CN109475934B - 铁粉及其制造方法和前体的制造方法和电感器用成型体及电感器 - Google Patents
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Abstract
【课题】提供复相对磁导率μ’大且具有充分小的tanδ的铁粉。【解决手段】将包含3价铁离子和含磷离子的酸性水溶液用碱水溶液中和,得到水合氧化物的沉淀物的浆料的工序、或将含磷离子添加至将包含3价铁离子的酸性水溶液用碱水溶液中和而得到的包含水合氧化物的沉淀物的浆料的工序之后,将硅烷化合物添加至得到的浆料,将硅烷化合物的水解产物被覆于水合氧化物的沉淀物,将该被覆后的水合氧化物的沉淀物进行固液分离并回收,对回收的沉淀物进行加热,得到被覆有硅氧化物的铁粒子后,溶解除去硅氧化物被覆的一部分或全部。
Description
技术领域
本发明涉及复相对磁导率的实部μ’高且损耗因子(tanδ)小的铁粉及被覆有硅氧化物的铁粉以及它们的制造方法。
背景技术
作为磁性体的铁系金属的粉末一直以来成型为压坯,用于电感器的磁芯。作为铁系金属的例子,已知有大量包含Si、B的Fe系非晶合金(专利文献1)、Fe-Si-Al系的铁硅铝磁性合金(sendust)、强磁性铁镍合金(permalloy)(专利文献2)等铁系合金的粉末、羰基铁粉(非专利文献1)等。另外,这些铁系金属粉与有机树脂复合化而制成涂料,也用于表面封装型的线圈部件的制造(专利文献2)。
作为电感器之一的电源系电感器近年来正进行高频化,要求能在100MHz以上的高频下使用的电感器。对于这种在100MHz以上使用的电源系电感器,需要在100MHz以上复相对磁导率的实部μ’高并且复相对磁导率的损耗因子tanδ(=μ”/μ’)小的材料。但是,通过雾化法制造的铁系金属粉在100MHz以上tanδ大,另外,非专利文献1中介绍的平均直径1.1μm的羰基铁粉在100MHz中的tanδ为0.03~0.04,作为高频用途不能说是充分的值。因此,现状是,无法得到满足在100MHz中高μ’且低tanδ这两者的材料。
现有技术文献
专利文献
专利文献1:日本特开2016-014162号公报
专利文献2:日本特开2014-060284号公报
专利文献3:国际公开第2008/149785号
专利文献4:日本特开昭60-011300号公报
非专利文献
非专利文献1:Yuichiro Sugawa等,12th MMM/INTERMAG CONFERENCE,CONTRIBUTED PAPER,HU-04,final manuscript.
发明内容
发明所要解决的课题
如上所述,要求满足适于在100MHz以上使用的电源系电感器用途的高μ’且低tanδ这两者的铁粉及其制造方法。一般的电源系电感器用途的金属粉的制造方法为雾化法,但能够制造的粒子的尺寸大,无法得到满足tanδ的金属粉。作为制造粒子尺寸小的金属粉的方法,一直以来已知有将通过湿式法制造的氧化铁粉还原而得到的、用于录像带等的涂布型磁记录介质的磁性粉的制造方法,但通过该制法制作的磁性粉为长宽比(轴比)大的针状结晶,长轴长度也为0.2μm左右,进而磁各向异性高,因此存在不能增大μ’这样的问题。在专利文献3中公开了通过湿式法制造长宽比小的氧化铁粉的方法,但预测通过该制造方法得到的氧化铁粉的平均粒径为数十nm左右,将其还原而得到的铁粉也是μ’低的铁粉。另外,在专利文献4中公开了对在磷酸根离子的存在下生成的氢氧化合物(オキシ水酸化物)结晶施予硅氧化物被覆之后进行还原以得到铁粒子的技术。用硅氧化物被覆铁粒子,这在降低涡电流损耗、使tanδ变小这方面有效果,但专利文献4所公开的技术由于使用针状的氢氧化合物作为晶种,因此得到的结晶仍为针状结晶,硅氧化物被覆的详细内容也不明。
也研究了通过对利用上述湿式法的铁粉的制造方法进行改良来制造平均粒径大的铁粉,但不能制作0.2μm以上的金属粉。也考虑了通过在高的温度下进行热处理来增大粒子尺寸的方法,但在这样的方法中,存在发生粒子的烧结、tanδ也增大这样的问题。
本发明鉴于上述问题点,目的在于,通过控制铁粉的平均粒径和平均轴比,提供μ’大且具有充分小的tanδ的铁粉和被覆有硅氧化物的铁粉以及它们的制造方法。
用于解决课题的手段
为了实现上述目的,在本发明中,提供一种包含平均粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子的铁粉、以及该铁粒子的表面用硅氧化物被覆而成的硅氧化物被覆铁粉。
上述铁粉优选利用Microtrac粒度分布测定装置测定的以体积基准计的累积50%粒径为1.2μm以下,也可以是利用Microtrac粒度分布测定装置测定的以体积基准计的累积90%粒径为2.0μm以下。
上述铁粉优选为对于将该铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为4以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下的铁粉。
另外,上述硅氧化物被覆铁粉优选为对于将该铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为2以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下的硅氧化物被覆铁粉。
另外,上述铁粉优选相对于铁粉的质量含有0.1质量%以上1.0质量%以下的P。
另外,上述硅氧化物被覆铁粉优选硅氧化物的被覆量相对于硅氧化物被覆铁粉整体的质量以硅计为15质量%以下,另外,优选相对于硅氧化物被覆铁粉整体的质量含有0.1质量%以上2.0质量%以下的P。
在本发明中,进一步提供包含平均粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且轴比为1.5以下的铁粒子的铁粉、以及该铁粉的表面用硅氧化物被覆而成的硅氧化物被覆铁粉的制造方法以及它们的前体的制造方法。
即,首先,提供铁粉和硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,其是对平均粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且轴比为1.5以下的铁粒子的表面实施硅氧化物被覆而成的硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,包括:将包含3价铁离子和选自磷酸根离子、亚磷酸根离子及次磷酸根离子中的一种以上的离子(以下称为含磷离子)的酸性水溶液用碱水溶液中和,得到水合氧化物的沉淀物的浆料的工序;将硅烷化合物添加至得到的浆料,将硅烷化合物的水解产物被覆于水合氧化物的沉淀物的工序;将被覆有上述硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行固液分离并回收的工序;和对回收的、被覆有硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行加热,得到被覆有硅氧化物的氧化铁粒子的工序。
在该前体的制造方法中,含磷离子可以在水合氧化物的沉淀物的生成后添加至水合氧化物的浆料,其后被覆硅烷化合物的水解产物。另外,含磷离子可以在水合氧化物的沉淀物的生成后,在被覆硅烷化合物的水解产物时,从硅烷化合物的添加开始到添加结束之间添加。
将通过上述制造方法得到的硅氧化物被覆氧化铁粉作为前体,在还原气氛下进行加热,由此可得到硅氧化物被覆铁粉。另外,得到的硅氧化物被覆铁粉优选对于将该硅氧化物被覆铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行加压成型而制作的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为2以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下。
予以说明,通过上述制造方法得到的硅氧化物被覆铁粉的化学活性高,因此优选通过后述的缓慢氧化处理进行稳定化。
可以将通过上述制造方法得到的硅氧化物被覆铁粉浸渍在碱水溶液中,将硅氧化物被覆部分地溶解而调节其被覆量。予以说明,将硅氧化物被覆的全部溶解时,可得到无硅氧化物被覆的铁粉。将硅氧化物被覆溶解而得到的铁粉优选依照用途进行破碎,破碎时优选使用喷射磨粉碎装置。
另外,在本发明中,提供使用上述的铁粉或硅氧化物被覆铁粉而形成的电感器用成型体以及电感器。
更具体而言,在本申请说明书中公开以下的发明。
[1]铁粉,其包含平均粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子。
[2]上述[1]中记载的铁粉,其中,上述铁粉中的P含量相对于上述铁粉的质量为0.1质量%以上1.0质量%以下。
[3]上述[1]或[2]中记载的铁粉,其中,利用Microtrac粒度分布测定装置测定的以体积基准计的累积50%粒径为1.2μm以下。
[4]上述[1]~[3]的任一项记载的铁粉,其中,利用Microtrac粒度分布测定装置测定的以体积基准计的累积90%粒径为2.0μm以下。
[5]上述[1]~[4]的任一项记载的铁粉,其中,上述铁粉是对于将该铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为4以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下的铁粉。
[6]硅氧化物被覆铁粉,其是上述[1]中记载的铁粒子的表面被硅氧化物被覆而成的。
[7]上述[6]中记载的硅氧化物被覆铁粉,其中,上述硅氧化物被覆铁粉是对于将该硅氧化物被覆铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为2以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下的硅氧化物被覆铁粉。
[8]上述[6]或[7]中记载的硅氧化物被覆铁粉,其中,硅氧化物的被覆量相对于硅氧化物被覆铁粉整体的质量以硅计为15质量%以下。
[9]上述[6]中记载的硅氧化物被覆铁粉,其中,P含量相对于硅氧化物被覆铁粉整体的质量为0.1质量%以上2.0质量%以下。
[10]硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,其是对平均粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子的表面实施硅氧化物被覆而成的硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,包括:
将包含3价铁离子和选自磷酸根离子、亚磷酸根离子及次磷酸根离子中的一种以上的离子(以下称为含磷离子)的酸性水溶液用碱水溶液中和,得到水合氧化物的沉淀物的浆料的工序;
将硅烷化合物添加至上述浆料,将硅烷化合物的水解产物被覆于上述水合氧化物的沉淀物的工序;
将被覆有上述硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行固液分离并回收的工序;和
对上述回收的、被覆有硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行加热,得到被覆有硅氧化物的氧化铁粉的工序。
[11]硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,其是对平均粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子的表面实施硅氧化物被覆而成的硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,包括:
将包含3价铁离子的酸性水溶液用碱水溶液中和,得到水合氧化物的沉淀物的浆料的工序;
将含磷离子添加至上述浆料的工序;
将硅烷化合物添加至包含添加了上述含磷离子的水合氧化物的沉淀物的浆料,将硅烷化合物的水解产物被覆于上述水合氧化物的沉淀物的工序;
将被覆有上述硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行固液分离并回收的工序;和
对上述回收的、被覆有硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行加热,得到被覆有硅氧化物的氧化铁粉的工序。
[12]硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,其是对平均粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子的表面实施硅氧化物被覆而成的硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,包括:
将包含3价铁离子的酸性水溶液用碱水溶液中和,得到水合氧化物的沉淀物的浆料的工序;
在将硅烷化合物添加至包含上述水合氧化物的沉淀物的浆料时,在从上述硅烷化合物的添加开始至添加结束之间进一步添加含磷离子,在含磷离子的存在下将硅烷化合物的水解产物被覆于上述水合氧化物的沉淀物的工序;
将被覆有上述硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行固液分离并回收的工序;和
对上述回收的、被覆有硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行加热,得到被覆有硅氧化物的氧化铁粉的工序。
[13]硅氧化物被覆铁粉的制造方法,其是对平均粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子的表面实施硅氧化物被覆而成的硅氧化物铁粉的制造方法,包括如下工序:
对通过上述[10]~[12]的任一项中记载的硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法得到的被覆有硅氧化物的氧化铁粉在还原气氛下进行加热。
[14]上述[13]中记载的硅氧化物被覆铁粉的制造方法,其中,对于上述硅氧化物被覆铁粉而言,对于将该硅氧化物被覆铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为2以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下。
[15]硅氧化物被覆铁粉的制造方法,其包括如下工序:将通过上述[13]中记载的硅氧化物被覆铁粉的制造方法得到的硅氧化物被覆铁粉浸渍在碱水溶液中,将硅氧化物被覆溶解,调节其被覆量。
[16]上述[15]中记载的硅氧化物被覆铁粉的制造方法,其中,上述硅氧化物被覆铁粉是对于将该硅氧化物被覆铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为2以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下的硅氧化物被覆铁粉。
[17]铁粉的制造方法,其是包含平均粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子的铁粉的制造方法,包括如下工序:将通过上述[13]~[16]的任一项中记载的硅氧化物被覆铁粉的制造方法得到的硅氧化物被覆铁粉浸渍在碱水溶液中,将硅氧化物被覆溶解。
[18]铁粉的制造方法,其包括如下工序:将通过上述[17]中记载的制造方法得到的铁粉破碎。
[19]上述[18]中记载的铁粉的制造方法,其中,利用喷射磨粉碎装置进行上述破碎。
[20]上述[18]或[19]中记载的铁粉的制造方法,其中,进行上述破碎,使得铁粉的利用Microtrac粒度分布测定装置测定的以体积基准计的累积50%粒径为1.2μm以下。
[21]上述[18]~[20]的任一项中记载的铁粉的制造方法,其中,进行上述破碎,使得铁粉的利用Microtrac粒度分布测定装置测定的以体积基准计的累积90%粒径为2.0μm以下。
[21]上述[17]~[21]的任一项中记载的铁粉的制造方法,其中,上述铁粉是对于将该铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为4以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下的铁粉。
[23]电感器用的成型体,其包含上述[1]~[5]的任一项中记载的铁粉。
[24]电感器用的成型体,其包含上述[6]~[9]的任一项中记载的硅氧化物被覆铁粉。
[25]使用了上述[1]~[5]的任一项中记载的铁粉的电感器。
[26]使用了上述[6]~[9]的任一项中记载的硅氧化物被覆铁粉的电感器。
发明效果
通过使用本发明的制造方法,能制造复相对磁导率的实部μ’高并且复相对磁导率的损耗因子(tanδ)小的铁粉和硅氧化物被覆铁粉。
附图说明
图1是从通过实施例1得到的硅氧化物被覆氧化铁粉除去了硅氧化物被覆的氧化铁粉的扫描型电子显微镜(SEM)照片。
图2是从通过比较例1得到的硅氧化物被覆氧化铁粉除去了硅氧化物被覆的氧化铁粉的扫描型电子显微镜(SEM)照片。
图3是通过实施例10得到的铁粉的扫描型电子显微镜(SEM)照片。
具体实施方式
在本发明中,在作为磁性体的铁粉的制造时,采用通过如下来得到目标铁粉的方法:利用生产率优异的湿式法,对将含三价铁离子的酸性水溶液用碱中和而得到的水合氧化物沉淀进行加热、脱水而制造前体的氧化铁粉,将该氧化铁粉还原。在雾化粉的制造时,为了产生高速气体或液流而需要压缩机等高压设备,在羰基铁粉的制造中,需要用于进行羰基铁粉的蒸馏或蒸发等的大规模设备,但在湿式法的情况下,不需要雾化粉或羰基铁粉的制造装置那样的大规模设备。
就通过湿式法得到的氧化铁粉的粒径分布而言,将硅烷化合物添加至包含通过中和反应生成的水合氧化物沉淀的浆料,使发生硅烷化合物的水解反应,利用水解产物被覆水合氧化物沉淀之后进行加热,由此进行某种程度的均匀化,但将氧化铁粉的粒径自身控制为所期望的值的方法是未知的。
该硅烷氧化物被覆自身在将氧化铁粉还原形成铁粉后也被覆着铁粉表面。因此,在对铁粉施予绝缘被覆而使用的用途(例如将铁粉作为压粉的成型体用于磁芯的用途等)中,可将该硅氧化物被覆直接使用作为绝缘被覆,不需要另外形成绝缘被覆,因此这一点也可列举作为本申请发明的优点之一。在不需要绝缘被覆的用途的情况下,在将氧化铁粉还原形成铁粉后,在除去该硅氧化物被覆之后供予使用。
予以说明,被覆有水合氧化物沉淀的硅烷化合物的水解产物通过继续的加热处理而进行脱水缩合变成为硅氧化物,但根据加热条件未必变化至化学计量组成的氧化硅(SiO2),有时形成硅烷化合物的水解产物的OH基的一部分残留,或者起因于硅烷化合物的有机基团一部分残留。在本发明中,将这些OH基或有机基团一部分残留、或包含起因于反应溶液的含磷离子的物质等总称并表现为硅氧化物。
依据本发明人等的预备研究,若使铁粒子的平均粒径增加,则与之相伴μ’变高。判定在用扫描型电子显微镜测定的铁粒子的平均粒径为0.25μm以上时,μ’成为2以上,成为能供予实用的值。另一方面,关于tanδ,氧化铁的平均粒径为1μm以上时,还原处理后的硅氧化物被覆铁粉的涡电流损耗变大,因此tanδ变大,故不优选。
发明人的详细研究的结果,发现:在生成上述的水合氧化物的沉淀物的过程中,在水溶液中使含磷离子共存,其后实施硅烷化合物的水解产物的被覆,或者在为了水解产物被覆而添加硅烷化合物期间添加含磷离子,其后通过烧成使氧化铁粒子生长,由此能控制硅氧化物被覆氧化铁粉中的氧化铁粉粒子的平均粒径。
作为含磷离子的共存形态,可以添加至包含作为反应的起始物质的三价Fe离子的酸性水溶液,将该溶液用碱中和,形成铁的水合氧化物的沉淀物;另外,可以将包含3价Fe离子的酸性水溶液用碱中和,形成铁的水合氧化物的沉淀物之后,将含磷离子添加至包含该沉淀物的浆料;进一步地,也可以在将硅烷化合物被覆于铁的水合氧化物的沉淀物期间,与硅烷化合物一起添加而使之共存,可为任一种方法。
对在含磷离子的共存下生成的铁的水合氧化物的沉淀物施予硅烷化合物的水解产物的被覆之后、或在添加硅烷化合物期间添加含磷离子而将硅烷化合物被覆于铁的水合氧化物的沉淀物之后实施加热处理时,与无含磷离子的共存的情形相比,可得到包含平均粒径大的氧化铁粉的硅氧化物被覆氧化铁粉,通过将该硅氧化物被覆氧化铁粉还原,最终可得到包含平均粒径大的铁粉的硅氧化物被覆铁粉。该硅氧化物被覆为了得到所期望的磁特性而可除去其一部分。另外,若将该硅氧化物被覆全部除去时,可得到无被覆的纯铁粉。
通过对在含磷离子的共存下生成的铁的水合氧化物的沉淀物施予硅烷化合物的水解产物的被覆之后实施加热处理从而加热处理后的铁氧化物的平均粒径增加的理由现在不明确,但认为起因于如下等理由:含磷离子吸附于沉淀物的表面而等电点变化,从而沉淀物的凝集状态变化,或者硅氧化物与含磷离子反应而硅氧化物被覆的物性变化。本发明是基于有关含磷离子添加这样的见解而完成的。
[铁粒子和前体]
通过本发明得到的铁粉和硅氧化物被覆铁粉中包含的磁性铁粒子为从其制造工艺除去不可避免地混入的杂质以外实质上纯的铁的粒子。关于铁粒子,优选其平均粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下。通过设为该平均粒径和平均轴比的范围,首次能兼具大的μ’和充分小的tanδ。如果平均粒径小于0.25μm,则μ’变小,故不优选。另外,如果平均粒径超过0.80μm,则伴随着涡电流损耗的增大,tanδ变高,故不优选。更优选地,平均粒径为0.30μm以上0.65μm以下,进一步更优选地,平均粒径为0.40μm以上0.65μm以下。关于平均轴比,如果超过1.5,则μ’因磁各向异性的增大而下降,故不优选。关于平均轴比,特别地不存在下限,通常可得到1.29以上的μ’。轴比的变差系数例如为0.10以上0.25以下。
作为本发明的硅氧化物被覆铁粉中的硅氧化物的被覆量,从抑制非磁性成分的比例以增大μ’的观点考虑,优选相对于硅氧化物被覆铁粉整体的质量为15质量%以下。
作为本发明的硅氧化物被覆铁粉中的P含量,相对于硅氧化物被覆铁粉整体的质量优选为0.1质量%以上2.0质量%以下,更优选为0.1质量%以上1.5质量%以下,进一步优选为0.2质量%以上1.0质量%以下。P的含有无助于磁特性改善,但只要为上述范围的含有就可允许。
作为本发明的铁粉中的P含量,相对于铁粉的质量优选设为0.1质量%以上1.0质量%以下,更优选为0.1质量%以上0.7质量%以下,进一步优选为0.15质量%以上0.4质量%以下。P的含有无助于磁特性改善,但只要为上述范围的含有就可允许。另外,本发明的铁粉中的铁的含量相对于铁粉的质量可设为例如75质量%以上95质量%以下。
予以说明,铁粒子被硅氧化物被覆,这意味着铁粒子的表面的至少一部分被硅氧化物被覆,作为被覆状态,除了铁粒子的全部表面被被覆的状态以外,也包括铁粒子的表面的一部分被被覆,而关于其它部分铁粒子的表面露出的状态。铁粒子的表面被硅氧化物被覆,这例如可利用SEM-EDX观察粒子表面、粒子剖面,进行元素分析来确认。
在本发明中,对于将硅氧化物被覆铁粉和双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’优选为2以上、更优选为3以上,复相对磁导率的损耗因子tanδ优选为0.025以下,更优选为0.015以下。μ’小于2时,以电感器为代表的电子部件的小型化效果变小,故不优选。在本发明中,μ’的上限没有特别规定。
另外,在本发明中,对于将铁粉和双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’优选为4以上,更优选为5以上,复相对磁导率的损耗因子tanδ优选为0.025以下,更优选为0.015以下。μ’小于4时,以电感器为代表的电子部件的小型化效果变得不充分,故不优选。
接着,对铁粉的使用Microtrac粒度分布测定装置测定的、以体积基准计的累积50%粒径进行说明。本说明书中,有时分别将利用Microtrac测定装置测定的体积基准的累积50%粒径记为D50,将利用Microtrac测定装置测定的体积基准的累积10%粒径记为D10,将利用Microtrac测定装置测定的体积基准的累积90%粒径记为D90。
通过本发明的制造方法得到的铁粉,为了实现作为课题的高μ’以及小的tanδ,将其平均粒径(平均一次粒径)控制为0.25μm以上0.8μm以下这样的比以往的铁粉小的范围。作为其结果,存在粒子的表面能变大,二次粒径成为数μm~数十μm的聚集体的倾向。
在将铁粉使用于电源系电感器用途等时,认为通过混合使用二次粒径大的铁粉和二次粒径小的铁粉,能提高铁粉的填充度。这是在混合时在二次粒径大的铁粉彼此的间隙中填塞二次粒径小的铁粉,由此提高填充度,铁粉的二次粒径变得重要。其中,作为二次粒径例如为10μm以上这样的大的铁粉,可采用公知的铁粉。但是,二次粒径例如如2μm以下那样小的铁粉以往难以得到,作为结果,将铁粉使用于电源系电感器用途等时的铁粉的填充度存在极限。如果得到二次粒径例如如2μm以下那样小的铁粉,则在将铁粉使用于电源系电感器用途等时,与以往相比能提高铁粉的填充度,因而优选。作为二次粒径小的铁粉,具体地,铁粉的D50优选为1.2μm以下,更优选为1.0μm以下。另外,作为铁粉的D90,优选为2.0μm以下,更优选为1.6μm以下。
[起始物质]
在本发明的制造方法中,使用包含3价Fe离子的酸性水溶液(以下称作原料溶液)作为前体的硅氧化物被覆氧化铁粉的起始物质。如果在使用了2价Fe离子代替3价Fe离子作为起始物质的情况下,作为沉淀物除了3价的铁的水合氧化物之外,还生成包含2价铁的水合氧化物、四氧化三铁(磁铁矿)等的混合物,最终得到的铁粒子的形状产生偏差,因此不能得到如本发明那样的铁粉和硅氧化物被覆铁粉。在此,酸性是指溶液的pH小于7。作为这些Fe离子供给源,从获取容易性和价格方面考虑,优选使用硝酸盐、硫酸盐、氯化物这样的水溶性无机酸盐。将这些Fe盐溶解在水中时,Fe离子水解,水溶液呈现酸性。将碱添加至包含该Fe离子的酸性水溶液以进行中和时,得到铁的水合氧化物的沉淀物。在此,铁的水合氧化物是由通式Fe2O3·nH2O表示的物质,在n=1时为FeOOH(羟基氧化铁),n=3时为Fe(OH)3(氢氧化铁)。
原料溶液中的Fe离子浓度在本发明中没有特别规定,优选为0.01mol/L以上1mol/L以下。小于0.01mol/L时,通过一次反应得到的沉淀物的量少,经济性方面不优选。Fe离子浓度超过1mol/L时,因发生急速的水合氧化物的沉淀,反应溶液容易凝胶化,故不优选。
[含磷离子]
本发明的制造方法的特征在于,在上述铁的水合氧化物的沉淀物生产时使含磷离子共存,或为了水解产物被覆而在添加硅烷化合物期间添加含磷离子,在任一情况下都在硅烷化合物被覆时在体系内共存有含磷离子。作为含磷离子的供给源,可使用磷酸、磷酸铵、磷酸Na以及它们的一氢盐、二氢盐等可溶性磷酸(PO4 3-)盐。在此,磷酸为三元酸,在水溶液中进行3段离解,因此在水溶液中可取得磷酸根离子、磷酸二氢根离子、磷酸氢根离子的存在形态,但其存在形态不由作为磷酸根离子的供给源而使用的试剂的种类而是由水溶液的pH决定,因此将包含上述磷酸基团的离子总称为磷酸根离子。另外,在本发明的情况下,作为磷酸根离子的供给源,也可使用属于缩合磷酸的二磷酸(焦磷酸)。另外,在本发明中,也可使用P的氧化数不同的亚磷酸根离子(PO3 3-)、次磷酸根离子(PO2 2-)代替磷酸根离子(PO4 3-)。将这些含磷(P)的氧化物离子总称而称为含磷离子。
添加至原料溶液的含磷离子的量以相对于原料溶液中包含的Fe总摩尔量的摩尔比(P/Fe比)计优选为0.003以上0.1以下。在P/Fe比小于0.003时,使硅氧化物被覆氧化铁粉中包含的氧化铁粉的平均粒径增大的效果不充分,P/Fe比超过0.1时,虽然原因不明确,但得不到使粒径增大的效果。更优选的P/Fe比的值为0.005以上0.05以下。
予以说明,如前所述,将含磷离子添加至原料溶液的期间,可以为在后述的中和处理前、中和处理后进行硅氧化物被覆之前、添加硅烷化合物之间中的任一者。
[中和处理]
在本发明的制造方法的第一实施方式中,一边利用公知的机械手段进行搅拌一边将碱添加至包含含磷离子的原料溶液,进行中和至其pH成为7以上13以下,生成铁的水合氧化物的沉淀物。中和后的pH小于7时,铁离子不作为铁的水合氧化物而沉淀,故不优选。中和后的pH超过13时,在工序的硅氧化物被覆工序中添加的硅烷化合物的水解快,硅烷化合物的水解产物的被覆变得不均匀,故仍不优选。
予以说明,在本发明的制造方法,在用碱中和包含含磷离子的原料溶液时,除了将碱添加至包含含磷离子的原料溶液的方法以外,也可以采用将包含含磷离子的原料溶液添加至碱的方法。
予以说明,本说明书中记载的pH值基于JIS Z8802,使用玻璃电极测定。作为pH标准液,是指由使用与测定的pH区域相应的合适的缓冲液而校正的pH计来测定的值。另外,本说明书中记载的pH是将利用温度补偿电极补偿了的pH计所示的测定值在反应温度条件下直接读取而得到的值。
作为用于中和的碱,可以为碱金属或碱土金属的氢氧化物、氨水、碳酸氢铵等铵盐中的任一者,优选使用最终进行热处理使铁的水合氧化物的沉淀物成为铁氧化物时杂质不易残留的氨水、碳酸氢铵。这些碱可以以固体添加至起始物质的水溶液,从确保反应均匀性的观点考虑,优选以水溶液的状态添加。
中和反应结束后,一边搅拌包含沉淀物的浆料一边在其pH保持5min~24h,使沉淀物熟化。
在本发明的制造方法中,中和处理时的反应温度没有特别规定,优选设为10℃以上90℃以下。反应温度小于10℃或超过90℃时,考虑温度调整所需的能力成本时,不优选。
在本发明的制造方法的第二实施方式中,一边利用公知的机械手段进行搅拌一边将碱添加至原料溶液,进行中和至其pH成为7以上13以下而生成了铁的水合氧化物的沉淀物之后,在使沉淀物熟化的过程中将含磷离子添加至包含沉淀物的浆料。含磷离子的添加时期可以为沉淀物刚生成之后,也可以为熟化的中途。
予以说明,第二实施方式中的沉淀物的熟化时间和反应温度与第一实施方式的熟化时间和反应温度相同。
在本发明的制造方法的第三实施方式中,一边利用公知的机械手段进行搅拌一边将碱添加至原料溶液,进行中和至其pH成为7以上13以下而生成了铁的水合氧化物的沉淀物之后,使沉淀物熟化。关于含磷离子的添加时期,将在后描述。
[利用硅烷化合物的水解产物的被覆]
在本发明的制造方法中,对直至上述的工序中生成的铁的水合氧化物的沉淀物施予硅烷化合物的水解产物的被覆。作为硅烷化合物的水解产物的被覆法,优选应用所谓的溶胶-凝胶法。
在溶胶-凝胶法的情况下,向铁的水合氧化物的沉淀物的浆料添加具有水解基的硅化合物,例如四乙氧基硅烷(TEOS)、四甲氧基硅烷(TMOS)、各种硅烷偶联剂等硅烷化合物,在搅拌下引起水解反应,利用生成的硅烷化合物的水解产物来被覆铁的水合氧化物的沉淀物的表面。另外,此时,也可以添加酸催化剂、碱催化剂,考虑处理时间时,优选添加这些催化剂。作为代表例,在酸催化剂中为盐酸,在碱催化剂中为氨。在使用酸催化剂的情况下,需要止于铁的水合氧化物的沉淀物不溶解的量的添加。
予以说明,代替利用硅烷化合物的水解产物的被覆,也可利用属于无机的硅化合物的硅酸钠(水玻璃)的被覆。
装入原料溶液的3价铁离子的总摩尔数与滴加至浆料的硅化合物中包含的Si的总摩尔数的比(Si/Fe比)优选为0.05以上0.5以下。Si/Fe比小于0.05时,担心硅氧化物被覆变得不完全,Si/Fe超过0.5时,属于非磁性成分的硅氧化物增大,因此μ’下降。更优选的Si/Fe比的值为0.1以上0.4以下,进一步更优选的Si/Fe比的值为0.15以上0.4以下。
予以说明,关于利用硅烷化合物的水解产物的被覆的具体方法可设为与公知工艺中的溶胶-凝胶法同样。例如,作为利用溶胶-凝胶法的硅烷化合物的水解产物被覆的反应温度,为20℃以上60℃以下,作为反应时间,为1h以上20h以下左右。
在本发明的制造方法的第三实施方式中,向通过上述的中和后的熟化得到的包含铁的水合氧化物的沉淀物的浆料,在从具有上述的水解基的硅化合物的添加开始至添加结束之间同时添加含磷离子。含磷离子的添加时期可以与具有水解基的硅化合物的添加开始同时,或与添加结束同时。
[沉淀物的回收]
从通过上述工序得到的浆料分离被覆有硅烷化合物的水解产物的铁的水合氧化物的沉淀物。作为固液分离手段,可使用过滤、离心分离、倾析法等公知的固液分离手段。固液分离时,也可以添加絮凝剂进行固液分离。继而,优选将进行固液分离而得到的被覆有硅烷化合物的水解产物的铁的水合氧化物的沉淀物洗净后,再次进行固液分离。洗净方法可使用碎浆(リパルプ)洗净等公知的洗净手段。对最终回收的被覆有硅烷化合物的水解产物的铁的水合氧化物的沉淀物施予干燥处理。予以说明,该干燥处理的目的在于除去附着于沉淀物的水分,可以在水的沸点以上的110℃左右的温度进行。
[加热处理]
在本发明的制造方法中,通过对被覆有上述硅烷化合物的水解产物的铁的水合氧化物的沉淀物进行加热处理,得到作为硅氧化物被覆铁粉的前体的硅氧化物被覆氧化铁粉。加热处理的气氛中没有特别规定,可以为大气气氛。加热可在约500℃以上1500℃以下的范围进行。加热处理温度小于500℃时,粒子无法充分生长,故不优选。超过1500℃时,引起必要以上的粒子生长、粒子的烧结,故不优选。加热时间可以在10min~24h的范围进行调整。通过该加热处理,铁的水合氧化物变为铁氧化物。加热处理温度优选为800℃以上1250℃以下,更优选为900℃以上1150℃以下。予以说明,该热处理时,被覆铁的水合氧化物的沉淀的硅烷化合物的水解产物也变为硅氧化物。该硅氧化物被覆也具有防止铁的水合氧化物沉淀彼此在加热处理时的烧结的作用。
[还原热处理]
在本发明的制造方法中,通过对上述工序中得到的作为前体的硅氧化物被覆氧化铁粉在还原气氛中进行热处理,可得到作为最终目标物的硅氧化物被覆铁粉。作为形成还原气氛的气体,可举出氢气或氢气与非活性气体的混合气体。还原热处理的温度可设为300℃以上1000℃以下的范围。还原热处理的温度小于300℃时,氧化铁的还原变得不充分,故不优选。超过1000℃时,还原的效果饱和。加热时间可以在10~120min的范围进行调整。
[稳定化处理]
通常,通过还原热处理得到的铁粉由于其表面在化学方面非常活性,因此大多实施利用缓慢氧化的稳定化处理。通过本发明的制造方法得到的铁粉虽然其表面被化学上非活性的硅氧化物被覆着,但有时表面的一部分也未被被覆,因此优选实施稳定化处理,在铁粉表面的露出部形成氧化保护层。作为稳定化处理的顺序,可列举以下的手段作为一例。
将还原热处理后的硅氧化物被覆铁粉所暴露的气氛从还原气氛置换成非活性气体气氛后,一边慢慢增大该气氛中的氧浓度,一边在20~200℃、更优选在60~100℃下使上述露出部的氧化反应进行。作为非活性气体,可应用选自稀有气体和氮气中的一种以上的气体成分。作为含氧气体,可使用纯氧气体或空气。可以与含氧气体一起导入水蒸气。将硅氧化物被覆铁粉保持于20~200℃、优选60~100℃时的氧浓度最终设为0.1~21体积%。含氧气体的导入可以连续或间歇地进行。更优选在稳定化工序的初期阶段,将氧浓度为1.0体积%以下的时间保持为5.0min以上。
[硅氧化物被覆的溶解处理]
在上述的利用硅烷化合物的水解产物的被覆处理中,最终得到的硅氧化物被覆的被覆量的控制略微欠缺严密性,因此可将稳定化处理后的硅氧化物被覆铁粉浸渍在碱溶液中,调节硅氧化物被覆的被覆量。硅氧化物被覆其自身为非磁性的物质,因此通过将硅氧化物被覆一部分溶解,硅氧化物被覆铁粉的磁特性提高。另外,将该硅氧化物被覆全部除去时,可得到无被覆的纯的铁粉。
作为硅氧化物被覆的被覆量,优选相对于硅氧化物被覆铁粉整体的质量为15质量%以下。超过15质量%时,非磁性的硅氧化物被覆占有的比例变大,磁导率μ’下降,故不优选。
予以说明,在本发明的情况下,硅氧化物被覆铁粉中的P含量相对于硅氧化物被覆铁粉整体的质量为0.1质量%以上2.0质量%以下的情况下,可得到良好的结果。这暗示硅氧化物被覆的物性因P的共存而变化,最终得到的铁粒子的粒径变化。
硅氧化物被覆铁粉的组成中,关于Fe和P,将铁粉溶解后利用ICP发光分光分析法求出,关于Si,利用重量法求出。
作为用于溶解处理的碱水溶液,可使用氢氧化钠溶液、氢氧化钾溶液、氨水等工业上使用的通常的碱水溶液。若考虑处理时间等,处理液的pH优选为10以上,处理液的温度优选为60℃以上沸点以下。
[破碎]
可以将通过硅氧化物被覆的溶解处理得到的铁粉破碎。通过进行破碎,能减小铁粉的利用Microtrac测定装置的体积基准的累积50%粒径。作为破碎手段,可采用珠磨机等那样的利用使用了介质的粉碎装置的方法、喷射磨那样利用无介质的粉碎装置的方法等公知的方法。在利用使用了介质的粉碎装置的方法的情况下,得到的铁粉的粒子形状变形而轴比变大,其结果,可能产生在之后工序中制作成型体时的铁粉的填充度下降、磁粉的磁特性劣化等不良情况,因此优选采用无介质的粉碎装置,特别优选使用喷射磨粉碎装置进行破碎。在此,所谓喷射磨粉碎装置,是指将粉碎对象物或混合了粉碎对象物和液体而成的浆料利用高压气体喷射而使其与碰撞板等碰撞的方式的粉碎装置。将不使用液体而使粉碎对象物以高压气体喷射的类型称作干式喷射磨粉碎装置,将使用混合了粉碎对象物和液体而成的浆料的类型称作湿式喷射磨粉碎装置。作为使该粉碎对象物或混合了粉碎对象物和液体而成的浆料碰撞的对象物,可以没有撞击板等静置物,也可以采用使利用高压气体而喷射的粉碎对象物彼此或混合了粉碎对象物和液体而成的浆料彼此碰撞的方法。
另外,作为在使用湿式喷射磨粉碎装置进行破碎时的液体,可采用纯水、乙醇等普通的分散剂,优选使用乙醇。
在将湿式喷射磨粉碎装置用于破碎的情况下,得到经破碎的铁粉和分散介质的混合物即破碎处理后的浆料,使该浆料中的分散介质干燥,由此可得到经破碎的铁粉。作为干燥方法,可采用公知的方法,作为气氛,可以为大气。不过,从防止铁粉的氧化的观点考虑,优选进行氮气、氩气、氢气等非氧化性气氛下的干燥或真空干燥。另外,为了加快干燥速度,优选加热至例如100℃以上进行干燥。予以说明,在将干燥后得到的铁粉再与乙醇混合而进行Microtrac粒度分布测定的情况下,能几乎再现上述破碎处理后的浆料中的铁粉的D50。即,在干燥前后,铁粉的D50不变化。
[粒径]
构成硅氧化物被覆铁粉的铁粒子的粒径以及构成硅氧化物被覆氧化铁粉的氧化铁粒子的粒径分别使用10质量%氢氧化钠水溶液将硅氧化物被覆溶解·除去后,利用扫描型电子显微镜(SEM)观察来求得。
硅氧化物的溶解除去通过如下进行:将硅氧化物被覆铁粉或硅氧化物被覆氧化铁粉放入60℃的10质量%氢氧化钠水溶液中,搅拌24h后,进行过滤、水洗和干燥。予以说明,上述氢氧化钠水溶液的量相对于硅氧化物被覆铁粉或硅氧化物被覆氧化铁粉5g设为0.8L的比例。
在硅氧化物的溶解除去后进行SEM观察,对于某个粒子,将包围该粒子的最小圆的直径定为该粒子的粒径(长径)。具体而言,在以3000倍~30000倍左右的倍率拍摄的SEM照片中,随机选择300个外缘部整体可观察到的粒子,测定其粒径,将其平均值设为构成硅氧化物被覆铁粉的铁粒子以及构成硅氧化物被覆氧化铁粉的氧化铁粒子的平均粒径。予以说明,通过该测定得到的粒径为一次粒径。
[轴比]
对于SEM图像上的某个粒子,将在与上述“长径”垂直的方向上测得的最长部分的长度成为“短径”,将长径/短径之比称作该粒子的“轴比”。作为粉末的平均的轴比的“平均轴比”可如下那样地规定。利用SEM观察,对随机选择的300个粒子测定“长径”和“短径”,将关于测定对象的全部粒子的长径的平均值和短径的平均值分别设为“平均长径”和“平均短径”,将平均长径/平均短径之比规定为“平均轴比”。关于长径、短径、轴比的每个,可算出变差系数作为表示其偏差的大小的指标。
[磁特性]
使用VSM(东英工业株式会社制VSM-P7),在施加磁场795.8kA/m(10kOe)下测定B-H曲线,对矫顽力Hc、饱和磁化σs、矩形比SQ进行了评价。
[复磁导率]
将铁粉或硅氧化物被覆铁粉和双酚F型环氧树脂(株式会社テスク制;单液性环氧树脂B-1106)以90:10的质量比例称量,使用真空搅拌·脱泡混合机(EME株式会社制;V-mini300)将它们混炼,制得试样粉末分散在环氧树脂中而成的糊膏。将该糊膏在热板上在60℃下干燥2h,形成金属粉末与树脂的复合体后,破解成粉末状,形成复合体粉末。将该复合体粉末0.2g放入圆环(甜甜圈)状的容器内,利用手压机施加9800N(1吨)的负载,由此得到外径7mm、内径3mm的环形形状的成型体。对该成型体,使用RF阻抗/材料分析仪(アジレント·テクノロジー株式会社制;E4991A)和测试夹具(アジレント·テクノロジー株式会社制;16454A),测定100MHz中的复相对磁导率的实部μ’和虚部μ”,求得复相对磁导率的损耗因子tanδ=μ”/μ’。
使用本发明的铁粉制造的成型体显示优异的复磁导率特性,可合适地用于电感器的磁芯等的用途。
[BET比表面积]
BET比表面积使用株式会社マウンテック制的Macsorb model-1210,利用BET单点法求出。
[Microtrac粒度分布测定]
对于铁粉的利用Microtrac测定装置的体积基准的累积50%粒径以及累积90%粒径的测定,使用マイクロトラック·ベル株式会社制的Microtrac粒度分布测定装置MT3300EXII。予以说明,作为放入测定装置的试样循环器的液体,使用乙醇。另外,作为混合了铁粉与乙醇或纯水而成的浆料的形态,在即将供给之前将该浆料搅拌至以目视看不到不均匀的部位的程度后供给至测定装置。
实施例
[实施例1]
在5L反应槽中,在纯水4113.24g中将纯度99.7mass%的硝酸铁(III)九水合物566.47g、作为含磷离子供给源的85mass%H3PO4 1.39g在大气气氛中、一边利用搅拌叶片机械搅拌一边溶解。(步骤1)该溶解液的pH为约1。予以说明,该条件下,P/Fe比为0.0086。
在大气气氛中,将该装入溶解液在30℃条件下一边利用搅拌叶片机械搅拌一边历时10min添加23.47mass%的氨溶液409.66g(约40g/min),滴加结束后持续搅拌30min,进行生成的沉淀物的熟化。此时,包含沉淀物的浆料的pH为约9(步骤2)。
一边搅拌步骤2中得到的浆料,一边在大气中30℃下历时10min滴加纯度95.0mass%的四乙氧基硅烷(TEOS)55.18g。其后在该状态下持续搅拌20小时,用因水解而生成的硅烷化合物的水解产物将沉淀物被覆(步骤3)。予以说明,该条件下,Si/Fe比为0.18。
过滤步骤3中得到的浆料,尽可能地去除得到的用硅烷化合物的水解产物被覆的沉淀物的水分之后,再次分散在纯水中,进行碎浆洗净。再次过滤洗净后的浆料,将得到的滤饼在大气中110℃下干燥(步骤4)。
将在步骤4中得到的干燥品使用箱型烧成炉,在大气中1050℃下进行加热处理,得到了硅氧化物被覆氧化铁粉(步骤5)。从在步骤5中得到的硅氧化物被覆氧化铁粉采取试样,利用上述方法除去硅氧化物被覆后,进行SEM观察,测定了氧化铁粉的平均粒径和平均轴比。分别在图1中示出SEM观察结果,在表1中示出原料溶液的装入条件等制造条件,在表2中示出测定结果。予以说明,SEM照片的右侧下部表示的11条白色纵线所示的长度为1.00μm(图2也相同)。
将在步骤5中得到的硅氧化物被覆氧化铁粉放入可通气的桶中,将该桶装入贯通型还原炉内,一边使氢气在炉内流动一边在630℃保持40min,由此实施了还原热处理(步骤6)。
接着,将炉内的气氛气体从氢转变为氮,在使氮气流动的状态下将炉内温度以降温速度20℃/min下降至80℃。其后,作为进行稳定化处理的初期的气体,向炉内导入以氮气/空气的体积比例为125/1的方式将氮气与空气混合的气体(氧浓度约0.17体积%),使金属粉末粒子表层部的氧化反应开始,其后使空气的混合比例慢慢地增大,最后向炉内连续导入氮气/空气的体积比例成为25/1的混合气体(氧浓度约0.80体积%),由此在粒子的表层部形成了氧化保护层。稳定化处理中,温度维持在80℃,气体的导入流量也保持几乎恒定(步骤7)。
对于通过以上的一系列步骤得到的硅氧化物被覆铁粉,进行了磁特性、BET比表面积、铁粒子的粒径和复磁导率的测定。将测定结果一并示于表2。
至实施例1的步骤5得到的氧化铁粉的平均粒径为0.59μm,平均轴比为1.35,将其还原时得到平均粒径为0.54μm、平均轴比为1.34的铁粉。另外,实施例1中得到的硅氧化物被覆铁粉的μ’为4.38,tanδ为0.014,与后述的铁的水合氧化物的沉淀物生成时含磷离子不共存的比较例1中得到的硅氧化物被覆铁粉的μ’为1.61、tanδ为0.413相比,为良好的值,作为本发明的制造方法的特征的含磷离子共存的效果是明确的。
另外,使用本发明的铁粉制造的成型体呈现优异的复磁导率特性,因此可知作为电感器的磁芯是合适的。
[实施例2~5]
Fe(III)离子的添加量不改变,改变了P/Fe比和Si/Fe比,除此以外,通过与实施例1相同的步骤得到了硅氧化物被覆氧化铁粉和硅氧化物被覆铁粉。将得到的氧化铁粉的平均粒径和平均轴比以及硅氧化物被覆铁粉的磁特性、BET比表面积和复磁导率示于表2。在所有实施例中,μ’和tanδ的值都优于比较例的那些。予以说明,在以下的实施例和比较例中,Fe(III)离子的添加量相同。
[实施例6]
在原料溶液中不添加含磷离子,在熟化开始后10min的时刻添加磷酸,其后进行20min的熟化,除此以外,通过与实施例1相同的步骤得到了硅氧化物被覆氧化铁粉和硅氧化物被覆铁粉。将得到的氧化铁粉的SEM观察结果示于图2,将平均粒径和平均轴比以及硅氧化物被覆铁粉的磁特性、BET比表面积和复磁导率示于表1。本实施例中得到的硅氧化物被覆铁粉的μ’为4.38,tanδ为0.016,优于比较例的那些,判明即使在铁的水合氧化物的沉淀的熟化的中途添加含磷离子也可得到本发明的效果。
[比较例1]
在原料溶液中不添加含磷离子,除此以外,通过与实施例1相同的步骤得到了硅氧化物被覆氧化铁粉和硅氧化物被覆铁粉。将得到的氧化铁粉的SEM观察结果示于图2,将平均粒径和平均轴比以及硅氧化物被覆铁粉的磁特性、BET比表面积和复磁导率示于表1。本比较例中得到的硅氧化物被覆铁粉的μ’为1.61,tanδ为0.413,差于各实施例的那些。
[实施例7~10]
作为实施例7,将在与实施例1同样的条件下制作的硅氧化物被覆铁粉浸渍在5质量%、60℃的氢氧化钠水溶液中1h,将硅氧化物被覆的一部分溶解。其结果,硅氧化物被覆铁粉的Si含量从实施例1的7.72质量%减少至4.15质量%,磁导率μ’从4.38增加至5.83,但tanδ的值几乎不变。实施例8是将实施例7的碱水溶液替换成10质量%的氢氧化钠水溶液的结果,Si含量进一步减少至2.73质量%,磁导率μ’增加至6.63。实施例9是将在与实施例4同样的条件下制作的硅氧化物被覆铁粉的硅氧化物被覆的一部分溶解的结果,仍与实施例1相比,随着Si含量的减少,磁导率μ’增加。
实施例10是在与实施例9同样的条件下将在碱水溶液中的浸渍时间设为24小时的结果。该情况下,硅氧化物被覆全部溶解,磁导率μ’为6.55,tanδ的值为0.015。
予以说明,将实施例10中得到的铁粉的SEM观察结果示于图3。该情况下,SEM照片的右侧下部表示的11条白色纵线所示的长度为10.0μm。在构成实施例10中得到的铁粉的铁粒子的粒径和轴比的测定中,使用图3的SEM照片。
[实施例11]
在45L反应槽中,在纯水35.84kg中将纯度99.7mass%的硝酸铁(III)九水合物4.96kg、85mass%H3PO4 0.02kg在大气气氛中、一边利用搅拌叶片机械搅拌一边溶解。(步骤8)该溶解液的pH为约1。予以说明,该条件下,P/Fe比为0.0173。
在大气气氛中,将该装入溶解液在30℃条件下一边利用搅拌叶片机械搅拌一边历时10min添加22.50mass%的氨溶液3.74kg(约0.37kg/min),滴加结束后持续搅拌30min,进行生成的沉淀物的熟化。此时,包含沉淀物的浆料的pH为约9(步骤9)。
一边搅拌步骤9中得到的浆料,一边在大气中30℃下历时10min滴加纯度95.0mass%的四乙氧基硅烷(TEOS)0.97kg。其后在该状态下持续搅拌20小时,用因水解而生成的硅烷化合物的水解产物将沉淀物被覆(步骤10)。予以说明,该条件下,Si/Fe比为0.36。
过滤步骤10中得到的浆料,尽可能地去除得到的用硅烷化合物的水解产物被覆的沉淀物的水分之后,再次分散在纯水中,进行碎浆洗净。再次过滤洗净后的浆料,将得到的滤饼在大气中110℃下干燥(步骤11)。
将在步骤11中得到的干燥品使用箱型烧成炉,在大气中1045℃下进行加热处理,得到了硅氧化物被覆氧化铁粉(步骤12)。
将在步骤12中得到的硅氧化物被覆氧化铁粉放入可通气的桶中,将该桶装入贯通型还原炉内,一边使氢气在炉内流动一边在630℃保持40min,由此实施了还原热处理(步骤13)。
接着,将炉内的气氛气体从氢转变为氮,在使氮气流动的状态下将炉内温度以降温速度20℃/min下降至80℃。其后,作为进行稳定化处理的初期的气体,向炉内导入以氮气/空气的体积比例为125/1的方式将氮气与空气混合的气体(氧浓度约0.17体积%),使金属粉末粒子表层部的氧化反应开始,其后使空气的混合比例慢慢地增大,最后向炉内连续导入氮气/空气的体积比例成为25/1的混合气体(氧浓度约0.80体积%),由此在粒子的表层部形成了氧化保护层。稳定化处理中,温度维持在80℃,气体的导入流量也保持几乎恒定(步骤14)。
将步骤14中得到的硅氧化物被覆铁粉放入60℃的20质量%氢氧化钠水溶液中,搅拌24h后,进行过滤、水洗和氮气中110℃下干燥2h。上述氢氧化钠水溶液的量相对于硅氧化物被覆铁粉56g设为3.2L的比例。
对于通过以上的一系列步骤得到的铁粉,进行了磁特性、BET比表面积、铁粒子的粒径和复磁导率的测定。将测定结果一并示于表2。
另外,将得到的铁粉与乙醇混合,形成铁粉乙醇混合浆料,在超声波分散器施加5min后,利用Microtrac粒度分布测定装置(マイクロトラック·ベル株式会社制MT3300EXII)进行了体积基准的粒径的测定,结果,D10为0.71μm,D50为1.60μm,D90为4.49μm。予以说明,在Microtrac粒度分布测定时,在即将将铁粉乙醇混合浆料供给至测定装置之前,搅拌至以目视看不到不均匀的部位的程度后供给至测定装置。
[实施例12]
将通过与实施例11同样的步骤制作的铁粉和乙醇混合,制作了铁粉的含有比例为10质量%的铁粉乙醇混合浆料。使用喷射磨粉碎装置(リックス株式会社制的纳米微粒化装置G-smasher LM-1000)将该铁粉乙醇混合浆料破碎,得到破碎处理后的浆料。予以说明,破碎时,将铁粉乙醇混合浆料的供给速度设为100ml/min,将空气压力设为0.6MPa,重复5次破碎处理。对于得到的破碎处理后的浆料,用Microtrac粒度分布测定装置(マイクロトラック·ベル株式会社制MT3300EXII)测定了体积基准的粒径,结果D10为0.51μm,D50为0.83μm,D90为1.42μm。予以说明,作为放入Microtrac粒度分布测定装置的试样循环器的液体,使用了乙醇。另外,在Microtrac粒度分布测定时,在即将将破碎处理后的浆料供给至测定装置之前搅拌至以目视看不到不均匀的部位的程度后供给至测定装置。将破碎处理后的浆料在氮气中100℃下干燥2h,得到了实施例12涉及的铁粉。对于得到的铁粉,进行了磁特性、BET比表面积、铁粒子的粒径和复磁导率的测定。将测定结果一并示于表2。将得到的铁粉和乙醇混合进行Microtrac粒度分布测定,结果,几乎再现了破碎处理后的浆料中的铁粉的D50。
[实施例13]
将通过与实施例11同样的步骤制作的铁粉和纯水混合,制作了铁粉的含有比例为10质量%的铁粉纯水混合浆料。使用喷射磨粉碎装置(リックス株式会社制的纳米微粒化装置G-smasher LM-1000)将该浆料破碎,得到破碎处理后的浆料。予以说明,破碎时,将铁粉纯水混合浆料的供给速度设为100ml/min,将空气压力设为0.6MPa,重复5次破碎处理。对于得到的破碎处理后的浆料,用Microtrac粒度分布测定装置(マイクロトラック·ベル株式会社制MT3300EXII)测定了体积基准的粒径,结果D10为0.66μm,D50为1.13μm,D90为1.85μm。予以说明,作为放入Microtrac粒度分布测定装置的试样循环器的液体,使用了乙醇。另外,在Microtrac粒度分布测定时,在即将将破碎处理后的浆料供给至测定装置之前搅拌至以目视看不到不均匀的部位的程度后供给至测定装置。将破碎处理后的浆料在氮气中100℃下干燥2h,得到了实施例13涉及的铁粉。对于得到的铁粉,进行了磁特性、BET比表面积、铁粒子的粒径和复磁导率的测定。将测定结果一并示于表2。将得到的铁粉和乙醇混合进行Microtrac粒度分布测定,结果,几乎再现了破碎处理后的浆料中的铁粉的D50。
由实施例11的结果可知,在没有进行利用喷射磨粉碎装置的破碎的情况下,即使进行了铁粉的超声波分散处理,D50仍大至1.6μm,不能得到D50为1.2μm以下的铁粉,而在进行了利用喷射磨粉碎装置的破碎的实施例12和13中,可使D50减小至1.2μm以下。另外,可知在进行利用湿式喷射磨粉碎装置的破碎时,通过使与粉碎对象物混合的液体为乙醇,与使与粉碎对象物混合的液体为水的情形相比,可减小D50。
[比较例2]
作为比较例2,将通过与比较例1同样的条件制作的硅氧化物被覆铁粉浸渍在10质量%、60℃的氢氧化钠水溶液中24h,将硅氧化物被覆全部溶解。本比较例中得到的铁粉的μ’的值为3.42,tanδ的值为0.064,差于实施例10的那些。
[实施例14]
代替磷酸H3PO4,溶解了纯度98质量%的磷酸三钠Na3PO4十二水合物4.68g,除此以外,通过与实施例1同样的步骤得到了硅氧化物被覆铁粉。予以说明,该条件下的P/Fe比为0.0086。将原料溶液的装入条件等制造条件示于表1。对于得到的硅氧化物被覆铁粉,通过与实施例1同样的步骤进行了磁特性、BET比表面积、铁粒子的粒径和复磁导率的测定。将测定结果示于表2。
实施例14中得到的硅氧化物被覆铁粉的铁粒子的平均粒径为0.39μm,平均轴比为1.32。另外,实施例14中得到的硅氧化物被覆铁粉的μ’为3.53,tanδ为0.008。
[实施例15]
代替磷酸H3PO4,溶解了纯度99质量%的焦磷酸四钠Na4P2O7十水合物2.72g,除此以外,通过与实施例1同样的步骤得到了硅氧化物被覆铁粉。予以说明,该条件下的P/Fe比为0.0086。将原料溶液的装入条件等制造条件示于表1。对于得到的硅氧化物被覆铁粉,通过与实施例1同样的步骤进行了磁特性、BET比表面积、铁粒子的粒径和复磁导率的测定。将测定结果示于表2。
实施例15中得到的硅氧化物被覆铁粉的铁粒子的平均粒径为0.31μm,平均轴比为1.29。另外,实施例15中得到的硅氧化物被覆铁粉的μ’为3.35,tanδ为0.004。
[实施例16]
作为含磷离子,代替磷酸H3PO4,溶解了纯度97质量%的亚磷酸H3PO3 1.02g,除此以外,通过与实施例1同样的步骤得到了硅氧化物被覆铁粉。予以说明,该条件下的P/Fe比为0.0086。将原料溶液的装入条件等制造条件示于表1。对于得到的硅氧化物被覆铁粉,通过与实施例1同样的步骤进行了磁特性、BET比表面积、铁粒子的粒径和复磁导率的测定。将测定结果示于表2。
实施例16中得到的硅氧化物被覆铁粉的铁粒子的平均粒径为0.45μm,平均轴比为1.31。另外,实施例16中得到的硅氧化物被覆铁粉的μ’为4.35,tanδ为0.023。
[实施例17]
在原料溶液中不添加含磷离子,在TEOS滴加开始后5min的时刻添加磷酸,除此以外,通过与实施例1同样的步骤得到了硅氧化物被覆铁粉。予以说明,该条件下的P/Fe比为0.0086。将原料溶液的装入条件等制造条件示于表1。对于得到的硅氧化物被覆铁粉,通过与实施例1同样的步骤进行了磁特性、BET比表面积、铁粒子的粒径和复磁导率的测定。将测定结果示于表2。
实施例17中得到的硅氧化物被覆铁粉的铁粒子的平均粒径为0.46μm,平均轴比为1.37。另外,实施例17中得到的硅氧化物被覆铁粉的μ’为4.70,tanδ为0.024。
作为参考例,将市售的FeSiCr系雾化粉的磁特性、BET比表面积和复磁导率一并示于表2。
Claims (24)
1.铁粉,其包含平均一次粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子,其中,上述铁粉中的P含量相对于上述铁粉的质量为0.1质量%以上0.78质量%以下,对于将该铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为4以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下,
平均一次粒径是指在以3000倍~30000倍的倍率拍摄的SEM照片中随机选择的300个外缘部整体可观察到的粒子的长径的平均值,长径规定为包围该粒子的最小圆的直径,
平均轴比是指利用SEM观察随机选择的300个粒子的平均长径/平均短径之比,平均长径和平均短径分别为关于测定对象的全部粒子的长径的平均值和短径的平均值,短径为在与长径垂直的方向上测得的最长部分的长度。
2.权利要求1所述的铁粉,其中,利用Microtrac粒度分布测定装置测定的以体积基准计的累积50%粒径为1.2μm以下。
3.权利要求1所述的铁粉,其中,利用Microtrac粒度分布测定装置测定的以体积基准计的累积90%粒径为2.0μm以下。
4.硅氧化物被覆铁粉,其是权利要求1所述的铁粒子的表面被硅氧化物被覆而成的。
5.权利要求4所述的硅氧化物被覆铁粉,其中,上述硅氧化物被覆铁粉是对于将该硅氧化物被覆铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为2以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下的硅氧化物被覆铁粉。
6.权利要求4所述的硅氧化物被覆铁粉,其中,硅氧化物的被覆量相对于硅氧化物被覆铁粉整体的质量以硅计为15质量%以下。
7.权利要求4所述的硅氧化物被覆铁粉,其中,P含量相对于硅氧化物被覆铁粉整体的质量为0.1质量%以上2.0质量%以下。
8.硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,其是对平均一次粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子的表面实施硅氧化物被覆而成的硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,包括:
将包含3价铁离子和含磷离子的酸性水溶液用碱水溶液中和,得到水合氧化物的沉淀物的浆料的工序;
将硅烷化合物添加至上述浆料,将硅烷化合物的水解产物被覆于上述水合氧化物的沉淀物的工序;
将被覆有上述硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行固液分离并回收的工序;和
对上述回收的、被覆有硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行加热,得到被覆有硅氧化物的氧化铁粉的工序,
上述含磷离子为选自磷酸根离子、亚磷酸根离子及次磷酸根离子中的一种以上的离子,
平均一次粒径是指在以3000倍~30000倍的倍率拍摄的SEM照片中随机选择的300个外缘部整体可观察到的粒子的长径的平均值,长径规定为包围该粒子的最小圆的直径,
平均轴比是指利用SEM观察随机选择的300个粒子的平均长径/平均短径之比,平均长径和平均短径分别为关于测定对象的全部粒子的长径的平均值和短径的平均值,短径为在与长径垂直的方向上测得的最长部分的长度。
9.硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,其是对平均一次粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子的表面实施硅氧化物被覆而成的硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,包括:
将包含3价铁离子的酸性水溶液用碱水溶液中和,得到水合氧化物的沉淀物的浆料的工序;
将含磷离子添加至上述浆料的工序;
将硅烷化合物添加至包含添加了上述含磷离子的水合氧化物的沉淀物的浆料,将硅烷化合物的水解产物被覆于上述水合氧化物的沉淀物的工序;
将被覆有上述硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行固液分离并回收的工序;和
对上述回收的、被覆有硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行加热,得到被覆有硅氧化物的氧化铁粉的工序,
上述含磷离子为选自磷酸根离子、亚磷酸根离子及次磷酸根离子中的一种以上的离子,
平均一次粒径是指在以3000倍~30000倍的倍率拍摄的SEM照片中随机选择的300个外缘部整体可观察到的粒子的长径的平均值,长径规定为包围该粒子的最小圆的直径,
平均轴比是指利用SEM观察随机选择的300个粒子的平均长径/平均短径之比,平均长径和平均短径分别为关于测定对象的全部粒子的长径的平均值和短径的平均值,短径为在与长径垂直的方向上测得的最长部分的长度。
10.硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,其是对平均一次粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子的表面实施硅氧化物被覆而成的硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法,包括:
将包含3价铁离子的酸性水溶液用碱水溶液中和,得到水合氧化物的沉淀物的浆料的工序;
在将硅烷化合物添加至包含上述水合氧化物的沉淀物的浆料时,在从上述硅烷化合物的添加开始至添加结束之间进一步添加含磷离子,在含磷离子的存在下将硅烷化合物的水解产物被覆于上述水合氧化物的沉淀物的工序;
将被覆有上述硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行固液分离并回收的工序;和
对上述回收的、被覆有硅烷化合物的水解产物的水合氧化物的沉淀物进行加热,得到被覆有硅氧化物的氧化铁粉的工序,
上述含磷离子为选自磷酸根离子、亚磷酸根离子及次磷酸根离子中的一种以上的离子,
平均一次粒径是指在以3000倍~30000倍的倍率拍摄的SEM照片中随机选择的300个外缘部整体可观察到的粒子的长径的平均值,长径规定为包围该粒子的最小圆的直径,
平均轴比是指利用SEM观察随机选择的300个粒子的平均长径/平均短径之比,平均长径和平均短径分别为关于测定对象的全部粒子的长径的平均值和短径的平均值,短径为在与长径垂直的方向上测得的最长部分的长度。
11.硅氧化物被覆铁粉的制造方法,其是对平均一次粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子的表面实施硅氧化物被覆而成的硅氧化物被覆铁粉的制造方法,包括如下工序:
对通过权利要求8~10中任一项所述的硅氧化物被覆铁粉的前体的制造方法得到的被覆有硅氧化物的氧化铁粉在还原气氛下进行加热,
平均一次粒径是指在以3000倍~30000倍的倍率拍摄的SEM照片中随机选择的300个外缘部整体可观察到的粒子的长径的平均值,长径规定为包围该粒子的最小圆的直径,
平均轴比是指利用SEM观察随机选择的300个粒子的平均长径/平均短径之比,平均长径和平均短径分别为关于测定对象的全部粒子的长径的平均值和短径的平均值,短径为在与长径垂直的方向上测得的最长部分的长度。
12.权利要求11所述的硅氧化物被覆铁粉的制造方法,其中,对于上述硅氧化物被覆铁粉而言,对于将该硅氧化物被覆铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为2以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下。
13.硅氧化物被覆铁粉的制造方法,其包括如下工序:将通过权利要求11所述的硅氧化物被覆铁粉的制造方法得到的硅氧化物被覆铁粉浸渍在碱水溶液中,将硅氧化物被覆溶解,调节其被覆量。
14.权利要求13所述的硅氧化物被覆铁粉的制造方法,其中,上述硅氧化物被覆铁粉是对于将该硅氧化物被覆铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为2以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下的硅氧化物被覆铁粉。
15.铁粉的制造方法,其是包含平均一次粒径为0.25μm以上0.80μm以下并且平均轴比为1.5以下的铁粒子的铁粉的制造方法,包括如下工序:将通过权利要求13所述的硅氧化物被覆铁粉的制造方法得到的硅氧化物被覆铁粉浸渍在碱水溶液中,将硅氧化物被覆溶解,
平均一次粒径是指在以3000倍~30000倍的倍率拍摄的SEM照片中随机选择的300个外缘部整体可观察到的粒子的长径的平均值,长径规定为包围该粒子的最小圆的直径,
平均轴比是指利用SEM观察随机选择的300个粒子的平均长径/平均短径之比,平均长径和平均短径分别为关于测定对象的全部粒子的长径的平均值和短径的平均值,短径为在与长径垂直的方向上测得的最长部分的长度。
16.铁粉的制造方法,其包括如下工序:将通过权利要求15所述的制造方法得到的铁粉破碎。
17.权利要求16所述的铁粉的制造方法,其中,利用喷射磨粉碎装置进行上述破碎。
18.权利要求16所述的铁粉的制造方法,其中,进行上述破碎,使得铁粉的利用Microtrac粒度分布测定装置测定的以体积基准计的累积50%粒径为1.2μm以下。
19.权利要求16所述的铁粉的制造方法,其中,进行上述破碎,使得铁粉的利用Microtrac粒度分布测定装置测定的以体积基准计的累积90%粒径为2.0μm以下。
20.权利要求15所述的铁粉的制造方法,其中,上述铁粉是对于将该铁粉与双酚F型环氧树脂以9:1的质量比例混合、进行了加压成型的成型体,在100MHz中测定的复相对磁导率的实部μ’为4以上、复相对磁导率的损耗因子tanδ为0.025以下的铁粉。
21.电感器用的成型体,其包含权利要求1所述的铁粉。
22.电感器用的成型体,其包含权利要求4所述的硅氧化物被覆铁粉。
23.使用了权利要求1所述的铁粉的电感器。
24.使用了权利要求4所述的硅氧化物被覆铁粉的电感器。
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