TWI592954B - Magnetic Oxide Compositions and Electronic Components - Google Patents

Description

磁性氧化物組合物及電子構件

本發明是關於適用於層積型電感器等的製造之磁性氧化物組合物與具有此磁性氧化物組合物的電子構件。

智慧型手機等的攜帶式機器的高性能化有顯著進展。在最近，進展到近場通信(Near field communication；NFC)、非接觸供電等的使用，與先前相比，高交流電流流動的電路增加了。

另外，由於對電子構件的高密度化的對應，構件的小型化的要求依然強烈。一般而言，若增加交流電流、小型化等，電感元件的Q值就會下降。由於這樣的情況，而有即便增加交流電流值、小型化等仍可獲得高Q值的磁芯材料與使用此磁芯材料的電感元件的需求。

特別是，在層積型電感器，是要求線圈導體與磁性氧化物層一體燒成。因此，層積型電感器用的磁性氧化物組合物，是要求將燒結溫度設在線圈導體的熔點以下。

在專利文獻1，揭露一種磁性材料，在NiCuZn系磁性氧化物添加SiO₂、CoO而具有抗應力特性。然而，專利文獻1的磁性材料是在1050℃以上燒結的材料。再者，未顯示對高振幅電流的Q值。

在專利文獻2，揭露一種磁性氧化物材料，使用尖晶石磁性氧化物與矽酸鋅構成的NiCuZn系磁性氧化物而具有優異的直流重疊特性。然而，專利文獻2揭露的磁性氧化物料，未顯示對高振幅電流的Q值。

在專利文獻3，揭露一種磁性氧化物材料，在NiCuZn系磁性氧化物添加鈷氧化物，即使在高振幅電流，磁氣損失仍小。然而，專利文獻3揭露的磁性氧化物材料的電感的溫度變化率過大，多有無法滿足近年的溫度特性的要求的情況。

在專利文獻1~3的技術，對於作為各自的技術之目的的特性可獲得一定的效果，但是多有以其他的目的為犧牲的情況。另外，只有在一個特性優異則會使用途被限定。因此，需要更高性能的磁性氧化物組合物。

【專利文獻1】特開平02-137301號公報

【專利文獻2】專利5582279號公報

【專利文獻3】特開2013-060332號公報

有鑑於此，本發明的目的是提供可低溫燒結、在高外部磁場(數十~數百A/m)下對於外部磁場的變化的Q值的變化少、對於高振幅電流的Q值的劣化少、直流重疊特性良好、溫度特性亦優異的磁性氧化物組合物以及可小型化的電子構件。

為了達成上述目的，本發明相關的磁性氧化物組合物，其特徵在於：主成分，由以Fe₂O₃換算為23.0~47.0莫耳百分比之鐵的化合物、以CuO換算為3.0~16.0莫耳百分比之銅的化合物、以ZnO換算為4.0~39.0莫耳百分比之鋅的化合物、以SiO₂換算為1.5~13.0莫耳百分比之矽的化合物、餘量之鎳的化合物構成；以及相對於100重量份的上述主成分，含有以Co₃O₄換算為0.1~8.0重量份之鈷的化合物、以Bi₂O₃換算為0.25~5.00重量份之鉍的化合物作為副成分。

本發明相關的磁性氧化物組合物，藉由將構成主成分的氧化物的含量設為上述的範圍、進一步以上述的範圍含有作為副成分的氧化鉍及氧化鈷，使低溫燒結成為可能。例如在可作為內部電極使用的銀的熔點以下的900℃程度(950℃以下)燒結，變得可能。另外，本發明相關的本發明相關的磁性氧化物組合物在燒結後，相較於先前的外部磁場(1~2A/m)，即使使外部磁場上升到高外部磁場(數十~數百A/m)下，Q值的下降率仍少，對於高振幅電流的Q值的劣化仍少。還有，本發明相關的磁性氧化物組合物的溫度特性及直流重疊特性亦優異，電阻率亦大。

以本發明相關的磁性氧化物組合物構成的磁性氧化物燒結體，由於如上所述在大振幅的信號下特性未惡化，可以謀求電子構件的小型化。

以本發明相關的磁性氧化物組合物構成的磁性氧 化物燒結體，由於如上所述的直流重疊特性優異，可獲得對施加磁場的透磁率的變化少、穩定的電感值。藉此即使將電子構件小型化，仍可獲得的特性與使用先前的磁性氧化物之大型的電子構件比較，差異不大。

本發明相關的磁性氧化物組合物如上述，其溫度特性良好。因此，使用本發明相關的磁性氧化物組合物之磁芯、層積型電感器等的電子構件可適用於廣泛的溫度環境。

還有，可使用銀作為使用本發明相關的磁性氧化物組合物之電子構件的內部電極。銀與比其他金屬便宜且直流電阻較小。

本發明相關的磁性氧化物組合物，是以具有Zn₂SiO₄相為佳。

本發明相關的電子構件，是具有以上述的磁性氧化物組合物構成的磁性氧化物燒結體的電子構件。

例如是將線圈導體及陶瓷層層積而構成的電子構件，前述線圈導體含銀，上述陶瓷層由上述的磁性氧化物組合物構成。

本發明相關的電子構件，與具有以先前的磁性氧化物組合物構成的磁性氧化物燒結體的電子構件比較，在大振幅的信號下特性未惡化，因此可以謀求電子構件的小型化。

可以獲得這樣的功效的理由，認為是將主成分設為既定範圍、進一步將各成分的含量設為特定的範圍而獲得的複合性的功效。

另外，以本發明相關的磁性氧化物組合物構成的 磁性氧化物燒結體，適用於層積型電感器、LC濾波器、層積型共模濾波器(common mode filter)、利用其他的層積工法的複合電子構件等。例如亦適用於LC複合電子構件、NFC線圈、層積型阻抗元件、層積型變壓器。

1‧‧‧層積型電感器

2‧‧‧元件

3‧‧‧端子電極

4‧‧‧磁性氧化物層

5‧‧‧線圈導體

5a、5b‧‧‧引出電極

10‧‧‧LC複合電子構件

12‧‧‧電感器部

14‧‧‧電容器部

【第1圖】第1圖是本發明之一實施形態相關的層積型電感器的剖面圖。

【第2圖】第2圖是本發明之一實施形態相關的LC複合電子構件的剖面圖。

以下，基於顯示於圖式的實施形態說明本發明。

如第1圖所示，本發明之一實施形態相關的層積型電感器1，是具有元件2與端子電極3。元件2是將線圈導體5隔著磁性氧化物層4而形成為三次元且螺旋狀的生胚的層積體，將此生胚的層積體燒成而得。磁性氧化物層4，是以本發明之一實施形態相關的磁性氧化物組成物構成。在元件2的兩端形成端子電極3，隔著引出電極5a、5b與端子電極3連接而獲得層積型電感器1。元件2的形狀並未特別設限，但通常設為直方體狀。另外，元件2的尺寸亦未特別設限，按照用途設定適當的尺寸即可。

作為線圈導體5及引出電極5a、5b的材質，並未特別限定，可使用銀、銅、金、鋁、鈀、鈀/銀合金等。另外，亦可添加鈦化合物、鋯化合物、矽化合物等。

本實施形態相關的磁性氧化物組合物，是含有氧化鐵、氧化銅、氧化鋅、氧化鎳及氧化矽作為主成分。

主成分100莫耳百分比中，氧化鐵的含量以Fe₂O₃換算為23.0~47.0莫耳百分比、以28.0~44.0莫耳百分比為佳、更佳為33.0~37.0莫耳百分比。氧化鐵的含量無論過多、過少，燒結性會劣化。特別是低溫燒結時的燒結密度有下降的傾向。另外，由於燒結性的劣化，電阻率會顯著下降。

主成分100莫耳百分比中，氧化銅的含量以CuO換算為3.0~16.0莫耳百分比、以5.0~14.0莫耳百分比為佳、更佳為5.5~14.0莫耳百分比、更佳為7.0~8.0莫耳百分比。氧化銅的含量若過少，燒結性會劣化，特別是低溫燒結時的燒結密度有下降的傾向。另外，由於燒結性的劣化，電阻率會顯著下降。氧化銅的含量若過多，對直流重疊特性及外部磁場的增加的Q值的下降率有惡化的傾向。

主成分100莫耳百分比中，氧化鋅的含量以ZnO換算為4.0~39.0莫耳百分比、以5.0~39.0莫耳百分比為佳、更佳為21.0~32.0莫耳百分比。氧化鋅的含量若過低，有初透磁率μ_i變得過低的傾向。氧化鋅的含量若過多，對直流重疊特性及外部磁場的增加的Q值的下降率有惡化的傾向。還有，居禮溫度亦有下降的傾向。

主成分100莫耳百分比中，氧化矽的含量以SiO₂換算為1.5~13.0莫耳百分比、以3.0~11.0莫耳百分比為佳、更佳為7.0~9.5莫耳百分比。氧化矽的含量若過少，對直流重疊特性及外部磁場的增加的Q值的下降率有惡化的傾向；若過 多，對直流重疊特性及外部磁場的增加的Q值的下降率有惡化的傾向。

主成分的餘量是由氧化鎳構成。

本實施形態相關的磁性氧化物組合物，在上述的主成分以外，含有氧化鉍及氧化鈷作為副成分。

氧化鉍的含量，相對於100重量份的主成分，以Bi₂O₃換算為0.25~5.00重量份、以0.50~3.00重量份為佳、更佳為0.50~1.00重量份。氧化鉍的含量若過少，燒結性會劣化，特別是低溫燒結時的燒結密度有下降的傾向。另外，由於燒結性的劣化，電阻率會顯著下降。氧化鉍的含量若過多，有電阻率下降的傾向。還有，對直流重疊特性及外部磁場的增加的Q值的下降率有惡化的傾向。

氧化鈷的含量，相對於100重量份的主成分，以Co₃O₄換算為0.1~8.0重量份、以0.1~3.0重量份為佳、更佳為0.4~0.8重量份。氧化鈷的含量若過少，有電阻率下降的傾向。氧化鈷的含量若過多，有電阻率下降的傾向。還有，有初透磁率的溫度特性惡化的傾向。

另外，各主成分及各副成分的含量，在製造介電體磁器組合物時，從原料粉末階段到燒成後的各步驟中幾乎無變化。

在本發明相關的磁性氧化物組合物中，將主成分的組成範圍控制在上述的範圍以外，以上述的範圍含有氧化鉍及氧化鈷作為副成分。其結果，兼顧了高特性化與低溫燒結。具體而言，本發明相關的磁性氧化物組合物，由於對外部磁場 的增加的Q值的下降率低，對振幅電流的上升的Q值的下降亦小。還有，在本發明相關的磁性氧化物組合物，其直流重疊特性及初透磁率的溫度特性亦良好。再加上，本發明相關的磁性氧化物組合物，是可以在作為內部電極使用的銀的熔點以下的900℃程度作燒結。因此，變得可適用於種種的用途。還有，本發明相關的磁性氧化物組合物，由於在大振幅的信號下特性未惡化，可以謀求電子構件的小型化。

另外，本實施形態相關的磁性氧化物組合物，有別於上述副成分，亦可在未阻礙本發明的功效的範圍，還含有Mn₃O₄等的錳氧化物、氧化鋯、氧化錫、氧化鎂、玻璃化合物等的附加性成分。這些附加性成分的含量並無特別限定，例如0.05~1.0重量份程度。

特別是，氧化鎂的含量，是設為0.5重量份以下為佳。將氧化鎂的含量設為0.5重量份以下，則抑制MgO與SiO₂的反映，變得容易生成後述的Zn₂SiO₄相。

還有，在本實施形態相關的磁性氧化物組合物，可能含有不可避免的不純物元素的氧化物。

具體而言，不可避免的不純物元素，可列舉：C、S、Cl、As、Se、Br、Te、I；Li、Na、Mg、Al、Ca、Ga、Ge、Sr、Cd、In、Sb、Ba、Pb等的典型金屬元素；Sc、Ti、V、Cr、Y、Nb、Mo、Pd、Ag、Hf、Ta等的過渡金屬元素。另外，不可避免的不純物元素的氧化物，只要在磁性氧化物組合物中含有0.05重量份以下程度即可。

特別是，藉由將鋁的含量設為以Al₂O₃換算為0.05 重量份以下，會變得容易提升燒結性及電阻率。

本實施形態相關的磁性氧化物組合物中的晶粒的平均粒徑，是以0.2~1.5μm為佳。

接下來，說明本實施形態相關的磁性氧化物組合物的製造方法的一例。首先，將起始原料(主成分的原料及副成分的原料)，以成為既定的組成比為目的作秤量、混合，得到原料混合物。作為混合的方法，可列舉例如使用球磨機進行的濕式混合、使用乾式混合機進行的乾式混合等。另外，以使用平均粒徑為0.05~1.0μm的起始原料為佳。

作為主成分的原料，可使用氧化鐵(α-Fe₂O₃)、氧化銅(CuO)、氧化鎳(NiO)、氧化鋅(ZnO)、氧化矽(SiO₂)或複合氧化物。作為上述複合氧化物，可列舉例如矽酸鋅(Zn₂SiO₄)。還有，其他可使用藉由燒成而成為上述氧化物、複合氧化物等的各種化合物。作為藉由燒成而成為上述氧化物的物質，可列舉例如金屬單體、碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、鹵化物、有機金屬化合物等。

作為副成分的原料，可使用氧化鉍及氧化鈷。針對會成為副成分的原料的氧化物則無特別限定，可使用複合氧化物等。還有，其他可使用藉由燒成而成為上述氧化物、複合氧化物等的各種化合物。作為藉由燒成而成為上述氧化物的物質，可列舉例如金屬單體、碳酸鹽、草酸鹽、硝酸鹽、氫氧化物、鹵化物、有機金屬化合物等。

另外，氧化鈷的一形態的Co₃O₄，由於保管、處理等容易，即使在空氣中價數仍穩定，故以將其作為氧化鈷的原 料為佳。

接下來，進行原料混合物的鍛燒，得到鍛燒材料。鍛燒是引起原料的熱分解、成分的均質化、磁性氧化物的形成、燒結導致的超微粉的消失與晶粒成長到適度的晶粒尺寸，將原料混合物轉換為適合後續步驟為目的而進行。鍛燒時間及鍛燒溫度未特別設限。鍛燒通常在大氣(空氣)中進行，但亦可在氧分壓低於大氣中的氣氛進行。

接下來，進行鍛燒材料的粉碎，得到粉碎材料。粉碎是為了破壞鍛燒材料的凝集而成為具有適度的燒結性的粉體而進行。在鍛燒材料形成為大的塊狀物時，進行粗粉碎後，使用球磨機、磨碎機(attritor)等進行濕式粉碎。濕式粉碎是進行到粉碎材料的平均粒徑成為較佳0.1~1.0μm程度為止。

另外，在上述的粉碎材料的製造方法中，是在主成分的粉末及副成分的粉末全部混合後作鍛燒。然而，粉碎材料的製造方法未限定於上述的方法。

針對在鍛燒前已混合的原料粉末中一部分的原料粉末，亦可在鍛燒後粉碎鍛燒材料之時使其混合，取代在鍛燒前與其他的原料粉末混合。

較佳為，使氧化矽、氧化鉍及氧化鈷在粉碎鍛燒原料之時混合。在粉碎鍛燒原料之時混合氧化矽的情況，以使氧化鋅的一部分或全部與氧化矽一起混合為佳。這是因為在燒結的過程會變得容易形成後述的Zn₂SiO₄相。

另外，在粉碎鍛燒原料之時使氧化鋅與氧化矽一起混合的情況，在粉碎鍛燒原料之時混合的氧化鋅的量，是設 為以質量基準，在粉碎鍛燒原料之時混合的氧化矽的量的1.0~3.0倍為佳。這是因為在燒結的過程會變得容易形成後述的Zn₂SiO₄相。

使用獲得的粉碎材料，製造本實施形態相關的層積型電感器。針對製造此層積型電感器的方法未特別設限，以下是使用薄片形成方法。

首先，將獲得的粉碎材料與溶劑、黏結劑等的添加劑一起漿料化，製作膏狀物。然後，使用此膏狀物形成生胚片(green sheet)。接下來，將所形成的生胚片加工成既定的形狀，經過脫黏結劑步驟、燒成步驟，獲得本實施形態相關的層積型電感器。燒成是在線圈導體5及引出電極5a、5b的熔點以下的溫度進行。例如，在線圈導體5及引出電極5a、5b為銀(熔點962℃)時，以在850~920℃的溫度進行為佳。燒成時間通常進行1~5小時程度。另外，燒成可在大氣(空氣)中進行，但亦可在氧分壓低於大氣中的氣氛進行。如此獲得的層積型電感器是由本實施形態相關的磁性氧化物組合物構成。

以上，針對本發明的實施形態作了說明，但本發明完全不受這樣的實施形態的限定，當然可以以不脫離本發明的精神的範圍內的種種的樣態實施。例如，作為第2圖所示的LC複合電子構件10中的磁性氧化物層4，亦可使用本發明的磁性氧化物組合物。另外，在第2圖，元件符號12所示部分為電感器部，元件符號14所示部分為電容器部。

若針對本發明相關的磁性氧化物組合物進行X光繞射、以EPMA、STEM的元素分析解析等，可確認磁性氧化 物相的存在。在本發明相關的磁性氧化物組合物的較佳實施例中，存在有別於上述磁性氧化物相的Zn₂SiO₄相。上述Zn₂SiO₄相的存在可以以X光繞射、以EPMA、STEM的元素分析解析等確認。在以任何方法確認的情況，均以在觀察視野的倍率為5000~50000倍觀察為佳。

另外，Zn₂SiO₄相的含量可藉由X光繞射裝置確認。以下，針對本申請中的Zn₂SiO₄相的含量的定義及測定方法作說明。

以X光繞射裝置測定磁性氧化物組合物的X光繞射強度，測定磁性氧化物組合物中的尖晶石型磁性氧化物相的(311)面的尖峰強度I_A與Zn₂SiO₄的(113)面的尖峰強度I_B。本申請中Zn₂SiO₄相的含量為上述I_B除以上述I_A的值(I_B/I_A)。另外，從藉由X光繞射裝置所示的強度減去背景值，成為上述X光繞射強度。

Zn₂SiO₄相的含量，是以Zn₂SiO₄的(113)面的尖峰強度I_B對比於尖晶石型磁性氧化物相的(311)面的尖峰強度I_A的尖峰強度比I_B/I_A為0.006以上為佳。另外，Zn₂SiO₄相的含量的上限無特別限定，以上述I_B/I_A為0.190以下為佳。

公認Zn₂SiO₄相的彈性率及熱膨脹係數比磁性氧化物相小。而公認Zn₂SiO₄相賦予基於熱膨脹係數差的應力於磁性氧化物相之下，會持有較佳的電感特性。本案諸位發明人推斷，藉由以上的理由，形成有Zn₂SiO₄相Zn₂SiO₄相的磁性氧化物組合物的特性比未形成Zn₂SiO₄相的磁性氧化物組合物優異。

另外，Zn₂SiO₄相只要存在於燒結後的磁性氧化物組合物即可，亦可未必存在於燒結前的磁性氧化物組合物。另外，在粉碎鍛燒材料之時使一部分的氧化鋅與氧化矽一起混合的情況、或是在粉碎鍛燒材料之時添加矽酸鋅(Zn₂SiO₄)的情況，容易形成Zn₂SiO₄相。在粉碎鍛燒材料之時使一部分的氧化鋅與氧化矽一起混合的情況，在燒結過程，氧化鋅(ZnO)與氧化矽(SiO₂)化合，形成Zn₂SiO₄相。不過，Zn₂SiO₄相的形成方法不限於上述的方法。

另外，氧化鉍(Bi₂O₃)具有使燒結溫度降低的作用。還具有在燒結過程中促進Zn₂SiO₄相的生成的作用。而在粉碎鍛燒材料之時添加氧化鉍的情況，特別是促進Zn₂SiO₄相的生成的作用變大，而變得可以穩定地進行Zn₂SiO₄相的生成。

另外，氧化鈷(Co₃O₄)會使電阻率上升、抑制對高振幅電流的Q值的下降，但同時有使初透磁率的溫度特性惡化的傾向。然而，藉由Zn₂SiO₄相的存在，有抑制初透磁率的溫度特性的惡化的功效。同時，有使抑制對高振幅電流的Q值的下降的功效發揮至最大限度的功效。

【實施例】

以下，進一步基於詳細的實施例說明本發明，但本發明並未被限定於這些實施例。

首先，準備Fe₂O₃、NiO、CuO、ZnO、SiO₂，作為主成分的原料。準備Bi₂O₃、Co₃O₄作為副成分的原料。另外，起始原料的平均粒徑是以0.05~1.00μm為佳。

接下來，以成為作為燒結體而記載於表1的組成 為目的，秤量已準備的主成分原料的粉末及副成分原料的粉末。

秤量後，在已準備的主成分原料之中，將已準備的主成分原料之中的Fe₂O₃、NiO、CuO以及視需要將ZnO的一部分以球磨機作16小時濕式混合而得到原料混合物。

接下來，將所得到的原料混合物乾燥後，在空氣中鍛燒而得到鍛燒物。鍛燒溫度按照原料混合物的組成，在500~900℃的範圍作適當選擇。其後，一面在鍛燒物添加上述副成分的原料、SiO₂及在上述濕式混合步驟未混合的ZnO的剩下部分，一面以球磨機粉碎而得到粉碎粉。

針對添加於鍛燒物的上述ZnO的剩下部分的量，是成為以莫耳換算為SiO₂的添加量的1.0~3.0倍。

接下來，將此粉碎粉乾燥後，對100重量份的粉碎粉添加作為黏結劑的10.0重量份的6重量百分比濃度的聚乙烯醇水溶液，將其造粒而成為顆粒。將此顆粒加壓成形，獲得環形A(尺寸=外徑13mm×內徑6mm×高度3mm)的成形體、環形B(尺寸=外徑8mm×內徑4mm×高度2.5mm)的成形體以及碟形(尺寸=外徑12mm×高度2mm)的成形體。

接下來，在空氣中以銀的熔點(962℃)以下的860~900℃，將這些成形體燒成2小時，獲得作為燒結體的環形試樣A、環形試樣B以及碟形試樣。進一步對於所得到的各試樣進行以下的特性評量。另外，藉由螢光X射線分析裝置，確認了以秤量的原料粉末與燒成後的成形體的組成幾乎未變化。

電阻率ρ

在碟形試樣的兩面塗佈In-Ga電極，測定直流電阻值，求得電阻率(單位：Ω‧m)。測定是使用紅外線計(HEWLETT PACKARD公司製的4329A)進行。在本實施例，是將電阻率ρ為10⁶Ω‧m以上設為良好。針對電阻率ρ不滿10⁵Ω‧m的試樣，會有判斷不值得進行其他的特性評量而省略以下的特性評量的情況。

初透磁率μ_i

將銅線捲繞10圈於環形試樣A，使用LCR計(安捷倫科技公司製的4991A)測定初透磁率μ_i。測定條件設為：測定頻率1MHz、測定溫度25℃。

直流重疊特性

將銅線捲繞10圈於環形試樣A，測定施加直流電流時的透磁率μ。一面使施加的電流從0變化到8A、一面測定透磁率μ，取直流電流為橫軸、取透磁率為縱軸，將其曲線圖化。直流電流0A之時的透磁率為初透磁率μ_i。然後，求出透磁率從μ_i下降30%之時的電流值Idc30%down。

在施加的電流為8A以下的階段透磁率就下降30%的情況，透磁率下降30%之時的直流電流為Idc30%down。在施加的直流電流為8A的時間點透磁率尚未下降30%的情況，根據在直流電流8A的曲線的傾斜程度計算出Idc30%down。在施加的直流電流為0~8A之間透磁率μ未變化的情況，Idc30%down設為未飽和。

在本實施例，是將Idc30%down為未飽和或10.0A 以上的情況，設為直流重疊特性為良好。

Q的下降率

在環形試樣B，在1次側將銅線捲繞6圈、在2次側將銅線捲繞3圈，使用B-H分析儀(岩通計測製的SY-8218)及放大器(NF回路設計有限公司製的4101-IW)，測定施加100A/m的外部磁場的情況的Q值以及施加500A/m的情況的Q值。外部磁場以外的測定條件設為：測定頻率3MHz、測定溫度25℃。藉由測定後的Q值，計算出使外部磁場從100A/m上升至500A/m的情況的Q值的下降率。

在本實施例，是將使外部磁場從100A/m上升至500A/m的情況的Q的下降率為45.0%以下的情況設為良好。另外，在Q的下降率小的情況，對於高振幅電流的Q值的劣化亦變少。

初透磁率μ_i的溫度特性

將室溫25℃設為基準，求出在25℃~125℃的初透磁率μ_i的變化率。在本實施例中，是將μ_i的變化率為±30%以內的情況設為良好。

Zn₂SiO₄相之有無及含量

針對上述燒結後的磁性氧化物組合物，藉由STEM檢查Zn₂SiO₄相之有無。觀察視野的倍率為20000倍。另外，藉由X射線繞射裝置(Panalytical公司製X’Pert PRO MPD CuKα線)，檢查Zn₂SiO₄相的含量。

將以上的試驗結果彙整於表1。

藉由表1，可確認主成分及副成分的含量在本發明的範圍內的情況，全部的特性均呈良好。

在主成分的組成在本發明的範圍內、未含Co₃O₄的情況(試樣編號4、11、47)，電阻率ρ呈不滿10⁶。在Co₃O₄的添加量超過8.0重量份的情況(試樣編號5a、5d)，初透磁率的溫度特性或電阻率ρ惡化。

在主成分的組成在本發明的範圍內、未含Bi₂O₃的情況(試樣編號21、25、47)，電阻率ρ顯著下降而呈不滿10⁵。在Bi₂O₃的添加量超過5.00重量份的情況(試樣編號13)，電阻率ρ呈不滿10⁶，直流重疊特性及Q的下降率惡化。

在Fe₂O₃的含量不滿23.0莫耳百分比的情況(試樣編號27)，電阻率顯著下降而呈不滿10⁵。

在ZnO的含量超過43.0莫耳百分比的情況(試樣編號48)，直流重疊特性及Q的下降率惡化。還有，由於居禮溫度降低至100℃以下，無法測定初透磁率的溫度特性。

在CuO的含量不滿3.0莫耳百分比的情況(試樣編號49)，電阻率顯著下降而呈不滿10⁵。

在SiO₂的含量不滿1.5莫耳百分比的情況(試樣編號12、40、44)，直流重疊特性惡化。在試樣編號12、44，Q的下降率亦惡化。在SiO₂的含量超過13.0莫耳百分比的情況(試樣編號48)，直流重疊特性及Q的下降率惡化。

在全部的實施例中的燒結後的磁性氧化物組合物中，確認存在Zn₂SiO₄相。而且，確認上述Zn₂SiO₄相的含量(I_B/I_A)為0.006以上。

接下來，除了以成為作為燒結體而記載於表2~8的組成為目的，秤量已準備的主成分原料的粉末及副成分原料的粉末之外，與記載於表1的實施例同樣地實施。另外，分別將既定量的氧化鎂、氧化鋁，添加在表8的試樣編號121、試樣編號122。

藉由表2~表7，可確認即使使各成分的含量在既 定的範圍內變化，在主成分及副成分的含量全部在本發明的範圍內的情況，全部的特性呈良好。藉由表8，可確認即使添加氧化鎂及氧化鋁，在主成分及副成分的含量全部在本發明的範圍內的情況，全部的特性呈良好。

1‧‧‧層積型電感器

2‧‧‧元件

3‧‧‧端子電極

4‧‧‧磁性氧化物層

5‧‧‧線圈導體

5a、5b‧‧‧引出電極

Claims (3)

1. 一種磁性氧化物組合物，其特徵在於：主成分，由以Fe₂O₃換算為23.0~47.0莫耳百分比之鐵的化合物、以CuO換算為3.0~16.0莫耳百分比之銅的化合物、以ZnO換算為4.0~39.0莫耳百分比之鋅的化合物、以SiO₂換算為1.5~13.0莫耳百分比之矽的化合物、餘量之鎳的化合物構成；相對於100重量份的上述主成分，含有以Co₃O₄換算為0.1~8.0重量份之鈷的化合物、以Bi₂O₃換算為0.25~5.00重量份之鉍的化合物作為副成分；以及晶粒的平均粒徑為0.2~1.5μm。
2. 如申請專利範圍第1項所述之磁性氧化物組合物，其含有Zn₂SiO₄相。
3. 一種電子構件，具有以申請專利範圍第1或2項所述之磁性氧化物組合物構成的磁性氧化物燒結體。