表１】
【００３７】表１から明らかなように、本発明のサンプ
ルは、比較サンプルと比べて抗応力特性、温度特性共に
優れた値を示している。
ルは、比較サンプルと比べて抗応力特性、温度特性共に
優れた値を示している。
【００３８】なお、第２副成分としてＳｒＯを１〜１０
wt%添加した場合でも、表１に示す本発明サンプルとほ
ぼ同等の結果が得られた。また、添加物としてＢ2Ｏ3を
用いた場合でも、表１に示す本発明サンプルとほぼ同等
の結果が得られた。
wt%添加した場合でも、表１に示す本発明サンプルとほ
ぼ同等の結果が得られた。また、添加物としてＢ2Ｏ3を
用いた場合でも、表１に示す本発明サンプルとほぼ同等
の結果が得られた。
【００３９】実施例２（Ｎｉ−Ｃｕ系フェライト） 表２に示す構成比で各成分が含有されるＮｉ−Ｃｕ系フ
ェライトを、実施例１と同様にして製造した。ただし、
焼成は表２に示す温度で行った。なお、主成分中の各酸
化物のモル比は、サンプルNo.２０１ではＦｅ2Ｏ3：Ｎ
ｉＯ：ＣｕＯ＝４８．５：４９．５：２とし、他のサン
プルではＦｅ2Ｏ3：ＮｉＯ：ＣｕＯ＝４９：４９：２と
した。
ェライトを、実施例１と同様にして製造した。ただし、
焼成は表２に示す温度で行った。なお、主成分中の各酸
化物のモル比は、サンプルNo.２０１ではＦｅ2Ｏ3：Ｎ
ｉＯ：ＣｕＯ＝４８．５：４９．５：２とし、他のサン
プルではＦｅ2Ｏ3：ＮｉＯ：ＣｕＯ＝４９：４９：２と
した。
【００４０】これらのサンプルについて、実施例１と同
様な測定を行った。結果を表２に示す。ただし、表２に
示すインダクタンス変化率△Ｌ0.5／Ｌは、０．５t／cm
2の一軸圧縮力を印加したときの値であり、Ｑ100は、１
００MHzにおけるＱである。
様な測定を行った。結果を表２に示す。ただし、表２に
示すインダクタンス変化率△Ｌ0.5／Ｌは、０．５t／cm
2の一軸圧縮力を印加したときの値であり、Ｑ100は、１
００MHzにおけるＱである。
【００４１】
【表２】
【００４２】表２から、Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトにおい
ても、本発明の効果が実現することがわかる。
ても、本発明の効果が実現することがわかる。
【００４３】
【発明の効果】本発明のフェライトでは、鉛を用いるこ
となく、高い初透磁率、優れた抗応力特性および良好な
温度特性が実現する。このため、本発明のフェライトを
用いることにより、狭公差かつ高信頼性であって、かつ
環境汚染を引き起こさない樹脂モールド型インダクタが
実現する。
となく、高い初透磁率、優れた抗応力特性および良好な
温度特性が実現する。このため、本発明のフェライトを
用いることにより、狭公差かつ高信頼性であって、かつ
環境汚染を引き起こさない樹脂モールド型インダクタが
実現する。
【図１】本発明のフェライトを用いたチップインダクタ
の構成例を示した概略構成図である。
の構成例を示した概略構成図である。
１ コア ２ 巻線 ５ モールド材 ６ 端子電極
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 直義 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (9)
- 【請求項１】 少なくとも酸化鉄および酸化ニッケルを
含む主成分と、酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リ
ンおよび酸化ホウ素の１種または２種以上からなる添加
物と、酸化シリコンからなる第１副成分と、酸化マグネ
シウム、酸化カルシウム、酸化バリウムおよび酸化スト
ロンチウムの１種または２種以上からなる第２副成分と
を含有し、 酸化鉄をＦｅ2Ｏ3に、酸化ニッケルをＮｉＯに、酸化ビ
スマスをＢｉ2Ｏ3に、酸化バナジウムをＶ2Ｏ5に、酸化
リンをＰ2Ｏ5に、酸化ホウ素をＢ2Ｏ3に、酸化シリコン
をＳｉＯ2に、酸化マグネシウムをＭｇＯに、酸化カル
シウムをＣａＯに、酸化バリウムをＢａＯに、酸化スト
ロンチウムをＳｒＯにそれぞれ換算したとき、主成分に
対する添加物の比率が０．５〜１５wt％であり、主成分
に対する第１副成分の比率が０．１〜１０．０wt％であ
り、主成分に対する第２副成分の比率が０．１〜１０wt
％であるフェライト。 - 【請求項２】 第１副成分の酸化シリコンと第２副成分
の酸化マグネシウムとが、タルク〔Ｍｇ3Ｓｉ4Ｏ10（Ｏ
Ｈ）2〕に換算して主成分に対し０．５〜８wt％含有さ
れる請求項１のフェライト。 - 【請求項３】 Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ系フェライトである請
求項１または２のフェライト。 - 【請求項４】 １t/cm2の圧力で加圧したときのインダ
クタンスの変化率が±５％以内である請求項１〜３のい
ずれかのフェライト。 - 【請求項５】 −２０〜＋６０℃の温度範囲における初
透磁率の相対温度係数が±１０ppm以内である請求項１
〜４のいずれかのフェライト。 - 【請求項６】 Ｎｉ−Ｃｕ系フェライトである請求項１
または２のフェライト。 - 【請求項７】 ０．５t/cm2の圧力で加圧したときのイ
ンダクタンスの変化率が±５％以内である請求項６のフ
ェライト。 - 【請求項８】 −２０〜＋６０℃の温度範囲における初
透磁率の相対温度係数が±２０ppm以内である請求項６
または７のフェライト。 - 【請求項９】 請求項１〜８のいずれかのフェライトか
らなるコアを有し、このコアが樹脂モールドされている
インダクタ。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP16611098A JP3672161B2 (ja) | 1997-07-16 | 1998-05-29 | フェライトの製造方法およびインダクタの製造方法 |
| US09/112,055 US6033594A (en) | 1997-07-16 | 1998-07-09 | Ferrite and inductor |
| DE69801552T DE69801552T2 (de) | 1997-07-16 | 1998-07-15 | Ferrit und Induktor |
| EP98305650A EP0891955B1 (en) | 1997-07-16 | 1998-07-15 | Ferrite and inductor |
| CNB981033946A CN1146924C (zh) | 1997-07-16 | 1998-07-15 | 铁氧体和电感器 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9-207237 | 1997-07-16 | ||
| JP20723797 | 1997-07-16 | ||
| JP16611098A JP3672161B2 (ja) | 1997-07-16 | 1998-05-29 | フェライトの製造方法およびインダクタの製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187126A true JPH1187126A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3672161B2 JP3672161B2 (ja) | 2005-07-13 |
Family
ID=26490604
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP16611098A Expired - Lifetime JP3672161B2 (ja) | 1997-07-16 | 1998-05-29 | フェライトの製造方法およびインダクタの製造方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6033594A (ja) |
| EP (1) | EP0891955B1 (ja) |
| JP (1) | JP3672161B2 (ja) |
| CN (1) | CN1146924C (ja) |
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Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6583699B2 (en) | 2000-10-31 | 2003-06-24 | Tdk Corporation | Magnetic material and inductor |
| JP2006206347A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | 酸化物磁性材料 |
| US7892446B2 (en) | 2005-09-13 | 2011-02-22 | Hitachi Metals, Ltd. | Ferrite material |
| CN113603473A (zh) * | 2021-08-20 | 2021-11-05 | 安徽华林磁电科技有限公司 | 一种具有高磁导率的Mn-Zn铁氧体滤波材料 |
Families Citing this family (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| FI105294B (fi) * | 1997-12-16 | 2000-07-14 | Nokia Networks Oy | Järjestely magneettipiirin toteuttamiseksi piirilevylle |
| JP3449322B2 (ja) * | 1999-10-27 | 2003-09-22 | 株式会社村田製作所 | 複合磁性材料およびインダクタ素子 |
| US6292081B1 (en) * | 1999-10-28 | 2001-09-18 | Scientific-Atlanta, Inc. | Tunable surface mount toroidal inductor |
| JP4255044B2 (ja) * | 2000-03-13 | 2009-04-15 | Ｔｄｋ株式会社 | 酸化物磁性材料及び酸化物磁性材料の製造方法 |
| EP1666422B1 (en) * | 2000-08-21 | 2008-07-02 | TDK Corporation | Ferrite material |
| JP2002246222A (ja) * | 2001-02-13 | 2002-08-30 | Tdk Corp | 酸化物磁性材料とそれを用いたコイル部品 |
| US7118728B2 (en) * | 2002-05-08 | 2006-10-10 | Steward Advanced Materials, Inc. | Method and apparatus for making ferrite material products and products produced thereby |
| JP3907642B2 (ja) * | 2004-05-21 | 2007-04-18 | Ｔｄｋ株式会社 | フェライト材料及びフェライト材料の製造方法 |
| JP4858035B2 (ja) * | 2006-09-19 | 2012-01-18 | トヨタ自動車株式会社 | リアクトルのコアおよびリアクトル |
| WO2009044760A1 (ja) * | 2007-10-02 | 2009-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | インダクタンス素子およびその製造方法 |
| JP6149386B2 (ja) * | 2012-04-13 | 2017-06-21 | 株式会社村田製作所 | 積層型電子部品 |
| CN102674822B (zh) * | 2012-04-20 | 2013-08-21 | 深圳顺络电子股份有限公司 | 一种铁氧体磁芯注射成型用的粒料及其制备方法 |
| CN102982948B (zh) * | 2012-11-23 | 2016-08-24 | 天长市昭田磁电科技有限公司 | 一种含有b2o3的铁磁芯的制造方法 |
| CN103337324A (zh) * | 2013-05-30 | 2013-10-02 | 绵阳武盛磁电科技有限公司 | 一种磁性材料及其制备方法 |
| US10236104B2 (en) * | 2013-07-19 | 2019-03-19 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Ferrite and inductor including the same |
| CN104446408B (zh) | 2013-09-25 | 2016-12-07 | 比亚迪股份有限公司 | 一种吸波材料及其制备方法 |
| CN107077948A (zh) * | 2014-11-06 | 2017-08-18 | 株式会社村田制作所 | 层叠线圈部件 |
| WO2018048394A1 (en) | 2016-09-07 | 2018-03-15 | South Dakota Board Of Regents | Thermally stabilized redox materials and applications thereof |
| JP6142950B1 (ja) * | 2016-09-30 | 2017-06-07 | Tdk株式会社 | フェライト組成物および電子部品 |
| CN108863333B (zh) * | 2018-07-05 | 2020-10-30 | 浙江大学 | 一种制备高性能NiZn铁氧体的Cu、V、Bi、Co离子联合替代方法 |
| CN116403796B (zh) * | 2023-05-09 | 2024-02-13 | 清远市佳和磁材有限公司 | 一种高频电感及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS59121806A (ja) * | 1982-12-27 | 1984-07-14 | Hitachi Metals Ltd | 高周波磁性材料 |
| JP3123605B2 (ja) * | 1988-01-07 | 2001-01-15 | ティーディーケイ株式会社 | インダクタ用磁心 |
| US4966625A (en) * | 1988-03-25 | 1990-10-30 | General Electric Company | Ferrite composite containing silver metallization |
| JPH0391209A (ja) * | 1989-09-01 | 1991-04-16 | Hitachi Ferrite Ltd | チップインダクタ |
| JP2898772B2 (ja) * | 1991-03-06 | 1999-06-02 | ティーディーケイ株式会社 | 酸化物磁性材料 |
| JP3147496B2 (ja) * | 1992-05-25 | 2001-03-19 | 株式会社村田製作所 | フェライト材料 |
| US5871662A (en) * | 1993-05-11 | 1999-02-16 | U.S. Philips Corporation | Sintered transformer or inductor core of nizn ferrite material |
| JP3405630B2 (ja) * | 1994-12-26 | 2003-05-12 | 京セラ株式会社 | フェライト材料 |
| JP3492802B2 (ja) * | 1995-02-28 | 2004-02-03 | 京セラ株式会社 | 低損失フェライト材料 |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP16611098A patent/JP3672161B2/ja not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-09 US US09/112,055 patent/US6033594A/en not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-15 DE DE69801552T patent/DE69801552T2/de not_active Expired - Fee Related
- 1998-07-15 EP EP98305650A patent/EP0891955B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1998-07-15 CN CNB981033946A patent/CN1146924C/zh not_active Expired - Lifetime
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6583699B2 (en) | 2000-10-31 | 2003-06-24 | Tdk Corporation | Magnetic material and inductor |
| KR100550685B1 (ko) * | 2000-10-31 | 2006-02-08 | 티디케이가부시기가이샤 | 자성재료 및 인덕터 |
| JP2006206347A (ja) * | 2005-01-25 | 2006-08-10 | Taiyo Yuden Co Ltd | 酸化物磁性材料 |
| US7892446B2 (en) | 2005-09-13 | 2011-02-22 | Hitachi Metals, Ltd. | Ferrite material |
| CN113603473A (zh) * | 2021-08-20 | 2021-11-05 | 安徽华林磁电科技有限公司 | 一种具有高磁导率的Mn-Zn铁氧体滤波材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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