JP3120816B2 - 酸化物磁性材料 - Google Patents
酸化物磁性材料Info
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- JP3120816B2 JP3120816B2 JP03270108A JP27010891A JP3120816B2 JP 3120816 B2 JP3120816 B2 JP 3120816B2 JP 03270108 A JP03270108 A JP 03270108A JP 27010891 A JP27010891 A JP 27010891A JP 3120816 B2 JP3120816 B2 JP 3120816B2
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Description
【０００１】
【産業上の利用分野】この発明は、チップコイル等のコ
イル用磁芯として有用な、高周波において高いＱ値を有
する酸化物磁性材料に関するものである。
イル用磁芯として有用な、高周波において高いＱ値を有
する酸化物磁性材料に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】ニッケル−コバルト（Ni−Co）系フェラ
イトは、ニッケル−亜鉛（Ni−Zn）系フェライトと比較
して損失係数の極めて小さな磁性材料であり、ＬＣおよ
びＬＲ回路部品のインダクター等に用いられる高周波磁
芯用の材料として広く利用されている。
イトは、ニッケル−亜鉛（Ni−Zn）系フェライトと比較
して損失係数の極めて小さな磁性材料であり、ＬＣおよ
びＬＲ回路部品のインダクター等に用いられる高周波磁
芯用の材料として広く利用されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記ＬＣおよびＬＲ回
路部品用のインダクターの要求特性として、これまでは
高周波数帯で低損失であることが主要な要求特性であっ
た。ところが近年、インダクタンス素子の小型化に伴
い、少ない巻線回数で高いインダクタンス値を得る必要
が生じてきた。この際、コアの初透磁率（μi)が大きけ
れば巻線回数を少なくするのに有効である。
路部品用のインダクターの要求特性として、これまでは
高周波数帯で低損失であることが主要な要求特性であっ
た。ところが近年、インダクタンス素子の小型化に伴
い、少ない巻線回数で高いインダクタンス値を得る必要
が生じてきた。この際、コアの初透磁率（μi)が大きけ
れば巻線回数を少なくするのに有効である。
【０００４】ここで、前記のNi−Co系フェライトは高周
波数帯で優れた損失特性を持つ磁性材料であるが、損失
特性を向上させるためにコバルトの含有量を増やせば、
逆に初透磁率（μi)が低下してしまうという欠点があ
る。そのため、これまでは低損失と高い初透磁率を合わ
せ持つ磁性材料を得ることはできなかった。
波数帯で優れた損失特性を持つ磁性材料であるが、損失
特性を向上させるためにコバルトの含有量を増やせば、
逆に初透磁率（μi)が低下してしまうという欠点があ
る。そのため、これまでは低損失と高い初透磁率を合わ
せ持つ磁性材料を得ることはできなかった。
【０００５】この発明は、上記のことに鑑みて、低損失
でかつ高い初透磁率を有する磁性材料を提供し、もって
ＬＣおよびＬＲ回路用インダクタンス素子の小型化、高
性能化を図ることを目的とするものである。
でかつ高い初透磁率を有する磁性材料を提供し、もって
ＬＣおよびＬＲ回路用インダクタンス素子の小型化、高
性能化を図ることを目的とするものである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】この発明は、Fe2O3 46.5
mol％以上 47.5 mol ％以下、CoO 2.0 mol ％以上3.5
mol ％以下、Ta2O5 1.0 mol ％以上 2.5 mol％以下、Bi
2O3 1.0 mol ％および残量NiO からなる酸化物磁性材料
である。
mol％以上 47.5 mol ％以下、CoO 2.0 mol ％以上3.5
mol ％以下、Ta2O5 1.0 mol ％以上 2.5 mol％以下、Bi
2O3 1.0 mol ％および残量NiO からなる酸化物磁性材料
である。
【０００７】
【作用】上記組成の酸化物磁性材料では、Ni−Co系フェ
ライトにおいて、Ta2O5 ，CoO，Fe2O3 をそれぞれ置換
させることにより、低損失と高い初透磁率を合わせ持つ
ものである。
ライトにおいて、Ta2O5 ，CoO，Fe2O3 をそれぞれ置換
させることにより、低損失と高い初透磁率を合わせ持つ
ものである。
【０００８】
【実施例】以下、この発明の実施例を説明する。
【０００９】（実施例１）
【００１０】最終組成比が表１に示した割合になるよう
に調合したフェライト粉末を用意した。これらの粉末の
組成は、Fe2O3 、CoO およびBi2O3 の割合(mol％）は変
化させずにTa2O5 の割合をそれぞれ0.5 mol ％づつ変
え、残部をNiO としたものであり、表１中試料番号（１
〜１０）を付して区別した。
に調合したフェライト粉末を用意した。これらの粉末の
組成は、Fe2O3 、CoO およびBi2O3 の割合(mol％）は変
化させずにTa2O5 の割合をそれぞれ0.5 mol ％づつ変
え、残部をNiO としたものであり、表１中試料番号（１
〜１０）を付して区別した。
【００１１】これらの粉末を 900℃で１時間仮焼し、ボ
ールミルに蒸留水と共に投入し２４時間混合粉砕した
後、有機バインダーを加えて２時間混合し、その後この
混合物を乾燥した。これを８０メッシュの網を通して造
粒し、チップコイル用コアを成形し、1250℃で２時間焼
成した。
ールミルに蒸留水と共に投入し２４時間混合粉砕した
後、有機バインダーを加えて２時間混合し、その後この
混合物を乾燥した。これを８０メッシュの網を通して造
粒し、チップコイル用コアを成形し、1250℃で２時間焼
成した。
【００１２】前記焼成後のコアに 0.1φの導線を５回巻
き、インピーダンスアナライザにより100MHzにおけるイ
ンダクタンスを測定し、コア材の初透磁率（μi)を計算
により求め、その結果を図１に示した。また、100MHzに
おけるＱを測定して、その結果を図２に示した。
き、インピーダンスアナライザにより100MHzにおけるイ
ンダクタンスを測定し、コア材の初透磁率（μi)を計算
により求め、その結果を図１に示した。また、100MHzに
おけるＱを測定して、その結果を図２に示した。
【００１３】ここで、この発明においてTa2O5 の置換量
を1.0 mol％以上、2.5 mol ％以下に限定した理由を述
べる。
を1.0 mol％以上、2.5 mol ％以下に限定した理由を述
べる。
【００１４】まず、磁性材料をＬＣおよびＬＲ複合部品
等のインダクタンス用コアとして使用する場合に、Ｑは
６０以上、μi は１２以上であることが望ましいとされ
る。
等のインダクタンス用コアとして使用する場合に、Ｑは
６０以上、μi は１２以上であることが望ましいとされ
る。
【００１５】図１から明らかなように、Ta2O5 の置換量
が増加すればμi は大きくなるが、1.0 mol ％未満では
μi を大きくする効果が少なく１２を下回ってしまう。
また、図２から明らかなように、Ta2O5 の置換量が増加
するに従い、Ｑ値は低下してゆき、置換量が2.5 mol ％
を越えると100MHzにおけるＱが６０を下回ってしまうこ
とになる。
が増加すればμi は大きくなるが、1.0 mol ％未満では
μi を大きくする効果が少なく１２を下回ってしまう。
また、図２から明らかなように、Ta2O5 の置換量が増加
するに従い、Ｑ値は低下してゆき、置換量が2.5 mol ％
を越えると100MHzにおけるＱが６０を下回ってしまうこ
とになる。
【００１６】そこで、Ta2O5 の組成割合を上記範囲に限
定することにした。なお、表１中、試料番号に＊印を付
したものは、この発明範囲外のものである。
定することにした。なお、表１中、試料番号に＊印を付
したものは、この発明範囲外のものである。
【００１７】
【表１】
【００１８】（実施例２）
【００１９】最終組成比が表２に示す割合になるように
調合したフェライト粉末を用意した。これらの粉末の組
成はFe2O3 、Ta2O5 およびBi2O3 の割合(mol％）は変化
させずにCoO の割合をそれぞれ0.5 mol ％づつ変え、残
部をNiO としたものであり、表２中試料番号（１１〜２
０）を付して区別した。
調合したフェライト粉末を用意した。これらの粉末の組
成はFe2O3 、Ta2O5 およびBi2O3 の割合(mol％）は変化
させずにCoO の割合をそれぞれ0.5 mol ％づつ変え、残
部をNiO としたものであり、表２中試料番号（１１〜２
０）を付して区別した。
【００２０】これらの粉末を使用して、実施例１と同様
の工程を経て、チップコイルを作製し、100MHzにおける
初透磁率（μi)を測定して、その結果を図３に示した。
また、100MHzにおけるＱを測定して、その結果を図４に
示した。
の工程を経て、チップコイルを作製し、100MHzにおける
初透磁率（μi)を測定して、その結果を図３に示した。
また、100MHzにおけるＱを測定して、その結果を図４に
示した。
【００２１】ここで、本発明においてCoO の組成割合を
2.0 mol ％以上、3.5 mol ％以下に限定した理由を述べ
る。
2.0 mol ％以上、3.5 mol ％以下に限定した理由を述べ
る。
【００２２】図４から明らかなように、CoO の量が増加
すればＱは大きくなるが、CoO が2.0 mol ％未満ではＱ
が小さく、６０を下回ってしまう。また、図３から明ら
かなようにCoO の量が増加すればμi が低下し、CoO が
3.5 mol ％を越えると、μiが１２を下回ってしまう。
すればＱは大きくなるが、CoO が2.0 mol ％未満ではＱ
が小さく、６０を下回ってしまう。また、図３から明ら
かなようにCoO の量が増加すればμi が低下し、CoO が
3.5 mol ％を越えると、μiが１２を下回ってしまう。
【００２３】そこで、CoO の組成割合を上記範囲に限定
することにした。なお、表２中、試料番号に＊印を付し
たものは、この発明範囲外のものである。
することにした。なお、表２中、試料番号に＊印を付し
たものは、この発明範囲外のものである。
【００２４】
【表２】
【００２５】（実施例３）
【００２６】最終組成比が表３に示す割合になるように
調合したフェライト粉末を用意した。これらの粉末の組
成はCoO 、Ta2O5 及びBi2O3 の割合(mol％）は変化させ
ずにFe2O3 の割合をそれぞれ0.5 mol ％づつ変え、残部
をNiO としたものであり、表３中、試料番号（２１〜３
０）を付して区別した。
調合したフェライト粉末を用意した。これらの粉末の組
成はCoO 、Ta2O5 及びBi2O3 の割合(mol％）は変化させ
ずにFe2O3 の割合をそれぞれ0.5 mol ％づつ変え、残部
をNiO としたものであり、表３中、試料番号（２１〜３
０）を付して区別した。
【００２７】これらの粉末を使用して、実施例１と同様
の工程を経て、チップコイルを作製し、100MHzにおける
初透磁率（μi)を測定して、その結果を図５に示した。
また、100MHzにおけるＱを測定して、その結果を図６に
示した。
の工程を経て、チップコイルを作製し、100MHzにおける
初透磁率（μi)を測定して、その結果を図５に示した。
また、100MHzにおけるＱを測定して、その結果を図６に
示した。
【００２８】この発明において、Fe2O3 の組成割合を4
6.5 mol％以上、47.5 mol％以下に限定した理由を述べ
る。
6.5 mol％以上、47.5 mol％以下に限定した理由を述べ
る。
【００２９】図５から明らかなように、Fe2O3 の量が増
加すればμi は大きくなるが、Fe2O3 が46.5 mol％未満
ではμi が小さく１２を下回ってしまう。また、図６か
ら明らかなように、Fe2O3 の量が増加すればフェライト
コアの比抵抗が低下するためＱが低下してゆき、Fe2O3
が47.5 mol％を越えるとＱが６０を下回る。
加すればμi は大きくなるが、Fe2O3 が46.5 mol％未満
ではμi が小さく１２を下回ってしまう。また、図６か
ら明らかなように、Fe2O3 の量が増加すればフェライト
コアの比抵抗が低下するためＱが低下してゆき、Fe2O3
が47.5 mol％を越えるとＱが６０を下回る。
【００３０】そこで、Fe2O3 の組成割合を上記範囲に限
定することにした。なお、表３中、試料番号に＊印を付
したものは、この発明範囲外のものである。
定することにした。なお、表３中、試料番号に＊印を付
したものは、この発明範囲外のものである。
【００３１】
【表３】
【００３２】
【発明の効果】以上の実施例から明らかなように、この
発明によるFe2O3 ，NiO ，CoO ，Ta2O5 及びBi2O3 のそ
れぞれ所定量からなる酸化物磁性材料は、低損失と高初
透磁率を同時に実現でき、ＬＣおよびＬＲ複合部品等の
コアとして使用すれば、部品の小型化、高性能化が期待
できる。
発明によるFe2O3 ，NiO ，CoO ，Ta2O5 及びBi2O3 のそ
れぞれ所定量からなる酸化物磁性材料は、低損失と高初
透磁率を同時に実現でき、ＬＣおよびＬＲ複合部品等の
コアとして使用すれば、部品の小型化、高性能化が期待
できる。
【図１】Ｔａ2Ｏ5置換量とμiの関係図である。
【図２】Ｔａ2Ｏ5置換量とＱの関係図である。
【図３】CoO量とμiの関係図である。
【図４】CoO量とＱの関係図である。
【図５】Ｆｅ2Ｏ3量とμiの関係図である。
【図６】Ｆｅ2Ｏ3量とＱの関係図である。
Claims (1)
- 【請求項１】 Fe2O3 46.5 mol％以上47.5 mol％以下、
CoO 2.0 mol ％以上3.5 mol ％以下、Ta2O5 1.0 mol ％
以上 2.5 mol％以下、Bi2O3 1.0 mol ％および残量NiO
からなることを特徴とする酸化物磁性材料。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03270108A JP3120816B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 酸化物磁性材料 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP03270108A JP3120816B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 酸化物磁性材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0582327A JPH0582327A (ja) | 1993-04-02 |
| JP3120816B2 true JP3120816B2 (ja) | 2000-12-25 |
Family
ID=17481651
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP03270108A Expired - Lifetime JP3120816B2 (ja) | 1991-09-20 | 1991-09-20 | 酸化物磁性材料 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3120816B2 (ja) |
-
1991
- 1991-09-20 JP JP03270108A patent/JP3120816B2/ja not_active Expired - Lifetime
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0582327A (ja) | 1993-04-02 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
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| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20081020 Year of fee payment: 8 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
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