JP7078016B2 - インダクタ部品 - Google Patents

Description

本開示は、インダクタ部品に関する。

電子機器に搭載されるインダクタ部品には、例えば特許文献１に記載されているように、樹脂と同樹脂に含有された金属磁性粉とを有する一対の磁性層と、一対の磁性層の間に挟まれたスパイラル配線とを備えたものがある。

特許文献１に記載されたインダクタ部品では、磁性層における金属磁性粉の含有率は９０～９７ｗｔ％、同磁性層における樹脂の含有率は３～１０ｗｔ％が好ましいとされている。また、スパイラル配線は、基板の表面に形成されるとともに、樹脂を含む絶縁性の絶縁体にて覆われている。絶縁体は、スパイラル配線と磁性層との電気的導通を防止する。そして、一対の磁性層は、厚さ方向の両側から絶縁体を覆っている。

特許第６０２４２４３号公報

近年、ノートブック、スマートフォンなどの電子機器の小型化や薄型化が進んでいる。これに伴い、電子機器に搭載されるインダクタ部品にも、小型化及び薄型化が望まれている。

磁性層が有する樹脂や金属磁性粉、スパイラル配線、絶縁体は、それぞれ温度変化による膨張収縮率が異なるため、熱によって歪みなどの応力が蓄積される場合がある。特に、インダクタ部品を実装基板に実装すると、実装基板、当該実装基板とインダクタ部品とを接合するはんだ、及びインダクタ部品の膨張収縮率の差異によって、更に応力が蓄積され、インダクタ部品やはんだにクラックが発生する場合がある。

ここで、特許文献１のように、磁性層における金属磁性粉の含有率を９０～９７ｗｔ％とすると、磁性層の膨張収縮率が実装基板に含まれるガラスクロスや金属からなるスパイラル配線の膨張収縮率に近づくため、応力の低減を図ることができる。しかしながら、この場合、磁性層の絶縁性が悪化するため、磁性層や金属磁性粉、スパイラル配線への絶縁体のコーティングなどが必要となる。これは工数の増加によるコスト増や、構造の追加による反小型化、反薄型化などの弊害を招く。

本開示の目的は、応力低減及び絶縁性向上を実現できるインダクタ部品を提供することにある。

本開示の一態様に係るインダクタ部品は、磁性層を含む積層体と、前記積層体内に配置されたインダクタ配線と、を備え、前記磁性層は、空隙部を有するベース樹脂と、前記ベース樹脂に含有された金属磁性粉及び非磁性粉とを有し、前記金属磁性粉には、前記空隙部及び前記非磁性粉の両方と接触するものが存在する。

上記態様によれば、金属磁性粉に接触する空隙部及び非磁性粉によって、応力緩和及び絶縁性向上を実現できる。
なお、本明細書において「インダクタ配線」とは、電流が流れた場合に磁性層に磁束を発生させることによって、インダクタ部品にインダクタンスを付与させるものであって、その構造、形状、材料などに特に限定はない。

本開示の一態様に係るインダクタ部品によれば、応力低減及び絶縁性向上を実現できる。

第１実施形態におけるインダクタ部品の透視平面図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の断面図（図１におけるＸ１－Ｘ１断面図）。 第１実施形態におけるインダクタ部品の拡大断面図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の拡大断面図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の断面写真。 第１実施形態におけるインダクタ部品の断面写真。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第１実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第２実施形態におけるインダクタ部品の断面図。 第２実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第２実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第２実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第２実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第２実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第２実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第２実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第２実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第２実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第２実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第２実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第３実施形態におけるインダクタ部品の断面図。 第３実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第３実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第３実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第３実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第３実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第３実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第３実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 第３実施形態におけるインダクタ部品の製造工程を説明する説明図。 変更例のインダクタ部品の透視平面図。 変更例のインダクタ部品の断面図（図４４におけるＸ２－Ｘ２断面図）。

以下、インダクタ部品の各実施形態について説明する。なお、添付図面は、理解を容易にするために構成要素を拡大して示している場合がある。構成要素の寸法比率は実際のものと、又は別の図中のものと異なる場合がある。また、断面図ではハッチングを付しているが、理解を容易にするために一部の構成要素のハッチングを省略している場合がある。

＜第１実施形態＞
以下、インダクタ部品の第１実施形態を説明する。
図１に示すインダクタ部品１は、例えば、パソコン、ＤＶＤプレーヤー、デジタルカメラ、テレビ、携帯電話、カーエレクトロニクスなどの電子機器に搭載される表面実装型のインダクタ部品である。インダクタ部品１は、例えば電子機器の電源回路に用いられるパワーインダクタである。但し、インダクタ部品１の用途は上記に限られない。

図１～図３に示すように、インダクタ部品１は、磁性層２０を含む積層体２と、積層体２内に配置されたスパイラル配線１１と、を備え、磁性層２０は、空隙部７１を有するベース樹脂７２と、ベース樹脂７２に含有された金属磁性粉７３及び非磁性粉７４とを有する。更に、金属磁性粉７３には、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触するものが存在する。なお、スパイラル配線１１は、インダクタ配線の一例である。

図１及び図２に示すように、本実施形態のインダクタ部品１は直方体状をなしている。なお、本明細書において、「直方体状」には、各面の一部又は全部に凹凸を有するものも含む。また、本明細書における「直方体状」では、各面とその反対側の面とが必ずしも完全に平行となっている必要はなく、多少の傾きがあってもよい（即ち、隣接する面は必ずしも直角をなさなくてもよい）。因みに、インダクタ部品１の形状は、特に限定されず、円柱状や多角柱状、円錐台形状、多角錐台形状等であってもよい。

インダクタ部品１は、スパイラル配線１１と、積層体２と、垂直配線４１，４２，４３と、外部端子５１，５２，５３と、被覆膜６１とを有している。
スパイラル配線１１は、導電性材料からなり、平面上に巻回されている。スパイラル配線１１が巻回された平面Ｓ１に対する垂直方向を、図中、Ｚ方向（図２において上下方向）とし、以下、順Ｚ方向を上方向、逆Ｚ方向を下方向とする。そして、Ｚ方向は、インダクタ部品１の厚さ方向に該当する。なお、Ｚ方向は、他の実施形態及び変更例においても同様とする。スパイラル配線１１は、上側から見て、内周端１１ａから外周端１１ｂに向かって反時計方向に渦巻き状に形成されている。また、Ｚ方向は、積層体２の積層方向にも一致する。

スパイラル配線１１のターン数は、本実施形態では、２．５ターンである。スパイラル配線１１のターン数は、５ターン以下が好ましい。ターン数が５ターン以下であれば、５０ＭＨｚから１５０ＭＨｚといった高周波スイッチング動作に対して近接効果の損失を小さくすることができる。一方、１ＭＨｚといった低周波スイッチング動作でインダクタ部品１を使用する場合には、スパイラル配線１１のターン数は、２．５ターン以上が好ましい。スパイラル配線１１のターン数を多くすることで、インダクタ部品１のインダクタンスを高くしてインダクタリップル電流を小さくすることができる。なお、スパイラル配線１１のターン数は、５ターンより多くてもよい。

スパイラル配線１１の材料としては、例えば、銅（Ｃｕ）、銀（Ａｇ）、金（Ａｕ）などの低抵抗な金属を用いることができる。好ましくは、スパイラル配線１１の材料として、銅もしくは銅化合物からなる導体を用いる。このようにすると、スパイラル配線１１にかかる製造コストを低減させるとともに、スパイラル配線１１における直流抵抗を低減させることができる。また、スパイラル配線１１は、ＳＡＰ（Semi Additive Process：セミアディティブ工法）によって形成される銅めっきよりなることが好ましい。このようにすると、低抵抗で且つ狭ピッチなスパイラル配線１１を安価に得ることができる。なお、スパイラル配線１１は、ＳＡＰ以外のめっき工法、スパッタリング法や蒸着法、塗布法などにより形成されるものであってもよい。

なお、上記「スパイラル配線」とは、平面状に形成された曲線（二次元曲線）の配線であって、ターン数が１周未満の曲線の配線であってもよいし、一部直線部を有する配線であってもよい。

積層体２は、磁性層２０と、絶縁体３１とを含む。磁性層２０は、磁性材料からなる。磁性層２０は、第１磁性層２１と、第２磁性層２２と、内磁路部２３と、外磁路部２４とから構成されている。

第１磁性層２１及び第２磁性層２２は、Ｚ方向の両側からスパイラル配線１１を挟む位置にある。具体的には、第１磁性層２１はスパイラル配線１１の下側に位置するとともに、第２磁性層２２はスパイラル配線１１の上側に位置している。即ち、スパイラル配線１１は、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に挟まれている。内磁路部２３は、スパイラル配線１１の内側に配置されている。即ち、内磁路部２３は、磁性層２０において、スパイラル配線１１の内側で第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に挟まれた部分である。外磁路部２４は、スパイラル配線１１の外側に配置されている。即ち、外磁路部２４は、磁性層２０において、スパイラル配線１１の外側で第１磁性層２１と第２磁性層２２との間に挟まれた部分である。そして、内磁路部２３及び外磁路部２４は、第１磁性層２１及び第２磁性層２２に接続されている。このように、磁性層２０は、スパイラル配線１１に対して閉磁路を形成している。

図２及び図３に示すように、磁性層２０、即ち、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４は、空隙部７１を有するベース樹脂７２と、ベース樹脂７２に含有された金属磁性粉７３及び非磁性粉７４とをそれぞれ有している。なお、本実施形態のインダクタ部品１では、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４は、何れも同じ材料からなるが、異なる材料からなるものであってもよい。

図１及び図２に示すように、絶縁体３１は、電気絶縁性を有する。絶縁体３１は、第１磁性層２１と第２磁性層２２との間で、磁性層２０とスパイラル配線１１との間に配置されている。本実施形態では、絶縁体３１は、第１磁性層２１とスパイラル配線１１との間、第２磁性層２２とスパイラル配線１１との間、内磁路部２３とスパイラル配線１１との間、外磁路部２４とスパイラル配線１１との間にそれぞれ配置されている。そして、絶縁体３１は、上側、下側、横側からスパイラル配線１１に接するとともに、スパイラル配線１１の表面を覆っている。絶縁体３１は、スパイラル配線１１の配線間の絶縁性を確保する。また、絶縁体３１には、下側（Ｚ方向）から第１磁性層２１が接するとともに、上側（逆Ｚ方向）から第２磁性層２２が接している。そして、絶縁体３１の表面は、磁性層２０によって覆われている。

絶縁体３１は、非磁性の絶縁性材料からなる。本実施形態では、絶縁体３１は、無機フィラー及び有機樹脂材料からなる絶縁性樹脂材料にて形成されている。なお、図１では、磁性層２０及び絶縁体３１を透明にした図で示しているが、磁性層２０及び絶縁体３１は、透明、半透明、不透明の何れであってもよい。また、磁性層２０及び絶縁体３１は、有色であってもよい。

絶縁体３１の材料としては、例えば、シリカ（ＳｉＯ_２：二酸化ケイ素）粉体を含有する樹脂を用いることができる。但し、絶縁体３１は、必ずしもシリカ粉体を含まなくてもよい。また、絶縁体３１に含まれる樹脂は、絶縁性の樹脂であればよいが、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂及び液晶ポリマー系樹脂のうちの少なくとも１つの樹脂を含むことが好ましい。

垂直配線４１～４３は、導電性材料からなる。各垂直配線４１～４３は、スパイラル配線１１から積層体２の表面まで積層体２を積層体２の積層方向に貫通している。なお、積層体２の表面は、積層体２におけるインダクタ部品１の外側を向く面である。本実施形態では、積層体２の表面は、磁性層２０におけるインダクタ部品１の外側を向いた表面である。

各垂直配線４１～４３は、スパイラル配線１１からＺ方向に延在されるとともに、第１磁性層２１もしくは第２磁性層２２を貫通している。第１垂直配線４１は、スパイラル配線１１の内周端１１ａの上面から上側に延在されて絶縁体３１をＺ方向に貫通する第１ビア導体４１ａと、第１ビア導体４１ａから上側に延在されて第２磁性層２２をＺ方向に貫通する第１柱状配線４１ｂとを含む。第２垂直配線４２は、スパイラル配線１１の外周端１１ｂの上面から上側に延在されて絶縁体３１をＺ方向に貫通する第２ビア導体４２ａと、第２ビア導体４２ａから上側に延在されて第２磁性層２２をＺ方向に貫通する第２柱状配線４２ｂとを含む。第３垂直配線４３は、スパイラル配線１１の外周端１１ｂの下面から下側に延在されて絶縁体３１をＺ方向に貫通する第３ビア導体４３ａと、第３ビア導体４３ａから下側に延在されて第１磁性層２１をＺ方向に貫通する第３柱状配線４３ｂとを含む。第２垂直配線４２と第３垂直配線４３とは、スパイラル配線１１を挟んだＺ方向の両側にそれぞれ位置している。

垂直配線４１～４３（ビア導体４１ａ～４３ａ及び柱状配線４１ｂ～４３ｂ）の材料としては、例えば、銅、銀、金などの低抵抗な金属を用いることができる。好ましくは、垂直配線４１～４３の材料として、銅もしくは銅化合物からなる導体を用いる。このようにすると、垂直配線４１～４３にかかる製造コストを低減させるとともに、垂直配線４１～４３における直流抵抗を低減させることができる。また、垂直配線４１～４３は、ＳＡＰによって形成される銅めっきよりなることが好ましい。このようにすると、低抵抗な垂直配線４１～４３を安価に得ることができる。なお、垂直配線４１～４３は、ＳＡＰ以外のめっき工法、スパッタリング法や蒸着法、塗布法などにより形成されるものであってもよい。

外部端子５１～５３は、導電性材料からなる。外部端子５１～５３は、積層体２の主面に形成されている。外部端子５１～５３は、積層体２の主面から露出する垂直配線４１～４３の露出面４１ｃ～４３ｃ上に配置されている。

なお、積層体２の「主面」は、インダクタ部品１の外側を向く面であって、積層体２における積層方向の両端面である。本実施形態では、積層体２は、２つの主面を有する。即ち、積層体２が有する２つの主面は、第１磁性層２１の下面と、第２磁性層２２の上面との２つの面である。また、垂直配線４１～４３が積層体２の主面から露出する場合の「露出」は、インダクタ部品１の外部への完全な露出に限られるものではなく、積層体２からの露出であればよい。即ち、この「露出」には、垂直配線４１～４３が積層体２から別の部材へ露出する場合も含む。従って、例えば、垂直配線４１～４３の露出面４１ｃ～４３ｃは、絶縁被膜（例えば、後述の被覆膜６１）や電極（例えば、外部端子５１～５３）などの別の部材に覆われていてもよい。

第１外部端子５１は、第２磁性層２２の上面に設けられるとともに、同上面から露出した第１垂直配線４１の端面（即ち、第１柱状配線４１ｂの上端面であって露出面４１ｃ）を覆っている。第２外部端子５２は、第２磁性層２２の上面に設けられるとともに、同上面から露出した第２垂直配線４２の端面（即ち、第２柱状配線４２ｂの上端面であって露出面４２ｃ）を覆っている。第３外部端子５３は、第１磁性層２１の下面に設けられるとともに、同下面から露出した第３垂直配線４３の端面（即ち、第３柱状配線４３ｂの下端面であって露出面４３ｃ）を覆っている。第２外部端子５２と第３外部端子５３とは、スパイラル配線１１を挟んだＺ方向の両側にそれぞれ位置している。

また、本実施形態のインダクタ部品１は、Ｚ方向から見て、垂直配線４１～４３の露出面４１ｃ～４３ｃ（柱状配線４１ｂ～４３ｂの端面）を覆う外部端子５１～５３の面積は、垂直配線４１～４３の面積よりも大きい。なお、インダクタ部品１をＺ方向から見て、外部端子５１～５３の面積は、垂直配線４１～４３の面積以下であってもよい。

外部端子５１～５３の材料としては、例えば、銅、銀、金などの低抵抗な金属を用いることができる。好ましくは、外部端子５１～５３の材料として、銅もしくは銅化合物からなる導体を用いる。このようにすると、外部端子５１～５３にかかる製造コストを低減させるとともに、外部端子５１～５３における直流抵抗を低減させることができる。なお、スパイラル配線１１、垂直配線４１～４３、外部端子５１～５３の材料を、銅を主体とした導体とすることにより、スパイラル配線１１と垂直配線４１～４３との間、及び、垂直配線４１～４３と外部端子５１～５３との間の接合力や導電性を向上させることができる。また、外部端子５１～５３は、ＳＡＰによって形成される銅めっきよりなることが好ましい。このようにすると、低抵抗な外部端子５１～５３を安価に得ることができる。なお、外部端子５１～５３は、ＳＡＰ以外のめっき工法、スパッタリング法や蒸着法、塗布法などにより形成されるものであってもよい。

各外部端子５１～５３は、防錆処理が施されていることが好ましい。ここで、防錆処理とは、ニッケル（Ｎｉ）、金、錫（Ｓｎ）などで被膜を形成することである。これにより、はんだによる銅喰われや、錆びを抑制することができるため、インダクタ部品１の実装信頼性を高めることができる。

なお、垂直配線４１～４３及び外部端子５１～５３は、第１磁性層２１のみ、もしくは第２磁性層２２のみに形成してもよい。また、第１磁性層２１もしくは第２磁性層２２の表面に、スパイラル配線１１と電気的に接続されていない外部端子としてのダミー端子を設けてもよい。ダミー端子は導電性であるため、熱伝導率が高い。従って、インダクタ部品１における放熱性を向上させることができるため、インダクタ部品１の信頼性を高める（高環境耐性を得る）ことができる。

図２に示すように、被覆膜６１は、非磁性の絶縁性材料からなる。被覆膜６１は、第１磁性層２１の下面及び第２磁性層２２の上面を被覆している。因みに、図１では、被覆膜６１の図示を省略している。第１磁性層２１の下面を被覆する被覆膜６１は、第１磁性層２１の下面において第３外部端子５３を除く領域を覆うとともに、第３外部端子５３の下端面を露出させている。第２磁性層２２の上面を被覆する被覆膜６１は、第２磁性層２２の上面において第１外部端子５１及び第２外部端子５２を除く領域を覆うとともに、第１外部端子５１の上端面及び第２外部端子５２の上端面を露出させている。

また、本実施形態のインダクタ部品１では、各外部端子５１～５３の表面は、第１磁性層２１もしくは第２磁性層２２の表面よりもＺ方向の外側に位置する。具体的には、外部端子５１～５３は、被覆膜６１に埋設されるとともに、外部端子５１～５３の表面は、第１磁性層２１もしくは第２磁性層２２の表面と同一平面上にない。因みに、第１磁性層２１もしくは第２磁性層２２の表面と外部端子５１～５３の表面との位置関係を独立に設定することができるため、外部端子５１～５３の厚さの自由度を高めることができる。そして、インダクタ部品１における外部端子５１～５３の表面の高さ位置を調整することが可能であるため、例えば、インダクタ部品１が基板に埋め込まれた場合に、外部端子５１～５３の表面の高さ位置を他の埋め込み部品の外部端子の高さ位置に合わせることが可能となる。従って、このようなインダクタ部品１を用いることにより、基板のビア形成時のレーザの焦点合わせ工程を合理化することができるため、基板の製造効率を向上させることができる。

被覆膜６１は、例えば、エポキシ系樹脂、フェノール系樹脂及びポリイミド系樹脂などの有機絶縁樹脂からなる感光性レジストやソルダーレジスト、ドライフィルムレジストなどで形成されている。なお、被覆膜６１は、絶縁体３１と同じ材料であってもよいし、異なる材料であってもよい。

本実施形態のインダクタ部品１は、厚さ（Ｚ方向の長さ）が０．５ｍｍ以下であることが好ましい。例えば、本実施形態のインダクタ部品１の厚さは０．２００ｍｍである。また、本実施形態のインダクタ部品１のチップサイズは、例えば、２．０ｍｍ×２．０ｍｍである。また、本実施形態のインダクタ部品１において、スパイラル配線１１は、例えば、配線幅が２１０μｍ、配線間スペースが１０μｍ、配線厚さが７０μｍである。なお、インダクタ部品１の厚さ、チップサイズ、スパイラル配線１１の配線幅、配線間スペース、配線厚さは、はこれに限らず、適宜変更してもよい。

また、本実施形態のインダクタ部品１は、基板の表面上に実装される表面実装型の部品であるが、その他に、基板に設けられた孔に埋め込まれて実装される埋込型の部品であってもよい。また、インダクタ部品１は、半導体パッケージなどのＩＣ（集積回路）パッケージ内に実装される３次元接続用の部品として用いることもできる。例えば、インダクタ部品１は、ＩＣパッケージに含まれるサブストレートの表面上に実装されたり、同サブストレートに設けられた孔に埋め込まれて実装されたりすることが可能である。

なお、本実施形態では、第１磁性層２１側にも外部端子５３を設けているが、第１磁性層２１側に外部端子５３を設けない場合には、第１磁性層２１の表面を覆う被覆膜６１を省略してもよい。

ここで、磁性層２０について詳述する。
図２及び図３に示すように、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４、即ち磁性層２０に含まれるベース樹脂７２は、絶縁性の樹脂であればよいが、エポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂の少なくとも一方の樹脂を含むことが好ましい。なお、第１磁性層２１及び第２磁性層２２と接する絶縁体３１は、絶縁性の樹脂であればよいが、このベース樹脂７２に含まれる樹脂のうちの少なくとも１つの樹脂を含むことが好ましい。

ベース樹脂７２に含まれる金属磁性粉７３は、必ずしも球形状でなくてもよいが、球形状であることが好ましい。なお、本明細書において「球形状」とは、直径が一定の球形状に加えて、一部が欠損した球形状、歪んだ球形状を含む。

また、金属磁性粉７３の平均粒子径は、１μｍ以上、５μｍ以下であることが好ましい。なお、本明細書において金属磁性粉７３の平均粒子径は、金属磁性粉７３の原料状態においては、レーザ回折・散乱法により測定する。このレーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％に相当する粒径を金属磁性粉７３の平均粒子径とする。また、インダクタ部品１の状態においては、金属磁性粉７３の平均粒子径は、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４のうち、測定対象とするものについて、中心を通る断面のＳＥＭ（Scanning Electron Microscope：走査電子顕微鏡）画像を用いて測定する。具体的には、１５個以上の金属磁性粉７３が確認できる倍率のＳＥＭ画像において、各金属磁性粉７３の面積を測定し、円相当径を｛４／π×（面積）｝＾（１／２）から算出した上で、その算術平均値を金属磁性粉７３の平均粒子径とする。なお、ＳＥＭ画像において金属磁性粉７３の輪郭が不鮮明な場合は画像処理を用いればよい。因みに、金属磁性粉７３の平均粒子径は、１μｍ未満や、５μｍより大きくてもよい。

金属磁性粉７３は導電性を有する。金属磁性粉７３の材料としては、例えば、鉄（Ｆｅ）を含有する磁性の金属を用いることができる。鉄は、単体で金属磁性粉７３に含有されてもよいし、鉄を含む合金として金属磁性粉７３に含有されてもよい。鉄を含有する金属磁性粉７３の材料としては、例えば、鉄－ケイ素（Ｓｉ）－クロム（Ｃｒ）合金などの鉄－ケイ素系合金、鉄－コバルト（Ｃｏ）系合金、パーマロイ（ＮｉＦｅ）などの鉄系合金、又は、それらのアモルファス合金を用いることができる。そして、金属磁性粉７３が鉄を含有する場合には、同金属磁性粉７３は、１ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下のクロム（Ｃｒ）を含有していることが好ましい。本実施形態では、金属磁性粉７３は、鉄－ケイ素－クロム合金の粉体である。

ベース樹脂７２に含まれる非磁性粉７４は、必ずしも球形状でなくてもよいが、球形状であることが好ましい。また、非磁性粉７４の平均粒子径は、金属磁性粉７３の平均粒子径よりも小さいことが好ましい。なお、本明細書において非磁性粉７４の平均粒子径は、非磁性粉７４の原料状態においては、レーザ回折・散乱法により測定する。このレーザ回折・散乱法によって求めた粒度分布における積算値５０％に相当する粒径を非磁性粉７４の平均粒子径とする。また、インダクタ部品１の状態においては、非磁性粉７４の平均粒子径は、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４のうち、測定対象とするものについて、中心を通る断面のＳＥＭ画像を用いて測定する。具体的には、１５個以上の非磁性粉７４が確認できる倍率のＳＥＭ画像において、各非磁性粉７４の面積を測定し、円相当径を｛４／π×（面積）｝＾（１／２）から算出した上で、その算術平均値を非磁性粉７４の平均粒子径とする。なお、ＳＥＭ画像において非磁性粉７４の輪郭が不鮮明な場合は画像処理を用いればよい。因みに、非磁性粉７４の平均粒子径は、必ずしも金属磁性粉７３の平均粒子径よりも小さくなくてもよい。

非磁性粉７４の材料としては、シリカを用いることができる。非磁性粉７４にシリカを用いた場合の同非磁性粉７４の平均粒子径は、０．５μｍ程度である。なお、非磁性粉７４の材料としては、シリカに限らず、例えば、硫酸バリウム（ＢａＳＯ_４）や窒化ホウ素（ＢＮ）を用いることもできる。この非磁性粉７４は、ベース樹脂７２内で絶縁体として働く。

ベース樹脂７２が有する空隙部７１は、研磨法によってインダクタ部品１の断面出しを行った後に、ＦＩＢ（Focused Ion Beam：収束イオンビーム）などで樹脂封止せずに断面を深さ方向にエッチングすることで容易に確認することができる。

磁性層２０に含まれる金属磁性粉７３には、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触するものが存在する。なお、金属磁性粉７３が絶縁コートを有する場合には、非磁性粉７４及び空隙部７１は絶縁コートを介して金属磁性粉７３に接触する（即ち、金属磁性粉７３の絶縁コートに接触する）ことが好ましい。また、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３は、第１磁性層２１及び第２磁性層２２のそれぞれに複数存在することが好ましい。更に、内磁路部２３及び外磁路部２４も、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３を有することが好ましい。また、インダクタ部品１は、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３を、積層体２の積層方向（図２においてＺ方向）に複数備えていることが好ましい。但し、インダクタ部品１は、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３を、必ずしも積層体２の積層方向に複数備えなくてもよい。また、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３は、必ずしも第１磁性層２１及び第２磁性層２２のそれぞれに複数存在しなくてもよい。

また、図４に示すように、インダクタ部品１においては、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の少なくとも１つは、垂直配線４１～４３の何れかにも接触していることが好ましい。但し、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１は、必ずしも垂直配線４１～４３の何れかに接触しなくてもよい。

空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３は、ＳＥＭを用いて取得した画像により確認することができる。ＳＥＭ画像を取得するためには、まず、インダクタ部品１の中央部の断面出しを研磨法によって行う。その後、インダクタ部品１の断面部における磁性層２０の部分の画像をＳＥＭにより取得する。そして、インダクタ部品１の断面部における磁性層２０の部分において、１０，０００倍の倍率で垂直方向（Ｚ方向）に異なる箇所の画像を３点以上取得し、取得したＳＥＭ画像を確認することにより、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３が第１磁性層２１及び第２磁性層２２内に複数存在することの確認を行った。なお、ＳＥＭの倍率は、１０，０００倍に限らず、金属磁性粉７３の大きさに応じて適当に変更すればよいが、１５個以上の金属磁性粉７３が確認できる倍率が好ましい。

図５及び図６は、上記の方法で取得したインダクタ部品１のＳＥＭ画像を示す。図６では、垂直配線４１と金属磁性粉７３とに接触した空隙部７１を確認することができる。
図３に示すように、金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径は、当該接触する金属磁性粉７３の粒子径の３分の１以下の大きさであることが好ましい。金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径、及び、当該非磁性粉７４が接触する金属磁性粉７３の粒子径は、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４のうち、測定対象とするものについて、中心を通る断面のＳＥＭ画像を用いて測定する。具体的には、ＳＥＭ画像において金属磁性粉７３に接触している非磁性粉７４の面積を測定し、測定した面積を用いて｛４／π×（面積）｝＾（１／２）により算出した円相当径を当該非磁性粉７４の粒子径とする。また、同ＳＥＭ画像において、当該非磁性粉７４が接触している金属磁性粉７３の面積を測定し、測定した面積を用いて｛４／π×（面積）｝＾（１／２）により算出した円相当径を当該金属磁性粉７３の粒子径とする。なお、ＳＥＭ画像において金属磁性粉７３及び非磁性粉の輪郭が不鮮明な場合は画像処理を用いればよい。なお、金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径は、必ずしも当該接触する金属磁性粉７３の粒子径の３分の１以下の大きさでなくてもよい。

また、金属磁性粉７３に接触する少なくとも１つの空隙部７１の断面形状は、直交する２つの方向の長さが異なることが好ましい。図３には、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１ａの断面形状において、直交する２つの方向Ｌ１，Ｌ２の長さを図示している。例えば、方向Ｌ１は、空隙部７１ａの断面形状における長手方向である。方向Ｌ２は、空隙部７１ａの断面形状において方向Ｌ１と直交する方向である。そして、Ｌ１方向の長さＤ１とＬ２方向の長さＤ２とが異なっている。なお、方向Ｌ１は、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の断面形状において必ずしも長手方向としなくてもよく、任意の方向であってよい。金属磁性粉７３に接触する少なくとも１つの空隙部７１の断面形状であって、直交する２つの方向の長さが異なる形状は、例えば、楕円形状、ひょうたん形状、勾玉形状、ブーメラン形状、トラック（即ち競走路）形状等がある。

また、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１であって断面において直交する２つの方向の長さが異なる形状である空隙部７１は、同断面において、当該空隙部７１の長径が、当該空隙部７１の円相当径よりも長いことがより好ましい。なお、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１は、断面形状において直交する２つの方向の長さが必ずしも異ならなくてもよい。

金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の断面形状は、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４のうち、測定対象とするものについて、中心を通る断面のＳＥＭ画像により確認することができる。また、同空隙部７１の円相当径は、同ＳＥＭ画像において、同空隙部７１の面積を測定し、測定した面積を用いて｛４／π×（面積）｝＾（１／２）により算出する。

また、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の径は、当該接触する金属磁性粉７３の粒子径よりも小さいことが好ましい。具体的には、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の短径が、当該金属磁性粉７３の円相当径より小さいことが好ましい。更には、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の円相当径が、当該金属磁性粉７３の円相当径より小さいことがより好ましい。なお、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の径は、必ずしも当該接触する金属磁性粉７３の粒子径よりも小さくなくてもよい。

金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の径は、第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４のうち、測定対象とするものについて、中心を通る断面のＳＥＭ画像を用いて測定する。また、当該空隙部７１が接触する金属磁性粉７３の粒子径は、同ＳＥＭ画像を用いて測定する。具体的には、同ＳＥＭ画像において、当該空隙部７１が接触する金属磁性粉７３の面積を測定し、測定した面積を用いて｛４／π×（面積）｝＾（１／２）により算出した円相当径を当該金属磁性粉７３の粒子径とする。また、当該空隙部７１の円相当径は、上記と同様のＳＥＭ画像において、当該空隙部７１の面積を測定し、測定した面積を用いて｛４／π×（面積）｝＾（１／２）により算出する。なお、ＳＥＭ画像において金属磁性粉７３、空隙部７１の輪郭が不鮮明な場合は画像処理を用いればよい。

（作用）
次に、本実施形態の作用について説明する。
磁性層２０は、空隙部７１を有するベース樹脂７２と、ベース樹脂７２に含有された金属磁性粉７３及び非磁性粉７４とを有する。金属磁性粉７３には、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触するものが存在する。本実施形態では、複数の金属磁性粉７３が、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触している。このため、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１及び非磁性粉７４によって、インダクタ部品１における応力緩和及び絶縁性向上を実現できる。

また、非磁性粉７４にシリカを用いることにより、磁性層２０において金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間の絶縁性を高めることができる。
また、金属磁性粉７３及び非磁性粉７４を、何れも球形状とすることにより、ベース樹脂７２への金属磁性粉７３及び非磁性粉７４の充填量を多くしても、ベース樹脂７２内で金属磁性粉７３及び非磁性粉７４を均一に分散させやすい。

また、鉄を含有した金属磁性粉７３を用いることにより、磁性層２０の磁気飽和特性を向上させることができる。
また、金属磁性粉７３が１ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下のクロムを含有していると、金属磁性粉７３においてクロムが酸化して不動態を形成することにより、金属磁性粉７３の酸化が抑制される。本実施形態では、金属磁性粉７３は、鉄－ケイ素－クロム合金の粉体であるため、鉄を含有している。そして、鉄が酸化すると赤茶色等に変色する。しかしながら、本実施形態の金属磁性粉７３は、クロムを含有することにより鉄の酸化が抑制されるため、インダクタ部品１の変色を抑制できる。因みに、クロムは白色であるとともに、不動態を形成する酸化被膜は無色透明であるため、クロムが不動態を形成した場合でもインダクタ部品１の変色は抑制される。

また、金属磁性粉７３の平均粒子径を１μｍ以上、５μｍ以下とすることにより、直流重畳特性を向上させることができる。また、渦電流損（鉄損）を小さく抑えることができる。非磁性粉７４の平均粒子径が金属磁性粉７３の平均粒子径よりも小さいため、金属磁性粉７３の充填量を多くすることが非磁性粉７４によって阻害されることが抑制される。更に、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間に非磁性粉７４が配置されやすくなる。

一般的に、金属磁性粉の平均粒子径が１μｍよりも小さいと、金属磁性粉の重さが軽いため、ベース樹脂内に金属磁性粉を均一に分散させることが困難になる。更に、金属磁性粉の平均粒子径が１μｍよりも小さいと、ベース樹脂内の金属磁性粉の表面積が大きくなるため、ベース樹脂への金属磁性粉の充填量を多くすることが困難になり、その結果、磁気抵抗を下げにくくなる。これに対し、本実施形態のインダクタ部品１においては、金属磁性粉７３の平均粒子径が１μｍ以上であるため、ベース樹脂７２内に金属磁性粉７３を均一に分散させやすくなるとともに、ベース樹脂７２への金属磁性粉７３の充填量を容易に多くできる。

また、金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径は、当該接触する金属磁性粉７３の粒子径の３分の１以下の大きさである。そのため、金属磁性粉７３の充填量を多くすることが非磁性粉７４によって阻害されることがより抑制される。更に、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間に非磁性粉がより配置されやすくなる。

また、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３が、積層体２の積層方向に複数備えられていると、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触している金属磁性粉７３が磁性層２０の内部に複数あることになる。そのため、金属磁性粉７３に接触している複数の空隙部７１及び非磁性粉によって、インダクタ部品１における更なる応力緩和及び絶縁性向上を実現できる。

また、ベース樹脂７２は、エポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂の少なくとも一方の樹脂を含むため、磁性層２０の絶縁性を高めることができる。更に、ベース樹脂７２によってもインダクタ部品１における応力を緩和できる。

また、空隙部７１は、非球形にもなり得るため、金属磁性粉７３の表面に沿って配置することが可能である。そして、断面において直交する２つの方向の長さが異なる形状である空隙部７１を金属磁性粉７３の表面に沿って配置すると、同金属磁性粉７３の表面のより広い範囲に空隙部７１を接触させることができる。

また、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の径は、当該接触する金属磁性粉７３の粒子径よりも小さいため、金属磁性粉７３の充填量を多くすることが当該空隙部７１によって阻害されることが抑制される。また、当該空隙部７１によって磁性層２０の機械的強度が低下されることを抑制できる。

また、インダクタ部品１は、積層体２にスパイラル配線１１を覆う絶縁体３１を含んでいるため、スパイラル配線１１間や、スパイラル配線１１と同スパイラル配線１１の周囲の導電性の部位との間の絶縁性を高めることができる。例えば、スパイラル配線１１の配線間スペースが非常に狭い場合に、スパイラル配線１１の配線間において金属磁性粉７３を介した電気的にショートするパスができる可能性を除くことができ、インダクタ部品１の信頼性を向上させることができる。

また、インダクタ部品１は垂直配線４１～４３を備えたことにより、スパイラル配線１１と外部回路との接続を容易に行うことができる。また、本実施形態では、金属磁性粉７３及び非磁性粉７４が球形状をなす。そのため、インダクタ部品１の製造時には、金属磁性粉７３及び非磁性粉７４を含有したベース樹脂７２を、スパイラル配線１１の内側（即ち、内磁路部２３を形成する部分）、スパイラル配線１１の外側（即ち、外磁路部２４を形成する部分）、及び垂直配線４１～４３の周囲へ容易に圧入することができる。

また、前述したように、本実施形態のインダクタ部品１は、基板に設けられた孔に埋め込まれて実装される埋込型の部品として使用したり、ＩＣパッケージ内に実装される３次元接続用の部品として使用したりすることが可能である。そして、インダクタ部品１では、スパイラル配線１１からＺ方向に直接垂直配線４１～４３が引き出されている。これは、スパイラル配線１１が、インダクタ部品１の上面側又は下面側に最短距離で引き出されていることを意味し、基板配線がインダクタ部品１の上面側又は下面側から接続される３次元実装において、不要な配線引き回しを低減できることを意味する。従って、インダクタ部品１は、３次元実装に十分に対応できる構成を有していることから、回路設計の自由度を向上させることができる。

また、インダクタ部品１では、スパイラル配線１１から側面方向（即ち、積層方向と直交する方向）に配線が引き出されないため、Ｚ方向から見たインダクタ部品１の面積、即ち実装面積を低減させることができる。従って、インダクタ部品１は、表面実装及び３次元実装の何れにおいても、実装面積を減少させることができるとともに、回路設計の自由度を向上させることができる。

また、インダクタ部品１では、垂直配線４１～４３は、スパイラル配線１１から積層体２の表面まで積層体２を積層体２の積層方向に貫通するとともに、スパイラル配線１１が巻回された平面Ｓ１に対して垂直方向に延在している。この場合、垂直配線４１～４３においては、電流はスパイラル配線１１が巻回された平面Ｓ１に沿った方向に流れるのではなく、Ｚ方向に流れる。

ここで、インダクタ部品１のサイズが小さくなると、相対的に磁性層２０も小さくなる。すると、内磁路部２３では磁束密度が高くなるために、磁気飽和しやすくなる。しかしながら、垂直配線４１～４３に流れるＺ方向の電流による磁束は、内磁路部２３を通らないため、磁気飽和特性、即ち直流重畳特性への影響を低減できる。これに対し、スパイラル配線から引出部によって側面側（スパイラル配線が巻回された平面に沿った方向）に配線を引き出した場合には、引出部に流れる電流により発生する磁束の一部が内磁路部や外磁路部を通ることになるため、磁気飽和特性、即ち直流重畳特性への影響が懸念される。

また、垂直配線４１～４３は、第１磁性層２１もしくは第２磁性層２２を積層方向に貫通するため、垂直配線４１～４３をスパイラル配線１１から引き出す際に磁性層２０の開口箇所を小さくできることから、容易に閉磁路構造を取ることができる。これにより、基板側へのノイズ伝播を抑制することができる。

また、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の少なくとも１つは、垂直配線４１～４３のいずれかにも接触しているため、垂直配線４１～４３の何れかと金属磁性粉７３との両方に接触する空隙部７１によって、垂直配線４１～４３の何れかと金属磁性粉７３との間の絶縁性を高めることができる。

また、インダクタ部品１は、積層体２の主面に形成された外部端子５１～５３を有する。外部端子５１～５３は、積層体２の主面から露出する垂直配線４１～４３の露出面４１ｃ～４３ｃ上に配置されている。このため、Ｚ方向から見て、垂直配線４１～４３の露出面４１ｃ～４３ｃを覆う外部端子５１～５３の面積を、垂直配線４１～４３の面積よりも大きくすることができる。このようにすると、実装時の接合面積が大きくなるため、インダクタ部品１の実装信頼性を向上させることができる。また、基板に実装する時に基板配線とインダクタ部品１との接合位置について、アライメントマージンを確保することができるため、これによっても実装信頼性を向上させることができる。また、柱状配線４１ｂ～４３ｂの体積にかかわらず実装信頼性を向上させることができるため、Ｚ方向から見た柱状配線４１ｂ～４３ｂの断面積を小さくすることにより、第１磁性層２１もしくは第２磁性層２２の体積の減少を抑制して、インダクタ部品１の特性低下を抑制することができる。

また、絶縁体３１は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂及び液晶ポリマー系樹脂のうちの少なくとも１つの樹脂を含み、且つ、ベース樹脂７２に含まれる樹脂のうちの少なくとも１つの樹脂を含んでいる。そのため、スパイラル配線１１間や、スパイラル配線１１と同スパイラル配線１１の周囲の導電性の部位との間の絶縁性を高めることができる。また、磁性層２０を構成するベース樹脂７２に含まれる樹脂と、絶縁体３１に含まれる樹脂とは、共通の樹脂を含む。そのため、磁性層２０と絶縁体３１との間で発生するひずみを小さく抑えることができる。

また、本実施形態のインダクタ部品１においては、金属磁性粉７３の平均粒子径は、１μｍ以上、５μｍ以下という小さい値である。即ち、金属磁性粉７３が小さい。そのため、磁性層２０の厚さ（第１磁性層２１及び第２磁性層２２の厚さ）を調整することによりインダクタ部品１の厚さを調整する際に、磁性層２０を構成するベース樹脂７２からの金属磁性粉７３の脱粒の影響を受けにくい。即ち、金属磁性粉７３の脱粒の有無にかかわらず、磁性層２０の厚さを調整することができる。

（製造方法）
次に、インダクタ部品１の製造方法について説明する。
図７に示すように、ダミーコア基板１００を準備する。ダミーコア基板１００は、絶縁基板１０１と、絶縁基板１０１の両面に設けられたベース金属層１０２とを有する。本実施形態では、絶縁基板１０１はガラスエポキシ基板であり、ベース金属層１０２は銅箔である。ダミーコア基板１００の厚さはインダクタ部品１の厚さに影響しないため、ダミーコア基板１００には、加工上の反りなどの理由から適宜取り扱いやすい厚さのものを用いればよい。

次に、図８に示すように、ベース金属層１０２の面上にダミー金属層１１１を接着する。本実施形態では、ダミー金属層１１１は銅箔である。ダミー金属層１１１は、ベース金属層１０２の円滑面に接着されるため、ダミー金属層１１１とベース金属層１０２との接着力を弱くすることができる。従って、後工程において、ダミーコア基板１００をベース金属層１０２から容易に剥がすことができる。ダミーコア基板１００のベース金属層１０２とダミー金属層１１１とを接着する接着剤は、低粘着剤であることが好ましい。また、ベース金属層１０２とダミー金属層１１１との接着力を弱くするために、ベース金属層１０２とダミー金属層１１１との接着面を光沢面とすることが好ましい。

次に、図９に示すように、ダミー金属層１１１上に絶縁層１１２を積層する。絶縁層１１２は、真空ラミネータやプレス機などにより、ダミー金属層１１１に熱圧着された後に熱硬化される。

次に、図１０に示すように、レーザ加工などにより絶縁層１１２に開口部１１２ａを形成する。
その後、図１１に示すように、絶縁層１１２上にダミー銅１１３ａとスパイラル配線１１３ｂとを形成する。詳しくは、絶縁層１１２上に無電解めっきやスパッタリング、蒸着などによりＳＡＰのための給電膜（図示略）を形成する。給電膜の形成後、給電膜上に感光性のレジストを塗布や貼り付けにより形成する。そして、フォトリソグラフィによって配線パターンとなる箇所に感光性レジストの開口部を形成する。その後、ダミー銅１１３ａ及びスパイラル配線１１３ｂに相当するメタル配線を感光性レジスト層の開口部に形成する。メタル配線の形成後、感光性レジストを薬液により剥離除去した後に、給電膜をエッチングにより除去する。その後、このメタル配線を給電部として、追加の銅電解めっきを施すことにより、狭スペースなスパイラル配線１１３ｂを得る。また、開口部１１２ａには、ＳＡＰにより銅が充填される。

次に、図１２に示すように、ダミー銅１１３ａ及びスパイラル配線１１３ｂを絶縁層１１４で覆う。絶縁層１１４は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着された後に熱硬化される。

次に、図１３に示すように、レーザ加工などにより絶縁層１１４に開口部１１４ａを形成する。
その後、図１４に示すように、ダミーコア基板１００をダミー金属層１１１から剥がす。

そして、図１５に示すように、ダミー金属層１１１をエッチングなどにより取り除く。また、ダミー銅１１３ａをエッチングなどにより取り除く。これにより、内磁路部２３に対応する孔部１１５ａ及び外磁路部２４に対応する孔部１１５ｂが形成される。

その後、図１６に示すように、レーザ加工などにより絶縁層１１２，１１４に開口部１１４ｂを形成する。
そして、図１７に示すように、ＳＡＰにより、開口部１１４ｂに銅を充填してビア導体１１６ａを形成した後に、絶縁層１１２，１１４上に柱状配線１１６ｂを形成する。

次に、図１８に示すように、スパイラル配線１１３ｂ、絶縁層１１２，１１４及び柱状配線１１６ｂを磁性層１１７で覆うことにより、インダクタ基板１３０を形成する。磁性層１１７は、空隙部７１を有するベース樹脂７２、金属磁性粉７３及び非磁性粉７４を含む磁性材料１１８からなるものである（図３参照）。磁性材料１１８（磁性層１１７）は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着された後に熱硬化される。この時、磁性材料１１８は、孔部１１５ａ，１１５ｂにも充填される。

なお、磁性材料１１８にて磁性層１１７を形成する際に、ベース樹脂７２内に空隙部７１を形成する。磁性材料１１８を熱圧着する際の加圧を磁性材料１１８の溶融粘度が下がりきる前に開始すると、磁性材料１１８の流動が低下するため、磁性材料１１８は、空気を含んだ状態で孔部１１５ａ，１１５ｂに充填される。その後、磁性材料１１８を加温し、磁性材料１１８の溶融粘度が更に下がると、孔部１１５ａ，１１５ｂに磁性材料１１８が十分に充填された状態、且つ磁性材料１１８が上記空気を含んだ状態で当該磁性材料１１８の硬化が始まる。これによって、空隙部７１を有するベース樹脂７２を形成することができる。

なお、空隙部７１の形成方法は、これに限られない。例えば、磁性材料１１８の内部に分子量の小さい添加剤を加え、磁性材料１１８の硬化時に当該添加剤を分解させることによっても、添加剤の存在した部分に空隙部７１を形成することができる。同様に、上記の組み合わせやそれ以外の方法で空隙部７１を形成してもよい。

次に、図１９に示すように、インダクタ基板１３０の上下の磁性材料１１８を研削工法により薄層化する。この時、磁性材料１１８を研削することにより柱状配線１１６ｂの一部を露出させることで、磁性材料１１８の同一平面上に柱状配線１１６ｂの露出部が形成される。なお、インダクタンス値が得られるのに十分な厚さになるまで磁性材料１１８を研削することで、インダクタ部品１の薄型化を図ることができる。

次に、図２０に示すように、印刷工法により磁性層１１７の表面に非磁性の絶縁性材料からなる被覆膜１１９を形成する。形成された被覆膜１１９は開口部１１９ａを有する。この開口部１１９ａは、外部端子１２１が形成される部分である。本実施形態では、印刷工法を用いて開口部１１９ａを有する被覆膜１１９を形成したが、フォトリソグラフィ法によって開口部１１９ａを形成してもよい。

次に、図２１に示すように、外部端子１２１を形成する。外部端子１２１は、無電解めっきや、電解めっきなどにより、銅やニッケル、金、錫などの金属膜として形成される。
その後、図２２に示すように、破断線Ｌにてダイシングにより個片化することで、図２に示すインダクタ部品１を得る。なお、図２２に示すスパイラル配線１１３ｂは、図２に示すスパイラル配線１１に該当する。また、図２２に示す絶縁層１１２，１１４は、図２に示す絶縁体３１に該当する。また、図２２に示す磁性層１１７は、図２に示す磁性層２０、即ち第１磁性層２１、第２磁性層２２、内磁路部２３及び外磁路部２４に該当する。また、図２２に示す３つのビア導体１１６ａは、図２に示すビア導体４１ａ～４３ａに該当するとともに、図２２に示す３つの柱状配線１１６ｂは、図２に示す柱状配線４１ｂ～４３ｂに該当する。更に、図２２に示す３つの外部端子１２１は、図２に示す外部端子５１～５３に該当する。

上記したように、本実施形態のインダクタ部品１においては、スパイラル配線１１は、従来のようにプリント基板に形成されるものではい。従って、スパイラル配線が形成されるプリント基板を備えない分、インダクタ部品１の薄型化に有利である。なお、従来のようにプリント基板にスパイラル配線が形成される構成の場合には、基板を省略することが困難である。

図１１以降、図示を省略したが、ダミーコア基板１００の両面にインダクタ基板１３０を形成してもよい。このようにすると、生産性を高めることができる。
本実施形態の効果について説明する。

（１－１）インダクタ部品１は、磁性層２０を含む積層体２と、積層体２内に配置されたインダクタ配線の一例であるスパイラル配線１１と、を備えている。磁性層２０は、空隙部７１を有するベース樹脂７２と、ベース樹脂７２に含有された金属磁性粉７３及び非磁性粉７４とを有し、金属磁性粉７３には、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触するものが存在する。

上記態様によれば、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１及び非磁性粉７４によって、インダクタ部品１における応力緩和及び絶縁性向上を実現できる。そして、磁性層２０自体の構造により、インダクタ部品１における応力緩和及び絶縁性向上を図ることができるため、絶縁体コーティング等の追加の構成を設けなくてもよい。従って、インダクタ部品１の製造コストの低減、並びに、インダクタ部品１の小型化及び低背化を実現できる。

（１－２）非磁性粉７４はシリカである。このように、非磁性粉７４にシリカを用いることにより、磁性層２０において金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間の絶縁性を高めることができる。また、非磁性粉７４に安価なシリカを用いることにより、インダクタ部品１の製造コストを低減させることができるとともに、量産性に優れたインダクタ部品１を得ることができる。

（１－３）金属磁性粉７３及び非磁性粉７４は、何れも球形状である。そのため、ベース樹脂７２への金属磁性粉７３及び非磁性粉７４の充填量を多くしても、ベース樹脂７２内で金属磁性粉７３及び非磁性粉７４を均一に分散させやすい。また、スパイラル配線１１の間の隙間（例えば、スパイラル配線１１の内側の内磁路部２３が形成される部分）等、狭い場所にも、磁性層２０、即ち金属磁性粉７３及び非磁性粉７４を含むベース樹脂７２を圧入しやすくなる。

（１－４）金属磁性粉７３は鉄を含有する。そのため、磁性層２０の磁気飽和特性を向上させることができる。
（１－５）金属磁性粉７３は、１ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下のクロムを含有している。そのため、金属磁性粉７３においては、クロムが酸化して不動態を形成することにより、金属磁性粉７３の酸化が抑制される。従って、温度変化だけでなく、湿度が高い過酷な環境にも耐え得るインダクタ部品１を得ることができる。

（１－６）金属磁性粉７３の平均粒子径は、１μｍ以上、５μｍ以下である。また、非磁性粉７４の平均粒子径は、金属磁性粉７３の平均粒子径よりも小さい。
このように、金属磁性粉７３の平均粒子径を１μｍ以上、５μｍ以下とすることにより、直流重畳特性を向上させることができる。また、金属磁性粉７３の平均粒子径を５μｍ以下と小さくすることにより、渦電流損（鉄損）を小さく抑えることができる。

また、非磁性粉７４の平均粒子径が金属磁性粉７３の平均粒子径よりも小さいため、金属磁性粉７３の充填量を多くすることが非磁性粉７４によって阻害されることが抑制される。従って、金属磁性粉７３の充填量を多くしてインダクタンスを向上させることが容易となる。更に、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間に非磁性粉７４が配置されやすくなるため、金属磁性粉７３の充填量が多くなっても、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間を非磁性粉７４によって絶縁しやすい。

また、一般的に、金属磁性粉の平均粒子径が１μｍよりも小さいと、金属磁性粉の重さが軽いため、ベース樹脂内に金属磁性粉を均一に分散させることが困難になる。更に、金属磁性粉の平均粒子径が１μｍよりも小さいと、ベース樹脂内の金属磁性粉の表面積が大きくなるため、ベース樹脂への金属磁性粉の充填量を多くすることが困難になり、その結果、磁気抵抗を下げにくくなる。これに対し、本実施形態のインダクタ部品１においては、金属磁性粉７３の平均粒子径が１μｍ以上であるため、ベース樹脂７２内に金属磁性粉７３を均一に分散させやすくなるとともに、ベース樹脂７２への金属磁性粉７３の充填量を多くして磁気抵抗を下げることが可能になる。

（１－７）金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径は、当該接触する金属磁性粉７３の粒子径の３分の１以下の大きさである。そのため、金属磁性粉７３の充填量を多くすることが非磁性粉７４によって阻害されることがより抑制される。更に、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間に非磁性粉７４がより配置されやすくなるため、金属磁性粉７３の充填量が多くなっても、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間を非磁性粉７４によってより絶縁しやすい。

（１－８）空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３が、積層体２の積層方向に複数備えられている。従って、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３が磁性層２０の内部に複数あるため、金属磁性粉７３に接触する複数の空隙部７１及び非磁性粉７４によって、インダクタ部品１における応力をより緩和できるとともに、磁性層２０による絶縁性をより向上できる。

（１－９）ベース樹脂７２は、エポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂の少なくとも一方の樹脂を含む。そのため、磁性層２０の絶縁性を高めることができる。また、ベース樹脂７２によってもインダクタ部品１における応力緩和を実現できる。従って、応力の影響を更に抑えることができるため、インダクタ部品１の機械的強度を向上させることができる。その結果、インダクタ部品１の小型化や低背化が進んでも信頼性の低下を抑制できる。

（１－１０）金属磁性粉７３に接触する少なくとも１つの空隙部７１の断面形状は、直交する２つの方向の長さが異なる。空隙部７１は、非球形にもなり得るため、金属磁性粉７３の表面に沿って配置することが可能である。そして、断面において直交する２つの方向の長さが異なる形状である空隙部７１を金属磁性粉７３の表面に沿って配置すると、同金属磁性粉７３の表面のより広い範囲に空隙部７１を接触させることができる。その結果、当該空隙部７１を介して同金属磁性粉７３と隣り合う金属磁性粉７３との間の絶縁性を向上させることができる。

更に、断面において直交する２つの方向の長さが異なる形状である当該空隙部７１の同断面における長径が、同断面における当該空隙部７１の円相当径よりも長い場合には、接触する金属磁性粉７３の表面の更に広い範囲に当該空隙部７１を接触させやすくなる。その結果、当該空隙部７１を介して同金属磁性粉７３と隣り合う金属磁性粉７３との間の絶縁性を更に向上させることができる。

（１－１１）金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の径は、当該接触する金属磁性粉７３の粒子径よりも小さい。そのため、金属磁性粉７３の充填量を多くすることが空隙部７１によって阻害されることが抑制される。また、空隙部７１によって磁性層２０の機械的強度が低下されることを抑制できる。

（１－１２）積層体２は、スパイラル配線１１に接する非磁性の絶縁体３１を含み、インダクタ部品１は、スパイラル配線１１から積層体２の表面まで積層体２を積層体２の積層方向に貫通する垂直配線４１～４３を備えている。このように、スパイラル配線１１に接する絶縁体３１を備えたことにより、スパイラル配線１１間や、スパイラル配線１１と同スパイラル配線１１の周囲の導電性の部位との間の絶縁性を高めることができる。また、垂直配線４１～４３を備えたことにより、スパイラル配線１１と外部回路との接続を容易に行うことができる。

（１－１３）金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の少なくとも１つは、垂直配線４１～４３の何れかにも接触している。そのため、垂直配線４１～４３の何れかと金属磁性粉７３との両方に接触する空隙部７１によって、垂直配線４１～４３の何れかと金属磁性粉７３との間の絶縁性を高めることができる。その結果、垂直配線４１～４３の何れかと、当該垂直配線の周囲の導電性の部位との間の絶縁性を高めることができる。

（１－１４）インダクタ部品１は、積層体２の主面に形成された外部端子５１～５３を更に備え、外部端子５１～５３は、積層体２の主面から露出する垂直配線４１～４３の露出面４１ｃ～４３ｃ上に配置されている。そのため、スパイラル配線１１と外部回路との接続をより容易に行うことができる。

（１－１５）絶縁体３１は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂及び液晶ポリマー系樹脂のうちの少なくとも１つの樹脂を含み、且つ、ベース樹脂７２に含まれる樹脂のうちの少なくとも１つの樹脂を含む。このように、絶縁体３１は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂及び液晶ポリマー系樹脂のうちの少なくとも１つの樹脂を含むため、スパイラル配線１１間や、スパイラル配線１１と同スパイラル配線１１の周囲の導電性の部位との間の絶縁性を高めることができる。また、磁性層２０を構成するベース樹脂７２に含まれる樹脂と、絶縁体３１に含まれる樹脂とは、共通の樹脂を含むため、磁性層２０及び絶縁体３１に含まれる樹脂に起因してインダクタ部品１に発生するひずみを小さく抑えることができる。その結果、インダクタ部品１における応力の発生を抑制できる。

（１－１６）インダクタ部品１は、厚さが０．５ｍｍ以下である。本実施形態の金属磁性粉７３は、平均粒子径が１μｍ以上、５μｍ以下という小さいものであるため、磁性層２０の厚さを調整することによりインダクタ部品１の厚さを調整する際に、ベース樹脂７２からの金属磁性粉７３の脱粒の影響を受けにくい。即ち、金属磁性粉７３の脱粒の有無にかかわらず、磁性層２０の厚さを調整することができる。従って、厚さが０．５ｍｍ以下のより薄型化されたインダクタ部品１を得ることができる。

＜第２実施形態＞
以下、インダクタ部品の第２実施形態を説明する。
なお、本実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材又は上記実施形態と対応する構成部材については、同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略することがある。

図２３に示す本実施形態のインダクタ部品１Ａは、上記第１実施形態のインダクタ部品１とは積層体の構成が相違する。インダクタ部品１Ａは、第１実施形態のインダクタ部品１に備えられた積層体２に代えて積層体２Ａを有する。積層体２Ａは、第１実施形態の磁性層２０に代えて磁性層２０Ａを有するとともに、第１実施形態の絶縁体３１に代えて絶縁体３１Ａを有する。磁性層２０Ａは、第１磁性層２１と、第２磁性層２２Ａと、内磁路部２３と、外磁路部２４とから構成されている。第２磁性層２２Ａは、第１実施形態の第２磁性層２２に代えて磁性層２０Ａに備えられるものである。

絶縁体３１Ａは、非磁性の電気絶縁性を有する部材である。絶縁体３１Ａは、第１磁性層２１と第２磁性層２２Ａとの間で、第１磁性層２１とスパイラル配線１１との間に配置されている。そして、絶縁体３１Ａは、下側（順Ｚ方向）からスパイラル配線１１に接しているとともに、絶縁体３１Ａの下面は、第１磁性層２１によって覆われている。また、絶縁体３１Ａの略中央部には、内磁路部２３の一部（下端部）が配置される内磁路孔２０１が形成されている。第３垂直配線４３の第３ビア導体４３ａは、スパイラル配線１１の外周端１１ｂの下面から下側に延在されて絶縁体３１ＡをＺ方向に貫通している。なお、本実施形態では、絶縁体３１Ａの材料は、上記第１実施形態の絶縁体３１の材料と同様である。

第２磁性層２２Ａは、スパイラル配線１１の上面を覆うとともに、スパイラル配線１１の配線間にも配置されている。そして、第２磁性層２２Ａは、上側（逆Ｚ方向）及び横側からスパイラル配線１１に接するとともに同スパイラル配線１１の表面を覆っている。即ち、スパイラル配線１１は、第２磁性層２２Ａ内に露出している。

また、本実施形態の第１垂直配線４１は、第１ビア導体４１ａを備えず第１柱状配線４１ｂのみで構成されている。第１柱状配線４１ｂは、スパイラル配線１１の内周端１１ａの上面から積層体２Ａの上面まで積層体２Ａを積層体２Ａの積層方向（図２３においてＺ方向に同じ）に貫通している。即ち、第１垂直配線４１は、第２磁性層２２Ａを積層体２Ａの積層方向に貫通している。同様に、本実施形態の第２垂直配線４２は、第２ビア導体４２ａを備えず第２柱状配線４２ｂのみで構成されている。第２柱状配線４２ｂは、スパイラル配線１１の外周端１１ｂの上面から積層体２Ａの上面まで積層体２Ａを積層体２Ａの積層方向に貫通している。即ち、第２垂直配線４２は、第２磁性層２２Ａを積層体２Ａの積層方向に貫通している。

図３及び図２３に示すように、第２磁性層２２Ａは、第１実施形態の第２磁性層２２と同様に、空隙部７１を有するベース樹脂７２とベース樹脂７２に含有された金属磁性粉７３及び非磁性粉７４とを有している。そして、本実施形態では、第２磁性層２２Ａの材料は、上記第１実施形態の第２磁性層２２の材料と同様である。

第２磁性層２２Ａには、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３が存在する。空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３は、第２磁性層２２Ａに複数存在することが好ましい。更に、インダクタ部品１Ａは、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３を、積層体２Ａの積層方向に複数備えていることが好ましい。但し、インダクタ部品１Ａは、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３を、必ずしも積層体２Ａの積層方向に複数備えなくてもよい。また、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３は、必ずしも第２磁性層２２Ａに複数存在しなくてもよい。

また、インダクタ部品１Ａにおいては、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の少なくとも１つは、垂直配線４１～４３の何れかにも接触していることが好ましい。但し、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１は、必ずしも垂直配線４１～４３の何れかに接触しなくてもよい。

また、第２磁性層２２Ａにおいて、金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径は、当該接触する金属磁性粉７３の粒子径の３分の１以下の大きさであることが好ましい。第２磁性層２２Ａにおいて金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径、及び当該非磁性粉７４が接触する金属磁性粉７３の粒子径は、上記第１実施形態に記載した方法で得られる。なお、第２磁性層２２Ａにおいて、金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径は、必ずしも当該接触する金属磁性粉７３の粒子径の３分の１以下の大きさでなくてもよい。

また、第２磁性層２２Ａにおいて、金属磁性粉７３に接触する少なくとも１つの空隙部７１の断面形状は、直交する２つの方向の長さが異なることが好ましい。更に、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１であって断面形状において直交する２つの方向の長さが異なる空隙部７１は、同断面形状において、当該空隙部７１の長径が、当該空隙部７１の円相当径よりも長いことがより好ましい。空隙部７１の断面形状における長径等の長さ、同空隙部７１の円相当径は、上記第１実施形態に記載した方法で得られる。なお、第２磁性層２２Ａにおいて、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１は、断面形状において直交する２つの方向の長さが必ずしも異ならなくてもよい。

（作用）
次に、上記第１実施形態と同様の作用に加えて得られる本実施形態の作用について説明する。

第２磁性層２２Ａには、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３が存在する。第２磁性層２２Ａは、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１及び非磁性粉７４によって、応力が緩和されるとともに絶縁性が向上される。そして、第２磁性層２２Ａを絶縁体として使用することが可能となるため、スパイラル配線１１と第２磁性層２２Ａとの間の絶縁体を省略することができる。

（製造方法）
次に、インダクタ部品１Ａの製造方法について説明する。
まず、第１実施形態のインダクタ部品１の製造方法の図７～図１１に示す工程を行う。

その後、図２４に示すように、ドライフィルムレジストを使用したＳＡＰなどにより、スパイラル配線１１３ｂ上に柱状配線１１６ｂを形成する。
次に、図２５に示すように、ダミー銅１１３ａ、スパイラル配線１１３ｂ及び柱状配線１１６ｂを磁性層２１１で覆う。磁性層２１１は、空隙部７１を有するベース樹脂７２、金属磁性粉７３及び非磁性粉７４を含む磁性材料１１８からなるものである。磁性材料１１８（磁性層２１１）は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着された後に熱硬化される。この時、磁性材料１１８は、スパイラル配線１１３ｂの間の隙間に圧入により充填される。また、上記第１実施形態と同様に、磁性材料１１８にて磁性層２１１を形成する際に、ベース樹脂７２内に空隙部７１を形成する。

次に、図２６に示すように、レーザ加工などにより磁性層２１１に開口部２１１ａを形成する。
その後、図２７に示すように、ダミーコア基板１００をダミー金属層１１１から剥がす。

そして、図２８に示すように、ダミー金属層１１１をエッチングなどにより取り除く。また、ダミー銅１１３ａをエッチングなどにより取り除く。これにより、内磁路部２３に対応する孔部１１５ａ及び外磁路部２４に対応する孔部１１５ｂが形成される。

その後、レーザ加工などにより絶縁層１１２に開口部１１２ｂを形成する。
そして、図２９に示すように、ＳＡＰにより、開口部１１２ｂに銅を充填してビア導体１１６ａを形成した後に、絶縁層１１２の下面上に柱状配線１１６ｂを形成する。

次に、図３０に示すように、絶縁層１１２及び絶縁層１１２の下面上に形成された柱状配線１１６ｂを磁性層１１７で覆うことにより、インダクタ基板１３０Ａを形成する。磁性層１１７は、磁性層２１１と同様に、空隙部７１を有するベース樹脂７２、金属磁性粉７３及び非磁性粉７４を含む磁性材料１１８からなるものである。磁性材料１１８（磁性層１１７）は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着された後に熱硬化される。この時、磁性材料１１８は、孔部１１５ａ，１１５ｂにも充填される。また、上記第１実施形態と同様に、磁性材料１１８にて磁性層１１７を形成する際に、ベース樹脂７２内に空隙部７１を形成する。

次に、図３１に示すように、インダクタ基板１３０Ａの上下の磁性材料１１８を研削工法により薄層化する。この時、磁性材料１１８を研削することにより柱状配線１１６ｂの一部を露出させることで、磁性材料１１８の同一平面上に柱状配線１１６ｂの露出部が形成される。なお、インダクタンス値が得られるのに十分な厚さになるまで磁性材料１１８を研削することで、インダクタ部品１Ａの薄型化を図ることができる。

次に、図３２に示すように、印刷工法により磁性層１１７，２１１の表面に非磁性の絶縁性材料からなる被覆膜１１９を形成する。形成された被覆膜１１９は、開口部１１９ａを有する。この開口部１１９ａは、外部端子１２１が形成される部分である。本実施形態では、印刷工法を用いて開口部１１９ａを有する被覆膜１１９を形成したが、フォトリソグラフィ法によって開口部１１９ａを形成してもよい。

次に、図３３に示すように、外部端子１２１を形成する。外部端子１２１は、無電解めっきや、電解めっきなどにより、銅やニッケル、金、錫などの金属膜として形成される。
その後、図３４に示すように、破断線Ｌにてダイシングにより個片化することで、図２３に示すインダクタ部品１Ａを得る。なお、図３４に示すスパイラル配線１１３ｂは、図２３に示すスパイラル配線１１に該当する。また、図３４に示す絶縁層１１２は、図２３に示す絶縁体３１Ａに該当する。また、図３４に示す磁性層２１１，１１７は、図２３に示す磁性層２０Ａに該当する。また、図３４に示す１つのビア導体１１６ａは、図２３に示すビア導体４３ａに該当するとともに、図３４に示す３つの柱状配線１１６ｂは、図２３に示す柱状配線４１ｂ～４３ｂに該当する。更に、図３４に示す３つの外部端子１２１は、図２３に示す外部端子５１～５３に該当する。

本実施形態によれば、上述した第１実施形態と同様の効果に加えて、以下の効果を奏する。
（２－１）金属磁性粉７３に接触する空隙部７１及び非磁性粉７４によって、第２磁性層２２Ａの絶縁性を高めることができる。従って、第２磁性層２２Ａを絶縁体として使用することが可能となるため、スパイラル配線１１と第２磁性層２２Ａとの間の絶縁体を省略することができる。そして、チップサイズが変わらない場合には、絶縁体を省略した分だけ第２磁性層２２Ａのボリュームを多くできるため、インダクタンスを高めることができる。一方、磁性層２０の量を維持したまま、絶縁体を省略した分だけインダクタ部品１Ａを小型化したり薄型化したりすることも可能である。

（２－２）金属磁性粉７３の平均粒子径は、１μｍ以上、５μｍ以下である。また、非磁性粉７４の平均粒子径は、金属磁性粉７３の平均粒子径よりも小さい。従って、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間に非磁性粉７４が配置されやすくなるため、金属磁性粉７３の充填量が多くなっても、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間を非磁性粉７４によって絶縁しやすい。よって、金属磁性粉７３の充填量が多くなっても、第２磁性層２２Ａによってスパイラル配線１１の配線間の絶縁性を確保しやすい。

（２－３）金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径は、当該接触する金属磁性粉７３の粒子径の３分の１以下の大きさである。従って、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間に非磁性粉７４がより配置されやすくなるため、金属磁性粉７３の充填量が多くなっても、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間を非磁性粉７４によってより絶縁しやすくなる。その結果、金属磁性粉７３の充填量が多くなっても、第２磁性層２２Ａによってスパイラル配線１１の配線間の絶縁性をより確保しやすい。

（２－４）インダクタ部品１Ａには、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３が、積層体２Ａの積層方向に複数備えられている。更に、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３は、第２磁性層２２Ａに複数存在する。そのため、複数の金属磁性粉７３に接触する空隙部７１及び非磁性粉７４によって、第２磁性層２２Ａの絶縁性がより高められる。従って、スパイラル配線１１の配線間の絶縁性を第２磁性層２２Ａによって高めることができる。

（２－５）ベース樹脂７２は、エポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂の少なくとも一方の樹脂を含む。そのため、第２磁性層２２Ａの絶縁性を高めることができる。従って、スパイラル配線１１の配線間を第２磁性層２２Ａによってより絶縁しやすくなる。

（２－６）第２磁性層２２Ａにおいて、金属磁性粉７３に接触する少なくとも１つの空隙部７１の断面形状は、直交する２つの方向の長さが異なる。同構成によれば、空隙部７１は、非球形にもなり得るため、金属磁性粉７３の表面に沿って配置することが可能である。そして、断面形状において直交する２つの方向の長さが異なる空隙部７１を金属磁性粉７３の表面に沿って配置すると、同金属磁性粉７３の表面のより広い範囲に空隙部７１を接触させることができる。その結果、当該空隙部７１を介して同金属磁性粉７３と隣り合う金属磁性粉７３との間の絶縁性を向上させることができる。よって、当該空隙部７１を含む第２磁性層２２Ａの絶縁性を更に高めることができるため、スパイラル配線１１の配線間を第２磁性層２２Ａによって更に絶縁しやすくなる。

更に、断面において直交する２つの方向の長さが異なる形状である当該空隙部７１の同断面における長径が、同断面における当該空隙部７１の円相当径よりも長い場合には、接触する金属磁性粉７３の表面の更に広い範囲に当該空隙部７１を接触させやすくなる。その結果、第２磁性層２２Ａにおいて、当該空隙部７１を介して同金属磁性粉７３と隣り合う金属磁性粉７３との間の絶縁性を更に向上させることができる。よって、当該空隙部７１を含む第２磁性層２２Ａの絶縁性を一層高めることができるため、スパイラル配線１１の配線間を第２磁性層２２Ａによって一層絶縁しやすくなる。

（２－７）インダクタ部品１Ａは、厚さが０．５ｍｍ以下である。第２磁性層２２Ａを絶縁体として使用することができるため、スパイラル配線１１と第２磁性層２２Ａとの間の絶縁体を省略することにより、インダクタ部品１Ａの薄型化に貢献できる。従って、厚さが０．５ｍｍ以下のより薄型化されたインダクタ部品を得やすくなる。

＜第３実施形態＞
以下、インダクタ部品の第３実施形態を説明する。
なお、本実施形態において、上記実施形態と同じ構成部材又は上記実施形態と対応する構成部材については、同じ符号を付してその説明の一部又は全てを省略することがある。

図３５に示す本実施形態のインダクタ部品１Ｂは、上記第１実施形態のインダクタ部品１及び上記第２実施形態のインダクタ部品１Ａと比較して、絶縁体を備えない構成である。インダクタ部品１Ｂは、第１実施形態のインダクタ部品１に備えられた積層体２に代えて積層体２Ｂを有する。積層体２Ｂは、絶縁体を備えないとともに、第１実施形態の磁性層２０に代えて磁性層２０Ｂを含む。磁性層２０Ｂは、第１磁性層２１Ｂと、第２磁性層２２Ａと、内磁路部２３と、外磁路部２４とから構成されている。第１磁性層２１Ｂは、第１実施形態の第１磁性層２１に代えて磁性層２０Ｂに備えられるものである。

第１磁性層２１Ｂは、スパイラル配線１１の下側（順Ｚ方向）から同スパイラル配線１１の下面に接するとともに、スパイラル配線１１の下面を覆っている。即ち、本実施形態のインダクタ部品１Ｂでは、第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａは、スパイラル配線１１に直接接触して同スパイラル配線１１の表面を覆っている。

また、本実施形態の第１垂直配線４１は、第２実施形態の第１垂直配線４１と同様に第１柱状配線４１ｂのみで構成されている。第１柱状配線４１ｂは、スパイラル配線１１の内周端１１ａの上面から積層体２Ｂの上面まで積層体２Ｂを積層体２Ｂの積層方向（Ｚ方向に同じ）に貫通している。また、本実施形態の第２垂直配線４２は、第２実施形態の第２垂直配線４２と同様に第２柱状配線４２ｂのみで構成されている。第２柱状配線４２ｂは、スパイラル配線１１の外周端１１ｂの上面から積層体２Ｂの上面まで積層体２Ｂを積層体２Ｂの積層方向に貫通している。また、本実施形態の第３垂直配線４３は、第３ビア導体４３ａを備えず第３柱状配線４３ｂのみで構成されている。第３柱状配線４３ｂは、スパイラル配線１１の外周端１１ｂの下面から積層体２Ｂの下面まで積層体２Ｂを積層体２Ｂの積層方向に貫通している。即ち、第３垂直配線４３は、第１磁性層２１Ｂを積層体２Ｂの積層方向に貫通している。

図３及び図３５に示すように、第１磁性層２１Ｂは、第１実施形態の第１磁性層２１と同様の空隙部７１を有するベース樹脂７２と、ベース樹脂７２に含有された金属磁性粉７３及び非磁性粉７４とを有している。そして、本実施形態では、第１磁性層２１Ｂの材料は、上記第１実施形態の第１磁性層２１の材料と同様である。

第１磁性層２１Ｂには、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３が存在する。空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３は、第１磁性層２１Ｂに複数存在することが好ましい。更に、インダクタ部品１Ｂは、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３を、積層体２Ｂの積層方向に複数備えていることが好ましい。但し、インダクタ部品１Ｂは、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３を、必ずしも積層体２Ｂの積層方向に複数備えなくてもよい。また、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３は、必ずしも第１磁性層２１Ｂに複数存在しなくてもよい。

また、インダクタ部品１Ｂにおいては、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１の少なくとも１つは、垂直配線４１～４３の何れかにも接触していることが好ましい。但し、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１は、必ずしも垂直配線４１～４３の何れかに接触しなくてもよい。

また、第１磁性層２１Ｂにおいて、金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径は、当該接触する金属磁性粉７３の粒子径の３分の１以下の大きさであることが好ましい。第１磁性層２１Ｂにおいて金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径、及び当該非磁性粉７４が接触する金属磁性粉７３の粒子径は、上記第１実施形態に記載した方法で得られる。なお、第１磁性層２１Ｂにおいて、金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径は、必ずしも当該接触する金属磁性粉７３の粒子径の３分の１以下の大きさでなくてもよい。

また、第１磁性層２１Ｂにおいて、金属磁性粉７３に接触する少なくとも１つの空隙部７１の断面形状は、直交する２つの方向の長さが異なることが好ましい。更に、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１であって断面形状において直交する２つの方向の長さが異なる空隙部７１は、同断面形状において、当該空隙部７１の長径が、当該空隙部７１の円相当径よりも長いことがより好ましい。空隙部７１の断面形状における長径等の長さ、同空隙部７１の円相当径は、上記第１実施形態に記載した方法で得られる。なお、第１磁性層２１Ｂにおいて、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１は、断面形状において直交する２つの方向の長さが必ずしも異ならなくてもよい。

なお、本実施形態では、スパイラル配線１１の配線間には第２磁性層２２Ａが配置されている。そして、同第２磁性層２２Ａは、上側（逆Ｚ方向）及び横側からスパイラル配線１１に接するとともに同スパイラル配線１１の表面を覆っている。しかしながら、スパイラル配線１１の配線間には、第１磁性層２１Ｂが配置されてもよい。この場合、第１磁性層２１Ｂは、下側（順Ｚ方向）及び横側からスパイラル配線１１に接するとともに同スパイラル配線１１の表面を覆う。

（作用）
次に、上記第１実施形態及び上記第２実施形態と同様の作用に加えて得られる本実施形態の作用について説明する。

第１磁性層２１Ｂには、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３が存在する。第１磁性層２１Ｂは、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１及び非磁性粉７４によって、応力が緩和されるとともに絶縁性が向上される。そして、第１磁性層２１Ｂを絶縁体として使用することが可能となるため、スパイラル配線１１と第１磁性層２１Ｂとの間の絶縁体を省略することができる。因みに、絶縁体はインダクタ部品の小型化を阻害する一因であるため、絶縁体を省略することが望まれている。本実施形態のように、第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａによってスパイラル配線１１の配線間を絶縁できる構成とすることにより、絶縁体を備えなくともスパイラル配線１１の配線間の絶縁性を確保可能なインダクタ部品１Ｂを提供できる。

（製造方法）
次に、インダクタ部品１Ｂの製造方法について説明する。
まず、第１実施形態のインダクタ部品１の製造方法の図７～図１１に示す工程を行う。次いで、第２実施形態のインダクタ部品１Ａの製造方法の図２４～図２７に示す工程を行う。

その後、図３６に示すように、ダミー金属層１１１及び絶縁層１１２を研磨により除去する。
次に、図３７に示すように、ダミー銅１１３ａをエッチングなどにより取り除く。これにより、内磁路部２３に対応する孔部１１５ａ及び外磁路部２４に対応する孔部１１５ｂが形成される。

その後、図３８に示すように、ドライフィルムレジストを使用したＳＡＰなどにより、スパイラル配線１１３ｂの下面上に柱状配線１１６ｂを形成する。
その後、図３９に示すように、スパイラル配線１１３ｂ、磁性層２１１、及びスパイラル配線１１３ｂの下面上に形成された柱状配線１１６ｂを磁性層１１７で覆うことにより、インダクタ基板１３０Ｂを形成する。磁性層１１７は、磁性層２１１と同様の磁性材料１１８からなるものである。磁性材料１１８（磁性層１１７）は、真空ラミネータやプレス機などにより、熱圧着された後に熱硬化される。この時、磁性材料１１８は、孔部１１５ａ，１１５ｂにも充填される。また、上記各実施形態と同様に、磁性材料１１８にて磁性層１１７を形成する際に、ベース樹脂７２内に空隙部７１を形成する。

次に、図４０に示すように、インダクタ基板１３０Ｂの上下の磁性材料１１８を研削工法により薄層化する。この時、磁性材料１１８を研削することにより柱状配線１１６ｂの一部を露出させることで、磁性材料１１８の同一平面上に柱状配線１１６ｂの露出部が形成される。なお、インダクタンス値が得られるのに十分な厚さになるまで磁性材料１１８を研削することで、インダクタ部品１Ｂの薄型化を図ることができる。

次に、図４１に示すように、印刷工法により磁性層１１７，２１１の表面に非磁性の絶縁性材料からなる被覆膜１１９を形成する。形成された被覆膜１１９は、開口部１１９ａを有する。この開口部１１９ａは、外部端子１２１が形成される部分である。本実施形態では、印刷工法を用いて開口部１１９ａを有する被覆膜１１９を形成したが、フォトリソグラフィ法によって開口部１１９ａを形成してもよい。

次に、図４２に示すように、外部端子１２１を形成する。外部端子１２１は、無電解めっきや、電解めっきなどにより、銅やニッケル、金、錫などの金属膜として形成される。
その後、図４３に示すように、破断線Ｌにてダイシングにより個片化することで、図３５に示すインダクタ部品１Ｂを得る。なお、図４３に示すスパイラル配線１１３ｂは、図３５に示すスパイラル配線１１に該当する。また、図４３に示す磁性層１１７，２１１は、図３５に示す磁性層２０Ｂに該当する。また、図４３に示す３つの柱状配線１１６ｂは、図３５に示す柱状配線４１ｂ～４３ｂ、即ち垂直配線４１～４２に該当する。更に、図４３に示す３つの外部端子１２１は、図３５に示す外部端子５１～５３に該当する。

本実施形態によれば、上述した第１実施形態の（１－１）～（１－１１），（１－１３），（１－１４），（１－１６）と同様の効果に加えて、以下の効果を奏する。
（３－１）金属磁性粉７３に接触する空隙部７１及び非磁性粉７４によって、第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａの絶縁性を高めることができる。従って、第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａを絶縁体として使用することが可能となるため、スパイラル配線１１と第２磁性層２２Ａとの間の絶縁体、及びスパイラル配線１１と第１磁性層２１Ｂとの間の絶縁体を省略することができる。そして、チップサイズが変わらない場合には、絶縁体を省略した分だけ第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａのボリュームをより多くできるため、インダクタンスを高めることができる。一方、第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａの量を維持したまま、絶縁体を省略した分だけインダクタ部品１Ｂを小型化したり薄型化したりすることも可能である。

（３－２）金属磁性粉７３の平均粒子径は、１μｍ以上、５μｍ以下である。また、非磁性粉７４の平均粒子径は、金属磁性粉７３の平均粒子径よりも小さい。従って、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間に非磁性粉７４が配置されやすくなるため、金属磁性粉７３の充填量が多くなっても、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間を非磁性粉７４によって絶縁しやすい。よって、金属磁性粉７３の充填量が多くなっても、第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａによってスパイラル配線１１の配線間の絶縁性を確保しやすい。

（３－３）金属磁性粉７３に接触する非磁性粉７４の粒子径は、当該接触する金属磁性粉７３の粒子径の３分の１以下の大きさである。従って、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間に非磁性粉７４がより配置されやすくなるため、金属磁性粉７３の充填量が多くなっても、金属磁性粉７３と金属磁性粉７３との間を非磁性粉７４によってより絶縁しやすくなる。その結果、金属磁性粉７３の充填量が多くなっても、第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａによってスパイラル配線１１の配線間の絶縁性をより確保しやすい。

（３－４）インダクタ部品１Ｂには、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３が、積層体２Ｂの積層方向に複数備えられている。更に、空隙部７１及び非磁性粉７４の両方と接触する金属磁性粉７３は、第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａの各々に複数存在する。そのため、複数の金属磁性粉７３に接触する空隙部７１及び非磁性粉７４によって、第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａの絶縁性がより高められる。従って、スパイラル配線１１の配線間の絶縁性を第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａによって高めることができる。

（３－５）ベース樹脂７２は、エポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂の少なくとも一方の樹脂を含む。そのため、第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａの絶縁性を高めることができる。従って、スパイラル配線１１の配線間を第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａによってより絶縁しやすくなる。

（３－６）第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａの各々において、金属磁性粉７３に接触する少なくとも１つの空隙部７１の断面形状は、直交する２つの方向の長さが異なる。同構成によれば、空隙部７１は、非球形にもなり得るため、金属磁性粉７３の表面に沿って配置することが可能である。そして、断面形状において直交する２つの方向の長さが異なる空隙部７１を金属磁性粉７３の表面に沿って配置すると、同金属磁性粉７３の表面のより広い範囲に空隙部７１を接触させることができる。その結果、当該空隙部７１を介して同金属磁性粉７３と隣り合う金属磁性粉７３との間の絶縁性を向上させることができる。よって、当該空隙部７１を含む第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａの絶縁性を更に高めることができるため、スパイラル配線１１の配線間を第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａによって更に絶縁しやすくなる。

更に、断面において直交する２つの方向の長さが異なる形状である当該空隙部７１の同断面における長径が、同断面における当該空隙部７１の円相当径よりも長い場合には、接触する金属磁性粉７３の表面の更に広い範囲に当該空隙部７１を接触させやすくなる。その結果、当該空隙部７１を有する第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａにおいて、当該空隙部７１を介して同金属磁性粉７３と隣り合う金属磁性粉７３との間の絶縁性を更に向上させることができる。よって、当該空隙部７１を含む第２磁性層２２Ａの絶縁性を一層高めることができるため、スパイラル配線１１の配線間を第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａによって一層絶縁しやすくなる。

（３－７）インダクタ部品１Ｂは、厚さが０．５ｍｍ以下である。第１磁性層２１Ｂ及び第２磁性層２２Ａを絶縁体として使用することができるため、スパイラル配線１１と第１磁性層２１Ｂとの間の絶縁体３１Ａ、及びスパイラル配線１１と第２磁性層２２Ａとの間の絶縁体を省略することにより、インダクタ部品１Ｂの薄型化により貢献できる。従って、厚さが０．５ｍｍ以下のより薄型化されたインダクタ部品をより得やすくなる。

＜変更例＞
本実施形態は、以下のように変更して実施することができる。本実施形態及び以下の変更例は、技術的に矛盾しない範囲で互いに組み合わせて実施することができる。

・上記各実施形態では、インダクタ部品１，１Ａ，１Ｂは、何れもスパイラル配線１１を１つのみ備えた構成である。しかしながら、インダクタ部品１，１Ａ，１Ｂは、複数のスパイラル配線１１を備えてもよい。

具体的には、インダクタ部品は、同一平面上に複数のスパイラル配線を有するものであってもよい。この場合、インダクタ部品は、複数のスパイラル配線がインダクタ部品内で互いに電気的に接続されずそれぞれ異なる外部端子に接続されるインダクタアレイとしてもよい。また、インダクタ部品は、複数のスパイラル配線がインダクタ部品内で互いに電気的に接続されたものであってもよい。

例えば、第１実施形態のインダクタ部品１において、同一平面上に複数のスパイラル配線１１を設けてもよい。このようにすると、同一平面上に並ぶ複数のスパイラル配線１１を有するインダクタ部品１において、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。

また、同一平面上に並ぶ複数のスパイラル配線１１を有するインダクタ部品１において、磁性層２０は、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１及び非磁性粉７４によって絶縁性が高められる。従って、スパイラル配線１１とスパイラル配線１１との間の絶縁、及び各スパイラル配線１１の配線間の絶縁を、磁性層２０によってすることが可能である。そのため、当該インダクタ部品１において絶縁体３１の一部又は全部を省略することが可能である。当該インダクタ部品１において絶縁体３１の一部又は全部を省略すると、チップサイズが変わらない場合には、絶縁体３１を省略した分だけ、第１磁性層２１及び第２磁性層２２の両方もしくは第１磁性層２１及び第２磁性層２２の何れか一方のボリュームをより多くできるため、インダクタンスを高めることができる。一方、第１磁性層２１及び第２磁性層２２の量を維持したまま、絶縁体を省略した分だけインダクタ部品１を小型化したり薄型化したりすることも可能である。

なお、上記第２実施形態のインダクタ部品１Ａ及び上記第３実施形態のインダクタ部品１Ｂにおいて、同一平面上に複数のスパイラル配線１１を設けてもよい。
また、インダクタ部品に備えられるスパイラル配線は、積層された複数のスパイラル配線層を有するものであってもよい。なお、スパイラル配線層は、インダクタ配線層の一例である。

例えば、図４４及び図４５に示すインダクタ部品１Ｃは、積層体２内に配置されたスパイラル配線１１Ｃを備えている。なお、図４４及び図４５では、上記第１実施形態と同じ構成部材又は上記実施形態と対応する構成部材に同じ符号を付している。本例では、スパイラル配線１１Ｃは、積層体２に含まれる磁性層２０内に配置されている。また、スパイラル配線１１Ｃと磁性層２０との間には、絶縁体３１が配置されている。スパイラル配線１１Ｃは、積層された２つのスパイラル配線層１２，１３を有する。

第１スパイラル配線層１２と第２スパイラル配線層１３とは、第２スパイラル配線層１３の上に第１スパイラル配線層１２が重なるようにして積層体２の積層方向（図４５においてＺ方向に同じ）に積層されている。第１スパイラル配線層１２は、上側から見て、外周端１２ｂから内周端１２ａに向かって時計方向に渦巻き状に巻回された配線からなる。第２スパイラル配線層１３は、上側から見て、内周端１３ａから外周端１３ｂに向かって時計方向に渦巻き状に巻回された配線からなる。第１スパイラル配線層１２及び第２スパイラル配線層１３は、何れも平面状に巻回されている。

第１スパイラル配線層１２の外周端１２ｂは、外周端１２ｂの上側の第１垂直配線４１を介して、第１外部端子５１に接続されている。第１スパイラル配線層１２の内周端１２ａは、内周端１２ａの下側の接続ビア導体４４を介して、第２スパイラル配線層１３の内周端１３ａに接続されている。即ち、第１スパイラル配線層１２と第２スパイラル配線層１３とは、接続ビア導体４４を介して直列に接続されている。

また、第２スパイラル配線層１３の外周端１３ｂは、外周端１３ｂの上側の第２垂直配線４２を介して、第２外部端子５２に接続されている。第２スパイラル配線層１３の外周端１３ｂは、外周端１２ｂの下側の第３垂直配線４３（図示略）を介して、第３外部端子５３に接続されている。

インダクタ部品１Ｃでは、接続ビア導体４４により、第１スパイラル配線層１２と第２スパイラル配線層１３とが直列に接続されているので、スパイラル配線１１Ｃのターン数が増加される。従って、インダクタンスを向上できる。また、第１スパイラル配線層１２と第２スパイラル配線層１３とはＺ方向に積層されているため、Ｚ方向から見たインダクタ部品１Ｃの面積を増大させることなくスパイラル配線のターン数を増やすことができる。

そして、積層された複数のスパイラル配線層１２，１３を有するスパイラル配線１１Ｃを備えたインダクタ部品１Ｃにおいて、第１実施形態と同様の効果を得ることができる。
また、インダクタ部品１Ｃにおいて、磁性層２０は、金属磁性粉７３に接触する空隙部７１及び非磁性粉７４によって絶縁性が高められる。従って、第１スパイラル配線層１２と第２スパイラル配線層１３との間の絶縁、第１スパイラル配線層１２の配線間の絶縁、及び第２スパイラル配線層１３の配線間の絶縁を、磁性層２０によってすることが可能である。そのため、インダクタ部品１Ｃにおいて絶縁体３１の一部又は全部を省略することが可能である。インダクタ部品１Ｃにおいて絶縁体３１の一部又は全部を省略すると、チップサイズが変わらない場合には、絶縁体３１を省略した分だけ、磁性層２０のボリュームをより多くできるため、インダクタンスを高めることができる。一方、磁性層２０の量を維持したまま、絶縁体を省略した分だけインダクタ部品１Ｃを小型化したり薄型化したりすることも可能である。

なお、積層された複数のスパイラル配線層を有するスパイラル配線を備えたインダクタ部品において、更に、同一平面上に複数のスパイラル配線層が設けられる構成としてもよい。また、インダクタ配線層は、スパイラル配線層に限らず、ミアンダ形状をなす配線層等、公知の様々な形状をなす配線層であってもよい。

・上記第１実施形態において、磁性層２０は、フェライト粉を更に含むものであってもよい。このようにすると、磁性層２０がフェライト粉を更に含むことにより、インダクタンスを高くできる。また、フェライト粉は、鉄を含有する金属磁性粉７３と比較して絶縁性が高いため、磁性層２０の絶縁性を高めることができる。なお、上記第２実施形態のインダクタ部品１Ａの磁性層２０Ａ、並びに、上記第３実施形態のインダクタ部品１Ｂの磁性層２０Ｂについても同様に、フェライト粉を更に含むものであってもよい。

・上記第１実施形態のインダクタ部品１は、必ずしも外部端子５１～５３を備えなくてもよい。外部端子５１～５３を備えていないインダクタ部品１は、例えば、多層基板に設けられた孔に埋め込まれて実装される埋込型の部品として使用される。この場合、インダクタ部品１は、多層基板に埋め込まれた後に当該多層基板の配線パターンと電気的に接続される。具体的には、多層基板において、インダクタ部品１を覆う絶縁層に対して、インダクタ部品１の露出面４１ｃ～４３ｃと重なる位置に、レーザ加工やエッチングなどにより貫通孔が形成される。その貫通孔に導電性材料が充填されることにより、垂直配線４１～４３と多層基板の配線パターンとがビア接続される。

・上記各実施形態では、インダクタ配線として平面螺旋形状をなすスパイラル配線１１を例に挙げてインダクタ部品の説明をした。しかしながら、インダクタ配線は、スパイラル配線に限らない。例えば、インダクタ配線は、立体螺旋（ヘリカル）形状をなす配線であってもよい。立体螺旋形状とは、１ターン未満の配線が接続されることにより弦巻状のコイルとなる形状である。また例えば、インダクタ配線は、積層方向に延びる２つの垂直配線と、一方の垂直配線から他方の垂直配線まで積層方向と直交する方向に延びる水平配線とを有する略Ｃ字形状の配線であってもよい。その他に、インダクタ配線は、ミアンダ形状をなす配線等、公知の様々な形状をなす配線であってもよい。

１，１Ａ，１Ｂ，１Ｃ…インダクタ部品、２，２Ａ，２Ｂ…積層体、１１，１１Ｃ…インダクタ配線としてのスパイラル配線、１２，１３…インダクタ配線層としてのスパイラル配線層、３１，３１Ａ…絶縁体、２０，２０Ａ，２０Ｂ…磁性層、４１，４２，４３…垂直配線、４１ｃ，４２ｃ，４３ｃ…露出面、５１，５２，５３…外部端子、７１，７１ａ…空隙部、７２…ベース樹脂、７３…金属磁性粉、７４…非磁性粉、Ｓ１…平面。

Claims (18)

1. 磁性層を含む積層体と、
   前記積層体内に配置されたインダクタ配線と、
   を備え、
   前記磁性層は、空隙部を有するベース樹脂と、前記ベース樹脂に含有された金属磁性粉及び非磁性粉とを有し、
   前記金属磁性粉には、前記空隙部及び前記非磁性粉の両方と接触するものが存在し、
   前記金属磁性粉に接触する前記非磁性粉の粒子径は、当該接触する前記金属磁性粉の粒子径の３分の１以下の大きさであるインダクタ部品。
2. 前記非磁性粉はシリカである請求項１に記載のインダクタ部品。
3. 前記金属磁性粉及び前記非磁性粉は、何れも球形状である請求項１又は請求項２に記載のインダクタ部品。
4. 前記金属磁性粉は鉄を含有する請求項１から請求項３の何れか１項に記載のインダクタ部品。
5. 前記金属磁性粉は、１ｗｔ％以上、５ｗｔ％以下のクロムを含有している請求項４に記載のインダクタ部品。
6. 前記金属磁性粉の平均粒子径は、１μｍ以上、５μｍ以下であり、
   前記非磁性粉の平均粒子径は、前記金属磁性粉の平均粒子径よりも小さい請求項１から請求項５の何れか１項に記載のインダクタ部品。
7. 前記空隙部及び前記非磁性粉の両方と接触する前記金属磁性粉が、前記積層体の積層方向に複数備えられている請求項１から請求項６の何れか１項に記載のインダクタ部品。
8. 前記磁性層は、フェライト粉を更に含む請求項１から請求項７の何れか１項に記載のインダクタ部品。
9. 前記ベース樹脂は、エポキシ系樹脂及びアクリル系樹脂の少なくとも一方の樹脂を含む請求項１から請求項８の何れか１項に記載のインダクタ部品。
10. 前記金属磁性粉に接触する少なくとも１つの前記空隙部の断面形状は、直交する２つの方向の長さが異なる請求項１から請求項９の何れか１項に記載のインダクタ部品。
11. 前記金属磁性粉に接触する前記空隙部の径は、当該接触する前記金属磁性粉の粒子径よりも小さい請求項１から請求項１０の何れか１項に記載のインダクタ部品。
12. 前記積層体は、前記インダクタ配線に接する非磁性の絶縁体を含み、
    前記インダクタ配線から前記積層体の表面まで前記積層体を前記積層体の積層方向に貫通する垂直配線を備えた請求項１から請求項１１の何れか１項に記載のインダクタ部品。
13. 前記金属磁性粉に接触する前記空隙部の少なくとも１つは、前記垂直配線にも接触している請求項１２に記載のインダクタ部品。
14. 前記積層体の主面に形成された外部端子を更に備え、
    前記外部端子は、前記積層体の主面から露出する前記垂直配線の露出面上に配置されている請求項１２又は請求項１３に記載のインダクタ部品。
15. 前記絶縁体は、エポキシ系樹脂、アクリル系樹脂、フェノール系樹脂、ポリイミド系樹脂及び液晶ポリマー系樹脂のうちの少なくとも１つの樹脂を含み、且つ、前記ベース樹脂に含まれる樹脂のうちの少なくとも１つの樹脂を含む請求項１２から請求項１４の何れか１項に記載のインダクタ部品。
16. 厚さが０．５ｍｍ以下である請求項６及び請求項６に従属する請求項７から請求項１５の何れか１項に記載のインダクタ部品。
17. 前記インダクタ配線は、積層された複数のインダクタ配線層を有する請求項１から請求項１６の何れか１項に記載のインダクタ部品。
18. 同一平面上に複数の前記インダクタ配線を有する請求項１から請求項１７の何れか１項に記載のインダクタ部品。

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