CN218482052U

CN218482052U - 线圈部件

Info

Publication number: CN218482052U
Application number: CN202220723125.7U
Authority: CN
Inventors: 酒井崇史
Original assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Murata Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2021-04-08
Filing date: 2022-03-30
Publication date: 2023-02-14
Anticipated expiration: 2032-03-30
Also published as: JP2022161324A; CN115206629A; US20220336142A1

Abstract

本实用新型提供一种不易在本体上产生裂缝的线圈部件。该线圈部件包括：绝缘体部；线圈，其埋设于所述绝缘体部，由多个线圈导体层电连接而成；以及外部电极，其设置于所述绝缘体部的表面，其中，利用引出部将所述线圈与所述外部电极电连接，利用导通孔导体将层叠起来的多个焊盘导体层相互电连接而构成所述引出部，在从层叠方向俯视的情况下，在层叠方向上邻接的导通孔导体的中心不对齐。

Description

线圈部件

技术领域

本实用新型涉及线圈部件。

背景技术

在线圈部件中，为了改善电特性，而使用含有磁性材料和非磁性材料作为本体材料的复合磁性材料(专利文献1)。

专利文献1：日本特开2019－210204号公报

在使用复合磁性材料的情况下，烧制温度因磁性材料和非磁性材料而不同，因此有复合磁性材料的烧结性降低的担忧，特别是在形成为层叠线圈部件的情况下，有因烧制时的复合磁性材料与内部导体之间的收缩行为的差异而在本体上产生裂缝的担忧。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种不易在本体上产生裂缝的线圈部件。

本公开包括以下方式。

[1]一种线圈部件，其包括：

绝缘体部；

线圈，其埋设于上述绝缘体部，由多个线圈导体层电连接而成；以及

外部电极，其设置于上述绝缘体部的表面，

其中，

利用引出部将上述线圈与上述外部电极电连接，

利用导通孔导体将层叠起来的多个焊盘导体层相互电连接而构成上述引出部，

在从层叠方向俯视的情况下，在层叠方向上邻接的上述导通孔导体的中心不对齐。

[2]根据上述线圈部件，其中，在层叠方向上邻接的上述导通孔导体的中心交替错开。

[3]根据上述线圈部件，其中，在层叠方向上邻接的上述导通孔导体的中心的错开幅度为5μm以上且25μm以下。

[4]根据上述线圈部件，其中，上述绝缘体部包含磁性体相和非磁性体相，上述磁性体相至少包含Fe、Ni、Zn以及Cu，上述非磁性体相至少包含Si和Zn。

[5]根据上述线圈部件，其中，

上述绝缘体部包含Fe、Ni、Zn、Cu、Si，

将Fe换算为Fe₂O₃，形成为28mol％以上且41mol％以下，

将Ni换算为NiO，形成为16mol％以上且24mol％以下，

将Zn换算为ZnO，形成为23mol％以上且37mol％以下，

将Cu换算为CuO，形成为5mol％以上且9mol％以下，

将Si换算为SiO₂，形成为4mol％以上且14mol％以下。

[6]根据上述线圈部件，其中，上述线圈导体层的层叠方向与线圈安装面平行。

根据本公开，能够提供不易产生裂缝的线圈部件。

附图说明

图1是示意表示本公开的线圈部件1的立体图。

图2是表示沿着图1所示的线圈部件1的x－x的剖切面的剖视图。

图3是表示交替配置有导通孔导体10的引出部7的剖视图。

图4是表示实施例的线圈部件的线圈图案的图。

图5是表示比较例的线圈部件的线圈图案的图。

图6是表示配置为导通孔导体10的中心一致的引出部7的剖视图。

附图标记说明

1…线圈部件；2…绝缘体部；3…线圈；4、5…外部电极；6…线圈导体层；7、8…引出部；9…焊盘导体层；10…导通孔导体；12…生片；16…线圈图案；19…焊盘图案；20…连接导通孔图案；21…连接导体图案。

具体实施方式

以下，参照附图对本公开进行详细说明。其中，本实施方式的线圈部件和各结构元件的形状以及配置方式等并不限定于图示的例子。

在图1中示出了本实施方式的线圈部件1的立体图，在图2中示出了x－x剖视图。其中，下述实施方式的线圈部件和各结构元件的形状以及配置方式等并不限定于图示的例子。

如图1和图2所示，本实施方式的线圈部件1是具有大致长方体形状的线圈部件。在线圈部件1中，将图1的与L轴垂直的面称为“端面”，将与W轴垂直的面称为“侧表面”，将与T轴垂直的面称为“上表面”和“下表面”。线圈部件1示意性地包括绝缘体部2和设置于该绝缘体部2的两个端面的外部电极4、5。在绝缘体部2中埋设有线圈3。通过利用贯穿绝缘体部2的连接导体将与线圈部件的安装面(在本实施方式中为下表面)平行地层叠的线圈导体层6以螺旋状连接起来而构成线圈3。线圈导体层6中的位于两端的线圈导体层分别利用引出部7、8来与外部电极4、5连接。通过利用导通孔导体10将层叠的多个焊盘导体层9相互电连接而构成引出部7、8，在从层叠方向俯视的情况下，在层叠方向上邻接的导通孔导体10的中心不对齐。

在本实施方式的线圈部件1中，优选通过层叠多个绝缘体层而构成绝缘体部2。

上述绝缘体层优选与线圈部件1的安装面平行地层叠。即，在图2中，绝缘体层沿水平方向层叠。

上述线圈导体层6间的绝缘体层的厚度能够优选为3μm以上且50μm以下，更优选为3μm以上且40μm以下，进一步优选为3μm以上且20μm以下。通过将上述厚度形成为3μm以上，能够更可靠地确保线圈导体层间的绝缘性。另外，通过将上述厚度形成为50μm以下，能够获得更优异的电特性。

上述绝缘体部2优选包含磁性体相和非磁性体相。通过绝缘体部包含磁性体相和非磁性体相，能够获得优异的电特性。

上述磁性体相至少包含Fe、Zn、Cu以及Ni。

上述磁性体相优选由至少包含Fe、Zn、Cu以及Ni作为主成分的烧结磁性材料构成。

在上述烧结磁性材料中，Fe含量换算为Fe₂O₃，能够优选为40.0mol％以上且49.5mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为45.0mol％以上且49.5mol％以下。

在上述烧结磁性材料中，Zn含量换算为ZnO，能够优选为2.0mol％以上且35.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为5.0mol％以上且30.0mol％以下。

在上述烧结磁性材料中，Cu含量换算为CuO，优选为6.0mol％以上且13.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为7.0mol％以上且10.0mol％以下。

在上述烧结磁性材料中，Ni含量并不被特别限定，作为上述其他主成分的Fe、Zn以及Cu的其余部分，Ni含量换算为NiO，优选为10.0mol％以上且45.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为15.0mol％以上且40.0mol％以下。

通过将Fe、Zn、Cu以及Ni的含量形成为上述范围，能够获得优异的电特性。

在本公开中，上述烧结磁性材料也可以进一步包含添加成分。作为烧结磁性材料中的添加成分，例举有Mn、Co、Sn、Bi、Si等，但并不限定于此。Mn、Co、Sn、Bi以及Si的含量(添加量)相对于主成分(Fe(Fe₂O₃换算)、Zn(ZnO换算)、Cu(CuO换算)以及Ni(NiO换算))的合计100质量份分别换算为Mn₃O₄、Co₃O₄、SnO₂、Bi₂O₃以及SiO₂，优选为0.1质量份以上且1质量份以下。另外，上述烧结磁性材料也可以进一步包含制造上不可避免的杂质。

上述非磁性体相至少包含Si和Zn。

上述非磁性体相优选由至少包含Si和Zn作为主成分的烧结非磁性材料构成。

在上述烧结非磁性材料中，对于Zn的含量与Si的含量的摩尔比(Zn/Si)而言，Si含量换算为SiO₂，Zn含量换算为ZnO，该摩尔比(Zn/Si)优选为1.8以上且2.2以下，更优选为1.9以上且2.1以下。通过将Zn的含量与Si的含量之比形成为上述范围，能够获得优异的电特性。

上述烧结非磁性材料也可以进一步包含制造上不可避免的杂质。

在上述绝缘体部中，Fe含量换算为Fe₂O₃，能够优选为28.0mol％以上且41.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为30.0mol％以上且38.0mol％以下。

在上述绝缘体部中，Ni含量换算为NiO，优选为16.0mol％以上且24.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为17.0mol％以上且20.0mol％以下。

在上述绝缘体部中，Zn含量换算为ZnO，能够优选为23.0mol％以上且37.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为25.0mol％以上且35.0mol％以下。

在上述绝缘体部中，Cu含量换算为CuO，优选为5.0mol％以上且9.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为6.0mol％以上且8.0mol％以下。

在上述绝缘体部中，Si含量换算为SiO₂，优选为4.0mol％以上且14.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为6.0mol％以上且12.0mol％以下。

在上述绝缘体部中，位于邻接的线圈导体层间的绝缘体部(图2中的A)的晶体颗粒的平均晶体粒径优选为0.2μm以上且0.8μm以下，更优选为0.2μm以上且0.5μm以下。通过将该平均晶体粒径形成为上述范围，从而线圈部件的耐电压性提高。

在上述绝缘体部中，绝缘体部的大致中央部(图2中的B)中的晶体颗粒的平均晶体粒径优选为0.2μm以上且0.8μm以下，更优选为0.2μm以上且0.5μm以下。通过将该平均晶体粒径形成为上述范围，从而线圈部件的耐电压性提高。

在上述绝缘体部中，绝缘体部的大致中央部处的晶体颗粒的平均晶体粒径大于位于邻接的上述线圈导体层间的绝缘体部的晶体颗粒的平均晶体粒径。通过使绝缘体部的大致中央部处的晶体颗粒的平均晶体粒径大于位于邻接的上述线圈导体层间的绝缘体部的晶体颗粒的平均晶体粒径，从而线圈部件的耐电压性提高。

在上述绝缘体部中，相比于位于邻接的上述线圈导体层间的绝缘体部的晶体颗粒的平均晶体粒径，绝缘体部的大致中央部中的晶体颗粒的平均晶体粒径优选为1.01倍以上且2.0倍以下，更优选为1.01倍以上且1.5倍以下，进一步优选为1.01倍以上且1.2倍以下，更进一步优选为1.02倍以上且1.2倍以下。

能够如以下那样测定上述平均晶体粒径。

使线圈部件的LT面暴露地利用树脂从四周加固样品，并利用磨床沿W方向进行研磨直至绝缘体部2的大致中央部暴露。在研磨后，利用聚焦离子束(FIB)加工截面，由此获得观察用截面。对于FIB加工后的截面，在观察区域(8μm×8μm)处测定晶体粒径，求出平均晶体粒径。此处，平均晶体粒径是晶体颗粒的面积圆当量直径按照个数基准而为50％的颗粒直径。

在上述绝缘体部中，位于邻接的线圈导体层间的绝缘体部的孔隙面积比优选为0.3％以上且3.0％以下，更优选为0.5％以上且2.5％以下，进一步优选为1.0％以上且2.5％以下。通过将该孔隙面积比形成为上述范围，从而线圈部件的耐电压性提高。

在上述绝缘体部中，绝缘体部的大致中央部处的孔隙面积比优选为2.0％以上且6.0％以下，更优选为2.5％以上且5.0％以下，进一步优选为3.0％以上且4.5％以下。通过将该孔隙面积比形成为上述范围，从而线圈部件的耐电压性提高。

在上述绝缘体部中，绝缘体部的大致中央部处的孔隙面积比大于位于邻接的线圈导体层间的绝缘体部的孔隙面积比。通过使绝缘体部的大致中央部处的孔隙面积比大于位于邻接的线圈导体层间的绝缘体部的孔隙面积比，从而线圈部件的耐电压性提高。

在上述绝缘体部中，相比于位于邻接的线圈导体层间的绝缘体部的孔隙面积比，绝缘体部的大致中央部处的孔隙面积比优选为1.1倍以上且7.0倍以下，更优选为1.1倍以上且5.0倍以下，进一步优选为1.5倍以上且4.0倍以下，更进一步优选为2.0倍以上且3.0倍以下。

能够如以下那样测定上述孔隙面积比。

使线圈部件的LT面暴露地利用树脂从四周加固样品，并利用磨床沿W方向进行研磨直至绝缘体部2的大致中央部暴露。在研磨后，利用聚焦离子束(FIB)加工截面，由此获得观察用截面。对于FIB加工后的截面，利用SEM(扫描式电子显微镜)拍摄观察区域(8μm×8μm)。对于所获得的SEM图像，使用图像解析软件求出孔隙占整个面积的面积比例，并将该比例作为孔隙面积比。

通过将线圈导体层6以螺旋状相互电连接而构成上述线圈3。通过贯穿绝缘体部2的连接导体将在层叠方向上相互邻接的线圈导体层6连接。

构成上述线圈导体层的材料并不被特别限定，但例举有Au、Ag、Cu、Pd、Ni等。构成上述线圈导体层的材料优选为Ag或者Cu，更优选为Ag。导电性材料可以仅为一种，也可以为两种以上。

上述线圈导体层的厚度能够优选为5μm以上且25μm以下，更优选为5μm以上且15μm以下。通过增大线圈导体层的厚度，从而线圈部件的电阻值变得更小。此处，线圈导体层的厚度是指线圈导体层的沿着层叠方向的厚度。

能够如以下那样测定上述线圈导体层的厚度。

使线圈部件的LT面暴露地利用树脂从四周加固样品，并利用磨床沿W方向进行研磨直至绝缘体部2的大致中央部暴露。在研磨后，利用聚焦离子束(FIB)加工截面，由此获得观察用截面。对于FIB加工后的截面，利用扫描式电子显微镜(SEM)观察截面，并通过附属于SEM的测定功能测定线圈导体层的L寸中央部的厚度。

上述连接导体设置为贯穿线圈导体层间的绝缘体部。构成连接导体的材料可以为关于上述线圈导体层而记载的材料。构成连接导体的材料与构成线圈导体层的材料可以相同，也可以不同。在优选的方式中，构成连接导体的材料与构成线圈导体层的材料相同。在优选的方式中，构成连接导体的材料为Ag。

上述引出部7、8分别是通过多个焊盘导体层9由导通孔导体10电连接而构成的。

构成上述焊盘导体层的材料并不被特别限定，例举有Au、Ag、Cu、Pd、Ni等。构成上述焊盘导体层的材料优选为Ag或者Cu，更优选为Ag。构成焊盘导体层的材料可以仅为一种，也可以为两种以上。构成上述焊盘导体层的材料与构成上述线圈导体层的材料可以相同，也可以不同，但优选为相同。

上述焊盘导体层的厚度能够优选为5μm以上且25μm以下，更优选为5μm以上且15μm以下。通过增大焊盘导体层的厚度，从而线圈部件的电阻值变得更小。此处，焊盘导体层的厚度是指焊盘导体层的沿着层叠方向的厚度。

能够与上述线圈导体层的厚度同样地测定上述焊盘导体层的厚度。

上述导通孔导体设置为贯穿焊盘导体层间的绝缘体部。构成导通孔导体的材料可以为关于上述焊盘导体层而记载的材料。构成导通孔导体的材料与构成焊盘导体层的材料可以相同，也可以不同。在优选的方式中，构成导通孔导体的材料与构成焊盘导体层的材料相同。在优选的方式中，构成导通孔导体的材料为Ag。

在从层叠方向俯视各引出部中的导通孔导体的情况下，在层叠方向上邻接的导通孔导体的中心不对齐(图3)。即，在层叠方向上邻接的导通孔导体的中心相互错开。通过使在层叠方向上邻接的导通孔导体的中心相互错开，能够抑制线圈部件产生裂缝。

在本实施方式中，在层叠方向上邻接的导通孔导体交替错开。即，在从层叠方向俯视的情况下，导通孔导体所存在的位置为两个部位，邻接的导通孔导体设置为分别位于不同的部位。

在另一个方式中，在从层叠方向俯视的情况下，在层叠方向上邻接的导通孔导体所存在的位置也可以为三个部位以上。例如，在从层叠方向俯视的情况下，在层叠方向上邻接的导通孔导体所存在的位置为三个部位的情况下，也可以使位于该三个部位的导通孔导体的中心描绘三角形地设置导通孔导体，优选为描绘正三角形地设置导通孔导体。

在层叠方向上邻接的导通孔导体的中心的错开幅度(图3中的d)优选为5μm以上且50μm以下，更优选为10μm以上且20μm以下。

相比于导通孔导体的直径，在层叠方向上邻接的导通孔导体的中心的错开幅度优选为0.05倍以上且0.5倍以下，更优选为0.1倍以上且0.4倍以下，进一步优选为0.1倍以上且0.3倍以下。此处，导通孔导体的直径是指导通孔导体的截面(与层叠面平行的截面)中的尺寸最大部位的直径。

在优选的方式中，在从层叠方向俯视的情况下，在层叠方向上邻接的导通孔导体不重叠。即，在从层叠方向俯视的情况下，在层叠方向上邻接的导通孔导体彼此完全独立。即，在层叠方向上邻接的导通孔导体的中心的错开幅度(图3中的d)大于邻接的导通孔导体的半径的总和。

外部电极4、5设置为覆盖绝缘体部2的两个端面。上述外部电极由导电性材料构成，优选由选自Au、Ag、Pd、Ni、Sn以及Cu中的一种或者一种以上的金属材料构成。

上述外部电极可以为单层，也可以为多层。在一个方式中，上述外部电极能够为多层，优选为双层以上且4层以下，例如为3层。

在一个方式中，外部电极为多层，能够包括包含Ag或者Pd的层、包含Ni的层或者包含Sn的层。在优选的方式中，上述外部电极由包含Ag或者Pd的层、包含Ni的层以及包含Sn的层构成。优选从线圈导体层侧起按照包含Ag或者Pd(优选为包含Ag)的层、包含Ni的层、包含Sn的层的顺序设置上述各层。优选包含上述Ag或者Pd的层能够是烧结Ag膏或者Pd膏而成到的层，包含上述Ni的层和包含Sn的层能够是镀层。

本公开的线圈部件优选为，长度(L)为0.4mm以上且3.2mm以下，宽度(W)为0.2mm以上且1.6mm以下，高度(T)为0.2mm以上且1.6mm以下，更优选为，长度为0.6mm以上且1.0mm以下，宽度为0.3mm以上且0.5mm以下，高度为0.3mm以上且0.5mm以下。

以下，对上述本实施方式的线圈部件1的制造方法进行说明。

(1)磁性材料(预烧磁性粉末)的调制

首先，准备磁性材料的原料。磁性材料的原料包含Fe、Zn、Cu以及Ni作为主成分。通常，上述原料的主成分实质上由Fe、Zn、Cu以及Ni的氧化物(理想的是，Fe₂O₃、ZnO、CuO以及NiO)构成。

作为上述原料，称量Fe₂O₃、ZnO、CuO、NiO以及根据需要称量添加成分而使它们成为规定的组成，并进行混合和粉碎。对所获得的粉末进行干燥和预烧，由此获得预烧磁性粉末。优选对所获得的预烧磁性粉末进行粉碎而实现微粉化。

上述预烧磁性粉末的颗粒直径，以D50计，优选为0.1μm以上且0.2μm以下。此处，D50是使用激光衍射散射式粒度分布测定法而获得的体积累积50％当量直径。

在上述预烧磁性粉末中，Fe含量换算为Fe₂O₃，能够优选为40.0mol％以上且49.5mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为45.0mol％以上且49.5mol％以下。

在上述预烧磁性粉末中，Zn含量换算为ZnO，能够优选为2.0mol％以上且35.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为5.0mol％以上且30.0mol％以下。

在上述预烧磁性粉末中，Cu含量换算为CuO，优选为6.0mol％以上且13.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为7.0mol％以上且10.0mol％以下。

在上述预烧磁性粉末中，Ni含量并不被特别限定，作为上述其他主成分的Fe、Zn以及Cu的其余部分，Ni含量换算为NiO，优选为10.0mol％以上且45.0mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为15.0mol％以上且40.0mol％以下。

在本公开中，上述预烧磁性粉末也可以进一步包含添加成分。作为预烧磁性粉末中的添加成分，例举有Mn、Co、Sn、Bi、Si等，但并不限定于此。相对于主成分(Fe(Fe₂O₃换算)、Zn(ZnO换算)、Cu(CuO换算)以及Ni(NiO换算))的合计100质量份，Mn、Co、Sn、Bi以及Si的含量(添加量)分别换算为Mn₃O₄、Co₃O₄、SnO₂、Bi₂O₃以及SiO₂，优选为0.1质量份以上且1质量份以下。另外，上述预烧磁性粉末也可以进一步包含制造上不可避免的杂质。

此外，上述预烧磁性粉末中的Fe含量(Fe₂O₃换算)、Zn含量(ZnO换算)、Cu含量(CuO换算)以及Ni含量(NiO换算)可以考虑为与烧制后的上述烧结磁性材料中的Fe含量(Fe₂O₃换算)、Zn含量(ZnO换算)、Cu含量(CuO换算)以及Ni含量(NiO换算)实质上相同。

(2)非磁性材料(预烧非磁性粉末)的调制

首先，准备非磁性材料的原料。非磁性材料的原料包含Si和Zn作为主成分。通常，上述原料的主成分实质上由Si和Zn的氧化物(理想的是，SiO₂和ZnO)构成。

作为上述原料，称量SiO₂、ZnO并根据需要称量添加成分而成为规定的组成，并进行混合和粉碎。对所获得的粉末进行干燥和预烧，由此获得预烧非磁性粉末。优选对所获得的预烧非磁性粉末进行粉碎而实现微粉化。

上述预烧非磁性粉末的颗粒直径，以D50计，优选为0.1μm以上且0.2μm以下。此处，D50是使用激光衍射散射式粒度分布测定法而获得的体积累积50％当量直径。

在上述预烧非磁性粉末中，Si含量换算为SiO₂，优选为31mol％以上且36mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为32mol％以上且35mol％以下。

在上述预烧非磁性粉末中，Zn含量换算为ZnO，优选为64mol％以上且69mol％以下(主成分总基准，以下也同样)，更优选为65mol％以上且68mol％以下。

此外，上述预烧非磁性粉末中的Si含量(SiO₂换算)和Zn含量(ZnO换算)可以考虑为与烧制后的上述烧结非磁性材料中的Si含量(SiO₂换算)和Zn含量(ZnO换算)实质上相同。

(3)导电膏的调制

首先，准备导电性材料。作为导电性材料，例举有Au、Ag、Cu、Pd、Ni等，优选为Ag或者Cu，更优选为Ag。称量规定量的导电性材料的粉末，并利用行星搅拌机等将该粉末与规定量的溶剂(丁香酚等)、树脂(乙基纤维素等)以及分散剂进行揉捏之后，利用三辊研磨机等使该粉末分散，由此能够制造导电膏。

(4)片材制造

将上述中调制出的磁性材料和非磁性材料混合而成为规定的调配。将上述混合物与例如PSZ介质一起放入球磨机中，并加入聚乙烯醇缩丁醛系等有机粘合剂；乙醇、甲苯等有机溶剂；以及增塑剂进行混合，由此获得浆料。接下来，通过刮板涂装法等将该浆料成型为片状，并将其冲裁成矩形而制造生片。

上述生片的厚度能够例如为5μm以上且40μm以下，优选为10μm以上且25μm以下。通过将生片的厚度形成为上述范围，能够获得高绝缘性和优异的电特性。

上述混合物中的磁性材料和非磁性材料的配比(磁性材料：非磁性材料(质量比))能够优选为90：10～5：95，更优选为90：10～50：50。通过将磁性材料和非磁性材料的配比形成为上述范围，能够获得优异的电特性。

接下来，对上述中制造出的生片进行激光照射而在规定部位处形成导通孔。通过对在上述中调制出的导电膏进行丝网印刷，而在导通孔中填充导电膏，由此形成连接导体图案和连接导通孔图案。另外，通过在生片上丝网印刷导电膏，而形成线圈图案和焊盘图案。

(5)层叠、压接以及单片化

层叠在上述中所获得的生片，获得规定的线圈图案，由此制造热压接的层叠块。利用切割机等切断所获得的层叠块而实现单片化，由此获得未烧制本体。

(6)烧制

对在上述中所获得的未烧制本体进行烧制，由此获得线圈部件的本体。

烧制温度能够优选为850℃以上且950℃以下，更优选为900℃以上且920℃以下。

烧制时间能够优选为1小时以上且6小时以下，更优选为2小时以上且4小时以下。

在优选的方式中，在烧制的最高温度下，形成为低氧气氛。低氧气氛是指氧浓度为0.01体积％以上且1体积％以下的气氛。通过在烧制的最高温度下形成为低氧气氛，能够减小烧制后的晶体粒径。优选为，在从最高温度起开始的降温过程中，形成为大气气氛。通过将降温过程形成为大气气氛，能够抑制生成异相。

也可以在烧制后，将所获得的本体与介质一起放入旋转滚筒机，并通过旋转而在本体的棱线或拐角处形成R角(圆角)。

(7)电极形成

首先，形成基底电极。能够在引出了线圈的端面上涂覆包含例如Ag和玻璃的导电膏，并通过烧结而形成基底电极。

上述基底电极的厚度例如能够为0.1μm以上且20μm以下，优选为3μm以上且17μm以下，更优选为5μm以上且15μm以下。

上述烧结时的温度例如能够为800℃以上且820℃以下。

通过电镀在形成有基底电极的本体的基底电极上形成金属层的被膜。该被膜可以为单层，也可以为多层，也可以例如在基底电极上形成Ni被膜，并接着形成Sn被膜。

以上，对本实用新型的一个实施方式进行了说明，但本实施方式能够进行各种改变。

以下，举实施例对本公开的线圈部件进行说明，但本实用新型并不仅限定于上述实施例。

【实施例】

实施例

·磁性材料的调制

按照Fe₂O₃为47.0mol％、ZnO为16.0mol％、NiO为27.0mol％、CuO为10.0mol％的比例调配，并且相对于Fe₂O₃、ZnO、NiO以及CuO的合计100质量份，将Bi₂O₃调配成1.0质量份，由此获得混合物。以湿式对该混合物进行混合，并进行粉碎之后，通过干燥而去除水分。将所获得的干燥物在800℃的温度下预烧2小时。以湿式粉碎所获得的预烧物直至D50成为0.2μm为止，由此制造磁性材料。

·非磁性材料的调制

将ZnO和SiO₂以摩尔比为2：1的比例调配，以湿式进行混合，并进行粉碎之后，通过干燥去除水分。将所获得的干燥物在1100℃的温度下预烧2小时。以湿式粉碎所获得的预烧物直至D50成为0.2μm为止，由此制造非磁性材料。

·生片的制造

称量所获得的磁性材料和非磁性材料，主成分含量成为下述表1所示的比例，将规定量的聚乙烯醇缩丁醛系等有机粘合剂；乙醇、甲苯等有机溶剂；以及增塑剂放入球磨机中，进行混合。接下来，通过刮板涂装法成型为膜厚为约25μm的片状，并将其冲裁成矩形而制造生片12。接下来，对生片进行激光照射而在规定部位处形成导通孔，通过对上述中调制出的导电膏进行丝网印刷，而在导通孔中填充导电膏，由此形成连接导体图案21和连接导通孔图案20。另外，通过在生片上丝网印刷导电膏，而形成线圈图案16和焊盘图案19。

·线圈部件的制造

层叠上述中所获得的生片，获得规定的线圈图案(参照图4)，由此制造热压接的层叠块。利用切割机切断所获得的层叠块而实现单片化，由此获得未烧制本体。此外，引出部中的导通孔导体形成为，邻接的导通孔导体的中心在烧制后错开13μm(将图3中的d形成为13μm)。

在最高温度为920℃且氧浓度为0.1体积％下将上述中所获得的未烧制本体烧制4小时，由此获得线圈部件的本体。将所获得的本体与介质一起放入旋转滚筒机，并通过旋转而在本体的棱线或拐角处形成R角。

在上述所获得的本体的端面上涂覆包含Ag和玻璃的导电膏，并通过烧结而形成基底电极，通过电镀在基底电极上形成Ni被膜和Sn被膜，由此形成为外部电极。

使用电感耦合等离子体发光/质谱分光法(ICP－AES/MS)分析了制造出的线圈部件(样品编号1)的绝缘体部的组成。在下述表1中示出了结果。

【表1】

比较例

除了在从层叠方向俯视的情况下，形成连接导通孔图案20，使该连接导通孔图案20的中心对齐(参照图5)以外，与上述实施例的样品编号1同样地制造比较例的线圈部件(样品编号2)。在图6中示出了比较例的样品的引出部的剖视图。

＜评价＞

对于制造出的样品编号1、2的样品，使样品垂直地立起，使LT面暴露地利用树脂从四周加固样品。利用磨床沿样品的W方向研磨至层叠体的大致中央部暴露的深度并结束。对其截面进行聚焦离子束加工(FIB加工)，由此获得观察用的截面。对于FIB加工，使用SII纳米科技有限公司(日文：エスアイアイ·ナノテクノロジー(株))的FIB加工装置SMI3050R。

对于FIB加工出的观察用截面，使用数码显微镜有限公司(日文：デジタルマイクロスコープ(株))基恩士公司(日文：キーエンス社)制的VHX－6000)进行观察，确认在连结导体部是否产生了裂缝。针对各样品，各以30个进行评价。在下述表2中示出了结果。

【表2】(见下页)

【表2】

	样品编号	裂缝产生数
			实施例1	1	0/30
比较例1	2	3/30

根据上述结果而显示出，在从层叠方向俯视的情况下，引出部的导通孔导体的中心不对齐，从而不易产生裂缝。

【工业上的利用可行性】

本公开的线圈部件能够广泛使用于各种用途。

Claims

1.一种线圈部件，其包括：

绝缘体部；

线圈，其埋设于所述绝缘体部，由多个线圈导体层电连接而成；以及

外部电极，其设置于所述绝缘体部的表面，

其中，

利用引出部将所述线圈与所述外部电极电连接，

利用导通孔导体将层叠起来的多个焊盘导体层相互电连接而构成所述引出部，

在从层叠方向俯视的情况下，在层叠方向上邻接的所述导通孔导体的中心不对齐。

2.根据权利要求1所述的线圈部件，其中，

在层叠方向上邻接的所述导通孔导体的中心交替错开。

3.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，

在层叠方向上邻接的所述导通孔导体的中心的错开幅度为5μm以上且25μm以下。

4.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，

所述绝缘体部包含磁性体相和非磁性体相，所述磁性体相至少包含Fe、Ni、Zn以及Cu，所述非磁性体相至少包含Si和Zn。

5.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，

所述绝缘体部包含Fe、Ni、Zn、Cu、Si，

将Fe换算为Fe₂O₃，形成为28mol％以上且41mol％以下，

将Ni换算为NiO，形成为16mol％以上且24mol％以下，

将Zn换算为ZnO，形成为23mol％以上且37mol％以下，

将Cu换算为CuO，形成为5mol％以上且9mol％以下，

将Si换算为SiO₂，形成为4mol％以上且14mol％以下。

6.根据权利要求1或2所述的线圈部件，其中，

所述线圈导体层的层叠方向与线圈安装面平行。