JPH11343121A - ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の製造方法 - Google Patents
ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の製造方法Info
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- JPH11343121A JPH11343121A JP10165875A JP16587598A JPH11343121A JP H11343121 A JPH11343121 A JP H11343121A JP 10165875 A JP10165875 A JP 10165875A JP 16587598 A JP16587598 A JP 16587598A JP H11343121 A JPH11343121 A JP H11343121A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 比較的抵抗率が高く、原料コストの安いＭｎ
ＭｇＣｕＺｎフェライト材料の利点を生かし、既存の同
系列の材料よりもはるかに飽和磁束密度が高く、また磁
気損失も十分に小さいという優れた特性を有するＭｎＭ
ｇＣｕＺｎフェライト材料の製造方法を提供する。 【解決手段】 酸化鉄を４７．０〜５０．４モル％、酸
化マグネシウムを１４．０〜２３．０モル％、酸化亜鉛
を１９．５〜２２．５モル％（２２．５モル％は含まな
い）、酸化銅を６．５〜１５．５モル％、酸化マンガン
を０．１〜３．５モル％の範囲で含有する材料を１１９
０℃以下の温度で燒結してＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト
材料とする。
ＭｇＣｕＺｎフェライト材料の利点を生かし、既存の同
系列の材料よりもはるかに飽和磁束密度が高く、また磁
気損失も十分に小さいという優れた特性を有するＭｎＭ
ｇＣｕＺｎフェライト材料の製造方法を提供する。 【解決手段】 酸化鉄を４７．０〜５０．４モル％、酸
化マグネシウムを１４．０〜２３．０モル％、酸化亜鉛
を１９．５〜２２．５モル％（２２．５モル％は含まな
い）、酸化銅を６．５〜１５．５モル％、酸化マンガン
を０．１〜３．５モル％の範囲で含有する材料を１１９
０℃以下の温度で燒結してＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト
材料とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ＭｎＭｇＣｕＺｎ
フェライト材料の製造方法に係り、高い飽和磁束密度お
よび低い磁気損失を有し、高速走査陰極線管、特に広角
度形の高速走査陰極線管や大画面の高速走査陰極線管用
の偏向ヨークコアやトランス等に使用可能なＭｎＭｇＣ
ｕＺｎフェライト材料の製造方法に関する。
フェライト材料の製造方法に係り、高い飽和磁束密度お
よび低い磁気損失を有し、高速走査陰極線管、特に広角
度形の高速走査陰極線管や大画面の高速走査陰極線管用
の偏向ヨークコアやトランス等に使用可能なＭｎＭｇＣ
ｕＺｎフェライト材料の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】例えば、高速走査陰極線管（以下、ＣＲ
Ｔという）用の偏向ヨークコアは、従来からＭｎＭｇＺ
ｎフェライト材料（特開昭４８−６５４９９号）が用い
られている。このＭｎＭｇＺｎフェライト材料は、抵抗
率が比較的高く、原料コストが安いことから、国内はも
とより、外国においても偏向ヨークコア用のフェライト
材料として広く使用されている。
Ｔという）用の偏向ヨークコアは、従来からＭｎＭｇＺ
ｎフェライト材料（特開昭４８−６５４９９号）が用い
られている。このＭｎＭｇＺｎフェライト材料は、抵抗
率が比較的高く、原料コストが安いことから、国内はも
とより、外国においても偏向ヨークコア用のフェライト
材料として広く使用されている。
【０００３】偏向ヨークコアの製造方法は、一般的なフ
ェライトコアと同様に、各原料を混合して仮焼し、粉砕
した後、適当なバインダーと共に混練して造粒し、金型
を用いて所定の形状にプレス成形したものを燒結する工
程からなる。従来のＭｎＭｇＺｎフェライト材料を用い
た場合、１２５０℃以上の温度で燒結が行われる。
ェライトコアと同様に、各原料を混合して仮焼し、粉砕
した後、適当なバインダーと共に混練して造粒し、金型
を用いて所定の形状にプレス成形したものを燒結する工
程からなる。従来のＭｎＭｇＺｎフェライト材料を用い
た場合、１２５０℃以上の温度で燒結が行われる。
【０００４】さらに、近年、ＣＲＴディスプレイでは大
画面化が進むとともに、民生用テレビジョンでは広角度
化がますます進んでいる。このような大画面化や広角度
化に対応するために、偏向ヨークに用いられるフェライ
トコアには、高い飽和磁束密度が必要になってきてい
る。そして、高い飽和磁束密度を有するフェライト材料
を用いることにより、偏向ヨーク用のフェライトコアの
薄肉化が可能となる。さらに、高精細度化や倍速度化に
伴い水平周波数が非常に高くなり、偏向ヨークに用いら
れるフェライトコアには、磁気損失が低いことが要求さ
れている。
画面化が進むとともに、民生用テレビジョンでは広角度
化がますます進んでいる。このような大画面化や広角度
化に対応するために、偏向ヨークに用いられるフェライ
トコアには、高い飽和磁束密度が必要になってきてい
る。そして、高い飽和磁束密度を有するフェライト材料
を用いることにより、偏向ヨーク用のフェライトコアの
薄肉化が可能となる。さらに、高精細度化や倍速度化に
伴い水平周波数が非常に高くなり、偏向ヨークに用いら
れるフェライトコアには、磁気損失が低いことが要求さ
れている。
【０００５】一方、偏向ヨークコアは、動作中の温度で
の熱暴走を防ぐために、１００℃付近での磁気損失の温
度係数が負であることが望まれる。上記の磁気損失の温
度係数を負にする手法の一つとして、キュリー点の高い
フェライトを使用する方法があり、偏向ヨークに必要な
キュリー点は約１４０℃以上である。
の熱暴走を防ぐために、１００℃付近での磁気損失の温
度係数が負であることが望まれる。上記の磁気損失の温
度係数を負にする手法の一つとして、キュリー点の高い
フェライトを使用する方法があり、偏向ヨークに必要な
キュリー点は約１４０℃以上である。
【０００６】また、リンギング現象を抑制するために、
偏向ヨークコアは高い抵抗率を有することが必要であ
る。リンギング現象とは、コイルの線間、もしくは、コ
イルとコアとの間に静電容量が発生し、変調された電流
により画面上に縦縞が現れる現象である。リンギング現
象抑制に必要なフェライトコアの抵抗率は、１０6 Ωｃ
ｍ以上とされている（特公平５−７５７１４号）。
偏向ヨークコアは高い抵抗率を有することが必要であ
る。リンギング現象とは、コイルの線間、もしくは、コ
イルとコアとの間に静電容量が発生し、変調された電流
により画面上に縦縞が現れる現象である。リンギング現
象抑制に必要なフェライトコアの抵抗率は、１０6 Ωｃ
ｍ以上とされている（特公平５−７５７１４号）。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上述のような事情か
ら、特公平３−６６２５４号、特公平５−７５７１４
号、および、日本応用磁気学会誌２１，９１５−９１８
（１９９７）では、酸化銅（ＣｕＯ換算）を５モル％以
下の範囲で加えたＭｎＭｇＺｎフェライト材料を１２５
０℃以上の温度で燒結することで、磁気損失が低くなる
ことが開示されている。しかしながら、磁気損失を低く
抑えながらＭｎＭｇＺｎフェライト材料の飽和磁束密度
を高めることができる製造方法は未だ報告されていな
い。
ら、特公平３−６６２５４号、特公平５−７５７１４
号、および、日本応用磁気学会誌２１，９１５−９１８
（１９９７）では、酸化銅（ＣｕＯ換算）を５モル％以
下の範囲で加えたＭｎＭｇＺｎフェライト材料を１２５
０℃以上の温度で燒結することで、磁気損失が低くなる
ことが開示されている。しかしながら、磁気損失を低く
抑えながらＭｎＭｇＺｎフェライト材料の飽和磁束密度
を高めることができる製造方法は未だ報告されていな
い。
【０００８】本発明は、上記のような事情に鑑みてなさ
れたものであり、比較的抵抗率が高く、原料コストの安
いＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の利点を生かし、既
存の同系列の材料よりもはるかに飽和磁束密度が高く、
また磁気損失も十分に小さいという優れた特性を有する
ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の製造方法を提供する
ことを目的とする。
れたものであり、比較的抵抗率が高く、原料コストの安
いＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の利点を生かし、既
存の同系列の材料よりもはるかに飽和磁束密度が高く、
また磁気損失も十分に小さいという優れた特性を有する
ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の製造方法を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】このような目的を達成す
るために、本発明のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の
製造方法は、酸化鉄４７．０〜５０．４モル％、酸化マ
グネシウム１４．０〜２３．０モル％、酸化亜鉛１９．
５〜２２．５モル％（２２．５モル％は含まない）、酸
化銅６．５〜１５．５モル％、酸化マンガン０．１〜
３．５モル％の組成範囲にある材料を１１９０℃以下の
温度で燒結するような構成とした。
るために、本発明のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の
製造方法は、酸化鉄４７．０〜５０．４モル％、酸化マ
グネシウム１４．０〜２３．０モル％、酸化亜鉛１９．
５〜２２．５モル％（２２．５モル％は含まない）、酸
化銅６．５〜１５．５モル％、酸化マンガン０．１〜
３．５モル％の組成範囲にある材料を１１９０℃以下の
温度で燒結するような構成とした。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の実施の形態につい
て説明する。
て説明する。
【００１１】本発明のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
の製造方法は、燒結後の組成において、酸化鉄をＦｅ2
Ｏ3 換算で４７．０〜５０．４モル％、好ましくは４
７．５〜４９．８モル％、酸化マグネシウムをＭｇＯ換
算で１４．０〜２３．０モル％、好ましくは１７．０〜
２１．５モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１９．５〜２
２．５モル％（２２．５モル％は含まない）、酸化銅を
ＣｕＯ換算で６．５〜１５．５モル％、好ましくは７．
０〜１２．５モル％、酸化マンガンをＭｎ2 Ｏ3換算で
０．１〜３．５モル％、好ましくは０．１〜２．５モル
％の範囲で含有する材料を、１１９０℃以下の温度で燒
結させるものである。
の製造方法は、燒結後の組成において、酸化鉄をＦｅ2
Ｏ3 換算で４７．０〜５０．４モル％、好ましくは４
７．５〜４９．８モル％、酸化マグネシウムをＭｇＯ換
算で１４．０〜２３．０モル％、好ましくは１７．０〜
２１．５モル％、酸化亜鉛をＺｎＯ換算で１９．５〜２
２．５モル％（２２．５モル％は含まない）、酸化銅を
ＣｕＯ換算で６．５〜１５．５モル％、好ましくは７．
０〜１２．５モル％、酸化マンガンをＭｎ2 Ｏ3換算で
０．１〜３．５モル％、好ましくは０．１〜２．５モル
％の範囲で含有する材料を、１１９０℃以下の温度で燒
結させるものである。
【００１２】上記の範囲を外れた組成領域の材料を使用
した場合、得られたＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
は、飽和磁束密度、抵抗率、キュリー点が低く、磁気損
失が大きくなり、例えば、広角度形ＣＲＴ用や大画面形
ＣＲＴ用の偏向ヨークとしての適性に欠けるものとな
る。
した場合、得られたＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
は、飽和磁束密度、抵抗率、キュリー点が低く、磁気損
失が大きくなり、例えば、広角度形ＣＲＴ用や大画面形
ＣＲＴ用の偏向ヨークとしての適性に欠けるものとな
る。
【００１３】具体的には、例えば、酸化鉄量が４７．０
モル％未満であると、飽和磁束密度の低下、キュリー点
の低下が生じ、５０．４モル％を超えると、抵抗率の低
下が生じる。また、酸化亜鉛量が１９．５モル％未満で
あると、磁気損失が大きくなり、２２．５モル％以上に
なると、飽和磁束密度の低下、キュリー点の低下が生じ
る。酸化銅量が６．５モル％未満であると、１０００〜
１１９０℃の比較的低い焼成温度での燒結ができなくな
り、さらに、飽和磁束密度の低下、キュリー点の低下が
生じる。酸化銅量が１５．５モル％を超えると、磁気損
失の増大、抵抗率の低下が生じる。さらに、酸化マンガ
ンは磁気異方性を小さくするだけでなく、粒成長を促進
し、初透磁率を向上させヒステリシス損失を小さくする
効果があるが、３．５モル％を超えると、飽和磁束密度
の低下、キュリー点の低下、抵抗率の低下が起きる。
尚、酸化マグネシウムは、他の成分の割合を維持させる
補充的な役割を果たす。また、燒結温度が１１９０℃を
超えると、異常粒成長、マグネシウム酸化物や銅酸化物
の偏析、および、Ｆｅ2+の生成量の増加が生じ、飽和磁
束密度の低下、磁気損失の増大が顕著になる。
モル％未満であると、飽和磁束密度の低下、キュリー点
の低下が生じ、５０．４モル％を超えると、抵抗率の低
下が生じる。また、酸化亜鉛量が１９．５モル％未満で
あると、磁気損失が大きくなり、２２．５モル％以上に
なると、飽和磁束密度の低下、キュリー点の低下が生じ
る。酸化銅量が６．５モル％未満であると、１０００〜
１１９０℃の比較的低い焼成温度での燒結ができなくな
り、さらに、飽和磁束密度の低下、キュリー点の低下が
生じる。酸化銅量が１５．５モル％を超えると、磁気損
失の増大、抵抗率の低下が生じる。さらに、酸化マンガ
ンは磁気異方性を小さくするだけでなく、粒成長を促進
し、初透磁率を向上させヒステリシス損失を小さくする
効果があるが、３．５モル％を超えると、飽和磁束密度
の低下、キュリー点の低下、抵抗率の低下が起きる。
尚、酸化マグネシウムは、他の成分の割合を維持させる
補充的な役割を果たす。また、燒結温度が１１９０℃を
超えると、異常粒成長、マグネシウム酸化物や銅酸化物
の偏析、および、Ｆｅ2+の生成量の増加が生じ、飽和磁
束密度の低下、磁気損失の増大が顕著になる。
【００１４】本発明のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
の製造方法では、材料として上記の成分の他にＣａＯ、
ＣｏＯ、ＮｉＯ、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｍｏ
Ｏ3、ＷＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、
Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｖ2 Ｏ5 等の１
種または２種以上を１重量％以下の割合で含有してもよ
い。
の製造方法では、材料として上記の成分の他にＣａＯ、
ＣｏＯ、ＮｉＯ、ＳｉＯ2 、ＴｉＯ2 、ＳｎＯ2 、Ｍｏ
Ｏ3、ＷＯ3 、Ｂｉ2 Ｏ3 、Ｉｎ2 Ｏ3 、Ｃｒ2 Ｏ3 、
Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、Ｎｂ2 Ｏ5 、Ｖ2 Ｏ5 等の１
種または２種以上を１重量％以下の割合で含有してもよ
い。
【００１５】本発明により製造されたＭｎＭｇＣｕＺｎ
フェライト材料は、従来の同系列の材料に比べて、飽和
磁束密度が高く（１００℃において２１０ｍＴ以上）、
また、磁気損失が小さく（１００℃において周波数１０
０ｋＨｚの正弦波交流磁界を１００ｍＴ印加した条件で
６００ｋＷ／ｍ3 以下）、キュリー点が高く（１４０℃
以上）、抵抗率が高く（１０6 Ωｃｍ以上）、ＣＲＴ
用、特に広角度形ＣＲＴ用や大画面形ＣＲＴ用の偏向ヨ
ークコアやトランス等に有用である。
フェライト材料は、従来の同系列の材料に比べて、飽和
磁束密度が高く（１００℃において２１０ｍＴ以上）、
また、磁気損失が小さく（１００℃において周波数１０
０ｋＨｚの正弦波交流磁界を１００ｍＴ印加した条件で
６００ｋＷ／ｍ3 以下）、キュリー点が高く（１４０℃
以上）、抵抗率が高く（１０6 Ωｃｍ以上）、ＣＲＴ
用、特に広角度形ＣＲＴ用や大画面形ＣＲＴ用の偏向ヨ
ークコアやトランス等に有用である。
【００１６】
【実施例】次に、具体的な実施例を挙げて本発明を更に
詳細に説明する。
詳細に説明する。
【００１７】燒結後の組成が下記の範囲内となるように
各成分を秤量し、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式混合
した。
各成分を秤量し、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式混合
した。
【００１８】 ・酸化鉄（Ｆｅ2 Ｏ3 ） ： ４７．０〜５０．４モル％ ・酸化マグネシウム（ＭｇＯ）： １４．０〜２３．０モル％ ・酸化亜鉛（ＺｎＯ） ： １９．５〜２２．５モル％ （２２．５モル％は含まない） ・酸化銅（ＣｕＯ） ： ６．５〜１５．５モル％ ・酸化マンガン（Ｍｎ2 Ｏ3 ）： ０．１〜３．５モル％ 次に、この混合粉を大気中９００℃で２時間仮焼成し、
次いで、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式粉砕した。こ
うして得られたＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト粉にポリビ
ニルアルコール水溶液を１０重量％添加して造粒し、１
ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でトロイダル形状に成形した。こ
の成形体を大気中１０００〜１２００℃の温度範囲内の
所定の温度で１〜３時間燒結してＭｎＭｇＣｕＺｎフェ
ライト材料（実施例１〜１５、比較例１〜２）を得た。
このＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（実施例１〜１
５、比較例１〜２）の組成、燒結温度・保持時間を下記
の表１に示した。また、各ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト
材料（実施例１〜１５、比較例１〜２）について、１０
０℃における飽和磁束密度、１００℃で周波数１００ｋ
Ｈｚの正弦波交流磁界を１００ｍＴ印加した条件での磁
気損失、室温での抵抗率、および、キュリー点を測定し
て、結果を下記の表１に示した。
次いで、鋼鉄製ボールミルで１５時間湿式粉砕した。こ
うして得られたＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト粉にポリビ
ニルアルコール水溶液を１０重量％添加して造粒し、１
ｔｏｎ／ｃｍ2の圧力でトロイダル形状に成形した。こ
の成形体を大気中１０００〜１２００℃の温度範囲内の
所定の温度で１〜３時間燒結してＭｎＭｇＣｕＺｎフェ
ライト材料（実施例１〜１５、比較例１〜２）を得た。
このＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（実施例１〜１
５、比較例１〜２）の組成、燒結温度・保持時間を下記
の表１に示した。また、各ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト
材料（実施例１〜１５、比較例１〜２）について、１０
０℃における飽和磁束密度、１００℃で周波数１００ｋ
Ｈｚの正弦波交流磁界を１００ｍＴ印加した条件での磁
気損失、室温での抵抗率、および、キュリー点を測定し
て、結果を下記の表１に示した。
【００１９】また、比較として、燒結後の組成が上記の
範囲から外れるＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較
例３〜８）を上記のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
（実施例１〜１５）と同様にして作製した。尚、このＭ
ｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較例３〜８）の組
成、燒結温度・保持時間は下記の表２に示したように設
定した。また、各ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比
較例３〜８）について、１００℃における飽和磁束密
度、１００℃で周波数１００ｋＨｚの正弦波交流磁界を
１００ｍＴ印加した条件での磁気損失、室温での抵抗
率、および、キュリー点を測定して、結果を下記の表２
に示した。
範囲から外れるＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較
例３〜８）を上記のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料
（実施例１〜１５）と同様にして作製した。尚、このＭ
ｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較例３〜８）の組
成、燒結温度・保持時間は下記の表２に示したように設
定した。また、各ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比
較例３〜８）について、１００℃における飽和磁束密
度、１００℃で周波数１００ｋＨｚの正弦波交流磁界を
１００ｍＴ印加した条件での磁気損失、室温での抵抗
率、および、キュリー点を測定して、結果を下記の表２
に示した。
【００２０】
【表１】
【００２１】
【表２】 表１に示されるように、本発明の製造方法により得られ
たＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（実施例１〜１５）
は、いずれも１００℃において飽和磁束密度が２１０ｍ
Ｔ以上、１００℃において周波数１００ｋＨｚの正弦波
交流磁界を１００ｍＴ印加した条件で磁気損失が６００
ｋＷ／ｍ3 以下、キュリー点が１４０℃以上、抵抗率が
１０6 Ωｃｍ以上の特性を有することが確認された。
たＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（実施例１〜１５）
は、いずれも１００℃において飽和磁束密度が２１０ｍ
Ｔ以上、１００℃において周波数１００ｋＨｚの正弦波
交流磁界を１００ｍＴ印加した条件で磁気損失が６００
ｋＷ／ｍ3 以下、キュリー点が１４０℃以上、抵抗率が
１０6 Ωｃｍ以上の特性を有することが確認された。
【００２２】しかし、上記の組成範囲に含まれる材料を
用いても、１２００℃以上の温度で燒結して製造された
ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較例１〜２）は、
異常粒成長、マグネシウム酸化物や銅酸化物の偏析が生
じ、磁気損失の悪化が確認された。
用いても、１２００℃以上の温度で燒結して製造された
ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料（比較例１〜２）は、
異常粒成長、マグネシウム酸化物や銅酸化物の偏析が生
じ、磁気損失の悪化が確認された。
【００２３】一方、表２に示されるように、上記の組成
範囲からはずれる材料を用いて製造されたＭｎＭｇＣｕ
Ｚｎフェライト材料（比較例３〜８）は、１００℃にお
いて飽和磁束密度が１８０ｍＴ未満である、１００℃に
おいて周波数１００ｋＨｚの正弦波交流磁界を１００ｍ
Ｔ印加した条件で磁気損失が６００ｋＷ／ｍ3 を超え
る、キュリー点が１４０℃未満である、抵抗率が１０6
Ωｃｍ未満である、ことのいずれかに該当し、特に広角
度形ＣＲＴ用や大画面形ＣＲＴ用の偏向ヨークコア等に
用いるには問題があることが明らかとなった。
範囲からはずれる材料を用いて製造されたＭｎＭｇＣｕ
Ｚｎフェライト材料（比較例３〜８）は、１００℃にお
いて飽和磁束密度が１８０ｍＴ未満である、１００℃に
おいて周波数１００ｋＨｚの正弦波交流磁界を１００ｍ
Ｔ印加した条件で磁気損失が６００ｋＷ／ｍ3 を超え
る、キュリー点が１４０℃未満である、抵抗率が１０6
Ωｃｍ未満である、ことのいずれかに該当し、特に広角
度形ＣＲＴ用や大画面形ＣＲＴ用の偏向ヨークコア等に
用いるには問題があることが明らかとなった。
【００２４】
【発明の効果】以上詳述したように、本発明によれば酸
化鉄を４７．０〜５０．４モル％、酸化マグネシウムを
１４．０〜２３．０モル％、酸化亜鉛を１９．５〜２
２．５モル％（２２．５モル％は含まない）、酸化銅を
６．５〜１５．５モル％、酸化マンガンを０．１〜３．
５モル％の範囲で含有する材料を１１９０℃以下の温度
で燒結してＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料とするの
で、得られたＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料は、従来
のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料に比べて飽和磁束密
度が高く、また磁気損失が低く、しかも抵抗率およびキ
ュリー点が高く、ＣＲＴ用、特に広角度形ＣＲＴ用や大
画面形ＣＲＴ用の偏向ヨークコアやトランス等に有用で
ある。また、燒結温度が１０００〜１１５０℃程度の比
較的低い温度であるため、従来のＭｎＭｇＣｕＺｎフェ
ライト材料に比べて製造コストの低減が可能となる。
化鉄を４７．０〜５０．４モル％、酸化マグネシウムを
１４．０〜２３．０モル％、酸化亜鉛を１９．５〜２
２．５モル％（２２．５モル％は含まない）、酸化銅を
６．５〜１５．５モル％、酸化マンガンを０．１〜３．
５モル％の範囲で含有する材料を１１９０℃以下の温度
で燒結してＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料とするの
で、得られたＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料は、従来
のＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料に比べて飽和磁束密
度が高く、また磁気損失が低く、しかも抵抗率およびキ
ュリー点が高く、ＣＲＴ用、特に広角度形ＣＲＴ用や大
画面形ＣＲＴ用の偏向ヨークコアやトランス等に有用で
ある。また、燒結温度が１０００〜１１５０℃程度の比
較的低い温度であるため、従来のＭｎＭｇＣｕＺｎフェ
ライト材料に比べて製造コストの低減が可能となる。
Claims (1)
- 【請求項１】 酸化鉄４７．０〜５０．４モル％、酸化
マグネシウム１４．０〜２３．０モル％、酸化亜鉛１
９．５〜２２．５モル％（２２．５モル％は含まな
い）、酸化銅６．５〜１５．５モル％、酸化マンガン
０．１〜３．５モル％の組成範囲にある材料を１１９０
℃以下の温度で燒結することを特徴とするＭｎＭｇＣｕ
Ｚｎフェライト材料の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10165875A JPH11343121A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10165875A JPH11343121A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH11343121A true JPH11343121A (ja) | 1999-12-14 |
Family
ID=15820648
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10165875A Withdrawn JPH11343121A (ja) | 1998-05-29 | 1998-05-29 | ＭｎＭｇＣｕＺｎフェライト材料の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH11343121A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576408B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2006-05-09 | 티디케이가부시기가이샤 | 자성 페라이트용 분말, 자성 페라이트, 적층형 페라이트부품 및 이의 제법 |
| CN114014643A (zh) * | 2021-10-12 | 2022-02-08 | 江西瑞吉磁电子科技有限公司 | 一种抗干扰、耐高压磁芯材料及其制备方法 |
-
1998
- 1998-05-29 JP JP10165875A patent/JPH11343121A/ja not_active Withdrawn
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100576408B1 (ko) * | 1999-12-16 | 2006-05-09 | 티디케이가부시기가이샤 | 자성 페라이트용 분말, 자성 페라이트, 적층형 페라이트부품 및 이의 제법 |
| CN114014643A (zh) * | 2021-10-12 | 2022-02-08 | 江西瑞吉磁电子科技有限公司 | 一种抗干扰、耐高压磁芯材料及其制备方法 |
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