JPH118112A - バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランス - Google Patents
バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランスInfo
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- JPH118112A JPH118112A JP9176323A JP17632397A JPH118112A JP H118112 A JPH118112 A JP H118112A JP 9176323 A JP9176323 A JP 9176323A JP 17632397 A JP17632397 A JP 17632397A JP H118112 A JPH118112 A JP H118112A
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- H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
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- H01F1/342—Oxides
- H01F1/344—Ferrites, e.g. having a cubic spinel structure (X2+O)(Y23+O3), e.g. magnetite Fe3O4
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
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- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/01—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics
- C04B35/26—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on oxide ceramics based on ferrites
- C04B35/2608—Compositions containing one or more ferrites of the group comprising manganese, zinc, nickel, copper or cobalt and one or more ferrites of the group comprising rare earth metals, alkali metals, alkaline earth metals or lead
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ３００ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用できる
高特性のバルントランスを可能とするためのバルントラ
ンス用コア材料とバルントランス用コア、および、３０
０ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用できるバルントランス
を提供する。 【解決手段】 バルントランス用コア材料をＺ型六方晶
型フェライトを含有するものとし、このようなバルント
ランス用コア材料を成形して焼成することによりバルン
トランス用コアとし、このバルントランス用コアに巻き
線を施してバルントランスとする。
高特性のバルントランスを可能とするためのバルントラ
ンス用コア材料とバルントランス用コア、および、３０
０ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用できるバルントランス
を提供する。 【解決手段】 バルントランス用コア材料をＺ型六方晶
型フェライトを含有するものとし、このようなバルント
ランス用コア材料を成形して焼成することによりバルン
トランス用コアとし、このバルントランス用コアに巻き
線を施してバルントランスとする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、バルントランス用
コア材料、これを成形し焼成して得られるバルントラン
ス用コア、および、３００ＭＨｚ以上の周波数帯域で使
用できるバルントランスに関する。
コア材料、これを成形し焼成して得られるバルントラン
ス用コア、および、３００ＭＨｚ以上の周波数帯域で使
用できるバルントランスに関する。
【０００２】
【従来の技術】バルントランス（Balance to Unbalance
transformerの頭文字をとってＢＡＬＵＮと略す）は、
不平衡回路と平衡回路との接続をスムーズに行うための
変換部品であり、各種電子機器、例えば、通信回路内の
アンテナ部等に用いられている。そして、近年の電子機
器の小型化、高周波化に伴い、電子機器の構成部品にお
いてもその対応が不可欠なものとなっており、バルント
ランスも例外ではない。
transformerの頭文字をとってＢＡＬＵＮと略す）は、
不平衡回路と平衡回路との接続をスムーズに行うための
変換部品であり、各種電子機器、例えば、通信回路内の
アンテナ部等に用いられている。そして、近年の電子機
器の小型化、高周波化に伴い、電子機器の構成部品にお
いてもその対応が不可欠なものとなっており、バルント
ランスも例外ではない。
【０００３】バルントランスは、通常、トロイダル状あ
るいはソレノイド状のバルントランス用コアに、金属か
らなる導体線を二重に巻き回して巻線（バイファイラル
巻線）を施した構造となっている。バルントランス用コ
アとしては、高透磁率のバルントランス用コア材料、例
えば、酸化物磁性体であるスピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライトを成形し焼成したものが使用される。スピネ
ル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトは、透磁率と比抵抗が
比較的高く、バルントランス用コア材料に使用される他
に、高周波コイル等の種々の電子部品に非常に多く使用
されている。
るいはソレノイド状のバルントランス用コアに、金属か
らなる導体線を二重に巻き回して巻線（バイファイラル
巻線）を施した構造となっている。バルントランス用コ
アとしては、高透磁率のバルントランス用コア材料、例
えば、酸化物磁性体であるスピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎ
フェライトを成形し焼成したものが使用される。スピネ
ル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトは、透磁率と比抵抗が
比較的高く、バルントランス用コア材料に使用される他
に、高周波コイル等の種々の電子部品に非常に多く使用
されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ｎｉ−
Ｃｕ−Ｚｎフェライトを含むスピネル型フェライトの透
磁率には周波数特性があり、フェライトが共鳴を始める
周波数よりも高い周波数帯域では透磁率が減少してしま
い、バルントランスとしての充分な特性が得られず、バ
ルントランスの高周波化に対応できないという問題があ
った。
Ｃｕ−Ｚｎフェライトを含むスピネル型フェライトの透
磁率には周波数特性があり、フェライトが共鳴を始める
周波数よりも高い周波数帯域では透磁率が減少してしま
い、バルントランスとしての充分な特性が得られず、バ
ルントランスの高周波化に対応できないという問題があ
った。
【０００５】このため、スピネル型フェライトの透磁率
を下げて共鳴の始まる周波数を高周波側に移動させるこ
とにより共鳴損失を低減させ、高周波で使用可能なバル
ントランスとすることが考えられる。しかし、フェライ
トには「スネークの限界線」という理論があり、共鳴の
始まる周波数をこの限界を超えた高周波帯域まで引き上
げることは不可能であり、高周波帯域で良好な特性を示
すバルントランスは未だ実現されていない。
を下げて共鳴の始まる周波数を高周波側に移動させるこ
とにより共鳴損失を低減させ、高周波で使用可能なバル
ントランスとすることが考えられる。しかし、フェライ
トには「スネークの限界線」という理論があり、共鳴の
始まる周波数をこの限界を超えた高周波帯域まで引き上
げることは不可能であり、高周波帯域で良好な特性を示
すバルントランスは未だ実現されていない。
【０００６】本発明は、上記のような実情に鑑みてなさ
れたものであり、３００ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用
できる高特性のバルントランスを可能とするためのバル
ントランス用コア材料とバルントランス用コア、およ
び、３００ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用できるバルン
トランスを提供することを目的とする。
れたものであり、３００ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用
できる高特性のバルントランスを可能とするためのバル
ントランス用コア材料とバルントランス用コア、およ
び、３００ＭＨｚ以上の高周波帯域で使用できるバルン
トランスを提供することを目的とする。
【０００７】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のバルントランス用コア材料は、Ｚ型
六方晶型フェライトを含有するような構成とした。
るために、本発明のバルントランス用コア材料は、Ｚ型
六方晶型フェライトを含有するような構成とした。
【０００８】また、本発明のバルントランス用コア材料
は、前記Ｚ型六方晶型フェライトが構成金属原子として
Ｆｅ、ＢａおよびＣｏを含有するような構成、さらに、
前記Ｚ型六方晶型フェライトが構成金属原子としてＳｒ
を含有するような構成とした。
は、前記Ｚ型六方晶型フェライトが構成金属原子として
Ｆｅ、ＢａおよびＣｏを含有するような構成、さらに、
前記Ｚ型六方晶型フェライトが構成金属原子としてＳｒ
を含有するような構成とした。
【０００９】また、本発明のバルントランス用コア材料
は、前記Ｚ型六方晶型フェライトに加えてＰｂおよびＳ
ｉを含有するような構成とした。
は、前記Ｚ型六方晶型フェライトに加えてＰｂおよびＳ
ｉを含有するような構成とした。
【００１０】本発明のバルントランス用コアは、成形し
たフェライトの焼成体からなるバルントランス用コアで
あって、フェライトが上記のいずれかのバルントランス
用コア材料であるような構成とした。
たフェライトの焼成体からなるバルントランス用コアで
あって、フェライトが上記のいずれかのバルントランス
用コア材料であるような構成とした。
【００１１】本発明のバルントランスは、高透磁率のバ
ルントランス用コアに巻線を施してなるバルントランス
であって、バルントランス用コアが上記のバルントラン
ス用コアであるような構成とした。
ルントランス用コアに巻線を施してなるバルントランス
であって、バルントランス用コアが上記のバルントラン
ス用コアであるような構成とした。
【００１２】
【発明の実施の形態】バルントランス用コア材料 本発明のバルントランス用コア材料は、Ｚ型六方晶型フ
ェライトを含有することを特徴としている。Ｆｅ2 Ｏ3
−ＢａＯ−ＭＯ（ここにＭはＣｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｇ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｓｒ等の２価金属原子より選択され
る少なくとも１種）３元系の六方晶型フェライトには、
Ｚ型の他にＭ型、Ｘ型、Ｙ型、Ｗ型等があり、これらの
群を総称してフェロクスプレーナ(ferroxplana) と呼ば
れている。
ェライトを含有することを特徴としている。Ｆｅ2 Ｏ3
−ＢａＯ−ＭＯ（ここにＭはＣｏ，Ｎｉ，Ｚｎ，Ｍｇ，
Ｍｎ，Ｆｅ，Ｃｕ，Ｓｒ等の２価金属原子より選択され
る少なくとも１種）３元系の六方晶型フェライトには、
Ｚ型の他にＭ型、Ｘ型、Ｙ型、Ｗ型等があり、これらの
群を総称してフェロクスプレーナ(ferroxplana) と呼ば
れている。
【００１３】本発明で用いるＺ型六方晶型フェライト
は、構成金属原子としてＦｅ、ＢａおよびＣｏを含有す
ることが好ましく、この場合、構成成分Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｂ
ａＯ、ＣｏＯの割合は下記の範囲で定めることができ
る。
は、構成金属原子としてＦｅ、ＢａおよびＣｏを含有す
ることが好ましく、この場合、構成成分Ｆｅ2 Ｏ3 、Ｂ
ａＯ、ＣｏＯの割合は下記の範囲で定めることができ
る。
【００１４】 Ｆｅ2 Ｏ3 ： ６０〜８０モル％ ＢａＯ ： １０〜３０モル％ ＣｏＯ ： ５〜２０モル％ また、本発明で用いるＺ型六方晶型フェライトは、構成
金属原子として更にＳｒを含有することが好ましく、こ
の場合、構成成分Ｆｅ2 Ｏ3 、ＢａＯ、ＣｏＯ、ＳｒＯ
の割合は下記の範囲で定めることができる。
金属原子として更にＳｒを含有することが好ましく、こ
の場合、構成成分Ｆｅ2 Ｏ3 、ＢａＯ、ＣｏＯ、ＳｒＯ
の割合は下記の範囲で定めることができる。
【００１５】 Ｆｅ2 Ｏ3 ： ６０〜８０モル％ ＢａＯ ： １０〜３０モル％ ＣｏＯ ： ５〜２０モル％ ＳｒＯ ： ０．５〜２０モル％ 上記のようなＺ型六方晶型フェライトは、Ｘ線回折（Ｘ
ＲＤ）によりその構造を確認することができる。
ＲＤ）によりその構造を確認することができる。
【００１６】バルントランス用コア材料におけるＺ型六
方晶型フェライトの含有量は６０〜１００重量％の範囲
であり、Ｚ型六方晶型フェライトの含有量が６０重量％
未満であると、高い周波数帯域において透磁率が減少し
てしまい好ましくない。
方晶型フェライトの含有量は６０〜１００重量％の範囲
であり、Ｚ型六方晶型フェライトの含有量が６０重量％
未満であると、高い周波数帯域において透磁率が減少し
てしまい好ましくない。
【００１７】また、本発明のバルントランス用コア材料
は、ＰｂＯ、ＳｉＯ2 等の１種または２種以上を０．０
１〜１０重量％の範囲で含有してもよく、特にＰｂおよ
びＳｉを含有することが好ましい。この場合、Ｚ型六方
晶型フェライトの構成成分の配合時にＰｂＯやＳｉＯ2
等を加えてもよく、あるいは、Ｚ型六方晶型フェライト
の構成成分を配合し仮焼成して粉砕した後にＰｂＯとＳ
ｉＯ2 を加えてもよい。さらに、Ｐｂ−Ｓｉ系ガラスを
添加しても同様の効果が得られる。バルントランス用コア 本発明のバルントランス用コアは、上述の本発明のバル
ントランス用コア材料（仮焼成して粉砕したもの）とバ
インダーとを混合し、所定の形状に成形した後、高温で
本焼成したものである。
は、ＰｂＯ、ＳｉＯ2 等の１種または２種以上を０．０
１〜１０重量％の範囲で含有してもよく、特にＰｂおよ
びＳｉを含有することが好ましい。この場合、Ｚ型六方
晶型フェライトの構成成分の配合時にＰｂＯやＳｉＯ2
等を加えてもよく、あるいは、Ｚ型六方晶型フェライト
の構成成分を配合し仮焼成して粉砕した後にＰｂＯとＳ
ｉＯ2 を加えてもよい。さらに、Ｐｂ−Ｓｉ系ガラスを
添加しても同様の効果が得られる。バルントランス用コア 本発明のバルントランス用コアは、上述の本発明のバル
ントランス用コア材料（仮焼成して粉砕したもの）とバ
インダーとを混合し、所定の形状に成形した後、高温で
本焼成したものである。
【００１８】上記のバインダーとしては、ポリビニルア
ルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール（ＰＥ
Ｇ）等の有機化合物、または、水を用いることができ
る。さらに、ＰＶＡとＰＥＧを混合したもの、ＰＶＡの
重合度の異なるものを２種以上混合したものを用いるこ
とができる。このようなバインダーとバルントランス用
コア材料の混合割合は、例えば、バルントランス用コア
材料バインダー１００重量部に対してバインダーが１〜
１５重量部となるような範囲で設定することができる。
尚、バインダーは、カルボン酸系およびスルホン酸系等
の分散剤の１種以上を０〜２．０重量％の範囲で含有す
るものでもよい。
ルコール（ＰＶＡ）、ポリエチレングリコール（ＰＥ
Ｇ）等の有機化合物、または、水を用いることができ
る。さらに、ＰＶＡとＰＥＧを混合したもの、ＰＶＡの
重合度の異なるものを２種以上混合したものを用いるこ
とができる。このようなバインダーとバルントランス用
コア材料の混合割合は、例えば、バルントランス用コア
材料バインダー１００重量部に対してバインダーが１〜
１５重量部となるような範囲で設定することができる。
尚、バインダーは、カルボン酸系およびスルホン酸系等
の分散剤の１種以上を０〜２．０重量％の範囲で含有す
るものでもよい。
【００１９】バルントランス用コアの形状は、トロイダ
ル形状、ソレノイド形状、メガネ形状等の従来のバルン
トランス用コア形状と同様であってよい。
ル形状、ソレノイド形状、メガネ形状等の従来のバルン
トランス用コア形状と同様であってよい。
【００２０】本発明のバルントランス用コアの透磁率
（６〜１５程度）と比抵抗（１０6 Ω・ｃｍ以上）は、
スピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトを用いた従来の
バルントランス用コアと同程度であり、バルントランス
用コアとして優れた特性を備えるものである。バルント
ランス用コアの比抵抗が低い場合（１０4 Ω・ｃｍ以
下）、コアと巻線間、および、コアの電極間の絶縁が保
てなくなり好ましくない。 バルントランス 本発明のバルントランスは、上述の本発明のバルントラ
ンス用コアに金属からなる導体線を二重に巻き回して巻
線（バイファイラル巻線）を施した構造となっている。
（６〜１５程度）と比抵抗（１０6 Ω・ｃｍ以上）は、
スピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトを用いた従来の
バルントランス用コアと同程度であり、バルントランス
用コアとして優れた特性を備えるものである。バルント
ランス用コアの比抵抗が低い場合（１０4 Ω・ｃｍ以
下）、コアと巻線間、および、コアの電極間の絶縁が保
てなくなり好ましくない。 バルントランス 本発明のバルントランスは、上述の本発明のバルントラ
ンス用コアに金属からなる導体線を二重に巻き回して巻
線（バイファイラル巻線）を施した構造となっている。
【００２１】本発明のバルントランスの実施形態を図１
〜図３に示す。図１に示される本発明のバルントランス
１は、トロイダル形状の本発明のバルントランス用コア
２にペア線３を巻き回して巻線を施したものであり、図
２に示される本発明のバルントランス１１は、トロイダ
ル形状の本発明のバルントランス用コア１２に同軸線１
３を巻き回して巻線を施したものである。さらに、図３
に示される本発明のバルントランス２１は、貫通孔２２
ａ，２２ｂを備えたメガネ形状の本発明のバルントラン
ス用コア２２に同軸線２３を図示のように配設して巻線
を施したものである。
〜図３に示す。図１に示される本発明のバルントランス
１は、トロイダル形状の本発明のバルントランス用コア
２にペア線３を巻き回して巻線を施したものであり、図
２に示される本発明のバルントランス１１は、トロイダ
ル形状の本発明のバルントランス用コア１２に同軸線１
３を巻き回して巻線を施したものである。さらに、図３
に示される本発明のバルントランス２１は、貫通孔２２
ａ，２２ｂを備えたメガネ形状の本発明のバルントラン
ス用コア２２に同軸線２３を図示のように配設して巻線
を施したものである。
【００２２】本発明のバルントランスにおける巻線数
は、バルントランスの使用目的、バルントランス用コア
の形状、使用する導体線等に応じて適宜設定することが
でき、例えば、１〜３ターン程度とすることができる。
は、バルントランスの使用目的、バルントランス用コア
の形状、使用する導体線等に応じて適宜設定することが
でき、例えば、１〜３ターン程度とすることができる。
【００２３】
【実施例】次に、実施例を挙げて本発明を更に詳細に説
明する。
明する。
【００２４】Ｚ型六方晶型フェライトの構成成分として
Ｆｅ2 Ｏ3 、ＢａＣＯ3 、ＳｒＣＯ3 、Ｃｏ3 Ｏ4 を下
記の表１に示す割合で秤量し、これに微量添加物として
ＰｂＯ、ＳｉＯ2 を下記の表１に示す割合で添加し、得
られた混合物（７種）をボールミルにて湿式配合した。
下記表１には、ＢａＣＯ3 をＢａＯに、ＳｒＣＯ3 をＳ
ｒＯに、Ｃｏ3 Ｏ4 をＣｏＯに換算して表示してある。
尚、使用した原料は上記のものに限定されるものではな
く、含まれる金属元素が同様である他の化合物を使用し
て、混合物中の金属元素の割合が表１に示した原料を用
いた場合と同様となるようにしてもよい。
Ｆｅ2 Ｏ3 、ＢａＣＯ3 、ＳｒＣＯ3 、Ｃｏ3 Ｏ4 を下
記の表１に示す割合で秤量し、これに微量添加物として
ＰｂＯ、ＳｉＯ2 を下記の表１に示す割合で添加し、得
られた混合物（７種）をボールミルにて湿式配合した。
下記表１には、ＢａＣＯ3 をＢａＯに、ＳｒＣＯ3 をＳ
ｒＯに、Ｃｏ3 Ｏ4 をＣｏＯに換算して表示してある。
尚、使用した原料は上記のものに限定されるものではな
く、含まれる金属元素が同様である他の化合物を使用し
て、混合物中の金属元素の割合が表１に示した原料を用
いた場合と同様となるようにしてもよい。
【００２５】次に、ボールミルで混合した材料を１２０
０℃の温度で空気雰囲気中で２時間仮焼成し、その後、
湿式粉砕してバルントランス用コア材料（試料１〜７）
を得た。得られたバルントランス用コア材料の結晶構造
をＸ線回折（ＸＲＤ）により測定した結果、Ｚ型六方晶
型フェライトを含有することが確認された。
０℃の温度で空気雰囲気中で２時間仮焼成し、その後、
湿式粉砕してバルントランス用コア材料（試料１〜７）
を得た。得られたバルントランス用コア材料の結晶構造
をＸ線回折（ＸＲＤ）により測定した結果、Ｚ型六方晶
型フェライトを含有することが確認された。
【００２６】上述のようにして得たバルントランス用コ
ア材料（試料１〜７）を用いて下記組成のペーストを調
製し、このペーストを用いてトロイダル形状と図４に示
されるように３つのブロック体３３ａ，３３ａ，３３ｂ
を２つのブロック体３４で連結したようなＥ型形状のバ
ルントランス用コア３２、および、ディスク形状の試験
片を成形（成形圧１ｔ／ｃｍ2 ）し、下記表１に示され
る温度で空気雰囲気中で２時間本焼成した。
ア材料（試料１〜７）を用いて下記組成のペーストを調
製し、このペーストを用いてトロイダル形状と図４に示
されるように３つのブロック体３３ａ，３３ａ，３３ｂ
を２つのブロック体３４で連結したようなＥ型形状のバ
ルントランス用コア３２、および、ディスク形状の試験
片を成形（成形圧１ｔ／ｃｍ2 ）し、下記表１に示され
る温度で空気雰囲気中で２時間本焼成した。
【００２７】 ペースト組成 ・バルントランス用コア材料 … ９０重量部 ・バインダー … １０重量部 ＰＶＡ（クラレ（株）製ＰＶＡ１２４）６％水溶液
【００２８】
【表１】 また、比較として、ＮｉＯ，ＣｕＯ，ＺｎＯ，Ｆｅ2 Ｏ
3 を酸化物換算組成（モル％）で４２ＮｉＯ・４ＣｕＯ
・６ＺｎＯ・４８Ｆｅ2 Ｏ3 となるように秤量し、ボー
ルミルにて湿式配合した後、９００℃の温度で空気雰囲
気中で２時間仮焼成し、その後、ボールミルにて湿式粉
砕してスピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトからなる
バルントランス用コア材料とし、このバルントランス用
コア材料を用いて上記と同様にペーストを調製し、トロ
イダル形状、Ｅ型形状のバルントランス用コア（比較試
料）と、ディスク形状の試験片（比較試料）を作製し
た。
3 を酸化物換算組成（モル％）で４２ＮｉＯ・４ＣｕＯ
・６ＺｎＯ・４８Ｆｅ2 Ｏ3 となるように秤量し、ボー
ルミルにて湿式配合した後、９００℃の温度で空気雰囲
気中で２時間仮焼成し、その後、ボールミルにて湿式粉
砕してスピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚｎフェライトからなる
バルントランス用コア材料とし、このバルントランス用
コア材料を用いて上記と同様にペーストを調製し、トロ
イダル形状、Ｅ型形状のバルントランス用コア（比較試
料）と、ディスク形状の試験片（比較試料）を作製し
た。
【００２９】次に、各バルントランス用コア（試料１〜
７、比較試料）について、下記の測定方法により初透磁
率、比抵抗を測定して下記の表２に示した。
７、比較試料）について、下記の測定方法により初透磁
率、比抵抗を測定して下記の表２に示した。
【００３０】初透磁率の測定方法 トロイダル形状のバルントランス用コアにペア線を巻き
回して巻線を施し、JIS C 2561に示されるインダクタン
ス法によりＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製
ＨＰ４２７５）を用いて測定する。
回して巻線を施し、JIS C 2561に示されるインダクタン
ス法によりＬＣＲメータ（ヒューレットパッカード社製
ＨＰ４２７５）を用いて測定する。
【００３１】比抵抗の測定方法 ディスク形状の試験片の端面にＩｎ−Ｇａ電極を設け、
絶縁抵抗計（東亜電波工業（株）製 SUPER MEG OHM ME
TER SM-5E ）にて絶縁抵抗を測定し、試料の外形寸法か
ら比抵抗を算出する。
絶縁抵抗計（東亜電波工業（株）製 SUPER MEG OHM ME
TER SM-5E ）にて絶縁抵抗を測定し、試料の外形寸法か
ら比抵抗を算出する。
【００３２】
【表２】 表２に示されるように、本発明のバルントランス用コア
（試料１〜７）は、その初透磁率が６〜１５、比抵抗が
１０6 Ω・ｃｍ以上であり、スピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎフェライトを使用した比較試料と何ら遜色がないこと
が確認された。
（試料１〜７）は、その初透磁率が６〜１５、比抵抗が
１０6 Ω・ｃｍ以上であり、スピネル型Ｎｉ−Ｃｕ−Ｚ
ｎフェライトを使用した比較試料と何ら遜色がないこと
が確認された。
【００３３】次に、試料１、試料５および比較試料のＥ
型形状バルントランス用コア３２のブロック体３４にペ
ア線を巻き回して巻線（１ターン）を施しバルントラン
スとし、作製したバルントランスについて、図５に示さ
れる測定回路でネットワークアナライザ（ヒューレット
パッカード社製 ＨＰ−８７５３）にて挿入損失を測定
し、結果を図６に示した。尚、図５に示される測定回路
は、測定精度を高めるために作製したバルントランスを
２個直列に接続しているので、図６に示される挿入損失
は２倍の値となっている。したがって、図６において挿
入損失が−３ｄＢの場合、バルントランス１個の挿入損
失は−１．５ｄＢとなり、挿入損失が０ｄＢに近いほど
バルントランスの特性は優れたものとなる。
型形状バルントランス用コア３２のブロック体３４にペ
ア線を巻き回して巻線（１ターン）を施しバルントラン
スとし、作製したバルントランスについて、図５に示さ
れる測定回路でネットワークアナライザ（ヒューレット
パッカード社製 ＨＰ−８７５３）にて挿入損失を測定
し、結果を図６に示した。尚、図５に示される測定回路
は、測定精度を高めるために作製したバルントランスを
２個直列に接続しているので、図６に示される挿入損失
は２倍の値となっている。したがって、図６において挿
入損失が−３ｄＢの場合、バルントランス１個の挿入損
失は−１．５ｄＢとなり、挿入損失が０ｄＢに近いほど
バルントランスの特性は優れたものとなる。
【００３４】図６に示されるように、−５ｄＢ以上の挿
入損失が得られる周波数帯域は、本発明のバルントラン
ス試料１では２００ＭＨｚ〜１．２ＧＨｚ、バルントラ
ンス試料５では３００ＭＨｚ〜１．９ＧＨｚであり、ま
た、−２ｄＢ以上の挿入損失が得られる周波数帯域は、
本発明のバルントランス試料１では４００ＭＨｚ〜８７
０ＭＨｚ、バルントランス試料５では５９０ＭＨｚ〜
１．３ＧＨｚであり、比較試料のバルントランスに比べ
て高周波帯域での挿入損失が大幅に少なく、３００ＭＨ
ｚ以上の高周波帯域での使用が可能であることが確認さ
れた。
入損失が得られる周波数帯域は、本発明のバルントラン
ス試料１では２００ＭＨｚ〜１．２ＧＨｚ、バルントラ
ンス試料５では３００ＭＨｚ〜１．９ＧＨｚであり、ま
た、−２ｄＢ以上の挿入損失が得られる周波数帯域は、
本発明のバルントランス試料１では４００ＭＨｚ〜８７
０ＭＨｚ、バルントランス試料５では５９０ＭＨｚ〜
１．３ＧＨｚであり、比較試料のバルントランスに比べ
て高周波帯域での挿入損失が大幅に少なく、３００ＭＨ
ｚ以上の高周波帯域での使用が可能であることが確認さ
れた。
【００３５】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればバ
ルントランス用コア材料が含有するＺ型六方晶型フェラ
イトは、面内異方性を有し透磁率が高いとともに、共鳴
周波数がスネークの限界線を超えて高いので透磁率の周
波数特性が極めて良好あり、このバルントランス用コア
材料を成形し焼成したバルントランス用コアは、初透磁
率と比抵抗が高く、このようなバルントランス用コアに
巻線を施したバルントランスは、従来のスピネル型フェ
ライトを用いたバルントランスに遜色のない高特性を備
えるとともに、従来のバルントランスでは特性の低下が
生じる３００ＭＨｚ以上の高周波帯域での使用が可能で
あるとともに、その小型高特性化によるチップ化への可
能性を開くものである。
ルントランス用コア材料が含有するＺ型六方晶型フェラ
イトは、面内異方性を有し透磁率が高いとともに、共鳴
周波数がスネークの限界線を超えて高いので透磁率の周
波数特性が極めて良好あり、このバルントランス用コア
材料を成形し焼成したバルントランス用コアは、初透磁
率と比抵抗が高く、このようなバルントランス用コアに
巻線を施したバルントランスは、従来のスピネル型フェ
ライトを用いたバルントランスに遜色のない高特性を備
えるとともに、従来のバルントランスでは特性の低下が
生じる３００ＭＨｚ以上の高周波帯域での使用が可能で
あるとともに、その小型高特性化によるチップ化への可
能性を開くものである。
【図１】本発明のバルントランスの一例を示す平面図で
ある。
ある。
【図２】本発明のバルントランスの他の例を示す平面図
である。
である。
【図３】本発明のバルントランスの他の例を示す斜視図
である。
である。
【図４】実施例のバルントランスコアの形状を示す斜視
図である。
図である。
【図５】実施例での挿入損失の測定回路を示す図であ
る。
る。
【図６】バルントランスの挿入損失の測定結果を示す図
である。
である。
１，１１，２１…バルントランス ２，１２，２２，３２…バルントランス用コア ３…ペア線（導体線） １３，２３…同軸線（導体線）
Claims (6)
- 【請求項１】 Ｚ型六方晶型フェライトを含有すること
を特徴とするバルントランス用コア材料。 - 【請求項２】 前記Ｚ型六方晶型フェライトは構成金属
原子としてＦｅ、ＢａおよびＣｏを含有することを特徴
とする請求項１に記載のバルントランス用コア材料。 - 【請求項３】 前記Ｚ型六方晶型フェライトは構成金属
原子としてＳｒを含有することを特徴とする請求項２に
記載のバルントランス用コア材料。 - 【請求項４】 前記Ｚ型六方晶型フェライトに加えてＰ
ｂおよびＳｉを含有することを特徴とする請求項１乃至
請求項３のいずれかに記載のバルントランス用コア材
料。 - 【請求項５】 成形したフェライトの焼成体からなるバ
ルントランス用コアにおいて、前記フェライトが請求項
１乃至請求項４のいずれかに記載のバルントランス用コ
ア材料であることを特徴とするバルントランス用コア。 - 【請求項６】 高透磁率のバルントランス用コアに巻線
を施してなるバルントランスにおいて、前記バルントラ
ンス用コアが請求項５に記載のバルントランス用コアで
あることを特徴とするバルントランス。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9176323A JPH118112A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランス |
| US09/094,468 US6033593A (en) | 1997-06-17 | 1998-06-10 | BALUN transformer core material, BALUN transformer core and BALUN transformer |
| US09/480,160 US6217790B1 (en) | 1997-06-17 | 2000-01-10 | BALUN transformer core material, BALUN transformer core and BALUN transformer |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9176323A JPH118112A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランス |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH118112A true JPH118112A (ja) | 1999-01-12 |
Family
ID=16011585
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9176323A Pending JPH118112A (ja) | 1997-06-17 | 1997-06-17 | バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランス |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (2) | US6033593A (ja) |
| JP (1) | JPH118112A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1096513A2 (en) * | 1999-10-27 | 2001-05-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite magnetic material and inductor element |
| JP2002252109A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Tdk Corp | 磁性フェライト材料および積層型フェライト部品 |
| KR100501200B1 (ko) * | 2003-12-03 | 2005-07-18 | 삼성전기주식회사 | 바룬트랜스 |
| CN106920655A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-07-04 | 重庆祥龙电气股份有限公司 | 一种交错式防雷变压器 |
Families Citing this family (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH118112A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Tdk Corp | バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランス |
| KR100349003B1 (ko) * | 1999-03-09 | 2002-08-17 | 티디케이가부시기가이샤 | 연자성 페라이트 분말의 제조방법 및 적층 칩인덕터의제조방법 |
| JP3726017B2 (ja) * | 2000-10-31 | 2005-12-14 | Ｔｄｋ株式会社 | 磁性材料およびインダクタ |
| TW587257B (en) * | 2001-04-09 | 2004-05-11 | Toda Kogyo Corp | Soft-magnetic hexagonal ferrite composite particles, and green sheet using the same and soft-magnetic hexagonal ferrite sintered ceramics |
| US6750752B2 (en) | 2002-11-05 | 2004-06-15 | Werlatone, Inc. | High power wideband balun and power combiner/divider incorporating such a balun |
| JP5182087B2 (ja) * | 2006-03-29 | 2013-04-10 | 日立金属株式会社 | コイル部品およびその製造方法 |
| US7936171B2 (en) * | 2007-11-21 | 2011-05-03 | Brandeis University | Baluns, a fine balance and impedance adjustment module, a multi-layer transmission line, and transmission line NMR probes using same |
| DE102011078549B4 (de) * | 2011-07-01 | 2014-10-23 | Siemens Aktiengesellschaft | Breitbandiger Balun |
| US10209328B2 (en) | 2016-05-27 | 2019-02-19 | General Electric Company | Systems and methods for common mode traps in MRI systems |
| US10379181B2 (en) * | 2016-05-27 | 2019-08-13 | General Electric Company | Systems and methods for common mode traps in MRI systems |
Family Cites Families (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL88282C (ja) * | 1955-08-10 | 1958-05-16 | ||
| US3100852A (en) * | 1956-07-28 | 1963-08-13 | Philips Corp | Variable reluctance magnetic circuit |
| JPS59216151A (ja) * | 1983-05-24 | 1984-12-06 | Hitachi Metals Ltd | 電子写真用フエライトキヤリアの現像方法 |
| JPS61208913A (ja) * | 1985-03-13 | 1986-09-17 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バランコイル |
| JPS6290911A (ja) * | 1985-10-17 | 1987-04-25 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | バランコイル |
| JP2794311B2 (ja) * | 1989-11-21 | 1998-09-03 | ティーディーケイ株式会社 | インピーダンス素子 |
| US5593612A (en) * | 1990-11-30 | 1997-01-14 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | U, W, X, Y and Z-type ferrites |
| JPH09110432A (ja) * | 1995-10-12 | 1997-04-28 | Tdk Corp | Ｚ型六方晶系酸化物磁性材料 |
| US5954992A (en) * | 1996-07-26 | 1999-09-21 | Tdk Corporation | Hexagonal Z type magnetic oxide sintered material, method for making and impedance device |
| JPH118112A (ja) * | 1997-06-17 | 1999-01-12 | Tdk Corp | バルントランス用コア材料、バルントランス用コアおよびバルントランス |
-
1997
- 1997-06-17 JP JP9176323A patent/JPH118112A/ja active Pending
-
1998
- 1998-06-10 US US09/094,468 patent/US6033593A/en not_active Expired - Fee Related
-
2000
- 2000-01-10 US US09/480,160 patent/US6217790B1/en not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP1096513A2 (en) * | 1999-10-27 | 2001-05-02 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite magnetic material and inductor element |
| EP1096513A3 (en) * | 1999-10-27 | 2002-01-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Composite magnetic material and inductor element |
| JP2002252109A (ja) * | 2001-02-23 | 2002-09-06 | Tdk Corp | 磁性フェライト材料および積層型フェライト部品 |
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| CN106920655A (zh) * | 2017-04-18 | 2017-07-04 | 重庆祥龙电气股份有限公司 | 一种交错式防雷变压器 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US6217790B1 (en) | 2001-04-17 |
| US6033593A (en) | 2000-03-07 |
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