JP2000044249A - ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料 - Google Patents
ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料Info
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的抵抗率が高く、原料コストの安いＭｎ
ＭｇＣｕＺｎフェライト材料の利点を生かし、既存の同
系列の材料よりもはるかに磁気損失が小さく、十分な飽
和磁束密度をもつという優れた特性を有するＭｎＭｇＣ
ｕＺｎフェライト材料を提供する。 【解決手段】 酸化鉄を４６．５〜５０．４モル％、酸
化マグネシウムを１０．５〜２２．０モル％、酸化亜鉛
を２２．５〜２５．０モル％、酸化銅を６．０〜１６．
０モル％、酸化マンガンを０．１〜３．５モル％の範囲
で含有するＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料とする。
ＭｇＣｕＺｎフェライト材料の利点を生かし、既存の同
系列の材料よりもはるかに磁気損失が小さく、十分な飽
和磁束密度をもつという優れた特性を有するＭｎＭｇＣ
ｕＺｎフェライト材料を提供する。 【解決手段】 酸化鉄を４６．５〜５０．４モル％、酸
化マグネシウムを１０．５〜２２．０モル％、酸化亜鉛
を２２．５〜２５．０モル％、酸化銅を６．０〜１６．
０モル％、酸化マンガンを０．１〜３．５モル％の範囲
で含有するＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はＭｎＭｇＣｕＺｎフ
ェライト材料に係り、低い磁気損失および十分な飽和磁
束密度を有し、高速走査陰極線管、特に高精細度の高速
走査陰極線管用の偏向ヨークコアやトランス等に使用可
能なＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料に関する。
ェライト材料に係り、低い磁気損失および十分な飽和磁
束密度を有し、高速走査陰極線管、特に高精細度の高速
走査陰極線管用の偏向ヨークコアやトランス等に使用可
能なＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、高速走査陰極線管（以下、ＣＲ
Ｔという）用の偏向ヨークコアは、従来からＭｎＭｇＺ
ｎフェライト材料（特開昭４８−６５４９９号）が用い
られている。このＭｎＭｇＺｎフェライト材料は、抵抗
率が比較的高く、原料コストが安いことから、国内はも
とより、外国においても偏向ヨークコア用のフェライト
材料として広く使用されている。
Ｔという）用の偏向ヨークコアは、従来からＭｎＭｇＺ
ｎフェライト材料（特開昭４８−６５４９９号）が用い
られている。このＭｎＭｇＺｎフェライト材料は、抵抗
率が比較的高く、原料コストが安いことから、国内はも
とより、外国においても偏向ヨークコア用のフェライト
材料として広く使用されている。
【０００３】偏向ヨークコアの製造方法は、一般的なフ
ェライトコアと同様に、各原料を混合して仮焼し、粉砕
した後、適当なバインダーと共に混練して造粒し、金型
を用いて所定の形状にプレス成形したものを燒結する工
程からなる。従来のＭｎＭｇＺｎフェライト材料を用い
た場合、１２５０℃以上の温度で燒結が行われる。
ェライトコアと同様に、各原料を混合して仮焼し、粉砕
した後、適当なバインダーと共に混練して造粒し、金型
を用いて所定の形状にプレス成形したものを燒結する工
程からなる。従来のＭｎＭｇＺｎフェライト材料を用い
た場合、１２５０℃以上の温度で燒結が行われる。
【０００４】さらに、近年、ＣＲＴディスプレイでは高
精細度化、大画面化が進むとともに、民生用テレビジョ
ンでは倍速化、広角度化がますます進んでいる。そし
て、高精細度化や倍速度化のために水平周波数が非常に
高くなり、偏向ヨークに用いられるフェライトコアは、
磁気損失を低くすることが要求されている。また、大画
面化や広角度化に対応するために、偏向ヨークに用いら
れるフェライトコアには、高い飽和磁束密度が必要にな
ってきている。
精細度化、大画面化が進むとともに、民生用テレビジョ
ンでは倍速化、広角度化がますます進んでいる。そし
て、高精細度化や倍速度化のために水平周波数が非常に
高くなり、偏向ヨークに用いられるフェライトコアは、
磁気損失を低くすることが要求されている。また、大画
面化や広角度化に対応するために、偏向ヨークに用いら
れるフェライトコアには、高い飽和磁束密度が必要にな
ってきている。
【０００５】一方、偏向ヨークコアは、動作中の温度で
の熱暴走を防ぐために、１００℃付近での磁気損失の温
度係数が負であることが望まれる。上記の磁気損失の温
度係数を負にする手法の一つとして、キュリー点の高い
フェライトを使用する方法があり、偏向ヨークに必要な
キュリー点は約１４０℃以上である。
の熱暴走を防ぐために、１００℃付近での磁気損失の温
度係数が負であることが望まれる。上記の磁気損失の温
度係数を負にする手法の一つとして、キュリー点の高い
フェライトを使用する方法があり、偏向ヨークに必要な
キュリー点は約１４０℃以上である。
【０００６】また、リンギング現象を抑制するために、
偏向ヨークコアは高い抵抗率を有することが必要であ
る。リンギング現象とは、コイルの線間、もしくは、コ
イルとコアとの間に静電容量が発生し、変調された電流
により画面上に縦縞が現れる現象である。リンギング現
象抑制に必要なフェライトコアの抵抗率は、１０6 Ωｃ
ｍ以上とされている（特公平５−７５７１４号）。
偏向ヨークコアは高い抵抗率を有することが必要であ
る。リンギング現象とは、コイルの線間、もしくは、コ
イルとコアとの間に静電容量が発生し、変調された電流
により画面上に縦縞が現れる現象である。リンギング現
象抑制に必要なフェライトコアの抵抗率は、１０6 Ωｃ
ｍ以上とされている（特公平５−７５７１４号）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のような事情か
ら、特公平３−６６２５４号、特公平５−７５７１４
号、および、日本応用磁気学会誌２１，９１５−９１８
（１９９７）では、従来のＭｎＭｇＺｎフェライト材料
に酸化銅（ＣｕＯ換算）を５モル％以下の範囲で加える
ことで、磁気損失が低くなることが開示されている。し
かしながら、飽和磁束密度とキュリー点を更に高めるた
めには、酸化銅の含有量を多くすることが必要である
が、酸化銅をＣｕＯ換算で５モル％より多く含有したＭ
ｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料では、１２５０℃以上の
温度で焼成した場合、結晶構造において異常粒成長とＣ
ｕの偏析が起こり、著しく電磁気特性が劣化するという
問題がある。
ら、特公平３−６６２５４号、特公平５−７５７１４
号、および、日本応用磁気学会誌２１，９１５−９１８
（１９９７）では、従来のＭｎＭｇＺｎフェライト材料
に酸化銅（ＣｕＯ換算）を５モル％以下の範囲で加える
ことで、磁気損失が低くなることが開示されている。し
かしながら、飽和磁束密度とキュリー点を更に高めるた
めには、酸化銅の含有量を多くすることが必要である
が、酸化銅をＣｕＯ換算で５モル％より多く含有したＭ
ｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料では、１２５０℃以上の
温度で焼成した場合、結晶構造において異常粒成長とＣ
ｕの偏析が起こり、著しく電磁気特性が劣化するという
問題がある。
【０００８】また、ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料に
おける酸化マンガンの含有量を極めて多く（ＭｎＯ換算
で９〜１５モル％、Ｍｎ2 Ｏ3 換算で４．５〜７．５モ
ル％）することにより、磁気損失を低くすることが提案
されている（特開平１０−２５１１４号）。しかしなが
ら、ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料における酸化マン
ガンの含有量を多くすると、偏向ヨークの動作温度１０
０℃付近での飽和磁束密度が極めて低くなり、偏向ヨー
クのコイルに流せる電流の許容量が小さくなるという問
題がある。さらに、キュリー点も低下するため、偏向ヨ
ークの１００℃以上の動作において熱暴走を招くという
問題も発生する。
おける酸化マンガンの含有量を極めて多く（ＭｎＯ換算
で９〜１５モル％、Ｍｎ2 Ｏ3 換算で４．５〜７．５モ
ル％）することにより、磁気損失を低くすることが提案
されている（特開平１０−２５１１４号）。しかしなが
ら、ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料における酸化マン
ガンの含有量を多くすると、偏向ヨークの動作温度１０
０℃付近での飽和磁束密度が極めて低くなり、偏向ヨー
クのコイルに流せる電流の許容量が小さくなるという問
題がある。さらに、キュリー点も低下するため、偏向ヨ
ークの１００℃以上の動作において熱暴走を招くという
問題も発生する。
【０００９】本発明は、上記のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、比較的抵抗率が高く、原料コストの安
いＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の利点を生かし、既
存の同系列の材料よりもはるかに磁気損失が小さく、十
分な飽和磁束密度をもつという優れた特性を有するＭｎ
ＭｇＣｕＺｎフェライト材料を提供することを目的とす
る。
れたものであり、比較的抵抗率が高く、原料コストの安
いＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の利点を生かし、既
存の同系列の材料よりもはるかに磁気損失が小さく、十
分な飽和磁束密度をもつという優れた特性を有するＭｎ
ＭｇＣｕＺｎフェライト材料を提供することを目的とす
る。
【００１０】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
は、酸化鉄４６．５〜５０．４モル％、酸化マグネシウ
ム１０．５〜２２．０モル％、酸化亜鉛２２．５〜２
５．０モル％、酸化銅６．０〜１６．０モル％、酸化マ
ンガン０．１〜３．５モル％の組成範囲にあるような構
成とした。
るために、本発明のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
は、酸化鉄４６．５〜５０．４モル％、酸化マグネシウ
ム１０．５〜２２．０モル％、酸化亜鉛２２．５〜２
５．０モル％、酸化銅６．０〜１６．０モル％、酸化マ
ンガン０．１〜３．５モル％の組成範囲にあるような構
成とした。
【００１１】そして、本発明のＭｎＭｇＣｕＺｎフェラ
イト材料は、更に、ＷＯ3 、Ｎｂ2Ｏ5 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｔ
ａ2 Ｏ5 、ＧｅＯ2 およびＺｒＯ2 からなる群のうちの
少なくとも１種を、ＷＯ3 は１８００ｐｐｍ以下、Ｎｂ
2 Ｏ5 は２９００ｐｐｍ以下、Ｖ2 Ｏ5 は２３５０ｐｐ
ｍ以下、Ｔａ2 Ｏ5 は２４００ｐｐｍ以下、ＧｅＯ2は
６１００ｐｐｍ以下、ＺｒＯ2 は６１００ｐｐｍ以下の
濃度範囲で含有するような構成とした。
イト材料は、更に、ＷＯ3 、Ｎｂ2Ｏ5 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｔ
ａ2 Ｏ5 、ＧｅＯ2 およびＺｒＯ2 からなる群のうちの
少なくとも１種を、ＷＯ3 は１８００ｐｐｍ以下、Ｎｂ
2 Ｏ5 は２９００ｐｐｍ以下、Ｖ2 Ｏ5 は２３５０ｐｐ
ｍ以下、Ｔａ2 Ｏ5 は２４００ｐｐｍ以下、ＧｅＯ2は
６１００ｐｐｍ以下、ＺｒＯ2 は６１００ｐｐｍ以下の
濃度範囲で含有するような構成とした。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１３】本発明のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
は、酸化鉄をＦｅ2 Ｏ3 換算で４６．５〜５０．４モル
％、好ましくは４７．４〜４９．５モル％、酸化マグネ
シウムをＭｇＯ換算で１０．５〜２２．０モル％、好ま
しくは１５．４〜２１．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換
算で２２．５〜２５．０モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で
６．０〜１６．０モル％、好ましくは８．０〜１１．０
モル％、酸化マンガンをＭｎ2 Ｏ3 換算で０．１〜３．
５モル％、好ましくは０．２〜２．０モル％の範囲で含
有するものである。
は、酸化鉄をＦｅ2 Ｏ3 換算で４６．５〜５０．４モル
％、好ましくは４７．４〜４９．５モル％、酸化マグネ
シウムをＭｇＯ換算で１０．５〜２２．０モル％、好ま
しくは１５．４〜２１．０モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換
算で２２．５〜２５．０モル％、酸化銅をＣｕＯ換算で
６．０〜１６．０モル％、好ましくは８．０〜１１．０
モル％、酸化マンガンをＭｎ2 Ｏ3 換算で０．１〜３．
５モル％、好ましくは０．２〜２．０モル％の範囲で含
有するものである。
【００１４】上記の範囲を外れた組成領域では、ＭｎＭ
ｇＣｕＺｎフェライト材料を、例えば偏向ヨークに用い
た場合、磁気損失が大きく、飽和磁束密度、抵抗率、キ
ュリー点が低く不十分なものとなる。
ｇＣｕＺｎフェライト材料を、例えば偏向ヨークに用い
た場合、磁気損失が大きく、飽和磁束密度、抵抗率、キ
ュリー点が低く不十分なものとなる。
【００１５】具体的には、例えば、酸化鉄量が４６．５
モル％未満であると、飽和磁束密度の低下、キュリー点
の低下が生じ、５０．４モル％を超えると、抵抗率の低
下が生じる。また、酸化亜鉛量が２２．５モル％未満で
あると、１０００〜１１５０℃の比較的低い焼成温度で
の燒結を行った場合、磁気損失がやや大きくなり、２
５．０モル％を超えると、飽和磁束密度の低下、キュリ
ー点の低下が生じる。酸化銅量が６．０モル％未満であ
ると、１０００〜１１５０℃の比較的低い焼成温度での
燒結ができなくなり、さらに、磁気損失の増大、飽和磁
束密度の低下、キュリー点の低下が生じる。酸化銅量が
１６．０モル％を超えると、磁気損失の増大、抵抗率の
低下が生じる。さらに、酸化マンガンは磁気異方性を小
さくするだけでなく、粒成長を促進し、初透磁率を向上
させヒステリシス損失を小さくする効果があるが、３．
５モル％を超えると、飽和磁束密度の低下、キュリー点
の低下、抵抗率の低下が起きる。尚、酸化マグネシウム
は、他の成分の割合を維持させる補充的な役割を果た
す。
モル％未満であると、飽和磁束密度の低下、キュリー点
の低下が生じ、５０．４モル％を超えると、抵抗率の低
下が生じる。また、酸化亜鉛量が２２．５モル％未満で
あると、１０００〜１１５０℃の比較的低い焼成温度で
の燒結を行った場合、磁気損失がやや大きくなり、２
５．０モル％を超えると、飽和磁束密度の低下、キュリ
ー点の低下が生じる。酸化銅量が６．０モル％未満であ
ると、１０００〜１１５０℃の比較的低い焼成温度での
燒結ができなくなり、さらに、磁気損失の増大、飽和磁
束密度の低下、キュリー点の低下が生じる。酸化銅量が
１６．０モル％を超えると、磁気損失の増大、抵抗率の
低下が生じる。さらに、酸化マンガンは磁気異方性を小
さくするだけでなく、粒成長を促進し、初透磁率を向上
させヒステリシス損失を小さくする効果があるが、３．
５モル％を超えると、飽和磁束密度の低下、キュリー点
の低下、抵抗率の低下が起きる。尚、酸化マグネシウム
は、他の成分の割合を維持させる補充的な役割を果た
す。
【００１６】本発明のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
は、上記の成分の他にＣａＯ、ＮｉＯ、ＳｉＯ2 、Ｇｅ
Ｏ2 、ＺｒＯ2 、ＭｏＯ3 、ＷＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｉｎ
2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｖ2 Ｏ
5 等の１種または２種以上を１重量％以下の割合で含有
してもよい。このような成分は、その含有量を増やすこ
とによりＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の磁気損失が
低下（キュリー点、飽和磁束密度、抵抗率を維持しつ
つ）して最低値となり、その後、含有量を増やすことに
より磁気損失が増大に転じることになる。したがって、
例えば、ＷＯ3 は１８００ｐｐｍ以下、Ｎｂ2 Ｏ5 は２
９００ｐｐｍ以下、Ｖ2 Ｏ5 は２３５０ｐｐｍ以下、Ｔ
ａ2 Ｏ5 は２４００ｐｐｍ以下、ＧｅＯ2 は６１００ｐ
ｐｍ以下、ＺｒＯ2 は６１００ｐｐｍ以下の濃度範囲で
含有することが好ましく、上記の範囲を超えた場合の磁
気損失は、添加量０ｐｐｍの状態での磁気損失よりも大
きなものとなる。また、ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材
料が上記の成分の２種以上を含有する場合、磁気損失の
低下が望ましい値となるように各成分ごとに適宜設定す
ることができる。
は、上記の成分の他にＣａＯ、ＮｉＯ、ＳｉＯ2 、Ｇｅ
Ｏ2 、ＺｒＯ2 、ＭｏＯ3 、ＷＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｉｎ
2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｖ2 Ｏ
5 等の１種または２種以上を１重量％以下の割合で含有
してもよい。このような成分は、その含有量を増やすこ
とによりＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の磁気損失が
低下（キュリー点、飽和磁束密度、抵抗率を維持しつ
つ）して最低値となり、その後、含有量を増やすことに
より磁気損失が増大に転じることになる。したがって、
例えば、ＷＯ3 は１８００ｐｐｍ以下、Ｎｂ2 Ｏ5 は２
９００ｐｐｍ以下、Ｖ2 Ｏ5 は２３５０ｐｐｍ以下、Ｔ
ａ2 Ｏ5 は２４００ｐｐｍ以下、ＧｅＯ2 は６１００ｐ
ｐｍ以下、ＺｒＯ2 は６１００ｐｐｍ以下の濃度範囲で
含有することが好ましく、上記の範囲を超えた場合の磁
気損失は、添加量０ｐｐｍの状態での磁気損失よりも大
きなものとなる。また、ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材
料が上記の成分の２種以上を含有する場合、磁気損失の
低下が望ましい値となるように各成分ごとに適宜設定す
ることができる。
【００１７】上述のような本発明のＭｎＭｇＣｕＺｎフ
ェライト材料は、燒結後の組成が上記の範囲内となるよ
うなフェライト材を大気中で１０００〜１２００℃で燒
結することにより製造することができる。本発明のＭｎ
ＭｇＣｕＺｎフェライト材料は、従来の同系列の材料に
比べて、磁気損失が小さく（１００℃において周波数１
００ｋＨｚの正弦波交流磁界を１００ｍＴ印加した条件
で４００ｋＷ／ｍ3 以下）、飽和磁束密度が高く（１０
０℃において１８０ｍＴ以上）、キュリー点が高く（１
４０℃以上）、抵抗率が高く（１０6 Ωｃｍ以上）、か
つ、比較的低い温度（１０００〜１１５０℃）で燒結で
き、ＣＲＴ用、特に高精細度ＣＲＴ用の偏向ヨークコア
やトランス等に有用である。
ェライト材料は、燒結後の組成が上記の範囲内となるよ
うなフェライト材を大気中で１０００〜１２００℃で燒
結することにより製造することができる。本発明のＭｎ
ＭｇＣｕＺｎフェライト材料は、従来の同系列の材料に
比べて、磁気損失が小さく（１００℃において周波数１
００ｋＨｚの正弦波交流磁界を１００ｍＴ印加した条件
で４００ｋＷ／ｍ3 以下）、飽和磁束密度が高く（１０
０℃において１８０ｍＴ以上）、キュリー点が高く（１
４０℃以上）、抵抗率が高く（１０6 Ωｃｍ以上）、か
つ、比較的低い温度（１０００〜１１５０℃）で燒結で
き、ＣＲＴ用、特に高精細度ＣＲＴ用の偏向ヨークコア
やトランス等に有用である。
【００１８】
【実施例】次に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１９】燒結後の組成が下記の範囲内となるように
各成分を秤量し、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式混合
した。
各成分を秤量し、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式混合
した。
【００２０】 ・酸化鉄（Ｆｅ2 Ｏ3 ） ： ４６．５〜５０．４モル％ ・酸化マグネシウム（ＭｇＯ）： １０．５〜２２．０モル％ ・酸化亜鉛（ＺｎＯ） ： ２２．５〜２５．０モル％ ・酸化銅（ＣｕＯ） ： ６．０〜１６．０モル％ ・酸化マンガン（Ｍｎ2 Ｏ3 ）： ０．１〜３．５モル％ 次に、この混合粉を大気中９００℃で２時間仮焼成し、
次いで、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式粉砕した。こ
うして得られたＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト粉にポリビ
ニルアルコール水溶液を１０重量％添加して造粒し、１
ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でトロイダル形状に成形した。こ
の成形体を大気中１０００〜１２００℃の温度範囲内の
所定の温度で３時間燒結してＭｎＭｇＣｕＺｎフェライ
ト材料（実施例１〜１２）を得た。このＭｎＭｇＣｕＺ
ｎフェライト材料（実施例１〜１２）の組成、燒結温度
・保持時間を下記の表１に示した。また、各ＭｎＭｇＣ
ｕＺｎフェライト材料（実施例１〜１２）について、１
００℃で周波数１００ｋＨｚの正弦波交流磁界を１００
ｍＴ印加した条件での磁気損失、１００℃における飽和
磁束密度、室温での抵抗率、および、キュリー点を測定
して、結果を下記の表１に示した。
次いで、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式粉砕した。こ
うして得られたＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト粉にポリビ
ニルアルコール水溶液を１０重量％添加して造粒し、１
ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でトロイダル形状に成形した。こ
の成形体を大気中１０００〜１２００℃の温度範囲内の
所定の温度で３時間燒結してＭｎＭｇＣｕＺｎフェライ
ト材料（実施例１〜１２）を得た。このＭｎＭｇＣｕＺ
ｎフェライト材料（実施例１〜１２）の組成、燒結温度
・保持時間を下記の表１に示した。また、各ＭｎＭｇＣ
ｕＺｎフェライト材料（実施例１〜１２）について、１
００℃で周波数１００ｋＨｚの正弦波交流磁界を１００
ｍＴ印加した条件での磁気損失、１００℃における飽和
磁束密度、室温での抵抗率、および、キュリー点を測定
して、結果を下記の表１に示した。
【００２１】また、比較として、燒結後の組成が上記の
範囲から外れるＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較
例１〜７）を上記のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
（実施例１〜１２）と同様にして作製した。尚、このＭ
ｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較例１〜７）の組
成、燒結温度・保持時間は下記の表２に示したように設
定した。また、各ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比
較例１〜７）について、１００℃で周波数１００ｋＨｚ
の正弦波交流磁界を１００ｍＴ印加した条件での磁気損
失、１００℃における飽和磁束密度、室温での抵抗率、
および、キュリー点を測定して、結果を下記の表２に示
した。
範囲から外れるＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較
例１〜７）を上記のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
（実施例１〜１２）と同様にして作製した。尚、このＭ
ｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較例１〜７）の組
成、燒結温度・保持時間は下記の表２に示したように設
定した。また、各ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比
較例１〜７）について、１００℃で周波数１００ｋＨｚ
の正弦波交流磁界を１００ｍＴ印加した条件での磁気損
失、１００℃における飽和磁束密度、室温での抵抗率、
および、キュリー点を測定して、結果を下記の表２に示
した。
【００２２】さらに、比較として、下記の表２に示すよ
うに、燒結後の組成が上記の範囲から外れるＭｎＭｇＣ
ｕＺｎフェライト材料（特公平３−６６２５４号および
特開平１０−２５１１４号の特許出願に係る発明に含ま
れるＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料）でトロイダル形
状の成形体まで上記の実施例１〜１２と同様にして作製
した。その後、成形体を大気中１２５０℃で２時間焼成
してＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較例８、９）
とした。尚、このＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比
較例８、９）の組成は下記の表２に示したように設定し
た。また、各ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較例
８、９）について、１００℃で周波数１００ｋＨｚの正
弦波交流磁界を１００ｍＴ印加した条件での磁気損失、
１００℃における飽和磁束密度、室温での抵抗率、およ
び、キュリー点を測定して、結果を下記の表２に示し
た。
うに、燒結後の組成が上記の範囲から外れるＭｎＭｇＣ
ｕＺｎフェライト材料（特公平３−６６２５４号および
特開平１０−２５１１４号の特許出願に係る発明に含ま
れるＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料）でトロイダル形
状の成形体まで上記の実施例１〜１２と同様にして作製
した。その後、成形体を大気中１２５０℃で２時間焼成
してＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較例８、９）
とした。尚、このＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比
較例８、９）の組成は下記の表２に示したように設定し
た。また、各ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較例
８、９）について、１００℃で周波数１００ｋＨｚの正
弦波交流磁界を１００ｍＴ印加した条件での磁気損失、
１００℃における飽和磁束密度、室温での抵抗率、およ
び、キュリー点を測定して、結果を下記の表２に示し
た。
【００２３】
【表１】
【００２４】
【表２】 表１に示されるように、本発明のＭｎＭｇＣｕＺｎフェ
ライト材料（実施例１〜１２）は、いずれも１００℃に
おいて周波数１００ｋＨｚの正弦波交流磁界を１００ｍ
Ｔ印加した条件で磁気損失が４００ｋＷ／ｍ3 以下、１
００℃において飽和磁束密度が１８０ｍＴ以上、キュリ
ー点が１４０℃以上、抵抗率が１０6 Ωｃｍ以上の特性
を有することが確認された。特に、本発明のＭｎＭｇＣ
ｕＺｎフェライト材料（実施例１〜１２）は、表２に示
される従来のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較例
８、９）よりも大幅に磁気損失が低減され、しかも、飽
和磁束密度が大幅に向上していることが明らかである。
ライト材料（実施例１〜１２）は、いずれも１００℃に
おいて周波数１００ｋＨｚの正弦波交流磁界を１００ｍ
Ｔ印加した条件で磁気損失が４００ｋＷ／ｍ3 以下、１
００℃において飽和磁束密度が１８０ｍＴ以上、キュリ
ー点が１４０℃以上、抵抗率が１０6 Ωｃｍ以上の特性
を有することが確認された。特に、本発明のＭｎＭｇＣ
ｕＺｎフェライト材料（実施例１〜１２）は、表２に示
される従来のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較例
８、９）よりも大幅に磁気損失が低減され、しかも、飽
和磁束密度が大幅に向上していることが明らかである。
【００２５】一方、表２に示されるように、本発明の組
成範囲からはずれるＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
（比較例１〜７）は、１００℃において周波数１００ｋ
Ｈｚの正弦波交流磁界を１００ｍＴ印加した条件で磁気
損失が４００ｋＷ／ｍ3 を超える、１００℃において飽
和磁束密度が１８０ｍＴ未満である、キュリー点が１４
０℃未満である、抵抗率が１０6 Ωｃｍ未満である、こ
とのいずれかに該当し、特に高精細度ＣＲＴ用の偏向ヨ
ークコア等に用いるには問題があることが明らかとなっ
た。
成範囲からはずれるＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
（比較例１〜７）は、１００℃において周波数１００ｋ
Ｈｚの正弦波交流磁界を１００ｍＴ印加した条件で磁気
損失が４００ｋＷ／ｍ3 を超える、１００℃において飽
和磁束密度が１８０ｍＴ未満である、キュリー点が１４
０℃未満である、抵抗率が１０6 Ωｃｍ未満である、こ
とのいずれかに該当し、特に高精細度ＣＲＴ用の偏向ヨ
ークコア等に用いるには問題があることが明らかとなっ
た。
【００２６】次に、ＷＯ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｔ
ａ2 Ｏ5 、ＧｅＯ2 およびＺｒＯ2をそれぞれ下記の表
３に示す添加量で添加した他は、実施例７と同様の条件
で、２４種のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（７Ａ−
１〜４、７Ｂ−１〜４、７Ｃ−１〜４、７Ｄ−１〜４、
７Ｅ−１〜４、７Ｆ−１〜４）を作製した。これらのＭ
ｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料と実施例７について、１
００℃で周波数１００ｋＨｚの正弦波交流磁界を１００
ｍＴ印加した条件での磁気損失、１００℃における飽和
磁束密度、室温での抵抗率、および、キュリー点を測定
して、結果を下記の表３に示した。
ａ2 Ｏ5 、ＧｅＯ2 およびＺｒＯ2をそれぞれ下記の表
３に示す添加量で添加した他は、実施例７と同様の条件
で、２４種のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（７Ａ−
１〜４、７Ｂ−１〜４、７Ｃ−１〜４、７Ｄ−１〜４、
７Ｅ−１〜４、７Ｆ−１〜４）を作製した。これらのＭ
ｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料と実施例７について、１
００℃で周波数１００ｋＨｚの正弦波交流磁界を１００
ｍＴ印加した条件での磁気損失、１００℃における飽和
磁束密度、室温での抵抗率、および、キュリー点を測定
して、結果を下記の表３に示した。
【００２７】
【表３】 表３に示されるように、ＷＯ3 を１８００ｐｐｍ以下の
濃度範囲で含有する７Ａ−１〜３、Ｎｂ2 Ｏ5 を２９０
０ｐｐｍ以下の濃度範囲で含有する７Ｂ−１〜３、Ｖ2
Ｏ5 を２３５０ｐｐｍ以下の濃度範囲で含有する７Ｃ−
１〜３、Ｔａ2Ｏ5 を２４００ｐｐｍ以下の濃度範囲で
含有する７Ｄ−１〜３、ＧｅＯ2 を６１００ｐｐｍ以下
の濃度範囲で含有する７Ｅ−１〜３、ＺｒＯ2 を６１０
０ｐｐｍ以下の濃度範囲で含有する７Ｆ−１〜３は、い
ずれも磁気損失が実施例７の磁気損失以下の低いもので
あり、かつ、これらの各ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材
料は、実施例７と同レベルのキュリー点、飽和磁束密
度、抵抗率を維持することが確認された。
濃度範囲で含有する７Ａ−１〜３、Ｎｂ2 Ｏ5 を２９０
０ｐｐｍ以下の濃度範囲で含有する７Ｂ−１〜３、Ｖ2
Ｏ5 を２３５０ｐｐｍ以下の濃度範囲で含有する７Ｃ−
１〜３、Ｔａ2Ｏ5 を２４００ｐｐｍ以下の濃度範囲で
含有する７Ｄ−１〜３、ＧｅＯ2 を６１００ｐｐｍ以下
の濃度範囲で含有する７Ｅ−１〜３、ＺｒＯ2 を６１０
０ｐｐｍ以下の濃度範囲で含有する７Ｆ−１〜３は、い
ずれも磁気損失が実施例７の磁気損失以下の低いもので
あり、かつ、これらの各ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材
料は、実施例７と同レベルのキュリー点、飽和磁束密
度、抵抗率を維持することが確認された。
【００２８】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によればＭ
ｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料は、酸化鉄を４６．５〜
５０．４モル％、酸化マグネシウムを１０．５〜２２．
０モル％、酸化亜鉛を２２．５〜２５．０モル％、酸化
銅を６．０〜１６．０モル％、酸化マンガンを０．１〜
３．５モル％の範囲で含有するものであり、従来のＭｎ
ＭｇＣｕＺｎフェライト材料に比べて磁気損失が大幅に
低減され、かつ、飽和磁束密度が高く、しかも抵抗率お
よびキュリー点が高く、ＣＲＴ用、特に高精細度ＣＲＴ
用の偏向ヨークコアやトランス等に有用である。また、
燒結は１２００℃以下、例えば１０００〜１１５０℃程
度の比較的低い温度で可能であり、従来のＭｎＭｇＣｕ
Ｚｎフェライト材料に比べて製造コストの低減が可能と
なる。
ｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料は、酸化鉄を４６．５〜
５０．４モル％、酸化マグネシウムを１０．５〜２２．
０モル％、酸化亜鉛を２２．５〜２５．０モル％、酸化
銅を６．０〜１６．０モル％、酸化マンガンを０．１〜
３．５モル％の範囲で含有するものであり、従来のＭｎ
ＭｇＣｕＺｎフェライト材料に比べて磁気損失が大幅に
低減され、かつ、飽和磁束密度が高く、しかも抵抗率お
よびキュリー点が高く、ＣＲＴ用、特に高精細度ＣＲＴ
用の偏向ヨークコアやトランス等に有用である。また、
燒結は１２００℃以下、例えば１０００〜１１５０℃程
度の比較的低い温度で可能であり、従来のＭｎＭｇＣｕ
Ｚｎフェライト材料に比べて製造コストの低減が可能と
なる。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 佐藤 直義 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内 (72)発明者 金田 功 東京都中央区日本橋一丁目13番１号 ティ ーディーケイ株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 酸化鉄４６．５〜５０．４モル％、酸化
マグネシウム１０．５〜２２．０モル％、酸化亜鉛２
２．５〜２５．０モル％、酸化銅６．０〜１６．０モル
％、酸化マンガン０．１〜３．５モル％の組成範囲にあ
ることを特徴とするＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料。 - 【請求項２】 ＷＯ3 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｖ2 Ｏ5 、Ｔａ2
Ｏ5 、ＧｅＯ2 およびＺｒＯ2 からなる群のうちの少な
くとも１種を、ＷＯ3 は１８００ｐｐｍ以下、Ｎｂ2 Ｏ
5 は２９００ｐｐｍ以下、Ｖ2 Ｏ5 は２３５０ｐｐｍ以
下、Ｔａ2 Ｏ5 は２４００ｐｐｍ以下、ＧｅＯ2 は６１
００ｐｐｍ以下、ＺｒＯ2 は６１００ｐｐｍ以下の濃度
範囲で含有することを特徴とする請求項１に記載のＭｎ
ＭｇＣｕＺｎフェライト材料。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP32131598A JP4279923B2 (ja) | 1998-05-20 | 1998-10-26 | ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料 |
| US09/271,432 US6200493B1 (en) | 1998-05-20 | 1999-03-18 | MnMgCuZn ferrite material |
| TW088104343A TW425375B (en) | 1998-05-20 | 1999-03-19 | MnMgCuZn ferrite material and the use thereof |
| DE69900802T DE69900802T2 (de) | 1998-05-20 | 1999-04-13 | MnMgCuZn-Ferrit und dessen Verwendung |
| EP99106234A EP0959054B1 (en) | 1998-05-20 | 1999-04-13 | MnMgCuZn ferrite material and the use thereof |
| KR10-1999-0016257A KR100468082B1 (ko) | 1998-05-20 | 1999-05-07 | ＭｎＭｇＣｕＺｎ 페라이트 재료 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP15532898 | 1998-05-20 | ||
| JP10-155328 | 1998-05-20 | ||
| JP32131598A JP4279923B2 (ja) | 1998-05-20 | 1998-10-26 | ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2000044249A true JP2000044249A (ja) | 2000-02-15 |
| JP4279923B2 JP4279923B2 (ja) | 2009-06-17 |
Family
ID=26483357
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP32131598A Expired - Lifetime JP4279923B2 (ja) | 1998-05-20 | 1998-10-26 | ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料 |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US6200493B1 (ja) |
| EP (1) | EP0959054B1 (ja) |
| JP (1) | JP4279923B2 (ja) |
| KR (1) | KR100468082B1 (ja) |
| DE (1) | DE69900802T2 (ja) |
| TW (1) | TW425375B (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010163315A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Fdk Corp | 酸化物磁性材料 |
Families Citing this family (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100491569C (zh) * | 2006-02-27 | 2009-05-27 | 乳源东阳光磁性材料有限公司 | 一种镁锌系铁氧体及其制备方法 |
| DE102007009740A1 (de) * | 2007-02-28 | 2008-09-04 | Siemens Ag | Verfahren zum Herstellen eines magnetischen Keramikmaterials und Verwendung des Keramikmaterials |
| WO2014042500A1 (fr) | 2012-09-13 | 2014-03-20 | Moroccan Foundation For Advanced Science, Innovation & Research (Mascir) | Procédé de fabrication de nouveaux nanomatériaux ferrites-oxydes hybrides à partir de précurseurs non standard |
| CN103011790B (zh) * | 2012-12-11 | 2014-01-08 | 海宁联丰磁业股份有限公司 | 一种高磁导率锰锌铁氧体的制备方法 |
| CN106518038B (zh) * | 2016-10-25 | 2019-07-02 | 电子科技大学 | 多元掺杂yig材料及其制备方法 |
| CN109133905A (zh) * | 2017-12-27 | 2019-01-04 | 肇庆冠磁科技有限公司 | 一种高磁导率软磁铁氧体的制备方法 |
| CN110204325B (zh) * | 2018-02-28 | 2022-04-19 | 北京瑞芯谷科技有限公司 | 铁氧体材料及其制备方法 |
Family Cites Families (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4865499A (ja) | 1971-12-17 | 1973-09-08 | ||
| JPS63319253A (ja) | 1987-06-19 | 1988-12-27 | Mitsubishi Electric Corp | 低損失酸化物磁性材料 |
| JP2806528B2 (ja) * | 1988-05-28 | 1998-09-30 | 富士電気化学株式会社 | 電波吸収体用マグネシウム−亜鉛系フェライト材 |
| JPH0366254A (ja) | 1989-08-04 | 1991-03-20 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 音声メールサービス用音声蓄積装置 |
| JP3188287B2 (ja) | 1991-09-12 | 2001-07-16 | アイホン株式会社 | サービストーン発生方式 |
| US5523549A (en) * | 1994-05-25 | 1996-06-04 | Ceramic Powders, Inc. | Ferrite compositions for use in a microwave oven |
| JP3588481B2 (ja) * | 1994-06-24 | 2004-11-10 | Ｆｄｋ株式会社 | マグネシウム−亜鉛系フェライト材 |
| JP3843150B2 (ja) | 1996-07-05 | 2006-11-08 | Ｆｄｋ株式会社 | Ｍｇ−Ｚｎ系フェライト材料 |
| TW422826B (en) | 1997-09-25 | 2001-02-21 | Tdk Corp | Radio wave absorbent |
-
1998
- 1998-10-26 JP JP32131598A patent/JP4279923B2/ja not_active Expired - Lifetime
-
1999
- 1999-03-18 US US09/271,432 patent/US6200493B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-03-19 TW TW088104343A patent/TW425375B/zh not_active IP Right Cessation
- 1999-04-13 DE DE69900802T patent/DE69900802T2/de not_active Expired - Lifetime
- 1999-04-13 EP EP99106234A patent/EP0959054B1/en not_active Expired - Lifetime
- 1999-05-07 KR KR10-1999-0016257A patent/KR100468082B1/ko not_active IP Right Cessation
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010163315A (ja) * | 2009-01-15 | 2010-07-29 | Fdk Corp | 酸化物磁性材料 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE69900802D1 (de) | 2002-03-14 |
| JP4279923B2 (ja) | 2009-06-17 |
| EP0959054A1 (en) | 1999-11-24 |
| EP0959054B1 (en) | 2002-01-23 |
| KR100468082B1 (ko) | 2005-01-26 |
| TW425375B (en) | 2001-03-11 |
| KR19990088095A (ko) | 1999-12-27 |
| DE69900802T2 (de) | 2002-08-29 |
| US6200493B1 (en) | 2001-03-13 |
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Legal Events
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