KR20190079501A - 적층 코일형 전자 부품 - Google Patents

적층 코일형 전자 부품 Download PDF

Info

Publication number
KR20190079501A
KR20190079501A KR1020180145921A KR20180145921A KR20190079501A KR 20190079501 A KR20190079501 A KR 20190079501A KR 1020180145921 A KR1020180145921 A KR 1020180145921A KR 20180145921 A KR20180145921 A KR 20180145921A KR 20190079501 A KR20190079501 A KR 20190079501A
Authority
KR
South Korea
Prior art keywords
soft magnetic
magnetic metal
resin
metal particles
mass
Prior art date
Application number
KR1020180145921A
Other languages
English (en)
Other versions
KR102179495B1 (ko
Inventor
타카시 스즈키
히데카즈 사토
유스케 나가이
코우이치 카쿠다
쿠니히코 카와사키
신이치 콘도
유야 이시마
신이치 사토
마사키 타카하시
타카시 엔도
Original Assignee
티디케이가부시기가이샤
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 티디케이가부시기가이샤 filed Critical 티디케이가부시기가이샤
Publication of KR20190079501A publication Critical patent/KR20190079501A/ko
Application granted granted Critical
Publication of KR102179495B1 publication Critical patent/KR102179495B1/ko

Links

Images

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/33—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials mixtures of metallic and non-metallic particles; metallic particles having oxide skin
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C38/00—Ferrous alloys, e.g. steel alloys
    • C22C38/02—Ferrous alloys, e.g. steel alloys containing silicon
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/147—Alloys characterised by their composition
    • H01F1/14766—Fe-Si based alloys
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/20—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder
    • H01F1/22—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder pressed, sintered, or bound together
    • H01F1/24—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder pressed, sintered, or bound together the particles being insulated
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F1/00—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties
    • H01F1/01—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials
    • H01F1/03—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity
    • H01F1/12—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials
    • H01F1/14—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys
    • H01F1/20—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder
    • H01F1/22—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder pressed, sintered, or bound together
    • H01F1/24—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder pressed, sintered, or bound together the particles being insulated
    • H01F1/26—Magnets or magnetic bodies characterised by the magnetic materials therefor; Selection of materials for their magnetic properties of inorganic materials characterised by their coercivity of soft-magnetic materials metals or alloys in the form of particles, e.g. powder pressed, sintered, or bound together the particles being insulated by macromolecular organic substances
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/0006—Printed inductances
    • H01F17/0013—Printed inductances with stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/04—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/24—Magnetic cores
    • H01F27/255—Magnetic cores made from particles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C22—METALLURGY; FERROUS OR NON-FERROUS ALLOYS; TREATMENT OF ALLOYS OR NON-FERROUS METALS
    • C22C—ALLOYS
    • C22C2202/00—Physical properties
    • C22C2202/02—Magnetic
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F17/00—Fixed inductances of the signal type 
    • H01F17/04—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core
    • H01F2017/048—Fixed inductances of the signal type  with magnetic core with encapsulating core, e.g. made of resin and magnetic powder
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/2804—Printed windings
    • H01F2027/2809—Printed windings on stacked layers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01F—MAGNETS; INDUCTANCES; TRANSFORMERS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR MAGNETIC PROPERTIES
    • H01F27/00—Details of transformers or inductances, in general
    • H01F27/28—Coils; Windings; Conductive connections
    • H01F27/29—Terminals; Tapping arrangements for signal inductances
    • H01F27/292—Surface mounted devices
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/32—Composite [nonstructural laminate] of inorganic material having metal-compound-containing layer and having defined magnetic layer

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Coils Or Transformers For Communication (AREA)
  • Soft Magnetic Materials (AREA)

Abstract

인덕턴스 L, Q 및 강도를 향상시킨 적층 코일형 전자 부품을 제공한다. 코일 도체와 자성 소체가 적층된 소자를 가지는 적층 코일형 전자 부품이다. 자성 소체는 연자성 금속 입자 및 수지를 포함한다. 수지는 상기 연자성 금속 입자 사이의 틈새 공간에 충전된다. 연자성 금속 입자는 연자성 금속 입자 본체 및 연자성 금속 입자 본체를 피복하는 산화 피막으로 이루어진다. 산화 피막 중 연자성 금속 입자 본체와 접촉하는 층이 Si를 포함하는 산화물로 이루어진다.

Description

적층 코일형 전자 부품{MULTILAYER COIL ELECTRONIC COMPONENT}
본 발명은 적층 코일형 전자 부품에 관한 것이다.
휴대 기기 등의 각종 전자 기기의 전원 회로에 이용되는 전자 부품으로서, 트랜스포머, 초크 코일, 인덕터 등의 코일형 전자 부품이 알려져 있다.
이러한 코일형 전자 부품은 소정의 자기 특성을 발휘하는 자성체의 주위에 전기 전도체인 코일이 배치되어 있는 구성을 가지고 있다. 자성체로서는, 원하는 특성에 따라 여러가지 재료를 이용할 수 있다.
최근, 코일형 전자 부품의 소형화, 저손실화, 고주파수화에 대응하기 위해, 연자성 금속 재료를 자성체로서 이용하는 것이 시도되고 있다.
여기서, 코일형 전자 부품의 자성체로서 연자성 금속 재료를 이용하는 경우, 연자성 금속 재료의 절연성이 문제가 된다. 특히, 적층 코일형 전자 부품의 경우, 자성체와 코일 도체가 직접 접촉하기 때문에, 연자성 금속 재료의 절연성이 낮으면 전압 인가시 단락된다.
또한, 전원용 초크 코일 등의 자심으로서 절연성이 낮은 연자성 금속 재료를 이용하면, 연자성 금속 입자에 와전류가 발생하여, 와전류에 의한 손실이 발생한다.
특허문헌 1에는, 적층 인덕터에 관한 발명이 기재되어 있으며, 자성체에서 Fe-Si-Cr 합금 입자 사이의 공극에 수지를 함침시키는 것을 특징으로 하고 있다. 그러나, 수지를 함침시키기 전의 Fe-Si-Cr 합금 입자 사이에는 Si 산화물이 존재하고 있기 때문에, 수지를 함침시키기 전의 공극이 적다. 따라서, 수지를 더 함침시키려고 해도 수지의 함침량이 적어, 수지를 함침시키는 효과가 작다.
일본 특허 공개 제2012-238840호 공보
본 발명은, 이러한 실상을 감안한 것으로, 인덕턴스 L, Q 및 강도를 향상시킨 적층 코일형 전자 부품을 제공하는 것을 목적으로 한다.
제1 발명에 따른 적층 코일형 전자 부품은 코일 도체와 자성 소체가 적층된 소자를 가지는 적층 코일형 전자 부품으로서,
상기 자성 소체는 연자성 금속 입자 및 수지를 포함하고,
상기 수지는 상기 연자성 금속 입자 사이의 틈새 공간에 충전되고,
상기 연자성 금속 입자는 연자성 금속 입자 본체 및 상기 연자성 금속 입자 본체를 피복하는 산화 피막으로 이루어지고,
상기 산화 피막 중 상기 연자성 금속 입자 본체와 접촉하는 층이 Si를 포함하는 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 한다.
제1 발명에 따른 적층 코일형 전자 부품은 상기의 특징을 가짐으로써, 인덕턴스 L, Q 및 강도가 모두 우수한 코일형 전자 부품이 된다.
제1 발명에 따른 적층 코일형 전자 부품은 상기 산화 피막의 평균 두께가 5nm 이상 60nm 이하일 수 있다.
상기 Si를 포함하는 산화물이 실질적으로 상기 산화 피막에만 포함되어 있을 수 있다.
제2 발명에 따른 적층 코일형 전자 부품은 코일 도체와 자성 소체가 적층된 소자를 가지는 적층 코일형 전자 부품으로서,
상기 자성 소체는 연자성 금속 입자 및 수지를 포함하고,
상기 수지는 상기 연자성 금속 입자 사이의 틈새 공간에 충전되고,
상기 연자성 금속 입자에서의 Fe의 함유량이 92.5질량% 이상 97.0질량% 이하, Si의 함유량이 3.0질량% 이상 7.5질량% 이하이며, Cr를 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 한다.
제2 발명에 따른 적층 코일형 전자 부품은 상기의 특징을 가짐으로써, 인덕턴스 L, Q 및 강도가 모두 우수한 코일형 전자 부품이다.
이하의 기재는 제1 발명 및 제2 발명에 공통되는 내용이다.
상기 적층 코일형 전자 부품의 층간부의 단면을 SEM으로 관찰함으로써 얻어지는 SEM 관찰 화상에서,
상기 틈새 공간의 면적 비율은 상기 SEM 관찰 화상 전체에 대하여 10.0% 이상 35.0% 이하일 수 있다.
상기 적층 코일형 전자 부품의 층간부에서 상기 연자성 금속 입자의 D50-D10이 3.0μm 이하일 수 있으며, D90-D50가 4.5μm 이하일 수 있다. 또한, D50-D10이 2.5μm 이하일 수 있다.
상기 연자성 금속 입자는 Fe-Si 합금 입자일 수 있다.
상기 수지는 페놀 수지 또는 에폭시 수지일 수 있다.
상기 코일 도체와 상기 자성 소체의 합계 질량에 대한 상기 수지의 질량 비율은 0.5질량% 이상 3.0질량% 이하일 수 있다.
도 1은 본 발명의 일실시 형태에 따른 적층 인덕터이다.
도 2는 도 1의 적층 인덕터에서의 자성 소체의 단면 모식도이다.
도 3은 실시예 1에서 수지를 충전하기 전의 층간부의 단면 SEM 화상이다.
도 4는 실시예 1에서 수지를 충전한 후의 층간부의 단면 SEM 화상이다.
도 5는 실시예 1에서 도금한 후의 층간부의 단면 SEM 화상이다.
도 6은 비교예 1에서 도금한 후의 층간부의 단면 SEM 화상이다.
도 7은 비교예 2에서 수지를 충전한 후의 층간부의 단면 SEM 화상이다.
도 8은 비교예 2에서 도금한 후의 층간부의 단면 SEM 화상이다.
도 9는 실시예 1에서의 층간부의 BF상이다.
도 10은 실시예 1에서의 층간부의 HADDF상이다.
도 11은 실시예 1에서의 층간부의 확대 모식도이다.
도 12는 실시예 1의 GC-MS 분석 결과이다.
이하, 본 발명을 도면에 나타내는 실시 형태에 기초하여 설명한다.
본 실시 형태에서는 적층 코일형 전자 부품으로서 도 1에 나타내는 적층 인덕터가 예시된다.
도 1에 나타낸 바와 같이, 본 실시 형태에 따른 적층 인덕터(1)는 소자(2) 및 단자 전극(3)을 갖는다. 소자(2)는 자성 소체(4)의 내부에 코일 도체(5)가 3차원적이며 나선상으로 매설된 구성을 가지고 있다. 소자(2)의 양단에는 단자 전극(3)이 형성되어 있으며, 이 단자 전극(3)은 인출 전극(5a, 5b)을 통하여 코일 도체(5)와 접속되어 있다. 또한, 소자(2)는 코일 도체(5)가 매설되어 있는 중앙부(2b), 및 중앙부(2b)의 적층 방향(z축 방향) 상하에 존재하며 코일 도체(5)가 매설되어 있지 않은 표면부(2a)로 이루어진다. 또한, 본 실시 형태에서는 자성 소체(4) 중 적층 방향에서 코일 도체(5) 사이의 중간부를 층간부(4a)라 한다.
소자(2)의 형상은 임의이나, 통상 직육면체 형상으로 이루어진다. 또한, 그 치수에도 특별히 제한이 없으며, 용도에 따라 적절한 치수이면 무방하다. 예를 들면, 0.2~2.5mm×0.1~2.0mm×0.1~1.2mm로 할 수 있다.
단자 전극(3)의 재질은 전기 전도체이면 임의의 재질일 수 있다. 예를 들면, Ag, Cu, Au, Al, Ag 합금, Cu 합금 등이 이용된다. 특히 Ag를 이용하는 것이 저가이며 저항이 작기 때문에 바람직하다. 단자 전극(3)은 유리 프리트(Glass frit)를 함유하고 있을 수 있다. 또한, 단자 전극(3)은 표면에 도금을 실시할 수 있다. 예를 들면, Cu, Ni 도금 및 Sn 도금, 또는 Ni 도금 및 Sn 도금을 순서대로 실시할 수 있다.
코일 도체(5) 및 인출 전극(5a, 5b)의 재질은 전기 전도체이면 임의의 재질일 수 있다. 예를 들면, Ag, Cu, Au, Al, Ag 합금, Cu 합금 등이 이용된다. 특히 Ag를 이용하는 것이 저가이며 저항이 작기 때문에 바람직하다.
자성 소체(4)는 도 2에 나타낸 바와 같이, 연자성 금속 입자(11) 및 수지(13)로 이루어진다. 도 2는 자성 소체(4)의 단면 모식도이다. 또한, 자성 소체(4) 중 연자성 금속 입자(11) 이외의 부분을 틈새 공간(12)이라 한다. 그리고 틈새 공간(12)에 수지(13)가 충전되며, 수지(13)가 충전되지 않은 부분이 공극(14)이 된다. 또한, 수지를 충전하기 전 단계에서 틈새 공간(12)은 모두 공극(14)이다.
후술하는 도 11에 나타낸 바와 같이, 연자성 금속 입자(11)는 연자성 금속 입자 본체(11a) 및 연자성 금속 입자 본체(11a)를 피복하는 산화 피막(11b)으로 이루어진다.
연자성 금속 입자 본체(11a)의 재질은 특별히 제한되지 않는다. 연자성 금속 입자 본체(11a)의 재질은, 예를 들면, Fe 및 Si를 주로 포함하는 Fe-Si계 합금, 또는, Fe, Ni, Si 및 Co를 주로 포함하는 퍼멀로이일 수 있다. 연자성 금속 입자 본체(11a)는 Fe-Si계 합금인 것이 바람직하다.
연자성 금속 입자 본체(11a)가 Fe-Si계 합금인 경우, Fe의 함유량 및 Si의 함유량의 합계를 100질량%로 할 때, Si의 함유량은 Si 환산으로 7.5질량% 이하인 것이 바람직하다. 즉, Fe의 함유량은 Fe 환산으로 92.5질량% 이상인 것이 바람직하다.
Si의 함유량이 지나치게 많은 경우, 연자성 금속 분말을 이용하여 성형할 때 성형성이 악화되고, 그 결과, 소성 후의 소성체 밀도가 저하되는 경향이 있다. 또한, 열처리 후의 합금 소성 입자의 산화 상태를 적절히 유지하지 못하고, 특히 투자율이 저하되는 경향이 있다.
또한, Fe의 함유량 및 Si의 함유량의 합계를 100질량%로 한 경우, Si의 함유량은 Si 환산으로 3.0질량% 이상인 것이 바람직하다. 즉, Fe의 함유량은 Fe 환산으로 97.0질량% 이하인 것이 바람직하다.
Si의 함유량이 지나치게 적은 경우, 성형성은 향상되지만 소결 후의 연자성 금속 입자의 산화 상태를 적절히 유지하지 못하고, 비저항이 저하되는 경향이 있다.
본 실시 형태에 따른 Fe-Si계 합금은 Fe의 함유량과 Si의 함유량의 합계를 100질량%로 한 경우, 그 외의 원소의 함유량은 O를 제외하고 최대 0.15질량% 이하이다. 또한, Cr를 실질적으로 함유하지 않는다. Cr를 실질적으로 함유하지 않는다는 것은 Cr의 함유량이 0.03질량% 이하임을 가리킨다. 즉, 본 실시 형태에서 Fe-Si계 합금은 Fe-Si-Cr 합금을 포함하지 않는다.
또한, 본 실시 형태에 따른 연자성 금속 합금은 P를 가지고 있을 수 있다. 연자성 금속 합금이 Fe-Si계 합금인 경우, P는 Fe의 함유량과 Si의 함유량의 합계 100질량%에 대하여 110~650ppm 함유되어 있는 것이 바람직하다. 연자성 금속 합금이 P를 가짐으로써, 높은 비저항과 소정의 자기 특성이 양립 가능한 적층 인덕터를 얻을 수 있다. 또한, P를 상기의 범위로 함유함으로써, 자성 소체(4)에서 단락이 발생하지 않을 정도의 높은 비저항, 예를 들면 1.0×105Ω·cm 이상의 비저항을 나타낼 수 있다. 또한, 소정의 자기 특성을 발휘할 수 있다.
본 실시 형태에 따른 적층 인덕터(1)가 상기 서술한 특성을 가지는 이유에 대해서는, 예를 들면 이하와 같은 추측이 성립된다. 즉, Fe-Si 합금이 인을 소정량 함유한 상태로 열처리됨으로써, 열처리 후의 자성 소체(4)를 구성하는 연자성 금속 입자(11)의 산화 상태, 즉 산화 피막(11b)의 피복율이나 두께 등이 적절히 제어된다고 생각된다. 그 결과, 열처리 후의 자성 소체(4)는 높은 비저항을 나타내고, 또한 소정의 자기 특성을 발휘할 수 있다. 따라서, 본 실시 형태에 따른 자성 소체(4)는 코일 도체(5)와 직접 접촉하는 자성 소체로서 바람직하다.
한편, 연자성 금속 입자 본체가 퍼멀로이인 경우에는, Fe, Ni, Si 및 Co의 함유량의 합계를 100질량%로 할 때 Fe의 함유량이 45~60질량%, Ni의 함유량이 33~48질량%, Si의 함유량이 1~6질량%, Co의 함유량이 1~6질량%인 것이 바람직하다. 또한, 상기 퍼멀로이는 Cr를 실질적으로 함유하지 않는다. 즉, Fe, Ni, Si 및 Co의 합계 함유량을 100질량%로 한 경우에 Cr의 함유량이 0.06질량%(600ppm) 이하이다. 또한, P 등 그 외의 원소의 함유량은 O를 제외하고 최대 0.15질량%(1500ppm) 이하이다.
또한, 본 실시 형태에 따른 연자성 금속 입자 본체(11a)를 피복하는 산화 피막(11b)은 Si를 포함하는 산화물로 이루어지는 층을 포함하는 것이 바람직하고, 연자성 금속 입자 본체(11a)와 Si를 포함하는 산화물로 이루어지는 층이 접촉되어 있는 것이 바람직하다. 연자성 금속 입자 본체(11a)를 피복하는 산화 피막(11b)이 Si를 포함하는 산화물로 이루어지는 층을 포함함으로써, 연자성 금속 입자(11) 사이의 절연성이 높아져 Q가 향상된다. 또한, 연자성 금속 입자 본체(11a)를 피복하는 산화 피막(11b)이 Si를 포함하는 화합물로 이루어지는 층을 포함함으로써, Fe의 산화물이 형성되는 것을 방지할 수도 있다.
수지(13)의 종류는 임의이다. 구체적으로는, 페놀 수지 또는 에폭시 수지인 것이 바람직하다. 수지(13)가 페놀 수지 또는 에폭시 수지인 경우에는, 특히 틈새 공간(12)에 충전되기 쉽다. 또한, 수지(13)는 페놀 수지인 것이, 저가이며 취급이 용이하기 때문에 바람직하다.
수지(13)가 틈새 공간(12)에 충전됨으로써, 적층 인덕터(1)의 강도(특히 항절 강도)가 높아진다. 또한, 연자성 금속 입자(11) 사이의 절연성이 더욱 높아짐으로써 Q가 더욱 향상된다. 또한, 신뢰성 및 내열성이 향상된다.
여기서, 적층 인덕터(1)의 소자(2) 중, 수지(13)가 틈새 공간(12)에 가장 충전되기 어려운 부분은 층간부(4a)이다. 따라서, 층간부(4a)의 틈새 공간(12)에 수지(13)가 충전되어 있으면, 적층 인덕터(1)의 소자(2) 전체에 충분히 수지(13)가 충전되어 있다고 할 수 있다.
연자성 금속 입자 본체(11a)를 피복하는 산화 피막(11b)이 Si를 포함하는 산화물로 이루어지는 층을 포함하는지 아닌지, 및 수지(13)가 틈새 공간(12)에 충전되어 있는지 아닌지를 확인하는 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, SEM-EDS 측정 및 STEM-EDS 측정을 행하여, 육안으로 연자성 금속 입자 본체(11a)를 피복하는 산화 피막(11b)이 Si를 포함하는 산화물로 이루어지는 층을 포함하는지 아닌지, 및 수지(13)가 틈새 공간(12)에 충전되어 있는지 아닌지를 확인할 수 있다.
여기서, 도 3 내지 도 5는 후술하는 실시예 1의 층간부에서의 SEM 화상(배율 10,000배)이다. 도 3은 수지를 충전하기 전의 SEM 화상, 도 4는 수지를 충전한 후의 SEM 화상, 도 5는 수지 충전 후에 단자 전극에 도금을 실시한 후의 SEM 화상이다. 도 4 및 도 5로부터, 연자성 금속 입자 이외에 수지가 존재하고, 틈새 공간을 충전하고 있음을 알 수 있다. 이에 대해, 도 6 내지 도 8은 후술하는 비교예 1 및 비교예 2의 층간부에서의 SEM 화상(배율 10,000배)이다. 어느 도면에서나 모두, 수지가 틈새 공간을 충전하고 있지 않음을 알 수 있다.
또한, 도 9 및 도 10은 후술하는 실시예 1의 도금품에서의 층간부의 STEM-EDS 측정 화상(배율 20,000배)이다. 도 11은 후술하는 실시예 1의 도금품에서의 층간부를 더욱 확대하여 관찰한 경우의 확대 모식도이다. 한편, 도 9 및 도 10은 표면을 사포 연마한 후의 화상이다.
도 9는 STEM에 의한 명시야상(BF상)이다. 도 10은 STEM에 의한 암시야상(HAADF상)이다.
도 9 및 도 10으로부터, 수지(13)가 층간부의 틈새 공간(12)에 충전되고 경화되어 있음을 알 수 있다. 또한, 화상 해석 및 STEM-EDS에 의한 원소 분석에 의해, Si가 실질적으로 연자성 금속 입자(11)에만 존재하고, C가 실질적으로 틈새 공간(12)에만 존재하고 있음을 알 수 있다. 또한, 연자성 금속 입자(11) 이외의 부분에서 C가 존재하고 있는 부분의 면적을 관찰 범위 전체에 대한 틈새 공간(12) 전체의 면적으로 볼 수 있다.
또한, 도 11에 나타낸 바와 같이, 연자성 금속 입자 본체(11a)를 피복하는 산화 피막(11b)이 존재한다. 산화 피막(11b)은 Si 산화물층을 포함한다. 또한 화상 해석한 결과, Si는 실질적으로 연자성 금속 입자 본체(11a) 및 산화 피막(11b)에만 존재한다. 또한, Si의 산화물은 실질적으로 산화 피막(11b)에만 존재한다. 한편, Si 산화물층(11b)은 주로 Si의 산화물로 이루어지는 층이다.
또한, 산화 피막(11b)의 두께는 임의이다. Si 산화물층이 연자성 금속 입자 본체(11a)와 접촉하는 것 이외에는 임의의 구조로 할 수 있다. 예를 들면, 산화 피막(11b)이 Si 산화물층으로만 이루어져 있을 수 있으며, Si 산화물층과 다른 산화물층의 다층 구조로 할 수도 있다. 연자성 금속 입자 본체(11a)와 접촉하고 있는 Si 산화물층은 실질적으로 Si의 산화물로만 이루어져 있을 수 있다. 산화 피막(11b)의 두께 및 각 층의 두께는 STEM-EDS 측정 화상을 이용하여 측정할 수 있다. 본 실시 형태에서는, 산화 피막(11b) 전체의 평균 두께가 5nm 이상 60nm 이하인 것이 바람직하다. 한편, 상기의 평균 두께는 적어도 50개 이상의 연자성 금속 입자(11)에 대해 산화 피막(11b)의 두께를 측정한 경우의 두께 평균으로 한다. 한편, 산화 피막(11b)의 형성 방법은 임의이다. 예를 들면, 연자성 금속 분말을 소성함으로써 형성할 수 있다. 또한, 산화 피막(11b)의 두께 및 각 산화물층의 두께는 소성 온도나 시간 등의 소성 조건이나 어닐링 조건 등에 의해 제어할 수 있다. 한편, 산화 피막(11b)이 두꺼워질수록 틈새 공간(12)이 작아져 수지(13)의 충전량이 저하된다. 한편, Si의 산화물은 실질적으로 산화 피막(11b)에만 포함되고, 산화 피막(11b)보다 외측의 2개의 연자성 금속 입자(11) 사이의 부분(틈새 공간(12))에는 거의 존재하지 않는 것이 바람직하다.
본 실시 형태에 따른 적층 인덕터(1)에서는, 자성 소체(4)를 구성하는 연자성 재료(연자성 금속 입자(11))의 비저항이 높다. 이는, 연자성 금속 입자 본체(11a)가 산화 피막(11b)에 의해 피복되어 있기 때문이다. 또한, 틈새 공간(12)에 수지(13)가 충전되어 있다. 따라서, 도금액이 틈새 공간(12)에 침입하기 어렵다. 그 때문에, 도금 후에도 단락되지 않고 높은 인덕턴스(L)를 갖는다. 또한, 적층 인덕터(1)의 강도(특히, 항절 강도)도 향상되는 등, 소정의 성능을 발휘할 수 있다.
연자성 금속 입자(11)의 평균 입경(D50)은 특별히 제한되지 않는다. 또한, 표면부(2a)와 중앙부(2b)에서 다른 입경일 수 있다. 중앙부(2b)에서의 연자성 금속 입자(11)의 D50을 표면부(2a)에서의 연자성 금속 입자(11)의 D50보다 작게 하는 것이 신뢰성 향상을 위해 바람직하다. 예를 들면, 중앙부(2b)에서 연자성 금속 입자(11)의 D50은 1.0~10μm가 바람직하고, 표면부(2a)에서 연자성 금속 입자(11)의 D50은 2.0~18μm로 하는 것이 바람직하다.
또한, 연자성 금속 입자(11)의 입경의 편차는, 틈새 공간(12)이 커져 수지의 충전량을 늘릴 수 있다는 점에서 작은 것이 바람직하다. 편차가 작다는 것은, 구체적으로 D50-D10 및 D90-D50이 작은 것을 가리킨다. 예를 들면, 중앙부(2b)에서의 D50-D10을 0.5μm 이상 3.0μm 이하로 할 수 있고, D90-D50을 1.5μm 이상 4.5μm 이하로 할 수 있다. 또한, 표면부(2a)에서의 D50-D10을 4.0μm 이상 6.0μm 이하로 할 수 있고, D90-D50을 7.0μm 이상 12.0μm 이하로 할 수 있다. 한편, 상기 D50-D10의 하한 및 D90-D50의 하한은 예시이다. 또한, D50-D10 및 D90-D50이 작은 연자성 금속 입자(11)를 준비하는 경우에는, 편차를 작게 함에 따른 효과가 작아지는 한편, 비용이 증대된다.
D10, D50 및 D90의 산출 방법은 특별히 제한되지 않는다. 예를 들면, 단면을 SEM 관찰하여, 화상 해석에 의해 연자성 금속 입자(11)의 면적을 산출하고, 그 면적에 상당하는 원의 직경(원에 상당하는 지름)으로서 산출한 값을 입자 지름으로 한다. 그리고, 각 측정 지점에 대하여 100개 이상의 연자성 금속 입자(11)의 입자 지름을 산출하여 D10, D50 및 D90를 산출한다. 한편, 연자성 금속 입자(11)의 형상은 특별히 제한되지 않는다.
또한, 층간부(4a)(중앙부(2b))의 단면에서 틈새 공간(12)의 면적 비율이 SEM 관찰 화상 전체에 대하여 10.0% 이상 35.0% 이하인 것이 바람직하다. 틈새 공간(12)의 면적 비율은 연자성 금속 입자의 입경 분포에 의해 제어할 수 있는 것 이외에도, 그린 칩에서의 바인더 수지의 수지량, 그린 칩을 형성할 때의 성형 압력, 소성 조건, 어닐링 조건 등을 제어함으로써 제어할 수 있다. 또한, 연자성 금속 입자의 입경 분포가 동일한 정도이면, 틈새 공간이 크고 충전되는 수지의 양이 많아질수록 인덕턴스(L)가 작아지지만, Q 및 항절 강도가 커지는 경향이 있다.
계속해서, 상기의 적층 인덕터의 제조 방법의 일례에 대해 설명한다. 우선, 자성 소체를 구성하는 연자성 금속 입자의 원료가 되는 연자성 금속 분말을 제작하는 방법에 대해 설명한다. 본 실시 형태에서, 연자성 금속 분말은 공지의 연자성 금속 분말의 제작 방법과 동일한 방법을 이용하여 얻을 수 있다. 구체적으로는, 가스아토마이즈법, 수(水)아토마이즈법, 회전 디스크법 등을 이용하여 제작할 수 있다. 이들 중에서는, 원하는 자기 특성을 가지는 연자성 금속 분말을 얻기 쉽다는 관점에서, 수아토마이즈법을 이용하는 것이 바람직하다. 또한, 연자성 금속 분말의 입경을 제어함으로써, 최종적으로 얻어지는 연자성 금속 입자의 D10, D50 및 D90을 제어할 수 있다.
수아토마이즈법에서는, 용융된 원료(용탕)를 도가니 바닥부에 마련된 노즐을 통하여 선상의 연속적인 유체로서 공급하고, 공급된 용탕에 고압의 물을 분사하여 용탕을 액적화함과 함께, 급냉하여 미세한 분말을 얻는다.
본 실시 형태에서는 Fe의 원료 및 Si의 원료를 용융하고 P를 더 첨가한 것을 수아토마이즈법에 의해 미분화함으로써, 본 실시 형태에 따른 연자성 금속 분말을 제조할 수 있다. 또한, 원료 중, 예를 들면, Fe의 원료중에 P가 포함되어 있는 경우, Fe의 원료중의 P의 함유량과 첨가하는 P의 양의 합계량을 제어함으로써, 최종적으로 얻어지는 연자성 금속 입자에 포함되는 P의 양을 제어할 수 있다. 용융물을 수아토마이즈법에 의해 미분화해도 된다. 또는, P의 함유량이 다른 복수의 Fe의 원료를 이용하여, 연자성 금속 분말에서 P의 함유량이 상기의 범위 내가 되도록 조정된 용융물을 수아토마이즈법에 의해 미분화할 수도 있다.
계속해서, 이와 같이 하여 얻어진 연자성 금속 분말을 이용하여, 적층 인덕터를 제조한다. 적층 인덕터를 제조하는 방법은 제한되지 않으며, 공지의 방법을 채용할 수 있다. 이하에서는, 시트법을 이용하여 적층 인덕터를 제조하는 방법에 대해 설명한다.
얻어진 연자성 금속 분말을 용매나 바인더 등의 첨가제와 함께 슬러리화하여 페이스트를 제조한다. 그리고, 이 페이스트를 이용하여, 소성 후에 자성 소체가 되는 그린 시트를 형성한다. 이때, 표면부용 그린 시트와 중앙부용 그린 시트에서 입경이 다른 연자성 금속 분말을 이용할 수 있다. 계속해서, 형성된 중앙부용 그린 시트 위에 코일 도체 페이스트를 도포하여 코일 도체 패턴을 형성한다. 코일 도체 페이스트는 코일 도체가 되는 금속(Ag 등)을 용매나 바인더 등의 첨가제와 함께 슬러리화하여 제작한다. 계속해서, 코일 도체 패턴이 형성된 그린 시트를 복수 적층한 후 각 코일 도체 패턴을 접합함으로써, 코일 도체가 3차원적이며 나선상으로 형성된 그린 적층체가 얻어진다.
얻어진 적층체에 대하여 열처리(탈바인더 공정 및 소성 공정)를 행함으로써 바인더를 제거하고, 연자성 금속 분말에 포함되는 연자성 금속 입자가 연자성 금속 소성 입자가 된다. 그리고, 연자성 금속 소성 입자끼리 서로 접속되어 고정된(일체화된) 소성체로서의 적층체를 얻는다. 탈바인더 공정에서의 유지 온도(탈바인더 온도)는 바인더가 분해되어 가스로서 제거될 수 있는 온도이면 특별히 제한되지 않지만, 본 실시 형태에서는 300~450℃인 것이 바람직하다. 또한, 탈바인더 공정에서의 유지 시간(탈바인더 시간)도 특별히 제한되지 않지만, 본 실시 형태에서는 0.5~2.0시간인 것이 바람직하다.
소성 공정에서의 유지 온도(소성 온도)는 연자성 금속 분말을 구성하는 연자성 금속 입자가 서로 접속되는 온도이면 특별히 제한되지 않지만, 본 실시 형태에서는 550~850℃인 것이 바람직하다. 또한, 소성 공정에서의 유지 시간(소성 시간)도 특별히 제한되지 않지만, 본 실시 형태에서는 0.5~3.0시간인 것이 바람직하다.
한편, 본 실시 형태에서는 탈바인더 및 소성에서의 분위기를 조정하는 것이 바람직하다. 구체적으로는, 탈바인더 및 소성을 대기중과 같은 산화 분위기에서 행하여도 무방하나, 대기 분위기보다 산화력이 약한 분위기 하, 예를 들면 질소 분위기 하, 또는 질소 및 수소의 혼합 분위기 하에서 실시하는 것이 바람직하다. 이와 같이 함으로써, 연자성 금속 입자의 비저항을 높게 유지하면서 자성 소체의 밀도를 향상시켜, 투자율(μ) 등을 더욱 향상시킬 수 있다. 또한, 연자성 금속 입자의 표면에 Si 산화 피막을 형성시키기 쉬워지고, Fe의 산화물을 형성시키기 어려워진다. 이 결과, Fe의 산화에 의한 인덕턴스(L)의 저하를 방지할 수 있다.
소성 후에 어닐링 처리를 실시해도 무방하다. 어닐링 처리를 행하는 경우의 조건은 임의이지만, 예를 들면 500~800℃로 0.5~2.0시간 행할 수 있다. 또한, 어닐링 후의 분위기도 임의이다.
한편, 상기 어닐링 후의 연자성 금속 입자의 조성은 상기 어닐링 전의 연자성 금속 분말의 조성과 실질적으로 일치한다.
계속해서, 소자에 단자 전극을 형성한다. 단자 전극을 형성하는 방법은 특별히 제한되지 않으며, 통상적으로는 단자 전극이 되는 금속(Ag 등)을 용매나 바인더 등의 첨가제와 함께 슬러리화하여 제작한다.
다음으로, 소자에 대하여 수지를 함침시킴으로써 틈새 공간에 수지를 충전한다. 수지를 함침시키는 방법은 임의이다. 예를 들면, 진공 함침에 의한 방법을 들 수 있다.
진공 함침은 상기의 적층 인덕터를 수지중에 침지시키고, 기압 제어를 행함으로써 이루어진다. 수지는 기압을 저하시킴으로써 자성 소체 내부에 침입한다. 그리고, 자성 소체의 표면으로부터 내부에는 틈새 공간이 존재하기 때문에, 틈새 공간을 통하여 모세관 현상의 원리에 의해 수지가 자성 소체 내부, 특히 가장 침입하기 어려운 층간부에까지 침입함으로써 틈새 공간에 수지가 충전된다. 또한, 가열에 의해 수지를 경화시킨다. 가열 조건은 수지의 종류에 따라 다르다.
수지의 종류는 임의이지만, 최종적으로 틈새 공간에 수지가 충전될 필요가 있다. 예를 들면, 실리콘 수지를 이용하는 경우에는, 수지가 특히 표면부에서 연자성 금속 입자의 표면에 막 형상으로 존재하는 상태가 되어, 자성 소체 내부(특히, 층간부)의 틈새 공간까지 수지가 충분히 침입하기 어렵다. 또한, 300℃ 이상으로 가열하면 수지가 분해되기 때문에 내열성도 낮다. 이에 대해, 특히 페놀 수지 또는 에폭시 수지를 이용하는 경우에는, 자성 소체 내부(특히 층간부)의 틈새 공간까지 수지가 충분히 침입하여, 경화 후에도 충분히 틈새 공간에 충전되기 쉽다. 더 가열해도 쉽게 분해되지 않기 때문에 내열성도 높다.
최종적으로 얻어지는 적층 인덕터의 자성 소체에서 수지의 함유량은 0.5중량% 이상 3.0중량% 이하인 것이 바람직하다. 수지가 적어질수록 L이 커지지만, Q가 작아지고 항절 강도가 저하되는 경향이 있다. 한편, 수지의 함유량은, 예를 들면, 함침시의 수지 용액 농도, 침지 시간, 침지 횟수 등을 변화시킴으로써 제어할 수 있다.
본 실시 형태에서는, 수지의 충전 후에 단자 전극에 전해 도금을 실시할 수 있다. 수지가 틈새 공간에 충전되어 있기 때문에, 적층 인덕터를 도금액에 투입하여도 도금액이 자성 소체 내부에 침입하기 어렵다. 그 때문에, 도금 후에도 적층 인덕터 내부에서 단락이 발생하지 않고, 인덕턴스가 높게 유지된다.
이상, 본 발명의 실시 형태에 대해 설명하였으나, 본 발명은 상기의 실시 형태에 의해 한정되지 않으며, 본 발명의 범위 내에서 여러 가지의 형태로 변경될 수 있다.
<실시예>
이하, 실시예를 이용하여 발명을 보다 상세하게 설명하지만, 본 발명은 이러한 실시예에 한정되지 않는다.
(실험예 1)
우선, 원료로서 Fe 단체 및 Si 단체를 각각 준비하였다. 다음으로, 그들을 혼합하여 수아토마이즈 장치 내에 배치된 도가니에 수용하였다. 계속해서, 불활성 분위기 하에서, 도가니 외부에 마련한 워크 코일을 이용하여 도가니를 고주파 유도에 의해 1600℃ 이상까지 가열하고, 도가니 안의 잉곳, 청크 또는 숏을 용융, 혼합하여 용탕을 얻었다. 한편, 인 함유량의 조정은 연자성 금속 분말의 원료를 용융, 혼합할 때, Fe 단체의 원료에 포함되는 인의 양을 조정함으로써 행하였다.
계속해서, 도가니에 마련된 노즐로부터, 선상의 연속적인 유체를 형성하도록 공급된 용탕에 고압(50MPa)의 수류를 충돌시켜 액적화함과 동시에 급냉하고, 탈수, 건조, 분급함으로써, Fe-Si계 합금 입자로 이루어지는 연자성 금속 분말을 제조하였다. 이때, 서로 입경 분포가 다른 표면부용 연자성 금속 분말과 중앙부용 연자성 금속 분말의 2종류의 연자성 금속 분말을 제작하였다. 한편, 표 1에 나타내는 입경 분포가 되도록, 제조 조건, 분급 조건 등을 적절히 제어하였다.
얻어진 연자성 금속 분말을 ICP 분석법에 의해 조성 분석한 결과, 모든 실시예 및 비교예에서 이용되는 연자성 금속 분말이, Fe： 94중량%, Si： 6중량%이며, P 함유량이 350ppm이 되었음을 확인하였다. 또한, Fe, Si 및 P 이외의 원소, 예를 들면 Cr 등은 실질적으로 함유하고 있지 않음을 확인하였다.
상기의 연자성 금속 분말을, 용매, 바인더 등의 첨가물과 함께 슬러리화하여, 페이스트를 제작하였다. 그리고, 이 페이스트를 이용하여 소성 후에 자성 소체가 되는 그린 시트를 형성하였다. 이 그린 시트 상에 소정 패턴의 Ag 도체(코일 도체)를 형성하고 적층함으로써, 두께 0.8mm의 그린 적층체를 제작하였다.
얻어진 그린 적층체를 2.0mm×1.2mm 형상으로 절단하고, 그린 적층 인덕터를 얻었다. 얻어진 적층 인덕터에 대해서, 불활성 분위기 하, 400℃으로 탈바인더 처리를 행하였다. 그후, 환원성 분위기 하 750℃-1h의 조건으로 소성하여 소성체를 얻었다. 한편, 불활성 분위기란 N2 가스중을 말하며, 환원성 분위기란 N2와 H2 가스의 혼합 가스로서 수소 농도 1.0%의 분위기를 말한다. 얻어진 소성체의 양측 단면에 단자 전극용 페이스트를 도포 및 건조하고, 650℃에서 0.5시간 소부(燒付) 처리를 행하고, 단자 전극을 형성하여 적층 인덕터(소부품)를 얻었다.
다음으로, 모든 실시예 및 비교예 1 이외의 비교예에 대해, 얻어진 소부품에 대해서 수지 원료의 혼합물을 진공 함침하고, 그 후 가열하여 수지를 경화시킴으로써 적층 인덕터의 틈새 공간에 수지를 충전하였다. 수지의 경화는 150℃에서 2.0시간 가열하는 것으로 행하였다. 한편, 수지를 경화시킬 때 수지 혼합물에 포함되는 용제 등이 증발하였다. 진공 함침에 이용하는 수지 원료의 혼합물의 종류를 하기의 표 1에 나타낸다. 한편, 표 1에서의 페놀 수지 A 혼합물은, 약 50중량%의 페놀류(C7H8O, CH2O, C4H10O)x, 약 38중량%의 에틸렌글리콜모노부틸에테르, 약 11중량%의 1-부탄올, 약 0.20중량%의 포름알데히드 및 약 0.1%의 m-크레졸을 혼합한 혼합물이며, 경화되어 페놀 수지 A가 얻어진다. 페놀 수지 B 혼합물은, 약 50중량%의 페놀류(C6H6O, CH2O)x, 약 1.7중량%의 포름알데히드, 약 0.3중량% 미만의 메탄올 및 약 44중량%의 1-부탄올을 혼합한 혼합물이며, 경화되어 페놀 수지 B가 얻어진다. 페놀 수지 C 혼합물은, 약 63중량%의 페놀류 (C6H6O, CH2O)x, 약 5.5중량%의 페놀, 약 0.60중량%의 포름알데히드 및 약 30중량%의 메탄올을 혼합한 혼합물이며, 경화되어 페놀 수지 C가 얻어진다. 에폭시 수지 혼합물은, 나프탈렌형 에폭시 수지, 경화제, 용제(톨루엔) 등을 혼합한 혼합물이며, 경화되어 에폭시 수지가 얻어진다. 실리콘 수지 혼합물은, 오르가노폴리실록산, 용제 톨루엔 등을 혼합한 혼합물이며, 경화되어 실리콘 수지가 얻어진다.
그리고, 전해 도금을 실시하여, 단자 전극 상에 Ni 도금층 및 Sn 도금층을 형성하였다. 한편, 비교예 1에서는 단자 전극 형성 후, 즉시 전해 도금을 실시하여 Ni 도금층 및 Sn 도금층을 형성하였다.
각 실시예 및 비교예에서의 진공 함침 후에 수지를 경화시킨 함침품 및 도금 후의 도금품에 대하여, 코일 도체와 자성 소체의 합계 질량에 대한 수지의 질량비율을 TG-DTA를 이용하여 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다. 한편, 모든 실시예 및 비교예에 대하여, 함침품과 도금품에서 수지의 질량 비율에는 실질적으로 변화가 없었다. 또한, 자성 소체의 조성에 대해 ICP 분석법을 이용하여 확인하였으며, 원료인 연자성 금속 분말의 조성과 실질적으로 일치함을 확인하였다.
각 실시예 및 비교예의 함침품 및 도금품에 대하여, 층간부의 틈새 공간에 대한 수지 충전 여부를 확인하였다. 구체적으로는, SEM를 이용하여 배율 10,000배로 13μm×10μm의 사이즈로 층간부의 단면 사진을 촬영하고 관찰함으로써 확인하였다. 결과를 표 2에 나타낸다. 한편, 첨부의 도 3 내지 도 5가 각각 실시예 1의 소부품, 함침품 및 도금품에서의 층간부의 SEM 화상이다. 도 6이 비교예 1의 도금품, 도 7이 비교예 2의 함침품, 도 8이 비교예 2의 도금품의 SEM 화상이다.
각 실시예 및 비교예의 층간부 및 표면부에 대하여, 틈새 공간의 면적 비율을 측정하였다. 구체적으로는, 각 실시예 및 비교예의 함침품에 대해 연마용 매립 수지를 매립한 후에 SEM-EDS를 이용하여 배율 2,000배로 62μm×44μm의 사이즈로 관찰하고, Fe, Si, O, C의 합계를 100%로 하여 C가 존재하는 부분이 틈새 공간인 것으로 보고 면적 비율을 측정하였다. 결과를 표 1에 나타낸다. 한편, 표 1에 기재된 틈새 공간의 면적 비율은 각 실시예 및 비교예의 각각에 대하여 30개의 적층 인덕터의 면적 비율을 측정한 평균값이다.
한편, 도 9가 실시예 1의 BF상, 도 10이 실시예 1의 HADDF상이다.
또한, STEM-EDS를 이용하여 상기의 측정보다 고배율인 배율 20,000배로 7μm×7μm의 사이즈로 관찰하고, Si가 실질적으로 산화 피막 이외에는 존재하지 않음을 확인하였다. 또한, 모든 실시예에서, 연자성 금속 입자 본체, 및 연자성 금속 입자 본체에 접촉하는 Si 산화물층이 존재하고 있음을 확인하였다.
각 실시예 및 비교예의 적층 인덕터에 대하여, LCR 미터(HEWLETT　PACKARD 사제： 4285A)를 이용하여, f=2MHz, I=0.1A로 L 및 Q를 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다. 한편, 표 2에 기재한 L 및 Q는 각 실시예 및 비교예의 각각에 대하여 30개의 적층 인덕터의 L 및 Q를 측정한 평균값이다. 본 실시예에서는 L이 0.30μH 이상인 경우를 양호로 하고, 0.40μH 이상인 경우를 더욱 양호로 하였다. 또한, Q가 30 이상인 경우를 양호로 하고, 40 이상인 경우를 더욱 양호로 하였다.
각 실시예 및 비교예의 적층 인덕터에 대하여 단락 수를 측정하였다. 단락 수는 각 실시예 및 비교예의 함침품 및 도금품(각 30개)에 대하여 LCR 미터를 이용해 측정을 실시하고, 30개 중 몇 개의 적층 인덕터가 단락되었지를 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다. 본 실시예에서는 단락 수가 0인 경우를 양호로 하였다.
각 실시예 및 비교예의 적층 인덕터에 대하여, 항절 강도를 측정하였다. 항절 강도는 고착 강도 시험기 아이코 엔지니어링사제　CPU　GAUGE　9500 SERIES를 이용하여 10mm/min로 측정하였다. 결과를 표 2에 나타낸다. 한편, 표 2에 기재된 결과는 각 10개의 적층 인덕터에 대해 항절 강도를 측정한 평균값이다. 본 실시예에서는 항절 강도가 30.0N을 넘는 경우를 양호로 하고, 45.0N를 넘는 경우를 더욱 양호로 하였다.
Figure pat00001
Figure pat00002
표 1 및 표 2로부터, 수지로서 페놀 수지 또는 에폭시 수지를 이용한 실시예 1~9에서는, 가장 수지가 충전되기 어려운 층간부의 틈새 공간에도 수지가 충전되었다. 그 결과, 도금을 행한 후에도 단락이 발생하지 않고, L 및 Q도 높게 유지되었다. 또한 항절 강도도 높게 나타났다.
이에 대해, 수지를 이용하지 않은 비교예 1의 도금품은 모두 단락이 발생하였다. 또한, L 및 Q도 현저하게 낮고, 항절 강도도 낮았다. 또한, 실리콘 수지 함침을 행한 비교예 2에서는, 수지가 충분히 충전되지 않고, 특히 층간부의 SEM 사진에서는 틈새 공간에 대한 수지의 충전을 전혀 확인할 수 없었다. 그 결과, 도금품은 틈새 공간에 도금액이 침입하여 단락이 발생하였다. 그리고, L 및 Q도 도금품은 함침품과 비교하여 현저하게 저하되었다. 또한, 수지가 충분히 충전되지 않음으로써 항절 강도도 현저하게 낮은 결과를 나타내었다.
또한, 고온 부하 시험 및 내습 부하 시험을 행하였다. 고온 부하 시험은 각 실시예 및 비교예의 적층 인덕터(도금품)에 대해, 85℃에서 전류를 2.1A 인가하여 2,000시간 방치 후에 L 및 Q의 저하가 10% 이하인지 아닌지를 확인하였다. 내습 부하 시험은 각 실시예 및 비교예의 적층 인덕터에 대하여, 85℃, 습도 85%에서 전류를 2.1A 인가하여 2,000시간 방치 후에 L 및 Q의 저하가 10% 이하인지 아닌지를 확인하였다. 모든 실시예에서 고온 부하 시험 및 내습 부하 시험의 결과는 양호하였다.
(실험예 2)
실험예 2에서는, 실시예 1~3 및 3a의 적층 인덕터(도금품)에 대하여, 220~340℃에서 5분간 열처리를 행하였다. 그리고, 실험예 1과 같이 하여, 단락 수, L, Q 및 항절 강도를 평가하였다. 결과를 표 3에 나타낸다.
Figure pat00003
페놀 수지로 함침한 실시예 1~3의 적층 인덕터(도금품) 및 에폭시 수지로 함침한 실시예 3a의 적층 인덕터(도금품)는 열처리 후에도 단락이 발생하지 않고, L 및 Q가 양호하였다. 또한, 항절 강도에 대해서는, 열처리 온도가 300℃를 넘는 경우에 300℃ 이하의 경우와 비교하여 저하되었으나, 상기의 양호 범위 내의 항절 강도는 유지하였다. 한편, 열처리 온도가 300℃을 넘으면 항절 강도가 저하되는 이유는, 수지의 일부가 기화되기 때문이라고 생각된다.
한편, 도 12에는 페놀 수지 A 혼합물을 적층 인덕터에 함침시킨 후에 페놀 수지 A 혼합물을 경화시켜 얻어진 실시예에 포함되는 페놀 수지 A의 GC-MS 분석 결과, 및 페놀 수지 A 혼합물만을 경화시켜 얻어진 페놀 수지 A의 GC-MS 분석 결과를 기재하였다.
적층 인덕터에 함침시킨 후에 경화시켜 얻어진 페놀 수지 A를 GC-MS 분석하는 경우에는, 구체적으로, 적층 인덕터를 나이프로 반으로 나누고, 에코 컵(금속 용기)에 넣어 600℃에서 6초간, 열분해를 실시함으로써 행하였다. 페놀 수지 A만을 GC-MS 분석하는 경우에는, 구체적으로, 처음 페놀 수지 A 혼합물만을 경화시켜 페놀 수지 A를 얻었다. 그 후 페놀 수지 A만을 에코 컵(금속 용기)에 넣고 600℃에서 6초간, 열분해를 실시함으로써 행하였다. 한편, 장치： 시마즈 제작소제 GCMS-QP2010, 열분해 유닛： Double　Shot　Pyrolyzer(Flontier　Lab　Py2020iD), GC： 캐리어 가스가 He, 스플리트비가 20：1(50kPa, 전체 유량 24mL/min, 사용 컬럼： Ultra　Alloy-5(0.25mm×30m), 온도 프로파일： 40℃(3min)-10℃／min-300℃(15min), MS： Scan 모드, m/z=33-500, 검출기 전압 1.1V로 GC-MS분석을 행하였다. 도 12의 위 그래프는, 페놀 수지 A 혼합물을 2회 함침하고, 150℃에서 2시간 경화한 점 이외에는 실시예 1과 동일 조건으로 제작한 적층 인덕터에 포함되는 페놀 수지 A를 GC-MS 분석한 결과이다. 도 12의 아래 그래프는 페놀 수지 A 혼합물만을 150℃에서 2시간 경화한 후에 GC-MS 분석한 결과이다. 하기의 표 4에는 페놀 수지 A 및 페놀 수지 A 혼합물의 용매에 포함되는 각 추정 화합물의 피크(문헌값)를 기재한다. 도 12 및 표 4로부터, 실시예 1의 적층 인덕터에는 페놀류(A)가 포함되어 있음을 알 수 있다.
Figure pat00004
1…적층 인덕터 2…소자
2a…표면부 2b…중앙부
3…단자 전극 4…자성 소체
4a…층간부 5…코일 도체
5a, 5b…인출 전극 11…연자성 금속 입자
11a…연자성 금속 입자 본체 　11b…산화 피막
12…틈새 공간 13…수지
14…공극

Claims (9)

  1. 코일 도체와 자성 소체가 적층된 소자를 가지는 적층 코일형 전자 부품으로서,
    상기 자성 소체는 연자성 금속 입자 및 수지를 포함하고,
    상기 수지는 상기 연자성 금속 입자 사이의 틈새 공간에 충전되고,
    상기 연자성 금속 입자는 연자성 금속 입자 본체 및 상기 연자성 금속 입자 본체를 피복하는 산화 피막으로 이루어지고,
    상기 산화 피막 중 상기 연자성 금속 입자 본체와 접촉하는 층이 Si를 포함하는 산화물로 이루어지는 것을 특징으로 하는 적층 코일형 전자 부품.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 산화 피막의 평균 두께가 5nm 이상 60nm 이하인 것을 특징으로 하는 적층 코일형 전자 부품.
  3. 제1항 또는 제2항에 있어서,
    상기 Si를 포함하는 산화물이 실질적으로 상기 산화 피막에만 포함되는 것을 특징으로 하는 적층 코일형 전자 부품.
  4. 코일 도체와 자성 소체가 적층된 소자를 가지는 적층 코일형 전자 부품으로서,
    상기 자성 소체는 연자성 금속 입자 및 수지를 포함하고,
    상기 수지는 상기 연자성 금속 입자 사이의 틈새 공간에 충전되고,
    상기 연자성 금속 입자에서 Fe의 함유량이 92.5질량% 이상 97.0질량% 이하, Si의 함유량이 3.0질량% 이상 7.5질량% 이하이며, Cr을 실질적으로 함유하지 않는 것을 특징으로 하는 적층 코일형 전자 부품.
  5. 제1항, 제2항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적층 코일형 전자 부품의 층간부의 단면을 SEM으로 관찰함으로써 얻어지는 SEM 관찰 화상에서,
    상기 틈새 공간의 면적 비율이 상기 SEM 관찰 화상 전체에 대하여 10.0% 이상 35.0% 이하인 것을 특징으로 하는 적층 코일형 전자 부품.
  6. 제1항, 제2항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 적층 코일형 전자 부품의 층간부에서, 상기 연자성 금속 입자의 D50-D10이 3.0μm 이하이며, D90-D50가 4.5μm 이하인 것을 특징으로 하는 적층 코일형 전자 부품.
  7. 제1항, 제2항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 연자성 금속 입자가 Fe-Si 합금 입자인 것을 특징으로 하는 적층 코일형 전자 부품.
  8. 제1항, 제2항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,　
    상기 수지가 페놀 수지 또는 에폭시 수지인 것을 특징으로 하는 적층 코일형 전자 부품.
  9. 제1항, 제2항, 제4항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 코일 도체와 상기 자성 소체의 합계 질량에 대한 상기 수지의 질량 비율이 0.5질량% 이상 3.0질량% 이하인 것을 특징으로 하는 적층 코일형 전자 부품.
KR1020180145921A 2017-12-27 2018-11-23 적층 코일형 전자 부품 KR102179495B1 (ko)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2017252185A JP7145610B2 (ja) 2017-12-27 2017-12-27 積層コイル型電子部品
JPJP-P-2017-252185 2017-12-27

Publications (2)

Publication Number Publication Date
KR20190079501A true KR20190079501A (ko) 2019-07-05
KR102179495B1 KR102179495B1 (ko) 2020-11-16

Family

ID=66950606

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
KR1020180145921A KR102179495B1 (ko) 2017-12-27 2018-11-23 적층 코일형 전자 부품

Country Status (5)

Country Link
US (1) US11302466B2 (ko)
JP (2) JP7145610B2 (ko)
KR (1) KR102179495B1 (ko)
CN (1) CN109979700B (ko)
TW (1) TWI684190B (ko)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP7074050B2 (ja) * 2018-12-28 2022-05-24 株式会社村田製作所 コイル部品
JP2020161760A (ja) * 2019-03-28 2020-10-01 太陽誘電株式会社 巻線型コイル部品及びその製造方法、並びに巻線型コイル部品を載せた回路基板
JPWO2021060479A1 (ko) * 2019-09-26 2021-04-01
JP7120202B2 (ja) * 2019-10-18 2022-08-17 株式会社村田製作所 インダクタおよびその製造方法
JP2021174935A (ja) * 2020-04-28 2021-11-01 Tdk株式会社 成形体、コアおよび電子部品
JP2022026524A (ja) * 2020-07-31 2022-02-10 太陽誘電株式会社 金属磁性粉末及びその製造方法、並びにコイル部品及び回路基板
JP2022057928A (ja) * 2020-09-30 2022-04-11 株式会社村田製作所 磁性成形体およびインダクタ
JP2022112728A (ja) * 2021-01-22 2022-08-03 Tdk株式会社 積層コイル部品およびその製造方法
JP7464029B2 (ja) 2021-09-17 2024-04-09 株式会社村田製作所 インダクタ部品
FR3130445A1 (fr) * 2021-12-14 2023-06-16 Stmicroelectronics (Grenoble 2) Sas Composant inductif et procédé de fabrication

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010098959A (ko) * 2000-04-28 2001-11-08 모리시타 요이찌 복합 자성체, 자성 소자 및 그 제조 방법
JP2012164959A (ja) * 2011-01-20 2012-08-30 Taiyo Yuden Co Ltd コイル部品
JP2012238840A (ja) 2011-04-27 2012-12-06 Taiyo Yuden Co Ltd 積層インダクタ
KR20130126737A (ko) * 2011-04-27 2013-11-20 다이요 유덴 가부시키가이샤 자성 재료 및 코일 부품
KR20160105324A (ko) * 2015-02-27 2016-09-06 다이요 유덴 가부시키가이샤 자성체 및 그것을 포함하는 전자 부품
KR20160117255A (ko) * 2015-03-31 2016-10-10 다이요 유덴 가부시키가이샤 자성체 및 그것을 포함하는 전자 부품

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2005101941A1 (ja) * 2004-03-30 2005-10-27 Geltec Co., Ltd. 電磁波吸収体
JP4134111B2 (ja) * 2005-07-01 2008-08-13 三菱製鋼株式会社 絶縁軟磁性金属粉末成形体の製造方法
JP4903101B2 (ja) * 2007-09-03 2012-03-28 三菱マテリアル株式会社 高比抵抗低損失複合軟磁性材とその製造方法
JP2009164402A (ja) 2008-01-08 2009-07-23 Fuji Electric Device Technology Co Ltd 圧粉磁心の製造方法
JP6081051B2 (ja) 2011-01-20 2017-02-15 太陽誘電株式会社 コイル部品
JP4795489B1 (ja) * 2011-01-21 2011-10-19 太陽誘電株式会社 コイル部品
JP4906972B1 (ja) 2011-04-27 2012-03-28 太陽誘電株式会社 磁性材料およびそれを用いたコイル部品
JP5769549B2 (ja) 2011-08-25 2015-08-26 太陽誘電株式会社 電子部品及びその製造方法
JP5082002B1 (ja) * 2011-08-26 2012-11-28 太陽誘電株式会社 磁性材料およびコイル部品
JP5960971B2 (ja) 2011-11-17 2016-08-02 太陽誘電株式会社 積層インダクタ
JP6166021B2 (ja) 2012-06-08 2017-07-19 太陽誘電株式会社 積層インダクタ
JP6385811B2 (ja) 2014-01-29 2018-09-05 アルプス電気株式会社 電子部品および電子機器
KR101616610B1 (ko) * 2014-03-12 2016-04-28 삼성전기주식회사 적층형 전자부품 및 그 제조방법
CN104036901B (zh) * 2014-05-28 2016-08-24 浙江大学 一种高磁导率低损耗金属软磁复合材料及其制备方法
KR101558095B1 (ko) 2014-06-24 2015-10-06 삼성전기주식회사 적층 전자부품
JP6384752B2 (ja) 2014-07-15 2018-09-05 日立金属株式会社 磁心およびそれを用いたコイル部品
WO2016056351A1 (ja) * 2014-10-10 2016-04-14 株式会社村田製作所 軟磁性材料粉末及びその製造方法、並びに、磁心及びその製造方法
JP2016143700A (ja) 2015-01-30 2016-08-08 東光株式会社 金属磁性材料及び電子部品
JP5954481B1 (ja) * 2015-02-02 2016-07-20 Tdk株式会社 軟磁性金属圧粉磁心、及び、リアクトル
JP6536381B2 (ja) * 2015-11-27 2019-07-03 株式会社オートネットワーク技術研究所 軟磁性粉末、磁性コア、軟磁性粉末の製造方法、および磁性コアの製造方法
JP6620643B2 (ja) * 2016-03-31 2019-12-18 Tdk株式会社 圧粉成形磁性体、磁芯およびコイル型電子部品
JP6683544B2 (ja) * 2016-06-15 2020-04-22 Tdk株式会社 軟磁性金属焼成体およびコイル型電子部品
CN109475934B (zh) * 2016-07-15 2021-09-28 同和电子科技有限公司 铁粉及其制造方法和前体的制造方法和电感器用成型体及电感器
CN114446565A (zh) * 2017-03-31 2022-05-06 松下知识产权经营株式会社 磁性粉体、复合磁性体及线圈部件
JP6963950B2 (ja) * 2017-09-22 2021-11-10 Ｄｏｗａエレクトロニクス株式会社 鉄粉およびその製造方法並びにインダクタ用成形体およびインダクタ

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR20010098959A (ko) * 2000-04-28 2001-11-08 모리시타 요이찌 복합 자성체, 자성 소자 및 그 제조 방법
JP2012164959A (ja) * 2011-01-20 2012-08-30 Taiyo Yuden Co Ltd コイル部品
JP2012238840A (ja) 2011-04-27 2012-12-06 Taiyo Yuden Co Ltd 積層インダクタ
KR20130126737A (ko) * 2011-04-27 2013-11-20 다이요 유덴 가부시키가이샤 자성 재료 및 코일 부품
KR20160105324A (ko) * 2015-02-27 2016-09-06 다이요 유덴 가부시키가이샤 자성체 및 그것을 포함하는 전자 부품
KR20160117255A (ko) * 2015-03-31 2016-10-10 다이요 유덴 가부시키가이샤 자성체 및 그것을 포함하는 전자 부품

Also Published As

Publication number Publication date
JP2019117898A (ja) 2019-07-18
JP7145610B2 (ja) 2022-10-03
CN109979700A (zh) 2019-07-05
KR102179495B1 (ko) 2020-11-16
TWI684190B (zh) 2020-02-01
US20190198210A1 (en) 2019-06-27
TW201929001A (zh) 2019-07-16
CN109979700B (zh) 2021-07-06
US11302466B2 (en) 2022-04-12
JP2022171894A (ja) 2022-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR102179495B1 (ko) 적층 코일형 전자 부품
KR101839204B1 (ko) 복합 페라이트 조성물 및 전자 부품
CN106158222B (zh) 磁性材料及线圈零件
CN111128505B (zh) 磁性体磁芯和线圈部件
JP2012238840A (ja) 積層インダクタ
KR20140012126A (ko) 자성 재료 및 그것을 이용한 코일 부품
TWI591662B (zh) Electronic parts, manufacturing method of electronic parts and electronic equipment
TWI679660B (zh) 線圈零件
CN107527701B (zh) 软磁性金属粉末、软磁性金属烧结体及线圈型电子部件
US20210304946A1 (en) Metal magnetic particle, inductor, method for manufacturing metal magnetic particle, and method for manufacturing metal magnetic core
KR101431954B1 (ko) 코일 부품 및 이의 제조방법
TWI591659B (zh) Dust core, electrical and electronic components and electrical and electronic machinery
WO2021060479A1 (ja) 軟磁性金属粉末、軟磁性金属焼成体、およびコイル型電子部品
JP2022162384A (ja) コイル型電子部品
US20220238265A1 (en) Multilayer coil device and method of manufacturing the same
JP7059314B2 (ja) 軟磁性金属粉末
JP2023136780A (ja) 軟磁性金属粒子、軟磁性金属粉末、磁性素体およびコイル型電子部品
JP4830259B2 (ja) 積層セラミック電子部品の製造方法
JP2021158359A (ja) 金属磁性粒子、インダクタ、金属磁性粒子の製造方法及び金属磁性体コアの製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
A201 Request for examination
E902 Notification of reason for refusal
E902 Notification of reason for refusal
E90F Notification of reason for final refusal
E701 Decision to grant or registration of patent right
GRNT Written decision to grant