KR20050042068A - 포토리소그래피를 위한 비반사 스핀-온-글래스 코팅 - Google Patents
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Abstract
자외선 포토리소그래피용의 비반사 코팅재는 스핀-온-글래스 재료에 포함되는 적어도 하나의 오가닉 흡광 화합물을 포함한다. 포토리소그래피에 사용될 수 있는 적합한 흡수 화합물은 365nm, 248nm, 193nm 및 157와 같은 파장 부근의 파장범위에 걸쳐 강하게 흡수한다. 흡수 스핀-온-글래스 재료를 제조하는 방법은 스핀-온-글래그 재료의 합성시 적어도 하나의 오가닉 흡수 화합물을 알콕시실란 또는 할로실란 반응물과 혼합하는 단계를 포함한다.
Description
본 출원은 캐네디등에게 (2001.7.31)일에 부여된 미국특허 US6,268,457, 2000.10.27일에 출원된 미국특허 출원번호, 09/698,883, 및 2000.1.26일에 출원된 미국특허출원 번호 09/494,166에 대한 일부 계속출원으로서, 여기에서는 그들 모두가 참고로서 통합되어 있다.
본 발명은 스핀-온 글래스 재료에 관한 것으로, 보다 상세하게는, 포토리소스래피내에서 비반사층으로 사용되는 광흡수 스핀-온 글래스 재료 및 그 재료의 제조방법에 관한 것이다.
보다 빠른 성능을 위한 요구를 만족하기 위하여, 집적회로 디바이스 형상에 대한 특유한 크기가 점차적으로 감소되고 있다. 보다 작은 형태크기를 갖는 디바이스를 제조하기 위해 반도체 제조에 있어 종래에 사용되던 많은 공정에 있어서 새로운 도전들이 제기되고 있다. 이들 제조공정중 가장 주요한 것중 하나가 포토리소그래피공정이다.
포토리소그래피에 의해 생산되는 패턴에서의 길이폭(linewidth) 변화는 반도체 웨이퍼상에서 하부층을 반사하는 빛으로 부터의 광간섭으로 야기될 수 있다. 상기 하부층의 토포그래피때문에 포토레지스터 두께의 변화도 또한 길이폭 변화를 야기한다. 포토레지스층하에 부과되는 비반사코팅(ARC)이 빛나는 빔의 반사로부터의 간섭을 방지하기 위하여 사용되어 오고 있다. 또한 비반사코팅은 부분적으로 상기 웨이퍼 토포그래피를 평탄화하며, 상기 포토레지스터 두께가 보다 균일하기 때문에 스텝(steps)들에 걸쳐 길이폭 변화를 개선함에 도움을 준다.
유기중합체 필름, 특히, i-라인(365nm)및 g-라인(436nm) 파장에서 흡수하는 것들이 종래부터 포토레지스터를 노출하기 위해 사용되었으며, 최근에는 248nm파장을 사용하여, 비반사코팅으로 채용되어 오고 있다. 그러나 상기 유기 ARC는 상기 유기 포토레지스터와 함께 많은 화학적인 특성을 가지므로 가용한 공정순서를 제한할 수 있다. 더욱이, ARC는 포토레지스터층과 상호 혼합될 수 있다. 상호혼합을 피할 수 있는 하나의 해결책은 에컨데, Flaim등의 미국특허 번호 5,693,691에 기술된 바와 같은 유기 ARC의 첨가성분으로서 열경화성 바인더를 도입하는 것이다. 선택적으로 Arnold등의 미국특허 번호 4,910,122등에 기술된 바와 같이, 습윤제, 접착증진제, 보존제, 및 가소제와 같은 첨가제 뿐만 아니라 염료가 또한 유기 ARC내에 포함될 수 있다.
실리콘 옥시니트라이드는 비반사코팅으로 사용되어 오고 있는 또다른 재료이다. 그러나 실리콘 옥시니트라이드는 ARC에 흡수 보다는 파괴적인 간섭으로 작용하는데, 이는 그 옥시니트라이드 두께의 아주 엄격한 제어가 필요하며 그리고 상기 재료가 높게 변화하는 토포그래피에 걸쳐 ARC로사 잘 작용하지 않을 수 있다. 더욱이, 실리콘 옥시니트라이드는 정형적으로 화학적 가스증착에 의해 증착됨에 반하여, 포토레지스터층은 정형적으로 스틴-코타를 이용하여 부과된다. 이러한 추가적인 화학적인 가스증착공정은 공정 복잡성을 추가할 수 있다.
비반사층으로 사용될 수 있는 또다른 재료의 클래스(class)로는 염료를 포함하는 스핀-온 글래스(SOG) 조성물이 있다. Yau등의 미국특허 번호 4,587,138은 스핀-온 글래스와 함께 베이직 웰로우 #11이 대략 1중량%의 양으로 혼합된 염료를 제시하고 있다. Allman등의 미국특허 번호 5,100,503호는 TiO2, Cr2O3, MoO4, MnO4 또는 ScO4, 그리고 접착증진제와 같은 유기염료를 포함하는 교차결합된 폴리오가노실록산을 제시하고 잇다. Allman은 추가적으로 상기 스핀-온 글래스 조성물이 평탄화층으로 또한 작용할 수 있음을 제시하고 있다. 그러나 현재까지 개시되어온 스핀-온 글래스 염료 조성물은, 작은 형태크기를 갖는 디바이스를 생산함에 사용하는 극자외광선 소서, 특히 248 및 193nm에 노출을 위해서는 최적의 것이 아니다. 더욱이, 모든 염료가 임의의 스핀-온-글래스 조성물내에 쉽게 포함될 수 있는 것도 아니다.
도 1a-1f는 스핀-온 글래스 조성물내로 포함되는 흡수 화합물에 대한 화학식을 나타낸다.
도 2a-3b는 포토리소그래피공정에서 비반사코팅층으로서 흡수 스핀-온-글래스 조성물의 사용을 나타낸다.
따라서 흡수 스핀-온-글래스 비반사코팅 및 자외선 스펙트랄 영역내에서 강하고 균일하게 흡수할 수 있는 리소그래피 재료, 그리고 상기 스핀-온-글래스 비반사코팅을 제조하는 방법이 요망되는 것이다. 또한 포토레지스터 현상(developer)에 저항성이 있는 ARC층이 요망되는 것이다.
극자외선 포토리소그래피를 위한 비반사 코팅재료는 스핀-온-글래스(SOG) 재료내에 포함되는 하나 이상의 유기흡수 화합물을 포함하여 조성된다. 상기 스핀-온-글래스 재료는 메틸실록산, 메틸실세스키옥산, 페닐실록산, 페닐실세스키옥산, 메틸페닐실록산, 메틸페닐실세스키옥산, 실리케이트 중합체, 및 그 혼합물과 같은 실리콘계 화합물을 포함한다. 여기에서 사용되는 "스핀-온-글래스 재료"로 알려진 그룹은 또한 실록산 중합체, 화학식 (H0-1.0SiO1.5-2.0)x의 하이드로겐실록산 중합체, 및 화학식 (HSiO1.5)x를 갖는 하이드로겐실세스키옥산을 포함하며, 여기에서 x는 약 4보다 크다. 또한 하이드로겐실세스키옥산과 알콕시하이드리도실록산 또는 히드록시하이드리도실록산으로 이루어진 중합체가 포함된다. 추가하여 스핀-온-글래스 재료는 화학식 (H0-1.0SiO1.5-2.0)n(R0-1.0SiO1.5-2.0)m의 오가노하이드리도실록산 중합체와 화학식 (HSiO1.5)n(RSiO1.5)m의 오가노하이드리도실세스키옥산 중합체를 포함하며, 여기에서 m은 0보다 크고 n과 m의 합은 약 4 보다 크며, R은 알킬 또는 아릴이다.
상기 스핀-온-글래스 재료내로 포함함에 적합한 흡수 화합물은 375nm 또는 약 260nm 보다 작은 파장의 빛을 강하게 흡수한다. 특히, 적합한 흡수 조성물은 248nm, 198nm, 157nm와 같은 파장근처, 또는 포토리소그래피에 사용될 수 있는 사용될 수 있는 365nm와 같은 다른 자외선파장의 빛을 흡수한다. 발색단을 위한 적합한 화합물은 적어도 하나의 벤존 링을 가지며, 2개 이상의 벤존 링을 가지는 경우에는 이들 링들이 융화되거나 융화되지 않을 수 있다. 포함할 수 있는 흡수 화합물은 상기 발색단에 접근할 수 있는 반응기를 가지며, 그 반응기 그룹은 하이드록실기, 아민기, 카르복실산기, 및 하나, 둘, 또는 3개의 알콕시기 또는 할로겐 원자치환체에 결합된 실리콘을 갖는 치환된 실릴기를 포함한다. 상기 반응기는 상기 발색단에 직접 연결되거나 또는 상기 반응기는 하이드로카본 브릿지 또는 산소결합을 통하여 상기 발색단에 부착될 수 있다. 상기 발색단은 또한 상기 스핀-온-글래스 재료를 마련함에 사용되는 것들과 유사한 실리콘계 화합물 또는 중합체를 포함한다.
적합한 포함할 수 있는 유기 흡수화합물의 예로는, 페닐트리알콕시실란(페닐트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 페닐트리프리폭시실란)와 같은 하나의 벤존 링을 갖는 화합물; 2-하이드록시-4-(3-트리알콕시실릴프로폭시)-디페닐케톤, 3-히드록시-4-(3-트리알콕시실릴프로폭시)-디페닐케톤, 로졸릭산, 4-페닐아조페놀, 및 4-알콕시페닐아조벤젠-4-카르복시-알킬 트리에톡시실란, 프리뮬린과 같은 융화되지 않은 2개 이상의 벤젠 링을 갖는 화합물; 트리알콕시실릴프로필-1, 8-나프탈이미드, 안트라플라브 산, 알리자린, 퀴니자린, 9-안트라센 카르복시-알킬 트리에톡시실란(9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란, 9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란, 9-안트라센 카르복시-부틸 트리에톡시실란, 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, 9-안트로센 카르복시-펜틸 트리에톡시실란), 9-안트라센 카르복실산, 9-안트라센 메탄올 및 이들의 혼합물과 같은 융화된 2개 이상의 벤젠 링을 갖는 화합물을 포함한다.
본 발명의 다른 견지에 있어서, 흡수 스핀-온-글래스 조성물을 합성하는 방법이 제공된다. 스핀-온-글래스 재료는 실란과, 트리에톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 디페닐디에톡시실란, 및 디페닐디메톡시실란과 같은 실리콘계 반응물로 부터 통상적으로 합성된다. 할로실란, 특히, 예컨데 트리클로로실란, 메틸트리클로로실란, 에틸트리클로로실란, 페닐트리클로로실란, 테트라클로로실란, 디클로로실란, 메틸디클로로실란, 디메틸디클로로실란, 클로로트리에톡시실란, 클로로트리메톡시실란, 클로로메틸트리에톡시실란, 클로로에틸트리에톡시실란, 클로로페닐트리에톡시실란, 클로로메틸트리메톡시실란, 클로로에틸트리메톡시실란, 및 클로로페닐트리메톡시실란과 같은 클로시란들도 또한 실란 반응물로 사용된다.
흡수 스핀-온-글래스 조성물을 제조하는 방법은, 하나 이상의 알콕시실란, 또는 하나 이상의 할로실란, 질산/물 혼합물과 같은 하나 이상의 포함할 수 있는 유기 흡수 화합물, 및 반응 혼합물을 형성하기 위해 하나 이상의 용매를 배합하고; 그리고 상기 흡수 스핀-온-글래스 조성물을 형성하기 위해 상기 반응 혼합물을 환류하는 것을 포함한다. 이렇게 형성된 상기 스핀-온-글래스 조성물은 다양한 두께의 필름을 생산하는 코팅용액을 제공하기 위해 하나 이상의 용매로 희석된다. 할로실란과 상전사 촉매(phase transfer catalyst)를 포함하는 흡수 스핀-온-글래스 조성물을 제조하는 또다른 방법이 또한 제공된다.
본 발명의 또다른 견지에 있어서, 흡수 스핀 조성물은 실리콘계 화합물과 약 375nm 이하의 파장의 빛을 강하게 흡수하는 포함가능한 유기 흡수 화합물을 포함하여 제조된다. 또한 상기 실리콘계 화합물 또는 상기 포함가능한 유기 흡수 화합물중 적어도 하나는 적어도 하나의 알킬기, 알콕시기, 케톤기 또는 아조기를 포함함을 특징으로 하는 흡수 스핀 조성물이 제공된다.
본 발명의 또다른 견지에 있어서, 9-안트라센 카르복시-알킬 트리알콕시실란을 포함하는 화합물 클래스로 된 흡수 화합물을 제공한다. 상기 9-안트라센 카르복시-알킬 틀알콕시실란중 어느 하나를 합성하는 방법은, 9-안트라센 카르복실산, 클로로알킬트리알콕시실란, 트리에틸아민, 및 반응 혼합물을 형성하기 위한 용매를 배합하고; 상기 반응 혼합물을 환류하고; 상기 환류된 반응 혼합물을 냉각하여 석출물과 잔류용액을 형성하며; 그리고 상기 잔류용액을 여과하여 액체의 9-안트라센 카르복시-알킬 트리에톡시실란을 제조하는 것을 포함한다.
자외선 포토리소그래피용 비반사 코팅재는 스핀-온-글래스(spin-on-glass, SOG)에 포함된 적어도 하나의 유기 흡수 화합물을 포함한다. 흡수 스핀-온-글래스 조성물은 적절한 용매에 용해되어 코팅 용액을 형성하고 그리고 반도체 장비를 생산할 때 소재의 여러 층에 적용된다. 흡수 스핀-온-글래스 비반사 코팅은 현존하는 반도체 제조 공정에 쉽게 통합되도록 설계된다. 통합을 용이하게 하는 몇가지 물성에는 a) 현상 리지스턴스(developor resistance), b) 표준 포토리지스터 공정동안의 열 안정성 및 c) 기층(underlying layers)에 대한 선택적인 제거가 포함된다.
도출된 스핀-온-글래스 재료는 메틸실옥산(metalsiloxane), 메틸실세스키옥산(methylsilsesquioxane), 페닐실록산(phenylsiloxane), 페닐실세스키옥산(phenylsilsesquioxane), 메틸페닐실옥산(methyphenysiloxane), 메닐페닐실세스키옥산(methylphenylsilsesquioxane), 실라잔(silazane) 폴리머, 실리케이트(silicate) 폴리머 및 이들의 혼합물과 같은 실리콘 계 화합물이다. 도출된 실라잔 폴리머는 퍼하이드로실라잔(perhydrosilazane)인데, 이것은 발색단(chromophores)가 부착될 수 있는 "투명한" 폴리머 백본(backbone)을 가지고 있다. 여기서 사용되고 있듯이, "스핀-온-글래스 재료"라는 용어에는 실옥산(siloxane) 폴리머 및 블록폴리머(blockpolymer), 일반 화학식 (H0-1.0SiO1.5-2.0)x의 하이드로겐실옥산(hydrogensiloxane) 폴리머 및 화학식(HSIO1.5)x
인 하이드로겐실세스키옥산(hydrogensilsesquioxane) 폴리머도 역시 포함하는데, 여기서 x는 4보다 큰 수이다. 하이드로겐실세키옥산(hydrogensilsesquioxane)과 알콕시하이드리도실옥산 또는 하이드록시하이드리도실옥산(hydroxyhydridosiloxane)의 공중합체도 역시 포함된다. 스핀-온-글래그 재료에는 일반 화학식 (H0-1.0SiO1.5-2.0)n
(R0-1.0SiO1.5-2.0)m인 오가노하이드리도실옥산(organohydridosiloxane) 폴리머, 그리고 일반 화학식 (HSiO1.5)n(RSiO1.5)m인 오가노하이드리도실세스키옥산 (organohydrosilsesquioxane) 폴리머도 추가적으로 포함되는데, 여기서 m은 0보다 크고 그리고 n과 m의 합계는 약 4 보다 크며 R은 알킬 또는 아릴(aryl)을 나타낸다. 몇개의 유용한 오가노하이드리도실옥산 폴리머는 n과 m의 합계가 약 4에서 약 5000이며 R이 C1-C20 알킬기 또는 C6-C12 아릴기이다. 오가노하이드리도실옥산 및 오가노하이드리도실세스키옥산 폴리머는 스핀-온-폴리머의 대안적인 의미이다. 메틸하이드리도실옥산(methylhydridosiloxanes), 에틸하이드리도실옥산(ethylhydridosiloxanes), 프로필하이드리도실옥산(propylhydridosiloxanes), t-부틸하이드리도실옥산(t-butylhydridosiloxane), 페닐하이드리도실옥산(phenylhydridosiloxanes)과 같은 알킬하이드리도실옥산(alkylhydridosiloxanes); 그리고 메틸하이드리도실세스키옥산(methylhydridosilsesquioxane), 에틸하이드리도실세스키옥산(ethylhydridosilsesquioxanes), 프로필하이드리도실세스키옥산(propylhydridosilsesquioxanes), t-부틸하이드리도실세스키옥산(t-butylhydridosilsesquioxane), 페닐하이드리도실세스키옥산(phenylhydridosilsesquioxanes), 및 그들의 조합물과 같은 알킬하이드리도실세스키옥산 등이 몇몇 특정한 예이다.
많은 나프탈렌-(naphthalene-) 및 안트라센-(anthracene-) 계 화합물은 248nm 이하에서 유효 흡수를 한다. 벤젠-계 화합물은 여기서는 페닐-(phenyl-)계 화합물과 동일한 의미이고, 화합물들은 200nm 이하의 파장에서 유효 흡수를 한다. 이러한 나프탈렌-, 안트라센-, 및 페닐-계 화합물은 염료로 빈번하게 언급되지만, 이러한 화합물의 흡수가 스펙트럼의 가시 영역 파장에 한정되는 것이 아니므로 여기서 흡수 화합물이라는 용어가 사용된다. 그러나, 이러한 흡수 화합물 모두가 ARC 재료로 사용하기 위한 스핀-온-글래스에 포함되는 것은 아니다. 본 발명에서 사용하기 적합한 흡수 화합물은 중심부 파장이 248nm, 193nm와 같은 부근이거나, 또는 365nm와 같은 다른 자외선 파장 부근인 파장 범위에서 빛을 흡수하는 것인데, 이것들은 포토리소그래피에 사용될 수도 있다.
적합한 흡수 화합물의 발색단은 전형적으로 적어도 하나의 벤젠 고리를 포함하고, 그리고 두개 이상의 벤젠 고리가 있는 곳에서는, 고리들은 융화(fused)될 수 도 있고 되지 않을 수도 있다. 포함가능한 흡수 화합물은 발색단에 부착되는 이용가능한 반응기를 가지고 있고, 반응기들은 하이드록실(hydroxyl)기, 아민(amine)기, 카르복실산기, 및 알콕시기 또는 알로겐 원자와 같은 하나, 둘 또는 세개의 "이탈기"에 결합되는 실리콘으로 치환된 시릴기(silyl)를 포함한다. 에톡시(Ethoxy) 또는 메톡시(methoxy)기 또는 염소 원자는 이탈기로 빈번하게 이용된다. 이러한 빈번하게 이용되는 이탈기를 포함하는 반응기에는 실리콘알콕시(siliconalkoxy), 실리콘디알콕시(silicondiethoxy), 실리콘트리악콕시(silicontriethoxy), 실리콘메톡시(siliconmethoxy), 실리콘디메톡시(silicondimethoxy), 실리콘트리메톡시(silicontrimethoxy), 클로로시릴(chlorosilyl), 디클로로시릴(dichlorosilyl), 및 트리클로로시릴(trichlorosilyl)기가 포함된다. 반응기는 예를 들면, 페닐트리에톡시실란(phenyltriethoxysilane)에서와 같이 발색단에 직접 결합할 수도 있거나 또는 반응기는 예를 들면, 9-안트라센 카르복시-알킬 트리에톡시실란(9-anthracene carboxy-alkyl triethoxysilane)에서와 같이 산소 결합 또는 하이드로카본(hydrocarbon) 브릿지(bridge)를 통하여 발색단에 부착될 수도 있다. 예를 들어, 발색단 상의 실리콘트리알콕시기의 포함은 특히 흡수 SOG 필름의 안정성을 증진시키는데 유리하다는 것이 발견되었다. 다른 유용한 흡수 화합물은 아조(azo)기, -N=N-, 및 이용가능한 반응기를 포함하는 것들로서, 특히 특별한 용도에서 365nm 부근의 흡수가 바람직할때에는, 상세하게는 아조기 결합 벤젠 고리를 포함하는 것들이다.
흡수 스핀-온-글래스 화합물 또는 재료에서, 흡수 화합물들은 스핀-온-글래스 기지내에 침입형으로 포함될 수 있다. 대안으로는, 흡수 화합물들은 스핀-온-글래스 폴리머에 화학적으로 결합될 수도 있다. 몇몇의 도출된 실시예에서는, 포함가능한 흡수 화합물들이 이용가능한 반응기를 통하여 스핀-온-글래스 백본(backbone)과 결합을 형성한다.
몇개의 도출된 실시예에서는, 흡수 스핀 온 조성물들이 실리콘-계 화합물과 375nm 이하의 파장 범위의 빛을 포함하는 포함가능한 오가닉(organic) 흡수 화합물을 함유한다. 다른 도출된 실시예에서는, 흡수 스핀-온 조성물은 2nm 이상의 파장 범위의 빛을 흡수한다. 또다른 도출된 실시예에서는, 흡수 스핀-온 조성물은 10nm 이상의 빛을 흡수한다.
또한, 적어도 하나의 실리콘-계 화합물 또는 포함가능한 오가닉 흡수 화합물은 적어도 하나의 알킬기, 알콕시기, 케톤(ketone)기 또는 아조기를 포함한다.
본 발명에서 이용하기 적합한 흡수 화합물의 예에는 안트라플라빅 산(anthraflavic acid)(1), 9-안트라센 카르복실산(9-anthracene carboxylic acid)(2), 9-안트라센 메탄올(9-anthracene methanol)(3), 9-안트라센 에탄올(9-anthracene ethanol)(4), 9-안트라센 프로판올(9-anthracene propanol)(5), 9-안트라센 부탄올(9-anthracene butanol)(6), 아리자린(alizarin)(7), 퀴니자린(quinizarin)(8), 프리뮬린(primuline)(9), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시시릴프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-triethoxysilylpropoxy)-diphenylketone )(10), 2-하이드록시-4-(3-트리메톡시시릴프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-trimethoxysilylpropoxy)-diphenylketone)(11), 2-하이드록시-4-(3-트리부톡시시릴프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-tributoxysilylpropoxy)-diphenylketone)(12), 2-하이드록시-4-(3-트리프로폭시시릴프로폭시)-디페닐케톤(2-hydroxy-4-(3-tripropoxysilylpropoxy)-diphenylketone)(13), 로졸산(rosolic acid)(14), 트리에톡시시릴프로필-1,8-나프탈이미드(triethoxysilylpropyl-1,8-naphthalimide)(15), 트리메톡시시릴프로필-1,8-나프탈이미드(trimethoxysilylpropyl-1,8-naphthalimide)(16), 트리프로폭시시릴프로필-1,8-나프탈이미드(tripropoxysilylpropyl-1,8-naphthalimide)(17), 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란(9-anthracene carboxy-methyl triethoxysilane)(18), 9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란(9-anthracene carboxy-ethyl triethoxysilane)(19), 9-안트라센 카르복시-부틸 트리에톡시실란(9-anthracene carboxy-butyl triethoxysilane)(20), 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란(9-anthracene carboxy-propyl triethoxysilane)(21), 9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시실란(9-anthracene carboxy-methyl trimethoxysilane)(22), 9-안트라센 카르복시-에틸 트리부톡시실란(9-anthracene carboxy-ethyl tributoxysilane)(23), 9-안트라센 카르복시-메틸 트리프로폭시실란(9-anthracene carboxy-methyl tripropoxysilane)(24), 9-안트라센 카르복시-프로필 트리메톡시실란(9-anthracene carboxy-propyl trimethoxysilane)(25), 페닐트리에톡시실란(phenyltriethoxysilane)(26), 페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxysilane)(27), 페닐트리프로폭시실란(phenyltripropoxysilane)(28), 4-페닐라조페놀(4- phenylazophenol)(29), 40에톡시페닐라조벤젠-4-카르복시-메틸 트리에톡시실란(4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane)(30), 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-에틸 트리에톡시실란(4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-ethyl triethoxysilane)(31), 4-에톡시라조벤젠-4-카르복시-프로필 트리에톡시실란(4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-propyl triethoxysilane)(32), 4-부톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-프로필 트리에톡시실란(4-butoxyphenylazobenzene-4-carboxy-propyl triethoxysilane)(33), 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-메틸 트리에톡시실란(4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane)(34), 4-에톡시페닐라조벤젠-4-카르복시-메틸 트리에톡시실란(4-ethoxyphenylazobenzene-4-carboxy-methyl triethoxysilane)(35), 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-에틸 트리에톡시실란(4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-ethyl triethoxysilane)(36), 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-프로필 트리에톡시실란(4-methoxyphenylazobenzene-4-carboxy-propyl triethoxysilane)(37), 및 그들의 조합물이 포함된다. 흡수 화합물 1-37의 화학식은 도 1a-1f에 도시되어 있다. 예를 들면 9-안트라센 메탄올(3), 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시시릴프로폭시)-디페닐케톤(10), 및 로졸산(14)과 조합한 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란(18)과 페닐트리에톡시실란(26)으로 유리한 결과를 얻을 수 있다. 그러나, 이러한 특정 화합물의 목록은 한정적인 목록이 아니고 그리고 도출된 화합물 및 우선적인 화합물은 이러한 특정화합물을 포함하는 화합물 군으로부터 선택될 수 있다는 것을 알아야 한다.
대부분의 이러한 흡수화합물들은 예를 들면, 알드리치 케미칼 컴퍼니(Aldrich Chemical Company)(Milwaukee, WI)로부터 상업적으로 구할 수 있다. 9-안트라센 카르복시-알킬 트리알콕시실란(9-anthracene carboxy-alkyl trialkoxysilanes)은 바로 밑에서 서술되는 것처럼, 에스테르화법을 사용하여 합성된다. 상기 흡수화합물 외에 페닐-계 흡수 화합물은 메톡시벤조익(methoxybenzoic) 산과 같은 알콕시벤조익(alkoxybenzoic) 산; 페닐 고리 또는 메틸페닐(methylphenyl), 클로로페닐(chlorophenyl), 및 클로로메틸페닐(choloromethylphenyl)과 같은 치환된 페닐에 부착된 실리콘계 반응기 구조를 포함한다. 특정 페닐-계 흡수 화합물은 몇가지만 예를 들자면 페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxysilane), 벤지트리클로로실란(benzyltrichlorosilane), 클로로메틸페닐트리메톡시실란(chloromethylphenyltrimethoxysilane), 페닐트리를루오로실란(phenyltrifluorosilane)을 포함한다. 다시 몇가지만 예를 들면 디페닐메틸에톡시실란(diphenylmethylethoxysilane), 디페닐디에톡시실란(diphenyldiethoxysilane), 및 디페닐디클로로실란(diphenyldichlorosilane)과 같은 하나 또는 두개의 "이탈기"를 포함하는 디페닐 실란(diphenyl silanes)은 적합한 포함가능한 흡수 화합물들이다.
9-안트라센 카르복시-알킬 트리알콕시실란(9-anthracene carboxy-alkyl trialkoxysilane) 화합물을 합성하는 일반적인 방법은 9-안트라센 카르복시산(9-anthracene carboxylic acid) 및 클로로메틸 트리알콕시실란(chloromethyl trialkoxysilane) 화합물을 반응물로 사용하는 단계를 포함한다. 구체적으로는, 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란(18)의 합성법은 반응물로 9-안트라센 카르복실산(2)와 클로로메틸 트리에톡시실란(chloromethyl triethoxysilane)을 사용한다. 반응물은 우선 4 옹스트롱 분자 시브(sieve)위에서 건조되고, 트리에틸아민과 메틸이소부틸케톤(methylisobutylketone, MIBK)과 섞어져서, 가열되어 환류할 반응물 혼합물을 형성하고 그리고 약 6 내지 10시간동안 환류된다. 환휴후에는, 반응 혼합물은 밤새 냉각되어 많은 양의 고체 침전물을 형성한다. 잔류하는 용액은 회전-증발(roto-evaporation)되고, 실리카 겔 컬럼을 통하여 여과되고, 그리고 두번째로 회전-증발되어, 어두운 호박색 유성액(dark amber oily liquid)인 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란(18)을 생성하는데, 이것은 정화될 수도 있다. 이러한 방법은 9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란(TESAC), 9-안트라센 카르복시-에틸 트리메톡시실란, 및 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란(ACTEP)을 포함하는 9-안트라센 카르복시-알킬 트리알콕시실란 클래스의 어떠한 화합물도 생성하기에 적합하기 때문에 효과적이다.
흡수 스핀-온-글래스 조성물을 합성하는 방법이 본 발명의 다른 측면에 따라 제공된다. 스핀-온-글래스 재료는 예를 들면, 트리에톡시실란(triethoxysilane)(HTEOS), 테트라에톡시실란(tetraethoxysilane)(TEOS), 메틸트리에톡시실란(methyltriethoxysilane)(MTEOS), 디메틸디에톡시실란(dimethyldiethoxysilane), 테트라메톡시실란(tetramethoxysilane)(TMOS), 메틸트리메톡시실란(methyltrimethoxysilane)(MTMOS), 트리메톡시실란(trimethoxysilane), 디메틸디메톡시실란(dimethyldimethoxysilane), 페닐트리에톡시실란(phenyltriethoxysilane)(PTEOS), 페닐트리메톡시실란(phenyltrimethoxysilane)(PTMOS), 디페닐디에톡시실란(diphenyldiethoxysilane), 및 디페닐디메톡시실란(diphenyldimethoxysilane)을 포함하는 다양한 실란(silane) 반응물로부터 합성될 수 있다. 트리클로로실란(trichlorosilane), 메틸트리클로로실란(methyltrichlorosilane), 에틸트리클로로실란(ethyltrichlorosilane), 페닐트리클로로실란(phenyltrichlorosilane), 테트라클로로실란(tetrachlorosilane), 디클로로실란(dichlorosilane), 메틸디클로로실란(methyldichlorosilane), 디메틸디클로로실란(dimethyldichlorosilane), 클로로트리에톡시실란(chlorotriethoxysilane), 클로로트리메톡시실란(chlorotrimethoxysilane), 클로로메틸트리에톡시실란(chloromethyltriethoxysilane), 클로로에틸트리에톡시실란(chloroethyltriethoxysilane), 클로로페닐트리에톡시실란(chlorophenyltriethoxysilane), 클로로메틸트리메톡시실란(chloromethyltrimethoxysilane), 클로로에틸트리메톡시실란(chloroethyltrimethoxysilane), 및 클로로페닐트리메톡시실란(chlorophenyltrimethoxysilane)과 같은 클로로실란(chlorosilane)을 포함하는 할로실란(halosilane)들도 역시 실란 반응물로 사용될 수 있다. 흡수 스핀-온-글래스 조성물을 제조하기 위하여, 흡수 화합물 1-37, 또는 그들의 조합과 같은 흡수 화합물들이 SOG 재료를 합성하는 동안 실란 반응물과 혼합된다.
첫번째 방법에서, 예를 들면, HTEOS 또는 TEOS 및 MTEOS, 또는, TMOS 및 MTMOS; 또는, 대안으로, 테트라클로로실란 및 메틸트리클로로실란, 흡수 화합물 1-37과 같은 하나 이상의 흡수 화합물; 용매 또는 용매들의 조합; 및 산 수용액(산/물 혼합물)과 같은 실란 반응물을 포함하는 반응 혼합물이 반응용기내에서 형성된다. 아세톤, 2-프로판올, 및 1-프로판올, MIBK, 프로프록시프로판올, 및 프로필 아세테이트와 같은 다른 단순 알콜, 케톤 및 에스테르가 적절한 용매에 포함된다. 산수용액(산/물 혼합물)은 예를 들면 질산과 물의 혼합물이다. 아세트 산(acetic acid), 포름 산(formic acid), 인산(phosphoric acid), 염산(hydrochloric acid) 또는 무수 초산(acetic anhydride)과 같은 다른 프로틱(protic) 산 또는 산 무수물(anhydrides)이 산 혼합물에 대안으로 사용된다. 결과 혼합물은 약 1 내지 24 시간 동안 환류되어 흡수 SOG 폴리머 용액을 생성한다.
흡수 SOG를 적절한 용매로 희석하여 다양한 두께의 필름을 생성하는 코팅 용액을 얻을 수 있다. 적절한 희석 용매에는 2-프로판올(2-propanol), 에탄올(ethanol), 부탄올(butanol), 메탄올(methanol), 프로필아세테이트(propylacetate), 에틸 락테이트(ethyl lactate) 및 프로파졸-P(Propasol-P)라고 상업적으로 말하는 프로필렌 글리콜 프로필 에테르(propylene glycol propyl ether)가 포함될 수 있다. 에틸 락테이트 및 프로필렌 글리콜 프로필 에테르와 같은 높은 끓는점을 가진 희석 용매가 유익한 것으로 밝혀졌다. 높은 끓는점을 가진 용매는 기포 막 결함(bubble film defect)의 형성가능성을 낮춘다고 믿어지고 있다. 반대로, 낮은 끓는 점을 가진 용매는 베이킹(baking) 공정 단계동안 옮겨질 때 막의 교차결합된 상부층하에서 포집될 수 있고 결과적으로 공극을 형성할 수 있다. 본 발명에서 유용한 용매에는 다른 말로는 글림(glyme)이라고 불리는 에틸렌 글리콜 디메틸 에테르(ethylene clycol dimethyl ether), 아니졸(anisole), 디부틸 에테르(dibuthyl ether), 디프로필 에테르(dipropyl ether), 프로필렌 글리콜 메틸 에테르 아세테이트(propylene glycol methyl ether acetate) 및 펜탄올이 추가적으로 포함될 수 있다. 선택적으로는, 3M(미니애폴리스, MN) 제품 FC430, 또는 DIC(일본) 제품 메가페이스(magaface) R08과 같은 계면활성제도 코팅용액에 첨가된다. 코팅 용액은 전형적으로 폴리머 중량의 0.5 내지 20% 이다. 사용에 앞서, 코팅 용액은 표준 여과 기술(standard filteration techniques)에 의해 여과된다.
흡수 SOG 재료를 형성하는 두번째 방법에 따라, 실란 반응물, 흡수 화합물 1-37 과 같은 하나 이상의 흡수 화합물, 용매 또는 용매의 혼합물을 포함하는 반응 혼합물이 반응용기내에서 형성된다. 반응 혼합물은 환류되도록 가열되어 약 1 내지 24시간 사이 동안 환류된다. 실란 반응물과 용매는 상기 첫번째 방법에서 기술되었다. 상기하였듯이, 산수용액(산/물 혼합물)이 젓는 동안 반응 혼합물에 첨가된다. 결과적인 혼합물은 환류하도록 가열되고 약 1 내지 24 시간 사이에서 환류되어 흡수 SOG 폴리머를 생성한다. 흡수 SOG 는 희석되고 상기와 같이 여과되어 코팅 용액을 형성한다.
흡수 올가노히드리도실록산 물질을 형성하는 방법은 비-양성자성 용매 및 양성자성 용매 모두를 포함하는 2상(dual phase)용매와 상전이 촉매의 혼합물을 형성하는 단계;
2상의 반응혼합물을 제공하기 위하여 하나 이상의 올가노트리할로실란, 히드리도트리할로실란 및 흡수화합물 1-37과 같은 하나 이상의 흡수화합물을 첨가하는 단계; 및
흡수 올가노히드리도실록산 중합체를 제조하기 위하여 1∼24시간 동안 상기 2상 반응혼합물을 반응시키는 단계를 포함한다.
상기 상전이 촉매는 제한되는 것은 아니지만, 테트라부틸암모늄 클로라이드 및 벤질트리메틸암모늄 클로라이드를 포함한다.
비-양성장성 용매의 예로는 제한되는 것은 아니지만, 펜탄, 헥산, 헵탄, 사이클로헥산, 벤젠, 톨루엔, 자일렌, 카본 테트라 클로라이드등과 같은 할로겐화 용매 및 이들의 혼합물을 포함한다. 유용한 양성자성 용매로는 물, 알콜, 및 물과 알콜의 혼합물을 포함한다. 흡수 중합체 용액은 코팅용액을 형성하기 위하여 상기한 바와 같이 희석 및 여과된다. 흡수 SOG 코팅용액은 전형적으로 통상적인 스핀-온 침착기술에 의하여, 특징적인 제조공정에 따라, 반도체 처리에 사용되는 다양한 층들에 적용된다.
이들 기술은 흡수 SOG 비반사 코팅물을 제조하기 위하여 디스펜스 스핀(dispense spin), 씨크니스 스핀(thickness spin), 및 써머 베이크 스텝(thermal bake step)들을 포함한다. 전형적인 공정은 약 20초동안 1000과 400rpm사이의 씨크니스 스핀과 각각 80℃와 300℃사이의 온도에서 적어도 1분이상 동안 행하는 2 또는 3의 베이크 스텝을 포함한다.
본 발명에 따르는 상기 SOG 비반사 코팅물은 약 1.3과 약 2.0사이의 굴절지수(refractive indices)및 0.07이상의 흡광계수(extinction coefficient)를 나타낸다.
하기 실시예들에서 제시된 바와 같이 0.4 이상의 흡광계수가 얻어졌다.
반면에, 실리콘 디옥사이드, 실리케이트, 및 메틸실록산과 같은 유전체 재료의 흡광계수는 190nm이상의 파장에서 대략 0(zero)이다.
포토리소그래픽 공정에서 비반사코팅으로써 본 발명에 따른 흡수 스핀-온-글래스 재료를 이용하는 일반적인 방법은 도 2a-2h에 예시된다. 도 2a에 보여진 것처럼, 유전체층(22)은 실리콘 기판(20)위에 놓여진다. 유전체층(22)은 예를들면 TEOS로부터 유래된 실리콘 다이옥사이드 층, 실란기 실리콘 다이옥사이드 층, 열적으로 성장된 옥사이드, 또는 화학적 증착법으로 형성된 메틸하이드리도실록산 또는 다른 원소 또는 화합물이 합쳐진 실리콘 다이옥사이드를 포함하는 다양한 유전체 재료로 구성되어질 수 있다. 유전체층(22)은 통상적으로 광학적으로 투명한 매개물이다. 흡수 SOG 비반사코팅층(24)은 도 2c에 보여진 더미(stack)를 형성하기 위하여 통상적으로 양의 포토레지스트인 포토레지스트층(26)에 의하여 덮여진 유전체층(22, 도 2b) 위에 적용된다. 도 2c의 더미는 도 2d에 보여진 것처럼 마스크(30)를 통하여 자외선(32)에 노출된다. 상기 노출동안 상기 흡수 SOG ARC 층(24)은 상기 포토레지스트를 통하여 전달된 자외선(32, UV light)을 흡수한다. 상기 유전체층(22)은 상기 UV 파장범위에서 통과되기 때문에, 만약 흡수 SOG ARC 층(24)이 존재하지 않는다면 상기 자외선(32)은 임계 디멘션(critical dimension), 예를들면 상기 노출된 포토레지스트의 임계 디멘션(27)을 떨어뜨리는 아래에 놓여있는 실리콘층(20)에서 반사된다. 이러한 예에서, 직접적인 상전사를 제공하는 양의 포토레지스트가 가정된다.
상기 노출된 더미는 도 2e의 더미를 제공하기 위하여 현상된다. 상기 흡수 SOG ARC 층(24)은 2.5%의 테트라메틸암모늄하이드록사이드(TMAH) 용액과 같은 통상적인 포토레지스트 현상 용액에 저항력이 있다. 반대로 상기 포토레지스트 재료의 몇몇 화학적 특성을 갖는 유기 ARC 층은 포토레지스트 디벨로퍼에 보다 민감하다. 또한, 흡수 SOG ARC 층은 화학적, 기체를 기본으로 한, 포토레지스트 스트리핑 공정에 저항성을 갖지만, 유기 ARC 층은 저항성을 갖지 않는다. 그러므로, 흡수 SOG 층의 이용은 상기 ARC 층에 다시 적용할 필요없이 포토레지스트 재가공을 용이하게 할 수 있다.
다음으로, 도 2f의 에칭된 더미를 제조하기 위하여 포토레지스트 층(26)의 개구부를 통하여 상기 흡수 SOG ARC 층(24)이 에칭된다. 포토레지스트에 매우 민감한 플루오로카본 에칭(fluorocarbon etch)은 상기 흡수 SOG ARC 층(24)을 에칭하기 위하여 이용된다. 플루오로카본 에칭에 대한 상기 흡수 SOG의 응답은 유기 ARC 층 위의 상기 흡수 SOG의 부가적인 장점을 제공하며, 이는 산소 플라즈마 에칭(oxygen plasma etch)을 요구한다. 오르가닉에 기초한 상기 포토레지스트가 산소 플라즈마에 의하여 또한 에칭될 수 있기 때문에, 산소 플라즈마 에칭은 상기 현상된 포토레지스트의 임계 디멘션을 하락시킬 수 있다. 플루오로카본 플라즈마는 산소 플라즈마에 비하여 더 적은 포토레지스트를 소모한다. 보다 짧은 UV 파장에서, 요구되는 포커스의 깊이는 도 2d에 보여진 노출단계에서 포토레지스트층(26)의 두께를 제한할 것이다. 예를들면, 193nm에서 포토레지스트의 두께는 대략 300nm인 것으로 추정된다. 그러므로, 우선적으로 적용된 이러한 짧은 파장때문에, 상기 포토레지스트에 대하여 선택적으로 에칭될 수 있는 ARC 층을 갖는 것이 중요할 것이다.
상기 플루오로카본 에칭이 도 2g의 더미를 형성하기 위하여 상기 유전체층(22)을 통하여 계속된다. 포토레지스트층(26)은 상기 계속된 에칭 공정동안 부분적으로 소모된다. 마지막으로, 상기 포토레지스트층(26)은 산소 플라즈마 또는 하이드로겐 환원 분위기 또는 습식 분위기를 이용하여 제거되며, 상기 SOG ARC 층(24)은 버퍼된 옥사이드 에칭, 예를들면 표준 불산/물 혼합물, 또는 수용성 또는 비수용성 오르가노아민 또는 수용성 또는 비수용성 플루오로-기초 분위기를 이용하여 제거된다. 유리하게, 상기 SOG ARC 층은 상기 아래에 놓여있는 유전체층에 대하여 우수한 민감성을 보여주는 용액으로 제거될 수 있다. 그러므로, 도 2a-2h에 보여진 상기 일반적인 포토리소그래픽 방법은 비반사코팅층 및 희생 비반사코팅층처럼 흡수 SOG 재료의 공정의 유리함으로 예시한다.
실시예
9-안트라센 카르복시-알킬 트리알콕시실란 및 보다 특정하게는 9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란 및 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란과 같은 흡수 화합물의 합성뿐만 아니라 흡수 SOG 재료를 합성하는 방법은 다음의 실시예들에서 예시된다.
실시예1
9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 60그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 115그램의 부탄올, 488그램의 2-프로판올, 245그램의 아세톤, 329그램의 에탄올, 53그램의 중성화된 물 및 3.8그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 상기 용액은 여과되었다. 상기 용액은 조제되었고, 20초동안 3000rpm의 두께 회전이 행해졌으며, 각 1분동안 80℃ 및 180℃에서 구워졌다. N & K Technology Model 1200 analyzer로 광학특성이 측정되었다. 상기 필름의 두께는 1635Å이었다. 248nm에서 굴절지수(n)는 1.373이었고, 흡광계수(k)는 0.268이었다. 그러나, 예를들면 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란과 같은 보다 순수한 출발물질 및 흡수 화합물은 보다 높은 흡광계수를 주는 것으로 평가된다. 상기와 같은 회전 및 굽기 공정에서 파라미터 및 측정기술은 다음의 실시예들 모두에 이용되었다.
9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 60그램의 9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 115그램의 부탄올, 488그램의 2-프로판올, 245그램의 아세톤, 329그램의 에탄올, 53그램의 중성화된 물 및 3.8그램의 10% FC 430(3M, Minnsapolis, MN)이 첨가되었다. 상기 용액은 여과되었다. 상기 용액은 조제되었고, 20초동안 3000rpm의 두께 회전이 행해졌으며, 각 1분동안 80℃ 및 180℃에서 구워졌다. N & K Technology Model 1200 analyzer로 광학특성이 측정되었다.
9-안트라센 카르복시-에틸 트리메쏘시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 60그램의 9-안트라센 카르복시-에틸 트리메쏘시실란, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 115그램의 부탄올, 488그램의 2-프로판올, 245그램의 아세톤, 329그램의 에탄올, 53그램의 중성화된 물 및 3.8그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 상기 용액은 여과되었다. 상기 용액은 조제되었고, 20초동안 3000rpm의 두께 회전이 행해졌으며, 각 1분동안 80℃ 및 180℃에서 구워졌다. N & K Technology Model 1200 analyzer로 광학특성이 측정되었다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 178그램의 2-프로판올, 89그램의 아세톤, 52그램의 TEOS, 59그램의 MTEOS, 29그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, 3.3그램의 0.1M 질산 및 40그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 26그램의 부탄올, 488그램의 2-프로판올, 245그램의 아세톤, 329그램의 에탄올, 53그램의 중성화된 물 및 3.8그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 상기 용액은 여과되었다. 상기 용액은 조제되었고, 20초동안 3000rpm의 두께 회전이 행해졌으며, 각 1분동안 80℃ 및 180℃에서 구워졌다. N & K Technology Model 1200 analyzer로 광학특성이 측정되었다. 두께는 1487.1Å;k=0.4315;n=1.4986이다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 178그램의 2-프로판올, 89그램의 아세톤, 49그램의 TEOS, 55그램의 MTEOS, 48그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, 3.3그램의 0.1M 질산 및 40그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 26그램의 부탄올, 488그램의 2-프로판올, 245그램의 아세톤, 329그램의 에탄올, 53그램의 중성화된 물 및 3.8그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 상기 용액은 여과되었다. 상기 용액은 조제되었고, 20초동안 3000rpm의 두께 회전이 행해졌으며, 각 1분동안 80℃ 및 180℃에서 구워졌다. N & K Technology Model 1200 analyzer로 광학특성이 측정되었다. 두께는 534.45Å;k=0.45;n=1.49이다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 178그램의 2-프로판올, 89그램의 아세톤, 13그램의 TEOS, 110그램의 MTEOS, 13그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, 3.3그램의 0.1M 질산 및 40그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 26그램의 부탄올, 488그램의 2-프로판올, 245그램의 아세톤, 329그램의 에탄올, 53그램의 중성화된 물 및 3.8그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 상기 용액은 여과되었다. 상기 용액은 조제되었고, 20초동안 3000rpm의 두께 회전이 행해졌으며, 각 1분동안 80℃ 및 180℃에서 구워졌다. N & K Technology Model 1200 analyzer로 광학특성이 측정되었다. 두께는 414.17Å;k=0.3551;n=1.5079이다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 178그램의 2-프로판올, 89그램의 아세톤, 96그램의 TEOS, 15그램의 MTEOS, 13그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, 3.3그램의 0.1M 질산 및 40그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 15그램의 부탄올, 488그램의 2-프로판올, 245그램의 아세톤, 329그램의 에탄올, 53그램의 중성화된 물 및 3.8그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 상기 용액은 여과되었다. 상기 용액은 조제되었고, 20초동안 3000rpm의 두께 회전이 행해졌으며, 각 1분동안 80℃ 및 180℃에서 구워졌다. N & K Technology Model 1200 analyzer로 광학특성이 측정되었다. 두께는 494.77Å;k=0.3354;n=1.5243이다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 178그램의 2-프로판올, 89그램의 아세톤, 56그램의 TEOS, 64그램의 MTEOS, 7.63그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, 3.3그램의 0.1M 질산 및 40그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 26그램의 부탄올, 488그램의 2-프로판올, 245그램의 아세톤, 329그램의 에탄올, 53그램의 중성화된 물 및 3.8그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 상기 용액은 여과되었다. 상기 용액은 조제되었고, 20초동안 3000rpm의 두께 회전이 행해졌으며, 각 1분동안 80℃ 및 180℃에서 구워졌다. N & K Technology Model 1200 analyzer로 광학특성이 측정되었다. 두께는 3629.76Å;k=0.3559;n=1.4508이다. 두번째 두께=1377.37Å; k=0.358;n=2.643이나, n값은 상기 출발조성 및 반응물의 두께 및 순도에 따라 변할 수 있다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 178그램의 2-프로판올, 89그램의 아세톤, 86그램의 TEOS, 25그램의 MTEOS, 12.1그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, 3.3그램의 0.1M 질산 및 40그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 26그램의 부탄올, 488그램의 2-프로판올, 245그램의 아세톤, 329그램의 에탄올, 53그램의 중성화된 물 및 3.8그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 상기 용액은 여과되었다. 상기 용액은 조제되었고, 20초동안 3000rpm의 두께 회전이 행해졌으며, 각 1분동안 80℃ 및 180℃에서 구워졌다. N & K Technology Model 1200 analyzer로 광학특성이 측정되었다. 두께는 1455.93Å;k=0.339;n=1.5895이다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 178그램의 2-프로판올, 89그램의 아세톤, 21그램의 TEOS, 101그램의 MTEOS, 12그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, 3.3그램의 0.1M 질산 및 40그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 26그램의 부탄올, 488그램의 2-프로판올, 245그램의 아세톤, 329그램의 에탄올, 53그램의 중성화된 물 및 3.8그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 상기 용액은 여과되었다. 상기 용액은 조제되었고, 20초동안 3000rpm의 두께 회전이 행해졌으며, 각 1분동안 80℃ 및 180℃에서 구워졌다. N & K Technology Model 1200 analyzer로 광학특성이 측정되었다. 두께는 345.31Å;k=0.3264;n=1.4614이다. 두번째 두께=1021.18Å;k=0.3215;n=1.5059이다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 178그램의 2-프로판올, 89그램의 아세톤, 37그램의 TEOS, 74그램의 MTEOS, 36그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, 3.3그램의 0.1M 질산 및 40그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 26그램의 부탄올, 488그램의 2-프로판올, 245그램의 아세톤, 329그램의 에탄올, 53그램의 중성화된 물 및 3.8그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 상기 용액은 여과되었다. 상기 용액은 조제되었고, 20초동안 3000rpm의 두께 회전이 행해졌으며, 각 1분동안 80℃ 및 180℃에서 구워졌다. N & K Technology Model 1200 analyzer로 광학특성이 측정되었다. 두께는 6000Å;k=0.3701;n=1.4486이다. 두번째 두께=2851.52Å;k=0.3912;n=1.4786이다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 178그램의 2-프로판올, 89그램의 아세톤, 64그램의 TEOS, 42그램의 MTEOS, 36그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, 3.3그램의 0.1M 질산 및 40그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 26그램의 부탄올, 488그램의 2-프로판올, 245그램의 아세톤, 329그램의 에탄올, 53그램의 중성화된 물 및 3.8그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 상기 용액은 여과되었다. 상기 용액은 조제되었고, 20초동안 3000rpm의 두께 회전이 행해졌으며, 각 1분동안 80℃ 및 180℃에서 구워졌다. N & K Technology Model 1200 analyzer로 광학특성이 측정되었다. 두께는 5988Å;k=0.36;n=1.445이다. 두번째 두께=2887.27Å;k=0.3835;n=1.4856이다.
실시예2
9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤 및 로졸산을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 25그램의 9-안트라센 메탄올, 10그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 5그램의 로졸산, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 111그램의 부탄올, 459그램의 2-프로판올, 230그램의 아세톤, 309그램의 에탄올, 50그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 두께=1436Å, n=1.479, k=0.1255이다.
9-안트라센 에탄올, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤 및 로졸산을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 25그램의 9-안트라센 에탄올, 10그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 5그램의 로졸산, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 111그램의 부탄올, 459그램의 2-프로판올, 230그램의 아세톤, 309그램의 에탄올, 50그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다.
9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤 및 로졸산을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 25그램의 9-안트라센 메탄올, 10그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 5그램의 로졸산, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 111그램의 부탄올, 459그램의 2-프로판올, 230그램의 아세톤, 309그램의 에탄올, 50그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다.
9-안트라센 에탄올, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤 및 로졸산을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 25그램의 9-안트라센 에탄올, 10그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 5그램의 로졸산, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 111그램의 부탄올, 459그램의 2-프로판올, 230그램의 아세톤, 309그램의 에탄올, 50그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다.
실시예3
9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤 및 로졸산을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 93그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 20그램의 9-안트라센 메탄올, 60그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 5그램의 로졸산, 0.5599그램의 0.1M 질산 및 71.90그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다.
실시예4
9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤 및 로졸산을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 108그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 10그램의 9-안트라센 메탄올, 60그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 5그램의 로졸산, 0.5599그램의 0.1M 질산 및 72그램의 중성화된 물을 혼합하였다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 두께=4275Å, n=1.529, k=0.124이다.
실시예5
2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 51그램의 MTEOS, 60그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 중성화된 물을 혼합하였다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 두께=3592Å, n=1.563, k=0.067이다.
2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 51그램의 MTEOS, 60그램의 2-하이드록시-4-(3-트리메톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 중성화된 물을 혼합하였다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다.
실시예6
9-안트라센 메탄올을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 10그램의 9-안트라센 메탄올, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapois, MN)이 첨가되었다.
9-안트라센 에탄올을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 10그램의 9-안트라센 에탄올, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapois, MN)이 첨가되었다.
9-안트라센 프로판올을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 10그램의 9-안트라센 프로판올, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapois, MN)이 첨가되었다.
실시예7
9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤 및 로졸산을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 20그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 25그램의 9-안트레센 메탄올, 5그램의 로졸산, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 두께=3503Å, n=1.475, k=0.193이다.
실시예8
9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤 및 로졸산을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 5그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 25그램의 9-안트라센 메탄올, 5그램의 레졸산, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 두께=3119Å, n=1.454, k=0.175이다.
실시예9
9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 레졸산, 퀴니자린 및 알리자린을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 20그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 25그램의 9-안트라센 메탄올, 5그램의 레졸산, 2그램의 퀴니자린, 2그램의 알리자린, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.7그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 두께=3554Å, n=1.489, k=0.193이다.
실시예10
9-안트라센 메탄올, 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 레졸산 및 알리자린을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 51.5그램의 MTEOS, 5그램의 2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 25그램의 9-안트라센 메탄올, 5그램의 레졸산, 2그램의 알리자린, 0.5599그램의 0.1M 질산 및 71.90그램의 탈이온수가 첨가되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 56.68그램의 부탄올, 87.99그램의 2-프로판올, 44.10그램의 아세톤, 59.31그램의 에탄올, 9.55그램의 중성화된 물 및 3.75그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 두께=3109Å, n=1.454, k=0.193이다.
실시예11
9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 30그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시실란, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.7그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다. 두께=3010Å, n=1.377, k=0.163이다.
9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 30그램의 9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시실란, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.7그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란을 포함하는 흡수 SOG의 합성
1리터의 플라스크에 297그램의 2-프로판올, 148그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77그램의 MTEOS, 30그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시실란, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램의 탈이온수가 혼합되었다. 상기 플라스크는 4시간동안 환류되었다. 상기 용액에 57그램의 부탄올, 88그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59그램의 에탄올, 9.5그램의 중성화된 물 및 3.7그램의 10% FC 430(3M, Minneapolis, MN)이 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-펜틸 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 30 그램의 9-안트라센 카르복시-펜틸 트리에톡시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 72 그램의 탈이온 수들이 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올, 88 그램의 2-프로판올, 44그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온 수및 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 30 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 72 그램의 탈이온 수들이 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올, 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온 수및 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-에틸 트리메톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 30 그램의 9-안트라센 카르복시-에틸 트리메톡시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 72 그램의 탈이온 수들이 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올, 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온 수및 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리메톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 30 그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리메톡시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 72 그램의 탈이온 수들이 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올, 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온 수및 3.7 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가되었다.
실시예 12
9-안트라센 메탄올을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 그리고 10 그램의 9-안트라센 메탄올들이 화합된다. 상기 용액은 6시간 동안 환류된다. 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 72 그램의 탈이온 수 혼합물이 상기 플라스크에 첨가된다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류된다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올, 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온 수및 3.75 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가된다.
9-안트라센 에탄올을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 그리고 10 그램의 9-안트라센 에탄올들이 화합된다. 상기 용액은 6시간 동안 환류된다. 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 72 그램의 탈이온 수 혼합물이 상기 플라스크에 첨가된다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류된다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올, 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온 수및 3.75 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가된다.
9-안트라센 프로판올을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 123그램의 TEOS, 77 그램의 MTEOS, 그리고 10 그램의 9-안트라센 프로판올들이 화합된다. 상기 용액은 6시간 동안 환류된다. 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 72 그램의 탈이온 수 혼합물이 상기 플라스크에 첨가된다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류된다. 상기 용액에 57 그램의 부탄올, 88 그램의 2-프로판올, 44 그램의 아세톤, 59 그램의 에탄올, 9.5 그램의 탈이온 수및 3.75 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가된다.
실시예 13
9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 90 그램의 TMOS, 59 그램의 MTMOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산및 72 그램의 탈이온 수들이 화합된다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류된다. 상기 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온 수및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가된다.
9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 90 그램의 TMOS, 59 그램의 MTMOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산및 72 그램의 탈이온 수들이 화합된다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류된다. 상기 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온 수및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가된다.
9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 90 그램의 TMOS, 59 그램의 MTMOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산및 72 그램의 탈이온 수들이 화합된다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류된다. 상기 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온 수및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가된다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 90 그램의 TMOS, 59 그램의 MTMOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산및 72 그램의 탈이온 수들이 화합된다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류된다. 상기 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온 수및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가된다.
9-안트라센 카르복시-메틸 트리프로폭시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 90 그램의 TMOS, 59 그램의 MTMOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리프로폭시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산및 72 그램의 탈이온 수들이 화합된다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류된다. 상기 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온 수및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가된다.
9-안트라센 카르복시-에틸 트리부톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램의 2-프로판올, 148 그램의 아세톤, 90 그램의 TMOS, 59 그램의 MTMOS, 60 그램의 9-안트라센 카르복시-에틸 트리부톡시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산및 72 그램의 탈이온 수들이 화합된다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류된다. 상기 용액에 115 그램의 부탄올, 488 그램의 2-프로판올, 245 그램의 아세톤, 329 그램의 에탄올, 53 그램의 탈이온 수및 3.8 그램의 10% FC 430(3M, 미네아폴리스, MN)등이 첨가된다.
실시예 14
9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인의 합성
2-리터 플라스크내에, 90.0g의 9-안트라센카르복실 산, 86.0 ml의 크로로메틸트리에톡시시레인, 66 ml의 트리에틸아민, 그리고 4 Å의 분자체상에서 건조되어진 1.25 L의 메틸이소부틸케톤(MIBK)들이 서서히 교반되고 가열되며, 8.5 시간 동안 환류되었다. 상기 용액은 2L의 테프론 병으로 이동되어 밤새 방치되었다.
다량의 고체 침전물이 형성하였다. 상기 MIBK 용액은 가만히 따라졌고(decanted), 회전-증발되어 대략 200g 으로 되었다. 동일한 중량의 헥산이 첨가되고 혼합되었다. 침전물이 형성하였다. 1.75 인치 직경과 2 인치 높이를 갖고 그리고 20%의 에틸아세테이트/80%의 헥산으로 현탁되어진 실리카 겔 컬럼이 준비되었다. 상기 MIBK/헥산 용액은 가압하에서 상기 컬럼을 통과하였고, 상기 컬럼은 20%의 에틸아세테이트/80%의 헥산 800ml로 세척되었다. 상기 용액은 0.2㎛ 로 여과되었고 회전-증발되었다. 상기 용매(solvent)가 떨어지는 것(coming off)을 멈춘 때, 온도는 60분 동안 35℃로 상승되었다. 검은 황갈색의 오일 액체 제품이 얻어졌다(85g).
9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시시레인의 합성
2-리터 플라스크내에, 90.0g의 9-안트라센카르복실 산, 86.0 ml의 크로로에틸트리에톡시시레인, 66 ml의 트리에틸아민, 그리고 4 Å의 분자체상에서 건조되어진 1.25 L의 메틸이소부틸케톤(MIBK)들이 서서히 교반되고 가열되며, 8.5 시간 동안 환류되었다. 상기 용액은 2L의 테프론 병으로 이동되어 밤새 방치되었다.
다량의 고체 침전물이 형성하였다. 상기 MIBK 용액은 가만히 따라졌고, 회전-증발되어 대략 200g 으로 되었다. 동일한 중량의 헥산이 첨가되고 혼합되었다. 침전물이 형성하였다. 1.75 인치 직경과 2 인치 높이를 갖는 그리고 20%의 에틸아세테이트/80%의 헥산으로 현탁되어진 실리카 겔 컬럼이 준비되었다. 상기 MIBK/헥산 용액은 가압하에서 상기 컬럼을 통과하였고, 상기 컬럼은 20%의 에틸아세테이트/80%의 헥산 800ml로 세척되었다. 상기 용액은 0.2㎛ 로 여과되었고 회전-증발되었다. 상기 용매가 떨어지는 것(coming off)을 멈춘 때, 온도는 60분 동안 35℃로 상승되었다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시시레인의 합성
2-리터 플라스크내에, 90.0g의 9-안트라센카르복실 산, 86.0 ml의 크로로프로필트리에톡시시레인, 66 ml의 트리에틸아민, 그리고 4 Å의 분자체상에서 건조되어진 1.25 L의 메틸이소부틸케톤(MIBK)들이 서서히 교반되고 가열되며, 8.5 시간 동안 환류되었다. 상기 용액은 2L의 테프론 병으로 이동되어 밤새 방치되었다.
다량의 고체 침전물이 형성하였다. 상기 MIBK 용액은 가만히 따라졌고, 회전-증발되어 대략 200g 으로 되었다. 동일한 중량의 헥산이 첨가되고 혼합되었다. 침전물이 형성하였다. 1.75 인치 직경과 2 인치 높이를 갖는 그리고 20%의 에틸아세테이트/80%의 헥산으로 현탁되어진 실리카 겔 컬럼이 준비되었다. 상기 MIBK/헥산 용액은 가압하에서 상기 컬럼을 통과하였고, 상기 컬럼은 20%의 에틸아세테이트/80%의 헥산 800ml로 세척되었다. 상기 용액은 0.2㎛ 로 여과되었고 회전-증발되었다. 상기 용매가 떨어지는 것(coming off)을 멈춘 때, 온도는 60분 동안 35℃로 상승되었다.
9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시시레인의 합성
2-리터 플라스크내에, 90.0g의 9-안트라센카르복실 산, 86.0 ml의 크로로메틸트리메톡시시레인, 66 ml의 트리에틸아민, 그리고 4 Å의 분자체상에서 건조되어진 1.25 L의 메틸이소부틸케톤(MIBK)들이 서서히 교반되고 가열되며, 8.5 시간 동안 환류되었다. 상기 용액은 2L의 테프론 병으로 이동되어 밤새 방치되었다.
다량의 고체 침전물이 형성하였다. 상기 MIBK 용액은 가만히 따라졌고(decanted), 회전-증발되어 대략 200g 으로 되었다. 동일한 중량의 헥산이 첨가되고 혼합되었다. 침전물이 형성하였다. 1.75 인치 직경과 2 인치 높이를 갖는 그리고 20%의 에틸아세테이트/80%의 헥산으로 현탁되어진 실리카 겔 컬럼이 준비되었다. 상기 MIBK/헥산 용액은 가압하에서 상기 컬럼을 통과하였고, 상기 컬럼은 20%의 에틸아세테이트/80%의 헥산 800ml로 세척되었다. 상기 용액은 0.2㎛ 로 여과되었고 회전-증발되었다. 상기 용매가 떨어지는 것(coming off)을 멈춘 때, 온도는 60분 동안 35℃로 상승되었다.
실시예 15
9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램(4.798 몰) 2-프로판올, 148 그램(2.558 몰) 아세톤, 123그램(0.593 몰) TEOS, 77 그램(0.432 몰) MTEOS, 45 그램(0.102 몰) 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 72 그램(3.716 몰) 탈이온 수들이 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에 43 그램(0.590 몰)의 부탄올 그리고 1260 그램(8.344 몰)의 에틸락테이트등이 첨가되었다. 두께 = 1156 Å, n = 1.502, k = 0.446.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램(4.798 몰) 2-프로판올, 148 그램(2.558 몰) 아세톤, 123그램(0.593 몰) TEOS, 77 그램(0.432 몰) MTEOS, 45 그램(0.102 몰) 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 72 그램(3.716 몰) 탈이온 수들이 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에 43 그램(0.590 몰)의 부탄올 그리고 1260 그램(8.344 몰)의 에틸락테이트등이 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1-리터 플라스크내에 297 그램(4.798 몰) 2-프로판올, 148 그램(2.558 몰) 아세톤, 123그램(0.593 몰) TEOS, 77 그램(0.432 몰) MTEOS, 45 그램(0.102 몰) 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6 그램의 0.1 M 질산 및 72 그램(3.716 몰) 탈이온 수들이 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에 43 그램(0.590 몰)의 부탄올 그리고 1260 그램(8.344 몰)의 에틸락테이트등이 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 77그램(0.432몰)의 MTEOS, 45그램(0.102몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 43그램(0.590몰)의 부탄올과 1260그램(8.344몰)의 에틸 락테이트가 첨가되었다.
실시예 16
9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인(triethoxysilane)을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 77그램(0.432몰)의 MTEOS, 30그램(0.102몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 57그램(0.769몰)의 부탄올, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수 및 3.7그램의 10% FC 430이 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 77그램(0.432몰)의 MTEOS, 30그램(0.102몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 57그램(0.769몰)의 부탄올, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수 및 3.7그램의 10% FC 430이 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-에틸 트리메톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 77그램(0.432몰)의 MTEOS, 30그램(0.102몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 57그램(0.769몰)의 부탄올, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수 및 3.7그램의 10% FC 430이 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 77그램(0.432몰)의 MTEOS, 30그램(0.102몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 57그램(0.769몰)의 부탄올, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수 및 3.7그램의 10% FC 430이 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-부틸 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 77그램(0.432몰)의 MTEOS, 30그램(0.102몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 57그램(0.769몰)의 부탄올, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수 및 3.7그램의 10% FC 430이 첨가되었다.
실시예 17
9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 77그램(0.432몰)의 MTEOS, 45그램(0.102몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 43그램(0.590몰)의 부탄올과 981그램(8.301몰)의 프로파솔-피가 첨가되었다. 두께=1407Å, n=1.334, k=0.551.
9-안트라센 카르복시-에틸 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 77그램(0.432몰)의 MTEOS, 45그램(0.102몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 43그램(0.590몰)의 부탄올과 981그램(8.301몰)의 프로파솔-피가 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 77그램(0.432몰)의 MTEOS, 45그램(0.102몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 43그램(0.590몰)의 부탄올과 981그램(8.301몰)의 프로파솔-피가 첨가되었다.
9-안트라센 카르복시-메틸 트리메톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 77그램(0.432몰)의 MTEOS, 45그램(0.102몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 43그램(0.590몰)의 부탄올과 981그램(8.301몰)의 프로파솔-피가 첨가되었다.
실시예 18
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
질소 인렛(inlet), 드라이 아이스 응축기 및 기계적 교반기를 갖춘 6L 자켓 반응기에 5000ml의 헥산, 720ml의 에탄올, 65ml의 물 및 10% 중량의 테트라부틸암모니움 클로라이드 히드레이트 수용액 120그램이 채워진다. 상기 혼합물은 25℃에서 교반하는 0.5시간 동안 평형이 유지된다. 트리클로로시레인(377.4그램, 2.78몰), 메틸트리클로로시레인(277.7그램, 1.86몰) 및 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인(203.8그램, 0.46몰)의 혼합물이 70분 동안 연동(peristaltic) 펌프를 사용하는 상기 반응기에 첨가된다. 상기 시레인(silane)과 흡수 화합물(compound)의 첨가 완료와 동시에, 헥산은 10분 동안 라인을 통하여 펌프에 의해 주입된다. 이 반응은 2.3시간 동안 교반되어(stirred) 이뤄지며, 에탄올/H2O층은 제거되고, 그리고 나서 잔류하는 헥산 용액은 3미크론(㎛) 필터를 통해 걸러지고 그 후에 1㎛ 필터를 통해 걸러진다. 상기 용액에 헥산(3957그램, 45.92몰)이 첨가된다.
9-안트라센 카르복시-에틸 트리메톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
질소 인렛(inlet), 드라이 아이스 응축기 및 기계적 교반기를 갖춘 6L 자켓 반응기에 5000ml의 헥산, 720ml의 에탄올, 65ml의 물 및 10% 중량의 테트라부틸암모니움 클로라이드 히드레이트 수용액 120그램이 채워진다. 상기 혼합물은 25℃에서 교반하는 0.5시간 동안 평형이 유지된다. 트리클로로시레인(377.4그램, 2.78몰), 메틸트리클로로시레인(277.7그램, 1.86몰) 및 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인(203.8그램, 0.46몰)의 혼합물이 70분 동안 연동(peristaltic) 펌프를 사용하는 상기 반응기에 첨가된다. 상기 시레인(silane)과 흡수 화합물의 첨가 완료와 동시에, 헥산은 10분 동안 라인을 통하여 펌프에 의해 주입된다. 이 반응은 2.3시간 동안 교반되어(stirred) 이뤄지며, 에탄올/H2O 층은 제거되고, 그리고 나서 잔류하는 헥산 용액은 3미크론(㎛) 필터를 통해 걸러지고 그 후에 1㎛ 필터를 통해 걸러진다. 상기 용액에 헥산(3957그램, 45.92몰)이 첨가된다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리메톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
질소 인렛(inlet), 드라이 아이스 응축기 및 기계적 교반기를 갖춘 6L 자켓 반응기에 5000ml의 헥산, 720ml의 에탄올, 65ml의 물 및 10% 중량의 테트라부틸암모니움 클로라이드 히드레이트 수용액 120그램이 채워진다. 상기 혼합물은 25℃에서 교반하는 0.5시간 동안 평형이 유지된다. 트리클로로시레인(377.4그램, 2.78몰), 메틸트리클로로시레인(277.7그램, 1.86몰) 및 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인(203.8그램, 0.46몰)의 혼합물이 70분 동안 연동(peristaltic) 펌프를 사용하는 상기 반응기에 첨가된다. 상기 시레인(silane)과 흡수 화합물의 첨가 완료와 동시에, 헥산은 10분 동안 라인을 통하여 펌프에 의해 주입된다. 이 반응은 2.3시간 동안 교반되어(stirred) 이뤄지며, 에탄올/H2O 층은 제거되고, 그리고 나서 잔류하는 헥산 용액은 3미크론(㎛) 필터를 통해 걸러지고 그 후에 1㎛ 필터를 통해 걸러진다. 상기 용액에 헥산(3957그램, 45.92몰)이 첨가된다.
9-안트라센 카르복시-부틸 트리프로폭시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
질소 인렛(inlet), 드라이 아이스 응축기 및 기계적 교반기를 갖춘 6L 자켓 반응기에 5000ml의 헥산, 720ml의 에탄올, 65ml의 물 및 10% 중량의 테트라부틸암모니움 클로라이드 히드레이트 수용액 120그램이 채워진다. 상기 혼합물은 25℃에서 교반하는 0.5시간 동안 평형이 유지된다. 트리클로로시레인(377.4그램, 2.78몰), 메틸트리클로로시레인(277.7그램, 1.86몰) 및 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인(203.8그램, 0.46몰)의 혼합물이 70분 동안 연동(peristaltic) 펌프를 사용하는 상기 반응기에 첨가된다. 상기 시레인(silane)과 흡수 화합물의 첨가 완료와 동시에, 헥산은 10분 동안 라인을 통하여 펌프에 의해 주입된다. 이 반응은 2.3시간 동안 교반되어(stirred) 이뤄지며, 에탄올/H2O 층은 제거되고, 그리고 나서 잔류하는 헥산 용액은 3미크론(㎛) 필터를 통해 걸러지고 그 후에 1㎛ 필터를 통해 걸러진다. 상기 용액에 헥산(3957그램, 45.92몰)이 첨가된다.
실시예 19
9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
5 리터 플라스크 안에, 508.8그램(3.10몰)의 트리에톡시시레인(HTEOS), 135.8그램(0.31몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인 및 508.8그램(8.77몰)의 아세톤이 마그네틱 교반에 의해 혼합되고, 20℃ 이하로 냉각된다. 508.8그램(8.77몰)의 아세톤, 46.69그램(2.59몰 H2O, 0.0009몰 HNO3)의 0.02N 질산 및 37.03그램(2.06몰)의 탈이온수의 혼합물이, 20℃ 이하의 온도를 유지하면서, 45분 동안 깔때기를 통해 5L 플라스크 안의 혼합물에 천천히 첨가된다. 상기 용액은 8시간 동안 환류된다. 상기 용액에, 4631그램(30.67몰)의 에틸 락테이트가 첨가된다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
5 리터 플라스크 안에, 508.8그램(3.10몰)의 트리에톡시시레인(HTEOS), 135.8그램(0.31몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인 및 508.8그램(8.77몰)의 아세톤이 마그네틱 교반에 의해 혼합되고, 20℃ 이하로 냉각된다. 508.8그램(8.77몰)의 아세톤, 46.69그램(2.59몰 H2O, 0.0009몰 HNO3)의 0.02N 질산 및 37.03그램(2.06몰)의 탈이온수의 혼합물이, 20℃ 이하의 온도를 유지하면서, 45분 동안 깔때기를 통해 5L 플라스크 안의 혼합물에 천천히 첨가된다. 상기 용액은 8시간 동안 환류된다. 상기 용액에, 4631그램(30.67몰)의 에틸 락테이트가 첨가된다.
9-안트라센 카르복시-에틸 트리메톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
5 리터 플라스크 안에, 508.8그램(3.10몰)의 트리에톡시시레인(HTEOS), 135.8그램(0.31몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인 및 508.8그램(8.77몰)의 아세톤이 마그네틱 교반에 의해 혼합되고, 20℃ 이하로 냉각된다. 508.8그램(8.77몰)의 아세톤, 46.69그램(2.59몰 H2O, 0.0009몰 HNO3)의 0.02N 질산 및 37.03그램(2.06몰)의 탈이온수의 혼합물이, 20℃ 이하의 온도를 유지하면서, 45분 동안 깔때기를 통해 5L 플라스크 안의 혼합물에 천천히 첨가된다. 상기 용액은 8시간 동안 환류된다. 상기 용액에, 4631그램(30.67몰)의 에틸 락테이트가 첨가된다.
9-안트라센 카르복시-프로필 트리부톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
5 리터 플라스크 안에, 508.8그램(3.10몰)의 트리에톡시시레인(HTEOS), 135.8그램(0.31몰)의 9-안트라센 카르복시-메틸 트리에톡시시레인 및 508.8그램(8.77몰)의 아세톤이 마그네틱 교반에 의해 혼합되고, 20℃ 이하로 냉각된다. 508.8그램(8.77몰)의 아세톤, 46.69그램(2.59몰 H2O, 0.0009몰 HNO3)의 0.02N 질산 및 37.03그램(2.06몰)의 탈이온수의 혼합물이, 20℃ 이하의 온도를 유지하면서, 45분 동안 깔때기를 통해 5L 플라스크 안의 혼합물에 천천히 첨가된다. 상기 용액은 8시간 동안 환류된다. 상기 용액에, 4631그램(30.67몰)의 에틸 락테이트가 첨가된다.
실시예 20
페닐트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 104그램(0.432몰)의 페닐트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 57그램(0.769몰)의 부탄올, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수가 첨가되었다. 두께=1727Å, n=1.957, k=0.384.
페닐트리메톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 104그램(0.432몰)의 페닐트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 57그램(0.769몰)의 부탄올, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수가 첨가되었다.
페닐트리프로폭시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 104그램(0.432몰)의 페닐트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 57그램(0.769몰)의 부탄올, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수가 첨가되었다.
페닐트리부톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 123그램(0.593몰)의 TEOS, 104그램(0.432몰)의 페닐트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 57그램(0.769몰)의 부탄올, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수가 첨가되었다.
실시예 21
페닐트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 93그램(0.448몰)의 TEOS, 37그램(0.209몰)의 MTEOS, 100그램(0.418몰)의 페닐트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 57그램(0.769몰)의 부탄올, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수가 첨가되었다. 두께=1325Å, n=1.923, k=0.364.
페닐트리메톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 93그램(0.448몰)의 TEOS, 37그램(0.209몰)의 MTEOS, 100그램(0.418몰)의 페닐트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 57그램(0.769몰)의 부탄올, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수가 첨가되었다.
페닐트리프로폭시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 93그램(0.448몰)의 TEOS, 37그램(0.209몰)의 MTEOS, 100그램(0.418몰)의 페닐트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 57그램(0.769몰)의 부탄올, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수가 첨가되었다.
실시예 22
페닐트리에톡시시레인을 함유하는 SOG 흡수 합성
1 리터 플라스크 안에, 297그램(4.798몰)의 2-프로판올, 148그램(2.558몰)의 아세톤, 119그램(0.573몰)의 TEOS, 27그램(0.153몰)의 MTEOS, 74그램(0.306몰)의 페닐트리에톡시시레인, 0.6그램의 0.1M 질산 및 72그램(3.716몰)의 탈이온수가 화합되었다. 상기 플라스크는 4시간 동안 환류되었다. 상기 용액에, 88그램(1.422몰)의 2-프로판올, 44그램(0.758몰)의 아세톤, 59그램(1.227몰)의 에탄올, 9.5그램(0.528몰)의 탈이온수가 첨가되었다. 두께=1286Å, n=1.889, k=0.286.
페닐트리메톡시실란을 함유하는 흡수 SOG의 합성
1-리터 플라스크 내에서 297그람(4.798몰) 2-프로판올, 148그람(2.558몰)아세톤, 119그람(0.573몰) TEOS, 27그람(0.153몰)MTEOS, 74그람(0.306몰) 페닐트리에톡시실란, 0.6그람 0.1M 질산 및 72그람(3.716몰) 탈이온수가 혼합되었다.
그 플라스크는 4시간동안 환류(reflux)되었다.
상기 용액에, 부탄올(Butanol)의 57그람(0.769몰), 88그람(1.422 몰)2-프로판올, 44그람(0.758몰)의 아세톤, 59그람(1.227몰)의 에탄올, 9.5그람(0.528몰) 탈이온수가 첨가되었다.
페닐트리프로폭시실란을 함유하는 흡수 SOG의 합성
1-리터 플라스크 내에서 297그람(4.798몰) 2-프로판올, 148그람(2.558몰)아세톤, 119그람(0.573몰) TEOS, 27그람(0.153몰)MTEOS, 74그람(0.306몰) 페닐트리에톡시실란, 0.6그람 0.1M 질산 및 72그람(3.716몰) 탈이온수가 혼합되었다.
그 플라스크는 4시간동안 환류되었다.
상기 용액에, 부탄올(Butanol)의 57그람(0.769몰), 88그람(1.422 몰)2-프로판올, 44그람(0.758몰)의 아세톤, 59그람(1.227몰)의 에탄올, 9.5그람(0.528몰) 탈이온수가 첨가되었다.
실시예 23
페닐트리에톡시실란을 함유하는 흡수SOG의 합성
1-리터 플라스크 내에서 297그람(4.798몰) 2-프로판올, 148그람(2.558몰)아세톤, 73그람(0.351몰) TEOS, 45그람(0.251몰)MTEOS, 121그람(0.503몰) 페닐트리에톡시실란, 0.6그람 0.1 M 질산 및 72그람(3.716몰) 탈이온수가 혼합되었다.
그 플라스크는 4시간동안 환류되었다.
상기 용액에, 부탄올(Butanol)의 57그람(0.769몰), 88그람(1.422 몰)2-프로판올, 44그람(0.758몰)의 아세톤, 59그람(1.227몰)의 에탄올, 9.5그람(0.528몰) 탈이온수가 첨가되었다. 두께=1047Å, n=1.993, k=0.378.
페닐트리메톡시실란을 함유하는흡수SOG의 합성
1-리터 플라스크 내에서 297그람(4.798몰) 2-프로판올, 148그람(2.558몰)아세톤, 73그람(0.351몰) TEOS, 45그람(0.251몰)MTEOS, 121그람(0.503몰) 페닐트리에톡시실란, 0.6그람 0.1 M 질산 및 72그람(3.716몰) 탈이온수가 혼합되었다.
그 플라스크는 4시간동안 환류되었다.
상기 용액에, 부탄올(Butanol)의 57그람(0.769몰), 88그람(1.422 몰)2-프로판올, 44그람(0.758몰)의 아세톤, 59그람(1.227몰)의 에탄올, 9.5그람(0.528몰) 탈이온수가 첨가되었다.
페닐트리프로폭시실란을 함유하는 흡수SOG의 합성
1-리터 플라스크 내에서 297그람(4.798몰) 2-프로판올, 148그람(2.558몰)아세톤, 73그람(0.351몰) TEOS, 45그람(0.251몰)MTEOS, 121그람(0.503몰) 페닐트리에톡시실란, 0.6그람 0.1 M 질산 및 72그람(3.716몰) 탈이온수가 혼합되었다.
그 플라스크는 4시간동안 환류되었다.
상기 용액에, 부탄올(Butanol)의 57그람(0.769몰), 88그람(1.422 몰)2-프로판올, 44그람(0.758몰)의 아세톤, 59그람(1.227몰)의 에탄올, 9.5그람(0.528몰) 탈이온수가 첨가되었다.
페닐트리부톡시실란을 함유하는 흡수SOG의 합성
1-리터 플라스크 내에서 297그람(4.798몰) 2-프로판올, 148그람(2.558몰)아세톤, 73그람(0.351몰) TEOS, 45그람(0.251몰)MTEOS, 121그람(0.503몰) 페닐트리에톡시실란, 0.6그람 0.1 M 질산 및 72그람(3.716몰) 탈이온수가 혼합되었다.
그 플라스크는 4시간동안 환류되었다.
상기 용액에, 부탄올(Butanol)의 57그람(0.769몰), 88그람(1.422 몰)2-프로판올, 44그람(0.758몰)의 아세톤, 59그람(1.227몰)의 에탄올, 9.5그람(0.528몰) 탈이온수가 첨가되었다.
실시예 24
페닐트리에톡시실란 및 2-하이드록시-4(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤을 함유하는 흡수 SOG의 합성
1-리터 플라스크 내에서 297그람(4.798몰) 2-프로판올, 148그람(2.558몰)아세톤, 73그람(0.351몰) TEOS, 45그람(0.251몰)MTEOS, 103그람(0.428몰) 페닐트리에톡시실란, 12그람(0.0298몰)2-하이드록시-4-(3-트리에톡시실리프로폭시)-디페닐케톤, 0.6그람 0.1 M 질산 및 72그람(3.716몰) 탈이온수가 혼합되었다.
그 플라스크는 4시간동안 환류되었다.
상기 용액에, 부탄올(Butanol)의 57그람(0.769몰), 88그람(1.422 몰)2-프로판올, 44그람(0.758몰)의 아세톤, 59그람(1.227몰)의 에탄올, 9.5그람(0.528몰) 탈이온수가 첨가되었다.
실시예 25
4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-메틸트리에톡시실란을 함유하는 흡수 SOG의 합성
1-리터 플라스크 내에서 297그람(4.798몰) 2-프로판올, 148그람(2.558몰)아세톤, 123그람(0.593몰) TEOS, 77그람(0.432몰)MTEOS, 44.5그람(0.13몰)4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-메틸트리에톡시실란, 0.6그람 0.1 M 질산 및 72그람(3.716몰) 탈이온수가 혼합되었다.
그 플라스크는 4시간동안 환류되었다.
상기 용액에, 부탄올(Butanol)의 57그람(0.769몰), 88그람(1.422 몰)2-프로판올, 44그람(0.758몰)의 아세톤, 59그람(1.227몰)의 에탄올, 9.5그람(0.528몰) 탈이온수가 첨가되었다. 365nm에서, n=1.499, k=0.162.
4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-에틸트리에톡시실란을 함유하는 흡수 SOG의 합성
1-리터 플라스크 내에서 297그람(4.798몰) 2-프로판올, 148그람(2.558몰)아세톤, 123그람(0.593몰) TEOS, 77그람(0.432몰)MTEOS, 44.5그람(0.13몰)4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-메틸트리에톡시실란, 0.6그람 0.1 M 질산 및 72그람(3.716몰) 탈이온수가 혼합되었다.
그 플라스크는 4시간동안 환류되었다.
상기 용액에, 57그람(0.769몰)의 부탄올(Butanol), 88그람(1.422 몰)2-프로판올, 44그람(0.758몰)의 아세톤, 59그람(1.227몰)의 에탄올, 9.5그람(0.528몰) 탈이온수가 첨가되었다.
4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-프로필트리에톡시실란을 함유하는 흡수 SOG의 합성
1-리터 플라스크 내에서 297그람(4.798몰) 2-프로판올, 148그람(2.558몰)아세톤, 123그람(0.593몰) TEOS, 77그람(0.432몰)MTEOS, 44.5그람(0.13몰)4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-메틸트리에톡시실란, 0.6그람 0.1 M 질산 및 72그람(3.716몰) 탈이온수가 혼합되었다.
그 플라스크는 4시간동안 환류되었다.
상기 용액에, 57그람(0.769몰)의 부탄올(Butanol), 88그람(1.422 몰)2-프로판올, 44그람(0.758몰)의 아세톤, 59그람(1.227몰)의 에탄올, 9.5그람(0.528몰) 탈이온수가 첨가되었다.
4-메톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-프로필트리메톡시실란을 함유하는 흡수 SOG의 합성
1-리터 플라스크 내에서 297그람(4.798몰) 2-프로판올, 148그람(2.558몰)아세톤, 123그람(0.593몰) TEOS, 77그람(0.432몰)MTEOS, 44.5그람(0.13몰)4-에톡시페닐아조벤젠-4-카르복시-메틸트리에톡시실란, 0.6그람 0.1 M 질산 및 72그람(3.716몰) 탈이온수가 혼합되었다.
그 플라스크는 4시간동안 환류되었다.
상기 용액에, 57그람(0.769몰)의 부탄올(Butanol), 88그람(1.422 몰)2-프로판올, 44그람(0.758몰)의 아세톤, 59그람(1.227몰)의 에탄올, 9.5그람(0.528몰) 탈이온수가 첨가되었다.
이와 같이, 흡수 화합물을 포함하는 스핀-온 글래스 재료를 제조하기 위한 특정 실시예 및 적용예들이 개시되어 있다.
그러나, 상기한 것들 외에도 많은 변형들이 본 발명의 범위내에서 가능하다는 것은 당업자에게 자명한 것이다.
따라서, 본 발명의 요지(subject matter)는 제한되는 것이 아니고, 첨부된 청구범위내의 것을 모두 포함한다.
더욱이, 발명의 상세한 설명 및 특허청구범위를 해석함에 있어서, 모든 용어는 내용이 일치되는 가능한 넓은 방식으로 해석되어야 한다.
특히, 용어 "포함하다(comprises)" 및 "포함하는(comprising)"은 비-배타적인 방식(non-exclusive manner)으로 원소들, 성분들, 및 단계들을 나타내는 것으로 해석되어야 하며, 인용된 원소들, 성분들, 및 단계들이 언급되지 않은 다른 원소들, 성분들 또는 단계들과 함께 존재하거나, 또는 사용되거나, 또는 결합될 수 있는 것을 나타낸다.
Claims (30)
- 실리콘계 화합물과 375㎚미만의 파장에서 광을 흡수하는 편입 가능한 유기 흡수성 화합물을 포함하여 이루어지며,상기 실리콘계 화합물 또는 상기 편입가능한 유기 흡수 화합물은 최소하나의 CnH2n+1기 (단 n은 2보다 크다),최소하나의 알콕시기, 최소하나의 케톤기 또는 최소하나의 아조기를 포함하는 흡수성 스핀-온 글라스 조성물
- 제 1항에 있어서, 상기 범위는 260㎚ 미만의 파장임을 특징으로 하는 조성물
- 제 1항에 있어서, 상기 유기 흡수성 화합물은 최소하나의 벤젠고리와, 히드록실기, 아민기, 카복실 산기, 및 알콕시기와 할로겐 원자로 구성되는 그룹에서 선택된 최소하나의 치환체에 실리콘이 결합된 치환된 시릴기로 구성되는 그룹에서 선택된 반응성기를 포함함을 특징으로 하는 조성물
- 제 3항에 있어서, 상기 유기흡수성 화합물은 2이상의 벤젠고리를 포함함을 특징으로 하는 조성물
- 제 4항에 있어서, 상기 2이상의 벤젠고리는 융착(fused)되어 있음을 특징으로 하는 조성물
- 제 3항에 있어서, 상기 유기흡수성 혼합물은 실리콘 알콕시, 실리콘디알콕시, 및 실리콘 트리알콕시를 포함하는 그룹에서 선택된 반응성기를 포함하여 이루어짐을 특징으로 하는 조성물
- 제 6항에 있어서, 상기 실리콘 알콕시, 실리콘디알콕시 및 실리콘트리알콕시는 실리콘에톡시, 실리콘디에톡시, 실리콘트리에톡시, 실리콘메톡시, 실리콘디메톡시 및 실리콘 트리메톡시기를 포함함을 특징으로 하는 조성물
- 제 3항에 있어서, 상기 반응성기는 벤젠고리에 직접 결합되어 있음을 특징으로 하는 조성물
- 제 3항에 있어서, 상기 반응성기는 하이드로카본 브리지를 통해 벤젠고리에 부착되어 있음을 특징으로 하는 조성물
- 제 3항에 있어서, 상기 유기 흡수성 혼합물은 안트라 프라브산, 9-안트라센 카복실산, 9-안트라센메탄올, 알리자린, 퀴니자린, 프리무린, 3-히드록시-4(3-트리에톡시실릴 프로폭시)-디페닐케톤, 로졸산, 트리에톡시시릴프로필-1,8-나프탈이미드, 9-안트라센 카복시-알킬트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 4-페닐아조페놀, 4-에톡시페닐아조벤젠-4-카복시메틸 트리에톡시실란, 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카복시-메틸트리에톡시실란 및 그 혼합물로 구성되는 그룹에서 선택된 흡수성 화합물을 포함함을 특징으로 하는 조성물.
- 제 10항에 있어서, 9-안트라센 카복시-알킬 트리 에톡시실란은 9-안트라센 카복시-프로필트리에톡시 실란을 포함함을 특징으로 하는 조성물
- 제 10항에 있어서, 상기 유기 흡수성 화합물은 페닐트리에톡시 실란을 포함함을 특징으로 하는 조성물
- 제 1항에 있어서, 상기 실리콘계 화합물은 메틸실록산, 메틸실세스퀴옥산, 페닐실록산, 페닐실세스퀴옥산, 메틸페닐실록산, 메틸페닐 실세스퀴옥산, 실라잔 중합체, 실리케이트 중합체 및 그 혼합물을 포함하는 그룹에서 선택된 중합체를 포함함을 특징으로 하는 조성물.
- 제 1항에 있어서, 상기 실리콘계 화합물은 하이드로겐 실록산, 하이드로겐 실세스퀴옥산, 오가노 하이드리도 실록산과 오가노 하이드리도실세스 퀴옥산 및 하이드로겐 실세스퀴옥산과 알콕시하이드리도실록산 또는 히드록시하이드리도 실록산의 공중합체로 구성되는 그룹에서 선택된 중합체임을 특징으로 하는 조성물.
- 제 14항 에 있어서, 상기 중합체는 일반식(H0∼1.0 SiO1.5∼2.0)χ.(여기서 χ는 8보다큼) 및 (H0∼1.0 SiO1.5∼2.0)n (Ro ∼ 1.0 SiO1.5 ∼ 2.0)m (여기서 m은 O보다 크고 n과 m은 0보다 크고 n과 m의 합은 8∼5000이며 R은 C1 ∼ C20 알킬기 또는 C6 ∼ C12 아릴기이다)포함하는 그룹에서 선택된 일반실을 가짐을 특징으로 하는 조성물.
- 청구항 1의 흡수성 스핀-온 글라스 조성물과 용제나 용제 혼합물을 포함하여 이루어진 코팅용액.
- 제 16항에 있어서, 상기 용액은 약 0.5%∼20% 범위의 흡수성 스핀-온 글라스 조성물임을 특징으로 하는 코팅용액
- 제 17항에 있어서, 상기 용제는 에틸락테이트와 프로필렌 글리콜 프로필에테르를 포함하는 그룹에서 선택됨을 특징으로 하는 코팅용액
- 알콕시실란과 할로실란을 포함하는 그룹에서 선택된 최소 하나의 실란반응물, 최소하나의 편입가능한 유기 흡수화합물, 산/물 혼합물, 및 최소하나의 용제를 합하여 반응혼합물을 형성하는 단계, 및그 반응 혼합물을 환류시켜 흡수성 스핀-온-글라스 조성물을 형성하는 단계를 포함하고,상기 흡수성 스핀-온 글라스 조성물은 최소하나의 알킬기, 알콕시기, 케톤기 또는 아조기를 포함하는 흡수성 스핀-온 글라스 조성물 제조방법.
- 제 19항에 있어서, 상기 최소 하나의 유기 흡수 화합물은 최소하나의 벤젠 고리와, 히드록산기, 아민기, 카본실산기 및 알콕시기와 할로겐원자를 포함하는 최소하나의 치환체에 실리콘이 결합된 치환된 시릴기를 포함하는 반응성기를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 19항에 있어서, 상기 하나이상의 유기 흡수화합물은 안트라 프라브산, 9-안트라센 카복실산, 9-안트라센 메탄올, 알리자린, 퀴니자린, 프리무린, 2-히드록시-4(3-트리에톡시시릴프로톡시)-디페닐케톤, 조졸산, 트리에톡시시릴프로필-1,8-나프탈이미드, 9-안트라센 카복시-알킬 트리에톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 4-페닐아조페놀, 4-에톡시페닐아조벤젠-4-카복시-메틸트리에톡시실란, 4-메톡시페닐아조벤젠-4-카복시-메틸트리에톡시실란 및 그 혼합물로 구성되는 그룹에서 선택됨을 특징으로 하는 방법.
- 제 21항에 있어서, 상기 9-안트라센 카복시-알킬 트리에톡시실란은 9-안트라센 카복시-프로필 트리 에톡시실란을 포함함을 특징으로 하는 방법
- 제 19항에 있어서, 상기 최소하나의 실란 반응물은 트리에톡시실란, 테트라에톡시실란, 메틸트리에톡시실란, 디메틸디에톡시실란, 테트라메톡시실란, 메틸트리메톡시실란, 트리메톡시실란, 디메틸디메톡시실란, 페닐트리에톡시실란, 페닐트리메톡시실란, 디페닐디에톡시실란과 디페닐디메톡시실란, 트리클로로실란, 메틸트리클로로실란, 에틸트리클로로실란, 페닐트리클로로실란 테트라클로로실란, 클로로트리에톡시실란, 클로로 트리메톡시실란, 클로로메틸트리에톡시실란, 클로로에틸트리에톡시실란, 클로로페닐트리에톡시실란, 클로로메틸트리메톡시실란, 클로로에틸트리메톡시실란 및 클로로페닐트리메톡시실란을 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 23항에 있어서, 상기 최소하나의 실란 반응물은 테트라에톡시실란과 메틸트리에톡시실란을 포함함을 특징으로 하는 방법
- 제 19항에 있어서, 상기 산/물 혼합물은 질산/물 혼합물임을 특징으로 하는 방법
- 최소하나의 알콕시 실란이나 할로실란, 최소하나의 편입가능한 유기 흡수 화합물, 산/물 혼합물 및 최소하나의 용제를 합하여 반응 혼합물을 형성하는 단계; 및그 반응 혼합물을 환류시켜 흡수성 스핀-온 글라스 중합체를 형성하는 단계;를 포함하고흡수성 스핀-온 글라스 조성물이 최소하나의 알킬기; 알콕시기, 케톤기 또는 아조기를 포함하는, 흡수성 스핀-온-글라스 중합체를 포함한 코팅 용액 제조방법
- 제 26항에 있어서, 나아가 코팅용액을 제조하기 위해 상기 스핀-온 조성물에 하나이상의 희석 용제를 첨가하는 단계를 포함함을 특징으로 하는 방법.
- 제 26항에 있어서, 상기 코팅용액은 0.5∼20% 흡수성 스핀-온 글라스 중합체임을 특징으로 하는 방법.
- 9-안트라센 카복실산, 클로로프로필트리에톡시실란, 트리에틸라민, 및 용제를 합하여 반응 혼합물을 형성하는 단계;그 반응 혼합물을 환류시키는 단계;그 환류된 반응 혼합물을 냉각시킨 침전물과 여액을 형성시키는 단계; 및상기 여액을 여과하여 액상 9-안트라센 카복실-프로필 트리에톡시실란을 제조하는 단계;를 포함하는 9-안트라센 카복실-프로필 트리에톡시 실란 제조방법.
- 제 29항에 있어서, 상기 여액 여과 단계는;상기 여액을 로토-증류(roto-evaporating)시키는 단계;그 로토-증류된 용액을 실리카겔 컬럼을 통과시키는 단계; 및상기 실리카겔 컬럼을 통과시킨 용액을 로토-증류시키는 단계;를 포함함을 특징으로 하는 방법.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/001,143 US6824879B2 (en) | 1999-06-10 | 2001-11-15 | Spin-on-glass anti-reflective coatings for photolithography |
US10/001,143 | 2001-11-15 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20050042068A true KR20050042068A (ko) | 2005-05-04 |
Family
ID=21694597
Family Applications (2)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020047007490A KR100897575B1 (ko) | 2001-11-15 | 2002-10-31 | 포토리소그래피용 스핀-온-글래스 무반사 코팅 |
KR1020047007485A KR20050042068A (ko) | 2001-11-15 | 2002-10-31 | 포토리소그래피를 위한 비반사 스핀-온-글래스 코팅 |
Family Applications Before (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020047007490A KR100897575B1 (ko) | 2001-11-15 | 2002-10-31 | 포토리소그래피용 스핀-온-글래스 무반사 코팅 |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US6824879B2 (ko) |
EP (1) | EP1478683A4 (ko) |
JP (3) | JP2005509914A (ko) |
KR (2) | KR100897575B1 (ko) |
CN (2) | CN1615333A (ko) |
AU (1) | AU2002336709A1 (ko) |
TW (2) | TWI324626B (ko) |
WO (1) | WO2003044079A1 (ko) |
Families Citing this family (81)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP4513966B2 (ja) | 2005-03-07 | 2010-07-28 | 信越化学工業株式会社 | プライマー組成物及びそれを用いた電気電子部品 |
-
2001
- 2001-11-15 US US10/001,143 patent/US6824879B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2002
- 2002-10-31 EP EP02773961A patent/EP1478683A4/en not_active Withdrawn
- 2002-10-31 KR KR1020047007490A patent/KR100897575B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2002-10-31 WO PCT/US2002/035101 patent/WO2003044079A1/en active Application Filing
- 2002-10-31 AU AU2002336709A patent/AU2002336709A1/en not_active Abandoned
- 2002-10-31 CN CNA028271661A patent/CN1615333A/zh active Pending
- 2002-10-31 JP JP2003545713A patent/JP2005509914A/ja active Pending
- 2002-10-31 KR KR1020047007485A patent/KR20050042068A/ko not_active Application Discontinuation
- 2002-11-12 JP JP2003545712A patent/JP2005509913A/ja active Pending
- 2002-11-12 US US10/495,686 patent/US9069133B2/en active Active
- 2002-11-12 CN CNA028271505A patent/CN1615332A/zh active Pending
- 2002-11-15 TW TW091133495A patent/TWI324626B/zh not_active IP Right Cessation
- 2002-11-15 TW TW091133515A patent/TWI308585B/zh not_active IP Right Cessation
-
2009
- 2009-05-25 JP JP2009125324A patent/JP4703745B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN1615333A (zh) | 2005-05-11 |
TW200302259A (en) | 2003-08-01 |
US20140227538A1 (en) | 2014-08-14 |
JP2009282524A (ja) | 2009-12-03 |
TWI324626B (en) | 2010-05-11 |
US6824879B2 (en) | 2004-11-30 |
JP2005509913A (ja) | 2005-04-14 |
US20020095018A1 (en) | 2002-07-18 |
KR100897575B1 (ko) | 2009-05-15 |
KR20050042069A (ko) | 2005-05-04 |
WO2003044079A1 (en) | 2003-05-30 |
US9069133B2 (en) | 2015-06-30 |
CN1615332A (zh) | 2005-05-11 |
EP1478683A1 (en) | 2004-11-24 |
TWI308585B (en) | 2009-04-11 |
EP1478683A4 (en) | 2005-06-15 |
JP4703745B2 (ja) | 2011-06-15 |
JP2005509914A (ja) | 2005-04-14 |
AU2002336709A1 (en) | 2003-06-10 |
TW200306342A (en) | 2003-11-16 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
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