JP7404788B2 - Ｌｃ複合部品 - Google Patents

Description

本発明は、ＬＣ複合部品に関する。

携帯電話機、無線ＬＡＮ通信機器等の無線通信機器に用いられる電子部品には、近年さらなる小型化、高性能化が求められている。特許文献１には、インダクタと、キャパシタと、磁性層と、基板とを備え、該基板、該磁性層及び該インダクタが特定の位置関係に配置され、該基板が所定の厚み及び複素透磁率を有するＬＣ複合部品が開示されている。

特開２０１６－００６８４７号公報

しかしながら、特許文献１に開示されるＬＣ複合部品は、ＬＣ複合部品の挿入損失特性の点でさらなる改善の余地がある。

そこで本発明は、挿入損失特性がより向上したＬＣ複合部品を提供することを目的とする。

本発明の一側面は、非磁性基板と、磁性を有する磁性層と、１つ以上のキャパシタと、１つ以上のインダクタと、磁性を有する１つ以上のコア部と、を備え、上記非磁性基板が、第１の面と、上記第１の面とは反対側の第２の面とを有し、上記磁性層が、上記非磁性基板の第１の面に対向するように配置され、上記１つ以上のインダクタ、及び、上記１つ以上のキャパシタが上記非磁性基板の第１の面と上記磁性層との間に配置され、上記コア部が、上記非磁性基板の第１の面と上記磁性層との間に配置されて上記磁性層に接続され、上記非磁性基板の第１の面に垂直な方向について、上記コア部の厚みが上記磁性層の厚みに対して１．０倍以上であり、上記磁性層及び上記コア部が、磁性金属粒子及び樹脂を含む、ＬＣ複合部品に関する。

一態様において、磁性金属粒子の平均長軸径は、１２０ｎｍ以下であってよい。

一態様において、磁性金属粒子の平均アスペクト比は、１．２～６であってよい。

一態様において、磁性層及びコア部の飽和磁化は、９０ｅｍｕ／ｇ以上であってよい。

一態様において、磁性金属粒子は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群より選択される少なくとも１種を主成分として含んでよい。

一態様において、磁性金属粒子のアスペクト比のＣＶ値は、０．４以下であってよい。

本発明によれば、挿入損失特性がより向上したＬＣ複合部品が提供される。

本発明の一実施形態に係るＬＣ複合部品の構成を示す斜視図である。 本発明の一実施形態に係るＬＣ複合部品の構成を示す断面図である。 本発明の一実施形態に係るＬＣ複合部品の誘電体層の構造を説明するための説明図である。 本発明の一実施形態に係るＬＣ複合部品の誘電体層の構造を説明するための説明図である。 本発明の一実施形態に係るＬＣ複合部品の回路構成を示す回路図である。 第１の実施例のＬＣ複合部品における挿入損失の周波数特性を示す特性図である。 第５の実施例のＬＣ複合部品における挿入損失の周波数特性を示す特性図である。 第１の比較例のＬＣ複合部品における挿入損失の周波数特性を示す特性図である。

以下、本発明の好適な実施形態について説明する。ただし、本発明は以下の実施形態に限定されるものではない。

（ＬＣ複合部品）
図１及び図２を参照して、本発明の本実施形態に係るＬＣ複合部品について説明する。図１は、本実施形態に係るＬＣ複合部品１の構成を示す斜視図である。図２は、本実施形態に係るＬＣ複合部品の構成を示す断面図である。

ＬＣ複合部品１は、非磁性基板２１と、磁性を有する磁性層２２と、インダクタ１１、１２、１７と、キャパシタ１３～１６と、磁性を有するコア部２３，２４と、誘電積層体３７と、を備えている。

図１及び図２に示すように、非磁性基板２１は、第１の面２１ａと、第１の面とは反対側の第２の面２１ｂとを有する平板である。非磁性基板２１の材料の例は、樹脂、セラミックス、ガラス、非磁性フェライトである。非磁性基板２１の第１の面２１ａに垂直な方向についての厚みは２０～２００μｍとすることができる。

磁性層２２は、第１の面２２ａ及び第２の面２２ｂを有する平板であり、第２の面２２ｂが非磁性基板２１の第１の面２１ａに対向するように配置されている。なお、本明細書において磁性とは、強磁性又はフェリ磁性を意味する。磁性層２２の材料については後述する。

誘電積層体３７は、非磁性基板２１の第１の面２１ａと、磁性層２２（第２の面２２ｂ）との間に配置されている。誘電積層体３７は、図２に示すように積層された複数の誘電体層３１～３６を有する。それぞれの誘電体層３１～３６は、誘電体材料を含む。誘電体材料の例は、樹脂、セラミックスである。樹脂の例は、ポリイミド樹脂、ベンゾシクロブテン樹脂、ビスマレイミド・トリアジン樹脂（ＢＴレジン）、エポキシ樹脂、アクリル樹脂であり、セラミックスの例は、シリコンナイトライド、アルミナである。

ＬＣ複合部品１は、直方体形状をなしており、上面１ｔ、底面１ｂ、及び、４つの側面１ｓを有している。本実施形態では、ＬＣ複合部品１の上面１ｔは、非磁性基板２１の第２の面２１ｂによって構成されている。また、ＬＣ複合部品１の底面１ｂは、磁性層２２の第１の面２２ａによって構成されている。ＬＣ複合部品１は、例えば、ＬＣ複合部品１の底面１ｂ、すなわち、磁性層２２の第１の面２２ａが実装基板の上面と対向するように実装基板に実装される。

インダクタ１１、１２、１７、キャパシタ１３～１６、及び、コア部２３，２４は、非磁性基板２１の第１の面２１ａと磁性層２２の第２の面２２ｂとの間、すなわち、誘電積層体３７内に配置されている。本実施形態では、各キャパシタ１３～１６は、第１の面２１ａに垂直な方向から見たときに他のインダクタ１１，１２、１７と重ならない位置に配置されている。インダクタ及びキャパシタ用の導体部の材料の例は、Ｃｕ、Ａｌ、Ａｇである。インダクタ及びキャパシタの詳細については後述する。

コア部２３，２４はそれぞれ柱形状を有し、インダクタ１１，１２のコイル構造の軸にそれぞれ配置されている。コア部２３，２４は、磁性層２２に接続されている。本明細書において「コア部２３，２４は、磁性層２２に接続されている」とは、コア部２３，２４と、磁性層２２とが直接接続（接触）されている態様及びコア部２３，２４と、磁性層２２とが直接接続されていないものの、例えば、０．１～１０μｍ程度の厚みの非磁性（誘電体など）層を介して磁気的に接続されている態様の両方を指す。図２においては、コア部２３，２４は、磁性層２２と接触している。コア部の材料については後述する。図２では、コア部２３，２４と非磁性基板２１との間に非磁性（誘電体など）層が介在するが、コア部２３，２４と非磁性基板２１とが接触していてもよい。

図２に示すように、非磁性基板２１の第１の面２１ａに垂直な方向についてのコア部２３，２４の厚みをＴ１とし、非磁性基板２１の第１の面２１ａに垂直な方向についての磁性層２２の厚みをＴ２とすると、コア部２３，２４の厚みＴ１は、磁性層２２の厚みＴ２に対して、１．０倍以上であり、２．０倍以上であることが好ましく、３．０倍以上であることがより好ましい。コア部２３，２４の厚みＴ１は、磁性層２２の厚みＴ２に対して、１０倍以下であってよい。
これにより、ＬＣ複合部品におけるカットオフ周波数未満での挿入損失を低減でき、また、カットオフ周波数超での挿入損失を増加させることができる。この理由として、インダクタコアの損失を抑えつつインダクタのインダクタンスが大きくなっていることによりインダクタにおける損失が低減されることが考えられる。

コア部２３及び２４の厚みは、特に制限されないが、例えば、得られるＬＣ複合部品の形状が実用的であり、又、生産しやすいため、３０～２００μｍであってよく、１００～１５０μｍであることが好ましい。なお、コア部２３及び２４の厚みは、インダクタ１１及び１２のコイル構造の軸方向長さ以上とされることが好適である。

ＬＣ複合部品１のインダクタ１１，１２がそれぞれコア部２３，２４を備えることにより、ＬＣ複合部品１のインダクタ１１，１２がコア部を備えない場合と比較して、当該インダクタのインダクタンスを大きくすることが可能となる。

（磁性層及びコア部の材料）
磁性層２２並びにコア部２３及び２４は、樹脂及び磁性を有する磁性金属粒子を含む。

本実施形態において、磁性金属粒子の粒径に特に限定はない。磁性金属粒子の平均長軸径が１２０ｎｍ以下であることが好ましい。

これを満たすことにより、カットオフ周波数未満でのＬＣ複合部品の挿入損失が抑制され易くなる一方、カットオフ周波数超での挿入損失を高め易くなる。
この理由として、例えば、磁性金属粒子の平均長軸径が１２０ｎｍ以下であると、磁性層２２並びにコア部２３及びコア部２４における磁性金属粒子の充填性が向上し、高い透磁率を得ることによりインダクタのインダクタンスを大きくすることができ、同時にインダクタコアの渦電流が抑制できることが一因と考えられる。
磁性金属粒子の平均長軸径が１２０ｎｍを超える場合には、磁性金属粒子の多磁区化により磁壁共鳴の損失が増加し、インダクタコアの渦電流損失が増加することが考えられる。

同様の観点から、磁性金属粒子の平均長軸径は、１００ｎｍ以下であることがより好ましく、８０ｎｍ以下であることが更に好ましい。本実施形態において、磁性金属粒子の平均長軸径は、３０ｎｍ以上であってよい。同様の観点から、磁性金属粒子の平均長軸径は、４０ｎｍ以上であることが好ましい。また、磁性金属粒子４の平均短軸径は、例えば、５～５０ｎｍ程度であり、７～３０ｎｍであることができる。

磁性金属粒子の平均アスペクト比は、１．２～６であることが好ましい。本実施形態において、平均アスペクト比は、磁性金属粒子の長軸径の短軸径に対する比（アスペクト比）の平均値である。
平均アスペクト比が１．２未満であると、形状異方性が小さくなりすぎて、自然共鳴周波数がかなり小さくなり、自然共鳴によるインダクタコアにおける損失が大きくなる事が寄与する可能性がある。また、アスペクト比が６超となると、形状異方性が大きくなりすぎることと充填性悪化による密度低下のため、透磁率が小さくなり、インダクタのインダクタンスを大きくしにくくなる事も寄与する可能性がある。

同様の観点から、磁性金属粒子の平均アスペクト比は、１．３以上であること、４以下であることが好ましく、１．５以上であること、３以下であることも好ましい。さらに、アスペクト比は２以上であることも好ましい。

本実施形態において、磁性金属粒子のアスペクト比のＣＶ値は、０．４以下であってよい。ＣＶは、変動係数を示し、以下の式から求められる。
変動係数（ＣＶ）＝標準偏差値／平均値

磁性金属粒子のアスペクト比のＣＶ値が０．４以下であることにより、反磁界係数のばらつきを抑えることができる。自然共鳴周波数は反磁界係数の差（短軸－長軸）に比例することから、結果として自然共鳴周波数のばらつきを抑え、自然共鳴ピークの線幅を狭くすることができる。このため、自然共鳴によるインダクタコアにおける損失を低減しつつ、インダクタのインダクタンスを大きくすることができ、ＬＣ複合部品のカットオフ周波数未満において挿入損失を低くし、カットオフ周波数超における挿入損失を高くすることができる。同様の観点から、磁性金属粒子のアスペクト比のＣＶ値は０．３以下であることが好ましい。磁性金属粒子のアスペクト比のＣＶ値は０．１０以上であることができる。

磁性金属粒子は、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群より選択される少なくとも１種を主成分として含むことが好ましく、Ｆｅ及びＣｏからなる群より選択される少なくとも１種を主成分として含むことがより好ましい。本明細書において、主成分とは、５０質量％以上を占める成分を言う。磁性金属粒子が高い飽和磁化を有するＦｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群より選択される少なくとも１種を主成分として含むことで、磁性層２２並びにコア部２３及び２４が高い透磁率を有することができる。磁性金属粒子は、Ｆｅ、Ｆｅ及びＣｏ、又は、Ｆｅ及びＮｉを主成分として含有することが好ましく、Ｆｅ、又は、Ｆｅ及びＣｏを主成分として含有することがより好ましく、Ｆｅ及びＣｏを主成分として含有することが特に好ましい。磁性金属粒子が高い飽和磁化を有するＦｅ、Ｆｅ及びＣｏ、又は、Ｆｅ及びＮｉを主成分として含有することで、磁性層２２並びにコア部２３及び２４が高い透磁率を有することができる。磁性層２２並びにコア部２３及び２４は、それぞれ異なる磁性金属粒子を含有していてもよく、同一の磁性金属粒子を含有していてもよい。主成分とは最大重量比を有する成分である。このような組成により、自然共鳴周波数の高周波化も可能となる。

磁性金属粒子は、金属中心部と金属中心部を被覆する酸化金属膜とを備えることができる。金属中心部は導電性を有するが、酸化金属膜は絶縁性を有する。磁性金属粒子が酸化金属膜を有することにより、磁性金属粒子間の絶縁性が得られ、粒子間での過電流発生に伴う磁気損失を低減することができる。

磁性金属粒子において、金属中心部は、磁性金属粒子に含まれる上述の元素を金属（０価）として含有する。金属中心部は、酸化金属膜に被覆されているため、大気中においても酸化せずに存在できる。金属中心部は、Ｆｅ、Ｆｅ－Ｎｉ合金、又は、Ｆｅ－Ｃｏ合金であることが好ましく、Ｆｅ－Ｎｉ合金、又は、Ｆｅ－Ｃｏ合金であることがより好ましく、Ｆｅ－Ｃｏ合金であることが更に好ましい。金属中心部が、Ｆｅ、Ｆｅ－Ｎｉ合金、又は、Ｆｅ－Ｃｏ合金である場合、磁性金属粒子の飽和磁化が向上することで高い透磁率となる。磁性金属粒子において、酸化金属膜は、磁性金属粒子に含まれる元素を酸化物として含有する。

本実施形態において、磁性層２２並びにコア部２３及び２４中の磁性金属粒子の体積割合はそれぞれ、例えば、３０～６０体積％であってよく、４０～５０体積％であることが好ましい。磁性金属粒子の体積割合が３０体積％以上であると、磁性層２２並びにコア部２３及び２４において、所望の磁気特性が得られやすくなる。磁性金属粒子の割合が６０体積％以下であると、加工時のハンドリングがしやすくなる。なお、本願明細書において、磁性層２２並びにコア部２３及び２４中の体積割合は、空隙を除いた磁性層２２並びにコア部２３及び２４に占める割合である。

樹脂は、電気絶縁性を有する樹脂（絶縁性樹脂）であり、磁性層２２並びにコア部２３及び２４では磁性金属粒子間にあってこれらを結合し、更に磁性金属粒子間の絶縁性の向上が可能な材料である。絶縁性樹脂としては、例えば、シリコーン樹脂、フェノール樹脂、アクリル樹脂及びエポキシ樹脂、並びに、これらの硬化物等が挙げられる。これらは１種を単独で用いてもよいし、２種以上を組み合わせて用いてもよい。また、必要に応じてカップリング剤、分散剤等の表面処理剤、熱安定剤、可塑剤等の添加剤等を用いてもよい。

本実施形態において、磁性層２２並びにコア部２３及び２４中の樹脂の体積割合はそれぞれ、例えば、４０～７０体積％であってよく、５０～６０体積％であることが好ましい。樹脂の体積割合が４０体積％以上であると、磁性金属粒子間の絶縁性及び結合力が得られやすくなる。樹脂の体積割合が７０体積％以下であると、磁性金属粒子による特性を磁性層２２並びにコア部２３及び２４においても発揮しやすくなる。

磁性層２２並びにコア部２３及び２４の飽和磁化は、特に制限されないが、例えば、９０ｅｍｕ／ｇ以上であってよい。飽和磁化が９０ｅｍｕ／ｇ以上であることにより、磁性層２２並びにコア部２３及び２４の透磁率を向上させることができる。また、自然共鳴周波数の高周波数化が可能となる。同様の観点から、飽和磁化は、１００ｅｍｕ／ｇ以上であることが好ましく、１１０ｅｍｕ／ｇ以上であることがより好ましい。飽和磁化は、２００ｅｍｕ／ｇ以下であってよい。

図３及び図４を参照して、誘電積層体３７、キャパシタ１３～１６、及び、インダクタ１１，１２，１７の詳細な構成について説明する。本実施形態では、ＬＣ複合部品１の誘電積層体３７は、６つの誘電体層３１、３２、３３、３４、３５及び３６を備えている。誘電体層３１～３６は、非磁性基板２１と磁性層２２との間に配置され、非磁性基板２１の第１の面２１ａ側からこの順に配置されている。誘電体層３１～３６は、それぞれ、非磁性基板２１の第１の面２１ａと同じ方向に向いた第１の面と、非磁性基板２１の第２の面２１ｂと同じ方向に向いた第２の面とを有している。なお、図３及び図４では、コア部２３及び２４を省略している。

図３における（ａ）は、誘電体層３１の第１の面を示している。誘電体層３１の第１の面には、インダクタ１１用の導体部３１１及びインダクタ１２用の導体部３１２と、キャパシタ１３，１４用の導体部３１３、キャパシタ１５用の導体部３１５及びキャパシタ１６用の導体部３１６と、端子用導体部３１Ｔ１、３１Ｔ２、３１Ｔ３及び３１Ｔ４とが形成されている。なお、図３の（ａ）は、誘電体層３１の第２の面側から上記の複数の導体部を見た状態で表している。上記の複数の導体部の、図３の（ａ）における配置は以下の通りである。インダクタ１１用の導体部３１１は、左右方向の中心よりも左側の領域に配置されている。インダクタ１２用の導体部３１２は、左右方向の中心よりも右側の領域に配置されている。キャパシタ１６用の導体部３１６は、インダクタ１１用の導体部３１１とインダクタ１２用の導体部３１２との間に配置されている。キャパシタ１３，１４用の導体部３１３は、インダクタ１１用の導体部３１１及び３１２、並びに、キャパシタ１６用の導体部３１６の下側の位置に配置されている。キャパシタ１５用の導体部３１５は、キャパシタ１３，１４用の導体部３１３の下側の位置に配置されている。端子用導体部３１Ｔ１は、左下の角部の近傍に配置されている。端子用導体部３１Ｔ２は、右下の角部の近傍に配置されている。端子用導体部３１Ｔ３は、左上の角部の近傍に配置されている。端子用導体部３１Ｔ４は、右上の角部の近傍に配置されている。

キャパシタ１３，１４用の導体部３１３は、インダクタ１１用の導体部３１１及びインダクタ１２用の導体部３１２、並びに、キャパシタ１６用の導体部３１６の各一端に接続されている。図３の（ａ）では、２つの導体部の境界を点線で示している。これ以降の説明で使用する図３の（ａ）と同様の図においても、図３の（ａ）と同様の表し方により示している。インダクタ１１用の導体部３１１及びインダクタ１２用の導体部３１２は、いずれも、その一端から他端に向けて環状に延びる線状の導体部である。

図３における（ｂ）は、誘電体層３２の第１の面を示している。誘電体層３２の第１の面には、キャパシタ１３用の導体部３２３、キャパシタ１４用の導体部３２４、キャパシタ１５用の導体部３２５Ａ、３２５Ｂ及びキャパシタ１６用の導体部３２６が形成されている。なお、図３の（ｂ）は、誘電体層３２の第２の側から上記複数の導体部を見た状態で示している。上記複数の導体部の図３の（ｂ）における配置は、以下の通りである。すなわち、キャパシタ１６用の導体部３２６は、左右方向のほぼ中央の位置に配置されている。キャパシタ１３用の導体部３２３及びキャパシタ１４用の導体部３２４は、キャパシタ１６用の導体部３２６の下側の位置において、左側からこの順に配置されている。キャパシタ１５用の導体部３２５Ａ及び３２５Ｂは、キャパシタ１３用の導体部３２３及びキャパシタ１４用の導体部３２４の下側の位置において、左側からこの順に配置されている。

キャパシタ１３用の導体部３２３及びキャパシタ１４用の導体部３２４は、誘電体層３２を介して、図３の（ａ）に示したキャパシタ１３，１４用の導体部３１３に対向している。図５におけるキャパシタ１３は、キャパシタ１３，１４用の導体部３１３及びキャパシタ１３用の導体部３２３と、これらの間に位置する誘電体層３２の一部とによって構成されている。図５におけるキャパシタ１４は、キャパシタ１３，１４用の導体部３１３及びキャパシタ１４用の導体部３２４と、これらの間に位置する誘電体層３２の一部とによって構成されている。また、キャパシタ１５用の導体部３２５Ａ及び３２５Ｂは、誘電体層３２を介して、図３の（ａ）に示したキャパシタ１５用の導体部３１５に対向している。図５におけるキャパシタ１５は、キャパシタ１５用の導体部３１５、３２５Ａ及び３２５Ｂと、これらの間に位置する誘電体層３２の一部とによって構成されている。また、キャパシタ１６用の導体部３２６は、誘電体層３２を介して、図３の（ａ）に示したキャパシタ１６用の導体部３２６に対向している。図５におけるキャパシタ１６は、キャパシタ１６用の導体部３１６及び３２６と、これらの間に位置する誘電体層３２の一部とによって構成されている。

ＬＣ複合部品１は、誘電体層３２及び３３を貫通する導体部３３Ｖ１、３３Ｖ２、３３Ｖ３、３３Ｖ４、３３Ｖ５及び３３Ｖ６を含む。図３の（ｂ）では、導体部３３Ｖ１～３３Ｖ６にハッチングを付している。図３の（ａ）に示した端子用導体部３１Ｔ１～３１Ｔ４、並びに、インダクタ１１用の導体部３１１及びインダクタ１２用の導体部３１２には、それぞれ、導体部３３Ｖ１～３３Ｖ６の一端が接続されている。

図３における（ｃ）は、誘電体層３３の第１の面を示している。誘電体層３３の第１の面には、インダクタ１１用の導体部３３１、インダクタ１２用の導体部３３２及びインダクタ１７用の導体部３３７と、接続用導体部３３３、３３４、３３５Ａ、３３５Ｂ及び３３６と、端子用導体部３３Ｔ１、３３Ｔ２、３３Ｔ３及び３３Ｔ４が形成されている。図３の（ｃ）は、誘電体層３３の第２の面側から上記複数の導体部を見た状態で示している。図３の（ｃ）における上記複数の導体部の配置は、以下の通りである。インダクタ１１用の導体部３３１は、左右方向の中心よりも左側の領域に配置されている。接続用導体部３３６は、インダクタ１１用の導体部３３１とインダクタ１２用の導体部３３２との間に配置されている。接続用導体部３３３及び３３４は、インダクタ１１用の導体部３３１及びインダクタ１２用の導体部３３２、並びに、接続用導体部３３６の下側の位置において、左側からこの順に配置されている。接続用導体部３３５Ａ、３３５Ｂは、接続用導体部３３３及び３３４の下側の位置において、左側からこの順に配置されている。インダクタ１７用の導体部３３７は、インダクタ１１用の導体部３３１及びインダクタ１２用の導体部３３２、並びに、接続用導体部３３６の上側の位置に配置されている。端子用導体部３３Ｔ１は、左下の角部の近傍に配置されている。端子用導体部３３Ｔ２は、右下の角部の近傍に配置されている。端子用導体部３３Ｔ３は、左上の可動部の近傍に配置されている。端子用導体部３３Ｔ４は、右上の角部の近傍に配置されている。

端子用導体部３３Ｔ１は、接続用導体部３３３及び３３５Ａの各一端に接続されている。端子用導体部３３Ｔ２は、接続用導体部３３４及び３３５Ｂの各一端に接続されている。インダクタ１７用の導体部３３７は、接続用導体部３３６の一端に接続されている。インダクタ１１用の導体部３３１及びインダクタ１２用の導体部３３２は、いずれも、一端から多端に向けて環状に伸びる線状の導体部である。

インダクタ１１用の導体部３３１及びインダクタ１２用の導体部３３２、並びに端子用導体部３３Ｔ１～３３Ｔ４は、それぞれ、非磁性基板２１の第１の面２１ａに対して垂直な方向（誘電体層３３の第１の面に垂直な方向と同じ）から見たときに、図３の（ａ）に示したインダクタ１１用の導体部３１１及びインダクタ１２用の導体部３１２、並びに、端子用導体部３１Ｔ１～３１Ｔ４と重なり合う位置に配置されている。接続用導体部３３３、３３４、３３５Ａ、３３５Ｂ及び３３６は、それぞれ、非磁性基板２１の第１の面２１ａに対して垂直な方向から見たときに、図３の（ｂ）に示したキャパシタ１３用の導体部３２３、キャパシタ１４用の導体部３２４、キャパシタ１５用の導体部３２５Ａ、３２５Ｂ及びキャパシタ１６用の導体部３２６と重なり合う位置に配置されている。

ＬＣ複合部品１は、誘電体層３３を貫通する導体部３３Ｖ７、３３Ｖ８、３３Ｖ９、３３Ｖ１０及び３３Ｖ１１を含む。図３の（ｃ）では、導体部３３Ｖ１～３３Ｖ１１を二点鎖線で示している。端子用導体部３３Ｔ１～３３Ｔ４、並びに、インダクタ１１用の導体部３３１及びインダクタ１１用の導体部３３２には、それぞれ、導体部３３Ｖ１～３３Ｖ６の他端が接続されている。図３の（ｂ）に示したキャパシタ１３用の導体部３２３、キャパシタ１４用の導体部３２４、キャパシタ１５用の導体部３２５Ａ、３２５Ｂ及びキャパシタ１６用の導体部３２６には、それぞれ、導体部３３Ｖ７～３３Ｖ１１の一端が接続されている。接続用導体部３３３、３３４、３３５Ａ、３３５Ｂ、３３６には、それぞれ、導体部３３Ｖ７～３３Ｖ１１の他端が接続されている。

図４における（ａ）は、誘電体層３４の第１の面を示している。誘電体層３４の第１の面には、インダクタ１１用の導体部３４１、インダクタ１２用の導体部３４２及びインダクタ１７用の導体部３４７と、端子用導体部３４Ｔ１、３４Ｔ２、３４Ｔ３及び３４Ｔ４が形成されている。図４の（ａ）は、誘電体層３４の第２の面側から上記の複数の導体部を見た状態で示している。図４における上記複数の導体部の配置は、以下の通りである。インダクタ１１用の導体部３４１は、左右方向の中心よりも左側の領域に配置されている。インダクタ１２用の導体部３４２は、左右方向の中心よりも右側の領域に配置されている。インダクタ１７用の導体部３４７は、インダクタ１１用の導体部３４１及びインダクタ１２用の導体部３４２の上側の位置に配置されている。端子用導体部３４Ｔ１は、左下の角部の近傍に配置されている。端子用導体部３４Ｔ２は、右下の角部の近傍に配置されている。端子用導体部３４Ｔ３は、左上の角部の近傍に配置されている。端子用導体部３４Ｔ４は、右上の角部の近傍に配置されている。

インダクタ１１用の導体部３４１及びインダクタ１２用の導体部３４２は、いずれも、その一端から他端に向けて環状に延びる線状の導体部である。インダクタ１１用の導体部３４１、インダクタ１２用の導体部３４２及びインダクタ１７用の導体部３４７、並びに、端子用導体部３４Ｔ１～３４Ｔ４は、それぞれ、非磁性基板２１の第１の面２１ａに垂直な方向（誘電体層３４の第１の面に垂直な方向と同じ）から見たときに、図３の（ｃ）に示したインダクタ１１用の導体部３３１、インダクタ１２用の導体部３３２及びインダクタ１７用の導体部３３７、並びに、端子用導体部３３Ｔ１～３３Ｔ４と重なり合う位置に配置されている。

ＬＣ複合部品１は、誘電体層３４を貫通する導体部３４Ｖ１、３４Ｖ２、３４Ｖ３、３４Ｖ４、３４Ｖ５、３４Ｖ６及び３４Ｖ７を含む。図４の（ａ）では、導体部３４Ｖ１～３４Ｖ７を二点鎖線で示している。図３の（ｃ）に示した端子用導体部３３Ｔ１～３３Ｔ４、並びに、インダクタ１１用の導体部３３１、インダクタ１２用の導体部３３２及びインダクタ１７用の導体部３３７には、それぞれ、導体部３４Ｖ１～３４Ｖ７の一端が接続されている。端子用導体部３４Ｔ１～３４Ｔ４、並びに、インダクタ１１用の導体部３４１、インダクタ１２用の導体部３４２及びインダクタ１７用の導体部３４７には、それぞれ、導体部３４Ｖ１～３４Ｖ７の他端が接続されている。

図４における（ｂ）は、誘電体層３５の第１の面を示している。誘電体層３５の第１の面には、インダクタ１１用の導体部３５１、インダクタ１２用の導体部３５２、インダクタ１７用の導体部３５７Ａ及び３５７Ｂと、端子用導体部３５Ｔ１、３５Ｔ２、３５Ｔ３及び３５Ｔ４が形成されている。なお、図４の（ｂ）は、誘電体層３５の第２の面側から上記複数の導体部を見た状態で示している。上記複数の導体部の、図４の（ｂ）における配置は、以下の通りである。インダクタ１１用の導体部３５１は、左右方向の中心よりも左側の領域に配置されている。インダクタ１２用の導体部３５２は、左右方向の中心よりも右側の領域に配置されている。インダクタ１７用の導体部３５７Ａ及び３５７Ｂは、インダクタ１１用の導体部３５１及びインダクタ１２用の導体部３５２の上側の位置において、左側からこの順に配置されている。端子用導体部３５Ｔ１は、左下の角部の近傍に配置されている。端子用導体部３５Ｔ２は、右下の角部の近傍に配置されている。端子用導体部３５Ｔ３は、左上の角部の近傍に配置されている。端子用導体部３５Ｔ４は、右上の角部の近傍に配置されている。

端子用導体部３５Ｔ１～３５Ｔ４は、それぞれ、インダクタ１１用の導体部３５１、インダクタ１２用の導体部３５２、インダクタ１７用の導体部３５７Ａ及び３５７Ｂの一端に接続されている。インダクタ１１用の導体部３５１及びインダクタ１２用の導体部３５２は、いずれも、その一端から他端に向けて環状に延びる線状の導体部である。

インダクタ１１用の導体部３５１及びインダクタ１２用の導体部３５２、並びに、端子用導体部３５Ｔ１～３５Ｔ４は、それぞれ、非磁性基板２１の第１の面２１ａに対して垂直な方向（誘電体層３５の第１の面に垂直な方向と同じ）から見たときに、図４の（ａ）に示したインダクタ１１用の導体部３４１及びインダクタ１２用の導体部３４２、並びに、端子用導体部３４Ｔ１～３４Ｔ４と重なり合う位置に配置されている。インダクタ１７用の導体部３５７Ａ及び３５７Ｂは、非磁性基板２１の第１の面２１ａに対して垂直な方向から見たときに、図４の（ａ）に示したインダクタ１７用の導体部３４７と重なり合う位置に配置されている。

ＬＣ複合部品１は、誘電体層３５を貫通する導体部３５Ｖ１、３５Ｖ２、３５Ｖ３、３５Ｖ４、３５Ｖ５、３５Ｖ６、３５Ｖ７及び３５Ｖ８を含んでいる。図４の（ｂ）では、導体部３５Ｖ１～３５Ｖ８を二点鎖線で示している。図４の（ａ）に示した端子用導体部３４Ｔ１～３４Ｔ４、並びに、インダクタ１１用の導体部３４１及びインダクタ１２用の導体部３４２には、それぞれ、導体部３５Ｖ１～３５Ｖ６の一端が接続されている。図４の（ａ）に示したインダクタ１７用の導体部３４７には、導体部３５Ｖ７及び３５Ｖ８の各一端が接続されている。端子用導体部３５Ｔ１～３５Ｔ４、並びに、インダクタ用の導体部３５１、３５２、３５７Ａ及び３５７Ｂには、それぞれ、導体部３５Ｖ１～３５Ｖ８の他端が接続されている。

図４における（ｃ）は、磁性層２２及び誘電体層３６と、磁性層２２及び誘電体層３６を貫通する端子用導体部４１、４２、４３及び４４とを示している。ＬＣ複合部品１は、磁性層２２及び誘電体層３６を貫通する端子用導体部４１、４２、４３及び４４を含む。図４の（ｃ）では、端子用導体部４１～４４にハッチングを付している。図４の（ｂ）に示した端子用導体部３５Ｔ１～３５Ｔ４には、それぞれ、端子用導体部４１～４４の一端が接続されている。

次に、図５の回路図を参照して、本実施形態に係るＬＣ複合部品１の回路構成について説明する。本実施形態では、ＬＣ複合部品１は、ローパスフィルタの機能を有している。図５に示すように、ＬＣ複合部品１は、信号が入力される入力端子２と、信号を出力する出力端子３と、３つのインダクタ１１、１２及び１７と、４つのキャパシタ１３、１４、１５及び１６とを備えている。

インダクタ１１の一端、キャパシタ１３の一端、及び、キャパシタ１５の一端は、入力端子２に電気的に接続されている。インダクタ１２の一端、キャパシタ１４の一端及びキャパシタ１６の一端は、インダクタ１１の他端及びキャパシタ１３の他端に電気的に接続されている。インダクタ１２の他端、キャパシタ１４の他端及びキャパシタ１５の他端は、出力端子３に電気的に接続されている。インダクタ１７の一端は、キャパシタ１６の他端に電気的に接続されている。インダクタ１７の他端はグランドに接続されている。

以下、図１～図４に示すＬＣ複合部品１の具体的な構成と図５に示す回路構成との関係について更に説明する。図５における入力端子２は、図４における端子用導体部４１の他端によって構成されている。図５における出力端子３は、図４における端子用導体部４２の他端によって構成されている。図４における端子用導体部４３及び４４の各他端は、図５においてグランドに接続されるグランド端子を構成する。

図５におけるインダクタ１１は、図３及び図４におけるインダクタ１１用の導体部３１１、３３１、３４１及び３５１と、導体部３３Ｖ５、３４Ｖ５及び３５Ｖ５とによって構成され、コイル構造を有する。図２に示すように、コア部２３は、誘電体層３２～３６を貫通して、インダクタ１１用の導体部３１１、３３１、３４１及び３５１及び導体部３３Ｖ５、３４Ｖ５及び３５Ｖ５が形成するコイル構造の内周部の内側に位置している。インダクタ１１用の導体部３１１、３３１、３４１及び３５１は、いずれも、コア部２３の外周に沿って延びる線状の導体部である。

図５におけるインダクタ１２は、図３及び図４におけるインダクタ１２用の導体部３１２、３３２、３４２及び３５２と、導体部３３Ｖ６、３４Ｖ６及び３５Ｖ６とによって構成され、コイル構造を有する。図２に示すように、コア部２４は、誘電体層３２～３６を貫通して、インダクタ１２用の導体部３１２、３３２、３４２及び３５２及び導体部３３Ｖ６、３４Ｖ６及び３５Ｖ６が形成するコイル構造の内周部の内側に位置している。インダクタ１２用の導体部３１２、３３２、３４２及び３５２は、いずれも、コア部２４の外周に沿って延びる線状の導体部である。

図５におけるインダクタ１７は、図３及び図４におけるインダクタ１７用の導体部３３７、３４７、３５７Ａ及び３５７Ｂと、導体部３４Ｖ７、３５Ｖ７及び３５Ｖ８とによって構成され、コイル構造を有する。

（作用効果）
本実施形態にかかるＬＣ複合部品によれば、カットオフ周波数未満の低周波信号の挿入損失を低減しつつ、カットオフ周波数超の高周波信号の挿入損失を高めることができる。したがって、ローパスフィルタとしての特性に優れる。特に、カットオフ周波数が１．１～１．６ＧＨｚのローパスフィルタに適する。カットオフ周波数は、－３ｄＢの点として定義できる。このＬＣ複合部品は、ローパスフィルタ以外に、ハイパスフィルタ、バンドパスフィルタなどとして使用することもできる。

（製造方法の一例）
次に、図１を参照して、本実施形態に係るＬＣ複合部品１の製造方法について説明する。本実施形態に係るＬＣ複合部品１では、複数のＬＣ複合部品１の非磁性基板２１となる部分を含むウェハ上に、ＬＣ複合部品１の非磁性基板２１以外の複数の構成要素を形成する。それにより、ＬＣ複合部品１の部品本体２０が複数列に配列された基礎構造物を作製する。そして、この基礎構造物を切断することによって複数の部品本体２０を互いに分離する。これにより、複数のＬＣ複合部品１が作製される。

以下、図２～図４を参照して、１つのＬＣ複合部品１に注目して、本実施形態のＬＣ複合部品１の製造方法について更に詳しく説明する。なお、以下の説明では、便宜上、ウェハにおける非磁性基板２１となる部分を非磁性基板２１という。本実施形態の製造方法では、まず、非磁性基板２１の上に、薄膜形成技術を用いて、複数の誘電体層及び複数の導体部を形成する。具体的には、まず、非磁性基板２１の第１の面２１ａの上に、誘電体層３１を形成する。次に、誘電体層３１の上に、図３の（ａ）に示した複数の導体部３１Ｔ１～３１Ｔ４，３１１～３１６を形成する。複数の導体部の形成方法は、パターニングされていない導体層を形成したあと、マスクを用いたエッチングによって導体層をパターニングする方法でもよく、マスクを用いてパターニングされた導体層を形成する方法でもよい。導体層の形成方法としては、スパッタ法及びめっき法等の種々の薄膜形成方法を用いることができる。以下で説明する他の複数の導体部の形成方法も、これと同様である。

次に、例えばスパッタ法等によって、誘電体層３１及び導体部３１Ｔ１～３１Ｔ４，３１１～３１６の上に、誘電体層３２を形成する。次に、誘電体層３２の上に、図３の（ｂ）に示したキャパシタ用の導体部３２３、３２４、３２５Ａ、３２５Ｂ及び３２６を形成する。次に、誘電体層３３を形成する。次に、誘電体層３２、３３に、導体部３３Ｖ１～３３Ｖ６用の６つの孔を形成すると共に、誘電体層３３に、導体部３３Ｖ７～３３Ｖ１１用の５つの孔を形成する。次に、図３の（ｂ）及び（ｃ）に示した複数の導体部３３Ｖ１～３３Ｖ６，３３１，３３２，３３７、３３３，３３４，３３５Ａ，３３５Ｂ，３３６，３３Ｔ１、３３Ｔ２、３３Ｔ３及び３３Ｔ４を形成する。

次に、誘電体層３３及び導体部上に、誘電体層３４を形成する。次に、誘電体層３４に、導体部３４Ｖ１～３４Ｖ７用の７つの孔を形成する。次に、図４の（ａ）に示した複数の導体部３４１、３４２、３４７、３４Ｔ１、３４Ｔ２、３４Ｔ３及び３４Ｔ４を形成する。次に、誘電体層３４上に、誘電体層３５を形成する。次に、誘電体層３５に、導体部３５Ｖ１～３５Ｖ８用の８つの孔を形成する。次に、図４の（ｂ）に示した複数の導体部３５１、３５２、３５７Ａ、３５７Ｂ、３５Ｔ１、３５Ｔ２、３５Ｔ３及び３５Ｔ４を形成する。次に、誘電体層３５及び導体部上に、誘電体層３６を形成する。

次に、誘電体層３６に、端子用導体部４１～４４用の４つの孔を形成する。次に、例えばめっき法等によって、図４の（ｃ）に示した端子用導体部４１～４４を形成する。

次に、誘電体層３２～３６に、コア部２３及び２４用の２つの孔を形成する。次に、上記２つの孔内を埋め、且つ端子用導体部４１～４４を覆うように、後に磁性層２２、コア部２３及び２４となる予備磁性層を形成する。次に、端子用導体部４１～４４が露出するまで、予備磁性層を研磨する。これにより、予備磁性層のうち、コア部２３及び２４用の２つの孔内に残った部分がコア部２３及び２４となり、残りの部分が磁性層２２となる。磁性層２２、コア部２３及び２４が形成されることにより、基礎構造物が完成する。次に、複数の部品本体２０が切り出されるように、基礎構造物を切断する。
なお、コア部２３，２４及び磁性層（予備磁性層）２２を形成するには、上述の磁性金属粒子及び樹脂を含む硬化性組成物を塗布し、硬化させればよい。

本発明は上記実施形態に限定されず、様々な変形態様を採用することができる。
例えば、ＬＣ複合部品におけるキャパシタ、インダクタ、及び、コア部の数は、それぞれ、一つ以上であれば良い。また、キャパシタ、インダクタ、及び、コア部の形態も、用途に合わせて適宜変更することができる。また、インダクタ及びキャパシタの配置も任意に変更できる。例えば、キャパシタは、第１の面２１ａに垂直な方向から見たときに他のインダクタと重なってもよい。

また、磁性層の厚みが均一でない場合には、磁性層の厚みとして平均の厚みを採用すればよい。コア部の厚みが均一でない場合には、コア部の厚みとして平均の厚みを採用すればよい。ＬＣ複合部品がコア部を複数有する場合には、少なくとも一つのコア部の厚みと、磁性層の厚みとが、上述の関係を満たせばよい。

また、本実施形態に係るＬＣ複合部品１の製造方法は、上記に限られない。例えば、ＬＣ複合部品１のうち、少なくとも非磁性基板２１と磁性層２２の間の複数の誘電体層及び複数の導体部は、例えば、低温同時焼成法等によって形成してもよい。

以下、実施例により本発明を更に詳細に説明するが、本発明は、以下の実施例に限定されるものではない。

（実施例１）
下記に示す方法で、磁性層及びコア部を形成するための硬化性の樹脂組成物を調整した。すなわち、硫酸第一鉄及び硫酸コバルトの水溶液を、磁性金属粒子中のＦｅ及びＣｏの質量比が７：３となるように配合し、これらをアルカリ水溶液で一部中和した。中和後の水溶液にバブリングを行って通気し、上記水溶液を撹拌することにより、Ｃｏを含有する針状のゲータイト粒子を得た。水溶液をろ過して得られたＣｏを含有するゲータイト粒子をイオン交換水で洗浄して乾燥したあと、更に空気中で加熱することにより、Ｃｏを含有するヘマタイト粒子を得た。

得られたＣｏを含有するヘマタイト粒子を、水素雰囲気の炉内で、温度５５０℃で加熱した。その後、炉内雰囲気をアルゴンガスに切替え、２００℃程度まで冷却した。更に、２４時間かけて酸素分圧を２１％まで増やしながら、室温まで冷却することにより、金属コア部と酸化金属膜とを備え、Ｆｅ及びＣｏを主成分とする磁性金属粒子を得た。

得られた磁性金属粒子に、樹脂組成物の硬化物中の磁性金属粒子の体積割合が４０体積％となるように、エポキシ樹脂及び硬化剤を加えて、ミキシングロールを用いて室温で混練することにより、樹脂組成物をスラリー状にして、磁性層及びコア部形成用の硬化性の樹脂組成物を得た。
次に、公知の薄膜形成方法を適用して、図１～図５に示すＬＣ複合部品１を作製した。ここで、非磁性基板２１の材料として非磁性フェライトを、磁性層２２及びコア部２３，２４の材料として上述の樹脂組成物の硬化物を、インダクタ１１，１２，１７及びキャパシタ１３～１６の導電材料として、Ｃｕを、誘電体層３１、及び３３～３６の材料としてポリイミド樹脂を、誘電体層３２の材料としてシリコンナイトライドを用いた。コア部の厚みは１００μｍ、磁性層の厚みは５０μｍ、ＬＣ複合部品を厚み方向から見たときの大きさは、６５０μｍ×５００μｍである。ＬＣ複合部品のカットオフ周波数は、１．２ＧＨｚとした。

（実施例２～５）
コア部の厚み、磁性層の厚みを表１に示すように変更する以外は実施例１と同様にして実施例２～５のＬＣ複合部品を製造した。なお、実施例２では、コア部の厚みを小さくするのに対応して、インダクタ１１，１２のコイル構造の巻き数を維持しつつ、導体部３３Ｖ５、３４Ｖ５及び３５Ｖ５、及び、導体部３３Ｖ６、３４Ｖ６及び３５Ｖ６の長さを短くして、コイル構造の軸方向長さを小さくした。また、実施例４，５では、コア部の厚みを大きくするのに対応して、インダクタ１１，１２のコイル構造の巻き数を維持しつつ、導体部３３Ｖ５、３４Ｖ５及び３５Ｖ５、及び、導体部３３Ｖ６、３４Ｖ６及び３５Ｖ６の長さを長くして、コイル構造の軸方向長さを大きくした。いずれの実施例においても、コア部２３及び２４の厚みは、インダクタ１１及び１２のコイル構造の軸方向長さ以上とした。

（実施例６）
中和工程において、アルカリ水溶液による中和率を低くし、酸化工程に供される中和後の金属（Ｆｅ及びＣｏ）イオン濃度を低くして、磁性金属粒子の平均長軸径、アスペクト値及びＣＶ値を表１に示すように変更したこと以外は、実施例１と同様にして、実施例６のＬＣ複合部品を得た。

（実施例７）
中和工程において、アルカリ水溶液による中和率を高くし、酸化工程に供される中和後の金属（Ｆｅ及びＣｏ）イオン濃度を高くして、磁性金属粒子の平均長軸径、アスペクト値及びＣＶ値を表１に示すようにしたこと以外は、実施例１と同様にして、実施例７のＬＣ複合部品を得た。

（実施例８）
中和工程において、アルカリ水溶液による中和率を高くし、酸化工程に供される中和後の金属（Ｆｅ及びＣｏ）イオン濃度を高くして、磁性金属粒子の平均長軸径、アスペクト値及びＣＶ値を表１に示すように変更した以外は、実施例１と同様にして、実施例８のＬＣ複合部品を得た。

（実施例９，１０）
樹脂組成物の硬化物中の磁性金属粒子の体積割合が、それぞれ、３０体積％及び５０体積％となるように硬化性の樹脂組成物を調製した以外は実施例１と同様にして、実施例９，１０のＬＣ複合部品を得た。

（実施例１１）
磁性金属粒子の製造においてＣｏを添加しなかった以外は実施例１と同様にして、実施例１１のＬＣ複合部品を得た。

（実施例１２）
磁性金属粒子の製造においてＣｏに変えてＮｉを添加し、かつ、樹脂組成物の硬化物中の磁性金属粒子の体積割合が５０体積％となるように硬化性の樹脂組成物を調製した以外は実施例１と同様にして、実施例１２のＬＣ複合部品を得た。

（比較例１）
コア部の厚みを３０μｍとする以外は実施例１と同様にして、比較例１のＬＣ複合部品を得た。なお、コア部の厚みを小さくするのに対応して、インダクタ１１，１２のコイル構造の巻き数を維持しつつ、導体部３３Ｖ５、３４Ｖ５及び３５Ｖ５、及び、導体部３３Ｖ６、３４Ｖ６及び３５Ｖ６の長さを短くして、コイル構造の軸方向長さを小さくした。すなわち、コア部２３及び２４の厚みは、インダクタ１１及び１２のコイル構造の軸方向長さ以上とした。

［磁性金属粒子の評価方法］
（磁性金属粒子のサイズ及びアスペクト比）
各実施例及び比較例で得られたＬＣ複合部品の磁性層の断面における磁性金属粒子を透過型電子顕微鏡（ＴＥＭ）にて倍率５０万倍で観察し、磁性金属粒子の長軸及び短軸方向の寸法（長軸径及び短軸径）（ｎｍ）を測定し、アスペクト比を求めた。同様にして、２００～５００個の磁性金属粒子を観察し、長軸径、短軸径及びアスペクト比の平均値を計算した。磁性金属粒子のアスペクト比の平均値及びＣＶ値、並びに、磁性金属粒子の長軸径の平均値を、表１に示す。

（飽和磁化）
実施例及び比較例で得られた樹脂組成物の硬化物を１ｍｍ×１ｍｍ×３ｍｍに加工し、振動試料型磁力計（ＶＳＭ、株式会社玉川製作所製）を用いて、加工した複合磁性体の飽和磁化（ｅｍｕ／g）を測定した。結果を表１に示す。

（ＬＣ複合部品の挿入損失の最大値及び最小値）
ネットワークアナライザ（Ｎ５２３０Ａ、キーサイトテクノロジーズ）を用いて、各実施例及び比較例で得られたＬＣ複合部品において挿入損失の周波数特性を求めた。そして、０．８２４－０．９６０ＧＨｚにおける挿入損失の最大値、及び、１．６４８－１．９２０ＧＨｚにおける挿入損失の最小値を求めた。結果を表１に示す。また、実施例１、実施例５、及び比較例１の挿入損失の周波数特性を示す特性図をそれぞれ図６～図８に示す。

実施例１～５及び比較例１の結果より、Ｔ１／Ｔ２が１．０以上である場合に（実施例１～５）、Ｔ１／Ｔ２が１．０未満である場合（比較例１）と比較して、挿入損失特性がより向上していることがわかる。

１…ＬＣ複合部品、２…入力端子、３…出力端子、１１，１２，１７…インダクタ、１３～１６…キャパシタ、２０…部品本体、２１…非磁性基板、２２…磁性層、２３，２４…コア部、３１～３６…誘電体層、３３Ｖ１～３３Ｖ１１，３４Ｖ１～３４Ｖ７，３５Ｖ１～３５Ｖ８…導体部、３１Ｔ１～３１Ｔ４，３３Ｔ１～３３Ｔ４，３４Ｔ１～３４Ｔ４，３５Ｔ１～３５Ｔ４，４１～４４…端子用導体部、３１１，３１２，３３１，３３２，３３７，３４１，３４２，３４７，３５１，３５２，３５７Ａ，３５７Ｂ…インダクタ用の導体部、３１３，３１５，３１６，３２３，３２４，３２５Ａ，３２５Ｂ，３２６…キャパシタ用の導体部。

Claims (5)

1. 非磁性基板と、
   磁性を有する磁性層と、
   １つ以上のキャパシタと、
   １つ以上のインダクタと、
   磁性を有する１つ以上のコア部と、
   を備え、
   前記非磁性基板が、第１の面と、前記第１の面とは反対側の第２の面とを有し、
   前記磁性層が、前記非磁性基板の第１の面に対向するように配置され、
   前記１つ以上のインダクタ、及び、前記１つ以上のキャパシタが前記非磁性基板の第1の面と前記磁性層との間に配置され、
   前記コア部が、前記非磁性基板の第１の面と前記磁性層との間に配置されて前記磁性層に接続され、
   前記非磁性基板の第１の面に垂直な方向について、前記コア部の厚みが前記磁性層の厚みに対して１．０倍以上であり、
   前記磁性層及び前記コア部が、それぞれ、磁性金属粒子及び樹脂を含み、
   前記磁性金属粒子の平均長軸径が１２０ｎｍ以下である、ＬＣ複合部品。
2. 前記磁性金属粒子の平均アスペクト比が１．２～６である、請求項１に記載のＬＣ複合部品。
3. 前記磁性層及び前記コア部の飽和磁化がそれぞれ９０ｅｍｕ／ｇ以上である、請求項１又は２に記載のＬＣ複合部品。
4. 前記磁性金属粒子が、Ｆｅ、Ｃｏ及びＮｉからなる群より選択される少なくとも１種を主成分として含む、請求項１～３のいずれか一項に記載のＬＣ複合部品。
5. 前記磁性金属粒子のアスペクト比のＣＶ値が０．４以下である、請求項１～４のいずれか一項に記載のＬＣ複合部品。

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