JP3726017B2 - 磁性材料およびインダクタ - Google Patents
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Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、インダクタンス素子のコア材等として使用する磁性材料とその磁性材料を用いたコアを有するインダクタに係わり、特に樹脂モールドタイプのチップインダクタのコア材として使用するに好適なフェライトとそのコアを用いたインダクタに関する。
【0002】
【従来の技術】
インダクタンス素子に用いられるフェライトの透磁率の温度特性は、一般に正の温度係数を持つものが従来より用いられてきた。その理由は、インダクタンス素子と回路を構成する上で組み合わせて用いられるコンデンサの容量が通常負の温度特性を持つことから、組み合わせたものの特性が温度変化に対してなるべく変化しないようにするためである。
【0003】
しかし、インダクタンス素子とコンデンサとの単純な組み合わせではなく、回路全体の温度係数を考慮した場合、回路を構成するコンデンサ以外の他の部品の温度係数が正であることから、回路全体の温度係数を小さくするために、透磁率に関して負の温度係数を持つインダクタが必要とされ、このような要求を満足する透磁率の温度係数が負であるフェライトが望まれていた。
【0004】
一方、近年、テレビ、ビデオテープコーダ、移動体通信機器の分野で、急速に需要が拡大しつつある樹脂モールドタイプのチップインダクタ、固定コイル等の分野において、小型、軽量、高精度等の要求に応じるべく、これらの部品に対する狭公差化、高信頼性化への要求が大きくなっている。この樹脂モールドタイプの素子では、樹脂モールドすることによって生じる圧縮応力によりインダクタンス値が変化するため、インダクタンス公差の小さい高品質の部品を得ることが困難である。そこで、外部応力に対するインダクタンスの変化の小さい、すなわち抗応力特性の良好なフェライトが望まれていた。
【0005】
従って、これらの要求に応じるためには、透磁率に関して負の温度係数を持ち、抗応力特性の良好な磁性材料およびこれを用いたインダクタンス素子が必要となる。
【0006】
透磁率の温度係数が負のフェライトとして、特開昭59−121803号、特開昭59−121804号、特開昭59−121806号特開昭59−121155号、特開昭59−121156号公報には、いずれも、初透磁率の温度係数が0〜80℃の範囲で一様に負であるフェライトが開示されている。また、これらの公報の実施例では焼結体密度が向上していることが示され、製品強度の向上に効果があるとしている。しかし、外部応力がかかったときのインダクタンスの変化についての問題を解決しうるものではない。
【0007】
一方、特開平1−179402号公報には、ニッケルを必須成分として含有する酸化物フェライト材料に、Bi2O3、V2O5の少なくとも1種を1.5〜5wt%含有させることにより、外部応力に変動があっても、インダクタンス変化の小さいインダクタ用コアが記載さている。しかし、この組成のものでは、透磁率の温度係数を負にするという要求に応じることができない。
【0008】
特開平3−93667号公報には、25〜40mol%のFe2O3、0〜20mol%のZnO、残りがNiOとCuOであり、NiOのモル比がCuOのモル比よりも多いスピネル型組成物であって、少量成分として0.1〜12wt%のBi2O3および0.05〜4.0wt%のSiO2を含み、1MHz以上でも損失の少ない高周波磁性材料と、さらにこれに0.01〜1.5wt%のCo3O4またはこれに相当する量のコバルト酸化物またはコバルト炭酸化物を添加した高周波磁性材料が記載されている。同公報の実施例では加圧によるインダクタンスの変化を測定し、加圧に対するインダクタンスの変化が小さいことを示している。しかし、初透磁率の相対温度係数についてはいずれも正となっており、透磁率の温度係数を負にするという要求には応じることができない。
【0009】
特開平3−91209号公報には、25〜40mol%のFe2O3、0〜20mol%のZnO、残りがNiOとCuOであり、NiOのモル比がCuOのモル比よりも多いスピネル型組成物であって、少量成分として0.1〜5wt%のBi2O3および0.05〜4.0wt%のSiO2を含むフェライト組成物が記載されている。ただし実施例で示された組成は、Fe2O3:38.2mol%、NiO:50.3mol%、ZnO:8.4mol%、CuO:3.1mol%の基本組成に、Bi2O3:3wt%、SiO2:0.8wt%を添加したものだけが開示されている。同公報の実施例では加圧によるインダクタンスの変化を測定し、その変化率を求めているが、この変化率は所定の圧力を印加したときの変化率ではなく、樹脂モールド前後のインダクタンスから算出した値である。従って、例えば50kPaの加圧下でのインダクタンスが±5%以内となるかどうかは不明である。また、インダクタンスの温度係数についても正の値を示しており、透磁率の温度係数を負にするという要求には応じることができない。
【0010】
また、特開平11−87126号公報には、少なくとも酸化鉄および酸化ニッケルを含む主成分に、添加物として酸化ビスマス、酸化バナジウム、酸化リン、酸化ホウ素のうちの1種または2種以上を含み、さらに、第1副成分と第2副成分を加えたものが開示されている。そして、前記酸化ビスマス等の添加物の主成分に対する比率を0.5〜15wt%としている。また、前記第1副成分は酸化シリコンであり、主成分に対する比率を0.1〜10.0wt%としている。また前記第2副成分は酸化マグネシウム、酸化カルシウム、酸化バリウム、酸化ストロンチウムの1種または2種以上であり、主成分に対する比率を0.1〜10.0wt%含ませている。このフェライトは、50kPaで加圧したときのインダクタンス変化率が±5%以内であり、−20〜60℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が±20ppm/℃である。しかし同公報の実施例では初透磁率の相対温度係数がいずれも正の値となっており、透磁率の温度係数を負にするという要求には応じることができない。
【0011】
【発明が解決しようとする課題】
上記のように、従来の磁性材料には、初透磁率に関して負の温度係数を持ち、かつ抗応力特性に優れたものは存在しなかった。従って本発明の目的は、初透磁率の相対温度係数が負であり、かつ、抗応力特性に優れた磁性材料を提供することである。また、本発明の他の目的は、この磁性材料を用いることにより、インダクタンスに関して負の温度係数を持ち、かつインダクタンス公差の小さい樹脂モールド型インダクタを提供することにある。
【0012】
【課題を解決するための手段と作用、効果】
請求項1の磁性材料は、Fe2O3 46.0〜51.0mol%、CuO 0.5〜15.0mol%、残部NiOからなる主成分100重量部に対し、添加物として、酸化ビスマスをBi2O3換算で4.0〜10.0重量部、酸化マグネシウムをMgO換算で1.0〜5.0重量部、酸化シリコンをSiO2換算で2.0〜8.0重量部、酸化コバルトをCoO換算で0.2〜0.5重量部添加してなり、
−20〜20℃および20〜60℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が負である
ことを特徴とする。
【0013】
請求項1の磁性材料は、初透磁率の相対温度係数が負となり、かつ優れた抗応力特性が実現できる。このため、この磁性材料を用いることにより、インダクタンスに関して負の温度係数を持ち、かつインダクタンス公差の小さい樹脂モールド型インダクタが実現できる。
【0014】
ここで、各組成物を前記のような組成とした理由は下記の通りである。主成分の内、Fe2O3が46.0mol%未満であると、焼結体密度が低下する。そして、Fe2O3量が化学量論組成を超えた範囲から、空気中の焼成ではFe3O4の析出により、焼結体密度の低下と、コアとしての比抵抗の低下が始まる。この析出が顕著に見られるのは、Fe2O3が51.0mol%を超える範囲である。
【0015】
また、CuOがO.5mol%未満ではフェライトの焼結性が劣化し、焼結体密度が低下する。一方、15.0mol%を超えるとコアの比抵抗が低下する。
【0016】
また、本発明においては、主成分の残部としてNiOを含有するが、これは諸特性をその他の成分により調整し、残部とするものである。ここで、NiOを含有していなければフェライトの比抵抗が低下する。
【0017】
一方、添加物のうち、酸化ビスマスは粒界に漏れ広がるため、特に抗応力特性が改善される。また、酸化ビスマスの含有量が多くなると、温度特性の改善効果も向上する。酸化ビスマスの組成比が4.0重量部よりも少ないと、抗応力特性の改善効果がほとんどなくなり、初透磁率の温度係数を負とする温度特性も悪化する。一方、酸化ビスマスの組成比が10.0重量部よりも多くなると、特性のばらつきを生じたり、焼結時に焼結体から浸み出して、他のコアと癒着したりセッター等の焼成用具を汚染したりする。
【0018】
また、添加物として酸化マグネシウムを含有させることにより、初透磁率の温度係数を負とする温度特性に改善することができる。酸化マグネシウムの組成比が1.0重量部よりも少ないと、前記温度特性の改善効果が得られない。一方、酸化マグネシウムの組成比が5.0重量部を超えると抗応力特性が悪化する。
【0019】
また、酸化マグネシウムに加えて酸化シリコンを含有させることにより、さらに前記温度特性や抗応力特性が改善され、酸化マグネシウム単独で添加した場合よりも改善効果が著しくなる。酸化シリコンの組成比が2.0重量部よりも少ないと、前記温度特性の改善効果がほとんど得られない。一方、酸化シリコンの組成比が8.0重量部を超えると抗応力特性が悪化する。
【0020】
また、添加物として酸化コバルトを含有させることにより、前記温度特性を改善でき、Q値も向上させることができる。酸化コバルトの組成比が0.2重量部より少ないと、前記温度特性の改善効果がほとんど得られず、Q値も向上しない。一方、酸化コバルトの組成比が0.5重量部を超えると、Q値は向上するものの、温度特性が悪化する。
本発明の磁性材料において、−20〜60℃の範囲内で、20℃以下、以上のそれぞれの範囲で初透磁率の温度係数が負となる組成とすることにより、前記温度範囲内の一部で初透磁率の温度係数が負となることがなく、温度係数が正となる他の電子部品とを組み合わせた回路において、温度による変化が防止される。
【0021】
請求項2の磁性材料は、
Fe 2 O 3 46.0〜51.0mol%、CuO 0.5〜15.0mol%、残部NiOからなる主成分100重量部に対し、添加物として、酸化ビスマスをBi 2 O 3 換算で4.0〜10.0重量部、酸化マグネシウムおよび酸化シリコンをタルクとして3.0〜10.0重量部、酸化コバルトをCoO換算で0.2〜0.5重量部添加してなり、 −20〜20℃および20〜60℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が負であることを特徴とする。
【0022】
請求項2の磁性材料は、酸化マグネシウムと酸化シリコンとをタルクとして同時に加えるものである。タルクとして添加することにより、少量で初透磁率の温度係数を負とする温度特性が得られかつ抗応力特性が改善される。タルクの組成比が3.0重量部より少ないと、温度特性の改善効果がほとんど得られない。一方、タルクの組成比が10.0重量部を超えると抗応力特性が悪化する。
【0025】
請求項3の磁性材料は、請求項1または2において、
50kPaの圧力で加圧したときのインダクタンスの変化率が±5%以内であることを特徴とする。
【0026】
請求項3の磁性材料は、50kPaの圧力で加圧したときのインダクタンスの変化率が±5%以内とすることにより、実用上十分な抗応力特性とすることができる。
【0027】
請求項4のインダクタは、請求項1から3までのいずれかの磁性材料からなるコアを有し、かつ該コアが樹脂モールドされていることを特徴とする。
【0028】
このように、本発明の磁性材料からなるコアを樹脂モールドするインダクタに適用した場合、インダクタンスについて負の温度係数を持ち、抗応力特性が高く、インダクタンス公差の小さい樹脂モールド型インダクタが実現できる。
【0029】
【発明の実施の形態】
本発明による磁性材料は、前記の主成分および添加物からなるものであり、つぎのように製造される。主成分の原料には、酸化鉄α−Fe2O3、酸化ニッケルNiOおよび酸化胴CuOを用いる。添加物としてあげた酸化ビスマス、酸化マグネシウム、酸化シリコン、酸化コバルトは、焼成によってこれらの酸化物となる各種化合物を用いることができるが、好ましくは酸化物、特に組成比算出の説明において挙げた前記各種酸化物を用いることが好ましい。各原料は、最終組成として前記した組成比となるように混合される。
【0030】
次いで混合物を仮焼する。仮焼は通常は空気中で行えばよく、仮焼温度は800〜1100℃、仮焼温度は1〜3時間とすることが好ましい。
【0031】
次に、得られた仮焼物をボールミル等により所定の粒径となるまで粉砕する。仮焼物を粉砕した後、ポリビニルアルコール等の適当なバインダーを適量加えて所定の形状に成形する。
【0032】
次に成形体を焼成する。焼成は通常空気中で行えばよく、焼成温度は900〜1200℃程度で、焼成温度は2〜5時間とすることが好ましい。
【0033】
本発明のフェライトは、所定形状のコアとして加工され、必要な巻線が巻回された後、樹脂モールドされ、固定インダクタ、チップインダクタ等として、テレビ、ビデオテープレコーダ、携帯電話や自動車電話等の移動体通信機器等の各種機器に使用される。コア形状は特に限定されないが、例えば外径、長さが共に2mm以下(例えば1.8mm×1.5mm)のドラム型コア等が挙げられる。
【0034】
モールド材(被覆材)として用いられる樹脂は特に限定されないが、例えば熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂であり、具体的にはポリオレフィン樹脂、ポリアミド樹脂、ポリカーボネート樹脂、ポリウレタン樹脂、フェノール樹脂、尿素樹脂、エポキシ樹脂等が挙げられる。モールド材をモールドする手段としては、ディップ、塗布、吹き付け等を用いることができ、また、射出成形、流し込み成形等を用いてもよい。
【0035】
図1は本発明のフェライトを用いたチップインダクタの構成例を示した一部透視斜視図である。この例のチップインダクタは、本発明のフェライトを用い、両端に径の大きな鍔部を有するドラム型コア1と、このコア1の胴部に巻回された巻線2と、巻線2の端部と外部電気回路とを接続し、かつ、コア1を樹脂(モールド材)内に固定するための端子電極3と、これらの外部を覆うように設けられたモールド材4とを有する。
【0036】
チップインダクタの構成としては、図示例に限定されるものではなく、種々の態様をとることができる。例えばリード線をコアの円筒軸の中心部から軸方向に接続するような構成としてもよい。また、箱形の樹脂ケース内に、コアに巻線、リード線等を設けたコイル素体を挿入し、開口部をモールド材で封止するような構成としてもよい。
【0037】
【実施例】
各主成分原料および添加物原料を表1に示した組成比となるように秤量し、ボールミルにて5時間混合した。なお、表1における各添加物の組成比は主成分100重量部に対するものである。サンプル1〜7は本発明の組成範囲にある実施例であり、サンプル8〜10は本発明の組成範囲外にある比較例である。
【0038】
上述のようにして得られた混合物を空気中において900℃で2時間仮焼した後、ボールミルにて20時間混合、粉砕した。粉砕後の混合物を乾燥し、ポリビニルアルコールを1.0wt%加えた後、100kPaの圧力で加圧成形して、寸法が50mm×10mm×7mmの角形成形体と、外径20mm、内径10mm、高さ5mmのトロイダル状成形体とを得た。これらの成形体を、空気中において、表1に示す温度で2時間焼成して、フェライトからなる角形コアサンプルおよびトロイダルコアサンプルを得た。
【0039】
前記角形コアサンプルの中央部にワイヤを14回巻回した後、これに一定速度で一軸圧縮力を印加し、このときのインダクタンス値を連続的に測定し、得られた測定値からインダクタンス変化率を算出した。表1に、50kPaの一軸圧縮力を印加したときのインダクタンス値変化率ΔL/Lを示す。ここで、Lは加圧前のインダクタンス、ΔLは加圧によるインダクタンスの変化量、すなわち加圧時のインダクタンスから加圧前のインダクタンスを減じた値である。
【0040】
なお、一軸加圧は、アイコーエンジニアリング社製荷重試験機(計測スタンドMODEL1321、計測アンプMODEL1011CREEP、ロードセルMODEL3800)にて行い、インダクタンス値の測定はヒューレットパッカード社製プレシジョンLCRメータ4284Aにて行った。
【0041】
また、トロイダルコアサンプルにワイヤを40回巻回した後、前記LCRメータによりインダクタンス値を測定し、100kHzにおける初透磁率(μi)、−20〜20℃および20〜60℃における相対温度係数αμirを数1により求めた。ただし数1において、T1、T2はそれぞれ透磁率を測定した低温側、高温側温度、μi1、μi2はそれぞれ温度T1、T2における初透磁率である。
【0042】
【数1】
【0043】
また、一部のサンプルについては、ワイヤを3回巻回し、200MHzにおけるQをヒューレットパッカード社製ネットワーク/スペクトラムアナライザ4195Aにて測定し、Q200を求めた。これらの結果を表1に示す。
【0044】
【表1】
【0045】
表1から分かるように、本発明の組成範囲にあるサンプル1〜7においては、−20〜20℃、20〜60℃の温度範囲において、インダクタンスの相対温度係数αμirはいずれも負となる。また、インダクタンス値変化率ΔL/Lは−5.0以下であり、良好な抗応力特性が得られた。一方サンプル8の比較例のように、Bi2O3、MgO、SiO2の組成比が本発明の範囲以下であり、かつ、CoOが無い場合は、インダクタンスの相対温度係数αμirは正となりかつその値が大きい上、インダクタンス値変化率ΔL/Lも非常に大となり、抗応力特性が悪い。また、CoOの組成比が本発明の範囲以上となるサンプル9、10においては、インダクタンスの相対温度係数αμirは正となる。
【0046】
また、上述のように、抗応力特性が良好となり、インダクタンスの圧縮力による変化が少ないことから、樹脂モールドによるインダクタンスの変化が小さくなり、インダクタンス公差の小さいインダクタが得られる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明のインダクタの一実施の形態を示す一部透視斜視図である。
【符号の説明】
1:コア、2:巻線、3:端子電極、4:モールド材
Claims (4)
- Fe2O3 46.0〜51.0mol%、CuO 0.5〜15.0mol%、残部NiOからなる主成分100重量部に対し、添加物として、酸化ビスマスをBi2O3換算で4.0〜10.0重量部、酸化マグネシウムをMgO換算で1.0〜5.0重量部、酸化シリコンをSiO2換算で2.0〜8.0重量部、酸化コバルトをCoO換算で0.2〜0.5重量部添加してなり、
−20〜20℃および20〜60℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が負である
ことを特徴とする磁性材料。 - Fe 2 O 3 46.0〜51.0mol%、CuO 0.5〜15.0mol%、残部NiOからなる主成分100重量部に対し、添加物として、酸化ビスマスをBi 2 O 3 換算で4.0〜10.0重量部、酸化マグネシウムおよび酸化シリコンをタルクとして3.0〜10.0重量部、酸化コバルトをCoO換算で0.2〜0.5重量部添加してなり、
−20〜20℃および20〜60℃の温度範囲における初透磁率の相対温度係数が負である
ことを特徴とする磁性材料。 - 請求項1または2の磁性材料において、
50kPaの圧力で加圧したときのインダクタンスの変化率が±5%以内である
ことを特徴とする磁性材料。 - 請求項1から3までのいずれかの磁性材料からなるコアを有し、かつ該コアが樹脂モールドされている
ことを特徴とするインダクタ。
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