JPWO2013115064A1 - 磁性体材料およびそれを用いて形成したコアを備える巻線型コイル部品 - Google Patents

磁性体材料およびそれを用いて形成したコアを備える巻線型コイル部品 Download PDF

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Abstract

高周波帯域におけるQが高く、例えば、VHF−H帯などで用いられるインダクタのコアの構成材料などとして好適に使用することが可能なフェライト系の磁性体材料およびそれを用いて形成したコアを備える巻線型コイル部品を提供する。Ni,Cu,ZnおよびFeを含むNiCuZn系フェライト材料を主成分とし、Si、Li、E(Eは、Ba,SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも1種)を含むガラスを、NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、6.0〜20.0重量部含有させるとともに、Coを、NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、Co3O4に換算して0.3〜0.7重量部含有させる。さらに、Snを、NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、SnO2に換算して0.1〜2.5重量部含有させる。

Description

本発明は、磁性体材料および巻線型コイル部品に関し、詳しくは、インダクタのコアなどの用途に用いられるフェライト系の磁性体材料およびそれを用いて形成したコアを備える巻線型コイル部品に関する。
近年、電子機器の高周波化にともない、その構成部品についても高周波化への対応が求められている。
このような構成部品の中で、インダクタなどのコイル部品においても高周波化への対応の必要性が強まっている。そして、高周波化への対応性に優れたインダクタのコア用材料として、高周波数領域で透磁率μ’(実部)が低下しない磁性体材料が望まれている。
そのような磁性体材料として、主成分としてFe23,NiO,CuOおよびZnOを含み、かつ副成分としてBi23を含む、NiCuZn系フェライトを含み、かつ、SiO2−EO−A2O系ガラス(Eは、Ba,Sr,CaおよびMgから選ばれる少なくとも1種。Aは、Li、NaおよびKから選ばれる少なくとも1種)を、フェライト100重量部に対して、1.5〜3.0重量部含むとともに、コバルト酸化物を、フェライト100重量部に対して、Co34に換算して0.1〜0.7重量部含む磁性体が提案されている(特許文献1)。
そして、この特許文献1によれば、巻線型コイル部品を構成するフェライトコアに用いるのに適した高周波特性の優れた磁性体が得られるとされている。
しかしながら、特許文献1の磁性体の場合、巻線型コイル部品のコアとして用いると、得られる巻線型コイル部品のQのピーク周波数が100〜150MHzであり、VHF−H帯(170〜250MHz)で使用する際にコイルのQが低下して損失が増大するという問題点がある。
また、特許文献1の組成では、ガラスの添加量を、主成分であるNiCuZn系フェライト100重量部に対して4重量部にまで増加すると、比抵抗が低下して、Qが低下するという問題点がある。
特開2007−273725号公報
本発明は、上記課題を解決するものであり、比抵抗が高く、100MHzを超えるような高周波帯域におけるQが高く、例えば、VHF−H帯などで用いられるインダクタのコアの構成材料などとして好適に使用することが可能なフェライト系の磁性体材料およびそれを用いて形成したコアを備える巻線型コイル部品を提供することを目的とする。
上記課題を解決するため、本発明の磁性体材料は、
Ni,Cu,ZnおよびFeを含むNiCuZn系フェライト材料を主成分とし、
Si、Li、E(Eは、Ba,SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも1種)を含むガラスを、前記NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、6.0〜20.0重量部の割合で含有するとともに、
Coを、前記NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、Co34に換算して0.3〜0.7重量部の割合で含有すること
を特徴としている。
本発明の磁性体材料においては、さらに、Snを、前記NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、SnO2に換算して0.1〜2.5重量部の割合で含有していることが望ましい。
Snを、NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、SnO2に換算して0.1〜2.5重量部の割合で含有させることにより、本発明の磁性体材料を巻線型コイル部品のコアとして用いた場合に、コアに加わる応力によるインダクタンス(L)の変化率を低下させることができる。したがって、本発明の磁性体材料をコア部材として用いることにより、携帯電話のように外的衝撃を受けやすい部品においても安定して使用することが可能な巻線型コイル部品を実現することが可能になる。
また、本発明の巻線型コイル部品は、上記本発明の磁性体材料を用いて形成したコアと、前記コアに巻回されたコイル用巻線とを具備することを特徴としている。
本発明の磁性体材料は、Ni,Cu,ZnおよびFeを含むNiCuZn系フェライト材料を主成分とし、Si、Li、E(Eは、Ba,SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも1種)を含むガラスを、前記NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、6.0〜20.0重量部の割合で含有するとともに、Coを、前記NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、Co34に換算して0.3〜0.7重量部の割合で含有しているので、比抵抗が高く、高周波帯域で高いQを有し、かつ、透磁率の温度変化率の低い磁性体材料を提供することが可能になる。
また、本発明の巻線型コイル部品は、上記本発明の磁性体材料を用いて形成したコアと、前記コアに巻回されたコイル用巻線とを具備しているので、高周波帯域で高いQを有する、特性の良好な巻線型コイル部品を提供することが可能になる。
本発明の実施例にかかる巻線型コイル部品の構成を示す図であり、(a)は正面図、(b)は側面図である。 本発明の実施例において作製した、本発明の要件を満たさない比較用の磁性体材料についてのX線回折結果を示す図である。 本発明の実施例において作製した、本発明の要件を満たす磁性体材料についてのX線回折結果を示す図である。 磁性体材料へのガラス添加量とQの関係を示すグラフである。 磁性体材料のμ’(実部)とμ”(虚部)の周波数特性を示すグラフである。 巻線型コイル部品のQの周波数特性を示すグラフである。
以下に本発明の実施の形態を示して、本発明の特徴とするところをさらに詳しく説明する。
本発明の磁性体材料は、上述の課題を解決することができるように、種々の実験、検討を行い、以下の実施例の結果なども勘案してなされたものであり、
(1)透磁率μ’が200MHzで3以上、
(2)磁性体材料のQが200MHzで40以上、
(3)透磁率μ’の温度変化率が1000ppm/℃以下、
(4)比抵抗logρvが7Ω・cm以上
の特性を実現することができるように、その要件を定めたものである。
まず、200MHzで3以上の透磁率μ’が確保できるようにしたのは、透磁率μ’が3未満になると、本発明の磁性体材料を使用することによるインダクタンスLの増加割合が2倍未満となり、磁性体のQ値が無限大であるアルミナコアとの差別化が図れなくなることによる。
また、磁性体材料のQとして、200MHzで40以上のQが確保できるようにしたのは、磁性体材料のQが200MHzで40未満になると、コイルの損失が増加して、コイルのQピーク周波数が200MHz以下となり、VHF−H帯で使用することができなくなることによる。
また、透磁率μ’の温度変化率が、1000ppm/℃以下になるようにしたのは、LC共振回路のコンデンサの温度補償係数が最大でも750ppm/℃であり、透磁率の温度変化率が1000ppm/℃以上になると温度補償できなくなることによる。
また、比抵抗logρvが7Ω・cm以上になるようにしたのは、比抵抗logρvが7Ω・cmを下回ると、巻線型コイル部品や磁性体材料のQが低下し、望ましくないことによる。
本発明の磁性体材料は、Ni,Cu,ZnおよびFeを含むNiCuZn系フェライト材料を主成分とし、Si、Li、E(Eは、Ba,SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも1種)を含むガラスを、前記NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、6.0〜20.0重量部の割合で含有するとともに、Coを、前記NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、Co34に換算して0.3〜0.7重量部の割合で含有する磁性体材料である。
すなわち、本発明の磁性体材料は、
NiCuZn系フェライト材料:100重量部
ガラス成分 :6〜20重量部
Co :0.3〜0.7重量部(Co34換算)
を含むものであり、ガラス成分は、上述のアルカリ土類金属酸化物−アルカリ金属酸化物系ガラスである。
ただし、ガラス成分はBi,Bを含まないものであることが望ましい。これは、Biを含有すると透磁率μ’の温度変化率が大きくなってしまうこと、またBを含有するとバインダーと反応を起こし、ゲル化してしまうことによる。
本発明の磁性体材料は、Qピーク周波数が200MHz以上の巻線型コイル部品のコア(巻線コア)に好適に用いることができるものである。
また、本発明の磁性体材料は、添加成分として、さらに、Snを、NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、SnO2に換算して0.1〜2.5重量部の割合で含有させることが可能である。Snを含有させることにより、巻線型コイル部品のコアとして用いた場合に、コアに加わる応力によるインダクタンス(L)の変化率を低下させることができる。
また、本発明の磁性体材料においては、さらにMnを、NiCuZn系フェライト材料100重量部に対してMn34に換算して0.05〜1.0重量部の割合で含有させることができる。
Mnを含有させることにより、比抵抗が向上し、さらにQを高めることが可能になる。
本発明の磁性体材料は、上述のような組成を有していることから、材料のQが向上する。ただし、Qは、透磁率μ’(実部)、μ”(虚部)の比(Q=μ’/μ”)である。
本発明の磁性体材料においては、上記ガラス成分の添加量が4重量部に達するまでは比抵抗が減少するが、6重量部以上になると比抵抗が増加する。そして、この比抵抗の増加により、高周波における渦電流損失が減少してμ”が低下することにより、Qが増加する。
なお、比抵抗が増加するのは、ガラス成分をNiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、6〜20重量部の割合で含有させることにより、ガラス結晶相が析出するためであると考えられる。
また、CoをCo34に換算して0.3〜0.7重量部の範囲で含有させることにより、スネークの限界線が少し高周波側にシフトし、高周波のQが増加することが確認されている。
また、本発明の磁性体材料を巻線型コイル部品のコアに用いることにより、コイルのQピーク周波数が100〜140MHzから200〜300MHzに増加し、200MHzのコイルのQが増加することが確認されている。
また、本発明の磁性体材料は、上述のような組成を有していることから、透磁率μ’の温度変化率を−40〜85℃で1000ppm/℃以下に安定させることができる。
その結果、外気温の変化の影響を抑制することが可能になり、温度補償用コンデンサやサーミスタと組み合わせることで、携帯電話などの電気製品に対して好適に使用することができる。
これは、配合したガラスの熱膨張係数が13ppm/℃と、フェライト材の熱膨張係数10ppm/℃より大きいため、低温ではフェライト粒子に引張応力が加わって透磁率μ’が増加し、高温ではフェライト粒子に圧縮応力が加わって透磁率μ’が減少することによるものと考えられる。これにより、Co添加量の増加による透磁率μ’の温度変化率の増加を抑制することが可能になる。
ただし、Biを、主成分であるNiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、Bi23に換算して0.2重量部以上含有している場合、この作用が弱まり、透磁率μ’の温度変化率が大きくなる傾向があるため、好ましくない。
なお、本発明の磁性体材料においては、主成分であるNiCuZnフェライトの組成は、Fe、Ni、Zn、およびCuを、それぞれFe23、NiO、ZnO、CuOに換算して
Fe23 : 44〜47mol%
NiO : 30〜50mol%
ZnO : 0〜3mol%
CuO : 残部
とすることが好ましい。
主成分であるNiCuZnフェライトの組成を、上記の範囲とすることにより、VHF−H帯でのQを高めることができる。
また、ガラス成分については、Si、Li、E(Eは、Ba,SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも1種)を含むガラスを用い、それぞれSiO2、EO、Li2Oに換算して、SiO2を40〜80重量%、EOを10〜40重量%、Li2Oを10〜30重量%の範囲とすることが好ましい。
主成分であるNiCuZnフェライトに配合するガラス成分の組成をこのような範囲とすることで、NiCuZnフェライトの焼成工程において焼結性を高めることが可能になるとともに、高周波でのQを高めることができる。
また、ガラス成分は、Al、TiなどをAl23,TiO2に換算して10重量%未満の範囲で含んでいてもよい。
まず、Fe23,NiO,CuO,およびZnOの酸化物原料粉末を準備した。そして、これらの酸化物原料粉末を、
Fe23=46mol%、
NiO =44mol%、
CuO =8mol%、
ZnO =2mol%
となるように秤量し、ビーズミルにて、湿式で混合・粉砕を行った後、スプレー乾燥機で乾燥・造粒した。それから、造粒体を大気中にて、600〜900℃で仮焼することにより仮焼粉を得た。
また、ガラス成分として、BaOが20重量%、Li2Oが20重量%、SiO2が60重量%の組成のガラス粉末を準備した。
また、Co原料として、Co34を準備した。
それから、上述のようにして作製した仮焼粉に、表1に示すような配合比となるように、上記ガラス粉末およびCo34を添加し、さらにバインダーとして所定量のPVA(ポリビニルアルコール)を添加した。それから、アトライターで湿式混合・粉砕を行った後、スプレー乾燥機で乾燥・造粒して、造粒粉末を作製した。
次に、得られた造粒粉末に、湿潤剤として所定量のステアリン酸マグネシウムを添加した後、プレス成型機で所定の形状に成型し、800〜1000℃の温度で、大気中2〜5時間焼成することにより、試料(磁性体材料)を得た。
なお、この実施例では、試料として、
(a)焼成後のサイズが、外径:10mm、内径:6mm、厚み:2mmのリング形状の試料、
(b)焼成後のサイズが、外径:10mm、厚み:1mmの円板形状の試料、および、
(c)図1に示すような長さL=1.0mm、幅W=0.5mm、高さT=0.5mmの巻線型コイル部品用のコア(フェライトコア)
の3種類の試料を作製した。
なお、酸化鉄(Fe23)原料中には、Mn不純物が通常0.1〜1.0重量%程度含まれており、このMnが0.05重量%以下になるように精製した酸化鉄原料は高価である。そのため、本実施例では経済性が損なわれないように、Mnが0.05〜0.5重量%含まれる酸化鉄(Fe23)原料を用いた。
[リング状の試料を用いた特性測定]
作製したリング状の試料について、軟銅線を3ターン巻回し、アジレント・テクノロジー社製のインピーダンスアナライザ(型番E4991A)を用いて透磁率μ’(実部)、μ”(虚部)の測定を行った。また、各試料の透磁率μ’(実部)、μ”(虚部)の値からQの値(Q=μ’/μ”)を求めた。
また、試料を恒温槽に設置し、恒温槽内の温度を変化させて、−40℃〜85℃でのμ’を測定し、下記の式(1)から20℃基準のμ’の変化率(αμ)求めた。
αμ=(μ’t−μ’20)/μ’20/(t−20)×106(ppm/℃)……(1)
ただし、μ’tはt℃におけるμ’の値であり、μ’20は20℃におけるμ’の値である。
[円板状の試料を用いた比抵抗logρv(Ω・cm)の測定]
次に、円板状の試料に対向電極を形成し、これら電極間に直流電圧50Vを印加して絶縁抵抗(IR)を測定し、この測定値と試料寸法から比抵抗logρv(Ω・cm)を求めた。
[フェライトコアの特性測定]
また、作製した巻線型コイル部品用のコア1(図1)について、鍔部2a,2bの底部にAgペーストを塗付して焼付け処理を行って下地層を形成した後、Ni電解めっきおよびSn電解めっき処理を行い、下地層の上にNiめっき膜、Snめっき膜を順次形成することにより、外部電極6a,6bを作製した。
次に、コア1の巻芯部1aに、コイル用巻線(軟銅線)4を15ターン巻回した。そして、コイル用巻線4の両端を外部電極6a,6bにそれぞれ熱圧着によって接続し、図1に示すような巻線型コイル部品を作製した。
得られた巻線型コイル部品について、前述のインピーダンスアナライザ(型番E4991A)を用いて、インピーダンスZを測定し、インピーダンスの虚数成分と実数成分の比からコイルのQの値(Q=インピーダンスの虚数成分/インピーダンスの実数成分)を求めた。
そして、10MHz〜500MHzの周波数領域でのQを求め、Qが最も高くなったときの周波数をQピーク周波数とした。
また、フェライトコア(焼結体)を乳鉢で粉砕し、X線回折を行った。
表1に、各試料の組成、200MHzでのμ’、Q値(=μ’/μ”)、およびμ’の温度変化率(αμ)、比抵抗logρv、巻線型コイル部品のQが最大となる周波数(コイルのQピーク周波数)を示す。
なお、表1において試料番号に*を付した試料は、本発明の要件を備えていない比較用の試料である。
Figure 2013115064
また、図2に試料番号1の試料(本発明の要件を満たさない試料)についてのX線回折を結果を示し、図3に試料番号5の試料((本発明の要件を満たす試料)のX線回折の結果を示す。
[特性の評価]
(1)試料番号2〜9の試料の、ガラス成分の含有量と、比抵抗およびQ(磁性体材料のQ)の関係を図4に示す。
ガラス成分の含有量が主成分であるNiCuZn系フェライト100重量部に対して2重量部(試料番号2)から4重量部(試料番号3)に増加すると、従来の磁性体材料(特許文献1)の場合と同様に比抵抗が低下して、磁性体材料のQも低下することがわかった。
しかし、ガラス量をさらに増やして、6〜25重量部(試料番号4〜9)とすると、比抵抗とQが増加することが確認された。この結果、コイルのQピーク周波数も増加することが分かった。
本発明の要件を満たさない試料番号1の試料についてのX線回折の結果を示す図2、本発明の要件を満たす試料番号5の試料についてのX線回折結果を示す図3より、いずれもNiFe24のスピネル相が主相であるが、試料番号1(図2)ではスピネル相以外にCuO相が認められたのに対し、試料番号5(図3)では、NiFe24相と、ガラス成分に起因するLi2SiO4結晶相が認められ、CuO相は認められなかった。この結果から、ガラス成分の含有量を6重量部以上とし、ガラス成分に由来するLi2SiO4結晶相を析出させることで、比抵抗logρvが増加し、磁気特性のQ(磁性体材料のQ)も増加したものと考えられる。
(2)また、試料番号1と試料番号5の試料(磁性体材料)のμ’およびμ”の周波数特性を図5に示す。
試料番号1の試料は本発明の要件を満たさない磁性体材料であり、周波数100MHz以上でμ”が急激に増加した。
一方、ガラス成分の含有量を8重量部に増加した、本発明の要件を満たす試料番号5の試料(磁性体材料)の場合、μ’は減少したが、μ”の増加を抑制することができた。その結果、例えば、200MHzでのQを120と高くすることができた。
(3)また、試料番号1と試料番号5の磁性体材料を用いて作製した巻線型コイル部品について求めたQ(コイルのQ)の測定結果を図6に示す。
図6から、試料番号1の磁性体材料を用いた巻線型コイル部品の場合、100MHz付近のQは高いが、100MHzを超えると、コイルのQが急激に低下してしまうことが確認された。
これに対し、試料番号5の磁性体材料を用いて作製した巻線型コイル部品の場合、VHF−H帯でのコイルのQを高めることができた。
なお、表1に示すように、試料番号1の試料はCo34の含有量が0.2重量部、ガラス成分の含有量が2.0重量部と、本発明の範囲外の組成である。Co34の含有量、およびガラス成分の含有量が本発明の範囲を下回っているので、高周波、例えば200MHzでのQが4と低く、その結果、コイルのQがピークとなる周波数(コイルのQピーク周波数)も110MHzと低く、VHF−H帯で使用するには十分ではないことが確認された。
また、試料番号2の試料は、試料番号1の試料に比べて、Co34の含有量を0.5 重量部に増加させているが、本発明の要件(ガラス成分の含有量:6.0〜20.0重量部)を満たさない試料である。この試料番号2の試料の場合、Co34の含有量の増加により、200MHzでのQは増加するが、ガラス添加量が2.0重量部と少ないため、μ’の温度変化率(αμ)が大きくなり1000ppm/℃を超えることが確認された。
また、試料番号3の試料は、ガラス成分の含有量が4.0重量部と試料番号1および2のガラス成分の含有量2重量部より多いものの、本発明の要件(ガラス成分の含有量:6.0〜20.0重量部)を満たさない試料であり、比抵抗logρvが6Ω・cmと低く、その結果、磁性体材料のQも20と低いことが確認された。
一方、試料番号3の試料の場合、透磁率μ’の温度変化率(αμ)は、試料番号2の試料に比べて改善されているが、これはガラス成分の含有量が増加したことによる効果である。
また、試料番号9の試料は、ガラス添加量が25.0重量部と本発明の範囲を超えた試料で、透磁率μ’が2.9と低く、好ましくないことが確認された。
また、試料番号10は、Co34の含有量(添加量)が0.2重量部と本発明の要件(0.3〜0.7重量部)を満たさない試料であり、200MHzでの磁性体材料のQが20と低く、その結果、コイルのQピーク周波数も120MHzと低く、VHF−H帯で使用するには十分な特性が得られないことが確認された。
また、試料番号13は、Co34の含有量(添加量)が0.8重量部と本発明の要件(0.3〜0.7重量部)を満たさない試料であり、透磁率μ’が低く、また、透磁率μ’の温度変化率(αμ)も1000ppm/℃を超えており、好ましくないことが確認された。
これに対し、ガラス成分の含有量が6.0〜20.0重量部、Co含有量がCo34に換算して0.3〜0.7重量部の範囲とした、試料番号4,5,6,7,8,11および12の試料(本発明の要件を満たす試料)の場合、200MHzでの透磁率μ’が3.8以上、Qが60以上、透磁率μ’の温度変化率(αμ)が800ppm/℃以下、比抵抗logρvが8Ω・cm以上、コイルのQピーク周波数が200MHz以上と、望ましい特性を備えた磁性体材料(フェライト材料)が得られることが確認された。
Fe23,NiO,CuO,ZnO,およびSnO2の酸化物原料粉末を準備し、
Fe23=46mol%、
NiO =44mol%、
CuO =8mol%、
ZnO =2mol%、
となるように秤量した。
これに、さらに、SnO2が表2に示すような割合、すなわち、上記のFe23=46mol%、NiO=44mol%、CuO=8mol%、ZnO=2mol%を含むNiCuZn系フェライト原料(主成分原料)100重量部に対して、SnO2が0.0重量部、0.1重量部、0.5重量部、2.5重量部となるような割合で秤量し、ビーズミルにて、湿式で混合・粉砕を行った後、スプレー乾燥機で乾燥・造粒した。
それから、造粒体を大気中にて、600〜900℃で仮焼することにより仮焼粉を得た。
また、上記実施例1の場合と同様に、BaOが20重量%、Li2Oが20重量%、SiO2が60重量%の組成のガラス粉末を準備した。
また、Co原料として、実施例1と同じく、Co34粉末を準備した。
それから、上述のようにして作製した仮焼粉に、表2に示すような配合比となるように、ガラス粉末およびCo34を添加し、さらにバインダーとして所定量のPVA(ポリビニルアルコール)を添加して、アトライターで湿式混合粉砕を行った後、スプレー乾燥機で乾燥・造粒し、造粒粉末を作製した。
次に、得られた造粒粉末に、実施例1の場合と同様に、湿潤剤として所定量のステアリン酸マグネシウムを添加した後、プレス成型機で所定の形状に成型し、800〜1000℃の温度で、大気中2〜5時間焼成することにより、試料(磁性体材料)を得た。
なお、試料としては、実施例1の場合と同じサイズの、
(a)リング形状の試料、
(b)円板形状の試料、および、
(c)巻線型コイル部品用のコア(フェライトコア)
の3種類の試料を作製した。
また、巻線型コイル部品用のコアを用いて、実施例1と同じ構成の巻線型コイル部品を作製した。
そして、作製した各試料を用いて、透磁率μ’(実部)、μ”(虚部)、20℃基準のμ’の変化率(αμ)、比抵抗logρv、巻線型コイル部品のQピーク周波数を測定した。特性の測定方法は、実施例1の場合と同様である。
また、巻線型コイル部品については、基板にはんだ付けにより実装し、高さ2mの距離から落下させ、インダクタンスLの変化率を測定した。なお、インダクタンスLの測定は、インピーダンスアナライザ(アジレント・テクノロジー社製E4991A)により行った。
特性の測定結果を表2に併せて示す。
Figure 2013115064
SnO2を添加していない、表2の試料番号21の試料の場合、高さ2mの距離から落下させた場合の、落下の前後のインダクタンスLの変化率は2.0%であった。
これに対し、SnO2をNiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、0.1重量部(試料番号22)、0.5重量部(試料番号23)、および2.5重量部(試料番号24)添加した試料の場合、高さ2mの距離から落下させた場合の、落下の前後のインダクタンスLの変化率は、0.5%(試料番号22)、0.4%(試料番号23)、および0.3%(試料番号24)に低下することが確認された。
したがって、使用の態様から、落下衝撃を避けることが事実上困難である携帯電話器などの電子機器に搭載する巻線型コイル部品のコアに用いられる磁性体材料としては、例えば、試料番号22〜24の試料のように、SnをSnO2に換算して0.1〜2.5重量部の範囲で添加した磁性体材料を用いることにより、落下試験によるインダクタンスLの変化率が0.5%以下の巻線型コイル部品を提供することが可能になり、好ましい。
なお、本発明は、上記実施例に限定されるものではなく、磁性体材料の製造に用いられる原料粉末の種類、製造工程における仮焼工程やその後の焼成工程における具体的な条件、本発明の磁性体材料を巻線型コイル部品のコアとして用いる場合における巻線型コイル部品の具体的な構造などに関し、発明の範囲内において、種々の応用、変形を加えることが可能である。
1 コア
1a コアの巻芯部
2a、2b 鍔部
4 コイル用巻線(軟銅線)
6a,6b 外部電極

Claims (3)

  1. Ni,Cu,ZnおよびFeを含むNiCuZn系フェライト材料を主成分とし、
    Si、Li、E(Eは、Ba,SrおよびCaからなる群より選ばれる少なくとも1種)を含むガラスを、前記NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、6.0〜20.0重量部の割合で含有するとともに、
    Coを、前記NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、Co34に換算して0.3〜0.7重量部の割合で含有すること
    を特徴とする磁性体材料。
  2. さらに、Snを、前記NiCuZn系フェライト材料100重量部に対して、SnO2に換算して0.1〜2.5重量部の割合で含有することを特徴とする請求項1記載の磁性体材料。
  3. 請求項1または2記載の磁性体材料を用いた形成したコアと、
    前記コアに巻回されたコイル用巻線と
    を具備することを特徴とする巻線型コイル部品。
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