JP7384189B2 - 積層型コイル部品 - Google Patents
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Description
この積層型コイル部品は、高周波特性に優れるものとされており、40GHz、50GHzでの透過係数S21が特定の値以上であることが記載されている。
特許文献1に記載された積層型コイル部品は、その絶縁層の材料としてフェライト材料を使用している。フェライト材料は比誘電率が15程度と高いために、フェライト材料を使用した積層型コイル部品は周波数60GHz付近の領域での損失が大きく、さらなる高周波特性の改良が望まれていた。
しかしながら、本発明は、以下の構成及び態様に限定されるものではなく、本発明の要旨を変更しない範囲において適宜変更して適用することができる。なお、以下において記載する本発明の個々の好ましい構成及び態様を2つ以上組み合わせたものもまた本発明である。
図1に示す積層型コイル部品1は、積層体10と第1外部電極21と第2外部電極22とを備えている。積層体10は、6面を有する略直方体形状である。積層体10の構成については後述するが、複数の絶縁層が積層方向に積層されてなり、内部にコイルが設けられている。第1外部電極21及び第2外部電極22は、それぞれ、コイルに電気的に接続されている。
長さ方向(x方向)は積層方向と平行な方向である。
図1に示す積層型コイル部品1では、第1外部電極21は、積層体10の第1端面11の一部を覆い、かつ、第1端面11から延伸して第1主面13の一部を覆って配置されている。
第1外部電極21は、第1端面11のうち、第1主面13と交わる稜線部を含む領域を覆っている。
第1外部電極21と同様、第2外部電極22は、第2端面12のうち、第1主面13と交わる稜線部を含む領域を覆っている。
また、第2外部電極が、積層体の第2端面の全部を覆い、かつ、第2端面から延伸して第1主面の一部、第2主面の一部、第1側面の一部、及び、第2側面の一部を覆っていてもよい。
この場合、積層体の第1主面、第2主面、第1側面及び第2側面のいずれかが実装面となる。
積層型コイル部品を構成する絶縁層に、少なくともSiを含む非磁性相が含まれることによって、絶縁層の誘電率を低下させることができる。絶縁層の誘電率が低下することによって、積層型コイル部品のLC共振に起因する損失が小さくなる。具体的には、LC共振に起因する透過係数S21の落ち込みが高周波方向へシフトし、例えば周波数60GHzまでの領域での透過係数S21を良好なものとすることができる。そのため、本発明の積層型コイル部品は、優れた高周波特性を有する積層型コイル部品となる。
磁性相を構成する結晶粒子の粒子径D50及びD90が上記範囲を満たす場合、優れた高周波特性を実現することができ、例えば周波数60GHzまでの領域での透過係数S21を良好なものとすることができる。
同様に、磁性相を構成する結晶粒子の粒子径D90が200nm未満であると、積層体の強度が低下することがある。
磁性相を構成する結晶粒子の粒子径D50が750nmを超えると、例えば周波数60GHzまでの領域での透過係数S21が不充分なものとなることがある。
同様に、磁性相を構成する結晶粒子の粒子径D90が1500nmを超えると、例えば周波数60GHzまでの領域での透過係数S21が不充分なものとなることがある。
粒子径D90は、250nm以上、700nm以下であることが好ましく、350nm以上、550nm以下であることがより好ましい。
両者の差が小さいほど絶縁層の誘電率をより低下させることができる。
周波数毎の透過係数S21は、ネットワークアナライザを用いて、積層型コイル部品への入力信号と透過信号の電力を測定することにより求められる。周波数を変化させて透過係数S21を求めることにより、周波数毎の透過係数S21を求めることができる。
透過係数S21の測定装置の具体例については、実施例の項目で説明する。
ここで、結晶子のサイズ(結晶子径)は、X線回折による回折ピークの幅からScherrerの式に基づいて算出でき、回折ピークがよりブロードになるほど当該結晶粒子を構成する結晶子のサイズ(結晶子径)はより小さくなる。
したがって、絶縁層の比誘電率を低下させて優れた高周波特性を実現する観点からは、磁性相の回折ピークの半値幅は大きいことが好ましい。
磁性相の(642)面に起因する回折ピークの半値幅が0.2°以上、0.5°以下であると、少なくともFe、Ni、Zn及びCuを含むスピネル構造の磁性相のみから絶縁層が構成される場合に比べて、磁性相を構成する結晶粒子に含まれる結晶子をより小さくすることができ、絶縁層の比誘電率を理論的な比誘電率に比べて低下させることができると考えられる。
磁性相の(642)面に起因する回折ピークの半値幅が0.5°を超えると、積層体の強度が低下したり、透磁率が低下し、その結果透過係数S21が不十分なものになることがある。
磁性相は、Co、Bi、Sn、Mn等をさらに含んでいてもよい。
非磁性相を構成する非磁性材料としては、ガラス材料、フォルステライト(2MgO・SiO2)、ウィルマイト[aZnO・SiO2(aは、1.8以上、2.2以下)]等が挙げられる。
なお、本明細書において、「少なくともSiを含む非磁性相」とは、Siを含む相のみから構成されていてもよいし、Siを含む相と、Siを含まない相とから構成されていてもよい。Siを含まない相としては、例えばSiを含まない結晶相等が挙げられる。
ホウケイ酸ガラスは、SiをSiO2に換算して70重量%以上、85重量%以下、BをB2O3に換算して10重量%以上、25重量%以下、アルカリ金属AをA2Oに換算して0.5重量%以上、5重量%以下、AlをAl2O3に換算して0重量%以上、5重量%以下の割合で含むことが好ましい。アルカリ金属AとしてはK、Na等が挙げられる。
なお、積層方向に沿う断面は、後述する図2に示すような断面である。
磁性材料の比誘電率は、例えば14.0以上、15.5以下であってもよい。
非磁性材料の比誘電率は、磁性材料の比誘電率より低いことが好ましく、例えば7.0以下であることが好ましく、5.0以下であることがより好ましい。非磁性材料の比誘電率の下限は特に限定されないが、例えば3.5以上であってもよい。
また、磁性材料を所定の形状に成形した誘電率測定用試料を作製し、これに電極を形成した後所定の条件で比誘電率を測定してもよい。同様に、非磁性材料を所定の形状に成形した誘電率測定用試料を作製して非磁性材料の比誘電率を測定してもよい。
次に、露出した断面の中央付近において50μm角の領域を3箇所抽出した後、走査型透過電子顕微鏡-エネルギー分散型X線分析で元素マッピングを行うことにより、上述したように磁性相と非磁性相とを区別する。そして、上述した3箇所の各領域について、得られた元素マッピング画像から、磁性相及び非磁性相の合計面積に対する非磁性相の面積割合を、画像解析ソフトにより測定する。その後、これらの面積割合の測定値から平均値を算出し、この平均値を、磁性相及び非磁性相の合計体積に対する非磁性相の体積割合とする。
フォルステライトに含まれる元素であるMg元素が存在する領域をフォルステライトが存在する領域として区別し、非磁性相の面積に対するフォルステライトが存在する領域の面積割合を測定することにより、非磁性相に含まれるフォルステライトの体積割合を求めることができる。
非磁性相の2体積%以上、8体積%以下がフォルステライトであると、積層体の強度が向上する。
コイルは、絶縁層とともに積層方向に積層された複数のコイル導体が電気的に接続されることにより形成される。
図2は、絶縁層、コイル導体及び連結導体、並びに、積層体の積層方向を模式的に示すものであり、実際の形状及び接続等を厳密には表していない。例えば、コイル導体はビア導体を介して接続されている。
積層体10には、コイル導体32が配置された領域と、第1連結導体41又は第2連結導体42が配置された領域とが存在する。積層体10の積層方向、及び、コイル30の軸方向(図2中、コイル軸Aを示す)は、第1主面13に対して平行である。
例えば、コイルの1ターンを構成するためのコイル導体の積層数が2、すなわち、繰り返し形状が1/2ターン形状であってもよい。
また、連結導体を構成するビア導体にランド部が接続されている場合には、ランド部を除いた形状(すなわちビア導体の形状)を連結導体の形状とする。
また、コイル導体の繰り返し形状は3/4ターン形状ではなく、1/2ターン形状であってもよい。
また、コイル長が0.49mm以上、0.55mm以下であることが好ましい。
コイル導体の厚みは、3.5μm以上、6.0μm以下であることが好ましい。コイル導体の厚みは図2に両矢印Tで示す寸法である。
コイル導体間の距離は、3.0μm以上、5.0μm以下であることが好ましい。コイル導体間の距離は図2に両矢印Dで示す寸法である。
積層体の第1主面を覆う部分の第1外部電極の長さ、第2外部電極の長さは、図2に両矢印E1で示す寸法である。
積層型コイル部品を構成する絶縁層の比誘電率は以下のようにして測定できる。
絶縁層を所定の形状(例えば円板状)に成形した誘電率測定用試料を作製する。これの両面に電極を形成した後、インピーダンスアナライザ(例えばアジレント・テクノロジー社製、E4991A)を使用し、周波数1MHzの条件下で誘電率を測定する。
積層型コイル部品を構成する絶縁層の透磁率は以下のようにして測定できる。
絶縁層を所定の形状(例えばリング状)に成形した透磁率測定用試料を作製する。これを透磁率測定冶具に収容した後、インピーダンスアナライザ(例えばアジレント・テクノロジー社製、E4991A)を使用し、周波数1MHzの条件下で透磁率を測定する。
Fe2O3、ZnO、CuO、及び、NiOを所定の比率になるように秤量する。各酸化物には、不可避不純物が含まれていてもよい。次に、これらの秤量物を湿式で混合した後、粉砕することにより、スラリーを作製する。この際、Mn3O4、Bi2O3、Co3O4、SiO2、SnO2等の添加剤を添加してもよい。そして、得られたスラリーを乾燥させた後、仮焼成する。仮焼成温度については、例えば、700℃以上、800℃以下とする。仮焼成時間については、例えば、2時間以上、5時間以下とする。このようにして、磁性材料として、粉末状のフェライト材料を作製する。
非磁性材料の粉末を秤量する。ホウケイ酸ガラスとしてカリウム等のアルカリ金属、ホウ素、ケイ素、アルミニウムを所定の割合で含有するガラス粉末を準備する。また、フィラーとして、フォルステライト粉末を準備する。フィラーとして、石英粉末をさらに準備してもよい。
磁性材料及び非磁性材料を所定の比率になるように秤量する。次に、これらの秤量物と、ポリビニルブチラール系樹脂等の有機バインダと、エタノール、トルエン等の有機溶剤と、可塑剤と、等を混合した後、粉砕することにより、スラリーを作製する。そして、得られたスラリーをドクターブレード法等で、所定の厚みのシート状に成形した後、所定の形状、例えば矩形状に打ち抜くことにより、グリーンシートを作製する。
グリーンシートの厚さは20μm以上、30μm以下であることが好ましい。
まず、グリーンシートの所定の箇所にレーザー照射を行うことにより、ビアホールを形成する。
コイルシート及びビアシートを、図3及び図4に相当する順序で積層方向に積層した後、熱圧着することにより、積層体ブロックを作製する。
まず、積層体ブロックをダイサー等で所定の大きさに切断することにより、個片化されたチップを作製する。
まず、銀及びガラスフリットを含む導電性ペーストを、積層体の第1端面及び第2端面に塗工する。次に、得られた各塗膜を焼き付けることにより、積層体の表面上に下地電極層を形成する。より具体的には、積層体の第1端面から、第1主面、第1側面、及び、第2側面の各面の一部にわたって延在する下地電極層を形成する。また、積層体の第2端面から、第1主面、第1側面、及び、第2側面の各面の一部にわたって延在する下地電極層を形成する。各塗膜の焼き付け温度については、例えば、800℃以上、820℃以下とする。
以上により、積層型コイル部品が製造される。
実施例1~6、及び、比較例1~2の積層型コイル部品用の積層体を、以下の方法で製造した。
Fe2O3が48.0mol%、ZnOが30.0mol%、NiOが14.0mol%、CuOが8.0mol%の比率になるように、主成分を秤量した。次に、これらの秤量物と、純水と、分散剤とを、PSZメディアとともにボールミルに入れて混合した後、粉砕することにより、スラリーを作製した。そして、得られたスラリーを乾燥させた後、800℃で2時間仮焼成した。このようにして、磁性材料として、粉末状のフェライト材料を作製した。
Si、B、K、Alを所定の割合で含むホウケイ酸ガラス粉末と、フィラーとしてのフォルステライト粉末及び石英粉末とを準備した。ホウケイ酸ガラス粉末とフォルステライト粉末と石英粉末とを、重量比でホウケイ酸ガラス:フォルステライト:石英=72:4:24の割合となるように秤量した。次に、これらの秤量物と、純水と、分散剤とを、PSZメディアとともにボールミルに入れて混合した後、粉砕することにより、スラリーを作製した。そして、得られたスラリーを乾燥させることで、粉末状の非磁性材料を作製した。
磁性材料及び非磁性材料の体積割合が、後に示す表1及び表2の通りになるように、磁性材料及び非磁性材料を秤量した。次に、これらの秤量物と、有機バインダとしてのポリビニルブチラール系樹脂と、有機溶剤としてのエタノール及びトルエンとを、PSZメディアとともにボールミルに入れて混合した後、粉砕することにより、スラリーを作製した。そして、得られたスラリーをドクターブレード法で、所定の厚みのシート状に成形した後、所定の形状に打ち抜くことにより、グリーンシートを作製した。
銀粉末と有機ビヒクルを含む内部導体用の導電性ペーストを準備した。
グリーンシートの所定箇所にビアホールを形成し、導電性ペーストを充填してビア導体を形成した後、コイル導体パターンを印刷し、コイルシートを得た。
別途、グリーンシートの所定箇所にレーザーを照射することにより、ビアホールを形成した。ビアホールに導電性ペーストを充填してビア導体を形成してビアシートを得た。
コイルシート及びビアシートを、図3及び図4に相当する順序で積層方向に積層した後、熱圧着することにより、積層体ブロックを作製した。
積層体ブロックをダイサーで切断して個片化することにより、個片化されたチップを作製した。続いて、個片化されたチップを焼成して積層体とした。焼成は、トップ温度を920℃とし、4時間保持した。この間、酸素濃度を0.1体積%とした。降温は、大気雰囲気とした。積層体には、磁性相であるフェライト相と、非磁性相とが形成された。
銀粉末とガラスフリットを含有する外部電極用の導電性ペーストを塗膜形成槽に流し込み、所定厚みの塗膜が形成されるようにした。この塗膜に、積層体の外部電極を形成する箇所を浸漬した。
浸漬後、800℃程度の温度で焼き付けることで、外部電極の下地電極層を形成した。下地電極層の厚みは略5μmとした。
続いて、電解めっきで、下地電極層の上にニッケル被膜及びスズ被膜を順次形成して、外部電極を形成した。
作製した積層型コイル部品のサイズは、長さ方向における寸法が0.6mm、高さ方向における寸法が0.3mm、幅方向における寸法が0.3mmであった。
なお、実施例1~6は磁性材料と非磁性材料の混合割合を変更した組成であり、比較例1は磁性材料を使用していない組成であり、比較例2は非磁性材料を使用していない組成である。
円板状試料を用い、誘導結合プラズマ発光/質量分光法(ICP-AES/MS)を用いて分析し、組成を確認した。結果を下記表1に示した。
なお、表1では、K2O、B2O3、SiO2、Al2O3、MgO、Fe2O3、NiO、ZnO、及び、CuOの合計を100重量%としたときの各成分の組成を示した。
円板状試料の両面に電極を形成し、インピーダンスアナライザ(アジレント・テクノロジー社製、E4991A)を使用し、測定周波数1MHzで比誘電率εrを測定した。結果を下記表2に示した。
リング状試料を透磁率測定冶具(アジレント・テクノロジー社製、16454A-s)に収容し、インピーダンスアナライザ(アジレント・テクノロジー社製、E4991A)を使用し、測定周波数1MHzで透磁率μを測定した。結果を下記表2に示した。
作製した積層型コイル部品を、第2主面が露出するように垂直に立て、積層型コイル部品の周りを樹脂で固めた。その後、研磨機で積層型コイル部品の高さ方向の略中央部まで研磨を行った。得られた断面の走査型電子顕微鏡(SEM)写真を倍率10000倍で撮影し、画像処理ソフトを用いて磁性相を構成する結晶粒子のD50及びD90を求めた。結果を下記表2に示した。
なお、D50、D90は、結晶粒子の面積円相当径の累積分布において個数基準でそれぞれ累積50%及び90%となる面積円相当径である。
また、SEM写真では、磁性相が相対的に暗く、非磁性相が相対的に明るいため、所定の閾値によりSEM写真を二値化して磁性相を構成する結晶粒子のみを抽出し、それらの粒子径(面積円相当径)を評価した。
作製した円板状試料を粉砕して粉末として、X線回折評価を行い、磁性相の(642)面に起因する回折ピークの半値幅を測定した。なお、X線源はCu-Kα1線を用いた。
図5は、実施例4及び比較例2で作製した試料のX線回析パターンを示す。
図5に示すように、磁性相の(642)面に起因する回折ピークの半値幅として、角度(2θ)=86~87°の間に現れるスピネル構造の(642)面の回折ピークの半値幅を測定した。
結果を下記表2に示した。
図6は、透過係数S21を測定する方法を模式的に示す図である。
図6に示すように、信号経路61とグランド導体62を設けた測定用治具60に作製した積層型コイル部品1をはんだ付けした。積層型コイル部品1の第1外部電極21が信号経路61に接続され、第2外部電極22がグランド導体62に接続される。
図7は、実施例1、4及び6と、比較例2とで作製した積層型コイル部品の透過係数S21を示すグラフである。
なお、透過係数S21は、0dBに近いほど損失が少ないことを示す。
これは、積層型コイル部品を構成する絶縁層に、少なくともSiを含む非磁性相が含まれることによって絶縁層の誘電率が低下し、積層型コイル部品のLC共振に起因する損失が小さくなったためと考えられる。
磁性相と非磁性相の合計体積に対する磁性相の体積比率を変化させて上述のように円板状試料を作製し、上述の方法により比誘電率を測定した。また、磁性相と非磁性相の混合比率から対数混合則により比誘電率の理論値を計算した。その結果を図8に示す。
図8は、磁性相と非磁性相の合計体積に対する磁性相の体積比率が異なる試料の比誘電率の実測値と理論値を示すグラフである。
図8に示されるように、比誘電率は、理論値に比べ実測値が3~6%低くなった。これは、磁性相と非磁性相が混在することによって、磁性相の結晶粒子の粒子径が小さくなったためと考えられる。
このように、磁性相の結晶粒子の粒子径が小さくなることに起因する比誘電率の低下もまた、積層型コイル部品の高周波特性の向上に寄与したと考えられる。
10 積層体
11 第1端面
12 第2端面
13 第1主面
14 第2主面
15 第1側面
16 第2側面
21 第1外部電極
22 第2外部電極
30 コイル
31、31a、31b、31c、31d、35a、35a1、35a2、35a3、35a4、35b、35b1、35b2、35b3、35b4 絶縁層
32、32a、32b、32c、32d コイル導体
33a、33b、33c、33d、33p、33q ビア導体
36a、36b、36c、36d ライン部
37a、37b、37c、37d ランド部
41 第1連結導体
42 第2連結導体
60 測定用治具
61 信号経路
62 グランド導体
63 ネットワークアナライザ
Claims (3)
- 複数の絶縁層が積層方向に積層されてなり内部にコイルが設けられた積層体と、前記積層体の表面に設けられて前記コイルに電気的に接続された外部電極とを有し、
前記積層体は、長さ方向に相対する第1端面及び第2端面と、前記長さ方向に直交する高さ方向に相対する第1主面及び第2主面と、前記長さ方向及び前記高さ方向に直交する幅方向に相対する第1側面及び第2側面と、を有し、
前記外部電極は、前記積層体の前記第1端面の少なくとも一部から前記第1主面の一部にわたって延在する第1外部電極と、前記積層体の前記第2端面の少なくとも一部から前記第1主面の一部にわたって延在する第2外部電極とを有し、
前記積層体の積層方向及び前記コイルのコイル軸が前記第1主面に平行であり、
前記絶縁層は、少なくともFe、Ni、Zn及びCuを含むスピネル構造の磁性相と、少なくともSiを含む非磁性相とを有しており、
前記磁性相を構成する結晶粒子の粒子径D50及びD90を、前記結晶粒子の面積円相当径の累積分布において個数基準でそれぞれ累積50%及び90%となる面積円相当径とすると、
前記粒子径D50は、50nm以上、750nm以下であり、
前記粒子径D90は、200nm以上、1500nm以下であることを特徴とする積層型コイル部品。 - Cu-Kα1線を用いたX線回折により得られる前記磁性相の(642)面に起因する回折ピークの半値幅は、0.2°以上、0.5°以下である請求項1に記載の積層型コイル部品。
- 前記絶縁層は、
BをB2O3に換算して2重量%以上11重量%以下、
SiをSiO2に換算して18重量%以上66重量%以下、
FeをFe2O3に換算して13重量%以上52重量%以下、
NiをNiOに換算して1重量%以上7重量%以下、
ZnをZnOに換算して4重量%以上16重量%以下、
CuをCuOに換算して1重量%以上5重量%以下、含有する請求項1又は2に記載の積層型コイル部品。
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