JP2000260615A

JP2000260615A - セラミックス系複合材料及びその製造方法

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Publication number: JP2000260615A
Application number: JP11063968A
Authority: JP
Inventors: Fumio Uchikoba; 文男内木場
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1999-03-10
Filing date: 1999-03-10
Publication date: 2000-09-22

Abstract

(57)【要約】【課題】特にＧＨｚ領域のノイズ成分を減衰しうる電
子部品材料として好適な、低温焼結性と十分な体積固有
抵抗を有するセラミックス系複合材料を提供する。【解決手段】（Ａ）一般式Ｂａ₃Ｍ₂Ｆｅ₂₄Ｏ₄₁ （ＭはＣｏ、Ｎｉ又はＺｎ）で表わされる六方晶型フェ
ライトからなる磁性セラミックス６０〜７０重量％と、
（Ｂ）ＳｒＯ２０〜３０モル％を含むＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ
₃、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢ₂Ｏ₃を成分とする結
晶化ガラス４０〜３０重量％とからなるセラミックス系
複合材料であり、上記組成と割合の六方晶型フェライト
粉体とガラス粉体との焼成用材料を、８５０〜９２０℃
で１〜３時間焼成することにより製造する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、セラミックス系複
合材料及びその製造方法に関し、さらに詳しくは、電子
部品材料、特にＧＨｚ領域のノイズ成分を減衰しうる電
子部品材料として好適な、磁性セラミックスと結晶化ガ
ラスとからなるセラミックス系複合材料及びこのものを
効率よく製造する方法に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】近年、電子機器の分野においては、素子
の搭載密度が過密になる傾向があり、その結果素子間の
相互干渉やノイズの輻射の問題が顕在化してきた。とこ
ろで、ノイズは使用する信号の高調波であるため、ノイ
ズを抑制するには、この高調波を抑制するのが有効であ
る。このようなものとしてフェライト磁性材料を用いた
ビーズがあるが、これはフェライトの高周波における吸
収作用を利用したもので、信号領域ではほとんど減衰が
なく、高調波領域でのみ吸収を起すことによってノイズ
の減衰効果を奏している。

【０００３】他方、回路のある領域を金属板で遮蔽し
て、相互干渉を防止することも知られている。これは、
高調波のようなノイズ成分を他の回路ブロックから遮断
して、それへの悪影響を及ぼさないようにするものであ
る。さらに、ＬＣ共振回路によってローパスフィルター
を形成させ、それから先の段階にノイズ成分が伝播する
のを防止することも行われている。しかしながら、共振
回路によって伝播を防止されたノイズ成分は、抑制され
るわけではなく、反射されて元に戻ることになるので、
場合によっては、回路に発振などの悪影響を与える。こ
れらのノイズ抑制方法の中で、最も好ましいものは、不
要なノイズ成分を吸収させる方法すなわちフェライトビ
ーズを用いる方法である。

【０００４】図１は、コイル状内部電極構造を有するフ
ェライトチップビーズの１例の斜視図であって、このチ
ップビーズは、９００℃程度で焼結可能なセラミックス
磁性体と、銀内部導体を組み合わせ、これを同時焼成す
ることによって、セラミックス焼結体１，１′内部にコ
イル状銀導体２が設けられた構造となっている。このよ
うな構造にすることにより、損失に係わる線路長を長く
しうると共に、インピーダンスを大きくすることがで
き、材料における損失を効率よく利用することができる
ので、結果として素子形状を小型化しうるという利点を
有している。

【０００５】しかしながら、このような目的で用いられ
るフェライトは、一般にスピネル型フェライトであっ
て、ほとんどのものが、ＮｉＣｕＺｎＦｅ₂Ｏ₄の組成を
有しており、このようなスピネル型フェライトにおいて
は、周波数と複素透磁率との間にいわゆるスネークの限
界線が存在し、２ＧＨｚ以上では磁性が消失し、ノイズ
抑制効果が十分に発揮されないので、これよりも高い周
波数領域では、一般に金属で遮蔽するか、あるいはロー
パスフィルターを用いている。

【０００６】一方、使用周波数帯域の高周波化において
は、コンピュータのＣＰＵに顕著に見られるように、Ｉ
Ｃのクロック周波数が最近高くなってきており、現在で
は４００ＭＨｚのものまでが登場するようになってき
た。このような高いクロック周波数においては、その高
調波ノイズは、ＧＨｚ領域に対応する。また、携帯電話
などに見られるように、ＧＨｚ領域においても信号とし
ての使用がごく一般的になってきている。このような状
況下では、ＧＨｚでのノイズ除去の重要性が一段と増し
てきている。

【０００７】このようなスピネル型フェライトの周波数
限界を超えた高い周波数領域で使用可能なものとして、
六方晶型フェライトが知られている。この六方晶型フェ
ライトを用いたビーズとして、例えば以下に示すものが
開示されている（特開平３−１６１９１０号公報）。図
２は、六方晶型フェライトを用いたチップビーズの１例
の斜視図であって、このチップビーズは、フェライト焼
結体１，１′に貫通孔を設け、これに銀導体２を焼き付
けた構造を有し、信号が素子を通過する際に、ノイズ成
分を抑制する。この六方晶型フェライトにおいても、前
記スピネル型フェライトの場合と同様に、焼結体内部
に、前記図１に示すような巻回構造の銀導体を形成でき
れば、素子の小型化が可能となる。

【０００８】しかしながら、六方晶型フェライトの標準
的な焼成温度は１２５０℃程度であり、銀の融点を超え
るために、同時焼成が困難である。一方、六方晶型フェ
ライトの低温焼成化も試みられているが（特開平９−１
６７７０３号公報）、六方晶型フェライトの体積固有抵
抗は１０⁵Ω・ｃｍ程度であるので、この材料を用いた
チップ部品においては、端部電極を形成し、その部位に
電解めっきを施した場合、端子間ショートなどの不都合
を生じることが十分に考えられるが、この材料は固有抵
抗についてなんら考慮されていない。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】本発明は、このような
事情のもとで、六方晶型フェライトのもつＧＨｚ領域で
の磁性損失能を利用しうると共に、９００℃程度の焼結
温度と十分な体積固有抵抗を有し、銀内部導体用粉体と
同時焼成してコイル状導体を内部にもつフェライトビー
ズの形成が可能であって、ＧＨｚ領域のノイズ成分を減
衰しうる電子部品材料として好適なセラミックス系複合
材料を提供することを目的としてなされたものである。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明者は、前記の好ま
しい性質をもつセラミックス系複合材料を開発すべく鋭
意研究を重ね、先に六方晶型フェライトとＳｒＯの含有
量がある範囲にある特定の組成のガラスを、所定の割合
で配合し、焼成することにより、所望のセラミックス系
複合材料が得られることを見出した。本発明者は、さら
に研究を進めた結果、上記材料において、六方晶型フェ
ライトの含有量をより多くした磁性セラミックスと結晶
化ガラスとからなるセラミックス系複合材料が、機能的
により優れていること、そして、この複合材料は、六方
晶型フェライト粉体と特定の組成のガラス粉体とを所定
の割合で含有する混合物を、特定の条件で焼成し、ガラ
ス成分を結晶化させることにより、容易に得られること
を見出し、この知見に基づいて本発明を完成するに至っ
た。

【００１１】すなわち、本発明は、（Ａ）一般式Ｂａ₃Ｍ₂Ｆｅ₂₄Ｏ₄₁ （Ｉ）（ただしＭはＣｏ、Ｎｉ及びＺｎの中から選ばれた少な
くとも１種の二価金属である）で表わされる金属酸化物
を主成分とする六方晶型フェライトからなる磁性セラミ
ックス６０〜７０重量％と、（Ｂ）ＳｉＯ₂、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢ₂Ｏ₃を成分とし、
かつＳｒＯの含有量が２０〜３０モル％の範囲にある結
晶化ガラス４０〜３０重量％とからなるセラミックス系
複合材料を提供するものである。また、上記セラミック
ス系複合材料は、本発明に従えば、（ａ）前記一般式
（Ｉ）で表わされる金属酸化物を主成分とする六方晶型
フェライト粉体６０〜７０重量％と、（ｂ）ＳｉＯ₂、
Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢ₂Ｏ₃を成分と
し、かつＳｒＯの含有量が２０〜３０モル％の範囲にあ
るガラス粉体４０〜３０重量％との焼成用材料を、８５
０〜９２０℃の範囲の温度において、１〜３時間焼成
し、ガラス成分を結晶化させることにより、製造するこ
とができる。

【００１２】

【発明の実施の形態】本発明のセラミックス系複合材料
は、（Ａ）磁性セラミックスと（Ｂ）結晶化ガラスとか
らなるものであって、（Ａ）成分の磁性セラミックスと
しては、一般式Ｂａ₃Ｍ₂Ｆｅ₂₄Ｏ₄₁ （Ｉ）（式中のＭは前記と同じ意味をもつ）で表わされる金属
酸化物を主成分とする六方晶型フェライトが用いられ
る。すなわち、この六方晶型フェライトは、Ｂａ₃Ｃｏ₂
Ｆｅ₂₄Ｏ₄₁の中のＣｏの一部又は全部がＮｉ又はＺｎあ
るいはその両方で置換された組成をもつものである。

【００１３】一方、（Ｂ）成分の結晶化ガラスは、Ｓｉ
Ｏ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢ₂Ｏ₃を
成分とし、ＳｒＯの含有量が２０〜３０モル％の範囲に
あることが必要である。このＳｒＯは、機械的強度を向
上させるために配合される成分であり、一般にチップ部
品においては、抗折強度試験における機械的強度として
１７００ｋｇ／ｃｍ²以上を必要とするが、ＳｒＯの含
有量が２０モル％未満では、このような機械的強度を得
ることができない。しかしながら、ＳｒＯを３０モル％
よりも多く含有させると、結晶性が著しく低下し、空孔
が多く発生する。機械的強度、結晶性及び空孔発生の抑
制などを考慮すると、このＳｒＯの含有量は、２５〜２
８モル％の範囲が好ましい。

【００１４】他方、このガラスにおけるＳｒＯ以外の成
分の含有量については、特に制限はなく、通常のガラス
の場合と同じ範囲内で選ぶことができる。通常のガラス
において、ＳｉＯ₂は５５〜７０モル％、Ａｌ₂Ｏ₃は３
〜１０モル％、ＣａＯは２〜８モル％、ＭｇＯは１〜５
モル％、Ｂ₂Ｏ₃は１〜５モル％の範囲内で選ばれる。

【００１５】本発明のセラミックス系複合材料において
は、前記（Ａ）成分の六方晶型フェライトからなる磁性
セラミックスと（Ｂ）成分の結晶化ガラスとの含有割合
は、ＧＨｚ領域での磁性の大きさ、低温焼結性及び体積
固有抵抗のバランスの面から、（Ａ）成分が６０〜７０
重量％で、（Ｂ）成分が４０〜３０重量％の範囲にある
ことが必要である。（Ａ）成分の含有量が６０重量％未
満では、ＧＨｚ領域での磁性が小さくなり、ノイズの吸
収が悪くなるし、７０重量％を超えると低温焼結性が低
下すると共に、体積固有抵抗が低くなり、本発明の目的
が達せられない。性能バランスの点から、特に（Ａ）成
分が６０〜６５重量％で、（Ｂ）成分が４０〜３５重量
％の範囲が好適である。

【００１６】本発明のセラミックス系複合材料は、通常
六方晶型フェライトが、結晶化ガラスマトリックス中に
分散した状態を示すが、場合により六方晶型フェライト
とガラスとは一部固溶体を形成することがある。また、
本発明のセラミックス系複合材料は、通常下記の物性を
有している。すなわち、５ＧＨｚでの複素透磁率におい
て、実数項（μ′）及び虚数項（μ″）がそれぞれ２．
３以上及び１．３以上であり、十分な磁性損失を示すと
共に、比抵抗が１×１０¹⁰Ω・ｃｍ以上、抗折強度が１
７００ｋｇｆ／ｃｍ²以上及び相対密度が９０％以上で
ある。

【００１７】このような性状を有する本発明のセラミッ
クス系複合材料は、以下に示す本発明方法により、効率
よく製造することができる。本発明方法においては、ま
ず、（ａ）前記一般式（Ｉ）で表わされる金属酸化物を
主成分とする六方晶型フェライト粉体６０〜７０重量
％、好ましくは６０〜６５重量％と、（ｂ）ＳｉＯ₂、
Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢ₂Ｏ₃を成分と
し、かつＳｒＯの含有量が２０〜３０モル％、好ましく
は２５〜２８モル％の範囲にあるガラス粉体４０〜３０
重量％、好ましくは４０〜３５重量％との焼成用材料を
調製する。

【００１８】前記（ａ）成分の六方晶型フェライト粉体
は、例えばＢａＯ、ＭＯ（Ｍは前記と同じ意味をもつ）
及びＦｅ₂Ｏ₃を、それぞれ所定の組成比になるように混
合して粉砕し、１０００〜１３００℃程度で焼成したの
ち、焼成物を粗粉砕し、さらに水中で微粉砕することに
よって得ることができる。一方、（ｂ）成分のガラス粉
体は、例えばＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｒＯ、ＣａＣＯ₃、
ＭｇＯ及びＢ₂Ｏ₃を所定の割合で混合し、１２００〜１
５００℃程度で焼成したのち、粗粉砕し、さらに水中で
微粉砕することによって得ることができる。

【００１９】焼成用材料は、例えば前記（ａ）成分の粉
体と（ｂ）成分の粉体とをそれぞれ所定の割合で用い、
ボールミルなどで十分に湿式混合したのち、乾燥処理
し、次いでポリビニルアルコールなどのバインダーを加
え、顆粒状とすることにより調製することができる。次
に、このようにして得られた焼成用材料を所望形状に成
形したのち、これを８５０〜９２０℃の温度において焼
成を行う。この焼成温度が８５０℃未満では結晶化が十
分に進行せず、空孔の発生が多くなるし、９２０℃を超
えると焼結体において一度結晶化した相が別の結晶相へ
と変化し、やはり空孔の発生が増加する。

【００２０】また、焼成時間は１〜３時間の範囲で選ば
れる。この範囲の焼成時間で結晶化とち密化を十分に達
成することができる。焼成時間が１時間未満ではガラス
成分が十分に結晶化せず、ガラス質と結晶質との間に多
数の空孔が発生するし、３時間を超えると一度結晶化し
た相が、さらに別の相に変化することによって、やはり
焼結体内部に多数の空孔が発生する。

【００２１】このようにして、良好な機械的強度、ち密
性及び体積固有抵抗を有すると共に、９００℃程度の低
温焼結が可能であり、かつＧＨｚ領域のノイズ成分を減
衰しうる磁性セラミックスと結晶化ガラスとからなるセ
ラミックス系複合材料が効率よく得られる。

【００２２】

【実施例】次に実施例により、本発明をさらに詳細に説
明するが、本発明は、これらの例によってなんら限定さ
れるものではない。なお、各例中の物性値は次の方法に
よって測定した。

【００２３】（１）複素透磁率；１ＧＨｚ以下の周波数
領域においては、インピーダンスアナライザー（ヒュー
レット・アンド・パッカード社製、製品記号ＨＰ４２９
１Ａ）とジグ（ヒューレット・アンド・パッカード社
製、製品記号ＨＰ１６４５４Ａ）とを組み合わせて、ト
ロイダル試料について測定し、１ＧＨｚ以上の周波数領
域については、エアラインジグにトロイダル試料を装着
し、ネットワークアナライザー（ヒューレット・アンド
・パッカード社製、製品記号ＨＰ８７２０Ｃ）とソフト
ウエア（ヒューレット・アンド・パッカード社製、製品
記号ＨＰ８５０７１Ａ）とを用いて測定した。（２）比抵抗；一辺５ｍｍ、厚さ０．５ｍｍの角板状試
料の両面に、真空蒸着によって銀電極を形成し、超絶縁
抵抗計（ヒューレット・アンド・パッカード社製、製品
記号４３３９Ａ）を用いて測定した。（３）抗折強度；試料について、抗折強度試験機を用い
て測定した。（４）焼結密度；計算により求めた理論密度に対するア
ルキメデス法により求めた実測値の百分比として示し
た。

【００２４】参考例１所定の組成比になるように、ＢａＯ、ＣｏＯ、Ｆｅ₂Ｏ₃
を秤量し、ボールミルを用いて水中で１６時間混合粉砕
した。次いで、乾燥メッシュパスを行ったのち、１２０
０℃で２時間焼成した。得られた焼結体を再び水中で１
６時間粉砕し、乾燥、メッシュパスを行って六方晶型フ
ェライト粉体を得た。Ｘ線回折によって、この粉体の結
晶相を調べたところ、主相はＺ相であり、このほかにＹ
相、Ｗ相が確認された。この粉体の比表面積は約３ｍ²
／ｇであった。

【００２５】参考例２ＳｉＯ₂ ４７〜６７モル％、Ａｌ₂Ｏ₃ ８モル％、Ｓｒ
Ｏ３５〜１５モル％、ＣａＣＯ₃ ４モル％、ＭｇＯ３
モル％及びＢ₂Ｏ₃ ３モル％を全量１００モル％になる
ように秤量し、乳鉢を用いて混合摩砕した。次いでこの
ようにして得た粉体混合物をアルミナるつぼに移し、１
４００℃まで加熱したのち、室温でキャストした。この
ようにして得たガラスを粗粉砕し、さらに水中で微粉砕
し、比表面積約２ｍ²／ｇのガラス粉体を得た。

【００２６】実施例１〜９参考例１で得た六方晶型フェライト粉体と、参考例２で
得た表１に示すＳｒＯ含有量のガラス粉体とを、表１に
示すフェライト含有量になるように混合し、ボールミル
で８時間湿式粉砕した。次いでこれを乾燥後、メッシュ
パスし、これにバインダーとしてポリビニルアルコール
２重量％を水溶液として加え、さらにメッシュパスを行
って、約８０μｍ程度の顆粒を得た。この顆粒を金型に
充填し、１ｔｏｎ／ｃｍ²の圧力を印加し、一辺５ｍ
ｍ、厚さ０．５ｍｍの成形体を作製した。次にこの成形
体を電気炉に装入し、表１に示す温度及び時間で焼結す
ることにより表１に示す物性をもつセラミックス系複合
材料を得た。

【００２７】

【表１】

【００２８】また、実施例１の複合材料の周波数を変え
たときの複素透磁率を図３に示す。図中の実線は実数項
μ′、鎖線は虚数項μ″を示す。μ′、μ″は材料の大
きさを示し、素子に用いた場合の損失の大きさに対応す
る。この図から、ＧＨｚ領域において損失が著しく大き
くなることが分かる。

【００２９】比較例１〜８参考例１で得た六方晶型フェライト粉体と、参考例２で
得た表２に示すＳｒＯ含有量のガラス粉体とを、表２に
示すフェライト含有量になるように用い、表２に示す焼
成条件で実施例１〜９と同様にしてセラミックス系複合
材料を製造した。このものの物性を表２に示す。

【００３０】

【表２】

【００３１】この表２から明らかなように、フェライト
含有量が６０重量％未満になると（比較例１）複素透磁
率が劣化するし、７０重量％より多くなると（比較例
２）比抵抗が低下する。またガラス中のＳｒＯの含有量
が２０モル％未満になると（比較例３）抗折強度が低下
する。フェライト含有量が７０重量％より多いものや、
ガラス中のＳｒＯの含有量が３０モル％より高いものは
相対密度が小さくなる。また、焼成条件が適切でないも
のは比抵抗が低くなったり、抗折強度が劣ったり、相対
密度が小さいものになる。

【００３２】参考例３参考例１におけるＣｏＯの一部又は全部をＺｎＯと置換
し、参考例１と同様にして組成式Ｂａ₃（Ｃｏ_xＺｎ_1-x）₂Ｆｅ₂₄Ｏ₄₁ （ｘは０〜０．９の数である）を有する六方晶型フェラ
イト粉体を調製した。

【００３３】参考例４ＳｉＯ₂ ６２モル％、Ａｌ₂Ｏ₃ ８モル％、ＳｒＯ２０
モル％、ＣａＯ４モル％、ＭｇＯ３モル％及びＢ₂Ｏ₃
３モル％からなる粉体混合物を用い、参考例２と同様
にしてガラス粉体を調製した。

【００３４】実施例１０〜１８参考例３で得た表３に示すＣｏ比の六方晶型フェライト
粉体と、参考例４で得たガラス粉体とを、表３に示すフ
ェライト含有量になるように混合し、ボールミルで８時
間湿式粉砕した。次いで、これをメッシュパスしたの
ち、これにバインダーとしてポリビニルアルコール２重
量％を水溶液として加えて成形し、粒径約８０μｍの顆
粒を得た。次いで、この顆粒を金型に充填し、１ｔｏｎ
／ｃｍ²の圧力でプレスし、一辺５ｍｍ、厚さ０．５ｍ
ｍの板状に成形した。次に、この成形体を電気炉に装入
し、表３に示す温度及び時間で焼結することにより、表
３に示す物性をもつセラミックス系複合体を得た。

【００３５】

【表３】

【００３６】比較例９〜１１参考例３で得たＢａ₃ＺｎＣｏＦｅ₂₄Ｏ₄₁の六方晶型フ
ェライト粉体と、参考例２で得た表４に示すＳｒＯ含有
量のガラス粉体とを、表４に示すフェライト含有量にな
るように用い、表４に示す焼成条件で、実施例１０〜１
８と同様にしてセラミックス系複合材料を製造した。こ
のものの物性を表４に示す。

【００３７】

【表４】

【００３８】参考例５参考例１におけるＣｏＯの一部又は全部をＮｉＯと置換
し、参考例１と同様にして、組成式Ｂａ₃（Ｃｏ_yＮｉ_1-y）₂Ｆｅ₂₄Ｏ₄₁ （ｙは０〜９の数である）を有する六方晶型フェライト
粉体を調製した。

【００３９】実施例１９〜２７参考例５で得た表５に示すＣｏ比の六方晶型フェライト
粉体と、参考例４で得たガラス粉体とを、表５に示すフ
ェライト含有量になるように混合し、ボールミルで８時
間湿式粉砕した。次いで、これをメッシュパスしたの
ち、これにバインダーとしてポリビニルアルコール２重
量％を水溶液として加えて成形し、粒径約８０μｍの顆
粒を得た。次いで、この顆粒を金型に充填し、１ｔｏｎ
／ｃｍ²の圧力でプレスし、一辺５ｍｍ、厚さ０．５ｍ
ｍの板状に形成した。次に、この成形体を電気炉に装入
し、表５に示す温度及び時間で焼結することにより、表
５に示す物性をもつセラミックス系複合体を得た。

【００４０】

【表５】

【００４１】比較例１２〜１４参考例５で得たＢａ₃ＮｉＣｏＦｅ₂₄Ｏ₄₁の六方晶型フ
ェライト粉体と、参考例２で得た表６に示すＳｒＯ含有
量のガラス粉体とを、表６に示すフェライト含有量にな
るように用い、表６に示す焼成条件で実施例１９〜２７
と同様にして、セラミックス系複合材料を製造した。こ
のものの物性を表６に示す。

【００４２】

【表６】

【００４３】

【発明の効果】本発明のセラミックス系複合材料は、９
００℃程度の焼結温度と十分な体積固有抵抗を有し、銀
内部導体用粉体と同時焼成して、コイル状導体を内部に
もつフェライトビーズの形成が可能であって、ＧＨｚ領
域のノイズ成分を減衰しうる電子部品材料として好適で
ある。

【図面の簡単な説明】

【図１】コイル状内部電極構造を有するフェライトチ
ップビーズの１例の斜視図。

【図２】六方晶型フェライトを用いたチップビーズの
１例の斜視図。

【図３】実施例１で得られた複合材料の周波数と複素
透磁率との関係を示すグラフ。

【符号の説明】

１，１′ セラミックス焼結体（フェライト焼結体）２銀導体

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】（Ａ）一般式Ｂａ₃Ｍ₂Ｆｅ₂₄Ｏ₄₁ （ただしＭはＣｏ、Ｎｉ及びＺｎの中から選ばれた少な
くとも１種の二価金属である）で表わされる金属酸化物
を主成分とする六方晶型フェライトからなる磁性セラミ
ックス６０〜７０重量％と、（Ｂ）ＳｉＯ₂、Ａｌ
₂Ｏ₃、ＳｒＯ、ＣａＯ、ＭｇＯ及びＢ₂Ｏ₃を成分とし、
かつＳｒＯの含有量が２０〜３０モル％の範囲にある結
晶化ガラス４０〜３０重量％とからなるセラミックス系
複合材料。
【請求項２】（ａ）一般式Ｂａ₃Ｍ₂Ｆｅ₂₄Ｏ₄₁ （ただし、ＭはＣｏ、Ｎｉ及びＺｎの中から選ばれた少
なくとも１種の二価金属である）で表わされる金属酸化
物を主成分とする六方晶型フェライト粉体６０〜７０重
量％と、（ｂ）ＳｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｒＯ、ＣａＯ、
ＭｇＯ及びＢ₂Ｏ₃を成分とし、かつＳｒＯの含有量が２
０〜３０モル％の範囲にあるガラス粉体４０〜３０重量
％との焼成用材料を、８５０〜９２０℃の範囲の温度に
おいて、１〜３時間焼成し、ガラス成分を結晶化させる
ことを特徴とする磁性セラミックスと結晶化ガラスとか
らなるセラミックス系複合材料の製造方法。