JP3449322B2 - 複合磁性材料およびインダクタ素子 - Google Patents
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、フェライト粉末
と樹脂とを含む複合磁性材料およびそれを用いて構成さ
れるインダクタ素子に関するもので、特に、高周波用途
の電子部品において有利に用いられる複合磁性材料およ
びインダクタ素子に関するものである。
と樹脂とを含む複合磁性材料およびそれを用いて構成さ
れるインダクタ素子に関するもので、特に、高周波用途
の電子部品において有利に用いられる複合磁性材料およ
びインダクタ素子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話機、無線ＬＡＮ等の移動体通信
機に備える高周波回路において、インピーダンス・マッ
チング用、共振用、あるいはチョーク用として、数ＧＨ
ｚまでの周波数をカバーする空芯コイル構造のインダク
タ素子、たとえばチップインダクタが使用されている。
機に備える高周波回路において、インピーダンス・マッ
チング用、共振用、あるいはチョーク用として、数ＧＨ
ｚまでの周波数をカバーする空芯コイル構造のインダク
タ素子、たとえばチップインダクタが使用されている。
【０００３】しかしながら、空芯コイルは、非磁性材料
を磁芯として巻き線を施すか、非磁性材料の上にコイル
パターンを形成したものであるため、所望のインダクタ
ンスを得るためには、コイルの巻き数を多くしなければ
ならず、小型化を進めるという点で制約となっていた。
また、巻き数に比例して巻き線の抵抗も大きくなるた
め、高いＱ（利得）を持つインダクタが得られないとい
う問題も抱えていた。
を磁芯として巻き線を施すか、非磁性材料の上にコイル
パターンを形成したものであるため、所望のインダクタ
ンスを得るためには、コイルの巻き数を多くしなければ
ならず、小型化を進めるという点で制約となっていた。
また、巻き数に比例して巻き線の抵抗も大きくなるた
め、高いＱ（利得）を持つインダクタが得られないとい
う問題も抱えていた。
【０００４】これらの問題を解決するために、高周波用
フェライトを磁芯として用いたインダクタも検討されて
きた。フェライト磁芯を用いることによって、磁芯材料
の透磁率に応じて、コイルの巻き数を減らすことが可能
となり、小型化を実現できるが、フェライト焼結体には
磁壁運動に起因する周波数緩和現象があり、最も高周波
特性に優れていると言われているフェロックスプレーナ
型フェライト焼結体を用いても、高いＱを維持できる周
波数は３００ＭＨｚ程度までであった。
フェライトを磁芯として用いたインダクタも検討されて
きた。フェライト磁芯を用いることによって、磁芯材料
の透磁率に応じて、コイルの巻き数を減らすことが可能
となり、小型化を実現できるが、フェライト焼結体には
磁壁運動に起因する周波数緩和現象があり、最も高周波
特性に優れていると言われているフェロックスプレーナ
型フェライト焼結体を用いても、高いＱを維持できる周
波数は３００ＭＨｚ程度までであった。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】そこで、この発明の目
的は、数ＭＨｚから数ＧＨｚの周波数帯において、非磁
性材料と比較して大きな透磁率を持ち、かつ、数ＧＨｚ
の周波数帯まで比較的高い利得Ｑを維持し得る、磁性材
料を提供しようとすることである。
的は、数ＭＨｚから数ＧＨｚの周波数帯において、非磁
性材料と比較して大きな透磁率を持ち、かつ、数ＧＨｚ
の周波数帯まで比較的高い利得Ｑを維持し得る、磁性材
料を提供しようとすることである。
【０００６】この発明の他の目的は、上述した磁性材料
を用いることによって、小型でかつ高いＱを与え得る、
インダクタ素子を提供しようとすることである。
を用いることによって、小型でかつ高いＱを与え得る、
インダクタ素子を提供しようとすることである。
【０００７】
【課題を解決するための手段】フェライト焼結体材料
は、交流磁界において、低周波から高周波に向かって、
磁壁運動緩和を経て回転磁化共鳴に到達する、という磁
化機構を有している。磁性材料のＱの周波数特性という
点から見ると、磁壁運動緩和が起こる周波数でＱが急激
に低下した後、回転磁化共鳴点に向かってさらに低下し
ていく。
は、交流磁界において、低周波から高周波に向かって、
磁壁運動緩和を経て回転磁化共鳴に到達する、という磁
化機構を有している。磁性材料のＱの周波数特性という
点から見ると、磁壁運動緩和が起こる周波数でＱが急激
に低下した後、回転磁化共鳴点に向かってさらに低下し
ていく。
【０００８】数ＧＨｚの周波数帯まで高いＱを保つため
には、まず磁壁運動を完全に止め、その上で回転磁化共
鳴周波数を数ＧＨｚよりも高い周波数に移す必要があ
る。
には、まず磁壁運動を完全に止め、その上で回転磁化共
鳴周波数を数ＧＨｚよりも高い周波数に移す必要があ
る。
【０００９】種々の研究の結果、フェライト粒子の１つ
ずつが単磁区粒子となるような粒径のフェライト粉末を
非磁性マトリックス中に分散させることにより、磁壁運
動によるＱの劣化を完全に止められることが確認され
た。
ずつが単磁区粒子となるような粒径のフェライト粉末を
非磁性マトリックス中に分散させることにより、磁壁運
動によるＱの劣化を完全に止められることが確認され
た。
【００１０】また、ＮｉフェライトのＮｉをＣｏで置換
していくと、その置換量に応じて回転磁化共鳴周波数が
高くなっていくことを見出した。
していくと、その置換量に応じて回転磁化共鳴周波数が
高くなっていくことを見出した。
【００１１】以上の要素を組み合わせて、ＮｉＣｏフェ
ライト粉末を高濃度に樹脂中に分散させた複合フェライ
ト材料とすることによって、これが高周波インダクタ用
磁芯として好適な特性を与え得ることに着目し、この発
明をなすに至ったものである。
ライト粉末を高濃度に樹脂中に分散させた複合フェライ
ト材料とすることによって、これが高周波インダクタ用
磁芯として好適な特性を与え得ることに着目し、この発
明をなすに至ったものである。
【００１２】すなわち、この発明は、フェライト粒子が
単磁区粒子となるような粒径のフェライト粉末と樹脂と
を含む、複合磁性材料に向けられるものであって、この
複合磁性材料は、フェライト粉末と樹脂とを含み、フェ
ライト粉末は、少なくともＮｉおよびＣｏを含有するス
ピネル型フェライトからなるものであることを特徴とし
ている。
単磁区粒子となるような粒径のフェライト粉末と樹脂と
を含む、複合磁性材料に向けられるものであって、この
複合磁性材料は、フェライト粉末と樹脂とを含み、フェ
ライト粉末は、少なくともＮｉおよびＣｏを含有するス
ピネル型フェライトからなるものであることを特徴とし
ている。
【００１３】この発明に係る複合磁性材料において、上
述のフェライトは、（ＮｉＯ）x （ＣｏＯ）y （Ｍｅ
Ｏ）z （Ｆｅ2 Ｏ3 ）1-x-y-z で表わされる組成を有
し、ＭｅはＭｇ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる少なくと
も１種であり、ｘ、ｙおよびｚが、それぞれ、０．１０
≦ｘ≦０．５５０、０．０２５≦ｙ≦０．２００、およ
び０≦ｚ≦０．２００であり、かつ、０．４００≦（ｘ
＋ｙ＋ｚ）≦０．６００の条件を満足する、スピネル型
フェライトであり、また、フェライト粉末が樹脂中に分
散されていることをさらなる特徴としている。
述のフェライトは、（ＮｉＯ）x （ＣｏＯ）y （Ｍｅ
Ｏ）z （Ｆｅ2 Ｏ3 ）1-x-y-z で表わされる組成を有
し、ＭｅはＭｇ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる少なくと
も１種であり、ｘ、ｙおよびｚが、それぞれ、０．１０
≦ｘ≦０．５５０、０．０２５≦ｙ≦０．２００、およ
び０≦ｚ≦０．２００であり、かつ、０．４００≦（ｘ
＋ｙ＋ｚ）≦０．６００の条件を満足する、スピネル型
フェライトであり、また、フェライト粉末が樹脂中に分
散されていることをさらなる特徴としている。
【００１４】上述した組成において、複合磁性材料の磁
気的特性に影響しない範囲で、Ｎｉの一部をＢｅ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ等に置換した
り、また、Ｆｅの一部をＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ等に置
換したりしてもよい。
気的特性に影響しない範囲で、Ｎｉの一部をＢｅ、Ｃ
ａ、Ｓｒ、Ｂａ、Ｔｉ、Ｖ、Ｃｒ、Ｍｎ等に置換した
り、また、Ｆｅの一部をＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌ等に置
換したりしてもよい。
【００１５】また、樹脂については、任意の種類のもの
を使用できるが、このような樹脂に対して、樹脂分散剤
等の添加剤を複合材料の磁気的特性に影響しない範囲で
添加してもよい。
を使用できるが、このような樹脂に対して、樹脂分散剤
等の添加剤を複合材料の磁気的特性に影響しない範囲で
添加してもよい。
【００１６】この発明に係る複合磁性材料は、フェライ
ト焼結体とは異なり、磁壁運動緩和のないフェライト粉
末を樹脂に混合したものである。このような複合磁性材
料によれば、フェライト粉末の回転磁化共鳴周波数を数
ＧＨｚよりも高い周波数に上げているため、数ＧＨｚ領
域まで比較的高いＱを維持することができる。
ト焼結体とは異なり、磁壁運動緩和のないフェライト粉
末を樹脂に混合したものである。このような複合磁性材
料によれば、フェライト粉末の回転磁化共鳴周波数を数
ＧＨｚよりも高い周波数に上げているため、数ＧＨｚ領
域まで比較的高いＱを維持することができる。
【００１７】この発明は、また、上述したような複合磁
性材料からなる磁性体を備える、インダクタ素子にも向
けられる。
性材料からなる磁性体を備える、インダクタ素子にも向
けられる。
【００１８】
【発明の実施の形態】図１は、この発明の一実施形態に
よるインダクタ素子１の外観を示す斜視図である。図１
において、インダクタ素子１は、その一部において破断
されて示されている。
よるインダクタ素子１の外観を示す斜視図である。図１
において、インダクタ素子１は、その一部において破断
されて示されている。
【００１９】インダクタ素子１は、チップインダクタを
構成するもので、円柱状の磁芯２を備えている。磁芯２
の外周面上には、被覆の施された巻き線３が巻回されて
いる。磁芯２の各端部には、金属からなるキャップ状の
端子部材４および５が被せられる。
構成するもので、円柱状の磁芯２を備えている。磁芯２
の外周面上には、被覆の施された巻き線３が巻回されて
いる。磁芯２の各端部には、金属からなるキャップ状の
端子部材４および５が被せられる。
【００２０】巻き線３は、その両端部において被覆が剥
がされ、このように被覆が剥がされた一方端部が一方の
端子部材４に、同じく他方端部が他方の端子部材５にそ
れぞれ電気的に接続される。
がされ、このように被覆が剥がされた一方端部が一方の
端子部材４に、同じく他方端部が他方の端子部材５にそ
れぞれ電気的に接続される。
【００２１】この発明に係る複合磁性材料は、たとえ
ば、上述したようなインダクタ素子１に備える磁芯２を
構成するための材料として、あるいは、他の構造のイン
ダクタ素子に備える磁性体として有利に用いることがで
きる。
ば、上述したようなインダクタ素子１に備える磁芯２を
構成するための材料として、あるいは、他の構造のイン
ダクタ素子に備える磁性体として有利に用いることがで
きる。
【００２２】この発明に係る複合磁性材料は、前述した
ような組成を有するものであるが、その詳細を、実施例
に基づいて以下に説明する。
ような組成を有するものであるが、その詳細を、実施例
に基づいて以下に説明する。
【００２３】
【実施例】表１に示すフェライト組成（モル比）となる
ように、原料である各種金属酸化物を調合し、ボールミ
ルにて２４時間湿式混合した。
ように、原料である各種金属酸化物を調合し、ボールミ
ルにて２４時間湿式混合した。
【００２４】
【表１】
【００２５】次に、上述の混合粉末を大気中において１
０００℃の温度で２時間仮焼した後、ボールミルにて２
４時間湿式粉砕した。
０００℃の温度で２時間仮焼した後、ボールミルにて２
４時間湿式粉砕した。
【００２６】このようにして得られたフェライト粉末の
粉体真密度を気体置換法により測定し、この結果を用い
て、フェライト粉末とポリプロピレン樹脂とが容量比で
５０／５０となるように複合材料を調合した。
粉体真密度を気体置換法により測定し、この結果を用い
て、フェライト粉末とポリプロピレン樹脂とが容量比で
５０／５０となるように複合材料を調合した。
【００２７】次に、熱ロールを用いて、上述の複合材料
を混合した後、圧縮プレスにより、直径が８ｍｍで軸線
方向長さが１５ｍｍの円柱状テストピースを作製し、旋
盤加工の後、Ｓ−パラメータ法にて、周波数５００ＭＨ
ｚ、１ＧＨｚおよび２ＧＨｚのそれぞれにおいて、磁気
的特性を評価した。
を混合した後、圧縮プレスにより、直径が８ｍｍで軸線
方向長さが１５ｍｍの円柱状テストピースを作製し、旋
盤加工の後、Ｓ−パラメータ法にて、周波数５００ＭＨ
ｚ、１ＧＨｚおよび２ＧＨｚのそれぞれにおいて、磁気
的特性を評価した。
【００２８】また、比較例として、Ｎｉ（Ｍｇ，Ｃｕ）
フェライトの焼結体を作製し、上述した方法と同様の方
法によって、その磁気的特性を評価した。
フェライトの焼結体を作製し、上述した方法と同様の方
法によって、その磁気的特性を評価した。
【００２９】表２には、上述のようにして磁気的特性が
評価された、表１に示す各試料に係る複合磁性材料およ
び上述の比較例に係る焼結体の各々についての複素透磁
率の実数部μ’および利得Ｑが示されている。
評価された、表１に示す各試料に係る複合磁性材料およ
び上述の比較例に係る焼結体の各々についての複素透磁
率の実数部μ’および利得Ｑが示されている。
【００３０】
【表２】
【００３１】また、試料８と比較例とを比較するため、
これら試料８と比較例とについての周波数と透磁率μ’
との関係が図２に示され、また、同じく周波数と利得Ｑ
との関係が図３に示されている。また、Ｆｅ2 Ｏ3 が４
９．５モル％の系において、ＣｏＯ量と周波数２ＧＨｚ
での透磁率μ’との関係が図４に示され、同じくＣｏＯ
量と周波数２ＧＨｚでの利得Ｑとの関係が図５に示され
ている。
これら試料８と比較例とについての周波数と透磁率μ’
との関係が図２に示され、また、同じく周波数と利得Ｑ
との関係が図３に示されている。また、Ｆｅ2 Ｏ3 が４
９．５モル％の系において、ＣｏＯ量と周波数２ＧＨｚ
での透磁率μ’との関係が図４に示され、同じくＣｏＯ
量と周波数２ＧＨｚでの利得Ｑとの関係が図５に示され
ている。
【００３２】図２および図３ならびに表２を参照すれ
ば、Ｃｏを含まない点でこの発明の範囲外にある試料５
を除いて、試料１〜２５によれば、比較例と比較とし
て、大体において、非磁性体である樹脂の影響で透磁率
が低くなるものの、磁壁共鳴に起因する磁気的特性の低
下がなく、ＧＨｚ領域まで比較的良好な磁気的特性、す
なわち透磁率μ’および利得Ｑを示す傾向があることが
わかる。
ば、Ｃｏを含まない点でこの発明の範囲外にある試料５
を除いて、試料１〜２５によれば、比較例と比較とし
て、大体において、非磁性体である樹脂の影響で透磁率
が低くなるものの、磁壁共鳴に起因する磁気的特性の低
下がなく、ＧＨｚ領域まで比較的良好な磁気的特性、す
なわち透磁率μ’および利得Ｑを示す傾向があることが
わかる。
【００３３】表１を参照して、試料１〜４においては、
ＮｉＯが０．０５０〜０．５７５の範囲で変更され、試
料５〜１３においては、ＣｏＯが０〜０．３００の範囲
で変更され、試料１４〜１９においては、ＮｉＯの一部
がＭｇＯ、ＣｕＯまたはＺｎＯのいずれかで置換され、
かつＭｇＯについては０．０５０〜０．３００の範囲で
変更され、試料２０〜２５においては、Ｆｅ2 Ｏ3 が
０．３５０〜０．６５０の範囲で変更されている。
ＮｉＯが０．０５０〜０．５７５の範囲で変更され、試
料５〜１３においては、ＣｏＯが０〜０．３００の範囲
で変更され、試料１４〜１９においては、ＮｉＯの一部
がＭｇＯ、ＣｕＯまたはＺｎＯのいずれかで置換され、
かつＭｇＯについては０．０５０〜０．３００の範囲で
変更され、試料２０〜２５においては、Ｆｅ2 Ｏ3 が
０．３５０〜０．６５０の範囲で変更されている。
【００３４】この発明においては、前述したように、フ
ェライトは、（ＮｉＯ）x （ＣｏＯ）y （ＭｅＯ）
z （Ｆｅ2 Ｏ3 ）1-x-y-z で表わされる組成を有し、Ｍ
ｅはＭｇ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる少なくとも１種
であり、ｘ、ｙおよびｚが、それぞれ、０．１０≦ｘ≦
０．５５０、０．０２５≦ｙ≦０．２００、および０≦
ｚ≦０．２００であり、かつ、０．４００≦（ｘ＋ｙ＋
ｚ）≦０．６００の条件を満足する、スピネル型フェラ
イトである。
ェライトは、（ＮｉＯ）x （ＣｏＯ）y （ＭｅＯ）
z （Ｆｅ2 Ｏ3 ）1-x-y-z で表わされる組成を有し、Ｍ
ｅはＭｇ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる少なくとも１種
であり、ｘ、ｙおよびｚが、それぞれ、０．１０≦ｘ≦
０．５５０、０．０２５≦ｙ≦０．２００、および０≦
ｚ≦０．２００であり、かつ、０．４００≦（ｘ＋ｙ＋
ｚ）≦０．６００の条件を満足する、スピネル型フェラ
イトである。
【００３５】表１および表２において、この発明の範囲
から外れるものについては、その試料番号に＊が付され
ている。
から外れるものについては、その試料番号に＊が付され
ている。
【００３６】このようなこの発明における組成範囲は、
表１および表２を参照することによって確認することが
できる。
表１および表２を参照することによって確認することが
できる。
【００３７】試料１〜４において、試料２および３がこ
の発明の範囲内にあり、試料１および４がこの発明の範
囲から外れている。これら試料１〜４の間で比較する
と、ＮｉＯがモル比で０．１０未満である試料１および
０．５５０を超える試料４では、試料２および３に比べ
て、透磁率μ’が低くなっている。
の発明の範囲内にあり、試料１および４がこの発明の範
囲から外れている。これら試料１〜４の間で比較する
と、ＮｉＯがモル比で０．１０未満である試料１および
０．５５０を超える試料４では、試料２および３に比べ
て、透磁率μ’が低くなっている。
【００３８】試料５〜１３において、試料７〜１１がこ
の発明の範囲内にあり、試料５、６、１２および１３が
この発明の範囲から外れている。これら試料５〜１３の
間で比較すると、試料５および６のように、ＣｏＯがモ
ル比で０．０２５未満になると、比較的高い透磁率μ’
が得られるものの、利得Ｑが低下する。他方、試料１２
および１３のように、ＣｏＯがモル比で０．２００を超
えると、比較的高い利得Ｑを示すものの、透磁率μ’が
低下している。
の発明の範囲内にあり、試料５、６、１２および１３が
この発明の範囲から外れている。これら試料５〜１３の
間で比較すると、試料５および６のように、ＣｏＯがモ
ル比で０．０２５未満になると、比較的高い透磁率μ’
が得られるものの、利得Ｑが低下する。他方、試料１２
および１３のように、ＣｏＯがモル比で０．２００を超
えると、比較的高い利得Ｑを示すものの、透磁率μ’が
低下している。
【００３９】上述のことが、図４および図５によって確
認することができる。すなわち、Ｃｏ量が２．５モル％
以上かつ２０モル％以下のとき、透磁率μ’および利得
Ｑの双方において比較的良好な磁気的特性を示してい
る。
認することができる。すなわち、Ｃｏ量が２．５モル％
以上かつ２０モル％以下のとき、透磁率μ’および利得
Ｑの双方において比較的良好な磁気的特性を示してい
る。
【００４０】試料１４〜１９において、試料１４〜１８
がこの発明の範囲内にあり、試料１９がこの発明の範囲
から外れている。試料１９のように、置換成分としての
ＭｇＯがモル比で０．２００を超えると、比較的高い透
磁率μ’が得られるものの、利得Ｑが低下している。
がこの発明の範囲内にあり、試料１９がこの発明の範囲
から外れている。試料１９のように、置換成分としての
ＭｇＯがモル比で０．２００を超えると、比較的高い透
磁率μ’が得られるものの、利得Ｑが低下している。
【００４１】なお、試料１４〜１９のように、Ｎｉの一
部をＭｇ、ＣｕまたはＺｎに置換したことによる効果に
ついて考察するため、ＮｉＯとＭｇＯ、ＣｕＯまたはＺ
ｎＯとの合計モル比が等しい、試料８と試料１４〜１６
との間で比較すると、磁気的特性に大きな低下はなく、
また、試料９と試料１７〜１９との間で比較すると、利
得Ｑが低下する傾向が見られるものの、透磁率μ’につ
いては、より高くできることがわかる。
部をＭｇ、ＣｕまたはＺｎに置換したことによる効果に
ついて考察するため、ＮｉＯとＭｇＯ、ＣｕＯまたはＺ
ｎＯとの合計モル比が等しい、試料８と試料１４〜１６
との間で比較すると、磁気的特性に大きな低下はなく、
また、試料９と試料１７〜１９との間で比較すると、利
得Ｑが低下する傾向が見られるものの、透磁率μ’につ
いては、より高くできることがわかる。
【００４２】
【発明の効果】以上のように、この発明によれば、数Ｍ
Ｈｚから数ＧＨｚの周波数帯において、比較的大きな透
磁率を与えることができ、かつ、ＧＨｚ領域まで高い利
得Ｑを維持し得る複合磁性材料を得ることができる。
Ｈｚから数ＧＨｚの周波数帯において、比較的大きな透
磁率を与えることができ、かつ、ＧＨｚ領域まで高い利
得Ｑを維持し得る複合磁性材料を得ることができる。
【００４３】したがって、このような複合磁性材料を磁
性体として用いて構成されたインダクタ素子によれば、
小型で高いＱを実現することができる。
性体として用いて構成されたインダクタ素子によれば、
小型で高いＱを実現することができる。
【図１】この発明の一実施形態によるインダクタ素子１
を示す斜視図であり、その一部を破断して示している。
を示す斜視図であり、その一部を破断して示している。
【図２】この発明に従って作製された試料８に係る複合
磁性材料と比較例としてのフェライト焼結体とについて
の周波数と透磁率μ’との関係を示す図である。
磁性材料と比較例としてのフェライト焼結体とについて
の周波数と透磁率μ’との関係を示す図である。
【図３】この発明に従って作製された試料８に係る複合
磁性材料と比較例としてのフェライト焼結体とについて
の周波数と利得Ｑとの関係を示す図である。
磁性材料と比較例としてのフェライト焼結体とについて
の周波数と利得Ｑとの関係を示す図である。
【図４】Ｆｅ2 Ｏ3 が４９．５モル％の系におけるＣｏ
Ｏ量と透磁率μ’との関係を示す図である。
Ｏ量と透磁率μ’との関係を示す図である。
【図５】Ｆｅ2 Ｏ3 が４９．５モル％の系におけるＣｏ
Ｏ量と利得Ｑとの関係を示す図である。
Ｏ量と利得Ｑとの関係を示す図である。
１ インダクタ素子
２ 磁芯（磁性体）
３ 巻き線
─────────────────────────────────────────────────────
フロントページの続き
(72)発明者 福島 光宏
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株
式会社村田製作所内
(72)発明者 丸澤 博
京都府長岡京市天神二丁目26番10号 株
式会社村田製作所内
(56)参考文献 特開 平７−192909（ＪＰ，Ａ)
特開 平７−37711（ＪＰ，Ａ)
(58)調査した分野(Int.Cl.7，ＤＢ名)
H01F 1/12 - 38/42
Claims (2)
- 【請求項１】 フェライト粒子が単磁区粒子となるよう
な粒径のフェライト粉末と樹脂とを含み、前記フェライ
ト粉末は、少なくともＮｉおよびＣｏを含有するスピネ
ル型フェライトからなり、 前記スピネル型フェライトは、（ＮｉＯ） x （ＣｏＯ）
y （ＭｅＯ） z （Ｆｅ 2 Ｏ 3 ） 1-x-y-z で表わされる組
成を有し、ＭｅはＭｇ、ＣｕおよびＺｎから選ばれる少
なくとも１種であり、ｘ、ｙおよびｚが、それぞれ、 ０．１０≦ｘ≦０．５５０、 ０．０２５≦ｙ≦０．２００、および ０≦ｚ≦０．２００ であり、かつ、 ０．４００≦（ｘ＋ｙ＋ｚ）≦０．６００ の条件を満足するものであり、 前記フェライト粉末が前記樹脂中に分散されている、 複
合磁性材料。 - 【請求項２】 請求項１に記載の複合磁性材料からなる
磁性体を備える、インダクタ素子。
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| JP30501299A JP3449322B2 (ja) | 1999-10-27 | 1999-10-27 | 複合磁性材料およびインダクタ素子 |
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| FR2747228B1 (fr) * | 1996-04-05 | 1998-07-17 | Thomson Csf | Ferrite a faibles pertes entre 1 mhz et 100 mhz et procede de realisation |
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2000
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